JP2007512711A - 現場基板温度モニター法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (49)
- プラズマ処理システムにおける基板温度決定法であって、
基板を、チャックを含んだ基板支持構造体上に配置するステップと、
電磁式温度測定装置で少なくとも第1基板温度を測定し、第1等温状態中に物理式温度測定装置で第1チャック温度を測定することで前記基板のための温度キャリブレーション曲線を創出するステップと、
前記電磁式温度測定装置からの測定値と前記温度キャリブレーション曲線とを利用してプラズマ処理中に前記基板の温度を決定するステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。 - 電磁式温度測定装置で第2基板温度を測定し、第2等温状態中に物理式温度測定装置で第2チャック温度を測定するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 基板はプラズマと電磁式温度測定装置との間に配置されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 基板支持構造体は物理式温度測定装置をさらに含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 電磁式温度測定装置は狭バンドピロメータを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 電磁式温度測定装置はモノクロメータを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 電磁式温度測定装置はグレーティングを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 電磁式温度測定装置はバンドパス光フィルターを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 物理式温度測定装置はサーモカップル装置であることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 基板は1基板であることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 基板はガラスパネルであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 電磁気周波数セットは赤外線スペクトルを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理システムは化学蒸着を含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理システムはプラズマ利用化学蒸着を含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理システムは物理蒸着を含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理ガスは炭素を含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理ガスは水素を含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理ガスはフッ素を含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理ガスは窒素を含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理ガスは酸素を含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理ガスはアルゴンを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理ガスはキセノンを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理ガスはヘリウムを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理ガスは硫黄を含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- プラズマ処理システムにおける基板温度決定装置であって、
基板を、チャックを含んだ基板支持構造体上に配置する手段と、
電磁式温度測定装置で少なくとも第1基板温度を測定し、第1等温状態中に物理式温度測定装置で第1チャック温度を測定することで前記基板のための温度キャリブレーション曲線を創出する手段と、
前記電磁式温度測定装置からの測定値と前記温度キャリブレーション曲線とを利用してプラズマ処理中に前記基板の温度を決定する手段と、
を含んでいることを特徴とする装置。 - 電磁式温度測定装置で第2基板温度を測定し、第2等温状態中に物理式温度測定装置で第2チャック温度を測定する手段をさらに含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- 基板はプラズマと電磁式温度測定装置との間に配置されることを特徴とする請求項25記載の装置。
- 基板支持構造体は物理式温度測定装置をさらに含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- 電磁式温度測定装置は狭バンドピロメータを含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- 電磁式温度測定装置はモノクロメータを含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- 電磁式温度測定装置はグレーティングを含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- 電磁式温度測定装置はバンドパス光フィルターを含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- 物理式温度測定装置はサーモカップル装置であることを特徴とする請求項25記載の装置。
- 基板は1基板であることを特徴とする請求項25記載の装置。
- 基板はガラスパネルであることを特徴とする請求項25記載の装置。
- 電磁気周波数セットは赤外線スペクトルを含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理システムは化学蒸着を含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理システムはプラズマ利用化学蒸着を含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理システムは物理蒸着を含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理ガスは炭素を含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理ガスは水素を含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理ガスはフッ素を含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理ガスは窒素を含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理ガスは酸素を含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理ガスはアルゴンを含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理ガスはキセノンを含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理ガスはヘリウムを含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理ガスは硫黄を含んでいることを特徴とする請求項25記載の装置。
- プラズマ処理システムでのプラズマ処理中における基板温度決定法であって、
基板の温度変化を基板の光学特性の変化に関連付ける数学モデルを創出するステップであって、
a)基板を、チャックを含んだ基板支持構造体上に配置するステップと、
b)基板とチャックとの間に伝熱ガスを導入するステップと、
c)基板とチャックを熱均衡させ、チャック温度を接触測定技術で測定するステップと、
d)知られたスペクトルの組成物の電磁放射線を基板上に照射するステップと、
e)第1電磁エネルギー測定を可能にし、前記照射に対応して基板面から反射する第1電磁エネルギーを測定するステップと、
f)前記接触測定技術を活用して測定されたチャック温度と、前記第1電磁エネルギー測定を利用して前記数学モデルを創出するステップと、
第2電磁エネルギー測定を可能にし、プラズマ処理中に基板面から反射する第2電磁エネルギーを測定するステップと、
デジタルコンピュータを活用して、前記接触測定技術で測定されたチャック温度、前記第1電磁エネルギー測定、前記第2電磁エネルギー測定及び前記数学モデルを利用して、プラズマ処理中に基板温度を計算するステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。
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