JP2008028236A - Bonding tool, and bump forming method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bonding tool capable of forming a bump with excellent connection reliability, and to provide a bump forming method capable of forming a bump with excellent connection reliability. <P>SOLUTION: The bump forming method of using the bonding tool to form a bump comprises a first step of bending a bonding wire that is projected from a wire hole of the bonding tool in a first direction, and pressing it with a first groove of the bonding tool; and a second step of bending the bonding wire in a second direction, and pressing it with a second groove of the bonding tool. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、ボンディングワイヤを用いたバンプ形成に関する。   The present invention relates to bump formation using a bonding wire.

半導体装置や配線基板では、デバイスや配線と接続された電極パッド上には、バンプと呼ばれる突起状の接続端子が形成され、接続対象と接続される方法がとられる場合がある。例えば、上記のバンプは、様々な方法で形成することが可能であるが、例えばワイヤーボンダーを用いると、容易にバンプを形成することが可能である。   In a semiconductor device or a wiring board, there is a case where a protruding connection terminal called a bump is formed on an electrode pad connected to a device or a wiring and connected to a connection target. For example, the above bumps can be formed by various methods. For example, if a wire bonder is used, the bumps can be easily formed.

図１Ａ〜図１Ｄは、半導体チップ上の導電層（電極パッド）上に、ボンディングツール（キャピラリ）を用いてバンプを形成する方法を、手順を追って示した図である。   FIG. 1A to FIG. 1D are diagrams showing a procedure for forming a bump on a conductive layer (electrode pad) on a semiconductor chip using a bonding tool (capillary).

まず、図１Ａに示す工程では、キャピラリ１からボンディングワイヤ２を突出させ、さらに電極３とボンディングワイヤ２の間に放電を生じさせることで、図１Ｂに示すように、ボンディングワイヤ２の先端に球状部２Ａを形成する。   First, in the step shown in FIG. 1A, the bonding wire 2 is protruded from the capillary 1 and a discharge is generated between the electrode 3 and the bonding wire 2 so that the tip of the bonding wire 2 is spherical as shown in FIG. 1B. Part 2A is formed.

次に、図１Ｃに示す工程において、キャピラリ１を降下させて球状部２Ａを半導体チップ４に形成された電極パッド５に押し付ける。この場合、超音波振動を加えると好適である。   Next, in the step shown in FIG. 1C, the capillary 1 is lowered to press the spherical portion 2 </ b> A against the electrode pad 5 formed on the semiconductor chip 4. In this case, it is preferable to apply ultrasonic vibration.

次に、図１Ｄに示す工程において、キャピラリ１を上昇させてボンディングワイヤを切断し、バンプ２Ｂを形成することができる。   Next, in the step shown in FIG. 1D, the capillary 1 can be raised to cut the bonding wire to form the bump 2B.

しかし、上記のキャピラリを用いたボールボンディングによる方法では、形成できるバンプ２Ｂの径ｄの微細化が困難になる問題があった。   However, the ball bonding method using the capillary has a problem that it is difficult to reduce the diameter d of the bump 2B that can be formed.

例えば、ボールボンディングでは、バンプの径ｄは、ボンディングワイヤの径の２倍程度が微細化の下限である。このため、さらなるバンプの微細化や、または狭ピッチでバンプを形成することが困難となっていた。   For example, in ball bonding, the bump diameter d is about twice the diameter of the bonding wire as the lower limit of miniaturization. For this reason, it has been difficult to make bumps finer or to form bumps with a narrow pitch.

そこで、上記のボールボンディングによらず、ウェッジツールを用いたウェッジボンディングによってバンプを形成する方法が提案されていた（例えば特許文献１参照）。上記の特許文献１では、ボンディングワイヤを折り曲げて電極パッドに押し付けることで、バンプを形成する方法が開示されている。
特開平１１−１０２９２５号公報 Therefore, a method of forming bumps by wedge bonding using a wedge tool has been proposed (for example, see Patent Document 1). In Patent Document 1 described above, a method of forming a bump by bending a bonding wire and pressing it against an electrode pad is disclosed.
JP 11-102925 A

しかし、従来のウェッジツールを用いた場合には、バンプ形成が困難になる場合があった。図２は、従来のウェッジツールを用いてバンプを形成する方法を模式的に示した図である。本図には、半導体チップ４上の電極パッド５に、ウェッジツール１１を用いてバンプを形成する方法を模式的に示している。   However, when a conventional wedge tool is used, bump formation may be difficult. FIG. 2 is a diagram schematically showing a method of forming bumps using a conventional wedge tool. This figure schematically shows a method of forming bumps on the electrode pads 5 on the semiconductor chip 4 using the wedge tool 11.

上記のウェッジツール１１には、ボンディングワイヤ２が挿通されるワイヤ穴１２が電極パッドに対して斜めになるように形成されている。例えば、通常のワイヤボンディングにおいては、ワイヤ穴１２から突出されるボンディングワイヤ２が、ウェッジツール１１の押しつけ部ａによって電極パッドに押し付けられ、必要に応じて超音波振動が加えられてボンディングワイヤの接合が行われる。   The wedge tool 11 is formed so that the wire hole 12 through which the bonding wire 2 is inserted is inclined with respect to the electrode pad. For example, in normal wire bonding, the bonding wire 2 protruding from the wire hole 12 is pressed against the electrode pad by the pressing portion a of the wedge tool 11, and ultrasonic vibration is applied as necessary to bond the bonding wires. Is done.

しかし、バンプを形成する場合には、図２に示すように、ボンディングワイヤ２を折り曲げて、押し付け部ａで押し付けて電極パッドに接合した後、さらに最初の接合時と逆の方向に折り曲げて重ねる必要がある。この場合、ウェッジツール１１の領域ｂは、ボンディングワイヤの押し付けに用いるには面積（長さ）が小さく、安定にボンディングワイヤを押し付けることが困難となる問題があった。   However, when forming a bump, as shown in FIG. 2, the bonding wire 2 is bent, pressed by the pressing portion a and bonded to the electrode pad, and then bent and overlapped in the direction opposite to the time of the first bonding. There is a need. In this case, the area b of the wedge tool 11 has a problem that it is difficult to stably press the bonding wire because the area (length) is small for use in pressing the bonding wire.

また、上記のバンプ形成にあたっては、ボンディングワイヤ２を折り曲げる角度を大きくする必要が生じてしまい、安定にボンディングワイヤ２を折り曲げることが困難となる問題があった。   Further, in forming the above bumps, it is necessary to increase the angle at which the bonding wire 2 is bent, which makes it difficult to bend the bonding wire 2 stably.

このため、図２に示すように、従来のウェッジツールによってボンディングワイヤを折り曲げて積層し、バンプを形成しようとする場合には、ボンディングワイヤの接合が不十分となって、バンプの接続の信頼性が低下してしまう懸念が生じていた。   For this reason, as shown in FIG. 2, when bonding wires are bent and laminated by a conventional wedge tool to form bumps, bonding of bonding wires becomes insufficient, and reliability of bump connection is improved. There was a concern that would decrease.

そこで、本発明では、上記の問題を解決した新規で有用なボンディングツールと、バンプの形成方法を提供することを統括的課題としている。   Therefore, in the present invention, it is a general object to provide a new and useful bonding tool that solves the above-described problems and a bump forming method.

本発明の具体的な課題は、接続の信頼性が良好であるバンプを形成可能なボンディングツールと、接続の信頼性が良好となるバンプを形成可能なバンプの形成方法を提供することである。   A specific problem of the present invention is to provide a bonding tool capable of forming a bump having good connection reliability and a bump forming method capable of forming a bump having good connection reliability.

本発明の第１の観点では、上記の課題を、ボンディングワイヤによってバンプを形成するためのボンディングツールであって、供給される前記ボンディングワイヤが突出されるワイヤ穴と、前記ワイヤ穴の第１の側と第２の側に形成された、突出した前記ボンディングワイヤを押し付けるための溝部と、を有することを特徴とするボンディングツールにより、解決する。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a bonding tool for forming a bump with a bonding wire, the wire hole through which the supplied bonding wire protrudes, and the first of the wire holes. This is solved by a bonding tool having a groove for pressing the protruding bonding wire formed on the second side and the second side.

本発明によれば、接続の信頼性が良好であるバンプが形成可能となる。   According to the present invention, it is possible to form a bump with good connection reliability.

また、前記溝部が、前記ワイヤ穴を挟んで対向するように形成されていると、バンプ形成が容易となり、好ましい。   Further, it is preferable that the groove portions are formed so as to face each other with the wire hole interposed therebetween, because bump formation becomes easy.

また、前記溝部の長さが、前記第１の側と前記第２の側で同じであると、バンプ形成が容易となり、好ましい。   In addition, it is preferable that the length of the groove is the same on the first side and the second side because bump formation becomes easy.

また、前記溝部に、前記ボンディングワイヤを切断するための突起部が形成されていると、ボンディングワイヤの切断が容易となり、好ましい。   Further, it is preferable that a protrusion for cutting the bonding wire is formed in the groove, because the bonding wire can be easily cut.

また、本発明の第２の観点では、上記の課題を、ボンディングツールを用いてバンプを形成するバンプ形成方法であって、前記ボンディングツールのワイヤ穴から突出されるボンディングワイヤを第１の方向に折り曲げ、前記ボンディングツールの第１の溝部で押し付ける第１の工程と、前記ボンディングワイヤを第２の方向に折り曲げ、前記ボンディングツールの第２の溝部で押し付ける第２の工程と、を有することを特徴とするバンプ形成方法により、解決する。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a bump forming method for forming a bump using a bonding tool, wherein the bonding wire protruding from the wire hole of the bonding tool is directed in the first direction. A first step of bending and pressing with the first groove of the bonding tool; and a second step of bending the bonding wire in a second direction and pressing with the second groove of the bonding tool. This is solved by the bump forming method.

本発明によれば、接続の信頼性が良好であるバンプが形成可能となる。   According to the present invention, it is possible to form a bump with good connection reliability.

また、前記第１の溝部と前記第２の溝部が、前記ワイヤ穴を挟んで対向するように形成されていると、バンプ形成が容易となり、好ましい。   Further, it is preferable that the first groove portion and the second groove portion are formed so as to face each other with the wire hole interposed therebetween, because bump formation is facilitated.

また、前記第１の溝部と前記第２の溝部の長さが同じであると、バンプ形成が容易となり、好ましい。   In addition, it is preferable that the first groove and the second groove have the same length because bump formation is facilitated.

また、前記溝部に形成された突起部により、前記ボンディングワイヤを切断する工程をさらに有すると、ボンディングワイヤの切断が容易となり、好ましい。   Moreover, it is preferable to further include a step of cutting the bonding wire by the protrusion formed in the groove, because the bonding wire can be easily cut.

本発明によれば、接続の信頼性が良好であるバンプを形成可能なボンディングツールと、接続の信頼性が良好となるバンプを形成可能なバンプの形成方法を提供することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the bonding tool which can form the bump whose connection reliability is favorable, and the bump formation method which can form the bump whose connection reliability is favorable.

本発明によるボンディングツールは、ボンディングワイヤによってバンプを形成するためのボンディングツールであって、供給される前記ボンディングワイヤが突出されるワイヤ穴と、前記ワイヤ穴の第１の側と第２の側に形成された、突出した前記ボンディングワイヤを押し付けるための溝部と、を有することを特徴としている。   A bonding tool according to the present invention is a bonding tool for forming a bump by a bonding wire, the wire hole through which the supplied bonding wire protrudes, and a first side and a second side of the wire hole. And a groove for pressing the protruding bonding wire formed.

上記のボンディングツールによれば、ボンディングワイヤを異なる方向に折り曲げて積層し、接合することによってバンプを形成することが容易となる。すなわち、本発明によるボンディングツールでは、前記第１の側の溝部と前記第２の側の溝部を有するために、ボンディングワイヤを異なる複数の方向に折り曲げて積層する場合においても、ボンディングワイヤの押し付け（加圧）が容易となっている。   According to the above bonding tool, it is easy to form a bump by bending and laminating bonding wires in different directions and bonding them. That is, since the bonding tool according to the present invention has the first-side groove portion and the second-side groove portion, even when the bonding wire is bent and laminated in different directions, the bonding wire is pressed ( Pressurization) is easy.

このため、接続の信頼性が良好であるバンプを容易に形成することが可能となる。また、従来のボールボンディングによるバンプ形成方法と比較して、より微細化されたバンプを狭ピッチで形成することが可能となる。   For this reason, it is possible to easily form bumps with good connection reliability. Further, as compared with the conventional bump forming method by ball bonding, it is possible to form finer bumps at a narrow pitch.

次に、上記のボンディングツールの形態の一例と、当該ボンディングツールを用いたバンプ形成方法の一例について、図面に基づき説明する。   Next, an example of the form of the above bonding tool and an example of a bump forming method using the bonding tool will be described with reference to the drawings.

図３Ａは、本発明の実施例１によるボンディングツール１００を模式的に示した図であり、図３Ｂは、図３ＡのＡ−Ａ断面図である。図３Ａ，図３Ｂを参照するに、本実施例によるボンディングツール１００は、供給されるボンディングワイヤ２０１が突出されるワイヤ穴１０１と、ワイヤ穴１０１の両側（図３Ａ中、左側と右側）に形成された溝部１０２、１０３とを有するように構成されている。   FIG. 3A is a diagram schematically illustrating the bonding tool 100 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 3A. 3A and 3B, the bonding tool 100 according to the present embodiment is formed on the wire hole 101 from which the supplied bonding wire 201 protrudes and on both sides of the wire hole 101 (left side and right side in FIG. 3A). The groove portions 102 and 103 are formed.

上記の溝部１０２、１０３は、ワイヤ穴１０１から突出したボンディングワイヤ２０１が導電層（バンプが形成される電極パッド）に押しつけられる場合に、ボンディングワイヤが保持されるように形成されている。   The groove portions 102 and 103 are formed to hold the bonding wire when the bonding wire 201 protruding from the wire hole 101 is pressed against the conductive layer (electrode pad on which the bump is formed).

このため、上記のボンディングツール１００によれば、ボンディングワイヤを異なる方向に折り曲げて積層し、接合することによってバンプを形成することが容易となる。すなわち、ボンディングツール１００が、溝部１０２と溝部１０３を有するために、ボンディングワイヤ２０１を異なる複数の方向に折り曲げて積層する場合においても、ボンディングワイヤの押し付け（加圧）が容易となっている。   Therefore, according to the bonding tool 100 described above, it is easy to form bumps by bending and laminating bonding wires in different directions and bonding them. That is, since the bonding tool 100 has the groove portion 102 and the groove portion 103, pressing (pressing) of the bonding wire is facilitated even when the bonding wire 201 is folded and laminated in different directions.

例えば、バンプを形成するにあたっては、上記のボンディングツール１００は以下のようにして用いられる。まずボンディングワイヤ２０１の突出した部分を、図３Ａ中で左側に曲がるように折り曲げ、溝部１０２によって折り曲げたボンディングワイヤ２０１を電極パッド（バンプが形成される導電層）に押し付ける。上記の折り曲げの後に、さらにボンディングワイヤ２０１を折り返すようにして逆の方向に折り曲げる。次に、ボンディングワイヤ２０１の折り曲げられた上層部分を、当該上層部分の下層となる、電極パッド上に接合されたボンディングワイヤに押し付ける。   For example, in forming a bump, the bonding tool 100 is used as follows. First, the protruding portion of the bonding wire 201 is bent so as to bend to the left in FIG. 3A, and the bonding wire 201 bent by the groove 102 is pressed against an electrode pad (a conductive layer on which a bump is formed). After the above bending, the bonding wire 201 is further bent in the opposite direction. Next, the bent upper layer portion of the bonding wire 201 is pressed against the bonding wire bonded on the electrode pad, which is the lower layer of the upper layer portion.

このようにして、ボンディングワイヤによって容易に電極パッド上にバンプを形成することが可能となる。上記の方法によれば、例えばマスクのパターニング（印刷、リソグラフィなど）により、バンプを形成する場合に比べて形成方法が単純であり、低コストで簡単にバンプを形成することが可能である。また、従来のボールボンディングによるバンプ形成方法と比較して、より微細化されたバンプを狭ピッチで形成することが可能となる。   In this manner, bumps can be easily formed on the electrode pads by the bonding wires. According to the above method, for example, by forming a bump by patterning a mask (printing, lithography, etc.), the forming method is simple, and the bump can be easily formed at low cost. Further, as compared with the conventional bump forming method by ball bonding, it is possible to form finer bumps at a narrow pitch.

また、従来のウェッジツールと比較すると、上記のボンディングツール１００においては、ワイヤ穴１０１の両側にボンディングワイヤ２０１を保持する（押し付ける）ための溝部（保持部）１０２、１０３が形成されていることが特徴である。このため、ボンディングワイヤ２０１を異なる方向に折り曲げて積層した場合であっても、安定にボンディングワイヤ２０１を押し付けることが可能である。   Further, in comparison with the conventional wedge tool, in the bonding tool 100 described above, grooves (holding portions) 102 and 103 for holding (pressing) the bonding wire 201 are formed on both sides of the wire hole 101. It is a feature. For this reason, even when the bonding wire 201 is bent and laminated in different directions, the bonding wire 201 can be stably pressed.

また、上記の溝部１０２と溝部１０３は、ワイヤ穴１０１を挟んで対向するように形成されていることが好ましく、この場合にボンディングワイヤを折り返して積層することが容易となる。また、溝部１０２の長さＤ１と、溝部１０３の長さＤ２が同じであると、双方の溝部による押し付けのばらつきが少なく、好適である。   The groove 102 and the groove 103 are preferably formed so as to face each other with the wire hole 101 interposed therebetween. In this case, the bonding wires can be easily folded and stacked. In addition, it is preferable that the length D1 of the groove portion 102 and the length D2 of the groove portion 103 are the same because there is little variation in pressing by both groove portions.

また、ボンディングツール１００を構成する材料としては、例えば、ＷＣ（タングステンカーバイト）、ＴｉＣ（チタンカーバイド）などの金属化合物、焼結アルミナなどのセラミック材料などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。   Moreover, as a material which comprises the bonding tool 100, metal materials, such as WC (tungsten carbide) and TiC (titanium carbide), ceramic materials, such as a sintered alumina, etc. can be used, for example, It is limited to these. It is not something.

また、図４は、上記のボンディングツール１００を用いたボンディング装置３００の概略図である。上記のボンディング装置３００によって、半導体チップ３０１上に形成された電極パッド３０２上に、バンプ３０３を形成することが可能となる。   FIG. 4 is a schematic view of a bonding apparatus 300 using the bonding tool 100 described above. By the bonding apparatus 300 described above, the bump 303 can be formed on the electrode pad 302 formed on the semiconductor chip 301.

上記のボンディング装置３００においては、ボンディングツール１００は、ホーン２０２に装着されて用いられる。上記のホーン２０２は、図示を省略する稼働手段によって複数の電極パッド上を移動し、バンプが形成されるように上下方向、または水平方向に稼働される。   In the bonding apparatus 300 described above, the bonding tool 100 is used by being mounted on the horn 202. The horn 202 is moved up and down or horizontally so that bumps are formed by moving on the plurality of electrode pads by operating means (not shown).

また、ボンディングツールは、上記の構造に限定されず、様々に変形・変更してもよい。例えば、図５は、図３Ａに示したボンディングツール１００の変形例である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。本図に示すように、例えば溝部１０３に突起部１０４を設けることで、ボンディングワイヤ２０１の切断が容易となる効果を奏する。   Further, the bonding tool is not limited to the above structure, and may be variously modified and changed. For example, FIG. 5 is a modification of the bonding tool 100 shown in FIG. 3A. However, the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. As shown in this figure, for example, by providing the protrusion 104 in the groove 103, there is an effect that the bonding wire 201 can be easily cut.

次に、図６Ａ〜図６Ｈを用いて、上記のボンディングツール１００（ボンディング装置３００）を用いたバンプの形成方法について、手順を追って説明する。ただし、以下の図中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。   Next, a bump forming method using the bonding tool 100 (bonding apparatus 300) will be described step by step with reference to FIGS. 6A to 6H. However, in the following drawings, the same reference numerals are given to the parts described above, and the description may be omitted.

まず、図６Ａに示す工程において、ボンディングツール１００のワイヤ穴１０１から、例えばＡｕよりなるボンディングワイヤ２０１を突出させる。   First, in the step shown in FIG. 6A, a bonding wire 201 made of, for example, Au is projected from the wire hole 101 of the bonding tool 100.

次に、図６Ｂに示す工程において、ボンディングツール１００を図中右下方向に降下させる。ボンディングツール１００の降下により、突出したボンディングワイヤ２０１を、半導体チップ３０１上の電極パッド３０２に接触させながら、図中左方向（溝部１０２側）に折り曲げる。   Next, in the step shown in FIG. 6B, the bonding tool 100 is lowered in the lower right direction in the drawing. When the bonding tool 100 is lowered, the protruding bonding wire 201 is bent in the left direction (groove 102 side) in the drawing while contacting the electrode pad 302 on the semiconductor chip 301.

次に、図６Ｃに示す工程において、さらにボンディングツール１００を降下させ、溝部１０２によって、折り曲げられたボンディングワイヤ２０１を保持しながら電極パッド３０２に押し付け、十分に加圧する。ここで、ボンディングワイヤ２０１が電極パッド３０２に接合される。なお、本図に示す工程において、ボンディングツール１００に超音波振動を加えると好適であり、電極パッド３０２（半導体チップ３０１）を加熱するとさらに好ましい。   Next, in the step shown in FIG. 6C, the bonding tool 100 is further lowered, and the groove 102 is pressed against the electrode pad 302 while holding the bent bonding wire 201, and is sufficiently pressurized. Here, the bonding wire 201 is bonded to the electrode pad 302. In the step shown in this drawing, it is preferable to apply ultrasonic vibration to the bonding tool 100, and it is more preferable to heat the electrode pad 302 (semiconductor chip 301).

次に、図６Ｄに示す工程において、ボンディングツール１００を図中右上方向に上昇させ、さらにワイヤ穴１０１からボンディングワイヤ２０１を引き出す。   Next, in the step shown in FIG. 6D, the bonding tool 100 is raised in the upper right direction in the drawing, and the bonding wire 201 is pulled out from the wire hole 101.

次に、図６Ｅに示す工程において、ボンディングツール１００を図中左下方向に降下させて、引き出されたボンディングワイヤ２０１を、図６Ｂ〜図６Ｃに示した工程で折り曲げられた方向と逆の方向に折り曲げる。   Next, in the step shown in FIG. 6E, the bonding tool 100 is lowered in the lower left direction in the drawing, and the drawn bonding wire 201 is moved in the direction opposite to the direction bent in the steps shown in FIGS. 6B to 6C. Bend it.

次に、図６Ｆに示す工程において、さらにボンディングツール１００を降下させ、溝部１０３によってボンディングワイヤ２０１の折り曲げられた上層部分を保持しながら、さらに溝部１０３によって当該上層部分を、当該上層部分の下層となる、電極パッド３０２上に接合されたボンディングワイヤに押し付ける。ここで、上記の上層部分が十分に加圧されることで、折り曲げられた上層のボンディングワイヤが、下層のボンディングワイヤに接合される。   Next, in the step shown in FIG. 6F, the bonding tool 100 is further lowered, and the upper layer portion of the bonding wire 201 is held by the groove portion 103, and the upper layer portion is further moved by the groove portion 103 to the lower layer of the upper layer portion. The bonding wire bonded on the electrode pad 302 is pressed. Here, when the upper layer portion is sufficiently pressurized, the bent upper layer bonding wire is joined to the lower layer bonding wire.

なお、本図に示す工程において、ボンディングツール１００に超音波振動を加えると好適であり、電極パッド３０２（半導体チップ３０１）を加熱するとさらに好ましい。   In the step shown in this drawing, it is preferable to apply ultrasonic vibration to the bonding tool 100, and it is more preferable to heat the electrode pad 302 (semiconductor chip 301).

次に、図６Ｇに示す工程においてボンディングツール１００を上昇させ、図６Ｈに示す工程においてもさらにボンディングツール１００を上昇させることで、ボンディングワイヤ２０１を切断する。この結果、電極パッド３０２上に接合されたバンプ３０３を形成することができる。   Next, the bonding tool 100 is raised in the step shown in FIG. 6G, and the bonding tool 100 is further raised in the step shown in FIG. 6H to cut the bonding wire 201. As a result, the bump 303 bonded to the electrode pad 302 can be formed.

また、図６Ｈに示したボンディングワイヤを切断する工程においては、先に図５で示したように、突起部１０４が溝部１０３に形成されているとボンディングワイヤの切断が容易となり、好ましい。なお、ボンディングワイヤの切断は突起部が形成されていなくても可能である。   In the step of cutting the bonding wire shown in FIG. 6H, it is preferable that the protrusion 104 is formed in the groove 103 as shown in FIG. Note that the bonding wire can be cut even if the protrusion is not formed.

上記のバンプ形成方法によれば、ボンディングワイヤ２０１を異なる方向に折り曲げて積層し、接合することによってバンプを形成することが容易となる効果を奏する。また、折り曲げて積層されたボンディングワイヤ２０１は、下層（１層目）が溝部１０２により、上層（２層目）が溝部１０３により、十分に押し付けられる（加圧される）。したがって、ボンディングワイヤ２０１の接合状態が良好であり、電気的な接続の信頼性が良好となる効果を奏する。   According to the above bump forming method, there is an effect that it is easy to form the bump by bending and bonding the bonding wires 201 in different directions and bonding them. In addition, the bonding wire 201 which is bent and laminated is sufficiently pressed (pressed) by the groove portion 102 in the lower layer (first layer) and the groove portion 103 in the upper layer (second layer). Therefore, the bonding state of the bonding wire 201 is good, and there is an effect that the reliability of electrical connection is good.

また、上記のバンプ形成方法によれば、以下の図７〜図８で説明するように、従来のボールボンディングによるバンプ形成方法と比較して、微細化されたバンプを狭ピッチで配列させることが可能となる。   Also, according to the above bump forming method, as described in FIGS. 7 to 8 below, it is possible to arrange the miniaturized bumps at a narrow pitch as compared with the conventional bump forming method by ball bonding. It becomes possible.

図７は、従来のボールボンディングにより、電極パッド４０２上に形成されたバンプ４０３の平面図であり、当該平面図のＢ−Ｂ断面図を図中の上部に示している。また、図８は、本実施例によるバンプの形成方法により、電極パッド３０２上に形成されたバンプ３０３の平面図であり、当該平面図のＣ−Ｃ断面図を図中の上部に示している。   FIG. 7 is a plan view of a bump 403 formed on the electrode pad 402 by conventional ball bonding, and a BB cross-sectional view of the plan view is shown in the upper part of the drawing. FIG. 8 is a plan view of the bump 303 formed on the electrode pad 302 by the bump forming method according to the present embodiment, and a CC cross-sectional view of the plan view is shown in the upper part of the drawing. .

図７、図８を比較すると、図７に示す本実施例によるバンプ３０３では、ボンディングワイヤを折り曲げる方向に直交する方向に対するボンディングワイヤの広がりが抑制されていることがわかる。このため、従来例のバンプの設置のピッチＰ１に対して、本実施例ではバンプの設置のピッチＰ２を小さくすることが可能となっている。   7 and 8, it can be seen that in the bump 303 according to this embodiment shown in FIG. 7, the spreading of the bonding wire in the direction orthogonal to the direction in which the bonding wire is bent is suppressed. For this reason, in this embodiment, the pitch P2 for bump installation can be made smaller than the pitch P1 for bump installation in the conventional example.

また、上記の実施例においては、ボンディングワイヤ２０１はＡｕ線よりなる場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されず、他の材料よりなる導線を用いてもよい。   In the above-described embodiment, the case where the bonding wire 201 is made of Au wire has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and a conductive wire made of another material may be used.

また、上記の実施例においては、半導体チップ上の電極パッド上にバンプを形成する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば配線基板やマザーボードなど、他の電子部品にバンプを形成する場合に適用することも可能である。   In the above embodiment, the case where bumps are formed on the electrode pads on the semiconductor chip has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and other electronic components such as a wiring board and a mother board are used. It is also possible to apply when forming bumps.

以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。   Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and various modifications and changes can be made within the scope described in the claims.

本発明によれば、接続の信頼性が良好であるバンプを形成可能なボンディングツールと、接続の信頼性が良好となるバンプを形成可能なバンプの形成方法を提供することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the bonding tool which can form the bump whose connection reliability is favorable, and the bump formation method which can form the bump whose connection reliability is favorable.

従来のバンプ形成方法を示す図（その１）である。It is a figure (the 1) which shows the conventional bump formation method. 従来のバンプ形成方法を示す図（その２）である。It is FIG. (2) which shows the conventional bump formation method. 従来のバンプ形成方法を示す図（その３）である。It is FIG. (3) which shows the conventional bump formation method. 従来のバンプ形成方法を示す図（その４）である。It is FIG. (4) which shows the conventional bump formation method. 従来のバンプ形成方法の問題点を示す図である。It is a figure which shows the problem of the conventional bump formation method. 実施例１によるボンディングツールを示す図（その１）である。FIG. 3 is a first diagram illustrating a bonding tool according to a first embodiment. 実施例１によるボンディングツールを示す図（その２）である。FIG. 3 is a second diagram illustrating the bonding tool according to the first embodiment. 図３Ａのボンディングツールを用いたバンプ形成の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of bump formation using the bonding tool of FIG. 3A. 図３Ａのボンディングツールの変形例である。It is a modification of the bonding tool of FIG. 3A. 図３Ａのボンディングツールによるバンプ形成方法を示す図（その１）である。It is a figure (the 1) which shows the bump formation method by the bonding tool of FIG. 3A. 図３Ａのボンディングツールによるバンプ形成方法を示す図（その２）である。It is a figure (the 2) which shows the bump formation method by the bonding tool of FIG. 3A. 図３Ａのボンディングツールによるバンプ形成方法を示す図（その３）である。It is FIG. (3) which shows the bump formation method by the bonding tool of FIG. 3A. 図３Ａのボンディングツールによるバンプ形成方法を示す図（その４）である。It is FIG. (4) which shows the bump formation method by the bonding tool of FIG. 3A. 図３Ａのボンディングツールによるバンプ形成方法を示す図（その５）である。FIG. 3B is a diagram (No. 5) illustrating a bump forming method using the bonding tool of FIG. 図３Ａのボンディングツールによるバンプ形成方法を示す図（その６）である。It is FIG. (6) which shows the bump formation method by the bonding tool of FIG. 3A. 図３Ａのボンディングツールによるバンプ形成方法を示す図（その７）である。FIG. 7B is a view (No. 7) showing the bump forming method by the bonding tool of FIG. 3A. 図３Ａのボンディングツールによるバンプ形成方法を示す図（その８）である。It is FIG. (8) which shows the bump formation method by the bonding tool of FIG. 3A. 従来のバンプ形成方法により形成されたバンプを示す図である。It is a figure which shows the bump formed by the conventional bump formation method. 実施例１によるボンディングツールにより形成されたバンプを示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating bumps formed by the bonding tool according to the first embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１００ ボンディングツール
１０１ ワイヤ穴
１０２，１０３ 溝部
１０４ 突起部
２０１ ボンディングワイヤ
３００ ボンディング装置
３０１ 半導体チップ
３０２ 電極パッド
３０３ バンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Bonding tool 101 Wire hole 102,103 Groove part 104 Protrusion part 201 Bonding wire 300 Bonding apparatus 301 Semiconductor chip 302 Electrode pad 303 Bump

Claims (8)

ボンディングワイヤによってバンプを形成するためのボンディングツールであって、
供給される前記ボンディングワイヤが突出されるワイヤ穴と、
前記ワイヤ穴の第１の側と第２の側に形成された、突出した前記ボンディングワイヤを押し付けるための溝部と、を有することを特徴とするボンディングツール。 A bonding tool for forming bumps with bonding wires,
A wire hole through which the supplied bonding wire is projected;
A bonding tool comprising: a groove portion formed on the first side and the second side of the wire hole for pressing the protruding bonding wire. 前記溝部が、前記ワイヤ穴を挟んで対向するように形成されていることを特徴とする請求項１記載のボンディングツール。   The bonding tool according to claim 1, wherein the groove portions are formed so as to face each other across the wire hole. 前記溝部の長さが、前記第１の側と前記第２の側で同じであることを特徴とする請求項１または２記載のボンディングツール。   The bonding tool according to claim 1 or 2, wherein the length of the groove is the same on the first side and the second side. 前記溝部に、前記ボンディングワイヤを切断するための突起部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のボンディングツール。   The bonding tool according to claim 1, wherein a protrusion for cutting the bonding wire is formed in the groove. ボンディングツールを用いてバンプを形成するバンプ形成方法であって、
前記ボンディングツールのワイヤ穴から突出されるボンディングワイヤを第１の方向に折り曲げ、前記ボンディングツールの第１の溝部で押し付ける第１の工程と、
前記ボンディングワイヤを第２の方向に折り曲げ、前記ボンディングツールの第２の溝部で押し付ける第２の工程と、を有することを特徴とするバンプ形成方法。 A bump forming method for forming a bump using a bonding tool,
A first step of bending a bonding wire protruding from a wire hole of the bonding tool in a first direction and pressing the bonding wire with a first groove of the bonding tool;
And a second step of bending the bonding wire in a second direction and pressing the bonding wire with a second groove of the bonding tool. 前記第１の溝部と前記第２の溝部が、前記ワイヤ穴を挟んで対向するように形成されていることを特徴とする請求項５記載のバンプ形成方法。   6. The bump forming method according to claim 5, wherein the first groove portion and the second groove portion are formed so as to face each other with the wire hole interposed therebetween. 前記第１の溝部と前記第２の溝部の長さが同じであることを特徴とする請求項５または６記載のバンプ形成方法。   The bump forming method according to claim 5 or 6, wherein the first groove portion and the second groove portion have the same length. 前記溝部に形成された突起部により、前記ボンディングワイヤを切断する工程をさらに有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項記載のバンプ形成方法。   The bump forming method according to claim 5, further comprising a step of cutting the bonding wire by a protrusion formed in the groove.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5489958A (en) * 1977-12-27 1979-07-17 Toshiba Corp Wire bonding apparatus
JPS61177736A (en) * 1985-02-04 1986-08-09 Hitachi Ltd Bonding tool
JP2000150573A (en) * 1998-11-12 2000-05-30 Sony Corp Manufacture of semiconductor device
JP2003007756A (en) * 2001-06-27 2003-01-10 Denso Corp Connection structure using wire bonding
JP2004247672A (en) * 2003-02-17 2004-09-02 Shinkawa Ltd Method of forming bump and method for wire bonding

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5489958A (en) * 1977-12-27 1979-07-17 Toshiba Corp Wire bonding apparatus
JPS61177736A (en) * 1985-02-04 1986-08-09 Hitachi Ltd Bonding tool
JP2000150573A (en) * 1998-11-12 2000-05-30 Sony Corp Manufacture of semiconductor device
JP2003007756A (en) * 2001-06-27 2003-01-10 Denso Corp Connection structure using wire bonding
JP2004247672A (en) * 2003-02-17 2004-09-02 Shinkawa Ltd Method of forming bump and method for wire bonding

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