JP2008071802A - High corrosion resistant electromagnetic wave shield molding and its production process - Google Patents

High corrosion resistant electromagnetic wave shield molding and its production process Download PDF

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JP2008071802A JP2006246796A JP2006246796A JP2008071802A JP 2008071802 A JP2008071802 A JP 2008071802A JP 2006246796 A JP2006246796 A JP 2006246796A JP 2006246796 A JP2006246796 A JP 2006246796A JP 2008071802 A JP2008071802 A JP 2008071802A
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Naoaki Kitagawa
直明 北川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high corrosion resistant electrocmagnetic wave shield molding, and to provide its production process. <P>SOLUTION: An electrocmagnetic wave shield molding film consists of a metal shield layer of copper, and a protective layer on the metal shield layer wherein the protective layer is composed of an Sn-Cu-Cr alloy and the thickness of the protective layer is in the range of 40-120% that of the metal shield layer. In the Sn-Cu-Cr alloy, the mass ratio Cu/Sn of Cu for Sn is 0.05-0.20 and the mass ratio Cr/Sn of Cr for Sn is 0.15-0.40. The metal shield layer and the protective layer are formed by vacuum film deposition. Preferably, the thickness of the metal shield layer is set in the range of 0.5-1.5 μm and the thickness of the protective layer is set in the range of 0.5-1.0 μm. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電磁波シールド成形体に関し、特に、金属シールド層と保護層からなる電磁波シールド膜により被覆され、耐食性に優れた電磁波シールド成形体に関する。   The present invention relates to an electromagnetic wave shielding molded body, and more particularly, to an electromagnetic wave shielding molded body that is covered with an electromagnetic wave shielding film composed of a metal shield layer and a protective layer and has excellent corrosion resistance.

電気・電子機器や、携帯電話機などのように電波を発信および受信する機器には、機器の誤動作を避けるために、電磁波シールド処理が施されていることが多い。電磁波シールド処理としては、導電性金属を混入したプラスチックを用いて成形品を作製する方法、成形品の表面に導電性塗料を塗布する方法、あるいは、成形品の表面に湿式めっき法や真空成膜法により金属薄膜からなる電磁波シールド膜を形成する方法等が知られている。電気・電子機器や携帯電話機などにおいては、筐体の内側に電磁波シールド膜を形成することが多い。   Devices that transmit and receive radio waves, such as electric / electronic devices and mobile phones, are often subjected to electromagnetic wave shielding treatment in order to avoid malfunction of the devices. As electromagnetic wave shielding treatment, a method of producing a molded product using plastic mixed with a conductive metal, a method of applying a conductive paint to the surface of the molded product, or a wet plating method or a vacuum film formation on the surface of the molded product A method of forming an electromagnetic wave shielding film made of a metal thin film by a method is known. In electric / electronic devices and mobile phones, an electromagnetic wave shielding film is often formed inside the casing.

湿式めっき法としては、無電解めっき法が用いられている。無電解めっき法では、クロム酸エッチングやパラジウム触媒の付加などを行うため、成形品と薄膜との密着は強固である。しかし、廃液の処理を行う必要があり、処理時間が長く、成形品の両面がめっきされてしまうという問題点がある。   As the wet plating method, an electroless plating method is used. In the electroless plating method, since the chromic acid etching or the addition of a palladium catalyst is performed, the adhesion between the molded product and the thin film is strong. However, there is a problem that it is necessary to treat the waste liquid, the treatment time is long, and both surfaces of the molded product are plated.

一方、真空成膜法による電磁波シールド膜の形成では、成形品の基材に、プライマ層を設けて、その上に電磁波シールド膜として銅層を形成し、保護層としてニッケル層を形成している。または、成形品の基材に、電磁波シールド膜として、厚さが1μm〜2μmであるアルミ膜を形成している。   On the other hand, in the formation of an electromagnetic wave shielding film by a vacuum film forming method, a primer layer is provided on a base material of a molded product, a copper layer is formed thereon as an electromagnetic wave shielding film, and a nickel layer is formed as a protective layer. . Alternatively, an aluminum film having a thickness of 1 μm to 2 μm is formed as an electromagnetic wave shielding film on the base material of the molded product.

しかし、海で使用したり、腐食環境下で使用するには、前記電磁波シールド膜の耐食性は不十分で、例えば、塩水噴霧試験では2時間〜6時間で、変色および溶解が始まって、携帯電話機のメーカが要求する「24hの塩水噴霧試験の結果で、変色または溶解がないこと」という規格に、合格することができない。   However, when used in the sea or in a corrosive environment, the electromagnetic wave shielding film has insufficient corrosion resistance. For example, in the salt spray test, discoloration and dissolution start in 2 to 6 hours. Can not pass the standard of “no discoloration or dissolution in the result of 24 h salt spray test” required by the manufacturer.

これに対して、特開2004−169091号公報には、鋼板表面に、めっき、蒸着または溶射で、厚さが0.2μm以上である銅層と、厚さが0.01μm〜0.15μmのニッケル層が、順次形成されて、16hの塩水噴霧試験の結果で、腐食しないめっき鋼板が記載されている。しかし、基材が鋼板であり、携帯電話機の筺体のような樹脂基材には、適用することができない。   In contrast, JP 2004-169091 A discloses a copper layer having a thickness of 0.2 μm or more and a thickness of 0.01 μm to 0.15 μm by plating, vapor deposition, or thermal spraying on the surface of a steel plate. A plated steel sheet is described in which the nickel layer is formed sequentially and does not corrode as a result of the salt spray test for 16 hours. However, the base material is a steel plate and cannot be applied to a resin base material such as a casing of a mobile phone.

特開2003−293192号公報には、下地鋼板の両面に、第1層として0.05μm以上の厚さのNiめっき層と、第2層として両面に0.2μm以上の厚さのCuめっき層と、第3層として両面にベンゾトリアゾールによる化学処理層と、第4層として両面もしくは片面に、厚さが3μm以下の樹脂皮膜層を形成し、耐食性に優れた鋼板が記載されている。しかし、基材が鋼板であり、携帯電話機の筺体のような樹脂基材には、適用することができない。また、化学処理層をめっき層の上に形成することは、工程を煩雑にし、コスト高になるため、一般的な方法ではない。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-293192 discloses a Ni plating layer having a thickness of 0.05 μm or more as a first layer and a Cu plating layer having a thickness of 0.2 μm or more on both surfaces as a second layer on both surfaces of a base steel plate. In addition, there is described a steel sheet excellent in corrosion resistance by forming a chemical treatment layer with benzotriazole on both sides as a third layer and a resin film layer having a thickness of 3 μm or less on both sides or one side as a fourth layer. However, the base material is a steel plate and cannot be applied to a resin base material such as a casing of a mobile phone. In addition, forming the chemical treatment layer on the plating layer is not a general method because it complicates the process and increases the cost.

特開2000−200990号公報には、5〜35質量%のCrを含むFe基合金からなる軟磁性粉末が、ゴムまたは樹脂に5〜65体積%の割合で含有された高耐食性の吸収体が記載されている。特開2000−200990号公報に記載された方法は、基材に耐食性導電粉末を含有させるもので、すでに成形された製品には処理をすることができない。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-200990 discloses a highly corrosion-resistant absorber in which a soft magnetic powder made of an Fe-based alloy containing 5 to 35% by mass of Cr is contained in rubber or resin in a proportion of 5 to 65% by volume. Are listed. The method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-200990 includes a base material containing a corrosion-resistant conductive powder, and the already molded product cannot be processed.

特開2000−059086号公報には、圧延方向に直流磁場80A/mを印加した場合の圧延方向の磁束密度が1.2Tの鋼板に、亜鉛を主成分とする皮膜を形成する耐食性に優れた電磁鋼板が記載されている。しかし、基材が鋼板であり、携帯電話機の筺体のような樹脂基材には、適用することができない。   In JP 2000-059086 A, a DC magnetic field of 80 A / m is applied in the rolling direction, and the magnetic flux density in the rolling direction is excellent in corrosion resistance for forming a coating containing zinc as a main component on a steel sheet having a magnetic flux density of 1.2 T. An electrical steel sheet is described. However, the base material is a steel plate and cannot be applied to a resin base material such as a casing of a mobile phone.

一方、樹脂基材の上に形成された電磁波シールド層の上に、保護層を形成して、電磁波シールド膜を有する成形体を得る方法として、特開平5−345987号公報に、プラスチックの上に金属層を、蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーテイング法で成膜し、得られた金属層の上に、無電解銅めっき皮膜を形成し、さらに、得られた無電解銅めっき皮膜の上に、無電解ニッケルめっき皮膜を形成することにより、耐食性に優れた電磁波シールド処理方法が記載されている。しかし、無電解ニッケルめっきは、蒸着ニッケルよりは耐食性が高いものの、24hの塩水噴霧試験の結果で、緑色に変色してしまう。   On the other hand, as a method of obtaining a molded body having an electromagnetic wave shielding film by forming a protective layer on an electromagnetic wave shielding layer formed on a resin base material, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-345987 discloses that A metal layer is formed by vapor deposition, sputtering, or ion plating, an electroless copper plating film is formed on the obtained metal layer, and the electroless copper plating film is further formed. Describes an electromagnetic wave shielding treatment method having excellent corrosion resistance by forming an electroless nickel plating film. However, although electroless nickel plating has higher corrosion resistance than vapor deposited nickel, the color changes to green as a result of the 24 h salt spray test.

また、特開2001−251084号公報には、プラスチック上に無電解銅めっきと無電解ニッケルめっきを順次形成し、次いで、無電解金めっきおよび無電解銀めっきからなる群から選ばれた少なくとも1種のめっき皮膜を形成することにより、耐食性に優れた電磁波シールド膜を形成する方法が記載されている。しかしながら、無電解ニッケルめっきの上に、さらに無電解金めっき皮膜や無電解銀めっき皮膜を形成する方法であり、工数が増加し、コストも上がり、一般的な方法ではない。
特開2004−169091号公報 特開2003−293192号公報 特開2000−200990号公報 特開2000−059086号公報 特開平5−345987号公報 特開2001−251084号公報
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-251084 discloses that electroless copper plating and electroless nickel plating are sequentially formed on a plastic, and then at least one selected from the group consisting of electroless gold plating and electroless silver plating. A method of forming an electromagnetic wave shielding film having excellent corrosion resistance by forming a plating film is described. However, this is a method of forming an electroless gold plating film or an electroless silver plating film on the electroless nickel plating, which increases the number of steps and costs, and is not a general method.
JP 2004-169091 A JP 2003-293192 A JP 2000-200990 A JP 2000-059086 A JP-A-5-345987 JP 2001-251084 A

本発明は、高い耐食性を有する電磁波シールド成形体およびその製造方法を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the electromagnetic wave shield molded object which has high corrosion resistance, and its manufacturing method.

本発明の電磁波シールド膜は、銅からなる金属シールド層と、該金属シールド層の上の保護層とからなる電磁波シールド膜であり、該保護層は、Sn−Cu−Cr合金からなり、かつ、該保護層の厚さは、前記金属シールド層の厚さの40%〜120%である。   The electromagnetic wave shielding film of the present invention is an electromagnetic wave shielding film made of a metal shield layer made of copper and a protective layer on the metal shield layer, the protective layer made of an Sn-Cu-Cr alloy, and The thickness of the protective layer is 40% to 120% of the thickness of the metal shield layer.

前記Sn−Cu−Cr合金は、Snに対するCuの質量比Cu/Snが0.05〜0.20であり、かつ、Snに対するCrの質量比Cr/Snが0.15〜0.40であることが望ましい。   The Sn—Cu—Cr alloy has a Cu to Sn mass ratio Cu / Sn of 0.05 to 0.20, and a Cr to Sn mass ratio Cr / Sn of 0.15 to 0.40. It is desirable.

本発明の電磁波シールド成形体は、前記電磁波シールド膜を被覆した電磁波シールド成形体であり、前記金属シールド層の厚さが0.5μm〜1.5μmであり、かつ、前記保護層の厚さが0.5μm〜1.0μmである。   The electromagnetic wave shielding molded body of the present invention is an electromagnetic wave shielding molded body that covers the electromagnetic wave shielding film, wherein the metal shield layer has a thickness of 0.5 μm to 1.5 μm, and the protective layer has a thickness of 0.5 μm to 1.0 μm.

本発明に係る電磁波シールド膜および電磁波シールド成形体を製造する際には、前記金属シールド層および前記保護層を、真空成膜法により成膜する。   When manufacturing the electromagnetic wave shielding film and the electromagnetic wave shielding molded body according to the present invention, the metal shield layer and the protective layer are formed by a vacuum film forming method.

本発明により、高い耐食性を有し、かつ、生産性が高く、低コストに、電磁波シールド成形体を提供することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to provide an electromagnetic wave shield molded article having high corrosion resistance, high productivity, and low cost.

電磁波シールド膜を成膜する基材として現在用いられているものは、ABS樹脂(アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂)、PC樹脂(ポリカーボネート樹脂)、および、ABS樹脂とPC樹脂との混合樹脂で作られた成形品が一般的である。   Currently used as the base material for forming the electromagnetic wave shielding film are ABS resin (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer resin), PC resin (polycarbonate resin), and mixed resin of ABS resin and PC resin. The molded product made is common.

近年、特に携帯電話機においては、軽量化と薄肉化の要請を満たすため、薄くて強度が出る熱可塑性樹脂、例えば、ABS/PC(ABS樹脂とPC樹脂との混合樹脂)、ポリアミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、または、それらにガラス繊維が含有された樹脂などのエンジニアリングプラスチックが、基材として多く用いられている。   In recent years, especially in mobile phones, in order to meet the demand for weight reduction and thinning, a thin and strong thermoplastic resin such as ABS / PC (mixed resin of ABS resin and PC resin), polyamide resin, polyphenylene sulfide. Engineering plastics such as resins, fluororesins, liquid crystal polymers, or resins containing glass fibers in them are often used as substrates.

これらからなる成型体は、溶剤性が高く、また、表面官能基がほとんどないため、湿式めっき法または真空成膜法を単に用いた成膜では、基材の表面に電磁波シールド膜を成膜することは困難である。   Since the molded body made of these has high solvent properties and almost no surface functional groups, an electromagnetic wave shielding film is formed on the surface of the substrate in the film formation using only the wet plating method or the vacuum film formation method. It is difficult.

したがって、この場合には、基材と銅からなる金属シールド層との密着を得るため、成形体の上にアンダコートを塗布したり、酸素イオンで基材に官能基を付加した上で、金属シールド層を0.5μm〜1.5μm成膜する。   Therefore, in this case, in order to obtain adhesion between the base material and the metal shield layer made of copper, an undercoat is applied on the molded body or a functional group is added to the base material with oxygen ions. A shield layer is formed to a thickness of 0.5 μm to 1.5 μm.

該金属シールド層の形成は、均一に形成させることができ、かつ、耐環境性に優れた膜とすることができる真空成膜法により行うことが好ましい。真空成膜法としては、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング成膜法などがあげられる。   The metal shield layer is preferably formed by a vacuum film forming method that can be formed uniformly and can be a film having excellent environmental resistance. Examples of the vacuum film forming method include a vacuum deposition method, an ion plating method, and a sputtering film forming method.

成膜材料としての銅は、抵抗加熱、誘導加熱、電子ビーム照射、ホロカソード放電等の手段で蒸発させることができる。これらの手段で得た蒸発粒子を、高周波励起し、イオン化することにより、プラスチック成形品の表面に付着成膜させることもできる。   Copper as a film forming material can be evaporated by means such as resistance heating, induction heating, electron beam irradiation, holocathode discharge. The evaporated particles obtained by these means can be deposited on the surface of a plastic molded article by high-frequency excitation and ionization.

特に、電子銃で高融点ターゲットを溶解し、金属を蒸発させ、基板に膜を形成するイオンプレーティング法が好ましく、広い面積に対して、速い成膜速度で、良質な膜を形成することができる。   In particular, an ion plating method in which a high melting point target is dissolved with an electron gun, a metal is evaporated, and a film is formed on a substrate is preferable, and a high-quality film can be formed at a high film formation speed over a large area. it can.

金属シールド層の厚さが0.5μm未満では、充分な電磁波シールド特性が発現しない。また、膜本来の構造が粗になり耐食性が著しく低下する。一方、金属シールド層の厚さを1.5μmより厚くしても、電磁波シールド特性はほとんど変化しない。逆に、膜応力が強くなり、基材との密着力が低下したり、2層目との密着力が低下し、成膜後に自然剥離しやすくなる。   When the thickness of the metal shield layer is less than 0.5 μm, sufficient electromagnetic wave shielding characteristics are not exhibited. In addition, the original structure of the film becomes rough and the corrosion resistance is significantly reduced. On the other hand, even when the thickness of the metal shield layer is thicker than 1.5 μm, the electromagnetic wave shielding characteristics hardly change. On the contrary, the film stress becomes strong, the adhesive force with the base material is lowered, or the adhesive force with the second layer is lowered, and it is easy to spontaneously peel off after film formation.

本発明では、電磁波シールド特性が得られる金属シールド層の上に、Sn−Cu−Cr合金からなる保護層を成膜する。該金属シールド層の形成も、均一に形成させることができ、かつ、耐環境性に優れた膜とすることができる真空成膜法により行うことが好ましい。また、同様に、真空成膜法としては、イオンプレーティング法を用いることが好ましい。   In the present invention, a protective layer made of a Sn—Cu—Cr alloy is formed on a metal shield layer capable of obtaining electromagnetic wave shielding characteristics. The metal shield layer is also preferably formed by a vacuum film formation method that can be formed uniformly and can be a film having excellent environmental resistance. Similarly, it is preferable to use an ion plating method as the vacuum film forming method.

これらの金属の融点や沸点の違いから、真空中では、主にSn、Cu、Crの順番で成膜されていく。   Due to the difference in melting point and boiling point of these metals, films are formed mainly in the order of Sn, Cu, and Cr in a vacuum.

これらの金属のうち、Snは、保護層の主成分となる金属であり、低融点であり、比較的耐食性が高いという特性を有する。   Of these metals, Sn is a metal that is a main component of the protective layer, has a low melting point, and has relatively high corrosion resistance.

Cuは、抵抗値が低く、下地のCuと同じ金属であることから、金属シールド層との密着性を向上させる機能を有する。   Since Cu has a low resistance value and is the same metal as the underlying Cu, it has a function of improving adhesion with the metal shield layer.

Crは、Sn合金の上に緻密な酸化膜を形成し、これにより保護層の耐食性を高める機能を有する。   Cr has a function of forming a dense oxide film on the Sn alloy and thereby improving the corrosion resistance of the protective layer.

本発明の電磁波シールド膜においては、Sn−Cu−Cr合金からなる保護層は、Snに対するCuの質量比Cu/Snを0.05〜0.20とし、Snに対するCrの質量比Cr/Snを0.15〜0.40とする。   In the electromagnetic wave shielding film of the present invention, the protective layer made of an Sn—Cu—Cr alloy has a Cu to Sn mass ratio of Cu / Sn of 0.05 to 0.20, and a Cr to Sn mass ratio of Cr / Sn. 0.15 to 0.40.

Cuは、導電性と密着性の向上のほかに、結晶粒を小さくする役目があり、Sn膜で発生しやすいウイスカの発生を防止する。これらの効果を得るには、Snに対するCuの質量比Cu/Snを0.05以上とする必要がある。一方、0.20を超えると、ウイスカの発生を防止する効果は変わらず、成膜時間が伸び、また、若干、膜の色が赤みを帯びてしまうという問題が生ずる。   In addition to improving conductivity and adhesion, Cu has the role of reducing crystal grains and prevents the generation of whiskers that are likely to occur in Sn films. In order to obtain these effects, it is necessary that the mass ratio Cu / Sn of Sn to Sn is 0.05 or more. On the other hand, if it exceeds 0.20, the effect of preventing the generation of whiskers is not changed, the film formation time is prolonged, and the color of the film is slightly reddish.

Crは、膜中に取り込むことにより、Cr酸化膜を形成し、保護層の耐食性を向上させる。Snに対するCrの質量比Cr/Snが0.15未満では、24hの塩水噴霧試験の結果、変色を生じてしまう。一方、0.40を超えると、真空成膜法において、Crが完全に飛びきらず、ターゲットに残留し、その後の成膜に影響を及ぼす。   Cr is incorporated into the film to form a Cr oxide film and improve the corrosion resistance of the protective layer. When the mass ratio of Cr to Sn, Cr / Sn, is less than 0.15, discoloration occurs as a result of the 24 h salt spray test. On the other hand, if it exceeds 0.40, Cr does not fly completely in the vacuum film formation method, and remains on the target, affecting the subsequent film formation.

Sn−Cu−Cr合金からなる保護層の厚さは、金属シールド層の厚さの40%〜120%とする。本発明で使用するSn−Cu−Cr合金は、前述のように、Snが主成分であることから、柔軟な膜で、保護層を厚くしても、クラックが入りにくい。   The thickness of the protective layer made of the Sn—Cu—Cr alloy is 40% to 120% of the thickness of the metal shield layer. Since the Sn—Cu—Cr alloy used in the present invention is mainly composed of Sn as described above, it is a flexible film and does not easily crack even if the protective layer is thickened.

製品の角や立壁に成膜された下地の金属シールド層を保護層が覆うため、および、ピンホールを減らすためには、保護層の厚さは、最低でも金属シールド層の厚さの40%が必要である。したがって、成膜される金属シールド層の厚さに比例させて、保護層の厚さを決定する。   In order to cover the underlying metal shield layer deposited on the corners and vertical walls of the product, and to reduce pinholes, the thickness of the protective layer is at least 40% of the thickness of the metal shield layer. is required. Therefore, the thickness of the protective layer is determined in proportion to the thickness of the metal shield layer to be formed.

また、ピンホールをなくすには、保護層は厚い方が望ましいが、保護層の厚さが、金属シールド層の厚さの120%を超えると、生産性低下およびコスト高になり、また、膜応力で金属シールド層との間で層間剥離が起きる可能性がある。   In order to eliminate pinholes, it is desirable that the protective layer is thicker. However, if the thickness of the protective layer exceeds 120% of the thickness of the metal shield layer, the productivity decreases and the cost increases. There is a possibility that delamination occurs between the metal shield layer and the stress.

具体的には、金属シールド層の厚さが0.5μmの場合、保護層の厚さは、40%〜120%の厚さである0.2μm〜0.6μmとし、ピンホールをなくすという観点から0.4μm〜0.6μmが望ましい。また、金属シールド層の厚さが1μmの場合、保護層の厚さは、40%〜120%の厚さである0.4μm〜1.2μmとし、生産性の観点から0.4μm〜1.0μmが望ましい。金属シールド層の厚さが1.5μmの場合、保護層の厚さは、40%〜120%の厚さである0.6μm〜1.8μmとし、生産性の観点から0.6μm〜1.0μmが望ましい。   Specifically, when the thickness of the metal shield layer is 0.5 μm, the thickness of the protective layer is 40% to 120%, which is 0.2 μm to 0.6 μm, and the viewpoint of eliminating pinholes To 0.4 μm to 0.6 μm is desirable. When the thickness of the metal shield layer is 1 μm, the thickness of the protective layer is 0.4 μm to 1.2 μm, which is 40% to 120%, and 0.4 μm to 1.m from the viewpoint of productivity. 0 μm is desirable. When the thickness of the metal shield layer is 1.5 μm, the thickness of the protective layer is set to 0.6 μm to 1.8 μm which is 40% to 120%, and 0.6 μm to 1. 0 μm is desirable.

(実施例1)
基材として、ポリアミド樹脂とガラス繊維とが50質量%ずつ配合されたレニー(登録商標)1022H(三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社製)からなる大きさ50mm×50mm、厚さ2mmの基板を用いた。
(Example 1)
As a substrate, a substrate having a size of 50 mm × 50 mm and a thickness of 2 mm made of Reny (registered trademark) 1022H (manufactured by Mitsubishi Engineering Plastics Co., Ltd.) in which 50% by mass of polyamide resin and glass fiber was blended was used.

基板に、エポキシとウレタンからなるアンダコートを0.5μm塗布し、85℃、30分、乾燥した。   An undercoat made of epoxy and urethane was applied to the substrate by 0.5 μm and dried at 85 ° C. for 30 minutes.

その後、イオンプレーティング装置(神港精機株式会社製、AAIH−W36200SBT)に取り付け、1×10-2Paまで真空排気後、まず、アルゴンガスを150cc/分、流し、高周波出力1kWをかけて、アルゴンイオンで基板洗浄と活性化を、5分間行った。   After that, it was attached to an ion plating apparatus (AAIH-W36200SBT, manufactured by Shinko Seiki Co., Ltd.), evacuated to 1 × 10 −2 Pa, first, argon gas was flowed at 150 cc / min, high frequency output of 1 kW was applied, and argon was supplied. The substrate was cleaned and activated with ions for 5 minutes.

1層目に、銅を0.8μm成膜し、2層目に、質量比Sn:Cu:Cr=1:0.15:0.30のSn−Cu−Cr合金を、アルゴン中で、0.6μm成膜することにより、電磁波シールド膜を被覆した電磁波シールド成形体を得た。   In the first layer, copper was formed to a thickness of 0.8 μm, and in the second layer, a Sn—Cu—Cr alloy having a mass ratio of Sn: Cu: Cr = 1: 0.15: 0.30 was added to argon in 0%. An electromagnetic wave shielding molded body coated with an electromagnetic wave shielding film was obtained by forming a film with a thickness of 6 μm.

得られた電磁波シールド成形体に、以下の試験をそれぞれ実施した。   The following tests were carried out on the obtained electromagnetic wave shield moldings, respectively.

[初期付着の確認試験]
碁盤目テープ試験により、初期付着を確認した。具体的には、電磁波シールド成形体に形成された電磁波シールド膜の面に、ナイフで1mm×1mmの切れ目を入れることにより得られた100マスに対して、セロファンテープ(ニチバン株式会社製、CT1835)を貼り付けた後、セロファンテープをひきはがした時に、基材との間で剥離が生じるか否かを調べることで、基材との密着性について評価した。
[Initial adhesion confirmation test]
Initial adhesion was confirmed by a cross-cut tape test. Specifically, cellophane tape (CT1835, manufactured by Nichiban Co., Ltd.) is used for 100 squares obtained by cutting a 1 mm × 1 mm cut with a knife on the surface of the electromagnetic wave shielding film formed on the electromagnetic wave shielding molded body. After the cellophane tape was attached, when the cellophane tape was peeled off, the adhesiveness to the base material was evaluated by examining whether or not peeling occurred with the base material.

その結果、100マス中、1マスも、剥離は生じなかった。   As a result, no peeling occurred in 100 squares.

[耐湿試験]
基材との密着性に対する湿度の影響を調べた。具体的には、温度60℃、湿度95%の環境に、240時間および600時間、保持した後、外観の変化を観察し、それぞれについて、前述と同じ碁盤目テープ試験を実施した。
[Moisture resistance test]
The effect of humidity on the adhesion to the substrate was investigated. Specifically, after maintaining for 240 hours and 600 hours in an environment of a temperature of 60 ° C. and a humidity of 95%, changes in appearance were observed, and the same cross-cut tape test as described above was performed for each.

その結果、いずれも外観に変化はなく、100マス中、1マスも、剥離は生じなかった。   As a result, there was no change in the appearance, and no peeling occurred in one square out of 100 squares.

[耐熱試験]
基材との密着性に対する温度の影響を調べた。具体的には、温度85℃、湿度0%の環境に、240時間、保持した後、外観の変化を観察し、前述と同じ碁盤目テープ試験を実施した。
[Heat resistance test]
The effect of temperature on the adhesion to the substrate was investigated. Specifically, after maintaining in an environment of temperature 85 ° C. and humidity 0% for 240 hours, the appearance change was observed, and the same cross-cut tape test as described above was performed.

その結果、外観に変化はなく、100マス中、1マスも、剥離は生じなかった。   As a result, there was no change in appearance, and no peeling occurred in 1 square out of 100 squares.

[シート抵抗の測定]
シート抵抗を測定することにより、電磁波シールド特性について評価を行った。具体的には、基材上に形成した金属シールド層のシート抵抗を、表面抵抗計(三菱化学株式会社製、Loresta、MP、MCP−T350)を用い、4端子測定法の原理で測定した。
[Measurement of sheet resistance]
The electromagnetic wave shielding characteristics were evaluated by measuring the sheet resistance. Specifically, the sheet resistance of the metal shield layer formed on the base material was measured by using a surface resistance meter (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Loresta, MP, MCP-T350) according to the principle of a four-terminal measurement method.

その結果、シート抵抗は0.30×10-2Ω/□以下であった。この値のシート抵抗では、電磁波シールド特性が30dB、得られることを確認した。   As a result, the sheet resistance was 0.30 × 10 −2 Ω / □ or less. With this value of sheet resistance, it was confirmed that an electromagnetic wave shielding characteristic of 30 dB was obtained.

[耐食性試験]
温度35℃、24hの塩水噴霧試験(JIS−Z−2371)を行った後、外観の変化を観察し、それぞれについて、前述と同じ碁盤目テープ試験を実施した。
[Corrosion resistance test]
After performing a salt spray test (JIS-Z-2371) at a temperature of 35 ° C. for 24 hours, the change in appearance was observed, and the same cross tape test as described above was performed for each.

その結果、外観に変化はなく、100マス中、1マスも、剥離は生じなかった。   As a result, there was no change in appearance, and no peeling occurred in 1 square out of 100 squares.

(実施例2)
1層目に、銅を0.5μm成膜したこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
(Example 2)
An electromagnetic wave shield molded article was obtained in the same manner as in Example 1 except that the first layer was formed with a copper film of 0.5 μm.

得られた電磁波シールド成形体について、実施例1と同様の試験を実施した。その結果、実施例1と同様の結果が得られた。   About the obtained electromagnetic wave shield molded object, the test similar to Example 1 was implemented. As a result, the same result as in Example 1 was obtained.

(実施例3)
1層目に、銅を1.0μm、成膜し、2層目に、質量比Sn:Cu:Cr=1:0.15:0.30のSn−Cu−Cr合金を、アルゴン中で、1.0μm成膜したこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
(Example 3)
In the first layer, a copper film of 1.0 μm was formed, and in the second layer, a Sn—Cu—Cr alloy having a mass ratio of Sn: Cu: Cr = 1: 0.15: 0.30 was added in argon. An electromagnetic wave shield molded body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film thickness was 1.0 μm.

得られた電磁波シールド成形体について、実施例1と同様の試験を実施した。その結果、実施例1と同様の結果が得られた。   About the obtained electromagnetic wave shield molded object, the test similar to Example 1 was implemented. As a result, the same result as in Example 1 was obtained.

(実施例4)
1層目に、銅を1.5μm、成膜し、2層目に、質量比Sn:Cu:Cr=1:0.15:0.30のSn−Cu−Cr合金を、アルゴン中で、1.0μm成膜したこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
Example 4
In the first layer, copper was formed to a thickness of 1.5 μm, and in the second layer, a Sn—Cu—Cr alloy having a mass ratio of Sn: Cu: Cr = 1: 0.15: 0.30 was added in argon, An electromagnetic wave shield molded body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film thickness was 1.0 μm.

得られた電磁波シールド成形体について、実施例1と同様の試験を実施した。その結果、実施例1と同様の結果が得られた。   About the obtained electromagnetic wave shield molded object, the test similar to Example 1 was implemented. As a result, the same result as in Example 1 was obtained.

(実施例5)
1層目に、銅を1.0μm、成膜し、2層目に、質量比Sn:Cu:Cr=1:0.20:0.40のSn−Cu−Cr合金を、アルゴン中で、1.0μm成膜したこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
(Example 5)
In the first layer, a copper film of 1.0 μm was formed, and in the second layer, a Sn—Cu—Cr alloy having a mass ratio of Sn: Cu: Cr = 1: 0.20: 0.40 was added in argon. An electromagnetic wave shield molded body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film thickness was 1.0 μm.

得られた電磁波シールド成形体について、実施例1と同様の試験を実施した。その結果、実施例1と同様の結果が得られた。   About the obtained electromagnetic wave shield molded object, the test similar to Example 1 was implemented. As a result, the same result as in Example 1 was obtained.

(実施例6)
1層目に、銅を1.0μm、成膜し、2層目に、質量比Sn:Cu:Cr=1:0.05:0.15のSn−Cu−Cr合金を、アルゴン中で、1.0μm成膜したこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
(Example 6)
In the first layer, copper was formed to a thickness of 1.0 μm, and in the second layer, an Sn—Cu—Cr alloy having a mass ratio of Sn: Cu: Cr = 1: 0.05: 0.15 was added in argon, An electromagnetic wave shield molded body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film thickness was 1.0 μm.

得られた電磁波シールド成形体について、実施例1と同様の試験を実施した。その結果、実施例1と同様の結果が得られた。   About the obtained electromagnetic wave shield molded object, the test similar to Example 1 was implemented. As a result, the same result as in Example 1 was obtained.

(実施例7)
基材として、ABS/PC樹脂(東洋紡績株式会社製)を使用し、ゴム系のボンド(コニシ株式会社製、G103)とMEKとキシレンからなるアンダコートを0.5μm塗布し、60℃、30分、乾燥したこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
(Example 7)
An ABS / PC resin (manufactured by Toyobo Co., Ltd.) is used as a base material, and a rubber bond (manufactured by Konishi Co., Ltd., G103), an undercoat composed of MEK and xylene is applied to a thickness of 0.5 μm, 60 ° C., 30 An electromagnetic wave shield molded article was obtained in the same manner as in Example 1 except that it was dried.

得られた電磁波シールド成形体について、実施例1と同様の試験を実施した。その結果、実施例1と同様の結果が得られた。   About the obtained electromagnetic wave shield molded object, the test similar to Example 1 was implemented. As a result, the same result as in Example 1 was obtained.

(比較例1)
1層目に、銅を1.0μm成膜し、2層目に、質量比Sn:Cu:Cr=1:0.15:0.30のSn−Cu−Cr合金を、アルゴン中で、0.3μm(1層目に対して30%)成膜したこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
(Comparative Example 1)
In the first layer, a copper film having a thickness of 1.0 μm was formed, and in the second layer, a Sn—Cu—Cr alloy having a mass ratio of Sn: Cu: Cr = 1: 0.15: 0.30 was added to argon in 0%. An electromagnetic wave shield molded article was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film thickness was 3 μm (30% with respect to the first layer).

得られた電磁波シールド成形体について、実施例1と同様の試験を実施した。温度35℃、24hの塩水噴霧試験(JIS−Z−2371)の結果、膜の一部が溶解していた。   About the obtained electromagnetic wave shield molded object, the test similar to Example 1 was implemented. As a result of a salt spray test (JIS-Z-2371) at a temperature of 35 ° C. for 24 hours, a part of the membrane was dissolved.

(比較例2)
1層目に、銅を1.0μm、成膜し、2層目に、質量比Sn:Cu:Cr=1:0.05:0.125のSn−Cu−Cr合金を、アルゴン中で、1.0μm成膜したこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
(Comparative Example 2)
In the first layer, a film of copper of 1.0 μm was formed, and in the second layer, a Sn—Cu—Cr alloy having a mass ratio of Sn: Cu: Cr = 1: 0.05: 0.125 was added in argon, An electromagnetic wave shield molded body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film thickness was 1.0 μm.

得られた電磁波シールド成形体について、実施例1と同様の試験を実施した。温度35℃、24hの塩水噴霧試験(JIS−Z−2371)の結果、膜の一部が溶解していた。   About the obtained electromagnetic wave shield molded object, the test similar to Example 1 was implemented. As a result of a salt spray test (JIS-Z-2371) at a temperature of 35 ° C. for 24 hours, a part of the membrane was dissolved.

(比較例3)
1層目に、銅を1.5μm成膜し、2層目に、質量比Sn:Cu:Cr=1:0.15:0.45のSn−Cu−Cr合金を、アルゴン中で、1.0μm成膜したこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
(Comparative Example 3)
In the first layer, a copper film having a thickness of 1.5 μm was formed, and in the second layer, an Sn—Cu—Cr alloy having a mass ratio of Sn: Cu: Cr = 1: 0.15: 0.45 was placed in argon under 1 An electromagnetic wave shield molded article was obtained in the same manner as in Example 1 except that a film thickness of 0.0 μm was formed.

得られた電磁波シールド成形体について、実施例1と同様の試験を実施した。その結果、実施例1と同様の結果が得られた。しかしながら、Crのターゲット粒が、3g蒸発せず、残留した。   About the obtained electromagnetic wave shield molded object, the test similar to Example 1 was implemented. As a result, the same result as in Example 1 was obtained. However, 3 g of Cr target grains remained without evaporating.

(比較例4)
1層目に、銅を1.5μm成膜し、2層目に、質量比Sn:Cu:Cr=1:0.25:0.15のSn−Cu−Cr合金を、アルゴン中で、1.0μm成膜したこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールド成型体を得た。
(Comparative Example 4)
In the first layer, a copper film having a thickness of 1.5 μm was formed, and in the second layer, an Sn—Cu—Cr alloy having a mass ratio of Sn: Cu: Cr = 1: 0.25: 0.15 was added in argon under 1 A molded electromagnetic wave shield was obtained in the same manner as in Example 1 except that a film thickness of 0.0 μm was formed.

得られた電磁波シールド成形体について、実施例1と同様の試験を実施した。   About the obtained electromagnetic wave shield molded object, the test similar to Example 1 was implemented.

その結果、実施例1と同様の結果が得られた。しかしながら、膜を良く観察すると、膜厚が厚い個所は少し赤みを帯びていた。   As a result, the same result as in Example 1 was obtained. However, when the film was observed well, the thick part was reddish.

(従来例)
1層目に、銅を1.5μm成膜し、2層目にNiを保護膜として成膜したこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールド成型体を得ようとしたが、Ni膜は応力が高く、0.3μm以上成膜するとクラックが発生した。また、クラックの発生が目視で分からない場合でも、80℃耐熱試験48hで、大きな割れが入った。
(Conventional example)
Although an attempt was made to obtain an electromagnetic wave shield molding in the same manner as in Example 1 except that the first layer was formed with a copper thickness of 1.5 μm and the second layer was formed with Ni as a protective film, The film had high stress, and cracks occurred when the film was formed to a thickness of 0.3 μm or more. Even when the occurrence of cracks was not visually confirmed, a large crack occurred in the 80 ° C. heat resistance test 48 h.

一方、クラックが入らないNi膜が0.2μmの場合に得られた電磁波シールド成形体について、実施例1と同様の試験を実施した。   On the other hand, the test similar to Example 1 was implemented about the electromagnetic wave shield molded object obtained when the Ni film | membrane which does not enter a crack is 0.2 micrometer.

その結果、耐食性試験において、塩水噴霧試験の16h後に、下地の銅の腐食が始まり、緑色に変色してきた。表面を100倍に拡大した結果、マイクロクラックが発生していた。   As a result, in the corrosion resistance test, after 16 hours of the salt spray test, corrosion of the underlying copper began and turned green. As a result of enlarging the surface 100 times, microcracks were generated.

Claims (5)

銅からなる金属シールド層と、該金属シールド層の上の保護層とからなる電磁波シールド膜であり、該保護層は、Sn−Cu−Cr合金からなり、かつ、該保護層の厚さは、前記金属シールド層の厚さの40%〜120%であることを特徴とする電磁波シールド膜。   An electromagnetic wave shielding film comprising a metal shield layer made of copper and a protective layer on the metal shield layer, the protective layer is made of an Sn-Cu-Cr alloy, and the thickness of the protective layer is An electromagnetic wave shielding film comprising 40% to 120% of the thickness of the metal shield layer. 前記Sn−Cu−Cr合金は、Snに対するCuの質量比Cu/Snが0.05〜0.20であり、かつ、Snに対するCrの質量比Cr/Snが0.15〜0.40であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波シールド膜。   The Sn—Cu—Cr alloy has a Cu to Sn mass ratio Cu / Sn of 0.05 to 0.20, and a Cr to Sn mass ratio Cr / Sn of 0.15 to 0.40. The electromagnetic wave shielding film according to claim 1. 請求項1または2に記載の電磁波シールド膜を成膜する方法であり、前記金属シールド層および前記保護層を、真空成膜法により成膜することを特徴とする電磁波シールド膜の成膜方法。   3. A method for forming an electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the metal shielding layer and the protective layer are formed by a vacuum film forming method. 請求項1または2に記載の電磁波シールド膜を被覆した電磁波シールド成形体であり、前記金属シールド層の厚さが0.5μm〜1.5μmであり、かつ、前記保護層の厚さが0.5μm〜1.0μmであることを特徴とする電磁波シールド成形体。   It is an electromagnetic wave shielding molded object which coat | covered the electromagnetic wave shielding film of Claim 1 or 2, The thickness of the said metal shielding layer is 0.5 micrometer-1.5 micrometers, and the thickness of the said protective layer is 0.00. An electromagnetic wave shield molded product, characterized by being 5 μm to 1.0 μm. 請求項4に記載の電磁波シールド成形体の製造方法であり、前記金属シールド層および前記保護層を、真空成膜法により成膜することを特徴とする電磁波シールド成形体の製造方法。   It is a manufacturing method of the electromagnetic wave shield molded object of Claim 4, Comprising: The said metal shield layer and the said protective layer are formed into a film by the vacuum film-forming method, The manufacturing method of the electromagnetic wave shield molded object characterized by the above-mentioned.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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