JP2008078357A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体発光素子から発せられる緑色光の彩度を高めることが可能な半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板1と、この基板1上に積層されたp−GaN層2、活性層4、およびn−GaN層5とを備える半導体発光素子の製造方法であって、基板1にp−GaN層2を形成する工程と、p−GaN層2を、開口3aを有する被膜3によって覆う工程と、p−GaN層2のうち開口3aから露出した部分に活性層4およびn−GaN層5を順に積層させる工程と、被膜3を除去する工程と、を有する。
【選択図】 図4
【解決手段】基板1と、この基板1上に積層されたp−GaN層2、活性層4、およびn−GaN層5とを備える半導体発光素子の製造方法であって、基板1にp−GaN層2を形成する工程と、p−GaN層2を、開口3aを有する被膜3によって覆う工程と、p−GaN層2のうち開口3aから露出した部分に活性層4およびn−GaN層5を順に積層させる工程と、被膜3を除去する工程と、を有する。
【選択図】 図4
Description
本発明は、半導体発光素子の製造方法に関し、半導体発光素子から発せられる緑色光の彩度を高めるのに適した半導体発光素子の製造方法に関する。
LEDや半導体レーザなどの半導体発光素子は、省電力かつ高輝度な光源として広く用いられている。近年では、青色光や緑色光を発光可能な半導体発光素子が提案されている。図12は、このような半導体発光素子の一例を示している(たとえば特許文献1参照)。同図に示された半導体発光素子Xは、基板91上に、バッファ層91a、n−GaN層92、活性層93、およびp−GaN層94が順に積層された構造とされている。n−GaN層92およびp−GaN層94には、電源供給のためのn側電極95およびp側電極96が形成されている。活性層93は、井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井戸(Multiple Quantum Well:MQW)構造とされている。活性層93から緑色光を発光可能とする手段として、上記井戸層はInの組成比が比較的高いInGaNによって形成されている。
しかしながら、半導体発光素子Xの製造工程においては、活性層93を形成した後にp−GaN層94を形成する。たとえばMOCVD法によってp−GaN層94を形成するときの成膜温度は、1,000℃以上と比較的高温である。このため、活性層93の上記井戸層に含まれるInが昇華してしまうおそれがある。上記井戸層のInの組成比が減少すると、活性層93から十分に彩度が高い緑色光を発光することが阻害されるという問題があった。また、n側電極95は、n−GaN層92に対してエッチングを施した後に、このエッチングが施された面に形成される。エッチングが施された面は、荒れた状態となっており、n側電極95との接触状態を良好なオーミックコンタクトとすることが困難であった。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、半導体発光素子から発せられる緑色光の彩度を高めるのに適した半導体発光素子の製造方法を提供することをその課題とする。
本発明によって提供される半導体発光素子の製造方法は、基板と、この基板上に積層されたp型半導体層、活性層、およびn型半導体層とを備える半導体発光素子の製造方法であって、上記基板に上記p型半導体層を形成する工程と、上記p型半導体層を、開口を有する被膜によって覆う工程と、上記p型半導体層のうち上記開口から露出した部分に上記活性層および上記n型半導体層を順に積層させる工程と、上記被膜を除去する工程と、を有することを特徴としている。
このような構成によれば、上記活性層を形成する前に上記p型半導体層を形成する。上記p型半導体層を一般的な形成手法であるMOCVD法を用いて形成する場合、その成膜温度は1,000℃以上となる。しかし、上記活性層は、このような比較的高温である成膜温度にはさらされない。また、上記活性層を形成した後に上記n型半導体層を形成する際には、成膜温度を900℃以下とすることが可能である。したがって、上記活性層からInが昇華することを防止可能であり、上記半導体発光素子から発せられる緑色光の彩度を高めることができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記被膜を除去する工程の後に、上記p型半導体層のうち上記被膜で覆われていた部分にp側電極を形成する工程をさらに有する。このような構成によれば、上記p型半導体層のうち上記p側電極を形成する部分は、上記活性層および上記n型半導体層を形成する工程によって荒らされることがない。したがって、上記p側電極と上記p型半導体層との接触状態を良好なオーミックコンタクトとすることが可能であり、上記半導体発光素子の順方向電圧を低下させることができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記被膜によって覆う工程の前に、上記p型半導体層にp側電極を形成する工程をさらに有し、上記被膜によって覆う工程においては、上記被膜によって上記p型半導体層および上記p側電極を覆う。このような構成によっても上記p側電極と上記p型半導体層との接触状態を良好なオーミックコンタクトとすることが可能であり、上記半導体発光素子の順方向電圧を低下させることができる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1〜図6は、本発明に係る半導体発光素子の製造方法の第1実施形態を示している。まず、図1に示すように、基板1を用意する。基板1は、たとえばサファイア製であり、その厚さがたとえば300μm程度とされている。この基板1上に、バッファ層11、アンドープGaN層12、およびp−GaN層2をたとえばMOCVD法を用いて積層させる。バッファ層11は、たとえばAlN、GaN、AlGaN等によって形成し、その厚さをたとえば0.01μm程度とする。アンドープGaN層12は、不純物がドープされていないGaNによって形成し、その厚さをたとえば0.5μm程度とする。p−GaN層2の形成は、たとえば成膜温度を1,000℃以上とした状態で、NH3ガス、H2ガス、N2ガス、およびトリメチルガリウム(以下、TMG)ガスとp型のドーパントであるMgのドープを行うためのCp2Mgガスとを同時に供給することにより行う。p−GaN層2の厚さは、たとえば3.0μm程度とする。
次に、図2および図3に示すように、被膜3を形成する。被膜3を形成するには、まずSiO2を用いたスパッタリングによって、p−GaN層2を覆うSiO2膜を形成する。そして、このSiO2膜に対してフォトリソグラフィの手法を用いたエッチングを施すことにより、開口3aを形成する。開口3aのサイズは、たとえば150μm×130μm程度とする。被膜3は、p−GaN層2のうちp側電極6が形成される予定の部分を覆っている。被膜3を形成する別の手法としては、レジストを用いたリフトオフ法によるものが挙げられる。この手法においては、まず、p−GaN層2のうち開口3aから露出させる部分をレジストによって覆う。そして、このレジストおよびp−GaN層2を覆うようにSiO2膜を形成した後に、上記レジストとSiO2膜のうち上記レジストを覆う部分とを一括して剥離させる。被膜3の材質としては、剥離することが容易な絶縁材料が好ましく、SiO2のほかにSiNを用いてもよい。
次に、図4に示すように、活性層4およびn−GaN層5を形成する。活性層4およびn−GaN層5の形成は、たとえばMOCVD法を用いてp−GaN層2のうち開口3aから露出した部分に対して行う。活性層4の形成においては、たとえば井戸層としてのInGaN層とバリア層としてのGaN層との形成を交互に行う。それぞれの層を3〜7層程度形成することにより、MQW構造を有する活性層4が得られる。n−GaN層5を形成するには、成膜温度を900℃以下、たとえば800℃程度とした状態で、NH3ガス、H2ガス、N2ガス、およびTMGガスを上記成膜室内に供給する。この際、n型のドーパントであるSiのドープを行うためにSiH4ガスを同時に供給する。被膜3はSiO2からなるため、被膜3上に活性層4およびn−GaN層5が結晶成長することはない。活性層4およびn−GaN層5の厚さは、たとえばそれぞれ0.1μmおよび0.5μm程度とする。
次に、図5に示すように、被膜3を除去する。被膜3を除去するには、たとえばフッ酸を用いたエッチングを行う。
次に、図6に示すように、p側電極6およびn側電極7を形成する。p側電極6を形成する場所は、図3に示すように、被膜3によって覆われていた場所とする。p側電極6の形成は、たとえばp−GaN層2上に形成したAu/Ni膜に対してパターニングを施すことによって行う。n側電極7の形成は、たとえば、n−GaN層5上に形成したAl/Ni膜に対してパターニングを施すことによって行う。以上の工程を経ることにより、図示された半導体発光素子Aが得られる。半導体発光素子Aは、p側電極6から注入された正孔とn側電極7から注入された電子とが活性層4において再結合することにより、活性層4から図中上方向に向けて光を出射するように構成されている。活性層4を構成する上記井戸層におけるInの組成比を高めることにより、半導体発光素子Aは、彩度が高い緑色光を出射可能とされている。
次に、本実施形態の半導体発光素子の製造方法の作用について説明する。
本実施形態によれば、活性層4を形成する前にp−GaN層2を形成し、活性層4を形成した後にn−GaN層5を形成する。p−GaN層2をMOCVD法によって形成するには、成膜温度を1,000℃以上とする必要がある。一方、n−GaN層5を形成する場合、成膜温度を900℃以下とすることが可能である。これにより、活性層4は1,000℃以上の比較的高温である成膜温度にさらされることがない。したがって、活性層4の井戸層からInが昇華してしまうことを適切に防止可能であり、活性層4から発せられる緑色光の彩度を高めることができる。
活性層4およびn−GaN層5を平面視矩形状に仕上げるには、あらかじめ矩形状に形成した開口3aを利用する。このため、活性層4およびn−GaN層5を整形するためのエッチングなどを施さない。しかも、p−GaN層2のうちp側電極6が形成される部分は、活性層4およびn−GaN層5を形成する工程において被膜3に覆われていた部分である。したがって、p−GaN層2のうち比較的表面が荒らされていない部分にp側電極6を形成することにより、p側電極6とp−GaN層2との接触状態を良好なオーミックコンタクトとすることができる。これは、半導体発光素子Aの順方向電圧を低下させるのに有利である。
図7は、本実施形態によって形成した半導体発光素子Aと、比較例としての図12に示す半導体発光素子Xとの順方向電圧−電流特性を示すグラフである。グラフGAは、半導体発光素子Aの順方向電圧−電流特性を示しており、グラフGXは、半導体発光素子Xの順方向電圧−電流特性を示している。本図から理解されるように、ある大きさの電流Ifを得るために半導体発光素子Aに印加する電圧Vfは、同じ大きさの電流Ifを得るために半導体発光素子Xに印加する電圧Vfの概ね半分以下となっている。
図8〜図11は、本発明に係る半導体発光素子の製造方法の第2実施形態を示している。なお、これらの図において、上記第1実施形態と同一または類似の要素には、上記第1実施形態と同一の符号を付しており、上記第1実施形態と同様の材質を用いて同様の手法によって形成する。
本実施形態においては、まず図8に示すように、基板1にバッファ層11、アンドープGaN層12およびp−GaN層2をMOCVD法を用いて積層させた後に、p側電極6を形成する。
次に、図9に示すように、被膜3を形成する。被膜3は、p側電極6を覆うものとする。また、被膜3には、p側電極6を覆う部分から離れた位置に開口3aを形成する。
次に、図10に示すように、p−GaN層2のうち開口3aから露出した部分に、活性層4およびn−GaN層5をMOCVD法を用いて積層する。
次に、図11に示すように、被膜3をたとえばフッ酸を用いたエッチングによって除去する。この後は、n側電極7を形成することにより、図6に示した半導体発光素子Aを形成することができる。
本実施形態によっても、活性層4が1,000℃以上の比較的高温である成膜温度にさらされることを防止可能であり、半導体発光素子Aから発せられる緑色光の彩度を高めることができる。また、活性層4およびn−GaN層5を形成する前に、エッチングなどが施されていない状態のp−GaN層2にp側電極6を形成する。これにより、p側電極6とp−GaN層2との接触状態を良好なオーミックコンタクトとすることが可能であり、半導体発光素子Aの順方向電圧を低下させることができる。
本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光素子の製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
A 半導体発光素子
1 基板
2 p−GaN層(p型半導体層)
3 被膜
3a 開口
4 活性層
5 n−GaN層(n型半導体層)
6 p側電極
7 n側電極
11 バッファ層
12 アンドープGaN層
1 基板
2 p−GaN層(p型半導体層)
3 被膜
3a 開口
4 活性層
5 n−GaN層(n型半導体層)
6 p側電極
7 n側電極
11 バッファ層
12 アンドープGaN層
Claims (3)
- 基板と、この基板上に積層されたp型半導体層、活性層、およびn型半導体層とを備える半導体発光素子の製造方法であって、
上記基板に上記p型半導体層を形成する工程と、
上記p型半導体層を、開口を有する被膜によって覆う工程と、
上記p型半導体層のうち上記開口から露出した部分に上記活性層および上記n型半導体層を順に積層させる工程と、
上記被膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする、半導体発光素子の製造方法。 - 上記被膜を除去する工程の後に、
上記p型半導体層のうち上記被膜で覆われていた部分にp側電極を形成する工程をさらに有する、請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 上記被膜によって覆う工程の前に、
上記p型半導体層にp側電極を形成する工程をさらに有し、
上記被膜によって覆う工程においては、上記被膜によって上記p型半導体層および上記p側電極を覆う、請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006255366A JP2008078357A (ja) | 2006-09-21 | 2006-09-21 | 半導体発光素子の製造方法 |
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JP2006255366A Pending JP2008078357A (ja) | 2006-09-21 | 2006-09-21 | 半導体発光素子の製造方法 |
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- 2006-09-21 JP JP2006255366A patent/JP2008078357A/ja active Pending
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