JP2008070279A - Irregularity inspection device and method, and film forming system - Google Patents

Irregularity inspection device and method, and film forming system Download PDF

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章生 三田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To easily and properly judge the causal relation of a film forming process with film thickness irregularity when the flaw of the film thickness irregularity is detected. <P>SOLUTION: In the inspection part 200 of this irregularity inspection device, streak irregularity, partial irregularity and spot irregularity are detected in the target image acquired from a substrate and the film on the substrate is inspected by a film inspection part 213 on the basis of the evaluation score related to the film thickness irregularity of the film on the substrate calculated by an evaluation score acquiring part 211. Succeedingly, the average evaluation scores related to the films on a predetermined number of substrates before the substrate concerned by an average evaluation score acquiring part 214 and the separation degree showing the ratio of the evaluation score of the film on the substrate is calculated with respect to the average evaluation score by a process inspection part 215. Then, the film forming process is inspected by the film inspection part 215 on the basis of the evaluation score of the substrate and the separation degree. By this constitution, when the flaw related to the film thickness irregularity in one substrate is detected, the causal relation of the film forming process with the film thickness irregularity can be judged easily and properly. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板上に形成された膜の膜厚ムラを検査する技術に関する。   The present invention relates to a technique for inspecting film thickness unevenness of a film formed on a substrate.

従来より、表示装置用のガラス基板や半導体基板等(以下、単に「基板」という。)の主面上に形成されたレジスト膜等の薄膜を検査する場合、光源からの光を薄膜に照射し、薄膜からの反射光や透過光における光干渉を利用して膜厚ムラの検出が行われる。   Conventionally, when inspecting a thin film such as a resist film formed on a main surface of a glass substrate or a semiconductor substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) for a display device, the thin film is irradiated with light from a light source. The film thickness unevenness is detected using light interference in the reflected light or transmitted light from the thin film.

例えば、特許文献1では、カラーフィルタ用の基板上に形成された透明膜に単色光を照射し、反射光における光干渉を利用して透明膜の膜厚ムラを検出する技術が開示されている。特許文献2および特許文献3では、液晶表示装置用の基板表面を撮像した検査画像に対してフィルタ処理を行ってシミ欠陥や点状欠陥を強調することにより、シミ欠陥等の検出精度を向上する技術が開示されている。また、特許文献4では、筋状欠陥の検出精度を向上する技術が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a technique for irradiating a transparent film formed on a color filter substrate with monochromatic light and detecting film thickness unevenness of the transparent film using light interference in reflected light. . In Patent Document 2 and Patent Document 3, the accuracy of detection of spot defects and the like is improved by performing filter processing on an inspection image obtained by imaging a substrate surface for a liquid crystal display device to emphasize spot defects and point-like defects. Technology is disclosed. Patent Document 4 discloses a technique for improving the detection accuracy of streak defects.

特許文献5では、シャドウマスク等の透孔板における光透過率の筋ムラの良否を自動的に判定する技術が開示されている。特許文献6では、シャドウマスクにおける光透過率のムラや表示装置用基板の濃度ムラ等の光学的ムラの良否を自動的に判定する技術が開示されている。特許文献7では、複数枚の液晶表示装置用パネルが面付けされている大型基板において、各パネルに塗布されたレジストのムラ検査を行う際に、各パネルのエッジ近傍におけるムラ検出の精度を向上する技術が開示されている。
特許第3631856号公報 特開2005−140655号公報 特開2005−249415号公報 特開2005−345290号公報 特開平9−68502号公報 特開平10−197451号公報 特開2006−105884号公報
Patent Document 5 discloses a technique for automatically determining whether or not the irregularity of light transmittance in a through hole plate such as a shadow mask is good. Patent Document 6 discloses a technique for automatically determining the quality of optical unevenness such as light transmittance unevenness in a shadow mask and density unevenness of a display device substrate. Patent Document 7 improves the accuracy of unevenness detection in the vicinity of the edge of each panel when performing unevenness inspection of resist applied to each panel on a large substrate on which a plurality of liquid crystal display panel panels are attached. Techniques to do this are disclosed.
Japanese Patent No. 3631856 JP 2005-140655 A JP 2005-249415 A JP 2005-345290 A JP-A-9-68502 JP-A-10-197451 JP 2006-105884 A

ところで、このようなムラ検査装置では、各基板の膜厚ムラ等の欠陥を検出することはできるが、当該欠陥が、検査対象とされた基板において突発的に生じたものであるのか、あるいは、膜形成用の製造ラインにおける装置異常等により複数枚の基板に対して連続的に生じているものであるのかを判断することができない。仮に、膜厚ムラの欠陥が膜形成工程における異常によるものであれば、欠陥が検出された基板を製造ラインから取り除いたとしても、当該基板の後に続く複数の基板において同様の欠陥が発生してしまう。   By the way, in such a non-uniformity inspection apparatus, it is possible to detect defects such as film thickness nonuniformity of each substrate, but the defect has occurred suddenly in the substrate to be inspected, or It cannot be determined whether or not it is continuously generated on a plurality of substrates due to an apparatus abnormality or the like in the film forming production line. If the defect in film thickness unevenness is due to an abnormality in the film formation process, even if the substrate in which the defect is detected is removed from the production line, the same defect occurs in a plurality of substrates following the substrate. End up.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、膜厚ムラの欠陥が検出された際に、膜形成工程と膜厚ムラとの因果関係の判断を容易かつ適切に行うことを目的としている。   The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to easily and appropriately determine the causal relationship between a film formation process and film thickness unevenness when a film thickness unevenness defect is detected. .

請求項1に記載の発明は、基板上に形成された膜の膜厚ムラを検査するムラ検査装置であって、主面上に光透過性の膜が形成されている基板を保持する保持部と、前記膜に向けて光を出射する光出射部と、前記膜にて反射された、または、前記膜を透過した後の特定の波長帯の光を受光して前記主面からの前記特定の波長帯の光の強度分布を出力するセンサと、前記センサからの出力に基づいて検出した前記膜の膜厚ムラの大きさ、濃度範囲および種類の少なくともいずれかに基づいて前記膜の評価点を求める評価点取得部と、前記評価点に基づいて前記膜の検査を行う膜検査部と、複数の基板上の膜に対して前記評価点取得部により順次求められた複数の評価点を順次記憶する評価点記憶部と、少なくとも前記膜検査部にて膜厚ムラに係る欠陥が存在すると判定された際に、前記欠陥が存在する基板以前に連続して求められた所定数の基板上の膜の評価点の平均である平均評価点を求める平均評価点取得部とを備える。   The invention according to claim 1 is a non-uniformity inspection apparatus for inspecting film thickness nonuniformity of a film formed on a substrate, wherein the holding unit holds a substrate on which a light transmissive film is formed on a main surface. And a light emitting part that emits light toward the film, and the light from a specific wavelength band reflected by the film or transmitted through the film and receiving the light from the main surface. A sensor that outputs an intensity distribution of light in the wavelength band of the film, and an evaluation score of the film based on at least one of the magnitude, concentration range, and type of film thickness unevenness detected based on the output from the sensor A plurality of evaluation points sequentially obtained by the evaluation point obtaining unit with respect to films on a plurality of substrates, sequentially, a film inspection unit that inspects the film based on the evaluation points Relevant film thickness irregularities in the memorized evaluation point storage unit and at least the film inspection unit An average evaluation point obtaining unit for obtaining an average evaluation point that is an average of evaluation points of films on a predetermined number of substrates obtained continuously before the substrate on which the defect exists when it is determined that a defect exists; Prepare.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のムラ検査装置であって、前記評価点取得部により求められた一の基板上の膜の評価点と前記平均評価点取得部により求められた前記一の基板以前の所定数の基板上の膜に係る平均評価点とに基づいて膜形成工程の異常を検出する工程検査部をさらに備える。   The invention according to claim 2 is the unevenness inspection apparatus according to claim 1, wherein the evaluation score of the film on one substrate obtained by the evaluation score acquisition unit and the average evaluation score acquisition unit are obtained. The apparatus further includes a process inspection unit that detects an abnormality in the film forming process based on an average evaluation score relating to a film on a predetermined number of substrates before the one substrate.

請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のムラ検査装置であって、前記工程検査部において、前記評価点の前記平均評価点に対する割合が求められ、前記評価点と前記割合とに基づいて前記膜形成工程の異常の検出が行われる。   Invention of Claim 3 is the nonuniformity inspection apparatus of Claim 2, Comprising: In the said process test | inspection part, the ratio with respect to the said average evaluation score of the said evaluation score is calculated | required, and the said evaluation score and the said ratio are made into Based on this, an abnormality in the film forming process is detected.

請求項4に記載の発明は、請求項1に記載のムラ検査装置であって、前記平均評価点取得部が、各基板の膜の評価点が求められる毎に前記各基板以前の所定数の基板上の膜の平均評価点を求め、前記評価点記憶部が、前記各基板の前記膜に関連づけて前記平均評価点も記憶する。   Invention of Claim 4 is the nonuniformity inspection apparatus of Claim 1, Comprising: Each time the said average evaluation score acquisition part calculates | requires the evaluation score of the film | membrane of each board | substrate, it is a predetermined number before each said board | substrate. An average evaluation point of the film on the substrate is obtained, and the evaluation point storage unit also stores the average evaluation point in association with the film of each substrate.

請求項5に記載の発明は、請求項4に記載のムラ検査装置であって、連続して検査された複数の基板のそれぞれの膜の評価点、および、前記複数の基板のそれぞれの膜に関連づけられた平均評価点または前記評価点の前記平均評価点に対する割合をグラフにて表示する表示部をさらに備える。   The invention according to claim 5 is the unevenness inspection apparatus according to claim 4, wherein the evaluation points of the films of the plurality of substrates inspected continuously, and the films of the plurality of substrates, respectively. It further includes a display unit that displays the associated average evaluation point or the ratio of the evaluation point to the average evaluation point in a graph.

請求項6に記載の発明は、請求項1ないし5のいずれかに記載のムラ検査装置であって、前記評価点取得部において、膜厚ムラの種類により異なる評価係数が設定されており、前記膜の前記評価点が、各膜厚ムラの部分評価点に評価係数を乗じたものの合計に基づいて求められる。   Invention of Claim 6 is the nonuniformity inspection apparatus in any one of Claim 1 thru | or 5, Comprising: In the said evaluation point acquisition part, the different evaluation coefficient is set with the kind of film thickness nonuniformity, The said The said evaluation point of a film | membrane is calculated | required based on the sum total of what multiplied the evaluation coefficient to the partial evaluation point of each film thickness nonuniformity.

請求項7に記載の発明は、請求項1ないし6のいずれかに記載のムラ検査装置であって、前記評価点取得部により、一の基板上の互いに離間した複数の領域に形成された複数の膜のそれぞれに対して評価点が求められ、前記平均評価点取得部により、複数の基板上の互いに対応する領域に形成された複数の膜の評価点から前記複数の領域のそれぞれの平均評価点が求められる。   A seventh aspect of the present invention is the unevenness inspection apparatus according to any one of the first to sixth aspects, wherein the evaluation point acquisition unit forms a plurality of regions formed on a plurality of regions separated from each other on a single substrate. An evaluation score is obtained for each of the films, and the average evaluation point acquisition unit obtains an average evaluation of each of the plurality of regions from evaluation points of the plurality of films formed in regions corresponding to each other on the plurality of substrates. A point is required.

請求項8に記載の発明は、請求項7に記載のムラ検査装置であって、前記評価点取得部により一の基板に対して求められた複数の評価点を合計することにより前記一の基板の基板評価点を求める基板評価点取得部と、前記基板評価点に基づいて前記一の基板の検査を行う基板検査部と、少なくとも前記基板検査部にて膜厚ムラに係る欠陥が存在すると判定された際に、前記欠陥が存在する基板以前に連続して求められた所定数の基板の基板評価点の平均である平均基板評価点を求める平均基板評価点取得部とをさらに備える。   The invention according to claim 8 is the unevenness inspection apparatus according to claim 7, wherein the one substrate is obtained by summing a plurality of evaluation points obtained for the one substrate by the evaluation point acquisition unit. A substrate evaluation point acquisition unit for obtaining the substrate evaluation point, a substrate inspection unit for inspecting the one substrate based on the substrate evaluation point, and determining that a defect relating to film thickness unevenness exists at least in the substrate inspection unit And an average substrate evaluation point obtaining unit that obtains an average substrate evaluation point that is an average of the substrate evaluation points of a predetermined number of substrates continuously obtained before the substrate on which the defect exists.

請求項9に記載の発明は、請求項8に記載のムラ検査装置であって、前記基板評価点取得部により求められた一の基板の基板評価点と前記平均基板評価点取得部により求められた前記一の基板以前の所定数の基板に係る平均基板評価点とに基づいて膜形成工程の異常を検出するもう1つの工程検査部をさらに備える。   The invention according to claim 9 is the unevenness inspection apparatus according to claim 8, which is obtained by the substrate evaluation point of one substrate obtained by the substrate evaluation point acquisition unit and the average substrate evaluation point acquisition unit. The apparatus further includes another process inspection unit that detects an abnormality in the film forming process based on an average substrate evaluation score relating to a predetermined number of substrates before the one substrate.

請求項10に記載の発明は、請求項8に記載のムラ検査装置であって、前記平均基板評価点取得部が、各基板の基板評価点が求められる毎に前記各基板以前の所定数の基板に係る平均基板評価点を求め、前記ムラ検査装置が、前記各基板に関連づけて前記平均基板評価点を記憶する基板評価点記憶部をさらに備える。   The invention according to claim 10 is the unevenness inspection apparatus according to claim 8, wherein the average substrate evaluation point acquisition unit obtains a predetermined number of each of the substrates before each substrate every time a substrate evaluation point is obtained. The unevenness inspection apparatus further includes a substrate evaluation point storage unit that obtains an average substrate evaluation point related to the substrate and stores the average substrate evaluation point in association with each substrate.

請求項11に記載の発明は、基板上に膜を形成する膜形成システムであって、基板の主面上に光透過性の膜を形成する膜形成装置と、請求項1ないし10のいずれかに記載のムラ検査装置とを備える。   The invention described in claim 11 is a film forming system for forming a film on a substrate, wherein the film forming apparatus forms a light transmissive film on the main surface of the substrate, and any one of claims 1 to 10. And the unevenness inspection apparatus described in 1. above.

請求項12に記載の発明は、基板上に形成された膜の膜厚ムラを検査するムラ検査方法であって、a)基板の主面上に形成されている光透過性の膜に向けて光を出射する工程と、b)前記膜にて反射された、または、前記膜を透過した後の特定の波長帯の光を受光して前記主面からの前記特定の波長帯の光の強度分布をセンサから出力する工程と、c)前記センサからの出力に基づいて検出した前記膜の膜厚ムラの大きさ、濃度範囲および種類の少なくともいずれかに基づいて前記膜の評価点を求める工程と、d)前記評価点に基づいて前記膜の検査を行う工程と、e)少なくとも前記d)工程において膜厚ムラに係る欠陥が存在すると判定された際に、前記欠陥が存在する基板以前に連続して求められた所定数の基板上の膜の評価点の平均である平均評価点を求める工程とを備える。   The invention described in claim 12 is a non-uniformity inspection method for inspecting non-uniformity in film thickness of a film formed on a substrate, a) toward a light-transmitting film formed on the main surface of the substrate. A step of emitting light; and b) intensity of light in the specific wavelength band from the main surface by receiving light in the specific wavelength band reflected by the film or transmitted through the film. A step of outputting a distribution from a sensor; and c) a step of obtaining an evaluation point of the film based on at least one of the magnitude, concentration range, and type of film thickness unevenness detected based on the output from the sensor. And d) a step of inspecting the film based on the evaluation point, and e) at least in the d) step, when it is determined that a defect related to film thickness unevenness exists, before the substrate on which the defect exists Average of film evaluation points on a predetermined number of substrates obtained continuously And a step of obtaining a certain average evaluation points.

請求項13に記載の発明は、請求項12に記載のムラ検査方法であって、前記c)工程にて求められた一の基板上の膜の評価点と前記e)工程にて求められた前記一の基板以前の所定数の基板上の膜に係る平均評価点とに基づいて膜形成工程の異常を検出する工程をさらに備える。   The invention according to claim 13 is the unevenness inspection method according to claim 12, wherein the evaluation point of the film on one substrate obtained in step c) and the step e) are obtained. The method further includes a step of detecting an abnormality in the film forming process based on an average evaluation score relating to the film on the predetermined number of substrates before the one substrate.

請求項14に記載の発明は、請求項12に記載のムラ検査方法であって、前記c)工程において各基板の膜の評価点が求められる毎に、前記e)工程において前記各基板以前の所定数の基板上の膜に係る平均評価点が求められ、前記各基板の前記膜に関連づけて前記平均評価点が記憶される。   The invention according to claim 14 is the method for inspecting unevenness according to claim 12, wherein each time an evaluation point of a film of each substrate is obtained in the step c), the evaluation is performed before the substrate in the step e). An average evaluation point relating to a film on a predetermined number of substrates is obtained, and the average evaluation point is stored in association with the film of each substrate.

本発明では、膜厚ムラに係る欠陥が検出された際に、膜形成工程と膜厚ムラとの因果関係の判断を容易かつ適切に行うことができる。請求項2、9および13の発明では、膜形成工程の異常を自動的に検出することができる。請求項3の発明では、膜形成工程の異常を容易に検出することができる。請求項4、5、10および14の発明では、膜形成工程の状態を容易に把握することができる。請求項7および8の発明では、膜形成工程と膜厚ムラとの因果関係の判断を領域毎に容易かつ適切に行うことができる。   According to the present invention, when a defect related to film thickness unevenness is detected, a causal relationship between the film forming process and the film thickness unevenness can be easily and appropriately determined. In the inventions of claims 2, 9 and 13, an abnormality in the film forming process can be automatically detected. In the invention of claim 3, an abnormality in the film forming process can be easily detected. In the inventions of claims 4, 5, 10 and 14, the state of the film forming process can be easily grasped. In the inventions of claims 7 and 8, the causal relationship between the film forming step and the film thickness unevenness can be easily and appropriately determined for each region.

図1は、本発明の第1の実施の形態に係るムラ検査装置を備える膜形成システムの構成を示す図である。図1に示す膜形成システム100は、液晶表示装置等の表示装置に用いられるガラス基板(以下、単に「基板」という。)上に、パターン形成用のレジスト膜(以下、単に「膜」という。)を形成するシステムである。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a film forming system including an unevenness inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention. A film forming system 100 shown in FIG. 1 is a resist film for pattern formation (hereinafter simply referred to as “film”) on a glass substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) used in a display device such as a liquid crystal display device. ).

膜形成システム100は、基板を洗浄する洗浄装置41、基板の一方の主面上にレジスト液を塗布することにより光透過性の膜を形成する塗布装置である膜形成装置3、基板上の膜を露光する露光装置42、および、露光後の基板の現像を行う現像装置43を備える。膜形成システム100は、また、基板上に形成された膜の画像を取得し、当該画像に基づいて基板上の膜の膜厚ムラを検査するムラ検査装置1を備える。膜形成システム100では、膜形成装置3により膜が形成された基板がムラ検査装置1に搬入され、ムラ検査装置1にて基板上の膜に対する膜厚ムラの検査が行われる。   The film forming system 100 includes a cleaning device 41 that cleans a substrate, a film forming device 3 that is a coating device that forms a light transmissive film by applying a resist solution on one main surface of the substrate, and a film on the substrate. An exposure device 42 for exposing the substrate and a developing device 43 for developing the exposed substrate. The film forming system 100 also includes an unevenness inspection apparatus 1 that acquires an image of a film formed on a substrate and inspects the film thickness unevenness of the film on the substrate based on the image. In the film forming system 100, the substrate on which the film is formed by the film forming apparatus 3 is carried into the unevenness inspection apparatus 1, and the unevenness inspection apparatus 1 inspects the film thickness unevenness with respect to the film on the substrate.

ここで、基板上の膜厚ムラとは、ムラ検査装置1にて取得された膜の画像において、局所的な明暗変動により特定される領域(ただし、通常、領域の境界は不明瞭である。)を意味する。以下、膜厚ムラのうち、面積が所定の範囲内であるもの(例えば、円形の領域である場合、基板上における直径が1mm以下であり、ノイズに起因して発生する画像中の異常な領域よりも大きいもの)を点ムラ(点欠陥)と呼ぶ。点ムラは、通常、基板上における微小な不要物の存在や、レジスト液の塗布の際における液滴の意図しない滴下等に起因して発生し、後述する筋ムラや部分ムラよりも明暗変動が急激かつ程度が大きい(すなわち、コントラストが大きく、領域の境界が比較的明瞭である。)。   Here, the film thickness unevenness on the substrate is an area specified by local brightness variation in the film image acquired by the unevenness inspection apparatus 1 (however, the boundary of the area is usually unclear). ). Hereinafter, the film thickness unevenness having an area within a predetermined range (for example, in the case of a circular region, the diameter on the substrate is 1 mm or less, and an abnormal region in the image caused by noise) Larger than that) is called point unevenness (point defect). Spot unevenness usually occurs due to the presence of minute unnecessary objects on the substrate or unintentional dripping of droplets during the application of a resist solution, resulting in light and dark fluctuations compared to streaks unevenness and partial unevenness described later. Abrupt and large (ie, high contrast and relatively clear boundary of region).

また、面積が所定の大きさ以上である膜厚ムラのうち、その領域の長手方向における長さαと長手方向に垂直な方向における幅βとの比(α/β)が所定値以上となるものを筋ムラと呼び、残りのものを部分ムラと呼ぶ。部分ムラは、通常、基板に対する処理の不均一性に起因して発生する。もちろん、実質的にこの条件が満たされるのであれば、各種ムラの定義は適宜変更されてよく、さらに、他の条件が追加されてもよい。   Of the film thickness unevenness having an area of a predetermined size or more, the ratio (α / β) of the length α in the longitudinal direction of the region to the width β in the direction perpendicular to the longitudinal direction is a predetermined value or more. A thing is called a stripe unevenness, and the remaining thing is called a partial unevenness. The partial unevenness usually occurs due to processing non-uniformity with respect to the substrate. Of course, as long as this condition is substantially satisfied, the definition of various irregularities may be changed as appropriate, and other conditions may be added.

図2は、ムラ検査装置1を示す正面図である。図2に示すように、ムラ検査装置1は、主面91(以下、「上面91」という。)上に光透過性の膜92が形成された基板9を保持する保持部であるステージ12、ステージ12に保持された基板9の上面91上の膜92に向けて光を出射する光出射部13、光出射部13から出射されて基板9の上面91上の膜92にて反射された光を受光する受光部14、基板9と受光部14との間に配置されて受光部14が受光する光の波長帯を切り替える波長帯切替機構15、ステージ12を光出射部13、受光部14および波長帯切替機構15に対して相対的に移動する移動機構121、並びに、ムラ検査装置1の制御部としての役割を果たすコンピュータ2を備える。   FIG. 2 is a front view showing the unevenness inspection apparatus 1. As shown in FIG. 2, the unevenness inspection apparatus 1 includes a stage 12 that is a holding unit that holds a substrate 9 on which a light transmissive film 92 is formed on a main surface 91 (hereinafter, referred to as an “upper surface 91”). A light emitting portion 13 that emits light toward the film 92 on the upper surface 91 of the substrate 9 held by the stage 12, and light that is emitted from the light emitting portion 13 and reflected by the film 92 on the upper surface 91 of the substrate 9. A light receiving unit 14 that receives light, a wavelength band switching mechanism 15 that is arranged between the substrate 9 and the light receiving unit 14 and switches the wavelength band of light received by the light receiving unit 14, the light emitting unit 13, the light receiving unit 14 and the stage 12 A moving mechanism 121 that moves relative to the wavelength band switching mechanism 15 and a computer 2 that serves as a control unit of the unevenness inspection apparatus 1 are provided.

ステージ12の上側(すなわち、図2中の(+Z)側)の表面は、好ましくは黒色艶消しとされる。移動機構121は、モータ1211にボールねじ(図示省略)が接続された構成とされ、モータ1211が回転することにより、ステージ12がガイド1212に沿って基板9の上面91に沿う図2中の左右方向(X方向)に移動する。   The surface on the upper side of the stage 12 (that is, the (+ Z) side in FIG. 2) is preferably black matte. The moving mechanism 121 is configured such that a ball screw (not shown) is connected to the motor 1211, and the stage 12 moves along the upper surface 91 of the substrate 9 along the guide 1212 as the motor 1211 rotates. Move in the direction (X direction).

光出射部13は、白色光(すなわち、可視領域の全ての波長帯の光を含む光)を出射する光源であるハロゲンランプ131、ステージ12の移動方向に垂直な方向(すなわち、図2中のY方向)に伸びる円柱状の石英ロッド132、および、石英ロッド132に平行な方向(Y方向)に伸びるシリンドリカルレンズ133を備える。   The light emitting unit 13 is a light source that emits white light (that is, light including light in all wavelengths in the visible region), a direction perpendicular to the moving direction of the stage 12 and the halogen lamp 131 (that is, in FIG. 2). A cylindrical quartz rod 132 extending in the Y direction) and a cylindrical lens 133 extending in the direction parallel to the quartz rod 132 (Y direction) are provided.

光出射部13では、ハロゲンランプ131が石英ロッド132の(+Y)側の端部に取り付けられており、ハロゲンランプ131から石英ロッド132に入射した光は、Y方向に伸びる線状光(すなわち、光束断面がY方向に長い線状となる光)に変換されて石英ロッド132の側面から出射され、シリンドリカルレンズ133を介して基板9の上面91へと導かれる。換言すれば、石英ロッド132およびシリンドリカルレンズ133は、ハロゲンランプ131からの光をステージ12の移動方向に垂直な線状光に変換して基板9の上面91へと導く光学系となっている。   In the light emitting unit 13, a halogen lamp 131 is attached to the end of the quartz rod 132 on the (+ Y) side, and light incident on the quartz rod 132 from the halogen lamp 131 is linear light extending in the Y direction (that is, Light having a light beam cross section that is long in the Y direction), is emitted from the side surface of the quartz rod 132, and is guided to the upper surface 91 of the substrate 9 through the cylindrical lens 133. In other words, the quartz rod 132 and the cylindrical lens 133 are an optical system that converts the light from the halogen lamp 131 into linear light perpendicular to the moving direction of the stage 12 and guides it to the upper surface 91 of the substrate 9.

図2では、光出射部13から基板9に至る光路を一点鎖線にて示している(基板9から受光部14に至る光路についても同様)。光出射部13から出射された光の一部は、基板9の上面91上の膜92の(+Z)側の上面にて反射される。膜92は光出射部13からの光に対して光透過性を有しており、光出射部13からの光のうち膜92の上面にて反射しなかった光は、膜92を透過して基板9の上面91(すなわち、膜92の下面)にて反射される。ムラ検査装置1では、基板9における膜92の上面にて反射された光と基板9の上面91にて反射された光との干渉光(以下、単に「反射光」という。)が、波長帯切替機構15を経由して受光部14に入射する。   In FIG. 2, the optical path from the light emitting portion 13 to the substrate 9 is indicated by a one-dot chain line (the same applies to the optical path from the substrate 9 to the light receiving portion 14). A part of the light emitted from the light emitting part 13 is reflected on the (+ Z) side upper surface of the film 92 on the upper surface 91 of the substrate 9. The film 92 has optical transparency with respect to the light from the light emitting part 13, and the light that has not been reflected by the upper surface of the film 92 out of the light from the light emitting part 13 passes through the film 92. Reflected by the upper surface 91 of the substrate 9 (that is, the lower surface of the film 92). In the unevenness inspection apparatus 1, interference light (hereinafter simply referred to as “reflected light”) between the light reflected by the upper surface of the film 92 and the light reflected by the upper surface 91 of the substrate 9 is a wavelength band. The light enters the light receiving unit 14 via the switching mechanism 15.

波長帯切替機構15は、互いに異なる複数の狭い波長帯の光を選択的にそれぞれ透過する複数の光学フィルタ(例えば、半値幅10nmの干渉フィルター)151、複数の光学フィルタ151を保持する円板状のフィルタホイール152、および、フィルタホイール152の中心に取り付けられてフィルタホイール152を回転するフィルタ回転モータ153を備える。フィルタホイール152は、その法線方向が基板9から受光部14に至る光路に平行になるように配置される。   The wavelength band switching mechanism 15 is a disk-like shape that holds a plurality of optical filters (for example, interference filters having a half-value width of 10 nm) 151 and a plurality of optical filters 151 that selectively transmit a plurality of different narrow wavelength band lights. Filter wheel 152, and a filter rotation motor 153 that is attached to the center of the filter wheel 152 and rotates the filter wheel 152. The filter wheel 152 is arranged so that the normal direction thereof is parallel to the optical path from the substrate 9 to the light receiving unit 14.

図3は、波長帯切替機構15を基板9側からフィルタホイール152に垂直な方向に沿って見た図である。図3に示すように、フィルタホイール152には、6つの円形の開口1521が周方向に等間隔に形成されており、そのうちの5つの開口1521には互いに透過波長帯が異なる5種類の光学フィルタ151が取り付けられている。   FIG. 3 is a view of the wavelength band switching mechanism 15 as viewed from the substrate 9 side along a direction perpendicular to the filter wheel 152. As shown in FIG. 3, the filter wheel 152 has six circular openings 1521 formed at equal intervals in the circumferential direction, and five of the five openings 1521 have different transmission wavelength bands. 151 is attached.

図2に示す波長帯切替機構15では、コンピュータ2に制御されるフィルタ回転モータ153によりフィルタホイール152が回転し、5つの光学フィルタ151(図3参照)のうち、検査対象となる膜92の膜厚や屈折率等に応じていずれか1つの適切な光学フィルタ151が選択され、基板9から受光部14に至る光路上に配置される。これにより、基板9からの反射光のうち、光路上に配置された光学フィルタ151に対応する特定の波長帯(以下、「選択波長帯」という。)の光のみが、光学フィルタ151を透過して受光部14へと導かれる。   In the wavelength band switching mechanism 15 shown in FIG. 2, the filter wheel 152 is rotated by the filter rotation motor 153 controlled by the computer 2, and the film 92 of the film 92 to be inspected among the five optical filters 151 (see FIG. 3). Any one appropriate optical filter 151 is selected according to the thickness, refractive index, and the like, and is disposed on the optical path from the substrate 9 to the light receiving unit 14. Thereby, only the light of a specific wavelength band (hereinafter referred to as “selected wavelength band”) corresponding to the optical filter 151 disposed on the optical path among the reflected light from the substrate 9 is transmitted through the optical filter 151. Then, the light is guided to the light receiving unit 14.

受光部14は、複数の受光素子であるCCD(Charge Coupled Device)がY方向に直線状に配列されたラインセンサ141、および、ラインセンサ141と波長帯切替機構15の光学フィルタ151との間に設けられて基板9の上面91からの反射光をラインセンサ141へと導くレンズ142を備える。ラインセンサ141は、光出射部13から出射されて基板9上における照射領域の膜92にて反射された線状光のうち、光学フィルタ151を透過した選択波長帯の光を受光し、受光した光の強度分布(すなわち、各CCDからの出力値のY方向における分布)を取得する。ムラ検査装置1では、移動機構121による基板9のX方向への移動に伴ってラインセンサ141により反射光の強度分布が繰り返し取得されることにより、基板9の上面91上の膜92の2次元画像が取得される。   The light receiving unit 14 includes a line sensor 141 in which CCDs (Charge Coupled Devices) as a plurality of light receiving elements are linearly arranged in the Y direction, and between the line sensor 141 and the optical filter 151 of the wavelength band switching mechanism 15. A lens 142 is provided that guides reflected light from the upper surface 91 of the substrate 9 to the line sensor 141. The line sensor 141 receives light in a selected wavelength band transmitted through the optical filter 151 out of the linear light emitted from the light emitting unit 13 and reflected by the film 92 in the irradiation region on the substrate 9. The light intensity distribution (that is, the distribution in the Y direction of the output value from each CCD) is acquired. In the unevenness inspection apparatus 1, the intensity distribution of reflected light is repeatedly acquired by the line sensor 141 as the substrate 9 is moved in the X direction by the moving mechanism 121, whereby the two-dimensional film 92 on the upper surface 91 of the substrate 9. An image is acquired.

コンピュータ2は、図4に示すように、各種演算処理を行うCPU21、基本プログラムを記憶するROM22および各種情報を記憶するRAM23をバスラインに接続した一般的なコンピュータシステムの構成となっている。バスラインにはさらに、情報記憶を行う固定ディスク24、各種情報の表示を行う表示部であるディスプレイ25、操作者からの入力を受け付けるキーボード26aおよびマウス26b(以下、「入力部26」と総称する。)、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体20から情報の読み取りを行う読取装置27、並びに、ムラ検査装置1の他の構成要素に接続される通信部28が、適宜、インターフェイス(I/F)を介する等して接続される。   As shown in FIG. 4, the computer 2 has a general computer system configuration in which a CPU 21 that performs various arithmetic processes, a ROM 22 that stores basic programs, and a RAM 23 that stores various information are connected to a bus line. The bus line further includes a fixed disk 24 that stores information, a display 25 that is a display unit that displays various information, a keyboard 26a and a mouse 26b that accept input from an operator (hereinafter collectively referred to as "input unit 26"). .), A reader 27 for reading information from a computer-readable recording medium 20 such as an optical disk, a magnetic disk, a magneto-optical disk, and a communication unit 28 connected to other components of the unevenness inspection apparatus 1; As appropriate, they are connected via an interface (I / F).

コンピュータ2には、事前に読取装置27を介して記録媒体20からプログラム241が読み出され、固定ディスク24に記憶される。そして、プログラム241がRAM23にコピーされるとともにCPU21がRAM23内のプログラムに従って演算処理を実行することにより(すなわち、コンピュータがプログラムを実行することにより)、コンピュータ2が基板9上の膜92を検査する検査部としての動作を行う。   The computer 2 reads the program 241 from the recording medium 20 via the reading device 27 in advance and stores it in the fixed disk 24. Then, when the program 241 is copied to the RAM 23 and the CPU 21 executes arithmetic processing according to the program in the RAM 23 (that is, when the computer executes the program), the computer 2 inspects the film 92 on the substrate 9. Operates as an inspection unit.

図5は、CPU21がプログラム241に従って動作することにより、CPU21、ROM22、RAM23、固定ディスク24等が実現する機能構成を示すブロック図である。図5における検査部200の出力受付部201、対象画像生成部202、ムラ検出部203、データ出力部204、評価点取得部211、評価点記憶部212、膜検査部213、平均評価点取得部214および工程検査部215は、CPU21等により実現される機能を示す。なお、これらの機能は専用の電気的回路により実現されてもよく、部分的に専用の電気的回路が用いられてもよい。   FIG. 5 is a block diagram illustrating a functional configuration realized by the CPU 21, the ROM 22, the RAM 23, the fixed disk 24, and the like when the CPU 21 operates according to the program 241. The output reception unit 201, the target image generation unit 202, the unevenness detection unit 203, the data output unit 204, the evaluation point acquisition unit 211, the evaluation point storage unit 212, the film inspection unit 213, and the average evaluation point acquisition unit of the inspection unit 200 in FIG. 214 and the process inspection part 215 show the function implement | achieved by CPU21 grade | etc.,. Note that these functions may be realized by a dedicated electrical circuit, or a dedicated electrical circuit may be partially used.

次に、ムラ検査装置1による基板9上の膜92の検査の流れについて説明する。図1に示す膜形成システム100では、複数枚の基板9(例えば、これらの基板は、1つのカセットに収容された状態で膜形成システム100に供給される。)が、洗浄装置41を経て膜形成装置3に供給され、膜形成装置3により、各基板9の上面91上に連続的に膜92が形成される。そして、これら複数枚の基板9が、連続的にムラ検査装置1に搬入されて膜92の検査が行われる。以下では、既に複数枚の基板9の検査が行われ、検査結果が蓄積されているムラ検査装置1に、次の基板9が供給されたものとして説明を行う。   Next, the flow of inspection of the film 92 on the substrate 9 by the unevenness inspection apparatus 1 will be described. In the film forming system 100 shown in FIG. 1, a plurality of substrates 9 (for example, these substrates are supplied to the film forming system 100 in a state where they are accommodated in one cassette) are passed through the cleaning device 41 to form a film. The film 92 is supplied to the forming apparatus 3, and the film 92 is continuously formed on the upper surface 91 of each substrate 9 by the film forming apparatus 3. The plurality of substrates 9 are continuously carried into the unevenness inspection apparatus 1 and the film 92 is inspected. In the following description, it is assumed that the next substrate 9 is supplied to the unevenness inspection apparatus 1 in which a plurality of substrates 9 have already been inspected and the inspection results are accumulated.

図6.Aないし図6.Cは、ムラ検査装置1による一の基板9に対する検査の流れを示す図である。図6.Aないし図6.Cに示すように、ムラ検査装置1により基板9上の膜92が検査される際には、まず、図2中に実線にて示す検査開始位置に位置するステージ12上に基板9が保持された後、基板9およびステージ12の(+X)方向への移動が開始される(ステップS11)。続いて、光出射部13から出射されて基板9の上面91に対して所定の入射角にて入射する線状光が、上面91上の直線状の照射領域(以下、「線状照射領域」という。)に照射され(ステップS12)、線状照射領域が基板9に対して相対的に移動する。   FIG. A thru | or FIG. C is a diagram showing a flow of inspection for one substrate 9 by the unevenness inspection apparatus 1. FIG. A thru | or FIG. As shown in C, when the film 92 on the substrate 9 is inspected by the unevenness inspection apparatus 1, first, the substrate 9 is held on the stage 12 positioned at the inspection start position indicated by the solid line in FIG. After that, the movement of the substrate 9 and the stage 12 in the (+ X) direction is started (step S11). Subsequently, linear light emitted from the light emitting portion 13 and incident on the upper surface 91 of the substrate 9 at a predetermined incident angle is converted into a linear irradiation region (hereinafter referred to as “linear irradiation region”) on the upper surface 91. The linear irradiation region moves relative to the substrate 9 (step S12).

光出射部13からの光は基板9の上面91にて反射し、波長帯切替機構15の光学フィルタ151を透過することにより選択波長帯の光のみが取り出された後、受光部14へと導かれる。受光部14では、基板9の上面91における反射後の光がラインセンサ141により受光され(ステップS13)、基板9上の線状照射領域からの反射光の選択波長帯における強度分布が取得される(ステップS14)。ラインセンサ141の各CCDからの出力は、所定の変換式に基づいて例えば8bit(もちろん、8bit以外であってもよい。)の値(画素値)に変換されつつコンピュータ2へと送られ、図5に示す検査部200の出力受付部201にて受け付けられる(ステップS15)。   The light from the light emitting unit 13 is reflected by the upper surface 91 of the substrate 9 and is transmitted through the optical filter 151 of the wavelength band switching mechanism 15 so that only light in the selected wavelength band is extracted and then guided to the light receiving unit 14. It is burned. In the light receiving unit 14, the light reflected on the upper surface 91 of the substrate 9 is received by the line sensor 141 (step S 13), and the intensity distribution in the selected wavelength band of the reflected light from the linear irradiation region on the substrate 9 is acquired. (Step S14). The output from each CCD of the line sensor 141 is sent to the computer 2 while being converted into a value (pixel value) of, for example, 8 bits (of course, other than 8 bits) based on a predetermined conversion formula. 5 is received by the output receiving unit 201 of the inspection unit 200 shown in FIG. 5 (step S15).

ムラ検査装置1では、コンピュータ2により、基板9およびステージ12が図2中に二点鎖線にて示す検査終了位置まで移動したか否かが基板9の移動中に繰り返し確認されており(ステップS16)、検査終了位置まで移動していない場合には、ステップS13に戻って反射光のうちの選択波長帯の光の受光、線状照射領域における選択波長帯の光の強度分布の取得および出力受付部201による入力画素値の受け付け(ステップS13〜S15)が繰り返される。ムラ検査装置1では、ステージ12が(+X)方向に移動している間、ステップS13〜S16の動作が繰り返されて基板9上の線状照射領域からの反射光の強度分布がステージ12の移動に同期して繰り返し取得されることにより、基板9の全体について上面91からの反射光の選択波長帯における強度分布が取得される。   In the unevenness inspection apparatus 1, whether or not the substrate 9 and the stage 12 have moved to the inspection end position indicated by a two-dot chain line in FIG. 2 is repeatedly confirmed by the computer 2 during the movement of the substrate 9 (step S16). ) If not moved to the inspection end position, the process returns to step S13 to receive the light in the selected wavelength band of the reflected light, obtain the intensity distribution of the light in the selected wavelength band in the linear irradiation region, and accept the output. The reception of input pixel values by the unit 201 (steps S13 to S15) is repeated. In the unevenness inspection apparatus 1, while the stage 12 is moving in the (+ X) direction, the operations in steps S <b> 13 to S <b> 16 are repeated so that the intensity distribution of the reflected light from the linear irradiation region on the substrate 9 moves the stage 12. As a result, the intensity distribution in the selected wavelength band of the reflected light from the upper surface 91 is acquired for the entire substrate 9.

そして、基板9およびステージ12が検査終了位置まで移動すると(ステップS16)、移動機構121による基板9およびステージ12の移動が停止される(ステップS17)。コンピュータ2の出力受付部201では、出力受付部201に蓄積されたラインセンサ141からの出力が時系列順に配列されて基板9の上面91全体の2次元画像(ラインセンサ141により取得された補正前の画像であり、以下、「元画像」という。)が生成される(ステップS21)。   When the substrate 9 and the stage 12 move to the inspection end position (step S16), the movement of the substrate 9 and the stage 12 by the moving mechanism 121 is stopped (step S17). In the output accepting unit 201 of the computer 2, the outputs from the line sensor 141 accumulated in the output accepting unit 201 are arranged in chronological order, and a two-dimensional image of the entire upper surface 91 of the substrate 9 (before correction acquired by the line sensor 141). (Hereinafter referred to as “original image”) is generated (step S21).

元画像が生成されると、対象画像生成部202において、元画像が圧縮されてS/N比が向上された第1画像が生成される。そして、第1画像に対するローパスフィルタ処理が行われ、第1画像から高周波ノイズの影響が抑制されて平滑化された第2画像が生成される。さらに、第2画像に対してハイパスフィルタ処理が行われ、第2画像から後述のコントラスト強調処理の妨げとなる低周波の濃度変動が除去された第3画像が生成される。すなわち、第3画像は、第1画像に対して所定の空間周波数帯域のバンドパスフィルタ処理が行われた画像である。その後、対象画像生成部202では、第3画像に対してコントラスト強調処理が行われ、検査部200における以下の処理の対象とされる画像(以下、「対象画像」という。)が生成される(ステップS22)。   When the original image is generated, the target image generation unit 202 generates the first image with the S / N ratio improved by compressing the original image. Then, a low-pass filter process is performed on the first image, and a second image smoothed while suppressing the influence of high-frequency noise from the first image is generated. Further, high-pass filter processing is performed on the second image, and a third image is generated by removing low-frequency density fluctuations that hinder later-described contrast enhancement processing from the second image. That is, the third image is an image obtained by performing bandpass filter processing of a predetermined spatial frequency band on the first image. Thereafter, the target image generation unit 202 performs contrast enhancement processing on the third image, and generates an image (hereinafter referred to as “target image”) that is a target of the following processing in the inspection unit 200 (hereinafter, referred to as “target image”). Step S22).

対象画像が生成されると、ムラ検出部203により、基板9上の膜92の筋ムラ、部分ムラおよび点ムラの各種膜厚ムラがそれぞれ検出される(ステップS23)。ムラ検出部203による膜厚ムラの検出では、まず、対象画像の平均濃度(すなわち、画素値の平均値)に近い所定の閾値にて対象画像を2値化した2値画像が生成される。そして、互いに連続する値が1(または、0)の画素の集合(以下、「閉領域」という。)が特定され、各閉領域の長手方向の長さと長手方向に垂直な方向の幅との比が所定値よりも大きいものが筋ムラとして検出される。筋ムラの検出では、所定の面積(すなわち、画素数)以下の閉領域は検出対象から除外される。   When the target image is generated, the non-uniformity detection unit 203 detects various non-uniform film thickness non-uniformities, partial non-uniformities, and spot non-uniformities of the film 92 on the substrate 9 (step S23). In the detection of film thickness unevenness by the unevenness detection unit 203, first, a binary image obtained by binarizing the target image with a predetermined threshold value close to the average density of the target image (that is, the average value of the pixel values) is generated. Then, a set of pixels (hereinafter referred to as “closed regions”) whose values are 1 (or 0) continuous to each other is specified, and the length of each closed region in the longitudinal direction and the width in the direction perpendicular to the longitudinal direction are determined. Those having a ratio larger than a predetermined value are detected as streaks. In detection of streak unevenness, a closed region having a predetermined area (that is, the number of pixels) or less is excluded from the detection target.

続いて、筋ムラ検出時の閾値よりも対象画像の平均濃度から離れた閾値にて対象画像が2値化され、面積が所定範囲内となる閉領域が検出される。そして、検出された閉領域のうち、既に筋ムラとして検出された閉領域に含まれるものを除く閉領域が点ムラとして検出される。次に、筋ムラ検出時の閾値と同等の閾値にて対象画像が再び2値化され、所定の面積以上の閉領域のうち、筋ムラまたは点ムラとして検出されなかった領域が部分ムラとして検出される。   Subsequently, the target image is binarized at a threshold that is farther from the average density of the target image than the threshold at the time of detecting the unevenness of the muscles, and a closed region in which the area is within a predetermined range is detected. Then, among the detected closed regions, closed regions other than those included in the closed region that has already been detected as streak unevenness are detected as point unevenness. Next, the target image is binarized again with a threshold value equal to the threshold value at the time of detection of streak unevenness, and a region that has not been detected as streak unevenness or point unevenness is detected as a partial unevenness among the closed regions having a predetermined area or more. Is done.

ラインセンサ141からの出力に基づいて基板9上の膜厚ムラが検出されると、検査部200の評価点取得部211により、各膜厚ムラの評価点である部分評価点が、各膜厚ムラの大きさおよび濃度範囲に基づいて求められる。具体的には、各膜厚ムラに含まれる複数の画素の値の範囲が濃度範囲として求められ、各画素の値と対象画像の平均濃度との差の絶対値の平均と、当該膜厚ムラの画素数との積が、各膜厚ムラの部分評価点として求められる(ステップS24)。   When film thickness unevenness on the substrate 9 is detected based on the output from the line sensor 141, the evaluation score acquisition unit 211 of the inspection unit 200 sets partial evaluation points that are evaluation points for the film thickness unevenness. It is determined based on the size of the unevenness and the density range. Specifically, a range of values of a plurality of pixels included in each film thickness unevenness is obtained as a density range, and an average of absolute values of differences between the values of each pixel and the average density of the target image and the film thickness unevenness. Is obtained as a partial evaluation point of each film thickness unevenness (step S24).

評価点取得部211では、膜厚ムラの種類(すなわち、筋ムラ、点ムラおよび部分ムラ)により異なる評価係数が設定されており、各膜厚ムラの部分評価点に膜厚ムラの種類に対応する評価係数を乗じたものの合計が膜92の膜厚ムラに係る評価点として求められる(ステップS25)。このように検査部200では、膜92の評価点は、膜92の膜厚ムラの大きさ、濃度範囲および種類に基づいて求められる。なお、膜92の評価点は、必ずしも部分評価点と評価係数との積の合計として求められる必要はなく、膜厚ムラの部分評価点に膜厚ムラの種類による評価係数を乗じたものの合計に基づいて求められていればよい。   In the evaluation point acquisition unit 211, different evaluation coefficients are set depending on the types of film thickness unevenness (that is, streaky unevenness, point unevenness, and partial unevenness), and the partial evaluation points of each film thickness unevenness correspond to the types of film thickness unevenness. The sum of those multiplied by the evaluation coefficient is obtained as an evaluation score related to the film thickness unevenness of the film 92 (step S25). As described above, in the inspection unit 200, the evaluation point of the film 92 is obtained based on the magnitude of the film thickness unevenness, the concentration range, and the type of the film 92. The evaluation score of the film 92 is not necessarily obtained as the sum of the products of the partial evaluation score and the evaluation coefficient, but is the sum of the partial evaluation score of the film thickness unevenness and the evaluation coefficient according to the type of film thickness unevenness. It only has to be requested based on this.

基板9上の膜92の評価点が求められると、当該評価点が検査部200の評価点記憶部212に記憶されるとともに(ステップS26)、膜検査部213により、評価点に基づいて基板9上の膜92の検査が行われる(ステップS27)。具体的には、膜92の評価点が、膜検査部213において予め設定されている評価点閾値と比較され、評価点が評価点閾値よりも大きい場合に、膜92に膜厚ムラに係る欠陥が存在する(すなわち、膜92が不良である)と判定される。また、膜92の評価点が評価点閾値以下である場合には、膜92の膜厚ムラの程度が許容範囲内であると判定される。   When the evaluation point of the film 92 on the substrate 9 is obtained, the evaluation point is stored in the evaluation point storage unit 212 of the inspection unit 200 (step S26), and the film inspection unit 213 determines the evaluation result of the substrate 9 based on the evaluation point. The upper film 92 is inspected (step S27). Specifically, when the evaluation point of the film 92 is compared with an evaluation point threshold value set in advance in the film inspection unit 213 and the evaluation point is larger than the evaluation point threshold value, the film 92 has a defect related to film thickness unevenness. Is present (that is, the film 92 is defective). If the evaluation score of the film 92 is equal to or less than the evaluation score threshold value, it is determined that the degree of film thickness unevenness of the film 92 is within the allowable range.

続いて、平均評価点取得部214により、評価点記憶部212に蓄積されている当該基板9以前の所定数の基板(すなわち、評価点取得部211により当該基板9以前に連続して評価点が求められた所定数の基板であり、本実施の形態では、当該基板9を含めて連続的に検査された10枚の基板である。)上の膜92の評価点の平均値(以下、「平均評価点」という。)が求められる(ステップS28)。求められた平均評価点は、当該基板9の膜92に関連づけて評価点記憶部212に記憶される(ステップS29)。   Subsequently, the average evaluation score acquisition unit 214 continuously calculates a predetermined number of substrates before the substrate 9 accumulated in the evaluation score storage unit 212 (that is, evaluation points are continuously acquired before the substrate 9 by the evaluation score acquisition unit 211). The average number of evaluation points of the film 92 on the predetermined number of substrates thus obtained, which in this embodiment is 10 substrates continuously inspected including the substrate 9 (hereinafter, “ (Referred to as “average evaluation score”) (step S28). The obtained average evaluation score is stored in the evaluation score storage unit 212 in association with the film 92 of the substrate 9 (step S29).

次に、工程検査部215により、基板9上の膜92に関連づけられた平均評価点に対する当該基板9上の膜92の評価点の割合(すなわち、基板9以前に連続して検査された複数枚の基板に係る評価点に対する当該基板9の評価点の乖離の程度を示す値であり、以下、「乖離度」という。)が求められる(ステップS31)。   Next, the ratio of the evaluation points of the film 92 on the substrate 9 to the average evaluation points associated with the film 92 on the substrate 9 by the process inspection unit 215 (that is, a plurality of sheets inspected continuously before the substrate 9) This is a value indicating the degree of divergence of the evaluation score of the board 9 with respect to the evaluation score of the board, and hereinafter referred to as “degree of divergence”) (step S31).

ムラ検査装置1では、評価点取得部211により求められた基板9上の膜92の評価点、平均評価点取得部214により求められた基板9上の膜92に関連づけられた平均評価点、および、工程検査部215により求められた基板9上の膜92の評価点の乖離度がデータ出力部204に送られ、データ出力部204によりディスプレイ25にグラフにて表示される(ステップS32)。   In the unevenness inspection apparatus 1, the evaluation score of the film 92 on the substrate 9 obtained by the evaluation score acquisition unit 211, the average evaluation score associated with the film 92 on the substrate 9 obtained by the average evaluation score acquisition unit 214, and The deviation degree of the evaluation point of the film 92 on the substrate 9 obtained by the process inspection unit 215 is sent to the data output unit 204 and displayed on the display 25 as a graph by the data output unit 204 (step S32).

図7は、基板上の膜の評価点、平均評価点および乖離度を示すグラフであり、横軸は、連続して検査された複数の基板9をそれぞれ識別するための識別番号である。図7に示すように、ディスプレイ25では、基板9よりも前に連続して検査された複数の基板のそれぞれの膜の評価点、当該複数の基板のそれぞれに関連づけられた平均評価点および乖離度が、棒グラフ、破線にて示される折れ線グラフ、および、実線にて示される折れ線グラフとしてそれぞれ表示されている。   FIG. 7 is a graph showing the evaluation points, average evaluation points, and divergence of the film on the substrate, and the horizontal axis is an identification number for identifying each of the plurality of substrates 9 inspected continuously. As shown in FIG. 7, in the display 25, the evaluation points of the films of the plurality of substrates inspected continuously before the substrate 9, the average evaluation points and the divergence degrees associated with the plurality of substrates, respectively. Are respectively displayed as a bar graph, a line graph indicated by a broken line, and a line graph indicated by a solid line.

図7に示すように、基板9上の膜92の評価点の乖離度は、膜92の評価点が、それ以前の複数の基板の膜の評価点にほぼ等しい場合、換言すれば、連続して取得される評価点の変動がほとんど無く安定している場合、「1」に近づき、逆に、それ以前の複数の基板の膜の評価点から離れた値となっている場合、「1」から離れる。以下の説明では、膜92の評価点の乖離度が「1−m」以上「1+n」以下である場合に、評価点が安定域にあるものとする。ここで、「m」および「n」は、連続して取得される複数の基板における評価点の安定性の範囲を示す閾値であり、本実施の形態では、双方共に「0.5」とされる。すなわち、本実施の形態では、乖離度が0.5以上1.5以下である場合、評価点が安定域にあるとみなされる。   As shown in FIG. 7, when the evaluation score of the film 92 on the substrate 9 is substantially equal to the evaluation score of the films of the plurality of substrates before that, in other words, the evaluation score of the film 92 on the substrate 9 is continuous. In the case where the evaluation point obtained is stable with almost no fluctuation, the value approaches “1”, and conversely, if the value is far from the evaluation points of the films of the plurality of previous substrates, “1”. Get away from. In the following description, it is assumed that the evaluation point is in the stable range when the deviation degree of the evaluation point of the film 92 is “1−m” or more and “1 + n” or less. Here, “m” and “n” are threshold values indicating the range of stability of evaluation points in a plurality of substrates obtained in succession, and both are set to “0.5” in the present embodiment. The That is, in this embodiment, when the degree of divergence is 0.5 or more and 1.5 or less, the evaluation point is regarded as being in the stable range.

図7に示すグラフが表示されると、工程検査部215により、基板9の評価点および乖離度に基づいて膜形成装置3等による膜形成工程の検査が行われ、膜形成工程に異常が発生している場合には、当該工程異常が検出される(ステップS33)。具体的には、基板9上の膜92の評価点が上述の評価点閾値よりも大きく(すなわち、ステップS27における膜検査部213による検査により、基板9上の膜92に膜厚ムラに係る欠陥が存在すると判定されており)、かつ、膜92の評価点の乖離度が安定域にある場合に、工程検査部215により、膜形成工程に(継続的な)異常が発生している(すなわち、工程不良が発生している)と判定される。   When the graph shown in FIG. 7 is displayed, the process inspecting unit 215 inspects the film forming process by the film forming apparatus 3 or the like based on the evaluation score and the divergence degree of the substrate 9, and an abnormality occurs in the film forming process. If so, the process abnormality is detected (step S33). Specifically, the evaluation score of the film 92 on the substrate 9 is larger than the above-described evaluation score threshold (that is, a defect related to film thickness unevenness in the film 92 on the substrate 9 by the inspection by the film inspection unit 213 in step S27). And the deviation of the evaluation points of the film 92 is in a stable range, the process inspection unit 215 has caused a (continuous) abnormality in the film formation process (that is, It is determined that a process failure has occurred.

本実施の形態では、図7に示すように、識別番号「21」の基板において、評価点が約90となっており、予め設定されている評価点閾値(本実施の形態では、30)よりも大きいため、膜検査部213により基板上の膜に膜厚ムラに係る欠陥が存在すると判定される。このとき、乖離度は約4であり、安定域(0.5以上1.5以下)には存在しないため、工程検査部215により膜形成工程に異常が発生しているとは判定されない。また、図7に示す識別番号「22」〜「25」の基板においても同様に、膜厚ムラに係る欠陥は存在すると判定されるが、膜形成工程に異常が発生しているとは判定されない。   In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the evaluation score is about 90 on the board with the identification number “21”, and is based on a preset evaluation score threshold (30 in the present embodiment). Therefore, the film inspection unit 213 determines that there is a defect related to film thickness unevenness in the film on the substrate. At this time, the degree of divergence is about 4 and does not exist in the stable region (0.5 or more and 1.5 or less), and therefore, it is not determined by the process inspection unit 215 that an abnormality has occurred in the film forming process. Similarly, it is determined that there is a defect related to the film thickness unevenness in the substrates having the identification numbers “22” to “25” illustrated in FIG. 7, but it is not determined that an abnormality has occurred in the film forming process. .

本実施の形態では、図7に示す識別番号「26」の基板において、膜の評価点が評価点閾値よりも大きく、かつ、評価点の乖離度が安定域に存在するため、工程検査部215により膜形成工程に異常が発生していると判定される。そして、工程検査部215により、膜形成工程において異常が検出された旨の警報が膜形成システム100の操作者等に連絡され、膜形成システム100の膜形成装置3等の調整やメンテナンスが行われる。   In the present embodiment, in the substrate with the identification number “26” shown in FIG. 7, the evaluation point of the film is larger than the evaluation point threshold value, and the deviation degree of the evaluation point exists in the stable range. Therefore, it is determined that an abnormality has occurred in the film forming process. Then, a warning that an abnormality has been detected in the film forming process is notified to the operator of the film forming system 100 by the process inspection unit 215, and adjustment and maintenance of the film forming apparatus 3 and the like of the film forming system 100 are performed. .

膜形成システム100の調整等は、膜形成工程の異常検出の直後に膜形成システム100が停止されて行われてもよく、所定枚数の基板(例えば、1つのカセットに収容された複数の基板)に対する膜形成の終了後に行われてもよい。本実施の形態では、図7に示す識別番号「40」の基板に対する膜形成の終了後、膜形成システム100の調整等が行われ、識別番号「41」以降の基板上に形成された膜の評価点が評価点閾値以下の正常範囲となる。このとき、評価点の乖離度は、識別番号「41」〜「48」の基板において安定域の下限よりも小さくなり、識別番号「49」の基板において安定域に戻る。ムラ検査装置1では、評価点が評価点閾値以下となり、かつ、評価点の乖離度が安定域に戻ったことにより、膜形成システム100における膜形成工程が、正常範囲において安定して行われていることが確認される。   Adjustment or the like of the film forming system 100 may be performed with the film forming system 100 stopped immediately after detection of an abnormality in the film forming process, and a predetermined number of substrates (for example, a plurality of substrates housed in one cassette). It may be performed after the film formation for the film ends. In the present embodiment, after the film formation on the substrate with the identification number “40” shown in FIG. 7 is completed, the film formation system 100 is adjusted, and the film formed on the substrate with the identification number “41” or later is adjusted. The evaluation score is a normal range below the evaluation score threshold. At this time, the divergence degree of the evaluation points is smaller than the lower limit of the stable range in the substrates having the identification numbers “41” to “48”, and returns to the stable region in the substrate having the identification number “49”. In the unevenness inspection apparatus 1, the film formation process in the film formation system 100 is stably performed in the normal range because the evaluation point is equal to or lower than the evaluation point threshold value and the deviation degree of the evaluation point returns to the stable range. It is confirmed that

以上に説明したように、ムラ検査装置1では、複数の基板上の膜の評価点が検査部200の評価点取得部211により順次求められるとともに、これら複数の評価点が評価点記憶部212に順次記憶される。また、各基板の膜の評価点が求められる毎に、平均評価点取得部214により各基板以前の所定数の基板上の膜に係る平均評価点が求められ、当該平均評価点が当該各基板の膜に関連づけられて評価点記憶部212に記憶されるとともに、評価点と平均評価点とに基づいて評価点の乖離度が求められる。ムラ検査装置1の膜検査部213では、基板の膜の評価点に基づいて膜の検査が行われ、膜厚ムラに係る欠陥が検出される。また、工程検査部215では、当該評価点と評価点の乖離度に基づいて膜形成工程の検査が行われ、膜形成工程の異常が検出される。   As described above, in the unevenness inspection apparatus 1, the evaluation points of the films on the plurality of substrates are sequentially obtained by the evaluation point acquisition unit 211 of the inspection unit 200, and the plurality of evaluation points are stored in the evaluation point storage unit 212. Stored sequentially. Each time the evaluation score of the film of each substrate is obtained, the average evaluation score acquisition unit 214 obtains the average evaluation score relating to the film on the predetermined number of substrates before each substrate, and the average evaluation score is determined for each substrate. The score is stored in the score storage unit 212 in association with the film, and the degree of divergence between the score is obtained based on the score and the average score. In the film inspection unit 213 of the unevenness inspection apparatus 1, the film is inspected based on the evaluation point of the film on the substrate, and a defect related to the film thickness unevenness is detected. Further, the process inspection unit 215 performs an inspection of the film formation process based on the degree of deviation between the evaluation point and the evaluation point, and detects an abnormality in the film formation process.

仮に、膜の評価点の乖離度を利用せずに膜の評価点のみから膜形成工程の検査を行うものとすると、図8に示すグラフがディスプレイに表示された場合、膜の評価点が評価点閾値よりも大きくなった基板(すなわち、識別番号「104」「111」「121」「122」等の基板)が出現する毎に、膜形成工程に異常が発生していると判定されてしまう。しかしながら、図8に示すように、上記基板における評価点の増大は、その基板以降の基板において連続して現れてはいないため、実際には、評価点の増大は、基板に対する異物の付着等の突発的な異常によるものであり、膜形成工程の調整やメンテナンスを要するものではない可能性が高い。したがって、仮に膜の評価点のみから膜形成工程の検査を行うとすると、不必要な膜形成工程の調整等が行われることとなり、膜形成システムの生産性が低下してしまう。   Assuming that the film forming process is inspected only from the film evaluation points without using the degree of deviation of the film evaluation points, when the graph shown in FIG. 8 is displayed on the display, the film evaluation points are evaluated. Every time a substrate larger than the point threshold value (ie, a substrate having identification numbers “104”, “111”, “121”, “122”, etc.) appears, it is determined that an abnormality has occurred in the film forming process. . However, as shown in FIG. 8, the increase in evaluation points on the substrate does not appear continuously in the substrates subsequent to that substrate. There is a high possibility that it is due to a sudden abnormality and does not require adjustment or maintenance of the film formation process. Therefore, if the film forming process is inspected only from the film evaluation points, unnecessary adjustment of the film forming process is performed, and the productivity of the film forming system is reduced.

これに対し、ムラ検査装置1では、基板上の膜の評価点に基づいて当該膜の検査が行われ、さらに、膜の評価点および乖離度に基づいて膜形成工程の検査が行われることにより、一の基板において膜厚ムラに係る欠陥が検出された場合であっても、当該欠陥が、連続する基板上の膜において継続的に検出されない場合(図8参照)には、実際には発生していない膜形成工程の異常が誤って検出されることはない。すなわち、ムラ検査装置1では、一の基板において膜厚ムラに係る欠陥が検出された際に、膜形成工程と膜厚ムラとの因果関係の判断を容易かつ適切に行うことができる。このように、膜形成工程と膜厚ムラとの因果関係の判断を容易かつ適切に行うことができるムラ検査装置1は、複数の基板上に連続的に膜を形成する膜形成システム100に特に適しており、ムラ検査装置1が膜形成システム100に設けられることにより、膜形成工程において異常が発生した場合、当該異常に迅速に対応することができる。   On the other hand, in the unevenness inspection apparatus 1, the film is inspected based on the evaluation point of the film on the substrate, and further, the inspection of the film forming process is performed based on the evaluation point of the film and the degree of deviation. Even if a defect related to film thickness unevenness is detected in one substrate, if the defect is not continuously detected in a film on a continuous substrate (see FIG. 8), this actually occurs. Abnormalities in the film forming process that are not performed are not erroneously detected. That is, the unevenness inspection apparatus 1 can easily and appropriately determine the causal relationship between the film formation process and the film thickness unevenness when a defect related to the film thickness unevenness is detected on one substrate. As described above, the unevenness inspection apparatus 1 that can easily and appropriately determine the causal relationship between the film formation step and the film thickness unevenness is particularly applicable to the film formation system 100 that continuously forms films on a plurality of substrates. Since the unevenness inspection apparatus 1 is provided in the film forming system 100, when an abnormality occurs in the film forming process, the abnormality can be quickly dealt with.

また、ムラ検査装置1では、工程検査部215により膜形成工程の検査を行うことにより、膜形成工程の異常を自動的に検出することができる。さらに、膜の評価点と評価点の乖離度に基づいて膜形成工程の検査を行うことにより、膜形成工程の異常を容易に検出することができる。   In the unevenness inspection apparatus 1, an abnormality in the film formation process can be automatically detected by inspecting the film formation process by the process inspection unit 215. Furthermore, an abnormality in the film forming process can be easily detected by inspecting the film forming process based on the degree of deviation between the evaluation score of the film and the evaluation score.

ムラ検査装置1では、各基板の膜の評価点が求められる毎に、各基板以前の所定数の基板上の膜に係る平均評価点、および、当該平均評価点に対する各基板上の膜の評価点の割合である乖離度が求められ、各基板上の膜に関連づけられて記憶される。その結果、操作者等が、評価点、平均評価点および乖離度の変動に係る情報を容易に取得することができ、膜形成工程の状態を容易に把握することができる。また、連続して検査された複数の基板上のそれぞれの膜の評価点、平均評価点および乖離度が、ディスプレイ25にグラフにて表示されることにより、膜形成工程の状態をより容易に把握することができる。   In the unevenness inspection apparatus 1, each time an evaluation score of a film on each substrate is obtained, an average evaluation point relating to a film on a predetermined number of substrates before each substrate, and an evaluation of the film on each substrate with respect to the average evaluation point The degree of divergence, which is the ratio of points, is obtained and stored in association with the film on each substrate. As a result, an operator or the like can easily obtain information related to the evaluation point, the average evaluation point, and the deviation degree, and can easily grasp the state of the film formation process. In addition, the evaluation points, average evaluation points, and divergence of each film on a plurality of substrates that have been inspected continuously are displayed on the display 25 as a graph, so that the state of the film formation process can be grasped more easily. can do.

ムラ検査装置1の評価点取得部211では、各膜厚ムラの部分評価点に膜厚ムラの種類により異なる評価係数を乗じたものの合計が、基板上の膜の評価点として求められる。評価点取得部211では、評価係数を適切に設定することにより、膜の良否判定における膜厚ムラの種類による影響を、評価点に適切に反映させることができる。   In the evaluation point acquisition unit 211 of the unevenness inspection apparatus 1, the sum of the partial evaluation points of each film thickness unevenness multiplied by an evaluation coefficient that differs depending on the type of film thickness unevenness is obtained as the evaluation score of the film on the substrate. In the evaluation point acquisition unit 211, by appropriately setting the evaluation coefficient, the influence of the type of film thickness unevenness in the film quality determination can be appropriately reflected in the evaluation point.

ムラ検査装置1の検査部200では、基板上の膜の評価点の乖離度は必ずしも求められる必要はなく、評価点取得部211により求められた一の基板上の膜の評価点と、平均評価点取得部214により求められた当該一の基板以前の所定数の基板上の膜に係る平均評価点とに基づいて、工程検査部215により膜形成工程の異常が検出されてもよい。この場合、工程検査部215では、膜の評価点が評価点閾値よりも大きく、かつ、平均評価点が平均評価点閾値(例えば、「50」)よりも大きい場合に、複数の基板上の膜において膜厚ムラに係る欠陥が連続して発生していると判定される。このように、工程検査部215では、膜の評価点および平均評価点に基づいても、膜形成工程の異常を自動的に検出することができる。なお、基板上の膜の評価点と評価点の乖離度とに基づく膜形成工程の異常検出は、膜の評価点と平均評価点とに基づく膜形成工程の異常検出の一種と捉えることができる。   The inspection unit 200 of the unevenness inspection apparatus 1 does not necessarily require the degree of divergence between the evaluation points of the film on the substrate. The evaluation point of the film on one substrate obtained by the evaluation point acquisition unit 211 and the average evaluation are obtained. Based on the average evaluation points relating to the films on the predetermined number of substrates before the one substrate obtained by the point acquisition unit 214, the process inspection unit 215 may detect an abnormality in the film forming process. In this case, in the process inspection unit 215, when the evaluation score of the film is larger than the evaluation score threshold value and the average evaluation score is larger than the average evaluation score threshold value (for example, “50”), the films on the plurality of substrates. It is determined that defects related to film thickness unevenness occur continuously. As described above, the process inspection unit 215 can automatically detect an abnormality in the film forming process even based on the evaluation score and the average evaluation score of the film. It should be noted that the abnormality detection of the film formation process based on the evaluation point of the film on the substrate and the degree of deviation between the evaluation points can be regarded as a kind of abnormality detection of the film formation process based on the evaluation point of the film and the average evaluation point. .

検査部200では、また、必ずしも連続して検査される複数の基板上のそれぞれの膜に対して平均評価点が求められる必要はなく、少なくとも、一の基板について膜検査部213にて膜厚ムラに係る欠陥が存在すると判定された際に(すなわち、当該一の基板の膜の評価点が評価点閾値よりも大きいという膜形成工程における異常検出の条件の1つが満足された場合に)、当該欠陥が存在する基板以前に連続して求められた所定数の基板上の膜に係る平均評価点が求められてもよい。この場合であっても、膜厚ムラの欠陥が検出された際に、膜形成工程と膜厚ムラとの因果関係の判断を容易かつ適切に行うことができ、膜形成工程の異常に迅速に対応することができる。   In the inspection unit 200, it is not always necessary to obtain an average evaluation score for each film on a plurality of substrates to be inspected continuously, and at least one substrate has a film thickness unevenness in the film inspection unit 213. (I.e., when one of the conditions for detecting an abnormality in the film forming process in which the evaluation score of the film of the one substrate is larger than the evaluation score threshold is satisfied) An average evaluation score relating to a predetermined number of films on the substrate obtained continuously before the substrate having the defect may be obtained. Even in this case, when a defect in the film thickness unevenness is detected, the causal relationship between the film forming process and the film thickness unevenness can be easily and appropriately determined, and the abnormality in the film forming process can be quickly performed. Can respond.

ムラ検査装置1では、膜形成システム100の操作者等により膜形成工程の状態の時系列的な変化が把握される必要がない場合には、各基板上の膜の評価点、並びに、当該膜に関連づけられた平均評価点および乖離度は、必ずしもディスプレイ25に表示される必要はない。この場合、検査部200からデータ出力部204が省略される。   In the unevenness inspection apparatus 1, when it is not necessary for the operator of the film forming system 100 to grasp a time-series change in the state of the film forming process, the evaluation points of the film on each substrate, and the film The average evaluation score and the degree of divergence associated with are not necessarily displayed on the display 25. In this case, the data output unit 204 is omitted from the inspection unit 200.

逆に、ムラ検査装置1では、検査部200から工程検査部215が省略されてもよく、ディスプレイ25に表示された基板上の膜の評価点、平均評価点および乖離度のグラフに基づいて(あるいは、評価点記憶部212に記憶された評価点および平均評価点の出力に基づいて)、操作者等により膜形成工程の検査が行われ、膜形成工程の異常が検出される。なお、この場合、上記乖離度は、検査部200に工程検査部215に代えて設けられた乖離度演算部により求められる。   On the contrary, in the unevenness inspection apparatus 1, the process inspection unit 215 may be omitted from the inspection unit 200, and based on the graph of the evaluation point of the film on the substrate, the average evaluation point, and the divergence degree displayed on the display 25 ( Alternatively, based on the output of the evaluation score and the average evaluation score stored in the evaluation score storage unit 212, an operator or the like performs an inspection of the film formation process and detects an abnormality in the film formation process. In this case, the divergence degree is obtained by a divergence degree calculation unit provided in the inspection unit 200 in place of the process inspection unit 215.

次に、本発明の第2の実施の形態に係るムラ検査装置について説明する。第2の実施の形態に係るムラ検査装置の構成は、図2に示すムラ検査装置1と同様であり、以下の説明において同符号を付す。図9は、第2の実施の形態に係るムラ検査装置のコンピュータ2(図2参照)により実現される検査部200aの機能構成を示すブロック図である。図9に示すように、検査部200aは、図5に示す検査部200と同様の構成に加え、基板評価点取得部221、基板評価点記憶部222、基板検査部223、平均基板評価点取得部224、および、もう1つの工程検査部225(以下、工程検査部215と区別するために、工程検査部215を「第1工程検査部215」と呼び、工程検査部225を「第2工程検査部225」と呼ぶ。)をさらに備える。   Next, an unevenness inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described. The configuration of the unevenness inspection apparatus according to the second embodiment is the same as that of the unevenness inspection apparatus 1 shown in FIG. 2, and the same reference numerals are given in the following description. FIG. 9 is a block diagram illustrating a functional configuration of the inspection unit 200a realized by the computer 2 (see FIG. 2) of the unevenness inspection apparatus according to the second embodiment. As shown in FIG. 9, in addition to the same configuration as the inspection unit 200 shown in FIG. 5, the inspection unit 200a has a substrate evaluation point acquisition unit 221, a substrate evaluation point storage unit 222, a substrate inspection unit 223, and an average substrate evaluation point acquisition. Unit 224 and another process inspection unit 225 (hereinafter, the process inspection unit 215 is referred to as a “first process inspection unit 215” to distinguish it from the process inspection unit 215, and the process inspection unit 225 is referred to as a “second process”. It is further called an inspection unit 225 ”.

図10は、第2の実施の形態に係るムラ検査装置により検査される基板9aの平面図である。図10に示すように、基板9aの上面91には、それぞれが表示装置のパネル上の表示領域に対応する複数(本実施の形態では、16個)の矩形状の膜92aが、互いに離間して縦横に配列された複数の領域に形成されている。基板9aは複数の膜92aの間隙において切断されて複数のパネルとされる(すなわち、多面取りされる)予定のものである。   FIG. 10 is a plan view of the substrate 9a to be inspected by the unevenness inspection apparatus according to the second embodiment. As shown in FIG. 10, on the upper surface 91 of the substrate 9a, a plurality (16 in this embodiment) of rectangular films 92a each corresponding to a display area on the panel of the display device are separated from each other. Are formed in a plurality of regions arranged vertically and horizontally. The substrate 9a is to be cut into gaps between the plurality of films 92a to form a plurality of panels (that is, multi-faced).

図11は、第2の実施の形態に係るムラ検査装置による基板9aに対する検査の流れの一部を示す図である。図11に示すステップS41よりも前の検査の流れは、図6.Aないし図6.Cに示すS11〜S33とほぼ同様であるため、図6.Aないし図6.Cを参照して説明する。   FIG. 11 is a diagram showing a part of the inspection flow for the substrate 9a by the unevenness inspection apparatus according to the second embodiment. The flow of the inspection prior to step S41 shown in FIG. A thru | or FIG. Since it is almost the same as S11 to S33 shown in FIG. A thru | or FIG. A description will be given with reference to FIG.

第2の実施の形態に係るムラ検査装置により基板9aが検査される際には、まず、基板9aが検査開始位置から検査終了位置まで移動する間、基板9aの上面91に線状光が照射され、上面91における反射後の光がラインセンサ141(図2参照)により受光されて反射光の強度分布が取得された後、ラインセンサ141からの出力がコンピュータ2(図2参照)へと送られて図9に示す検査部200aの出力受付部201にて受け付けられる(ステップS11〜S17)。   When the substrate 9a is inspected by the unevenness inspection apparatus according to the second embodiment, first, linear light is irradiated to the upper surface 91 of the substrate 9a while the substrate 9a moves from the inspection start position to the inspection end position. After the light reflected on the upper surface 91 is received by the line sensor 141 (see FIG. 2) and the intensity distribution of the reflected light is acquired, the output from the line sensor 141 is sent to the computer 2 (see FIG. 2). And is received by the output receiving unit 201 of the inspection unit 200a shown in FIG. 9 (steps S11 to S17).

検査部200aでは、出力受付部201において基板9aの上面91全体の元画像が生成され、対象画像生成部202において元画像に対する上述の所定の処理が行われて対象画像が生成される(ステップS21,S22)。続いて、ムラ検出部203により、基板9a上の複数の膜92aの筋ムラ、部分ムラおよび点ムラがそれぞれ検出され、評価点取得部211により、複数の膜92aのそれぞれに対して評価点が求められて評価点記憶部212に記憶される(ステップS23〜S26)。膜検査部213では、各膜92aの評価点に基づいて基板9a上の各膜92aの検査が行われる(ステップS27)。   In the inspection unit 200a, the output reception unit 201 generates an original image of the entire upper surface 91 of the substrate 9a, and the target image generation unit 202 performs the above-described predetermined processing on the original image to generate a target image (step S21). , S22). Subsequently, the unevenness detection unit 203 detects streak unevenness, partial unevenness, and point unevenness of the plurality of films 92a on the substrate 9a, and the evaluation point acquisition unit 211 sets evaluation points for each of the plurality of films 92a. It is obtained and stored in the evaluation score storage unit 212 (steps S23 to S26). In the film inspection unit 213, each film 92a on the substrate 9a is inspected based on the evaluation point of each film 92a (step S27).

次に、平均評価点取得部214により、基板9a上の複数の膜92a(が形成された複数の領域)のそれぞれに対して、当該基板9a以前に検査された複数の基板(本実施の形態では、当該基板9aを含めて連続的に検査された10枚の基板)上の互いに対応する領域に形成された複数の膜92aの評価点から平均評価点が求められる(ステップS28)。平均評価点は、当該基板9a上の各膜92aに関連づけて評価点記憶部212に記憶される(ステップS29)。   Next, a plurality of substrates (this embodiment) inspected before the substrate 9a by the average evaluation point acquisition unit 214 for each of the plurality of films 92a (a plurality of regions in which the film is formed) on the substrate 9a. Then, an average evaluation point is obtained from evaluation points of a plurality of films 92a formed in regions corresponding to each other on 10 substrates continuously inspected including the substrate 9a (step S28). The average evaluation score is stored in the evaluation score storage unit 212 in association with each film 92a on the substrate 9a (step S29).

検査部200aでは、第1工程検査部215により、基板9a上の各膜92aに関連づけられた平均評価点に対する各膜92aの評価点の割合である乖離度が求められる(ステップS31)。そして、各膜92aの評価点、並びに、各膜92aに関連づけられた平均評価点および乖離度が、データ出力部204によりディスプレイ25(図4参照)にグラフにて表示される(ステップS32)。ディスプレイ25では、各膜92aに係る図7と同形式のグラフが、一の基板9a上の膜92aの個数(本実施の形態では16個)に等しい個数だけ表示されることとなる。なお、16個のグラフは、画面の切替により、1個だけ、または、複数同時にディスプレイ25に表示されてよい。   In the inspection unit 200a, the first process inspection unit 215 obtains a divergence degree that is a ratio of the evaluation score of each film 92a to the average evaluation score associated with each film 92a on the substrate 9a (step S31). Then, the evaluation score of each film 92a, and the average evaluation score and the degree of divergence associated with each film 92a are displayed in a graph on the display 25 (see FIG. 4) by the data output unit 204 (step S32). On the display 25, a graph of the same format as that of FIG. 7 relating to each film 92a is displayed by the number equal to the number of films 92a on one substrate 9a (16 in the present embodiment). Note that the 16 graphs may be displayed on the display 25 by only one or a plurality of graphs simultaneously by switching the screen.

基板9a上の各膜92aに係るグラフが表示されると、第1工程検査部215により、基板9a上の各膜92aの評価点および乖離度に基づいて膜形成装置3等(図1参照)による膜形成工程の検査が行われ、膜形成工程に異常が発生している場合には、当該工程異常が検出される(ステップS33)。   When the graph relating to each film 92a on the substrate 9a is displayed, the first process inspection unit 215 performs film forming apparatus 3 and the like based on the evaluation score and the degree of divergence of each film 92a on the substrate 9a (see FIG. 1). When the film forming process is inspected by the above process and an abnormality has occurred in the film forming process, the process abnormality is detected (step S33).

第2の実施の形態に係るムラ検査装置では、一の基板9a上の複数の膜92aに対して評価点取得部211により求められた複数の評価点が、検査部200aの基板評価点取得部221により合計されることにより、当該一の基板9aの評価点である基板評価点が求められる(ステップS41)。   In the unevenness inspection apparatus according to the second embodiment, the plurality of evaluation points obtained by the evaluation point acquisition unit 211 for the plurality of films 92a on one substrate 9a are the substrate evaluation point acquisition unit of the inspection unit 200a. By summing up by 221, a board evaluation point that is an evaluation point of the one board 9 a is obtained (step S 41).

基板9aの基板評価点が求められると、当該基板評価点が検査部200aの基板評価点記憶部222に記憶されるとともに(ステップS42)、基板検査部223により、基板評価点に基づいて基板9aの検査が行われる(ステップS43)。具体的には、膜検査部213による膜92aの検査と同様に、基板9aの基板評価点が、基板検査部223において予め設定されている基板評価点閾値と比較され、基板評価点が基板評価点閾値よりも大きい場合に、基板9aに膜厚ムラに係る欠陥が存在する(すなわち、基板9a上の複数の膜92aが全体として不良である)と判定される。また、基板9aの基板評価点が基板評価点閾値以下である場合には、基板9a上の複数の膜92aの膜厚ムラの程度が全体として許容範囲内であると判定される。   When the substrate evaluation point of the substrate 9a is obtained, the substrate evaluation point is stored in the substrate evaluation point storage unit 222 of the inspection unit 200a (step S42), and the substrate inspection unit 223 makes the substrate 9a based on the substrate evaluation point. Is inspected (step S43). Specifically, similarly to the inspection of the film 92a by the film inspection unit 213, the substrate evaluation point of the substrate 9a is compared with a substrate evaluation point threshold set in advance in the substrate inspection unit 223, and the substrate evaluation point is determined as the substrate evaluation. When it is larger than the point threshold value, it is determined that there is a defect related to film thickness unevenness in the substrate 9a (that is, the plurality of films 92a on the substrate 9a are defective as a whole). When the substrate evaluation point of the substrate 9a is equal to or less than the substrate evaluation point threshold value, it is determined that the degree of film thickness unevenness of the plurality of films 92a on the substrate 9a is within the allowable range as a whole.

続いて、平均基板評価点取得部224により、基板評価点記憶部222に蓄積されている当該基板9a以前の所定数の基板(本実施の形態では、当該基板9aを含めて連続的に検査された10枚の基板)の基板評価点の平均値(以下、「平均基板評価点」という。)が求められる(ステップS44)。求められた平均基板評価点は、当該基板9aに関連づけて基板評価点記憶部222に記憶される(ステップS45)。   Subsequently, the average substrate evaluation point acquisition unit 224 continuously inspects a predetermined number of substrates before the substrate 9a accumulated in the substrate evaluation point storage unit 222 (in this embodiment, including the substrate 9a). Further, the average value of the substrate evaluation points (hereinafter referred to as “average substrate evaluation points”) of 10 substrates is obtained (step S44). The obtained average substrate evaluation score is stored in the substrate evaluation score storage unit 222 in association with the substrate 9a (step S45).

次に、第2工程検査部225により、基板9aに関連づけられた平均基板評価点に対する当該基板9aの基板評価点の割合(すなわち、基板9a以前に連続して検査された複数枚の基板に係る基板評価点に対する当該基板9aの評価点の乖離の程度を示す値であり、以下、「基板乖離度」という。)が求められる(ステップS46)。   Next, the ratio of the substrate evaluation point of the substrate 9a to the average substrate evaluation point associated with the substrate 9a by the second process inspection unit 225 (that is, a plurality of substrates inspected continuously before the substrate 9a) This is a value indicating the degree of deviation of the evaluation point of the board 9a from the board evaluation point, and is hereinafter referred to as “substrate deviation degree”) (step S46).

第2の実施の形態に係るムラ検査装置では、基板評価点取得部221により求められた基板9aの基板評価点、平均基板評価点取得部224により求められた基板9aに関連づけられた平均基板評価点、および、第2工程検査部225により求められた基板9aの基板乖離度がデータ出力部204に送られ、データ出力部204によりディスプレイ25(図4参照)に図7に示すグラフと同形式のグラフにて表示される(ステップS47)。   In the unevenness inspection apparatus according to the second embodiment, the substrate evaluation point of the substrate 9a obtained by the substrate evaluation point acquisition unit 221 and the average substrate evaluation associated with the substrate 9a obtained by the average substrate evaluation point acquisition unit 224. The point and the substrate deviation degree of the substrate 9a obtained by the second process inspection unit 225 are sent to the data output unit 204, and the data output unit 204 displays the same format as the graph shown in FIG. 7 on the display 25 (see FIG. 4). (Step S47).

グラフが表示されると、第2工程検査部225により、基板9aの基板評価点および基板乖離度に基づいて膜形成装置3等(図1参照)による膜形成工程の検査が行われ、膜形成工程に異常が発生している場合には、当該工程異常が検出される(ステップS48)。具体的には、基板9aの基板評価点が上述の基板評価点閾値よりも大きく(すなわち、ステップS43における基板検査部223による検査により基板9aに膜厚ムラに係る欠陥が存在すると判定されており)、かつ、基板9aの基板乖離度が安定域にある場合に、第2工程検査部225により、膜形成工程に異常が発生している(すなわち、工程不良が発生している)と判定される。   When the graph is displayed, the second process inspection unit 225 inspects the film formation process by the film forming apparatus 3 or the like (see FIG. 1) based on the substrate evaluation point and the substrate divergence degree of the substrate 9a. If an abnormality has occurred in the process, the process abnormality is detected (step S48). Specifically, the substrate evaluation point of the substrate 9a is larger than the above-described substrate evaluation point threshold value (that is, it is determined by the inspection by the substrate inspection unit 223 in step S43 that the substrate 9a has a defect related to film thickness unevenness. ) And the substrate deviation degree of the substrate 9a is in a stable range, the second process inspection unit 225 determines that an abnormality has occurred in the film formation process (that is, a process failure has occurred). The

以上に説明したように、第2の実施の形態に係るムラ検査装置では、複数の基板が連続的に検査され、各基板上の複数の膜のそれぞれに対して、第1の実施の形態と同様に、膜厚ムラの検査が行われるとともに各膜の評価点および乖離度に基づいて膜形成工程の検査が行われる。このとき、複数の基板の基板評価点が順次求められて記憶され、各基板の基板評価点が求められる毎に、各基板以前の所定数の基板に係る平均基板評価点、および、平均基板評価点に対する基板評価点の割合である基板乖離度が求められ、当該各基板に関連づけられて記憶される。   As described above, in the unevenness inspection apparatus according to the second embodiment, a plurality of substrates are continuously inspected, and each of the plurality of films on each substrate is compared with the first embodiment. Similarly, the film thickness unevenness is inspected, and the film forming process is inspected based on the evaluation point and the divergence degree of each film. At this time, substrate evaluation points for a plurality of substrates are sequentially obtained and stored, and each time a substrate evaluation point for each substrate is obtained, an average substrate evaluation point for a predetermined number of substrates before each substrate, and an average substrate evaluation The board deviation degree, which is the ratio of the board evaluation points to the points, is obtained and stored in association with each board.

第2の実施の形態に係るムラ検査装置では、膜検査部213により基板9a上の複数の膜92aの検査が行われ、基板検査部223により基板9aの検査が行われる。また、第1工程検査部215により、基板9a上の複数の膜92aの評価点と乖離度に基づいて膜形成工程の検査が行われ、さらに、第2工程検査部225により、基板9aの基板評価点および基板乖離度に基づいて膜形成工程の検査が行われる。   In the unevenness inspection apparatus according to the second embodiment, the film inspection unit 213 inspects the plurality of films 92a on the substrate 9a, and the substrate inspection unit 223 inspects the substrate 9a. In addition, the first process inspection unit 215 performs an inspection of the film formation process based on the evaluation points and the divergence degrees of the plurality of films 92a on the substrate 9a, and further, the second process inspection unit 225 further performs the substrate 9a. The film forming process is inspected based on the evaluation point and the substrate deviation degree.

これにより、第1の実施の形態と同様に、一の基板において膜厚ムラに係る欠陥が検出された際に、膜形成工程と膜厚ムラとの因果関係の判断を容易かつ適切に行うことができ、第1工程検査部215および第2工程検査部225により膜形成工程の異常を自動的に検出することができる。   Thus, as in the first embodiment, when a defect related to film thickness unevenness is detected on one substrate, the causal relationship between the film forming process and film thickness unevenness can be easily and appropriately determined. The first process inspection unit 215 and the second process inspection unit 225 can automatically detect an abnormality in the film formation process.

第2の実施の形態に係るムラ検査装置では、特に、基板9a上の各膜92aの評価点等に基づいて膜形成工程の検査が行われ、さらに、基板9aの基板評価点等に基づいて膜形成工程の検査が行われるため、膜形成工程の異常をより確実に検出することができるとともに、膜形成工程の異常が検出された際に、基板9a上のいずれの膜92aの形成に係る箇所に異常が生じているかを容易に特定することができる。換言すれば、膜形成工程と膜厚ムラとの因果関係の判断を領域毎に容易かつ適切に行うことができる。   In the unevenness inspection apparatus according to the second embodiment, in particular, the film formation process is inspected based on the evaluation points of each film 92a on the substrate 9a, and further, based on the substrate evaluation points of the substrate 9a. Since the film formation process is inspected, the abnormality in the film formation process can be detected more reliably, and when an abnormality in the film formation process is detected, any film 92a on the substrate 9a is formed. It is possible to easily identify whether an abnormality has occurred at a location. In other words, the causal relationship between the film forming process and the film thickness unevenness can be easily and appropriately determined for each region.

当該ムラ検査装置では、各基板の基板評価点が求められる毎に、各基板に係る平均基板評価点および基板乖離度が求められ、各基板に関連づけられて記憶されるため、操作者等が膜形成工程の状態を容易に把握することができる。また、連続して検査された複数の基板の基板評価点、平均基板評価点および基板乖離度が、ディスプレイ25にグラフにて表示されることにより、膜形成工程の状態をより容易に把握することができる。   In the unevenness inspection apparatus, every time a substrate evaluation point of each substrate is obtained, an average substrate evaluation point and a substrate deviation degree related to each substrate are obtained and stored in association with each substrate. The state of the forming process can be easily grasped. In addition, it is possible to more easily grasp the state of the film forming process by displaying the substrate evaluation points, the average substrate evaluation points, and the substrate divergence degrees of a plurality of substrates inspected continuously in a graph on the display 25. Can do.

検査部200aでは、基板の基板乖離度は必ずしも求められる必要はなく、基板評価点取得部221により求められた一の基板の基板評価点と、平均基板評価点取得部224により求められた当該一の基板以前の所定数の基板に係る平均基板評価点とに基づいて、第2工程検査部225により膜形成工程の異常が検出されてもよい。この場合、第2工程検査部225では、基板評価点が基板評価点閾値よりも大きく、かつ、平均基板評価点が平均基板評価点閾値よりも大きい場合に、複数の基板において膜厚ムラに係る欠陥が連続して発生していると判定される。このように、第2工程検査部225では、基板評価点および平均基板評価点に基づいても、膜形成工程の異常を自動的に検出することができる。   In the inspection unit 200a, the substrate deviation degree of the substrate does not necessarily have to be obtained. The substrate evaluation point of one substrate obtained by the substrate evaluation point obtaining unit 221 and the one obtained by the average substrate evaluation point obtaining unit 224. The second process inspection unit 225 may detect an abnormality in the film forming process based on an average substrate evaluation score relating to a predetermined number of substrates before the substrate. In this case, in the second process inspection unit 225, when the substrate evaluation point is larger than the substrate evaluation point threshold value and the average substrate evaluation point is larger than the average substrate evaluation point threshold value, the second process inspection unit 225 relates to film thickness unevenness in a plurality of substrates. It is determined that defects are continuously generated. As described above, the second process inspection unit 225 can automatically detect an abnormality in the film forming process even based on the substrate evaluation point and the average substrate evaluation point.

検査部200aでは、また、必ずしも連続して検査される複数の基板に対して平均基板評価点が求められる必要はなく、少なくとも、一の基板について基板検査部223にて膜厚ムラに係る欠陥が存在すると判定された際に(すなわち、当該一の基板の基板評価点が基板評価点閾値よりも大きいという膜形成工程における異常検出の条件の1つが満足された場合に)、当該欠陥が存在する基板以前に連続して求められた所定数の基板に係る平均基板評価点が求められてもよい。この場合であっても、膜厚ムラの欠陥が検出された際に、膜形成工程と膜厚ムラとの因果関係の判断を容易かつ適切に行うことができ、膜形成工程の異常に迅速に対応することができる。さらには、膜形成工程の検査を基板全体として行うことができる。   In the inspection unit 200a, it is not always necessary to obtain an average substrate evaluation score for a plurality of substrates to be inspected continuously. At least one substrate has a defect related to film thickness unevenness in the substrate inspection unit 223. When it is determined that the defect exists (that is, when one of the abnormality detection conditions in the film forming process that the substrate evaluation point of the one substrate is larger than the substrate evaluation point threshold is satisfied), the defect exists. An average substrate evaluation score related to a predetermined number of substrates obtained continuously before the substrate may be obtained. Even in this case, when a defect in the film thickness unevenness is detected, the causal relationship between the film forming process and the film thickness unevenness can be easily and appropriately determined, and the abnormality in the film forming process can be quickly performed. Can respond. Furthermore, the inspection of the film forming process can be performed on the entire substrate.

第2の実施の形態に係るムラ検査装置では、膜形成システム100(図1参照)の操作者等により膜形成工程の状態の時系列的な変化が把握される必要がない場合には、各基板の基板評価点、平均基板評価点および基板乖離度は、必ずしもディスプレイ25に表示される必要はない。この場合、検査部200aのデータ出力部204による基板評価点等の表示は省略される。   In the unevenness inspection apparatus according to the second embodiment, when it is not necessary for the operator of the film forming system 100 (see FIG. 1) to grasp the time-series change in the state of the film forming process, The board evaluation point, the average board evaluation point, and the board deviation degree of the board are not necessarily displayed on the display 25. In this case, display of board evaluation points and the like by the data output unit 204 of the inspection unit 200a is omitted.

逆に、当該ムラ検査装置では、検査部200aから第2工程検査部225が省略され、ディスプレイ25に表示された基板評価点、平均基板評価点および基板乖離度のグラフに基づいて(あるいは、基板評価点記憶部222に記憶された基板評価点および平均基板評価点の出力に基づいて)、操作者等により膜形成工程の検査が行われてもよい。なお、この場合、上記基板乖離度は、検査部200aに第2工程検査部225に代えて設けられた基板乖離度演算部により求められる。   On the contrary, in the unevenness inspection apparatus, the second process inspection unit 225 is omitted from the inspection unit 200a, and based on the substrate evaluation points, average substrate evaluation points, and substrate deviation degree graphs displayed on the display 25 (or the substrate The film forming process may be inspected by an operator or the like (based on the output of the substrate evaluation points and the average substrate evaluation points stored in the evaluation point storage unit 222). In this case, the substrate deviation degree is obtained by a substrate deviation degree calculation unit provided in the inspection unit 200a instead of the second process inspection unit 225.

次に、本発明の第3の実施の形態に係るムラ検査装置について説明する。図12はムラ検査装置1aの構成を示す正面図である。図12に示すように、ムラ検査装置1aでは、基板9に向けて光を出射する光出射部13が、基板9の(−Z)側(すなわち、基板9の膜92が形成された上面91とは反対側)に配置される。また、ステージ12aは、基板9に対応する開口を有しており、光透過性を有する基板9を周囲から保持する。その他の構成は図2と同様であり、以下の説明において同符号を付す。   Next, an unevenness inspection apparatus according to the third embodiment of the present invention will be described. FIG. 12 is a front view showing the configuration of the unevenness inspection apparatus 1a. As shown in FIG. 12, in the unevenness inspection apparatus 1 a, the light emitting portion 13 that emits light toward the substrate 9 is the (−Z) side of the substrate 9 (that is, the upper surface 91 on which the film 92 of the substrate 9 is formed. On the opposite side). Moreover, the stage 12a has an opening corresponding to the substrate 9, and holds the substrate 9 having optical transparency from the periphery. Other configurations are the same as those in FIG. 2, and the same reference numerals are given in the following description.

光出射部13は、第1の実施の形態と同様に、白色光を出射するハロゲンランプ131、ステージ12aの移動方向に垂直な図12中のY方向に伸びる石英ロッド132およびシリンドリカルレンズ133を備える。ムラ検査装置1aでは、光出射部13から出射された線状光が、ステージ12aの開口を通過して基板9に(−Z)側から入射し、基板9および膜92を透過する。そして、膜92を透過した後の光が、波長帯切替機構15の光学フィルタ151を透過して選択波長帯の光に変換された後、受光部14のラインセンサ141により受光される。ムラ検査装置1aによる膜厚ムラの検査の流れは、当該検査が透過光により取得された画像に基づいて行われるという点を除いて、第1または第2の実施の形態と同様である。   As in the first embodiment, the light emitting unit 13 includes a halogen lamp 131 that emits white light, a quartz rod 132 that extends in the Y direction in FIG. 12 perpendicular to the moving direction of the stage 12a, and a cylindrical lens 133. . In the unevenness inspection apparatus 1a, the linear light emitted from the light emitting unit 13 passes through the opening of the stage 12a, enters the substrate 9 from the (−Z) side, and passes through the substrate 9 and the film 92. Then, the light that has passed through the film 92 passes through the optical filter 151 of the wavelength band switching mechanism 15 and is converted into light in the selected wavelength band, and is then received by the line sensor 141 of the light receiving unit 14. The flow of film thickness unevenness inspection by the unevenness inspection apparatus 1a is the same as that in the first or second embodiment except that the inspection is performed based on an image acquired by transmitted light.

ムラ検査装置1aでは、第1および第2の実施の形態と同様に、膜厚ムラに係る欠陥が検出された際に、膜形成工程と膜厚ムラとの因果関係の判断を容易かつ適切に行うことができ、膜形成工程において異常が発生した場合、当該異常に迅速に対応することができる。   In the unevenness inspection apparatus 1a, as in the first and second embodiments, when a defect related to the film thickness unevenness is detected, the causal relationship between the film forming process and the film thickness unevenness can be easily and appropriately determined. If an abnormality occurs in the film forming process, the abnormality can be quickly dealt with.

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。   As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, this invention is not limited to the said embodiment, A various change is possible.

上記実施の形態に係るムラ検査装置の評価点取得部211では、膜の評価点は、必ずしも膜の膜厚ムラの大きさ、濃度範囲および種類の全てに基づいて求められる必要はなく、膜厚ムラの大きさ、濃度範囲および種類の少なくともいずれか(例えば、膜厚ムラの大きさおよび濃度範囲のみ)に基づいて求められてもよい。   In the evaluation point acquisition unit 211 of the unevenness inspection apparatus according to the above embodiment, the film evaluation point does not necessarily have to be obtained based on all of the film thickness unevenness size, concentration range, and type. You may obtain | require based on at least any one of the magnitude | size, density | concentration range, and kind (for example, only the magnitude | size and density range of film thickness nonuniformity) of a nonuniformity.

第1の実施の形態に係るムラ検査装置1では、膜検査部213による膜の検査(ステップS27)は、必ずしも平均評価点取得部214による平均評価点の取得(ステップS28)よりも前に行われる必要はなく、例えば、工程検査部215による膜形成工程の検査(ステップS33)とおよそ並行して行われてもよい(第2および第3の実施の形態において同様)。   In the unevenness inspection apparatus 1 according to the first embodiment, the film inspection by the film inspection unit 213 (step S27) is not necessarily performed before the average evaluation point acquisition by the average evaluation point acquisition unit 214 (step S28). For example, it may be performed approximately in parallel with the inspection of the film formation process by the process inspection unit 215 (step S33) (the same applies to the second and third embodiments).

また、第2の実施の形態に係るムラ検査装置では、基板検査部223による基板の検査(ステップS43)が、第2工程検査部225による膜形成工程の検査(ステップS48)とおよそ並行して行われてもよい。さらには、第1工程検査部215による膜形成工程の検査(ステップS33)と第2工程検査部225による膜形成工程の検査(ステップS48)とがおよそ並行して行われてもよい。   In the unevenness inspection apparatus according to the second embodiment, the substrate inspection by the substrate inspection unit 223 (step S43) is substantially parallel to the film formation process inspection by the second process inspection unit 225 (step S48). It may be done. Furthermore, the inspection of the film formation process by the first process inspection unit 215 (step S33) and the inspection of the film formation process by the second process inspection unit 225 (step S48) may be performed approximately in parallel.

上記実施の形態に係るムラ検査装置では、ステージは、光出射部13および受光部14に対して相対的に移動すればよく、ステージが固定され、光出射部13および受光部14が、互いに固定された状態で移動されてもよい。   In the unevenness inspection apparatus according to the above embodiment, the stage only needs to move relative to the light emitting unit 13 and the light receiving unit 14, the stage is fixed, and the light emitting unit 13 and the light receiving unit 14 are fixed to each other. It may be moved in the state where it is done.

光出射部13では、石英ロッド132に代えて複数の光ファイバが直線状に配列されたファイバアレイが設けられ、ハロゲンランプ131からの光がファイバアレイを通過することにより線状光に変換されてもよい。また、ハロゲンランプ131および石英ロッド132に代えて、直線状に配列された複数の発光ダイオードが線状光を出射する光源として設けられてもよい。   In the light emitting unit 13, a fiber array in which a plurality of optical fibers are linearly arranged is provided in place of the quartz rod 132, and light from the halogen lamp 131 is converted into linear light by passing through the fiber array. Also good. Further, instead of the halogen lamp 131 and the quartz rod 132, a plurality of light emitting diodes arranged in a straight line may be provided as a light source for emitting linear light.

ムラ検査装置では、ハロゲンランプ131等の光源から出射される光に基板上に形成された膜に好ましくない影響を与える波長帯の光が含まれている場合、当該波長帯の光を透過しないフィルタ等が光源から基板に至る光路上に設けられる。また、基板上の膜が赤外線に対して透過性を有する場合、赤外線を出射する光源が光出射部13に設けられてもよい。   In the unevenness inspection apparatus, when light emitted from a light source such as a halogen lamp 131 includes light in a wavelength band that adversely affects a film formed on the substrate, a filter that does not transmit light in the wavelength band Etc. are provided on the optical path from the light source to the substrate. In addition, when the film on the substrate is transparent to infrared light, a light source that emits infrared light may be provided in the light emitting unit 13.

基板に対する光の入射角を上面91全体において一定とすることにより膜厚ムラの検出を簡素化するという観点からは、基板に対して相対的に移動するラインセンサ141により光出射部からの線状光の反射光(または、膜を透過した後の線状光)を受光することが好ましいが、基板の撮像時間を短縮する必要がある場合等には、ラインセンサ141に代えて2次元CCDセンサが受光部14に設けられてもよい。   From the viewpoint of simplifying the detection of film thickness unevenness by making the incident angle of light with respect to the substrate constant over the entire upper surface 91, the line sensor 141 that moves relative to the substrate causes a linear shape from the light emitting portion. It is preferable to receive reflected light (or linear light after passing through the film). However, when it is necessary to shorten the imaging time of the substrate, the two-dimensional CCD sensor is used instead of the line sensor 141. May be provided in the light receiving unit 14.

上記実施の形態に係るムラ検査装置は、レジスト膜以外の他の膜、例えば、基板上に形成された絶縁膜や導電膜の膜厚ムラの検出に利用されてよく、これらの膜は、塗布液の塗布以外の方法、例えば、蒸着法や化学気相成長法(CVD:Chemical Vapor Deposition)、スパッタリング等により形成されたものであってもよい。また、ムラ検査装置は、半導体基板等の他の基板上に形成された膜の膜厚ムラの検査に利用されてよい。   The unevenness inspection apparatus according to the above-described embodiment may be used for detecting film thickness unevenness other than a resist film, for example, an insulating film or a conductive film formed on a substrate. It may be formed by a method other than the application of a liquid, for example, vapor deposition, chemical vapor deposition (CVD), sputtering, or the like. In addition, the unevenness inspection apparatus may be used for inspection of film thickness unevenness of a film formed on another substrate such as a semiconductor substrate.

第1の実施の形態に係る膜形成システムの構成を示す図である。It is a figure showing composition of a film formation system concerning a 1st embodiment. ムラ検査装置の正面図である。It is a front view of a nonuniformity inspection apparatus. 波長帯切替機構を示す図である。It is a figure which shows a wavelength band switching mechanism. コンピュータの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a computer. コンピュータが実現する機能構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the function structure which a computer implement | achieves. 基板に対する検査の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of the test | inspection with respect to a board | substrate. 基板に対する検査の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of the test | inspection with respect to a board | substrate. 基板に対する検査の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of the test | inspection with respect to a board | substrate. 基板上の膜の評価点、平均評価点および乖離度を示すグラフである。It is a graph which shows the evaluation score of a film | membrane on a board | substrate, an average evaluation score, and a deviation degree. 基板上の膜の評価点、平均評価点および乖離度を示すグラフである。It is a graph which shows the evaluation score of a film | membrane on a board | substrate, an average evaluation score, and a deviation degree. 第2の実施の形態に係るムラ検査装置のコンピュータが実現する機能構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the function structure which the computer of the nonuniformity inspection apparatus which concerns on 2nd Embodiment implement | achieves. 基板の平面図である。It is a top view of a board | substrate. 基板に対する検査の流れの一部を示す図である。It is a figure which shows a part of flow of the test | inspection with respect to a board | substrate. 第3の実施の形態に係るムラ検査装置の正面図である。It is a front view of the nonuniformity inspection apparatus which concerns on 3rd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1,1a ムラ検査装置
3 膜形成装置
9,9a 基板
12,12a ステージ
13 光出射部
25 ディスプレイ
91 上面
92,92a 膜
100 膜形成システム
141 ラインセンサ
211 評価点取得部
212 評価点記憶部
213 膜検査部
214 平均評価点取得部
215 (第1)工程検査部
221 基板評価点取得部
222 基板評価点記憶部
223 基板検査部
224 平均基板評価点取得部
225 第2工程検査部
S11〜S48 ステップ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1a Unevenness inspection apparatus 3 Film forming apparatus 9, 9a Substrate 12, 12a Stage 13 Light emitting part 25 Display 91 Upper surface 92, 92a Film 100 Film forming system 141 Line sensor 211 Evaluation point acquisition part 212 Evaluation point storage part 213 Film inspection Unit 214 average evaluation point acquisition unit 215 (first) process inspection unit 221 substrate evaluation point acquisition unit 222 substrate evaluation point storage unit 223 substrate inspection unit 224 average substrate evaluation point acquisition unit 225 second process inspection unit S11 to S48 steps

Claims (14)

基板上に形成された膜の膜厚ムラを検査するムラ検査装置であって、
主面上に光透過性の膜が形成されている基板を保持する保持部と、
前記膜に向けて光を出射する光出射部と、
前記膜にて反射された、または、前記膜を透過した後の特定の波長帯の光を受光して前記主面からの前記特定の波長帯の光の強度分布を出力するセンサと、
前記センサからの出力に基づいて検出した前記膜の膜厚ムラの大きさ、濃度範囲および種類の少なくともいずれかに基づいて前記膜の評価点を求める評価点取得部と、
前記評価点に基づいて前記膜の検査を行う膜検査部と、
複数の基板上の膜に対して前記評価点取得部により順次求められた複数の評価点を順次記憶する評価点記憶部と、
少なくとも前記膜検査部にて膜厚ムラに係る欠陥が存在すると判定された際に、前記欠陥が存在する基板以前に連続して求められた所定数の基板上の膜の評価点の平均である平均評価点を求める平均評価点取得部と、
を備えることを特徴とするムラ検査装置。
An unevenness inspection apparatus for inspecting film thickness unevenness of a film formed on a substrate,
A holding unit for holding a substrate on which a light-transmitting film is formed on the main surface;
A light emitting portion that emits light toward the film;
A sensor that receives light in a specific wavelength band after being reflected by the film or transmitted through the film and outputs an intensity distribution of the light in the specific wavelength band from the main surface;
An evaluation point obtaining unit for obtaining an evaluation point of the film based on at least one of the magnitude of the film thickness unevenness of the film, the concentration range and the type detected based on the output from the sensor;
A film inspection unit for inspecting the film based on the evaluation point;
An evaluation point storage unit for sequentially storing a plurality of evaluation points sequentially obtained by the evaluation point acquisition unit for films on a plurality of substrates;
It is an average of the evaluation points of the film on a predetermined number of substrates continuously obtained before the substrate on which the defect exists when it is determined that at least the defect relating to the film thickness unevenness exists in the film inspection unit. An average score obtaining unit for obtaining an average score,
A nonuniformity inspection apparatus comprising:
請求項1に記載のムラ検査装置であって、
前記評価点取得部により求められた一の基板上の膜の評価点と前記平均評価点取得部により求められた前記一の基板以前の所定数の基板上の膜に係る平均評価点とに基づいて膜形成工程の異常を検出する工程検査部をさらに備えることを特徴とするムラ検査装置。
The unevenness inspection apparatus according to claim 1,
Based on the evaluation score of the film on one substrate determined by the evaluation score acquisition unit and the average evaluation score related to the film on a predetermined number of substrates before the one substrate determined by the average evaluation score acquisition unit An unevenness inspection apparatus, further comprising a process inspection unit that detects an abnormality in the film forming process.
請求項2に記載のムラ検査装置であって、
前記工程検査部において、前記評価点の前記平均評価点に対する割合が求められ、前記評価点と前記割合とに基づいて前記膜形成工程の異常の検出が行われることを特徴とするムラ検査装置。
The unevenness inspection apparatus according to claim 2,
The unevenness inspection apparatus characterized in that, in the process inspection unit, a ratio of the evaluation point to the average evaluation point is obtained, and an abnormality of the film forming step is detected based on the evaluation point and the ratio.
請求項1に記載のムラ検査装置であって、
前記平均評価点取得部が、各基板の膜の評価点が求められる毎に前記各基板以前の所定数の基板上の膜の平均評価点を求め、
前記評価点記憶部が、前記各基板の前記膜に関連づけて前記平均評価点も記憶することを特徴とするムラ検査装置。
The unevenness inspection apparatus according to claim 1,
The average evaluation score acquisition unit obtains an average evaluation score of a film on a predetermined number of substrates before each of the substrates every time an evaluation score of the film of each substrate is obtained,
The unevenness inspection apparatus, wherein the evaluation point storage unit also stores the average evaluation point in association with the film of each substrate.
請求項4に記載のムラ検査装置であって、
連続して検査された複数の基板のそれぞれの膜の評価点、および、前記複数の基板のそれぞれの膜に関連づけられた平均評価点または前記評価点の前記平均評価点に対する割合をグラフにて表示する表示部をさらに備えることを特徴とするムラ検査装置。
The unevenness inspection apparatus according to claim 4,
The graph shows the evaluation points of each film of a plurality of substrates inspected continuously, and the average evaluation points associated with the respective films of the plurality of substrates or the ratio of the evaluation points to the average evaluation points A non-uniformity inspection apparatus, further comprising a display unit for performing the above operation.
請求項1ないし5のいずれかに記載のムラ検査装置であって、
前記評価点取得部において、膜厚ムラの種類により異なる評価係数が設定されており、前記膜の前記評価点が、各膜厚ムラの部分評価点に評価係数を乗じたものの合計に基づいて求められることを特徴とするムラ検査装置。
The unevenness inspection apparatus according to any one of claims 1 to 5,
In the evaluation point acquisition unit, different evaluation coefficients are set depending on the type of film thickness unevenness, and the evaluation score of the film is obtained based on the sum of the partial evaluation points of each film thickness unevenness multiplied by the evaluation coefficient. A non-uniformity inspection apparatus characterized by
請求項1ないし6のいずれかに記載のムラ検査装置であって、
前記評価点取得部により、一の基板上の互いに離間した複数の領域に形成された複数の膜のそれぞれに対して評価点が求められ、
前記平均評価点取得部により、複数の基板上の互いに対応する領域に形成された複数の膜の評価点から前記複数の領域のそれぞれの平均評価点が求められることを特徴とするムラ検査装置。
The unevenness inspection apparatus according to any one of claims 1 to 6,
By the evaluation point acquisition unit, an evaluation score is obtained for each of a plurality of films formed in a plurality of regions spaced from each other on one substrate,
The unevenness inspection apparatus, wherein the average evaluation point acquisition unit obtains an average evaluation point of each of the plurality of regions from evaluation points of a plurality of films formed in regions corresponding to each other on the plurality of substrates.
請求項7に記載のムラ検査装置であって、
前記評価点取得部により一の基板に対して求められた複数の評価点を合計することにより前記一の基板の基板評価点を求める基板評価点取得部と、
前記基板評価点に基づいて前記一の基板の検査を行う基板検査部と、
少なくとも前記基板検査部にて膜厚ムラに係る欠陥が存在すると判定された際に、前記欠陥が存在する基板以前に連続して求められた所定数の基板の基板評価点の平均である平均基板評価点を求める平均基板評価点取得部と、
をさらに備えることを特徴とするムラ検査装置。
The unevenness inspection apparatus according to claim 7,
A board evaluation point obtaining unit for obtaining a substrate evaluation point of the one substrate by totaling a plurality of evaluation points obtained for the one substrate by the evaluation point obtaining unit;
A substrate inspection unit that inspects the one substrate based on the substrate evaluation points;
An average substrate that is an average of substrate evaluation points of a predetermined number of substrates continuously obtained before the substrate in which the defect exists when it is determined that at least the substrate inspection unit has a defect related to film thickness unevenness An average board evaluation point obtaining unit for obtaining an evaluation point;
A non-uniformity inspection apparatus, further comprising:
請求項8に記載のムラ検査装置であって、
前記基板評価点取得部により求められた一の基板の基板評価点と前記平均基板評価点取得部により求められた前記一の基板以前の所定数の基板に係る平均基板評価点とに基づいて膜形成工程の異常を検出するもう1つの工程検査部をさらに備えることを特徴とするムラ検査装置。
The unevenness inspection apparatus according to claim 8,
A film based on a substrate evaluation point of one substrate obtained by the substrate evaluation point obtaining unit and an average substrate evaluation point relating to a predetermined number of substrates before the one substrate obtained by the average substrate evaluation point obtaining unit. A non-uniformity inspection apparatus further comprising another process inspection unit for detecting an abnormality in a forming process.
請求項8に記載のムラ検査装置であって、
前記平均基板評価点取得部が、各基板の基板評価点が求められる毎に前記各基板以前の所定数の基板に係る平均基板評価点を求め、
前記ムラ検査装置が、前記各基板に関連づけて前記平均基板評価点を記憶する基板評価点記憶部をさらに備えることを特徴とするムラ検査装置。
The unevenness inspection apparatus according to claim 8,
The average substrate evaluation point acquisition unit obtains an average substrate evaluation point relating to a predetermined number of substrates before each substrate each time a substrate evaluation point of each substrate is obtained,
The unevenness inspection apparatus further includes a substrate evaluation point storage unit that stores the average substrate evaluation point in association with each of the substrates.
基板上に膜を形成する膜形成システムであって、
基板の主面上に光透過性の膜を形成する膜形成装置と、
請求項1ないし10のいずれかに記載のムラ検査装置と、
を備えることを特徴とする膜形成システム。
A film forming system for forming a film on a substrate,
A film forming apparatus for forming a light transmissive film on the main surface of the substrate;
The unevenness inspection apparatus according to any one of claims 1 to 10,
A film forming system comprising:
基板上に形成された膜の膜厚ムラを検査するムラ検査方法であって、
a)基板の主面上に形成されている光透過性の膜に向けて光を出射する工程と、
b)前記膜にて反射された、または、前記膜を透過した後の特定の波長帯の光を受光して前記主面からの前記特定の波長帯の光の強度分布をセンサから出力する工程と、
c)前記センサからの出力に基づいて検出した前記膜の膜厚ムラの大きさ、濃度範囲および種類の少なくともいずれかに基づいて前記膜の評価点を求める工程と、
d)前記評価点に基づいて前記膜の検査を行う工程と、
e)少なくとも前記d)工程において膜厚ムラに係る欠陥が存在すると判定された際に、前記欠陥が存在する基板以前に連続して求められた所定数の基板上の膜の評価点の平均である平均評価点を求める工程と、
を備えることを特徴とするムラ検査方法。
An unevenness inspection method for inspecting film thickness unevenness of a film formed on a substrate,
a) emitting light toward a light transmissive film formed on the main surface of the substrate;
b) receiving light of a specific wavelength band reflected by the film or transmitted through the film and outputting the intensity distribution of the light of the specific wavelength band from the main surface from the sensor When,
c) obtaining an evaluation score of the film based on at least one of the magnitude, concentration range, and type of film thickness unevenness detected based on the output from the sensor;
d) inspecting the film based on the evaluation point;
e) At least in the step d), when it is determined that there is a defect related to film thickness unevenness, an average of the evaluation points of the film on the predetermined number of substrates continuously obtained before the substrate on which the defect exists Obtaining a certain average score,
An unevenness inspection method comprising:
請求項12に記載のムラ検査方法であって、
前記c)工程にて求められた一の基板上の膜の評価点と前記e)工程にて求められた前記一の基板以前の所定数の基板上の膜に係る平均評価点とに基づいて膜形成工程の異常を検出する工程をさらに備えることを特徴とするムラ検査方法。
The unevenness inspection method according to claim 12,
Based on the evaluation point of the film on one substrate obtained in the step c) and the average evaluation point relating to the film on a predetermined number of substrates before the one substrate obtained in the step e). An unevenness inspection method, further comprising a step of detecting an abnormality in the film formation step.
請求項12に記載のムラ検査方法であって、
前記c)工程において各基板の膜の評価点が求められる毎に、前記e)工程において前記各基板以前の所定数の基板上の膜に係る平均評価点が求められ、前記各基板の前記膜に関連づけて前記平均評価点が記憶されることを特徴とするムラ検査方法。
The unevenness inspection method according to claim 12,
Each time an evaluation score of a film on each substrate is obtained in the step c), an average evaluation score relating to a predetermined number of films on the substrate before each substrate is obtained in the step e), and the film of each substrate is obtained. The unevenness inspection method, wherein the average evaluation score is stored in association with the
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WO2014162855A1 (en) * 2013-04-01 2014-10-09 東レエンジニアリング株式会社 Uneven film thickness inspection device
CN114253082A (en) * 2020-09-24 2022-03-29 中国科学院微电子研究所 Method and device for sampling and measuring gluing thickness

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