JP2008084913A - Organic electroluminescence element, display device, and lighting device - Google Patents

Organic electroluminescence element, display device, and lighting device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element that is formed of two light emitting layers made of phosphorescent light emitting compound and has high efficiency and long service life. <P>SOLUTION: Two light emitting layers contain a phosphorescent light emitting compount represented by general formula (1), wherein R<SB>1</SB>is a substituent, Z is a non-metal atom group, n is an integer, B is C, N, O or S, M is metal of 8-10 group, X is C, N or O, L is an atom group forming a bidentate ligand, and m is an integer. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び該有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置、照明装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence element, a display device using the organic electroluminescence element, and an illumination apparatus.

従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(ELD)がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ともいう)が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。   Conventionally, there is an electroluminescence display (ELD) as a light-emitting electronic display device. Examples of the constituent elements of ELD include inorganic electroluminescent elements and organic electroluminescent elements (hereinafter also referred to as organic EL elements). Inorganic electroluminescent elements have been used as planar light sources, but an alternating high voltage is required to drive the light emitting elements.

一方、有機EL素子は発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・リン光)を利用して発光する素子であり、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。   On the other hand, an organic EL device has a structure in which a light-emitting layer containing a light-emitting compound is sandwiched between a cathode and an anode, and excitons (excitons) are generated by injecting electrons and holes into the light-emitting layer and recombining them. The device emits light by utilizing the emission of light (fluorescence / phosphorescence) when the exciton is deactivated, and can emit light at a voltage of several volts to several tens of volts. Therefore, it has a wide viewing angle, high visibility, and since it is a thin-film type completely solid element, it has attracted attention from the viewpoints of space saving and portability.

今後の実用化に向けた有機EL素子の開発としては、更に低消費電力で、効率よく高輝度に発光する有機EL素子が望まれているわけであり、例えば、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成する技術(例えば、特許文献1参照。)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子(例えば、特許文献2参照。)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子(例えば、特許文献3参照。)等が知られている。   For the development of organic EL elements for practical use in the future, organic EL elements that emit light efficiently and with high luminance with lower power consumption are desired. For example, stilbene derivatives, distyrylarylene derivatives or A technique for doping a trisstyrylarylene derivative with a small amount of a phosphor to improve emission luminance and extend the lifetime of the device (see, for example, Patent Document 1), and using 8-hydroxyquinoline aluminum complex as a host compound. A device having an organic light emitting layer doped with a trace amount of a phosphor (see, for example, Patent Document 2), a device having an organic light emitting layer doped with a quinacridone dye as a host compound using 8-hydroxyquinoline aluminum complex ( For example, see Patent Document 3).

上記特許文献に開示されている技術では、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が1:3であるため発光性励起種の生成確率が25%であることと、光の取り出し効率が約20%であるため、外部取り出し量子効率(ηext)の限界は5%とされている。   In the technique disclosed in the above-mentioned patent document, when the emission from the excited singlet is used, the generation ratio of the singlet exciton and the triplet exciton is 1: 3, so the generation probability of the luminescent excited species is 25%. Since the light extraction efficiency is about 20%, the limit of the external extraction quantum efficiency (ηext) is set to 5%.

ところが、プリンストン大より、励起三重項からのリン光発光を用いる有機EL素子の報告(例えば、非特許文献1参照。)がされて以来、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている(例えば、非特許文献2参照。)。励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が100%となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が4倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られ照明用にも応用可能であり注目されている。例えば、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討がなされている(例えば、非特許文献3参照。)。   However, since Princeton University has reported on organic EL devices that use phosphorescence emission from excited triplets (see, for example, Non-Patent Document 1), research on materials that exhibit phosphorescence at room temperature has become active. (See, for example, Non-Patent Document 2). When excited triplets are used, the upper limit of internal quantum efficiency is 100%, so in principle the luminous efficiency is four times that of excited singlets, and the performance is almost the same as that of cold cathode tubes. It can be applied to and attracts attention. For example, many compounds have been studied for synthesis centering on heavy metal complexes such as iridium complexes (see, for example, Non-Patent Document 3).

また、ドーパントとしてトリス(2−フェニルピリジン)イリジウムを用いた検討がなされている(例えば、非特許文献2参照。)。その他、ドーパントとしてL2Ir(acac)、例えば、(ppy)2Ir(acac)(例えば、非特許文献4参照。)を、またドーパントとして、トリス(2−(p−トリル)ピリジン)イリジウム(Ir(ptpy)3)、トリス(ベンゾ[h]キノリン)イリジウム(Ir(bzq)3)、Ir(bzq)2ClP(Bu)3を用いた検討(例えば、非特許文献5参照。)、また、フェニルピラゾールを配位子に用いたイリジウム錯体等を用いた検討(例えば、特許文献4参照。)が行われている。 Further, studies using tris (2-phenylpyridine) iridium as a dopant have been made (for example, see Non-Patent Document 2). In addition, L 2 Ir (acac), for example, (ppy) 2 Ir (acac) (see, for example, Non-Patent Document 4) as a dopant, and tris (2- (p-tolyl) pyridine) iridium (as a dopant) Examination using Ir (ptpy) 3 ), tris (benzo [h] quinoline) iridium (Ir (bzq) 3 ), Ir (bzq) 2 ClP (Bu) 3 (for example, see Non-Patent Document 5). Studies using iridium complexes using phenylpyrazole as a ligand have been conducted (for example, see Patent Document 4).

ところで、例えば、イミダゾール系リン光発光性ドーパントとホスト1種類の単一発光層構成においては、ドーパントとホストとでキャリアバランスを整え、発光層中心で発光させられることはまれで、正孔輸送側または電子輸送側の界面に再結合領域が偏り、バンドギャップの小さい正孔輸送層や電子輸送層へエネルギー移動が起こり効率の低下につながる。   By the way, for example, in a single light emitting layer configuration of an imidazole-based phosphorescent dopant and a host, the carrier balance is adjusted between the dopant and the host, and it is rare that light is emitted at the center of the light emitting layer. Alternatively, the recombination region is biased to the interface on the electron transport side, energy transfer occurs to the hole transport layer or the electron transport layer having a small band gap, leading to a decrease in efficiency.

発光層からのエネルギー移動を防止するために、たとえば、発光層よりもさらにバンドギャップの広い材料をキャリア阻止層とする等の必要があるが、耐久性も求められ、特に、青色発光の有機EL素子を構成する材料には青色を効率良く光らせることができるほどバンドギャップが大きく、かつ耐久性の良いキャリア阻止層材料がない(バンドギャップの大きな材料はその性質上総じて耐久性が悪い)。   In order to prevent energy transfer from the light emitting layer, for example, a material having a wider band gap than that of the light emitting layer needs to be used as a carrier blocking layer. However, durability is also required. There is no carrier blocking layer material having a large band gap and good durability so that blue can be efficiently emitted in the material constituting the element (a material having a large band gap is generally poor in durability).

それに対し、発光層をホストを2種類として2層構成とすれば、キャリアバランスが良くなり、再結合領域を隣接層との界面から遠ざけることができ、隣接層へのエネルギー移動が抑制でき、キャリア阻止層へ負担も抑制できるため、高効率、長寿命となる。   On the other hand, if the light emitting layer has two types of hosts, the carrier balance is improved, the recombination region can be moved away from the interface with the adjacent layer, energy transfer to the adjacent layer can be suppressed, and the carrier Since the burden on the blocking layer can be suppressed, high efficiency and long life are achieved.

例えば、緑色発光材料においては、正孔輸送性ホスト4−4′,4″−tri(N−carbazolyl)triphenylamine(TCTA)と電子輸送性ホスト4,7−diphenyl−1,10−phenanthroline(BPhen)にIr(ppy)3をドープした2層発光層が知られている(非特許文献6参照)。 For example, in a green light emitting material, a hole transporting host 4-4 ′, 4 ″ -tri (N-carbazolyl) triphenylamine (TCTA) and an electron transporting host 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen) A two-layer light emitting layer doped with Ir (ppy) 3 is known (see Non-Patent Document 6).

しかしながら、バンドギャップの広い青色発光材料においては、上記の、高効率、長寿命の発光材料は知られておらず、青色を効率良く光らせることができ、かつ耐久性の良い発光材料が求められていた。
特許第3093796号明細書 特開昭63−264692号公報 特開平3−255190号公報 国際公開第2004/085450号パンフレット M.A.Baldo et al.,nature、395巻、151−154ページ(1998年) M.A.Baldo et al.,nature、403巻、17号、750−753ページ(2000年) S.Lamansky et al.,J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304ページ(2001年) M.E.Tompson et al.,The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松) Moon−Jae Youn.0g,Tetsuo Tsutsui et al.,The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松) X.Zhou et al.,Appl.Phys.Lett.,Vol.81,4070−4072(2002)
However, in the blue light emitting material having a wide band gap, the above-mentioned light emitting material with high efficiency and long life is not known, and there is a demand for a light emitting material that can emit blue light efficiently and has good durability. It was.
Japanese Patent No. 3093796 Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-264692 JP-A-3-255190 International Publication No. 2004/085450 Pamphlet M.M. A. Baldo et al. , Nature, 395, 151-154 (1998) M.M. A. Baldo et al. , Nature, 403, 17, 750-753 (2000) S. Lamansky et al. , J .; Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001) M.M. E. Thompson et al. , The 10th International Works on Organic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu) Moon-Jae Youn. 0 g, Tsutsuo Tsutsui et al. , The 10th International Works on Organic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu) X. Zhou et al. , Appl. Phys. Lett. , Vol. 81, 4070-4072 (2002)

本発明の目的は、リン光発光性化合物を用いた発光層が2層構成の高効率、長寿命の有機EL素子を得ることにある。   An object of the present invention is to obtain a high-efficiency, long-life organic EL element having a two-layer structure of a light-emitting layer using a phosphorescent compound.

本発明の上記目的は、以下の手段により達成される。   The above object of the present invention is achieved by the following means.

1.下記一般式(1)で表されるリン光発光性化合物を含有する発光層を少なくとも2層有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、第一の発光層である発光層Aを構成するホストと第二の発光層である発光層Bを構成するホストが異なることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。   1. In an organic electroluminescence device having at least two light-emitting layers containing a phosphorescent compound represented by the following general formula (1), the host and the second light emission constituting the light-emitting layer A as the first light-emitting layer An organic electroluminescence device characterized in that a host constituting the light emitting layer B which is a layer is different.

Figure 2008084913
Figure 2008084913

〔式中、R1は置換基を表す。Zは5〜7員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。n1は0〜5の整数を表す。B1〜B5は炭素原子、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を表し、B1〜B5の少なくとも一つは窒素原子を表す。M1は元素周期表における8族〜10族の金属を表す。X1およびX2は炭素原子、窒素原子もしくは酸素原子を表し、L1はX1およびX2とともに2座の配位子を形成する原子群を表す。m1は1、2または3の整数を表し、m2は0、1または2の整数を表すが、m1+m2は2または3である。〕
2.前記一般式(1)において、B1〜B5で形成される含窒素複素環がイミダゾール環であることを特徴とする前記1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
[Wherein, R 1 represents a substituent. Z represents a nonmetallic atom group necessary for forming a 5- to 7-membered ring. n1 represents the integer of 0-5. B 1 to B 5 represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and at least one of B 1 to B 5 represents a nitrogen atom. M 1 represents a group 8 to group 10 metal in the periodic table. X 1 and X 2 represent a carbon atom, a nitrogen atom or an oxygen atom, and L 1 represents an atomic group which forms a bidentate ligand together with X 1 and X 2 . m1 represents an integer of 1, 2 or 3, m2 represents an integer of 0, 1 or 2, and m1 + m2 is 2 or 3. ]
2. 2. The electroluminescent device as described in 1 above, wherein in the general formula (1), the nitrogen-containing heterocycle formed by B 1 to B 5 is an imidazole ring.

3.前記一般式(1)が、下記一般式(2)で表されることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   3. 2. The organic electroluminescence device according to 1 above, wherein the general formula (1) is represented by the following general formula (2).

Figure 2008084913
Figure 2008084913

〔式中、R1、R2、R3は置換基を表す。Zは5〜7員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。n1は0〜5の整数を表す。M1は元素周期表における8族〜10族の金属を表す。X1およびX2は炭素原子、窒素原子もしくは酸素原子を表し、L1はX1およびX2とともに2座の配位子を形成する原子群を表す。m1は1、2または3の整数を表し、m2は0、1または2の整数を表すが、m1+m2は2または3である。〕
4.前記一般式(2)において、R2で表される置換基が下記一般式(3)で表されることを特徴とする前記3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[In formula, R < 1 >, R < 2 >, R < 3 > represents a substituent. Z represents a nonmetallic atom group necessary for forming a 5- to 7-membered ring. n1 represents the integer of 0-5. M 1 represents a group 8 to group 10 metal in the periodic table. X 1 and X 2 represent a carbon atom, a nitrogen atom or an oxygen atom, and L 1 represents an atomic group which forms a bidentate ligand together with X 1 and X 2 . m1 represents an integer of 1, 2 or 3, m2 represents an integer of 0, 1 or 2, and m1 + m2 is 2 or 3. ]
4). 4. The organic electroluminescence device according to 3 above, wherein in the general formula (2), the substituent represented by R 2 is represented by the following general formula (3).

Figure 2008084913
Figure 2008084913

〔式中、R4は立体パラメータ値(Es値)が−0.5以下の置換基を表す。R5は置換基を表し、n5は0〜4の整数を表す。尚、式中*は結合位置を示す。〕
5.前記一般式(1)で表されるリン光発光性化合物のリン光波長が480nm未満であることを特徴とする前記1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[Wherein R 4 represents a substituent having a steric parameter value (Es value) of −0.5 or less. R 5 represents a substituent, and n5 represents an integer of 0 to 4. In the formula, * indicates a bonding position. ]
5. 5. The organic electroluminescent element according to any one of 1 to 4, wherein the phosphorescent compound represented by the general formula (1) has a phosphorescence wavelength of less than 480 nm.

6.前記発光層Aに含まれる一般式(1)で表されるリン光発光性化合物と発光層Bに含まれる一般式(1)で表されるリン光発光性化合物が同じ化合物であることを特徴とする前記1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   6). The phosphorescent compound represented by the general formula (1) contained in the light emitting layer A and the phosphorescent compound represented by the general formula (1) contained in the light emitting layer B are the same compound. The organic electroluminescent element according to any one of 1 to 5 above.

7.前記発光層Aと発光層Bは隣接していることを特徴とする前記1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   7. 7. The organic electroluminescent element according to any one of 1 to 6, wherein the light emitting layer A and the light emitting layer B are adjacent to each other.

8.少なくとも1つの発光層がカルバゾール誘導体を含有することを特徴とする前記1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   8). 8. The organic electroluminescence device according to any one of 1 to 7, wherein at least one light emitting layer contains a carbazole derivative.

9.少なくとも1つの発光層がフラン誘導体を含有することを特徴とする前記1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   9. 8. The organic electroluminescence element according to any one of 1 to 7, wherein at least one light emitting layer contains a furan derivative.

10.少なくとも1つの発光層がアザカルバゾール誘導体を含有することを特徴とする前記1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   10. 8. The organic electroluminescence device according to any one of 1 to 7, wherein at least one light emitting layer contains an azacarbazole derivative.

11.前記1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。   11. 11. An illumination device comprising the organic electroluminescence element according to any one of 1 to 10 above.

12.前記1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。   12 11. A display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of 1 to 10 above.

本発明により、リン光発光性化合物を用いた高効率、長寿命の有機EL素子を得ることができる。   According to the present invention, a highly efficient and long-life organic EL device using a phosphorescent compound can be obtained.

以下本発明を実施するための最良の形態について説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below.

本発明は、前記一般式(1)で表されるリン光発光性化合物を含有する発光層を少なくとも2層有する有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子であって、第一の発光層である発光層Aを構成するホストと第二の発光層である発光層Bを構成するホストが異なることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。   The present invention is an organic electroluminescence (EL) device having at least two light-emitting layers containing the phosphorescent compound represented by the general formula (1), wherein the light-emitting layer A is a first light-emitting layer. The organic electroluminescence element is characterized in that the host constituting the light emitting layer B is different from the host constituting the second light emitting layer.

発光層をホスト2種類の2層構成とすることで、キャリアバランスが良くなり、再結合領域を隣接層との界面から遠ざけることができ、隣接層へのエネルギー移動が抑制できるため、またキャリア阻止層へ負担も抑制できるため、有機エレクトロルミネッセンス素子は、高効率、長寿命となる。   Since the light emitting layer has a two-layer configuration with two types of host, carrier balance is improved, the recombination region can be moved away from the interface with the adjacent layer, and energy transfer to the adjacent layer can be suppressed, and carrier blocking is also possible. Since the burden on the layer can also be suppressed, the organic electroluminescence element has high efficiency and long life.

前記一般式(1)で表されるドーパント材料とホスト1種類を含むの単一発光層においては、発光層から隣接層へのエネルギー移動を防止するためには、発光層よりもさらにバンドギャップの広い材料をキャリア阻止層としてもうけなければならないが、役割上、キャリア阻止層や発光層とキャリア阻止層の界面にはかなりの負担がかかり他の層の材料よりも耐久性が求められる。特に、青色発光の有機EL素子を構成する材料には、緑や赤色発光材料よりも大きなバンドギャップが求められるので、耐久性の良いキャリア阻止層材料を見出すのが困難な(バンドギャップの大きな材料はその性質上総じて耐久性が悪い)ため、発光層をホスト2種類の2層構成とする効果は大きい。   In a single light-emitting layer including the dopant material represented by the general formula (1) and one type of host, in order to prevent energy transfer from the light-emitting layer to the adjacent layer, the band gap is further increased than that of the light-emitting layer. Although a wide material must be provided as the carrier blocking layer, due to its role, a considerable burden is imposed on the carrier blocking layer and the interface between the light emitting layer and the carrier blocking layer, and durability is required more than materials of other layers. In particular, a material constituting a blue light-emitting organic EL element is required to have a larger band gap than that of green or red light-emitting materials, and thus it is difficult to find a durable carrier blocking layer material (a material having a large band gap). Therefore, the light-emitting layer has a two-layer structure of two types of hosts.

本発明に係わる、前記一般式(1)で表されるリン光発光性化合物を含有し、異なるホスト化合物を含有する少なくとも二つの発光層を有する有機EL素子においては、正孔輸送層側の発光層(発光層A)のリン光発光性化合物のドープ濃度を電子輸送層側の発光層(発光層B)のドープ濃度よりも高くするのが好ましい。一般式(1)で表されるドーパントはHOMOが浅く、ホールをトラップしやすい。正孔輸送層から注入されたホールを素早く界面から発光層中に運ぶには、ドープ濃度をあげる必要があるが、発光層B側のドープ濃度もあげてしまうとホールが電子輸送側まで運ばれてしまい発光領域が電子輸送側界面に偏る。また、T−T消滅により効率が下がる可能性がある。発光層Aのドープ濃度を発光層Bのドープ濃度よりも高くすれば、キャリアバランスがより改善され、高効率、長寿命となる。   In the organic EL device according to the present invention, which contains the phosphorescent compound represented by the general formula (1) and has at least two light emitting layers containing different host compounds, light emission on the hole transport layer side The doping concentration of the phosphorescent compound in the layer (light emitting layer A) is preferably higher than the doping concentration of the light emitting layer (light emitting layer B) on the electron transport layer side. The dopant represented by the general formula (1) has a shallow HOMO and easily traps holes. In order to quickly transport holes injected from the hole transport layer from the interface into the light emitting layer, it is necessary to increase the doping concentration. However, if the doping concentration on the light emitting layer B side is also increased, the holes are transported to the electron transport side. As a result, the emission region is biased toward the electron transport side interface. In addition, the efficiency may decrease due to TT disappearance. If the doping concentration of the light emitting layer A is higher than the doping concentration of the light emitting layer B, the carrier balance is further improved, resulting in high efficiency and long life.

また、発光層Aと発光層Bは隣接しているのが好ましい。その場合、異なるホスト化合物を含有する発光層Aと発光層Bの界面でそれぞれのホスト化合物が混合されていても良い。その場合には、混合率に勾配があると良い。   Moreover, it is preferable that the light emitting layer A and the light emitting layer B are adjacent. In that case, each host compound may be mixed in the interface of the light emitting layer A and the light emitting layer B containing a different host compound. In that case, it is preferable that the mixing ratio has a gradient.

本発明においては、少なくとも1つの発光層がホスト化合物としてカルバゾール誘導体、フラン誘導体、またはアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。   In the present invention, it is preferable that at least one light emitting layer contains a carbazole derivative, a furan derivative, or an azacarbazole derivative as a host compound.

それぞれのホスト化合物は、正孔輸送層側の発光層(発光層A)、電子輸送層側の発光層(発光層B)として、発光層A、Bのどちらに含まれていても良く、それぞれを組み合わせても良い。その際の順番はどれでも良いが、発光層A/発光層B=カルバゾール誘導体/フラン系誘導体、カルバゾール誘導体/アザカルバゾール誘導体、フラン系誘導体/アザカルバゾール誘導体が好ましい。特に好ましくは、カルバゾール誘導体/フラン系誘導体である。   Each host compound may be contained in either of the light emitting layers A and B as the light emitting layer on the hole transport layer side (light emitting layer A) and the light emitting layer on the electron transport layer side (light emitting layer B). May be combined. In that case, any order may be used, but light emitting layer A / light emitting layer B = carbazole derivative / furan derivative, carbazole derivative / azacarbazole derivative, furan derivative / azacarbazole derivative is preferable. Particularly preferred are carbazole derivatives / furan derivatives.

また、前記発光層A及び発光層Bにそれぞれ含まれる一般式(1)で表されるリン光発光性化合物は同じ化合物を用いることが好ましい。   Moreover, it is preferable to use the same compound as the phosphorescent compound represented by the general formula (1) contained in each of the light emitting layer A and the light emitting layer B.

以下、一般式(1)で表されるリン光発光性化合物について詳述する。   Hereinafter, the phosphorescent compound represented by the general formula (1) will be described in detail.

《一般式(1)で表されるリン光発光性化合物》
本発明に係わる前記一般式(1)で表される燐光性化合物において、R1で表される置換基としては、例えばアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素環基(芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)等が挙げられる。
<< Phosphorescent Compound Represented by General Formula (1) >>
In the phosphorescent compound represented by the general formula (1) according to the present invention, examples of the substituent represented by R 1 include an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert- Butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group) Etc.), alkynyl group (for example, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon ring group (aromatic carbocyclic group, aryl group, etc.), for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group Xylyl, naphthyl, anthryl, azulenyl, acenaphthenyl, fluorenyl, phenane Aryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group, etc.), aromatic heterocyclic group (for example, pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, , 1,2,4-triazol-1-yl group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, Thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group, benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group) One is replaced by a nitrogen atom), mushroom Salinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinazolinyl group, phthalazinyl group, etc.), heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, propyloxy) Group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.) , Alkylthio groups (for example, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio groups (for example, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), Ruthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (Eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (eg, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octyl) Aminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group For example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy Groups (for example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide groups (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, Dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, Octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group) Cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, Ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group naphthylureido 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2- Pyridylsulfinyl group etc.), alkylsulfonyl group (eg methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (eg , Phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino) Butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, Trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.).

これらの置換基のうち、好ましいものはアルキル基もしくはアリール基である。   Of these substituents, preferred are an alkyl group and an aryl group.

Zは5〜7員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。Zにより形成される5〜7員環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環及びチアゾール環等が挙げられる。これらのうちで好ましいものは、ベンゼン環である。   Z represents a nonmetallic atom group necessary for forming a 5- to 7-membered ring. Examples of the 5- to 7-membered ring formed by Z include a benzene ring, naphthalene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyrrole ring, thiophene ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxazole ring, and thiazole ring. Of these, a benzene ring is preferred.

1〜B5は炭素原子、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。これら5つの原子により形成される芳香族含窒素複素環としては単環が好ましい。例えば、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、オキサジアゾール環及びチアジアゾー環ル等が挙げられる。これらのうちで好ましいものは、ピラゾール環、イミダゾール環であり、さらに好ましくはイミダゾール環である。これらの環は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。置換基として好ましいものはアルキル基およびアリール基であり、さらに好ましくは、アリール基である。 B 1 .about.B 5 represents a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, at least one nitrogen atom. The aromatic nitrogen-containing heterocycle formed by these five atoms is preferably a monocycle. Examples include pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, triazole ring, tetrazole ring, oxazole ring, isoxazole ring, thiazole ring, isothiazole ring, oxadiazole ring, and thiadiazole ring. Among these, a pyrazole ring and an imidazole ring are preferable, and an imidazole ring is more preferable. These rings may be further substituted with the above substituents. Preferable substituents are an alkyl group and an aryl group, and more preferably an aryl group.

1はX1、X2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。X1−L1−X2で表される2座の配位子の具体例としては、例えば、置換または無置換のフェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、ピコリン酸及びアセチルアセトン等が挙げられる。 L 1 represents an atomic group that forms a bidentate ligand together with X 1 and X 2 . Specific examples of the bidentate ligand represented by X 1 -L 1 -X 2 include, for example, substituted or unsubstituted phenylpyridine, phenylpyrazole, phenylimidazole, phenyltriazole, phenyltetrazole, pyrazabol, picolinic acid And acetylacetone.

これらの基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。   These groups may be further substituted with the above substituents.

m1は1、2または3の整数を表し、m2は0、1または2の整数を表すが、m1+m2は2または3である。中でも、m2は0である場合が好ましい。   m1 represents an integer of 1, 2 or 3, m2 represents an integer of 0, 1 or 2, and m1 + m2 is 2 or 3. Especially, the case where m2 is 0 is preferable.

M1で表される金属としては、元素周期表の8族〜10族の遷移金属元素(単に遷移金属ともいう)が用いられるが、中でも、イリジウム、白金が好ましく、さらに好ましくはイリジウムである。   As the metal represented by M1, a transition metal element of Group 8 to Group 10 (also referred to simply as a transition metal) of the periodic table of elements is used. Among them, iridium and platinum are preferable, and iridium is more preferable.

なお本発明の一般式(1)で表されるリン光発光性化合物は、重合性基または反応性基を有していてもいなくてもよい。   The phosphorescent compound represented by the general formula (1) of the present invention may or may not have a polymerizable group or a reactive group.

また、前記一般式(1)において、B1〜B5で形成される含窒素複素環はイミダゾール環であることが好ましい。 In the general formula (1), the nitrogen-containing heterocycle formed by B 1 to B 5 is preferably an imidazole ring.

また、B1〜B5で形成される含窒素複素環がイミダゾール環の場合、前記一般式(1)は前記一般式(2)で表されることがより好ましい。 When the nitrogen-containing heterocycle formed by B 1 to B 5 is an imidazole ring, the general formula (1) is more preferably represented by the general formula (2).

一般式(2)において、R1、R2、R3は置換基を表す。Zは5〜7員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。n1は0〜5の整数を表す。M1は元素周期表における8族〜10族の金属を表す。X1およびX2は炭素原子、窒素原子もしくは酸素原子を表し、L1はX1およびX2とともに2座の配位子を形成する原子群を表す。m1は1、2または3の整数を表し、m2は0、1または2の整数を表すが、m1+m2は2または3である。 In the general formula (2), R 1, R 2, R 3 represents a substituent. Z represents a nonmetallic atom group necessary for forming a 5- to 7-membered ring. n1 represents the integer of 0-5. M 1 represents a group 8 to group 10 metal in the periodic table. X 1 and X 2 represent a carbon atom, a nitrogen atom or an oxygen atom, and L 1 represents an atomic group which forms a bidentate ligand together with X 1 and X 2 . m1 represents an integer of 1, 2 or 3, m2 represents an integer of 0, 1 or 2, and m1 + m2 is 2 or 3.

一般式(2)において、R1、R2、R3で表される置換基は前記一般式(1)におけるR1で表される置換基と同義である。また、Z、M1、X1およびX2、L1等についても前記一般式(1)におけるものと同義である。また、m1、m2も同義である。 In the general formula (2), the substituents represented by R 1 , R 2 and R 3 have the same meaning as the substituents represented by R 1 in the general formula (1). Z, M 1 , X 1 and X 2 , L 1 and the like are also synonymous with those in the general formula (1). Moreover, m1 and m2 are also synonymous.

また、一般式(2)のR2で表される基として、芳香族炭化水素環基(芳香族炭素環基)が好ましく、なかでも置換アリール基が好ましく、置換アリールとして下記一般式(3)で表される基が好ましい。 Further, the group represented by R 2 in the general formula (2) is preferably an aromatic hydrocarbon ring group (aromatic carbocyclic group), more preferably a substituted aryl group, and the substituted aryl is represented by the following general formula (3). The group represented by these is preferable.

Figure 2008084913
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一般式(3)において、R4は、立体パラメータ値(Es値)が−0.5以下の置換基を表す。R5はR1と同じで、n5は0〜4の整数を表す。尚、*は結合位置を表す。 In the general formula (3), R 4 represents a substituent having a steric parameter value (Es value) of −0.5 or less. R 5 is the same as R 1, n5 represents an integer of 0-4. Note that * represents a bonding position.

ここで、Es値とは化学反応性より誘導された立体パラメータであり、この値が小さければ小さいほど立体的に嵩高い置換基ということができる。   Here, the Es value is a steric parameter derived from chemical reactivity. The smaller this value, the more sterically bulky substituent can be said.

以下、Es値について説明する。一般に、酸性条件下でのエステルの加水分解反応においては、置換基が反応の進行に対して及ぼす影響は立体障害だけと考えてよいことが知られており、この事を利用して置換基の立体障害を数値化したものがEs値である。   Hereinafter, the Es value will be described. In general, in ester hydrolysis under acidic conditions, it is known that the influence of substituents on the progress of the reaction may only be considered as steric hindrance. The Es value is obtained by quantifying the steric hindrance.

例えば置換基XのEs値は、次の化学反応式
X−CH2COORX+H2O→X−CH2COOH+RXOH
で表される、酢酸のメチル基の水素原子1つを置換基Xで置換したα位モノ置換酢酸から誘導されるα位モノ置換酢酸エステルを酸性条件下で加水分解する際の反応速度定数kXと、次の化学反応式
CH3COORY+H2O→CH3COOH+RYOH
(RXはRYと同じである)で表される、上記のα位モノ置換酢酸エステルに対応する酢酸エステルを酸性条件下で加水分解する際の反応速度定数kHから次の式で求められる。
For example, the Es value of the substituent X is expressed by the following chemical reaction formula: X—CH 2 COOR X + H 2 O → X—CH 2 COOH + R X OH
The reaction rate constant kX for hydrolyzing an α-monosubstituted acetic acid ester derived from α-monosubstituted acetic acid in which one hydrogen atom of the methyl group of acetic acid is substituted with the substituent X represented by the formula And the following chemical reaction formula: CH 3 COOR Y + H 2 O → CH 3 COOH + R Y OH
(R X is the same as R Y ), which is obtained from the reaction rate constant kH when the acetate corresponding to the α-monosubstituted acetate described above is hydrolyzed under acidic conditions by the following formula: .

Es=log(kX/kH)
置換基Xの立体障害により反応速度は低下し、その結果kX<kHとなるのでEs値は通常負となる。実際にEs値を求める場合には、上記の二つの反応速度定数kXとkHを求め、上記の式により算出する。
Es = log (kX / kH)
The reaction rate decreases due to the steric hindrance of the substituent X, and as a result, kX <kH, so the Es value is usually negative. When the Es value is actually obtained, the above two reaction rate constants kX and kH are obtained and calculated by the above formula.

Es値の具体的な例は、Unger,S.H.,Hansch,C.,Prog.Phys.Org.Chem.,12,91(1976)に詳しく記載されている。また、『薬物の構造活性相関』(化学の領域増刊122号、南江堂)、「American Chemical Society Professional Reference Book,’Exploring QSAR’p.81 Table 3−3」にも、その具体的な数値の記載がある。次にその一部を表1に示す。   Specific examples of Es values are given by Unger, S. et al. H. Hansch, C .; , Prog. Phys. Org. Chem. 12, 91 (1976). The specific numerical values are also described in “Structure-activity relationship of drugs” (Regional Chemistry Special Issue 122, Nankodo) and “American Chemical Society Reference Book, 'Exploring QSAR' p.81 Table 3-3”. There is. Next, a part is shown in Table 1.

Figure 2008084913
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ここで、注意するのは本明細書で定義するところのEs値は、メチル基のそれを0として定義したのではなく、水素原子を0としたものであり、メチル基を0としたEs値から1.24を差し引いたものである。   Here, it should be noted that the Es value as defined in this specification is not defined by defining that of a methyl group as 0, but by assuming that a hydrogen atom is 0, and an Es value where a methyl group is 0. Minus 1.24.

本発明においてR4は、立体パラメータ値(Es値)が−0.5以下の置換基を表す。好ましくは−7.0以上−0.6以下であり、最も好ましくは−7.0以上−1.0以下である。 In the present invention, R 4 represents a substituent having a steric parameter value (Es value) of −0.5 or less. Preferably it is -7.0 or more and -0.6 or less, Most preferably, it is -7.0 or more and -1.0 or less.

また、本発明においては、R4に、例えば、ケト−エノール互変異性体が存在し得る場合、ケト部分はエノールの異性体としてEs値を換算している。他の互変異性が存在する場合も同様の換算方法においてEs値を換算する。 In the present invention, for example, when a keto-enol tautomer may exist in R 4 , the keto moiety converts the Es value as an enol isomer. Even when other tautomerism exists, the Es value is converted by the same conversion method.

以下に本発明の一般式(1)、また一般式(2)で表されるリン光発光性化合物の具体的な例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Specific examples of the phosphorescent compound represented by the general formula (1) and the general formula (2) of the present invention are shown below, but the present invention is not limited to these.

Figure 2008084913
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これらの金属錯体は、例えば、Organic Letter誌、vol3、No.16、2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻、第8号、1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704〜1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻、第12号、3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻、1171頁(2002年)、European Journal of Organic Chemistry,第4巻、695〜709頁(2004年)、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。   These metal complexes are described in, for example, Organic Letter, vol. 16, 2579-2581 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 30, No. 8, 1685-1687 (1991), J. Am. Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 40, No. 7, 1704-1711 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 41, No. 12, 3055-3066 (2002) , New Journal of Chemistry. 26, 1171 (2002), European Journal of Organic Chemistry, Vol. 4, pages 695-709 (2004), and synthesis by applying methods such as references described in these documents. it can.

本発明に係わる前記一般式(1)で表されるリン光発光性化合物については、リン光波長が480nm未満であることが好ましい。   The phosphorescent compound represented by the general formula (1) according to the present invention preferably has a phosphorescence wavelength of less than 480 nm.

《リン光波長》
本発明において化合物のリン光波長とはリン光スペクトルの0−0バンドのことである。リン光スペクトルの0−0バンドは以下の測定方法により求めることができる。
<Phosphorescence wavelength>
In the present invention, the phosphorescence wavelength of the compound is the 0-0 band of the phosphorescence spectrum. The 0-0 band of the phosphorescence spectrum can be obtained by the following measurement method.

即ち、測定する化合物を、よく脱酸素された塩化メチレン中に溶かし、リン光測定用セルに入れた後常温(25℃)で励起光を照射し、発光スペクトルを測定する。   That is, the compound to be measured is dissolved in methylene chloride that has been well deoxygenated, placed in a phosphorescence measurement cell, irradiated with excitation light at room temperature (25 ° C.), and the emission spectrum is measured.

また、上記溶剤系で溶解できない化合物については、その化合物を溶解しうる任意の溶剤を使用してもよい。   Moreover, about the compound which cannot be melt | dissolved in the said solvent type | system | group, you may use the arbitrary solvent which can melt | dissolve the compound.

次に0−0バンドの求め方であるが、本発明においては、上記測定法で得られたリン光スペクトルチャートのなかで最も短波長側に現れる発光極大波長をもって0−0バンドと定義する。   Next, the 0-0 band is determined. In the present invention, the emission maximum wavelength that appears on the shortest wavelength side in the phosphorescence spectrum chart obtained by the above-described measurement method is defined as the 0-0 band.

また、リン光スペクトルが弱い場合には、スムージング処理することでノイズとピークを分離しピーク波長を読み取ることもできる。なお、スムージング処理としては、Savitzky & Golayの平滑化法等を適用することができる。   If the phosphorescence spectrum is weak, noise and peaks can be separated and peak wavelengths can be read by performing a smoothing process. Note that a smoothing method such as Savitzky & Golay can be applied as the smoothing process.

(ホスト化合物)
次に本発明において用いられるホスト化合物について説明する。
(Host compound)
Next, the host compound used in the present invention will be described.

本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物のうちで室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.01未満の化合物と定義される。   In the present invention, the host compound is defined as a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission of less than 0.01 at room temperature (25 ° C.) among compounds contained in the light emitting layer.

発光ホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている。例えば、特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報、同2000−21572号公報、同2005−340123号公報、同2004−234952公報、同2004−288381号公報等。   Specific examples of the luminescent host compound are described in the following documents. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860 Gazette, 2002-334787 gazette, 2002-15871 gazette, 2002-334788 gazette, 2002-43056 gazette, 2002-334789 gazette, 2002-75645 gazette, 2002-338579 gazette. No. 2002-105445, No. 2002-343568, No. 2002-141173, No. 2002-352957, No. 2002-203683, No. 2002-363227, No. 2002-231453. No. 2003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060. 2002-302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, 2000-21572, 2005-340123, 2004-234952, 2004-28881 gazette etc.

また、本発明に係るホスト化合物は、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもよい。   Further, the host compound according to the present invention may be a low molecular compound, a high molecular compound having a repeating unit, or a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). .

本発明において、少なくとも1つの発光層がホスト化合物としてカルバゾール誘導体、フラン誘導体、またはアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。従って、発光層Aと発光層B中には、ホスト化合物として、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、またはアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。   In the present invention, it is preferable that at least one light emitting layer contains a carbazole derivative, a furan derivative, or an azacarbazole derivative as a host compound. Therefore, the light-emitting layer A and the light-emitting layer B preferably contain a carbazole derivative, a furan derivative, or an azacarbazole derivative as a host compound.

以下に本発明において用いられるカルバゾール誘導体について代表例をあげる。   The typical examples of the carbazole derivative used in the present invention are given below.

Figure 2008084913
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以下にフラン誘導体について代表例を挙げる。   Typical examples of furan derivatives are given below.

Figure 2008084913
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以下にアザカルバゾール誘導体について代表例を挙げる。   Typical examples of azacarbazole derivatives are given below.

Figure 2008084913
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次に、本発明の有機EL素子の構成層について詳細に説明する。   Next, the constituent layers of the organic EL device of the present invention will be described in detail.

本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(i)陽極/発光層A/発光層B/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層A/発光層B/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層A/発光層B/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層A/発光層B/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(v)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層A/発光層B/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(vi)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層A/混合層/発光層B/電子輸送層/電子注入層/陰極
《発光層》
本発明において発光層は、前記のように、前記一般式(1)で表されるリン光発光性化合物を含有する少なくとも2層からなる発光層であり、かつ、第一の発光層である発光層Aを構成するホストと第二の発光層である発光層Bを構成するホストが異なることを特徴とするが、前記発光層Aと発光層Bは、好ましくは隣接しており、それぞれ好ましくは同じ記リン光性化合物を含有する層からなり、前記一般式(1)で表されるリン光発光性化合物のリン光発光波長が480nm以下であることが好ましい。
In this invention, although the preferable specific example of the layer structure of an organic EL element is shown below, this invention is not limited to these.
(I) Anode / light emitting layer A / light emitting layer B / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer A / light emitting layer B / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer A / light emitting layer B / Electron transport layer / cathode (iv) anode / hole transport layer / light emitting layer A / light emitting layer B / hole blocking layer / electron transport layer / cathode (v) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emission Layer A / light emitting layer B / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (vi) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer A / mixing layer / light emitting layer B / electron transport layer / Electron injection layer / cathode << light emitting layer >>
In the present invention, the light emitting layer is a light emitting layer composed of at least two layers containing the phosphorescent compound represented by the general formula (1) as described above, and is a light emitting layer that is the first light emitting layer. The host constituting the layer A and the host constituting the light emitting layer B which is the second light emitting layer are different, but the light emitting layer A and the light emitting layer B are preferably adjacent to each other, preferably each It is preferable that the phosphorescence emission wavelength of the phosphorescence emission compound represented by the general formula (1) is 480 nm or less.

発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層等から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、本発明においては、前記の如き少なくとも2層の構成としている。   The light emitting layer is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from an electrode, an electron transport layer, a hole transport layer, or the like. In the present invention, the light emitting layer has at least two layers as described above. .

(リン光性化合物(リン光性ドーパント、リン光発光性化合物ともいう))
本発明の有機EL素子の発光層には、リン光発光性化合物(リン光性ドーパント、リン光性化合物ともいう)とホスト化合物が含有される。本発明においては、性化合物として前述した一般式(1)、または(2)で表される化合物を用いる。
(Phosphorescent compound (also called phosphorescent dopant or phosphorescent compound))
The light emitting layer of the organic EL device of the present invention contains a phosphorescent compound (also referred to as a phosphorescent dopant or a phosphorescent compound) and a host compound. In the present invention, the compound represented by the general formula (1) or (2) described above is used as the sex compound.

本発明の有機EL素子では、一般式(1)、または(2)で表されるリン光発光性化合物を複数種用いることもできる。複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。リン光性ドーパントの種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用もできる。本発明の一般式(1)または(2)で表されるドーパントの中でも、リン光発光波長480nm以下のものと組み合わせて白色発光可能な化合物の代表例を以下に挙げる。   In the organic EL device of the present invention, a plurality of phosphorescent compounds represented by the general formula (1) or (2) can be used. By using a plurality of kinds, it becomes possible to mix different light emission, and thereby any light emission color can be obtained. White light emission is possible by adjusting the kind of phosphorescent dopant and the amount of doping, and can also be applied to illumination and backlight. Among the dopants represented by the general formula (1) or (2) of the present invention, typical examples of compounds capable of emitting white light in combination with those having a phosphorescence emission wavelength of 480 nm or less are given below.

Figure 2008084913
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公知のリン光発光性化合物を、本発明の化合物に加え複数併用してもよい。リン光性ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。リン光性ドーパントの種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用もできる。   A plurality of known phosphorescent compounds may be used in combination with the compound of the present invention. By using a plurality of phosphorescent dopants, it is possible to mix different light emission, thereby obtaining an arbitrary emission color. White light emission is possible by adjusting the kind of phosphorescent dopant and the amount of doping, and can also be applied to illumination and backlight.

公知のリン光発光性化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。   Specific examples of known phosphorescent compounds include compounds described in the following documents.

国際公開第00/70655号パンフレット、特開2002−280178号公報、特開2001−181616号公報、特開2002−280179号公報、特開2001−181617号公報、特開2002−280180号公報、特開2001−247859号公報、特開2002−299060号公報、特開2001−313178号公報、特開2002−302671号公報、特開2001−345183号公報、特開2002−324679号公報、国際公開第02/15645号パンフレット、特開2002−332291号公報、特開2002−50484号公報、特開2002−332292号公報、特開2002−83684号公報、特表2002−540572号公報、特開2002−117978号公報、特開2002−338588号公報、特開2002−170684号公報、特開2002−352960号公報、国際公開第01/93642号パンフレット、特開2002−50483号公報、特開2002−100476号公報、特開2002−173674号公報、特開2002−359082号公報、特開2002−175884号公報、特開2002−363552号公報、特開2002−184582号公報、特開2003−7469号公報、特表2002−525808号公報、特開2003−7471号公報、特表2002−525833号公報、特開2003−31366号公報、特開2002−226495号公報、特開2002−234894号公報、特開2002−235076号公報、特開2002−241751号公報、特開2001−319779号公報、特開2001−319780号公報、特開2002−62824号公報、特開2002−100474号公報、特開2002−203679号公報、特開2002−343572号公報、特開2002−203678号公報等。   WO 00/70655 pamphlet, JP 2002-280178, JP 2001-181616, JP 2002-280179, JP 2001-181617, JP 2002-280180, JP 2001-247859, JP 2002-299060, JP 2001-313178, JP 2002-302671, JP 2001-345183, JP 2002-324679, International Publication No. 02/15645 pamphlet, JP 2002-332291 A, JP 2002-50484 A, JP 2002-332292 A, JP 2002-83684 A, JP 2002-540572 A, JP 2002-2002 A. No. 117978, JP 20 JP-A-2-338588, JP-A-2002-170684, JP-A-2002-352960, WO01 / 93642, JP-A-2002-50483, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002. No. -173744, JP-A No. 2002-359082, JP-A No. 2002-17584, JP-A No. 2002-363552, JP-A No. 2002-184582, JP-A No. 2003-7469, JP-T-2002-525808. Gazette, JP2003-7471, JP2002-525833, JP2003-31366, JP2002-226495, JP2002-234894, JP2002-2335076 JP 2002-241751 A JP 2001-319779, JP 2001-319780, JP 2002-62824, JP 2002-1000047, JP 2002-203679, JP 2002-343572, JP 2002-203678 gazette etc.

ホスト化合物については前述した。以下、本発明の有機EL素子に用いることができる発光層以外の構成層について述べる。   The host compound has been described above. Hereinafter, constituent layers other than the light emitting layer that can be used in the organic EL device of the present invention will be described.

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料を含み、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
《Hole transport layer》
The hole transport layer includes a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやEL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。   The hole transport material is not particularly limited, and is conventionally used as a hole charge injection / transport material in an optical transmission material or a well-known material used for a hole injection layer or a hole transport layer of an EL element. Any one can be selected and used.

正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport material has one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbenes Derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers, and the like can be given.

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。   As the hole transport material, those described above can be used, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and two more described in US Pat. No. 5,061,569 Having a condensed aromatic ring of, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-308 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 88 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような所謂、p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明ではより高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましく、正孔輸送材料は、高Tgであることが好ましい。   In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material. JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, these materials are preferably used because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained, and the hole transport material preferably has a high Tg.

この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。   The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm.

この正孔輸送層は、上記材料の1種または2種以上からなる1層構造であってもよい。   This hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

又、不純物ドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、特開2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)などに記載されたものが挙げられる。   Further, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層もしくは複数層を設けることができる。
《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided with a single layer or multiple layers.

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、下記の材料が知られている。さらに、電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。   Conventionally, in the case of a single-layer electron transport layer and a plurality of layers, the following materials are used as the electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for the electron transport layer adjacent to the cathode side with respect to the light emitting layer. Are known. Further, the electron transport layer only needs to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and any material can be selected from conventionally known compounds. .

この電子輸送層に用いられる材料(以下、電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。   Examples of materials used for this electron transport layer (hereinafter referred to as electron transport materials) include heterocyclic tetracarboxylic acid anhydrides such as nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, naphthalene perylene, carbodiimides, Examples include fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives. Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material.

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)など、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型−Si、n型−SiCなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。 Further, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum. , Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metal of these metal complexes is In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as the electron transport material. In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transport material. In addition, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and similarly to the hole injection layer and the hole transport layer, inorganic such as n-type-Si and n-type-SiC. A semiconductor can also be used as an electron transport material.

この電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。   The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, about 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm.

この電子輸送層は、上記材料の1種または2種以上からなる1層構造であってもよい。   The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

又、不純物ドープしたn性の高い電子輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、特開2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)などに記載されたものが挙げられる。   An impurity-doped electron transport layer having a high n property can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use an electron transport layer having such a high n property because an element with lower power consumption can be manufactured.

《注入層:電子注入層、正孔注入層》
注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。
<< Injection layer: electron injection layer, hole injection layer >>
The injection layer is a layer that is provided between the electrode and the organic layer in order to lower the driving voltage and improve the light emission luminance. “The organic EL element and its forefront of industrialization (issued on November 30, 1998 by NTS Corporation) 2 of Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

注入層は必要に応じて設け、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。   The injection layer may be provided as necessary, and may be present between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer as described above.

陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1〜5μmの範囲が好ましい。   The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene. The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 to 5 μm, although it depends on the material.

《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
正孔阻止層は、広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、前述した電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
<Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer>
The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material having a function of transporting electrons but having a remarkably small ability to transport holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking. Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned above can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed. The hole blocking layer of the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the light emitting layer.

阻止層は、上記の如く、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。   As described above, the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.

《陽極》
本発明の有機EL素子に係る陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In23−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
"anode"
As the anode according to the organic EL device of the present invention, an electrode having a work function (4 eV or more) metal, alloy, electrically conductive compound and a mixture thereof as an electrode material is preferably used. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 and ZnO. Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used. For the anode, a thin film may be formed by depositing these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when the pattern accuracy is not required (100 μm or more) Degree), a pattern may be formed through a mask having a desired shape when the electrode material is deposited or sputtered. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance is greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 10 nm to 200 nm.

《陰極》
一方、本発明に係る陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1000nm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
"cathode"
On the other hand, as the cathode according to the present invention, a cathode having a work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this, such as a magnesium / silver mixture, magnesium, from the viewpoint of electron injectability and durability against oxidation, etc. / Aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission luminance is improved, which is convenient.

《支持基盤》
本発明の有機EL素子に係る支持基盤(以下、基体、基板、基材、支持体等ともいう)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明であっても不透明であってもよい。支持基盤側から光を取り出す場合には、支持基盤は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基盤としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基盤は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)或いはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10-3g/(m2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10-3ml/m2・24h・atm以下、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10-3g/(m2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
《Support base》
The support substrate (hereinafter also referred to as a substrate, a substrate, a substrate, a support, etc.) according to the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the type of glass, plastic, etc., and is transparent or opaque. It may be. In the case where light is extracted from the support base side, the support base is preferably transparent. Examples of the transparent support substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. A particularly preferable support base is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element. Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, Cycloolefin resins such as polyether imide, polyether ketone imide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethyl methacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Can be mentioned. On the surface of the resin film, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both may be formed. Water vapor permeability measured by a method in accordance with JIS K 7129-1992 (25 ± 0.5 ° C., It is preferable that the relative humidity (90 ± 2)% RH) is a barrier film of 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less, and further measured by a method based on JIS K 7126-1987. The oxygen permeability is 1 × 10 −3 ml / m 2 · 24 h · atm or less, and the water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) is 1 × 10 −3. It is preferable that it is a high barrier film of g / (m 2 · 24h) or less.

高バリア性フィルムとするために樹脂フィルム表面に形成されるバリア膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   As a material for forming a barrier film formed on the surface of the resin film in order to obtain a high barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing intrusion of an element such as moisture or oxygen that causes deterioration of the element. Silicon, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.

《バリア膜の形成方法》
バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法などを用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。不透明な支持基盤としては、例えばアルミ、ステンレス等の金属板・フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
<Method for forming barrier film>
The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the molecular beam epitaxy method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method, the atmospheric pressure plasma weighting. A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable. Examples of the opaque support base include metal plates / films such as aluminum and stainless steel, opaque resin substrates, ceramic substrates, and the like.

本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。   The external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic EL device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more. Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element × 100. In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor.

《封止》
本発明の有機EL素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば封止部材と、電極、支持基盤とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。
<Sealing>
Examples of the sealing means used for sealing the organic EL element of the present invention include a method of bonding a sealing member, an electrode, and a support base with an adhesive. The sealing member may be disposed so as to cover the display area of the organic EL element, and may be concave or flat. Moreover, transparency and electrical insulation are not particularly limited. Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.

また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウムおよびタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。   Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.

本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10-3g/(m2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10-3ml/m2・24h・atm以下、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10-3g/(m2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 In the present invention, a polymer film and a metal film can be preferably used because the element can be thinned. Furthermore, the polymer film has a water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured by a method in accordance with JIS K 7129-1992, 1 × 10 −3 g / (M 2 · 24h) It is preferable that the film has a barrier property of not more than 1, and furthermore, the oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 is 1 × 10 −3 ml / m 2 · 24h ·. It is preferable that the film has a high barrier property with a water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) of 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less. .

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。   For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used.

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化および熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系などの熱および化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。   Specific examples of the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having a reactive vinyl group of acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylate. be able to. Moreover, the heat | fever and chemical curing types (two-component mixing), such as an epoxy type, can be mentioned. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned. In addition, since an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesive-hardened from room temperature to 80 degreeC is preferable. A desiccant may be dispersed in the adhesive. Application | coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print it like screen printing.

また、有機層を挟み支持基盤と対向する側の電極の外側に、該電極と有機層を被覆し、支持基盤と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。   In addition, it is also preferable to coat the electrode and the organic layer on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and form an inorganic or organic layer in contact with the support substrate to form a sealing film. it can. In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of the element such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like is used. it can. Furthermore, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials.

これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法などを用いることができる。封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相および液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体や、フッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。吸湿性化合物としては例えば金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等があげられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物および過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。   The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster-ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma A polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used. In the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element, an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil is injected in the gas phase and the liquid phase. Is preferred. A vacuum can also be used. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside. Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (eg, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide), sulfates (eg, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate, etc.). Metal halides (eg, calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide, etc.), perchloric acids (eg, barium perchlorate, In particular, anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides and perchloric acids.

《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基盤と対向する側の前記封止膜あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
《Protective film, protective plate》
In order to increase the mechanical strength of the element, a protective film or a protective plate may be provided outside the sealing film or the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween. In particular, when sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate. As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, etc. used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.

《有機EL素子の作製方法》
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。
<< Method for producing organic EL element >>
As an example of the method for producing the organic EL device of the present invention, a method for producing an organic EL device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode will be described.

まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。   First, a thin film made of a desired electrode material, for example, an anode material is formed on a suitable substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 nm to 200 nm, thereby producing an anode. To do. Next, a thin film containing an organic compound such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, which is a device material, is formed thereon.

この有機化合物を含有する薄膜の形成方法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。   As a method for forming a thin film containing this organic compound, there are a spin coat method, a cast method, an ink jet method, a vapor deposition method, a printing method, etc., but a uniform film is easily obtained and pinholes are not easily generated. From the point of view, a vacuum deposition method, a spin coating method, an ink jet method, or a printing method is particularly preferable. Further, different film forming methods may be applied for each layer.

製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50℃〜450℃、真空度10-6Pa〜10-2Pa、蒸着速度0.01nm〜50nm/秒、基板温度−50℃〜300℃、膜厚0.1nm〜5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。 When a vapor deposition method is employed for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally a boat heating temperature of 50 ° C. to 450 ° C., a vacuum degree of 10 −6 Pa to 10 −2 Pa, and a vapor deposition rate of 0 It is desirable to select appropriately within a range of 0.01 nm to 50 nm / second, a substrate temperature of −50 ° C. to 300 ° C., and a film thickness of 0.1 nm to 5 μm.

これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。   After forming these layers, a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 nm to 200 nm, and a cathode is provided. Thus, a desired organic EL element can be obtained. The organic EL element is preferably produced from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.

また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。   In addition, it is also possible to reverse the production order and produce the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order.

《用途》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に、カラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもいいし、電極と発光層をパターニングしてもいいし、素子全層をパターニングしてもいい。
<Application>
The organic electroluminescence element of the present invention can be used as a display device, a display, or various light sources. Examples of light sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, and light sources for optical sensors. Although it is not limited to this, it can be effectively used especially as a backlight of a liquid crystal display device combined with a color filter and a light source for illumination. In the organic electroluminescence element of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like at the time of film formation, if necessary. When patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire element layer may be patterned.

《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。
<Display device>
The display device of the present invention will be described.

本発明の有機EL素子を用いた画像表示装置としては単色でも多色でもよい。多色表示装置の場合は、各色発光ユニット毎に、シャドーマスクを設け、各色毎に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等により発光層を形成する。   The image display apparatus using the organic EL element of the present invention may be monochromatic or multicolor. In the case of a multicolor display device, a shadow mask is provided for each color light emitting unit, and a light emitting layer is formed for each color by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, or the like.

発光ユニットにパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。   When patterning is performed on the light emitting unit, the method is not limited, but a vapor deposition method, an inkjet method, and a printing method are preferable. In the case of using a vapor deposition method, patterning using a shadow mask is preferable.

単色、例えば白色の場合は、パターニングすることなく一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等により発光層を形成する。   In the case of a single color, for example, white, a light emitting layer is formed on one surface by a vapor deposition method, a casting method, a spin coating method, an ink jet method, a printing method or the like without patterning.

また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。   In addition, it is also possible to reverse the production order and produce the cathode, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order.

このようにして得られた画像表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。   When a DC voltage is applied to the image display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. Further, even when a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the-state. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

白色表示装置の場合は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、白色有機EL素子をバックライトに用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。   In the case of a white display device, it can be used as a display device, a display, or various light sources. In display devices and displays, full-color display is possible by using a white organic EL element as a backlight.

表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよい。   Examples of the display device and display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in an automobile. In particular, it may be used as a display device for reproducing still images and moving images.

発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。   Light emitting sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, optical storage media light sources, electrophotographic copying machine light sources, optical communication processing light sources, optical sensor light sources, etc. For example, but not limited to.

《照明装置》
本発明の照明装置について説明する。
《Lighting device》
The lighting device of the present invention will be described.

本発明の有機EL素子に共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。   The organic EL element of the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure. The use of the organic EL element having such a resonator structure is as a light source for an optical storage medium, an electrophotographic copying machine, and the like. Light sources, optical communication processor light sources, optical sensor light sources, and the like.

また、本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用しても良いし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用しても良い。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。または、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。   Further, the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp for illumination or exposure light source, a projection device for projecting an image, or a type for directly viewing a still image or a moving image. It may be used as a display device (display). When used as a display device for reproducing moving images, the driving method may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method. Alternatively, a full color display device can be produced by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.

本発明の有機EL素子を白色発光の素子として用いる場合は、BGRのカラーフィルターとの組み合わせによりフルカラー表示を行うことが出来る。   When the organic EL device of the present invention is used as a white light emitting device, full color display can be performed by combination with a BGR color filter.

本発明に係わる有機EL素子は、また、照明装置として、実質白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。   The organic EL element according to the present invention can also be applied to an organic EL element that emits substantially white light as a lighting device.

以下、本発明の有機EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, an example of a display device having the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。   FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a display device including organic EL elements. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.

ディスプレイ1は、複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。   The display 1 includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information, and the like.

制御部Bは、表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。   The control unit B is electrically connected to the display unit A, and sends a scanning signal and an image data signal to each of the plurality of pixels based on image information from the outside. The pixels for each scanning line are converted into image data signals by the scanning signal. In response to this, light is sequentially emitted and image scanning is performed to display image information on the display unit A.

図2は、表示部Aの模式図である。   FIG. 2 is a schematic diagram of the display unit A.

表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。   The display unit A includes a wiring unit including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6, a plurality of pixels 3 and the like on a substrate. The main members of the display unit A will be described below.

図においては、画素3の発光した光が、白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。   In the figure, the light emitted from the pixel 3 is extracted in the direction of the white arrow (downward).

配線部の走査線5及び複数のデータ線6は、それぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示していない)。   The scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a lattice shape and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions (details are shown in FIG. Not shown).

画素3は、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。   When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data. Full color display is possible by appropriately arranging pixels in the red region, the green region, and the blue region that emit light on the same substrate.

本発明の有機EL素子を白色発光の素子として用いる場合は、BGRのカラーフィルターとの組み合わせによりフルカラー表示を行うことが出来る。   When the organic EL device of the present invention is used as a white light emitting device, full color display can be performed by combination with a BGR color filter.

次に、画素の発光プロセスを説明する。   Next, the light emission process of the pixel will be described.

図3は、画素の模式図である。   FIG. 3 is a schematic diagram of a pixel.

画素は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサ13等を備えている。複数の画素に区分された有機EL素子10として白色発光の有機EL素子を用い、BGRのカラーフィルターと組み合わせることでフルカラー表示を行うことができる。   The pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like. A full-color display can be performed by using a white light-emitting organic EL element as the organic EL element 10 divided into a plurality of pixels and combining it with a BGR color filter.

図3において、制御部Bからデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。   In FIG. 3, an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching transistor 11 through the data line 6. When a scanning signal is applied from the control unit B to the gate of the switching transistor 11 via the scanning line 5, the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is supplied to the capacitor 13 and the driving transistor 12. Is transmitted to the gate.

画像データ信号の伝達により、コンデンサ13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。   By transmitting the image data signal, the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the drive of the drive transistor 12 is turned on. The drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and the power supply line 7 connects to the organic EL element 10 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied.

制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサ13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。   When the scanning signal is moved to the next scanning line 5 by the sequential scanning of the control unit B, the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even if the driving of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 maintains the potential of the charged image data signal, so that the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied. Until then, the light emission of the organic EL element 10 continues. When the scanning signal is next applied by sequential scanning, the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.

すなわち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。   That is, the organic EL element 10 emits light by the switching transistor 11 and the driving transistor 12 that are active elements for the organic EL elements 10 of the plurality of pixels, and the organic EL elements 10 of the plurality of pixels 3 emit light. It is carried out. Such a light emitting method is called an active matrix method.

ここで、有機EL素子10の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。   Here, the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations by a multi-value image data signal having a plurality of gradation potentials, or on / off of a predetermined light emission amount by a binary image data signal. But you can.

また、コンデンサ13の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。   The potential of the capacitor 13 may be held continuously until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.

本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。   In the present invention, not only the active matrix method described above, but also a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.

図4は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。   FIG. 4 is a schematic view of a passive matrix display device. A plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a grid pattern so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.

順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。   When the scanning signal of the scanning line 5 is applied by sequential scanning, the pixels 3 connected to the applied scanning line 5 emit light according to the image data signal. In the passive matrix system, the pixel 3 has no active element, and the manufacturing cost can be reduced.

本発明に係わる白色有機EL素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもいいし、電極と発光層をパターニングしてもいいし、素子全層をパターニングしてもいい。   In the white organic EL element concerning this invention, you may pattern by a metal mask, an inkjet printing method, etc. at the time of film forming as needed. When patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire element layer may be patterned.

このように、本発明の白色発光有機EL素子は、前記表示デバイス、ディスプレーに加えて、各種発光光源、照明装置として、家庭用照明、車内照明、また、露光光源のような一種のランプとして、液晶表示装置のバックライト等、表示装置にも有用に用いられる。   Thus, in addition to the display device and display, the white light-emitting organic EL element of the present invention can be used as various light sources, lighting devices, household lighting, interior lighting, and a kind of lamp such as an exposure light source. It is also useful for display devices such as backlights for liquid crystal display devices.

その他、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等、更には表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられる。   Others such as backlights for watches, signboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, etc. There are a wide range of uses such as household appliances.

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these.

実施例1
〈有機EL素子1−1〜1−24の作製〉
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製抵抗加熱ボートに銅フタロシアニン(CuPc)を200mg入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートにα−NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに例示化合物H−1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに例示化合物H−44を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに例示リン光性化合物1−99を100mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
Example 1
<Preparation of organic EL elements 1-1 to 1-24>
Transparent support provided with this ITO transparent electrode after patterning on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass) made of ITO (indium tin oxide) with a thickness of 100 nm on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes. This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, while 200 mg of copper phthalocyanine (CuPc) is put into a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of α-NPD is put into another molybdenum resistance heating boat. 200 mg of Exemplified Compound H-1 is put in a resistance heating boat made of 200, 200 mg of Exemplified Compound H-44 is put in another resistance heating boat made of Molybdenum, and 100 mg of Illustrative phosphorescent compound 1-99 is put in another resistance heating boat made of Molybdenum. Further, 200 mg of BAlq was put into another resistance heating boat made of molybdenum, and attached to a vacuum deposition apparatus.

次いで真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、CuPcの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し20nmの正孔注入層を設けた。 Then, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing CuPc is energized and heated, and deposited on a transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec. To form a 20 nm hole injection layer. Provided.

更にα−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで正孔注入層上に蒸着し20nmの正孔輸送層を設けた。   Further, the heating boat containing α-NPD was energized and heated, and deposited on the hole injection layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a 20 nm hole transport layer.

更に例示化合物H−1と例示リン光性化合物1−99の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.006nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して20nmの発光層Aを設けた。   Further, the heating boat containing Exemplified Compound H-1 and Exemplified Phosphorescent Compound 1-99 was energized and heated, and deposited on the hole transport layer at vapor deposition rates of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec, respectively. Co-evaporated to provide a 20 nm light emitting layer A.

更に例示化合物H−44と例示リン光性化合物1−99の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.006nm/secで前記発光層A上に共蒸着して20nmの発光層Bを設けた。   Further, the heating boat containing Exemplified Compound H-44 and Exemplified Phosphorescent Compound 1-99 was energized and heated. A 20 nm light-emitting layer B was provided by vapor deposition.

更にBAlqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層B上に蒸着して膜厚30nmの電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。   Furthermore, it supplied with electricity to the said heating boat containing BAlq, it heated, and it vapor-deposited on the said light emitting layer B with a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec, and provided the electron carrying layer with a film thickness of 30 nm. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更にアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。   Then, 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as a cathode buffer layer, and also aluminum 110nm was vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 1-1 was produced.

有機EL素子1−1において、発光層A、また、発光層Bのホスト化合物、ドープ濃度および膜厚を表1のように変えた以外は、有機EL素子1−1と同様にして有機EL素子1−2〜1−24を作製した。   In the organic EL element 1-1, the organic EL element is the same as the organic EL element 1-1 except that the host compound, the doping concentration, and the film thickness of the light emitting layer A and the light emitting layer B are changed as shown in Table 1. 1-2 to 1-24 were produced.

Figure 2008084913
Figure 2008084913

《評価》
外部取り出し量子効率(%)は、作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加して測定した。寿命(時間)は初期輝度300cd/m2で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度の半分に低下するのに要した時間を測定した。
<Evaluation>
The external extraction quantum efficiency (%) was measured by applying a constant current of 2.5 mA / cm 2 at 23 ° C. in a dry nitrogen gas atmosphere for the produced organic EL device. The lifetime (time) was measured as the time required for the luminance to drop to half of the luminance immediately after the start of light emission when driven at an initial luminance of 300 cd / m 2 .

得られた結果を表1に示す。ここで、表1の外部取り出し量子効率および発光寿命の測定結果は、有機EL素子1−15の測定値を100とした時の相対値で表した。   The obtained results are shown in Table 1. Here, the measurement results of the external extraction quantum efficiency and the light emission lifetime in Table 1 are expressed as relative values when the measured value of the organic EL element 1-15 is 100.

Figure 2008084913
Figure 2008084913

実施例2
〈有機EL素子2−1〜2−9の作製〉
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製抵抗加熱ボートに銅フタロシアニン(CuPc)を200mg入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートにα−NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに例示化合物H−1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに例示化合物H−44を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに例示リン光性化合物1−79を100mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
Example 2
<Preparation of organic EL elements 2-1 to 2-9>
Transparent support provided with this ITO transparent electrode after patterning on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass) made of ITO (indium tin oxide) with a thickness of 100 nm on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes. This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, while 200 mg of copper phthalocyanine (CuPc) is put into a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of α-NPD is put into another molybdenum resistance heating boat. 200 mg of Exemplified Compound H-1 is put into a resistance heating boat made of 200, 200 mg of Exemplified Compound H-44 is put into another resistance heating boat made of molybdenum, and 100 mg of Illustrative Phosphorescent Compound 1-79 is put into another resistance heating boat made of molybdenum. Further, 200 mg of BAlq was put into another resistance heating boat made of molybdenum, and attached to a vacuum deposition apparatus.

次いで真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、CuPcの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し20nmの正孔注入層を設けた。 Then, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing CuPc is energized and heated, and deposited on a transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec. To form a 20 nm hole injection layer. Provided.

更にα−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで正孔注入層上に蒸着し20nmの正孔輸送層を設けた。   Further, the heating boat containing α-NPD was energized and heated, and deposited on the hole injection layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a 20 nm hole transport layer.

更に例示化合物H−1と例示リン光性化合物1−79の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.006nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して20nmの発光層Aを設けた。   Further, the heating boat containing Exemplified Compound H-1 and Exemplified Phosphorescent Compound 1-79 was energized and heated, and deposited on the hole transport layer at deposition rates of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec, respectively. Co-evaporated to provide a 20 nm light emitting layer A.

更に例示化合物H−44と例示リン光性化合物1−79の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.006nm/secで前記発光層A上に共蒸着して20nmの発光層Bを設けた。   Further, the heating boat containing Exemplified Compound H-44 and Exemplified Phosphorescent Compound 1-79 was energized and heated, and both were deposited on the luminescent layer A at vapor deposition rates of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec, respectively. A 20 nm light-emitting layer B was provided by vapor deposition.

更にBAlqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層B上に蒸着して膜厚30nmの電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。   Furthermore, it supplied with electricity to the said heating boat containing BAlq, it heated, and it vapor-deposited on the said light emitting layer B with a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec, and provided the electron carrying layer with a film thickness of 30 nm. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更にアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子2−1を作製した。   Then, 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as a cathode buffer layer, and also aluminum 110nm was vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 2-1 was produced.

有機EL素子2−1において、発光層A、また、発光層Bのホスト化合物、ドーパント、ドープ濃度および膜厚を表2のように変えた以外は、有機EL素子2−1と同様にして有機EL素子2−2〜2−9を作製した。   In the organic EL element 2-1, the organic compound is the same as the organic EL element 2-1, except that the light emitting layer A and the host compound, dopant, doping concentration and film thickness of the light emitting layer B are changed as shown in Table 2. EL elements 2-2 to 2-9 were produced.

《評価》
外部取り出し量子効率(%)は、作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加して測定した。寿命(時間)は初期輝度300cd/m2で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度の半分に低下するのに要した時間を測定した。
<Evaluation>
The external extraction quantum efficiency (%) was measured by applying a constant current of 2.5 mA / cm 2 at 23 ° C. in a dry nitrogen gas atmosphere for the produced organic EL device. The lifetime (time) was measured as the time required for the luminance to drop to half of the luminance immediately after the start of light emission when driven at an initial luminance of 300 cd / m 2 .

得られた結果を表2に示す。ここで、表2の外部取り出し量子効率および発光寿命の測定結果のうち、有機EL素子2−1〜2−3は有機EL素子2−2の測定値を100とした時の相対値で表し、有機EL素子2−4〜2−6は有機EL素子2−5の測定値を100とした時の相対値で表し、有機EL素子2−7〜2−9は有機EL素子2−8の測定値を100とした時の相対値で表した。   The obtained results are shown in Table 2. Here, among the measurement results of the external extraction quantum efficiency and the light emission lifetime in Table 2, the organic EL elements 2-1 to 2-3 are expressed as relative values when the measured value of the organic EL element 2-2 is 100, The organic EL elements 2-4 to 2-6 are expressed as relative values when the measured value of the organic EL element 2-5 is 100, and the organic EL elements 2-7 to 2-9 are measured by the organic EL element 2-8. Expressed as a relative value when the value is 100.

Figure 2008084913
Figure 2008084913

実施例3
〈有機EL素子3−1〜3−6の作製〉
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製抵抗加熱ボートに銅フタロシアニン(CuPc)を200mg入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートにα−NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにTCTAを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBPhenを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに例示リン光性化合物1−9を100mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
Example 3
<Preparation of organic EL elements 3-1 to 3-6>
Transparent support provided with this ITO transparent electrode after patterning on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass) made of ITO (indium tin oxide) with a thickness of 100 nm on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes. This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, while 200 mg of copper phthalocyanine (CuPc) is put into a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of α-NPD is put into another molybdenum resistance heating boat. 200 mg of TCTA is put into a resistance heating boat, 200 mg of BPhen is put into another resistance heating boat made of molybdenum, 100 mg of the phosphorescent compound 1-9 is put into another resistance heating boat made of molybdenum, and another resistance heating made of molybdenum 200 mg of BAlq was put into a boat and attached to a vacuum deposition apparatus.

次いで真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、CuPcの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し20nmの正孔注入層を設けた。 Then, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing CuPc is energized and heated, and deposited on a transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec. To form a 20 nm hole injection layer. Provided.

更にα−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで正孔注入層上に蒸着し20nmの正孔輸送層を設けた。   Further, the heating boat containing α-NPD was energized and heated, and deposited on the hole injection layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a 20 nm hole transport layer.

更にTCTAと例示リン光性化合物1−9の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.006nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して20nmの発光層Aを設けた。   Further, the heating boat containing TCTA and exemplified phosphorescent compound 1-9 was energized and heated, and co-deposited on the hole transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec, respectively. A 20 nm light-emitting layer A was provided.

更にBPhenと例示リン光性化合物1−9の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.006nm/secで前記発光層A上に共蒸着して20nmの発光層Bを設けた。   Further, the heating boat containing BPhen and the exemplified phosphorescent compound 1-9 was energized and heated, and co-deposited on the light emitting layer A at a deposition rate of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec, respectively, to 20 nm. The light emitting layer B was provided.

更にBPhenの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層B上に蒸着して膜厚30nmの電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。   Further, the heating boat containing BPhen was energized and heated, and deposited on the light emitting layer B at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide an electron transport layer having a thickness of 30 nm. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更にアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子3−1を作製した。   Then, 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as a cathode buffer layer, and also aluminum 110nm was vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 3-1 was produced.

有機EL素子3−1において、発光層A、また、発光層Bのホスト化合物、ドーパント、ドープ濃度および膜厚を表3のように変えた以外は、有機EL素子3−1と同様にして有機EL素子3−2〜3−6を作製した。   In the organic EL element 3-1, the organic compound is the same as the organic EL element 3-1, except that the host compound, the dopant, the doping concentration and the film thickness of the light emitting layer A and the light emitting layer B are changed as shown in Table 3. EL elements 3-2 to 3-6 were produced.

Figure 2008084913
Figure 2008084913

《評価》
外部取り出し量子効率(%)は、作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加して測定した。寿命(時間)は初期輝度300cd/m2で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度の半分に低下するのに要した時間を測定した。
<Evaluation>
The external extraction quantum efficiency (%) was measured by applying a constant current of 2.5 mA / cm 2 at 23 ° C. in a dry nitrogen gas atmosphere for the produced organic EL device. The lifetime (time) was measured as the time required for the luminance to drop to half of the luminance immediately after the start of light emission when driven at an initial luminance of 300 cd / m 2 .

得られた結果を表3に示す。ここで、表3の外部取り出し量子効率および発光寿命の測定結果は、有機EL素子3−2の測定値を100とした時の相対値で表した。   The obtained results are shown in Table 3. Here, the measurement results of the external extraction quantum efficiency and the light emission lifetime in Table 3 are expressed as relative values when the measured value of the organic EL element 3-2 is 100.

Figure 2008084913
Figure 2008084913

有機EL素子1−1と、1−15、1−17を比較すると分かるように、発光層を2層とすることで外部取り出し量子効率、寿命ともに大幅に向上していることが分かる。これは、再結合領域を発光層界面から遠ざけることができ、有機EL素子の輝度劣化を引き起こす発光層界面での劣化を抑制できたからだと考えている。また、有機EL素子1−1と1−2を比較すると分かるように、発光層Aのドープ濃度を発光層Bのドープ濃度よりも高くすることで、さらに外部取り出し量子効率、寿命ともに向上した。1−5から1−14、1−18から1−24の結果から分かるように、発光ホストはH−1、H−44に限らず同様の効果が得られた。   As can be seen from a comparison between the organic EL element 1-1 and 1-15 and 1-17, it can be seen that the quantum efficiency and lifetime of external extraction are greatly improved by using two light emitting layers. This is thought to be because the recombination region can be moved away from the light emitting layer interface, and the deterioration at the light emitting layer interface that causes the luminance deterioration of the organic EL element can be suppressed. Further, as can be seen by comparing the organic EL elements 1-1 and 1-2, both the external extraction quantum efficiency and the lifetime were further improved by making the doping concentration of the light emitting layer A higher than the doping concentration of the light emitting layer B. As can be seen from the results of 1-5 to 1-14 and 1-18 to 1-24, the light-emitting host was not limited to H-1 and H-44, and similar effects were obtained.

さらに有機EL素子1−4の結果から分かるように、発光層Aと発光層Bのあいだに2種のホストとドーパントの混合層をもうけると、2層の間の界面の障壁が緩和され、さらに寿命が向上した。   Further, as can be seen from the results of the organic EL element 1-4, when a mixed layer of two types of host and dopant is provided between the light emitting layer A and the light emitting layer B, the barrier at the interface between the two layers is relaxed, Lifetime improved.

有機EL素子2−1から2−9の結果から分かるように、本発明に使用するドーパントは1−99に限らず、本発明の一般式(1)にて表される化合物であれば効果があることが分かる。   As can be seen from the results of the organic EL elements 2-1 to 2-9, the dopant used in the present invention is not limited to 1-99, and the effect can be obtained if the compound is represented by the general formula (1) of the present invention. I understand that there is.

また、有機EL素子3−1から3−6の結果から分かるように、本発明に使用するドーパントはどんな化合物でも良いわけではなく、本発明の構造を持ったものでないと効果が発揮されないことが分かる。   Further, as can be seen from the results of the organic EL elements 3-1 to 3-6, the dopant used in the present invention is not limited to any compound, and the effect may not be exhibited unless it has the structure of the present invention. I understand.

また、実施例1、2、3の結果から、リン光発光波長が480nm以下であると更に効果が上がることが分かる。   In addition, the results of Examples 1, 2, and 3 show that the effect is further enhanced when the phosphorescence emission wavelength is 480 nm or less.

実施例4
《有機EL素子4−1〜4−14の作製》
有機EL素子1−1〜1−14において、α−NPDをm−MTDATA:F4−TCNQ(99:1(質量比))共蒸着膜10nmとα−NPD膜10nmの積層に変更し、BAlqをHBL1膜10nmとBPhen:Cs(質量比75:25)共蒸着膜20nmの積層に変更し、フッ化リチウムを蒸着しなかった以外は同様にして有機EL素子4−1〜4−14を作製した。
Example 4
<< Production of Organic EL Elements 4-1 to 4-14 >>
In the organic EL devices 1-1 to 1-14, α-NPD was changed to a laminate of m-MTDATA: F4-TCNQ (99: 1 (mass ratio)) co-deposited film 10 nm and α-NPD film 10 nm, and BAlq was changed to Organic EL elements 4-1 to 4-14 were produced in the same manner except that the HBL1 film was 10 nm and the BPhen: Cs (mass ratio 75:25) co-deposited film was 20 nm, and lithium fluoride was not deposited. .

Figure 2008084913
Figure 2008084913

得られた有機EL素子4−1〜4−14は、各々有機EL素子1−1〜1−14と比較して、どれも駆動電圧が3V〜6V低電圧化することが確認された。   It was confirmed that each of the obtained organic EL elements 4-1 to 4-14 was reduced in driving voltage by 3V to 6V as compared with the organic EL elements 1-1 to 1-14.

同様にして、実施例2および実施例3の本発明素子も同様の変更を行って素子を作製したところ同様の効果が得られた。   Similarly, when the elements of the present invention of Example 2 and Example 3 were modified in the same manner, the same effect was obtained.

実施例5
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 5
After patterning on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, this ITO transparent electrode was provided. The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により製膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの正孔輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water at 3000 rpm for 30 seconds. After forming the film by spin coating, the film was dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a 30 nm-thick hole transport layer.

この基板を窒素雰囲気下に移し、100mgのH−44と10mgの1−99を10mlのトルエンに溶解した溶液を3000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜し発光層Aとした。さらに100mgのH−64と10mgの1−99を10mlの塩化メチレン−メタノール(1:9)の混合溶媒に溶解した溶液を3000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜し発光層Bとした。   The substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a solution obtained by dissolving 100 mg of H-44 and 10 mg of 1-99 in 10 ml of toluene was formed into a light emitting layer A by spin coating at 3000 rpm for 30 seconds. Furthermore, a solution obtained by dissolving 100 mg of H-64 and 10 mg of 1-99 in a mixed solvent of 10 ml of methylene chloride-methanol (1: 9) was formed into a film by a spin coating method at 3000 rpm for 30 seconds to form a light emitting layer B. It was.

H−44はH−64を溶解している塩化メチレン−メタノール(1:9)の混合溶媒には溶解しないため、積層構造を作ることができる。真空中60℃で1時間加熱を行い、二層の発光層とした。   Since H-44 does not dissolve in a mixed solvent of methylene chloride-methanol (1: 9) in which H-64 is dissolved, a laminated structure can be formed. Heating was performed in vacuum at 60 ° C. for 1 hour to form two light emitting layers.

これを真空蒸着装置に取付け、次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、BAlqを0.1nm/sの蒸着速度で30nm蒸着し電子輸送層とした。 This was attached to a vacuum deposition apparatus, and then the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, and BAlq was deposited at 30 nm at a deposition rate of 0.1 nm / s to form an electron transport layer.

陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子4−1を作製した。   A cathode was formed by vapor-depositing 0.5 nm of lithium fluoride as a cathode buffer layer and 110 nm of aluminum as a cathode, to fabricate an organic EL element 4-1.

この様に本発明の有機EL素子は塗布によっても作製することが出きる。   Thus, the organic EL element of the present invention can be produced by coating.

また、塗布によって得られた有機EL素子4−1においても実施例1と同様の効果を得ることが出来た。   Moreover, the same effect as Example 1 was able to be acquired also in the organic EL element 4-1 obtained by application | coating.

有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed an example of the display apparatus comprised from an organic EL element. 表示部の模式図である。It is a schematic diagram of a display part. 画素の模式図である。It is a schematic diagram of a pixel. パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。It is a schematic diagram of a passive matrix type full-color display device.

符号の説明Explanation of symbols

1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
10、101 有機EL素子
11 スイッチングトランジスタ
12 駆動トランジスタ
13 コンデンサ
A 表示部
B 制御部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Display 3 Pixel 5 Scan line 6 Data line 7 Power supply line 10, 101 Organic EL element 11 Switching transistor 12 Drive transistor 13 Capacitor A Display part B Control part

Claims (12)

下記一般式(1)で表されるリン光発光性化合物を含有する発光層を少なくとも2層有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、第一の発光層である発光層Aを構成するホストと第二の発光層である発光層Bを構成するホストが異なることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 2008084913
〔式中、R1は置換基を表す。Zは5〜7員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。n1は0〜5の整数を表す。B1〜B5は炭素原子、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を表し、B1〜B5の少なくとも一つは窒素原子を表す。M1は元素周期表における8族〜10族の金属を表す。X1およびX2は炭素原子、窒素原子もしくは酸素原子を表し、L1はX1およびX2とともに2座の配位子を形成する原子群を表す。m1は1、2または3の整数を表し、m2は0、1または2の整数を表すが、m1+m2は2または3である。〕
In the organic electroluminescence device having at least two light-emitting layers containing a phosphorescent compound represented by the following general formula (1), the host and the second light emission constituting the light-emitting layer A which is the first light-emitting layer An organic electroluminescence device characterized in that a host constituting the light emitting layer B which is a layer is different.
Figure 2008084913
[Wherein, R 1 represents a substituent. Z represents a nonmetallic atom group necessary for forming a 5- to 7-membered ring. n1 represents the integer of 0-5. B 1 to B 5 represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and at least one of B 1 to B 5 represents a nitrogen atom. M 1 represents a group 8 to group 10 metal in the periodic table. X 1 and X 2 represent a carbon atom, a nitrogen atom or an oxygen atom, and L 1 represents an atomic group which forms a bidentate ligand together with X 1 and X 2 . m1 represents an integer of 1, 2 or 3, m2 represents an integer of 0, 1 or 2, and m1 + m2 is 2 or 3. ]
前記一般式(1)において、B1〜B5で形成される含窒素複素環がイミダゾール環であることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。 In Formula (1), electroluminescent device according to claim 1, nitrogen-containing heterocyclic ring formed by B 1 .about.B 5 is characterized in that an imidazole ring. 前記一般式(1)が、下記一般式(2)で表されることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 2008084913
〔式中、R1、R2、R3は置換基を表す。Zは5〜7員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。n1は0〜5の整数を表す。M1は元素周期表における8族〜10族の金属を表す。X1およびX2は炭素原子、窒素原子もしくは酸素原子を表し、L1はX1およびX2とともに2座の配位子を形成する原子群を表す。m1は1、2または3の整数を表し、m2は0、1または2の整数を表すが、m1+m2は2または3である。〕
3. The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the general formula (1) is represented by the following general formula (2).
Figure 2008084913
[In formula, R < 1 >, R < 2 >, R < 3 > represents a substituent. Z represents a nonmetallic atom group necessary for forming a 5- to 7-membered ring. n1 represents the integer of 0-5. M 1 represents a group 8 to group 10 metal in the periodic table. X 1 and X 2 represent a carbon atom, a nitrogen atom or an oxygen atom, and L 1 represents an atomic group which forms a bidentate ligand together with X 1 and X 2 . m1 represents an integer of 1, 2 or 3, m2 represents an integer of 0, 1 or 2, and m1 + m2 is 2 or 3. ]
前記一般式(2)において、R2で表される置換基が下記一般式(3)で表されることを特徴とする請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 2008084913
〔式中、R4は立体パラメータ値(Es値)が−0.5以下の置換基を表す。R5は置換基を表し、n5は0〜4の整数を表す。尚、式中*は結合位置を示す。〕
In the said General formula (2), the substituent represented by R < 2 > is represented by following General formula (3), The organic electroluminescent element of Claim 3 characterized by the above-mentioned.
Figure 2008084913
[Wherein R 4 represents a substituent having a steric parameter value (Es value) of −0.5 or less. R 5 represents a substituent, and n5 represents an integer of 0 to 4. In the formula, * indicates a bonding position. ]
前記一般式(1)で表されるリン光発光性化合物のリン光波長が480nm未満であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The phosphorescence wavelength of the phosphorescence-emitting compound represented by the said General formula (1) is less than 480 nm, The organic electroluminescent element of any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. 前記発光層Aに含まれる一般式(1)で表されるリン光発光性化合物と発光層Bに含まれる一般式(1)で表されるリン光発光性化合物が同じ化合物であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The phosphorescent compound represented by the general formula (1) contained in the light emitting layer A and the phosphorescent compound represented by the general formula (1) contained in the light emitting layer B are the same compound. The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 5. 前記発光層Aと発光層Bは隣接していることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the light-emitting layer A and the light-emitting layer B are adjacent to each other. 少なくとも1つの発光層がカルバゾール誘導体を含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 8. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein at least one light emitting layer contains a carbazole derivative. 少なくとも1つの発光層がフラン誘導体を含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 At least 1 light emitting layer contains a furan derivative, The organic electroluminescent element of any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned. 少なくとも1つの発光層がアザカルバゾール誘導体を含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein at least one light emitting layer contains an azacarbazole derivative. 請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。 The illuminating device provided with the organic electroluminescent element of any one of Claims 1-10. 請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。 A display device comprising the organic electroluminescence element according to claim 1.
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