JP2008084897A - System and program for designing/manufacturing semiconductor package - Google Patents

System and program for designing/manufacturing semiconductor package Download PDF

Info

Publication number
JP2008084897A
JP2008084897A JP2006259834A JP2006259834A JP2008084897A JP 2008084897 A JP2008084897 A JP 2008084897A JP 2006259834 A JP2006259834 A JP 2006259834A JP 2006259834 A JP2006259834 A JP 2006259834A JP 2008084897 A JP2008084897 A JP 2008084897A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
bonding
wire
capillary
wire bonder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006259834A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Kayama
雅之 香山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NAGASE DENSHI KIKI SERVICE KK
Original Assignee
NAGASE DENSHI KIKI SERVICE KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NAGASE DENSHI KIKI SERVICE KK filed Critical NAGASE DENSHI KIKI SERVICE KK
Priority to JP2006259834A priority Critical patent/JP2008084897A/en
Publication of JP2008084897A publication Critical patent/JP2008084897A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/859—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a system for designing/manufacturing a semiconductor package in which work load or work allotment is rationalized on the design side and the manufacturing side, and efficient design and manufacture are attained while shortening the time and reducing the cost. <P>SOLUTION: Bonding data such as profile type and loop parameters created by a process engineer is transmitted to a CAD system 20 where wire clearance inspection is performed using the bonding data. The data after wire clearance inspection is transmitted to a wire bonder 40 or a virtual wire bonder control means 60, capillary locus coordinate data is created by the wire bonder control means 42 or the virtual wire bonder control means 60 of the wire bonder 40 and transmitted or outputted to the CAD system 20 where capillary interference inspection is performed using the capillary locus coordinate data. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、ＣＡＤシステムとワイヤボンダ装置とをネットワークで接続して構成される半導体パッケージの設計・製造システムおよびプログラムに係り、半導体パッケージの設計、検査、製造という一連の作業を行うにあたり、設計側と製造側とで連携を図るためのシステムとして利用できる。   The present invention relates to a semiconductor package design / manufacturing system and program configured by connecting a CAD system and a wire bonder device via a network. In performing a series of operations of designing, inspecting, and manufacturing a semiconductor package, It can be used as a system for cooperation with the manufacturing side.

従来、半導体パッケージの設計および製造を行う際には、先ず、設計者が、基板側およびチップ側のボンディングポイントやパッドの位置、各ワイヤの基板側のボンディングポイントとチップ側のボンディングポイントとの連結情報等を定め、これらを図面に表し、次に、プロセス技術者が、設計者により作成された図面を見ながら、経験やノウハウに基づき各ワイヤの立面形状（ループ形状）を示すプロファイル、すなわちプロファイルの種類を識別するためのプロファイルタイプおよびプロファイルの詳細を定めるためのループパラメータを定めるとともに、ボンディングの際の圧力やスパーク等に関する情報であるボンディングコンディション等を定め、これらの情報をワイヤボンダ装置に手入力し、ワイヤボンディングを実行していた。   Conventionally, when designing and manufacturing a semiconductor package, the designer firstly connects the bonding points and pads on the substrate side and the chip side, and the connection between the bonding point on the substrate side of each wire and the bonding point on the chip side. Information is defined and expressed in the drawings. Next, the process engineer looks at the drawings created by the designer, and shows the profile that shows the elevation shape (loop shape) of each wire based on experience and know-how. In addition to defining the profile type for identifying the profile type and loop parameters for defining the profile details, the bonding condition, which is information related to pressure and sparking during bonding, is defined, and this information is handed to the wire bonder device. Enter and perform wire bonding .

なお、ワイヤボンディングに関する周辺技術には、ボンディングワイヤにおけるル−プ高さおよびル−プ形状を最適にするとともにエッジタッチ不良およびボンディング不良が発生することのないワイヤボンディング装置（特許文献１参照）、ワイヤボンディング装置の立ち上げの簡素化およびルーピングの安定化を図るワイヤボンディング装置（特許文献２参照）、ワイヤボンディング機を用いて半導体相互接続のためのバンプを形成する方法および装置（特許文献３参照）、ワイヤボンディング工程の自動化およびワイヤボンディング工程に必要なデータを統合管理するためのシステム（特許文献４参照）、キャピラリの移動軌跡設定を簡便な方法で行うことができるワイヤボンディング方法（特許文献５参照）等がある。   As a peripheral technique related to wire bonding, a wire bonding apparatus that optimizes the loop height and loop shape of the bonding wire and does not cause edge touch defects and bonding defects (see Patent Document 1), Wire bonding apparatus for simplifying start-up of wire bonding apparatus and stabilizing looping (see Patent Document 2), and method and apparatus for forming bumps for semiconductor interconnection using a wire bonding machine (see Patent Document 3) ), A system for automating the wire bonding process and integrated management of data necessary for the wire bonding process (see Patent Document 4), and a wire bonding method capable of setting the movement trajectory of the capillary by a simple method (Patent Document 5) See).

特許第２８２３４５４号公報Japanese Patent No. 2823454 特開平７−２８３２６１号公報JP-A-7-283261 特開２００４−２８２０１５号公報JP 2004-282015 A 特開２００３−２８２６０３号公報JP 2003-282603 A 特開２０００−３５３７１８号公報JP 2000-353718 A

しかしながら、前述した従来の半導体パッケージの設計・製造方法では、プロセス技術者の経験やノウハウに基づきボンディングに必要なデータが作成されるので、製造側の知識が整理、蓄積されず、設計側あるいは他の工場のプロセス技術者に伝わらないという問題があった。   However, in the conventional semiconductor package design / manufacturing method described above, the data necessary for bonding is created based on the experience and know-how of the process engineer. There was a problem that it was not communicated to the process engineers in the factory.

また、従来は、プロセス技術者が各ワイヤのプロファイル等を決定した後に、実際にワイヤボンダ装置でボンディングを実行してみて、キャピラリと、ワイヤやチップ等との干渉による不具合が発生するか否かを確認していた。そして、不具合が発生したときに、プロセス技術者がプロファイルを変更する等の作業を行い、あるいはそれでも不具合が解消されなければ、設計者が例えばパッドの位置を変える等の設計変更を行った後、再び、プロセス技術者が設計変更後の図面を見ながら、経験とノウハウに基づきボンディングに必要なデータを作成するという作業を繰り返していた。このため、不具合を生じることなく半導体パッケージを製造することができるボンディング用データを得るために、あるいは不具合を生じることのない半導体パッケージの設計を行うために、時間やコストがかかることがあった。また、プロセス技術者への依存度が高く、プロセス技術者の作業負担が大きかった。   Also, conventionally, after a process engineer has determined the profile of each wire, etc., actually performing bonding with the wire bonder apparatus, it is determined whether or not a failure due to interference between the capillary and the wire or chip occurs. I was checking. Then, when a failure occurs, the process engineer performs work such as changing the profile, or if the failure is still not resolved, the designer performs a design change such as changing the position of the pad, Again, the process engineer repeated the work of creating the data required for bonding based on experience and know-how while looking at the drawings after the design change. For this reason, it takes time and cost to obtain data for bonding that can manufacture a semiconductor package without causing a defect, or to design a semiconductor package that does not cause a defect. In addition, the dependence on the process engineer was high, and the work load on the process engineer was large.

従って、製造側の知識を設計側に伝えて設計側の処理能力を高めることにより、設計側と製造側との作業負担や作業分担の適正化、半導体パッケージの設計・製造の効率化、時間短縮、コスト削減を図ることが望まれる。   Therefore, by transferring the knowledge of the manufacturing side to the design side and increasing the processing capacity of the design side, it is possible to optimize the work load and work sharing between the design side and the manufacturing side, increase the efficiency of semiconductor package design and manufacturing, and shorten the time. It is desirable to reduce costs.

なお、前述した特許文献１〜５等に記載された技術は、ＣＡＤデータをボンディングに用いたり、あるいはボンディングに関するデータを再利用することはあっても、本発明のように製造側の知識を設計側に伝えて設計側の作業負担能力を高めることにより、設計・製造のトータルでの作業の効率化、時間短縮、コスト削減を図るものではない。   The techniques described in Patent Documents 1 to 5 and the like described above design knowledge on the manufacturing side as in the present invention even if CAD data is used for bonding or data related to bonding is reused. It is not intended to improve the efficiency of the total design / manufacturing work, shorten the time, and reduce costs by raising the work load capacity of the design side.

本発明の目的は、設計側と製造側との作業負担や作業分担の適正化、設計・製造の効率化、時間短縮、コスト削減を図ることができる半導体パッケージの設計・製造システムおよびプログラムを提供するところにある。   The object of the present invention is to provide a semiconductor package design / manufacturing system and program capable of optimizing the work load and work sharing between the design side and the manufacturing side, improving the efficiency of design / manufacturing, reducing the time, and reducing the cost. There is a place to do.

本発明は、ＣＡＤシステムとワイヤボンダ装置とをネットワークで接続して構成される半導体パッケージの設計・製造システムであって、ＣＡＤシステムは、設計者により作成された、ボンディングポイントの座標データおよび各ワイヤの一端側のボンディングポイントと他端側のボンディングポイントとの連結情報を含むボンディング座標データ、並びにワイヤボンダ装置からネットワークを介して送信されてきた、ワイヤ形状を示すプロファイルの種類を識別するためのプロファイルタイプおよびプロファイルの詳細を定めるためのループパラメータを含む現在処理対象のボンディング用データを用いて、半導体パッケージの３次元設計データを作成し、この３次元設計データを用いて、ワイヤ間の３次元隙間の算出および画面表示を含む処理を行うワイヤ隙間検査処理手段と、このワイヤ隙間検査処理手段によるワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、ネットワークを介してワイヤボンダ装置へ送信する処理を行うワイヤ隙間検査後データ送信処理手段と、ワイヤボンダ装置からネットワークを介して送信されてきた、キャピラリ先端部の軌跡中の少なくとも特定点の座標データを含むキャピラリ軌跡座標データ、並びにワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリと各ワイヤとの干渉を示すデータの算出および画面表示を含む処理を行うキャピラリ干渉検査処理手段と、このキャピラリ干渉検査処理手段によるキャピラリ干渉検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、ネットワークを介してワイヤボンダ装置へ送信する処理を行うキャピラリ干渉検査後データ送信処理手段とを備え、ワイヤボンダ装置は、ボンディング座標データを用いてプロセス技術者により作成された現在処理対象のボンディング用データを、ネットワークを介してＣＡＤシステムへ送信する処理を行うボンディング用データ送信処理手段と、ＣＡＤシステムからネットワークを介して送信されてきたワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリ軌跡座標データを算出し、算出したキャピラリ軌跡座標データを、ネットワークを介してＣＡＤシステムへ送信する処理を行うとともに、その後、ＣＡＤシステムからネットワークを介して送信されてきたキャピラリ干渉検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリの動作制御処理を行うワイヤボンダ制御手段とを備えていることを特徴とするものである。   The present invention is a semiconductor package design / manufacturing system configured by connecting a CAD system and a wire bonder device via a network, and the CAD system includes bonding point coordinate data and each wire created by a designer. Bonding coordinate data including connection information between the bonding point on one end side and the bonding point on the other end side, and a profile type for identifying the type of profile indicating the wire shape transmitted from the wire bonder device via the network, and 3D design data for semiconductor packages is created using bonding data that is currently processed, including loop parameters for defining profile details, and 3D gaps between wires are calculated using this 3D design data. And screen display Wire gap inspection processing means for performing processing, and wire gap inspection for performing processing for transmitting the bonding coordinate data after the wire gap inspection by the wire gap inspection processing means and the bonding data to be processed to the wire bonder device via the network Post-data transmission processing means, capillary trajectory coordinate data including coordinate data of at least a specific point in the trajectory of the capillary tip transmitted from the wire bonder device via the network, bonding coordinate data after wire gap inspection, and current Capillary interference inspection processing means for performing processing including calculation of data indicating interference between the capillary and each wire and screen display using the bonding data to be processed, and bonding after capillary interference inspection by this capillary interference inspection processing means Coordinate And a data transmission processing means after capillary interference inspection for performing processing for transmitting the bonding data to be processed to the wire bonder device via the network. The wire bonder device uses a bonding coordinate data by a process engineer. Bonding data transmission processing means for performing processing for transmitting the created bonding data to be processed to the CAD system via the network, and bonding coordinates after wire gap inspection transmitted from the CAD system via the network Capillary trajectory coordinate data is calculated using the data and bonding data to be processed at present, and the calculated capillary trajectory coordinate data is transmitted to the CAD system via the network. Wire bonder control means for performing capillary operation control processing using bonding coordinate data after capillary interference inspection transmitted via a network and bonding data to be processed at present. is there.

このような本発明の半導体パッケージの設計・製造システムにおいては、設計者により作成されたボンディング座標データを用いてプロセス技術者により作成されたボンディング用データが、ＣＡＤシステムへ送信されるので、ＣＡＤシステムにおいて、プロセス技術者により作成されたボンディング用データを用いてワイヤ隙間検査を行うことが可能となる。このため、製造側の知識が設計側へ伝達され、設計側の作業負担能力の向上、製造側の作業負担の軽減、設計側と製造側との作業負担や作業分担の適正化が図られる。   In such a semiconductor package design / manufacturing system of the present invention, bonding data created by a process engineer using bonding coordinate data created by a designer is transmitted to the CAD system. In this case, the wire gap inspection can be performed using the bonding data created by the process engineer. For this reason, the knowledge on the manufacturing side is transmitted to the design side, the work load capability on the design side is improved, the work load on the manufacturing side is reduced, and the work load and work sharing between the design side and the manufacturing side are optimized.

また、ワイヤ隙間検査後のデータがワイヤボンダ装置に送信され、ワイヤボンダ装置のワイヤボンダ制御手段により、ワイヤ隙間検査後のデータを用いてキャピラリ軌跡座標データが作成され、このキャピラリ軌跡座標データがＣＡＤシステムへ送信されるので、ＣＡＤシステムにおいて、ワイヤボンダ装置で作成されたキャピラリ軌跡座標データを用いてキャピラリ干渉検査を行うことが可能となる。従って、実際にワイヤボンダ装置でワイヤボンディングを実行してみて、キャピラリと、ワイヤ等のオブジェクトとの干渉による不具合が発生するか否かを確認するのではなく、設計側でＣＡＤシステムを使って事前確認することが可能となる。このため、設計側の作業負担能力の向上、製造側の作業負担の軽減、設計側と製造側との作業負担や作業分担の適正化が図られるうえ、設計と製造をトータルで見た場合に、作業時間の短縮、作業効率の向上、コスト削減が図られ、これらにより前記目的が達成される。   Further, the data after the wire gap inspection is transmitted to the wire bonder apparatus, and the capillary trajectory coordinate data is created by using the data after the wire gap inspection by the wire bonder control means of the wire bonder apparatus, and this capillary trajectory coordinate data is transmitted to the CAD system. Therefore, in the CAD system, it is possible to perform capillary interference inspection using capillary trajectory coordinate data created by the wire bonder device. Therefore, it is not necessary to check whether or not a failure occurs due to interference between the capillary and an object such as a wire by actually performing wire bonding with a wire bonder device, but using a CAD system on the design side in advance It becomes possible to do. For this reason, the work load capacity on the design side is improved, the work load on the manufacturing side is reduced, the work load and work sharing between the design side and the manufacturing side are optimized, and the design and manufacturing are viewed in total. Thus, the working time can be shortened, the working efficiency can be improved, and the cost can be reduced, thereby achieving the object.

また、上述した半導体パッケージの設計・製造システムは、キャピラリ軌跡座標データを、ワイヤボンダ装置に設けられたワイヤボンダ制御手段により作成する構成とされていたが、次のように、キャピラリ軌跡座標データの算出機能について、ワイヤボンダ装置のワイヤボンダ制御手段と同じ機能を有する仮想ワイヤボンダ制御手段を備えた構成としてもよい。   In addition, the semiconductor package design / manufacturing system described above is configured to generate capillary trajectory coordinate data by the wire bonder control means provided in the wire bonder apparatus. However, the capillary trajectory coordinate data calculation function is as follows. The wire bonder device may have a virtual wire bonder control means having the same function as the wire bonder control means of the wire bonder device.

すなわち、本発明は、ＣＡＤシステムとワイヤボンダ装置とをネットワークで接続して構成される半導体パッケージの設計・製造システムであって、ＣＡＤシステムに直接にまたは前記ネットワークを介して接続され、キャピラリ先端部の軌跡中の少なくとも特定点の座標データを算出する処理について、ワイヤボンダ装置に設けられたワイヤボンダ制御手段と同一の処理を行い、キャピラリ先端部の軌跡中の少なくとも特定点の座標データを含むキャピラリ軌跡座標データを、ＣＡＤシステムに出力またはネットワークを介して送信する処理を行う仮想ワイヤボンダ制御手段を備え、ＣＡＤシステムは、設計者により作成された、ボンディングポイントの座標データおよび各ワイヤの一端側のボンディングポイントと他端側のボンディングポイントとの連結情報を含むボンディング座標データ、並びにワイヤボンダ装置からネットワークを介して送信されてきた、ワイヤ形状を示すプロファイルの種類を識別するためのプロファイルタイプおよびプロファイルの詳細を定めるためのループパラメータを含む現在処理対象のボンディング用データを用いて、半導体パッケージの３次元設計データを作成し、この３次元設計データを用いて、ワイヤ間の３次元隙間の算出および画面表示を含む処理を行うワイヤ隙間検査処理手段と、このワイヤ隙間検査処理手段によるワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、仮想ワイヤボンダ制御手段へ直接にまたはネットワークを介して送信する処理を行うワイヤ隙間検査後データ送信処理手段と、仮想ワイヤボンダ制御手段から出力またはネットワークを介して送信されてきたキャピラリ軌跡座標データ、並びにワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリと各ワイヤとの干渉を示すデータの算出および画面表示を含む処理を行うキャピラリ干渉検査処理手段と、このキャピラリ干渉検査処理手段によるキャピラリ干渉検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、ネットワークを介してワイヤボンダ装置へ送信する処理を行うキャピラリ干渉検査後データ送信処理手段とを備え、ワイヤボンダ装置は、ボンディング座標データを用いてプロセス技術者により作成された現在処理対象のボンディング用データを、ネットワークを介してＣＡＤシステムへ送信する処理を行うボンディング用データ送信処理手段を備え、ワイヤボンダ装置のワイヤボンダ制御手段は、ＣＡＤシステムからネットワークを介して送信されてきたキャピラリ干渉検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリの動作制御処理を行う構成とされていることを特徴とするものである。   That is, the present invention is a semiconductor package design / manufacturing system configured by connecting a CAD system and a wire bonder device via a network, and is connected to the CAD system directly or via the network, Capillary trajectory coordinate data including the coordinate data of at least the specific point in the trajectory of the capillary tip is performed by performing the same processing as the wire bonder control means provided in the wire bonder for the process of calculating the coordinate data of at least the specific point in the trajectory. Is provided with a virtual wire bonder control means for performing a process of outputting to a CAD system via an output or via a network. The CAD system includes bonding point coordinate data created by a designer, bonding points on one end side of each wire, and others. End side bonding Including bonding coordinate data including information on connection with the wire, and loop parameters for defining the profile type and profile details for identifying the type of profile indicating the wire shape transmitted from the wire bonder device via the network Wire gap inspection that creates 3D design data for semiconductor packages using bonding data currently being processed, and performs processing including calculation of 3D gaps between wires and screen display using this 3D design data After the wire gap inspection for performing processing to transmit the processing unit and the bonding coordinate data after the wire gap inspection by the wire gap inspection processing unit and the bonding data to be processed to the virtual wire bonder control unit directly or via the network Data transmission processing means Capillary trajectory coordinate data output from the virtual wire bonder control means or transmitted via the network, bonding coordinate data after wire gap inspection, and bonding data currently processed are used to detect interference between the capillary and each wire. Capillary interference inspection processing means for performing processing including calculation of data to be displayed and screen display, bonding coordinate data after capillary interference inspection by the capillary interference inspection processing means, and data for bonding currently processed are connected via a network to a wire bonder device And a data transmission processing means after capillary interference inspection for performing processing to transmit to the wire bonder device, the bonding data currently created by the process engineer using the bonding coordinate data is transmitted via the network. And a bonding data transmission processing means for performing processing for transmission to the CAD system. The wire bonder control means of the wire bonder device includes bonding coordinate data after capillary interference inspection transmitted from the CAD system via the network and the current processing target. The present invention is characterized in that the operation control processing of the capillary is performed using the bonding data.

このような本発明の半導体パッケージの設計・製造システムにおいては、ワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データが、ワイヤボンダ装置自体ではなく、仮想ワイヤボンダ制御手段へ送信され、キャピラリ軌跡座標データが、ワイヤボンダ装置のワイヤボンダ制御手段自体ではなく、仮想ワイヤボンダ制御手段により作成される点を除き、前述した半導体パッケージの設計・製造システムと同様な構成であるから、得られる作用効果も前述した半導体パッケージの設計・製造システムと同様である。   In such a semiconductor package design / manufacturing system of the present invention, the bonding coordinate data after the wire gap inspection and the bonding data to be processed are transmitted to the virtual wire bonder control means, not to the wire bonder itself, and the capillary locus Since the coordinate data has the same configuration as the semiconductor package design / manufacturing system described above except that it is created not by the wire bonder control means of the wire bonder device but by the virtual wire bonder control means, the obtained effects are also described above. This is the same as the semiconductor package design / manufacturing system.

さらに、以上に述べた半導体パッケージの設計・製造システムにおいて、ＣＡＤシステムの内部に設けられるか、またはネットワークを介してＣＡＤシステムに接続されて、ボンディング用データを蓄積して記憶するボンディング用データ蓄積データベースを備え、ＣＡＤシステムは、ワイヤボンダ装置からネットワークを介して送信されてきた現在処理対象のボンディング用データを、ボンディング用データ蓄積データベースに登録保存する処理を行うボンディング用データ登録処理手段と、ボンディング用データ蓄積データベースに蓄積して記憶されたボンディング用データを用いて、プロファイルを画面表示する処理を行うプロファイル表示処理手段とを備えていることが望ましい。   Further, in the semiconductor package design / manufacturing system described above, a bonding data storage database is provided inside the CAD system or connected to the CAD system via a network to store and store bonding data. The CAD system includes bonding data registration processing means for performing processing for registering and storing bonding data to be processed currently transmitted from the wire bonder device via the network in a bonding data storage database, and bonding data. It is desirable to include profile display processing means for performing processing for displaying a profile on the screen using the bonding data stored and stored in the storage database.

このようにボンディング用データをデータベースに蓄積し、再利用することができる構成とした場合には、ボンディング用データ蓄積データベースに記憶されたボンディング用データを用いてプロファイルを画面表示させることができるので、設計者は、この情報を参照して初期設計に反映させることや、設計後におけるプロファイルの変更を含む修正作業に用いることが可能となる。なお、前者の場合の初期設計への反映とは、例えば、半導体チップ設計および外部端子レイアウトへのフィードバックであり、そのようなフィードバックを行えば、チップ設計段階において、チップ構成の３次元シミュレーションの最適化設計が可能となり、ワイヤを用いた実装の可否判断ができる。   In this way, when it is configured to accumulate the bonding data in the database and can be reused, the profile can be displayed on the screen using the bonding data stored in the bonding data accumulation database. The designer can refer to this information and reflect it in the initial design, or use it for correction work including changing the profile after the design. The reflection in the initial design in the former case is, for example, feedback to the semiconductor chip design and the external terminal layout. If such feedback is performed, the optimum of the three-dimensional simulation of the chip configuration is performed at the chip design stage. Design is possible, and it is possible to determine whether or not mounting using a wire is possible.

また、上記のようにボンディング用データをデータベースに蓄積し、再利用することができる構成とした場合において、ＣＡＤシステムは、ボンディング用データ蓄積データベースに記憶されたボンディング用データの中からの設計者によるプロファイルの変更のための選択入力を受け付けて、選択されたボンディング用データにより現在処理対象のボンディング用データの内容を変更する処理を行うボンディング用データ変更処理手段を備えていることが望ましい。   Further, in the case where the bonding data is stored in the database and can be reused as described above, the CAD system is designed by the designer from the bonding data stored in the bonding data storage database. It is desirable to include a bonding data change processing means for receiving a selection input for changing the profile and changing the content of the bonding data currently being processed according to the selected bonding data.

このようにボンディング用データをデータベースに蓄積して再利用可能とし、かつ、ボンディング用データ変更処理手段を備えた構成とした場合には、ＣＡＤシステムにおいて、設計者が、ボンディング用データ蓄積データベースの中から、ボンディング用データを選択することにより、プロファイルの変更を行うことが可能となる。そして、ボンディング用データの選択の際には、ボンディング用データを用いてプロファイルを画面表示させることが可能となる。従って、プロセス技術者に比べ、ボンディング用データの作成に関する知識の少ない設計者であっても、ボンディング用データ蓄積データベースの中からの選択という簡単な作業、しかも可視化されたプロファイルを参照しながらの選択作業で、変更後のプロファイルに係るボンディング用データを定めることができるようになる。   In this way, when the bonding data is stored in the database so that it can be reused and the bonding data change processing means is provided, the designer in the CAD data storage database stores the bonding data in the CAD system. Thus, the profile can be changed by selecting the bonding data. When the bonding data is selected, the profile can be displayed on the screen using the bonding data. Therefore, even a designer who has less knowledge about creating bonding data than a process engineer can easily select from the bonding data storage database, and select with reference to the visualized profile. In the work, it becomes possible to determine bonding data related to the changed profile.

このため、ワイヤ隙間検査やキャピラリ干渉検査で不具合が見つかっても、プロセス技術者の手を借りずに、設計者が、ボンディング用データ蓄積データベースを利用してプロファイルの変更作業を行うことができるので、設計側の作業負担能力の向上、製造側の作業負担の軽減、設計側と製造側との作業負担や作業分担の適正化、設計と製造をトータルで見た場合の作業時間の短縮、作業効率の向上、コスト削減という作用効果が、より一層得られるようになる。   For this reason, even if a defect is found in wire gap inspection or capillary interference inspection, the designer can change the profile using the bonding data storage database without the assistance of a process engineer. , Improvement of work load capacity on the design side, reduction of work load on the manufacturing side, optimization of work load and work sharing between the design side and the manufacturing side, reduction of work time when the design and manufacturing are viewed in total, work The effects of improving efficiency and reducing costs can be further obtained.

さらに、上記のようにボンディング用データをデータベースに蓄積し、再利用することができる構成とした場合において、ボンディング用データ蓄積データベースは、樹脂封止後の半導体パッケージをＸ線撮影装置で撮影して得られたＸ線写真データを用いて作成された樹脂封止後の実測形状データおよび／または樹脂封止前の半導体パッケージをカメラ撮影装置で撮影して得られたカメラ写真データを用いて作成された樹脂封止前の実測形状データを、前記ボンディング用データに対応させて記憶する構成とされ、ワイヤボンダ装置は、ワイヤボンダ制御手段によるキャピラリの動作制御処理で現在処理対象のボンディング用データを用いて実際に製造された半導体パッケージについての樹脂封止後の実測形状データおよび／または樹脂封止前の実測形状データを、現在処理対象のボンディング用データに対応させてボンディング用データ蓄積データベースに登録保存する処理を行う実測形状データ登録処理手段を備え、ＣＡＤシステムのプロファイル表示処理手段は、ボンディング用データ蓄積データベースに蓄積して記憶されたボンディング用データを用いて、設計段階のプロファイルを画面表示するとともに、このボンディング用データに対応してボンディング用データ蓄積データベースに蓄積して記憶された樹脂封止後の実測形状データおよび／または樹脂封止前の実測形状データを用いて、実測のプロファイルを画面表示する処理を行う構成とされていることが望ましい。   Further, in the case where the bonding data is stored in the database and can be reused as described above, the bonding data storage database is obtained by photographing the semiconductor package after resin sealing with an X-ray imaging apparatus. Created using the measured shape data after resin sealing created using the obtained X-ray photograph data and / or camera photo data obtained by photographing the semiconductor package before resin sealing with a camera photographing device. The measured shape data before resin sealing is stored in correspondence with the bonding data, and the wire bonder device actually uses the bonding data currently processed in the capillary operation control processing by the wire bonder control means. Measured shape data after resin sealing and / or resin sealing for semiconductor packages manufactured in Measured shape data registration processing means for performing processing for registering and storing previous measured shape data in the bonding data storage database in correspondence with bonding data to be processed at present, and the profile display processing means of the CAD system is for bonding Using the bonding data stored and stored in the data storage database, the profile at the design stage is displayed on the screen, and the resin sealing stored and stored in the bonding data storage database corresponding to this bonding data It is desirable to use a configuration in which the measured profile data is displayed on the screen using the measured shape data later and / or the measured shape data before resin sealing.

このように樹脂封止後の実測形状データおよび／または樹脂封止前の実測形状データについてもデータベースに蓄積し、再利用することができる構成とした場合には、設計段階のプロファイルのみならず、実測のプロファイルも画面表示させることができるので、設計者は、これらの情報を参照して初期設計に反映させることや、設計後におけるプロファイルの変更を含む修正作業に用いることが可能となり、より一層、初期設計の適正化、効率化が図られ、あるいは設計側の作業負担能力の向上、製造側の作業負担の軽減、設計側と製造側との作業負担や作業分担の適正化、設計と製造をトータルで見た場合の作業時間の短縮、作業効率の向上、コスト削減という作用効果が、さらにより一層得られるようになる。   In this way, when the measured shape data after resin sealing and / or the measured shape data before resin sealing is stored in the database and can be reused, not only the profile at the design stage, Since the measured profile can also be displayed on the screen, the designer can refer to this information and reflect it in the initial design, or use it for correction work including changing the profile after design. Optimization of initial design, efficiency improvement, improvement of work load capacity on the design side, reduction of work load on the manufacturing side, optimization of work load and work sharing between the design side and the manufacturing side, design and manufacturing The effects of shortening the working time, improving the working efficiency, and reducing the cost can be obtained even more.

そして、本発明は、以上に述べた半導体パッケージの設計・製造システムとして、コンピュータを機能させるためのプログラムである。   The present invention is a program for causing a computer to function as the semiconductor package design / manufacturing system described above.

なお、上記のプログラムまたはその一部は、例えば、光磁気ディスク（ＭＯ）、コンパクトディスク（ＣＤ）を利用した読出し専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、ＣＤレコーダブル（ＣＤ−Ｒ）、ＣＤリライタブル（ＣＤ−ＲＷ）、デジタル・バーサタイル・ディスク（ＤＶＤ）を利用した読出し専用メモリ（ＤＶＤ−ＲＯＭ）、ＤＶＤを利用したランダム・アクセス・メモリ（ＤＶＤ−ＲＡＭ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、磁気テープ、ハードディスク、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、電気的消去および書換可能な読出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュ・メモリ、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）等の記録媒体に記録して保存や流通等させることが可能であるとともに、例えば、ローカル・エリア・ネットワーク（ＬＡＮ）、メトロポリタン・エリア・ネットワーク（ＭＡＮ）、ワイド・エリア・ネットワーク（ＷＡＮ）、インターネット、イントラネット、エクストラネット等の有線ネットワーク、あるいは無線通信ネットワーク、さらにはこれらの組合せ等の伝送媒体を用いて伝送することが可能であり、また、搬送波に載せて搬送することも可能である。さらに、上記のプログラムは、他のプログラムの一部分であってもよく、あるいは別個のプログラムと共に記録媒体に記録されていてもよい。   The above-mentioned program or a part thereof is, for example, a magneto-optical disk (MO), a read-only memory (CD-ROM) using a compact disk (CD), a CD recordable (CD-R), a CD rewritable (CD -RW), read-only memory (DVD-ROM) using digital versatile disk (DVD), random access memory (DVD-RAM) using DVD, flexible disk (FD), magnetic tape, hard disk, It can be recorded on storage media such as read-only memory (ROM), electrically erasable and rewritable read-only memory (EEPROM), flash memory, and random access memory (RAM) for storage and distribution. And, for example, a local area network (LA ), A metropolitan area network (MAN), a wide area network (WAN), a wired network such as the Internet, an intranet, or an extranet, or a wireless communication network, or a combination thereof. It is also possible to carry it on a carrier wave. Furthermore, the above program may be a part of another program, or may be recorded on a recording medium together with a separate program.

以上に述べたように本発明によれば、ワイヤボンダ装置からＣＡＤシステムへのボンディング用データの送信処理およびこのボンディング用データを用いたＣＡＤシステムでのワイヤ隙間検査処理、並びにワイヤボンダ装置または仮想ワイヤボンダ制御手段からＣＡＤシステムへのキャピラリ軌跡座標データの送信処理およびこのキャピラリ軌跡座標データを用いたＣＡＤシステムでのキャピラリ干渉検査処理を行うので、設計側と製造側との作業負担や作業分担の適正化、設計側の作業負担能力の向上、製造側の作業負担の軽減、設計・製造の効率化、時間短縮、コスト削減を図ることができるという効果がある。   As described above, according to the present invention, the bonding data transmission process from the wire bonder apparatus to the CAD system, the wire gap inspection process in the CAD system using the bonding data, and the wire bonder apparatus or the virtual wire bonder control means Processing of capillary trajectory coordinate data from the CAD system to the CAD system and capillary interference inspection processing in the CAD system using this capillary trajectory coordinate data, so that the work load and work sharing between the design side and the manufacturing side are optimized, and the design It is possible to improve the work load capacity on the side, reduce the work load on the manufacturing side, increase the efficiency of design / manufacturing, reduce time, and reduce costs.

以下に本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。本実施形態は、キャピラリ軌跡座標データの算出処理を、ワイヤボンダ装置に設けられたワイヤボンダ制御手段により行う場合の構成例を、ワイヤボンダ装置４０（Ｘ型）を用いて示すとともに、ワイヤボンダ装置自体ではなく仮想ワイヤボンダ制御手段により行う場合の構成例を、ワイヤボンダ装置５０（Ｙ型）を用いて示すものである。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the present embodiment, a configuration example in which the calculation process of capillary trajectory coordinate data is performed by the wire bonder control means provided in the wire bonder device is shown using the wire bonder device 40 (X type), and not the wire bonder device itself but a virtual one. A configuration example in the case of using the wire bonder control means is shown using a wire bonder device 50 (Y type).

図１には、本実施形態の半導体パッケージの設計・製造システム１０の全体構成が示されている。図２には、システム１０による処理の流れがフローチャートで示されている。図３には、ボンディング座標データの内容の一例が示され、図４には、ボンディング用データの内容の一例が示されている。図５には、ボンディング用データ蓄積データベース３０への登録および蓄積データを用いたプロファイルの画面表示例が示されている。図６は、プロファイルの変更作業（各ワイヤへのプロファイル番号の割当て）および変更後のボンディング座標データの状態の説明図であり、図７は、プロファイルの変更作業（ボンディング用データ蓄積データベース３０の中からのプロファイルの選択）および変更後のボンディング用データの状態の説明図である。図８は、キャピラリ軌跡の例示図である。   FIG. 1 shows the overall configuration of a semiconductor package design / manufacturing system 10 of this embodiment. FIG. 2 is a flowchart showing the flow of processing by the system 10. FIG. 3 shows an example of the content of bonding coordinate data, and FIG. 4 shows an example of the content of bonding data. FIG. 5 shows a screen display example of a profile using registration and storage data in the bonding data storage database 30. FIG. 6 is an explanatory diagram of the profile change work (assignment of profile numbers to each wire) and the state of the bonding coordinate data after the change. FIG. 7 shows the profile change work (in the bonding data storage database 30). FIG. 6 is an explanatory diagram of the state of data for bonding after the selection of the profile) and the change. FIG. 8 is an illustration of capillary trajectories.

図１において、半導体パッケージの設計・製造システム１０は、設計者が操作するＣＡＤシステム２０と、プロセス技術者が操作するＸ型のワイヤボンダ装置４０およびＹ型のワイヤボンダ装置５０とが、ネットワーク１で接続されて構成されている。また、ＣＡＤシステム２０には、仮想ワイヤボンダ制御手段６０が接続されている。   In FIG. 1, a semiconductor package design / manufacturing system 10 includes a CAD system 20 operated by a designer and an X-type wire bonder device 40 and a Y-type wire bonder device 50 operated by a process engineer connected via a network 1. Has been configured. Further, the virtual wire bonder control means 60 is connected to the CAD system 20.

ネットワーク１は、例えば、インターネット、イントラネット、エクストラネット、ＬＡＮ、ＭＡＮ、ＷＡＮ、あるいはこれらの組合せ等であり、有線であるか無線であるか、さらには有線および無線の混在型であるかは問わない。なお、接続は、常時接続に限定されるものではない。   The network 1 is, for example, the Internet, an intranet, an extranet, a LAN, a MAN, a WAN, or a combination thereof. . The connection is not limited to a constant connection.

ＣＡＤシステム２０は、１台または複数台のコンピュータにより構成され、半導体パッケージの設計や検査に関する各種処理を行う処理手段２０Ａと、この処理手段２０Ａに接続されたボンディング用データ蓄積データベース３０および作業用データ記憶手段３１とを備えている。なお、ＣＡＤシステム２０は、マウスやキーボード等の入力手段と、液晶ディスプレイやＣＲＴディスプレイ等の表示手段と、プリンタやプロッタ等の出力手段とを備えている。   The CAD system 20 is composed of one or a plurality of computers, and includes a processing means 20A for performing various processes relating to semiconductor package design and inspection, a bonding data storage database 30 and work data connected to the processing means 20A. Storage means 31. The CAD system 20 includes input means such as a mouse and a keyboard, display means such as a liquid crystal display and a CRT display, and output means such as a printer and a plotter.

処理手段２０Ａは、ボンディング座標データ送信処理手段２１と、データベース管理処理手段２２と、ワイヤ隙間検査処理手段２３と、プロファイル変更処理手段２４と、ワイヤ隙間検査後データ送信処理手段２５と、キャピラリ干渉検査処理手段２６と、キャピラリ干渉検査後データ送信処理手段２７とを含んで構成されている。   The processing unit 20A includes a bonding coordinate data transmission processing unit 21, a database management processing unit 22, a wire gap inspection processing unit 23, a profile change processing unit 24, a data transmission processing unit 25 after wire gap inspection, and a capillary interference inspection. The processing unit 26 and the data transmission processing unit 27 after capillary interference inspection are included.

ボンディング座標データ送信処理手段２１は、設計者により作成されたボンディング座標データ（図３参照）を、ネットワーク１を介してワイヤボンダ装置４０，５０へ送信する処理を行うものである。   The bonding coordinate data transmission processing means 21 performs processing for transmitting bonding coordinate data (see FIG. 3) created by the designer to the wire bonder devices 40 and 50 via the network 1.

ここで、ボンディング座標データは、ファーストボンディング側（例えばチップ側）およびセカンドボンディング側（例えば基板側）のボンディングポイントの平面座標データ（（Ｘ，Ｙ）座標データ）と、各ワイヤのファーストボンディング側のボンディングポイントとセカンドボンディング側のボンディングポイントとの連結情報とを含んでいる。より詳細には、ボンディング座標データは、例えば、図３に示すように、ボンディング座標データを格納したファイルのファイル名を含み、基板側のパッド群（ボンディングポイント群）の情報として、パッド群の名称（例えば「Ｐ０」）、２点のアライメント座標（（Ｘ，Ｙ）座標データ）、ボンディングポイント数（パッド数）、各ボンディングポイントの座標（（Ｘ，Ｙ）座標データ）を含み、チップ側のパッド群（ボンディングポイント群）の情報として、パッド群の名称（例えば「Ｐ１」）、２点のアライメント座標（（Ｘ，Ｙ）座標データ）、ボンディングポイント数（パッド数）、各ボンディングポイントの座標（（Ｘ，Ｙ）座標データ）を含んでいる。図３の例では、パッド群「Ｐ０」のボンディングポイント数は、１４１個であり、「Ｂ０００１」という識別情報で識別されるボンディングポイントの座標が、（Ｘ，Ｙ）＝（３９８０，−３１５９）となっている。また、ボンディング座標データは、各ワイヤのチップ側のボンディングポイントと基板側のボンディングポイントとの連結情報と、ワイヤボンディングの順序（各ワイヤを打つ順序）を示す情報を含んでいる。図３の例では、「Ｗ０００１」という識別情報で識別されるワイヤは、パッド群「Ｐ１」のボンディングポイント「Ｂ０００１」と、パッド群「Ｐ０」のボンディングポイント「Ｂ０００１」とを連結して形成されるという情報が示されるとともに、「Ｗ０００１」，「Ｗ０００２」，「Ｗ０００３」，…というデータの記載順で、ワイヤボンディングの順序が示されている。さらに、ボンディング座標データは、各ワイヤを同一のプロファイル（ワイヤの立面形状であり、ワイヤのループ形状とも称される。）を適用するワイヤで束ねてグループ化した際のグループ数と、各グループに属するワイヤを示す情報とを含んでいる。図３の例では、グループ数は２となっているので、２つのプロファイルが使用され、「Ｇ０００１」という識別情報で識別されるグループには、ワイヤ「Ｗ０００１」，「Ｗ０００２」，「Ｗ０００３」，…，「Ｗ００６９」が属し、グループ「Ｇ０００２」には、ワイヤ「Ｗ００７０」，「Ｗ００７１」，…，「Ｗ０１４１」が属していることが示されている。   Here, the bonding coordinate data includes the plane coordinate data ((X, Y) coordinate data) of the bonding points on the first bonding side (for example, the chip side) and the second bonding side (for example, the substrate side), and the first bonding side of each wire. The connection information of the bonding point and the bonding point on the second bonding side is included. More specifically, the bonding coordinate data includes, for example, the file name of the file storing the bonding coordinate data, as shown in FIG. 3, and the name of the pad group as information on the pad group (bonding point group) on the substrate side. (For example, “P0”), including two alignment coordinates ((X, Y) coordinate data), the number of bonding points (number of pads), and the coordinates of each bonding point ((X, Y) coordinate data). As information of the pad group (bonding point group), the name of the pad group (for example, “P1”), two alignment coordinates ((X, Y) coordinate data), the number of bonding points (pad number), and the coordinates of each bonding point ((X, Y) coordinate data). In the example of FIG. 3, the number of bonding points of the pad group “P0” is 141, and the coordinates of the bonding points identified by the identification information “B0001” are (X, Y) = (3980, −3159). It has become. Further, the bonding coordinate data includes connection information between the bonding point on the chip side and the bonding point on the substrate side of each wire, and information indicating the order of wire bonding (order of hitting each wire). In the example of FIG. 3, the wire identified by the identification information “W0001” is formed by connecting the bonding point “B0001” of the pad group “P1” and the bonding point “B0001” of the pad group “P0”. And the order of wire bonding is shown in the order of description of data “W0001”, “W0002”, “W0003”,. Further, the bonding coordinate data includes the number of groups when each wire is bundled and grouped with wires to which the same profile (wire elevation shape, also referred to as a wire loop shape) is applied, and each group. Information indicating the wires belonging to. In the example of FIG. 3, since the number of groups is 2, two profiles are used, and groups identified by identification information “G0001” include wires “W0001”, “W0002”, “W0003”, .., “W0069” belongs, and it is shown that the wires “W0070”, “W0071”,..., “W0141” belong to the group “G0002”.

データベース管理処理手段２２は、ボンディング用データ蓄積データベース３０についての各種の管理処理を行うものであり、ボンディング用データ登録処理手段２２Ａと、プロファイル表示処理手段２２Ｂとを含んで構成されている。   The database management processing means 22 performs various management processes for the bonding data storage database 30, and includes a bonding data registration processing means 22A and a profile display processing means 22B.

ボンディング用データ登録処理手段２２Ａは、ワイヤボンダ装置４０，５０からネットワーク１を介して送信されてきた現在処理対象のボンディング用データ（つまり、今、現在、製造対象となっている半導体パッケージについてのボンディング用データ）を、ボンディング用データ蓄積データベース３０に登録保存する処理を行うものである。本実施形態では、一例として、ワイヤボンダ装置４０，５０からネットワーク１を介して送信されてきた現在処理対象のボンディング用データは、作業用データ記憶手段３１に一時的に記憶されるので、作業用データ記憶手段３１に記憶された現在処理対象のボンディング用データを、ボンディング用データ蓄積データベース３０へ蓄積保存して次回以降の処理で使用できるようにするものである。   The bonding data registration processing means 22A is the bonding data that is currently processed and transmitted from the wire bonder devices 40 and 50 via the network 1 (that is, the bonding data for the semiconductor package that is currently being manufactured). Data) is registered and stored in the data storage database 30 for bonding. In this embodiment, as an example, the bonding data that is currently processed and transmitted from the wire bonder devices 40 and 50 via the network 1 is temporarily stored in the work data storage means 31, so that the work data The bonding data that is currently processed and stored in the storage means 31 is accumulated and saved in the bonding data accumulation database 30 so that it can be used in subsequent processes.

プロファイル表示処理手段２２Ｂは、ボンディング用データ蓄積データベース３０に蓄積して記憶されたボンディング用データ、または作業用データ記憶手段３１に一時的に記憶されている現在処理対象のボンディング用データを用いて、プロファイルを画面表示（画面上での図形表示）する処理を行うものである（図５参照）。   The profile display processing unit 22B uses the bonding data stored and stored in the bonding data storage database 30 or the bonding data currently processed that is temporarily stored in the work data storage unit 31. The profile is displayed on the screen (graphic display on the screen) (see FIG. 5).

ワイヤ隙間検査処理手段２３は、設計者により作成されたボンディング座標データ（図３参照）、つまり平面情報と、プロセス技術者により作成されてワイヤボンダ装置４０，５０からネットワーク１を介して送信されてきた現在処理対象のボンディング用データ（図４参照）、つまり立面情報とを用いて、半導体パッケージの３次元設計データを作成し、この３次元設計データを用いて、ワイヤどうしの間、あるいはワイヤとチップとの間等のオブジェクト間の３次元隙間の算出および画面表示を含む処理を行うものである。なお、ＣＡＤシステムにおいて、ワイヤやチップ等のオブジェクト間の３次元隙間を算出する処理は、公知技術であるため（例えば、本願出願人による特開２００６−１４７８０８号公報等参照）、ここでは詳しい説明は省略する。   The wire gap inspection processing means 23 has been generated by bonding coordinate data (see FIG. 3) created by the designer, that is, plane information, and is created by the process engineer and transmitted from the wire bonder devices 40 and 50 via the network 1. Using the bonding data currently being processed (see FIG. 4), that is, elevation information, three-dimensional design data of the semiconductor package is created, and between the wires or between the wires using the three-dimensional design data Processing including calculation of a three-dimensional gap between objects such as a chip and screen display is performed. In the CAD system, since the processing for calculating a three-dimensional gap between objects such as wires and chips is a known technique (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-147808 by the applicant of the present application), a detailed description is given here. Is omitted.

プロファイル変更処理手段２４は、設計者の操作に基づきプロファイルの変更処理を行うものであり、ボンディング座標データ変更処理手段２４Ａと、プロファイル表示処理手段２４Ｂと、ボンディング用データ変更処理手段２４Ｃとを含んで構成されている。   The profile change processing means 24 performs profile change processing based on the operation of the designer, and includes a bonding coordinate data change processing means 24A, a profile display processing means 24B, and a bonding data change processing means 24C. It is configured.

ボンディング座標データ変更処理手段２４Ａは、プロファイルの変更に伴ってボンディング座標データ（図３参照）の内容を変更する処理を行うものである。具体的には、ボンディング座標データ変更処理手段２４Ａは、本実施形態では、一例として、設計者による各ワイヤについてのプロファイル番号（グループ識別情報「Ｇ０００１」、「Ｇ０００２」に対応する番号であり、同一のグループに属するワイヤには、同一のプロファイルが適用されるので、グループ番号と考えてもよい。）の変更入力を受け付け、その変更入力に従って、ボンディング座標データの中のワイヤのグループ化情報の内容を変更する（図６参照）。   The bonding coordinate data change processing unit 24A performs processing for changing the content of the bonding coordinate data (see FIG. 3) in accordance with the change of the profile. Specifically, in the present embodiment, the bonding coordinate data change processing unit 24A is, for example, a profile number (group identification information “G0001”, “G0002” corresponding to the group identification information “G0002” by the designer, and the same. Since the same profile is applied to the wires belonging to this group, it may be considered a group number.) According to the change input, the contents of the wire grouping information in the bonding coordinate data are accepted. Is changed (see FIG. 6).

プロファイル表示処理手段２４Ｂは、プロファイルを変更しようとしている設計者が、プロファイル、つまりワイヤの立面形状を、画面上で図形の状態で参照しながら、プロファイルの選択作業を行うことができるようにするため、ボンディング用データ蓄積データベース３０に蓄積して記憶されたボンディング用データを用いて、プロファイルを画面表示する処理を行うものである（図７参照）。具体的には、プロファイル表示処理手段２４Ｂは、本実施形態では、一例として、ボンディング用データ変更処理手段２４Ｃによる検索で得られたボンディング用データを用いて、プロファイルを画面表示する。   The profile display processing unit 24B allows the designer who is changing the profile to perform profile selection work while referring to the profile, that is, the elevational shape of the wire, in the form of a graphic on the screen. Therefore, processing for displaying the profile on the screen is performed using the bonding data stored and stored in the bonding data storage database 30 (see FIG. 7). Specifically, in this embodiment, the profile display processing unit 24B displays the profile on the screen using the bonding data obtained by the search by the bonding data change processing unit 24C as an example.

ボンディング用データ変更処理手段２４Ｃは、ボンディング用データ蓄積データベース３０に記憶されたボンディング用データの中からの設計者によるプロファイルの変更のための選択入力を受け付け、現在処理対象のボンディング用データの内容を変更する処理を行うものである。具体的には、ボンディング用データ変更処理手段２４Ｃは、本実施形態では、一例として、設計者によるデータベース検索のための条件入力を受け付け、検索して得られたボンディング用データにより、現在処理対象のボンディング用データの内容を変更する。   The bonding data change processing means 24C receives a selection input for changing the profile by the designer from the bonding data stored in the bonding data storage database 30, and displays the contents of the bonding data currently being processed. The process to change is performed. Specifically, in this embodiment, for example, the bonding data change processing unit 24C accepts a condition input for searching a database by a designer, and the bonding data obtained by the search is used as a current processing target. Change the content of the bonding data.

ワイヤ隙間検査後データ送信処理手段２５は、ワイヤ隙間検査処理手段２３によるワイヤ隙間検査後（検査結果がＯＫとなった場合）のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、ネットワーク１を介してＸ型のワイヤボンダ装置４０へ送信する処理、あるいはＹ型のワイヤボンダ装置５０に専用の仮想ワイヤボンダ制御手段６０へ送信する処理を行うものである。   The data transmission processing means 25 after wire gap inspection transmits the bonding coordinate data after the wire gap inspection by the wire gap inspection processing means 23 (when the inspection result is OK) and the bonding data to be currently processed via the network 1. Then, a process for transmitting to the X-type wire bonder device 40 or a process for transmitting to the Y-type wire bonder device 50 to the dedicated virtual wire bonder control means 60 is performed.

キャピラリ干渉検査処理手段２６は、ワイヤボンダ装置４０からネットワーク１を介して送信されてきたキャピラリ軌跡座標データ、あるいはＹ型専用の仮想ワイヤボンダ制御手段６０から出力されたキャピラリ軌跡座標データ、並びにワイヤ隙間検査処理手段２３によるワイヤ隙間検査後（検査結果がＯＫとなった場合）のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリと各ワイヤやチップ等のオブジェクトとの干渉を示すデータの算出および画面表示を含む処理を行うものである。なお、ＣＡＤシステムにおいて、キャピラリと各ワイヤやチップ等のオブジェクトとの干渉を示すデータを算出する処理は、前述したワイヤ隙間検査処理手段２３によるワイヤやチップ等のオブジェクト間の３次元隙間を算出する処理と同様に行うことができるため、つまり、干渉を検査する対象となるオブジェクトが、キャピラリに変わっただけであるため、ここでは詳しい説明は省略する。   The capillary interference inspection processing means 26 is capillary trajectory coordinate data transmitted from the wire bonder device 40 via the network 1, or capillary trajectory coordinate data output from the Y-type virtual wire bonder control means 60, and wire gap inspection processing. Using the bonding coordinate data after the wire gap inspection by the means 23 (when the inspection result is OK) and the bonding data currently being processed, calculation of data indicating interference between the capillary and each object such as a wire or a chip. And processing including screen display. In the CAD system, the processing for calculating the data indicating the interference between the capillary and each object such as a wire and a chip is to calculate the three-dimensional gap between the objects such as the wire and the chip by the wire gap inspection processing means 23 described above. Since the processing can be performed in the same manner as the processing, that is, the object to be inspected for interference is merely changed to a capillary, detailed description is omitted here.

キャピラリ干渉検査後データ送信処理手段２７は、キャピラリ干渉検査処理手段２６によるキャピラリ干渉検査後（検査結果がＯＫとなった場合）のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、ネットワーク１を介してワイヤボンダ装置４０，５０へ送信する処理を行うものである。   The post-capillary interference inspection data transmission processing means 27 sends the bonding coordinate data after the capillary interference inspection by the capillary interference inspection processing means 26 (when the inspection result is OK) and the bonding data currently being processed via the network 1. Then, processing to transmit to the wire bonder devices 40 and 50 is performed.

ボンディング用データ蓄積データベース３０は、プロセス技術者により作成されてワイヤボンダ装置４０，５０からネットワーク１を介して送信されてきたボンディング用データを蓄積して記憶するものである。なお、Ｘ型、Ｙ型のワイヤボンダ装置４０，５０の相違がボンディング用データに現れる場合には、Ｘ型のワイヤボンダ装置４０のためのボンディング用データと、Ｙ型のワイヤボンダ装置５０のためのボンディング用データとを、分けて蓄積記憶することが好ましい。   The bonding data accumulation database 30 accumulates and stores bonding data created by a process engineer and transmitted from the wire bonder devices 40 and 50 via the network 1. If a difference between the X-type and Y-type wire bonder devices 40 and 50 appears in the bonding data, the bonding data for the X-type wire bonder device 40 and the bonding data for the Y-type wire bonder device 50 are used. It is preferable to store and store data separately.

作業用データ記憶手段３１は、設計者により作成されたボンディング座標データ（図３参照）、あるいはプロセス技術者により作成されてワイヤボンダ装置４０，５０からネットワーク１を介して送信されてきた現在処理対象のボンディング用データ（図４参照）、さらには、ワイヤボンダ装置４０からネットワーク１を介して送信されてきたキャピラリ軌跡座標データまたはＹ型専用の仮想ワイヤボンダ制御手段６０から出力されたキャピラリ軌跡座標データ、その他の作業中のデータを、一時的に記憶するものである。但し、ここでいう一時的な記憶とは、必ずしも例えば主メモリのような揮発性メモリへの記憶のみを差すものではなく、例えばハードディスク等の不揮発性の記憶手段への記憶も含まれ、要するに、データベースとしての蓄積保存ではないという意味である。   The work data storage means 31 is the bonding coordinate data created by the designer (see FIG. 3) or the current processing target created by the process engineer and transmitted from the wire bonder devices 40 and 50 via the network 1. Bonding data (see FIG. 4), capillary trajectory coordinate data transmitted from the wire bonder device 40 via the network 1, or capillary trajectory coordinate data output from the Y-type virtual wire bonder control means 60, Data during work is temporarily stored. However, temporary storage here does not necessarily mean only storage in a volatile memory such as a main memory, but also includes storage in a non-volatile storage means such as a hard disk. It means that it is not stored as a database.

なお、図示は省略されているが、ワイヤボンダ装置４０からネットワーク１を介して送信されてきたキャピラリ軌跡座標データまたはＹ型専用の仮想ワイヤボンダ制御手段６０から出力されたキャピラリ軌跡座標データを蓄積して記憶するキャピラリ軌跡座標データ蓄積データベースを設けてもよい。   Although not shown, the capillary trajectory coordinate data transmitted from the wire bonder device 40 via the network 1 or the capillary trajectory coordinate data output from the Y-type virtual wire bonder control means 60 is accumulated and stored. A capillary trajectory coordinate data accumulation database may be provided.

そして、以上において、ＣＡＤシステム２０の処理手段２０Ａに含まれる各処理手段２１〜２７は、ＣＡＤシステム２０を構成するコンピュータ本体の内部に設けられた中央演算処理装置（ＣＰＵ）、およびこのＣＰＵの動作手順を規定する１つまたは複数のプログラムにより実現される。   In the above, the processing means 21 to 27 included in the processing means 20A of the CAD system 20 are the central processing unit (CPU) provided inside the computer main body constituting the CAD system 20, and the operation of this CPU. Implemented by one or more programs that define the procedure.

また、ボンディング用データ蓄積データベース３０や図示されないキャピラリ軌跡座標データ蓄積データベースは、例えばハードディスク等により好適に実現されるが、記憶容量やアクセス速度等に問題が生じない範囲であれば、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュ・メモリ、ＭＯ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＦＤ、磁気テープ、あるいはこれらの組合せ等を採用してもよい。さらに、作業用データ記憶手段３１は、前述したように、主メモリでもよく、あるいはハードディスク等でもよい。   The bonding data storage database 30 and the capillary trajectory coordinate data storage database (not shown) are preferably realized by, for example, a hard disk or the like. However, as long as there is no problem in storage capacity, access speed, etc., EEPROM, flash memory A memory, MO, CD-R, CD-RW, DVD-RAM, FD, magnetic tape, or a combination thereof may be employed. Further, as described above, the work data storage means 31 may be a main memory, a hard disk, or the like.

Ｘ型、Ｙ型のワイヤボンダ装置４０，５０は、ワイヤボンディングを実行する装置であり、ボンディング用データ送信処理手段４１，５１と、ワイヤボンダ制御手段４２，５２とを含んで構成されている。   The X-type and Y-type wire bonder devices 40 and 50 are devices that perform wire bonding, and include bonding data transmission processing means 41 and 51 and wire bonder control means 42 and 52.

ボンディング用データ送信処理手段４１，５１は、ＣＡＤシステム２０からネットワーク１を介して送信されてきたボンディング座標データ（図３参照）を用いてプロセス技術者により作成された現在処理対象のボンディング用データ（図４参照）を、ネットワーク１を介してＣＡＤシステム２０へ送信する処理を行うものである。   The bonding data transmission processing means 41 and 51 use the bonding coordinate data (see FIG. 3) transmitted from the CAD system 20 via the network 1 and are currently processed processing bonding data (see FIG. 3). 4) is transmitted to the CAD system 20 via the network 1.

ここで、ボンディング用データは、図４に示すように、ワイヤの立面形状（ループ形状）を示すプロファイルの種類を識別するためのプロファイルタイプと、プロファイルの詳細を定めるためのループパラメータと、ワイヤボンディングを行う際の圧力やスパーク等に関する情報であるボンディングコンディションとを含んでいる。また、ボンディング用データは、プロファイル毎に用意され、各プロファイルにつき、それぞれプロファイルタイプ、ループパラメータ、ボンディングコンディションが定められている。図４の例では、ボンディング用データとして、識別情報が「Ｇ０００１」のグループに属するワイヤに適用されるプロファイルについてのプロファイルタイプ、ループパラメータ、ボンディングコンディションと、識別情報が「Ｇ０００２」のグループに属するワイヤに適用されるプロファイルについてのプロファイルタイプ、ループパラメータ、ボンディングコンディションとが定めされている。   Here, as shown in FIG. 4, the bonding data includes a profile type for identifying the profile type indicating the elevational shape (loop shape) of the wire, a loop parameter for defining the profile details, a wire It includes a bonding condition that is information on pressure, spark, and the like when performing bonding. Bonding data is prepared for each profile, and profile type, loop parameter, and bonding condition are defined for each profile. In the example of FIG. 4, as the bonding data, the profile type, the loop parameter, the bonding condition for the profile applied to the wire belonging to the group whose identification information is “G0001”, and the wire belonging to the group whose identification information is “G0002”. A profile type, a loop parameter, and a bonding condition for a profile applied to the above are defined.

Ｘ型のワイヤボンダ装置４０のワイヤボンダ制御手段４２は、ＣＡＤシステム２０からネットワーク１を介して送信されてきたワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリ軌跡座標データを算出し、算出したキャピラリ軌跡座標データをネットワーク１を介してＣＡＤシステム２０へ送信する処理を行うとともに、その後、ＣＡＤシステム２０からネットワーク１を介して送信されてきたキャピラリ干渉検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリの動作制御処理を行うものである。   The wire bonder control means 42 of the X-type wire bonder device 40 uses the bonding coordinate data after the wire gap inspection transmitted from the CAD system 20 via the network 1 and the bonding data to be processed at present, and the capillary trajectory coordinate data. Is calculated, and the calculated capillary locus coordinate data is transmitted to the CAD system 20 via the network 1, and then the bonding coordinate data after capillary interference inspection transmitted from the CAD system 20 via the network 1 is performed. In addition, the operation control processing of the capillary is performed using the bonding data to be processed at present.

ここで、キャピラリ軌跡座標データは、キャピラリ先端部の軌跡中の少なくとも特定点の３次元座標データを含むデータであり、各ワイヤのそれぞれについての幾つかの（Ｘ，Ｙ，Ｚ）座標データである（図８参照）。特定点は、本実施形態では、一例として、ほぼ正確なキャピラリ軌跡を描くのに必要な点、すなわち軌跡の両端の点および屈曲点とされ、これらの点を直線や楕円（または円）で結ぶことで、キャピラリ干渉検査を行ううえで支障が出ない程度に正確なキャピラリ軌跡を描くことができる点とされている。但し、１本１本のワイヤについてのデータ数を増やして、より正確なキャピラリ軌跡を描くことができるようにしてもよい。   Here, the capillary trajectory coordinate data is data including at least three-dimensional coordinate data of a specific point in the trajectory of the capillary tip, and is some (X, Y, Z) coordinate data for each wire. (See FIG. 8). In the present embodiment, the specific points are, for example, points necessary for drawing a substantially accurate capillary locus, that is, points at both ends of the locus and bending points, and these points are connected by a straight line or an ellipse (or circle). Thus, it is said that an accurate capillary trajectory can be drawn to such an extent that it does not hinder the capillary interference inspection. However, the number of data for each wire may be increased so that a more accurate capillary trajectory can be drawn.

Ｙ型のワイヤボンダ装置５０のワイヤボンダ制御手段５２は、ＣＡＤシステム２０からネットワーク１を介して送信されてきたキャピラリ干渉検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリの動作制御処理を行うものである。従って、Ｘ型のワイヤボンダ装置４０のワイヤボンダ制御手段４２とは異なり、キャピラリ軌跡座標データを算出してネットワーク１を介してＣＡＤシステム２０へ送信する処理を行う機能は備えていない。   The wire bonder control means 52 of the Y-type wire bonder device 50 controls the operation of the capillary using bonding coordinate data after capillary interference inspection and data for bonding currently processed, transmitted from the CAD system 20 via the network 1. The processing is performed. Therefore, unlike the wire bonder control means 42 of the X-type wire bonder device 40, it does not have a function of performing processing for calculating capillary locus coordinate data and transmitting it to the CAD system 20 via the network 1.

そして、以上において、ワイヤボンダ装置４０，５０に設けられたボンディング用データ送信処理手段４１，５１およびワイヤボンダ制御手段４２，５２は、例えば、ワイヤボンダ装置４０，５０の演算部を構成するコンピュータ（汎用コンピュータでもよい。）の内部に設けられた中央演算処理装置（ＣＰＵ）、およびこのＣＰＵの動作手順を規定する１つまたは複数のプログラムにより実現され、あるいはワイヤボンダ装置４０，５０の演算部を構成する専用のハードウェア（制御ボード等）により実現される。   In the above description, the bonding data transmission processing means 41 and 51 and the wire bonder control means 42 and 52 provided in the wire bonder devices 40 and 50 are, for example, computers (also general-purpose computers) constituting the calculation unit of the wire bonder devices 40 and 50. It is realized by a central processing unit (CPU) provided inside the control unit and one or a plurality of programs that define the operation procedure of the CPU, or a dedicated processing unit for the wire bonder devices 40 and 50. It is realized by hardware (control board or the like).

仮想ワイヤボンダ制御手段６０は、ＣＡＤシステム２０に接続され、キャピラリ先端部の軌跡中の少なくとも特定点の３次元座標データを算出する処理について、Ｙ型のワイヤボンダ装置５０に設けられたワイヤボンダ制御手段５２と同一の処理を行い、キャピラリ先端部の軌跡中の少なくとも特定点の座標データを含むキャピラリ軌跡座標データを、ＣＡＤシステム２０へ出力する処理を行うものである。この仮想ワイヤボンダ制御手段６０は、本実施形態では、一例として、Ｙ型ワイヤボンダ装置専用の制御ボードにより構成されているが、ソフトウェアにより実現してもよく、例えば、ＣＡＤシステム２０を構成するコンピュータ本体の内部に設けられた中央演算処理装置（ＣＰＵ）、およびこのＣＰＵの動作手順を規定する１つまたは複数のプログラムにより実現してもよい。   The virtual wire bonder control means 60 is connected to the CAD system 20 and is connected to the wire bonder control means 52 provided in the Y-type wire bonder device 50 for the process of calculating the three-dimensional coordinate data of at least a specific point in the locus of the capillary tip. The same processing is performed, and processing for outputting capillary trajectory coordinate data including coordinate data of at least a specific point in the trajectory of the capillary tip is performed to the CAD system 20. In the present embodiment, the virtual wire bonder control means 60 is configured by a control board dedicated to the Y-type wire bonder as an example. However, the virtual wire bonder control means 60 may be realized by software, for example, a computer main body constituting the CAD system 20. You may implement | achieve by the central processing unit (CPU) provided inside, and the 1 or several program which prescribes | regulates the operation | movement procedure of this CPU.

このような本実施形態においては、以下のようにして半導体パッケージの設計・製造システム１０により、半導体パッケージの設計、検査、製造に関する一連の処理が行われる。Ｘ型のワイヤボンダ装置４０を用いてワイヤボンディングが行われる場合と、Ｙ型のワイヤボンダ装置５０を用いてワイヤボンディングが行われる場合とは、一部の処理の流れが異なるだけであるため、ここでは、Ｘ型のワイヤボンダ装置４０の場合の処理を中心として説明し、異なる処理が行われる工程についてのみ、Ｙ型のワイヤボンダ装置５０の場合の処理を説明するものとする。   In this embodiment, a series of processes related to the design, inspection, and manufacture of a semiconductor package are performed by the semiconductor package design / manufacturing system 10 as follows. The case where wire bonding is performed using the X-type wire bonder device 40 and the case where wire bonding is performed using the Y-type wire bonder device 50 differ only in part of the processing flow. The process in the case of the X-type wire bonder apparatus 40 will be mainly described, and the process in the case of the Y-type wire bonder apparatus 50 will be described only for the processes in which different processes are performed.

図２において、先ず、設計者は、ＣＡＤシステム２０を用いて、アライメント座標、各ボンディングポイントの座標、各ワイヤの一端側と他端側のボンディングポイントの連結の仕方、ワイヤボンディングの順序、各ワイヤのグループ等を定め、これらの情報を含むボンディング座標データ（図３参照）を作成する。そして、作成されたボンディング座標データは、設計者の送信指示またはプロセス技術者からの送信要求に基づき、ボンディング座標データ送信処理手段２１により、ネットワーク１を介してワイヤボンダ装置４０へ送信される（ステップＳ１）。   In FIG. 2, the designer first uses the CAD system 20 to align the alignment coordinates, the coordinates of each bonding point, how to connect the bonding points on one end and the other end of each wire, the order of wire bonding, and each wire. And a bonding coordinate data (see FIG. 3) including these pieces of information is created. The created bonding coordinate data is transmitted to the wire bonder device 40 via the network 1 by the bonding coordinate data transmission processing unit 21 based on a transmission instruction from the designer or a transmission request from a process engineer (step S1). ).

次に、プロセス技術者（ワイヤボンダ装置のエンジニア）は、ワイヤボンダ装置４０で、ＣＡＤシステム２０からネットワーク１を介して送信されてきたボンディング座標データ（図３参照）を用いて、ワイヤのグループ毎に、プロファイルタイプ、ループパラメータ、ボンディングコンディションを定め、現在処理対象のボンディング用データ（図４参照）を作成する。そして、作成されたボンディング用データは、プロセス技術者の送信指示または設計者からの送信要求に基づき、ボンディング用データ送信処理手段４１，５１により、ネットワーク１を介してＣＡＤシステム２０へ送信される（ステップＳ２）。送信されたボンディング用データは、ＣＡＤシステム２０の作業用データ記憶手段３１に格納される。   Next, the process engineer (wire bonder engineer) uses the bonding coordinate data (see FIG. 3) transmitted from the CAD system 20 via the network 1 in the wire bonder 40 for each group of wires. The profile type, loop parameter, and bonding condition are determined, and bonding data (see FIG. 4) to be processed is created. The created bonding data is transmitted to the CAD system 20 via the network 1 by the bonding data transmission processing means 41 and 51 based on a transmission instruction from the process engineer or a transmission request from the designer ( Step S2). The transmitted bonding data is stored in the work data storage means 31 of the CAD system 20.

続いて、設計者は、ＣＡＤシステム２０を用いて、図５に示したボンディング用データ蓄積データベース管理画面１００を画面上に表示させ、この画面１００に設けられた「登録」ボタン１０１をクリックする。すると、ボンディング用データ登録処理手段２２Ａにより、ワイヤボンダ装置４０からネットワーク１を介して送信されてきた現在処理対象のボンディング用データ、すなわち作業用データ記憶手段３１に記憶されているボンディング用データが、ボンディング用データ蓄積データベース３０へ登録保存される（ステップＳ３）。例えば、現在処理対象のボンディング用データが、図４に示すようにプロファイルタイプαのプロファイル（グループ「Ｇ０００１」に属するワイヤのプロファイル）に係るデータと、プロファイルタイプβのプロファイル（グループ「Ｇ０００２」に属するワイヤのプロファイル）に係るデータとを含んで構成されている場合には、図５に示すように、プロファイルタイプαのボンディング用データ（図示の例では、インデックス「５」）と、プロファイルタイプβのボンディング用データ（図示の例では、インデックス「６」）とが、ボンディング用データ蓄積データベース３０へ登録保存される。この際、プロファイル表示処理手段２２Ｂにより、作業用データ記憶手段３１に記憶されている現在処理対象のボンディング用データを用いて、プロファイルを図形化して画面表示し、登録対象のプロファイルの立面形状を図形で確認してから、登録を行うようにしてもよい。   Subsequently, the designer uses the CAD system 20 to display the bonding data storage database management screen 100 shown in FIG. 5 on the screen, and clicks a “register” button 101 provided on the screen 100. Then, the bonding data registration processing means 22A sends the bonding data currently processed and transmitted from the wire bonder device 40 via the network 1, that is, the bonding data stored in the work data storage means 31 to the bonding data. Registered and stored in the data storage database 30 (step S3). For example, as shown in FIG. 4, the bonding data currently processed is data related to a profile of profile type α (wire profile belonging to group “G0001”) and a profile of profile type β (group “G0002”). 5, the data for bonding of profile type α (index “5” in the illustrated example) and the profile type β are shown in FIG. Bonding data (index “6” in the illustrated example) is registered and stored in the bonding data storage database 30. At this time, the profile display processing unit 22B uses the bonding data to be processed currently stored in the work data storage unit 31 to display the profile as a figure and display the elevation of the registration target profile. You may make it register after confirming with a figure.

また、設計者は、ボンディング用データ蓄積データベース３０に登録されたボンディング用データの内容を確認することができる（ステップＳ３）。設計者が、図５に示したボンディング用データ蓄積データベース管理画面１００上で、登録されたボンディング用データを選択し（図示の例では、インデックス「５」のプロファイルタイプαのボンディング用データが選択されている。）、この画面１００に設けられた「詳細」ボタン１０２をクリックすると、図５に示すようなボンディング用データ蓄積データベース表示画面１１０が画面上に表示される。この画面１１０には、ボンディング用データを数値で表示する数値表示部１１１と、このうち主要なデータのみを表示する主要データ表示部１１２と、プロファイルを図形で表示する図形表示部１１３とが設けられている。図形表示部１１３の表示処理は、プロファイル表示処理手段２２Ｂにより、ボンディング用データ蓄積データベース３０に登録されたボンディング用データを用いて行われる。図５の例では、プロファイルタイプが「α」で、ボンディングタイプ（ファーストボンディングとセカンドボンディングとの位置関係が標準的であるか反転させているかの別）が「レギュラー」で、ループ高さ（Ｅの寸法）が「０．２０００」で、上辺１の割合（Ｄの寸法に占めるＦの寸法の割合）が「２５％」であるプロファイルの図形表示が行われている。   Further, the designer can confirm the content of the bonding data registered in the bonding data storage database 30 (step S3). The designer selects the registered bonding data on the bonding data storage database management screen 100 shown in FIG. 5 (in the example shown, the bonding data of the profile type α with the index “5” is selected). When the “detail” button 102 provided on the screen 100 is clicked, a bonding data storage database display screen 110 as shown in FIG. 5 is displayed on the screen. The screen 110 is provided with a numerical value display unit 111 that displays bonding data as numerical values, a main data display unit 112 that displays only main data, and a graphic display unit 113 that displays profiles as graphics. ing. The display process of the graphic display unit 113 is performed using the bonding data registered in the bonding data storage database 30 by the profile display processing means 22B. In the example of FIG. 5, the profile type is “α”, the bonding type (whether the positional relationship between the first bonding and the second bonding is standard or reversed) is “regular”, and the loop height (E The graphic display of the profile is “0.2000” and the ratio of the upper side 1 (the ratio of the F dimension to the D dimension) is “25%”.

それから、設計者は、ＣＡＤシステム２０に、チップ厚、基板厚、接着剤厚、チップ側ボンディングパッド厚、基板側ボンディングパッド厚、ワイヤ径等を入力する。そして、ＣＡＤシステム２０では、これらの入力データと、作業用データ記憶手段３１に記憶されているボンディング座標データ（図３参照）および現在処理対象のボンディング用データ（図４参照）とを用いて、ワイヤ隙間検査処理手段２３により、半導体パッケージの３次元設計データが作成され、この３次元設計データを用いて、ワイヤどうしの間、あるいはワイヤとチップとの間等のオブジェクト間の３次元隙間の算出および画面表示を含む処理が行われる（ステップＳ４）。   Then, the designer inputs the chip thickness, the substrate thickness, the adhesive thickness, the chip-side bonding pad thickness, the substrate-side bonding pad thickness, the wire diameter, and the like into the CAD system 20. The CAD system 20 uses these input data, the bonding coordinate data (see FIG. 3) stored in the work data storage means 31, and the bonding data currently being processed (see FIG. 4). The three-dimensional design data of the semiconductor package is created by the wire gap inspection processing means 23, and using this three-dimensional design data, the three-dimensional gap between objects such as between wires or between a wire and a chip is calculated. Then, processing including screen display is performed (step S4).

その後、設計者は、ワイヤ隙間検査処理手段２３による検査結果が合格（ＯＫ）であるか、不良（ＮＧ）であるかを確認する（ステップＳ５）。ここで、検査結果が不良（ＮＧ）であった場合には、設計者は、プロファイル変更処理手段２４により、以下のようなプロファイルの変更を行う（ステップＳ６）。   Thereafter, the designer confirms whether the inspection result by the wire gap inspection processing means 23 is acceptable (OK) or defective (NG) (step S5). Here, if the inspection result is defective (NG), the designer changes the following profile by the profile change processing means 24 (step S6).

プロファイルの変更を行う際には、先ず、設計者は、ＣＡＤシステム２０で、図６に示すようにボンディング座標データ（図３参照）を用いて２次元で画面表示された半導体パッケージを構成するオブジェクトの中から、プロファイルを変更したいワイヤを示すオブジェクトを選択する。ワイヤオブジェクトの選択は、マウスクリックにより１本のワイヤを選択してもよく、マウスによる範囲指定で複数本のワイヤを選択してもよい。図６の例では、グループ「Ｇ０００２」に属するワイヤ「Ｗ０１２０」〜「Ｗ０１２４」を、グループ「Ｇ０００３」に変更したいので、画面上でワイヤ「Ｗ０１２０」〜「Ｗ０１２４」を示すオブジェクトを選択している。   When changing the profile, first, the designer uses the CAD system 20 to configure the objects constituting the semiconductor package displayed on the screen in two dimensions using bonding coordinate data (see FIG. 3) as shown in FIG. Select the object that indicates the wire whose profile you want to change. The wire object may be selected by selecting one wire by clicking the mouse or selecting a plurality of wires by specifying a range with the mouse. In the example of FIG. 6, since it is desired to change the wires “W0120” to “W0124” belonging to the group “G0002” to the group “G0003”, the objects indicating the wires “W0120” to “W0124” are selected on the screen. .

ボンディング座標データ変更処理手段２４Ａにより、プロファイルを変更したいワイヤの選択入力が受け付けられると、プロファイル番号を入力する画面１２０が表示されるので、設計者は、この画面１２０に設けられたプロファイル番号入力部１２１に表示されたプロファイル番号「２」を、プロファイル番号「３」に変更する入力を行い、「ＯＫ」ボタン１２２をクリックする。すると、ボンディング座標データ変更処理手段２４Ａにより、選択されたワイヤ「Ｗ０１２０」〜「Ｗ０１２４」が、プロファイル番号「３」に対応するグループ３（グループ識別情報が「Ｇ０００３」）に属することを示す情報が自動的に追加作成されるとともに、プロファイル番号「２」に対応するグループ２（グループ識別情報が「Ｇ０００２」）から、これらのワイヤ「Ｗ０１２０」〜「Ｗ０１２４」が自動的に削除される。つまり、ボンディング座標データ変更処理手段２４Ａにより、ボンディング座標データの内容が、図３に示された状態から、図６に示された状態へ自動的に書き換えられる。   When the selection input of the wire whose profile is to be changed is received by the bonding coordinate data change processing unit 24A, a screen 120 for inputting a profile number is displayed. Therefore, the designer can enter a profile number input unit provided on the screen 120. The profile number “2” displayed in 121 is changed to the profile number “3”, and the “OK” button 122 is clicked. Then, information indicating that the selected wires “W0120” to “W0124” belong to the group 3 (group identification information is “G0003”) corresponding to the profile number “3” by the bonding coordinate data change processing unit 24A. The wires “W0120” to “W0124” are automatically deleted from the group 2 (group identification information “G0002”) corresponding to the profile number “2” while being automatically created. That is, the bonding coordinate data change processing unit 24A automatically rewrites the contents of the bonding coordinate data from the state shown in FIG. 3 to the state shown in FIG.

次に、設計者は、ＣＡＤシステム２０のボンディング用データ変更処理手段２４Ｃにより表示された、図７に示すようなボンディング用データ蓄積データベース・プロファイル選択画面１３０に設けられた「追加」ボタン１３１をクリックする。すると、ボンディング用データ変更処理手段２４Ｃにより、図７に示すようなボンディング用データ蓄積データベース検索画面１４０が画面上に表示されるので、設計者は、この検索画面１４０上で、追加変更したプロファイル番号「３」を、プロファイル番号入力部１４１に入力するとともに、このプロファイル番号「３」を割り当てたグループ３（グループ識別情報が「Ｇ０００３」）に属するワイヤについてのプロファイルタイプ、ボンディングタイプ、ループ高さ（Ｅ）、上辺１の長さの設定方向（上辺１の長さを指定するか、上辺１の割合を指定するかの別）、上辺１の長さ／上辺１の割合（上辺１の長さ（Ｆ）、またはループ長さ（Ｄ）に占める上辺１の長さ（Ｆ）の割合）、上辺２の長さ／上辺２の割合（上辺２の長さ（Ｇ）、またはループ長さ（Ｄ）に占める上辺２の長さ（Ｇ）の割合）を、各選択入力部１４２〜１４７で選択入力する。この際、ボンディング用データ変更処理手段２４Ｃは、ボンディング用データ蓄積データベース３０に登録されているボンディング用データを用いて、各選択入力部１４２〜１４７への選択対象表示を行う。   Next, the designer clicks the “add” button 131 provided on the bonding data storage database / profile selection screen 130 shown in FIG. 7 displayed by the bonding data change processing means 24C of the CAD system 20. To do. Then, the bonding data change processing means 24C displays a bonding data storage database search screen 140 as shown in FIG. 7 on the screen, so that the designer can change the profile number additionally changed on the search screen 140. “3” is input to the profile number input unit 141, and the profile type, bonding type, and loop height (for the wires belonging to group 3 (group identification information “G0003”) to which the profile number “3” is assigned ( E), the setting direction of the length of the upper side 1 (whether the length of the upper side 1 is specified or the ratio of the upper side 1 is specified), the length of the upper side 1 / the ratio of the upper side 1 (the length of the upper side 1) (F) or the ratio of the length (F) of the upper side 1 to the loop length (D)), the length of the upper side 2 / the ratio of the upper side 2 (the length (G) of the upper side 2) Or loop lengths ratio of the length of the upper side 2 occupied in (D) (G)), to select the input for each selection input unit 142-147. At this time, the bonding data change processing unit 24 </ b> C displays the selection target on the selection input units 142 to 147 using the bonding data registered in the bonding data storage database 30.

そして、設計者が、検索画面１４０上で、プロファイル番号入力部１４１への入力および各選択入力部１４２〜１４７での選択入力を行った後、検索画面１４０に設けられた「ＯＫ」ボタン１４８をクリックすると、ボンディング用データ変更処理手段２４Ｃにより、検索画面１４０で選択入力された条件のボンディング用データがボンディング用データ蓄積データベース３０から検索取得され、取得されたボンディング用データを用いて、プロファイル表示処理手段２４Ｂにより、プロファイル選択画面１３０に設けられた図形表示部１３２にプロファイルの図形表示が行われる。図７の例では、プロファイルタイプが「γ」で、ボンディングタイプが「レギュラー」で、ループ高さ（Ｅ）が「０．２０００」で、上辺１の長さの設定方向が「比率＿Ｐａｄ」で、上辺１の割合（Ｄの寸法に占めるＦの寸法の割合）が「３０％」で、上辺２の割合（Ｄの寸法に占めるＧの寸法の割合）が「６０％」であるプロファイルの図形表示が行われている。なお、プロファイルタイプには、図５に示されたタイプα、図７に示されたタイプγの他に、例えば、全部で６種類、さらにレギュラー・リバースの別を考慮すると１２種類のタイプがあるが、用意するプロファイルタイプの数は、任意であり、追加していくことができる。また、検索画面１４０の各選択入力部１４２〜１４７で選択した条件が同じでも、ボンディングコンディション等のその他の条件が異なる場合には、検索画面１４０に設けられた「次へ」ボタン１４９をクリックすると、その他の条件が異なるボンディング用データを選択することができるようになっている。また、ボンディング用データの選択は、前述した図５の管理画面１００で選択したいプロファイルに係るボンディング用データのインデックスを知ることができた場合には、インデックスを入力することにより行ってもよい。   Then, after the designer performs input to the profile number input unit 141 and selection input in the selection input units 142 to 147 on the search screen 140, an “OK” button 148 provided on the search screen 140 is clicked. When clicked, the bonding data change processing means 24C retrieves and acquires the bonding data of the conditions selected and input on the search screen 140 from the bonding data storage database 30, and uses the acquired bonding data to display the profile display process. The graphic display of the profile is performed on the graphic display unit 132 provided on the profile selection screen 130 by the means 24B. In the example of FIG. 7, the profile type is “γ”, the bonding type is “regular”, the loop height (E) is “0.2000”, and the setting direction of the length of the upper side 1 is “ratio_pad”. A profile figure in which the ratio of the upper side 1 (the ratio of the dimension of F in the dimension of D) is “30%” and the ratio of the upper side 2 (the ratio of the dimension of G in the dimension of D) is “60%”. The display is done. In addition to the type α shown in FIG. 5 and the type γ shown in FIG. 7, there are, for example, six types in total, and 12 types in consideration of regular and reverse types. However, the number of profile types to be prepared is arbitrary and can be added. If the conditions selected in the selection input sections 142 to 147 on the search screen 140 are the same, but other conditions such as bonding conditions are different, clicking the “Next” button 149 provided on the search screen 140 Further, it is possible to select data for bonding under other conditions. The bonding data may be selected by inputting the index when it is possible to know the index of bonding data related to the profile to be selected on the management screen 100 of FIG.

それから、設計者が、プロファイル選択画面１３０に設けられた「保存」ボタン１３３をクリックすると、ボンディング用データ変更処理手段２４Ｃにより、プロファイル選択画面１３０に設けられた主要データ表示部１３４に、プロファイル番号「３」のプロファイルタイプ「γ」のボンディング用データのうちの主要データが追加表示される。また、これと並行して、ボンディング用データ変更処理手段２４Ｃにより、ボンディング用データの内容が、図４に示された状態から、図７に示された状態へ自動的に書き換えられる。   Then, when the designer clicks the “save” button 133 provided on the profile selection screen 130, the bonding data change processing means 24C causes the profile number “” to be displayed on the main data display unit 134 provided on the profile selection screen 130. Main data of the bonding data of the profile type “γ” of “3” is additionally displayed. In parallel with this, the bonding data change processing means 24C automatically rewrites the contents of the bonding data from the state shown in FIG. 4 to the state shown in FIG.

その後、プロファイル変更後のボンディング座標データ（例えば、図３の状態から図６の状態に変更されたデータ）および現在処理対象のボンディング用データ（例えば、図４の状態から図７の状態に変更されたデータ）を用いて、ワイヤ隙間検査処理手段２３により、再び、半導体パッケージの３次元設計データが作成され、この３次元設計データを用いて、ワイヤどうしの間、あるいはワイヤとチップとの間等のオブジェクト間の３次元隙間の算出および画面表示を含む処理が行われた後（ステップＳ４）、再び、合格（ＯＫ）か不良（ＮＧ）かの確認が行われる（ステップＳ５）。このようなステップＳ４〜Ｓ６の処理は、ワイヤ隙間検査の検査結果が合格（ＯＫ）になるまで繰り返される。なお、場合によっては、プロファイルの変更では対応することができず、パッド位置の変更等、より初期の段階での設計変更が必要になることがあるが、そのような初期設計の段階でも、ボンディング用データ蓄積データベース３０の蓄積データを用いて、プロファイル表示処理手段によるプロファイルの図形表示を行うことにより、設計効率の向上や設計の適正化を図ることができる。また、検査結果が不良（ＮＧ）になった場合の修正作業としてではなく、ステップＳ１よりも以前の工程で、当初から、ボンディング用データ蓄積データベース３０の蓄積データを用いて、プロファイル表示処理手段によるプロファイルの図形表示を行いながらの設計を行うこともできる。つまり、ステップＳ１よりも以前の工程、例えば、半導体チップ設計および外部端子レイアウトの工程に、ボンディング用データ蓄積データベース３０の蓄積データをフィードバックすることができれば、チップ設計段階において、チップの構成の３次元シミュレーションの最適化設計が可能となり、ワイヤを用いた実装の可否判断ができる。   Thereafter, the bonding coordinate data after the profile change (for example, the data changed from the state of FIG. 3 to the state of FIG. 6) and the bonding data currently processed (for example, the state of FIG. 4 is changed to the state of FIG. 7). The three-dimensional design data of the semiconductor package is created again by the wire gap inspection processing means 23 using the data), and between the wires or between the wire and the chip using this three-dimensional design data. After the processing including the calculation of the three-dimensional gap between the objects and the screen display is performed (step S4), it is confirmed again whether it is acceptable (OK) or defective (NG) (step S5). Such processing of steps S4 to S6 is repeated until the inspection result of the wire gap inspection becomes acceptable (OK). In some cases, it is not possible to cope with the profile change, and it may be necessary to change the design at an earlier stage, such as changing the pad position. By using the stored data of the data storage database 30 for the profile graphic display by the profile display processing means, the design efficiency can be improved and the design can be optimized. Moreover, it is not as a correction work when the inspection result becomes defective (NG), but by the profile display processing means using the accumulated data in the bonding data accumulation database 30 from the beginning in the process before step S1. It is also possible to design while displaying the figure of the profile. That is, if the accumulated data in the bonding data accumulation database 30 can be fed back to the process prior to step S1, for example, the process of semiconductor chip design and external terminal layout, the three-dimensional structure of the chip at the chip design stage. Simulation optimization design is possible, and it is possible to determine whether or not mounting using wires is possible.

ステップＳ５で、ワイヤ隙間検査処理手段２３による検査結果が合格（ＯＫ）になった場合には、設計者の送信指示またはプロセス技術者による送信要求に基づき、ワイヤ隙間検査後データ送信処理手段２５により、ワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、ネットワーク１を介してＸ型のワイヤボンダ装置４０へ送信する（ステップＳ７）。   In step S5, when the inspection result by the wire gap inspection processing unit 23 is acceptable (OK), the data transmission processing unit 25 after wire gap inspection uses the transmission instruction from the designer or the transmission request by the process engineer. Then, the bonding coordinate data after the wire gap inspection and the bonding data to be processed are transmitted to the X-type wire bonder device 40 via the network 1 (step S7).

また、Ｙ型のワイヤボンダ装置５０でワイヤボンダリングを行う場合には、ワイヤ隙間検査後データ送信処理手段２５により、ワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、Ｙ型ワイヤボンダ装置専用の仮想ワイヤボンダ制御手段６０へ送信する。   Further, when wire bonding is performed by the Y-type wire bonder device 50, the wire-gap inspection data transmission processing means 25 sends the bonding coordinate data after the wire-gap inspection and the bonding data to be currently processed to the Y-type wire bonder device. This is transmitted to the dedicated virtual wire bonder control means 60.

続いて、Ｘ型のワイヤボンダ装置４０では、ワイヤボンダ制御手段４２により、ＣＡＤシステム２０からネットワーク１を介して送信されてきたワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリ軌跡座標データを算出し、算出したキャピラリ軌跡座標データを、プロセス技術者の送信指示または設計者の送信要求に基づき、ネットワーク１を介してＣＡＤシステム２０へ送信する（ステップＳ８）。   Subsequently, in the X-type wire bonder device 40, the wire bonder control means 42 uses the bonding coordinate data after the wire gap inspection transmitted from the CAD system 20 via the network 1 and the bonding data currently being processed, Capillary trajectory coordinate data is calculated, and the calculated capillary trajectory coordinate data is transmitted to the CAD system 20 via the network 1 based on a transmission instruction from the process engineer or a transmission request from the designer (step S8).

また、Ｙ型のワイヤボンダ装置５０でワイヤボンダリングを行う場合には、仮想ワイヤボンダ制御手段６０により、ＣＡＤシステム２０から入力されたワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリ軌跡座標データを算出し、算出したキャピラリ軌跡座標データをＣＡＤシステム２０へ出力する。   When wire bonding is performed by the Y-type wire bonder 50, the virtual wire bonder control means 60 uses the bonding coordinate data after the wire gap inspection input from the CAD system 20 and the bonding data to be processed at present. The capillary trajectory coordinate data is calculated, and the calculated capillary trajectory coordinate data is output to the CAD system 20.

それから、ＣＡＤシステム２０では、キャピラリ干渉検査処理手段２６により、ワイヤボンダ装置４０からネットワーク１を介して送信されてきたキャピラリ軌跡座標データ、あるいはＹ型専用の仮想ワイヤボンダ制御手段６０から出力されたキャピラリ軌跡座標データと、作業用データ記憶手段３１に記憶されているワイヤ隙間検査処理手段２３によるワイヤ隙間検査後（検査結果がＯＫとなった場合）のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データとを用いて、図８に示すように、キャピラリ１６０と各ワイヤ１６１やチップ１６２等のオブジェクトとの干渉を示すデータの算出および画面表示を含む処理を行う（ステップＳ９）。この際、キャピラリ軌跡は、キャピラリ干渉検査処理手段２６により、図８中の点線に示すように、各ワイヤ１６１やチップ１６２等のオブジェクトとともに画面上で３次元表示される。   Then, in the CAD system 20, capillary trajectory coordinate data transmitted from the wire bonder device 40 via the network 1 by the capillary interference inspection processing means 26, or capillary trajectory coordinates output from the Y-type virtual wire bonder control means 60. The data, the bonding coordinate data after the wire gap inspection by the wire gap inspection processing means 23 stored in the work data storage means 31 (when the inspection result is OK), and the bonding data currently being processed are used. Then, as shown in FIG. 8, processing including calculation of data indicating the interference between the capillary 160 and the objects such as the wires 161 and the chip 162 and screen display is performed (step S9). At this time, the capillary trajectory is three-dimensionally displayed on the screen together with the objects such as the wires 161 and the chip 162 by the capillary interference inspection processing means 26 as indicated by the dotted lines in FIG.

その後、設計者は、キャピラリ干渉検査処理手段２６による検査結果が合格（ＯＫ）であるか、不良（ＮＧ）であるかを確認する（ステップＳ１０）。ここで、検査結果が不良（ＮＧ）であった場合には、ステップＳ６の処理に戻る。   Thereafter, the designer confirms whether the inspection result by the capillary interference inspection processing means 26 is acceptable (OK) or defective (NG) (step S10). If the inspection result is defective (NG), the process returns to step S6.

一方、キャピラリ干渉検査処理手段２６による検査結果が合格（ＯＫ）であった場合には、設計者の送信指示またはプロセス技術者の送信要求に基づき、キャピラリ干渉検査後データ送信処理手段２７により、キャピラリ干渉検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、ネットワーク１を介してワイヤボンダ装置４０へ送信する（ステップＳ１１）。また、Ｙ型のワイヤボンダ装置５０でワイヤボンダリングを行う場合も同様であり、ネットワーク１を介してワイヤボンダ装置５０へ送信する。   On the other hand, when the inspection result by the capillary interference inspection processing means 26 is acceptable (OK), the capillary interference inspection post-capillary inspection data transmission processing means 27 performs the capillary based on the transmission instruction of the designer or the transmission request of the process engineer. The bonding coordinate data after the interference inspection and the bonding data currently being processed are transmitted to the wire bonder device 40 via the network 1 (step S11). The same applies when wire bonding is performed by the Y-type wire bonder device 50, and the data is transmitted to the wire bonder device 50 via the network 1.

そして、ワイヤボンダ装置４０では、ワイヤボンダ制御手段４２により、ＣＡＤシステム２０からネットワーク１を介して送信されてきたキャピラリ干渉検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリの動作制御処理を行う（ステップＳ１２）。また、Ｙ型のワイヤボンダ装置５０でワイヤボンダリングを行う場合も同様であり、ワイヤボンダ制御手段５２により、キャピラリの動作制御処理を行う。   In the wire bonder device 40, the wire bonder control means 42 uses the bonding coordinate data after capillary interference inspection transmitted from the CAD system 20 via the network 1 and the bonding data to be processed at present to control the operation of the capillary. Processing is performed (step S12). The same applies to the case of performing wire bonding with the Y-type wire bonder device 50, and the wire bonder control means 52 performs capillary operation control processing.

このような本実施形態によれば、次のような効果がある。すなわち、半導体パッケージの設計・製造システム１０は、ワイヤボンダ装置４０，５０のボンディング用データ送信処理手段４１，５１と、ＣＡＤシステム２０のワイヤ隙間検査処理手段２３とを備えているので、プロセス技術者により作成されたボンディング用データを、ＣＡＤシステム２０へ送信し、ＣＡＤシステム２０において、設計者が、プロセス技術者により作成されたボンディング用データを用いてワイヤ隙間検査を行うことができる。このため、製造側の知識を設計側へ伝達することができ、設計側の作業負担能力の向上、製造側の作業負担の軽減、設計側と製造側との作業負担や作業分担の適正化を図ることができる。   According to this embodiment, there are the following effects. That is, the semiconductor package design / manufacturing system 10 includes the bonding data transmission processing means 41 and 51 of the wire bonder devices 40 and 50 and the wire gap inspection processing means 23 of the CAD system 20. The created bonding data is transmitted to the CAD system 20. In the CAD system 20, the designer can perform wire gap inspection using the bonding data created by the process engineer. For this reason, knowledge on the manufacturing side can be transmitted to the design side, improving the work load capacity on the design side, reducing the work load on the manufacturing side, and optimizing the work load and work sharing between the design side and the manufacturing side. Can be planned.

また、半導体パッケージの設計・製造システム１０は、ＣＡＤシステム２０のワイヤ隙間検査後データ送信処理手段２５およびキャピラリ干渉検査処理手段２６と、Ｘ型のワイヤボンダ装置４０のワイヤボンダ制御手段４２やＹ型専用の仮想ワイヤボンダ制御手段６０とを備えているので、ワイヤ隙間検査後のデータをＸ型のワイヤボンダ装置４０やＹ型専用の仮想ワイヤボンダ制御手段６０に送信し、Ｘ型のワイヤボンダ装置４０のワイヤボンダ制御手段４２やＹ型専用の仮想ワイヤボンダ制御手段６０により、ワイヤ隙間検査後のデータを用いてキャピラリ軌跡座標データを作成し、このキャピラリ軌跡座標データをＣＡＤシステム２０へ送信し、ＣＡＤシステム２０において、設計者が、キャピラリ軌跡座標データを用いてキャピラリ干渉検査を行うことができる。従って、実際にワイヤボンダ装置４０，５０でワイヤボンディングを実行してみて、キャピラリと、ワイヤ等のオブジェクトとの干渉による不具合が発生するか否かを確認するのではなく、設計側でＣＡＤシステム２０を使って事前確認することができる。このため、設計側の作業負担能力の向上、製造側の作業負担の軽減、設計側と製造側との作業負担や作業分担の適正化を図ることができるうえ、設計と製造をトータルで見た場合に、作業時間の短縮、作業効率の向上、コスト削減を図ることができる。   Further, the semiconductor package design / manufacturing system 10 includes a post-wire-gap inspection data transmission processing means 25 and a capillary interference inspection processing means 26 of the CAD system 20, a wire bonder control means 42 of the X-type wire bonder device 40, and a Y-type dedicated system. Since the virtual wire bonder control means 60 is provided, the data after the wire gap inspection is transmitted to the X-type wire bonder device 40 or the Y-type dedicated virtual wire bonder control means 60, and the wire bonder control means 42 of the X-type wire bonder device 40. Or Y-shaped virtual wire bonder control means 60 creates capillary trajectory coordinate data using the data after wire gap inspection, and transmits the capillary trajectory coordinate data to the CAD system 20. In the CAD system 20, the designer Capillary trajectory coordinate data It is possible to carry out the negotiations inspection. Accordingly, the CAD system 20 is not designed on the design side, rather than actually checking whether or not a defect due to interference between the capillary and an object such as a wire occurs by performing wire bonding with the wire bonder devices 40 and 50. It can be confirmed in advance. For this reason, it is possible to improve the work load capacity on the design side, reduce the work load on the manufacturing side, optimize the work load and work sharing between the design side and the manufacturing side, and look at the design and manufacturing in total. In this case, the working time can be shortened, the working efficiency can be improved, and the cost can be reduced.

さらに、半導体パッケージの設計・製造システム１０のＣＡＤシステム２０は、ボンディング用データ蓄積データベース３０と、データベース管理処理手段２２（特に、ボンディング用データ登録処理手段２２Ａ）と、プロファイル変更処理手段２４（特に、プロファイル表示処理手段２４Ｂおよびボンディング用データ変更処理手段２４Ｃ）とを備えているので、ＣＡＤシステム２０において、設計者が、ボンディング用データ蓄積データベース３０の中から、ボンディング用データを選択することにより、プロファイルの変更を行うことができる。そして、ボンディング用データの選択の際には、ボンディング用データを用いてプロファイルを図形にして画面表示させることができる。従って、プロセス技術者に比べ、ボンディング用データの作成に関する知識の少ない設計者であっても、ボンディング用データ蓄積データベース３０の中からの選択という簡単な作業、しかも可視化されたプロファイルを参照しながらの選択作業で、変更後のプロファイルに係るボンディング用データを定めることができる。このため、ワイヤ隙間検査やキャピラリ干渉検査で不具合が見つかっても、プロセス技術者の手を借りずに、設計者が、ボンディング用データ蓄積データベース３０を利用してプロファイルの変更作業を行うことができるので、設計側の作業負担能力の向上、製造側の作業負担の軽減、設計側と製造側との作業負担や作業分担の適正化、設計と製造をトータルで見た場合の作業時間の短縮、作業効率の向上、コスト削減の各効果を、より一層顕著に発揮させることができる。   Further, the CAD system 20 of the semiconductor package design / manufacturing system 10 includes a bonding data storage database 30, a database management processing means 22 (particularly bonding data registration processing means 22A), and a profile change processing means 24 (particularly, Profile display processing means 24B and bonding data change processing means 24C), the designer selects the bonding data from the bonding data storage database 30 in the CAD system 20, and thus the profile is selected. Changes can be made. Then, when selecting the bonding data, the profile can be displayed on the screen using the bonding data. Therefore, even a designer who has less knowledge about the creation of bonding data than a process engineer can easily select from the bonding data storage database 30 while referring to the visualized profile. In the selection operation, bonding data related to the profile after the change can be determined. Therefore, even if a defect is found in the wire gap inspection or capillary interference inspection, the designer can change the profile using the bonding data storage database 30 without the help of a process engineer. So, improving the work load capacity on the design side, reducing the work load on the manufacturing side, optimizing the work load and work sharing between the design side and the manufacturing side, shortening the work time when looking at the total design and manufacturing, Each effect of improvement of work efficiency and cost reduction can be exhibited more remarkably.

なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲内での変形等は本発明に含まれるものである。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications and the like within a scope where the object of the present invention can be achieved are included in the present invention.

すなわち、前記実施形態では、ボンディング用データ蓄積データベース３０は、ＣＡＤシステム２０の構成要素として設けられていたが、図９に示すように、ＣＡＤシステム２２０の外部に、ボンディング用データ蓄積データベース２３０を有するデータベース管理サーバ２３５を設け、複数のＣＡＤシステム２２０からのアクセスを容易にした構成としてもよい。   That is, in the above embodiment, the bonding data storage database 30 is provided as a component of the CAD system 20, but has a bonding data storage database 230 outside the CAD system 220 as shown in FIG. A database management server 235 may be provided to facilitate access from a plurality of CAD systems 220.

また、前記実施形態では、仮想ワイヤボンダ制御手段６０は、ＣＡＤシステム２０に直接に接続されていたが、ネットワーク１を介してＣＡＤシステム２２０に接続可能な仮想ワイヤボンダ制御手段２６０としてもよい。   In the embodiment, the virtual wire bonder control unit 60 is directly connected to the CAD system 20. However, the virtual wire bonder control unit 260 may be connected to the CAD system 220 via the network 1.

さらに、前記実施形態では、ボンディング用データ蓄積データベース３０に蓄積記憶されるデータとして、ボンディング用データしか挙げられていなかったが、図９に示すボンディング用データ蓄積データベース２３０のように、樹脂封止後の半導体パッケージをＸ線撮影装置で撮影して得られたＸ線写真データを用いて作成された樹脂封止後の実測形状データおよび／または樹脂封止前の半導体パッケージをカメラ撮影装置で撮影して得られたカメラ写真データを用いて作成された樹脂封止前の実測形状データを、ボンディング用データに対応させて記憶してもよい。このような構成とする場合には、図９に示すように、ワイヤボンダ装置２４０，２５０に、ワイヤボンダ制御手段によるキャピラリの動作制御処理で現在処理対象のボンディング用データを用いて実際に製造された半導体パッケージ（前記実施形態の図２のステップＳ１２で得られたものに相当する。）についての樹脂封止後の実測形状データおよび／または樹脂封止前の実測形状データを、現在処理対象のボンディング用データに対応させてボンディング用データ蓄積データベース２３０に登録保存する処理を行う実測形状データ登録処理手段２４３，２５３を設けておけばよい。また、ＣＡＤシステム２２０には、ボンディング用データ蓄積データベース２３０に蓄積して記憶されたボンディング用データを用いて、設計段階のプロファイルを画面表示するとともに、このボンディング用データに対応してボンディング用データ蓄積データベース２３０に蓄積して記憶された樹脂封止後の実測形状データおよび／または樹脂封止前の実測形状データを用いて、実測のプロファイルを画面表示する処理を行うプロファイル表示処理手段２２８を設けておけばよい。   Further, in the above embodiment, only the bonding data is listed as the data stored and stored in the bonding data storage database 30. However, as in the bonding data storage database 230 shown in FIG. The measured shape data after resin sealing and / or the semiconductor package before resin sealing created using the X-ray photograph data obtained by imaging the semiconductor package with an X-ray imaging device is imaged with a camera imaging device. The actually measured shape data before resin sealing created using the camera photograph data obtained in this manner may be stored in association with the bonding data. In the case of such a configuration, as shown in FIG. 9, as shown in FIG. 9, semiconductors actually manufactured using bonding data currently processed in capillary operation control processing by the wire bonder control means in the wire bonder devices 240 and 250. The measured shape data after resin sealing and / or the measured shape data before resin sealing of the package (corresponding to that obtained in step S12 in FIG. 2 of the above embodiment) is used for bonding currently processed. It is only necessary to provide measured shape data registration processing means 243 and 253 for performing processing of registering and storing in the bonding data storage database 230 in correspondence with the data. Further, the CAD system 220 displays a profile at the design stage using the bonding data stored and stored in the bonding data storage database 230, and stores bonding data corresponding to the bonding data. Profile display processing means 228 is provided for performing a process of displaying a measured profile on the screen using measured shape data after resin sealing and / or measured shape data before resin sealing stored and stored in the database 230. Just keep it.

なお、樹脂封止後の半導体パッケージをＸ線撮影装置で撮影して得られたＸ線写真データを用いて樹脂封止後の実測形状データを作成する技術、およひ樹脂封止前の半導体パッケージをカメラ撮影装置で撮影して得られたカメラ写真データを用いて樹脂封止前の実測形状データを作成する技術としては、例えば、本願出願人により既に提案されている特開２００６−１４７８０８の技術を採用することができる。   In addition, a technique for creating measured shape data after resin sealing using X-ray photograph data obtained by photographing a semiconductor package after resin sealing with an X-ray imaging apparatus, and a semiconductor before resin sealing As a technique for creating actually measured shape data before resin sealing using camera photograph data obtained by photographing a package with a camera photographing apparatus, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2006-147808 already proposed by the applicant of the present application. Technology can be adopted.

また、１つのプロファイル（あるプロファイル番号を付されたプロファイル）は、そのプロファイル番号に対応する同一グループに属する各ワイヤに適用されるので、１つのプロファイルを定めるためのボンディング用データに対し、複数のワイヤの実測形状データが対応していることになるが、この場合には、同一グループに属するワイヤのうちいずれか１本のワイヤの実測形状データを選択し、その選択されたデータをボンディング用データに対応させてボンディング用データ蓄積データベース２３０に記憶させてもよく、あるいは同一グループに属する複数のワイヤの実測形状データを平均化し、その平均化されたデータをボンディング用データに対応させてボンディング用データ蓄積データベース２３０に記憶させてもよい。   In addition, since one profile (a profile given a certain profile number) is applied to each wire belonging to the same group corresponding to the profile number, a plurality of bonding data for defining one profile The measured shape data of the wire corresponds, but in this case, the measured shape data of any one of the wires belonging to the same group is selected, and the selected data is used as the bonding data. May be stored in the bonding data storage database 230 in correspondence with each other, or the measured shape data of a plurality of wires belonging to the same group is averaged, and the averaged data is associated with the bonding data. It may be stored in the accumulation database 230.

さらに、以上に述べた樹脂封止後の実測形状データおよび樹脂封止前の実測形状データは、３次元データでもよく、あるいは２次元データでもよいが、より多くの情報を設計者に与えることができるという観点から、３次元データであることが好ましい。そして、前記実施形態のボンディング用データは、ワイヤの形状を２次元データとして捉えたデータ（立面形状のデータ）であったが、ボンディング用データを３次元データとしてもよい。   Furthermore, the measured shape data after resin sealing and the measured shape data before resin sealing described above may be three-dimensional data or two-dimensional data, but more information can be given to the designer. From the viewpoint of being possible, it is preferably three-dimensional data. The bonding data in the embodiment is data (elevation shape data) obtained by capturing the wire shape as two-dimensional data, but the bonding data may be three-dimensional data.

以上のように、本発明の半導体パッケージの設計・製造システムおよびプログラムは、半導体パッケージの設計、検査、製造という一連の作業を行うにあたり、ＣＡＤシステムとワイヤボンダ装置とをネットワークで接続して設計側と製造側とで連携を図るシステムとして用いるのに適している。   As described above, the semiconductor package design / manufacturing system and program according to the present invention connect a CAD system and a wire bonder device over a network when performing a series of operations of designing, inspecting, and manufacturing a semiconductor package. It is suitable for use as a system for cooperation with the manufacturing side.

本発明の一実施形態の半導体パッケージの設計・製造システムの全体構成図。1 is an overall configuration diagram of a semiconductor package design / production system according to an embodiment of the present invention. 前記実施形態の半導体パッケージの設計・製造システムによる処理の流れを示すフローチャートの図。The figure of the flowchart which shows the flow of the process by the design / manufacturing system of the semiconductor package of the said embodiment. 前記実施形態のボンディング座標データの内容の一例を示す図。The figure which shows an example of the content of the bonding coordinate data of the said embodiment. 前記実施形態のボンディング用データの内容の一例を示す図。The figure which shows an example of the content of the data for bonding of the said embodiment. 前記実施形態のボンディング用データ蓄積データベースへの登録および蓄積データを用いたプロファイルの画面表示の一例を示す図。The figure which shows an example of the screen display of the profile using the registration to the data storage database for bonding of the said embodiment, and storage data. 前記実施形態のプロファイルの変更作業（各ワイヤへのプロファイル番号の割当て）および変更後のボンディング座標データの状態の説明図。Explanatory drawing of the state of the bonding coordinate data after the change work (assignment of the profile number to each wire) of the said embodiment, and change. 前記実施形態のプロファイルの変更作業（ボンディング用データ蓄積データベースの中からのプロファイルの選択）および変更後のボンディング用データの状態の説明図。Explanatory drawing of the state of the data for bonding after the change operation | work (profile selection from the data storage database for bonding) of the said embodiment, and a change. 前記実施形態のキャピラリ軌跡の例示図。The illustration of the capillary locus of the embodiment. 本発明の変形の形態を示す構成図。The block diagram which shows the modification of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ ネットワーク
１０ 半導体パッケージの設計・製造システム
２０，２２０ ＣＡＤシステム
２２Ａ ボンディング用データ登録処理手段
２３ ワイヤ隙間検査処理手段
２４Ｂ，２２８ プロファイル表示処理手段
２４Ｃ ボンディング用データ変更処理手段
２５ ワイヤ隙間検査後データ送信処理手段
２６ キャピラリ干渉検査処理手段
２７ キャピラリ干渉検査後データ送信処理手段
３０，２３０ ボンディング用データ蓄積データベース
４０，５０，２４０，２５０ ワイヤボンダ装置
４１，５１ ボンディング用データ送信処理手段
４２，５２ ワイヤボンダ制御手段
６０，２６０ 仮想ワイヤボンダ制御手段
２４３，２５３ 実測形状データ登録処理手段 1 Network 10 Semiconductor Package Design / Manufacturing System 20, 220 CAD System 22A Bonding Data Registration Processing Unit 23 Wire Gap Inspection Processing Unit 24B, 228 Profile Display Processing Unit 24C Bonding Data Change Processing Unit 25 Data Transmission Processing After Wire Gap Inspection Means 26 Capillary interference inspection processing means 27 Post-capillary interference inspection data transmission processing means 30, 230 Bonding data storage database 40, 50, 240, 250 Wire bonder device 41, 51 Bonding data transmission processing means 42, 52 Wire bonder control means 60, 260 Virtual wire bonder control means 243, 253 Actual shape data registration processing means

Claims (6)

ＣＡＤシステムとワイヤボンダ装置とをネットワークで接続して構成される半導体パッケージの設計・製造システムであって、
前記ＣＡＤシステムは、
設計者により作成された、ボンディングポイントの座標データおよび各ワイヤの一端側のボンディングポイントと他端側のボンディングポイントとの連結情報を含むボンディング座標データ、並びに前記ワイヤボンダ装置から前記ネットワークを介して送信されてきた、ワイヤ形状を示すプロファイルの種類を識別するためのプロファイルタイプおよび前記プロファイルの詳細を定めるためのループパラメータを含む現在処理対象のボンディング用データを用いて、前記半導体パッケージの３次元設計データを作成し、この３次元設計データを用いて、ワイヤ間の３次元隙間の算出および画面表示を含む処理を行うワイヤ隙間検査処理手段と、
このワイヤ隙間検査処理手段によるワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、前記ネットワークを介して前記ワイヤボンダ装置へ送信する処理を行うワイヤ隙間検査後データ送信処理手段と、
前記ワイヤボンダ装置から前記ネットワークを介して送信されてきた、キャピラリ先端部の軌跡中の少なくとも特定点の座標データを含むキャピラリ軌跡座標データ、並びに前記ワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリと各ワイヤとの干渉を示すデータの算出および画面表示を含む処理を行うキャピラリ干渉検査処理手段と、
このキャピラリ干渉検査処理手段によるキャピラリ干渉検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、前記ネットワークを介して前記ワイヤボンダ装置へ送信する処理を行うキャピラリ干渉検査後データ送信処理手段とを備え、
前記ワイヤボンダ装置は、
前記ボンディング座標データを用いてプロセス技術者により作成された前記現在処理対象のボンディング用データを、前記ネットワークを介して前記ＣＡＤシステムへ送信する処理を行うボンディング用データ送信処理手段と、
前記ＣＡＤシステムから前記ネットワークを介して送信されてきた前記ワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、前記キャピラリ軌跡座標データを算出し、算出した前記キャピラリ軌跡座標データを、前記ネットワークを介して前記ＣＡＤシステムへ送信する処理を行うとともに、その後、前記ＣＡＤシステムから前記ネットワークを介して送信されてきた前記キャピラリ干渉検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリの動作制御処理を行うワイヤボンダ制御手段とを備えている
ことを特徴とする半導体パッケージの設計・製造システム。 A semiconductor package design and manufacturing system configured by connecting a CAD system and a wire bonder device via a network,
The CAD system
Bonding point coordinate data created by the designer, bonding coordinate data including connection information between the bonding point on one end side and the bonding point on the other end side of each wire, and transmitted from the wire bonder device via the network. The three-dimensional design data of the semiconductor package is obtained by using the bonding data to be processed currently including the profile type for identifying the type of the profile indicating the wire shape and the loop parameter for determining the details of the profile. Wire gap inspection processing means for creating and performing processing including calculation of a three-dimensional gap between wires and screen display using the three-dimensional design data;
Data transmission processing means after wire gap inspection for performing processing to transmit the bonding coordinate data after wire gap inspection by the wire gap inspection processing means and the data for bonding currently processed to the wire bonder device via the network;
Capillary trajectory coordinate data including coordinate data of at least a specific point in the trajectory of the capillary tip portion transmitted from the wire bonder device via the network, bonding coordinate data after the wire gap inspection, and bonding currently being processed Capillary interference inspection processing means for performing processing including calculation and data display of data indicating interference between the capillary and each wire using data for
And a data transmission processing means after capillary interference inspection for performing processing for transmitting the bonding coordinate data after the capillary interference inspection by the capillary interference inspection processing means and the bonding data to be processed to the wire bonder device via the network. ,
The wire bonder device
A bonding data transmission processing means for performing processing for transmitting the bonding data to be processed currently created by a process engineer using the bonding coordinate data to the CAD system via the network;
The capillary trajectory coordinate data is calculated using the bonding coordinate data after the wire gap inspection transmitted from the CAD system via the network and the bonding data currently being processed, and the calculated capillary trajectory coordinate data. Is transmitted to the CAD system via the network, and then the bonding coordinate data after the capillary interference inspection and the bonding data to be currently processed are transmitted from the CAD system via the network. A semiconductor package design / manufacturing system comprising: a wire bonder control means for performing an operation control process of the capillary using the. ＣＡＤシステムとワイヤボンダ装置とをネットワークで接続して構成される半導体パッケージの設計・製造システムであって、
前記ＣＡＤシステムに直接にまたは前記ネットワークを介して接続され、キャピラリ先端部の軌跡中の少なくとも特定点の座標データを算出する処理について、前記ワイヤボンダ装置に設けられたワイヤボンダ制御手段と同一の処理を行い、前記キャピラリ先端部の軌跡中の少なくとも特定点の座標データを含むキャピラリ軌跡座標データを、前記ＣＡＤシステムに出力または前記ネットワークを介して送信する処理を行う仮想ワイヤボンダ制御手段を備え、
前記ＣＡＤシステムは、
設計者により作成された、ボンディングポイントの座標データおよび各ワイヤの一端側のボンディングポイントと他端側のボンディングポイントとの連結情報を含むボンディング座標データ、並びに前記ワイヤボンダ装置から前記ネットワークを介して送信されてきた、ワイヤ形状を示すプロファイルの種類を識別するためのプロファイルタイプおよび前記プロファイルの詳細を定めるためのループパラメータを含む現在処理対象のボンディング用データを用いて、前記半導体パッケージの３次元設計データを作成し、この３次元設計データを用いて、ワイヤ間の３次元隙間の算出および画面表示を含む処理を行うワイヤ隙間検査処理手段と、
このワイヤ隙間検査処理手段によるワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、前記仮想ワイヤボンダ制御手段へ直接にまたは前記ネットワークを介して送信する処理を行うワイヤ隙間検査後データ送信処理手段と、
前記仮想ワイヤボンダ制御手段から出力または前記ネットワークを介して送信されてきた前記キャピラリ軌跡座標データ、並びに前記ワイヤ隙間検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリと各ワイヤとの干渉を示すデータの算出および画面表示を含む処理を行うキャピラリ干渉検査処理手段と、
このキャピラリ干渉検査処理手段によるキャピラリ干渉検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを、前記ネットワークを介して前記ワイヤボンダ装置へ送信する処理を行うキャピラリ干渉検査後データ送信処理手段とを備え、
前記ワイヤボンダ装置は、
前記ボンディング座標データを用いてプロセス技術者により作成された前記現在処理対象のボンディング用データを、前記ネットワークを介して前記ＣＡＤシステムへ送信する処理を行うボンディング用データ送信処理手段を備え、
前記ワイヤボンダ装置の前記ワイヤボンダ制御手段は、前記ＣＡＤシステムから前記ネットワークを介して送信されてきた前記キャピラリ干渉検査後のボンディング座標データおよび現在処理対象のボンディング用データを用いて、キャピラリの動作制御処理を行う構成とされている
ことを特徴とする半導体パッケージの設計・製造システム。 A semiconductor package design and manufacturing system configured by connecting a CAD system and a wire bonder device via a network,
A process that is connected to the CAD system directly or via the network and calculates coordinate data of at least a specific point in the trajectory of the capillary tip is the same as the wire bonder control means provided in the wire bonder device. A virtual wire bonder control means for performing processing for outputting capillary trajectory coordinate data including coordinate data of at least a specific point in the trajectory of the capillary tip to the CAD system or transmitting the data via the network;
The CAD system
Bonding point coordinate data created by the designer, bonding coordinate data including connection information between the bonding point on one end side and the bonding point on the other end side of each wire, and transmitted from the wire bonder device via the network. The three-dimensional design data of the semiconductor package is obtained by using the bonding data to be processed currently including the profile type for identifying the type of the profile indicating the wire shape and the loop parameter for determining the details of the profile. Wire gap inspection processing means for creating and performing processing including calculation of a three-dimensional gap between wires and screen display using the three-dimensional design data;
Data transmission after wire gap inspection for performing processing of transmitting bonding coordinate data after wire gap inspection by this wire gap inspection processing means and bonding data to be processed currently to the virtual wire bonder control means directly or via the network Processing means;
Using the capillary trajectory coordinate data output from the virtual wire bonder control means or transmitted via the network, the bonding coordinate data after the wire gap inspection, and the bonding data currently processed, the capillary and each wire Capillary interference inspection processing means for performing processing including calculation of data indicating interference and screen display;
And a data transmission processing means after capillary interference inspection for performing processing for transmitting the bonding coordinate data after the capillary interference inspection by the capillary interference inspection processing means and the bonding data to be processed to the wire bonder device via the network. ,
The wire bonder device
Bonding data transmission processing means for performing processing for transmitting the present processing target bonding data created by a process engineer using the bonding coordinate data to the CAD system via the network,
The wire bonder control means of the wire bonder device performs capillary operation control processing using bonding coordinate data after the capillary interference inspection and data for bonding currently processed, which are transmitted from the CAD system via the network. A semiconductor package design and manufacturing system characterized by being configured to perform. 前記ＣＡＤシステムの内部に設けられるか、または前記ネットワークを介して前記ＣＡＤシステムに接続されて、前記ボンディング用データを蓄積して記憶するボンディング用データ蓄積データベースを備え、
前記ＣＡＤシステムは、
前記ワイヤボンダ装置から前記ネットワークを介して送信されてきた前記現在処理対象のボンディング用データを、前記ボンディング用データ蓄積データベースに登録保存する処理を行うボンディング用データ登録処理手段と、
前記ボンディング用データ蓄積データベースに蓄積して記憶された前記ボンディング用データを用いて、前記プロファイルを画面表示する処理を行うプロファイル表示処理手段とを備えている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージの設計・製造システム。 A bonding data storage database that is provided inside the CAD system or connected to the CAD system via the network and stores and stores the bonding data;
The CAD system
Bonding data registration processing means for performing processing for registering and storing the bonding data to be currently processed transmitted from the wire bonder device via the network in the bonding data storage database;
3. A profile display processing means for performing a process of displaying the profile on the screen using the bonding data stored by being stored in the bonding data storage database. 4. The semiconductor package design and manufacturing system described. 前記ＣＡＤシステムは、
前記ボンディング用データ蓄積データベースに記憶された前記ボンディング用データの中からの設計者によるプロファイルの変更のための選択入力を受け付けて、選択された前記ボンディング用データにより前記現在処理対象のボンディング用データの内容を変更する処理を行うボンディング用データ変更処理手段を備えている
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージの設計・製造システム。 The CAD system
A selection input for changing the profile by the designer from the bonding data stored in the bonding data storage database is received, and the bonding data to be currently processed is selected by the selected bonding data. 4. The semiconductor package design / manufacturing system according to claim 3, further comprising bonding data change processing means for performing processing for changing contents. 前記ボンディング用データ蓄積データベースは、
樹脂封止後の半導体パッケージをＸ線撮影装置で撮影して得られたＸ線写真データを用いて作成された樹脂封止後の実測形状データおよび／または樹脂封止前の半導体パッケージをカメラ撮影装置で撮影して得られたカメラ写真データを用いて作成された樹脂封止前の実測形状データを、前記ボンディング用データに対応させて記憶する構成とされ、
前記ワイヤボンダ装置は、
前記ワイヤボンダ制御手段によるキャピラリの動作制御処理で前記現在処理対象のボンディング用データを用いて実際に製造された半導体パッケージについての前記樹脂封止後の実測形状データおよび／または前記樹脂封止前の実測形状データを、前記現在処理対象のボンディング用データに対応させて前記ボンディング用データ蓄積データベースに登録保存する処理を行う実測形状データ登録処理手段を備え、
前記ＣＡＤシステムの前記プロファイル表示処理手段は、
前記ボンディング用データ蓄積データベースに蓄積して記憶された前記ボンディング用データを用いて、設計段階の前記プロファイルを画面表示するとともに、このボンディング用データに対応して前記ボンディング用データ蓄積データベースに蓄積して記憶された前記樹脂封止後の実測形状データおよび／または前記樹脂封止前の実測形状データを用いて、実測のプロファイルを画面表示する処理を行う構成とされている
ことを特徴とする請求項３または４に記載の半導体パッケージの設計・製造システム。 The data storage database for bonding is
Photographed measured shape data after resin sealing and / or semiconductor package before resin sealing created using X-ray photograph data obtained by photographing a semiconductor package after resin sealing with an X-ray imaging device It is configured to store measured shape data before resin sealing created using camera photograph data obtained by photographing with an apparatus in correspondence with the bonding data,
The wire bonder device
The measured shape data after the resin sealing and / or the actual measurement before the resin sealing of the semiconductor package actually manufactured by using the bonding data to be processed in the capillary operation control process by the wire bonder control means. Measured shape data registration processing means for performing processing for registering and storing shape data in the bonding data storage database in correspondence with the bonding data currently being processed,
The profile display processing means of the CAD system includes:
Using the bonding data stored in the bonding data storage database, the profile at the design stage is displayed on the screen, and the bonding data is stored in the bonding data storage database corresponding to the bonding data. The stored actual measured shape data after resin sealing and / or the actual measured shape data before resin sealing is used to perform a process of displaying a measured profile on a screen. A semiconductor package design / manufacturing system according to 3 or 4. 請求項１〜５のいずれかに記載の半導体パッケージの設計・製造システムとして、コンピュータを機能させるためのプログラム。   A program for causing a computer to function as the semiconductor package design / manufacturing system according to claim 1.
JP2006259834A 2006-09-25 2006-09-25 System and program for designing/manufacturing semiconductor package Pending JP2008084897A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006259834A JP2008084897A (en) 2006-09-25 2006-09-25 System and program for designing/manufacturing semiconductor package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006259834A JP2008084897A (en) 2006-09-25 2006-09-25 System and program for designing/manufacturing semiconductor package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008084897A true JP2008084897A (en) 2008-04-10

Family

ID=39355481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006259834A Pending JP2008084897A (en) 2006-09-25 2006-09-25 System and program for designing/manufacturing semiconductor package

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008084897A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120065761A1 (en) * 2009-05-19 2012-03-15 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Systems and methods for optimizing looping parameters and looping trajectories in the formation of wire loops
JP2012074699A (en) * 2010-09-27 2012-04-12 Kulicke & Soffa Industries Inc Wire loop and formation method of wire bond for conductive bump
JP2015012251A (en) * 2013-07-02 2015-01-19 学校法人福岡大学 Information management system

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120065761A1 (en) * 2009-05-19 2012-03-15 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Systems and methods for optimizing looping parameters and looping trajectories in the formation of wire loops
US9496240B2 (en) * 2009-05-19 2016-11-15 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Systems and methods for optimizing looping parameters and looping trajectories in the formation of wire loops
KR101795458B1 (en) 2009-05-19 2017-12-01 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 Systems and methods for optimizing looping parameters and looping trajectories in the formation of wire loops
US10361168B2 (en) 2009-05-19 2019-07-23 Kulicke And Soffa Industries, Inc Systems and methods for optimizing looping parameters and looping trajectories in the formation of wire loops
US11276666B2 (en) 2009-05-19 2022-03-15 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Systems and methods for optimizing looping parameters and looping trajectories in the formation of wire loops
US11495570B2 (en) 2009-05-19 2022-11-08 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Systems and methods for optimizing looping parameters and looping trajectories in the formation of wire loops
JP2012074699A (en) * 2010-09-27 2012-04-12 Kulicke & Soffa Industries Inc Wire loop and formation method of wire bond for conductive bump
JP2015012251A (en) * 2013-07-02 2015-01-19 学校法人福岡大学 Information management system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6851100B1 (en) Management system for automated wire bonding process
JP7455501B2 (en) Dynamic modification of manufacturing plans according to manufacturing deviations
US7738693B2 (en) User interface for wafer data analysis and visualization
CN102667867A (en) Computer-implemented method of geometric feature detection and modification
JP2008084897A (en) System and program for designing/manufacturing semiconductor package
CN114970441B (en) Automatic wiring method for IC chip package
JP5673489B2 (en) Point cloud data processing apparatus, processing method, processing program, and recording medium
KR100658908B1 (en) Virtual semiconductor packaging device and method thereof, and computer-readable recording medium having program for virtual semicondutor packaging
US7370303B2 (en) Method for determining the arrangement of contact areas on the active top side of a semiconductor chip
CN114297980A (en) AutoCAD (auto computer aided design) -based wiring drawing design automation software system and design method
JP4447960B2 (en) 3D mounting circuit design system and design method
KR100548795B1 (en) Bonder viewer system of auto wire bonding system
CN114330207A (en) Chip bonding pad information extraction method and system and electronic equipment
JP2963328B2 (en) Method and apparatus for creating wafer map for semiconductor wafer
JP4006434B2 (en) Semiconductor package inspection system and program
JP4881941B2 (en) Optical element design manufacturing support system
JP3335916B2 (en) Automatic search device and search method for wire bonding pad
JP2002171099A (en) Method and apparatus for checking mounting quality of circuit board
US6363293B1 (en) Video wire bonded system and method of operation
JP7172919B2 (en) Process control system and process control method
JP7141381B2 (en) Member Positional Relationship Estimating Device, Member Positional Relationship Estimating Method, and Member Positional Relationship Estimating Program
JP3204716B2 (en) Layout editing device and diagram creation device
JP4943918B2 (en) Real shape verification device
CN114299223A (en) Three-dimensional model identification and construction method for multilayer routing package
JP6218162B1 (en) Semiconductor processing inspection apparatus association system and program