JP2008020206A - Tft substrate inspecting apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、TFT基板検査装置に関し、特に検査装置内に導入されたTFT基板を高温状態で検査するTFT基板検査装置に関する。 The present invention relates to a TFT substrate inspection apparatus, and more particularly to a TFT substrate inspection apparatus that inspects a TFT substrate introduced into the inspection apparatus in a high temperature state.
半導体製造装置において、シースヒーターを備え真空状態で基板等を真空加熱するものが知られている(例えば、特許文献1)。 2. Description of the Related Art A semiconductor manufacturing apparatus that includes a sheath heater and heats a substrate or the like in a vacuum state is known (for example, Patent Document 1).
TFT基板検査装置において、TFT基板の検査は一般に常温で行っているが、TFT基板の検査を高温状態で行うことによって、常温では検出が困難であったTFT基板の欠陥についても、容易に検出を行い、欠陥検出の効率を高めることが期待される。
このように、TFT基板を高温状態で検査するには、検査室に加熱手段を設置し、検査室内に導入されたTFT基板を加熱手段で所定温度まで加熱した後に検査を行うことが考えられる。 Thus, in order to inspect the TFT substrate in a high temperature state, it is conceivable to install a heating means in the inspection room and inspect the TFT substrate introduced into the inspection room after heating it to a predetermined temperature with the heating means.
検査室に設置する加熱手段として高温ヒーターを採用した場合には、TFT基板を常温から所定の高温状態まで短時間で加熱することができるが、高温ヒーターは多量の熱容量を必要とするため、大きなスペースを必要とする。一方、基板検査は、通常真空状態で行われるため、検査室は排気時間を短縮するために室空間の容量は少ないことが望ましい。 When a high-temperature heater is used as a heating means to be installed in the inspection room, the TFT substrate can be heated from room temperature to a predetermined high-temperature state in a short time, but the high-temperature heater requires a large amount of heat capacity, Requires space. On the other hand, since the substrate inspection is normally performed in a vacuum state, it is desirable that the inspection room has a small capacity in order to shorten the exhaust time.
さらに、この検査室の限られた空間内に、荷電粒子ビーム源、TFT基板を可動支持するステージ機構、ビーム照射によってTFT基板から放出された二次電子等を検出する検出器などの種々の検査用装置を設ける必要がある。そのため、この狭い空間内に、上記した各検査用装置に加えて、大きな設置空間を必要とする高温ヒーターを設けることは困難である。 In addition, various inspections such as a charged particle beam source, a stage mechanism for moving and supporting the TFT substrate, and a detector for detecting secondary electrons emitted from the TFT substrate by beam irradiation are provided in the limited space of the inspection room. It is necessary to provide a device for use. Therefore, it is difficult to provide a high-temperature heater that requires a large installation space in addition to the above-described inspection devices in this narrow space.
仮に、検査室内に高温ヒーターを設定した場合には、検査室の空間を広げざるを得ないため検査室の排気に時間を要する。この排気時間の長時間化は、TFT基板の検査時間を長引かせる要因となる。さらに、TFT基板の基板検査を基板製造のライン上においてインラインで行う場合に、検査時間が長時間化するとTFT基板のスループットが低下することになる。 If a high temperature heater is set in the examination room, it takes time to exhaust the examination room because the space in the examination room must be expanded. This longer exhaust time becomes a factor that prolongs the inspection time of the TFT substrate. Further, when the substrate inspection of the TFT substrate is performed in-line on the substrate manufacturing line, if the inspection time is prolonged, the throughput of the TFT substrate is lowered.
また、設置する加熱手段として検査室の狭い空間に取り付けることができるような小型のヒーターを採用した場合には、ヒーターの熱容量が小さいため、検査室内に導入されたTFT基板を常温から高温状態まで加熱するまでに長時間を要することになり、前記した場合と同様に、TFT基板の検査時間が長くなり、さらに、TFT基板の基板検査を基板製造のライン上においてインラインで行う場合には、TFT基板のスループットが低下することになる。さらに、加熱手段に流れる大電流によって発生する電場が電子ビームに影響を与えるおそれがある。 In addition, when a small heater that can be installed in a narrow space in the examination room is adopted as a heating means to be installed, the heat capacity of the heater is small, so that the TFT substrate introduced into the examination room can be moved from room temperature to a high temperature state. It takes a long time to heat, as in the case described above, the inspection time of the TFT substrate becomes long, and when the substrate inspection of the TFT substrate is performed in-line on the substrate manufacturing line, the TFT Substrate throughput is reduced. Furthermore, an electric field generated by a large current flowing through the heating means may affect the electron beam.
そこで、真空状態の検査室と大気側との間でTFT基板を搬出入するロードロック室に加熱装置を設け、ロードロック室内でTFT基板を加熱する構成が考えられる。この構成によれば、ロードロック室で加熱したTFT基板を搬送機構によって検査室に搬送する。 Therefore, a configuration in which a heating device is provided in a load lock chamber for carrying in and out the TFT substrate between the inspection chamber in the vacuum state and the atmosphere side, and the TFT substrate is heated in the load lock chamber is conceivable. According to this configuration, the TFT substrate heated in the load lock chamber is transferred to the inspection chamber by the transfer mechanism.
しかしながら、この構成では、ロードロック室で加熱されたTFT基板の温度が、搬送機構によって検査室に搬送される間に低下するという問題がある。特に、搬送機構は、TFT基板を搬送アーム上に載置して搬送するなどTFT基板を基板単独で搬送する機構であるため、輻射によって温度低下する他に、TFT基板の熱が搬送機構を通して検査装置側に伝達するなどによってTFT基板の温度が低下する。 However, with this configuration, there is a problem that the temperature of the TFT substrate heated in the load lock chamber decreases while being transferred to the inspection chamber by the transfer mechanism. In particular, the transport mechanism is a mechanism that transports the TFT substrate by itself, such as placing the TFT substrate on the transport arm and transporting it. Therefore, in addition to the temperature drop due to radiation, the heat of the TFT substrate is inspected through the transport mechanism. The temperature of the TFT substrate decreases due to transmission to the device side.
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、TFT基板検査装置において、ロードロック室で加熱されたTFT基板の温度がロードロック室から検査室に搬送される間で低下することの抑制を目的とする。 Therefore, the present invention solves the above-described conventional problems and suppresses a decrease in the temperature of the TFT substrate heated in the load lock chamber while it is transported from the load lock chamber to the inspection chamber in the TFT substrate inspection apparatus. With the goal.
本発明は、TFT基板検査装置において、検査室内にTFT基板を導入する前段のロードロック室において予備加熱を行い、ロードロック室から検査室まで搬送する間は、予備加熱の蓄熱で保温状態とすることで、搬送中の温度低下を抑制する。これによって、検査室内での高温加熱を不要とし、基板が検査室内に留まる時間が長時間化することを避けることができるため、短時間で検査が可能となる。また、検査室にヒーターを設ける場合であっても、小型のヒーターで済ませることができる。 In the TFT substrate inspection apparatus, preheating is performed in the load lock chamber before the TFT substrate is introduced into the inspection chamber, and the heat is kept by preheating heat accumulation during the transfer from the load lock chamber to the inspection chamber. This suppresses the temperature drop during conveyance. This eliminates the need for high-temperature heating in the inspection room and prevents the substrate from staying in the inspection room for a long time, thus enabling inspection in a short time. Even when a heater is provided in the examination room, a small heater can be used.
本発明のTFT基板検査装置は、導入したTFT基板の基板検査を行う検査室と、検査室内にTFT基板を導入するロードロック室と、ロードロック室と検査室との間でTFT基板を搬送する搬送機構とを備える。ロードロック室は導入されたTFT基板を予備加熱する加熱手段を有する。また、搬送機構はTFT基板を支持するパレットを有し、このパレットは加熱手段の予備加熱による蓄熱によりTFT基板を保温する。 The TFT substrate inspection apparatus of the present invention transports a TFT substrate between an inspection chamber for inspecting the introduced TFT substrate, a load lock chamber for introducing the TFT substrate into the inspection chamber, and the load lock chamber and the inspection chamber. A transport mechanism. The load lock chamber has heating means for preheating the introduced TFT substrate. Further, the transport mechanism has a pallet for supporting the TFT substrate, and this pallet keeps the TFT substrate warm by heat storage by preheating of the heating means.
また、パレットは、例えばアルミニウム等の保温材で形成することができる。また、この保温材の表面を高輻射材で被覆する構成とすることができ、これによって、ロードロック室内の加熱手段からの熱を高効率で吸熱することができる。 The pallet can be formed of a heat insulating material such as aluminum. In addition, the surface of the heat insulating material can be covered with a high radiation material, whereby heat from the heating means in the load lock chamber can be absorbed with high efficiency.
この構成によって、ロードロック室内に設けた加熱手段によってTFT基板およびパレットを予備加熱し、このパレットの加熱によって検査室まで搬送する間の温度低下を抑制することで、高い温度状態のままのTFT基板を検査室内に導入することができ、検査室内において高温に加熱する機構を不要とすることができる。また、検査室内で昇温させるための時間を要することなく基板検査を行うことができる。 With this configuration, the TFT substrate and the pallet are preheated by the heating means provided in the load lock chamber, and the temperature drop during the transfer to the inspection room is suppressed by the heating of the pallet, so that the TFT substrate remains in a high temperature state. Can be introduced into the examination room, and a mechanism for heating to a high temperature in the examination room can be dispensed with. In addition, substrate inspection can be performed without requiring time for raising the temperature in the inspection room.
また、本願発明の構成によれば、ロードロック室内において予備加熱を行うため、検査室内で先に導入したTFT基板を基板検査している間に次のTFT基板を高温に加熱することができるため、予備加熱を行うことによる検査時間の加算を最小限に抑えることができ、通常の検査時間内で予備加熱が終了する場合には、通常と同じ検査時間で高温による基板検査を行うことができる。 In addition, according to the configuration of the present invention, since preheating is performed in the load lock chamber, the next TFT substrate can be heated to a high temperature while the TFT substrate previously introduced in the inspection chamber is inspected. The addition of the inspection time due to the preheating can be minimized, and when the preheating is completed within the normal inspection time, the substrate inspection at a high temperature can be performed at the same inspection time as the normal inspection time. .
また、搬送中による温度低下を抑制することにより、検査室ではTFT基板の温度の低下を防ぐ程度の保温を行えば済むため、検査室に設ける保温手段を小型とする他、パレットのまま検査室内に搬入することで検査室に設ける保温手段を不要としてもよい。 In addition, since the temperature in the inspection room can be kept low enough to prevent the temperature of the TFT substrate from being lowered by suppressing the temperature drop during transportation, the heat insulating means provided in the inspection room can be reduced in size and the pallet can be kept in the inspection room. It is possible to eliminate the need for a heat retaining means provided in the examination room by being carried into the room.
これにより、保温手段を設置するために要する検査室の容積の増加を最小限に抑えることができる。また、検査室中の電子ビームへの影響を低減することができる。 Thereby, the increase in the volume of the examination room required for installing the heat retaining means can be minimized. Moreover, the influence on the electron beam in the examination room can be reduced.
また、加熱手段の熱容量を大としたり、加熱手段の配置位置や配置数を調整することによって、TFT基板を急速加熱することができる。 Further, the TFT substrate can be rapidly heated by increasing the heat capacity of the heating means or adjusting the position and number of the heating means.
本願発明のTFT基板検査装置では、ロードロック室に設ける加熱手段としてランプヒーターを用いることができる。また、検査室に保温手段を設ける場合には、フィルムヒーター又はシースヒーターを用いることができる。 In the TFT substrate inspection apparatus of the present invention, a lamp heater can be used as a heating means provided in the load lock chamber. In addition, when a heat retaining means is provided in the examination room, a film heater or a sheath heater can be used.
本発明によれば、TFT基板検査装置において、ロードロック室で加熱されたTFT基板の温度がロードロック室から検査室に搬送される間に低下することを抑制することができる。 According to the present invention, in the TFT substrate inspection apparatus, it is possible to suppress the temperature of the TFT substrate heated in the load lock chamber from being lowered while being transferred from the load lock chamber to the inspection chamber.
このTFT基板の温度低下の抑制によって、短時間で高温による基板検査を行うことができ、スループットを低下させることなく、高温による基板検査を行うことができる。 By suppressing the temperature drop of the TFT substrate, the substrate inspection can be performed at a high temperature in a short time, and the substrate inspection at a high temperature can be performed without reducing the throughput.
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は本発明のTFT基板検査装置1を説明するための概略図である。TFT基板検査装置1は、TFT基板9を検査する検査室4、外部とTFT基板検査装置1との間でTFT基板9の搬出入を行うロードロック室(LL室)2、ロードロック室2と検査室4との間でTFT基板9の搬送を行う搬送室3を有する。
FIG. 1 is a schematic view for explaining a TFT substrate inspection apparatus 1 of the present invention. The TFT substrate inspection device 1 includes an
ロードロック室2は、外部と搬送室3との間でTFT基板9の導出入を行うと共に、導入されたTFT基板9を予備加熱する加熱手段10を備える。加熱手段10は、大きな熱容量によってロードロック室2内に導入されたTFT基板9を常温から高温検査を行う所定の高温状態まで急速に加熱する手段であり、例えばIR−ランプを用いることができる。
The
搬送室3は、ロードロック室2と検査室4との間でTFT基板9の搬送を行うチャンバであり、例えば搬送ロボット等のTFT基板9を搬送する搬送機構(図1には示していない)を備える。なお、搬送室3は必ずしも必要ではなく、搬送ロボット等の搬送機構をロードロック室2内あるいは検査室4内に設置する構成としてもよい。
The
検査室4は、TFT基板9の基板検査を行うための機構を備える。また、TFT基板9を高温状態の保持する保温手段を備えてもよい。基板検査の機構は、TFT基板検査装置が通常に備える機構とすることができ、例えば、TFT基板上で電子ビーム等の荷電粒子ビームを走査させる荷電粒子ビーム源や試料ステージ、荷電粒子ビームの走査によって試料から放出される二次電子等を検出する検出器などを備える。
The
本発明はロードロック室2と検査室4との間でTFT基板9を載置して搬送するパレット6を備える。このパレット6は、加熱されたTFT基板9の温度低下を抑制する保温機能を備える。この保温機能は、例えばパレット6をアルミニウム等の保温材を用いて形成する他、パレット6の表面に高輻射材を設けることで得ることができる。高輻射材は、加熱手段から放出された輻射熱を高い効率でパレット6内部に吸熱させる。
The present invention includes a
検査室4が備える保温手段(図1には示していない)は、予備加熱で高温に加熱されたTFT基板9およびパレット6を高温状態のまま保持する手段である。この保温手段は、所定の高温状態を維持することを目的としているため、常温から高温に急速に予備加熱することを目的とした加熱手段10よりも小さな熱容量で充分であり、例えばフィルムヒーターやシースヒーター等を用いることができる。この保温手段が必要とする熱容量は小さくて済むため、その大きさは小型とすることができ、例えばTFT基板を支持するステージに内蔵させることで、検査室4のスペースが制限されたものであっても容易に配置することができる。
The heat retaining means (not shown in FIG. 1) provided in the
次に、TFT基板9の搬送動作とTFT基板およびパレットの予備加熱及び保温動作について図1を用いて説明する。なお、図1では、ロードロック室2は上下2段の構成とし、下段から未検査のTFT基板を導入し、検査済みのTFT基板を導出する例を示している。
Next, the transport operation of the
TFT基板検査装置の外部からTFT基板9a(図1中の(A)の状態)をロードロック室2内導入してパレット6a上に載置し、TFT基板9bを加熱手段10によって常温から高温に急速に予備加熱する(図1中の(B)の状態)。この予備加熱による加熱温度は、搬送室3で搬送される間の温度低下を見込んで、検査室4で行う高温検査の温度よりも高い温度とすることができる。
A TFT substrate 9a (state (A) in FIG. 1) is introduced from the outside of the TFT substrate inspection apparatus into the
高温状態の予備加熱されたTFT基板9bは、パレット6cに載置した状態でロードロック室2から搬送室3を介して検査室4に搬送される。搬送室3では、例えば搬送ロボット3a等の搬送機構によってパレット6cに載置した状態でTFT基板9cを検査室4に導入する。検査室4への導入において、TFT基板9cはパレット6c上に載置したままおこなってもよい(図1中の(C)の状態)。
The high-temperature
検査室4では、保温手段によってTFT基板9dを高温に保持した状態(図1中の(D)の状態)で基板検査を行う。このとき、TFT基板9dはパレット6d上に載置した状態としてもよい。
In the
搬送室3は、基板検査が終了したTFT基板9eを検査室4から受け取り、パレット6e上に載置した状態でロードロック室2に搬送する(図1中の(E)の状態)。
The
ロードロック室2は、搬送室3から搬送されたTFT基板9f(図1中の(F)の状態)を外部に搬出する(図1中の(G)の状態)。
The
図1(b)は、TFT基板をロードロック室2から搬送室3を介して検査室4に導入する際の温度状態を示している。ロードロック室2内では、加熱手段10によって常温から高温まで急速加熱する。このとき、TFT基板を載置するパレット6についても加熱する(図1中の(B)の状態)。搬送室3では、TFT基板9はパレット6に蓄積された熱によって保温状態に保持され、搬送中におけるTFT基板の温度降下は抑制される(図1中の(C)の状態)。
FIG. 1B shows a temperature state when the TFT substrate is introduced from the
なお、ロードロック室2での予備加熱は、例えば、搬送室による温度降下を見込んで、検査室4に導入されたときの温度が所定の高温状態となるように、検査室4の導入時点の温度に温度降下分を加味した温度となるように設定する。
The preheating in the
検査室4では、検査室4に導入された高温のTFT基板を、所定の高温状態に保持する。この所定の温度状態は、TFT基板を高温検査する際に要する温度に基づいて設定される。検査室4においても、TFT基板9をパレット6上に載置した状態とする場合には、温度設定は、このパレットによる保温効果や、TFT基板の位置による温度偏差や、時間変動を考慮して設定される。
In the
図2は、TFT基板検査装置1の一構成例であり、図2(a)はTFT基板検査装置を上方から見た平面図を示し、図2(b)はTFT基板検査装置を横方向から見た側面図を示している。 FIG. 2 is a configuration example of the TFT substrate inspection apparatus 1, FIG. 2 (a) shows a plan view of the TFT substrate inspection apparatus from above, and FIG. 2 (b) shows the TFT substrate inspection apparatus from the lateral direction. A side view is shown.
図2に示すTFT基板検査装置1は、ロードロック室2を下方位置に配置し、検査室4をロードロック室2の上方位置に配置する構成例であり、搬送室3の搬送ロボット3aは、下方のロードロック室2と上方の検査室4との間でTFT基板を搬送する。
The TFT substrate inspection apparatus 1 shown in FIG. 2 is a configuration example in which the
ロードロック室2は、導入したTFT基板9Aを予備加熱する加熱手段としてIRランプ(赤外ランプ)2aを備える。なお、ここでは、ロードロック室2のTFT基板9を載置する部位は上下2段として、上段においてTFT基板を導入し、下段にTFT基板を導出する。ここでは、導入されるTFT基板9Aの表面を加熱するように、上段と下段の中間にIRランプ2aを設ける構成を示している。
The
IRランプ2aの上方には、基板検査が終了したTFT基板9Bが配置され、TFT基板検査装置1の外部に導出される。導出するTFT基板9Bは、必要に応じて加熱を行うことができ、TFT基板検査装置1から導出した後にTFT基板に施す処理において高温が必要である場合には、ロードロック室2から外部に導出する場合にもいてもIRランプ2aにより加熱することができる。IRランプ2aは、TFT基板9をパレット6上に載置した状態で加熱することで、TFT基板9とパレット6の両方を加熱する。パレット6は、TFT基板9を保温する保温機能を備える。
Above the IR lamp 2a, a TFT substrate 9B that has been subjected to substrate inspection is disposed and led out of the TFT substrate inspection apparatus 1. The derived TFT substrate 9B can be heated as necessary. If a high temperature is required in the process applied to the TFT substrate after being derived from the TFT substrate inspection apparatus 1, it is derived from the
検査室4は、搬送ロボット3aによって搬送された高温状態のTFT基板を保持するステージを備える。このステージは、角度調整を行うθステージ4bと、X軸方向及びY軸方向を調整するXYステージ4cを備える。このステージは、TFT基板の高温状態を維持するヒーター11aを備える構成としてもよい。このヒーター11aはフィルムヒーターやシースヒーターを用いることができる。
The
なお、ロードロック室2と搬送室3及び検査室4との間にはゲート2bを備え、搬送室3及び検査室4内を真空状態とすることができる。
A
パレット6に載置した状態でTFT基板9の検査を行う場合には、TFT基板9はパレット6の保温機能によって所定の温度とすることができる。なお、検査室4が加熱機構を備える構成では、TFT基板9は加熱ステージ5上に載置することによって予備加熱を行うことができる。
When the
図3は、本発明が備えるパレットを説明するための図である。図3(a)は、平面状のパレットの例を示し、図3(b)は搬送ロボット等の搬送機構が備える支持アームを挿入する溝部分を備えるパレットの例を示している。 FIG. 3 is a view for explaining a pallet provided in the present invention. FIG. 3A shows an example of a flat pallet, and FIG. 3B shows an example of a pallet having a groove portion into which a support arm provided in a transfer mechanism such as a transfer robot is inserted.
図3(a)において、パレット6はアルミニウム等の保温材で形成され、TFT基板9を載置する載置面6a、および搬送機構の支持アームにより支持される支持面6bを備える平面形状とする。TFT基板6は、このパレット6の載置面6a上に載置され、この載置面6aと通して伝達される熱によって保温される。
3A, the
図3(b)において、図3(a)と同様に、パレット6はアルミニウム等の保温材で形成され、TFT基板9を載置する載置面6a、および搬送機構の支持アームにより支持される支持面6b、および搬送機構(図示していない)が備える支持アーム(図示していない)を挿入する溝部分6cを備えるほぼ平面形状とする。TFT基板6は、このパレット6の載置面6a上に載置され、この載置面6aと通して伝達される熱によって保温される。
3B, as in FIG. 3A, the
次に、検査室内に設けるステージについて、加熱手段を備える加熱ステージの構成例について説明する。図4は加熱ステージの構成例を説明するための図である。 Next, a configuration example of a heating stage provided with heating means will be described for the stage provided in the examination room. FIG. 4 is a diagram for explaining a configuration example of the heating stage.
図4(a)は加熱ステージ5とTFT基板9とを分離した状態で示している。加熱ステージ5は、TFT基板9を上方に支持する、平行に並べられた複数の載置面5aと、これらの支持面5aの間に形成された複数の溝部5bを備える。さらに、載置面5a上にはヒーター11aが設けられている。この加熱ステージ5は、前記したθステージ4b上に設置する構成の他、θステージ4bと一体で形成することができる。
FIG. 4A shows the
溝部5bは、搬送ロボットの支持アーム3b(図4(a)では一部のみ示している)を挿入するための空間を形成している。搬送ロボットは、支持アーム3b上にTFT基板9を載置した状態で、この支持アーム3bを溝部5b内に挿入することで、TFT基板9を加熱ステージ5上に移動させる。
The
搬送ロボットの支持アーム3bは、そのアーム上にTFT基板9を載置して搬送を行う。搬送ロボットは、TFT基板9を支持アーム3b上に載置した状態で加熱ステージ5上に移動させた後、支持アーム3bを下降させることでTFT基板9を加熱ステージ5の支持面5a上に載置する。図3(b)は加熱ステージ5上にTFT基板9を載置した状態を示している。支持アーム3bは、TFT基板9を加熱ステージ5上に載置した後は、溝部5bから引き抜く。基板検査は、支持アーム3bを抜いた状態で基板検査を行う。
The
加熱ステージ5の支持面5aに設けられたヒーター11aは、載置されたTFT基板9を高温状態に保持し、基板検査を行う間、TFT基板9を所定の高温状態に維持する。
The
なお、基板検査が終了した後は、支持アーム3bを溝部5b内に挿入した後上昇させ、支持アーム3b上に検査済みのTFT基板9を載せて支持し、溝部5bから引き抜いて搬出を行う。
After the substrate inspection is completed, the
本発明のTFT基板検査装置が備える、加熱手段及び保温手段は、TFT基板に限らず、高温状態で行う任意の半導体基板の検査に適用することができる。 The heating means and the heat retaining means included in the TFT substrate inspection apparatus of the present invention are not limited to the TFT substrate, and can be applied to inspection of any semiconductor substrate performed in a high temperature state.
1…基板検査装置、2…ロードロック室、2a…IRランプ、2b…ゲート、3…搬送室、3a…搬送ロボット、3b…支持アーム、4…検査室、4a…ヒーター、4b…θステージ、4c…XYステージ、5…加熱ステージ、5a…支持面、5b…溝部、6…パレット、9…TFT基板、10…加熱手段、11…保温手段。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate inspection apparatus, 2 ... Load lock chamber, 2a ... IR lamp, 2b ... Gate, 3 ... Transfer chamber, 3a ... Transfer robot, 3b ... Support arm, 4 ... Inspection chamber, 4a ... Heater, 4b ... θ stage, 4c ... XY stage, 5 ... heating stage, 5a ... support surface, 5b ... groove, 6 ... pallet, 9 ... TFT substrate, 10 ... heating means, 11 ... heat retention means.
Claims (3)
前記ロードロック室は導入されたTFT基板を予備加熱する加熱手段を有し、
前記搬送機構は前記TFT基板を支持するパレットを有し、
当該パレットは前記加熱手段の予備加熱による蓄熱によりTFT基板を保温することを特徴とするTFT基板検査装置。 An inspection chamber for inspecting the introduced TFT substrate, a load lock chamber for introducing the TFT substrate into the inspection chamber, and a transport mechanism for transporting the TFT substrate between the load lock chamber and the inspection chamber,
The load lock chamber has a heating means for preheating the introduced TFT substrate,
The transport mechanism has a pallet that supports the TFT substrate,
The TFT substrate inspection apparatus, wherein the pallet keeps the TFT substrate warm by heat storage by preheating of the heating means.
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