JP2008085148A - Adhesion expression method and adhesion expression equipment of adhesive film - Google Patents

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智雄 林
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesion expression method, by which a heat required for achieving a desired adhesion by an adhesive film can be efficiently transmitted to the adhesive film, and adhesion expression equipment therefor. <P>SOLUTION: The adhesion equipment of an adhesive film 24 is equipped with: a wafer hold means 25 for holding a wafer 20 in the state of turning up a rear face 22 of the wafer 20 on which a front surface protection film 3 is pasted; an adhesive film paste means for pasting the adhesive film on the rear face of the wafer held by the wafer hold means; and a heating means 41 which is arranged so as to be faced to the rear face of the wafer held by the wafer hold means and heats the adhesive film pasted on the rear face of the wafer. The heating means may be a plurality of heating lamps. Moreover, the wafer hold means may contain cooling means 26. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウェーハ、特に裏面研削により厚さが小さくされているウェーハに貼付けられる接着剤フィルム、例えばダイアタッチフィルムに所望の接着力を発現させる接着力発現方法およびそのような方法を実施する接着力発現装置に関する。   The present invention relates to an adhesive force developing method for causing a desired adhesive force to be exerted on an adhesive film, for example, a die attach film, which is attached to a wafer, in particular, a wafer whose thickness is reduced by backside grinding, and adhesion for carrying out such a method. The present invention relates to a force expression device.

半導体製造工程においては、所定の回路パターンが表面に形成されたウェーハは賽の目状にダイシングされてチップ化される。これにより得られたＩＣチップのそれぞれは、金属製リードフレーム、テープ基板または有機硬質基板などにダイボンディングされて、半導体装置に組込まれる。   In a semiconductor manufacturing process, a wafer on which a predetermined circuit pattern is formed is diced into a square shape to form a chip. Each of the obtained IC chips is die-bonded to a metal lead frame, a tape substrate, an organic hard substrate, or the like, and incorporated into a semiconductor device.

従来技術においてはダイボンディング時に用いられる接着剤として、ペースト状の接着剤からなるダイアタッチペーストが使用されていた。ところが、近年では、利便性の観点から、接着剤ペーストの代わりに接着剤フィルムを使用するように推移してきている。   In the prior art, a die attach paste made of a paste-like adhesive has been used as an adhesive used during die bonding. However, in recent years, from the viewpoint of convenience, an adhesive film has been used instead of an adhesive paste.

特許文献１には、接着剤からなる接着剤フィルム、例えばダイアタッチフィルムをウェーハに貼付けることが開示されている。   Patent Document 1 discloses that an adhesive film made of an adhesive, for example, a die attach film is attached to a wafer.

通常は、ウェーハの表面には回路パターンが形成されており、これら回路パターンはウェーハの表面に貼付けられた表面保護フィルムにより保護されている。引用文献１においては、そのようなウェーハをその裏面が上方を向くように加熱テーブル上に配置した後で、加圧ロールによってダイアタッチフィルムをウェーハの裏面に加圧しつつ、加熱テーブルからの熱でダイアタッチフィルムをウェーハに加熱圧着している。このような加熱作用によって、ダイアタッチフィルムには必要とされる接着力が発現するようになる。
特開２００４−１８６２９６号公報 Usually, circuit patterns are formed on the surface of the wafer, and these circuit patterns are protected by a surface protective film attached to the surface of the wafer. In Cited Document 1, such a wafer is placed on a heating table so that the back surface thereof faces upward, and then the die attach film is pressed against the back surface of the wafer by a pressure roll, and the heat from the heating table is used. A die attach film is heat bonded to the wafer. Due to such heating action, the die attach film exhibits a necessary adhesive force.
JP 2004-186296 A

しかしながら、特許文献１においては、加熱テーブルからの熱は、表面保護フィルムおよびウェーハを介してダイアタッチフィルムに伝達されるので、接着剤フィルムへの熱の伝達は効率的ではない。さらに、表面保護フィルムが加熱テーブルによって直接的に加熱されるので、表面保護フィルムは、ダイアタッチフィルムに伝達される熱に耐える必要がある。すなわち、加熱テーブルによって接着剤フィルムを加熱する場合には、耐熱性が比較的高い表面保護フィルムが必要とされる。しかしながら、そのような耐熱性が高い表面保護フィルムは高価であるので、経済的ではない。   However, in Patent Document 1, since heat from the heating table is transmitted to the die attach film via the surface protection film and the wafer, the transfer of heat to the adhesive film is not efficient. Furthermore, since the surface protection film is directly heated by the heating table, the surface protection film needs to withstand the heat transmitted to the die attach film. That is, when heating an adhesive film with a heating table, a surface protective film having relatively high heat resistance is required. However, such a surface protective film having high heat resistance is expensive and is not economical.

また、樹脂製の表面保護フィルムの熱膨張率と、表面保護フィルムが貼付けられているウェーハの熱膨張率とは互いに異なっている。このため、加熱テーブルによる加熱時には表面保護フィルムとウェーハとの間の膨張差によって、ウェーハに応力が掛かり、それにより、表面保護フィルムがウェーハから剥離することも起こりうる。   Moreover, the thermal expansion coefficient of the resin-made surface protective film and the thermal expansion coefficient of the wafer to which the surface protective film is affixed are different from each other. For this reason, stress may be applied to the wafer due to a difference in expansion between the surface protective film and the wafer during heating by the heating table, and the surface protective film may be peeled off from the wafer.

さらに、近年では、ウェーハが年々大型化すると共に、実装密度向上の観点から、ウェーハは、ダイアタッチフィルムが貼付けられる前に、その裏面を研削することにより薄葉化されている。このため、前述した膨張差によって、ウェーハは反る傾向にあり、場合によってはウェーハが破損することも考えられる。   Further, in recent years, the wafer has become larger year by year, and from the viewpoint of improving the mounting density, the wafer is thinned by grinding the back surface thereof before the die attach film is attached. For this reason, the wafer tends to warp due to the above-described expansion difference, and in some cases, the wafer may be damaged.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、表面保護フィルムに熱影響を与えることなしに、接着剤フィルム、例えばダイアタッチフィルムが所望の接着力を発現するのに要求される熱を効率的に伝えることのできる接着力発現方法およびこの方法を実施する接着力発現装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and heat required for an adhesive film, such as a die attach film, to exhibit a desired adhesive force without affecting the surface protective film. It is an object of the present invention to provide a method for developing an adhesive force capable of efficiently transmitting the above and an apparatus for expressing an adhesive force for implementing the method.

前述した目的を達成するために１番目の発明によれば、表面保護フィルムが表面に貼付けられているウェーハの裏面を上方に向けた状態でウェーハ保持手段により前記ウェーハを保持し、該ウェーハ保持手段により保持された前記ウェーハの裏面に接着剤フィルムを貼付け、前記ウェーハの前記裏面に貼付けられた前記接着剤フィルムを前記ウェーハ保持手段とは反対側から加熱して前記接着剤フィルムに所望の接着力を発現させる接着剤フィルムの接着力発現方法が提供される。   In order to achieve the above-described object, according to the first invention, the wafer is held by the wafer holding means in a state where the back surface of the wafer having the surface protective film attached to the surface is directed upward, and the wafer holding means Adhesive film is attached to the back surface of the wafer held by the wafer, and the adhesive film attached to the back surface of the wafer is heated from the side opposite to the wafer holding means to obtain a desired adhesive force to the adhesive film. There is provided a method for developing the adhesive force of an adhesive film that develops.

すなわち１番目の発明においては、ウェーハ保持手段とは反対側から加熱しているので、接着剤フィルムを直接的に加熱できる。このため、表面保護フィルムに熱影響を与えることなしに、接着剤フィルムに要求される熱を効率的に伝えることができる。   That is, in the first invention, since the heating is performed from the side opposite to the wafer holding means, the adhesive film can be directly heated. For this reason, the heat | fever requested | required of an adhesive film can be efficiently tell | transmitted, without giving a thermal effect to a surface protection film.

２番目の発明によれば、１番目の発明において、前記接着剤フィルムを加熱するときには、前記ウェーハ保持手段を冷却する。
すなわち２番目の発明においては、接着剤フィルムが加熱されている場合においても、表面保護フィルムの温度を比較的低く維持できる。従って、表面保護フィルムの耐熱性は比較的小さくて済む。 According to the second invention, in the first invention, when the adhesive film is heated, the wafer holding means is cooled.
That is, in the second invention, even when the adhesive film is heated, the temperature of the surface protective film can be kept relatively low. Therefore, the heat resistance of the surface protective film may be relatively small.

３番目の発明によれば、１番目または２番目の発明において、前記加熱作用は、前記ウェーハ保持手段に対向して配置された加熱ランプにより行われる。
すなわち３番目の発明においては、加熱手段の寸法が比較的小さくて足りるので、加熱手段を現状の装置に容易に組込むことができる。 According to a third aspect, in the first or second aspect, the heating action is performed by a heating lamp disposed opposite to the wafer holding means.
That is, in the third invention, since the size of the heating means is relatively small, the heating means can be easily incorporated into the current apparatus.

４番目の発明によれば、表面保護フィルムが表面に貼付けられているウェーハの裏面を上方に向けた状態で前記ウェーハを保持するウェーハ保持手段と、該ウェーハ保持手段により保持された前記ウェーハの裏面に接着剤フィルムを貼付ける接着剤フィルム貼付手段と、前記ウェーハ保持手段に保持された前記ウェーハの前記裏面に対向するように配置されていて前記接着剤フィルムを加熱する加熱手段とを具備する接着剤フィルムの接着力発現装置が提供される。   According to the fourth aspect of the invention, the wafer holding means for holding the wafer with the back surface of the wafer having the surface protective film attached to the surface facing upward, and the back surface of the wafer held by the wafer holding means An adhesive film affixing means for affixing the adhesive film to the wafer, and a heating means arranged to face the back surface of the wafer held by the wafer holding means to heat the adhesive film An adhesive film adhesion developing device is provided.

すなわち４番目の発明においては、加熱手段がウェーハの裏面に対向するように配置されているので、加熱手段は接着剤フィルムを直接的に加熱できる。このため、表面保護フィルムに熱影響を与えることなしに、接着剤フィルムに要求される熱を効率的に伝えることができる。   That is, in the fourth invention, since the heating means is disposed so as to face the back surface of the wafer, the heating means can directly heat the adhesive film. For this reason, the heat | fever requested | required of an adhesive film can be efficiently tell | transmitted, without giving a thermal effect to a surface protection film.

５番目の発明によれば、４番目の発明において、さらに、前記ウェーハ保持手段を冷却する冷却する冷却手段を具備する。
すなわち５番目の発明においては、加熱手段により接着剤フィルムが加熱されている場合においても、表面保護フィルムの温度を比較的低く維持できる。従って、表面保護フィルムの耐熱性は比較的小さくて済む。 According to a fifth aspect, in the fourth aspect, the apparatus further comprises a cooling means for cooling the wafer holding means.
That is, in the fifth aspect, even when the adhesive film is heated by the heating means, the temperature of the surface protective film can be kept relatively low. Therefore, the heat resistance of the surface protective film may be relatively small.

６番目の発明によれば、４番目または５番目の発明において、前記加熱手段が加熱ランプである。
すなわち６番目の発明においては、加熱手段の寸法が比較的小さくて足りるので、加熱手段を現状の装置に容易に組込むことができる。 According to a sixth invention, in the fourth or fifth invention, the heating means is a heating lamp.
That is, in the sixth invention, since the size of the heating means is relatively small, the heating means can be easily incorporated into the current apparatus.

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同一の部材には同一の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図１はウェーハ処理装置の略平面図である。図１に示されるウェーハ処置装置１０は、ウェーハ２０の裏面２２を研削する裏面研削ユニット８０と、ウェーハ２０にダイアタッチフィルムを貼付けるダイアタッチフィルム貼付ユニット３０と、ウェーハ２０にダイシングテープを貼付けるダイシングテープ貼付ユニット５０とを含んでいる。これら各ユニットは、後述する制御装置１１によって制御されている。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. In order to facilitate understanding, the scales of these drawings are appropriately changed.
FIG. 1 is a schematic plan view of a wafer processing apparatus. The wafer treatment apparatus 10 shown in FIG. 1 includes a back grinding unit 80 for grinding the back surface 22 of the wafer 20, a die attach film pasting unit 30 for pasting a die attach film on the wafer 20, and a dicing tape on the wafer 20. And a dicing tape attaching unit 50. Each of these units is controlled by a control device 11 described later.

裏面研削ユニット８０には複数のウェーハ２０を収納するウェーハカセット８１Ａ、８１Ｂが設けられている。ここで、図２（ａ）に示されるように、裏面研削ユニット８０に供給されるウェーハ２０の表面２１には複数の回路パターンＣが既に形成されており、これら回路パターンＣを保護する表面保護フィルム３もウェーハ２０の表面２１に貼付けられている。   The back grinding unit 80 is provided with wafer cassettes 81A and 81B for storing a plurality of wafers 20. Here, as shown in FIG. 2A, a plurality of circuit patterns C are already formed on the surface 21 of the wafer 20 supplied to the back grinding unit 80, and surface protection for protecting these circuit patterns C is performed. The film 3 is also attached to the surface 21 of the wafer 20.

再び図１を参照すると、ウェーハ２０はロボットアーム８２Ａ、８２Ｂによってウェーハカセット８１Ａ、８１Ｂから一つずつ取出される。そして、ウェーハ２０はその裏面２２を上方に向けた状態で回転ステージ８３の吸着部８４に保持される。   Referring again to FIG. 1, the wafers 20 are taken out from the wafer cassettes 81A and 81B one by one by the robot arms 82A and 82B. The wafer 20 is held by the suction portion 84 of the rotary stage 83 with the back surface 22 facing upward.

その後、図２（ｂ）に示されるように、裏面研削ユニット８０の研削部８５Ａ、８５Ｂが駆動してウェーハ２０の裏面２２が研削される。これにより、図２（ｃ）に示されるように、ウェーハ２０の厚さは当初の厚さＬ０から研削後厚さＬ０’まで低減する。   Thereafter, as shown in FIG. 2B, the grinding portions 85A and 85B of the back surface grinding unit 80 are driven to grind the back surface 22 of the wafer 20. As a result, as shown in FIG. 2C, the thickness of the wafer 20 is reduced from the initial thickness L0 to the post-grinding thickness L0 '.

ウェーハ２０の研削が終了すると、ウェーハ２０はロボットアーム３９によって裏面研削ユニット８０からダイアタッチフィルム貼付ユニット３０まで搬送される。図３は本発明に基づくダイアタッチフィルム貼付ユニット３０における貼付部２３を示す略側面図である。   When the grinding of the wafer 20 is completed, the wafer 20 is transferred from the back surface grinding unit 80 to the die attach film attaching unit 30 by the robot arm 39. FIG. 3 is a schematic side view showing the attaching portion 23 in the die attach film attaching unit 30 according to the present invention.

図３に示されるように、ウェーハ２０は、その裏面２２を上方に向けた状態で、ダイアタッチフィルム貼付ユニット３０における保持テーブル２５に保持される。つまり、ウェーハ２０の表面２１に貼付けられた表面保護フィルム３が保持テーブル２５の上面に直接的に接触する。   As shown in FIG. 3, the wafer 20 is held by the holding table 25 in the die attach film attaching unit 30 with the back surface 22 facing upward. That is, the surface protective film 3 attached to the front surface 21 of the wafer 20 directly contacts the upper surface of the holding table 25.

また、図示されるように本発明においては冷却手段２６が保持テーブル２５内に組入れられている。冷却手段２６は、例えば常温または低温の液体を保持テーブル２５内部に還流させる公知の手段であり、特に保持テーブル２５の上面を冷却する。   As shown in the figure, the cooling means 26 is incorporated in the holding table 25 in the present invention. The cooling means 26 is a known means for refluxing, for example, a normal or low-temperature liquid into the holding table 25, and specifically cools the upper surface of the holding table 25.

貼付部２３はダイアタッチフィルム２４が巻取られている巻取ロール２７とダイアタッチフィルム２４をウェーハ２０に貼付ける貼付ロール２９とを主に含んでいる。ダイアタッチフィルム２４は接着剤からなるフィルムであり、所謂ホットラミネーションタイプのものが使用される。   The affixing unit 23 mainly includes a take-up roll 27 around which the die attach film 24 is taken up, and an affixing roll 29 that affixes the die attach film 24 to the wafer 20. The die attach film 24 is a film made of an adhesive, and a so-called hot lamination type film is used.

図５に示されるように、巻取ロール２７のダイアタッチフィルム２４をガイドロール２８Ａ、２８Ｂを介してウェーハ２０の裏面２２上に繰出す。次いで、ダイアタッチフィルム２４に押当てられた貼付ロール２９をウェーハ２０の直径方向に往復運動させ、それにより、ダイアタッチフィルム２４をウェーハ２０の裏面２２に貼付ける。   As shown in FIG. 5, the die attach film 24 of the take-up roll 27 is fed onto the back surface 22 of the wafer 20 through the guide rolls 28 </ b> A and 28 </ b> B. Next, the sticking roll 29 pressed against the die attach film 24 is reciprocated in the diameter direction of the wafer 20, thereby sticking the die attach film 24 to the back surface 22 of the wafer 20.

他の実施形態においては、図４（ａ）および図４（ｂ）に示されるような他の貼付部を用いてダイアタッチフィルム２４をウェーハ２０の裏面２２に貼付けるようにしてもよい。図４（ａ）および図４（ｂ）に示される貼付部は、上方釜７１と下方釜７２とを含んでおり、これらは各釜７１、７２の入口が互いに対向するように配置されている。   In another embodiment, the die attach film 24 may be attached to the back surface 22 of the wafer 20 using another attaching portion as shown in FIGS. 4A and 4B. 4 (a) and 4 (b) includes an upper hook 71 and a lower hook 72, which are arranged so that the inlets of the hooks 71 and 72 face each other. .

これら上方釜７１および下方釜７２の入口の形状はほぼ等しくなっており、使用時にはこれら上方釜７１、下方釜７２はダイアタッチフィルム２４を介して密閉可能に係合される。また、上方釜７１および下方釜７２の断面形状はウェーハ２０の形状にほぼ等しいかまたはこれより大きくなっている。従って、これら上方釜７１および下方釜７２の奥行方向はダイアタッチフィルム２４の幅よりも小さい。さらに、上方釜７１の内壁には気体供給部７０が設けられている。また、下方釜７２には、ウェーハ２０を前述したように保持する保持テーブル２５が位置決めされる。   The shapes of the inlets of the upper hook 71 and the lower hook 72 are substantially equal, and the upper hook 71 and the lower hook 72 are engaged with each other through the die attach film 24 so as to be sealed in use. The cross-sectional shapes of the upper hook 71 and the lower hook 72 are substantially equal to or larger than the shape of the wafer 20. Therefore, the depth direction of the upper hook 71 and the lower hook 72 is smaller than the width of the die attach film 24. Further, a gas supply unit 70 is provided on the inner wall of the upper hook 71. Further, the holding table 25 that holds the wafer 20 as described above is positioned in the lower shuttle 72.

図４（ｂ）に示されるように他の貼付部の使用時には、上方釜７１の気体供給部７０から気体を供給する。気体供給部７０から供給される気体は例えば通常の空気、窒素などである。これにより、上方釜７１と下方釜７２とに把持されるダイアタッチフィルム２４が保持テーブル２５上のウェーハ２０に向かって膨張するようになる。   As shown in FIG. 4 (b), gas is supplied from the gas supply unit 70 of the upper hook 71 when using another sticking unit. The gas supplied from the gas supply unit 70 is, for example, normal air or nitrogen. As a result, the die attach film 24 held by the upper hook 71 and the lower hook 72 expands toward the wafer 20 on the holding table 25.

次いで、保持テーブル２５を上昇させ、それにより、ダイアタッチフィルム２４の膨張した中心をウェーハ２０のほぼ中心に接触させる。その後、保持テーブル２５をさらに上昇させることにより、ダイアタッチフィルム２４をウェーハ２０の中心から縁部に向かって半径方向に貼付ける。このような方式によってダイアタッチフィルム２４をウェーハ２０に貼付けるようにしてもよい。   Next, the holding table 25 is raised, thereby bringing the expanded center of the die attach film 24 into contact with the approximate center of the wafer 20. Thereafter, the holding table 25 is further raised so that the die attach film 24 is stuck in the radial direction from the center of the wafer 20 toward the edge. The die attach film 24 may be attached to the wafer 20 by such a method.

図３または図４に示される貼付部２３によってダイアタッチフィルム２４の貼付けが完了すると、図示しないカッタによりダイアタッチフィルム２４をウェーハ２０の縁部に沿って切断する。次いで、保持テーブル２５をダイアタッチフィルム貼付ユニット３０の加熱手段４１まで移動させる。   When the attachment of the die attach film 24 is completed by the attaching portion 23 shown in FIG. 3 or FIG. 4, the die attach film 24 is cut along the edge of the wafer 20 by a cutter (not shown). Next, the holding table 25 is moved to the heating means 41 of the die attach film sticking unit 30.

図５は本発明に基づくダイアタッチフィルム貼付ユニットにおける加熱部を示す略側面図である。図５においては、加熱手段４１が、保持テーブル２５の上面に対向して保持テーブル２５の上方に配置されている。図５から分かるように、加熱手段４１の外形はウェーハ２０の外形に概ね等しい。   FIG. 5 is a schematic side view showing a heating unit in the die attach film sticking unit according to the present invention. In FIG. 5, the heating means 41 is disposed above the holding table 25 so as to face the upper surface of the holding table 25. As can be seen from FIG. 5, the outer shape of the heating means 41 is substantially equal to the outer shape of the wafer 20.

図示される加熱手段４１は、ウェーハ２０全体を加熱するよう配置された複数の加熱ランプから構成されている。このような場合には、複数の加熱ランプのみを組入れれば足りる。通常はダイアタッチフィルム貼付ユニット３０における保持テーブル２５よりも上方の空間は使用されていないので、複数の加熱ランプからなる加熱手段４１を現状のウェーハ処置装置１０に容易に組込むことができる。なお、加熱ランプ以外の構成、例えば温風をウェーハ２０に向かって吹付ける構成を加熱手段４１として採用してもよい。   The illustrated heating means 41 is composed of a plurality of heating lamps arranged to heat the entire wafer 20. In such a case, it is sufficient to incorporate only a plurality of heating lamps. Usually, since the space above the holding table 25 in the die attach film attaching unit 30 is not used, the heating means 41 including a plurality of heating lamps can be easily incorporated into the current wafer treatment apparatus 10. A configuration other than the heating lamp, for example, a configuration in which warm air is blown toward the wafer 20 may be employed as the heating unit 41.

図５においては、ウェーハ２０の裏面２２に貼付けられたダイアタッチフィルム２４を加熱手段４１によって加熱する。これにより、ダイアタッチフィルム２４は例えば１２０℃〜２００℃まで加熱され、ダイアタッチフィルム２４が所望の接着力を呈するようになる。加熱手段４１の加熱作用によって発現するダイアタッチフィルム２４の接着力は、後工程においてダイアタッチフィルム２４がウェーハ２０の裏面２２から剥離しない程度の大きさである。   In FIG. 5, the die attach film 24 attached to the back surface 22 of the wafer 20 is heated by the heating means 41. Thereby, the die attach film 24 is heated to 120 ° C. to 200 ° C., for example, and the die attach film 24 exhibits a desired adhesive force. The adhesive force of the die attach film 24 developed by the heating action of the heating means 41 has such a magnitude that the die attach film 24 does not peel from the back surface 22 of the wafer 20 in a subsequent process.

このように本発明においては、加熱手段４１によってダイアタッチフィルム２４を直接的に加熱するようにしている。すなわち、加熱機構を備える保持テーブルが表面保護フィルム３とウェーハ２０とを介してダイアタッチフィルム２４を加熱する従来技術の構成は、本発明では採用していない。それゆえ、加熱手段４１からの熱を効率的に伝達できるので、加熱手段４１に必要とされる温度を低く設定でき、加熱手段４１に関するランニングコストを抑えることも可能である。   Thus, in the present invention, the die attach film 24 is directly heated by the heating means 41. That is, the configuration of the prior art in which the holding table having the heating mechanism heats the die attach film 24 via the surface protective film 3 and the wafer 20 is not adopted in the present invention. Therefore, since the heat from the heating unit 41 can be efficiently transmitted, the temperature required for the heating unit 41 can be set low, and the running cost related to the heating unit 41 can be suppressed.

また、本発明においては、表面保護フィルム３を直接的に加熱していないので、表面保護フィルム３に要求される耐熱性は比較的小さくて足りる。すなわち、本発明においては、耐熱性が例えば１２０℃を越えるような表面保護フィルム３を使用する必要はなく、表面保護フィルム３の耐熱性が例えば８０℃程度であってもよい。また、表面保護フィルム３を直接的に加熱しない構成であるので、本発明においては、ウェーハ２０と表面保護フィルム３との間の熱膨張差に基づいてウェーハに応力が掛かって表面保護フィルム３が剥離することもない。   In the present invention, since the surface protective film 3 is not directly heated, the heat resistance required for the surface protective film 3 is relatively small. That is, in the present invention, it is not necessary to use the surface protective film 3 whose heat resistance exceeds 120 ° C., for example, and the heat resistance of the surface protective film 3 may be about 80 ° C., for example. Moreover, since it is the structure which does not heat the surface protection film 3 directly, in this invention, stress is applied to a wafer based on the thermal expansion difference between the wafer 20 and the surface protection film 3, and the surface protection film 3 becomes. There is no peeling.

ところで図５に示されるように、加熱手段４１の加熱時には、保持テーブル２５に組入れられた冷却手段２６を起動してもよい。これにより、ダイアタッチフィルム２４が加熱されている場合であっても、表面保護フィルム３の温度を比較的低く維持することが可能である。それゆえ、耐熱性がさらに小さい表面保護フィルム３を採用することもできる。   Incidentally, as shown in FIG. 5, when the heating means 41 is heated, the cooling means 26 incorporated in the holding table 25 may be activated. Thereby, even if the die attach film 24 is heated, the temperature of the surface protective film 3 can be kept relatively low. Therefore, the surface protective film 3 having a smaller heat resistance can be employed.

再び図１を参照すると、ダイアタッチフィルム貼付ユニット３０において、ダイアタッチフィルム２４が貼付けられたウェーハ２０はダイシングテープ貼付ユニット５０に搬送される。ダイシングテープ貼付ユニット５０においては、公知の手法によりダイシングテープ５９をウェーハ２０のダイアタッチフィルム２４上に貼付ける。次いで、ウェーハ２０の表面２１に貼付けられた表面保護フィルム３が公知の手法で剥離され、その後、ウェーハ２０はダイシングユニット６０に搬送されて、ダイシングされる。   Referring to FIG. 1 again, in the die attach film attaching unit 30, the wafer 20 to which the die attach film 24 is attached is conveyed to the dicing tape attaching unit 50. In the dicing tape attaching unit 50, the dicing tape 59 is attached on the die attach film 24 of the wafer 20 by a known method. Next, the surface protective film 3 attached to the surface 21 of the wafer 20 is peeled off by a known method, and then the wafer 20 is conveyed to the dicing unit 60 and diced.

ダイシングによりチップ化されたＩＣチップのそれぞれは、図示しないピックアップ装置によりピックアップされて、金属製リードフレーム、テープ基板または有機硬質基板などにダイボンディングされる。ダイアタッチフィルム２４は個々のＩＣチップの裏面に存在しているので、ダイアタッチフィルム２４をダイボンディングする際の接着剤として使用することができる。   Each of the IC chips formed into chips by dicing is picked up by a pickup device (not shown) and die-bonded to a metal lead frame, a tape substrate, an organic hard substrate, or the like. Since the die attach film 24 exists on the back surface of each IC chip, it can be used as an adhesive when the die attach film 24 is die-bonded.

図面を参照して説明した実施形態においては、ダイアタッチフィルム２４を貼付けた後でダイアタッチフィルム２４を加熱するようにしているが、貼付部２３によるダイアタッチフィルム２４の貼付作用と加熱手段４１によるダイアタッチフィルム２４の加熱作用とを同時に行うようにしてもよい。そのような場合であっても、本発明の範囲に含まれるのは明らかであろう。   In the embodiment described with reference to the drawings, the die attach film 24 is heated after the die attach film 24 is pasted. The pasting action of the die attach film 24 by the pasting unit 23 and the heating means 41 are used. The heating action of the die attach film 24 may be performed simultaneously. Even such a case will be clearly included in the scope of the present invention.

ウェーハ処理装置の略平面図である。It is a schematic plan view of a wafer processing apparatus. （ａ）ウェーハ処理装置に供給されるウェーハの側面図である。（ｂ）研削状態を示すウェーハの側面図である。（ｃ）研削後におけるウェーハの側面図である。(A) It is a side view of the wafer supplied to a wafer processing apparatus. (B) It is a side view of the wafer which shows a grinding state. (C) It is a side view of the wafer after grinding. 本発明に基づくダイアタッチフィルム貼付ユニットにおける貼付部を示す略側面図である。It is a schematic side view which shows the sticking part in the die attach film sticking unit based on this invention. （ａ）本発明に基づくダイアタッチフィルム貼付ユニットにおける他の貼付部を示す略側面図である。図４（ａ）に示される他の貼付部の動作を示す図である。(A) It is a schematic side view which shows the other sticking part in the die attach film sticking unit based on this invention. It is a figure which shows operation | movement of the other sticking part shown by Fig.4 (a). 本発明に基づくダイアタッチフィルム貼付ユニットにおける加熱部を示す略側面図である。It is a schematic side view which shows the heating part in the die attach film sticking unit based on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

３ 表面保護フィルム
１０ ウェーハ処置装置
１１ 制御装置
２０ ウェーハ
２１ 表面
２２ 裏面
２３ 貼付部
２４ ダイアタッチフィルム
２５ 保持テーブル
２６ 冷却手段
２７ 巻取ロール
２８Ａ、２８Ｂ ガイドロール
２９ 貼付ロール
３０ ダイアタッチフィルム貼付ユニット
３９ ロボットアーム
４１ 加熱手段
５０ ダイシングテープ貼付ユニット
５９ ダイシングテープ
６０ ダイシングユニット
７０ 気体供給部
７１、７２ 釜
８０ 裏面研削ユニット
８１Ａ、８１Ｂ ウェーハカセット
８２Ａ、８２Ｂ ロボットアーム
８３ 回転ステージ
８４ 吸着部
８５Ａ、８５Ｂ 研削部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 Surface protective film 10 Wafer treatment apparatus 11 Control apparatus 20 Wafer 21 Front surface 22 Back surface 23 Sticking part 24 Die attach film 25 Holding table 26 Cooling means 27 Winding roll 28A, 28B Guide roll 29 Sticking roll 30 Die attaching film sticking unit 39 Robot Arm 41 Heating means 50 Dicing tape sticking unit 59 Dicing tape 60 Dicing unit 70 Gas supply unit 71, 72 Pot 80 Back surface grinding unit 81A, 81B Wafer cassette 82A, 82B Robot arm 83 Rotary stage 84 Adsorption unit 85A, 85B Grinding unit

Claims (6)

表面保護フィルムが表面に貼付けられているウェーハの裏面を上方に向けた状態でウェーハ保持手段により前記ウェーハを保持し、
該ウェーハ保持手段により保持された前記ウェーハの裏面に接着剤フィルムを貼付け、
前記ウェーハの前記裏面に貼付けられた前記接着剤フィルムを前記ウェーハ保持手段とは反対側から加熱して前記接着剤フィルムに所望の接着力を発現させる接着剤フィルムの接着力発現方法。 Holding the wafer by the wafer holding means in a state where the back surface of the wafer having the surface protective film attached to the front surface is directed upward,
Adhering an adhesive film to the back surface of the wafer held by the wafer holding means,
A method for developing an adhesive force of an adhesive film, wherein the adhesive film affixed to the back surface of the wafer is heated from the side opposite to the wafer holding means to develop a desired adhesive force on the adhesive film. 前記接着剤フィルムを加熱するときには、前記ウェーハ保持手段を冷却する請求項１に記載の接着力発現方法。   The method of developing an adhesive force according to claim 1, wherein when the adhesive film is heated, the wafer holding unit is cooled. 前記加熱作用は、前記ウェーハ保持手段に対向して配置された加熱ランプにより行われる請求項１または２に記載の接着力発現方法。   The method of developing an adhesive force according to claim 1, wherein the heating action is performed by a heating lamp arranged to face the wafer holding unit. 表面保護フィルムが表面に貼付けられているウェーハの裏面を上方に向けた状態で前記ウェーハを保持するウェーハ保持手段と、
該ウェーハ保持手段により保持された前記ウェーハの裏面に接着剤フィルムを貼付ける接着剤フィルム貼付手段と、
前記ウェーハ保持手段に保持された前記ウェーハの前記裏面に対向するように配置されていて前記接着剤フィルムを加熱する加熱手段とを具備する接着剤フィルムの接着力発現装置。 Wafer holding means for holding the wafer in a state in which the back surface of the wafer having the surface protective film attached to the front surface is directed upward;
An adhesive film sticking means for sticking an adhesive film to the back surface of the wafer held by the wafer holding means;
An adhesive film adhesive force developing device, comprising: a heating unit that is disposed to face the back surface of the wafer held by the wafer holding unit and that heats the adhesive film. さらに、前記ウェーハ保持手段を冷却する冷却する冷却手段を具備する請求項４に記載の接着力発現装置。   Furthermore, the adhesive force expression apparatus of Claim 4 provided with the cooling means to cool which cools the said wafer holding means. 前記加熱手段が加熱ランプである請求項４または５に記載の接着力発現装置。   6. The adhesive force developing device according to claim 4, wherein the heating means is a heating lamp.
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