JP2007512551A - パターン生成装置及び表面の物理特性を測定するための装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (39)
- 露光装置での使用を対象とした表面にパターンを書き込むための方法であって、
表面を備えた厚さ(T)のオブジェクトをパターン生成装置のステージの上に配置するステップと、
前記表面を多数の測定ポイントに分割するステップであって、隣接する2つの測定ポイントが、所定の最大距離を越えない距離(P)だけ間を隔てられているステップと、
各測定ポイントにおける前記表面の勾配を決定するステップと、
各測定ポイントのx−y平面における二次元局部オフセット(d)を前記勾配及びオブジェクトの前記厚さ(T)の関数として計算するステップと、
前記表面に書き込む前記パターンを、前記二次元局部オフセット(d)を使用して修正するステップと
を含む方法。 - 前記パターンを修正するステップが、
各測定ポイントのために計算した前記二次元局部オフセット(d)を使用して、前記表面に対する修正関数を決定するステップと、
前記パターン生成装置により、前記修正関数を使用して前記表面に前記パターンを書き込むステップと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記勾配を決定する前記ステップが、各測定ポイントにおける前記表面の高さの変化を測定するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記表面の高さの変化を測定する前記ステップが、
基準表面を決定するステップと、
各測定ポイントにおける前記基準表面と前記オブジェクトの前記表面との間の高さ(H)を測定するステップと
を含み、
それにより、x−y平面における前記二次元局部オフセット(d)が、測定した高さ(H)、少なくとも1つの隣接する測定ポイントの各々からの前記距離(P)、及び前記オブジェクトの前記厚さ(T)の関数として計算される、請求項3に記載の方法。 - 前記局部オフセット(d)が、式
d=(T×H)/(2×P)
を使用して計算される、請求項4に記載の方法。 - 前記測定ポイントが、x方向に第1の所定のピッチを有し且つy方向に第2の所定のピッチを有する格子構造で配置されている、請求項3に記載の方法。
- 前記基準表面と前記オブジェクトの前記表面との間の前記高さ(H)が、前記ステージの非一様性、及び/又は前記オブジェクトの一方又は両方の表面の非一様性、及び/又は前記ステージと前記オブジェクトの間に配置される望ましくない物体によるものである、請求項4に記載の方法。
- 前記望ましくない物体は、トラップされた空気又は粒子である、請求項7に記載の方法。
- 前記オブジェクトの頂部表面が前記パターンを担持するように選択される、請求項1に記載の方法。
- 後続する処理ステップの間、前記修正関数が前記露光装置からの予想変形もまた補償する、請求項1に記載の方法。
- 表面の物理特性を測定するための方法であって、
表面を備えた厚さ(T)のオブジェクトを測定装置のステージの上に配置するステップと、
ガラス・プレートを多数の測定ポイントに分割するステップであって、隣接する2つの測定ポイントが、所定の最大距離を越えない距離だけ間隔てられているステップと、
各測定ポイントにおける前記表面の勾配を決定するステップと、
各測定ポイントのx−y平面における二次元局部オフセット(d)を前記勾配及びオブジェクトの前記厚さ(T)の関数として計算するステップと、
各測定ポイントのために計算した前記二次元局部オフセット(d)を使用して、前記表面に対する修正関数を決定するステップと
を含む方法。 - 前記勾配を決定する前記ステップが、各測定ポイントにおける前記表面の高さの変化を測定するステップを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記表面の高さの変化を測定する前記ステップが、
基準表面を決定するステップと、
各測定ポイントにおける前記基準表面と前記オブジェクトの前記表面との間の高さ(H)を測定するステップと
を含み、
それにより、x−y平面における前記二次元局部オフセット(d)が、測定した高さ(H)、少なくとも1つの隣接する測定ポイントの各々からの前記距離(P)、及び前記オブジェクトの前記厚さ(T)の関数として計算される、請求項12に記載の方法。 - 前記オブジェクトが基準オブジェクトであり、前記表面が各測定ポイントにマークを備えている、請求項11に記載の方法。
- 表面を備えた厚さ(T)のオブジェクトを支持するためのステージであって、前記表面が多数の測定ポイントに分割され、隣接する2つの測定ポイントが、所定の最大距離を越えない距離だけ間を隔てられているステージと、
各測定ポイントにおける前記表面の勾配を決定する手段と、
各測定ポイントのx−y平面における二次元局部オフセット(d)を前記勾配及びオブジェクトの前記厚さ(T)の関数として計算する手段と、
各測定ポイントのために計算した前記二次元局部オフセット(d)を使用して、前記表面に対する修正関数を決定する手段と
を有する、表面の物理特性を測定するための測定装置。 - 前記勾配を決定する前記手段が、各測定ポイントにおける前記表面の高さの変化を測定する手段を有する、請求項15に記載の測定装置。
- 前記表面の高さの変化を測定する前記手段が、
基準表面を決定する手段と、
各測定ポイントにおける前記基準表面と前記オブジェクトの前記表面との間の高さ(H)を測定する手段と
を有し、
それにより、x−y平面における前記二次元局部オフセット(d)が、測定した高さ(H)、少なくとも1つの隣接する測定ポイントの各々からの前記距離(P)、及び前記オブジェクトの前記厚さ(T)の関数として計算される、請求項16に記載の測定装置。 - 前記オブジェクトが基準オブジェクトであり、前記表面が各測定ポイントにマークを備えている、請求項15に記載の測定装置。
- 前記オブジェクト上の前記多数の測定ポイントが、x方向に第1の所定のピッチを有し且つy方向に第2の所定のピッチを有する格子パターンで配置されている、請求項15に記載の測定装置。
- 前記オブジェクト上の前記多数の測定ポイントが任意に配置される、請求項15に記載の測定装置。
- 表面を備えた厚さ(T)のオブジェクトを支持するためのステージであって、前記表面が多数の測定ポイントに分割され、隣接する2つの測定ポイントが、所定の最大距離を越えない距離だけ間を隔てられているステージと、
各測定ポイントにおける前記表面の勾配を決定する手段と、
各測定ポイントのx−y平面における二次元局部オフセット(d)を前記勾配及びオブジェクトの前記厚さ(T)の関数として計算する手段と、
前記表面に書き込む前記パターンを、前記二次元局部オフセット(d)を使用して修正する手段と
を有する、オブジェクトの表面にパターンを書き込むためのパターン生成装置。 - 前記パターンを修正する手段が、
各測定ポイントのために計算した前記二次元局部オフセット(d)を使用して、前記表面に対する修正関数を決定する手段と、
前記パターン生成装置により、前記修正関数を使用して前記表面に前記パターンを書き込む手段と
を有する、請求項21に記載のパターン生成装置。 - 前記勾配を決定する前記手段が、各測定ポイントにおける前記表面の高さの変化を測定する手段を有する、請求項21に記載のパターン生成装置。
- 前記表面の高さの変化を測定する手段が、
基準表面を決定する手段と、
各測定ポイントにおける前記基準表面と前記オブジェクトの前記表面との間の高さ(H)を測定する手段と
を有し、
それにより、x−y平面における前記二次元局部オフセット(d)が、測定した高さ(H)、少なくとも1つの隣接する測定ポイントの各々からの前記距離(P)、及び前記オブジェクトの前記厚さ(T)の関数として計算される、請求項23に記載のパターン生成装置。 - 前記局部オフセット(d)が、式
d=(T×H)/(2×P)
を使用して計算される、請求項24に記載のパターン生成装置。 - 前記オブジェクト上の前記多数の測定ポイントが、x方向に第1の所定のピッチを有し且つy方向に第2の所定のピッチを有する格子パターンで配置されている、請求項21に記載のパターン生成装置。
- 前記オブジェクト上の前記多数の測定ポイントが任意に配置される、請求項21に記載のパターン生成装置。
- 前記基準表面と前記オブジェクトの前記表面との間の前記高さ(H)が、前記ステージの非一様性、及び/又は前記オブジェクトの一方又は両方の表面の非一様性、及び/又は前記ステージと前記オブジェクトの間に配置される望ましくない物体によるものである、請求項24に記載のパターン生成装置。
- 前記望ましくない物体は、トラップされた空気又は粒子である、請求項28に記載のパターン生成装置。
- 前記オブジェクトの頂部表面が前記パターンを担持している、請求項21に記載のパターン生成装置。
- 後続する処理ステップの間、前記露光装置からの予想変形もまた補償するための修正関数を計算する手段を備えた、請求項21に記載のパターン生成装置。
- 前記オブジェクトが露光装置での使用を対象とされている、請求項21に記載のパターン生成装置。
- 前記オブジェクトがガラス・プレートであり、前記露光装置を使用して半導体材料にパターンを書き込む際に使用するためにパターンが前記ガラス・プレートに生成されている、請求項32に記載のパターン生成装置。
- 前記オブジェクトが半導体材料であり、前記半導体材料の表面にパターンが直接生成される、請求項21に記載のパターン生成装置。
- 厚さ(T)のオブジェクトの表面に画定された各測定ポイントにおける表面の勾配を決定するステップと、
各測定ポイントのx−y平面における二次元局部オフセット(d)を前記勾配及びオブジェクトの前記厚さ(T)の関数としてに計算するステップと、
各測定ポイントのために計算した前記二次元局部オフセット(d)を使用して、前記表面のための修正関数を決定するステップ、又は前記表面に書き込むパターンを修正するステップ
とを実行するためのコンピュータ・プログラム。 - 請求項35に定義した前記コンピュータ・プログラムを有するコンピュータ・プログラム製品。
- フラット・パネル・ディスプレイを製造するための、請求項1から請求項14までのいずれか1項に定義した方法によって生成されるパターンを有する少なくとも1つのマスクの使用。
- 前記フラット・パネル・ディスプレイが、薄膜トランジスタ(TFT)ディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)又はプラズマ・ディスプレイ・パネル(PDP)のグループのうちのいずれかである、請求項37に記載の使用。
- 前記フラット・パネル・ディスプレイの異なるシステムの製造を提供するために、請求項1から請求項14までのいずれか1項に定義した方法によって生成されるパターンを有する複数のマスクが組み合わされる、請求項37又は請求項38に記載の使用。
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