JP2008096384A - Probe assembly for current carrying test - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe assembly for preventing an arm from being excessively warped and deformed when it is removed from an electrode even if the electrode is melted and attached to probes. <P>SOLUTION: The probe assembly is provided with: a probe substrate; an attachment section supported by the probe substrate; the arm spaced from the probe substrate and extended from an attachment section along the probe substrate; a plurality of the probes disposed in the arm, and respectively having needles separated and protruded from the probe substrate; and a means supported by the probe substrate, and regulating a warpage and a deformation generated in the arm when an action force is applied to the needles of the probes in the direction for separating them from the probe substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体集積回路や表示用基板のような平板状の被検査体の通電試験に用いるのに好適な通電試験用プローブ組立体に関する。   The present invention relates to an energization test probe assembly suitable for use in an energization test of a flat object such as a semiconductor integrated circuit or a display substrate.

半導体チップの電極にバンプ電極を用いたものがある。このバンプ電極によれば、半導体チップを取り付ける回路基板の電極と、半導体チップのバンプ電極との直接的な接合により、半導体チップを前記回路基板に実装することができる。このような半導体チップは、一般的に、半導体ウエハ上に半導体集積回路として集合的に形成され、該半導体ウエハがそれぞれのチップに分離される前に、電気的検査を受ける。   Some semiconductor chip electrodes use bump electrodes. According to this bump electrode, the semiconductor chip can be mounted on the circuit board by directly joining the electrode of the circuit board to which the semiconductor chip is attached and the bump electrode of the semiconductor chip. In general, such semiconductor chips are collectively formed as a semiconductor integrated circuit on a semiconductor wafer and subjected to an electrical inspection before the semiconductor wafer is separated into the respective chips.

この種の電気的検査では、半導体ウエハ上の各チップ領域の各電極に接触する多数のプローブが設けられたプローブ組立体を通して、被検査体である各チップ領域がテスタ本体に接続される。   In this type of electrical inspection, each chip region, which is an object to be inspected, is connected to the tester body through a probe assembly provided with a large number of probes that come into contact with each electrode of each chip region on the semiconductor wafer.

前記したプローブ組立体の各プローブは、針先部が設けられたアーム部を有する。このアーム部の一端は前記プローブ組立体のプローブ基板の回路に固定され、アーム部は、前記プローブ基板の表面から間隔をおいてこれにほぼ沿って横方向に伸びる。前記針先部は、このアーム部の先端で、前記プローブ基板の表面から離れる方向へ突出し、その突出端が針先となる(特許文献1参照)。   Each probe of the probe assembly described above has an arm portion provided with a needle tip portion. One end of the arm portion is fixed to the circuit of the probe substrate of the probe assembly, and the arm portion extends laterally along the surface of the probe substrate at a distance from the surface. The needle tip portion protrudes in a direction away from the surface of the probe substrate at the tip of the arm portion, and the protruding end becomes a needle tip (see Patent Document 1).

前記プローブ組立体は、各プローブの針先が被検査体の対応するバンプ電極に接触するように、半導体ウエハに向けて相対的に移動され、これにより各プローブの針先が対応する電極に押圧される。このとき、前記アーム部に僅かな撓み変形が生じるように、各プローブにはオーバドライブ力が付与される。このオーバドライブ力により、各プローブと対応するバンプ電極とが電気的に確実に接触する。   The probe assembly is moved relatively toward the semiconductor wafer so that the probe tips of the probes come into contact with the corresponding bump electrodes of the device under test, whereby the probe tips of the probes are pressed against the corresponding electrodes. Is done. At this time, an overdrive force is applied to each probe so that slight bending deformation occurs in the arm portion. Due to this overdrive force, each probe and the corresponding bump electrode are reliably in electrical contact.

ところが、このプローブとバンプ電極との接触状態でテストのための電流を通したとき、この通電によってバンプ電極がプローブの針先に溶着することがある。バンプ電極が金バンプの場合、特に、プローブの針先への溶着が生じ易い。   However, when a current for testing is passed while the probe is in contact with the bump electrode, the bump electrode may be welded to the probe tip due to this energization. In the case where the bump electrode is a gold bump, the probe is easily welded to the probe tip.

このプローブへのバンプ電極の溶着が生じた状態で、通電試験後に、プローブ組立体が被検査体から離れるように相対的に移動すると、そのとき、バンプ電極が溶着したプローブの針先がバンプ電極に固着していることから、プローブの針先部はプローブ組立体のプローブ基板から離れる方向への作用力を受ける。そのため、バンプ電極が溶着したプローブのアーム部には、前記したオーバドライブ力を受けたときとは逆方向への反り返り変形が生じる。この溶着によるアーム部の過度の反り返り変形は、プローブの破損の原因となり得る。   When the bump electrode is welded to the probe and the probe assembly is moved relatively away from the object to be inspected after the current test, the probe tip to which the bump electrode is welded is the bump electrode. Therefore, the probe tip of the probe receives an acting force in a direction away from the probe substrate of the probe assembly. Therefore, the arm portion of the probe to which the bump electrode is welded is warped and deformed in the direction opposite to that when receiving the overdrive force. Excessive warping deformation of the arm portion due to this welding can cause damage to the probe.

特開2002−311049号公報JP 2002-311049 A

そこで、本発明の目的は、プローブへの電極の溶着が生じても該電極からの離反時にプローブのアーム部に過度の反り返り変形を生じることのないプローブ組立体を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a probe assembly that does not cause excessive warping and deformation in the arm portion of the probe when the electrode is welded to the probe when the electrode is separated from the electrode.

本発明に係るプローブ組立体は、プローブ基板と、該プローブ基板に支持され、これにほぼ沿って間隔をおいて伸長するアーム部および該アーム部に設けられ前記プローブ基板から離れる方向へ突出する針先部をそれぞれ有する複数のプローブと、前記プローブ基板に支持され、前記プローブの前記針先部が前記プローブ基板から離れる方向への作用力を受けたときに前記アーム部に生じる反り返り変形を規制する手段とを備える。   A probe assembly according to the present invention includes a probe substrate, an arm portion that is supported by the probe substrate and extends substantially along the probe substrate, and a needle that is provided on the arm portion and protrudes away from the probe substrate. A plurality of probes each having a tip portion and a probe substrate are supported by the probe substrate, and the warp deformation generated in the arm portion when the needle tip portion of the probe receives an acting force in a direction away from the probe substrate is regulated. Means.

本発明に係るプローブ組立体では、オーバドライブ力によってプローブの針先部の先端すなわち針先が被検査体の対応する電極に押し付けられる。このプローブの押し付け状態で該プローブを経て前記電極に通電したとき、たとえ前記電極がこの針先に溶着を生じても、前記プローブのアーム部に反り返り変形を規制する手段が設けられていることから、前記プローブ組立体と前記被検査体とが相離れる方向へ相対移動したとき、前記規制手段によって前記アーム部に破損を生じるほどの過剰な反り返り変形が防止される。そのため、このアーム部の過剰な反り返りによる破損が確実に防止される。   In the probe assembly according to the present invention, the tip of the probe tip, that is, the tip of the probe is pressed against the corresponding electrode of the device under test by the overdrive force. When the electrode is energized through the probe in the pressed state, even if the electrode is welded to the needle tip, the arm portion of the probe is provided with means for warping and restricting deformation. When the probe assembly and the object to be inspected move relative to each other in a direction away from each other, excessive warping deformation that causes damage to the arm portion is prevented by the restricting means. Therefore, the arm portion is reliably prevented from being damaged due to excessive warping.

前記プローブのアーム部は該アーム部の端部から前記プローブ基板に向けて伸びる取付け部を経て前記プローブ基板に支持することができる。   The arm portion of the probe can be supported on the probe substrate via an attachment portion extending from the end of the arm portion toward the probe substrate.

前記複数のプローブの少なくとも一部が相互に整列して配置されている場合、前記規制手段は整列した前記複数のプローブに共通に設けることができる。   When at least some of the plurality of probes are arranged in alignment with each other, the restricting means can be provided in common to the plurality of aligned probes.

前記規制手段は、前記針先部の前記プローブ基板へ向けての変位を伴う前記アーム部の変形を許すが前記プローブ基板からの所定の距離を超える前記針先部の変位を伴う前記アーム部の変形を規制するフック部材で形成することができる。   The restricting means allows deformation of the arm portion with displacement of the needle tip portion toward the probe substrate, but of the arm portion with displacement of the needle tip portion exceeding a predetermined distance from the probe substrate. It can be formed of a hook member that restricts deformation.

このフック部材は、前記取付け部と前記針先部との間で前記アーム部に係合可能に前記プローブ基板に設けることができる。   The hook member can be provided on the probe substrate so as to be engageable with the arm portion between the attachment portion and the needle tip portion.

また、前記したフック部材に代えて、前記アーム部の両側で前記プローブ基板から前記アーム部の両側に沿って突出する一対の側壁部と、該両側壁部に一体に形成され前記アーム部の前記プローブ基板と反対側の面から間隔をおく底壁部とを有するフック部材を用いることができる。   Further, instead of the hook member described above, a pair of side wall portions projecting along the both sides of the arm portion from the probe substrate on both sides of the arm portion, and the arm portion formed integrally with the both side wall portions. A hook member having a bottom wall portion spaced from the surface opposite to the probe substrate can be used.

また、前記アーム部に、その前記取付け部と前記針先部との間で前記フック部材を係合可能とすることに代えて、前記アーム部に、その長手方向で見て前記針先部よりも先端側で前記フック部を係合させることができる。   Further, instead of enabling the hook member to be engaged with the arm portion between the attachment portion and the needle tip portion, the arm portion is more than the needle tip portion viewed in the longitudinal direction. Also, the hook portion can be engaged on the tip side.

プローブのアーム部にその先端側で前記フック部を係合させる場合、アーム部の先端部の前記プローブ基板に対向する側と反対側に前記フック部材を受ける係合面を形成し、また前記フック部材には、前記アーム部の前記先端部から外れた前記プローブ基板の位置で該プローブ基板から離れる方向へ伸長する垂直部と、該垂直部から前記係合面に間隔をおいて該係合面に沿って伸びる底部とを有するフック部材を用いることができる。   When the hook portion is engaged with the arm portion of the probe on the tip side, an engaging surface for receiving the hook member is formed on the opposite side of the tip portion of the arm portion to the side facing the probe substrate, and the hook The member includes a vertical portion extending in a direction away from the probe substrate at a position of the probe substrate that is disengaged from the tip portion of the arm portion, and the engagement surface spaced from the vertical portion to the engagement surface. A hook member having a bottom extending along the surface can be used.

前記プローブ基板には、電気絶縁層と、該電気絶縁層内に埋設され、前記プローブが接続されるパターン配線層および該パターン配線層と同一金属材料により形成され前記電気絶縁層内で前記パターン配線層から電気的に絶縁された支持層とを備えるプローブ基板を用いることができる。この場合、前記フック部材は前記支持層に結合することができる。   The probe substrate is formed of an electric insulating layer, a pattern wiring layer embedded in the electric insulating layer, connected to the probe, and the same metal material as the pattern wiring layer, and the pattern wiring is formed in the electric insulating layer. A probe substrate comprising a support layer electrically insulated from the layers can be used. In this case, the hook member can be coupled to the support layer.

本発明に係る前記プローブおよび前記フック部は、フォトリソグラフィ技術を利用して形成されるフォトレジストで模られた凹所に金属材料を順次堆積して形成することができる。   The probe and the hook according to the present invention can be formed by sequentially depositing a metal material in a recess that is formed by a photoresist formed by using a photolithography technique.

本発明によれば、前記したように、オーバドライブ力によってプローブの針先が電極に押し付けられた状態で通電を受け、この通電によって電極がそのプローブの針先にたとえ溶着しても、前記プローブ組立体と前記被検査体とが相離れる方向へ相対移動したとき、前記規制手段によって前記アーム部に破損を生じるほどの過剰な反り返り変形が防止されるので、前記相対移動に伴って、該アーム部に破損を生じることなくプローブの針先をこれに溶着した電極から確実に分離して取り外すことができる。   According to the present invention, as described above, even if the probe needle tip is pressed against the electrode by the overdrive force, the probe is energized, and even if the electrode is welded to the probe tip by this energization, the probe When the assembly and the object to be inspected move relative to each other in a direction away from each other, the arm is prevented from being excessively warped and deformed to the extent that the arm portion is damaged. The tip of the probe can be reliably separated from the electrode welded thereto and removed without causing damage to the portion.

本発明に係るプローブ組立体10は、図1および図2に示されているように、リジッド配線基板12と、該リジッド配線基板にばね部材14(図2参照)を介して弾性支持されるブロック16と、リジッド配線基板12内の図示しない複数の配線路に電気的にそれぞれ接続される従来よく知られた複数の導電路が設けられるプローブ基板18が一体的に形成されたプローブシート20とを備える。この実施例では、プローブ基板18が可撓性のプローブシート20の中央部に形成されている。   1 and 2, a probe assembly 10 according to the present invention includes a rigid wiring board 12 and a block that is elastically supported by the rigid wiring board via a spring member 14 (see FIG. 2). 16 and a probe sheet 20 integrally formed with a probe substrate 18 provided with a plurality of well-known conductive paths electrically connected to a plurality of wiring paths (not shown) in the rigid wiring board 12. Prepare. In this embodiment, the probe substrate 18 is formed at the center of the flexible probe sheet 20.

リジッド配線基板12内には、従来よく知られているように、テスタ本体の電気回路に接続される配線路が形成されており、リジッド配線基板12は、その中央に円形開口12aを有する。リジッド配線基板12の上面には、図2に示すように、円形開口12aを覆って例えばステンレスのような金属からなる円形の支持板24が配置されており、該支持板は、これに螺合するボルト22を介して、リジッド配線基板12に固定されている。支持板24は、リジッド配線基板12を支持し、該リジッド配線基板の補強作用をなす。   As is well known in the art, a wiring path connected to the electric circuit of the tester body is formed in the rigid wiring board 12, and the rigid wiring board 12 has a circular opening 12a at the center thereof. As shown in FIG. 2, a circular support plate 24 made of a metal such as stainless steel is disposed on the upper surface of the rigid wiring board 12 so as to cover the circular opening 12a. It is fixed to the rigid wiring board 12 via the bolts 22. The support plate 24 supports the rigid wiring board 12 and reinforces the rigid wiring board.

ばね部材14は、平板状のばね材料からなり、その環状外縁部を両面から挟持する環状の取付板26および環状の押さえ板28を介して、リジッド配線基板12の円形開口12a内で該開口を横切って保持される。このばね部材14の保持のために、取付板26は支持板24の下面にボルト30で結合され、また押さえ板28は、該押さえ板およびばね部材14の環状外縁部を貫通して取付板26に螺合するボルト32で取付板26に結合されている。   The spring member 14 is made of a flat spring material, and the opening is formed in the circular opening 12a of the rigid wiring board 12 through an annular mounting plate 26 and an annular pressing plate 28 that sandwich the annular outer edge portion from both sides. Held across. In order to hold the spring member 14, the mounting plate 26 is coupled to the lower surface of the support plate 24 with bolts 30, and the holding plate 28 penetrates the holding plate and the annular outer edge of the spring member 14. It is connected to the mounting plate 26 by a bolt 32 that is screwed onto the mounting plate 26.

図2に示す例では、ボルト30を緩めた状態でばね部材14の保持姿勢を調整するための平行調整ねじ部材34が、その先端を取付板26の頂面に当接可能に、支持板24に螺合する。   In the example shown in FIG. 2, the parallel adjustment screw member 34 for adjusting the holding posture of the spring member 14 in a state where the bolt 30 is loosened so that the tip of the parallel adjustment screw member 34 can come into contact with the top surface of the mounting plate 26. Threaded onto.

リジッド配線基板12の円形開口12a内に保持されたばね部材14の本体部14b(図1参照)に、前記したブロック16が固定されている。ブロック16は、矩形横断面を有するステム部16aと、該ステム部の下端に連なる正八角形の横断面形状を有する支持部16bとを備える。   The block 16 described above is fixed to the main body 14b (see FIG. 1) of the spring member 14 held in the circular opening 12a of the rigid wiring board 12. The block 16 includes a stem portion 16a having a rectangular cross section, and a support portion 16b having a regular octagonal cross section continuous to the lower end of the stem portion.

ブロック16は、図2に示したように、支持部16bの平坦な下面16cを下方に向けて、ステム部16aの頂面でばね部材14に結合されている。この結合のために、ステム部16aと共同して本体部14bを挟持する固定板36が、ステム部16aに螺合するねじ部材38により、ステム部16aに固定されている。   As shown in FIG. 2, the block 16 is coupled to the spring member 14 at the top surface of the stem portion 16a with the flat lower surface 16c of the support portion 16b facing downward. For this connection, a fixing plate 36 that clamps the main body portion 14b together with the stem portion 16a is fixed to the stem portion 16a by a screw member 38 that is screwed into the stem portion 16a.

プローブシート20の中央部のプローブ基板18は、図1に示す例では、ブロック16の下面16cに対応して形成された八角形部分である。ブロック16の下面16cに対応するプローブ基板18の中央部には、多数のプローブ40(図2参照)が集合的に設けられる接触子領域42が形成されている。各プローブ40は、プローブ基板18内で対応する各導電路に接続されており、接触子領域42の下面、すなわちブロック16の下面16cに対向する面と反対側の面から突出して形成されている。   In the example shown in FIG. 1, the probe substrate 18 at the center of the probe sheet 20 is an octagonal portion formed corresponding to the lower surface 16 c of the block 16. A contact region 42 in which a large number of probes 40 (see FIG. 2) are collectively provided is formed in the central portion of the probe substrate 18 corresponding to the lower surface 16c of the block 16. Each probe 40 is connected to a corresponding conductive path in the probe substrate 18 and is formed so as to protrude from the lower surface of the contact region 42, that is, the surface opposite to the surface facing the lower surface 16 c of the block 16. .

プローブシート20は、図2に示したように、プローブ基板18の接触子領域42がブロック16の下面16cに支持されるように該下面に接着剤を介して固着されている。また、プローブシート20は、前記八角形部分であるプローブ基板18から外方へ伸長する部分が僅かな弛みをもつように、その外縁部でリジッド配線基板12に結合されている。   As shown in FIG. 2, the probe sheet 20 is fixed to the lower surface via an adhesive so that the contact region 42 of the probe substrate 18 is supported by the lower surface 16 c of the block 16. Further, the probe sheet 20 is coupled to the rigid wiring board 12 at the outer edge so that the part extending outward from the probe board 18 which is the octagonal part has a slight slack.

プローブシート20の前記外縁部の結合のために、弾性ゴムリング44がプローブシート20の外縁部に沿って配置されており、また、弾性ゴムリング44を覆うリング金具46が配置されている。プローブシート20の外縁部および両部材44、46を貫通してリジッド配線基板12に螺合するねじ部材48の締め付けによって、プローブシート20の外縁部がリジッド配線基板12に結合される。このプローブシート20の前記外縁部のリジッド配線基板12への結合によって、従来におけると同様に、プローブシート20の前記導電路がリジッド配線基板12の対応する前記配線路に電気的に接続される。したがって、各プローブ40はプローブシート20の前記導電路を経て前記テスタ本体に接続される。   An elastic rubber ring 44 is disposed along the outer edge portion of the probe sheet 20 for coupling the outer edge portions of the probe sheet 20, and a ring metal fitting 46 that covers the elastic rubber ring 44 is disposed. The outer edge portion of the probe sheet 20 is coupled to the rigid wiring substrate 12 by tightening the screw member 48 that passes through the outer edge portion of the probe sheet 20 and both the members 44 and 46 and is screwed to the rigid wiring substrate 12. By coupling the outer edge of the probe sheet 20 to the rigid wiring board 12, the conductive path of the probe sheet 20 is electrically connected to the corresponding wiring path of the rigid wiring board 12 as in the conventional case. Accordingly, each probe 40 is connected to the tester body through the conductive path of the probe sheet 20.

アライメントピン50が、必要に応じて、プローブシート20を貫通して配置されている。アライメントピン50の下端には、被検査体である半導体ウエハ56(図4、5参照)が保持されるテーブル(図示せず)に支持された図示しないカメラから撮影可能のアライメントマーク50a(図2参照)が設けられている。   An alignment pin 50 is disposed through the probe sheet 20 as necessary. At the lower end of the alignment pin 50, an alignment mark 50a (FIG. 2) that can be photographed from a camera (not shown) supported on a table (not shown) that holds a semiconductor wafer 56 (see FIGS. 4 and 5) that is an object to be inspected. Reference) is provided.

図3は、プローブ基板18の斜め上方から該プローブ基板を透視して、このプローブ基板18に設けられた多数のプローブ40の配列を示す斜視図である。図3に示す例では、多数のプローブ40がそれらの針先40aを2列に整列させて配置されている。また、図4は図3に示された一方のプローブ列の正面図である。   FIG. 3 is a perspective view showing an arrangement of a large number of probes 40 provided on the probe substrate 18 as seen through the probe substrate 18 from above obliquely. In the example shown in FIG. 3, a large number of probes 40 are arranged with their needle tips 40a aligned in two rows. FIG. 4 is a front view of one probe row shown in FIG.

各プローブ40は、導電材料からなる。このプローブ40は、図4に示すように、プローブ基板18内で各プローブ40に対応する前記した導電路に接続され、プローブ基板18の下面18aから下方に伸びる取付け部40bと、該取付け部を介してプローブ基板18に結合されたアーム部40cと、該アーム部の先端に設けられた針先部40dとを備える。アーム部40cは、取付け部40bの下端から横方向へプローブ基板18の下面18aに沿って伸び、その先端に前記針先部40dが設けられている。また針先部40dのプローブ基板18の下面18aに対向する面と反対側の面に針先40aが突出して形成されている。   Each probe 40 is made of a conductive material. As shown in FIG. 4, the probe 40 is connected to the above-described conductive path corresponding to each probe 40 in the probe board 18 and extends downward from the lower surface 18a of the probe board 18; And an arm portion 40c coupled to the probe substrate 18 and a needle tip portion 40d provided at the tip of the arm portion. The arm portion 40c extends laterally from the lower end of the attachment portion 40b along the lower surface 18a of the probe substrate 18, and the needle tip portion 40d is provided at the tip thereof. Further, the needle tip 40a protrudes from the surface opposite to the surface facing the lower surface 18a of the probe substrate 18 of the needle tip portion 40d.

アーム部40cは、例えば矩形横断面形状を有し、無負荷時に取付け面18aに対向してこれから間隔をおく。このアーム部40cには、取付け部40bと針先部40dとの間で、アーム部40cを横切りかつ下方に開放する凹所52を形成する上方突起部40eが形成されている。図3に示すように、プローブ40の各列でそれぞれの上方突起部40eは直線状に整列して配置されている。   The arm portion 40c has, for example, a rectangular cross section, and is spaced from the mounting surface 18a when no load is applied. The arm portion 40c is formed with an upper protrusion 40e that forms a recess 52 that crosses the arm portion 40c and opens downward between the attachment portion 40b and the needle tip portion 40d. As shown in FIG. 3, the upper protrusions 40e in each row of the probes 40 are arranged in a straight line.

図3に示す例では、プローブ列毎に共通の変形規制手段54が形成されている。すなわち、各変形規制手段を構成するフック部材54は、プローブ列毎で対応する凹所52を横切って配置される底壁部54aと、各プローブ40の両側で該各プローブから間隔をおいて底壁部54aから立ち上がる側壁部54bとを備える。底壁部54aの頂部はプローブ基板18に支持されている。   In the example shown in FIG. 3, a common deformation regulating means 54 is formed for each probe row. That is, the hook member 54 constituting each deformation restricting means includes a bottom wall portion 54a disposed across the corresponding recess 52 for each probe row, and a bottom spaced from the probes on both sides of each probe 40. And a side wall part 54b rising from the wall part 54a. The top portion of the bottom wall portion 54a is supported by the probe substrate 18.

プローブ40の針先40aが半導体ウエハ(チップ領域)56のバンプ電極56aに接触しない無負荷時あるいはその針先40aがオーバドライブ力でバンプ電極56aに押し付けられられているとき、底壁部54aの下面はアーム部40cの上方突起部40eを除く領域の下面の高さ位置にほぼ一致する。また、このとき、底壁部54aの上面40は凹所52の対向面から間隔をおく。したがって、少なくともプローブ40の針先40aがバンプ電極56aに押圧されているとき、プローブ40と変形規制手段54とが非接触状態におかれる。そのため、底壁部54aおよび側壁部54bをプローブ40を形成する導電材料と同様な導電材料で形成することができる。   When no load is applied when the probe tip 40a of the probe 40 does not contact the bump electrode 56a of the semiconductor wafer (chip region) 56 or when the probe tip 40a is pressed against the bump electrode 56a by an overdrive force, the bottom wall portion 54a The lower surface substantially coincides with the height position of the lower surface of the region excluding the upper protruding portion 40e of the arm portion 40c. At this time, the upper surface 40 of the bottom wall portion 54 a is spaced from the opposing surface of the recess 52. Therefore, at least when the probe tip 40a of the probe 40 is pressed against the bump electrode 56a, the probe 40 and the deformation restricting means 54 are brought into a non-contact state. Therefore, the bottom wall portion 54a and the side wall portion 54b can be formed of a conductive material similar to the conductive material forming the probe 40.

通電試験時には、プローブ組立体10と被検査体である半導体ウエハ56とが相近づくように、プローブ組立体10が半導体ウエハ56に関して相対的に移動される。このプローブ組立体10の相対移動に伴って、プローブ基板18のプローブ40の針先40aが図4に示したように、オーバドライブ力でバンプ電極56aに押し付けられられる。しかし、この通電試験時には、前記したように、プローブ40とフック部材で構成される変形規制手段54とが非接触状態におかれることから、この変形規制手段54が試験の妨げとなることはない。   During the energization test, the probe assembly 10 is relatively moved with respect to the semiconductor wafer 56 so that the probe assembly 10 and the semiconductor wafer 56 that is the object to be inspected are close to each other. With the relative movement of the probe assembly 10, the probe tip 40a of the probe 40 on the probe substrate 18 is pressed against the bump electrode 56a with an overdrive force as shown in FIG. However, at the time of this energization test, as described above, since the probe 40 and the deformation restricting means 54 formed of the hook member are in a non-contact state, the deformation restricting means 54 does not interfere with the test. .

通電試験の終了後、プローブ組立体10が半導体ウエハ56から離れる方向へ移動される。先の通電試験によってバンプ電極56aがプローブ40の針先40aに溶着すると、このプローブ組立体10の移動に伴って、図5に示すように、プローブ40の針先40aがバンプ電極56aに引っ張られることから、針先部40dはプローブ基板18から離れる方向への作用力を受ける。そのため、溶着を生じたプローブ40のアーム部40cには、前記したオーバドライブ力が作用したときの変形とは逆方向の反り返り変形が生じる。   After the end of the energization test, the probe assembly 10 is moved away from the semiconductor wafer 56. When the bump electrode 56a is welded to the probe tip 40a of the probe 40 by the previous energization test, as shown in FIG. 5, the probe tip 10a of the probe 40 is pulled to the bump electrode 56a as the probe assembly 10 moves. For this reason, the needle tip portion 40 d receives an acting force in a direction away from the probe substrate 18. Therefore, warp deformation in the direction opposite to the deformation when the overdrive force is applied to the arm portion 40c of the probe 40 that has been welded occurs.

しかしながら、本発明に係るプローブ組立体10では、変形規制手段54の底壁部54aがプローブ40の上方突起部40eの対向面に当接すると、アーム部40cの前記した反り返り変形が規制され、このフック部材として機能する変形規制手段54により前記作用力の一部が受け止められる。   However, in the probe assembly 10 according to the present invention, when the bottom wall portion 54a of the deformation restricting means 54 comes into contact with the opposing surface of the upper protrusion 40e of the probe 40, the warping deformation of the arm portion 40c is restricted. Part of the acting force is received by the deformation restricting means 54 functioning as a hook member.

変形規制手段すなわちフック部材54が設けられていない従来のプローブ組立体では、大きな反り返り変形によって例えば取付け部40bとアーム部40cとの符号Xで示す箇所に大きな応力集中が生じる。そのため、この応力集中部に破断のような損傷を生じるおそれがあった。しかしながら、本発明に係るプローブ組立体10では、変形規制手段54による支持作用およびアーム部40cの反り返り変形を規制する作用により、このような応力集中が防止されることから、この応力集中部でのアーム部40cの損傷を確実に防止することができる。   In the conventional probe assembly in which the deformation restricting means, that is, the hook member 54 is not provided, a large stress concentration is generated at a location indicated by the symbol X between the mounting portion 40b and the arm portion 40c, for example, due to large warping deformation. Therefore, there is a possibility that damage such as breakage may occur in the stress concentration portion. However, in the probe assembly 10 according to the present invention, such stress concentration is prevented by the support action by the deformation restriction means 54 and the action of restricting the warp deformation of the arm portion 40c. It is possible to reliably prevent the arm portion 40c from being damaged.

図3は、変形規制手段54をプローブ列毎に共通に形成した例を示すが、これに代えて、プローブ40毎に一対の底壁部54aと側壁部54bとを備えるフック部材を配置することができる。しかしながら、側壁部54bのためのスペースの削減および変形規制手段54の製造工程の簡素化の点で、図3に示したようなプローブ列毎に共通の変形規制手段54を設けることが望ましい。   FIG. 3 shows an example in which the deformation restricting means 54 is formed in common for each probe row. Instead, a hook member having a pair of bottom wall portions 54a and side wall portions 54b is arranged for each probe 40. Can do. However, it is desirable to provide a common deformation regulating means 54 for each probe row as shown in FIG. 3 in terms of reducing the space for the side wall portion 54b and simplifying the manufacturing process of the deformation regulating means 54.

プローブ40のアーム部40cに上方突起部40eを形成することに代えて、図6ないし図8に示すように、針先40aが設けられる針先部40dをアーム部40cの先端から間隔をおいて形成し、このアーム部40cの先端部に関連して変形規制手段58を設けることができる。   Instead of forming the upper protrusion 40e on the arm 40c of the probe 40, as shown in FIGS. 6 to 8, the needle tip 40d provided with the needle tip 40a is spaced from the tip of the arm 40c. The deformation regulating means 58 can be provided in association with the tip of the arm portion 40c.

変形規制手段58が設けられた図6ないし図8に示す例では、プローブ列を構成する複数のプローブ40は、その針先40aが配列順に交互に各アーム部40cの長手方向へ所定のずれを以て配置されている。または、各アーム部40cには、前記した上方突起部40eに代えて、アーム部40cの針先部40dよりも先端側でプローブ基板18の下面18aに対向する面と反対側に変形規制手段58を受ける係合面40fが形成されている。   In the example shown in FIG. 6 to FIG. 8 in which the deformation restricting means 58 is provided, the plurality of probes 40 constituting the probe row have their needle tips 40a alternately arranged in the arrangement order with a predetermined deviation in the longitudinal direction of each arm portion 40c. Has been placed. Alternatively, in each arm portion 40c, instead of the above-described upper protruding portion 40e, deformation restricting means 58 is provided on the tip side of the arm portion 40c on the tip side and opposite to the surface facing the lower surface 18a of the probe substrate 18. An engagement surface 40f is formed.

変形規制手段58を構成するフック部材は、係合面40fに対応する対向面部分を有し全体にプローブ列に沿って各アーム部40cを横切る方向へ配置される底部58aと、各アーム部40cの先端から間隔をおいて底部58aから立ち上がる垂直部58bとを備える。垂直部58bの頂部は変形規制手段54の側壁部54bと同様にプローブ基板18に支持され、これにより、垂直部58bはプローブ基板18の下面18aから下方と突出し、その下端が垂直部58bに一体的に結合されている。   The hook member constituting the deformation restricting means 58 has an opposing surface portion corresponding to the engaging surface 40f, and has a bottom portion 58a that is arranged in a direction crossing each arm portion 40c along the probe row, and each arm portion 40c. And a vertical portion 58b rising from the bottom portion 58a with a space from the tip. The top of the vertical portion 58b is supported by the probe substrate 18 in the same manner as the side wall portion 54b of the deformation restricting means 54, whereby the vertical portion 58b protrudes downward from the lower surface 18a of the probe substrate 18, and its lower end is integrated with the vertical portion 58b. Combined.

したがって、図7に示されているように、各プローブ40の針先40aが半導体ウエハ56の対応するバンプ電極56aに接触する状態では、変形規制手段を構成するフック部材58の底部58aおよび垂直部58bはプローブ40から間隔をおく。したがって、フック部材58が通電試験の妨げとなることはない。   Therefore, as shown in FIG. 7, when the probe tip 40a of each probe 40 is in contact with the corresponding bump electrode 56a of the semiconductor wafer 56, the bottom 58a and the vertical portion of the hook member 58 constituting the deformation restricting means. 58b is spaced from the probe 40. Therefore, the hook member 58 does not interfere with the energization test.

また、通電試験の終了後、プローブ組立体10が半導体ウエハ56から離れる方向へ移動されるとき、通電試験によってバンプ電極56aがプローブ40の針先40aに溶着していると、このプローブ組立体10の移動に伴って、図8に示すように、プローブ40の針先40aがバンプ電極56aに引っ張られる。そのため、針先部40dはプローブ基板18から離れる方向への作用力を受け、アーム部40cには前記したと同様な反り返り変形が生じる。   Further, when the probe assembly 10 is moved away from the semiconductor wafer 56 after completion of the energization test, if the bump electrode 56a is welded to the probe tip 40a of the probe 40 by the energization test, the probe assembly 10 As shown in FIG. 8, the probe tip 40a of the probe 40 is pulled by the bump electrode 56a. Therefore, the needle tip portion 40d receives an acting force in a direction away from the probe substrate 18, and the arm portion 40c is warped and deformed as described above.

しかしながら、変形規制手段58の底部58aがアーム部40cの係合面40fに当接すると、図5に沿って説明したと同様に、アーム部40cの前記した反り返り変形が規制され、このフック部材として機能する変形規制手段58により前記作用力の一部が受け止められる。したがって、前記したような過大な反り返る変形によるアーム部40cへの応力集中が防止され、この応力集中部でのアーム部40cの損傷が確実に防止される。   However, when the bottom 58a of the deformation restricting means 58 comes into contact with the engaging surface 40f of the arm 40c, the warping deformation of the arm 40c is restricted as described with reference to FIG. A part of the acting force is received by the functioning deformation regulating means 58. Therefore, stress concentration on the arm portion 40c due to excessive warping deformation as described above is prevented, and damage to the arm portion 40c at the stress concentration portion is reliably prevented.

変形規制手段58として各フック部材を対応するプローブ40毎に形成することができるが、変形規制手段54における同様に、プローブ列毎で共通の変形規制手段58を形成することが望ましい。   Although each hook member can be formed for each corresponding probe 40 as the deformation restricting means 58, it is desirable to form a common deformation restricting means 58 for each probe row as in the deformation restricting means 54.

さらに、図9ないし図11に示すように、両変形規制手段54、58を組み合わせることができる。この組合せのために、図10に明確に示されているように、各プローブ40のアーム部40cに変形規制手段54のための上方突起部40eおよび変形規制手段58のための係合面40fがそれぞれ形成されている。   Furthermore, as shown in FIGS. 9 to 11, both deformation restricting means 54 and 58 can be combined. Because of this combination, as clearly shown in FIG. 10, the arm 40 c of each probe 40 has an upper protrusion 40 e for the deformation restricting means 54 and an engaging surface 40 f for the deformation restricting means 58. Each is formed.

第1の変形規制手段たるフック部材54の側壁部54bはプローブ基板18に支持され、また第2の変形規制手段たるフック部材58の垂直部58bは、同様にプローブ基板18に支持されている。図10に示されているように、各プローブ40の針先40aが半導体ウエハ56の対応するバンプ電極56aに接触する状態では、変形規制手段を構成する各フック部材54、58はプローブ40から間隔をおく。したがって、両フック部材54、58が通電試験の妨げとなることはない。   The side wall portion 54b of the hook member 54 as the first deformation restricting means is supported by the probe substrate 18, and the vertical portion 58b of the hook member 58 as the second deformation restricting means is similarly supported by the probe substrate 18. As shown in FIG. 10, when the probe tips 40 a of the probes 40 are in contact with the corresponding bump electrodes 56 a of the semiconductor wafer 56, the hook members 54 and 58 constituting the deformation restricting means are spaced from the probe 40. Put. Therefore, both hook members 54 and 58 do not interfere with the energization test.

また、通電試験の終了後、プローブ組立体10が半導体ウエハ56から離れる方向へ移動されるとき、通電試験によってバンプ電極56aがプローブ40の針先40aに溶着していると、このプローブ組立体10の移動に伴って、図11に示すように、プローブ40の針先40aがバンプ電極56aに引っ張られる。そのため、針先部40dはプローブ基板18から離れる方向への作用力を受け、アーム部40cには前記したと同様な反り返り変形が生じる。   Further, when the probe assembly 10 is moved away from the semiconductor wafer 56 after completion of the energization test, if the bump electrode 56a is welded to the probe tip 40a of the probe 40 by the energization test, the probe assembly 10 As shown in FIG. 11, the probe tip 40a of the probe 40 is pulled by the bump electrode 56a. Therefore, the needle tip portion 40d receives an acting force in a direction away from the probe substrate 18, and the arm portion 40c is warped and deformed as described above.

このとき、図11に示すように、第1のフック部材54の底壁部54aがアーム部40cの上方突起部40eの対向面に当接し、また第2のフック部材58の底部58aが対向するアーム部40cの係合面40fに当接する。そのため、アーム部40cに作用する反り返り力は両フック部材54、58で分担されることから、アーム部40cに作用するより強い作用力を確実に受け止めることができる。したがって、両変形規制手段54、58の組合せは、プローブ40の針先40aへのバンプ電極56aのより強固な固着に対して有効となるので、プローブ40に損傷を与えることなく、該プローブをこれに溶着したバンプ電極56aから確実に取り外すことができる。   At this time, as shown in FIG. 11, the bottom wall portion 54a of the first hook member 54 abuts against the facing surface of the upper projection 40e of the arm portion 40c, and the bottom portion 58a of the second hook member 58 faces. It abuts on the engagement surface 40f of the arm portion 40c. Therefore, since the rebound force acting on the arm portion 40c is shared by the hook members 54 and 58, the stronger acting force acting on the arm portion 40c can be reliably received. Therefore, the combination of both deformation restricting means 54 and 58 is effective for stronger fixation of the bump electrode 56a to the probe tip 40a of the probe 40, so that the probe 40 is not damaged without damaging the probe 40. It is possible to remove the bump electrode 56a that has been welded to the solder plate reliably.

次に、本発明に係る前記変形規制手段の製造方法を説明する。図12および図13は、図3ないし図5に示した変形規制手段(フック部材)54の製造方法の一例をプローブ40およびプローブ基板18の製造方法に関連して示す。   Next, a method for manufacturing the deformation restricting means according to the present invention will be described. 12 and 13 show an example of a manufacturing method of the deformation restricting means (hook member) 54 shown in FIGS. 3 to 5 in relation to the manufacturing method of the probe 40 and the probe substrate 18.

本発明に係るフック部材54を備える組立体の製造方法では、図12(a)に示すように、例えばステンレス板のような金属板が基台100として用いられ、その表面に例えば圧子の打痕によってプローブ40の針先のための凹所102が形成される。なお、図面には単一の凹所102が示されているが、前記した接触子領域42内に形成されるプローブ40の数に応じた複数の凹所102が所定の針先間隔をおいて形成される。以下、説明の簡素化のために、複数のプローブ40を代表する単一のプローブの例に沿って説明する。   In the method of manufacturing an assembly including the hook member 54 according to the present invention, as shown in FIG. 12A, a metal plate such as a stainless steel plate is used as the base 100, and an indenter dent is formed on the surface thereof. Thus, a recess 102 for the needle tip of the probe 40 is formed. Although a single recess 102 is shown in the drawing, a plurality of recesses 102 corresponding to the number of probes 40 formed in the above-described contactor region 42 are provided with a predetermined needle tip interval. It is formed. Hereinafter, for simplification of description, description will be made along an example of a single probe representing a plurality of probes 40.

凹所102の形成後、凹所102を除くその近傍の所定領域に、後に除去される犠牲層のためのパターンマスク104がフォトリソグラフィ技術を用いたフォトレジストの選択露光および現像処理によって形成される(図12(b))。   After the formation of the recess 102, a pattern mask 104 for a sacrificial layer to be removed later is formed in a predetermined region in the vicinity of the recess 102 except for the recess 102 by selective exposure and development of a photoresist using a photolithography technique. (FIG. 12B).

このパターンマスク104内の凹所には例えば銅のような金属材料が電気メッキ法で堆積され、この金属材料で犠牲層106が形成される(図12(c))。犠牲層106の形成後、パターンマスク104が除去される(図12(d))。   A metal material such as copper is deposited by electroplating in the recess in the pattern mask 104, and a sacrificial layer 106 is formed from this metal material (FIG. 12C). After the formation of the sacrificial layer 106, the pattern mask 104 is removed (FIG. 12D).

犠牲層106の除去後、犠牲層106の所定箇所を除く他の領域および凹所102を覆うパターンマスク108が形成される(図12(e))。犠牲層106のパターンマスク108から露出された領域110は、変形規制手段54の底壁部54aに対応する。   After the removal of the sacrificial layer 106, a pattern mask 108 is formed to cover other regions except the predetermined portion of the sacrificial layer 106 and the recess 102 (FIG. 12E). The region 110 exposed from the pattern mask 108 of the sacrificial layer 106 corresponds to the bottom wall portion 54 a of the deformation regulating means 54.

犠牲層106のパターンマスク108から露出する領域110には、例えばプローブ40を形成する金属材料と同一の金属材料112が例えば電気メッキ法により所定厚さに堆積される(図12(f))。この金属材料として、例えばニッケルあるいはニッケル銅合金のような靭性に富んだ金属材料を用いることが望ましい。   In the region 110 exposed from the pattern mask 108 of the sacrificial layer 106, for example, the same metal material 112 as the metal material forming the probe 40 is deposited to a predetermined thickness by, for example, electroplating (FIG. 12F). As this metal material, it is desirable to use a metal material rich in toughness such as nickel or nickel copper alloy.

この金属材料112の堆積により、底壁部54aが形成されると、パターンマスク108が除去される(図12(g))。次に、底壁部54aを覆う犠牲層のための新たなパターンマスク114がフォトレジストにより形成され(図12(h))、前記犠牲層106と同一材料116が、例えば電気メッキ法により、パターンマスク114から露出する底壁部54a上に堆積される(図12(i))。その後、図12(h)に示すように、新たな犠牲層116が所定の厚さになるように、パターンマスク114の突出表面と共に研磨を受ける(図12(j))。   When the bottom wall portion 54a is formed by the deposition of the metal material 112, the pattern mask 108 is removed (FIG. 12G). Next, a new pattern mask 114 for the sacrificial layer covering the bottom wall portion 54a is formed of photoresist (FIG. 12H), and the same material 116 as the sacrificial layer 106 is patterned by, for example, electroplating. It is deposited on the bottom wall portion 54a exposed from the mask 114 (FIG. 12 (i)). Thereafter, as shown in FIG. 12H, the new sacrificial layer 116 is polished together with the protruding surface of the pattern mask 114 so as to have a predetermined thickness (FIG. 12J).

研磨後、パターンマスク114が除去され(図12(k))、凹所102を含む所定領域を選択的に露出させる新たなパターンマスク118がフォトレジストにより形成される(図12(l))。このパターンマスク118は、プローブ40の取付け部40bを除くアーム部40c及び針先部40dに対応する凹所120を露出させる平面形状を有し、その露出領域である凹所120内には、プローブ40の金属材料122が例えば電気メッキ法により、所定の厚さに堆積される(図13(m))。   After polishing, the pattern mask 114 is removed (FIG. 12 (k)), and a new pattern mask 118 that selectively exposes a predetermined region including the recess 102 is formed with a photoresist (FIG. 12 (l)). The pattern mask 118 has a planar shape that exposes the recesses 120 corresponding to the arm portion 40c and the needle tip portion 40d excluding the mounting portion 40b of the probe 40, and in the recess 120 that is the exposed region, Forty metal materials 122 are deposited to a predetermined thickness by, for example, electroplating (FIG. 13 (m)).

金属材料122の堆積後、パターンマスク118が除去され、これにより、図13(n)に示すように、基台100上の凹所102を含む領域、犠牲層116上、および犠牲層106上には、それぞれ針先40aを含む針先部40d、上方突起部40eおよびアーム部40cが一体的に形成される。   After the deposition of the metal material 122, the pattern mask 118 is removed, whereby the region including the recess 102 on the base 100, the sacrificial layer 116, and the sacrificial layer 106, as shown in FIG. Are each formed integrally with a needle tip portion 40d including a needle tip 40a, an upper projection 40e, and an arm portion 40c.

このアーム部40c、針先部40dおよび上方突起部40eは、一旦、フォトレジストからなるパターンマスク124で覆われる(図13(o))。パターンマスク124は犠牲層106の後縁を露出させる。このパターンマスク124を除く領域には、銅のような金属材料からなる新たな犠牲層126が堆積される(図13(p))。   The arm 40c, the needle tip 40d, and the upper protrusion 40e are once covered with a pattern mask 124 made of a photoresist (FIG. 13 (o)). The pattern mask 124 exposes the rear edge of the sacrificial layer 106. In a region excluding the pattern mask 124, a new sacrificial layer 126 made of a metal material such as copper is deposited (FIG. 13 (p)).

犠牲層126の堆積後、パターンマスク124が除去され、再び金属材料122すなわちプローブ40の取付け部40bを除く部分が露出される(図13(q))。   After the sacrificial layer 126 is deposited, the pattern mask 124 is removed, and the metal material 122, that is, the portion excluding the mounting portion 40b of the probe 40 is exposed again (FIG. 13 (q)).

犠牲層126および該犠牲層から露出する金属材料122上には、ドライフィルムからなる犠牲層128が形成され、さらに犠牲層128に、プローブ基板18の一方の面を構成するポリイミド層130がそれぞれ所定厚さに堆積される(図13(r))。   A sacrificial layer 128 made of a dry film is formed on the sacrificial layer 126 and the metal material 122 exposed from the sacrificial layer, and a polyimide layer 130 constituting one surface of the probe substrate 18 is further formed on the sacrificial layer 128. Deposited to a thickness (FIG. 13 (r)).

図13(s)に示すように、ポリイミド層130および犠牲層128には、これらを貫通するエッチング穴132および134が形成される。一方のエッチング穴132は、アーム部40cの上方突起部40eの両側で対をなして形成され、それぞれのエッチング穴132は底壁部54aの上面に開放する。また、他方のエッチング穴134は、アーム部40cの上面に開放する。   As shown in FIG. 13S, the polyimide layer 130 and the sacrificial layer 128 are formed with etching holes 132 and 134 penetrating therethrough. One etching hole 132 is formed in a pair on both sides of the upper protrusion 40e of the arm portion 40c, and each etching hole 132 opens to the upper surface of the bottom wall portion 54a. The other etching hole 134 opens to the upper surface of the arm portion 40c.

この一対のエッチング穴132は変形規制手段54の側壁部54bのための穴であり、他方のエッチング穴134は取付け部40bのための穴である。したがって、これらの穴132、134には、プローブ40のための前記した金属材料が堆積され、これにより底壁部54aには、これと一体に一対の側壁部54bが形成され、他方、アーム部40cには、これと一体に取付け部40bが形成される(図13(t))。   The pair of etching holes 132 is a hole for the side wall portion 54b of the deformation restricting means 54, and the other etching hole 134 is a hole for the attachment portion 40b. Therefore, the above-described metal material for the probe 40 is deposited in the holes 132 and 134, whereby a pair of side wall portions 54b are formed integrally with the bottom wall portion 54a, while the arm portions are formed. A mounting portion 40b is integrally formed with 40c (FIG. 13 (t)).

側壁部54bおよび取付け部40bの形成後、図13(u)に示されているように、ポリイミド層130上には、パターン配線のための導電材料136(136a、136b)が堆積される。この導電材料層のうち、導電材料層部分136aは、取付け部40bを覆って形成され、該取付け部に一体に形成されるプローブ基板18の前記導電路を構成する。また、この導電材料層部分136aから電気的に遮断された導電材料層部分136bは、側壁部54bの頂部を覆って該側壁部に一体的に形成され、側壁部54bのアンカ部を構成する。したがって、導電材料層部分136bは、フック部材54の支持層として機能する。   After the formation of the side wall portion 54b and the attachment portion 40b, as shown in FIG. 13 (u), a conductive material 136 (136a, 136b) for pattern wiring is deposited on the polyimide layer 130. Of this conductive material layer, the conductive material layer portion 136a is formed so as to cover the mounting portion 40b, and constitutes the conductive path of the probe substrate 18 formed integrally with the mounting portion. Further, the conductive material layer portion 136b that is electrically cut off from the conductive material layer portion 136a is formed integrally with the side wall portion so as to cover the top of the side wall portion 54b, and constitutes an anchor portion of the side wall portion 54b. Therefore, the conductive material layer portion 136 b functions as a support layer for the hook member 54.

また、図13(u)に示されているように、導電材料層部分136a、136bおよびポリイミド層130を覆うように、接着剤層138a、138bを介してセラミック板140が埋設される。このセラミック板140は、プローブ基板18の接触子領域42にほぼ対応した平面形状を有し、この接触子領域42の剛性を高める。さらに、ポリイミド層130上には、該ポリイミド層上の導電材料層部分136a、136bおよびセラミック板140を覆うように、プローブ基板18の他方の面を構成するポリイミド層142が積層される。両ポリイミド層130、142はプローブ基板18の電気絶縁層を構成する。   Further, as shown in FIG. 13 (u), the ceramic plate 140 is embedded through the adhesive layers 138a and 138b so as to cover the conductive material layer portions 136a and 136b and the polyimide layer 130. The ceramic plate 140 has a planar shape substantially corresponding to the contact region 42 of the probe substrate 18 and increases the rigidity of the contact region 42. Furthermore, a polyimide layer 142 constituting the other surface of the probe substrate 18 is laminated on the polyimide layer 130 so as to cover the conductive material layer portions 136a and 136b and the ceramic plate 140 on the polyimide layer. Both polyimide layers 130 and 142 constitute an electrically insulating layer of the probe substrate 18.

ポリイミド層142上には、ドライフィルからなる犠牲層144が形成される。この犠牲層144およびポリイミド層142、さらには接着剤層138aを通して、導電材料層部分で形成された導電路136a上に開放するエッチング穴146が形成される。エッチング穴146には、前記導電路136aの引き出しステムである接続端子148のための導電材料が堆積される。この接続端子148の頂部は、プローブ基板18の電気接続端子となり、該電気接続端子がプローブシート20の前記導電路に接続される。   A sacrificial layer 144 made of dry fill is formed on the polyimide layer 142. Through the sacrificial layer 144, the polyimide layer 142, and the adhesive layer 138a, an etching hole 146 is formed to open on the conductive path 136a formed by the conductive material layer portion. In the etching hole 146, a conductive material for the connection terminal 148 which is a lead stem of the conductive path 136a is deposited. The top of the connection terminal 148 becomes an electrical connection terminal of the probe board 18, and the electrical connection terminal is connected to the conductive path of the probe sheet 20.

接続端子148の形成後、各犠牲層106、116、126、128および144が除去され、プローブ組立体は基台100から取り外される。これにより、プローブ基板18、プローブ40および変形規制手段54の組立体が完成する。この組立体は図1及び2に示したプローブ組立体10の一部として、プローブシート20に組み付けることができる。   After the connection terminal 148 is formed, each sacrificial layer 106, 116, 126, 128 and 144 is removed and the probe assembly is removed from the base 100. Thereby, the assembly of the probe substrate 18, the probe 40, and the deformation restricting means 54 is completed. This assembly can be assembled to the probe sheet 20 as part of the probe assembly 10 shown in FIGS.

最後、本発明に係るフック部材58の製造方法を図14および図15に沿って説明する。図14(a)に示すように、基台100の表面にプローブ40の針先のための凹所102が形成される。その後、凹所102の近傍に該凹所から隔たった位置にフック部材58の底部58aのための凹所を形成するパターンマスク150がフォトレジストで形成される(図14(b))。   Finally, a method for manufacturing the hook member 58 according to the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 14A, a recess 102 for the needle tip of the probe 40 is formed on the surface of the base 100. Thereafter, a pattern mask 150 for forming a recess for the bottom portion 58a of the hook member 58 is formed with a photoresist in the vicinity of the recess 102 at a position separated from the recess (FIG. 14B).

図14(c)に示すように、パターンマスク150の前記凹所内にフック部材58のための金属材料、すなわち例えばプローブ40のための金属材料が堆積され、凹所102の近傍でこれから離れた位置にフック部材58の底部58aが形成されると、パターンマスク150が除去される(図14(d))。   As shown in FIG. 14 (c), a metal material for the hook member 58, that is, a metal material for the probe 40, for example, is deposited in the recess of the pattern mask 150, and is positioned in the vicinity of the recess 102. When the bottom portion 58a of the hook member 58 is formed, the pattern mask 150 is removed (FIG. 14D).

次に、底部58aを例えば銅のような金属からなる犠牲層で部分的に覆うための新たなパターンマスク152が形成される(図14(e))。このパターンマスク152から露出する領域に犠牲層のための金属材料154が堆積され(図14(f))、この金属材料層154がパターンマスクの表面と共に研削を受けて適正な厚さに設定される(図14(g))。   Next, a new pattern mask 152 for partially covering the bottom 58a with a sacrificial layer made of a metal such as copper is formed (FIG. 14E). A metal material 154 for a sacrificial layer is deposited on an area exposed from the pattern mask 152 (FIG. 14F), and the metal material layer 154 is ground together with the surface of the pattern mask and set to an appropriate thickness. (FIG. 14 (g)).

パターンマスク152の除去後(h)、アーム部40cのための犠牲層160を形成するための新たなパターンマスク156が形成される(図14(i))。このパターンマスク156から露出する凹所158に例えば銅からなる犠牲層160が前記したと同様な電気メッキ法により堆積される(図14(j))。その後、パターンマスク156が除去され(図14(k))、基台100上の底部58a、該底部を部分的に覆う犠牲層154および犠牲層160の所定箇所を覆うパターンマスク162が形成される(図14(l))。犠牲層154および犠牲層160上のパターンマスク162から露出する領域は、アーム部40cに対応し、またまた両犠牲層154、160間で凹所102を含む露出領域は針先40aを含む針先部40dの領域に対応する。   After removal of the pattern mask 152 (h), a new pattern mask 156 for forming the sacrificial layer 160 for the arm portion 40c is formed (FIG. 14 (i)). In the recess 158 exposed from the pattern mask 156, a sacrificial layer 160 made of, for example, copper is deposited by the same electroplating method as described above (FIG. 14J). Thereafter, the pattern mask 156 is removed (FIG. 14 (k)), and a bottom 58a on the base 100, a sacrificial layer 154 that partially covers the bottom, and a pattern mask 162 that covers a predetermined portion of the sacrificial layer 160 are formed. (FIG. 14 (l)). The region exposed from the pattern mask 162 on the sacrificial layer 154 and the sacrificial layer 160 corresponds to the arm portion 40c, and the exposed region including the recess 102 between the sacrificial layers 154 and 160 is the needle tip portion including the needle tip 40a. This corresponds to the region 40d.

したがって、パターンマスク162から露出する領域に、プローブ40のための金属材料112が堆積され(図15(m))、その後、パターンマスク162が除去される(図15(n))。このパターンマスク162の除去により、基台100上には、針先40aを有する針先部40dおよびこれに一体に形成されたアーム部40cが全体的に露出する。このとき、アーム部40cの先端部は、底部58a上に犠牲層154を介して載っている。   Therefore, the metal material 112 for the probe 40 is deposited on the region exposed from the pattern mask 162 (FIG. 15 (m)), and then the pattern mask 162 is removed (FIG. 15 (n)). By removing the pattern mask 162, the needle tip portion 40d having the needle tip 40a and the arm portion 40c formed integrally therewith are exposed on the base 100 as a whole. At this time, the distal end portion of the arm portion 40c is placed on the bottom portion 58a via the sacrificial layer 154.

一体的に形成されたアーム部40cおよび針先部40dは、一旦、フォトレジストからなるパターンマスク164で覆われる(図15(o))。パターンマスク164は犠牲層160の後縁を露出させる。このパターンマスク164を除く領域には、銅のような金属材料からなる新たな犠牲層166が堆積される(図15(p))。   The integrally formed arm portion 40c and needle tip portion 40d are once covered with a pattern mask 164 made of photoresist (FIG. 15 (o)). The pattern mask 164 exposes the rear edge of the sacrificial layer 160. In a region excluding the pattern mask 164, a new sacrificial layer 166 made of a metal material such as copper is deposited (FIG. 15 (p)).

犠牲層166の堆積後、パターンマスク164が除去され、再びプローブ40の取付け部40bを除く部分が露出される(図15(q))。   After the sacrificial layer 166 is deposited, the pattern mask 164 is removed, and the portion excluding the mounting portion 40b of the probe 40 is exposed again (FIG. 15 (q)).

犠牲層166上および該犠牲層から露出する領域には、ドライフィルムからなる犠牲層128が形成され、さらに犠牲層128上には、プローブ基板18の一方の面を構成するポリイミド層130がそれぞれ所定厚さに堆積される(図15(r))。   A sacrificial layer 128 made of a dry film is formed on the sacrificial layer 166 and an area exposed from the sacrificial layer, and a polyimide layer 130 constituting one surface of the probe substrate 18 is further formed on the sacrificial layer 128. Deposited to a thickness (FIG. 15 (r)).

図15(s)に示すように、ポリイミド層130および犠牲層128には、これらを貫通するエッチング穴132および134が形成される。一方のエッチング穴132は、アーム部40cの先端部の前方で該アーム部から間隔をいて下方に伸び、底部58aの上面に開放する。また、他方のエッチング穴134は、アーム部40cの上面に開放する。   As shown in FIG. 15S, the polyimide layer 130 and the sacrificial layer 128 are formed with etching holes 132 and 134 penetrating therethrough. One etching hole 132 extends downward at a distance from the arm portion in front of the tip portion of the arm portion 40c, and opens to the upper surface of the bottom portion 58a. The other etching hole 134 opens to the upper surface of the arm portion 40c.

このエッチング穴132は変形規制手段58の垂直部58bのための穴であり、他方のエッチング穴134は取付け部40bのための穴である。したがって、これらの穴132、134には、プローブ40のための前記した金属材料が堆積され、これにより底部58aには、これと一体に垂直部58bが形成され、他方、アーム部40cには、これと一体に取付け部40bが形成される(図15(t))。   The etching hole 132 is a hole for the vertical portion 58b of the deformation restricting means 58, and the other etching hole 134 is a hole for the mounting portion 40b. Accordingly, the above-described metal material for the probe 40 is deposited in the holes 132 and 134, whereby the vertical portion 58b is formed integrally with the bottom portion 58a, while the arm portion 40c has the vertical portion 58b. A mounting portion 40b is formed integrally therewith (FIG. 15 (t)).

垂直部58bおよび取付け部40bの形成後、図15(u)に示されているように、ポリイミド層130上には、パターン配線のための導電材料136(136a、136b)が堆積される。この導電材料層のうち、導電材料層部分136aは、取付け部40bを覆って形成され、該取付け部に一体に形成されるプローブ基板18の前記導電路を構成する。また、この導電材料層部分136aから電気的に遮断された導電材料層部分136bは、垂直部58bの頂部を覆って該垂直部に一体的に形成され、垂直部58bのアンカ部を構成する。したがって、前記したと同様に、導電材料層部分136bは、フック部材58の支持層として機能する。   After the formation of the vertical portion 58b and the attachment portion 40b, as shown in FIG. 15 (u), a conductive material 136 (136a, 136b) for pattern wiring is deposited on the polyimide layer 130. Of this conductive material layer, the conductive material layer portion 136a is formed so as to cover the mounting portion 40b, and constitutes the conductive path of the probe substrate 18 formed integrally with the mounting portion. In addition, the conductive material layer portion 136b that is electrically cut off from the conductive material layer portion 136a is formed integrally with the vertical portion so as to cover the top of the vertical portion 58b, and constitutes an anchor portion of the vertical portion 58b. Therefore, as described above, the conductive material layer portion 136 b functions as a support layer for the hook member 58.

また、図15(u)に示されているように、導電材料層部分136a、136bおよびポリイミド層130を覆うように、接触子領域42の剛性を高めるセラミック板140が接着剤層138a、138bを介して埋設される。さらに、導電材料層部分136a、136bおよびセラミック板140を覆うように、プローブ基板18の他方の面を構成するポリイミド層142が積層される。   Further, as shown in FIG. 15 (u), the ceramic plate 140 for increasing the rigidity of the contact region 42 covers the adhesive layers 138a and 138b so as to cover the conductive material layer portions 136a and 136b and the polyimide layer 130. Buried. Further, a polyimide layer 142 constituting the other surface of the probe substrate 18 is laminated so as to cover the conductive material layer portions 136a and 136b and the ceramic plate 140.

ポリイミド層142上には、ドライフィルからなる犠牲層144が形成された後、この犠牲層144およびポリイミド層142、さらには接着剤層138aを通して、前記導電路136aの引き出しステムである接続端子148のための導電材料が堆積される。この接続端子148は、前記したリジッド配線基板12の対応する前記配線路に接続される。   After a sacrificial layer 144 made of dry fill is formed on the polyimide layer 142, the sacrificial layer 144, the polyimide layer 142, and the adhesive layer 138a are passed through the connection terminal 148 which is a lead stem of the conductive path 136a. Conductive material for is deposited. The connection terminal 148 is connected to the corresponding wiring path of the rigid wiring board 12 described above.

接続端子148の形成後、各犠牲層154、160、166、128および144が除去され、プローブ組立体は基台100から取り外される。これにより、プローブ基板18、プローブ40および変形規制手段58の組立体が完成する。この組立体は図1及び2に示したプローブ組立体10の一部として、プローブシート20に組み付けることができる。   After the connection terminals 148 are formed, the sacrificial layers 154, 160, 166, 128, and 144 are removed, and the probe assembly is removed from the base 100. Thereby, the assembly of the probe substrate 18, the probe 40, and the deformation restricting means 58 is completed. This assembly can be assembled to the probe sheet 20 as part of the probe assembly 10 shown in FIGS.

本発明は、上記実施例に限定されず、その趣旨を逸脱しない限り、種々に変更することができる。また、前記した製造方法は一例に過ぎず、種々の変形規制手段を種々の方法で形成することができる。   The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. The above-described manufacturing method is only an example, and various deformation regulating means can be formed by various methods.

本発明に係るプローブ組立体の一例を示す底面図である。It is a bottom view which shows an example of the probe assembly which concerns on this invention. 図1に示した線II-IIに沿って得られた断面を拡大して示す図面である。It is drawing which expands and shows the cross section obtained along line II-II shown in FIG. 図1に示したプローブ組立体の具体例の一部を拡大して示す斜視図である。It is a perspective view which expands and shows a part of specific example of the probe assembly shown in FIG. 図3に示したプローブ組立体のプローブが対応する電極にオーバドライブ力で押し付けられた状態を示すプローブ組立体の正面図である。FIG. 4 is a front view of the probe assembly showing a state in which the probe of the probe assembly shown in FIG. 3 is pressed against a corresponding electrode with an overdrive force. 図3に示したプローブ組立体のプローブが対応する電極から離反する直前の状態を示す図4と同様な図面である。FIG. 5 is a view similar to FIG. 4 showing a state immediately before the probe of the probe assembly shown in FIG. 3 is separated from the corresponding electrode. 本発明の他の具体例を示す図3と同様な図面である。It is drawing similar to FIG. 3 which shows the other specific example of this invention. 図6に示したプローブ組立体の図4と同様な図面である。FIG. 7 is a view similar to FIG. 4 of the probe assembly shown in FIG. 6. 図6に示したプローブ組立体の図5と同様な図面である。FIG. 7 is a view similar to FIG. 5 of the probe assembly shown in FIG. 6. 本発明のさらに他の具体例を示す図3と同様な図面である。It is drawing similar to FIG. 3 which shows the other specific example of this invention. 図9に示したプローブ組立体の図4と同様な図面である。FIG. 10 is a view similar to FIG. 4 of the probe assembly shown in FIG. 9. 図9に示したプローブ組立体の図5と同様な図面である。FIG. 10 is a view similar to FIG. 5 of the probe assembly shown in FIG. 9. 図3に示したプローブ組立体の変形規制手段の製造方法を示す工程説明図(その1)である。It is process explanatory drawing (the 1) which shows the manufacturing method of the deformation | transformation control means of the probe assembly shown in FIG. 図3に示したプローブ組立体の変形規制手段の製造方法を示す工程説明図(その2)である。It is process explanatory drawing (the 2) which shows the manufacturing method of the deformation | transformation control means of the probe assembly shown in FIG. 図6に示したプローブ組立体の変形規制手段の製造方法を示す工程説明図(その1)である。FIG. 7 is a process explanatory view (No. 1) showing a manufacturing method of the deformation regulating means of the probe assembly shown in FIG. 6; 図6に示したプローブ組立体の変形規制手段の製造方法を示す工程説明図(その2)である。FIG. 8 is a process explanatory view (No. 2) showing the method for manufacturing the deformation regulating means for the probe assembly shown in FIG. 6.

符号の説明Explanation of symbols

10 プローブ組立体
18 プローブ基板
40 プローブ
40a プローブの針先
40b プローブの取付け部
40c プローブのアーム部
40d プローブの針先部
40e アーム部の上方突起部
40f アーム部の係合面
54、58 変形規制手段(フック部材)
54a フック部材の底壁部
54b フック部材の側壁部
58a フック部材の底部
58b フック部材の垂直部
130、142 プローブ基板の電気絶縁層
136b 支持層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Probe assembly 18 Probe board 40 Probe 40a Probe needle point 40b Probe attachment part 40c Probe arm part 40d Probe needle part 40e Arm part upper projection part 40f Arm part engagement surface 54, 58 Deformation restriction means (Hook member)
54a Bottom wall portion of hook member 54b Side wall portion of hook member 58a Bottom portion of hook member 58b Vertical portion of hook member 130, 142 Electrical insulation layer of probe board 136b Support layer

Claims (10)

プローブ基板と、端部が前記プローブ基板に支持され、該プローブ基板から間隔をおいてこれにほぼ沿って伸長するアーム部および該アーム部に設けられ前記プローブ基板から離れる方向へ突出する針先部をそれぞれ有する複数のプローブと、前記プローブ基板に支持され、前記プローブの前記針先部が前記プローブ基板から離れる方向への作用力を受けたときに前記アーム部に生じる反り返り変形を規制する手段とを備えるプローブ組立体。   A probe substrate, an arm portion having an end portion supported by the probe substrate, extending substantially along the probe substrate, and a needle tip portion protruding from the probe substrate in a direction away from the probe substrate A plurality of probes each of which is supported by the probe substrate, and means for restricting the warping deformation generated in the arm portion when the probe tip portion of the probe receives an acting force in a direction away from the probe substrate. A probe assembly. 前記アーム部は、その前記端部から前記プローブ基板へ向けて伸びる取付け部を経て前記プローブ基板に支持されている、請求項1に記載のプローブ組立体。   The probe assembly according to claim 1, wherein the arm portion is supported by the probe substrate via an attachment portion extending from the end portion toward the probe substrate. 前記複数のプローブの少なくとも一部は相互に整列して配置されており、前記規制手段は整列した前記複数のプローブに共通に設けられている、請求項1に記載のプローブ組立体。   2. The probe assembly according to claim 1, wherein at least some of the plurality of probes are arranged in alignment with each other, and the restriction means is provided in common with the plurality of aligned probes. 前記規制手段は、前記針先部の前記プローブ基板へ向けての変位を伴う前記アーム部の変形を許すが前記プローブ基板からの所定の距離を超える前記針先部の変位を伴う前記アーム部の変形を規制するフック部材からなる、請求項1に記載のプローブ組立体。   The restricting means allows deformation of the arm portion with displacement of the needle tip portion toward the probe substrate, but of the arm portion with displacement of the needle tip portion exceeding a predetermined distance from the probe substrate. The probe assembly according to claim 1, comprising a hook member that restricts deformation. 前記フック部材は、前記取付け部と前記針先部との間で前記アーム部に係合可能に前記プローブ基板に設けられている、請求項4に記載のプローブ組立体。   The probe assembly according to claim 4, wherein the hook member is provided on the probe substrate so as to be engageable with the arm portion between the attachment portion and the needle tip portion. 前記フック部材は、前記アーム部の両側で前記プローブ基板から前記アーム部の両側に沿って突出する一対の側壁部と、該両側壁部に一体に形成され前記アーム部の前記プローブ基板と反対側の面から間隔をおく底壁部とを有する、請求項4に記載のプローブ組立体。   The hook member includes a pair of side wall portions projecting from the probe substrate along both sides of the arm portion on both sides of the arm portion, and the arm portion formed integrally with the both side wall portions on the opposite side to the probe substrate. The probe assembly according to claim 4, further comprising a bottom wall spaced from the surface of the probe assembly. 前記フック部材は、前記アーム部の長手方向で見て前記針先部よりも先端側で前記アーム部に係合可能に前記プローブ基板に設けられている、請求項4に記載のプローブ組立体。   5. The probe assembly according to claim 4, wherein the hook member is provided on the probe substrate so as to be engageable with the arm portion on a distal end side with respect to the needle tip portion when viewed in the longitudinal direction of the arm portion. 前記アーム部の先端部の前記プローブ基板に対向する側と反対側には、前記フック部材を受ける係合面が形成されており、前記フック部材は、前記アーム部の前記先端部から外れた前記プローブ基板の位置で該プローブ基板から離れる方向へ伸長する垂直部と、該垂直部から前記係合面に間隔をおいて該係合面に沿って伸びる底部とを有する、請求項4に記載のプローブ組立体。   An engagement surface that receives the hook member is formed on the side of the tip of the arm that is opposite to the side facing the probe substrate, and the hook member is disengaged from the tip of the arm. 5. The apparatus according to claim 4, comprising: a vertical portion extending in a direction away from the probe substrate at a position of the probe substrate; and a bottom portion extending along the engagement surface at a distance from the vertical portion to the engagement surface. Probe assembly. 前記プローブ基板は、電気絶縁層と、該電気絶縁層内に埋設され、前記プローブが接続されるパターン配線層および該パターン配線層と同一金属材料により形成され前記電気絶縁層内で前記パターン配線層から電気的に絶縁された支持層とを備え、前記フック部材は前記支持層に結合して形成されている、請求項4に記載のプローブ組立体。   The probe substrate is formed of an electric insulating layer, a pattern wiring layer embedded in the electric insulating layer, to which the probe is connected, and the same metal material as the pattern wiring layer, and the pattern wiring layer is formed in the electric insulating layer. The probe assembly according to claim 4, further comprising a support layer electrically insulated from the hook member, wherein the hook member is coupled to the support layer. プローブおよび前記フック部材は、フォトリソグラフィ技術を利用して形成されるフォトレジストで模られた凹所に金属材料を順次堆積して形成される、請求項4に記載のプローブ組立体。   5. The probe assembly according to claim 4, wherein the probe and the hook member are formed by sequentially depositing a metal material in a recess resembling a photoresist formed by using a photolithography technique.
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