JP2008004730A - Chuck for prober - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウエハ上に形成された電子デバイスの半導体回路(ダイ)の電気的な検査を行うために使用するプローバにおいて、ウエハを保持するプローバ用チャックに関する。 The present invention relates to a prober chuck for holding a wafer in a prober used for electrical inspection of a semiconductor circuit (die) of an electronic device formed on a wafer.
半導体素子などの電子素子の製造工程では、半導体ウエハなどの薄い板状のウエハに多数の半導体回路(ダイ)を形成する。ウエハ上に形成したダイは切り離され、電子部品として組み立てられパッケージングされるが、切り離す前にウエハ上に形成した各ダイの動作確認するダイソートテスト(プローブテスト)が行われる。 In the manufacturing process of an electronic element such as a semiconductor element, a large number of semiconductor circuits (dies) are formed on a thin plate-like wafer such as a semiconductor wafer. The dies formed on the wafer are separated and assembled as electronic components and packaged. Before the separation, a die sort test (probe test) is performed to check the operation of each die formed on the wafer.
プローブテストは、ウエハをプローバのステージ上に載置して固定し、プローブをダイの電極に接触させる。その上で、テスタから一部のプローブに電源及び信号を供給し、出力される信号をテスタで検出して、ダイが正常に動作するかを確認する。検査内容は検査するダイに応じて各種あるが、トランジスタなどの解析のために微小電流を高精度で測定する場合がある。本発明は、このような微小電流を高精度で測定できるプローバ用チャックを対象とする。 In the probe test, the wafer is placed on the prober stage and fixed, and the probe is brought into contact with the electrode of the die. Then, power and signals are supplied from the tester to some probes, and the output signal is detected by the tester to check whether the die operates normally. There are various types of inspection contents depending on the die to be inspected, but a minute current may be measured with high accuracy for analysis of a transistor or the like. The present invention is directed to a prober probe capable of measuring such a minute current with high accuracy.
プローブテストは、ダイの使用環境の仕様に応じて、高温や低温で行なう場合があり、このような測定は、ウエハが載置されるチャックを所定の温度に設定し、載置されたウエハが所定の温度になった状態で行なう。 The probe test may be performed at a high or low temperature depending on the specifications of the die usage environment. Such a measurement is performed by setting the chuck on which the wafer is placed to a predetermined temperature, The process is performed at a predetermined temperature.
図1は、特許文献1に記載された高温での測定及び微小電流の測定が可能なプローバ用チャックの構成例を示す図である。図1に示すように、プローバ用チャックは、ウエハが載置される導電性チャックトップ11と、導電性チャックトップ11を他の部分から電気的に絶縁するように保持する絶縁部材12と、絶縁部材12を支持するバックプレート14と、バックプレート14の内部に設けられたヒータ13とを有する。絶縁部材12の下側表面にはニッケルメッキなどの導電材でガード層12Aが形成されている。また、バックプレート14は、金属製材料で形成されるか、絶縁性で形成された場合にはその表面にニッケルメッキなどの導電材でガード層が形成されている。導電性チャックトップ11とガード層に同電位を印加することでノイズ電流及びリーク電流を抑制する。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a prober for a prober described in Patent Document 1 and capable of measuring at a high temperature and measuring a minute current. As shown in FIG. 1, the prober chuck includes a
ウエハを低温して検査するために、ステージを冷却する場合には、導電性チャック22の内部又は下側に設けられた冷却液又はエアーの導管に冷却流体を流すことにより行なうのが一般的である。本発明は、高温及び低温の少なくとも一方の温度制御が行える温度調整機構が設けられたチャックが対象である。
When the stage is cooled in order to inspect the wafer at a low temperature, it is generally performed by flowing a cooling fluid through a cooling liquid or air conduit provided inside or below the
バックプレート14はフレームグランドFGには接続されず、フレームには高絶縁材で絶縁し電気的に分離される。
The
また、金属製のチャックトップの代わりにセラミックスなどの非導電性(絶縁性)のチャックトップが使用される場合もある。図2は、絶縁性のチャックトップを使用した高温での測定及び微小電流の測定が可能なプローバ用チャックの構成例を示す図である。 Further, a non-conductive (insulating) chuck top such as ceramics may be used instead of the metal chuck top. FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of a prober probe capable of measuring at a high temperature and measuring a minute current using an insulating chuck top.
図2に示すように、絶縁性チャックトップ21の表面には導電層21Aが設けられている。絶縁性チャックトップ21は金属スペーサ22に支持され、金属スペーサ22はバックプレート24に支持され、バックプレート24の内部にヒータ23が設けられている。ヒータ23は、金属スペーサ22に接合され絶縁されたシールドプレートによりヒータノイズを電磁シールドされる。冷却機構は、絶縁性チャックトップ21の内部又は金属スペーサ22の内部に設けられる。
As shown in FIG. 2, a
特許文献2から4は、表面に導体層を、内部に導電材料のガード層を、更には底面に発熱体を、有するように一体に成形したセラミックス製のチャックを記載している。
特許文献2から4に記載されたプローバ用チャックを使用して測定を行うと、たとえ高温や低温での測定でもリーク電流は非常に小さく、高精度の測定が行える。これに対して、図1及び図2のプローバ用チャックを使用すると、高温又は低温で測定すると、微小ではあるが、特許文献2から4に記載されたプローバ用チャックを使用した場合に比べてリーク電流が増加し、測定精度が低下することが判明した。
When measurement is performed using the prober for a prober described in
このように、特許文献2から4に記載されたプローバ用チャックは、図1及び図2のプローバ用チャックに比べて測定精度の点で優れているが、構造が複雑で製造コストが高いという問題があった。
As described above, the prober chucks described in
本発明は、図1及び図2に示した簡単な構造のプローバ用チャックでも、リーク電流を低減して高精度の測定が行えるようにすることを目的とする。 It is an object of the present invention to reduce the leakage current and perform highly accurate measurement even with the prober chuck having the simple structure shown in FIGS.
上記目的を実現するため、本発明のプローバ用チャックは、金属部材と接する絶縁性部材の面に、導電性層を形成することを特徴とする。 In order to achieve the above object, the prober chuck of the present invention is characterized in that a conductive layer is formed on the surface of an insulating member in contact with a metal member.
すなわち、本発明のプローバ用チャックは、載置されたウエハを保持するプローバ用チャックであって、導電材料で作られ、前記ウエハが載置されるチャックトップと、絶縁材料で作られ、前記チャックトップの底面を支持する絶縁部材と、前記絶縁部材の下側に設けられ、内部に部材を収容するように構成され、少なくとも表面の一部が導電性であるバックプレートと、を備え、前記絶縁部材は、上面に設けられた上面導電層と、下面に設けられた下面導電層と、を備え、前記上面導電層と前記下面導電層は互いに絶縁されており、前記上面導電層は前記チャックトップの底面に接触し、前記下面導電層は、前記バックプレートの導電性の表面に接触することを特徴とする。 In other words, the prober chuck according to the present invention is a prober chuck for holding a mounted wafer, made of a conductive material, made of a chuck top on which the wafer is mounted, and an insulating material. An insulating member that supports the bottom surface of the top; and a back plate that is provided on the lower side of the insulating member and configured to accommodate the member therein, and at least a part of the surface of which is conductive. The member includes an upper surface conductive layer provided on the upper surface and a lower surface conductive layer provided on the lower surface, and the upper surface conductive layer and the lower surface conductive layer are insulated from each other, and the upper surface conductive layer is the chuck top. The lower conductive layer is in contact with the conductive surface of the back plate.
また、本発明のプローバ用チャックは、載置されたウエハを保持するプローバ用チャックであって、絶縁材料で作られ、上面に前記ウエハが載置されるチャックトップと、導電材料で作られ、前記チャックトップの底面を支持する導電部材と、前記導電部材の下側に設けられ、内部に部材を収容するように構成され、少なくとも表面の一部が導電性であるバックプレートと、を備え、前記チャックトップは、下面に設けられた下面導電層を備え、前記下面導電層は、前記導電部材の表面に接触することを特徴とする。 The prober chuck of the present invention is a prober chuck for holding a mounted wafer, made of an insulating material, and made of a conductive material and a chuck top on which the wafer is mounted. A conductive member that supports the bottom surface of the chuck top; and a back plate that is provided on the lower side of the conductive member and is configured to accommodate the member therein, and at least a part of the surface is conductive. The chuck top includes a lower conductive layer provided on a lower surface, and the lower conductive layer is in contact with a surface of the conductive member.
本願発明者は、上記のリーク電流を低減するための各種の試みを行ったところ、金属部材と接する絶縁性部材の面に、導電性層を形成することによりリーク電流が低減できることを発見した。この理由は以下のように考えられる。 The inventor of the present application made various attempts to reduce the leakage current, and found that the leakage current can be reduced by forming a conductive layer on the surface of the insulating member in contact with the metal member. The reason is considered as follows.
プローバ用チャックは、熱膨張率の大きな金属材料で形成される部分と、金属材料より熱膨張率の小さなセラミックスなどの絶縁材料で形成される部分を有し、互いに密着して支持するように構成されている。上記のようにチャックトップの温度を変化させるためにヒータ又は冷却機構などの温度を変化させると、チャックトップの表面を含むプローバ用チャックのほかの部分は熱伝導によりヒータ又は冷却機構などの温度に近づくように変化する。使用される金属材料も絶縁材料も熱伝導性の良好な高熱伝導材が使用されており、構成する部材は一様な温度になると考えられてきた。 The prober chuck has a part formed of a metal material having a high coefficient of thermal expansion and a part formed of an insulating material such as ceramics having a coefficient of thermal expansion smaller than that of the metal material, and is configured to be in close contact with each other. Has been. As described above, when the temperature of the heater or the cooling mechanism is changed in order to change the temperature of the chuck top, the other parts of the prober chuck including the surface of the chuck top are brought into the temperature of the heater or the cooling mechanism by heat conduction. It changes to approach. It has been considered that the metal member used and the insulating material are high thermal conductive materials having good thermal conductivity, and the constituent members are at a uniform temperature.
しかし、高熱伝導材であっても、実際にはヒータ又は冷却機構などに近い側と遠い側である程度の温度差が生じる。例えば、図2のプローバ用チャックで、金属スペーサ22内に冷却機構を設ける場合、金属スペーサ22の厚さはある程度大きくなる。このような構造で、金属スペーサ22の下側に配置されたヒータ23を発熱させて金属スペーサ22の温度を上昇させた場合、金属スペーサ22の上下面で温度差が生じる。このような温度差が生じると、図3の(A)に示すように、金属スペーサ22の上下面での熱膨張量が異なり、金属スペーサ22に反りを生じる。
However, even in the case of a high thermal conductivity material, in practice, a certain temperature difference occurs between the side closer to the heater or the cooling mechanism and the side farther away. For example, when the cooling mechanism is provided in the
絶縁性チャックトップ21は、金属スペーサ22からの熱伝導により温度が変化するが、同様に上下面で温度差が生じ、図3の(B)に示すように、絶縁性チャックトップ21に反りが生じる。
The temperature of the insulating chuck top 21 changes due to heat conduction from the
図3の(A)及び(B)のように、絶縁性チャックトップ21と金属スペーサ22の一方または両方が反ると、これらの間に空気層が生じる。このような空気層が生じると、この空気層では熱により空気が暴れてノイズ電流を発生し、これがリーク電流を増加させると考えられる。
As shown in FIGS. 3A and 3B, when one or both of the
金属部材と接する絶縁性部材の面に導電性層を形成することにより、たとえその間に空気層が生じて空気が暴れたとしても、空気層は同じ電位の金属部材と絶縁性部材の導電性層に挟まれているため、外部に影響することはないと考えられる。 By forming a conductive layer on the surface of the insulating member in contact with the metal member, even if an air layer is generated between them and the air is violated, the air layer has the same potential as the conductive layer of the metal member and the insulating member. It is thought that it will not affect the outside.
なお、絶縁部材の上面導電層と下面導電層は互いに絶縁されていることが必要である。 Note that the upper surface conductive layer and the lower surface conductive layer of the insulating member must be insulated from each other.
図1の構造では、絶縁部材12の下面には導電材料のガード層12Aが形成されているが、金属製チャックトップ11と接する絶縁部材12の上面には導電層は設けられていなかった。これは、ガード層12Aがあり、絶縁部材12の上面には金属製チャックトップ11が存在するので、これ以上導電層を設ける必要はないと考えられてきたためである。
In the structure of FIG. 1, a
また、図2の構造では、絶縁性チャックトップ21の上面には導電層21Aが形成されているが、金属スペーサ22と接する絶縁部材12の下面には導電層は設けられていなかった。導電層21Aは、載置するウエハの裏面の電位を規定するための導電層である。絶縁性チャックトップ21の下面には金属スペーサ22が存在しガード層を形成しているため、導電層を設ける必要はないと考えられてきたためである。
In the structure of FIG. 2, the
以上のように、本発明は、従来まったく考えられていなかった原因を究明して、異なる発想で得られたものである。 As described above, the present invention has been obtained with a different idea by investigating a cause that has not been considered at all.
絶縁材料の部材に設けられる導電層は、メッキ、又はコーティング厚を均一にできるイオンプレーティングにより形成されることが望ましい。 The conductive layer provided on the member made of an insulating material is preferably formed by plating or ion plating capable of making the coating thickness uniform.
絶縁部材は、高温時にも高絶縁性が維持される酸化系の高純度アルミナ・セラミックス製であることが望ましい。 The insulating member is preferably made of an oxidation-based high-purity alumina ceramic that maintains high insulation even at high temperatures.
側面におけるリーク電流を抑えるために、プローバ用チャックの側面をリング状に覆い、バックプレートの導電性の表面に接続され、前記チャックトップからは絶縁されている導電性ガードリングを更に備えることが望ましい。導電性ガードリングを備えることで、バックプレートの表面導電層がなくても絶縁層下面のガード層がリーク電流を抑える効果があることを確認している。 In order to suppress the leakage current on the side surface, it is desirable to further include a conductive guard ring that covers the side surface of the prober chuck in a ring shape, is connected to the conductive surface of the back plate, and is insulated from the chuck top. . It has been confirmed that by providing the conductive guard ring, the guard layer on the lower surface of the insulating layer has an effect of suppressing the leakage current even if there is no surface conductive layer of the back plate.
本発明により、簡単な構造で低コストのプローバ用チャックを使用しても、リーク電流を低減して高精度の測定が行えるようになる。 According to the present invention, even if a low-cost prober chuck with a simple structure is used, the leak current can be reduced and high-precision measurement can be performed.
図4は、本発明の第1実施例のプローバ用チャックの構成を示す図である。第1実施例のプローバ用チャックは、導電性チャックトップ31と、絶縁部材32と、バックプレート34と、ヒータ33とを有し、絶縁部材32の下側表面には導電材のガード層32Bが形成されている。以上の構成は図1の従来例と同じである。第1実施例のプローバ用チャックでは、絶縁部材32の上側表面に導電層32Aが形成されており、更に側面にガードリング35が設けられている点が図1の構成と異なる。導電層32Aはガード層32Bからは絶縁されている。なお、冷却機構が設けられていてもよい。
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the prober chuck according to the first embodiment of the present invention. The prober chuck of the first embodiment has a
図5は、導電層32Aの効果を説明する図である。図3で説明したように、プローバ用チャックを高温又は低温にすると、導電性チャックトップ31及び絶縁部材32に反りが生じ、図5に示すように、導電性チャックトップ31と絶縁部材32の上面、すなわち導電層32Aの間に空気層が生じる。空気層内の空気は温度変化により暴れて微小電流を生じる。しかし、導電性チャックトップ31と導電層32Aは接触しており、同電位であるので、同電位の電極の間の空気層内の空気が暴れたとしても、ノイズ電流及びリーク電流は発生せず、測定には影響しない。
FIG. 5 is a diagram for explaining the effect of the
導電層32Aはガード層32Bは、メッキ、又はコーティング厚を均一にできるイオンプレーティングにより形成される。
The
絶縁部材は、高温時にも高絶縁性が維持される高純度アルミナ・セラミックス製であることが望ましい。炭化系のセラミックス材は、絶縁抵抗が低いため、本実施例のプローバ用チャックには適さない。また、ジルコニアやムライトなどは断熱効果は高いが、熱歪が大きく、温度変化の特性も良くないので適さない。 It is desirable that the insulating member is made of high-purity alumina ceramic that maintains high insulation even at high temperatures. Since the carbonized ceramic material has low insulation resistance, it is not suitable for the prober chuck of this embodiment. Zirconia, mullite and the like have a high heat insulation effect, but are not suitable because of large thermal strain and poor temperature change characteristics.
ガードリング35は、金属製で、バックプレート14に接続される。従って、ガードリング35は、導電性チャックトップ31に接触しないように、導電性チャックトップ31の側面まで延びており、導電性チャックトップ31と同電位を印加することで、ノイズ及びリーク電流を抑制できる。
The
図6は、本発明の第2実施例のプローバ用チャックの構成を示す図である。第2実施例のプローバ用チャックは、表面に導電層41Aを有する絶縁性チャックトップ41と、金属スペーサ42と、バックプレート44と、ヒータ43とを有する。以上の構成は図2の従来例と同じである。第2実施例のプローバ用チャックでは、絶縁性チャックトップ41の下側表面に導電層41Bが形成されており、更に側面にガードリング35が設けられている点が図1の構成と異なる。導電層41Bは表面の導電層41Aからは絶縁されている。なお、第2実施例でも同様に、冷却機構が設けられていてもよい。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a prober chuck according to a second embodiment of the present invention. The prober chuck of the second embodiment includes an insulating chuck top 41 having a
第2実施例のプローバ用チャックでも、第1実施例と同様に、絶縁性チャックトップ41及び金属スペーサ42に反りが生じて空気層が生じても、空気層の両側の導電層41Bと金属スペーサ42は同電位であるので、ノイズ電流及びリーク電流は発生せず、測定には影響しない。
Even in the prober chuck of the second embodiment, as in the first embodiment, even if the insulating chuck top 41 and the
導電層41A及び41B、及び絶縁部材は、第1実施例と同様に構成するのが望ましい。また、ガードリング45も、第1実施例と同様に構成するのが望ましい。
The
実際に本発明の効果を確認するための測定を行った。図2の従来例ではリーク電流は2.4pAであったが、第2実施例のプローバ用チャックではリーク電流はほとんど検出されなかった。 Measurements for confirming the effect of the present invention were actually performed. In the conventional example of FIG. 2, the leakage current was 2.4 pA, but the leakage current was hardly detected in the prober chuck of the second embodiment.
本発明は、リーク電流が微小で高精度の測定を行うプローバのチャックであれば、適用可能である。 The present invention is applicable to any prober chuck that performs a highly accurate measurement with a small leakage current.
31 導電性チャックトップ
32 絶縁部材
32A 導電層
32B ガード層
33 ヒータ
34 バックプレート
35 ガードリング
31
Claims (9)
導電材料で作られ、前記ウエハが載置されるチャックトップと、
絶縁材料で作られ、前記チャックトップの底面を支持する絶縁部材と、
前記絶縁部材の下側に設けられ、内部に部材を収容するように構成され、少なくとも表面の一部が導電性であるバックプレートと、を備え、
前記絶縁部材は、上面に設けられた上面導電層と、下面に設けられた下面導電層と、を備え、
前記上面導電層と前記下面導電層は互いに絶縁されており、
前記上面導電層は前記チャックトップの底面に接触し、
前記下面導電層は、前記バックプレートの導電性の表面に接触することを特徴とするプローバ用チャック。 A prober chuck for holding a mounted wafer,
A chuck top made of a conductive material on which the wafer is mounted;
An insulating member made of an insulating material and supporting the bottom surface of the chuck top;
A back plate provided on the lower side of the insulating member, configured to accommodate the member therein, and at least a part of the surface being conductive
The insulating member includes an upper surface conductive layer provided on the upper surface and a lower surface conductive layer provided on the lower surface,
The upper conductive layer and the lower conductive layer are insulated from each other;
The upper conductive layer is in contact with the bottom surface of the chuck top;
The prober chuck according to claim 1, wherein the lower conductive layer is in contact with a conductive surface of the back plate.
絶縁材料で作られ、上面に前記ウエハが載置されるチャックトップと、
導電材料で作られ、前記チャックトップの底面を支持する導電部材と、
前記導電部材の下側に設けられ、内部に部材を収容するように構成され、少なくとも表面の一部が導電性であるバックプレートと、を備え、
前記チャックトップは、下面に設けられた下面導電層を備え、
前記下面導電層は、前記導電部材の表面に接触することを特徴とするプローバ用チャック。 A prober chuck for holding a mounted wafer,
A chuck top made of an insulating material on which the wafer is mounted;
A conductive member made of a conductive material and supporting the bottom surface of the chuck top;
A back plate provided on the lower side of the conductive member, configured to accommodate the member therein, and having at least a part of the surface being conductive,
The chuck top includes a lower surface conductive layer provided on a lower surface,
The prober chuck according to claim 1, wherein the lower conductive layer is in contact with a surface of the conductive member.
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2012049510A (en) * | 2010-07-29 | 2012-03-08 | Kyocera Corp | Chuck for prober, method of manufacturing chuck for prober, and inspection equipment |
WO2014123094A1 (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 株式会社東栄科学産業 | Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58220438A (en) * | 1982-06-17 | 1983-12-22 | Nippon Maikuronikusu:Kk | Measuring placing stand for semiconductor wafer |
JP2001033484A (en) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober |
JP2001135680A (en) * | 1999-08-18 | 2001-05-18 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober and ceramic substrate to be used therefor and wafer prober device |
JP2001135681A (en) * | 1999-08-23 | 2001-05-18 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober device |
JP2004505443A (en) * | 2000-07-10 | 2004-02-19 | テンプトロニック コーポレイション | Wafer chuck having a hot plate with a top assembly and a dura layer surface interchangeable with alternating heating and cooling elements |
JP2004063486A (en) * | 2002-07-24 | 2004-02-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Chuck mechanism for prober |
JP2004088117A (en) * | 1999-08-25 | 2004-03-18 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober and ceramic substrate for use in wafer prober |
-
2006
- 2006-06-22 JP JP2006172339A patent/JP4912056B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58220438A (en) * | 1982-06-17 | 1983-12-22 | Nippon Maikuronikusu:Kk | Measuring placing stand for semiconductor wafer |
JP2001033484A (en) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober |
JP2001135680A (en) * | 1999-08-18 | 2001-05-18 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober and ceramic substrate to be used therefor and wafer prober device |
JP2001135681A (en) * | 1999-08-23 | 2001-05-18 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober device |
JP2004088117A (en) * | 1999-08-25 | 2004-03-18 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober and ceramic substrate for use in wafer prober |
JP2004505443A (en) * | 2000-07-10 | 2004-02-19 | テンプトロニック コーポレイション | Wafer chuck having a hot plate with a top assembly and a dura layer surface interchangeable with alternating heating and cooling elements |
JP2004063486A (en) * | 2002-07-24 | 2004-02-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Chuck mechanism for prober |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012049510A (en) * | 2010-07-29 | 2012-03-08 | Kyocera Corp | Chuck for prober, method of manufacturing chuck for prober, and inspection equipment |
WO2014123094A1 (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 株式会社東栄科学産業 | Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck |
JP2014154588A (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Toei Scientific Industrial Co Ltd | Prober chuck for magnetic memory and magnetic memory prober including the same |
KR20150104234A (en) * | 2013-02-05 | 2015-09-14 | 토에이 과학 산업 주식회사 | Prober chuck for magnetic memory and prober for magnetic memory provided with said chuck |
KR101642749B1 (en) | 2013-02-05 | 2016-08-10 | 토에이 과학 산업 주식회사 | Prober chuck for magnetic memory and prober for magnetic memory provided with said chuck |
US9741453B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Toei Scientific Industrial Co., Ltd. | Prober chuck for magnetic memory, and prober for magnetic memory provided with said chuck |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4912056B2 (en) | 2012-04-04 |
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