JP2008047647A - High frequency module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は高周波モジュールに関し、詳しくは、高周波部品を回路基板上に実装して構成される高周波モジュールに関する。 The present invention relates to a high-frequency module, and more particularly to a high-frequency module configured by mounting high-frequency components on a circuit board.
例えば図1(a)の分解斜視図、図1(b)の平面図に模式的に示すように、回路基板12上に、高周波部品16としてSAW(弾性表面波)デュプレクサのチップ部品が実装された高周波モジュール10が提供されている。回路基板12の上面12aには、高周波部品16が搭載される高周波部品搭載領域16a内の電極パッド(図示せず)上に、はんだ等の接続導体14a〜14fが形成され、接続導体14a〜14fは、それぞれ、高周波部品16の端子パッド18a〜18f(18a,18bは図示せず)に接続される。接続導体14a,14c,14eは、回路基板12の内部に形成された引き出し電極15を介して、回路基板12の下面12bに形成された不図示の受信端子、送信端子、アンテナ端子に電気的に接続されている。斜線を付した接続導体14b,14d,14fは、不図示の引き出し電極を介して、回路基板12の下面12bに形成された不図示のグランド端子に電気的に接続されている。
For example, as schematically shown in an exploded perspective view of FIG. 1A and a plan view of FIG. 1B, a chip component of a SAW (surface acoustic wave) duplexer is mounted on the
特許文献1には、図9〜図11に示す高周波部品1が開示されている。図11の断面図に示すように、高周波部品1は、積層体2内にコンデンサやインダクタを構成する電極8a〜8eやスルーホール7等が形成され、積層体2の側面及び裏面に端子パッド4が形成されている。積層体2の表面には、チップコンデンサやダイオード等のチップ部品9が搭載され、このチップ部品9は、図9の斜視図に示すように金属キャップ3で覆われている。図10の裏面図に示すように、積層体2の裏面には、不図示の回路基板のアース端子に接続される部分実装用補助パッド6a,6bを含む実装用補助パッド6が形成され、図11に示したように、実装用補助パッド6は、積層体2内のグランド電極g1,g2にスルーホール7を介して接続されている。これによって、グランド電極g1,g2の絶対的なグランド電位を得ることにより、高周波部品1の回路性能を向上させる。
図1に示した高周波モジュール10を小型化する場合、高周波部品16の実装高さのばらつき(すなわち、残留インダクタンスのばらつき)が高周波部品16の特性に与える影響が大きくなる。
When the high-
例えば、実装高さのばらつきは、接続導体14a〜14fを形成するためにスクリーン印刷によって塗布されるはんだの塗布量のばらつき等によって生じる。実装高さがばらついた場合、高周波部品16のみかけのL値もばらつく。従来のSAWデュプレクサ等の高周波部品16のL値は十分に大きく、実装高さによるL値のばらつきによる影響は小さいため、実装高さのばらつきは問題とならなかった。しかし、小型化および高周波化が進むと、SAWデュプレクサ等の高周波部品16のL値は小さくなるため、実装高さのばらつき(すなわち、残留インダクタンスのばらつき)が同じでも、高周波部品16の特性に与える影響が大きくなる。
For example, the variation in the mounting height is caused by a variation in the amount of solder applied by screen printing to form the
L値のばらつきを抑制するため、特許文献1に開示されている実装用補助パッドを高周波部品に設けて回路基板に搭載することも考えられるが、小型化する場合には、実装用補助パッドを設けるスペースが確保できなくなる。
In order to suppress variation in the L value, it may be possible to mount the mounting auxiliary pad disclosed in
すなわち、実装用補助パッドを設けるスペースが確保できれば、図2に示す高周波モジュール20のように構成することができる。図2(a)の分解斜視図、図2(b)の平面図に示すように、高周波部品20には、従来と同様の端子パッド28a〜28f(28a,28bは図示せず)に加え、高周波部品20の内部のグランド電極にスルーホールを介して電気的に接続された実装用補助パッド28g〜28i(28g,28hは図示せず)を追加するとともに、回路基板22にも、従来と同様の接続導体24a〜4fに加え、高周波部品20の実装用補助パッド28g〜28i(28g,28hは図示せず)に対向する接続導体24g〜24iを追加し、残留インダクタンスの発生を抑制することが考えられる。
That is, if a space for providing the mounting auxiliary pad can be secured, the
しかし、チップサイズパッケージ化により高周波部品が小さくなると、図3(a)の分解斜視図、図3(b)の平面図に示すように、高周波部品36に従来と同様の端子パッド38a〜38f(38a,38bは図示せず)のほかに実装用補助パッドを設けるスペースが確保できなくなり、回路基板32上の高周波回路部品搭載領域38a内にも、接続導体34a〜34fのほかに、実装用補助パッドに対応する電極パッドやグランド導体を設けることができなくなる。
However, when the high-frequency component becomes smaller due to the chip size packaging, as shown in the exploded perspective view of FIG. 3A and the plan view of FIG. In addition to the
本発明は、かかる実情に鑑み、高周波部品が小型化しても、高周波部品の実装高さのばらつきにより発生する残留インダクタンスを抑制することができる高周波モジュールを提供しようとするものである。 In view of such circumstances, the present invention is intended to provide a high-frequency module that can suppress a residual inductance that occurs due to variations in the mounting height of a high-frequency component even if the high-frequency component is downsized.
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した高周波モジュールを提供する。 In order to solve the above problems, the present invention provides a high-frequency module configured as follows.
高周波モジュールは、(a)シグナル電極パッドが形成された回路基板と、(b)前記シグナル電極パッド上に形成され、前記回路基板から突出する接続導体と、(c)前記接続導体に端子パッドが接続されて前記回路基板に搭載される高周波部品とを備えるタイプのものである。高周波モジュールは、(i)前記回路基板の前記高周波部品が搭載された高周波部品搭載領域の周囲に形成されたグランド電極パッドと、(ii)前記グランド電極パッド上に形成され、前記回路基板から突出するグランド導体とを備えている。 The high-frequency module includes: (a) a circuit board on which a signal electrode pad is formed; (b) a connection conductor formed on the signal electrode pad and protruding from the circuit board; and (c) a terminal pad on the connection conductor. And a high-frequency component that is connected and mounted on the circuit board. The high-frequency module includes: (i) a ground electrode pad formed around a high-frequency component mounting region on which the high-frequency component of the circuit board is mounted; and (ii) formed on the ground electrode pad and protruding from the circuit board. And a ground conductor.
上記構成において、回路基板と高周波部品との間に介在する接続導体に高周波電流が流れると、接続導体の周囲に磁界が発生し、自己インダクタンスが発生する。このとき、回路基板のグランド電極パッド上に形成されたグランド導体には、磁界の変化を妨げる方向の電流が流れ、接続導体の周囲に発生した磁界を打ち消す方向に新たな磁界が発生する。これにより、接続導体には、高周波電流による自己インダクタンスを打ち消す電流が発生し、接続導体の自己インダクタンスが小さくなる。 In the above configuration, when a high-frequency current flows through the connection conductor interposed between the circuit board and the high-frequency component, a magnetic field is generated around the connection conductor and self-inductance is generated. At this time, a current in a direction that prevents a change in the magnetic field flows through the ground conductor formed on the ground electrode pad of the circuit board, and a new magnetic field is generated in a direction that cancels the magnetic field generated around the connection conductor. As a result, a current that cancels the self-inductance due to the high-frequency current is generated in the connection conductor, and the self-inductance of the connection conductor is reduced.
つまり、回路基板のグランド電極パッド上にグランド導体を形成することで、電磁誘導により接続導体の自己インダクタンスを相殺し、接続導体の高さばらつき等に起因する電気特性のばらつきを低減し、電気特性が安定した高周波モジュールを得ることができる。 In other words, by forming a ground conductor on the ground electrode pad of the circuit board, the self-inductance of the connection conductor is canceled by electromagnetic induction, and variation in electrical characteristics due to variations in the height of the connection conductor is reduced. However, a stable high frequency module can be obtained.
グランド電極パッドやグランド導体は、高周波部品が小型化しても、高周波部品搭載領域の周囲にスペースを確保して形成することができるので、接続導体の高さばらつき等に起因する電気特性のばらつきを抑制することができる。 The ground electrode pad and the ground conductor can be formed with a space around the high-frequency component mounting area even if the high-frequency component is downsized. Can be suppressed.
好ましくは、前記グランド電極パッドは、前記シグナル電極パッドに隣接して形成されている。 Preferably, the ground electrode pad is formed adjacent to the signal electrode pad.
この場合、接続導体の周囲に発生した磁界を打ち消す効果を一層高め、電気特性がより安定した高周波モジュールを得ることができる。 In this case, the effect of canceling the magnetic field generated around the connection conductor can be further enhanced, and a high-frequency module with more stable electrical characteristics can be obtained.
好ましくは、前記グランド導体は、前記接続導体よりも、前記回路基板から突出している。 Preferably, the ground conductor protrudes from the circuit board rather than the connection conductor.
この場合、接続導体の周囲に発生した磁界を打ち消す効果をより一層高め、電気特性がさらに安定した高周波モジュールを得ることができる。 In this case, the effect of canceling out the magnetic field generated around the connection conductor can be further enhanced, and a high-frequency module with more stable electrical characteristics can be obtained.
本発明によれば、高周波部品が小型化しても、高周波部品の実装高さのばらつきにより発生する残留インダクタンスを抑制することができる。 According to the present invention, even if the high-frequency component is downsized, it is possible to suppress residual inductance that occurs due to variations in the mounting height of the high-frequency component.
以下、本発明の実施の形態としての実施例について、図4〜図8を参照しながら説明する。 Examples of the present invention will be described below with reference to FIGS.
<実施例1> 実施例1の高周波モジュール50について、図4、図5を参照しながら説明する。
<Example 1> The
図4(a)の分解斜視図に模式的に示すように、高周波モジュール50は、内部に電気回路が形成された積層体の回路基板52上に、高周波部品56としてSAWデュプレクサのチップ部品が搭載される。
As schematically shown in the exploded perspective view of FIG. 4A, the high-
図4(a)及び図4(b)の回路基板52の平面図に示すように、回路基板52の上面52aには、従来例と同様に、高周波部品56が搭載される高周波部品搭載領域56a内の電極パッド(図示せず)上に、はんだ等の接続導体54a〜54fが形成され、リフローなどにより、高周波部品56と回路基板52とが電気的に接続される。すなわち、図4(a)に示すように、高周波部品56の端子パッド58a〜58f(58a,58bは図示せず)に対向して接続導体54a〜54fが形成され、高周波部品56の端子パッド58a〜58f(58a,58bは図示せず)は、それぞれ、接続導体54a〜54fを介して、回路基板52の電極パッド(図示せず)に電気的に接続される。
As shown in the plan views of the
詳しくは、回路基板52の内部に形成された引き出し電極55を介して、それぞれ、回路基板52の下面52bに形成された不図示の受信端子、送信端子、アンテナ端子に電気的に接続されている電極パッド(すなわち、シグナル電極パッド)の上には、接続導体54a,54c,54eが形成されている。また、不図示の引き出し電極を介して、回路基板52の下面52bに形成された不図示のアース端子にそれぞれ電気的に接続されている電極パッド(グランド電極パッド)の上には、斜線を付した接続導体54b,54d,54fが形成されている。
Specifically, via a
従来例と異なり、高周波部品搭載領域56aの周囲にも、回路基板52の下面52bに形成された不図示のアース端子に電気的に接続されているグランド電極パッド(図示せず)が形成され、その上にグランド導体55a〜55fが形成されている。グランド導体55a〜55fは、接続導体54a〜54fと同じ材料を用いて接続導体54a〜54fと同時に形成する。この場合、工程が簡単になるので好ましい。もっとも、接続導体54a〜54fとは別個独立に、グランド導体55a〜55fを形成してもよい。
Unlike the conventional example, a ground electrode pad (not shown) electrically connected to a ground terminal (not shown) formed on the
回路基板52上に高周波部品56が搭載され、高周波モジュール50が完成したとき、接続導体54a〜54fやグランド導体55a〜55fは、回路基板52から突出している。グランド電極パッドはシグナル電極パッドに隣接する領域に配置されているため、グランド電極パッド上に形成されている斜線を付したグランド導体55a〜55f及び接続導体54b,54d,54fは、信号が通る接続導体54a,54c,54eに隣接している。
When the
すなわち、図5に模式的に示したように、接続導体60やグランド導体62,64は、矢印68で示す高さ方向に、回路基板52(図4参照)から突出している。接続導体60に矢印60bで示す方向に高周波電流が流れると、接続導体60の周囲には、矢印60aで示す方向の磁界が発生し、自己インダクタンスが発生する。
That is, as schematically shown in FIG. 5, the
このとき、図5(b)に示すように、接続導体60の周りにグランド導体62,64があると、アース端子に接続されてグランド電位であるグランド導体62,64の周りに、矢印62a,64aで示す方向、すなわち、矢印60bで示す方向の磁界を打ち消す方向に、新たな磁界が発生する。そのため、接続導体60の周りでは、磁界が相殺され、インダクタンス自体が小さくなり、接続導体60の高さ等のばらつきに起因するインダクタンスのばらつきも抑制される。
At this time, as shown in FIG. 5B, if there are
接続導体54a,54c,54eには高周波電流が流れるので、はんだの高さのばらつき等によって自己インダクタンスが変動する。しかし、図4に示すように、接続導体54a,54c,54eの周りにはグランド導体55a〜55fが配置されているので、接続導体54a,54c,54eのインダクタンスが小さくなり、インダクタンスのばらつきも抑制される。
Since high-frequency current flows through the
したがって、高周波部品56の電気特性ばらつきが低減され、電気特性上安定した高周波モジュール50を得ることができる。
Therefore, variation in electrical characteristics of the high-
<実施例2> 実施例2の高周波モジュール70について、図6〜図8を参照しながら説明する。
<Example 2> The high-
図7(a)に示す実施例2の高周波モジュール70は、実施例1と略同様に構成され、略同様の方法で作製することができる。
The high-
図6(a)の斜視図に示すように、回路基板72の上面72aに形成された電極パッド71a〜71f、73a〜73f上に、マスク90を用いて、はんだの印刷を行なう。マスク90を用いた少なくとも1回の印刷により、図6(b)の斜視図に示すように、電極パッド71a〜71f(図6(a)参照)の上に接続導体用はんだ96a〜96fが塗布され、電極パッド73a〜73f(図6(a)参照)の上にグランド導体用はんだ97a〜97fが塗布される。図7(a)の斜視図に示すように、高周波部品76を搭載し、リフローすることにより、高周波モジュール70が完成する。
As shown in the perspective view of FIG. 6A, solder is printed on the
図7(b)の回路基板72の平面図に示すように、回路基板72の上面72a上の高周波部品搭載部76a内に接続導体74a〜74fが形成され、高周波部品搭載領域76aの周囲にグランド導体75a〜75fが形成される。接続導体74a,74c,74eが形成される電極パッド71a,71b,71e(図6(a)参照)は、それぞれ、回路基板72の内部に形成された引き出し電極75を介して、回路基板72の下面72b(図6(a)参照)に形成された不図示の受信端子、送信端子、アンテナ端子に電気的に接続されているシグナル電極パッドである。斜線を付した接続導体74b,74d,74f及びグランド導体75a〜75fは、図6(a)において斜線を付したグランド電極パッド71b,71d,71f,73a〜73f上に形成されている。図6(a)において斜線を付したグランド電極パッド71b,71d,71f,73a〜73fは、不図示の引き出し電極を介して、回路基板72の下面72b(図6(a)参照)に形成された不図示のアース端子に電気的に接続されている。図6(a)に示すように、各電極パッド71a〜71f、73a〜73fの面積は同じである。
As shown in the plan view of the
実施例1と異なり、図6(a)に示すように、はんだの印刷に用いるマスク90は、接続導体用はんだ96a〜96f(図6(b)参照)を形成するための開口94a〜94fの開口面積よりも、グランド導体用はんだ97a〜97f(図6(b)参照)を形成するための開口95a〜95fの開口面積の方が大きい。そのため、図6(b)に示すように、グランド導体用はんだ97a〜97fのはんだ塗布量は、接続導体用はんだ96a〜96fのはんだ塗布量よりも多い。
Unlike Example 1, as shown in FIG. 6A, a
この状態でリフローすることで、図7(a)の斜視図に示したように、高周波モジュール70は、グランド導体75a〜75f(75aは図示せず)の方が、接続導体74a〜74f(74a,74bは図示せず)よりも高くなる。すなわち、回路基板72の上面72aからの突出高さは、高周波部品搭載領域76aの外側に配置されたグランド導体75a〜75f(75aは図示せず)の方が、高周波部品搭載領域76aの内側に配置された接続導体74a〜74f(74a,74bは図示せず)よりも大きくなる。
By reflowing in this state, as shown in the perspective view of FIG. 7A, the high-
図8に模式的に示したように、接続導体80に矢印80bで示す方向に電流が流れると、矢印80aで示す方向に磁界が発生し、アース端子に接続されてグランド電位であるグランド導体82,84には、矢印82a,84aで示す方向に磁界が発生する。このとき、グランド導体82,84は、矢印88で示す高さ方向に接続導体80よりも回路基板72の上面72aからの突出高さが大きいため、よりインダクタンスを打ち消す効果が強くなる。また、接続導体80よりも回路基板72の上面72aからの突出高さが大きいグランド導体82,84によって、シールド効果がより強まる。
As schematically shown in FIG. 8, when a current flows through the
<まとめ> 以上に説明した実施例1、2の高周波モジュールは、回路基板と高周波部品との間を接続する接続導体の高さ等のばらつきにより発生するインダクタンス成分を抑制することが可能である。その結果、高周波部品の電気特性が安定し、歩留まりが向上し、高周波モジュールの量産が容易になる。本実施例ではグランド導体が接続導体と同等の高さかあるいは高い場合の実施例が示されたが、グランド導体が接続導体より高さが低い場合においても、グランド導体が形成されていればインダクタンス成分の抑制効果を得ることができる。 <Summary> The high-frequency modules according to the first and second embodiments described above can suppress inductance components generated due to variations in the height of connection conductors connecting the circuit board and the high-frequency components. As a result, the electrical characteristics of the high-frequency component are stabilized, the yield is improved, and mass production of the high-frequency module is facilitated. In this embodiment, an example in which the ground conductor is equal to or higher than the connection conductor is shown. However, even when the ground conductor is lower than the connection conductor, if the ground conductor is formed, an inductance component is formed. Can be suppressed.
高周波部品の端子パッドを増やす必要がないため、高周波部品を小型化することが容易であり、高周波部品を小型化しても、回路基板と高周波部品との間を接続する接続導体の高さ等のばらつきにより発生するインダクタンス成分を抑制することが可能である。 Since it is not necessary to increase the number of terminal pads for high-frequency components, it is easy to reduce the size of high-frequency components. It is possible to suppress the inductance component generated due to the variation.
また、高周波部品の内部においてグランド電極の引き回しが必要ないため、高周波部品の低背化が可能となる。 Further, since it is not necessary to route the ground electrode inside the high frequency component, the high frequency component can be reduced in height.
さらに、高周波部品搭載領域の周囲にグランド導体を形成することにより、他部品間との相互作用を減らし、シールド効果を高めることができる。 Furthermore, by forming a ground conductor around the high-frequency component mounting region, it is possible to reduce the interaction with other components and enhance the shielding effect.
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented with various modifications.
例えば、接続導体やグランド導体は、はんだリフロー以外の方法で形成してもよい。 For example, the connection conductor and the ground conductor may be formed by a method other than solder reflow.
50 高周波モジュール
52 回路基板
54a〜54f 接続導体
55a〜55f グランド導体
56 高周波部品
56a 高周波部品搭載領域
70 高周波モジュール
72 回路基板
71a,71c,71f シグナル電極パッド
71b,71d,71e グランド電極パッド
73a〜73f グランド電極パッド
74a〜74f 接続導体
75a〜75f グランド導体
76 高周波部品
76a 高周波部品搭載領域
96a〜96f はんだ
97a〜97f はんだ
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記シグナル電極パッド上に形成され、前記回路基板から突出する接続導体と、
前記接続導体に端子パッドが接続されて前記回路基板に搭載される高周波部品とを備える高周波モジュールにおいて、
前記回路基板の前記高周波部品が搭載された高周波部品搭載領域の周囲に形成されたグランド電極パッドと、
前記グランド電極パッド上に形成され、前記回路基板から突出するグランド導体と、
を備えたことを特徴とする高周波モジュール。 A circuit board on which signal electrode pads are formed;
A connection conductor formed on the signal electrode pad and protruding from the circuit board;
In a high-frequency module comprising a high-frequency component mounted on the circuit board with a terminal pad connected to the connection conductor,
A ground electrode pad formed around a high-frequency component mounting region on which the high-frequency component is mounted on the circuit board;
A ground conductor formed on the ground electrode pad and protruding from the circuit board;
A high-frequency module comprising:
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