JP4006434B2 - Semiconductor package inspection system and program - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor package inspecting system and a program thereof which enable an operator to grasp the actual state of a semiconductor package three-dimensionally in detail, and to reflect the inspection result effectively on design data. <P>SOLUTION: The semiconductor package inspecting system 10 is composed of two or more X-ray photograph data 71 obtained through a process of photographing the semiconductor package with an X-ray photography device 70 or a camera photography device 75 before or after the semiconductor package is sealed up, or a three-dimensionally measured shape data forming/processing means 64 of forming three-dimensional shape data by the use of camera photography data 76; a measured gap calculating/processing means 65 of calculating a three-dimensional gap between the wires etc of the semiconductor package before or after it is sealed up, using the three-dimensionally measured shape data; and a measured gap display/processing means 66 of displaying the calculation/processing result of the measured gap on a screen. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&amp;NCIPI

Description

本発明は、樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージを検査する半導体パッケージの検査システムおよびプログラムに係り、例えば、遠隔地にいる複数の作業者によるネットワークを介した協働作業で半導体パッケージの検査に関する一連の処理を行う場合等に利用できる。   The present invention relates to a semiconductor package inspection system and program for inspecting a semiconductor package after resin sealing or before resin sealing, for example, a semiconductor package by a collaborative operation via a network by a plurality of workers at remote locations. This can be used when performing a series of processes related to the inspection.

一般に、半導体パッケージの製造では、基板上に積み上げられたダイ(Die;チップと同義であり、以下、チップということもある。)に設けられたファースト・ボンディング・パッド(First bonding pad)と、基板に設けられたセカンド・ボンディング・パッド(Second bonding pad)との間をボンドワイヤ(Bondwire;以下、単にワイヤということもある。)で連結した後、樹脂封止が行われる。この際、ワイヤは、3次元設計データに基づき設計ルールに従った配置や形状で各パッド間に張られるが、樹脂封止を行うと、通常、樹脂の流入でワイヤは変形し、樹脂封止前の状態とは異なる形状になる。   In general, in the manufacture of semiconductor packages, a first bonding pad (First bonding pad) provided on a die (Die: synonymous with a chip, hereinafter also referred to as a chip) stacked on a substrate, and the substrate After being connected to a second bonding pad (Bondwire; hereinafter simply referred to as a wire), the resin sealing is performed. At this time, the wire is stretched between the pads in an arrangement and shape according to the design rules based on the three-dimensional design data. However, when resin sealing is performed, the wire is usually deformed by the inflow of resin, and the resin sealing The shape is different from the previous state.

このため、実際に製造された半導体パッケージの試作品は、3次元設計データ通りのものではないため、その試作品について正常に動作し得るものであるか否かの検査が行われる。そして、検査の結果、ワイヤ間の隙間が狭すぎる等の不具合が見つかった場合には、設計を見直す必要性が生じる。   For this reason, since the prototype of the actually manufactured semiconductor package is not according to the three-dimensional design data, it is inspected whether or not the prototype can operate normally. As a result of the inspection, when a defect such as a gap between the wires being too narrow is found, it is necessary to review the design.

なお、半導体モデルの表示装置として、半導体製造工程の各工程について2次元モデルの断面形状や3次元モデルの立体画像を表示画面上に表示する装置がある(特許文献1参照)。この半導体モデルの表示装置では、製造工程で使用するマスク画像と、設計時に予測される製造工程での3次元半導体モデルとを画面上に同時に表示したり、あるいは設計時に予測される製造工程での2次元半導体モデルと、電子顕微鏡の写真画像とを同時に表示できるようになっている。   As a semiconductor model display device, there is a device that displays a cross-sectional shape of a two-dimensional model and a three-dimensional image of a three-dimensional model on a display screen for each process of a semiconductor manufacturing process (see Patent Document 1). In this semiconductor model display device, the mask image used in the manufacturing process and the three-dimensional semiconductor model in the manufacturing process predicted at the time of design are simultaneously displayed on the screen, or in the manufacturing process predicted at the time of design. A two-dimensional semiconductor model and a photographic image of an electron microscope can be displayed simultaneously.

また、半導体を対象としたものではないが、試作品のCADモデルを作成する形状モデル作成装置として、試作品をCTスキャナで走査し、その結果得られた断層画像群から実測CADモデルを生成した後、この実測CADモデルと基準CADモデルとを位置合わせし、CT断層画像における部分的な画像欠落等による実測CADモデルの欠落部分を、基準CADモデルの対応部分の形状情報で補完する装置がある(特許文献2参照)。この形状モデル作成装置では、基準CADモデルを基に作成した試作品に対し、作業者が随時手直しを加えた結果、試作品形状が基準CADモデルからずれてしまった場合でも、その試作品の形状に忠実な実物CADモデルを作成することができる。   Although not intended for semiconductors, as a shape model creation device for creating a CAD model of a prototype, the prototype was scanned with a CT scanner, and an actual CAD model was generated from a group of tomographic images obtained as a result. Subsequently, there is an apparatus that aligns the actual CAD model and the reference CAD model, and supplements the missing part of the actual CAD model due to partial image omission in the CT tomographic image with the shape information of the corresponding part of the reference CAD model. (See Patent Document 2). In this shape model creation device, even if the prototype shape is deviated from the reference CAD model as a result of the operator reworking the prototype created based on the reference CAD model as needed, the shape of the prototype It is possible to create a real CAD model faithful to the above.

さらに、半導体の検査方法として、半導体の基板上に形成された素子又は配線の読み取りパターンと、予め作成された期待値パターンとを比較照合することにより、金属配線等の正常性を短期間で確認し、これらの金属配線等に生じた断線等の異常や異物による短絡等を容易かつ的確に発見する方法が提案されている(特許文献3参照)。   Furthermore, as a semiconductor inspection method, the normality of metal wiring, etc. can be confirmed in a short period of time by comparing and collating the read pattern of the element or wiring formed on the semiconductor substrate with the expected value pattern created in advance. In addition, there has been proposed a method for easily and accurately finding an abnormality such as a disconnection that has occurred in these metal wirings, a short circuit due to foreign matter, and the like (see Patent Document 3).

そして、半導体チップを撮影する3次元画像撮影装置として、半導体チップ上に発光素子と受光素子とを隣接して形成し、3次元形状計測用の投光パターンを半導体チップ上の発光素子により投影し、同パターンをこのチップ上の受光素子により同光軸上で撮像する装置がある(特許文献4参照)。   As a three-dimensional image photographing device for photographing a semiconductor chip, a light emitting element and a light receiving element are formed adjacent to each other on the semiconductor chip, and a light projection pattern for measuring a three-dimensional shape is projected by the light emitting element on the semiconductor chip. There is an apparatus for imaging the same pattern on the same optical axis by a light receiving element on this chip (see Patent Document 4).

また、半導体を対象としたものではないが、3次元モデル作成装置として、異なる角度から撮影された複数の画像から3次元モデルを作成する装置がある(特許文献5参照)。   Although not intended for semiconductors, there is an apparatus that creates a 3D model from a plurality of images taken from different angles as a 3D model creation apparatus (see Patent Document 5).

特開平11−162802号公報(請求項1,3、要約)Japanese Patent Laid-Open No. 11-162802 (Claims 1, 3 and Abstract) 特開2003−196326号公報(請求項1、要約)JP 2003-196326 A (Claim 1, Summary) 特開平06−268036号公報(請求項1、要約)Japanese Patent Laid-Open No. 06-268036 (Claim 1, Summary) 特開2002−218505号公報(要約)JP 2002-218505 A (summary) 特開2004−157968号公報(要約)JP 2004-157968 (Abstract)

前述したように、樹脂の流入でワイヤは変形し、樹脂封止後のワイヤ形状は、樹脂封止前の状態と異なるものとなるので、試作された半導体パッケージの検査が行われる。しかし、樹脂封止後の半導体パッケージのワイヤ形状を目視で直接に確認することはできないため、パッケージ内部の状態を把握するには、X線写真を撮影し、そのX線写真に写ったワイヤの形状を確認しなければならなず、従来は、このような確認作業を2次元的に、しかも目視による判断で行っていた。従って、試作された半導体パッケージのワイヤ形状を3次元的に詳細に把握したり、ワイヤ間の隙間等を数値的に正確に把握したり、あるいは試作された実物の形状と設計形状との比較照合を行うことは困難であった。そして、このように樹脂封止後の半導体パッケージの内部の状態を詳細に把握することの困難性や、設計データとの比較照合の困難性から、その検査結果を設計データに効果的に反映させる仕組みを構築することができないのが現状であった。   As described above, the wire is deformed by the inflow of the resin, and the wire shape after the resin sealing becomes different from the state before the resin sealing, so that the prototype semiconductor package is inspected. However, since the wire shape of the semiconductor package after resin sealing cannot be confirmed directly visually, in order to grasp the state inside the package, an X-ray photograph is taken and the wire taken in the X-ray photograph is taken. The shape has to be confirmed, and conventionally, such confirmation work has been performed two-dimensionally and visually. Therefore, it is possible to grasp the wire shape of the prototype semiconductor package in detail three-dimensionally, to grasp the gap between wires numerically and accurately, or to compare and verify the prototype shape and the design shape. It was difficult to do. In addition, because of the difficulty of grasping the internal state of the semiconductor package after resin sealing in detail and the difficulty of comparison with the design data, the inspection result is effectively reflected in the design data. The current situation was that it was not possible to build a mechanism.

また、半導体パッケージの検査には、通常、営業担当者、設計者、解析者、プロセス技術者等の複数の作業者が関わり、かつ、これらの者は遠隔地にいることも多いので、このことが半導体パッケージの検査に要する時間を増大させるとともに、複数の作業者が情報交換や意見交換等を行って連携して設計改善を図っていくことの妨げにもなっていた。   In addition, inspection of semiconductor packages usually involves multiple workers such as sales representatives, designers, analysts, and process engineers, who are often in remote locations. However, this has increased the time required for the inspection of the semiconductor package, and also hindered a plurality of workers from exchanging information and opinions, etc., to improve design in cooperation.

このため、樹脂封止後の半導体パッケージの内部の状態を短時間で、かつ、詳細に把握し、その検査結果を設計データに効果的に反映させることができる検査システムが望まれる。   For this reason, an inspection system capable of grasping the internal state of the semiconductor package after resin sealing in a short time and in detail and effectively reflecting the inspection result in the design data is desired.

さらに、試作された半導体パッケージのワイヤ形状は、樹脂封止後のみならず、樹脂封止前であっても、設計形状と異なっているのが通常であるため、樹脂封止前のワイヤ形状についても検査を行い、ワイヤ間の隙間等を把握して確認したり、設計形状との比較を行う必要がある。従って、樹脂封止前の半導体パッケージの場合にも、その状態を短時間で、かつ、詳細に把握し、その検査結果を設計データに効果的に反映させることができる検査システムが望まれる。   Furthermore, the wire shape of the prototype semiconductor package is usually different from the design shape not only after resin sealing but also before resin sealing. Also, it is necessary to inspect and confirm the gap between the wires, etc., and to compare with the design shape. Therefore, in the case of a semiconductor package before resin sealing, an inspection system that can grasp the state in detail in a short time and can effectively reflect the inspection result in design data is desired.

なお、特許文献1に記載された半導体モデルの表示装置では、半導体製造工程の各工程について2次元モデルの断面形状や3次元モデルの立体画像を表示画面上に表示できるようになっているが、実物の半導体については、電子顕微鏡の写真画像を用いて、設計時に予測される製造工程での2次元半導体モデルとの2次元的な比較を行うことができるにすぎない。   In the semiconductor model display device described in Patent Document 1, the cross-sectional shape of the two-dimensional model and the stereoscopic image of the three-dimensional model can be displayed on the display screen for each step of the semiconductor manufacturing process. For a real semiconductor, it is only possible to perform a two-dimensional comparison with a two-dimensional semiconductor model in a manufacturing process predicted at the time of design, using a photographic image of an electron microscope.

また、特許文献2に記載された形状モデル作成装置では、CTスキャナの走査で得られた断層画像群から実測CADモデルを生成し、この実測CADモデルの欠落部分を基準CADモデルの対応部分の形状情報で補完しているが、実測CADモデルと基準CADモデルとの差異の比較表示を行うわけではない。   Further, in the shape model creation apparatus described in Patent Document 2, a measured CAD model is generated from a tomographic image group obtained by scanning with a CT scanner, and a missing portion of the measured CAD model is used as a shape of a corresponding portion of the reference CAD model. Although it is supplemented with information, a comparison display of the difference between the actual CAD model and the reference CAD model is not performed.

さらに、特許文献3に記載された半導体の検査方法では、半導体の基板上に形成された素子又は配線の読み取りパターンと、予め作成された期待値パターンとの比較照合を行っているが、3次元的な比較照合を行っているわけではない。   Further, in the semiconductor inspection method described in Patent Document 3, a comparison check is performed between a read pattern of an element or wiring formed on a semiconductor substrate and an expected value pattern created in advance. We do not perform comparative comparison.

そして、特許文献4に記載された3次元画像撮影装置や、特許文献5に記載された3次元モデル作成装置では、実物を3次元的に捉えることはできるが、設計データとの比較照合を行うことはできない。   The three-dimensional image capturing device described in Patent Document 4 and the three-dimensional model creation device described in Patent Document 5 can capture the actual object three-dimensionally, but perform comparison and collation with design data. It is not possible.

本発明の目的は、半導体パッケージの実物の状態を3次元的に詳細に把握することができ、その検査結果を設計データに効果的に反映させることができる半導体パッケージの検査システムおよびプログラムを提供するところにある。   An object of the present invention is to provide a semiconductor package inspection system and program capable of grasping the actual state of a semiconductor package in detail three-dimensionally and effectively reflecting the inspection result in design data. By the way.

本発明の半導体パッケージの検査システムは、樹脂封止後の半導体パッケージをX線撮影装置で撮影して得られた複数のX線写真データを用いて樹脂封止後の3次元実測形状データを作成する処理、または樹脂封止前の半導体パッケージをカメラ撮影装置で撮影して得られた複数のカメラ写真データを用いて樹脂封止前の3次元実測形状データを作成する処理のうちの少なくとも一方の処理を行う3次元実測形状データ作成処理手段と、この3次元実測形状データ作成処理手段により作成された樹脂封止後または樹脂封止前の3次元実測形状データを用いて樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージのワイヤを含む構成要素に対応するオブジェクト間の3次元隙間を算出する処理を行う実測隙間算出処理手段と、この実測隙間算出処理手段による算出処理結果をディスプレイ画面上に表示する処理を行う実測隙間表示処理手段とを備えたことを特徴とするものである。   The semiconductor package inspection system of the present invention creates three-dimensional measured shape data after resin sealing using a plurality of X-ray photograph data obtained by photographing the semiconductor package after resin sealing with an X-ray imaging apparatus. At least one of the processing to create or the three-dimensional measured shape data before resin sealing using a plurality of camera photo data obtained by photographing a semiconductor package before resin sealing with a camera photographing device 3D measured shape data creation processing means for processing, and after resin sealing or resin using 3D measured shape data after resin sealing or before resin sealing created by the 3D measured shape data creation processing means Measured gap calculation processing means for performing a process of calculating a three-dimensional gap between objects corresponding to components including wires of the semiconductor package before sealing, and this measured gap calculation process It is characterized in that a measured clearance display processing means for performing processing for displaying the calculation result of the stages on the display screen.

ここで、「X線写真データ」は、デジタルX線撮影装置から直接に出力されたデジタルX線写真データでもよく、あるいはX線撮影装置で撮影されたフイルムを事後的にデジタル化したX線写真データでもよい。同様に、「カメラ写真データ」は、デジタルカメラ撮影装置から直接に出力されたデジタルカメラ写真データでもよく、あるいはカメラ撮影装置で撮影されたフイルムを事後的にデジタル化したカメラ写真データでもよい。   Here, the “X-ray photograph data” may be digital X-ray photograph data output directly from a digital X-ray photographing apparatus, or an X-ray photograph obtained by digitizing a film photographed by the X-ray photographing apparatus. Data may be used. Similarly, the “camera photo data” may be digital camera photo data output directly from a digital camera photographing device, or camera photo data obtained by digitizing a film photographed by the camera photographing device.

このような本発明においては、複数のX線写真データまたは複数のカメラ写真データを用いて3次元実測形状データが作成され、この3次元実測形状データに基づきオブジェクト間の3次元隙間が算出されて画面表示されるので、半導体パッケージの検査に携わる作業者は、樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージの状態、例えばワイヤ間の隙間等を3次元的に詳細に把握することが可能となり、その3次元的に得られた詳細情報を設計データに効果的に反映させることが可能となり、これらにより前記目的が達成される。   In the present invention, three-dimensional measured shape data is created using a plurality of X-ray photograph data or a plurality of camera photograph data, and a three-dimensional gap between objects is calculated based on the three-dimensional measured shape data. Since it is displayed on the screen, an operator engaged in the inspection of the semiconductor package can grasp in detail three-dimensionally the state of the semiconductor package after resin sealing or before resin sealing, such as a gap between wires. The detailed information obtained three-dimensionally can be effectively reflected in the design data, thereby achieving the object.

また、本発明の半導体パッケージの検査システムは、3次元設計データに基づき作成された樹脂封止後の半導体パッケージをX線撮影装置で撮影して得られた複数のX線写真データを用いて樹脂封止後の3次元実測形状データを作成する処理、または3次元設計データに基づき作成された樹脂封止前の半導体パッケージをカメラ撮影装置で撮影して得られた複数のカメラ写真データを用いて樹脂封止前の3次元実測形状データを作成する処理のうちの少なくとも一方の処理を行う3次元実測形状データ作成処理手段と、3次元設計データと3次元実測形状データ作成処理手段により作成された樹脂封止後または樹脂封止前の3次元実測形状データとを用いて、半導体パッケージの設計形状と樹脂封止後または樹脂封止前の実測形状とをディスプレイ画面上に重ね合わせて表示する処理を行う重畳表示処理手段とを備えたことを特徴とするものである。   Further, the semiconductor package inspection system of the present invention is a resin using a plurality of X-ray photograph data obtained by photographing a semiconductor package after resin sealing created based on three-dimensional design data with an X-ray imaging apparatus. Using a plurality of camera photograph data obtained by photographing a semiconductor package before resin sealing created based on processing for creating three-dimensional actually measured shape data after sealing or three-dimensional design data with a camera photographing device Created by 3D measured shape data creation processing means for performing at least one of the processes for creating 3D measured shape data before resin sealing, 3D design data, and 3D measured shape data creation processing means Using the three-dimensional measured shape data after resin sealing or before resin sealing, the design shape of the semiconductor package and the measured shape after resin sealing or before resin sealing are displayed. It is characterized in that a superimposed display processing means for performing processing to display superimposed on the ray screen.

このような本発明においては、複数のX線写真データまたは複数のカメラ写真データを用いて3次元実測形状データが作成され、この3次元実測形状データおよび3次元設計データを用いて、設計形状と実測形状との重畳表示が行われるので、半導体パッケージの検査に携わる作業者は、設計形状と実測形状との差異を3次元的に詳細に把握することが可能となり、その3次元的に得られた詳細情報を設計データに効果的に反映させることが可能となり、これらにより前記目的が達成される。   In the present invention as described above, three-dimensional actually measured shape data is created using a plurality of X-ray photograph data or a plurality of camera photograph data, and using this three-dimensional actually measured shape data and three-dimensional design data, Since the superimposed display with the actually measured shape is performed, it becomes possible for an operator involved in the inspection of the semiconductor package to grasp the difference between the design shape and the actually measured shape in detail three-dimensionally, and the three-dimensional result can be obtained. The detailed information can be effectively reflected in the design data, thereby achieving the object.

そして、前述した3次元隙間を画面表示する発明と、上記の設計形状と実測形状との重畳表示を行う発明とを組合せてもよい。すなわち、前述した3次元隙間を画面表示する構成とした場合において、3次元設計データとこの3次元設計データに基づき作成された樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージについて3次元実測形状データ作成処理手段により作成された樹脂封止後または樹脂封止前の3次元実測形状データとを用いて、半導体パッケージの設計形状と樹脂封止後または樹脂封止前の実測形状とをディスプレイ画面上に重ね合わせて表示する処理を行う重畳表示処理手段を備えた構成としてもよい。   Then, the above-described invention for displaying the three-dimensional gap on the screen may be combined with the invention for displaying the design shape and the measured shape in a superimposed manner. That is, in the case where the above-described three-dimensional gap is displayed on the screen, the three-dimensional measured shape data of the three-dimensional design data and the semiconductor package after or before resin sealing created based on the three-dimensional design data. Using the three-dimensional measured shape data after resin sealing or before resin sealing created by the creation processing means, the design shape of the semiconductor package and the measured shape after resin sealing or before resin sealing are displayed on the display screen. It is good also as a structure provided with the superimposition display process means which performs the process superimposed and displayed on.

このように3次元隙間を画面表示する発明と、設計形状と実測形状との重畳表示を行う発明とを組み合せた構成とした場合には、半導体パッケージの検査に携わる作業者は、樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージの状態、例えばワイヤ間の隙間等を3次元的に詳細に把握することが可能となるとともに、設計形状と実測形状との差異を3次元的に詳細に把握することが可能となり、それらの3次元的に得られた詳細情報を、設計データに、より一層効果的に反映させることが可能となる。   Thus, in the case of a configuration in which the invention for displaying the three-dimensional gap on the screen and the invention for superimposing the design shape and the actual measurement shape are combined, an operator engaged in the inspection of the semiconductor package must Alternatively, it becomes possible to grasp the state of the semiconductor package before resin sealing, for example, the gap between the wires in three dimensions in detail, and to grasp the difference between the design shape and the measured shape in detail in three dimensions. Therefore, the detailed information obtained three-dimensionally can be more effectively reflected in the design data.

さらに、以上に述べた半導体パッケージの検査システムにおいて、3次元実測形状データ作成処理手段は、樹脂封止後の半導体パッケージを複数の方向から撮影可能な構成とされたX線撮影装置で複数の方向から撮影して得られた複数のX線写真データを用いて樹脂封止後の3次元実測形状データを作成する処理、または樹脂封止前の半導体パッケージを複数の方向から撮影可能な構成とされたカメラ撮影装置で複数の方向から撮影して得られた複数のカメラ写真データを用いて樹脂封止前の3次元実測形状データを作成する処理を行う構成とされていることが望ましい。   Further, in the semiconductor package inspection system described above, the three-dimensional measured shape data creation processing means is an X-ray imaging apparatus configured to image a semiconductor package after resin sealing from a plurality of directions in a plurality of directions. A process for creating three-dimensional actually measured shape data after resin sealing using a plurality of X-ray photograph data obtained from the above, or a configuration capable of photographing a semiconductor package before resin sealing from a plurality of directions. It is desirable that a process for creating three-dimensional measured shape data before resin sealing is performed using a plurality of camera photograph data obtained by photographing from a plurality of directions with a camera photographing apparatus.

このように複数の方向から撮影して得られた複数のX線写真データまたは複数のカメラ写真データを用いて3次元実測形状データを作成する構成とした場合には、複数の断層画像を用いる場合に比べ、3次元実測形状データを少ないデータで容易に作成することが可能となる。   When using a plurality of tomographic images in the case where the three-dimensional measured shape data is created using a plurality of X-ray photograph data or a plurality of camera photograph data obtained by photographing from a plurality of directions as described above. Compared to the above, it is possible to easily create the three-dimensional measured shape data with less data.

また、上述した複数の方向から撮影して得られた複数のX線写真データまたは複数のカメラ写真データを用いて3次元実測形状データを作成する構成とした場合において、3次元実測形状データ作成処理手段は、樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージの少なくとも一部を上方から撮影して得られた上面写真データを用いてワイヤを含む上面写真をディスプレイ画面上に表示して前記ワイヤを画面上でトレースする入力操作を受け付ける処理を行う上面トレース受付処理手段と、樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージの少なくとも一部を斜め方向から撮影して得られた傾斜写真データを用いてワイヤを含む傾斜写真をディスプレイ画面上に表示してワイヤを画面上でトレースする入力操作を受け付ける処理を行う傾斜トレース受付処理手段と、上面トレース受付処理手段により受け付けたトレース操作で得られた上面トレースデータと傾斜トレース受付処理手段により受け付けたトレース操作で得られた傾斜トレースデータとを合成する処理を行う合成処理手段とを含んで構成され、斜め方向から撮影して得られた傾斜写真データは、ワイヤの一端を接合するファーストボンディング位置と他端を接合するセカンドボンディング位置とを結んだボンディング位置間直線と直交若しくは略直交する線または直角若しくは略直角をなす線であって、かつ、ワイヤおよびボンディング位置間直線を含む面と鋭角をなす線を画角中心線として撮影して得られた傾斜写真データであることが望ましい。   Further, in the case where the configuration is such that three-dimensional measured shape data is created using a plurality of X-ray photograph data or a plurality of camera photograph data obtained by photographing from a plurality of directions described above, three-dimensional measured shape data creation processing The means displays the upper surface photograph including the wire on the display screen by using the upper surface photograph data obtained by photographing at least a part of the semiconductor package after the resin sealing or before the resin sealing from the upper side. Using top-surface trace reception processing means for processing to accept input operations for tracing on the screen, and tilted photographic data obtained by photographing at least a part of the semiconductor package after resin sealing or before resin sealing from an oblique direction Tilt tray that performs processing to accept input operations to display a tilt photo including the wire on the display screen and trace the wire on the screen Synthesis processing for synthesizing the upper surface trace data obtained by the trace operation received by the upper surface trace acceptance processing means and the inclined trace data obtained by the trace operation accepted by the inclined trace acceptance processing means The tilt photograph data obtained by photographing from an oblique direction is orthogonal to the straight line between the bonding positions connecting the first bonding position where one end of the wire is bonded and the second bonding position where the other end is bonded. Alternatively, it is tilted photographic data obtained by photographing a line that is substantially perpendicular or a right angle or a substantially right angle and that forms an acute angle with a surface that includes the wire and the straight line between bonding positions as a center line of view angle. It is desirable.

ここで、「半導体パッケージの少なくとも一部を上方から撮影して得られた上面写真データ」とは、半導体パッケージの上面全体を一括して撮影した上面写真データでもよく、あるいは半導体パッケージの上面を複数に分割して撮影した上面写真データでもよい趣旨である。但し、撮影作業の簡易化等の観点から、上面全体を一括して撮影した上面写真データとすることが好ましい。   Here, the “upper surface photographic data obtained by photographing at least a part of the semiconductor package from above” may be upper surface photographic data obtained by photographing the entire upper surface of the semiconductor package at once, or a plurality of upper surfaces of the semiconductor package. That is, the upper surface photograph data may be divided and taken. However, from the viewpoint of simplifying the photographing operation, it is preferable to use the upper surface photograph data obtained by photographing the entire upper surface at once.

また、「半導体パッケージの少なくとも一部を斜め方向から撮影して得られた傾斜写真データ」とは、半導体パッケージの全体を一括して撮影した傾斜写真データでもよく、半導体パッケージの一部を撮影した傾斜写真データでもよい趣旨であり、要するに、検査の対象となるワイヤを含む部分の位置や大きさ、あるいは検査の対象となるワイヤの向きや配置間隔等のワイヤの配置状況に応じ、3次元実測形状データを精度よく作成できるように、適宜な枚数を適宜な大きさで撮影したものであればよい。   In addition, “tilt photo data obtained by photographing at least a part of a semiconductor package from an oblique direction” may be tilt photo data obtained by photographing the whole semiconductor package at a time, and a part of the semiconductor package was photographed. Inclined photograph data may be used. In short, three-dimensional measurement is performed according to the position and size of the portion including the wire to be inspected, or the wire placement status such as the orientation and spacing of the wire to be inspected. What is necessary is just to photograph an appropriate number of images with an appropriate size so that the shape data can be created with high accuracy.

このように上面写真のワイヤおよび傾斜写真のワイヤをそれぞれトレースして3次元実測形状データを作成する構成とした場合には、上面写真のワイヤのトレースでX,Y座標値(ワイヤの平面的な位置情報)を得るとともに、傾斜写真のワイヤのトレースでZ座標値(ワイヤの高さ情報)を得ることが可能となる。この際、同じワイヤ形状を有する複数のワイヤが近傍に配置されることは一般的であるが、これらのワイヤを側方から見た場合には、当然に各ワイヤは重なって見えるので、側方から撮影しても写真上で各ワイヤが重なり、写真の画像のコントラストを調整しても各ワイヤの判別がつかず、各ワイヤをトレースすることができないのに対し、傾斜写真に写ったワイヤは重なっていないか、あるいは一部が重なっていても画像のコントラストを調整すれば各ワイヤの判別が可能となる(X線撮影の場合には、解像度のよいX線ディテクタを使用することにより可能となる。)ので、トレースすることができる。従って、半導体パッケージにおけるワイヤの配置状況に応じ、適切な状態で撮影された写真、すなわちワイヤの撮影に適した方法で撮影された写真をトレースすることができるので、3次元実測形状データを効率的に作成することが可能となる。   In this way, when the three-dimensional measured shape data is created by tracing the wire of the upper surface photograph and the wire of the inclined photograph, the X, Y coordinate values (wire plane (Position information) can be obtained, and the Z coordinate value (wire height information) can be obtained by tracing the wire of the inclined photograph. At this time, it is common for a plurality of wires having the same wire shape to be arranged in the vicinity, but when these wires are viewed from the side, the wires naturally appear to overlap each other. Each wire overlaps on the photograph even if it is taken from the photo, and even if the contrast of the image of the photograph is adjusted, each wire cannot be distinguished, and each wire cannot be traced. Even if they do not overlap or partly overlap, it is possible to discriminate each wire by adjusting the contrast of the image (in the case of X-ray imaging, this can be done by using an X-ray detector with good resolution). So it can be traced. Therefore, it is possible to trace a photograph taken in an appropriate state, that is, a photograph taken by a method suitable for photographing a wire in accordance with the arrangement state of the wires in the semiconductor package, so that the three-dimensional measured shape data can be efficiently used. Can be created.

さらに、前述した設計形状と実測形状との重畳表示を行う構成とした場合において、半導体パッケージの設計および検査に携わるプロセス技術者、解析者、および設計者を含む複数の作業者がそれぞれ操作する複数の端末装置と、これらの端末装置とネットワークを介して接続されて前記半導体パッケージの検査に関する情報を管理する管理サーバとを備え、端末装置は、複数の作業者間での対話または画像共有のうちの少なくとも一方による協調作業を実現するために、作業者による入力操作を受け付けてこの操作情報を管理サーバへ送信する処理を行うとともに、管理サーバから配信されてきた共有情報を受信してこの共有情報を作業者に提示するためのディスプレイ画面上への表示処理を行う端末側コラボレーション処理手段と、管理サーバとの間で半導体パッケージの設計および検査に関するデータの送受信処理を行うデータ送受信処理手段とを含んで構成され、管理サーバは、協調作業を実現するために、複数の端末装置のうちのいずれかの端末装置から送信されてきた操作情報を受信する処理を行うとともに、この操作情報に基づき他の端末装置または全ての端末装置に共有情報を配信する処理を行うサーバ側コラボレーション処理手段と、端末装置からネットワークを介して送信されてきた半導体パッケージの設計および検査に関するデータを受信してこのデータの登録処理を行うとともに、端末装置からの要求に応じて該当するデータを検索して端末装置へネットワークを介して送信する処理を行うデータ管理処理手段と、半導体パッケージの3次元設計データを記憶する3次元設計データ記憶手段と、3次元実測形状データ作成処理手段により作成された樹脂封止後または樹脂封止前の3次元実測形状データを記憶する3次元実測形状データ記憶手段と、半導体パッケージの設計形状と樹脂封止後または樹脂封止前の実測形状とをディスプレイ画面上に重ね合わせて表示するための重畳表示用データを記憶する重畳表示用データ記憶手段とを含んで構成され、データ管理処理手段は、プロセス技術者が操作する端末装置からネットワークを介して送信されてきた樹脂封止後または樹脂封止前の3次元実測形状データを受信し、受信した3次元実測形状データを3次元実測形状データ記憶手段に登録する処理と、プロセス技術者が操作する端末装置からネットワークを介して送信されてきた重畳表示用データを受信し、受信した重畳表示用データを重畳表示用データ記憶手段に登録する処理と、解析者が操作する端末装置からの要求に応じて3次元実測形状データ記憶手段から該当する3次元実測形状データを検索し、検索した3次元実測形状データを解析者が操作する端末装置へネットワークを介して送信する処理と、設計者が操作する端末装置からの要求に応じて重畳表示用データ記憶手段から該当する重畳表示用データを検索し、検索した重畳表示用データを設計者が操作する端末装置へネットワークを介して送信する処理と、設計者が操作する端末装置からネットワークを介して送信されてきた補正後の3次元設計データを受信し、受信した補正後の3次元設計データを3次元設計データ記憶手段に登録する処理とを含む処理を行う構成とされていることが望ましい。   Further, in the case where the above-described design shape and the actually measured shape are superimposed and displayed, a plurality of operators including a process engineer, an analyst, and a designer who are involved in the design and inspection of the semiconductor package respectively operate. Terminal devices, and a management server that is connected to these terminal devices via a network and manages information related to the inspection of the semiconductor package, and the terminal device is a part of dialog or image sharing among a plurality of workers. In order to realize collaborative work by at least one of the above, a process of receiving an input operation by an operator and transmitting the operation information to the management server is performed, and the shared information distributed from the management server is received and the shared information is received. Terminal-side collaboration processing means that performs display processing on the display screen for presenting to the worker, and management And a data transmission / reception processing means for performing data transmission / reception processing on the design and inspection of the semiconductor package with the server, and the management server A server-side collaboration processing means for performing processing for receiving operation information transmitted from the terminal device, and processing for distributing shared information to other terminal devices or all terminal devices based on the operation information, and a terminal Receives data related to the design and inspection of the semiconductor package transmitted from the apparatus via the network, performs registration processing of this data, searches the corresponding data in response to a request from the terminal apparatus, and transmits the data to the terminal apparatus. Data management processing means for performing processing to be transmitted via the device, and three-dimensional design data of the semiconductor package 3D design data storage means for storing, 3D measured shape data storage means for storing 3D measured shape data after resin sealing or before resin sealing created by the 3D measured shape data creation processing means, and a semiconductor It is configured to include superimposed display data storage means for storing superimposed display data for displaying the package design shape and the actually measured shape after resin sealing or before resin sealing superimposed on the display screen, The data management processing means receives the three-dimensional measured shape data after resin sealing or before resin sealing transmitted from the terminal device operated by the process engineer via the network, and receives the received three-dimensional measured shape data. The process of registering in the three-dimensional measured shape data storage means and the superimposed display data transmitted from the terminal device operated by the process engineer via the network 3D actual measurement data is received from the 3D actual measurement shape data storage means in response to a request from the terminal device operated by the analyst. Processing for searching for shape data, transmitting the searched three-dimensional measured shape data to a terminal device operated by an analyst via a network, and data storage means for superimposed display in response to a request from the terminal device operated by a designer From the terminal device operated by the designer through the network, and the processing for transmitting the superimposed display data from the terminal device operated by the designer to the terminal device operated by the designer. Receiving the corrected 3D design data and registering the received corrected 3D design data in the 3D design data storage means It is desirable to have been.

ここで、「補正後の3次元設計データ」は、既に3次元設計データ記憶手段に記憶されている補正前の3次元設計データに上書きされる形で登録されてもよく、あるいは新規に追加される形で登録されてもよい。   Here, the “corrected three-dimensional design data” may be registered in the form of being overwritten on the three-dimensional design data before correction already stored in the three-dimensional design data storage means, or newly added. May be registered.

このようにネットワークを介して協働作業を行うことができる構成とした場合には、半導体パッケージの設計および検査に携わるプロセス技術者、解析者、および設計者を含む複数の作業者が緊密に連携し、半導体パッケージの検査に関する各工程を短時間で進めていくことが可能となるうえ、検査に関する各工程で得られるデータがネットワークを介して管理サーバで管理されるので、検査結果の設計データへの反映が、より容易かつ確実に実現される。   In this way, multiple workers including process engineers, analysts, and designers who are involved in semiconductor package design and inspection work closely together in a configuration that enables collaborative work via a network. In addition, it is possible to proceed with each process related to the inspection of semiconductor packages in a short time, and the data obtained in each process related to the inspection is managed by the management server via the network. Is reflected more easily and reliably.

また、上記のようにネットワークを介して協働作業を行うことができる構成とした場合において、複数の端末装置には、営業担当者が操作する端末装置が含まれ、データ管理処理手段は、営業担当者が操作する端末装置からの要求に応じて重畳表示用データ記憶手段から該当する重畳表示用データを検索し、検索した重畳表示用データを営業担当者が操作する端末装置へネットワークを介して送信する処理も行う構成とされていることが望ましい。   Further, in the case where it is configured to be able to perform collaborative work via a network as described above, the plurality of terminal devices include terminal devices operated by sales representatives, and the data management processing means In response to a request from the terminal device operated by the person in charge, the corresponding superimposed display data is retrieved from the superimposed display data storage means, and the retrieved superimposed display data is sent to the terminal device operated by the sales person via the network. It is desirable that the transmission process is also performed.

このように営業担当者を含めて協働作業を行うことができる構成とした場合には、営業担当者は、顧客に対し、端末装置を用いて半導体パッケージの検査結果を短時間で提示することが可能となる。   In this way, when it is configured to be able to perform collaborative work including the sales staff, the sales staff must present the semiconductor package inspection results to the customer in a short time using the terminal device. Is possible.

さらに、上記のようにネットワークを介して協働作業を行うことができる構成とした場合において、複数の端末装置には、半導体パッケージの検査工程を統括管理するマネージャが操作する端末装置が含まれ、管理サーバは、半導体パッケージの検査の各工程の進捗状況を入力する工程表を記憶する工程表記憶手段を備え、データ管理処理手段は、マネージャが操作する端末装置からの要求に応じて工程表記憶手段に記憶された工程表の画面表示用のデータをマネージャが操作する端末装置へネットワークを介して送信するとともに、マネージャにより入力されてマネージャが操作する端末装置からネットワークを介して送信されてきた進捗状況を示すデータを受信し、工程表を更新する処理も行う構成とされていることが望ましい。   Furthermore, in the case where it is configured to be able to perform collaborative work via the network as described above, the plurality of terminal devices include a terminal device operated by a manager that comprehensively manages the inspection process of the semiconductor package, The management server includes a process table storage unit that stores a process table for inputting a progress status of each process of the inspection of the semiconductor package, and the data management processing unit stores the process table according to a request from the terminal device operated by the manager. The process table screen display data stored in the means is transmitted to the terminal device operated by the manager via the network, and the progress input by the manager and transmitted from the terminal device operated by the manager via the network It is desirable to receive data indicating the situation and to update the process chart.

このようにマネージャを含めて協働作業を行うことができる構成とした場合には、複数の作業者により行われる各作業がマネージャにより管理され、各作業者間の連携が円滑に行われるようになり、協働作業の作業効率の向上が図られる。   In this way, when it is configured to be able to perform collaborative work including the manager, each work performed by a plurality of workers is managed by the manager so that the cooperation between the workers is smoothly performed. Thus, the work efficiency of the collaborative work is improved.

また、本発明のプログラムは、樹脂封止後の半導体パッケージをX線撮影装置で撮影して得られた複数のX線写真データを用いて樹脂封止後の3次元実測形状データを作成する処理、または樹脂封止前の半導体パッケージをカメラ撮影装置で撮影して得られた複数のカメラ写真データを用いて樹脂封止前の3次元実測形状データを作成する処理のうちの少なくとも一方の処理を行う3次元実測形状データ作成処理手段と、この3次元実測形状データ作成処理手段により作成された樹脂封止後または樹脂封止前の3次元実測形状データを用いて樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージのワイヤを含む構成要素に対応するオブジェクト間の3次元隙間を算出する処理を行う実測隙間算出処理手段と、この実測隙間算出処理手段による算出処理結果をディスプレイ画面上に表示する処理を行う実測隙間表示処理手段とを備えたことを特徴とする半導体パッケージの検査システムとして、コンピュータを機能させるためのものである。   The program of the present invention is a process for creating three-dimensional actually measured shape data after resin sealing using a plurality of X-ray photograph data obtained by imaging a semiconductor package after resin sealing with an X-ray imaging apparatus. Or at least one of the processes of creating three-dimensional measured shape data before resin sealing using a plurality of camera photograph data obtained by photographing a semiconductor package before resin sealing with a camera photographing device Three-dimensional measured shape data creation processing means to be performed, and resin sealing or resin sealing using the three-dimensional measured shape data created by the three-dimensional measured shape data creation processing means after or before resin sealing Actual measurement gap calculation processing means for performing processing for calculating a three-dimensional gap between objects corresponding to components including wires of the previous semiconductor package, and calculation by the actual measurement gap calculation processing means The physical results as an inspection system for a semiconductor package, characterized in that a measured clearance display processing means for performing processing for displaying on a display screen, is for causing a computer to function.

なお、上記のプログラムまたはその一部は、例えば、光磁気ディスク(MO)、コンパクトディスク(CD)を利用した読出し専用メモリ(CD−ROM)、CDレコーダブル(CD−R)、CDリライタブル(CD−RW)、デジタル・バーサタイル・ディスク(DVD)を利用した読出し専用メモリ(DVD−ROM)、DVDを利用したランダム・アクセス・メモリ(DVD−RAM)、フレキシブルディスク(FD)、磁気テープ、ハードディスク、読出し専用メモリ(ROM)、電気的消去および書換可能な読出し専用メモリ(EEPROM)、フラッシュ・メモリ、ランダム・アクセス・メモリ(RAM)等の記録媒体に記録して保存や流通等させることが可能であるとともに、例えば、ローカル・エリア・ネットワーク(LAN)、メトロポリタン・エリア・ネットワーク(MAN)、ワイド・エリア・ネットワーク(WAN)、インターネット、イントラネット、エクストラネット等の有線ネットワーク、あるいは無線通信ネットワーク、さらにはこれらの組合せ等の伝送媒体を用いて伝送することが可能であり、また、搬送波に載せて搬送することも可能である。さらに、上記のプログラムは、他のプログラムの一部分であってもよく、あるいは別個のプログラムと共に記録媒体に記録されていてもよい。   The above-mentioned program or a part thereof is, for example, a magneto-optical disk (MO), a read-only memory (CD-ROM) using a compact disk (CD), a CD recordable (CD-R), a CD rewritable (CD -RW), read-only memory (DVD-ROM) using digital versatile disk (DVD), random access memory (DVD-RAM) using DVD, flexible disk (FD), magnetic tape, hard disk, It can be recorded on storage media such as read-only memory (ROM), electrically erasable and rewritable read-only memory (EEPROM), flash memory, and random access memory (RAM) for storage and distribution. And, for example, a local area network (LA ), A metropolitan area network (MAN), a wide area network (WAN), a wired network such as the Internet, an intranet, or an extranet, or a wireless communication network, or a combination thereof. It is also possible to carry it on a carrier wave. Furthermore, the above program may be a part of another program, or may be recorded on a recording medium together with a separate program.

以上に述べたように本発明によれば、複数のX線写真データまたは複数のカメラ写真データを用いて3次元実測形状データが作成され、この3次元実測形状データに基づきオブジェクト間の3次元隙間が算出されて画面表示されるので、樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージの状態、例えばワイヤ間の隙間等を3次元的に詳細に把握することができ、あるいは3次元設計データおよび3次元実測形状データを用いて設計形状と実測形状との重畳表示が行われるので、設計形状と実測形状との差異を3次元的に詳細に把握することができるため、検査結果を設計データに効果的に反映させることができるという効果がある。   As described above, according to the present invention, three-dimensional measured shape data is created using a plurality of X-ray photograph data or a plurality of camera photograph data, and a three-dimensional gap between objects based on the three-dimensional measured shape data. Is calculated and displayed on the screen, so that the state of the semiconductor package after resin sealing or before resin sealing, such as the gap between wires, can be grasped in three dimensions in detail, or three-dimensional design data and Since the design shape and the actual measurement shape are superimposed using the three-dimensional actual measurement shape data, the difference between the design shape and the actual measurement shape can be grasped in three dimensions in detail. There is an effect that it can be reflected effectively.

以下に本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。図1には、本実施形態の半導体パッケージの検査システム10の全体構成が示されている。図2〜図6には、半導体パッケージの検査作業の流れがフローチャートで示されている。また、図7は、X線撮影装置70による撮影状況の説明図であり、図8は、傾斜X線写真の撮影方向の説明図である。図9には、工程表の一例が示されている。さらに、図10は、試作された実物の半導体パッケージ120の一部を示す斜視図であり、図11は、上面X線写真ワイヤのトレース作業の説明図であり、図12は、傾斜X線写真ワイヤのトレース作業の説明図である。そして、図13には、3次元データ自動生成用パラメータ入力画面170の一例が示されている。図14〜図17は、ワイヤデータの合成処理の説明図である。また、図18には、3次元での設計ルールチェック結果の一例が示され、図19には、不良箇所の一覧表示画面250およびワイヤ間の最小隙間部分の3次元グラフィクス表示の一例が示され、図20には、3次元デザイン・ルール・チェック結果表示画面270およびワイヤとダイとの間の最小隙間部分の3次元グラフィクス表示の一例が示され、図21には、半導体パッケージの設計形状と実測形状との3次元での重畳表示の一例が示されている。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an overall configuration of a semiconductor package inspection system 10 according to the present embodiment. 2 to 6 show a flow chart of the semiconductor package inspection work. FIG. 7 is an explanatory diagram of an imaging situation by the X-ray imaging apparatus 70, and FIG. 8 is an explanatory diagram of an imaging direction of an inclined X-ray photograph. FIG. 9 shows an example of a process chart. Further, FIG. 10 is a perspective view showing a part of a prototype real semiconductor package 120, FIG. 11 is an explanatory view of the trace operation of the top surface X-ray photographic wire, and FIG. 12 is a tilted X-ray photograph. It is explanatory drawing of the trace operation | work of a wire. FIG. 13 shows an example of a parameter input screen 170 for automatically generating three-dimensional data. 14 to 17 are explanatory diagrams of wire data synthesis processing. FIG. 18 shows an example of a three-dimensional design rule check result, and FIG. 19 shows an example of a defective part list display screen 250 and a three-dimensional graphics display of a minimum gap portion between wires. 20 shows an example of a three-dimensional design rule check result display screen 270 and a three-dimensional graphics display of the minimum gap portion between the wire and the die. FIG. 21 shows the design shape of the semiconductor package. An example of a three-dimensional superimposed display with the measured shape is shown.

図1において、半導体パッケージの検査システム10は、顧客である半導体メーカに対応する半導体パッケージメーカの営業担当者が操作する営業担当者用の端末装置20と、半導体パッケージの検査工程を統括管理する半導体パッケージメーカのマネージャが操作するマネージャ用の端末装置30と、半導体パッケージメーカまたは半導体メーカの設計者(例えば、米国の設計部署に所在すると仮定する。)が操作する設計者用の端末装置40と、半導体パッケージメーカの解析者(例えば、日本の解析部署に所在すると仮定する。)が操作する解析者用の端末装置50と、半導体パッケージメーカのプロセス技術者(例えば、台湾の半導体パッケージ製造工場に所在すると仮定する。)が操作するプロセス技術者用の端末装置60と、半導体パッケージの検査に関する情報を管理する管理サーバ80とがネットワーク1で接続されて構成されている。また、検査システム10は、X線撮影装置70およびカメラ撮影装置75を備えている。   In FIG. 1, a semiconductor package inspection system 10 includes a terminal device 20 for a salesperson operated by a salesperson of a semiconductor package maker corresponding to a semiconductor maker that is a customer, and a semiconductor that comprehensively manages the inspection process of the semiconductor package. A terminal device 30 for a manager operated by a manager of the package manufacturer, a terminal device 40 for a designer operated by a semiconductor package manufacturer or a designer of the semiconductor manufacturer (for example, assuming that the designer is located in a design department in the United States), A terminal device 50 for an analyst operated by an analyst of a semiconductor package manufacturer (for example, assumed to be in an analysis department in Japan) and a process engineer of a semiconductor package manufacturer (for example, located in a semiconductor package manufacturing factory in Taiwan) The terminal device 60 for the process engineer operated by the A management server 80 that manages information about the examination of the body package is configured by connecting a network 1. The inspection system 10 also includes an X-ray imaging apparatus 70 and a camera imaging apparatus 75.

ネットワーク1は、例えば、インターネット、イントラネット、エクストラネット、LAN、MAN、WAN、あるいはこれらの組合せ等、様々な形態のものが含まれ、有線であるか無線であるか、さらには有線および無線の混在型であるかは問わず、要するに、複数地点(距離の長短は問わない。)間で、ある程度の速度をもって情報を伝送することができるものであればよい。   The network 1 includes various forms such as, for example, the Internet, an intranet, an extranet, a LAN, a MAN, a WAN, or a combination of these, and is wired or wireless, or a mixture of wired and wireless Regardless of whether it is a type, in short, it may be anything that can transmit information at a certain speed between a plurality of points (regardless of the length of distance).

各端末装置20,30,40,50,60は、例えば、コンピュータ等により構成され、キーボードやマウス等の入力手段と、液晶ディスプレイやCRTディスプレイ等のディスプレイ装置とを備えている。また、各端末装置20,30,40,50,60は、例えば、携帯電話機(PHSも含む。)や携帯情報端末(PDA)等であってもよい。   Each terminal device 20, 30, 40, 50, 60 is constituted by, for example, a computer or the like, and includes input means such as a keyboard and a mouse and a display device such as a liquid crystal display and a CRT display. Each terminal device 20, 30, 40, 50, 60 may be, for example, a mobile phone (including PHS), a personal digital assistant (PDA), or the like.

各端末装置20,30,40,50,60は、それぞれ端末側コラボレーション処理手段21,31,41,51,61と、データ送受信処理手段22,32,42,52,62とを含んで構成されている。   Each terminal device 20, 30, 40, 50, 60 includes terminal side collaboration processing means 21, 31, 41, 51, 61 and data transmission / reception processing means 22, 32, 42, 52, 62, respectively. ing.

端末側コラボレーション処理手段21,31,41,51,61は、複数の作業者間での対話および画像共有による協調作業を実現するために、作業者による入力操作を受け付けてこの操作情報を管理サーバ80へ送信する処理を行うとともに、管理サーバ80から配信されてきた共有情報を受信してこの共有情報を作業者に提示するためのディスプレイ画面上への表示処理を行うものである。   The terminal-side collaboration processing means 21, 31, 41, 51, 61 accepts an input operation by a worker and realizes this operation information in a management server in order to realize a collaborative work by dialogue and image sharing among a plurality of workers. In addition to performing processing to transmit to 80, the shared information distributed from the management server 80 is received, and display processing on the display screen for presenting the shared information to the operator is performed.

データ送受信処理手段22,32,42,52,62は、管理サーバ80との間で半導体パッケージの設計および検査に関するデータの送受信処理を行うものである。   Data transmission / reception processing means 22, 32, 42, 52, 62 perform data transmission / reception processing with respect to the design and inspection of the semiconductor package with the management server 80.

また、営業担当者用の端末装置20は、試作半導体パッケージ検査報告書や設計改善提案書等の顧客へ提出する各種書類を作成する処理を行う書類作成処理手段23を備えている。   Further, the terminal device 20 for a sales staff is provided with a document creation processing means 23 for performing processing for creating various documents to be submitted to a customer such as a prototype semiconductor package inspection report and a design improvement proposal.

また、設計者用の端末装置40は、設計者による半導体パッケージの設計作業(検査後の設計の見直し作業も含む。)を支援する処理を行う設計処理手段43と、後述するプロセス技術者用の端末装置60の重畳表示処理手段67と同様な処理を行う重畳表示処理手段47とを備えている。   The terminal device 40 for the designer includes a design processing means 43 that performs processing for supporting a semiconductor package design work by the designer (including a design review work after the inspection), and a process engineer to be described later. Superimposed display processing means 47 that performs processing similar to the superimposed display processing means 67 of the terminal device 60 is provided.

設計処理手段43は、CAD(Computer Aided Design)システムにより実現され、3次元設計データ作成処理手段44と、設計隙間算出処理手段45と、設計隙間表示処理手段46とを含んで構成されている。この設計処理手段43は、端末側コラボレーション処理手段41およびデータ送受信処理手段42と物理的に異なる装置(スタンドアロンのコンピュータでもよい。)に設けられていてもよいが、作業効率向上等の観点から同じ装置に設けられていることが好ましい。   The design processing means 43 is realized by a CAD (Computer Aided Design) system, and includes a three-dimensional design data creation processing means 44, a design gap calculation processing means 45, and a design gap display processing means 46. The design processing unit 43 may be provided in a device physically different from the terminal side collaboration processing unit 41 and the data transmission / reception processing unit 42 (may be a stand-alone computer), but is the same from the viewpoint of improving work efficiency. It is preferable that it is provided in the apparatus.

3次元設計データ作成処理手段44は、設計者が半導体パッケージの3次元設計データを3次元CADデータとして作成する処理を行うものである。   The three-dimensional design data creation processing means 44 is for the designer to create the three-dimensional design data of the semiconductor package as three-dimensional CAD data.

設計隙間算出処理手段45は、3次元設計データ作成処理手段44により作成された3次元設計データを用いて、設計された半導体パッケージについてのワイヤを含む構成要素に対応するオブジェクト間の3次元隙間を算出する処理を行うものである。半導体パッケージの構成要素とは、例えば、ワイヤ、ダイ、基板等であり、それらの構成要素に対応するオブジェクトとは、各構成要素を3次元CADによりデータ化したものであり、オブジェクト間の3次元隙間には、例えば、ワイヤとワイヤとの間の隙間、ワイヤとダイとの間の隙間等がある。この設計隙間算出処理のアルゴリズムは、後述する実測隙間算出処理手段65の場合と同様である。   The design gap calculation processing means 45 uses the 3D design data created by the 3D design data creation processing means 44 to create a 3D gap between objects corresponding to the components including the wires for the designed semiconductor package. The calculation process is performed. The components of the semiconductor package are, for example, wires, dies, substrates, and the like, and the objects corresponding to these components are data obtained by converting each component into data by three-dimensional CAD, and the three-dimensional between the objects. Examples of the gap include a gap between wires and a gap between wires and a die. The algorithm of this design gap calculation process is the same as that of the measured gap calculation processing means 65 described later.

設計隙間表示処理手段46は、設計隙間算出処理手段45による算出処理結果をディスプレイ画面上に表示する処理を行うものである。この設計隙間表示処理による表示形態は、後述する実測隙間表示処理手段66の場合と同様である。   The design gap display processing means 46 performs processing for displaying the calculation processing result by the design gap calculation processing means 45 on the display screen. The display form by this design gap display processing is the same as that of the measured gap display processing means 66 described later.

また、解析者用の端末装置50は、3次元実測形状データを用いて、試作された半導体パッケージについて機械的解析および電気的解析を行う解析処理手段53を備えている。例えば、電気的解析であれば、MW−Studio等の市販の解析ソフトウェアにより実現することができる。この解析処理手段53は、端末側コラボレーション処理手段51およびデータ送受信処理手段52と物理的に異なる装置(スタンドアロンのコンピュータでもよい。)に設けられていてもよいが、作業効率向上等の観点から同じ装置に設けられていることが好ましい。   Moreover, the terminal device 50 for analysts is provided with an analysis processing means 53 that performs mechanical analysis and electrical analysis on a prototype semiconductor package using the three-dimensional measured shape data. For example, electrical analysis can be realized by commercially available analysis software such as MW-Studio. The analysis processing unit 53 may be provided in a device physically different from the terminal side collaboration processing unit 51 and the data transmission / reception processing unit 52 (may be a stand-alone computer), but is the same from the viewpoint of improving work efficiency. It is preferable that it is provided in the apparatus.

また、プロセス技術者用の端末装置60は、試作された半導体パッケージを検査するための処理を行う検査処理手段63を備えている。この検査処理手段63は、3次元実測形状データ作成処理手段64と、実測隙間算出処理手段65と、実測隙間表示処理手段66と、重畳表示処理手段67と、設計隙間算出処理手段68と、設計隙間表示処理手段69とを備えている。この検査処理手段63は、端末側コラボレーション処理手段61およびデータ送受信処理手段62と物理的に異なる装置(スタンドアロンのコンピュータでもよい。)に設けられていてもよいが、作業効率向上等の観点から同じ装置に設けられていることが好ましい。   Further, the terminal device 60 for the process engineer includes an inspection processing unit 63 that performs processing for inspecting the prototyped semiconductor package. This inspection processing means 63 includes a three-dimensional measured shape data creation processing means 64, an actual measurement gap calculation processing means 65, an actual measurement gap display processing means 66, a superimposed display processing means 67, a design gap calculation processing means 68, a design. And a gap display processing unit 69. The inspection processing unit 63 may be provided in a device (may be a stand-alone computer) physically different from the terminal-side collaboration processing unit 61 and the data transmission / reception processing unit 62, but is the same from the viewpoint of improving work efficiency. It is preferable that it is provided in the apparatus.

3次元実測形状データ作成処理手段64は、樹脂封止後の半導体パッケージをX線撮影装置70で撮影して得られた複数のX線写真データ71を用いて樹脂封止後の3次元実測形状データを作成する処理、および樹脂封止前の半導体パッケージをカメラ撮影装置75で撮影して得られた複数のカメラ写真データ76を用いて樹脂封止前の3次元実測形状データを作成する処理を行うものである。これらの樹脂封止後の3次元実測形状データを作成する処理と樹脂封止前の3次元実測形状データを作成する処理とは、全く同じ処理であり、単に3次元実測形状データの作成の基になる写真データが、X線写真データ71であるかカメラ写真データ76であるかが相違するのみである。この3次元実測形状データ作成処理手段64は、上面トレース受付処理手段64Aと、傾斜トレース受付処理手段64Bと、合成処理手段64Cとを含んで構成されている。   The three-dimensional actually measured shape data creation processing means 64 uses a plurality of X-ray photograph data 71 obtained by photographing the semiconductor package after resin sealing with the X-ray imaging apparatus 70, and the three-dimensional actually measured shape after resin sealing. A process of creating data and a process of creating three-dimensional measured shape data before resin sealing using a plurality of camera photo data 76 obtained by photographing the semiconductor package before resin sealing with the camera photographing device 75 Is what you do. The process of creating the 3D actually measured shape data after resin sealing and the process of creating the 3D actually measured shape data before resin sealing are exactly the same process, and are simply the basis for creating the 3D actually measured shape data. The only difference is whether the photographic data to be is X-ray photographic data 71 or camera photographic data 76. The three-dimensional measured shape data creation processing unit 64 includes an upper surface trace reception processing unit 64A, an inclined trace reception processing unit 64B, and a synthesis processing unit 64C.

上面トレース受付処理手段64Aは、樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージの少なくとも一部(本実施形態では、一例として、全体とする。)を上方から撮影して得られた1枚の上面写真データを用いて、ワイヤを含む上面写真をディスプレイ画面上に表示してワイヤを画面上でトレースする入力操作を受け付ける処理を行うものである。   The upper surface trace acceptance processing means 64A is a single sheet obtained by photographing at least a part of the semiconductor package after resin sealing or before resin sealing (in this embodiment, as a whole as an example) from above. The upper surface photograph data is used to display the upper surface photograph including the wire on the display screen and accept the input operation for tracing the wire on the screen.

傾斜トレース受付処理手段64Bは、樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージの少なくとも一部(本実施形態では、一例として、全体を幾つかに分割するので、一部となる。)を斜め方向から撮影して得られた複数枚(但し、検査対象のワイヤの本数や配置位置によっては、1枚でよいこともある。)の傾斜写真データを用いて、ワイヤを含む傾斜写真をディスプレイ画面上に表示してワイヤを画面上でトレースする入力操作を受け付ける処理を行うものである。   The inclined trace acceptance processing unit 64B is an oblique part of at least a part of the semiconductor package after resin sealing or before resin sealing (in this embodiment, the whole is divided into several parts as an example). A tilt screen including wires is displayed on the display screen using tilt photo data of a plurality of images obtained by photographing from the direction (however, one may be used depending on the number of wires to be inspected and the arrangement position). A process of receiving an input operation for displaying the above and tracing the wire on the screen is performed.

合成処理手段64Cは、上面トレース受付処理手段64Aにより受け付けたトレース操作で得られた上面トレースデータと、傾斜トレース受付処理手段64Bにより受け付けたトレース操作で得られた傾斜トレースデータとを合成する処理を行うものである。   The synthesis processing unit 64C performs a process of synthesizing the upper surface trace data obtained by the trace operation received by the upper surface trace reception processing unit 64A and the inclined trace data obtained by the trace operation received by the inclined trace reception processing unit 64B. Is what you do.

実測隙間算出処理手段65は、3次元実測形状データ作成処理手段64により作成された樹脂封止後または樹脂封止前の3次元実測形状データを用いて、樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージについてのワイヤを含む構成要素に対応するオブジェクト間の3次元隙間を算出する処理を行うものである。オブジェクト間の3次元隙間には、例えば、ワイヤとワイヤとの間の隙間、ワイヤとダイとの間の隙間等があるのは、前述した設計隙間の場合と同様である。   The measured gap calculation processing means 65 uses the three-dimensional measured shape data after resin sealing or before resin sealing created by the three-dimensional measured shape data creation processing means 64, after resin sealing or before resin sealing. Processing for calculating a three-dimensional gap between objects corresponding to components including wires for the semiconductor package is performed. The three-dimensional gap between objects includes, for example, a gap between wires, a gap between wires and a die, as in the case of the design gap described above.

実測隙間表示処理手段66は、実測隙間算出処理手段65による算出処理結果をディスプレイ画面上に表示する処理を行うものである。   The measured gap display processing means 66 performs processing for displaying the calculation processing result by the measured gap calculation processing means 65 on the display screen.

重畳表示処理手段67は、3次元設計データと、3次元実測形状データ作成処理手段64により作成された樹脂封止後または樹脂封止前の3次元実測形状データとを用いて、半導体パッケージの設計形状と、樹脂封止後または樹脂封止前の実測形状とを、ディスプレイ画面上に重ね合わせて表示する処理を行うものである。   The superimposed display processing means 67 uses the three-dimensional design data and the three-dimensional measured shape data after or before resin sealing created by the three-dimensional measured shape data creation processing means 64 to design the semiconductor package. The shape and the actually measured shape after resin sealing or before resin sealing are displayed so as to overlap each other on the display screen.

設計隙間算出処理手段68および設計隙間表示処理手段69は、設計者用の端末装置40の設計処理手段43に含まれる設計隙間算出処理手段45および設計隙間表示処理手段46と同様な処理を行うものである。   The design clearance calculation processing means 68 and the design clearance display processing means 69 perform processing similar to the design clearance calculation processing means 45 and the design clearance display processing means 46 included in the design processing means 43 of the terminal device 40 for the designer. It is.

さらに、プロセス技術者用の端末装置60の近傍(例えば、台湾の半導体パッケージ製造工場内)には、X線撮影装置70およびカメラ撮影装置75が設置されている。X線撮影装置70は、本実施形態では、撮影したX線写真をデジタルX線写真データ(例えば、BMPデータやJPEGデータ等)として出力するデジタルX線撮影装置であり、撮影対象を任意の方向から撮影可能な構成とされ、これにより樹脂封止後の半導体パッケージを上方および斜め上方(例えば、鉛直方向に対し、斜め45度の方向)から撮影することができるようになっている(図7参照)。また、カメラ撮影装置75は、本実施形態では、撮影したカメラ写真をデジタルカメラ写真データ(例えば、BMPデータやJPEGデータ等)として出力するデジタルカメラ撮影装置であり、X線撮影装置70の場合と同様に、撮影対象を任意の方向から撮影可能な構成とされ、これにより樹脂封止前の半導体パッケージを上方および斜め上方(例えば、鉛直方向に対し、斜め45度の方向)から撮影することができるようになっている。   Further, an X-ray imaging device 70 and a camera imaging device 75 are installed in the vicinity of the terminal device 60 for process engineers (for example, in a semiconductor package manufacturing factory in Taiwan). In this embodiment, the X-ray imaging apparatus 70 is a digital X-ray imaging apparatus that outputs a captured X-ray photograph as digital X-ray photograph data (for example, BMP data, JPEG data, etc.). Thus, the semiconductor package after resin sealing can be photographed from above and obliquely upward (for example, obliquely 45 degrees with respect to the vertical direction) (FIG. 7). reference). In this embodiment, the camera photographing device 75 is a digital camera photographing device that outputs a photographed camera photograph as digital camera photograph data (for example, BMP data or JPEG data). Similarly, the imaging target can be photographed from an arbitrary direction, so that the semiconductor package before resin sealing can be photographed from above and obliquely upward (for example, at an angle of 45 degrees with respect to the vertical direction). It can be done.

管理サーバ80は、1台または複数台のコンピュータにより構成され、半導体パッケージの検査に関する情報を管理するための各種処理を行う処理手段80Aと、この処理手段80Aに接続された3次元設計データ記憶手段83、設計隙間記憶手段84、写真データ記憶手段85、3次元実測形状データ記憶手段86、実測隙間記憶手段87、重畳表示用データ記憶手段88、解析結果データ記憶手段89、および工程表記憶手段90とを備えている。   The management server 80 is constituted by one or a plurality of computers, and processing means 80A for performing various processes for managing information relating to the inspection of the semiconductor package, and three-dimensional design data storage means connected to the processing means 80A 83, design gap storage means 84, photo data storage means 85, three-dimensional measured shape data storage means 86, measured gap storage means 87, superimposed display data storage means 88, analysis result data storage means 89, and process table storage means 90 And.

処理手段80Aは、サーバ側コラボレーション処理手段81と、データ管理処理手段82とを含んで構成されている。   The processing unit 80A includes a server-side collaboration processing unit 81 and a data management processing unit 82.

サーバ側コラボレーション処理手段81は、端末装置間での協調作業を実現するために、複数の端末装置20,30,40,50,60のうちのいずれかの端末装置から送信されてきた操作情報を受信する処理を行うとともに、この操作情報に基づき他の端末装置(操作情報の送信元の端末装置以外の端末装置)または全ての端末装置(操作情報の送信元の端末装置を含む全ての端末装置)に共有情報を配信する処理を行うものである。共有情報には、チャットによる文字情報、および引き出し線、注意書き、コメント等を含む画像情報が含まれ、さらには音声情報等が含まれていてもよい。従って、各作業者は、各端末装置20〜60で、情報を共有することができ、他の作業者と同じ文字情報、同じ画像情報、同じ音声情報等を得ることができる。   The server-side collaboration processing unit 81 receives operation information transmitted from any one of the plurality of terminal devices 20, 30, 40, 50, 60 in order to realize cooperative work between the terminal devices. Based on this operation information, other terminal devices (terminal devices other than the terminal device that sent the operation information) or all terminal devices (all the terminal devices including the terminal device that sent the operation information) ) To distribute the shared information. The shared information includes text information by chat, image information including a leader line, a note, a comment, and the like, and may further include voice information. Therefore, each worker can share information among the terminal devices 20 to 60, and can obtain the same character information, the same image information, the same voice information, and the like as the other workers.

データ管理処理手段82は、端末装置20〜60からネットワーク1を介して送信されてきた半導体パッケージの設計および検査に関するデータを受信し、これらのデータを各記憶手段83〜90に登録する処理を行うとともに、端末装置20〜60からの要求に応じて、各記憶手段83〜90から該当するデータを検索し、検索したデータを端末装置20〜60へネットワーク1を介して送信する処理を行うものである。従って、前述したサーバ側コラボレーション処理手段81が、複数の作業者によりリアルタイムで行われる協調作業を実現するのに対し、データ管理処理手段82は、各作業者により必要に応じて行われるデータの保存、参照を実現する。   The data management processing means 82 receives the data related to the design and inspection of the semiconductor package transmitted from the terminal devices 20 to 60 via the network 1 and registers these data in the storage means 83 to 90. At the same time, in response to requests from the terminal devices 20 to 60, the corresponding data is searched from the storage means 83 to 90, and the searched data is transmitted to the terminal devices 20 to 60 via the network 1. is there. Therefore, the server-side collaboration processing unit 81 described above realizes cooperative work performed in real time by a plurality of workers, whereas the data management processing unit 82 stores data performed by each worker as needed. Realize the reference.

3次元設計データ記憶手段83は、半導体パッケージの3次元設計データを記憶するものである。記憶される3次元設計データには、検査後に検査結果に基づき補正された3次元設計データも含まれる。   The three-dimensional design data storage means 83 stores the three-dimensional design data of the semiconductor package. The stored three-dimensional design data includes three-dimensional design data corrected based on the inspection result after the inspection.

設計隙間記憶手段84は、設計隙間算出処理手段45により算出された設計隙間を記憶するものである。   The design gap storage unit 84 stores the design gap calculated by the design gap calculation processing unit 45.

写真データ記憶手段85は、X線撮影装置70で撮影して得られたX線写真データ71またはカメラ撮影装置75で撮影して得られたカメラ写真データ76を記憶するものである。   The photograph data storage means 85 stores X-ray photograph data 71 obtained by photographing with the X-ray photographing apparatus 70 or camera photograph data 76 obtained by photographing with the camera photographing apparatus 75.

3次元実測形状データ記憶手段86は、3次元実測形状データ作成処理手段64により作成された樹脂封止後または樹脂封止前の3次元実測形状データを記憶するものである。   The three-dimensional measured shape data storage means 86 stores the three-dimensional measured shape data after resin sealing or before resin sealing created by the three-dimensional measured shape data creation processing means 64.

実測隙間記憶手段87は、実測隙間算出処理手段65により算出された実測隙間を記憶するものである。   The measured gap storage means 87 stores the measured gap calculated by the measured gap calculation processing means 65.

重畳表示用データ記憶手段88は、半導体パッケージの設計形状と、樹脂封止後または樹脂封止前の実測形状とを、ディスプレイ画面上に重ね合わせて表示するための重畳表示用データを記憶するものである。   The superimposed display data storage means 88 stores superimposed display data for displaying the design shape of the semiconductor package and the actually measured shape after resin sealing or before resin sealing on the display screen. It is.

解析結果データ記憶手段89は、解析処理手段53による解析結果として得られたデータを記憶するものである。   The analysis result data storage unit 89 stores data obtained as an analysis result by the analysis processing unit 53.

工程表記憶手段90は、半導体パッケージの検査の各工程の進捗状況を入力する工程表(図9参照)を記憶するものである。より具体的には、工程表を各端末装置20〜60のディスプレイ画面上に表示するための工程表フォームおよび進捗状況を示すデータを記憶する。   The process table storage means 90 stores a process table (see FIG. 9) for inputting the progress status of each process of the semiconductor package inspection. More specifically, a process chart form for displaying the process chart on the display screens of the terminal devices 20 to 60 and data indicating the progress status are stored.

以上において、各端末装置20,30,40,50,60の端末側コラボレーション処理手段21,31,41,51,61およびデータ送受信処理手段22,32,42,52,62、営業担当者用の端末装置20の書類作成処理手段23、設計者用の端末装置40の設計処理手段43および重畳表示処理手段47、解析者用の端末装置50の解析処理手段53、プロセス技術者用の端末装置60の検査処理手段63、並びに管理サーバ80の処理手段80Aに含まれるサーバ側コラボレーション処理手段81およびデータ管理処理手段82は、各端末装置20〜60や管理サーバ80を構成するコンピュータ(パーソナル・コンピュータのみならず、その上位機種のものも含む。)やモバイル機器等の本体の内部に設けられた中央演算処理装置(CPU)、およびこのCPUの動作手順を規定する1つまたは複数のプログラムにより実現される。   In the above, the terminal side collaboration processing means 21, 31, 41, 51, 61 and the data transmission / reception processing means 22, 32, 42, 52, 62 of each terminal device 20, 30, 40, 50, 60 are for sales representatives. Document creation processing means 23 of the terminal device 20, design processing means 43 and superimposed display processing means 47 of the terminal device 40 for designers, analysis processing means 53 of the terminal device 50 for analysts, and terminal device 60 for process engineers The server side collaboration processing unit 81 and the data management processing unit 82 included in the processing unit 80A of the management server 80 and the management unit 80 include a computer (only a personal computer) constituting each of the terminal devices 20 to 60 and the management server 80. In addition, the higher-level models are also included.) And the central processing unit provided inside the main body of mobile devices, etc. Unit (CPU), a and is realized by one or more programs that define the operation procedure of this CPU.

また、管理サーバ80の各記憶手段83,84,85,86,87,88,89,90は、例えばハードディスク等により好適に実現されるが、記憶容量やアクセス速度等に問題が生じない範囲であれば、例えば、ROM、EEPROM、フラッシュ・メモリ、RAM、MO、CD−ROM、CD−R、CD−RW、DVD−ROM、DVD−RAM、FD、磁気テープ、あるいはこれらの組合せ等を採用してもよい。   Further, each storage means 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90 of the management server 80 is preferably realized by, for example, a hard disk or the like, but within a range that does not cause a problem in storage capacity or access speed. If there is, for example, ROM, EEPROM, flash memory, RAM, MO, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD-ROM, DVD-RAM, FD, magnetic tape, or a combination thereof is adopted. May be.

このような本実施形態においては、以下のようにして検査システム10により、試作された半導体パッケージの検査が行われる。なお、以下では、樹脂封止後の半導体パッケージの検査の流れを説明するが、樹脂封止前の半導体パッケージの検査の流れも全く同様の手順であり、写真データを得るのに、X線撮影装置70を使用するか、カメラ撮影装置75を使用するかが相違するだけであるため、説明は省略する。   In the present embodiment as described above, the test system 10 inspects the prototype semiconductor package as follows. In the following, the flow of inspection of a semiconductor package after resin sealing will be described, but the flow of inspection of a semiconductor package before resin sealing is exactly the same procedure, and X-ray imaging is used to obtain photographic data. Since only the difference between using the device 70 and using the camera photographing device 75 is different, the description thereof is omitted.

図2において、先ず、半導体パッケージメーカの顧客である半導体メーカが、試作した樹脂封止後の半導体パッケージの内部構造を検査するために、半導体パッケージメーカの営業担当者を呼び、試作した半導体パッケージの内部構造の検査を依頼する。なお、この依頼があった時点またはそれ以前の段階で、各端末装置20〜60を起動してプログラムを立ち上げ、各端末装置20〜60を管理サーバ80に接続した状態にしておく。   In FIG. 2, first, a semiconductor manufacturer who is a customer of a semiconductor package manufacturer calls a sales person in charge of the semiconductor package manufacturer to inspect the internal structure of the prototyped semiconductor package after the resin encapsulation, Request inspection of internal structure. At the time when this request is made or at an earlier stage, the terminal devices 20 to 60 are activated to start the program, and the terminal devices 20 to 60 are connected to the management server 80.

営業担当者は、顧客より試作半導体パッケージを預かり、営業担当者用の端末装置20を操作し、端末側コラボレーション処理手段21によるチャット機能や画像共有機能を使って、試作半導体パッケージを預かった旨をマネージャに連絡し、預かった試作半導体パッケージの検査を依頼した後、試作半導体パッケージの現物をマネージャに送る。この際、マネージャへの連絡は、次のようにして実現される。すなわち、営業担当者用の端末装置20の端末側コラボレーション処理手段21からの送信情報を、管理サーバ80のサーバ側コラボレーション処理手段81がネットワーク1を介して受信し、サーバ側コラボレーション処理手段81が、その受信した情報をマネージャ用の端末装置30へネットワーク1を介して共有情報として配信し(この時点で、情報の共有相手として、その他の端末装置40,50,60を設定し、端末装置40,50,60へも配信するようにしてもよい。)、マネージャ用の端末装置30の端末側コラボレーション処理手段31が、管理サーバ80から配信されてきた共有情報を受信し、マネージャ用の端末装置30のディスプレイ画面上に文字情報や画像情報による共有情報を表示し、あるいは音声情報による共有情報を出力する。なお、このようなコラボレーション実現のための送受信処理の流れは、いずれの端末装置で操作が行われた場合も同様であるため、以降、説明を省略する。   The sales representative receives the prototype semiconductor package from the customer, operates the terminal device 20 for the sales representative, and uses the chat function and the image sharing function of the terminal-side collaboration processing means 21 to indicate that the prototype semiconductor package is deposited. After contacting the manager and requesting inspection of the prototype semiconductor package, the actual prototype semiconductor package is sent to the manager. At this time, the contact with the manager is realized as follows. That is, the server-side collaboration processing means 81 of the management server 80 receives the transmission information from the terminal-side collaboration processing means 21 of the terminal device 20 for the sales staff via the network 1, and the server-side collaboration processing means 81 The received information is distributed as shared information to the manager terminal device 30 via the network 1 (at this time, other terminal devices 40, 50, 60 are set as information sharing partners, and the terminal devices 40, The terminal side collaboration processing means 31 of the manager terminal device 30 receives the shared information distributed from the management server 80, and receives the manager terminal device 30. Display shared information by text information or image information on the display screen or by voice information And outputs the specific information. Note that the flow of transmission / reception processing for realizing such collaboration is the same regardless of which terminal device is operated, and hence the description thereof will be omitted.

マネージャは、試作半導体パッケージの現物を受け取った後、マネージャ用の端末装置30のディスプレイ画面上に表示された共有情報を参照し、営業担当者からの依頼内容を確認する。   After receiving the actual prototype semiconductor package, the manager refers to the shared information displayed on the display screen of the manager terminal device 30 and confirms the content of the request from the sales staff.

続いて、マネージャは、マネージャ用の端末装置30を操作し、端末側コラボレーション処理手段31によるチャット機能や画像共有機能を使って、プロセス技術者、解析者、設計者に対し、営業担当者からの検査依頼の内容を説明し、試作半導体パッケージの内部のX線撮影、撮影して得られたX線写真データからの3次元実測形状データの作成、作成した3次元実測形状データの解析、および解析結果の設計データへの反映を指示し、プロセス技術者、解析者、設計者は、この指示を各端末装置60,50,40のディスプレイ画面上で確認する。   Subsequently, the manager operates the terminal device 30 for the manager and uses the chat function and the image sharing function by the terminal side collaboration processing means 31 to send a process engineer, an analyst, and a designer from the sales staff. Explain the contents of the inspection request, X-ray imaging of the prototype semiconductor package, creation of 3D measured shape data from X-ray photograph data obtained by imaging, analysis of the created 3D measured shape data, and analysis The reflection of the result to the design data is instructed, and the process engineer, the analyst, and the designer confirm this instruction on the display screen of each terminal device 60, 50, 40.

プロセス技術者は、マネージャの指示を受けて作業を開始し(ステップS1)、顧客が試作した半導体パッケージの現物をマネージャから受け取った後(ステップS2)、X線撮影装置70を用いて、受け取った半導体パッケージの内部を撮影する。X線撮影にあたっては、先ず、半導体パッケージの上面の全体を撮影する(ステップS3)。   The process engineer starts work in response to an instruction from the manager (step S1), receives the actual semiconductor package prototyped by the customer from the manager (step S2), and then receives it using the X-ray imaging apparatus 70. Take a picture of the inside of the semiconductor package. In the X-ray imaging, first, the entire upper surface of the semiconductor package is imaged (step S3).

図7に示すように、上面X線写真を撮影する際には、X線撮影装置70の投射機72から投射されるX線の画角中心線Cを、半導体パッケージ100の上面(基板と平行な面)の法線方向D1に設定する。すなわち、半導体パッケージ100が水平に配置されている場合には、X線の画角中心線Cは鉛直方向となる。そして、この状態で、X線撮影を行い、X線撮影装置70から上面X線写真データをBMPデータまたはJPEGデータとして出力する(図2のステップS4)。   As shown in FIG. 7, when a top surface X-ray photograph is taken, the angle-of-view center line C of the X-ray projected from the projector 72 of the X-ray imaging apparatus 70 is taken as the top surface of the semiconductor package 100 (parallel to the substrate). Normal plane direction D1. That is, when the semiconductor package 100 is horizontally disposed, the X-ray field angle center line C is in the vertical direction. In this state, X-ray imaging is performed, and the top X-ray image data is output from the X-ray imaging apparatus 70 as BMP data or JPEG data (step S4 in FIG. 2).

次に、検査対象とすべきワイヤの配置位置、配置間隔、本数等に応じ、半導体パッケージを分割し(上方から見た状態で平面的に撮影区画を分割するという意味であり、各撮影区画は重なっていてもよい。)、分割された各部分を斜め方向からそれぞれ撮影する(図2のステップS5)。従って、斜め方向からの撮影枚数は、必ずしも複数枚とする必要はなく、例えば、検査対象とすべきワイヤが一部のワイヤであり、本数が少ない場合、あるいは一部分に集中している場合等には、斜め方向からの撮影枚数は、1枚でもよい。図7において、傾斜X線写真を撮影する場合には、X線の画角中心線Cを、半導体パッケージ100の上面(基板と平行な面)の法線方向D1に対し、左右のいずれかの側にθ度(本実施形態では、一例としてθ=45度とする。)傾斜させた方向D2に設定する。この際、投射機72およびこの投射機72から投射されるX線の画角中心線Cを絶対空間において固定し、半導体パッケージ100を回転させてもよく、あるいは半導体パッケージ100を絶対空間において固定し、投射機72の位置(姿勢)およびX線の画角中心線Cの方向を変化させてもよく、要するに、半導体パッケージ100とX線の画角中心線Cの方向とを相対的に変化させて傾斜した状態にできればよい。   Next, the semiconductor package is divided according to the arrangement position, arrangement interval, number, etc. of the wires to be inspected (meaning that the imaging section is divided in a plane as viewed from above, and each imaging section is Each of the divided parts may be photographed from an oblique direction (step S5 in FIG. 2). Therefore, the number of images taken from an oblique direction does not necessarily need to be plural. For example, when the wire to be inspected is a part of the wire and the number of wires is small or concentrated in a part The number of images taken from an oblique direction may be one. In FIG. 7, when a tilted X-ray photograph is taken, the X-ray field angle center line C is set to either the left or right direction with respect to the normal direction D1 of the upper surface (surface parallel to the substrate) of the semiconductor package 100. The direction is set to the direction D2 inclined to the side by θ degrees (in this embodiment, θ = 45 degrees as an example). At this time, the projector 72 and the angle-of-view center line C of the X-rays projected from the projector 72 may be fixed in the absolute space and the semiconductor package 100 may be rotated, or the semiconductor package 100 may be fixed in the absolute space. The position (posture) of the projector 72 and the direction of the X-ray field angle center line C may be changed. In short, the semiconductor package 100 and the X-ray field angle center line C direction are changed relatively. As long as it can be tilted.

また、この傾斜X線写真の撮影では、各ワイヤが重ならないように、あるいは重なってもワイヤの一部分のみの重なりとなるように、各ワイヤの立面形状(プロファイル)を撮影することができればよいので、上記のように、半導体パッケージ100の上面(基板と平行な面)の法線方向D1を基準とし、X線の画角中心線Cを、この法線方向D1に対してθ度傾斜させた方向D2に設定するのではなく、図8に示すように、ワイヤ101およびこのワイヤ101のファーストボンディング位置P1とセカンドボンディング位置P2とを結ぶ線Kを含む面S1(樹脂封止時にワイヤ101が流れて傾斜していれば、面S1は、法線方向D1に対して傾斜している面となる。)を基準とし、X線の画角中心線Cを、この面S1とθ度(本実施形態では、一例としてθ=45度とする。)をなして交差する方向であって、かつ、線Kと直交する方向に設定してもよい。すなわち、X線の画角中心線Cを、線Kを中心として面S1をθ度回転させた面S2内に含まれ、かつ、線Kと直交するように設定してもよい。また、計測精度は多少低下するが、X線の画角中心線Cを、面S2に平行な面内に含まれ、かつ、線Kと直角をなす(線Kと交わらないが、90度をなす。)ように設定してもよい。   Further, in the photographing of the inclined X-ray photograph, it is only necessary that the elevational shape (profile) of each wire can be photographed so that the wires do not overlap each other or only a part of the wires overlap even if they overlap. Therefore, as described above, the normal line direction D1 of the upper surface (plane parallel to the substrate) of the semiconductor package 100 is used as a reference, and the field angle center line C of the X-ray is inclined by θ degrees with respect to the normal line direction D1. Rather than being set in the direction D2, as shown in FIG. 8, the surface S1 including the wire 101 and the line K connecting the first bonding position P1 and the second bonding position P2 of the wire 101 (the wire 101 is sealed during resin sealing). If it flows and is inclined, the surface S1 becomes a surface inclined with respect to the normal direction D1.) The X-ray field angle center line C is set to the surface S1 and θ degrees (main). Embodiment Then, as an example, θ = 45 degrees may be set), and may be set in a direction intersecting with each other and perpendicular to the line K. That is, the angle-of-view center line C of the X-ray may be set so as to be included in the surface S2 obtained by rotating the surface S1 about the line K by θ degrees and to be orthogonal to the line K. Although the measurement accuracy is somewhat reduced, the X-ray angle of view center line C is included in a plane parallel to the plane S2 and is perpendicular to the line K (but does not intersect the line K, but 90 degrees). You may set as follows.

なお、前者のようにX線の画角中心線Cを法線方向D1に対してθ度傾斜させる設定を行う場合でも、各ワイヤが重ならないように、かつ、各ワイヤの立面形状(プロファイル)が現れるように撮影するため、X線の画角中心線Cは、面S1に対し、鋭角をなす方向に設定される必要がある。   Even when the X-ray field angle center line C is set to be inclined by θ degrees with respect to the normal direction D1 as in the former case, the wires do not overlap with each other, and the elevational shape (profile) of each wire is set. ), The field angle center line C of the X-ray needs to be set in a direction that forms an acute angle with respect to the surface S1.

そして、以上のような状態で、複数回(1回でよい場合もある。)のX線撮影を行い、X線撮影装置70から複数枚分(1枚分でよい場合もある。)の傾斜X線写真データ(本実施形態では、45度傾斜X線写真データとなる。)をBMPデータまたはJPEGデータとして出力する(図2のステップS6)。   In the state as described above, X-ray imaging is performed a plurality of times (in some cases, only once), and a plurality of images (in some cases, only one image) may be tilted from the X-ray imaging apparatus 70. X-ray photograph data (in this embodiment, 45-degree tilted X-ray photograph data) is output as BMP data or JPEG data (step S6 in FIG. 2).

なお、上面X線写真および傾斜X線写真のいずれの撮影の際にも、半導体パッケージ100の下側に、X線で撮影可能なように例えばニッケル等のメッキを施した格子状の線を有するガラス板73を配置しておき、撮影されたX線写真に写っている格子の歪みを利用し、この歪みが無くなるような補正処理を行うことにより、撮影時の歪みの影響を除去または緩和することが好ましい。また、このような格子の歪みを利用して撮影方向(傾斜角度θ)を把握するようにしてもよい。カメラ撮影装置75による撮影の場合も同様であり、格子の歪みを利用して補正処理や撮影方向(傾斜角度θ)の把握処理を行うことができる。但し、カメラ撮影の場合には、X線撮影の場合とは異なり、ニッケル等のメッキを施す必要はない。   Note that a grid-like line plated with, for example, nickel or the like is provided on the lower side of the semiconductor package 100 so that X-rays can be taken in both the upper surface X-ray photograph and the inclined X-ray photograph. A glass plate 73 is arranged, and the effect of distortion at the time of imaging is removed or reduced by performing correction processing that eliminates the distortion using the distortion of the lattice shown in the captured X-ray photograph. It is preferable. Further, the photographing direction (inclination angle θ) may be grasped using such lattice distortion. The same applies to the case of photographing by the camera photographing device 75, and correction processing and grasping processing of the photographing direction (inclination angle θ) can be performed using lattice distortion. However, in the case of camera photography, unlike the case of X-ray photography, it is not necessary to apply nickel plating.

それから、プロセス技術者は、プロセス技術者用の端末装置60を操作し、データ送受信処理手段62によるデータ登録機能を使って、X線撮影装置70から出力された1枚分の上面X線写真データおよび複数枚分(1枚分でよい場合もある。)の45度傾斜X線写真データを、管理サーバ80の写真データ記憶手段85に登録する(ステップS7)。   Then, the process engineer operates the terminal device 60 for the process engineer and uses the data registration function by the data transmission / reception processing means 62 to output one upper surface X-ray photograph data output from the X-ray imaging apparatus 70. In addition, 45-degree inclined X-ray photograph data for a plurality of sheets (may be one sheet in some cases) are registered in the photograph data storage means 85 of the management server 80 (step S7).

この際、プロセス技術者は、プロセス技術者用の端末装置60で、写真データ記憶手段85の格納先(例えば、いずれの半導体パッケージについてのX線写真データであるかを識別することができるように決められたフォルダ名称等)を指定し、データ送受信処理手段62がこの指定を受け付け、データ内容を識別することができるファイル名称を付した各X線写真データおよび格納先情報を、管理サーバ80へネットワーク1を介して送信し、管理サーバ80では、データ管理処理手段82により、端末装置60から送信されてきた各X線写真データを受信し、受信した各X線写真データを写真データ記憶手段85の指定された格納先に格納する。なお、このようなデータ登録のための処理の流れは、いずれの端末装置からの登録処理でも同様であり、また、他の種類のデータの登録処理でも同様であるため、以降、説明を省略する。さらに、プロセス技術者は、1枚分の上面X線写真データおよび複数枚分(1枚分でよい場合もある。)の45度傾斜X線写真データを、写真データ記憶手段85へ登録するのみならず、端末装置60でローカルな保存も行っておく。   At this time, the process engineer can identify the storage destination of the photographic data storage means 85 (for example, which semiconductor package is the X-ray photographic data) with the terminal device 60 for the process engineer. A designated folder name, etc.), and the data transmission / reception processing means 62 accepts this designation, and sends each X-ray photo data with a file name that can identify the data contents and storage location information to the management server 80. In the management server 80, the X-ray photographic data transmitted from the terminal device 60 is received by the data management processing unit 82, and the received X-ray photographic data is received by the photographic data storage unit 85. Store in the specified storage location. Note that the flow of processing for data registration is the same for registration processing from any terminal device, and is the same for registration processing of other types of data. . Further, the process engineer only registers the upper surface X-ray photographic data for one sheet and 45-degree inclined X-ray photographic data for a plurality of sheets (may be one sheet) in the photographic data storage means 85. Instead, the terminal device 60 also performs local storage.

その後、プロセス技術者は、プロセス技術者用の端末装置60を操作し、端末側コラボレーション処理手段61によるチャット機能や画像共有機能を使って、X線撮影作業および撮影した各X線写真データの登録作業を終了した旨を、マネージャ、設計者、営業担当者へ連絡する。   Thereafter, the process engineer operates the terminal device 60 for the process engineer, and uses the chat function and the image sharing function by the terminal-side collaboration processing means 61 to register the X-ray imaging work and each X-ray photograph data photographed. Notify managers, designers, and sales staff that work has been completed.

次に、プロセス技術者は、プロセス技術者用の端末装置60を操作し、データ送受信処理手段62によるデータ取得機能を使って、管理サーバ80の3次元設計データ記憶手段83から、検査対象となっている試作半導体パッケージについての3次元設計データを取得する(ステップS8)。この際、プロセス技術者は、端末装置60で、取得したい3次元設計データを特定するためのファイル名称や3次元設計データ記憶手段83の取得元(例えばフォルダ名称等)を入力して指定するか、または管理サーバ80のデータ管理処理手段82によりネットワーク1を介して端末装置60へ送信されてきた取得データ選択画面の表示用情報およびデータ格納情報(3次元設計データ記憶手段83に、どのようなデータが格納されているかという情報)に基づき、データ送受信処理手段62により端末装置60のディスプレイ画面上に表示された取得データ選択画面で、取得したい3次元設計データを選択して指定する。そして、プロセス技術者により入力または選択された取得したい3次元設計データの指定情報が、データ送受信処理手段62によりネットワーク1を介して管理サーバ80へ送信され、管理サーバ80では、データ管理処理手段82により、この指定情報を受信し、この指定情報に基づき3次元設計データ記憶手段83から該当する3次元設計データを検索し、検索した3次元設計データをネットワーク1を介してプロセス技術者用の端末装置60へ送信し、これを端末装置60のデータ送受信処理手段62により受信する。なお、このようなデータ取得のための処理の流れは、いずれの端末装置からの取得処理でも同様であり、また、他の種類のデータの取得処理でも同様であるため、以降、説明を省略する。   Next, the process engineer operates the terminal device 60 for the process engineer, and uses the data acquisition function of the data transmission / reception processing unit 62 to be the inspection target from the 3D design data storage unit 83 of the management server 80. The three-dimensional design data for the prototype semiconductor package being obtained is acquired (step S8). At this time, the process engineer inputs or designates the file name for specifying the 3D design data to be acquired or the acquisition source (for example, folder name) of the 3D design data storage unit 83 on the terminal device 60. Or the display data and the data storage information of the acquired data selection screen transmitted to the terminal device 60 via the network 1 by the data management processing means 82 of the management server 80 (whatever is stored in the 3D design data storage means 83 3D design data to be acquired is selected and specified on the acquisition data selection screen displayed on the display screen of the terminal device 60 by the data transmission / reception processing means 62 on the basis of information indicating whether data is stored. Then, the designation information of the three-dimensional design data to be acquired, which is input or selected by the process engineer, is transmitted to the management server 80 via the network 1 by the data transmission / reception processing unit 62. In the management server 80, the data management processing unit 82 is transmitted. Thus, the designation information is received, the corresponding three-dimensional design data is retrieved from the three-dimensional design data storage means 83 based on the designation information, and the retrieved three-dimensional design data is connected to the process engineer terminal via the network 1. The data is transmitted to the device 60 and received by the data transmission / reception processing means 62 of the terminal device 60. Note that the flow of processing for data acquisition is the same for acquisition processing from any terminal device, and is the same for acquisition processing of other types of data, and will not be described below. .

続いて、プロセス技術者は、端末装置60でローカルに保存されている上面X線写真データを読み込むか、またはデータ送受信処理手段62によるデータ取得機能を使って管理サーバ80の写真データ記憶手段85から上面X線写真データを取得した後、3次元実測形状データ作成処理手段64の機能を使って、3次元設計データに基づきディスプレイ画面上に表示される設計段階の半導体パッケージの上面の大きさと、上面X線写真データに基づきディスプレイ画面上に表示される上面X線写真の大きさとを一致させるために、手動で上面X線写真データの大まかなスケール変更を行う。さらに、プロセス技術者が、3次元実測形状データ作成処理手段64の機能を使って、上面X線写真上に例えば3点のフィデューシャルマークを作成すると、これらのフィデューシャルマークに基づき、上面X線写真データの精細なスケール変更が自動的に行われる(ステップS9)。   Subsequently, the process engineer reads the top X-ray photograph data stored locally in the terminal device 60 or uses the data acquisition function by the data transmission / reception processing means 62 from the photograph data storage means 85 of the management server 80. After acquiring the upper surface X-ray photograph data, the size of the upper surface of the semiconductor package at the design stage displayed on the display screen based on the three-dimensional design data using the function of the three-dimensional measured shape data creation processing means 64, and the upper surface In order to match the size of the top X-ray photograph displayed on the display screen based on the X-ray photograph data, the scale of the top X-ray photograph data is roughly changed manually. Furthermore, when the process engineer creates, for example, three fiducial marks on the upper surface X-ray photograph using the function of the three-dimensional measured shape data creation processing means 64, the upper surface is based on these fiducial marks. The fine scale change of the X-ray photograph data is automatically performed (step S9).

それから、プロセス技術者は、3次元実測形状データ作成処理手段64の機能を使って、上面X線写真に写っている状態に合わせて、3次元設計データにおける基板の外形位置を補正するとともに、基板上に設けられたセカンドボンディングパッド(SBP)の位置を補正する(ステップS10)。   Then, the process engineer uses the function of the three-dimensional measured shape data creation processing means 64 to correct the outer position of the substrate in the three-dimensional design data in accordance with the state shown in the top X-ray photograph, The position of the second bonding pad (SBP) provided above is corrected (step S10).

さらに、プロセス技術者は、3次元実測形状データ作成処理手段64の機能を使って、上面X線写真に写っている状態に合わせて、3次元設計データにおけるダイ(チップ)の外形位置を補正するとともに、ダイ上に設けられたチップボンディングパッド(CBP;ファーストボンディングパッドと同義である。)の位置を補正する(ステップS11)。   Furthermore, the process engineer corrects the outer position of the die (chip) in the three-dimensional design data using the function of the three-dimensional measured shape data creation processing means 64 according to the state shown in the upper surface X-ray photograph. At the same time, the position of the chip bonding pad (CBP; synonymous with the first bonding pad) provided on the die is corrected (step S11).

ここで、試作された半導体パッケージ120の実物が、図10に示すような状態であるものとする。一番上に配置されたダイ121上には、ファーストボンディングパッド122,123,124が設けられ、その下側に配置されたダイ125上には、ファーストボンディングパッド126,127,128が設けられ、これらのダイ121,125を搭載した基板129上には、セカンドボンディングパッド130,131,132が設けられ、ファーストボンディングパッド122,123,124とセカンドボンディングパッド130,131,132との間には、比較的長いワイヤ133,134,135がそれぞれ張られ、ファーストボンディングパッド126,127,128とセカンドボンディングパッド130,131,132との間には、比較的短いワイヤ136,137,138がそれぞれ張られている。   Here, it is assumed that the prototype semiconductor package 120 is in a state as shown in FIG. First bonding pads 122, 123, and 124 are provided on the uppermost die 121, and first bonding pads 126, 127, and 128 are provided on the lower die 125. On the substrate 129 on which these dies 121 and 125 are mounted, second bonding pads 130, 131, and 132 are provided. Between the first bonding pads 122, 123, and 124 and the second bonding pads 130, 131, and 132, Relatively long wires 133, 134, and 135 are stretched, and relatively short wires 136, 137, and 138 are stretched between the first bonding pads 126, 127, and 128 and the second bonding pads 130, 131, and 132, respectively. ing.

図11には、上述した図10の半導体パッケージ120を上方から撮影した上面X線写真140の一部をディスプレイ画面上に表示した状態が示されている。上面X線写真140には、図中の中実太線の如く、比較的長いワイヤ133,134,135を投影したワイヤ141,142,143と、比較的短いワイヤ136,137,138を投影したワイヤ144,145,146とが写っている。また、図11には、CADで設計された2次元ワイヤデータに基づき、図10の比較的長いワイヤ133,134,135に対応する設計段階のワイヤ147,148,149を上方から見た外形形状を示す線(例えば、緑色のライン等)と、図10の比較的短いワイヤ136,137,138に対応する設計段階のワイヤ150,151,152を上方から見た外形形状を示す線(例えば、緑色のライン等)とが、上面X線写真140に重ね合わされた状態で、ディスプレイ画面上に表示されている。   FIG. 11 shows a state in which a part of a top X-ray photograph 140 obtained by photographing the above-described semiconductor package 120 of FIG. 10 from above is displayed on a display screen. In the top X-ray photograph 140, wires 141, 142, and 143 projecting relatively long wires 133, 134, and 135 and wires projecting relatively short wires 136, 137, and 138 are shown as solid thick lines in the figure. 144, 145 and 146 are shown. Further, FIG. 11 shows the external shape of the wires 147, 148, and 149 at the design stage corresponding to the relatively long wires 133, 134, and 135 shown in FIG. 10 based on the two-dimensional wire data designed by CAD, as viewed from above. (For example, a green line) and lines indicating the outer shape of the wires 150, 151, 152 at the design stage corresponding to the relatively short wires 136, 137, 138 in FIG. Are displayed on the display screen in a state of being superimposed on the upper surface radiograph 140.

プロセス技術者は、上面トレース受付処理手段64Aの機能を使って、上面X線写真140に写っているワイヤ141〜146をトレースする(ステップS12)。図11には、ワイヤ141をトレースしたトレース線153(例えば、白色のライン等)が示されている。このトレース作業は、例えば、ディスプレイ画面上で、上面X線写真140に写っているワイヤ141〜146の上(ワイヤの太さ方向の中心位置)を、適宜な間隔でマウスクリックしていくことにより行う。このトレース操作は、上面トレース受付処理手段64Aにより受け付けられ、トレースデータが作成される。   The process engineer traces the wires 141 to 146 shown in the upper surface X-ray photograph 140 by using the function of the upper surface trace reception processing means 64A (step S12). FIG. 11 shows a trace line 153 (for example, a white line) obtained by tracing the wire 141. This trace work is performed by, for example, clicking the mouse on the wires 141 to 146 (center position in the thickness direction of the wire) on the display screen 140 at appropriate intervals on the upper surface X-ray photograph 140. Do. This trace operation is received by the upper surface trace reception processing means 64A, and trace data is created.

続いて、3次元実測形状データ作成処理手段64により、上面トレース受付処理手段64Aにより作成されたトレースデータに基づき、設計段階の2次元ワイヤデータを、トレース線153に沿うように自動的に修正するベクター変換処理が行われ、ディスプレイ画面上では、図11中の二点鎖線で示された状態のワイヤ147が、図11中の点線で示された状態のワイヤ154に自動的に変形する(ステップS13)。これにより、トレース線153を中心線とする2次元ワイヤデータが作成され、ワイヤが部品化される。また、このようなベクター変換処理と併せ、作成された2次元ワイヤデータに対し、3次元設計データの一部であるネット情報(そのワイヤについてのダイと基板との接続情報等)が付加される。   Subsequently, the two-dimensional wire data at the design stage is automatically corrected along the trace line 153 by the three-dimensional measured shape data creation processing means 64 based on the trace data created by the upper surface trace reception processing means 64A. Vector conversion processing is performed, and on the display screen, the wire 147 in the state indicated by the two-dot chain line in FIG. 11 is automatically deformed to the wire 154 in the state indicated by the dotted line in FIG. S13). Thereby, two-dimensional wire data having the trace line 153 as the center line is created, and the wire is made into a component. In addition to the vector conversion process, net information (such as connection information between the die and the substrate for the wire) that is part of the three-dimensional design data is added to the created two-dimensional wire data. .

さらに、プロセス技術者は、3次元実測形状データ作成処理手段64の機能を使って、例えば、図11中の点線で示された変形後の状態のワイヤ154の部分をマウスクリックすること等により、図11に示すようなプロファイル番号入力画面155をディスプレイ画面上に表示し、この画面に設けられたプロファイル番号入力部156にプロファイル番号を入力することにより、作成された2次元ワイヤデータを構成する1本1本のワイヤに対し、それぞれプロファイル番号を割り当てる(ステップS14)。   Furthermore, the process engineer uses the function of the three-dimensional measured shape data creation processing means 64, for example, by clicking the portion of the wire 154 in the deformed state indicated by the dotted line in FIG. A profile number input screen 155 as shown in FIG. 11 is displayed on the display screen, and a profile number is input to a profile number input unit 156 provided on this screen, thereby forming the created two-dimensional wire data 1 A profile number is assigned to each one wire (step S14).

そして、プロセス技術者は、以上のように上面X線写真ワイヤトレースおよびベクター変換により作成された2次元ワイヤデータ(例えば、DWGデータ;dwgという識別子が付されるドローイングデータ等)をプロセス技術者の端末装置60にローカルに保存する(ステップS15)。   Then, the process engineer uses the process engineer's two-dimensional wire data (for example, DWG data; drawing data attached with an identifier dwg) created by the top surface radiographic wire trace and vector conversion as described above. It stores locally in the terminal device 60 (step S15).

続いて、プロセス技術者は、端末装置60でローカルに保存されている複数の傾斜X線写真データのうちの1つを読み込むか、またはデータ送受信処理手段62によるデータ取得機能を使って管理サーバ80の写真データ記憶手段85から複数の傾斜X線写真データのうちの1つを取得する(図3のステップS16)。この際、各傾斜X線写真がワイヤ1本1本について撮影されている場合には、各傾斜X線写真データには、例えば「wire1_5.jpg」(1番目のダイをファーストボンディング位置とする5番目のワイヤのデータであることを意味する。)等のように、いずれのワイヤについてのデータであるかを特定できるファイル名称が付されているので、ファイル名称を参照して必要なワイヤについての傾斜X線写真データを読み込み、または取得する。それから、図12に示すように、傾斜トレース受付処理手段64Bの機能を使って、ディスプレイ画面上に1枚の傾斜X線写真160を表示し、傾斜X線写真160に写っているθ度(本実施形態では、45度)傾斜して撮影された状態のワイヤ161,162,163のうちの少なくとも1本のワイヤをトレースする(ステップS17)。   Subsequently, the process engineer reads one of a plurality of inclined X-ray photograph data stored locally in the terminal device 60 or uses the data acquisition function by the data transmission / reception processing means 62 to manage the management server 80. One of the plurality of inclined X-ray photograph data is acquired from the photograph data storage means 85 (step S16 in FIG. 3). At this time, when each inclined X-ray photograph is taken for one wire, each inclined X-ray photograph data includes, for example, “wire1_5.jpg” (5 with the first die as the first bonding position). The file name that can identify which wire is the data is attached as shown in Fig. 4). Read or get tilted X-ray photo data. Then, as shown in FIG. 12, by using the function of the inclined trace acceptance processing means 64B, one inclined X-ray photograph 160 is displayed on the display screen, and the θ degree (book) shown in the inclined X-ray photograph 160 is displayed. In the embodiment, at least one of the wires 161, 162, and 163 in a state of being photographed with an inclination of 45 degrees is traced (step S17).

図12には、ワイヤ161,162,163をトレースしたトレース線164,165,166(例えば、白色のライン等)が示されている。このトレース作業は、例えば、ディスプレイ画面上で、傾斜X線写真160に写っているワイヤ161,162,163の上(ワイヤの太さ方向の中心位置)を、適宜な間隔でマウスクリックしていくことにより行う。このトレース操作は、傾斜トレース受付処理手段64Bにより受け付けられ、トレースデータ(例えば、DWGデータ等)が作成される。なお、図12では、1枚の傾斜X線写真160において、複数本(3本)のワイヤ161,162,163をトレースしているが、計測精度向上の観点から、中央のワイヤ162のみをトレースし、ワイヤ1本分のトレースデータを作成してもよく、このようにする場合には、検査対象となるワイヤ1本について1枚の傾斜X線写真を撮影するようにすればよく、この際、各傾斜X線写真は、部分的に重なって撮影されてもよい。   In FIG. 12, trace lines 164, 165, and 166 (for example, white lines) obtained by tracing the wires 161, 162, and 163 are shown. In this trace work, for example, the mouse 161 is clicked on the wires 161, 162, and 163 (center positions in the thickness direction of the wires) on the display screen at an appropriate interval. By doing. This trace operation is accepted by the inclined trace acceptance processing means 64B, and trace data (for example, DWG data or the like) is created. In FIG. 12, a plurality of (three) wires 161, 162, and 163 are traced in one inclined X-ray photograph 160, but only the central wire 162 is traced from the viewpoint of improving measurement accuracy. However, trace data for one wire may be created. In this case, one inclined X-ray photograph may be taken for one wire to be inspected. Each tilted X-ray photograph may be taken partially overlapping.

それから、プロセス技術者は、以上のようにして作成された傾斜X線写真ワイヤのトレースデータ(例えば、DWGデータ等)をプロセス技術者の端末装置60にローカルに保存する(ステップS18)。この際、保存する各データには、例えば「profile_1.dwg」(プロファイル番号が1番であることを意味する。)等のように、トレースしたワイヤに割り当てられたプロファイル番号を特定できるようなファイル名称を付しておく。   Then, the process engineer stores locally the trace data (for example, DWG data) of the tilted X-ray photograph wire created as described above in the terminal apparatus 60 of the process engineer (step S18). At this time, each data to be saved is a file that can specify the profile number assigned to the traced wire, such as “profile_1.dwg” (meaning that the profile number is 1). Give it a name.

そして、全ての45度傾斜写真データのトレース作業を終了したか否かを判断し(ステップS19)、まだトレース作業を終えていない45度傾斜写真データが残っている場合には、別のワイヤのトレースデータを作成するために、再び、ステップS16の処理に戻り、以降、処理すべき45度傾斜写真データが無くなるまで、ステップS16〜S19の処理を繰り返す。   Then, it is determined whether or not all the 45-degree tilt photo data has been traced (step S19). If 45-degree tilt photo data that has not been traced still remains, another wire In order to create the trace data, the process returns to the process of step S16 again, and thereafter the processes of steps S16 to S19 are repeated until there is no 45-degree tilted photographic data to be processed.

その後、合成処理手段64Cにより、上面X線写真ワイヤトレースおよびベクター変換により作成された2次元ワイヤデータ(例えば、DWGデータ等)と、各傾斜X線写真ワイヤのトレースデータ(例えば、DWGデータ等)とを合成し、ワイヤデータを3次元化する処理を行う(ステップS20)。   Thereafter, the two-dimensional wire data (for example, DWG data and the like) created by the upper surface X-ray photograph wire trace and vector conversion by the synthesis processing means 64C and the trace data (for example, DWG data and the like) of each inclined X-ray wire And wire data is three-dimensionally processed (step S20).

この合成処理では、先ず、合成処理手段64Cにより、図13に示すような3次元データ自動生成用パラメータ入力画面170をディスプレイ画面上に表示し、この画面170を用いたプロセス技術者による必要事項の入力を受け付ける。図13において、画面170には、チップボンディングパッド(CBP)の厚み、基板(PCB)の厚み、セカンドボンディングパッド(SBP)の厚み、接着層の厚みをそれぞれ入力する入力部171,172,173,174と、読み込む45度傾斜X線写真ワイヤのトレースデータを選択するための読込データ選択ボタン175と、45度撮影方向が右側、左側からの撮影であることをそれぞれ選択する選択部176,177と、「OK」ボタン178と、「取消」ボタン179とが設けられている。なお、X線撮影時の傾斜角度θを45度に固定しない場合には、この画面170で、傾斜角度θを入力できるようにしておけばよい。また、各ダイ(チップ)の厚みは、図2のステップS8で取得した3次元設計データが持っているため、ここでは入力しない。   In this synthesizing process, first, the synthesizing means 64C displays a three-dimensional data automatic generation parameter input screen 170 as shown in FIG. 13 on the display screen. Accept input. In FIG. 13, on a screen 170, input portions 171, 172, 173 for inputting the thickness of the chip bonding pad (CBP), the thickness of the substrate (PCB), the thickness of the second bonding pad (SBP), and the thickness of the adhesive layer, respectively. 174, a read data selection button 175 for selecting the trace data of the 45-degree inclined X-ray photographic wire to be read, and selection units 176, 177 for selecting that the 45-degree imaging direction is imaging from the right side and the left side, respectively. , An “OK” button 178 and a “Cancel” button 179 are provided. If the tilt angle θ at the time of X-ray imaging is not fixed at 45 degrees, the tilt angle θ may be input on this screen 170. Further, the thickness of each die (chip) is not input here because it is included in the three-dimensional design data acquired in step S8 of FIG.

上面X線写真ワイヤトレースおよびベクター変換により作成された2次元ワイヤデータを開いた状態で、プロセス技術者が、画面170を用いて、読込データ選択ボタン175を押して読込対象の45度傾斜X線写真ワイヤのトレースデータを選択し、必要事項を入力してから、「OK」ボタン178を押すと、端末装置60でローカルに保存されている各傾斜X線写真ワイヤのトレースデータの読込処理が開始され、各ワイヤに割り当てられたプロファイル番号に基づき、上面X線写真ワイヤトレースおよびベクター変換により作成された2次元ワイヤデータを構成する各ワイヤと、各傾斜X線写真ワイヤのトレースデータ(ファイル名称がプロファイル番号に対応している。)とが自動的に対応付けられ、合成処理手段64Cにより、各ワイヤデータの3次元化処理(合成処理)が自動的に実行される。   With the two-dimensional wire data created by the top X-ray photograph wire trace and vector conversion opened, the process engineer uses the screen 170 and presses the read data selection button 175 to read the 45-degree inclined X-ray photograph of the object to be read. When the trace data of the wire is selected and the necessary information is input and then the “OK” button 178 is pressed, the reading processing of the trace data of each inclined X-ray photograph wire stored locally in the terminal device 60 is started. Based on the profile number assigned to each wire, each wire constituting the two-dimensional wire data created by the top surface X-ray wire trace and vector conversion, and the trace data of each inclined X-ray wire (file name is profile) Are automatically associated with each other, and the composition processing means 64C Three-dimensional processing of Layer data (combining process) is automatically executed.

ここで、合成処理手段64Cによる合成処理は、例えば、次のようにして行われる。図14において、ワイヤ200の平面的形状(上方から見た形状)を示す位置、すなわち(X,Y)座標の値は、上面X線写真ワイヤトレースおよびベクター変換により作成された2次元ワイヤデータから得られる。一方、ファーストボンディング位置をP1(X1,Y1,Z1)とし、セカンドボンディング位置をP2(X2,Y2,Z2)とし、これらのP1とP2とを結ぶ線Kの長さをLとすると、P1から距離eの位置におけるワイヤ200の高さZ(e)は、次の式(1)のように表すことができる。 Here, the composition processing by the composition processing means 64C is performed as follows, for example. In FIG. 14, the position indicating the planar shape (the shape seen from above) of the wire 200, that is, the value of the (X, Y) coordinates, is obtained from the two-dimensional wire data created by the top surface X-ray wire trace and vector conversion. can get. On the other hand, the first bonding position is P 1 (X 1 , Y 1 , Z 1 ), the second bonding position is P 2 (X 2 , Y 2 , Z 2 ), and the line K connecting these P 1 and P 2 If the length of L is L, the height Z (e) of the wire 200 at the position e from P 1 can be expressed as the following equation (1).

Z(e)=Zu(e)+H(e)
=Zu(e)+{Z1×(L−e)+Z2×e}/L ・・・・・・・(1)
Z (e) = Zu (e) + H (e)
= Zu (e) + {Z 1 × (L−e) + Z 2 × e} / L (1)

ここで、距離eは、e=0〜Lの実数の変数であり、Zu(e)は、P1とP2とを結ぶ線Kよりも上側の高さであり、H(e)は、線Kよりも下側の高さである。 Here, the distance e is a real variable of e = 0 to L, Zu (e) is a height above the line K connecting P 1 and P 2, and H (e) is The height is lower than the line K.

図15に示すように、半導体パッケージの上面(基板と平行な面)の法線方向D1(図7参照)に対し、θ度傾斜した方向からX線撮影を行った場合において、θ度傾斜X線写真に写っているワイヤ200についてのP1から距離eの位置における高さをZs(e)とし、樹脂封止時のワイヤ200の流れを無視して考えると、Zu(e)は、Zs(e)を用いて、次の式(2)のように近似的に表すことができる。 As shown in FIG. 15, when X-ray imaging is performed from a direction inclined by θ degrees with respect to the normal direction D1 (see FIG. 7) of the upper surface (surface parallel to the substrate) of the semiconductor package, θ degrees inclination X If the height of the wire 200 shown in the line photograph at the position e from P 1 is Zs (e) and the flow of the wire 200 at the time of resin sealing is ignored, Zu (e) Using (e), it can be approximately expressed as the following equation (2).

Zu(e)=Zs(e)/sinθ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(2)   Zu (e) = Zs (e) / sinθ (2)

従って、前述した式(1)に、上記の式(2)を代入すると、P1から距離eの位置におけるワイヤ200の高さZ(e)は、次の式(3)のように表すことができる。 Therefore, if the above equation (2) is substituted into the above equation (1), the height Z (e) of the wire 200 at the position of the distance e from P 1 can be expressed as the following equation (3). Can do.

Z(e)=Zs(e)/sinθ+{Z1×(L−e)+Z2×e}/L ・・・(3) Z (e) = Zs (e) / sin θ + {Z 1 × (L−e) + Z 2 × e} / L (3)

また、図16に示すように、半導体パッケージの上面(基板と平行な面)の法線方向D1(図7参照)を基準とするのではなく、樹脂封止時のワイヤ200の流れを考慮し、ワイヤ200およびP1とP2とを結ぶ線Kを含む面S1(図8参照)を基準とし、この面S1に対し、θ度傾斜した方向からX線撮影を行った場合において、θ度傾斜X線写真に写っているワイヤ200についてのP1から距離eの位置における高さをZs(e)とし、面S1と法線方向D1とがなす角度をα度とすると、Zu(e)は、Zs(e)を用いて、次の式(4)のように表すことができる。 Also, as shown in FIG. 16, the normal direction D1 (see FIG. 7) of the upper surface (surface parallel to the substrate) of the semiconductor package is not used as a reference, but the flow of the wire 200 during resin sealing is taken into consideration. When the X-ray imaging is performed from the direction inclined by θ degrees with respect to the surface S1 (see FIG. 8) including the wire 200 and the line K connecting P1 and P2, the θ angle inclination X Assuming that the height of the wire 200 shown in the line photograph at a distance e from P 1 is Zs (e) and the angle formed by the surface S1 and the normal direction D1 is α degrees, Zu (e) is Using Zs (e), it can be expressed as the following equation (4).

Zu(e)=Zu(e)’×cosα
={Zs(e)/sinθ}×cosα ・・・・・・・・・・・・(4)
Zu (e) = Zu (e) ′ × cos α
= {Zs (e) / sin θ} × cos α (4)

従って、前述した式(1)に、上記の式(4)を代入すると、P1から距離eの位置におけるワイヤ200の高さZ(e)は、次の式(5)のように表すことができる。 Therefore, when the above equation (4) is substituted into the above-described equation (1), the height Z (e) of the wire 200 at the position of the distance e from P 1 can be expressed as the following equation (5). Can do.

Z(e)={Zs(e)/sinθ}×cosα
+{Z1×(L−e)+Z2×e}/L ・・・・・・・・・・・(5)
Z (e) = {Zs (e) / sin θ} × cos α
+ {Z 1 × (L−e) + Z 2 × e} / L (5)

さらに、図17に示すように、半導体パッケージの上面(基板と平行な面)の法線方向D1(図7参照)を基準とし、この法線方向D1に対し、θ度傾斜した方向からX線撮影を行った場合において、樹脂封止時のワイヤ200の流れを考慮し、ワイヤ200およびP1とP2とを結ぶ線Kを含む面S1(図8参照)と法線方向D1とがなす角度をα度とし、上面X線写真においてP1から距離eの位置でのワイヤ200の流れ距離をS(e)とすると、Zu(e)は、Zs(e)を用いて、次の式(6)のように表すことができる。 Further, as shown in FIG. 17, the normal direction D1 (see FIG. 7) of the upper surface (surface parallel to the substrate) of the semiconductor package is used as a reference, and X-rays are emitted from a direction inclined by θ degrees with respect to the normal direction D1. In the case of photographing, taking into account the flow of the wire 200 at the time of resin sealing, the angle formed by the surface S1 (see FIG. 8) including the wire 200 and the line K connecting P1 and P2 and the normal direction D1 is determined. Assuming that α degrees and the flow distance of the wire 200 at the position e from P 1 in the upper surface X-ray photograph is S (e), Zu (e) can be expressed by the following equation (6) using Zs (e): ).

Zu(e)=Zs(e)/sinθ+S(e)/tanθ ・・・・・・・・(6)   Zu (e) = Zs (e) / sin θ + S (e) / tan θ (6)

従って、前述した式(1)に、上記の式(6)を代入すると、P1から距離eの位置におけるワイヤ200の高さZ(e)は、次の式(7)のように表すことができる。 Therefore, when the above equation (6) is substituted into the above equation (1), the height Z (e) of the wire 200 at the position of the distance e from P 1 is expressed as the following equation (7). Can do.

Z(e)=Zs(e)/sinθ+S(e)/tanθ
+{Z1×(L−e)+Z2×e}/L ・・・・・・・・・・・(7)
Z (e) = Zs (e) / sin θ + S (e) / tan θ
+ {Z 1 × (L−e) + Z 2 × e} / L (7)

なお、合成処理手段64Cによる合成処理として、以上に述べた計算式またはこれらと同等な計算式を実行する処理の他にも、様々な近似的処理を行うことができ、要するに、上面X線写真ワイヤのトレースで得られたデータと、傾斜X線写真ワイヤのトレースで得られたデータとを組み合わせてワイヤの3次元データを作成できればよい。この際、ワイヤの高さ情報は、以上に述べたように傾斜X線写真ワイヤのトレースで得られたデータと、三角関数により算出される傾斜X線写真の傾斜角度に依存する値とを用いて得ることができ、また、ファーストボンディング位置P1(X1,Y1,Z1)およびセカンドボンディング位置P2(X2,Y2,Z2)を上面X線写真と傾斜X線写真とで対応させることにより、上面X線写真と傾斜X線写真とから得られた各データのスケール調整を行うことができる。 It should be noted that various approximate processes can be performed as the synthesis process by the synthesis processing unit 64C in addition to the above-described calculation formulas or a process for executing a calculation formula equivalent thereto. It is only necessary to create three-dimensional data of a wire by combining data obtained by tracing a wire and data obtained by tracing an inclined X-ray photographic wire. At this time, the height information of the wire uses data obtained by tracing the inclined X-ray photograph wire as described above and a value depending on the inclination angle of the inclined X-ray photograph calculated by the trigonometric function. In addition, the first bonding position P 1 (X 1 , Y 1 , Z 1 ) and the second bonding position P 2 (X 2 , Y 2 , Z 2 ) In this way, it is possible to adjust the scale of each data obtained from the top X-ray photograph and the tilted X-ray photograph.

続いて、プロセス技術者は、3次元実測形状データ作成処理手段64の機能を使って、3次元ワイヤフレーム形式(ワイヤのみが3次元化され、ダイ等のその他のオブジェクトが3次元化されていない状態での表示形式)での表示による合成確認を行う(図3のステップS21)。   Subsequently, the process engineer uses the function of the three-dimensional measured shape data creation processing means 64 to form a three-dimensional wire frame format (only the wire is three-dimensionalized and other objects such as dies are not three-dimensionalized. The composition is confirmed by display in the “display format in the state” (step S21 in FIG. 3).

それから、プロセス技術者は、3次元実測形状データ作成処理手段64の機能を使って、ダイ等のワイヤ以外の構成要素に対応するオブジェクトを3次元化する処理を行う(ステップS22)。   Then, the process engineer uses the function of the three-dimensional measured shape data creation processing means 64 to perform a process of three-dimensionalizing an object corresponding to a component other than a wire such as a die (step S22).

さらに、プロセス技術者は、3次元実測形状データ作成処理手段64の機能を使って、3次元シェーディング形式(ワイヤのみならず、ダイや基板等のその他のオブジェクトも3次元化した状態での表示形式)での表示による合成確認を行う(ステップS23)。   Furthermore, the process engineer uses the function of the three-dimensional measured shape data creation processing means 64 to display a three-dimensional shading format (a display format in which not only wires but also other objects such as dies and substrates are three-dimensionalized. ) To confirm the composition (step S23).

そして、プロセス技術者は、プロセス技術者用の端末装置60を操作し、データ送受信処理手段62によるデータ登録機能を使って、3次元化された試作半導体パッケージのCADデータ(例えば、DWGデータ等)を、3次元実測形状データとして管理サーバ80の3次元実測形状データ記憶手段86に登録する(ステップS24)。   Then, the process engineer operates the terminal device 60 for the process engineer, and uses the data registration function by the data transmission / reception processing means 62 to make CAD data (for example, DWG data, etc.) of the three-dimensional prototype semiconductor package. Is registered in the three-dimensional measured shape data storage means 86 of the management server 80 as three-dimensional measured shape data (step S24).

また、プロセス技術者は、プロセス技術者用の端末装置60を操作し、端末側コラボレーション処理手段61によるチャット機能や画像共有機能を使って、3次元実測形状データの作成を終了した旨、および3次元実測形状データの作成内容を、マネージャ、設計者、営業担当者に連絡し(ステップS25)、作業を終了する(ステップS26)。   In addition, the process engineer operates the terminal device 60 for the process engineer and uses the chat function and the image sharing function by the terminal side collaboration processing means 61 to end the creation of the three-dimensional measured shape data, and 3 The manager, the designer, and the sales staff are informed of the creation contents of the dimension measurement shape data (step S25), and the operation is terminated (step S26).

マネージャは、マネージャ用の端末装置30を操作し、端末側コラボレーション処理手段31によるチャット機能や画像共有機能を使って、プロセス技術者から連絡があった3次元実測形状データの作成内容を確認した後、データ送受信処理手段32による工程進捗管理機能を使って、管理サーバ80の工程表記憶手段90からネットワーク1を介して工程表210(図9参照)を取得して端末装置30のディスプレイ画面上に表示させ、この工程表210の「3次元実測形状データの作成」のチェック欄に作業終了のチェックを入れる。データ送受信処理手段32は、このチェックの入力情報を管理サーバ80へネットワーク1を介して送信し、管理サーバ80のデータ管理処理手段82は、送信されてきたチェックの入力情報を受信し、この情報を工程表記憶手段90に記憶させる。図9に示された工程表210には、「3次元実測形状データの作成」の下位層に相当する「サンプル受領」等のチェック欄があるが、プロセス技術者が、これらの下位層のチェック欄に、各作業の終了の都度にチェックを入れていってもよい。なお、このような工程表210へのチェック入力作業に伴う処理の流れは、他の項目のチェック欄にチェックを入れる場合も同様であるため、以降、説明を省略する。   After the manager operates the manager terminal device 30 and uses the chat function or the image sharing function of the terminal side collaboration processing means 31, the manager confirms the creation contents of the three-dimensional measured shape data contacted by the process engineer. Using the process progress management function of the data transmission / reception processing means 32, the process table 210 (see FIG. 9) is acquired from the process table storage means 90 of the management server 80 via the network 1 and displayed on the display screen of the terminal device 30. Display the work, and check the end of work in the check box of “Create three-dimensional measured shape data” of the process table 210. The data transmission / reception processing means 32 transmits the input information of this check to the management server 80 via the network 1, and the data management processing means 82 of the management server 80 receives the transmitted input information of the check, and this information Is stored in the process chart storage means 90. In the process table 210 shown in FIG. 9, there is a check column such as “sample reception” corresponding to the lower layer of “creation of three-dimensional measured shape data”, but the process engineer checks these lower layers. In the column, a check may be put at the end of each work. Note that the flow of processing associated with the check input operation to the process table 210 is the same when checking the check boxes of other items, and thus the description thereof will be omitted.

その後、プロセス技術者は、作成した3次元実測形状データに基づき、試作半導体パッケージのチェック作業を開始する(図4のステップS31)。先ず、プロセス技術者は、プロセス技術者用の端末装置60を操作し、データ送受信処理手段62によるデータ取得機能を使って、管理サーバ80の3次元設計データ記憶手段83から、検査対象となっている試作半導体パッケージについての3次元設計データを取得する(ステップS32)。なお、既に取得した3次元設計データが端末装置60にローカルに保存されている場合には、管理サーバ80からの取得処理は、省略してよい。   Thereafter, the process engineer starts checking the prototype semiconductor package based on the created three-dimensional measured shape data (step S31 in FIG. 4). First, the process engineer operates the terminal device 60 for the process engineer, and uses the data acquisition function of the data transmission / reception processing unit 62 to make an inspection object from the three-dimensional design data storage unit 83 of the management server 80. The three-dimensional design data about the prototype semiconductor package is acquired (step S32). Note that if the already acquired 3D design data is stored locally in the terminal device 60, the acquisition process from the management server 80 may be omitted.

また、プロセス技術者は、必要に応じ、プロセス技術者用の端末装置60を操作し、データ送受信処理手段62によるデータ取得機能を使って、管理サーバ80の設計隙間記憶手段84から、既に算出されている検査対象の半導体パッケージの設計隙間のデータを取得するか、あるいは設計隙間算出処理手段68により、3次元設計データを用いてワイヤ等のオブジェクト間の設計隙間を算出した後、設計隙間表示処理手段69により、設計隙間を端末装置60のディスプレイ画面上に表示させることにより、設計隙間のチェックを行う(ステップS33)。   In addition, the process engineer operates the terminal device 60 for the process engineer as necessary, and uses the data acquisition function of the data transmission / reception processing unit 62, and has already been calculated from the design gap storage unit 84 of the management server 80. The design gap display processing of the semiconductor package to be inspected is acquired or the design gap calculation processing means 68 calculates the design gap between objects such as wires using the three-dimensional design data. The design gap is checked by displaying the design gap on the display screen of the terminal device 60 by means 69 (step S33).

次に、プロセス技術者は、プロセス技術者用の端末装置60を操作し、データ送受信処理手段62によるデータ取得機能を使って、管理サーバ80の3次元実測形状データ記憶手段86から、検査対象の半導体パッケージについての3次元実測形状データを取得する(ステップS34)。そして、実測隙間算出処理手段65により、3次元実測形状データを用いてワイヤ等のオブジェクト間の実測隙間を算出した後、実測隙間表示処理手段66により、算出した実測隙間を端末装置60のディスプレイ画面上に表示させることにより、3次元での設計ルールチェック、実測隙間のチェックを行う(ステップS35)。   Next, the process engineer operates the terminal device 60 for the process engineer, and uses the data acquisition function by the data transmission / reception processing unit 62 to read the inspection target data from the three-dimensional measured shape data storage unit 86 of the management server 80. The three-dimensional measured shape data for the semiconductor package is acquired (step S34). Then, after the measured gap calculation processing means 65 calculates the measured gap between objects such as wires using the three-dimensional measured shape data, the measured gap display processing means 66 displays the calculated measured gap on the display screen of the terminal device 60. By displaying the above, a three-dimensional design rule check and an actual measurement gap check are performed (step S35).

図18には、実測隙間表示処理手段66により、端末装置60のディスプレイ画面上に表示された3次元での設計ルールチェック結果の一例が示されている。3次元での設計ルールチェックを行った結果、オブジェクト間(例えば、ワイヤ間、ワイヤとダイとの間等)の3次元隙間が閾値以下になった場合、すなわち不良が検出された場合には、そのオブジェクトが、図示の如く、例えば太線等で表示される。図18の例では、上側のダイ220から基板240へ展開するワイヤ221〜229および下側のダイ230から基板240へ展開するワイヤ231〜239のうち、5組のワイヤ間、すなわちワイヤ221,231間、ワイヤ222,232間、ワイヤ224,234間、ワイヤ226,236間、ワイヤ227,228間で、不良が検出されている。   FIG. 18 shows an example of a three-dimensional design rule check result displayed on the display screen of the terminal device 60 by the measured gap display processing means 66. As a result of performing the design rule check in three dimensions, when a three-dimensional gap between objects (for example, between wires, between a wire and a die, etc.) is below a threshold value, that is, when a defect is detected, The object is displayed with a thick line, for example, as shown in the figure. In the example of FIG. 18, among the wires 221 to 229 developed from the upper die 220 to the substrate 240 and the wires 231 to 239 developed from the lower die 230 to the substrate 240, between five sets of wires, that is, the wires 221 and 231. A defect is detected between the wires 222 and 232, between the wires 224 and 234, between the wires 226 and 236, and between the wires 227 and 228.

また、図19に示すように、プロセス技術者は、実測隙間表示処理手段66により、不良箇所の一覧表示画面250で、閾値以下になったワイヤ間の3次元隙間を数値表示させることができる。図19の3行目の表示例では、「D1−4」という表示が、ファーストボンディング位置が上側のダイ220(「D1」が上側のダイ220を意味する。)の4番目のパッドとなっているワイヤ224を示し、「D2−4」という表示が、ファーストボンディング位置が下側のダイ230(「D2」が下側のダイ230を意味する。)の4番目のパッドとなっているワイヤ234を示し、これらのワイヤ224,234間(「D1−4」と「D2−4」との間)の3次元隙間が「0.0556」(mm)であることを示している。   Further, as shown in FIG. 19, the process engineer can cause the measured gap display processing unit 66 to numerically display the three-dimensional gap between the wires that is equal to or less than the threshold value on the defect location list display screen 250. In the display example of the third row in FIG. 19, the display “D1-4” is the fourth pad of the die 220 whose upper bonding position is the upper die 220 (“D1” means the upper die 220). The wire 224 is the fourth pad of the die 230 whose first bonding position is the lower die 230 (“D2” means the lower die 230). The three-dimensional gap between these wires 224 and 234 (between “D1-4” and “D2-4”) is “0.0556” (mm).

さらに、図19に示すように、プロセス技術者が、不良が検出されたワイヤ間のうちのいずれかの表示部分をダブルクリックすると、実測隙間表示処理手段66により、ダブルクリックされたワイヤ224,234間の3次元グラフィクス表示が行われ、ワイヤ224,234間の最小隙間位置が赤色等のライン260で示される。そして、このように3次元グラフィクス表示されたワイヤ224,234および赤色等のライン260は、これらを中心として画面上で一体となって回転し、これによりワイヤ224とワイヤ234との位置関係やこれらの最小隙間位置の状態等を容易に確認することができるようになっている。   Further, as shown in FIG. 19, when the process engineer double-clicks any display portion among the wires in which the defect is detected, the actually-measured gap display processing unit 66 causes the double-clicked wires 224 and 234 to be displayed. 3D graphics display is performed, and the minimum gap position between the wires 224 and 234 is indicated by a line 260 such as red. Then, the wires 224 and 234 and the lines 260 such as red, which are displayed in the three-dimensional graphics in this way, rotate together on the screen around these, so that the positional relationship between the wires 224 and the wires 234 and these The state of the minimum gap position can be easily confirmed.

なお、3次元隙間は、オブジェクトの外形部分同士の隙間であり、例えば、ワイヤ間の3次元隙間であれば、ワイヤの中心線同士の3次元隙間ではなく、ワイヤの太さを考慮し、ワイヤの外周面同士の3次元隙間である。   Note that the three-dimensional gap is a gap between the outer portions of the object. For example, if the gap is between the wires, the thickness of the wire is considered in consideration of the thickness of the wire, not the three-dimensional gap between the center lines of the wires. It is a three-dimensional gap between the outer peripheral surfaces.

また、図19に示すようなワイヤ同士の間の隙間の3次元グラフィクス表示のみならず、ワイヤとその他のオブジェクトとの間の隙間の3次元グラフィクス表示を行うこともできる。図20には、実測隙間表示処理手段66により端末装置60のディスプレイ画面上に表示された3次元デザイン・ルール・チェック結果表示画面270の一例が示されている。図20において、画面270には、ボンドワイヤ直径を0.025(mm)に設定した場合における各ワイヤ間の3次元隙間のうち最小となるワイヤ間の3次元隙間の数値(例えば「0.0556」(mm)等)の表示部271と、最小となるワイヤ間の3次元隙間を形成する第1対象ワイヤ(例えば、「D1−4」等)および第2対象ワイヤ(例えば、「D2−4」等)の表示部272,273と、ワイヤとコンポーネント(ダイ)との間の3次元隙間のうち最小となる隙間の数値(例えば、「0.0531」等)の表示部274と、ワイヤとダイ・ボンディング・パッド(DBP)との間の3次元隙間のうち最小となる隙間の数値の表示部275と、ワイヤとキャビティとの間の3次元隙間のうち最小となる隙間の数値の表示部276と、最小となるワイヤ間の3次元隙間を形成する第1対象ワイヤおよび第2対象ワイヤの長さ(ワイヤに沿った長さ)の表示部277,278と、キャピラリィ(ワイヤを打つ時の装置の動き)によるエラー(隙間が無くなる事態)が発生した場合に使用するエラー発生箇所の数の表示部279とが設けられている。   Further, not only the three-dimensional graphics display of the gap between the wires as shown in FIG. 19, but also the three-dimensional graphics display of the gap between the wire and other objects can be performed. FIG. 20 shows an example of a three-dimensional design rule check result display screen 270 displayed on the display screen of the terminal device 60 by the measured gap display processing means 66. In FIG. 20, the screen 270 displays a numerical value (for example, “0.0556) between the wires, which is the smallest of the three-dimensional gaps between the wires when the bond wire diameter is set to 0.025 (mm). ”(Mm) etc.), a first target wire (for example,“ D1-4 ”etc.) and a second target wire (for example“ D2-4 ”) that form a three-dimensional gap between the smallest wires. Display unit 272, 273, a display unit 274 for a numerical value of the smallest gap among the three-dimensional gaps between the wire and the component (die) (for example, “0.0531”, etc.), Display unit 275 for the smallest gap among the three-dimensional gaps between the die bonding pad (DBP) and display unit for the smallest gap among the three-dimensional gaps between the wire and the cavity. 276 and Display portions 277 and 278 for the lengths (lengths along the wires) of the first target wire and the second target wire that form a minimum three-dimensional gap between the wires, and capillary (the movement of the apparatus when hitting the wire) ) (A situation in which the gap disappears) occurs, and a display section 279 for the number of error occurrence locations used is provided.

さらに、図20の画面270には、隙間限界値の入力部280と、ワイヤ間の最小隙間部分の3次元グラフィクス表示を行うための「ボンドワイヤ/ボンドワイヤ」選択部281と、ワイヤとコンポーネント(ダイ)との間の最小隙間部分の3次元グラフィクス表示を行うための「ボンドワイヤ/コンポーネント」選択部282と、ワイヤとダイ・ボンディング・パッド(DBP)との間の最小隙間部分の3次元グラフィクス表示を行うための「ボンドワイヤ/ダイ・ボンディング・パッド」選択部283と、ワイヤとキャビティとの間の最小隙間部分の3次元グラフィクス表示を行うための「ボンドワイヤ/キャビティ」選択部284と、「OK」ボタン285と、「取消」ボタン286とが設けられている。   Further, the screen 270 of FIG. 20 includes a gap limit value input unit 280, a “bond wire / bond wire” selection unit 281 for displaying a three-dimensional graphics of a minimum gap portion between wires, and wires and components ( “Bond wire / component” selection unit 282 for displaying the three-dimensional graphics of the minimum gap portion between the wire and the die) and the three-dimensional graphics of the minimum gap portion between the wire and the die bonding pad (DBP) A “bond wire / die bonding pad” selection unit 283 for performing display, and a “bond wire / cavity” selection unit 284 for performing three-dimensional graphics display of a minimum gap portion between the wire and the cavity; An “OK” button 285 and a “Cancel” button 286 are provided.

図20の画面270において、プロセス技術者が、入力部280に隙間限界値を入力してから、「OK」ボタン285を押すと、前述した図18や図19で不良箇所を表示する際の不良か否かの判定基準となる閾値が変更される。また、プロセス技術者が、「ボンドワイヤ/ボンドワイヤ」選択部281を選択してから、表示部271またはそのタイトル部分をクリックすると、実測隙間表示処理手段66により、図19に示すようなワイヤ間の最小隙間部分の3次元グラフィクス表示が行われ、「ボンドワイヤ/コンポーネント」選択部282を選択してから、表示部274またはそのタイトル部分をクリックすると、実測隙間表示処理手段66により、図20に示すようなワイヤ290とダイ291との間の最小隙間部分の3次元グラフィクス表示が行われる。この際、ワイヤ290とダイ291との間の最小隙間位置が赤色等のライン292で示され、ワイヤ290、ダイ291、および赤色等のライン292は、画面上で一体となって回転する。   When the process engineer inputs the gap limit value to the input unit 280 and presses the “OK” button 285 on the screen 270 of FIG. 20, the failure when displaying the defective portion in FIG. 18 or FIG. 19 described above. The threshold value serving as a criterion for determining whether or not is changed. Further, when the process engineer selects the “bond wire / bond wire” selection unit 281 and then clicks the display unit 271 or its title portion, the measured gap display processing unit 66 causes the wire gaps as shown in FIG. When the “bond wire / component” selection section 282 is selected and the display section 274 or its title section is clicked, the measured gap display processing means 66 displays the three-dimensional graphics of the minimum gap portion of FIG. The three-dimensional graphics display of the minimum gap portion between the wire 290 and the die 291 as shown is performed. At this time, the minimum gap position between the wire 290 and the die 291 is indicated by a red line 292, and the wire 290, the die 291 and the red line 292 rotate together on the screen.

また、「ボンドワイヤ/ダイ・ボンディング・パッド」選択部283を選択してから、表示部275またはそのタイトル部分をクリックすると、実測隙間表示処理手段66により、ワイヤとダイ・ボンディング・パッド(DBP)との間の最小隙間部分の3次元グラフィクス表示が行われ、「ボンドワイヤ/キャビティ」選択部284を選択してから、表示部276またはそのタイトル部分をクリックすると、実測隙間表示処理手段66により、ワイヤとキャビティとの間の最小隙間部分の3次元グラフィクス表示が行われる。   Further, when the “bond wire / die bonding pad” selection unit 283 is selected and then the display unit 275 or its title portion is clicked, the measured gap display processing means 66 causes the wire and die bonding pad (DBP) to be clicked. 3D graphics display of the minimum gap portion between and the “bond wire / cavity” selection unit 284 is selected, and when the display unit 276 or its title portion is clicked, the measured gap display processing means 66 A three-dimensional graphics display of the minimum gap portion between the wire and the cavity is performed.

そして、プロセス技術者は、プロセス技術者用の端末装置60を操作し、データ送受信処理手段62によるデータ登録機能を使って、実測隙間算出処理手段65により算出した実測隙間のデータを、管理サーバ80の実測隙間記憶手段87に登録する(図4のステップS36)。   Then, the process engineer operates the terminal device 60 for the process engineer, and uses the data registration function of the data transmission / reception processing unit 62 to store the measured gap data calculated by the measured gap calculation processing unit 65 with the management server 80. Is registered in the measured gap storage means 87 (step S36 in FIG. 4).

続いて、プロセス技術者は、重畳表示処理手段67により、3次元設計データおよび3次元実測形状データを用いて、図21に示すように、半導体パッケージの設計形状と実測形状とを重ね合わせて端末装置60のディスプレイ画面上に表示させ、両者の比較照合を行い、両者の差異を確認する(ステップS37)。図21の例では、設計段階のワイヤ300と、これに対応する樹脂封止後のワイヤ301とが、異なる色を付されて表示されている。   Subsequently, as shown in FIG. 21, the process engineer superimposes the design shape and the measured shape of the semiconductor package on the terminal by using the superimposed display processing means 67 using the three-dimensional design data and the three-dimensional measured shape data. It is displayed on the display screen of the device 60, both are compared and verified, and the difference between the two is confirmed (step S37). In the example of FIG. 21, the wire 300 at the design stage and the wire 301 after resin sealing corresponding thereto are displayed with different colors.

続いて、プロセス技術者は、プロセス技術者用の端末装置60を操作し、データ送受信処理手段62によるデータ登録機能を使って、重畳表示処理手段67による表示を行うための重畳表示用データを、管理サーバ80の重畳表示用データ記憶手段88に登録する(図4のステップS38)。   Subsequently, the process engineer operates the terminal device 60 for the process engineer, and uses the data registration function by the data transmission / reception processing unit 62 to display the superimposed display data for display by the superimposed display processing unit 67. The data is registered in the superimposed display data storage means 88 of the management server 80 (step S38 in FIG. 4).

そして、プロセス技術者は、プロセス技術者用の端末装置60を操作し、端末側コラボレーション処理手段61によるチャット機能や画像共有機能を使って、隙間チェック作業、および設計形状と実測形状との比較照合作業を終了した旨、並びに比較照合結果を、マネージャ、設計者、解析者、営業担当者に連絡し(ステップS39)、作業を終了する(ステップS40)。   Then, the process engineer operates the terminal device 60 for the process engineer, uses the chat function and the image sharing function by the terminal-side collaboration processing means 61, and checks the gap and compares the design shape with the actually measured shape. The manager, the designer, the analyst, and the sales staff are informed of the completion of the work and the comparison / collation result (step S39), and the work is finished (step S40).

マネージャは、マネージャ用の端末装置30を操作し、端末側コラボレーション処理手段31によるチャット機能や画像共有機能を使って、プロセス技術者からの連絡内容を確認した後、データ送受信処理手段32による工程進捗管理機能を使って、管理サーバ80の工程表記憶手段90からネットワーク1を介して工程表210(図9参照)を取得して端末装置30のディスプレイ画面上に表示させ、この工程表210の「隙間チェック、および設計形状と実測形状との照合比較」のチェック欄に作業終了のチェックを入れる。   The manager operates the manager terminal device 30 and uses the chat function and the image sharing function of the terminal side collaboration processing means 31 to confirm the contents of communication from the process engineer, and then the process progress by the data transmission / reception processing means 32 Using the management function, the process table 210 (see FIG. 9) is acquired from the process table storage unit 90 of the management server 80 via the network 1 and displayed on the display screen of the terminal device 30. Check the end of work in the check box of “Check gap and check comparison between design shape and actual shape”.

営業担当者は、営業担当者用の端末装置20を操作し、端末側コラボレーション処理手段21によるチャット機能や画像共有機能を使って、端末装置20のディスプレイ画面上に比較照合結果である設計形状と実測形状との差異を表示し、顧客に見せる。   The sales person operates the terminal device 20 for the sales person and uses the chat function and the image sharing function by the terminal-side collaboration processing means 21 and the design shape as the comparison result on the display screen of the terminal device 20. Display the difference from the measured shape and show it to the customer.

マネージャは、マネージャ用の端末装置30を操作し、端末側コラボレーション処理手段31によるチャット機能や画像共有機能を使って、解析者へ解析(機械的解析および電気的解析)を依頼する。   The manager operates the manager terminal device 30 and requests analysis (mechanical analysis and electrical analysis) from the analyst using the chat function and the image sharing function of the terminal side collaboration processing means 31.

解析者は、解析者用の端末装置50を操作し、端末側コラボレーション処理手段51によるチャット機能や画像共有機能を使って、マネージャからの依頼内容を確認した後、解析作業を開始し(図5のステップ51)、データ送受信処理手段52によるデータ取得機能を使って、管理サーバ80の3次元実測形状データ記憶手段86から、解析対象の3次元実測形状データを取得する(ステップS52)。   The analyst operates the analyst's terminal device 50 and uses the chat function and the image sharing function by the terminal-side collaboration processing means 51 to confirm the contents of the request from the manager, and then starts the analysis work (FIG. 5). Step 51), using the data acquisition function of the data transmission / reception processing means 52, the three-dimensional measured shape data to be analyzed is acquired from the three-dimensional measured shape data storage means 86 of the management server 80 (Step S52).

続いて、解析者は、解析処理手段53により、3次元実測形状データの機械的解析を実行し(ステップS53)、さらに電気的解析を実行した後(ステップS54)、解析結果データを出力する(ステップS55)。そして、解析者は、データ送受信処理手段52によるデータ登録機能を使って、解析処理手段53による解析結果データを、管理サーバ80の解析結果データ記憶手段89に登録する(ステップS56)。また、解析者は、端末側コラボレーション処理手段51によるチャット機能や画像共有機能を使って、各種の解析結果をマネージャおよび設計者へ報告するとともに、これらの解析結果に基づき設計変更を提案し(ステップS57)、解析作業を終了する(ステップS58)。   Subsequently, the analyst performs a mechanical analysis of the three-dimensional measured shape data by the analysis processing means 53 (step S53), and further performs an electrical analysis (step S54), and then outputs analysis result data (step S54). Step S55). Then, the analyst registers the analysis result data by the analysis processing unit 53 in the analysis result data storage unit 89 of the management server 80 by using the data registration function by the data transmission / reception processing unit 52 (step S56). The analyst reports various analysis results to the manager and the designer using the chat function and the image sharing function by the terminal side collaboration processing means 51, and proposes design changes based on these analysis results (steps). S57), the analysis work is finished (step S58).

マネージャは、マネージャ用の端末装置30を操作し、端末側コラボレーション処理手段31によるチャット機能や画像共有機能を使って、解析者からの連絡内容を確認した後、データ送受信処理手段32による工程進捗管理機能を使って、管理サーバ80の工程表記憶手段90からネットワーク1を介して工程表210(図9参照)を取得して端末装置30のディスプレイ画面上に表示させ、この工程表210の「解析作業」のチェック欄に作業終了のチェックを入れる。   The manager operates the manager terminal device 30, uses the chat function or the image sharing function of the terminal side collaboration processing means 31, confirms the content of communication from the analyst, and then manages the process progress by the data transmission / reception processing means 32. Using the function, the process table 210 (see FIG. 9) is acquired from the process table storage unit 90 of the management server 80 via the network 1 and displayed on the display screen of the terminal device 30. Check the “Work completed” check box.

それから、設計者は、設計者用の端末装置40を操作し、端末側コラボレーション処理手段41によるチャット機能や画像共有機能を使って、解析結果および設計変更の提案内容を確認した後、設計の見直し作業(設計ルールのパラメータ値の補正作業)を開始し(図6のステップS61)、データ送受信処理手段42によるデータ取得機能を使って、管理サーバ80の重畳表示用データ記憶手段88から、重畳表示用データを取得する(ステップS62)。   Then, the designer operates the terminal device 40 for the designer, uses the chat function and the image sharing function by the terminal side collaboration processing means 41, confirms the analysis result and the proposed content of the design change, and then reviews the design. Work (design rule parameter value correction work) is started (step S61 in FIG. 6), and the data display function by the data transmission / reception processing means 42 is used to display the superimposed display from the superimposed display data storage means 88. Business data is acquired (step S62).

続いて、設計者は、重畳表示処理手段47により、重畳表示用データを用いて、端末装置40のディスプレイ画面上に、比較照合結果である設計形状と実測形状との差異を表示して確認し、その差異から設計ルールのパラメータ値の誤差を計算し(ステップS63)、設計ルールのパラメータ値を補正する(ステップS64)。そして、設計者は、設計者用の端末装置40を操作し、データ送受信処理手段42によるデータ登録機能を使って、補正後の設計ルールのパラメータ値を反映させた3次元設計データを、管理サーバ80の3次元設計データ記憶手段83に登録する(ステップS65)。また、設計者は、端末側コラボレーション処理手段41によるチャット機能や画像共有機能を使って、設計ルールのパラメータ値の補正作業を終了した旨をマネージャへ連絡し(ステップS66)、設計の見直し作業を終了する(ステップS67)。   Subsequently, the designer uses the superimposed display processing unit 47 to display and confirm the difference between the design shape and the actually measured shape, which are the comparison verification results, on the display screen of the terminal device 40 using the superimposed display data. Then, the error of the parameter value of the design rule is calculated from the difference (step S63), and the parameter value of the design rule is corrected (step S64). Then, the designer operates the terminal device 40 for the designer, and uses the data registration function by the data transmission / reception processing means 42 to convert the three-dimensional design data reflecting the corrected design rule parameter values into the management server It is registered in the 80 three-dimensional design data storage means 83 (step S65). Further, the designer uses the chat function and the image sharing function of the terminal side collaboration processing means 41 to notify the manager that the parameter value correction work for the design rule has been completed (step S66), and the design review work is performed. The process ends (step S67).

マネージャは、マネージャ用の端末装置30を操作し、端末側コラボレーション処理手段31によるチャット機能や画像共有機能を使って、設計者からの連絡内容を確認した後、データ送受信処理手段32による工程進捗管理機能を使って、管理サーバ80の工程表記憶手段90からネットワーク1を介して工程表210(図9参照)を取得して端末装置30のディスプレイ画面上に表示させ、この工程表210の「設計ルールのパラメータ値の補正」のチェック欄に作業終了のチェックを入れる。   The manager operates the manager terminal device 30 and confirms the contact details from the designer using the chat function and the image sharing function by the terminal side collaboration processing means 31, and then the process progress management by the data transmission / reception processing means 32 Using the function, the process table 210 (see FIG. 9) is acquired from the process table storage unit 90 of the management server 80 via the network 1 and displayed on the display screen of the terminal device 30. Check “End of work” in the “Correction of parameter value of rule” check box.

営業担当者は、営業担当者用の端末装置20を操作し、データ送受信処理手段22によるデータ取得機能を使って、管理サーバ80の3次元設計データ記憶手段83、設計隙間記憶手段84、写真データ記憶手段85、3次元実測形状データ記憶手段86、実測隙間記憶手段87、重畳表示用データ記憶手段88、解析結果データ記憶手段89から、必要なデータを適宜取得し、書類作成処理手段23により、取得したデータを用いて試作半導体パッケージ検査報告書や設計改善提案書等の各種書類を作成し、顧客へ提出する。   The sales person operates the terminal device 20 for the sales person and uses the data acquisition function by the data transmission / reception processing means 22 to use the three-dimensional design data storage means 83, the design gap storage means 84, and the photographic data of the management server 80. Necessary data is appropriately acquired from the storage unit 85, the three-dimensional measured shape data storage unit 86, the measured gap storage unit 87, the superimposed display data storage unit 88, and the analysis result data storage unit 89. Using the acquired data, create various documents such as prototype semiconductor package inspection reports and design improvement proposals and submit them to customers.

このような本実施形態によれば、次のような効果がある。すなわち、検査システム10は、3次元実測形状データ作成処理手段64を備えているので、複数のX線写真データまたは複数のカメラ写真データを用いて、樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージについての3次元実測形状データを作成することができる。   According to this embodiment, there are the following effects. That is, since the inspection system 10 includes the three-dimensional measured shape data creation processing means 64, a semiconductor package after resin sealing or before resin sealing using a plurality of X-ray photograph data or a plurality of camera photograph data. 3D actual shape data can be created.

また、検査システム10は、実測隙間算出処理手段65および実測隙間表示処理手段66を備えているので、3次元実測形状データに基づき、試作半導体パッケージのオブジェクト間の3次元隙間を算出し、画面表示することができる(図18〜図20参照)。このため、半導体パッケージの検査に携わる作業者は、樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージの状態、例えばワイヤ間の隙間等を3次元的に詳細に把握することができるので、その3次元的に得られた詳細情報を設計データに効果的に反映させることができる。   In addition, since the inspection system 10 includes the measured gap calculation processing means 65 and the measured gap display processing means 66, the three-dimensional gap between objects of the prototype semiconductor package is calculated based on the three-dimensional measured shape data and displayed on the screen. (See FIGS. 18-20). For this reason, an operator engaged in the inspection of the semiconductor package can grasp in detail three-dimensionally the state of the semiconductor package after resin sealing or before resin sealing, for example, the gap between wires. Detailed information obtained dimensionally can be effectively reflected in the design data.

さらに、検査システム10は、重畳表示処理手段47,67を備えているので、3次元実測形状データおよび3次元設計データを用いて、設計形状と実測形状との重畳表示を行うことができる(図21参照)。このため、半導体パッケージの検査に携わる作業者は、設計形状と実測形状との差異を3次元的に詳細に把握することができるので、その3次元的に得られた詳細情報を設計データに効果的に反映させることができる。特に、樹脂封止後の半導体パッケージの検査の場合には、樹脂封止時にワイヤがどのように流れるか(どちらの方向に、どれぐらい流れ、どのような形状になるか)を把握することができ、その影響を考慮して設計変更を行うことができる。   Furthermore, since the inspection system 10 includes the superimposed display processing means 47 and 67, the design shape and the measured shape can be superimposed and displayed using the three-dimensional measured shape data and the three-dimensional design data (see FIG. 21). For this reason, an operator involved in the inspection of the semiconductor package can grasp the difference between the design shape and the actual measurement shape in three dimensions in detail, and the detailed information obtained in the three dimensions can be effectively applied to the design data. Can be reflected. In particular, in the case of inspection of semiconductor packages after resin sealing, it is possible to grasp how the wires flow (how much and in which direction, and what shape) when the resin is sealed. The design can be changed in consideration of the influence.

そして、検査システム10は、設計隙間算出処理手段45,68および設計隙間表示処理手段46,69を備えているので、3次元設計データに基づき、設計段階の半導体パッケージのオブジェクト間の3次元隙間を算出し、画面表示することができる。このため、設計者は、設計作業時や、検査後の設計ルールのパラメータ値の補正作業時に設計隙間を確認しながら作業を行うことができるうえ、プロセス技術者は、検査作業時に設計隙間を確認することができる。また、実測隙間表示処理手段66による実測隙間の表示を併せて行うことにより、設計段階での隙間と、試作された実物の隙間とを容易に確認し、比較することができるので、プロセス技術者や設計者は、両者の差異を確認したうえで、設計改善の提案や設計変更を行うことができる。   Since the inspection system 10 includes the design gap calculation processing means 45 and 68 and the design gap display processing means 46 and 69, the three-dimensional gap between the objects of the semiconductor package at the design stage is determined based on the three-dimensional design data. It can be calculated and displayed on the screen. For this reason, designers can work while confirming design gaps during design work or correction of design rule parameter values after inspection, and process engineers can check design gaps during inspection work. can do. Further, by displaying the measured gap by the measured gap display processing means 66, the gap at the design stage and the gap of the prototype can be easily confirmed and compared, so that the process engineer The designer can make a design improvement proposal or make a design change after confirming the difference between the two.

また、3次元実測形状データ作成処理手段64による処理で用いられる複数のX線写真データまたは複数のカメラ写真データは、X線撮影装置70またはカメラ撮影装置75で複数の方向から撮影されたものであるため、複数の断層画像を用いる場合に比べ、3次元実測形状データを少ないデータで容易に作成することができる。   Further, the plurality of X-ray photograph data or the plurality of camera photograph data used in the processing by the three-dimensional measured shape data creation processing means 64 is taken from a plurality of directions by the X-ray imaging apparatus 70 or the camera imaging apparatus 75. Therefore, compared to the case of using a plurality of tomographic images, the three-dimensional measured shape data can be easily created with a small amount of data.

さらに、3次元実測形状データ作成処理手段64は、上面写真のワイヤおよび傾斜写真のワイヤをそれぞれトレースして3次元実測形状データを作成する構成とされているので、ワイヤを3次元化するための情報を効率的に得ることができ、3次元実測形状データを効率的に作成することができる。つまり、上面写真のワイヤのトレースでX,Y座標値(ワイヤの平面的な位置情報)を得るとともに、傾斜写真のワイヤのトレースでZ座標値(ワイヤの高さ情報)を得ることができるが、傾斜写真には、ワイヤを重ならない状態または重なってもワイヤの一部分のみが重なった状態で写すことができるので、ワイヤの高さ情報を得るためのトレース作業を精度よく、かつ円滑に行うことができる。   Further, the three-dimensional measured shape data creation processing means 64 is configured to create the three-dimensional measured shape data by tracing the wire of the upper surface photograph and the wire of the inclined photograph, respectively. Information can be obtained efficiently and three-dimensional measured shape data can be created efficiently. That is, the X and Y coordinate values (wire planar position information) can be obtained by the wire trace in the upper surface photograph, and the Z coordinate values (wire height information) can be obtained by the wire trace in the inclined photograph. , Inclined photographs can be taken with the wires not overlapping or with only a part of the wires overlapping, so that the tracing work to obtain the wire height information can be performed accurately and smoothly. Can do.

そして、検査システム10は、各端末装置20〜60と管理サーバ80とをネットワーク1で接続し、複数の作業者間での協調作業(デジタル・コラボレーション)を行うことができる構成とされているので、試作半導体パッケージの検査の各工程で、営業担当者、マネージャ、設計者、解析者、およびプロセス技術者が情報を共有しながら、緊密に連携し、一連の作業を効率的に行うことができる。このため、試作半導体パッケージの検査に関する一連の作業を短時間で完了させることができるうえ、遠隔地に作業者がいる場合であっても、作業効率を向上させることができる。   The inspection system 10 is configured to connect each terminal device 20 to 60 and the management server 80 via the network 1 and to perform cooperative work (digital collaboration) among a plurality of workers. In each process of testing prototype semiconductor packages, sales representatives, managers, designers, analysts, and process engineers can share information and work closely together to efficiently perform a series of operations. . For this reason, a series of operations relating to the inspection of the prototype semiconductor package can be completed in a short time, and the work efficiency can be improved even when there is an operator at a remote place.

また、検査システム10は、各端末装置20〜60で行われた作業で得られたデータを管理サーバ80に登録し、保存・管理する構成とされているので、検査結果として得られたデータを蓄積することができる。このため、半導体パッケージの設計・生産に必要なノウハウ、知識、技術情報が蓄積され、一括管理されるので、設計・生産の速度を高め、それらに要する期間の短縮を図ることができるうえ、技術や製品の信頼性の向上を図ることができる。   In addition, since the inspection system 10 is configured to register data stored in the management server 80 and store / manage data obtained by the work performed in each of the terminal devices 20 to 60, the data obtained as a result of the inspection is stored. Can be accumulated. For this reason, know-how, knowledge and technical information necessary for the design and production of semiconductor packages are accumulated and managed collectively, so that the speed of design and production can be increased and the time required for them can be shortened. And the reliability of the product can be improved.

さらに、検査システム10は、管理サーバ80に登録された工程表(図9参照)を用いて、検査に関する各工程の進捗状況を入力することができる構成とされているので、マネージャ、あるいはその他の作業者が、工程表へ各工程の作業の終了を入力し、またはそれらを各作業者が参照することにより、検査に関する各工程の進捗管理を行うことができる。このため、検査に関する一連の作業を、より確実に短時間で完了させることができる。   Furthermore, since the inspection system 10 is configured to be able to input the progress of each process related to the inspection using the process table registered in the management server 80 (see FIG. 9), the manager or other The worker can input the end of the work of each process to the process table, or each worker can refer to them to manage the progress of each process related to the inspection. For this reason, a series of operations relating to the inspection can be completed more reliably in a short time.

なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲内での変形等は本発明に含まれるものである。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications and the like within a scope where the object of the present invention can be achieved are included in the present invention.

すなわち、前記実施形態の検査システム10では、図1に示すように、X線撮影装置70やカメラ撮影装置75と、3次元実測形状データ作成処理手段64を含む検査処理手段63とが、別の装置として設けられていたが、これらを一体化し、3次元実測形状データ作成処理手段64を含む検査処理手段63による処理機能を備えたX線撮影装置やカメラ撮影装置としてもよい。   That is, in the inspection system 10 of the above embodiment, as shown in FIG. 1, the X-ray imaging apparatus 70 and the camera imaging apparatus 75 and the inspection processing means 63 including the three-dimensional measured shape data creation processing means 64 are different. Although they are provided as an apparatus, they may be integrated into an X-ray imaging apparatus or a camera imaging apparatus having a processing function by an inspection processing unit 63 including a three-dimensional measured shape data creation processing unit 64.

また、前記実施形態の検査システム10は、各端末装置20〜60と管理サーバ80とをネットワーク1で接続し、複数の作業者間での協調作業(デジタル・コラボレーション)を行うことができる構成とされていたが、本発明の検査システムは、必ずしもこのようなネットワーク1を介した協調作業を行うことができる構成に限定されるものではなく、例えば、複数の作業者間あるいは各装置間でのデータの受渡しを、FDやMO等の記録媒体を用いて行ってもよい。但し、作業の効率化、作業時間の短縮、データの一元管理等の観点からは、ネットワーク1を介した協調作業を行うことができる構成とすることが好ましい。   In addition, the inspection system 10 according to the embodiment has a configuration in which the terminal devices 20 to 60 and the management server 80 are connected to each other via the network 1 and can perform cooperative work (digital collaboration) among a plurality of workers. However, the inspection system of the present invention is not necessarily limited to the configuration capable of performing the cooperative work via the network 1, for example, between a plurality of workers or between each device. Data delivery may be performed using a recording medium such as FD or MO. However, from the viewpoints of work efficiency, work time reduction, centralized data management, and the like, it is preferable to adopt a configuration capable of performing cooperative work via the network 1.

さらに、前記実施形態の検査システム10では、設計情報と実測情報との対比という点では、重畳表示処理手段47,67により、設計形状と、樹脂封止後または樹脂封止前の実測形状とを、ディスプレイ画面上に重ね合わせて表示する処理を行うだけであったが(図21参照)、実測隙間算出処理手段65により算出された実測の3次元隙間(例えば、ワイヤとワイヤとの間の隙間、ワイヤとダイとの間の隙間等)と、設計隙間算出処理手段68により算出された設計段階の3次元隙間(実測隙間に対応する隙間)とを対比させてディスプレイ画面上に数値表示する処理を行う設計・実測隙間対比表示処理手段を設けてもよい。この設計・実測隙間対比表示処理手段は、例えば、プロセス技術者用の端末装置60や設計者用の端末装置40等に設けておくことが好ましい。設計者用の端末装置40に設ける場合には、設計・実測隙間対比表示処理手段は、管理サーバ80の設計隙間記憶手段84および実測隙間記憶手段87から表示用のデータを取得する構成としてもよく、あるいは管理サーバ80に別途に設計・実測隙間対比表示用データ記憶手段を設けておき、この設計・実測隙間対比表示用データ記憶手段から表示用のデータを取得する構成としてもよい。このような設計隙間と実測隙間との数値による対比表示を行えば、半導体パッケージの検査に携わる作業者は、設計隙間と実測隙間との差異を数値で詳細に把握することができるので、それらの対比で得られた詳細情報を設計データに効果的に反映させることができる。   Furthermore, in the inspection system 10 of the above-described embodiment, the design shape and the actually measured shape after the resin sealing or before the resin sealing are obtained by the superimposed display processing means 47 and 67 in terms of the comparison between the design information and the actually measured information. In this case, only the process of superimposing and displaying on the display screen is performed (see FIG. 21), but the measured three-dimensional gap calculated by the measured gap calculation processing means 65 (for example, the gap between the wires) , A gap between the wire and the die, etc.) and a three-dimensional gap at the design stage calculated by the design gap calculation processing means 68 (a gap corresponding to the actually measured gap) are displayed numerically on the display screen. Design / measurement gap contrast display processing means for performing the above may be provided. This design / measured gap contrast display processing means is preferably provided, for example, in the terminal device 60 for the process engineer or the terminal device 40 for the designer. When provided in the terminal device 40 for the designer, the design / measured gap comparison display processing unit may acquire display data from the design gap storage unit 84 and the measured gap storage unit 87 of the management server 80. Alternatively, a design / measured gap contrast display data storage unit may be separately provided in the management server 80, and display data may be acquired from the design / actual gap comparison display data storage unit. By displaying a comparison between numerical values of the design gap and the actual measurement gap, an operator involved in the inspection of the semiconductor package can grasp the difference between the design gap and the actual measurement gap in detail in numerical values. Detailed information obtained by comparison can be effectively reflected in the design data.

以上のように、本発明の半導体パッケージの検査システムおよびプログラムは、例えば、遠隔地にいる複数の作業者によるネットワークを介した協働作業で樹脂封止後または樹脂封止前の半導体パッケージの検査に関する一連の処理を行う場合等に用いるのに適している。   As described above, the semiconductor package inspection system and program according to the present invention are, for example, inspection of a semiconductor package after resin sealing or before resin sealing in a collaborative operation via a network by a plurality of workers at remote locations. It is suitable for use when performing a series of processes related to the above.

本発明の一実施形態の半導体パッケージの検査システムの全体構成図。1 is an overall configuration diagram of a semiconductor package inspection system according to an embodiment of the present invention. 前記実施形態の半導体パッケージの検査作業(プロセス技術者による3次元実測形状データ作成作業の前半)の流れを示すフローチャートの図。The figure of the flowchart which shows the flow of the test | inspection operation | work of the semiconductor package of the said embodiment (the first half of the three-dimensional measurement shape data creation work by a process engineer). 前記実施形態の半導体パッケージの検査作業(プロセス技術者による3次元実測形状データ作成作業の後半)の流れを示すフローチャートの図。The figure of the flowchart which shows the flow of the test | inspection operation | work of the semiconductor package of the said embodiment (the second half of the three-dimensional measurement shape data creation work by a process engineer). 前記実施形態の半導体パッケージの検査作業(プロセス技術者によるチェック作業)の流れを示すフローチャートの図。The figure of the flowchart which shows the flow of the test | inspection work (check work by a process engineer) of the semiconductor package of the said embodiment. 前記実施形態の半導体パッケージの検査作業(解析者による解析作業)の流れを示すフローチャートの図。The figure of the flowchart which shows the flow of the test | inspection work (analysis work by an analyst) of the semiconductor package of the said embodiment. 前記実施形態の半導体パッケージの検査作業(設計者による設計ルールのパラメータ値の補正作業)の流れを示すフローチャートの図。The figure of the flowchart which shows the flow of the test | inspection work of the semiconductor package of the said embodiment (The correction work of the parameter value of the design rule by a designer). 前記実施形態のX線撮影装置による撮影状況の説明図。Explanatory drawing of the imaging | photography condition by the X-ray imaging apparatus of the said embodiment. 前記実施形態の傾斜X線写真の撮影方向の説明図。Explanatory drawing of the imaging | photography direction of the inclination X-ray photograph of the said embodiment. 前記実施形態の工程表の一例を示す図。The figure which shows an example of the process chart of the said embodiment. 試作された実物の半導体パッケージの一部を示す斜視図。The perspective view which shows a part of real semiconductor package made as an experiment. 前記実施形態の上面X線写真ワイヤのトレース作業の説明図。Explanatory drawing of the trace operation | work of the upper surface X-ray photography wire of the said embodiment. 前記実施形態の傾斜X線写真ワイヤのトレース作業の説明図。Explanatory drawing of the trace operation | work of the inclination X-ray photography wire of the said embodiment. 前記実施形態の3次元データ自動生成用パラメータ入力画面の一例を示す図。The figure which shows an example of the parameter input screen for the three-dimensional data automatic generation of the said embodiment. 前記実施形態のワイヤデータの合成処理の第1の説明図。The 1st explanatory view of the composition processing of wire data of the embodiment. 前記実施形態のワイヤデータの合成処理の第2の説明図。The 2nd explanatory view of the composition processing of wire data of the embodiment. 前記実施形態のワイヤデータの合成処理の第3の説明図。The 3rd explanatory view of the composition processing of wire data of the embodiment. 前記実施形態のワイヤデータの合成処理の第4の説明図。The 4th explanatory view of the composition processing of wire data of the embodiment. 前記実施形態の3次元での設計ルールチェック結果の一例を示す図。The figure which shows an example of the design rule check result in three dimensions of the said embodiment. 前記実施形態の不良箇所の一覧表示画面およびワイヤ間の最小隙間部分の3次元グラフィクス表示の一例を示す図。The figure which shows an example of the list display screen of the defect location of the said embodiment, and a three-dimensional graphics display of the minimum clearance gap part between wires. 前記実施形態の3次元デザイン・ルール・チェック結果表示画面およびワイヤとダイとの間の最小隙間部分の3次元グラフィクス表示の一例を示す図。The figure which shows an example of the three-dimensional graphics display of the 3D design rule check result display screen of the said embodiment, and the minimum clearance gap part between a wire and die | dye. 前記実施形態の半導体パッケージの設計形状と実測形状との3次元での重畳表示の一例を示す図。The figure which shows an example of the superimposition display in three dimensions with the design shape and measured shape of the semiconductor package of the said embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1 ネットワーク
10 検査システム
20 営業担当者用の端末装置
21,31,41,51,61 端末側コラボレーション処理手段
22,32,42,52,62 データ送受信処理手段
30 マネージャ用の端末装置
40 設計者用の端末装置
47,67 重畳表示処理手段
50 解析者用の端末装置
60 プロセス技術者用の端末装置
64 3次元実測形状データ作成処理手段
64A 上面トレース受付処理手段
64B 傾斜トレース受付処理手段
64C 合成処理手段
65 実測隙間算出処理手段
66 実測隙間表示処理手段
70 X線撮影装置
71 X線写真データ
75 カメラ撮影装置
76 カメラ写真データ
80 管理サーバ
81 サーバ側コラボレーション処理手段
82 データ管理処理手段
83 3次元設計データ記憶手段
86 3次元実測形状データ記憶手段
88 重畳表示用データ記憶手段
90 工程表記憶手段
120 半導体パッケージ
210 工程表
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Network 10 Inspection system 20 Terminal device for sales staff 21, 31, 41, 51, 61 Terminal side collaboration processing means 22, 32, 42, 52, 62 Data transmission / reception processing means 30 Manager terminal device 40 For designers Terminal device 47, 67 superimposed display processing means 50 terminal device for analysts 60 terminal device for process engineers 64 three-dimensional measured shape data creation processing means 64A upper surface trace acceptance processing means 64B inclined trace acceptance processing means 64C synthesis processing means 65 Actual measurement gap calculation processing means 66 Actual measurement gap display processing means 70 X-ray imaging apparatus 71 X-ray photograph data 75 Camera imaging apparatus 76 Camera photograph data 80 Management server 81 Server side collaboration processing means 82 Data management processing means 83 Three-dimensional design data storage Means 86 Three-dimensional Shape measurement data storage means 88 Superposition display data storage means 90 Process table storage means 120 Semiconductor package 210 Process table

Claims (6)

樹脂封止後の半導体パッケージをX線撮影装置で撮影して得られた複数のX線写真データを用いて樹脂封止後の前記半導体パッケージのワイヤを含む構成要素の3次元実測形状データを作成する処理を行う3次元実測形状データ作成処理手段と、
この3次元実測形状データ作成処理手段により作成された樹脂封止後の前記3次元実測形状データを用いて樹脂封止後の前記半導体パッケージのワイヤを含む構成要素に対応するオブジェクト間の3次元隙間を算出する処理を行う実測隙間算出処理手段と、
この実測隙間算出処理手段による算出処理結果をディスプレイ画面上に表示する処理を行う実測隙間表示処理手段とを備え
前記3次元実測形状データ作成処理手段は、
樹脂封止後の前記半導体パッケージの少なくとも一部を上方からX線撮影して得られた上面写真データを用いてワイヤを含む上面写真をディスプレイ画面上に表示して前記ワイヤを全長に渡って画面上でトレースする入力操作を受け付ける処理を行う上面トレース受付処理手段と、
樹脂封止後の前記半導体パッケージの少なくとも一部を斜め方向からX線撮影して得られた傾斜写真データを用いてワイヤを含む傾斜写真をディスプレイ画面上に表示して前記ワイヤを全長に渡って画面上でトレースする入力操作を受け付ける処理を行う傾斜トレース受付処理手段と、
前記上面トレース受付処理手段により受け付けたトレース操作で得られた上面トレースデータと前記傾斜トレース受付処理手段により受け付けたトレース操作で得られた傾斜トレースデータとを合成する処理を行う合成処理手段とを含んで構成され、
前記斜め方向からX線撮影して得られた傾斜写真データは、
前記ワイヤの一端を接合するファーストボンディング位置と他端を接合するセカンドボンディング位置とを結んだボンディング位置間直線と直交若しくは略直交する線または直角若しくは略直角をなす線であって、かつ、前記ワイヤおよび前記ボンディング位置間直線を含む面と鋭角をなす線を画角中心線としてX線撮影して得られた傾斜写真データである
ことを特徴とする半導体パッケージの検査システム。
Creates three-dimensional measured shape data of components including wires of the semiconductor package after resin sealing, using a plurality of X-ray photograph data obtained by imaging the semiconductor package after resin sealing with an X-ray imaging apparatus. and 3-dimensional measured shape data creation processing unit that performs processing for,
Three-dimensional gaps between objects corresponding to components including wires of the semiconductor package after resin sealing using the three-dimensional measured shape data after resin sealing created by the three-dimensional measured shape data creation processing means Measured gap calculation processing means for performing processing for calculating
The actual measurement gap display processing means for performing processing for displaying the calculation processing result by the actual measurement gap calculation processing means on the display screen ,
The three-dimensional measured shape data creation processing means includes:
The upper surface photograph including the wire is displayed on the display screen using the upper surface photograph data obtained by X-ray imaging of at least a part of the semiconductor package after the resin sealing from above, and the wire is screened over the entire length. Upper surface trace reception processing means for performing processing for receiving an input operation to be traced above;
An inclined photograph including a wire is displayed on a display screen using inclined photograph data obtained by X-ray photographing at least a part of the semiconductor package after resin sealing from an oblique direction, and the wire is extended over the entire length. An inclined trace reception processing means for performing a process of receiving an input operation to be traced on the screen;
Combining processing means for performing processing for combining upper surface trace data obtained by the trace operation received by the upper surface trace reception processing means and inclined trace data obtained by the trace operation received by the inclined trace reception processing means; Consists of
Tilt photograph data obtained by X-ray photography from the oblique direction,
A wire orthogonal to or substantially perpendicular to a straight line between bonding positions connecting a first bonding position for joining one end of the wire and a second bonding position for joining the other end, or a line perpendicular to or substantially perpendicular to the wire, and the wire A tilt inspection data obtained by X-ray imaging using a line forming an acute angle with a plane including the straight line between the bonding positions as an angle of view center line .
3次元設計データに基づき作成された樹脂封止後の半導体パッケージをX線撮影装置で撮影して得られた複数のX線写真データを用いて樹脂封止後の前記半導体パッケージのワイヤを含む構成要素の3次元実測形状データを作成する処理を行う3次元実測形状データ作成処理手段と、
前記3次元設計データと前記3次元実測形状データ作成処理手段により作成された樹脂封止後の前記半導体パッケージのワイヤを含む構成要素の前記3次元実測形状データとを用いて、前記半導体パッケージのワイヤの設計形状と樹脂封止後のワイヤの実測形状とをディスプレイ画面上に重ね合わせて表示する処理を行う重畳表示処理手段とを備え
前記3次元実測形状データ作成処理手段は、
樹脂封止後の前記半導体パッケージの少なくとも一部を上方からX線撮影して得られた上面写真データを用いてワイヤを含む上面写真をディスプレイ画面上に表示して前記ワイヤを全長に渡って画面上でトレースする入力操作を受け付ける処理を行う上面トレース受付処理手段と、
樹脂封止後の前記半導体パッケージの少なくとも一部を斜め方向からX線撮影して得られた傾斜写真データを用いてワイヤを含む傾斜写真をディスプレイ画面上に表示して前記ワイヤを全長に渡って画面上でトレースする入力操作を受け付ける処理を行う傾斜トレース受付処理手段と、
前記上面トレース受付処理手段により受け付けたトレース操作で得られた上面トレースデータと前記傾斜トレース受付処理手段により受け付けたトレース操作で得られた傾斜トレースデータとを合成する処理を行う合成処理手段とを含んで構成され、
前記斜め方向からX線撮影して得られた傾斜写真データは、
前記ワイヤの一端を接合するファーストボンディング位置と他端を接合するセカンドボンディング位置とを結んだボンディング位置間直線と直交若しくは略直交する線または直角若しくは略直角をなす線であって、かつ、前記ワイヤおよび前記ボンディング位置間直線を含む面と鋭角をなす線を画角中心線としてX線撮影して得られた傾斜写真データである
ことを特徴とする半導体パッケージの検査システム。
A configuration including a wire of the semiconductor package after resin sealing using a plurality of X-ray photograph data obtained by photographing the semiconductor package after resin sealing created based on the three-dimensional design data with an X-ray imaging apparatus and 3-dimensional measured shape data creation processing unit that performs processing of creating a 3-dimensional measured shape data element,
Using the three-dimensional design data and the three-dimensional measured shape data of the component including the wire of the semiconductor package after resin sealing created by the three-dimensional measured shape data creation processing means , the wire of the semiconductor package Superimposing display processing means for performing processing to superimpose and display the design shape of the wire and the measured shape of the wire after resin sealing on the display screen ,
The three-dimensional measured shape data creation processing means includes:
The upper surface photograph including the wire is displayed on the display screen using the upper surface photograph data obtained by X-ray imaging of at least a part of the semiconductor package after the resin sealing from above, and the wire is screened over the entire length. Upper surface trace reception processing means for performing processing for receiving an input operation to be traced above;
An inclined photograph including a wire is displayed on a display screen using inclined photograph data obtained by X-ray photographing at least a part of the semiconductor package after resin sealing from an oblique direction, and the wire is extended over the entire length. An inclined trace reception processing means for performing a process of receiving an input operation to be traced on the screen;
Combining processing means for performing processing for combining upper surface trace data obtained by the trace operation received by the upper surface trace reception processing means and inclined trace data obtained by the trace operation received by the inclined trace reception processing means; Consists of
Tilt photograph data obtained by X-ray photography from the oblique direction,
A wire orthogonal to or substantially perpendicular to a straight line between bonding positions connecting a first bonding position for joining one end of the wire and a second bonding position for joining the other end, or a line perpendicular to or substantially perpendicular to the wire, and the wire A tilt inspection data obtained by X-ray imaging using a line forming an acute angle with a plane including the straight line between the bonding positions as an angle of view center line .
請求項1に記載の半導体パッケージの検査システムにおいて、
3次元設計データとこの3次元設計データに基づき作成された樹脂封止後の前記半導体パッケージについて前記3次元実測形状データ作成処理手段により作成された樹脂封止後の前記半導体パッケージのワイヤを含む構成要素の3次元実測形状データとを用いて、前記半導体パッケージのワイヤの設計形状と樹脂封止後のワイヤの実測形状とをディスプレイ画面上に重ね合わせて表示する処理を行う重畳表示処理手段を備えた
ことを特徴とする半導体パッケージの検査システム。
The semiconductor package inspection system according to claim 1,
A configuration including three-dimensional design data and the wire of the semiconductor package after resin sealing created by the three-dimensional measured shape data creation processing unit for the semiconductor package after resin sealing created based on the three-dimensional design data Superimposed display processing means for performing processing for superimposing and displaying the design shape of the wire of the semiconductor package and the measured shape of the wire after resin sealing on the display screen using the three-dimensional measured shape data of the element A semiconductor package inspection system characterized by this.
請求項2または3に記載の半導体パッケージの検査システムにおいて、
前記半導体パッケージの設計および検査に携わるプロセス技術者、解析者、および設計者を含む複数の作業者がそれぞれ操作する複数の端末装置と、これらの端末装置とネットワークを介して接続されて前記半導体パッケージの検査に関する情報を管理する管理サーバとを備え、
前記端末装置は、
前記複数の作業者間での対話または画像共有のうちの少なくとも一方による協調作業を実現するために、作業者による入力操作を受け付けてこの操作情報を前記管理サーバへ送信する処理を行うとともに、前記管理サーバから配信されてきた共有情報を受信してこの共有情報を作業者に提示するためのディスプレイ画面上への表示処理を行う端末側コラボレーション処理手段と、
前記管理サーバとの間で前記半導体パッケージの設計および検査に関するデータの送受信処理を行うデータ送受信処理手段とを含んで構成され、
前記管理サーバは、
前記協調作業を実現するために、前記複数の端末装置のうちのいずれかの端末装置から送信されてきた操作情報を受信する処理を行うとともに、この操作情報に基づき他の端末装置または全ての端末装置に共有情報を配信する処理を行うサーバ側コラボレーション処理手段と、
前記端末装置から前記ネットワークを介して送信されてきた前記半導体パッケージの設計および検査に関するデータを受信してこのデータの登録処理を行うとともに、前記端末装置からの要求に応じて該当するデータを検索して前記端末装置へ前記ネットワークを介して送信する処理を行うデータ管理処理手段と、
前記半導体パッケージの3次元設計データを記憶する3次元設計データ記憶手段と、
前記3次元実測形状データ作成処理手段により作成された樹脂封止後の前記半導体パッケージのワイヤを含む構成要素の3次元実測形状データを記憶する3次元実測形状データ記憶手段と、
前記半導体パッケージのワイヤの設計形状と樹脂封止後のワイヤの実測形状とをディスプレイ画面上に重ね合わせて表示するための重畳表示用データを記憶する重畳表示用データ記憶手段とを含んで構成され、
前記データ管理処理手段は、
プロセス技術者が操作する端末装置から前記ネットワークを介して送信されてきた樹脂封止後の前記半導体パッケージのワイヤを含む構成要素の前記3次元実測形状データを受信し、受信した前記3次元実測形状データを前記3次元実測形状データ記憶手段に登録する処理と、
プロセス技術者が操作する端末装置から前記ネットワークを介して送信されてきた前記重畳表示用データを受信し、受信した前記重畳表示用データを前記重畳表示用データ記憶手段に登録する処理と、
解析者が操作する端末装置からの要求に応じて前記3次元実測形状データ記憶手段から該当する前記3次元実測形状データを検索し、検索した前記3次元実測形状データを解析者が操作する端末装置へ前記ネットワークを介して送信する処理と、
設計者が操作する端末装置からの要求に応じて前記重畳表示用データ記憶手段から該当する前記重畳表示用データを検索し、検索した前記重畳表示用データを設計者が操作する端末装置へ前記ネットワークを介して送信する処理と、
設計者が操作する端末装置から前記ネットワークを介して送信されてきた補正後の3次元設計データを受信し、受信した前記補正後の3次元設計データを前記3次元設計データ記憶手段に登録する処理とを含む処理を行う構成とされている
ことを特徴とする半導体パッケージの検査システム。
The semiconductor package inspection system according to claim 2 or 3,
A plurality of terminal devices respectively operated by a plurality of workers including process engineers, analysts, and designers engaged in the design and inspection of the semiconductor package, and the semiconductor package connected to these terminal devices via a network And a management server that manages information related to the inspection of
The terminal device
In order to realize collaborative work by at least one of dialogues or image sharing between the plurality of workers, processing for receiving input operations by the workers and transmitting the operation information to the management server, and Terminal-side collaboration processing means for receiving the shared information distributed from the management server and performing display processing on the display screen for presenting the shared information to the worker;
A data transmission / reception processing means for performing data transmission / reception processing with respect to the design and inspection of the semiconductor package with the management server;
The management server
In order to realize the cooperative work, a process of receiving operation information transmitted from any one of the plurality of terminal devices is performed, and another terminal device or all terminals are performed based on the operation information. Server-side collaboration processing means for performing processing for distributing shared information to the device;
Receives data related to the design and inspection of the semiconductor package transmitted from the terminal device via the network, performs registration processing of this data, and searches for corresponding data in response to a request from the terminal device. Data management processing means for performing processing to transmit to the terminal device via the network;
3D design data storage means for storing 3D design data of the semiconductor package;
Three-dimensional measured shape data storage means for storing three-dimensional measured shape data of the component including the wire of the semiconductor package after the resin sealing created by the three-dimensional measured shape data creation processing means;
And a data storage means for superimposed display for storing superimposed display data for displaying the design shape of the wire of the semiconductor package and the actually measured shape of the wire after resin sealing on the display screen. ,
The data management processing means includes
The 3D measured shape data of the component including the wire of the semiconductor package after resin sealing transmitted from the terminal device operated by a process engineer via the network is received, and the received 3D measured shape is received. Processing for registering data in the three-dimensional measured shape data storage means;
Processing for receiving the superimposed display data transmitted from the terminal device operated by a process engineer via the network and registering the received superimposed display data in the superimposed display data storage unit;
In response to a request from the terminal device operated by the analyst, the corresponding three-dimensional actually measured shape data is searched from the three-dimensional actually measured shape data storage means, and the terminal device by which the analyst operates the searched three-dimensional actually measured shape data Transmitting to the network via the network;
In response to a request from a terminal device operated by a designer, the corresponding superimposed display data is retrieved from the superimposed display data storage means, and the retrieved superimposed display data is transmitted to the terminal device operated by the designer. Process to send via
Processing for receiving corrected three-dimensional design data transmitted from the terminal device operated by the designer via the network and registering the received corrected three-dimensional design data in the three-dimensional design data storage means A semiconductor package inspection system characterized by comprising a process including:
請求項に記載の半導体パッケージの検査システムにおいて、
前記複数の端末装置には、営業担当者が操作する端末装置が含まれ、
前記データ管理処理手段は、営業担当者が操作する端末装置からの要求に応じて前記重畳表示用データ記憶手段から該当する前記重畳表示用データを検索し、検索した前記重畳表示用データを営業担当者が操作する端末装置へ前記ネットワークを介して送信する処理も行う構成とされている
ことを特徴とする半導体パッケージの検査システム。
The semiconductor package inspection system according to claim 4 ,
The plurality of terminal devices include a terminal device operated by a sales representative,
The data management processing means retrieves the corresponding superimposed display data from the superimposed display data storage means in response to a request from a terminal device operated by a sales representative, and the retrieved superimposed display data is assigned to the sales representative. The semiconductor package inspection system is also configured to perform a process of transmitting via a network to a terminal device operated by a person.
請求項またはに記載の半導体パッケージの検査システムにおいて、
前記複数の端末装置には、前記半導体パッケージの検査工程を統括管理するマネージャが操作する端末装置が含まれ、
前記管理サーバは、前記半導体パッケージの検査の各工程の進捗状況を入力する工程表を記憶する工程表記憶手段を備え、
前記データ管理処理手段は、マネージャが操作する端末装置からの要求に応じて前記工程表記憶手段に記憶された工程表の画面表示用のデータをマネージャが操作する端末装置へ前記ネットワークを介して送信するとともに、マネージャにより入力されてマネージャが操作する端末装置から前記ネットワークを介して送信されてきた進捗状況を示すデータを受信し、工程表を更新する処理も行う構成とされている
ことを特徴とする半導体パッケージの検査システム。
The semiconductor package inspection system according to claim 4 or 5 ,
The plurality of terminal devices include a terminal device operated by a manager that comprehensively manages the inspection process of the semiconductor package,
The management server includes a process table storage unit that stores a process table for inputting a progress status of each process of the inspection of the semiconductor package,
The data management processing means transmits, via the network, the data for displaying the screen of the process chart stored in the process chart storage means to the terminal apparatus operated by the manager in response to a request from the terminal apparatus operated by the manager. And receiving the data indicating the progress status transmitted from the terminal device input by the manager and operated by the manager via the network and updating the process chart. Semiconductor package inspection system.
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