JP2008091700A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008091700A JP2008091700A JP2006271991A JP2006271991A JP2008091700A JP 2008091700 A JP2008091700 A JP 2008091700A JP 2006271991 A JP2006271991 A JP 2006271991A JP 2006271991 A JP2006271991 A JP 2006271991A JP 2008091700 A JP2008091700 A JP 2008091700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling
- cooling water
- semiconductor element
- vortex generator
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は半導体装置に係り、特に冷却装置を用いて半導体素子を冷却する半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device that cools a semiconductor element using a cooling device.
例えばハイブリッド車や電気自動車等では、バッテリの直流電力とモータ/発電機における交流電力との間の変換のためにインバータとして機能する半導体装置が搭載されている。この半導体装置を構成する半導体素子は稼動する際に高熱を発生するため、冷却装置を用いて冷却することが行われている。また、冷却装置としては空冷タイプのものと水冷のものがあるが、上記のような発熱量が大きい半導体素子では冷却効率の高い冷却水タイプの冷却装置が用いられる。 For example, in a hybrid vehicle, an electric vehicle, or the like, a semiconductor device that functions as an inverter is mounted for conversion between DC power of a battery and AC power of a motor / generator. Since the semiconductor element constituting the semiconductor device generates high heat when operating, it is cooled using a cooling device. In addition, there are an air-cooled type and a water-cooled type as a cooling device, and a cooling device of a cooling water type with high cooling efficiency is used for the semiconductor element having a large calorific value as described above.
この種の冷却装置を有した従来の半導体装置としては、例えば特許文献1の開示されたものがある。この半導体装置は、半導体素子の下に冷却装置を構成する冷却通路が設けられており、またこの冷却水路の半導体素子の搭載位置下方には複数の突起が形成されている。このように、冷却水が流れる冷却水路内に多数の突起を形成することにより、冷却水に渦流が発生し、半導体素子の冷却効率を高めることができる。
しかしながら、従来の半導体装置は、半導体素子に対する冷却効率を高めるため、半導体素子の搭載位置の略全体にわたり冷却水路内に突出する多数の突起を形成した構成としていたため、冷却装置のコストが高くなってしまうという問題点があった。 However, since the conventional semiconductor device has a structure in which a large number of protrusions projecting into the cooling water channel are formed over almost the entire mounting position of the semiconductor element in order to increase the cooling efficiency of the semiconductor element, the cost of the cooling device increases. There was a problem that it was.
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、低コストを図りつつ半導体素子を高い効率で冷却することを可能とした半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of cooling a semiconductor element with high efficiency while achieving low cost.
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。 In order to solve the above-described problems, the present invention is characterized by the following measures.
請求項1記載の発明に係る半導体装置は、
半導体素子と、
該半導体素子が搭載されると共に、該半導体素子の搭載位置の下方に断面積が均一な冷却水路が設けられ、該冷却水路の前記半導体素子の搭載位置の上流側のみに突起を設けた冷却装置とを有することを特徴とするものである。
A semiconductor device according to claim 1 is provided.
A semiconductor element;
A cooling device in which the semiconductor element is mounted, a cooling water passage having a uniform cross-sectional area is provided below the mounting position of the semiconductor element, and a protrusion is provided only on the upstream side of the mounting position of the semiconductor element in the cooling water passage It is characterized by having.
また、請求項2記載の発明は、
請求項1記載の半導体装置において、
前記冷却装置は、前記半導体素子が搭載される上部冷却ケースと、該上部冷却ケースの下部に配設されて前記冷却水路を形成する下部冷却ケースとを有し、
かつ、前記突起を前記上部冷却ケースに設けたことを特徴とするものである。
The invention according to claim 2
The semiconductor device according to claim 1,
The cooling device includes an upper cooling case on which the semiconductor element is mounted, and a lower cooling case that is disposed below the upper cooling case to form the cooling water channel,
And the said protrusion was provided in the said upper cooling case, It is characterized by the above-mentioned.
また、請求項3記載の発明は、
請求項1記載の半導体装置において、
前記冷却装置は、前記半導体素子が搭載される上部冷却ケースと、該上部冷却ケースの下部に配設されて前記冷却水路を形成する下部冷却ケースと、前記冷却水路内に冷却水の流れ方向に延在するよう設けられた冷却フィンとを有し、
かつ、前記突起を前記冷却フィンに設けたことを特徴とするものである。
The invention according to
The semiconductor device according to claim 1,
The cooling device includes an upper cooling case on which the semiconductor element is mounted, a lower cooling case that is disposed below the upper cooling case to form the cooling water channel, and a cooling water flow direction in the cooling water channel. Cooling fins provided to extend,
And the said protrusion was provided in the said cooling fin, It is characterized by the above-mentioned.
本発明によれば、半導体素子の上流側のみに突起を設けるだけで渦流が発生し、半導体素子の冷却能力が向上する。従って、渦流を発生させるための構成が単純になり、半導体装置のコスト低減及び小型化を図ることが可能となる。 According to the present invention, the vortex is generated only by providing the protrusion only on the upstream side of the semiconductor element, and the cooling capacity of the semiconductor element is improved. Therefore, the configuration for generating the eddy current is simplified, and the cost and size of the semiconductor device can be reduced.
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。 Next, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
図1乃至図3は、本発明の第1実施例である半導体装置10Aを示している。図1は半導体装置10Aの平面図であり、図2は図1におけるA−A線に沿う断面図であり、また図3は図1におけるB−B線に沿う断面図である。 1 to 3 show a semiconductor device 10A according to a first embodiment of the present invention. 1 is a plan view of the semiconductor device 10A, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
本実施例に係る半導体装置10Aは、冷却装置30Aに複数の半導体素子20が実装された構成とされている。半導体素子20は、例えばハイブリッド車や電気自動車等においてバッテリの直流電力とモータ/発電機における交流電力とを変換するインバータとして機能する絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ(IGBT)等のパワー素子である。このIGBT等のパワー素子は、稼働時時に高温を発生する。このため、本実施例では、半導体素子20を冷却装置30Aに搭載(実装)して冷却する構成としている。
The semiconductor device 10A according to the present embodiment has a configuration in which a plurality of
半導体素子20は、絶縁基板21を介して冷却装置30A上に搭載されている。絶縁基板21は、例えば、セラミック(例えば窒化アルミニウムや窒化珪素)等の絶縁材料で形成された絶縁層の両面に、銅やアルミニウムなどの金属層を設けて構成されており、上面側の金属層には電極が形成されている。
The
この絶縁基板21は、後述する上部冷却ケース31の上面に対してはんだ付けで接合されている。この際、絶縁基板21上に搭載された半導体素子20は2個を一組として、図1に矢印Lで示す所定の間隔(後述する冷却水路33が曲がっている部分を除く)で配設されている。
The
冷却装置30Aは、高熱を発生する半導体素子20を冷却する機能を奏するものである。この冷却装置30Aは、大略すると上部冷却ケース31、下部冷却ケース32、冷却水路33、及び渦発生体40A等により構成されている。
The cooling device 30A has a function of cooling the
上部冷却ケース31及び下部冷却ケース32は、銅やアルミニウムなどの熱伝導率の高い金属により形成されている。この上部冷却ケース31と下部冷却ケース32は、溶接又ははんだ付けにより接合されて一体化し、上部冷却ケース31を構成する。
The
この上部冷却ケース31及び下部冷却ケース32の双方、又はいずれか一方の内側には凹部が形成されており、よって上部冷却ケース31と下部冷却ケース32とを接合することにより、冷却装置30Aの内部には冷却水路33が形成される。この冷却水路33は、本実施例では略U字形状を有しており、冷却水50が流入口34から流入し、流出口35から排出される構成とされている。この冷却水路33は、U字状に折り曲がった部分を除いて、その断面積は略均一となるよう構成されている。
The
また、冷却水路33には渦発生体40Aとなる突起が形成されている。この渦発生体40Aは、上部冷却ケース31の冷却水路33を構成する凹部内に突出形成されている。また、渦発生体40Aの形状は、本実施例では図4、図5、及び図9(A)に示すように、断面が二等辺三角形とされた三角柱形状とされている。
Further, the cooling water channel 33 is formed with a projection that becomes the
この渦発生体40Aは、冷却水路33の半導体素子20の搭載位置の上流側にのみに配設された構成とされている。この渦発生体40Aの配設位置について、更に詳述する。本実施例では、2個の半導体素子20が1対(以下、半導体素子対という)となり、合計で8対(合計16個)が冷却装置30A上に搭載されている。この各半導体素子対は、冷却装置30Aの冷却水路33の形成位置の上部に搭載位置が設定されている。
The vortex generator 40 </ b> A is configured to be disposed only on the upstream side of the mounting position of the
渦発生体40Aは、各半導体素子対に対し1個のみ設けられた構成とされている。よって、本実施例においては、渦発生体40Aは半導体素子対の数と等しい8個形成されている。また、渦発生体40Aの幅寸法(冷却水50の流れ方向に対して直交する方向)は、半導体素子対の幅寸法と略同じ長さとされている。この幅寸法は、図3に示すように、冷却水路33の幅寸法と略等しい長さとなる。更に、各渦発生体40Aの配設位置は、各半導体素子対の搭載領域で、冷却水50の流れ方向に対して上流側にのみ配設された構成とされている。
Only one
続いて、上記構成とされた半導体装置10Aにおいて、渦発生体40Aの作用効果について、図4乃至図6を主に用いて説明する。
Next, the function and effect of the
ここでは、説明の便宜上、流入口34から流入した冷却水50が最初に渦発生体40Aを通過する場合について説明する。冷却水50は、流入口34から冷却水路33内に流入する。この時、冷却水50の流れは層流であり、熱伝達率は高くない。
Here, for convenience of explanation, a case will be described in which the
いま仮に、冷却水路33内に渦発生体40Aが存在しない構成を想定すると、断面積が略一定である冷却水路33では、冷却水50が冷却水路33内をその内壁に対して平行に流れる平行流冷却では、上流側から冷却水路33の内壁との境界面に沿って冷却水50の流れが低下し、熱伝達が低下する層(温度境界層)が形成され、冷却効率が悪化してしまう。
Assuming a configuration in which the
しかしながら、本実施例に係る半導体装置10Aは、冷却水路33内に渦発生体40Aが設けられているため、冷却水50が渦発生体40Aを通過すると、渦発生体40Aのすぐ下流部分に図4に示すような周期的な渦51が発生する。このように渦51が発生することにより温度境界層は破壊され、これにより渦51の発生領域(図4に矢印Xで示す領域)における冷却効率を高めることができる。
However, since the
本実施例では、渦発生体40Aの配設数は各半導体素子対に対して1本であるが、この渦発生体40Aにより発生する渦51の発生領域、即ち冷却効率が高まる領域は半導体素子20の搭載位置の直下位置となる。このため、1本の渦発生体40Aであっても高い効率を持って半導体素子20を冷却することが可能となる。
In this embodiment, the number of
図6は、渦発生体40Aを設けた際、冷却水路33内における熱伝達率(W/m2K)の変化を示している。同図おいて横軸は冷却水路33内の位置を示しており、渦発生体40Aは基準位置(0mm)から15mm離間した位置に設けられている。また、同図において縦軸は熱伝達率を示している。尚、同図では、渦発生体40Aを設けない従来の熱伝達率についても合わせて示している。また、冷却水50としてはLLC(エンジン冷却水)50%水を用い、その温度は室温とした。
FIG. 6 shows a change in heat transfer coefficient (W / m 2 K) in the cooling water channel 33 when the
同図に示すように、渦発生体40Aを設けない従来の構成では、冷却水路の全域において熱伝達率は4000W/m2K程度である。半導体素子20に対して有効な冷却を行うためには、熱伝達率は8000W/m2K以上であることが望ましい。よって、渦発生体40Aを設けない従来の構成では、半導体素子20を有効に冷却することができない。
As shown in the figure, in the conventional configuration in which the
これに対して本実施例のように冷却水路33に渦発生体40Aを設けた構成では、渦発生体40Aが形成された15mmの位置から約35mmの位置の範囲(約20mmの範囲)において、熱伝達率が冷却の目標値となる8000W/m2Kを越すか、或いは略同じ値となっている。即ち、渦発生体40Aを設けることにより、約20mmの範囲の熱伝達率を8000W/m2Kとすることができる。また、本発明者は、図6に示す条件と同一の条件で、渦51を可視する実験を行ったところ、この熱伝達率が上昇する範囲と、渦51が発生する領域は略一致していることが分かった。
On the other hand, in the configuration in which the
このように本実施例に係る半導体装置10Aによれば、半導体素子20の上流側のみに1本の渦発生体40A(突起)を設けるだけで渦流が発生し、半導体素子20の搭載領域における温度境界層が破壊され、半導体素子20の冷却能力が向上する。従って、渦流を発生させるための構成が単純になり、半導体装置10Aのコスト低減及び小型化を図ることが可能となる。
As described above, according to the semiconductor device 10A according to the present embodiment, a vortex is generated only by providing one
また、上記のように渦発生体40Aを設けることにより熱伝達率は向上して放熱特性は向上するものの、渦発生体40Aは冷却水路33の内部に突出するよう設けられるため、渦発生体40Aを設けることにより冷却水50の圧力損失も大きくなる。冷却水50の圧力損失が大きくなると冷却水50の流速が遅くなり、また流速を維持するためには冷却水50を流すポンプの出力を高める必要が生じる。よって、冷却効率を得ながら、かつ圧力損失の増加を抑える必要がある。
Although the heat transfer coefficient is improved and the heat dissipation characteristics are improved by providing the
このためには、図4に示すように渦発生体40Aの冷却水路33内への突出量をHとし、冷却水路33の高さをDとした場合、その比(H/D)が0.25〜0.5となるよう設定することが望ましい。本発明者の実験では、この比(H/D)を0.25〜0.5とすることにより、熱伝達率及び圧力損失の大きな損失を抑制することができ、半導体素子20の冷却を良好に行うことができた。
For this purpose, as shown in FIG. 4, when the amount of protrusion of the
尚、上記した実施例では、渦発生体40Aの形状を断面が二等辺三角形の三角柱形状とした例を示した。しかしながら、渦発生体の形状はこれに限定されるものではない。図9(B)〜(E)に示すような各種形状の渦発生体40B〜40Fとすることが可能である。また、このように渦発生体40B〜40Fの形状を変化することにより、渦発生体40B〜40Fの下流側に発生する渦51の発生状態を可変することができる。
In the above-described embodiment, an example in which the shape of the
次に、本発明の第2実施例について説明する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described.
図7及び図8は、第2実施例である半導体装置10Bを示している。尚、図7及び図98において、第1実施例に係る半導体装置10Aの説明に用いた図1乃至図6に示した構成と対応する構成については、同一符号を付してその説明を省略するものとする。 7 and 8 show a semiconductor device 10B according to the second embodiment. 7 and 98, the components corresponding to those shown in FIGS. 1 to 6 used for the description of the semiconductor device 10A according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. Shall.
前記した第1実施例に係る半導体装置10Aは、冷却装置30Aを構成する上部冷却ケース31に形成された冷却水路33に渦発生体40Aを突出するよう形成し、これにより渦51を発生する構成とした。
In the semiconductor device 10A according to the first embodiment described above, the
これに対して本実施例に係る半導体装置10Bは、冷却水路33に複数の冷却フィン60を形成し、この冷却フィン60に渦発生体40Bを突出するよう形成いたことを特徴とするものである。図8は、1つの渦発生体40Bを拡大して示す図である。同図に示すように、渦発生体40Bは平板状の冷却フィン60に渦発生体40Bを突出するよう形成した構成を有している。
On the other hand, the semiconductor device 10B according to the present embodiment is characterized in that a plurality of cooling fins 60 are formed in the cooling water channel 33, and the
この冷却フィン60は、図7に示すように、冷却水路33内に立てた状態で複数枚が平行に立設された構成とされている。よって冷却水50は、この立設された複数の冷却フィン60の間を流れる構成とされている。また、渦発生体40Bは、冷却水50の流れ方向に対して直交する方向に形成されている。
As shown in FIG. 7, the cooling fins 60 are configured such that a plurality of the cooling fins 60 are erected in parallel while standing in the cooling water channel 33. Therefore, the cooling
また、第1実施例に係る半導体装置10Aと同様に、渦発生体40Bは冷却水路33の半導体素子20の搭載位置の上流側にのみに配設された構成とされている(図7(B)参照)。具体的には、冷却水路33内に配設された複数の冷却フィン60の各々において、渦発生体40Bは各半導体素子対に対し1個のみ設けられた構成とされている。また、渦発生体40Bの幅寸法(冷却水50の流れ方向に対して直交する方向)は、冷却フィン60の幅寸法(冷却水路33の高さDと等価)と略同じ長さとされている。
Similarly to the semiconductor device 10A according to the first embodiment, the
上記構成とされた渦発生体40Bを冷却水路33内に配設することにより、冷却水50が渦発生体40Bを通過すると、渦発生体40Bのすぐ下流部分に第1実施例と同様に周期的な渦51が発生する。そして、渦51が発生することにより、冷却水路33内に形成されている温度境界層は破壊され、これにより渦51の発生領域(図4に矢印Xで示す領域)における冷却効率が上昇する。
By disposing the
本実施例においても渦発生体40Bの配設数は各半導体素子対に対して1本であるが、この渦発生体40Bにより発生する渦51の発生領域(冷却効率が高まる領域)は半導体素子20の搭載位置の直下位置となる。このため、本実施例に係る半導体装置10Bにおいても、1本の渦発生体40Aで半導体素子20を確実に冷却することが可能となる。よって、本実施例に係る半導体装置10Bでも、半導体素子20の上流側のみに1本の渦発生体40A(突起)を設けるだけで半導体素子20の冷却能力を向上させることができ、渦流を発生させるための構成が単純になり、半導体装置10Bのコスト低減及び小型化を図ることが可能となる。
Also in the present embodiment, the number of
尚、上記した各実施例では、半導体装置10A,10Bをハイブリッド車等の電力変換のために使用した例を示したが、本願発明の適用はこれに限定されるものではなく、各種の発熱素子の冷却に広く利用可能なものである。 In each of the above-described embodiments, the semiconductor devices 10A and 10B are used for power conversion of a hybrid vehicle or the like. However, the application of the present invention is not limited to this, and various heating elements are used. It can be widely used for cooling.
10A,10B 半導体装置
20 半導体素子
21 絶縁基板
30A,30B 冷却装置
31 上部冷却ケース
32 下部冷却ケース
33 冷却水路
40A〜40F 渦発生体
50 冷却水
51 渦
60 冷却フィン
10A,
Claims (3)
該半導体素子が搭載されると共に、該半導体素子の搭載位置の下方に断面積が均一な冷却水路が設けられ、該冷却水路の前記半導体素子の搭載位置の上流側のみに突起を設けた冷却装置と
を有することを特徴とする半導体装置。 A semiconductor element;
A cooling device in which the semiconductor element is mounted, a cooling water passage having a uniform cross-sectional area is provided below the mounting position of the semiconductor element, and a protrusion is provided only on the upstream side of the mounting position of the semiconductor element in the cooling water passage A semiconductor device comprising:
かつ、前記突起を前記上部冷却ケースに設けたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 The cooling device includes an upper cooling case on which the semiconductor element is mounted, and a lower cooling case that is disposed below the upper cooling case to form the cooling water channel,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the protrusion is provided on the upper cooling case.
かつ、前記突起を前記冷却フィンに設けたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
The cooling device includes an upper cooling case on which the semiconductor element is mounted, a lower cooling case that is disposed below the upper cooling case to form the cooling water channel, and a cooling water flow direction in the cooling water channel. Cooling fins provided to extend,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the protrusion is provided on the cooling fin.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006271991A JP5129942B2 (en) | 2006-10-03 | 2006-10-03 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006271991A JP5129942B2 (en) | 2006-10-03 | 2006-10-03 | Semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008091700A true JP2008091700A (en) | 2008-04-17 |
JP5129942B2 JP5129942B2 (en) | 2013-01-30 |
Family
ID=39375532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006271991A Expired - Fee Related JP5129942B2 (en) | 2006-10-03 | 2006-10-03 | Semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5129942B2 (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010021311A (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Nippon Soken Inc | Heat sink for cooling semiconductor element |
US7961462B2 (en) * | 2009-05-28 | 2011-06-14 | Alcatel Lucent | Use of vortex generators to improve efficacy of heat sinks used to cool electrical and electro-optical components |
JP2012182411A (en) * | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Nakamura Mfg Co Ltd | Heat generating body cooling device and heat generating body cooling method |
WO2013039026A1 (en) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | 住友重機械工業株式会社 | Work machine |
WO2013153914A1 (en) * | 2012-04-10 | 2013-10-17 | 日産自動車株式会社 | Cooling structure, vortex-flow forming plate molding apparatus, and method of molding vortex-flow generating unit |
JP2014197637A (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 日産自動車株式会社 | Cooling structure |
EP3054479A4 (en) * | 2013-10-02 | 2016-10-26 | Nissan Motor | Heat-radiating system |
JP2019096649A (en) * | 2017-11-17 | 2019-06-20 | 富士電機株式会社 | Cooler |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01204498A (en) * | 1988-02-09 | 1989-08-17 | Fujitsu Ltd | Heat sink for forced cooling |
JPH09139453A (en) * | 1995-11-16 | 1997-05-27 | Toshiba Corp | Semiconductor cooler |
JP2001349682A (en) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | Boiling cooler |
JP2005229102A (en) * | 2004-01-13 | 2005-08-25 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Heatsink |
JP2005252151A (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Mitsubishi Electric Corp | Cooling device |
-
2006
- 2006-10-03 JP JP2006271991A patent/JP5129942B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01204498A (en) * | 1988-02-09 | 1989-08-17 | Fujitsu Ltd | Heat sink for forced cooling |
JPH09139453A (en) * | 1995-11-16 | 1997-05-27 | Toshiba Corp | Semiconductor cooler |
JP2001349682A (en) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | Boiling cooler |
JP2005229102A (en) * | 2004-01-13 | 2005-08-25 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Heatsink |
JP2005252151A (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Mitsubishi Electric Corp | Cooling device |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010021311A (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Nippon Soken Inc | Heat sink for cooling semiconductor element |
US7961462B2 (en) * | 2009-05-28 | 2011-06-14 | Alcatel Lucent | Use of vortex generators to improve efficacy of heat sinks used to cool electrical and electro-optical components |
JP2012182411A (en) * | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Nakamura Mfg Co Ltd | Heat generating body cooling device and heat generating body cooling method |
JPWO2013039026A1 (en) * | 2011-09-15 | 2015-03-26 | 住友重機械工業株式会社 | Work machine |
WO2013039026A1 (en) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | 住友重機械工業株式会社 | Work machine |
WO2013153914A1 (en) * | 2012-04-10 | 2013-10-17 | 日産自動車株式会社 | Cooling structure, vortex-flow forming plate molding apparatus, and method of molding vortex-flow generating unit |
JPWO2013153914A1 (en) * | 2012-04-10 | 2015-12-17 | 日産自動車株式会社 | Cooling structure, vortex flow forming plate molding apparatus, and vortex flow generation unit molding method |
US9243855B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-01-26 | Nissan Motor Co., Ltd. | Cooling structure, vortex-flow forming plate molding apparatus, and method for molding vortex-flow generating portion |
JP2014197637A (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 日産自動車株式会社 | Cooling structure |
EP3054479A4 (en) * | 2013-10-02 | 2016-10-26 | Nissan Motor | Heat-radiating system |
US9964366B2 (en) | 2013-10-02 | 2018-05-08 | Nissan Motor Co., Ltd. | Heat-radiating system |
JP2019096649A (en) * | 2017-11-17 | 2019-06-20 | 富士電機株式会社 | Cooler |
JP7024962B2 (en) | 2017-11-17 | 2022-02-24 | 富士電機株式会社 | Cooler |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5129942B2 (en) | 2013-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5129942B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5692368B2 (en) | Semiconductor module cooler and semiconductor module | |
JP5900507B2 (en) | Semiconductor module cooler and semiconductor module | |
JP6341285B2 (en) | Semiconductor device | |
US8902589B2 (en) | Semiconductor module and cooler | |
JP6093186B2 (en) | Semiconductor module cooler | |
JP2010153785A (en) | Semiconductor cooling device | |
JP2008186820A (en) | Heat generation body cooling structure and drive | |
WO2007089011A1 (en) | Cooling structure of power semiconductor element and inverter | |
KR20120074245A (en) | Cooling apparatus and power converter having the same | |
JP4027353B2 (en) | Cooling structure | |
JP2005252026A (en) | Heatsink | |
JP2010021311A (en) | Heat sink for cooling semiconductor element | |
JP2003008264A (en) | Cooling device of electronic component | |
KR20110077486A (en) | Thermoelectric power generation using exhaustion heat recovery for vehicle | |
JP2008288330A (en) | Semiconductor device | |
JP2008263137A (en) | Cooling device | |
JP2019114682A (en) | Liquid-cooled cooler | |
JP2004128439A (en) | Heating element cooling device | |
JP2016225339A (en) | Semiconductor device | |
JP2010210202A (en) | Heat exchange body | |
JP2006278735A (en) | Cooling device | |
JP6636397B2 (en) | Cooling fin structure | |
JP2008218828A (en) | Cooling device and semiconductor device with cooling device | |
JP2018207017A (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120717 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121105 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |