JP2008073516A - 複合材料薄膜及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化チタンマトリックス中に結晶性ハイドロキシアパタイトが分散した複合材料薄膜、及び酸化チタンとハイドロキシアパタイトを1〜100mTorrのアルゴン雰囲気中で同時スパッタリングして、酸化チタンマトリックス中にハイドロキシアパタイトが分散する複合材料の前駆体薄膜を形成し、さらにこの前駆体薄膜を400〜1000°Cでアニールし、酸化チタンマトリックス中に結晶性ハイドロキシアパタイトを形成する酸化チタンマトリックス中にハイドロキシアパタイトが分散した複合材料薄膜の製造方法。
【選択図】 図2
Description
HAPは生物学的に有利ではあるが、プラズマスプレーによって得られるHAPコーティングはチタン金属基板への接合性に劣ること、膜の不均一性、インプラント表面を完全に覆うために50μmというかなり厚い膜が必要であることといった問題点もある(非特許文献5参照)。
これらの事実を克服するために、さまざまな方法によりHAP層の調製が検討されてきている。スパッタ法(特許文献1参照)、静電相互作用を利用したコーティング法(特許文献2参照)、基板成分との粉体混合(特許文献3参照)、原料スラリーを塗布し水熱反応により薄膜を得る方法(特許文献4参照)が開示されている。
しかしこれらの研究はいかにHAP膜をうまく生成させ基板の接着性を高めるかに終始していて、膜自体に新しい考えを持ち込もうとする例はキトサンを導入しようとした例以外にはほとんど見あたらない。
これにより、HAPのもつ生体親和性と酸化チタンの持つ生体適合性を両立させ、酸化チタンはチタン系の基板とのなじみがよい得ことから、基板密着性の優れた被膜形成が可能となるものである。
さまざまな調製条件の影響を検討することでHAP/TiO2コンポジットの組成、形態、表面状態を制御する。
特に、4〜50mTorrの圧力領域で、結晶性ハイドロキシアパタイトと酸化カルシウムが酸化チタンマトリックス中に共存させて分散した薄膜は、本発明を達成する上でより有効な範囲である。
このハイドロキシアパタイト平均粒径は、本願発明の熱処理条件で得られる粒径であり、これは分散したHAPは生体親和性を確保する上で、好適な粒径である。しかし、この粒径の数値が絶対的な条件でないことは、理解されるべきことである。
また、前記同時スパッタリングに際して、酸化チタンとハイドロキシアパタイトのスパッタ量を変化させることにより、酸化チタン中の結晶性ハイドロキシアパタイト量を薄膜の厚さ方向に傾斜した組成(割合)を持つように成膜することが可能である。
本発明ではHAP/酸化チタン複合(コンポジット)薄膜を用いることで、生体適合性と生体親和性を犠牲にすることなく、表面被覆層の機械的強度を改善することができ、人工関節システムにおける骨移植や歯の置換などの広範囲な用途に適合できる薄膜を作成することを可能にする有効な方法である。
純チタン板 (CP−Ti; ASTMF136, 大同特殊鋼製)を純チタン棒(10mmΦ)のものから厚さ2mmに切り出した。前処理としてこれを#240、#600、#800、#1200の紙ヤスリで磨いたあとアセトン中で30分間超音波洗浄後、純水中で更に洗浄し乾燥させ基板として用いた。
HAP/TiO2 ナノコンポジット薄膜はマグネトロンスパッタ装置を使って同時スパッタ法により上記基板上に得た。100 mm径の酸化チタンターゲット上にハイドロキシアパタイト(CELLYARDTM, PENTAX製、13mmφ, 厚さ2mm、13枚を環状に配置)ペレットを置いて同時にスパッタして薄膜を得た。
スパッタリングはアルゴン中50Wで基板加熱なしで60分間行った。図1は、スパッタ圧力を4〜20mTorrの範囲で変化させ、同時スパッタ法により作成した酸化チタン/HAP前駆体ナノ複合材料の走査型電子顕微鏡写真を示す。すなわち、酸化チタン/HAP前駆体からなる複合材料の形態に及ぼす影響(スパッタ圧力依存性)を調査したものである。
図1の写真(a)は4mTorr, 写真(b)は10 mTorr,写真 (c)は20 mTorrの場合である。いずれの試料も線状の跡が認められたが、これは基板であるチタン板を切り出したときの加工痕である。薄膜自体には大きな組織の変化は認められなかった。
図2は、図1で得られた薄膜を600°C で、60分間窒素中でアニールした後の表面形態である。すなわち、図1の試料を600°C、1時間、窒素中で熱処理した酸化チタン/HAPナノ複合材料の走査型電子顕微鏡写真であり、図2の(a)は4mTorrのアルゴン圧力でスパッタリングした場合、(b)は、10 mTorrのアルゴン圧力でスパッタリングした場合、(c) は、20 mTorrのアルゴン圧力でスパッタリングした場合である。
4mTorrで作成した膜には平均30nm程度の四角い小さな粒とそれよりも少し大きめの大きな粒が認められた。前者は酸化カルシウム微結晶であると推測された。後者は結晶性のHAPを含む成分と推測される。
図3は得られた膜中のCa/Pの原子数比を示し、アルゴン圧力が高いほど、HAPの1.67に近づき、20mTorrでCa/Pの原子数比が、ほぼこの1.67の値になる。
1mTorr未満のような低い圧力ではリン酸イオンや水酸イオンがスパッタにより雰囲気中に放出され、これが膜中に回収できないために大きな組成ずれを示すものと考えられた。
図4は、薄膜中の酸素の化学状態をX線光電子分光法により測定した結果である。20mTorrのような高い圧力で得られた膜ほどハイドロキシアパタイトに近いピーク位置で、ピークが観測された。このことから20mTorr前後の圧力が、酸化カルシウム微結晶をほとんど含まない結晶性ハイドロキシアパタイト分散酸化チタン複合膜の生成に最適であることがわかる。
本願発明は、この意味を明確にするものであり、本願発明が、これらを包含することは理解されるべきことである。20mTorrよりも、さらに高い圧力でのスパッタリングも可能であるが、薄膜生成速度の減少が起こることから、最適な圧力条件として50mTorr以下にすることが望ましいと言える。
この結果は、図5に示されるX線回折の結果からも支持される。図5の(a)は、チタン基板のX線回折であり、また、(b)は4mTorr、(c)は20 mTorrでスパッタリングして得られた膜を600°C、1時間、窒素中で熱処理した酸化チタン/HAPナノ複合材料のX線回折パターンである。
図中のT、A、R、Cはそれぞれチタン、アパタイト、ルチル相の酸化チタン、酸化カルシウムのピークに対応している。
一方、20mTorrで得られた薄膜からのX線回折である(c)は、ルチル相の酸化チタンと結晶性ハイドロキシアパタイトが観測され、確かに結晶性ハイドロキシアパタイトがこの作製方法により薄膜中に生成することが確認できた。
更に図6は、このような基板上で細胞培養(2時間MC3T3−E1細胞)を行い、付着した細胞を走査型電子顕微鏡により観測した結果である。
丸あるいは紡錘状の形をしたものが付着した細胞である。筋のように見えるのはチタン基板を研磨したときの研磨痕である。(a)は膜を蒸着する前のチタン基板、(b)は4mTorr、(c)は20mTorrでスパッタ蒸着した後熱処理した基板の上に付着した細胞を示している。
図6の(d)は、付着したMC3T3−E1細胞の数密度を示したものである。この図6から明らかなように、本手法により得られた薄膜基板上、特にアパタイトが生成する条件で得られた膜上で、膜がない場合と比較して、1mTorr程度から増加が認められ、4mTorr程度ではかなりの量の細胞付着増加が認められる。特に、20mTorrでは、膜がない場合と比較して、2倍以上の細胞が付着しており、生体内に埋め込まれた場合の高い生体適合性を明らかに示していることがわかる。
この傾向は、100mTorrにおいても細胞付着の増加が確認できる。しかし、薄膜形成の効率から見て、50mTorr程度が良いと考えられる。
これにより、HAPのもつ生体親和性と酸化チタンの持つ生体適合性を両立させ、酸化チタンはチタン系の基板とのなじみがよい得ことから、基板密着性の優れた被膜形成が可能となるものである。歯・関節の置換や歯科あるいは整形外科における病気あるいは破損した歯や骨の再建などのための補綴(ほてつ)具として極めて有用である。
Claims (11)
- 酸化チタンマトリックス中に結晶性ハイドロキシアパタイトが分散した複合材料薄膜。
- 平均粒径10nm〜1000nmの結晶性ハイドロキシアパタイトが分散した複合材料であることを特徴とする請求項1記載の複合材料薄膜。
- 平均粒径30nm〜100nmの結晶性ハイドロキシアパタイトが分散した複合材料であることを特徴とする請求項1記載の複合材料薄膜。
- ハイドロキシアパタイト結晶が薄膜の厚さ方向に傾斜した組成を持つことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の複合材料薄膜。
- 酸化チタンとハイドロキシアパタイトを1〜100mTorrのアルゴン雰囲気中で同時スパッタリングし、酸化チタンマトリックス中にハイドロキシアパタイトが分散する複合材料の前駆体となる複合材料薄膜の製造方法。
- 酸化チタンとハイドロキシアパタイトを1〜100mTorrのアルゴン雰囲気中で同時スパッタリングして、酸化チタンマトリックス中にハイドロキシアパタイトが分散する複合材料の前駆体薄膜を形成し、さらにこの前駆体薄膜を400〜1000°Cでアニールし、酸化チタンマトリックス中に結晶性ハイドロキシアパタイトを形成することを特徴とする酸化チタンマトリックス中にハイドロキシアパタイトが分散した複合材料薄膜の製造方法。
- 膜中のCaとPの原子数比(Ca/P)が1.37〜1.97であることを特徴とする請求項6記載の複合材料薄膜の製造方法。
- 平均粒径10nm〜1000nmの結晶性ハイドロキシアパタイトが分散した複合材料であることを特徴とする請求項6又は7記載の複合材料薄膜の製造方法。
- 平均粒径30nm〜100nmの結晶性ハイドロキシアパタイトが分散した複合材料であることを特徴とする請求項6又は7記載の複合材料薄膜の製造方法。
- スパッタリング中に、酸化チタンとハイドロキシアパタイトのスパッタ量を変化させ、酸化チタン中の結晶性ハイドロキシアパタイトが薄膜の厚さ方向に傾斜した組成を持つことを特徴とする請求項6〜9のいずれかに記載の複合材料薄膜の製造方法。
- 酸化チタンとハイドロキシアパタイトを4〜50mTorrのアルゴン雰囲気中で同時スパッタリングして、酸化チタンマトリックス中にハイドロキシアパタイトが分散する複合材料の前駆体薄膜を形成することを特徴とする請求項6〜10のいずれかに記載の複合材料薄膜の製造方法。
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