JP5228281B2 - ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE USING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT - Google Patents
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Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び該有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置、照明装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence element, a display device using the organic electroluminescence element, and an illumination apparatus.
発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(ELD)がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機EL素子が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。 As a light-emitting electronic display device, there is an electroluminescence display (ELD). As a component of ELD, an inorganic electroluminescence element and an organic EL element are mentioned. Inorganic electroluminescent elements have been used as planar light sources, but an alternating high voltage is required to drive the light emitting elements.
一方、有機EL素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・リン光)を利用して発光する素子であり、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、さらに、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。 On the other hand, an organic EL element has a structure in which a light emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode. By injecting electrons and holes into the light emitting layer and recombining them, excitons (exciton) are obtained. And emits light using the emission of light (fluorescence / phosphorescence) when the exciton is deactivated, and can emit light at a voltage of several volts to several tens of volts. Since it is a light-emitting type, it has a wide viewing angle, high visibility, and since it is a thin-film type complete solid-state device, it has attracted attention from the viewpoints of space saving and portability.
しかしながら、今後の実用化に向けた有機EL素子においては、さらに低消費電力で効率よく高輝度に発光する技術開発が望まれている。 However, for organic EL elements for practical use in the future, there is a demand for technological development that emits light with high power and efficiency with lower power consumption.
従来の有機EL素子の発光は、主に励起一重項状態からの発光(すなわち蛍光)を利用したものであったが、このような、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が1:3であるため発光性励起種の生成確率が25%であることと、光の取り出し効率が約20%であるため、外部取り出し量子効率(ηext)の限界は5%とされている。 The light emission of the conventional organic EL element mainly uses light emission from the excited singlet state (that is, fluorescence). When using light emission from such an excited singlet, Since the generation ratio of triplet excitons is 1: 3, the generation probability of luminescent excited species is 25%, and the light extraction efficiency is about 20%, so the limit of external extraction quantum efficiency (ηext) Is 5%.
ところが、プリンストン大学より、励起三重項からのリン光発光を用いる有機EL素子の報告(非特許文献1参照。)がされて以来、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている。同様の報告(非特許文献2参照。)や特許(特許文献1参照。)も知られている。 However, since the University of Princeton has reported on organic EL devices that use phosphorescence from excited triplets (see Non-Patent Document 1), research on materials that exhibit phosphorescence at room temperature has become active. . Similar reports (see Non-Patent Document 2) and patents (see Patent Document 1) are also known.
励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が100%となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が4倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られる可能性もあり、照明用にも応用可能であるためさまざまな分野で注目されている。 When excited triplets are used, the upper limit of internal quantum efficiency is 100%, so that in principle the luminous efficiency is four times that of excited singlets, and there is a possibility that almost the same performance as cold cathode tubes can be obtained. Since it can be applied to lighting, it is attracting attention in various fields.
そして、多くの化合物がイリジウム錯体系等、重金属錯体を中心に合成検討されている(非特許文献3参照。)。 Many compounds have been studied mainly for heavy metal complexes such as iridium complex systems (see Non-Patent Document 3).
しかし、緑色発光については理論限界である20%近くの外部取り出し効率が達成されているものの、高輝度領域ではその効率が極端に低下したり、またその他の発光色、特に青色発光についてはまだ十分な効率が得られておらず改良が必要であった。 However, although the external extraction efficiency of 20%, which is the theoretical limit for green light emission, has been achieved, the efficiency is extremely lowered in the high luminance region, and other light emission colors, especially blue light emission, are still sufficient. The efficiency was not obtained and improvement was necessary.
青色発光用ドーパントとして、フェニルイミダゾール、フェニルピラゾールを配位子にしたイリジウム錯体も検討されており、それらは青色リン光有機EL素子の有用なドーパントとして報告されている。しかし、それらの素子について十分な効率、寿命ともに十分な性能が得られていない。 As dopants for blue light emission, iridium complexes having phenylimidazole and phenylpyrazole as ligands have been studied, and these have been reported as useful dopants for blue phosphorescent organic EL devices. However, sufficient efficiency and lifetime are not obtained for these elements.
高効率化を図る上で、発光層に複数の材料を用いることも検討されている。例えば、発光層をドーパントと正孔輸送材料或いは電子輸送材料から構成する有機EL素子が挙げられるが、これら複数の材料を用いた素子においても緑色発光についてはリン光性ドーパントを使用して高効率化が達成されている(特許文献2〜4参照。)ものの、青色発光については発光材料は殆どすべてが蛍光性ドーパントに関する報告であり、効率の観点からリン光性ドーパントを用いたときには及ばない(特許文献5参照。)。また、青色リン光性ドーパントを用いた素子でも高効率かつ長寿命となる十分な効果は得られていない(特許文献6参照。)。
本発明の目的は、発光輝度及び発光効率の高い有機EL素子、特に発光輝度、色純度、発光効率及び耐久性の高い青色を発光する有機EL素子、それを用いた表示装置及び照明装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide an organic EL element having high emission luminance and high emission efficiency, particularly an organic EL element that emits blue light having high emission luminance, color purity, emission efficiency, and durability, and a display device and an illumination device using the organic EL element. It is to be.
上記課題は、以下の構成により解決することができた。 The above problem could be solved by the following configuration.
1.ホスト化合物を2種以上と燐光性化合物を1種以上含有する発光層の少なくとも1層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記燐光性化合物の少なくとも1種が下記一般式(1)で表される化合物であって、HOMOが−5.15〜−3.50eVかつLUMOが−1.25〜+1.00eVである化合物であり、
前記ホスト化合物の少なくとも2種がカルバゾール化合物、トリアリールアミン化合物またはジベンゾフラン化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
1. In an organic electroluminescence device having at least one light emitting layer containing two or more host compounds and one or more phosphorescent compounds,
At least one of the phosphorescent compounds is a compound represented by the following general formula (1) , wherein the HOMO is −5.15 to −3.50 eV and the LUMO is −1.25 to +1.00 eV. Yes,
At least two of the host compounds are a carbazole compound, a triarylamine compound, or a dibenzofuran compound.
〔式中、R[In the formula, R 11 は置換基を表す。Zは5〜7員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。n1は0〜5の整数を表す。BRepresents a substituent. Z represents a nonmetallic atom group necessary for forming a 5- to 7-membered ring. n1 represents the integer of 0-5. B 11 〜B~ B 55 で表される環はイミダゾール環またはピラゾール環を表し、MThe ring represented by represents an imidazole ring or a pyrazole ring, and M 11 は元素周期表における8族〜10族の金属を表す。XRepresents a group 8-10 metal in the periodic table. X 11 およびXAnd X 22 は炭素原子、窒素原子もしくは酸素原子を表し、LRepresents a carbon atom, a nitrogen atom or an oxygen atom, and L 11 はXIs X 11 およびXAnd X 22 とともに2座の配位子を形成する原子群を表す。m1は1、2または3の整数を表し、m2は0、1または2の整数を表すが、m1+m2は2または3である。〕Together with an atomic group forming a bidentate ligand. m1 represents an integer of 1, 2 or 3, m2 represents an integer of 0, 1 or 2, and m1 + m2 is 2 or 3. ]
2.前記一般式(1)において、Zがベンゼン環、ピリジン環、チアゾール環、ピリミジン環またはチオフェン環を形成するのに必要な非金属原子群を表すことを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。2. 2. The organic electroluminescence according to 1 above, wherein, in the general formula (1), Z represents a nonmetallic atom group necessary for forming a benzene ring, a pyridine ring, a thiazole ring, a pyrimidine ring or a thiophene ring. element.
3.前記一般式(1)において、M1がIrまたはPtであることを特徴とする前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 3 . 3. The organic electroluminescence device according to 1 or 2 , wherein in the general formula (1), M 1 is Ir or Pt.
4.前記一般式(1)において、m2が0であることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 4 . 4. The organic electroluminescence device according to any one of 1 to 3, wherein in the general formula (1), m2 is 0.
5.白色に発光することを特徴とする前記1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 5 . 5. The organic electroluminescent element according to any one of 1 to 4 , which emits white light.
6.前記1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。 6 . 6. A display device comprising the organic electroluminescent element according to any one of 1 to 5 above.
7.前記1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。 7 . It has an organic electroluminescent element of any one of said 1-5 , The illuminating device characterized by the above-mentioned.
8.前記7に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子を有することを特徴とする表示装置。 8 . 8. A display device comprising the illumination device according to 7 and a liquid crystal element as display means.
本発明により発光輝度及び発光効率の高い有機EL素子、特に発光輝度、色純度、発光効率及び耐久性の高い青色を発光する有機EL素子を提供することができた。 According to the present invention, it was possible to provide an organic EL device having high light emission luminance and high light emission efficiency, particularly an organic EL device that emits blue light with high light emission luminance, color purity, light emission efficiency, and durability.
以下、本発明の各構成要件について詳細に説明する。 Hereinafter, each component of the present invention will be described in detail.
まず、本発明のHOMO,LUMOについて説明する。 First, HOMO and LUMO of the present invention will be described.
なお、HOMOとは化合物の最高被占分子軌道のことであり、LUMOとは化合物の最低空分子軌道である。そして、HOMOのエネルギー準位とは、HOMOレベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、LUMOのエネルギー準位とは、真空準位にある電子が化合物のLUMOレベルに落ちて安定化するエネルギーで定義される。 Note that HOMO is the highest occupied molecular orbital of a compound, and LUMO is the lowest unoccupied molecular orbital of a compound. The HOMO energy level is defined as the energy required to emit electrons at the HOMO level to the vacuum level. The LUMO energy level refers to the LUMO level of the compound when the electrons at the vacuum level are It is defined as the energy that falls and stabilizes.
本発明において、HOMO、LUMOの値は、米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用いて計算した時の値であり、キーワードとしてB3LYP/LanL2DZを用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)と定義する。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。 In the present invention, the values of HOMO and LUMO are Gaussian 98 (Gaussian 98, Revision A.11.4, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA), software for molecular orbital calculation manufactured by Gaussian, USA. , 2002.) and is defined as a value (eV unit converted value) calculated by performing structural optimization using B3LYP / LanL2DZ as a keyword. This calculation value is effective because the correlation between the calculation value obtained by this method and the experimental value is high.
本発明に係る燐光性化合物とは励起三重項からの発光が観測される化合物であり、リン光量子収率が25℃において0.01以上の化合物である。好ましくは0.1以上である。本発明では、それ以外に発光層に含まれる化合物をホスト化合物とする。 The phosphorescent compound according to the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed, and is a compound having a phosphorescence quantum yield of 0.01 or more at 25 ° C. Preferably it is 0.1 or more. In the present invention, any other compound contained in the light emitting layer is used as the host compound.
なお、発光層中におけるホスト化合物と燐光性化合物の割合は、発光層全体に含まれる化合物の質量を100%とすると、各々の化合物で1〜99質量%の間であればどのような割合でもよいが、好ましくは燐光性化合物よりもホスト化合物の割合が大きい方がよく、より好ましくは燐光性化合物の割合は1〜10質量%である。 In addition, the ratio of the host compound and the phosphorescent compound in the light emitting layer can be any ratio as long as the ratio of the compound contained in the entire light emitting layer is 100% as long as the ratio is 1 to 99% by mass for each compound. The ratio of the host compound is preferably larger than that of the phosphorescent compound, and the ratio of the phosphorescent compound is more preferably 1 to 10% by mass.
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398ページ(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられる燐光性化合物とは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。
The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of
次に、本発明の一般式(1)で表される燐光性化合物について説明する。 Next, the phosphorescent compound represented by the general formula (1) of the present invention will be described.
本発明の一般式(1)で表される燐光性化合物において、HOMOが−5.15〜−3.50eVかつLUMOが−1.25〜+1.00eVである。好ましくはHOMOが−4.80〜−3.50eVかつLUMOが−0.80〜+1.00eVである。 In the phosphorescent compound represented by the general formula (1) of the present invention, HOMO is −5.15 to −3.50 eV and LUMO is −1.25 to +1.00 eV. Preferably, the HOMO is −4.80 to −3.50 eV and the LUMO is −0.80 to +1.00 eV.
本発明の一般式(1)で表される燐光性化合物において、R1で表される置換基としては、例えばアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素環基(芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)等が挙げられる。 In the phosphorescent compound represented by the general formula (1) of the present invention, examples of the substituent represented by R 1 include an alkyl group (eg, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group). Pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (for example, vinyl group, allyl group, etc.) , Alkynyl groups (for example, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon ring groups (also called aromatic carbocyclic groups, aryl groups, etc.), for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl Group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, Ndenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group, etc.), aromatic heterocyclic group (for example, pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, 1, 2,4-triazol-1-yl group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, thienyl group, A quinolyl group, a benzofuryl group, a dibenzofuryl group, a benzothienyl group, a dibenzothienyl group, an indolyl group, a carbazolyl group, a carbolinyl group, a diazacarbazolyl group (one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is a nitrogen atom) Quinoxalinyl group) , Pyridazinyl group, triazinyl group, quinazolinyl group, phthalazinyl group, etc.), heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, Pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio Group (for example, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (for example, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group For example, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, Phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (for example, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group) , Dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, Cetyl, ethylcarbonyl, propylcarbonyl, pentylcarbonyl, cyclohexylcarbonyl, octylcarbonyl, 2-ethylhexylcarbonyl, dodecylcarbonyl, phenylcarbonyl, naphthylcarbonyl, pyridylcarbonyl, etc.), acyloxy groups ( For example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonyl) Amino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylca Sulfonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, Cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethyl) Ureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pi Diylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group) Group), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (for example, phenyl) Sulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butyl) Mino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group) , Triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.).
これらの置換基のうち、好ましいものはアルキル基もしくはアリール基である。 Of these substituents, preferred are an alkyl group and an aryl group.
Zは5〜7員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。Zにより形成される5〜7員環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環及びチアゾール環等が挙げられる。これらのうちで好ましいものは、ベンゼン環である。 Z represents a nonmetallic atom group necessary for forming a 5- to 7-membered ring. Examples of the 5- to 7-membered ring formed by Z include a benzene ring, naphthalene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyrrole ring, thiophene ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxazole ring, and thiazole ring. Of these, a benzene ring is preferred.
B1〜B5は炭素原子、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。これら5つの原子により形成される芳香族含窒素複素環としては単環が好ましい。例えば、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、オキサジアゾール環及びチアジアゾー環ル等が挙げられる。これらのうちで好ましいものは、ピラゾール環、イミダゾール環であり、さらに好ましくはイミダゾール環である。これらの環は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。置換基として好ましいものはアルキル基およびアリール基であり、さらに好ましくは、置換アルキル基および無置換アリール基である。 B 1 .about.B 5 represents a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, at least one nitrogen atom. The aromatic nitrogen-containing heterocycle formed by these five atoms is preferably a monocycle. Examples include pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, triazole ring, tetrazole ring, oxazole ring, isoxazole ring, thiazole ring, isothiazole ring, oxadiazole ring, and thiadiazole ring. Among these, a pyrazole ring and an imidazole ring are preferable, and an imidazole ring is more preferable. These rings may be further substituted with the above substituents. Preferred as the substituent are an alkyl group and an aryl group, and more preferred are a substituted alkyl group and an unsubstituted aryl group.
L1はX1、X2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。X1−L1−X2で表される2座の配位子の具体例としては、例えば、置換または無置換のフェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、ピコリン酸及びアセチルアセトン等が挙げられる。 L 1 represents an atomic group that forms a bidentate ligand together with X 1 and X 2 . Specific examples of the bidentate ligand represented by X 1 -L 1 -X 2 include, for example, substituted or unsubstituted phenylpyridine, phenylpyrazole, phenylimidazole, phenyltriazole, phenyltetrazole, pyrazabol, picolinic acid And acetylacetone.
これらの基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。 These groups may be further substituted with the above substituents.
m1は1、2または3の整数を表し、m2は0、1または2の整数を表すが、m1+m2は2または3である。中でも、m2は0である場合が好ましい。 m1 represents an integer of 1, 2 or 3, m2 represents an integer of 0, 1 or 2, and m1 + m2 is 2 or 3. Especially, the case where m2 is 0 is preferable.
M1で表される金属としては、元素周期表の8族〜10族の遷移金属元素(単に遷移金属ともいう)が用いられるが、中でも、イリジウム、白金が好ましく、さらに好ましくはイリジウムである。
As the metal represented by M 1 , a transition metal element of
なお本発明の一般式(1)で表される燐光性化合物は、重合性基または反応性基を有していてもいなくてもよい。 The phosphorescent compound represented by the general formula (1) of the present invention may or may not have a polymerizable group or a reactive group.
以下に本発明の一般式(1)で表される燐光性化合物の具体的な例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Specific examples of the phosphorescent compound represented by the general formula (1) of the present invention are given below, but the present invention is not limited to these.
これらの金属錯体は、例えば、Organic Letter誌、vol3、No.16、2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻、第8号、1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704〜1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻、第12号、3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻、1171頁(2002年)、European Journal of Organic Chemistry,第4巻、695〜709頁(2004年)、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。 These metal complexes are described in, for example, Organic Letter, vol. 16, 2579-2581 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 30, No. 8, 1685-1687 (1991), J. Am. Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 40, No. 7, 1704-1711 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 41, No. 12, 3055-3066 (2002) , New Journal of Chemistry. 26, 1171 (2002), European Journal of Organic Chemistry, Vol. 4, pages 695-709 (2004), and further synthesized by applying methods such as references described in these documents. it can.
〔ホスト化合物〕
青色にリン光発光させるためにはホスト化合物に関しては特に大きな励起三重項エネルギーを必要とする。そのため、しばしば、ホスト化合物の励起三重項エネルギーよりも発光層の隣接層に含有される正孔輸送材料、または電子輸送材料等の励起三重項エネルギーの方が小さくなることがあり、素子として駆動させた際に、ホスト化合物から発光層の隣接層に含有される材料へエネルギー移動が起こってしまい、それが効率低下の原因になると考えられる。また、発光層の隣接層の材料からの発光が生じるために、本来のリン光性ドーパントの発光からの色ずれが起こり、色純度の低下が見られるという問題もあった。
[Host compound]
In order to cause phosphorescence emission in blue, a particularly large excited triplet energy is required for the host compound. For this reason, the excited triplet energy of the hole transport material or the electron transport material contained in the adjacent layer of the light emitting layer is often smaller than the excited triplet energy of the host compound. In this case, energy transfer from the host compound to the material contained in the adjacent layer of the light-emitting layer is considered to cause a decrease in efficiency. In addition, since light is emitted from the material of the adjacent layer of the light emitting layer, there is a problem that color shift from the light emission of the original phosphorescent dopant occurs and color purity is reduced.
発光層の隣接層へのエネルギー移動を防止するには、発光層の隣接層の励起三重項エネルギーがホスト化合物のそれよりも大きい化合物を用いればよいが、そのような素子では発光層と隣接層との間の電位障壁が大きくなり、効率が悪くなると考えられる。 In order to prevent energy transfer to the adjacent layer of the light emitting layer, a compound in which the excited triplet energy of the adjacent layer of the light emitting layer is larger than that of the host compound may be used. In such a device, the light emitting layer and the adjacent layer are used. It is thought that the potential barrier between and becomes larger and the efficiency becomes worse.
本発明者等は鋭意検討の結果、発光層を、ホスト化合物2種以上から構成することにより、高効率化、色純度の向上及び長寿命化を達成できることを見出した。高効率化及び色純度の向上が達成できたのは、発光層への正孔と電子の流れ込みを別々のホスト化合物に向けることで、ホスト化合物における三重項励起子の生成及びホスト化合物から隣接層へのエネルギー移動が抑制され、ホスト化合物からの発光はもちろん、隣接層からの発光も抑制されたためと考えられる。また、長寿命化が達成できたのは、ホスト化合物を2種用いたことで隣接層からの電荷の注入障壁をコントロール有機EL素子、駆動電圧が低下したためであると考えられる。 As a result of intensive studies, the present inventors have found that high efficiency, improved color purity, and long life can be achieved by constituting the light emitting layer from two or more host compounds. High efficiency and improved color purity were achieved by directing holes and electrons into the light-emitting layer to separate host compounds, thereby generating triplet excitons in the host compound and from the host compound to the adjacent layer. This is thought to be because the energy transfer to the substrate was suppressed, and not only the light emission from the host compound but also the light emission from the adjacent layer was suppressed. In addition, the long life could be achieved because the control organic EL element and the driving voltage were lowered due to the use of two types of host compounds to block the charge injection from the adjacent layer.
本発明において、ホスト化合物は2種以上含まれるが、ホスト化合物が2種の場合について説明する。本発明の場合、図1の(A)〜(C)の3つの形態が考えられる。図1はそれぞれ発光層中の2種のホスト化合物(ホストAとホストB)のエネルギーレベルを表した図である。図2は発光層中の2種のホスト化合物(ホストAとホストB)のエネルギーレベルと隣接層のエネルギーレベルを表した図である。図2中、1は正孔輸送層、2は発光層、3は正孔阻止層、4は電子輸送層を表す。 In the present invention, two or more types of host compounds are contained, and the case where two types of host compounds are used will be described. In the case of the present invention, three forms (A) to (C) in FIG. 1 are conceivable. FIG. 1 is a diagram showing energy levels of two types of host compounds (host A and host B) in the light emitting layer. FIG. 2 is a diagram showing the energy level of two types of host compounds (host A and host B) in the light emitting layer and the energy level of the adjacent layer. In FIG. 2, 1 represents a hole transport layer, 2 represents a light emitting layer, 3 represents a hole blocking layer, and 4 represents an electron transport layer.
図1(A)は1つのホスト化合物(ホストB)が、他のホスト化合物(ホストA)に対しHOMOのエネルギー準位とLUMOのエネルギー準位がともに低い化合物であるホスト化合物の組み合わせであり、図1(B)はHOMOのエネルギー準位のみに差があるホスト化合物の組み合わせであり、図1(C)はLUMOのエネルギー準位のみに差があるホスト化合物の組み合わせである。 FIG. 1A shows a combination of host compounds in which one host compound (host B) is a compound in which both the HOMO energy level and the LUMO energy level are lower than the other host compound (host A). FIG. 1B shows a combination of host compounds having a difference only in the energy level of HOMO, and FIG. 1C shows a combination of host compounds having a difference only in the energy level of LUMO.
本発明では図1(A)の形態が好ましい。図1(A)の場合において、図2のように隣接層のエネルギーレベルを規定し、正孔輸送層1からホールが流れ込むのは発光層2中のホストAの方、正孔阻止層3から電子が流れ込むのは発光層2中のホストBの方であるような構成にすると、ラジカルカチオンが生成するのはホストAであり、ラジカルアニオンが生成するのはホストBである。つまり、別々の化合物上でラジカルカチオン、ラジカルアニオンが生成するため、1つのホスト化合物上で三重項励起子が生成する割合を低下させることができる。
In the present invention, the form of FIG. In the case of FIG. 1A, the energy level of the adjacent layer is defined as in FIG. 2, and holes flow from the
本発明に係るリン光性ドーパントとホスト化合物の関係は、ホスト化合物の励起三重項エネルギーがリン光性ドーパントの励起三重項エネルギーよりも大きければ特に規定はないが、ホスト化合物のうち最も深いHOMOを持つ化合物のHOMOのエネルギー準位をHOMO−Hとし、ドーパントのHOMOのエネルギー準位をHOMO−Dとすると、|HOMO−D|<|HOMO−H|であることが好ましく、ホスト化合物のうち最も浅いLUMOを持つ化合物のLUMOのエネルギー準位をLUMO−Hとし、ドーパントのLUMOのエネルギー準位をLUMO−Dとすると、|LUMO−H|<|LUMO−D|であることが好ましい。 The relationship between the phosphorescent dopant and the host compound according to the present invention is not particularly defined as long as the excited triplet energy of the host compound is larger than the excited triplet energy of the phosphorescent dopant. If the HOMO energy level of a compound having HOMO-H and the HOMO energy level of a dopant is HOMO-D, it is preferable that | HOMO-D | <| HOMO-H | When the LUMO energy level of a compound having a shallow LUMO is LUMO-H and the LUMO energy level of the dopant is LUMO-D, it is preferable that | LUMO-H | <| LUMO-D |.
より好ましくは、ホスト化合物が2種である場合で、リン光性ドーパントが1種の場合、2種のホスト化合物をそれぞれホストA、ホストBとし、そのHOMO、LUMOのエネルギー準位をHOMO−A、HOMO−B(LUMOに関しても同様)とすると、該リン光性ドーパントのHOMO、LUMOのエネルギー準位が、
|LUMO−A|<|LUMO−D|<|LUMO−B|
|HOMO−A|<|HOMO−D|<|HOMO−B|
の関係を満たすような構成がよい(図3)。
More preferably, when the number of host compounds is two and the number of phosphorescent dopants is one, the two types of host compounds are host A and host B, respectively, and the HOMO and LUMO energy levels are HOMO-A. , HOMO-B (the same applies to LUMO), the energy levels of HOMO and LUMO of the phosphorescent dopant are
| LUMO-A | <| LUMO-D | <| LUMO-B |
| HOMO-A | <| HOMO-D | <| HOMO-B |
A configuration that satisfies this relationship is preferable (FIG. 3).
また、白色素子の場合は発光層1層中に2種あるいは3種のリン光性ドーパントがドープされることが考えられるが、ホスト化合物を2種以上とすることで、ホスト化合物1種からなる素子よりも各々のリン光性ドーパントといずれかのホスト化合物との電位差が小さくなり、リン光性ドーパントへの電荷の流れ込みの障壁が小さくなるので、高効率化を達成することができる。 In the case of a white element, two or three phosphorescent dopants may be doped in one light-emitting layer. However, when the number of host compounds is two or more, one type of host compound is used. Since the potential difference between each phosphorescent dopant and any one of the host compounds is smaller than that of the device, and the barrier for the flow of charges into the phosphorescent dopant is reduced, high efficiency can be achieved.
ホスト化合物は、特に規定はしないが、化合物の安定性の観点から、少なくとも1種のホスト化合物の励起三重項エネルギーが2.7eV以上3.5eV以下であることが好ましい。より好ましくは発光層に含まれる全てのホスト化合物の励起三重項エネルギーが2.7eV以上3.5eV以下である。 The host compound is not particularly defined, but from the viewpoint of the stability of the compound, it is preferable that the excitation triplet energy of at least one host compound is 2.7 eV or more and 3.5 eV or less. More preferably, the excitation triplet energy of all the host compounds contained in the light emitting layer is 2.7 eV or more and 3.5 eV or less.
2種以上のホスト化合物の組み合わせとしては、電子輸送性の化合物と正孔輸送性の化合物を含む場合であるか、あるいは、前記米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用いて計算した時のHOMOのエネルギー準位同士の差、LUMOのエネルギー準位同士の差の少なくとも一方が0.1〜2.0eVであることが好ましい。 The combination of two or more kinds of host compounds includes a case where an electron transporting compound and a hole transporting compound are included, or Gaussian 98 (Gaussian 98, Revision) which is a molecular orbital calculation software manufactured by the above-mentioned Gaussian. A.11.4, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2002.), the difference between HOMO energy levels, and the difference between LUMO energy levels. It is preferable that at least one of is 0.1-2.0 eV.
本発明に係るホスト化合物は、上述の条件を満たすものであれば特に制限はなく、従来から公知の化合物でよい。好ましくは、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ボロン化合物誘導体、オキサジアゾール誘導体を使用する。 The host compound according to the present invention is not particularly limited as long as it satisfies the above conditions, and may be a conventionally known compound. Preferably, a carbazole derivative, an azacarbazole derivative, a boron compound derivative, or an oxadiazole derivative is used.
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。 Specific examples of known host compounds include compounds described in the following documents.
特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。 JP-A-2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645, 2002-338579, 2002-105445 gazette, 2002-343568 gazette, 2002-141173 gazette, 2002-352957 gazette, 2002-203683 gazette, 2002-363227 gazette, 2002-231453 gazette, No. 003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060, No. 2002. -302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.
その他、本発明に係るホスト化合物の具体的な化合物例を以下に示すが、これに限定されない。 Other specific examples of the host compound according to the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto.
〔有機EL素子の構成層〕
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。
[Component layer of organic EL element]
The constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described.
本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。 In this invention, although the preferable specific example of the layer structure of an organic EL element is shown below, this invention is not limited to these.
(1)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(2)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(3)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(4)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(5)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
なお、正孔阻止層は正孔ブロック層とも言われ、実質上、電子輸送性の材料で構成されており、そのため、電子輸送層と正孔阻止層とを1層で構成してもよい。
(1) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (2) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (3) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (4) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (5) Anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode The hole blocking layer is also referred to as a hole blocking layer, and is substantially composed of an electron transporting material. The layers may be composed of one layer.
〔陽極〕
陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。
〔anode〕
As the anode, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 and ZnO.
また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。 Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used. For the anode, a thin film may be formed by depositing these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when the pattern accuracy is not required (100 μm or more) Degree), a pattern may be formed through a mask having a desired shape when the electrode material is deposited or sputtered. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance is greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.
〔陰極〕
一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
〔cathode〕
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.
これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10〜1000nm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。 Among these, a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this, such as a magnesium / silver mixture, magnesium, from the viewpoint of electron injectability and durability against oxidation, etc. / Aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 50 to 200 nm. In order to transmit light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission luminance is improved, which is convenient.
次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、正孔輸送層、電子輸送層等について説明する。 Next, an injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, etc. used as a constituent layer of the organic EL element of the present invention will be described.
〔注入層〕:電子注入層、正孔注入層
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
[Injection layer]: Electron injection layer, hole injection layer An injection layer is provided as necessary, and includes an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer, and the cathode. Between the light emitting layer and the electron transport layer.
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。 An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).
陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリンやポリチオフェンまたはそれらにイオン性のドーパントを添加したもの(例えば、Poly(3,4)ethylenedioxythiophen−polystyrenesulphonate(PEDOT/PSS))等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。 The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Typical phthalocyanine buffer layer, oxide buffer layer typified by vanadium oxide, amorphous carbon buffer layer, polyaniline or polythiophene or those added with an ionic dopant (for example, Poly (3,4) ethylenedithiophene-polystyrenesulfonate ( And a polymer buffer layer using a conductive polymer such as PEDOT / PSS)).
陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。 The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. .
上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1〜100nmの範囲が好ましい。 The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 to 100 nm, although it depends on the material.
〔阻止層〕:正孔阻止層、電子阻止層
阻止層は、上記のごとく、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば特開平11−204258号、同11−204359号、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日 エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
[Blocking Layer]: Hole Blocking Layer, Electron Blocking Layer As described above, the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film. For example, JP-A-11-204258, JP-A-11-204359, and “Organic EL devices and their forefront of industrialization” (issued on November 30, 1998 by NTS, Inc.), page 237, etc. There is a hole blocking layer.
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層であり、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。 The hole blocking layer is an electron transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting electrons and has a very small ability to transport holes. By blocking holes while transporting electrons, And the recombination probability of holes can be improved.
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層であり、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。 On the other hand, the electron blocking layer is a hole transport layer in a broad sense, made of a material that has a function of transporting holes and has a very small ability to transport electrons, and blocks electrons while transporting holes. Thus, the probability of recombination of electrons and holes can be improved.
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。 The hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
正孔輸送層、電子輸送層は各々単層もしくは複数層設けることができる。 Each of the hole transport layer and the electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
〔発光層〕
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
[Light emitting layer]
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.
発光層は、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲で選ばれる。この発光層は、基底状態と励起三重項状態とのエネルギー差が2.7eV以上のホスト化合物2種以上、リン光性ドーパント1種以上からなる1層構造であってもよいし、あるいは複数層からなる積層構造であってもよい。複数層の場合、1層中に、基底状態と励起三重項状態とのエネルギー差が2.7eV以上のホスト化合物が2種以上、リン光性ドーパントが1種以上含まれていればよく、化合物は重複して用いてもよい。 The light emitting layer can be formed by forming a film by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. Although the film thickness as a light emitting layer does not have a restriction | limiting in particular, Usually, it selects in the range of 5 nm-5 micrometers. This light-emitting layer may have a single-layer structure composed of two or more host compounds having an energy difference between the ground state and the excited triplet state of 2.7 eV or more and one or more phosphorescent dopants, or a plurality of layers. The laminated structure which consists of may be sufficient. In the case of a plurality of layers, it is sufficient that two or more host compounds having an energy difference between the ground state and the excited triplet state of 2.7 eV or more and one or more phosphorescent dopants are contained in one layer. May be used in duplicate.
〔正孔輸送層〕
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
(Hole transport layer)
The hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
正孔輸送材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として使用されているものやEL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。 The hole transport material is not particularly limited, and is conventionally used as a charge injection / transport material for holes in an optical transmission material, or a well-known material used for a hole injection layer or a hole transport layer of an EL element. Any one can be selected and used.
正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えばポルフィリン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。 The hole transport material has one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, porphyrin derivatives, triphenylamine derivatives, phenylenediamine derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers, and the like can be given.
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。 As the hole transport material, those described above can be used, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.
芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。 Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and two more described in US Pat. No. 5,061,569 Having a condensed aromatic ring of, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-308 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 88 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5〜5000nm程度である。この正孔輸送層は、上記材料の1種または2種以上からなる1層構造であってもよい。 The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, it is about 5-5000 nm. This hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
〔電子輸送層〕
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
(Electron transport layer)
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
従来、単層の電子輸送層または複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、下記の材料が知られており本発明に使用することができる。 Conventionally, when a single electron transport layer or a plurality of layers are used, the following materials are known as an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side. And can be used in the present invention.
一般的な電子輸送材料の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。 Examples of common electron transport materials include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene perylene, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane And anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like.
さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。 Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material.
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム(以下、Alq3)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。 In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (hereinafter, Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) ) Aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metal of these metal complexes is In, Metal complexes replaced with Mg, Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material. In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material.
本発明ではビス(2−メチル−8−キノリノール)フェニルフェノールアルミニウム(BAlq)、Alq3を用いる場合がより好ましい。 In the present invention bis (2-methyl-8-quinolinol) phenylphenol aluminum (BAlq), and more preferably when using a Alq 3.
〔基体(基板、基材、支持体等ともいう)〕
本発明の有機EL素子に用いられる基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては、例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
[Substrate (also referred to as substrate, substrate, support, etc.)]
The substrate used in the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the type of glass, plastic and the like, and is not particularly limited as long as it is transparent. Examples of the substrate preferably used include glass, Examples thereof include quartz and a light-transmitting resin film. A particularly preferable substrate is a resin film that can give flexibility to the organic EL element.
樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げられる。 Examples of the resin film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polyetherimide, polyetheretherketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC), and cellulose triacetate. Examples thereof include films made of (TAC), cellulose acetate propionate (CAP) and the like.
樹脂フィルムの表面には、無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよい。 An inorganic or organic coating or a hybrid coating of both may be formed on the surface of the resin film.
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用してもよい。 Further, a hue improving filter such as a color filter may be used in combination.
本発明の有機EL素子を作製する好適な例を説明する。 A suitable example for producing the organic EL device of the present invention will be described.
〔有機EL素子の作製方法〕
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。
[Method for producing organic EL element]
As an example of the method for producing the organic EL device of the present invention, a method for producing an organic EL device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode will be described.
まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に有機EL素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有機化合物薄膜を形成させる。 First, a thin film made of a desired electrode material, for example, an anode material is formed on a suitable substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm, thereby producing an anode. To do. Next, an organic compound thin film of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a hole blocking layer, which are organic EL element materials, is formed thereon.
この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度10-6〜10-2Pa、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚0.1nm〜5μm、好ましくは5〜200nmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。 As a method for thinning the organic compound thin film, there are a vapor deposition method and a wet process (spin coating method, casting method, ink jet method, printing method) as described above, but it is easy to obtain a uniform film and a pinhole. From the point of being difficult to form, a vacuum deposition method, a spin coating method, an ink jet method, and a printing method are particularly preferable. Further, different film forming methods may be applied for each layer. When employing a vapor deposition method for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally a boat heating temperature of 50 to 450 ° C., a vacuum degree of 10 −6 to 10 −2 Pa, and a vapor deposition rate of 0.01 It is desirable to select appropriately within a range of ˜50 nm / second, a substrate temperature of −50 to 300 ° C., and a film thickness of 0.1 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm.
これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。 After forming these layers, a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, and a cathode is provided. Thus, a desired organic EL element can be obtained. The organic EL element is preferably produced from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.
〔表示装置〕
本発明の多色の表示装置は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、他層は共通であるのでシャドーマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
[Display device]
The multicolor display device of the present invention is provided with a shadow mask only when the light emitting layer is formed, and the other layers are common, so that patterning of the shadow mask or the like is unnecessary, and the evaporation method, the casting method, the spin coating method, the ink jet method on one side. A film can be formed by a method or a printing method.
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においては、シャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。 When patterning is performed only on the light-emitting layer, the method is not limited, but a vapor deposition method, an inkjet method, and a printing method are preferable. In the case of using a vapor deposition method, patterning using a shadow mask is preferable.
また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。 In addition, it is also possible to reverse the production order and produce the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order. When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
本発明の表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の3種の有機EL素子を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。 The display device of the present invention can be used as a display device, a display, and various light emission sources. In a display device or display, full-color display is possible by using three types of organic EL elements of blue, red, and green light emission.
表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリックス(パッシブマトリックス)方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。 Examples of the display device and display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in an automobile. In particular, it may be used as a display device for reproducing still images and moving images, and the driving method when used as a display device for reproducing moving images may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
〔照明装置〕
本発明の照明装置は、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。
[Lighting device]
The lighting device of the present invention includes home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light sensors Although a light source etc. are mentioned, it is not limited to this.
また、本発明の有機EL素子に共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよい。このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザ発振をさせることにより、上記用途に使用してもよい。 Moreover, you may use as an organic EL element which gave the organic EL element of this invention the resonator structure. Examples of the purpose of use of the organic EL element having such a resonator structure include a light source of an optical storage medium, a light source of an electrophotographic copying machine, a light source of an optical communication processing machine, and a light source of an optical sensor. It is not limited. Moreover, you may use for the said use by making a laser oscillation.
本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような1種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもよい。また、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を3種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。また、一色の発光色、例えば白色発光をカラーフィルターを用いてBGRにし、フルカラー化することも可能である。さらに、有機ELの発光色を色変換フィルターを用いて他色に変換しフルカラー化することも可能であるが、その場合、有機EL発光のλmaxは480nm以下であることが好ましい。 The organic EL element of the present invention may be used as one kind of lamp for illumination or exposure light source, a projection device for projecting an image, or a display for directly viewing a still image or a moving image. It may be used as a device (display). A driving method when used as a display device for reproducing a moving image may be a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method. Moreover, it is possible to produce a full-color display device by using three or more organic EL elements of the present invention having different emission colors. Also, it is possible to make one color emission color, for example, white emission, into BGR by using a color filter to achieve full color. Furthermore, it is possible to convert the emission color of the organic EL to another color by using a color conversion filter, and in this case, λmax of the organic EL emission is preferably 480 nm or less.
有機EL素子から構成される表示装置の一例を図面に基づいて以下に説明する。 An example of a display device composed of organic EL elements will be described below with reference to the drawings.
図4は、有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。ディスプレイ10は、複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。制御部Bは、表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of a display device including organic EL elements. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element. The
図5は、表示部Aの模式図である。表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、複数の画素3等を有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。図5においては、画素8の発光した光が、白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。配線部の走査線5及び複数のデータ線6は、各々導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素8に接続している(詳細は図示せず)。画素8は、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
FIG. 5 is a schematic diagram of the display unit A. The display unit A includes a wiring unit including a plurality of
次に、画素の発光プロセスを説明する。 Next, the light emission process of the pixel will be described.
図6は画素の模式図である。画素は、有機EL素子14、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサ13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色、青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
FIG. 6 is a schematic diagram of a pixel. The pixel includes an
図6において、制御部B(図示せず)からデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部B(図示せず)から走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。画像データ信号の伝達により、コンデンサ13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子14の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子14に電流が供給される。
In FIG. 6, an image data signal is applied to the drain of the switching
制御部B(図示せず)の順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサ13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子14が発光する。即ち、有機EL素子14の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子14に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素8それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
When the scanning signal moves to the
ここで、有機EL素子14の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサ13の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
Here, the light emission of the
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。 In the present invention, not only the active matrix method described above, but also a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.
図7はパッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図9において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素8を挟んで対向して格子状に設けられている。
FIG. 7 is a schematic diagram of a passive matrix display device. In FIG. 9, a plurality of
順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素8にアクティブ素子がなく、製造コストの低減が計れる。
When the scanning signal of the
本発明に係わる有機EL材料は、また照明装置として、実質白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の3原色の3つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有したものでもよい。 The organic EL material according to the present invention can also be applied to an organic EL element that emits substantially white light as a lighting device. A plurality of light emitting colors are simultaneously emitted by a plurality of light emitting materials to obtain white light emission by color mixing. The combination of a plurality of emission colors may include three emission maximum wavelengths of the three primary colors of blue, green, and blue, or two using the relationship of complementary colors such as blue and yellow, blue green and orange, etc. The thing containing the light emission maximum wavelength may be used.
また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光を発光する材料(発光ドーパント)を、複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光を発光する発光材料と、該発光材料からの光を励起光として発光する色素材料とを組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機EL素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせる方式が好ましい。 In addition, a combination of light emitting materials for obtaining a plurality of emission colors includes a combination of a plurality of phosphorescent or fluorescent materials (light emitting dopants), a light emitting material that emits fluorescent or phosphorescent light, and the light emission. Any combination of a dye material that emits light from the material as excitation light may be used, but in the white organic EL device according to the present invention, a method of combining a plurality of light-emitting dopants is preferable.
複数の発光色を得るための有機EL素子の層構成としては、複数の発光ドーパントを、一つの発光層中に複数存在させる方法、複数の発光層を有し、各発光層中に発光波長の異なるドーパントをそれぞれ存在させる方法、異なる波長に発光する微小画素をマトリックス状に形成する方法等が挙げられる。 As a layer structure of the organic EL element for obtaining a plurality of emission colors, a method of having a plurality of emission dopants in one emission layer, a plurality of emission layers, and an emission wavelength of each emission layer. Examples thereof include a method in which different dopants are present, and a method in which minute pixels that emit light at different wavelengths are formed in a matrix.
白色有機EL素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもいいし、電極と発光層をパターニングしてもいいし、素子全層をパターニングしてもいい。 In the white organic EL element, patterning may be performed by a metal mask, an inkjet printing method, or the like at the time of film formation, if necessary. When patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire element layer may be patterned.
発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、CF(カラーフィルター)特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係わる白金錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。 The light emitting material used for the light emitting layer is not particularly limited. For example, in the case of a backlight in a liquid crystal display element, the platinum complex according to the present invention is adapted so as to be adapted to the wavelength range corresponding to the CF (color filter) characteristics, Any one of known luminescent materials may be selected and combined to whiten.
このように、白色発光する本発明の有機EL素子は、前記表示デバイス、ディスプレイに加えて、各種発光光源、照明装置として、家庭用照明、車内照明、また露光光源のような一種のランプとして、また液晶表示装置のバックライト等、表示装置にも有用に用いられる。その他、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサの光源等、さらには表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられる。 As described above, the organic EL element of the present invention that emits white light is used as a kind of lamp such as home lighting, interior lighting, and exposure light source as various light emitting light sources and lighting devices in addition to the display device and display. It is also useful for display devices such as backlights for liquid crystal display devices. In addition, backlights for watches, signboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, etc. There are a wide range of uses such as household appliances.
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、特に断りない限り、実施例中の「%」は「質量%」を表す。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these. Unless otherwise specified, “%” in the examples represents “mass%”.
実施例1
(有機EL素子1−1の作製)
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにm−MTDATXAを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにH−67を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにH−69を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに化合物1−1を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにHB−1を200mg入れ、さらに別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
Example 1
(Preparation of organic EL element 1-1)
Transparent support provided with this ITO transparent electrode after patterning on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass) made of ITO (indium tin oxide) with a thickness of 100 nm on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes. This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation apparatus, while 200 mg of m-MTDATXA is put into a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of H-67 is put into another molybdenum resistance heating boat. 200 mg H-69 is put into a resistance heating boat, 100 mg of compound 1-1 is put into another resistance heating boat made of molybdenum, 200 mg of HB-1 is put into another resistance heating boat made of molybdenum, and another resistance heating made of molybdenum is added. 200 mg of Alq 3 was placed in a boat and attached to a vacuum deposition apparatus.
次いで真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、m−MTDATXAの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し15nmの正孔輸送層を設けた。 The vacuum chamber is then depressurized to 4 × 10 −4 Pa, heated by energizing the heating boat containing m-MTDATXA, and deposited on a transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec. A layer was provided.
さらにH−67の入った前記加熱ボートとH−69の入った前記加熱ボート、さらに化合物1−1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.1nm/sec、0.006nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して30nmの発光層を設けた。さらにHB−1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層上に蒸着して膜厚10nmの正孔阻止層を設け、さらにAlq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記正孔阻止層上に蒸着して膜厚25nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。 Further, the heating boat containing H-67, the heating boat containing H-69, and the heating boat containing compound 1-1 were further energized and heated, respectively, and the deposition rate was 0.1 nm / sec. A 30 nm light emitting layer was provided by co-evaporation on the hole transport layer at 1 nm / sec and 0.006 nm / sec. Further, the heating boat containing HB-1 was energized and heated, and was deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a 10 nm thick hole blocking layer, and further Alq 3 was contained. The heating boat was energized and heated, and deposited on the hole blocking layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide an electron transport layer having a thickness of 25 nm. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、さらにアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。 Then, 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as a cathode buffer layer, and also aluminum 110nm was vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 1-1 was produced.
(有機EL素子1−2〜1−10の作製)
上記有機EL素子1−1の作製において、発光層のホスト化合物であるH−67、H−69をそれぞれ表1に記載の化合物に変更した以外は同様にして、有機EL素子1−2〜1−10を作製した。
(Preparation of organic EL elements 1-2 to 1-10)
In the production of the organic EL device 1-1, organic EL devices 1-2 to 1 were similarly performed except that H-67 and H-69, which are host compounds of the light emitting layer, were changed to the compounds shown in Table 1, respectively. -10 was produced.
実施例2
(有機EL素子2−1の作製)
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製抵抗加熱ボートにα−NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにHー67を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにH−69を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに化合物1−1を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにH−72を200mg入れ、さらに別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
Example 2
(Preparation of organic EL element 2-1)
Transparent support provided with this ITO transparent electrode after patterning on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass) made of ITO (indium tin oxide) with a thickness of 100 nm on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes. This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, while 200 mg of α-NPD is put in a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of H-67 is put in another resistance heating boat made of molybdenum. 200 mg of H-69 is put into a resistance heating boat, 100 mg of Compound 1-1 is put into another resistance heating boat made of molybdenum, 200 mg of H-72 is put into another resistance heating boat made of molybdenum, and another resistance heating boat made of molybdenum 200 mg of BAlq was put in and attached to a vacuum deposition apparatus.
次いで真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し100nmの正孔輸送層を設けた。 The vacuum chamber is then depressurized to 4 × 10 −4 Pa, heated by energizing the heating boat containing α-NPD, and deposited on a transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec to transport 100 nm holes. A layer was provided.
さらにH−67の入った前記加熱ボートとH−69の入った前記加熱ボート、さらに化合物1−1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.1nm/sec、0.006nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して40nmの発光層を設けた。さらにH−72の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層上に蒸着して膜厚10nmの正孔阻止層を設け、さらにBAlqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記正孔阻止層上に蒸着して膜厚20nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。 Further, the heating boat containing H-67, the heating boat containing H-69, and the heating boat containing compound 1-1 were further energized and heated, respectively, and the deposition rate was 0.1 nm / sec. A 40 nm light emitting layer was provided by co-evaporation on the hole transport layer at 1 nm / sec and 0.006 nm / sec. Further, the heating boat containing H-72 was energized and heated, and was deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a hole blocking layer having a thickness of 10 nm, and further the BAlq contained. A heating boat was energized and heated, and deposited on the hole blocking layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide an electron transport layer having a thickness of 20 nm. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.
引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、さらにアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子2−1を作製した。 Then, 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as a cathode buffer layer, and also aluminum 110nm was vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 2-1 was produced.
(有機EL素子2−1〜2−15の作製)
上記有機EL素子2−1の作製において、発光層のホスト化合物であるH−67、H−70をそれぞれ表2に記載の化合物に変更した以外は同様にして、有機EL素子2−2〜2−15を作製した。
(Preparation of organic EL elements 2-1 to 2-15)
In the production of the organic EL element 2-1, the organic EL elements 2-2 and 2 were similarly obtained except that H-67 and H-70, which are host compounds of the light emitting layer, were changed to the compounds shown in Table 2, respectively. -15 was produced.
作製した積層型有機EL素子の概略図を図8に示す。 FIG. 8 shows a schematic diagram of the produced stacked organic EL element.
(有機EL素子の評価)
得られた有機EL素子について下記の評価を行った。
(Evaluation of organic EL elements)
The following evaluation was performed about the obtained organic EL element.
〈発光寿命〉
2.5mA/cm2の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度(初期輝度)の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間(τ0.5)として寿命の指標とした。発光輝度の半減時間は表3においては有機EL素子1−2、表4においては有機EL素子2−13の半減時間を100とした相対値で表した。なお、測定には分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ製)を用いた。
<Luminescent life>
When driving at a constant current of 2.5 mA / cm 2 , the time required for the luminance to drop to half of the luminance immediately after the start of light emission (initial luminance) was measured, and this was calculated as the half-life time (τ 0.5). As an index of life. In Table 3, the half-life of the light emission luminance is expressed as a relative value with the half-life of the organic EL element 2-13 as 100 in Table 3 and the organic EL element 2-13 in Table 4. For the measurement, a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta) was used.
〈発光輝度〉
2.5mA/cm2の一定電流を印加したときの発光輝度を分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ製)を用いて測定し、発光輝度は、表3においては有機EL素子1−2、表4においては有機EL素子2−13の発光輝度を100としたときの相対値で表した。
<Brightness>
The emission luminance when a constant current of 2.5 mA / cm 2 was applied was measured using a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta). The emission luminance in Table 3 is the organic EL element 1-2, In Table 4, it represented with the relative value when the light-emitting luminance of the organic EL element 2-13 is set to 100.
〈駆動電圧〉
駆動電圧は、輝度が50[cd/m2]となった場合の有機EL素子1−2の駆動電圧を100としたときのそれぞれの同輝度となったときの相対値で表した。
<Drive voltage>
The drive voltage was expressed as a relative value when the drive voltage of the organic EL element 1-2 when the brightness was 50 [cd / m 2 ] was 100 and the brightness was the same.
以上により得られた結果を表3、表4に示す。 Tables 3 and 4 show the results obtained as described above.
表3及び表4から、比較の有機EL素子に比べて本発明の有機EL素子は、発光輝度、発光寿命共に優れており、駆動電圧も低下することが明らかである。リン光性化合物のHOMOのエネルギー準位およびLUMOのエネルギー準位を本発明の請求項に記載した範囲においてホスト化合物を2種用いることで、発光輝度、発光寿命ともに優れた性能を示すことは明らかである。 From Tables 3 and 4, it is clear that the organic EL element of the present invention is superior in both emission luminance and emission lifetime and also has a lower driving voltage than the comparative organic EL element. It is clear that by using two types of host compounds within the scope of the claims of the present invention, the HOMO energy level and the LUMO energy level of the phosphorescent compound exhibit excellent performance in both emission luminance and emission lifetime. It is.
実施例3
(本発明:有機EL素子3−1の作製と評価)
実施例1と同様に、透明陽極としてITOを形成したガラス基板1上に、厚さ55nmの正孔輸送層3、厚さ30nmの発光層4、正孔阻止層として厚さ10nmのBAlq、電子輸送層5として厚さ40nmのAlq3を順次積層した後、陰極バッファー層6として厚さ0.5nmのフッ化リチウム及び陰極7として厚さ100nmのアルミニウムを積層した。なお、正孔輸送層3は、第一の正孔輸送層として40nmのm−MTDATA、第二の正孔輸送層として厚さ15nmのm−MTDATXAを順次積層した。発光層4は、共蒸着により、陽極側から順番に、H−67とH−68に対し3%の青色リン光性化合物1−1をドープした層15nm、中間層として5nmのH−67の層、H−73とH−68に対し8%の赤色リン光性化合物PL−22をドープした層10nmの3層構造の膜を作製して用いた。作製した有機EL素子に、ITO電極に対し約3V以上の正の電圧を印加したとき、それぞれのリン光材料からの発光が得られ、高輝度、高効率の白色発光が得られた。2.5mA/cm2の一定電流を印加したときの輝度は560cd、外部取り出し量子効率は最高で約15%と極めて高い値が得られた。
Example 3
(Invention: Production and Evaluation of Organic EL Element 3-1)
Similar to Example 1, on a
(比較例:有機EL素子3−2の作製と評価)
有機EL素子3−1の作製において、ホスト化合物にH−68を加えない以外は同様にして有機EL素子3−2を作製したが、2.5mA/cm2の一定電流を印加したときの発光輝度は340cd、外部取り出し量子効率は最高で約10%であった。
(Comparative example: Preparation and evaluation of organic EL element 3-2)
In the production of the organic EL element 3-1, the organic EL element 3-2 was produced in the same manner except that H-68 was not added to the host compound, but the light emission when a constant current of 2.5 mA / cm 2 was applied. The luminance was 340 cd, and the external extraction quantum efficiency was about 10% at the maximum.
実施例1から3に使用したホスト化合物のHOMOのエネルギー準位、LUMOのエネルギー準位及び励起三重項エネルギーを表5に示す。また、実施例1から3に使用したドーパント化合物のHOMOのエネルギー準位及びLUMOのエネルギー準位を表6に表す。 Table 5 shows the HOMO energy levels, LUMO energy levels, and excited triplet energies of the host compounds used in Examples 1 to 3. Table 6 shows the HOMO energy levels and LUMO energy levels of the dopant compounds used in Examples 1 to 3.
実施例4
有機EL素子3−1の非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装置は、発光輝度、パワー効率が高く、長寿命である白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。図9は照明装置の概略図で、図10は照明装置の断面図である。
Example 4
The non-light-emitting surface of the organic EL element 3-1 was covered with a glass case to obtain a lighting device. The illuminating device can be used as a thin illuminating device that emits white light with high emission luminance and power efficiency and a long lifetime. FIG. 9 is a schematic view of the lighting device, and FIG. 10 is a cross-sectional view of the lighting device.
1 正孔輸送層
2 発光層
3 正孔阻止層
4 電子輸送層
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
8 画素
10 ディスプレイ
11 スイッチングトランジスタ
12 駆動トランジスタ
13 コンデンサ
14 有機EL素子
21 ガラス基板
22 透明陽極
23 正孔輸送層
24 発光層
25 正孔阻止(正孔ブロック)及び電子輸送層
26 陰極バファー層
27 陰極
A 表示部
B 制御部
102 ガラスカバー
106 有機EL層
107 透明電極付きガラス基板
108 窒素ガス
109 捕水剤
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記燐光性化合物の少なくとも1種が下記一般式(1)で表される化合物であって、HOMOが−5.15〜−3.50eVかつLUMOが−1.25〜+1.00eVである化合物であり、
前記ホスト化合物の少なくとも2種がカルバゾール化合物、トリアリールアミン化合物またはジベンゾフラン化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
At least one of the phosphorescent compounds is a compound represented by the following general formula (1) , wherein the HOMO is −5.15 to −3.50 eV and the LUMO is −1.25 to +1.00 eV. Yes,
At least two of the host compounds are a carbazole compound, a triarylamine compound, or a dibenzofuran compound.
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