JP2008070266A - Probe card - Google Patents

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JP2008070266A
JP2008070266A JP2006249948A JP2006249948A JP2008070266A JP 2008070266 A JP2008070266 A JP 2008070266A JP 2006249948 A JP2006249948 A JP 2006249948A JP 2006249948 A JP2006249948 A JP 2006249948A JP 2008070266 A JP2008070266 A JP 2008070266A
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Japan
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probe
guide plate
tip
conductive pattern
main substrate
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JP2006249948A
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Junji Adachi
淳治 安達
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical type probe card capable of maintaining the effective length of a probe tip. <P>SOLUTION: The probe card is provided with a main substrate 10 in which an electrically conductive pattern is formed; a probe support part 14 connected to the main substrate 10 and having a plurality of through holes; a probe 12 that is connected to the electrically conductive pattern, inserted in the through holes, and passed through the probe support part 14; and a probe-adjusting mechanism 20 capable of inserting the part of the probe 12 in between its connection to the electrically conductive pattern and its insertion in the through holes in the probe support part 14. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、プローブカードに関するものである。   The present invention relates to a probe card.

LSIチップ等の半導体集積回路の電気的諸特性を測定する際に用いられるプローブカ
ードは、大別してカンチレバー型と呼ばれる横型タイプと、垂直型と呼ばれる縦型タイプ
の2種類がある。このカンチレバー型プローブカードは、多くの優れた性能を有している
が、近年のLSIの微細化、高速化、高集積化、測定機器の多重化により、カンチレバー
型プローブカードでは適応できなくなってきている。
Probe cards used when measuring various electrical characteristics of a semiconductor integrated circuit such as an LSI chip are roughly classified into two types, a horizontal type called a cantilever type and a vertical type called a vertical type. This cantilever type probe card has many excellent performances. However, due to the recent miniaturization, high speed, high integration, and multiplexing of measuring equipment, the cantilever type probe card cannot be applied. Yes.

その中で、垂直型プローブカードは、導電パターンが形成された数十層の多層基板であ
る主基板と、中腹部に略くの字形状に折り曲げられた折れ曲り部を有するプローブと、こ
の主基板の下方に取り付けられ、前記折れ曲り部を挟んで上側案内板と下側案内板とを有
するプローブ支持部とを備えている。
Among them, the vertical probe card includes a main substrate that is a multi-layered substrate of several tens of layers on which a conductive pattern is formed, a probe that has a bent portion that is bent into a substantially U-shape at the middle part thereof, and the main probe card. A probe support portion is provided below the substrate and includes an upper guide plate and a lower guide plate with the bent portion interposed therebetween.

プローブの後端の接続部は、主基板に開設された貫通孔を通って主基板表面の導電パタ
ーンにハンダ付けされる。また、上側案内板及び下側案内板には、プローブが貫通する貫
通孔がそれぞれ開設されている。プローブの先端の位置は、LSIチップの電極パッドに
対応して設計されている。
The connecting portion at the rear end of the probe is soldered to the conductive pattern on the surface of the main substrate through a through hole formed in the main substrate. The upper guide plate and the lower guide plate are each provided with a through hole through which the probe passes. The position of the tip of the probe is designed corresponding to the electrode pad of the LSI chip.

以上のように構成される垂直型プローブカードは、半導体集積回路の電気的特性の測定
では、複数回測定を行うたびにプローブ先端が劣化し、そのたびにプローブ先端のメンテ
ナンスを必要としていた。このメンテナンスは、プローブ先端を削ることにより行われる
。そのため、プローブ先端が徐々に削られていき、数回のメンテナンスでプローブカード
を交換しなければならない。また、プローブ先端が破損した場合でも、プローブ先端を削
る必要があり、上記した同様の問題点が発生することになる。
In the vertical probe card configured as described above, in measuring the electrical characteristics of a semiconductor integrated circuit, the probe tip deteriorates each time a plurality of measurements are performed, and the probe tip needs to be maintained each time. This maintenance is performed by shaving the probe tip. For this reason, the tip of the probe is gradually scraped, and the probe card must be replaced with several maintenance operations. Further, even when the probe tip is damaged, it is necessary to cut the probe tip, which causes the same problem as described above.

なお、この種の関連技術として、垂直型プローブカードの一例が開示されている(例え
ば、特許文献1参照。)。
特許第3486841号公報
As this type of related technology, an example of a vertical probe card is disclosed (for example, see Patent Document 1).
Japanese Patent No. 3486841

本発明は、垂直型プローブカードにおいて、プローブ先端の有効長を維持することがで
きるプローブカードを提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide a probe card that can maintain the effective length of the probe tip in a vertical probe card.

本発明の一態様のプローブカードは、導電パターンが形成された主基板と、前記主基板
に接続され、複数の貫通孔を有するプローブ支持部と、前記導電パターンに接続され、前
記貫通孔に挿入され、前記プローブ支持部を貫通するプローブと、前記導電パターンに接
続されてから前記貫通孔に挿入されるまでの前記プローブを前記プローブ支持部に挿入す
ることができるプローブ調整機構と、を備えることを特徴としている。
A probe card according to an aspect of the present invention includes a main board on which a conductive pattern is formed, a probe support portion connected to the main board and having a plurality of through holes, connected to the conductive pattern, and inserted into the through holes. A probe that penetrates through the probe support, and a probe adjustment mechanism that can insert the probe from being connected to the conductive pattern to being inserted into the through-hole into the probe support. It is characterized by.

また、本発明の別の態様のプローブカードは、導電パターンが形成された主基板と、前
記主基板に接続され、複数の貫通孔を有するプローブ支持部と、前記導電パターンに接続
され、前記主基板から垂下され、前記貫通孔から前記プローブ支持部を貫通するプローブ
と、を備え、前記プローブ支持部は、前記プローブを湾曲させる中間案内板を有し、前記
中間案内板を調整することにより、前記プローブの先端を引き出すことができることを特
徴としている。
The probe card according to another aspect of the present invention includes a main board on which a conductive pattern is formed, a probe support portion connected to the main board and having a plurality of through holes, connected to the conductive pattern, and A probe that hangs down from the substrate and penetrates the probe support from the through hole, and the probe support has an intermediate guide plate that curves the probe, and by adjusting the intermediate guide plate, It is characterized in that the tip of the probe can be pulled out.

本発明によれば、垂直型プローブカードにおいて、プローブ先端の有効長を維持するこ
とができる。
According to the present invention, the effective length of the probe tip can be maintained in the vertical probe card.

以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施例1に係る垂直型プローブカードの概略的断面図である。図2は、
本発明の実施例1に係る垂直型プローブカードの概略的断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a vertical probe card according to Embodiment 1 of the present invention. FIG.
1 is a schematic cross-sectional view of a vertical probe card according to Embodiment 1 of the present invention.

図1に示すように、本発明の実施例1に係る垂直型プローブカードは、導電パターンが
形成された数十層の多層基板である主基板10と、中腹部に略くの字形状に折り曲げられ
た折れ曲り部を有し、主基板10から垂直に垂下される複数本のプローブ12と、主基板
10の裏面側に設けられ、プローブ12を支持するプローブ支持部14とを備えている。
As shown in FIG. 1, the vertical probe card according to the first embodiment of the present invention includes a main substrate 10 that is a multi-layered substrate of several tens layers on which a conductive pattern is formed, and is bent into a substantially U shape at the middle part. A plurality of probes 12 that have a bent portion and are vertically suspended from the main substrate 10, and a probe support portion 14 that is provided on the back surface side of the main substrate 10 and supports the probe 12.

主基板10は、表面に導電パターンが形成された基板である。この主基板10の中央部
にはプローブ支持部14を取り付けるための穴が設けられている。そして、この主基板1
0とプローブ支持部14は、ねじ止めされている。
The main substrate 10 is a substrate having a conductive pattern formed on the surface. A hole for attaching the probe support portion 14 is provided in the central portion of the main substrate 10. And this main board 1
0 and the probe support part 14 are screwed.

ここで、主基板10中央部には必ずしも穴を設ける必要はない。例えば、主基板10の
中央部にLSIチップの電極パッドの位置に対応した貫通孔を設けてもよい。
Here, it is not always necessary to provide a hole in the central portion of the main substrate 10. For example, a through hole corresponding to the position of the electrode pad of the LSI chip may be provided in the central portion of the main substrate 10.

プローブ支持部14は、主基板10に対して平行に設けられ、それぞれに開設された貫
通孔にプローブ12を貫通させて支持し、プローブ12の折れ曲り部を挟んで上側案内板
16と、下側案内板18を有している。貫通孔はLSIチップの電極パッドの配置に対応
している。プローブ12の後端の接続部が、主基板10に開設された貫通孔を通って、主
基板10表面の導電パターンと電気的に接続される。
The probe support portion 14 is provided in parallel to the main substrate 10, supports the probe 12 by penetrating the through holes formed in each of them, and sandwiches the bent portion of the probe 12 with the upper guide plate 16 and the lower guide plate 16. A side guide plate 18 is provided. The through hole corresponds to the arrangement of the electrode pads of the LSI chip. A connecting portion at the rear end of the probe 12 is electrically connected to a conductive pattern on the surface of the main substrate 10 through a through hole formed in the main substrate 10.

さらに、プローブ支持部14は、導電パターンに接続されてから貫通孔に挿入されるま
でのプローブ12の一部をプローブ支持部14内部にさらに挿入することができるプロー
ブ調整機構20を備える。例えば、このプローブ調整機構20は、複数のプローブ12を
貫通させる貫通孔を有し、プローブ12を支持する第1の案内板22と第2の案内板24
を備える。第1の案内板22が、プローブ12を固定している。第1の案内板22及び第
2の案内板24は、主基板10側からLSIチップの電極パッドに接触させるプローブ1
2先端の方向へ上下に高さを調整することが可能である。第1の案内板22及び第2の案
内板24の高さ調整を行う手段として、例えば、上側案内板16を貫通するようにねじ穴
を設け、そのねじ穴に第1の案内板22に接続した調整ネジ26を設けることによって達
成できる。つまり、プローブ12先端をLSIチップ側に引き出したい場合は、その調整
ネジ26を下げることにより、プローブ12先端をLSIチップ側に引き出すことができ
る。
Furthermore, the probe support portion 14 includes a probe adjustment mechanism 20 that can further insert a part of the probe 12 from being connected to the conductive pattern to being inserted into the through hole into the probe support portion 14. For example, the probe adjusting mechanism 20 has a through hole through which the plurality of probes 12 are passed, and a first guide plate 22 and a second guide plate 24 that support the probes 12.
Is provided. The first guide plate 22 fixes the probe 12. The first guide plate 22 and the second guide plate 24 are in contact with the electrode pads of the LSI chip from the main substrate 10 side.
2. It is possible to adjust the height up and down in the direction of the tip. As a means for adjusting the height of the first guide plate 22 and the second guide plate 24, for example, a screw hole is provided so as to penetrate the upper guide plate 16, and the screw hole is connected to the first guide plate 22. This can be achieved by providing the adjusting screw 26. That is, when it is desired to pull out the tip of the probe 12 toward the LSI chip, the tip of the probe 12 can be pulled out toward the LSI chip by lowering the adjustment screw 26.

そのため、図2に示すように、第1の案内板22及び第2の案内板24の位置を主基板
10側からプローブ12先端方向へ移動させることになり、導電パターンに接続されてか
ら貫通孔に挿入されるまでのプローブ12の一部をプローブ支持部14内部に引き込むこ
とができる。そして、LSIチップの電極パッドと接触するプローブ12先端の長さを調
整することが可能となる。
Therefore, as shown in FIG. 2, the positions of the first guide plate 22 and the second guide plate 24 are moved from the main substrate 10 side toward the distal end of the probe 12, and after being connected to the conductive pattern, the through hole A part of the probe 12 until it is inserted into the probe support portion 14 can be drawn into the probe support portion 14. Then, it is possible to adjust the length of the tip of the probe 12 that contacts the electrode pad of the LSI chip.

ここで、プローブ12をプローブ支持部14に引き込む手段は、上記した手段に限定さ
れるものではない。例えば、第1の案内板22と第2の案内板24を接続するピラー部2
8の長さを調整する機構を設けることにより、第1の案内板22を下に押し下げることが
できるようにしてもよい。つまり、複数のピラー部28を高さ方向に積み上げた積層構造
にして、複数のピラー部28の一部を取り外すことによって、ピラー部28の長さを短く
し、第1の案内板22を押し下げ、プローブ12をプローブ支持部14に引き込んでもよ
い。また、この機構をそのまま上側案内板16と下側案内板18に適用してもかまわない
。つまり、上側案内板16と下側案内板18を接続するピラー部32を、複数個高さ方向
に積み上げた積層構造にして、複数のピラー部32の一部を取り外すことによって、ピラ
ー部32の長さを短くし、上側案内板16を押し下げ、プローブ12をプローブ支持部1
4に引き込んでもよい。その場合、第1の案内板22及び第2の案内板24は必要ない。
Here, the means for pulling the probe 12 into the probe support portion 14 is not limited to the above-described means. For example, the pillar portion 2 that connects the first guide plate 22 and the second guide plate 24.
By providing a mechanism for adjusting the length of 8, the first guide plate 22 may be pushed down. In other words, by forming a stacked structure in which a plurality of pillar portions 28 are stacked in the height direction, by removing a part of the plurality of pillar portions 28, the length of the pillar portions 28 is shortened and the first guide plate 22 is pushed down. The probe 12 may be pulled into the probe support portion 14. Further, this mechanism may be applied to the upper guide plate 16 and the lower guide plate 18 as they are. That is, the pillar portion 32 connecting the upper guide plate 16 and the lower guide plate 18 is formed in a stacked structure in which a plurality of pillar portions 32 are stacked in the height direction, and a part of the plurality of pillar portions 32 is removed, thereby The length is shortened, the upper guide plate 16 is pushed down, and the probe 12 is moved to the probe support portion 1.
4 may be drawn. In that case, the first guide plate 22 and the second guide plate 24 are not necessary.

プローブ12は、後端の接続部が主基板10表面の導電パターンに接続され、導電パタ
ーンが形成された主基板10から引き出され、プローブ支持部14を貫通し、プローブ支
持部14下部からLSIチップの電極パッドと接触するためにプローブ12先端が出てい
る。また、プローブ12は、先端が先鋭化された接触部となり、後端も先鋭化された接続
部となっている。また、このプローブ12には、湾曲形成された折れ曲り部30がある。
この折れ曲り部30がLSIチップと電極パッドとの間で所定の接触圧を弾性的に確保す
ることができる。また、この折れ曲り部30は、第1の案内板22と第2の案内板24の
間に設けられている。
The probe 12 is connected to the conductive pattern on the surface of the main substrate 10 at the rear end of the probe 12, pulled out from the main substrate 10 on which the conductive pattern is formed, penetrates through the probe support 14, and the LSI chip from below the probe support 14. The tip of the probe 12 protrudes to contact the electrode pad. Further, the probe 12 is a contact portion with a sharpened tip, and a rear end is also a sharpened connection portion. In addition, the probe 12 has a bent portion 30 that is curved.
The bent portion 30 can elastically secure a predetermined contact pressure between the LSI chip and the electrode pad. Further, the bent portion 30 is provided between the first guide plate 22 and the second guide plate 24.

ここで、折れ曲り部30は、第1の案内板22と第2の案内板24の間に必ずしも設け
る必要はない。例えば、第2の案内板22と下側案内板48との間に設けてもかまわない
Here, the bent portion 30 is not necessarily provided between the first guide plate 22 and the second guide plate 24. For example, it may be provided between the second guide plate 22 and the lower guide plate 48.

以上のように構成される本発明の実施例1に係るプローブカードは、次のようにしてL
SIチップの電気的諸特性の測定を行うことができる。
The probe card according to the first embodiment of the present invention configured as described above is configured as follows.
The electrical characteristics of the SI chip can be measured.

複数のLSIチップが形成された半導体ウェハをテーブルの上面に真空吸着させる。テ
ーブルに向かってプローブカードを降下させ、すべてのプローブ12の先端をLSIチッ
プの電極パッドに接触させる。さらに、プローブ12先端が電極パッドに接触してからも
、所定の接触圧を確保するために、プローブカードを降下させる。
A semiconductor wafer on which a plurality of LSI chips are formed is vacuum-sucked on the upper surface of the table. The probe card is lowered toward the table, and the tips of all the probes 12 are brought into contact with the electrode pads of the LSI chip. Further, even after the tip of the probe 12 comes into contact with the electrode pad, the probe card is lowered to ensure a predetermined contact pressure.

以上のように、プローブ12を電極パッドに接触させた状態で、LSIチップの電気的
諸特性を測定することができ、上記動作をLSIチップごとに順次、電気的諸特性の測定
を行う。
As described above, the electrical characteristics of the LSI chip can be measured while the probe 12 is in contact with the electrode pad, and the electrical characteristics are measured sequentially for each LSI chip.

次に、本発明の実施例1に係るプローブカードの用途について説明する。例えば、プロ
ーブカードのプローブ12は、LSIチップの電極パッドとの接触を繰り返すことによっ
て、プローブ12先端が破損若しくは磨耗することが考えられる。そのとき、プローブ1
2の先端を研磨等することにより、プローブ12先端のメンテナンスを行っていた。しか
しながら、プローブ12先端のメンテナンスを繰り返すことにより、下側案内板18から
突出したプローブ12先端の長さが短くなっていき、LSIチップの電極パッドと接続を
図るためのプローブ12先端の有効長が維持できなくなってしまう。そこで、本実施例の
プローブカードでは、短くなったプローブ12先端の長さをプローブ調整機構20により
、導電パターンに接続されてから貫通孔に挿入されるまでのプローブ12の一部をプロー
ブ支持部14に引き込むことができる。そのため、下側案内板18から突出したプローブ
12先端の長さを長くすることができ、プローブ12先端のメンテナンス等でプローブ1
2先端が短くなっても、LSIチップの電極パッドに接触させるプローブ12先端の有効
長を維持することができる。
Next, the use of the probe card according to the first embodiment of the present invention will be described. For example, the probe 12 of the probe card may be damaged or worn at the tip of the probe 12 due to repeated contact with the electrode pads of the LSI chip. At that time, probe 1
The tip of the probe 12 is maintained by polishing or the like. However, by repeating the maintenance of the tip of the probe 12, the length of the tip of the probe 12 protruding from the lower guide plate 18 is shortened, and the effective length of the tip of the probe 12 for connecting to the electrode pad of the LSI chip is reduced. It becomes impossible to maintain. Therefore, in the probe card of this embodiment, a part of the probe 12 from when the shortened length of the tip of the probe 12 is connected to the conductive pattern by the probe adjusting mechanism 20 until it is inserted into the through hole is used as the probe support portion. 14 can be withdrawn. Therefore, the length of the tip of the probe 12 protruding from the lower guide plate 18 can be increased, and the probe 1 can be used for maintenance of the tip of the probe 12 or the like.
2 Even if the tip is shortened, the effective length of the tip of the probe 12 brought into contact with the electrode pad of the LSI chip can be maintained.

以上のように、本発明の実施例1に係るプローブカードは、従来のプローブカードの構
成にプローブ調整機構を設けることにより、導電パターンに接続されてから貫通孔に挿入
されるまでのプローブの一部をプローブ支持部に引き込むことができる。そのため、破損
、磨耗等で短くなったプローブ先端の長さを長くすることができ、LSIチップの電極パ
ッドに接触させるプローブ先端の有効長を伸ばすことができる。そして、プローブカード
の使用回数を大幅に伸ばすことができる。
As described above, the probe card according to the first embodiment of the present invention is a probe card that is connected to the conductive pattern and inserted into the through hole by providing the probe adjustment mechanism in the configuration of the conventional probe card. Can be pulled into the probe support. Therefore, the length of the probe tip shortened due to breakage, wear, etc. can be increased, and the effective length of the probe tip that is brought into contact with the electrode pad of the LSI chip can be increased. And the use frequency of a probe card can be extended significantly.

図3は、本発明の実施例2に係る垂直型プローブカードの概略的断面図である。図4は
、本発明の実施例2に係る垂直型プローブカードの要部の概略的断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a vertical probe card according to the second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the main part of the vertical probe card according to the second embodiment of the present invention.

図3に示すように、本発明の実施例2に係る垂直型プローブカードは、導電パターンが
形成された数十層の多層基板である主基板10と、主基板10から垂直に垂下される複数
本のプローブ12と、主基板10の裏面側に設けられ、プローブ12を支持するプローブ
支持部14とを備えている。
As shown in FIG. 3, the vertical probe card according to the second embodiment of the present invention includes a main substrate 10 that is a multi-layered substrate of several tens of layers on which a conductive pattern is formed, and a plurality of members vertically hanging from the main substrate 10. The probe 12 is provided on the back side of the main substrate 10 and supports the probe 12.

主基板10は、表面中央部に導電パターンが形成された基板である。本実施例では、こ
の主基板10の中央部の導電パターンにプローブ12が直付けされ、プローブ12が導電
パターンからこの主基板10を貫通して、主基板10下部のプローブ支持部14に垂下さ
れている。
The main substrate 10 is a substrate having a conductive pattern formed at the center of the surface. In this embodiment, the probe 12 is directly attached to the central conductive pattern of the main substrate 10, and the probe 12 penetrates the main substrate 10 from the conductive pattern and is suspended from the probe support portion 14 below the main substrate 10. ing.

プローブ支持部14は、主基板10に対して平行に設けられ、主基板10にねじ止めさ
れ、接続されている。また、プローブ支持部14は、主基板10から垂下されたプローブ
12を支持し、プローブ12を貫通させる貫通孔を有する上側案内板16と下側案内板1
8を備えている。貫通孔はLSIチップの電極パッドの配置に対応している。
The probe support portion 14 is provided in parallel to the main substrate 10 and is screwed to and connected to the main substrate 10. The probe support portion 14 supports the probe 12 suspended from the main substrate 10 and has an upper guide plate 16 and a lower guide plate 1 having a through hole through which the probe 12 passes.
8 is provided. The through hole corresponds to the arrangement of the electrode pads of the LSI chip.

さらに、プローブ支持部14は、主基板10から垂下されたプローブ12の中腹部に略
くの字形状に折り曲げた折れ曲り部30を形成するために、上側案内板16と下側案内板
18との間に、中間案内板52が設けられている。中間案内板52は、電極パッドの配置
に対応して貫通孔が設けられている。上側案内板16と下側案内板18の貫通孔は、LS
Iチップの電極パッドに対応して、同一直線上に設けられている。中間案内板52は、上
側案内板16及び下側案内板18と平行に配置され、その平行する面に沿って、平行移動
することが可能である。そのため、プローブが貫通した中間案内板52の貫通孔は、上側
案内板16と下側案内板18の貫通孔と同一直線上にならないように、ずらすことが可能
であり、プローブ12の中腹部に略くの字形状に折り曲げた折れ曲り部30を形成するこ
とができる。
Further, the probe support portion 14 is formed with an upper guide plate 16, a lower guide plate 18, and a bent portion 30 that are bent in a substantially U shape in the middle portion of the probe 12 suspended from the main substrate 10. Between them, an intermediate guide plate 52 is provided. The intermediate guide plate 52 is provided with a through hole corresponding to the arrangement of the electrode pads. The through holes of the upper guide plate 16 and the lower guide plate 18 are LS
Corresponding to the electrode pads of the I chip, they are provided on the same straight line. The intermediate guide plate 52 is disposed in parallel with the upper guide plate 16 and the lower guide plate 18, and can be translated along the parallel planes. Therefore, the through hole of the intermediate guide plate 52 through which the probe has passed can be shifted so as not to be collinear with the through holes of the upper guide plate 16 and the lower guide plate 18. A bent portion 30 that is bent into a substantially square shape can be formed.

そのため、図4(b)に示すように、中間案内板52を平行移動させて、折れ曲り部3
0の湾曲を緩めることによって、LSIチップの電極パッドと接触させるプローブ12先
端の長さを調整することが可能となる。
Therefore, as shown in FIG. 4B, the intermediate guide plate 52 is moved in parallel to bend the bent portion 3.
By loosening the 0 curve, it is possible to adjust the length of the tip of the probe 12 brought into contact with the electrode pad of the LSI chip.

プローブ12は、後端の接続部が主基板10表面の導電パターンに接続され、導電パタ
ーンが形成された主基板10から主基板10を貫通し、プローブ支持部14を貫通し、プ
ローブ支持部14下部からLSIチップの電極パッドと接触するためにプローブ12先端
が出ている。また、プローブ12は、先端が先鋭化された接触部となり、後端も先鋭化さ
れた接続部となっている。また、このプローブ12には、中間案内板52によって湾曲形
成された折れ曲り部30が形成され、LSIチップと電極パッドとの間で所定の接触圧を
弾性的に確保することができる。
The probe 12 is connected at its rear end to the conductive pattern on the surface of the main substrate 10, passes through the main substrate 10 from the main substrate 10 on which the conductive pattern is formed, passes through the probe support portion 14, and the probe support portion 14. The tip of the probe 12 protrudes from the lower part to contact the electrode pad of the LSI chip. Further, the probe 12 is a contact portion with a sharpened tip, and a rear end is also a sharpened connection portion. In addition, the probe 12 is formed with a bent portion 30 that is bent by the intermediate guide plate 52, and a predetermined contact pressure can be elastically secured between the LSI chip and the electrode pad.

以上のように構成される本発明の実施例2に係るプローブカードによるLSIチップの
電気的諸特性の測定は、実施例1と同様であるので、説明を省略する。
The measurement of the electrical characteristics of the LSI chip using the probe card according to the second embodiment of the present invention configured as described above is the same as that in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.

次に、本発明の実施例2に係るプローブカードの用途について説明する。例えば、プロ
ーブカードのプローブ12は、実施例1と同様、プローブ12先端が破損若しくは磨耗す
ることにより、下側案内板18から突出したプローブ12先端の有効長が維持できなくな
ってしまう。そこで、本実施例のプローブカードでは、図4(a)に示すように、上側案
内板16と下側案内板18の貫通孔と同一直線上にならないように、中間案内板52の貫
通孔をずらすことによって、折れ曲り部30を形成していたが、図4(b)に示すように
、この中間案内板52を矢印の方向へ平行移動させることにより、折れ曲り部30の湾曲
を緩められ、下側案内板18から突出したプローブ12先端の長さを長くすることができ
る。そのため、プローブ12先端のメンテナンス等でプローブ12先端が短くなっても、
LSIチップの電極パッドに接触させるプローブ12先端の有効長を維持することができ
る。
Next, the use of the probe card according to the second embodiment of the present invention will be described. For example, the probe 12 of the probe card cannot maintain the effective length of the tip of the probe 12 protruding from the lower guide plate 18 due to damage or wear of the tip of the probe 12 as in the first embodiment. Therefore, in the probe card of the present embodiment, as shown in FIG. 4A, the through holes of the intermediate guide plate 52 are formed so as not to be collinear with the through holes of the upper guide plate 16 and the lower guide plate 18. The bent portion 30 is formed by shifting, but as shown in FIG. 4B, the curved portion 30 can be loosened by moving the intermediate guide plate 52 in the direction of the arrow. The length of the tip of the probe 12 protruding from the lower guide plate 18 can be increased. Therefore, even if the tip of the probe 12 becomes shorter due to maintenance of the tip of the probe 12, etc.
The effective length of the tip of the probe 12 brought into contact with the electrode pad of the LSI chip can be maintained.

以上のように、本発明の実施例2に係るプローブカードは、従来のプローブカードの構
成に折れ曲り部を形成するための中間案内板を設け、折れ曲り部の湾曲を調整することに
より、破損、磨耗等で短くなったプローブ先端の長さを長くすることができる。そのため
、LSIチップの電極パッドに接触させるプローブ先端の有効長を伸ばすことができ、プ
ローブカードの使用回数を大幅に伸ばすことができる。
As described above, the probe card according to the second embodiment of the present invention is provided with the intermediate guide plate for forming the bent portion in the configuration of the conventional probe card, and is damaged by adjusting the curve of the bent portion. The length of the probe tip shortened due to wear or the like can be increased. Therefore, the effective length of the probe tip that is brought into contact with the electrode pad of the LSI chip can be extended, and the number of times the probe card is used can be greatly increased.

ここで、下側案内板18及び中間案内板52を高さ方向に移動可能にすることにより、
上側案内板16と下側案内板18、下側案内板18と中間案内板52の距離を調整するこ
とができれば、上側案内板16と下側案内板18との距離を狭めることができ、LSIチ
ップの電極パッドと接触させるプローブ12先端の長さを伸ばすことも可能となる。この
とき、中間案内板52の位置も調整することにより、プローブ12の折れ曲り部30の位
置を調整することもできる。
Here, by making the lower guide plate 18 and the intermediate guide plate 52 movable in the height direction,
If the distance between the upper guide plate 16 and the lower guide plate 18 and the lower guide plate 18 and the intermediate guide plate 52 can be adjusted, the distance between the upper guide plate 16 and the lower guide plate 18 can be reduced. It is also possible to increase the length of the tip of the probe 12 to be brought into contact with the electrode pad of the chip. At this time, the position of the bent portion 30 of the probe 12 can also be adjusted by adjusting the position of the intermediate guide plate 52.

図5に本発明の実施例3に係る垂直型プローブカードの概略的断面図を示す。   FIG. 5 shows a schematic cross-sectional view of a vertical probe card according to Embodiment 3 of the present invention.

本発明の実施例3の上記各実施例との違いは、図5に示すように、実施例1の垂直型プ
ローブカードの構成に、実施例2の垂直型プローブカードの構成である中間案内板52を
設けたことである。尚、その他の実施例1、実施例2と同一の構成については、同一の符
号を附して説明を省略する。
The difference of the third embodiment of the present invention from the above embodiments is that, as shown in FIG. 5, an intermediate guide plate which is the configuration of the vertical probe card of the second embodiment is added to the configuration of the vertical probe card of the first embodiment. 52 is provided. In addition, about the structure same as the other Example 1 and Example 2, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

つまり、図5に示すように、プローブ12の中腹部に略くの字形状に折り曲げられた折
れ曲り部30を形成するために第1の案内板22と第2の案内板24との間に中間案内板
52が設けられている。そのため、実施例1と同様、導電パターンに接続されてから貫通
孔に挿入されるまでのプローブ12の一部をプローブ支持部14に引き込むことができ、
さらに、実施例2と同様、中間案内板52により、折れ曲り部30の湾曲を緩められ、下
側案内板18から突出したプローブ12先端の長さを長くすることができる。
That is, as shown in FIG. 5, the first guide plate 22 and the second guide plate 24 are formed between the first guide plate 22 and the second guide plate 24 in order to form a bent portion 30 that is bent in a substantially U shape in the middle part of the probe 12. An intermediate guide plate 52 is provided. Therefore, as in the first embodiment, a part of the probe 12 from being connected to the conductive pattern to being inserted into the through hole can be drawn into the probe support portion 14,
Further, similarly to the second embodiment, the bent portion 30 can be loosened by the intermediate guide plate 52, and the length of the tip of the probe 12 protruding from the lower guide plate 18 can be increased.

ここで、中間案内板52は、第1の案内板22と第2の案内板24の間に必ずしも設け
る必要はない。例えば、中間案内板52は、第2の案内板22と下側案内板48との間に
設けてもかまわない。
Here, the intermediate guide plate 52 is not necessarily provided between the first guide plate 22 and the second guide plate 24. For example, the intermediate guide plate 52 may be provided between the second guide plate 22 and the lower guide plate 48.

以上のように構成される本発明の実施例3に係るプローブカードによるLSIチップの
電気的諸特性の測定は、上記各実施例と同様であるので、説明を省略する。
The measurement of the electrical characteristics of the LSI chip using the probe card according to the third embodiment of the present invention configured as described above is the same as that in each of the above embodiments, and thus the description thereof is omitted.

また、本発明の実施例3に係るプローブカードのLSIチップの電極パッドに接触させ
るプローブ先端の有効長の伸ばし方も上記各実施例と同様であるので、説明を省略する。
Further, since the method for extending the effective length of the probe tip to be brought into contact with the electrode pad of the LSI chip of the probe card according to the third embodiment of the present invention is the same as that in each of the above embodiments, the description thereof is omitted.

以上のように、本発明の実施例3に係るプローブカードは、上記各実施例と同様、従来
のプローブカードの構成にプローブ調整機構を設けることにより、導電パターンに接続さ
れてから貫通孔に挿入されるまでのプローブの一部をプローブ支持部に引き込むことがで
きる。さらに、従来のプローブカードの構成に折れ曲り部を形成するための中間案内板を
設け、折れ曲り部の湾曲を調整することにより、破損、磨耗等で短くなったプローブ先端
の長さを長くすることができる。そのため、LSIチップの電極パッドに接触させるプロ
ーブ先端の有効長を伸ばすことができ、プローブカードの使用回数を大幅に伸ばすことが
できる。
As described above, the probe card according to the third embodiment of the present invention is inserted into the through-hole after being connected to the conductive pattern by providing the probe adjustment mechanism in the configuration of the conventional probe card as in the above-described embodiments. A part of the probe until it is done can be pulled into the probe support part. Furthermore, an intermediate guide plate for forming a bent portion is provided in the configuration of the conventional probe card, and the length of the probe tip shortened due to breakage, wear, etc. is increased by adjusting the bending of the bent portion. be able to. Therefore, the effective length of the probe tip that is brought into contact with the electrode pad of the LSI chip can be extended, and the number of times the probe card is used can be greatly increased.

なお、本発明は、上述したような各実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の主
旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

本発明の実施例1に係る垂直型プローブカードの概略的断面図。1 is a schematic cross-sectional view of a vertical probe card according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施例1に係る垂直型プローブカードの概略的断面図。1 is a schematic cross-sectional view of a vertical probe card according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施例2に係る垂直型プローブカードの概略的断面図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a vertical probe card according to Embodiment 2 of the present invention. 本発明の実施例2に係る垂直型プローブカードの要部の概略的断面図。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a main part of a vertical probe card according to Embodiment 2 of the present invention. 本発明の実施例3に係る垂直型プローブカードの概略的断面図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a vertical probe card according to Embodiment 3 of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 主基板
12 プローブ
14 プローブ支持部
16 上側案内板
18 下側案内板
20 プローブ調整機構
22 第1の案内板
24 第2の案内板
26 調整ネジ
28、32 ピラー部
30 折れ曲り部
52 中間案内板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Main board 12 Probe 14 Probe support part 16 Upper guide plate 18 Lower guide plate 20 Probe adjustment mechanism 22 1st guide plate 24 2nd guide plate 26 Adjustment screw 28, 32 Pillar part 30 Bending part 52 Intermediate guide plate

Claims (5)

導電パターンが形成された主基板と、
前記主基板に接続され、複数の貫通孔を有するプローブ支持部と、
前記導電パターンに接続され、前記貫通孔に挿入され、前記プローブ支持部を貫通する
プローブと、
前記導電パターンに接続されてから前記貫通孔に挿入されるまでの前記プローブを前記
プローブ支持部に挿入することができるプローブ調整機構と、
を備えることを特徴とするプローブカード。
A main substrate on which a conductive pattern is formed;
A probe support connected to the main substrate and having a plurality of through holes;
A probe connected to the conductive pattern, inserted into the through hole, and penetrating the probe support;
A probe adjustment mechanism capable of inserting the probe from being connected to the conductive pattern to being inserted into the through hole into the probe support;
A probe card comprising:
前記プローブ支持部は、前記プローブを湾曲させる中間案内板を有し、前記中間案内板を
調整することにより、前記プローブの先端を引き出すことができることを特徴とする請求
項1記載のプローブカード。
2. The probe card according to claim 1, wherein the probe support portion has an intermediate guide plate that curves the probe, and the tip of the probe can be pulled out by adjusting the intermediate guide plate.
導電パターンが形成された主基板と、
前記主基板に接続され、複数の貫通孔を有するプローブ支持部と、
前記導電パターンに接続され、前記主基板から垂下され、前記貫通孔から前記プローブ
支持部を貫通するプローブと、
を備え、前記プローブ支持部は、前記プローブを湾曲させる中間案内板を有し、前記中間
案内板を調整することにより、前記プローブの先端を引き出すことができることを特徴と
するプローブカード。
A main substrate on which a conductive pattern is formed;
A probe support connected to the main substrate and having a plurality of through holes;
A probe connected to the conductive pattern, suspended from the main substrate, and penetrating the probe support from the through hole;
The probe support part has an intermediate guide plate for bending the probe, and the tip of the probe can be pulled out by adjusting the intermediate guide plate.
前記プローブ調整機構は、前記プローブを固定した第1の案内板を備え、前記第1の案内
板と前記主基板との距離を調整することができることを特徴とする請求項1又は請求項2
記載のプローブカード。
The said probe adjustment mechanism is provided with the 1st guide plate which fixed the said probe, and can adjust the distance of the said 1st guide plate and the said main board | substrate.
The probe card described.
前記中間案内板は、前記中間案内板の貫通孔と前記プローブ支持部の前記貫通孔が同一直
線上でない位置にずらすことができ、前記プローブの湾曲を緩めることにより、前記プロ
ーブの先端を引き出すことができることを特徴とする請求項2又は請求項3記載のプロー
ブカード。
The intermediate guide plate can be shifted to a position where the through hole of the intermediate guide plate and the through hole of the probe support portion are not on the same straight line, and the tip of the probe is pulled out by loosening the curve of the probe. The probe card according to claim 2 or 3, wherein
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