JP2007502099A - 界力機械 - Google Patents

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Abstract

本発明は、異なる機能機構及び用途の範囲を有する複数の機能ユニットから構成された界力機械（ＦＫＭ）に関する。前記機能ユニットは、例えば逆平行位置にある二つの永久磁石（ＰＭ）である界電池（ＦＢ）から構成された界力生成器（ＦＫＧ）と、界変調器（ＦＭ）を含む。前記界力生成器は、界変調器を使用して機械のサイクル内において機械的作業を生成し、平衡状態と非平衡状態の間において、前記変調器は界電池の界を制御する。本発明によれば、界力生成器（ＦＫＧ）は磁気キャパシタ及びその磁気電気容量制御を参照する。界力生成器と同様に、エネルギーは界電池から放出自由な方法により永久的に生成され、界力変調器のエネルギーの非常に小さい量により制御される。電子トランジスタの制御に類似して、前記界力機械システムは持続的な方法によりエネルギー基盤を全世界的に変化させることができる。

Description

Ａ．発明の技術分野の記述
本発明は、界力機械（ＦＫＭ）及び／又は双極子界に関し、特に、磁気、電気、熱及び重力分野に関し、一般的な発明的思考を実行するように、相互に関係する五つのグループの発明を含む。
１．界力生成器（ＦＫＧ）
２．電界半導体変調器
３．界力エンジン（ＦＫＥ）
４．ピストン棒の長さの変化（ＰＶ）
５．磁気電気界力システム
Ｂ．選択された文献における関連技術の状態
選択された文献における関連技術の状態は、本明細書の以下において指定される。
界力機械についての参考文献
Gerthsen Physik, Meschede, A21, Berlin ; Heidelberg ; New York : Springer Boll, Weichmagnetische Werkstoffe, A4, Berlin ; Munchen : Siemens-Aktiengesellschaft [Abt. Verl.] Band 2, Elektromagnetismus, W. Raith, A8, Berlin ; New York : de Gruyter, 1999 E. Hering, R. Martin, M. Strohrer, Physik fur A8, Berlin ; Heidelberg ; New York ; ; London ; ; Paris ; Tokyo : Spinger D. Spickermann, Werkstoffe der Elektrotechnik und Elektronik, Weil der Stadt : J. Fachkunde Elektrotechnik, Europa Lehrmittel, 42781 Haan-Gruiten : Verlag Europa Lehrmittel, 2002 Tabellenbuch Elektrotechnik, Europa Lehrmittel, A18, 42781 Haan-Gruiten : Verlag Europa Lehrmittel, 2001 Elektrotechnik-Tabellen, Westermann-Verlag Stocker, Taschenbuch der Physik dtv-Atlas Physik, Band 1 Bosch, Kraftfahrtechnisches Taschenbuch, A24, Braunschweig/Wiesbaden: Friedr. Vieweg ＆ Sohn, April 2002 H. Lindner, H. Bauer, C. Lehmann, Taschenbuch der Elektrotechnik und Elektronik, A7, Fachbuchverlag Leipzig, Munchen ; Wien 1999 u. a Taschenbuch der Chemie, A2, Fachbuchverlag Leipzig, Munchen ; Wien 1999 Fachkunde A27, Verlag Europa Lehrmittel, Haan-Gruiten 2001 Braun, E., Elektromagnete. In : Kohlrausch, : Praktische Physik, Bd. 2, 23A, Stg. B. G. Teubner 1985 (→Polschunhe, Bitterspulen)
界力機械の文献例
Fachkunde Europa Lehrmittel (1-571) : Generatoren, Drehstromgenerator, Klauenpollaufer 1600W, 14V, 120A, beachte Verlustwarme (1-253) : Schwingungsdampfer fur Kurbelwelle Zweimassenschwungrad Jorg Hoffmann, Taschenbuch der Messtechnik, A3 (2-233) : Messen von Kraften (2-235) : Induktive, kapazitive und DMS-Kraftmessaufnehmer Prinzip der Kraftmessung mit Federkorper. Aus der Verformung, die uber Weg-oder erfasst wir, kann die einwirkende Kraft ermittelt werden. Handbuch (3-111) : Lithium-Batterien (1-106) : Elektroantriebe, (3-107) : Drehstrommotor : mit hoher Polzahl und hochstem Wirkungsgrad, 15.000 1/min : Kurbeltrieb, Pleuelstangenverhaltnis : Hubkolbentrieb mit variabler Verdichtung (Hub)
Ｃ．発明が解決する技術的課題
界力機械の適用
ＦＫＧの設計は、意図された目的に依存して行う。
例えばＦＫＧは、高い一定の回転数について設計され、変化するトルクのために設計されていない。例えば船における駆動機、又は電流の生成のための発電機としては、大きいトルクを有する一定の回転数が要求される。例えば自動エンジンのための使用としては、変化するトルクと、伸縮性と、変化する回転数が 短い応答モード（高いダイナミクス）が要求される。正接の力ではなく通常の力が変換されるので、ここにより高い原動力の基本的に新しい電気モーターとして（ＦＫＥ）第二の発明が提供される。
１．本発明は、熱エンジンに言及する。可変性の界は、一つによって操縦される。作業は、羽／スプリングに類似した制約のある界の前の制約から結果を生じる。この不可逆循環処理は、４クロックでｐ，Ｖ図において起こる。それは、正しい機械として代わりに設計することができる。
２．本発明は、電子の流れ、操縦、増強、切り替え、変調を導かないが、界（磁界、電界等）を導く要素に関係する。
３．本発明は供給されるべき電気と共に言及する。電気は、電子線（Elektreser）及び／又は磁力線（Magneser）によって変換され、仕事として使用することができる。
４．本発明は、高い効率の強さのトルクコンバーターであり、エンジン、ポンプ、他のシステム、圧縮機及び他のシステムのために使用されることが可能である。
特許請求の範囲は下記の通りである。
独立した第一の特許請求項：
界力生成器（FKG）から構成される界力機械（請求項１〜）
FKG原理（請求項２〜）
界電池（FB）（請求項１０〜）
界変調器（FM）（請求項１４〜）
マイナスの磁束強度の補正（請求項３４〜）
独立した第二の特許請求項：
界半導体界変調器から構成される界力機械（請求項６４〜）
独立した第三の特許請求項：
界力モーター（FKE）から構成される界力機械（請求項８２〜）
独立した第四の特許請求項：
界力機械及び連結棒調節器（PLV）（請求項９８〜）
独立した第五の特許請求項：
界力機械生成器モーターシステム（請求項１０５〜）
ＦＫＭ−タイプ
１．縦方向機械
縦方向機械は、ＰＭ間の大きい空隙の生産からの効果を参照するので、シリンダー機械をリフティングしている。
タイプ（図１．１〜図１．２）
ａ）リフティングシリンダー−界力機械
死点間のＯＴ→ＵＴ→ＯＴの等しい形でない動きは、振動固まり（振動）によって加速及び減速される。
ｂ）自由ピストン界力機械（線形に振動し、運動エネルギーは反対界圧縮のために使用する）
ｃ）電子軌道界ピストン界力機械
リフティング振動＝トリック振動、これを通じてクランクボウは必要でない。また、横断機械は、自己をリフティングピストン機械として構築する。 →少ない転換部品
この場合に、振動横断運動は、「リフティング運動」である。
縦方向機械（図１．１ａ，ｂ）
１．１ リフティングピストンＦＫＭ
Ｂｅｍ：交差正接力を有する移動界ＦＫＭ線形振動、おそらく非常に長いリフティング、ｙ軸におけるＦＭ運動（図１．２ａ，ｂ，ｃ）。
サブタイプ：揺れディスクＦＫＭ、エクツェンター（Exzenter）ＦＫＭ
２．横断機械
横断機械は、従って、リフティングピストン機械による互いに対する大きい縦方向空気分割の生成と同様の一定の空気分割を有するＰＭの延期のためだけに考えられない。
タイプ
ａ）円ピストン界力機械
半径リフティング、機械は「死点」を有せず、運動和形成は必然的でなく、自由質量力がない（すべてそれらを等しくする）。
ｂ）トリック界力機械（図２ａ，ｂ，ｃ）
回転電流機械と同様の循環界、軸・半径ディスク構築。
ｃ）移動界界力機械（図１．２ａ，ｂ，ｃ）
線形機械、線形振動又は移動界を有する線形運動。
横断ＦＫＭ対縦方向ＦＫＭ
縦方向に作動するＦＫＭは、固定された縦方向線（極表面の正規の方向）において使用され、リフティングの方特徴（Kraft-Weg-Kennlinie）は、極表面形状（レベル、円錐、駆動システム）に従って可変である（図３）。
従って、ＦＫＭの動作における運動機能はリフティングピストン機械に対応し、これは異なるタイプにより実現され得る（ｆｆ．参照）。
常時の磁気はそれ自体について同一の縦方向空気分割における一つの距離の反発を考慮するため、横断ＦＫＭはこの点において異なる。しかし、磁石表面の接線方向の横の斥力（Abstossungs）の方特徴が使用される。
ＦＭもまた、運動バージョンにおいて横方向に誘導する。しかし、ＰＭの横断運動、即ち常に同じ極方向（＋→−でない）に垂直に誘導する。
上記原理により、横断機械は電子軌道界ＦＫＭ（遷移機械）及び自由ピストンＦＭ（回転機械）として実現される（ＦＫＭタイプ参照）。
ＦＭを延期するとき、ＦＭ出現について非対称の引力が存在しないように、平衡について注意が払われなければならない。また、大きな界の流れによる空気分割をブリッジすることができるように、一つのＰＳをここで使用することが可能である。
スケール段階（ナノ、ミクロ、マクロ、ビッグテクノロジーにおいて）
全ての前記の異なる動作条件は、本出願の目的に依存する構築原理を通じてグレードを残す。各スケール段階は、当該場合において同一であるＦＫＭの機能原理を解決する。
パラダイム変化
界力機械は、熱力機械の対応物である一方、共に力を生成する。クランクシャフトを通じたトルクまでのｐ，Ｖ図中の円処理におけるエネルギーは再形成され得る。一方、マイケルファラデーの直流発電機の原理（電流は磁界内の電気伝導体の運動によって生成される）に対するものである。しかし、本質的な違いにより、第一の場合は燃料（ガス等）が、第二の場合は機械的エネルギー（トルク、力）が、外部から供給されなければならない。
ＦＫＧに近い界電池は、一度設置されるだけで、永久磁石（ＰＭ／ＰＥ／ＦＭ）として外部から供給される。そのため、システムの境界は磁石の前にある。しかしながら、駆動するものは、機械の全体のシステムにおいて永久的なエネルギー界（磁界電池の界力）を生成する力である（最初に、ＫＫＷの長く保っている電池又はまさしく燃料棒の保っている非常に長い時間の電気管理に相当する）。カーネル燃料棒と異なり、界電池はその特定の品質により、交換又は更新される必要がない。このように、界電池においては、その実質的に無制限の寿命により、外部からの更なるエネルギー供給は必要でない。
従って、古典的でない界質量動的機械としての界力機械は、パラダイム転換に導く。主題（伝導体の間の粒子＝電子の流れ、中性子の流れを有するカーネルエネルギー、化石燃料等）の優越性から、エネルギー界（交換界の回路を有する界質量の流れ）の優越性へ。
今日、物質（ガソリン、燃料要素等）の消費。
基本的に新しい、エネルギー界の活発な使用。
フォーツキット（Fortschitt）／利益
燃焼／電気モーター／ガスタービン／電池からの各種は（車、飛行機、鉄道、船、自転車、コンピュータ、ペースメーカー、家庭及び発電所等におけるエネルギー源において）置き換えられることにより、システムの寿命内に取り替えられたり、再積載されなければならない。
ＦＫＧは、エネルギーバランスにおける以下の結果を供給する。
１．今日の発電機及びエンジンは表面で接した力を使用する。しかし、ＦＫＧ及びＦＫＥは（表面に垂直な）縦方向機械で通常の力を使用する。従って、相当な力／トルクの増加は成長する。
２．高効率性は、縦方向対横方向の力を通じて、横方向力の方向関係、即ち、仕事Ｗｚｕの方向における横方向の界変調器の力方向に対する正方向における界電池の仕事Ｗａｂの力方向を生成する（ＦＭ＝ほとんど弱い切り替えを欠く）。
３．リフティングｈから生じる体積Ｖにおける界圧力ｐ及び力Ｆ（正方向、＝ｐ，Ｖ図において動作）は、より高い古典的なクランクボウ（φ＝０°−１２°ＫＷ）を有する代わりにクランク軸とレバーアーム（φ＝９０°ＫＷによる）を有する連結長変化の発明を通じて、変換回転トランスデューサー（連結長変化）により、基本的により高いトルク及び機械のより高い性能のために成長する。
１．界力機械（ＦＫＧ）
Ａ．発明の表現
Ｉ．基本原理／実行
界力生成器は、２つの界力電池ＦＢと、界変調器ＦＭの３つの部分から構成される。界電池は磁界の効果の制御を有する磁石（永久磁石ＰＭ又は超伝導体磁石ＳＭ）、又は電界の効果の制御を有する永久エレクトレーテ（Elektrete）ＰＥであり得る。本発明である界力生成器の適切な原理は、永久的でない電位と共に、渦界が適用され得る。界力生成器の原理は、全てのタイプ及び電位界の双極界、渦界並びに印加可能な双極界について類似して存在する。
従って界生成器は、それ自体をも原理内に置く。
ａ）熱界力機械、ＦＭはディサーミクム（Dithermikum）であり、加えて熱コンデンサとしての及び／又は二つの熱界源（サーミクム、Thermikum）である。
ｂ）引力界力機械、ＦＭはディグラヴィトゥム（Digravitum）であり、加えてグラヴィタティバー（gravitativer）が実現するコンデンサとしての二つの重力界源（グラヴィトゥム、Gravitum）である。
仕事はこれらの界（熱界及び／又は重力界）に離れて依存して存在する。また、対応する構造形成において使用させる。
それはＰＭの磁界の効果の制御の例によって記述されていることである。
エネルギー「クエーレ（Quelle）」として界力の発電機は界の変調器ＦＭ の力学的エネルギーの助けによって磁気永久的な鉄磁界からのＰＭ の場合には（磁石かＰＥ）作り出す。ＦＭ は薄い磁気的に調節的に鉄の層磁界に活動的なＦＭ としてロッカーのスイッチ機能の、条件の鉛のレイテンド（leitend）又は閉鎖の隔離間のそして補強効果で必要ならであるまたは電界は働く。
利用できる発明と磁気両極ように新しい磁気的に働く磁気ダイオードおよび磁気トランジスターとしてなりなさい。
レイストゥングスマグネトロニック（Leistungsmagnetronik）の磁気サイリスタ、磁気 トライアック及び導入されるM-IGBT と同様。
目的：磁界、同じの回路１の補強は適用する。
ＦＭ は、２つのＦＭ の部品とＥ＝０の初期状態のｗｉｅ「ゲブンデネ（gebundene）」ＣｏｏＰＥｒの組のこの平衡で、より否定的の振動マグネトスタティスケ（magnetostatische）の固まり（より魅力的に） 格子振動のようなマグネトスタティスケ、逆平行「レイトゥングス（Leitungs）ＰＭ間の相互効果が運ぶ魅力的な交換を、ＰＭする運ぶ。１．定義、ディマグネティクム（Diumnagnetikum）／マグネティクム（Magnetikum）ディディミアム＝）マグネティクム誘電性のエレクトリクム（Elektrikum）ディマグネティクム（最高）＝一流の誘電体＝（ディディミアム＝）最高導かないこと）＝２つを導く。モデルは（逆平行）相互磁気分離のためのそれらおよび拒絶ＰＭとＥＭ の魅力間の平衡の生産間で現在の磁石の棒の表面の磁化およびディマグネティクムの同じ名前の印が付いている磁気コンデンサーのように働く。
エルシダティオン（elucidation）のために私達はそれにより磁気システム、調査容量をそこにそれら間の磁気コンデンサーとして磁気棒の表面間の力仕事（kraftwirkung）また現在のディマグネティクム話さない（＝説明されるためある）。
電気界の同じような原理の電子コンデンサーは電気の帯電作り出される。
横断ディマグネティクムは臨時界とまた他の潜在性の発明に従って運動学的に受動的にまたは積極的にｂ）静的に受動的にまたは積極的にコンデンサーの界効果の制御また起こることができる。
３．私コンデンサー機能盛り土は1 つ磁気絶縁物が付いている磁気リーダー（「源」＝磁石）の磁気コンデンサー間の区域（パーメアビリタエテン（permeabilitaetn）のディマグネティクムか媒体）、それから磁気容量ｃｍ増加する。ディマグネティクムは中間区域、そしての磁気流しに押される。
同じ主義は容量のセリウムおよびパーミッティヴィタエト（permittivitaet）Ｅの誘電体に同様に適用する。
Ａ．コンデンサー機能それは相当な相違または１．の絶えずなしの磁気とのディマグネティクムの磁気コンデンサー間のある。２．の定数の磁化の張力そしてコンデンサー。それは分母のクーロン法律の２磁化間の力のために立つ、従って磁気力の法律と、すなわちは２間の力媒体でより小さい。それはそれとの一定したのコンデンサーと同じような場合なる張力Ｕや及び界力Ｅおよび／またはである。より小さいH 。
出力密度は真空でより中型の大きくにか小さいあるどうか、左右される境界条件に: 場合では、より一定したＨと類似しているおよび/または残る。Ｅ絶えず及び入って来る商品および／または。Wmは彼および/または比例して余りにである。一定したの場合に（タイプFKG）Ｅはおよび／またはある。Ｈ及び入って来る商品および/または比例して余りに。
従ってFKG の基本原則は下記のとおりである。１．磁気ディスクと２間のディマグネティクムの磁気コンデンサーの効果。逆平行に整理された磁気ディスクＰＭの（肯定的なエネルギー） 拒絶とＦＭ（否定的なエネルギーとして磁気容量）のディマグネティクム著魅力間の平衡の生産。
再パルス効果の中心の異なった魅力的な磁気ディスクそしてＦＭはdia.磁気ＦＭ 材料と可能である。
それに属しなさい: 貴金属のローネンクリスタレ（lonenkristalle）、ワールス（Waals）の水晶のコファンレンテ（kovalente）の水晶、分子の水晶がii超伝導体のタイプ１にFKG のコンデンサーの主義に反タイプする超伝導体ヴァンはそれから成っている: 1. 2 つのディマグネティスケの版はそれら間のＦＭ のない平衡に魅力的なＦＭ−ＰＭ がそれらの間にあるときだけあり、きつく締められる。
２．２つのdia. 磁気版はそれら間のＦＭ のない平衡に再パルスＦＭ−ＰＭ がそれらの間にあるときだけあり、押される。
磁気コンデンサーは発明の磁気陽極間に従ってマグネトロデン（Magnetroden）（電極） をタイプする。磁気陰極ディマグネティクム。図表は磁気ＦＭのコンデンサーのタイプの張力を示すことができる。
珪華のディマグネティクムの鉄フェリック（ferrousferric）金属ホイルおよびセラミックは１を分類する。低い（Dimagnetizitaetskonstante）のクラス：高いクラスIII：非常に高い会計情報システムの原料はディスク、（Reduktions-und）のディマグネティクムのような磁気半導体接続点の形態によってそれら、ように多層コンデンサーの調節可能なコンデンサーの可変的なコンデンサーの仕事の生産−使用される統合された磁気コンデンサーＦＭ の可変的なコンデンサーは実現可能な磁気の（磁石）または電気主義の発明に従ってすべてのコンデンサーある。（FKG） 簡易性ベルのための効果の主義のアーカエルング（Erkaerung）はそれ以上の記述で鉄フェリック磁気材料の言葉になり、これがＳＭの取り替えとして超伝導体の磁石にまた適用する効果は柔らかい行為の主義および堅い材料が現象論理的に同様であり、これらの対称の行為の主義の特許の請求がまたヒステリシスを参照するが、参照した。
厚さのｓはそれ自身間の中心の版ａ） に磁石（ＦＭ がまた知っていることａ）来る磁石が付いているより近くまでそれにより分けたそれ自身のの外のＰＭ−ＦＭの引力ｂ）のためのより短い界力１／２（図４）である（厚さｓ）の中間ＦＭ なしで整理される（図５） 外側（Outine）ＦＭ は、逆平行に方向づけられた磁石なので強く、２つの磁石の仕事の透磁率に従って、（否定的なエネルギー＝魅力的に、肯定的なエネルギー＝再パルス撃退）間の魅力によって適した厚さｓの平衡をきつく締まる柔らか磁気材料を製造する。
運動学的のＰＭの縦方向力の方法特徴の拒絶とＰＭの有効射距離、従って、縦方向の仕事として） 独特、より小さい仕事必ずしも横力の方法ＰＭの表面に垂直に償われるＰＭのＦＭの横の魅力から（接した方向）移り、取除かれる（最も好ましい場合ででＦＭの動きに横断磁気好まれた方向Aequipotentialflaeche （直接潜在的なエネルギー残物） のすなわち１を用いる界は切れる（図６）
変化のラインは仕事、潜在的なエネルギーで斜めに切れなかった。Ｂｅｍ：ｘ方向の界とＦＭは費やされる仕事なしの1 つのｙ方向のそれに垂直に動くことができる。厳しく同質な界のためにＦｔ。
ＰＭ の拒絶とＦＭ 「アンツィエフング（Anziehung）」間の平衡の条件の機能を傾ける非平衡（従って＝非線形それによりＰＭを縦方向の方向の適用範囲が広い界の影響（衝動） 受け取り、クランク軸のＯＴの位置によってそれのＵＴの位置にＦＭに彼ら自身を再度１ 閉まる引き起こせば磁気平衡と反対代理力（拒絶）の背部のないＯＴの位置に、ようにＰＭ'動かされた缶（図７）があるために製造する。
OT及びUTの位置の平衡間の動きは起こり回転（それの異なった数で動的に及びによって活発な頻度、パラメトリックに交換する。
動きによって（の＝界の柔らか磁気材料＝「不透明に」余りに）磁石は、というａ）再調節力、フライホイールによるz.B.を交換する（ショックマウントによって時計のそしてクランク軸との界の影響を、動かすスタート地点の（OT=上部の真々中=0.KW）背部（循環プロセス、1ＦＭの2つのそれ以上のそれ以上の磁石の遊んでいる打撃）に磁石を、またはそれぞれ1の間の拒絶の原因によって低のUTの位置の真々中のb）=再調節の方向OT、また吸収する。ＦＭは閉鎖している、従ってOTの磁石間のrepulsive強さはない（図8）
ピストン棒の移動の衝動への交換界の影響は、いつ、OTとなる（そして必要ならば。UT=義務の使用として打撃h）の使用。
Z.B.適用範囲が広い界の影響＋容積の強さで磁界のようにまたはトルクによって変えられるへの動きが付いているＰＭの表面の圧力およびクランク軸（図９）へのコイルの動き。
２．磁界／電界電池
界電池／磁石設計
よりよそよそしく中で（またはまた、引力的な影響）＝永久磁石が正しい位置に置いた（逆平行に）２つの界電池は、かなりの強さで彼ら自身を追い返す。界電池／磁石設計に関して力から死重への関係が重要であり、移動する磁性は小さく受けられる運動エネルギーは大きくなるように、最適化される。Pにおいて生成される、通常の力の方向特性（Kraft-Wag-Kennlinie）である運動Wの不可逆周期のプロセスをV図で決定する。
特に好ましい磁石設計はサンドイッチ型配列によるものである。
x-y-z又は磁石及び／又は電力及び／又は超伝導磁石の配列に界電池がある場合を示す（図１０）。PM及び／又はPE及び／又はSMは、PM／PE／SM界電池が低い死重に関して蓄積した強い力を受けるために、しっかりと連結されていてよい。
PM及び／又はPEは、消磁が起こらないように（消磁要素を最低運動エネルギーN=1 （BH）maxとする）、反発力条件下で滞留状態から死重へと最適化して配置される。
縦方向の力の方向特性は、力の方向機能（Kraft-Weg-Funktion）が振動軸となるように必要に従って、均等な極面、凹面、円錐、マグネットディップ（Tauchmagnet）等の配列である。
３．界モジュレータ（FM）
界モジュレータの基本原理
界モジュレータFMは原理に沿って操作される。
１．運動FM：運動FMは受動的及び／又は能動的であり、界（FM誘導）内の物質と界内（非誘導）の空気／ガス／真空を切り替える。
能動バージョンは、以下のものを用いる。
ａ）補助界の吸引力から吸引力の支持への効果、
ｂ）FM の厚さの減少に対する吸引力効果、
ｃ）渦巻電流効果の補正及び／又は磁石横断効果
２．静止FM：静止FMは別の代替効果の原理を用いる能動FMのみが実現可能である。
特定の界モジュレータ
界モジュレータは消磁状態である。一FMと二PM間では、磁気キャパシタによって平衡状態となる実質特性を備えた磁気伝導体として作用する。
二つの磁石間の界モジュレータは、PMの反発力のオン／オフを切替できる（界、すなわち磁石間の領域におけるエネルギーの効果のみ）。これによりFMは「ON（AUF）」又は「TO（ZU）」の状態となる。この切替プロセスの間に、FMは、磁石内の強磁性材等である「誘導」を示す「TO」の後に、磁石間の空気等である「非誘導」を示す「ON」に切り替えられる。このようにして、磁石間の隙間にある強磁性材で磁力が増すことによって、PMの反発力と強磁性材の吸引力間の釣り合いが取れる（FM消磁）。
「TO」を示すFMにより、三つの要素が静的及び動的（渦巻電流）平衡状態となる。
磁界における強／フェリ磁性材の最大導電率（μmax_Bopt）を備えた動作基点に注意をする必要がある。動作基点において、流密度の界の力の特性は最適であり非常に細い界モジュレータへと導き、「ON」の補助的な位置である非常に小さな空気の隙間へと導く。ある種の磁石が異方性を形成することは考慮すべきであり、この場合接線方向に最大となる（正常方向において固定状態となる）。
空気の隙間と力の方向の損失を防ぐために、磁極片（PS）が異方性の材とともに用いられる。この異方性材は反発力の減少を非常に少なくするために好適には磁石間に導入する。
ある種の磁石が異方性を形成することは考慮すべきであり、この場合正常方向に最大となる（接線方向において固定状態となる）。
磁極片は（断続的な）動的又は静的状態にもできる。静的FM及び／又はPSは、該FM及び／又はPSを動かさなくても磁束量を「ON」と「TO」で切り替えられる。運動変化によりFMは反復動作状態でPSへと変化する。
FM及び／又はPSはインラインFM（磁石の間）とアウトラインFM（磁石の外側）に配置できる。これにより平衡状態又は非平衡状態が保たれる。
FMの界の効力は、流路へ界が横切ることで制御することができる。
３．１ 動的及び静的FMの区別
運動（Kinematiseher）FM：横断運動磁石と誘電渦巻電流（磁気反発力）は、熱補正とともに横断運動振動発生時に対応する。渦巻電流がない場合同様に、高い仕様及び電気抵抗力を持つためフェライトへと発展する。
FM開放とは空気やガス、PM間の真空を示し、FM閉鎖とは軟磁性材と、加えて動的FMとして静的／動的補助界を示す（図１１）。
FM の振動による-FtのPM（やや収束して横切る）と渦巻電力（弱い制動）は、振動の吸収を意味し、B界が一時的に変化したとしても（PM振動）動作を保持する。渦巻電力はプレートの厚さと比例する。→？s
高い振動率の表皮効果で考えてみる。
→動的な補正システムを備えた動的FM
（反渦巻電力システム）
横断力補正。
運動FMは特定の負を補正するために動的FMのコンポーネントを移送できる（図１２）。
静的FM：導電性の動的変化（透過性及び／又は誘電性）。必要であればこれに動的補助界（吸引力基盤強度＋渦巻電流反発力補正）を加える。
静的FMは常にPM間の中央（左右対称面）位置に留まる。この種のFMはほんの少し動的に作られており、これは静的効果の変化において切り替えられ、この位置に運動学的に横移動されないからである。
静的FM：
「TO」=「絶縁体」／バリヤー層=高透過性μr?1=強／フェリ磁性
「ON」=透明度=低透過性μr?1=高正磁気（図１３）。
FMの種類
ａ）誘導／非誘導FM（常強磁性／フェリFM等）、
ｃ）磁気半導体FMとのMトランジスタ効果、
ｂ）閉鎖FMによるFlussquantenのMトンネル効果がある（図１４）。
上記のａ）はラミネーション（誘電層＋反渦巻電流構造）と開閉遮断ハウジング構成（PMとのドップラー（doppelraumiges））で渦巻電流を誘電して、又はそれらがなくても用いることが出来る。
３．２ 受動界モジュレータ
FMが平衡になるための位置はFMへの吸引力とPMへの反発力の間の基本位置（非透過=「TO」）である（すべての力の横断がゼロとなる）。
渦巻電流の、渦巻電流損失とスピン緩和はPMの動的振動及び電気的に誘導された材となり、FMの表面上のみの高振動数となり、左右対称面上に該表面は正確に横たわらない（FMは厚さsである）。FM で負の作用をする誘電ロレンツ力は動的に補正される。
外面は平衡位置にある二つのPM（受動FMは閉じている）に向いており、その中では界拡散がFMに効果を与えて、PMからFM内の閉鎖FMへと移動しており、このことがPM界の反発効果を互いに中和しているため、FMの中心でロレンツ力により誘電補正が働くなくなる、すなわち誘電磁気能率（ばねの法則）=０となる。これは回転方向が渦巻電流の方向と反対になるからである。それ自体が持ち上がることはないが、FM方向の表面ではFMの中心（左右対称面）からPMが上方に移動する。また、FMの再磁化はFMの中心では起こらず、これはFMの中心は平衡状態であるからである。
ロレンツ力の動的な補正と電気誘導FM材及び磁気先行載荷
FM表面ですべてに動的効果を引き起こし（これがFMへとPMを接近させる押し出し力となる（FM=閉じている）（→ばねの法則））、能動FMを動的に補正し、又は磁気／最終先行載荷により、損失吸引力を能動的に補正する吸引力FM補助界が停止するため静的交代作用による平衡状態へと高振動数で至る。
その後静的平衡状態はより高い振動状態へと変わり、厚さsのFMはより薄くなることができ、その結果PMは既知の状態へと互いにより近づき衝撃がある反発力（FM=ON）がより大きくなる（力の方向特性を考慮すること）。先行載荷がある間の静的状態は、補助界での切り替えがなければ、反発力は特定の新しくより大きな平衡距離よりも大きく、周りを移動するが、Δsであり、これはFMの厚さに一致しない。
界モジュレータは、基本的に閉鎖に切り替えられているかゲートによって界が断面にかかっていれば、閉鎖状態（FM=誘導）でMトランジスタ（=界量値）における場合と全く同じように磁界に対して働く（=０）。
軟磁性合金の透過性μは非常に高い透過性によりPM（磁気導電率?=?0?r）間の厚さsを決定する。
構造的に開放又は閉鎖状態のハウジング（磁気分流リンク）は、反発PMの相互選別の度合いを決定する。各PMは独自の結合した独自のハウジングを持つことが出来る（図１６）。
注：周期的に渦巻電流が誘電されると、反発力誘導が増加するが、これはハウジングに到達した場合にのみ当てはまる。界モジュレータの章を参照のこと。
FMはPMの永久的に格納された界エネルギーをその効果のままにしておく（界の質量としての力作用（kraftwirkung））（これは太陽の写真を撮る際のカメラの像の捕捉に似ている）。
適切な厚さであればPM上により強い吸引力が働き、厚さが均一に増せばPMの最も大きな反発力となり、FMが均一な厚さであればライン変化の力の方向特性における強い吸引力が増加する。
FMが左右対称的にPMに対して位置しておらず、PMが機構的に大歯車上にない又はクランク軸が結合されていなければ、PMは通常静的な平衡位置を取る事ができ、そのためこれらは片側に接近することが出来ず（静的でない平衡となる）、同時に互いに動くことも出来ない。
特定の厚さs等から始まり、PMにより平衡は強い吸引力へと変化する。吸引力は厚さsが平衡状態よりも小さければ吸引力は方向を変える。
厚さs、形状、材、内部構造等を、FMは非線状に機構的にかつ左右対称にPMに結合するように調整する。これが受動FMの基本原理である。
高透過率（磁気 誘導力量）、異方性結晶構造と同様に、μmax/Boptでの拒絶と適切な合金は重要であり、さらに面の厚さ及び薄板構造の変化も重要である。
透過性誘電曲線又は温度誘電曲線（キュリー温度Tcでの常磁性の後の強磁性効果のサイクル）において等FMには他にも有効な基本原理があり、「非透過性」=「TO」（誘導）の後→「透過性」=「ON」（非誘導）であり、強磁性材に対応して切り替えが行われる（図１８a-e）。
SMもまた超導電からの温度変化度で切り替え可能である。
縦から横の運動FM
力の方向特性
横方向間のエネルギーバランスは、好適には等しいポテンシャル面上（Aequipotentialflaeche）へ移動し、それから界のPMの好適な方向へと横切り、OTと平衡状態にある（一般に異質である）界へと横切る。
FM位置エネルギーの縦移動を獲得する必要があったため、平衡なPM‐FM‐PMによって起こる反復運動FMとFMの高磁気導電性は、→力方向統合の縦関係（PM作用）から力方向統合の横関係（FM作用）へと、ほとんどエネルギーを使わない。
→作用の差は非常に大きく（図１９）、かつE→0のFMの動きに従って降下する（誘電渦巻電流のない材、つまり反渦巻電流原理により妨げられた導電体がある材を考えること）。
FMは界の効果のみを切り替える、すなわち交換反復効果=自発的な磁化／ 分極化及び／又はSMのスピンモーメントである。
磁気の好適な方向の改善は、軟磁的に同方向の金属片又は強い結晶化、例えば六方晶構造を持つ金属を介して起こる。
FMはゆえに磁界線を有する特定の磁気の好適な方向へ、PM＋極からPM極及び同じPMへと向かうことが出来る。
FMの移動が界及び極方向においてずっと平行又は垂直であっても、等しいポテンシャル面、そして金属片が共通方向であるか否か（通常粒子の方向は回転方向に平行である）力の方向特性（作用）は異なる（図２０）。
３．３ 能動界モジュレータ
受動FM原理は独立したより能動的なFM原理の補助的なものであり、運動又は静的FMが使用される。
非分離とは（Entscheident）、静的及び／又は動的力は発生が妨げられた場合補正されなければならず、これは通常誘電ロレンツ力を、加えて磁気的な力の横断を意味し、FMの移動が起こった場合、FMの厚さを削減するために能動FMもまた使用でき、これはFMコイル内の軟磁性FM材が強く働くからである。
１.FMの基本原理=FM厚さ?s?材を備えた軟磁性材との静的バランスであり、これは誘電動作の流れを容認しないからである。
これは金属材の特性を最適化し、そのため 反渦巻電流原理が適用される（→Pkt.3）。
２.ａ）磁気トグルスイッチの作動を強化することで静的に引き付け（以下参照）、
３.ｂ）軟磁性コアの作動を強化することで動的に補助界を引き付け（以下参照）、
４.ｃ）切り替え機能の代わりに強化Mトランジスタ効果等の吸引力の強化で、より薄いFM厚さでの反発力の効果を補正する。
３．渦巻電流、非磁化、及びスピン緩和効果からの負の力（反発力）の動的効果補正は、
ａ）動的に適用され、運動学的に移動され、軟磁性層を引き付け、振動によってFM厚さを動的に変更し、
ｂ）定補助PM連続界を持つ磁気吸引力のある先行載荷により、
ｃ）軟磁性核を持つ動的に可変な吸引力のある能動補助界による（以下参照）。
４．厚さsを持つ軟磁性FMの代替となる電気力学の界FMにおいて（最悪の効率、軟磁性材による強化がない）、すべての変化は「透過」μr?1を「非透過」μr→μmax/Boptの状態へ全面的に調整可能である。
４．磁極片空隙運動FM
FM空隙オプションバイパス用磁極片の（→力効果）界力の移送は、本発明によると以下のようになる：上部のPSは、一つ又は二つの磁極片（e）により（構造的に）川の橋のようにFMが開放状態となるようにPM間を反発して作られている。
FMが開放され、それから横切りて移動し、厚さ=ｓ+2Δdの空隙へと発展し、この空隙間に力方向の特性における磁力が消耗される。この力の消耗が、
a）0.001=方向での共六方晶移送、又は
b）粒子方向、又は
c）単／双方晶（Ei /Bikristall）
を異方性構造の利用により配置し移送流線により平衡である、B方向における高く強い異方性電動を持つ連続（n）磁極片（e）FM移動と同時の横断となる（図２１）。
基本的にPSの作用はFMの逆転に見える。すなわち高い導性の存在がPMと反する方向にある（横方向に高い導性を持つFMに対して配置されている）。
磁極片（PS）は、いくつかの流れを誘導するトランスデューサ片を含む。
異なる磁石の端部の個別の極間の正常方向に位置する誘導する片は流れを生成し、そのためほぼ100％の距離h=0においてPMの元来の力が移送される。必要であれば二つの空隙Δdのみが、コム型の機能が使われない場合機構的にな摩擦のないFM／FP／FSの移動に対する隙間として作用する。
本発明によるPMピストン及びPMは吸引力により磁気回路内にあり、反発原理におけるFKG構造により説明できる。
図と文章により（図２２）、本発明によると、FM流れバイパスに依存する構造が、PMに対して吸引力原理のある軟磁性がPMに対する反発力の代わりに実現可能である。磁界は吸引力（FM）と反発力（PM）により平衡状態へ、かつFMを調整可能にし、それによって二つのFMの軟磁性ピストンの磁気循環原理吸引力となる。結果として、FMは物理的に接触しなくても（非常に小さな空隙）磁気の流れをピストンのヘッド／ヨーク（Jork）に導き、空隙はFMの厚さよりもずっと小さくなる。内側に横に置かれたFM（インラインFM）に対して直接的な反発力と力の損失方向に反して、FM厚さ=空隙であり、この溶液（solution）内で最大力は、ピストンヘッドへの磁気回路へと導かれる（FM流れの誘導片へと）。移動した質量は先行溶液よりもかなり少なく、これは磁石が固定子の働きをするからであり、FMとピストン（吸引力）のみが反復移動をする。問題となるのは、PM（界電池FB）がFMの分離と同時に削減された場合のピストンヘッドにおける接線上の分離力である。
６．FM切り替え
「TO」=閉鎖／「隔離」／非透過／=磁気誘導FM：物理的に=磁気の流れの量は導性が高いためFMを作用させることができ、FMのμ=μ0μr（高い透過性のため）は正常方向には横切らず、接線方向（横方向）の流れの中へは向かわず、すなわち別の経路で外へ向かう。
「TO」は、強磁性交換の相互作用の切り替えがオンになったことを表す（→遮断効果を備えたFM）。
「ON」=閉鎖／「隔離」／非透過／=非磁気誘導FM、すなわち物理的=磁気流量とし、非常にFMの導性が劣る（低透過性 μr?1）ため、及び／又は空間を横切る運動FM空間領域を有する、静的FMであるとわかる。流量は流れにおいて一定（umgelenktlumgeleite）ではなく、すなわちPMに対して反並行的に向かう反発界として遮断効果を持つFMとしては作用しない。
「ON」は、強磁性／フェリ磁性の吸引力交換の相互作用（スピン結合）に無効である（→FMがオフに切り替えられる）ことを表す。
界力からの衝撃はFMを開き、補助界の量から及び正常方向（縦方向器）又は横方向（横断器）に沿った、及び／又は角に関する一次トルク（回転器）において第一の機構的な力から縦方向の弾力のある衝撃波が始まる。
この電流を起こすE生成器は、インパルスモーメントを直接得るために使用できる。
本発明は別のFM原理についてのシステムを含む。
誘電渦巻電流の補正又は消去は、特別な構造及び有効原理によって保証される。
IV．磁石／電気作用及び設計
永久磁石／電気／超伝導磁石
１．永久磁石（PM）設計、永久電流（PE）
強磁性、フェリ磁性と同様に強誘電性及び材が重要である。
材は非常に高い仕様、電気を有し、エネルギー密度の抵抗は実質上、強磁性材よりも弱い。以下に材（PE）を強磁性材（PM）に対する類似の有効原理において列記する。
各種パラメタによる設計は以下の順序をつけられている。
１．磁気材。
２．PM種類の特性：消磁曲線、誘電最大エネルギー生成（Br）、最大エネルギー生産（BH）max、Tを持つ共電界状態（Koerzitivfeldstarke）Hcj、キュリー温度Tc、消磁要素N=１である消磁曲線上の動作基点というPM特性種類。
３．PMの形成設計及び円形磁石か時間磁石（zeitenmagnet）等の志向。
４．滞留力（Haftkraft）から死重力へのV=H/Gの最適を有する幾何学的な面積。
５．機能的に配置された縦横力方向特性。
６．FMの変換に対する横x特性と横y特性の関係、すなわち磁束線に対して垂直か水平か。磁束線への平行移動の場合、磁束線は界ベクトル+→-に対する力へと変化し 、磁束線への垂直移動の場合、磁束線／界ベクトルは、同質界における場合と同様に、この等しいポテンシャル面でもほぼ無力で移動する。
２．PMの力量／最適化
２．１全体的な滞留力及び永久界電池（FB）構造
FBは、たくさんのセル電池を一つの群に並べいくつかの電池群で電池マトリックス（三角ネット等、超伝導体=角度における最も近いパッケージ（packung）に加えて反復運動FM、x-y方向におけるより直交したＦＭ振動）としてFBは知られており、磁石の型版が磁気電池を構成するようにカスケード構造（z方向における層の構造）を備えている。
こうして大きな最適化重量を小さな重量の運動領域に受ける。PMパッケージの支持力の追加により個々のPMよりも実質上重い支持力を与える。
Ｖ．界モジュレータの作用原理及び設計
１．界モジュレータ原理（M-FM）
有効原理
磁界モジュレータの構造には以下のものがある。
‐磁界誘電（導電率=高さμ=μ0μr=、透過性誘電特性の拒絶をμmax-Boptと考える）。
‐磁界非伝導体（μr?1（空気、真空、常磁性材、強磁性材等）=磁気絶縁体=消磁（dia=durch）。
‐磁界半導体。
上述のシステムには鉄及び鉄性磁気軟材が重要である。
磁気コンデンサによるPM極への効果：消磁が磁界に生じた場合、磁界の強さはμr上の部分的な真空へと向かい、一方でこの消磁によりμr状態の磁気キャパシティが上がる。
PM極と同名の電気コンデンサの効果：誘電FM→消磁が生じると界の強さは減少し（張力が減る）=反発力が小さくなり、キャパシティが上がる。FMは各PMの方向において力（吸引力）を持つPM、及び／又は消磁化（eineunmagnetisierte）面に類似している。
電界（Elektrete）における界線界誘導への付加
‐電界伝導体（伝導性=高?= ?0?r 、?max-Doptを備えた透過性移動特性）。
‐電界非伝導体（?r?1（空気、真空、常磁性材、強磁性材、セラミック（HDK）等）=磁気絶縁体=消磁（dia=durch）。
−電界半導体
上述のシステムには鉄及び鉄性磁気軟材が重要である。
電気コンデンサのPE極の効果：電界で消磁が生じると界の強さは減少し（張力が減る）張力?r となり真空上の反対側に電界強度が生じ、一方で?r電界キャパシティが飛躍的に上昇する。
PE極と同名の電気コンデンサの効果：誘電FM界→で消磁が生じると界の強さは減少し（張力が減る）=反発力が小さくなり、キャパシティが上がる。FMは各PEの方向において力（吸引力）を持つPEに及び／又は電界（Elektrete）における消磁化（unmagnetisierte）面に類似している。
ｍ界モジュレータ及びE-FM
M-FM=強磁性／フェリ磁性界モジュレータ
（定性：強磁性／フェリ磁性界モジュレータ= E-FMを備える強磁性材）。M-FMの作用原理は現象学的にこれらのE-FMに移送可能である。
すべての界モジュレータの基本原理は回路及び／又は強化である。
誘電及び非誘電、である、PMとSM間の隙間における透過性／誘電性の削減は「TO」と「ON」を逆転させる。FMの効果を開放すると、同じ名前のPM極間のFM内に生じるキャパシティは界の強さを弱める。
界モジュレータは消磁される界に対して誘電されており、電子に対して平衡にはならない。
次に磁界に基づき効果を説明する。
最適化
特定の最適化により強磁性材はほとんど電子に含まれず、従って事実上非誘導であることがわかる。この場合、これらの渦巻電流の影響のないKFGの基本原理がより理解される。
磁界を金属的に用いる場合、誘電電子はFM内に存在し（自由伝導電子は渦巻電流の誘導結果（Ursachefuerdie）である）、これは本発明によると、ふさわしい技術解決策によるものであり、FM内で電子のない基本原理の最適化が行われる場合、その効果は補正、減少又は除去される。
また磁気横断力効果（FMの吸引力）は、PM界の磁気の好適な方向に対して平衡に横移動し、すなわち補正されなければならない 。すなわち垂直移動（等しいポテンシャル面上での）はほとんど必要ない。
金属FMの動的対静的縦方向の平衡
すべてのこれらの界モジュレータの種類は動的原理に従う：磁石の連続界における静的平衡状態で、動的な逆作用力（ロレンツ力）は生じない。非常に高い仕様等を持つFMの基本バージョンにおいて、抵抗が用いられ、これは高い振動によりロレンツ力を許さず、従って同様に誘電渦巻電流も実際生じない。
周波数fを持つ操作（enterprise）内の磁界誘導体を金属的に用いることのみで渦巻電流からの逆作用力でスピン緩和が生じる：界拡散による遅延効果：軟磁性FM材の磁気循環が高速になり、これによってFM内に存在する伝導電子に誘電流が生じる（界構造及び分解）（ばねの法則）。この逆作用力は増加する周波数（及びFMの迅速な移動プロセス）で静的平衡を弱るため、動的FMはこの周期的な逆作用力を周期的に補正せねばならず、又は磁界の効果的な範囲からこの影響（Influez）によって移動する伝導電子が動的な平衡となるようにしなければならない。
注：交流界：スクリーン要素ハウジングとは、周波数を上げる、開口部のあるスクリーンを意味する（開放構成）。完全に閉じたスクリーン（閉鎖構成）は飛躍的に上昇する。スクリーン要素とはスクリーン層における誘電渦巻電流によるハウジングの界の反発力を意味する。
→閉鎖構造ハウジングの使用。
可変FM厚さ（図２３）。
渦巻電流に対する補正としてFMの吸引力の増加に対してFM厚さを調整すると、反発力が特定化されOT点が移動する。従って、PMピストンはａ）ブレーキピストンロッド、又はｂ）-ΔHに従って調整されるピストンロッド長変化による統合的な制御でなければならない。
交流：-ΔHに従い負の磁気先行積荷（fに対して=100-300Hz）。
ストロークによる吸引力の強さの動的調整hmin→hmax（図２４）。
ロレンツ力効果は
ａ）PM移動UT→OT
ｂ）FMのショット（geschossenen）状態を作り、PM間の磁束線を生み出す。
FMの動的対静的横平衡（図２５a,b）
PMの横方向に生じる静的な磁力の補正は、PM界に平行に非常にゆっくりと行われ、また動的ロレンツ力が運動FMのより度合いの高い横移動をする渦巻電流による横方向の動的な力を補正し、これは本発明によると、
ａ）PMの吸引力：F1=konst,_F=f(r)_F1=PMの吸引力、
ｂ）渦巻き電流-F2と+F2のブレーキ効果、となる。
F1= PMの吸引力
F2
PMの吸引力は反発力＋吸引力と、FMの構造の中心にある吸引力＋渦巻電流を中和する。
２．運動界モジュレータ（ラミネート付き／無し）
運動Verschluss（別の位置へと移動するFM平面）（図２６）：
FM「ON」=空気（磁気絶縁体）等における磁気の流れ
→PM間の界の強度は高く、キャパシティは小さい
FM「TO」=FM間の磁気の流れ（磁気誘導体）。
→FM間の界の強度は低く、キャパシティは大きい。
２．１遮断ハウジングの構造
注：交流界：
ハウジングのスクリーニング要素により開口部のあるスクリーン（開放構造）はより高い（stelgender）周波数を備える。これに反して完全に閉じたスクリーン（閉鎖構造）は飛躍的に上昇する。スクリーン要素とはスクリーン層における誘電渦巻電流によるハウジングの界の反発力を意味する。
→開放構造ハウジングの使用。
開放構造：
１．厚さsを有するプレートであるFM：
閉鎖構造：
２．カバーであるFM（厚さsを有するプレート）ドップラー方式（doppelraeumigen）遮断ハウジング（PMの各領域における）（=クロック閉鎖／開放構造）（図２７）、上述の変化。
２．２ 受動及び能動インライン及びアウトラインFM
受動FMは、好適にはフェライトによる縦に能動的に引き締める補助界／吸引力（Anziehungskraefte）を持たない（図２８）。
補正のために受動FMは能動FMの補助となることが出来る、及び／又はFM厚さを薄くするように配置し、これによってPMはより密接に反発力渦巻電流等を蓄積できる。
これらは能動的なFMのエネルギー と関連していると見なす必要があり、これが効率に影響を及ぼす。
特定の界モジュレータ（図２９）：
インラインFM （図２９．１）：
強化による最適化ｓ→?s
図２９．１d）：変化
ａ）軟磁性コア、動作基点A3とB-H-特性（Kennlinie）での小さなリール流（Spulenstrom）による強化効果、又は小さくするためにはコイルは平らな渦巻きでもよい（コイルは鉄性部材上で腐食する）。
ｂ）硬磁性コア：磁化／消磁
ｃ）双安定に調整可能な半硬磁性コア=磁化／消磁インパルスにより双対で調整可能な永久磁石。
図２９．１e）：変化
ａ）流れ構造（Flussleistucken）を持つ外部永久磁石
ｂ）外部コイル（エネルギー消費が少ない）。
動作基点A3でのコアによる強化。
ｃ）硬磁性コア：磁化／消磁
ｄ）双安定に調整可能な半硬磁性コア=磁化／消磁インパルスにより双対で調整可能な永久磁石。
コイル付きFMの質量等を考慮→より高い運動エネルギー。
図２９．１f）：→小さい運動エネルギー、これは上述のように、界生成変化を有するリーリング／永久磁石が対応して移動する必要がないからである。
アウトラインFM（図２９．２）
受動永久磁石FM又は能動E磁石FM。
鉄の吸引力ではなく界によって並行である。
表面が縦の界及び横の界モジュレーションの四十五度の位置にあるからである。
図２９．２e）：コムFM
軟磁性材により効果があるがPM自体が完全に閉じるため（定数→100％の力を産む）、コムFMは必要であればより多くの吸引力を持つ。各磁束線方向に対してx-x-bzw、z方向にFMは移動する（平行又は垂直）。
２．２．１ 軟磁性材
新規：負の磁気エネルギー-(BH)max=吸引力を持つFM
軟磁性材の特性→負のエネルギー生成：負の磁界エネルギー（-W）として-(B(-H) max、正の磁界エネルギー（+W）を備え、-(B(+H) maxの正のエネルギー生成を持つ反発磁石に対して、軟磁性材は吸引力的に平衡である。
磁気異方性形成
軟磁性材を特徴とする磁化の動作基点A3は、永久磁石の消磁要素と類似して、-(BH)maxの構造依存磁化要素を備えることが重要である。
軟磁性材の動作基点A3のFMプレートは-(BH)max である。
２．３能動FM
本発明によると能動FMには以下のようにいくつかの種類がある。
I．FMの効果を切り替える／強化する基本的なFMに関する能動FM。
II．吸引FM力の支持に対して吸引共同界（Ko-Felden）でFMを強化するための能動FM。
A．→磁気補助界
磁気的な補助界を動的な効果で強化するための動的FM。
１．縦方向
でより高い反発力によるより薄いFM層が正常な平衡距離におけるPMの位置への効果
→吸引力がある補助界の吸引による強化。
２．横方向
FM移動に平行な磁界を持つ鉄／鉄性磁気材上のPMによる吸引
→反発補助界による横方向の吸引の補正として反発力を強化。
III．誘電力から反界への補正を持つFMを能動的に支持する能動FM。
A．→FM内に不足の伝導電子（鉄性磁気材）：補正はなく、電気抵抗の仕様が非常に高い。
=FM基本原理。
B．機構的な反渦巻電流原理で伝導電子が利用可能であるが、機構的な反渦巻電流原理により誘電流れ及び力が最小限化される。
=最適化1（Art）。
C．→電気的な反渦巻電流原理で伝導電子が利用可能であるが、電気的な伝導電子のにより磁界の外側の有効距離が影響を受ける。
=最適化2（Art）。
D．→磁気的な反渦巻電流原理で磁界有効距離において伝導電子が利用可能である
→能動的な磁気反界を持つ能動界モジュレータ
=最適化3（Art）。
１. 縦の力の補正
渦巻電流の反発（ばねの法則）、FMが閉鎖で移動する場合PM_UT→OT。
能動的FMは力における縦の引き締め効果を誘導／調整でき、（FM内の伝導電子に係わらず）平衡を動的に保つことが出来る。
２．横の力の補正
渦巻電流による反発力の横の効果（ブレーキ効果）も動的に誘導できる。
補正は能動的補助界等で実現できる（図３０）。
FKGの左右対称面での磁化生成２は、吸引力のある反界（Gegenfeld）のFMに近付き（反平行引き締め）、平衡状態に対して、又は反対側の補正に対して、「TO」の場合は磁化し、「ON」の場合は磁化なしで、静的／動的逆作用力を生成する。
それから連続して外部エネルギーを入力しなくてもUTからOTへのPMの移動は保持されるので、磁化が行われる。
動的界生成／反界補正への変化
ａ）インパルス磁化を持つ構造（例、コイル）
界長強度ストロークΔH及び誘電ストロークΔBの単極（片側）インパルス磁化（期間に関して非常に短い時間間隔における方向のみへの磁化流れ=インパルス持続）。
ｂ）インパルス持続を持つ構造（例、コイル）
再磁化は非常に短い時間にのみ影響され（Ｚシュレイフ（Schleife））、その結果高いパルス電圧へと跳ね上がる。
ｃ）エネルギー電流パルスの生成
‐磁気スイッチを用いるパルス圧縮技術
‐矩形ループを持つ材、動的ヒステリシスの損失が少ないため好適には異方性金属。
ｄ）拒絶が大きい場合、材が飽和状態になったときに透過性誘電曲線において受動FMが急激に降下する。
ｅ）高い界コイルは軟磁性コアにより強化しなくても空気コイルのように作用する。
動的ＦＭと運動ＦＭの連結
運動FMは次のものと（及び／又は）連結可能である。
ａ）作用／補正を動的に変化できるように、運動受動FMと。
ｂ）運動移動のない軟磁性ドップラー遮断ハウジング（クロック開放／閉鎖構造での磁気遮断リンク）。
３．静止界モジュレータ（ラミネーション付き／無し
界モジュレータ分類概要能動FM変化
１．透過性フローFM =?max/Bopt=最大導電率→ ?min/Bmax=最小導電率、又は?i/Bmin=最小導電率、又はフロー濃度の変化：
‐磁気面変化に対する正常方向でのFMの距離PM→Δs→±ΔB
２.熱磁気（ThermoMag）FM=キュリー/ネール温度の切り替え
鉄/鉄性磁気
鉄/鉄性電気
→磁化「フリーズ」
３.異方性FM=磁気好適方向
ａ）結晶化変化／粒子定位方向
ｂ）テンション誘電異方性
‐反転磁化機構ストレスのペルミアン（Permian）入出力ビルタート（Bilitaet）（ビラー効果（Villareffekt）
４．Weichmagn誘電FM=→ΔB→Bopt-Bmax/Bmin
パルス圧縮によるインパルス磁化（UT→OT）コアによる強化
５．ハートマグ（Hartmagn）誘電FM=磁気スイッチ、又は静止磁気テンション→変化残余Bi
６．誘電電流FM=誘電渦巻電流「そこで（An）」／「後で（Auf）」、AL-/Cu-スキンクト（Schinct）等でのアーツェイグト（erzeugt）
７．臨界周波数FM=臨海周波数下／上で操作される回路
８．スピン共鳴FM=スピンのフラップ（鉄／フェリ磁性共鳴）
９．常強磁性／フェリFM=FMに移動される鉄／鉄性前移動連結層及び／又はバリヤ層、しかし温度変化はない→大気空間能動変化
１０．M半導体FM=磁化／磁化穴移動（→磁性）
→回路／強化／トリガー、M双極トランジスタ、又はＭ界効果トランジスタ
１１．MトンネルFM=回路磁気トンネル化電流磁気テンション
→トンネル/トンネル不可
=厚さの薄いl層を持つSmImSmコンデンサ磁気トンネル電流
１２．超伝導体HTSL（種類３）FM=スカルトゥング（Schaltung）正常誘導／超伝導体
→温度変化
=厚さの薄いl層を持つSmImSmコンデンサ磁気電流
=消磁=FM、磁気テンション→誘導閉鎖HTSL種類３はヒステリシスを有する。
静止FMの一般的な有効原理
負の界エネルギーが常に磁石及び電気上で調整的に作用するため、界モジュレータによりPM／PE間のギャップチャンネルでμ及び／又はε=1→最大に所定の透過性及び／又は誘電性が強まる／弱まるように、そして反転切り替えされるように、磁気導電率μ=μ0μr 及び／又は電気導電率ε=ε0εr が作用する（図３１）。
強磁性／フェリ磁性の開始／オン
磁気の場合、すべての材の有効原理はスピン結合及び／又は非補正内部電子シェルの交換反復効果の要素にあり、透過性が無効になった場合（=強磁性／フェリ磁性をオフにする）方向転換される。
強磁性／フェリ磁性をオンにすると、流れ量はFMに起こらない。
反平行PMの界は強くゆがめられ、これはFM内の流れの密度に関する材の高い伝導性のためである（図３２）。
これはFM内の反平行PM磁束線（高い伝導率）に関する方向で静的分散／無秩序／常磁性効果の領域（ウェイス（Weiss）部）のスピンモーメントに効果を及ぼし、これはキュリー及び／又はネール温度以下へと下がる。
注：キュリー及び／又はネール温度に関して逆効果を持つ材も存在する。
注意（Attention）インパルス透過性
「ON」のため（常磁性）
「TO」以下のため：
ａ）能動コイルがμmax-Boptを→μr#1-Bmaxへ切り替える、又は
ｂ）μi -B=0の他の特性として変化補正を加える
ｃ） 双安定：適度に硬い磁気コア=一定界の回路
界スイッチとしてのFM（図３３）
標準温度の静止-能動（stationary-active）薄いバリア層を持つFMの種類：
１．誘導非伝導FM、BH特性を切り替える。
２．熱磁気FM：キュリー及び／又はネール温度を切り替える。
３．臨界周波数界切り替え。
４．磁気弾性界切り替え。
５．結晶によるスピン結合の原子バリヤ層移送への交換反復効果切り替え。
６．M半導体FM、M界トランジスタ効果で切り替える。
７．トンネル効果FM、FMの流れ量。
図３３：界モジュレータの一般原理
強磁性／フェリ磁性静止界の調整
A）受動及び／又は能動の運動スイッチ
受動：PM界を閉じる
能動：吸引力のある磁界による逆作用力（補正）
B）キュリー点（Tc）による双安定Tc透過性切り替え。
C）臨界周波数切り替え：臨界周波数超過による透過。
D）磁気弾性界切り替え。
図３３b1）：
BT特性=誘電温度曲線
温度Tc はスピン結合を有する：FMは「常磁性」作用において温度変化Tc で「強磁性」を切り替える。
変化停止（補正）も可能である。
図33 b: キュリー温度が速く転換するべきならそれからそれはによって及び「エインルリエレン（Einfrieren）」エイネスの続く冷却とまたはレーザ光線= 暖かさ供給することを電気で寒い気候のように他の磁気状態行く。
FM は統合されたペルティエレレメンテン（Peltierelementen ）の層技術で開発することができる。
層はパラグラフの鉄の鉄の状態間で速い転換されるできるように、非常に薄い。切換えの温度はこれらの材料との飽和誘導非常に非常に（0.5 t）でない。
図33 b 3): = 鉄磁気ピストンの魅力
それは再パルス逆平行ゲゲンマグネテン（Gegenmagneten）(重量の節約) のないこの構造とすることができる。
図33：頻度によるFM 制御重大な頻度より主として透磁率。FM はに従って転換する。１．常磁と+ (断続的な) PM 連続的な分野の重大な頻度より高い頻度のためののための透明物は今dynamisierten。
すべての磁気材料の透磁率はある頻度の上の明確で不用で重大な頻度を示す。原因: 渦流れ及び回転の弛緩。
２．これらのFM と特にFM が効果の及びの逆平行PMの間で永久に転換するのでエネルギー消費のそれは平衡でFM の頻度変調器のFM 分野の変調器の永久的な磁石が動かすことができるOT 背部PM の方に閉鎖した着く。
運動学的なFM の主義を、いかに既に収容するFM の幾何学そして形態(記述されている開放／閉鎖は適当ように公正にここになる。
盾の効果=拒絶の効果はとの(引き起こされた渦流れのための増加) 考慮されるべきである。
またここに材料は使用することができ望ましい効果に依存する。
FM のための個々の可能性は発明説明の1 に従って系統学に従って今層になる。回路は局部的に有効な流れ密度(磁石の表面からのように増加する間隔の透磁率の誘導のカーブの強い無駄) の低下の結果のFM の対称平面に関してはPM's の縦方向の転位によって起こる。
従って適用のポイントは静止したFM スイッチように= 移り、透磁率が強く変えるかどれをと(FM：透明物) (図34) 。独特。
２．強く非線形誘導の温度のカーブの捕獲物スイッチの利用。原理鉄フェリ磁気／電気的に
１．の上: 近さか余分のキュリー及びに熱することによって。常磁＝透明物2 。効果1 の下の中和はまたは- 衝動の磁化による…、衝動の透磁率３を考慮する。磁石の反対の条件に= 魅力的に。Tc の下の冷却によっておよび/または。
３．異方性FM １．横か縦方向のクリスタル／グレインのオリエンテーション=流れのオリエンテーション= 磁気好まれた方向調整的に２．機械負荷(逆の磁気ひずみ) スイッチによる透磁率の変更。
３．磁気に前もって積むこと静的／動的の張力による張力異方性はFM の薄板金の張力に平行マグネティスケによって好まれる方向を持って来る。
張力は前もって積むことによるFM で例えば起こることができる。
４．材料が飽和に入って来るか、またはD低下(透磁率の誘導のカーブの急な無駄とのFM での代りに。
それは機械転位、局部的に有効な誘導の変更を分けるように起こらない。
余りに: 余りに.max/Bopt と: bei.max/Bopt AUF:B h = 0 、すなわち。
(最上に: bistabile 磁界スイッチは) 、a) 衝動の磁化の構造(例えばコイル) を考慮する: 期間の持続期間に関連する時間間隔= 脈拍時間の方向の単極(1 面) 衝動の磁化しか非常に急に)。b): 1 つによるFM の構造に(例えばまたは統合される外的なコイル) また結果への高い脈打った電圧c) 生産がある: 磁気スイッチ- 小さい動的ヒステリシス損d) 慣習的で高い分野コイル5 のためにできれば無定形の金属が付いている材料を使用して。硬磁気誘導FM の物質的な非磁石=透明物=。
2 つの逆平行にそれぞれ= 整理されたも磁化されたFM の版をそれぞれ磁化されるそれの反対の平衡の生産のためのFKG の農産物の対称平面で閉鎖した1 魅力的なゲゲン界。
衝動の磁化の分野強さの打撃との単極1 (1 面) 衝動の磁化の衝動の磁化a) の構造(z. のコイル) (磁化の流れは期間の持続期間に関連して時間間隔= 脈拍時間の方向にしか非常に急に流れない) 。b) 衝動ワイヤーFM 構造(z. はまたは外面- 結果に1 つのジャンプだけ(z ループ) によって、高い脈打った電圧にもたらされる再磁化c) 磁気スイッチを使用して高エネルギー現在の脈拍の生産がある- 長方形のループ、1 の一流部品の電流の脈拍を引き起こす小さい動的ヒステリシス損6. のためにできれば無定形の金属が付いている材料統合した。2 でつける場合の拒絶。リングの現在の流れを用いる魅力はあるなったり従って閉鎖した条件のPM's に対する分野の効果が魅力的に働くこと方向づけた。
7. 重大な頻度透磁率の超過の重大な頻度FM は険しく下る。
"交互になることを用いる重大な頻度に守備につく" 考慮しなさい。
渦流れ(渦流れの重大な頻度) の周期的なプロシージャ- 弛緩(gyromagnetische の重大な頻度、原因を回しなさい: 吸収は非対称的な吸収の) 渦を現在時間の定数と考慮する(と同時に薄板金に(現在の脈拍) の分野の作成の後で速い誘導やインフルエンザ(前提となる一定した透磁率を) 突き通すか。: 方向の() または垂直に川(余りに) change/turn への回転の時。
- 強い外部の連続的な分野による上敷: 共鳴=: 回転はWechselfed の外の) 損失と回転のまわりで一致する強く上がる折る。
9. 原子は単独で常磁である。
およその層から始まるただ。6 つはによって= 固形物のように内部の上敷形作られる。
= カップリング。
調節可能の= 外側からのカップリング(内部電子貝交換相互効果) がそれを形作られるか、またはなる閉鎖するように、および/または水晶による状態のguidance/barrier の層が操縦したまたは結晶構造の常磁の残物動く保障する事実のために。
FM の透明物= 常磁= 伝導性無し= カップリング無し= "の上の": バリヤー層を交差させなさい。
intransparent FM = = 高く伝導性= 利用できるカップリングなってそれらはルートを定め直されるバリヤー層を交差させることができない。
結晶材料と自発的に磁化された範囲にによってしかし範囲、そこに働かせるそれの粒界のないバリヤー層を直接無定形材料が活動的なバリヤー層のに沿転換された穀物のあってはならない
FM 転移プロセスはPM の動きの間にそれ以来外側の入熱ことができる救うbistabile べきである。
10. 11 。(b /D 逃げられる) 磁気張力及びエネルギーギャップのための発明に従う近の非常に薄い磁気FM Isolierchicht による磁気川の量のMagnetic/electrical のトンネル効果分野の変調器のトンネルは(加速された電子の代りに)"の" E=0 起こる。
電子e (トンネルを掘る) の流れそれらは磁気トンネルFM の場合には磁気川や川にそれ対応する
磁界の量または及び非常に薄い絶縁層のSuperconductor の絶縁体のsuperconductor の接触(SIS) SIS の接触"の" および/または。"IE" 。
磁気川の量のため
類似した: またはない補助分野がFM の回路のための一般的な基本原則として魅力的な効果の補強または否定的な力の補償のために分かれる時遷移温度Tc 機能の機能か標準温度T と制御電気使用間の機能、しかし: 磁界や磁気張力は操縦する磁気川の量のためのFM の層の透明物を、電気張力および電気川の量の電気分野に同様に置いた。
調節可能なトンネル効果の生産のための変形が別様にある。
物質的な構造: a) 運動学的な動きのないFM の構造のSuperconducting の文書(開いた幾何学と) 。b)薄い磁気2 つの磁気的に一流の金属は川の量がこの磁気絶縁層によって磁気張力缶の作成によって加速した磁気によって互いからそう薄く分かれたある(FM Dimagnetikum) 。磁気一流の金属のために1 つは置かれる磁気張力の磁気トンネルを掘る流れ= 川の量の期待された急な上昇を見つける。磁気的に一流の金属の1 つが磁気的にsuperconducting 、1 は張力Oo の下でMagnetronen (m) の唯一に部分が磁気トンネルを掘る流れのために利用できるので、はっきりより小さい磁気トンネルを掘る流れ= 川の量の流れを観察する。価値MOO は教育= 回転の時のカップリングとの) 自由になるマグネトロンエネルギーにある。Magnetronen の二倍に磁化された(荷を積まれた) 組のための組エネルギー、die"Energieluecke の生成は" 、彼= 2MOo. である(電子e はエネルギーギャップによってが温度依存しているマグネトロンm) と取替えられた。
磁気によって2 つが同じ磁気的に一流のsuperconductor から(FM Dimagnetikum) 磁気的に一流の金属を分ければ磁気SIS の接触、うその下の温度Tは及び十分に薄く1 Nm 磁気絶縁層存在しているSmImSm の磁気接触(superconductor の磁石の絶縁体のsuperconductor の磁石) である) である、そして、また磁気組の川の量によって= 回転の時のカップリングのmagn 缶詰にしなさい。移動によって) 。
弱い磁気直流が磁気要素に印象づけられれば、磁気直流効果(MGE) MGE は成長する。重大のの下で(= 引き起こされる張力) 潜在性、D の磁気相違は磁気絶縁層= Dimagnetikum によってトンネルの磁気組の磁界の援助のない川のためのそれを= 作り出さない。それらの組の磁気絶縁層の川への壊れ目余りにの= 関係の連結を解くこと、及びそれの上ただensteht 磁気電圧低下。
磁気ターナリング電流は強力だ。なぜならばフィールドが磁気絶縁層による、複合磁気リバー量積分のCSU層を通過しなければ、リバー量の磁気ターナリング電流が０であっても受け入れてしまうからである。干渉の結果による磁気代替電流影響の結果として、高周波磁気代替電流はf = (2M/h) OS leadである f t)の(リバー量の)磁気電圧最大sinと比例する。このような影響関数はまた逆関係である。もし高周波のWechselstomが付加されれば、後に大きさnOs (n =自然数)の一定の磁気電圧が発生する。
磁性またはElektretenそして磁気や電気による超伝導体(s-leader) Supra半導体 (s-半導体) (mit"gebundenen"Elektronen双、電気双)などの、更に厚い層を持つ磁気/電気Supra Feldmodulatoren (b-/D-フィールド)は似ている。A) μ-b関数または変化温度Tc functionまたは標準温度TとTc 13の間の関数。軟磁気物質とその飽和曲線はN=1であるFMの動作点A3を持つ。このように強磁気物質とその磁気消去曲線は最大でBHである磁気消去因子N=1を持つPMの動作点を持つ。これらは誘導温度関数の影響を受ける。次を見てみよう。曲線(磁化１磁気消去)と生成されたフィールドの強度はその温度の変化と関連がある。 A)機械の温度補正/調節とb)永久磁気の温度補正とC)温度が変化している間の平衡状態を守るためのHubvatiationが機械と機能を持続的に維持するために必要である。
追加的な流れの密度Bを用いることができる。B max or 4。渦状電流の反渦状電流原理は伝導電子が物質に現れた場合にだけ発生する。例えば、もしスペック抵抗が小さければぺライトを持つzは高くなる。従って実際にはぺライトに渦状電流は発生しない。
渦状電流は磁気代替フィールドA(PM's接近法から閉鎖Lenz規則まで)による誘導固体金属または磁気場での金属の運動である磁気水平運動に部分的な原因がある。フィールドは流れの線の平行または垂直を横切って動くPM's対称平面で、PM!'s平衡状態にある PM-FM-PM FMの相互間の中立化をもたらす。
FMディスクをPM'sのフィールドまたは電圧を発生させる固定回路と関連したPM'sの運動に横断して移動することは、FMから大きなリバー(回路の予想電流)を引き起こす。なぜならば電動回路のような部品のFMディスクはその作業と密接であるからである。
FM減少に効果的な渦状電流による力学的な反渦状電流は、渦状電流とFM運動に垂直なFMディスクのスロットに付け加えられた。到達しなかったために軟磁気層からのFMディスクはFM運動に平行に整列し、移動スロットが開発された。
反発PM'sを持ち引力を持つFM層の間の平衡状態の生成のために、FM層を最小化(FM層より薄く)するほう方法で、他の透過性を持つ軟磁気層が最適化される。
従って空間マトリクスが電気的なFMレベルを抜け出した他の段階の物質から絶縁したシート金属(層＝弁膜)を開発した：長さの方向にお互いに絶縁した層。
オプション：シールド影響の増加による各層の間の隙間。
弁膜状のスロットやインターフェースが渦状電流の方式を妨害するようなことはほとんど発生しない。
渦状電流のために設定したFMディスクの大きな断面は抵抗に対してのみ交差する。FM運動(薄く、お互いに層に対して絶縁である)に対して垂直に個別のジョイント(＝スロット)に統合され、渦状電流は高くなる。なぜならば電気行路がしばしば妨害を受けるからである。
影響の増加が相当大きいため、隙間は必ず予測できて受け入れられる渦状電流内になければならない。
スロットは添付されたFM層内に必ずFM運動に対して垂直(＝縦方向)でなければならない。 (図３５)
個別ジョイントの動力学的位置の確定は流れの線と非常に異なって曲がっている。(PM'sが引力のある位置にあり平行ではない。もし非均質であるならば調節されるであろう。弁膜状の個別の位置のために、最適のFMの影響に対して力学的に受け入れられるPM運動について知ることができる。
弁膜シート金属の層にある縦方向スロットから磁気的右方向への順応はより容易であり,適切な状態で変化せず、Polandと同一のPMの間のリバーになる。
例えば流れの線に対するスロットの相関運動に従って、流れの線に平行であったり垂直なスロットの方向が影響を決定する。
代案A) 電気的物質に属する軟磁気性領域の密度 b) レーザービームにより個別的に機械的または電流的に蒸発、粒子が弾けて生成された立方微細構造。
このような構造は粒子の厚いFMディスクに渦状電流量を変化させることができる。流れと減少により渦状電流は反発し、活気を帯び、相当な損失が起こるであろう。
4.4 doppelraeumigenシールドハウジングのシールド効果
FMは高周波で運営され、後に例えば、特にshielding housingsを持つ電気的に高いリーディング層に付加的に用いることができる。
このようなスクリーンで反対側を常に保護できるフィールドを代替する磁気場である渦状電流を生成する。スクリーニングプレートには外部を貫通できる摂動場はないが、内部では磁気計ほどの影響を与えることができる。
4.5 電気的反渦状電流原理
4. 電気的反渦状電流原理は渦状電流の出現によって成立した。例えば、このような原理は金属リーダーの自由陰電荷で力学的原理に用いることができる。
4.5.2 電気的反渦状電流構築
4.5.2.1 kinematic FMは必ず二つの力によって消去されなければならない。A) スプリング法則からの結果である縦方向の力b) もしPM'sメインに近ければ、横方向FM振動からFMまでの開放結果である制動横方向の力。
双方共にKreis-bzwの結果に影響を与えた。渦状電流は陽極から陰極に運動によって発生する。
FMの永久的磁気場の影響範囲からの電子の違いから最初の原因の除去。
4.1.2 電気的反渦状電流原理(2 FMによる1FM)を持つkinematic FMの構築(図. 37.) 1. 段階：FMによる力学的な設計に従って,FMの電気的絶縁に従うであろう。2. 段階：FMのスプリング強度(原因：Lorenz強度)の電荷の分配によるInfluezは電気場内に位置するであろう。
高い電圧から十分であれば、高電圧の遠い所または電荷生成の分配に対する鉄電気物質の永久的なフィールドによる電気場。
中間範囲内では電気的電荷と電動電気(電気ガス生成)から自由な中性ゾーンである。
中性領域は平行にならないように形成されたPM'sの磁気場により形成される。これが発見された後に、縦方向の強度はスプリング法則にしたがって形成され、特に平行であったり平行でないスピンの位置が形成されることはほとんどない。
この領域において失った伝導電子のために、陽極なしでは渦状電流を形成するための陽電荷の位置の領域においてPMもまた知ることはできない。なぜならば電子の運動の結果のためである。表面外部か陰極にある。
大きさはフィールドの強度とFMの形態と大きさに左右される。
3 段階：influenzierten電子の発明に伴う
A) 支点選定を持つ金属フネルはコンデンサー、エネルギーをストックするための高電圧コンデンサーとしてのLeidenerビン、電荷の完全な分離を持つ移動によるナイフの刃の表面支点を基盤とする。b) もしフネルの代わりにFMの表面に平行な限界が存在するなら、その次に電荷移動のために多数の針や計測器の代わりに平行コネクションを用いる。
まずフネル内にあるため、これ以上渦状電流の磁気場をほとんど生成できない。加速距離はフネルのない金属の平行な限界レベルで自由に加速されて制動は制限される。次に、FM運動を持つ場合に、広範囲に対する加速距離なしで負荷が分離されることを制限する。
全体的にFMの陽電荷に到達し、陽電荷を持つFMの停止だけが残り、もし伝導電子が最小化されるならば実質的に渦状電流を生成しない。陽電位の違いにより大量の伝導電子が負荷の分離生産力を移動させる。
4. 段階：横断制動力＝加速強度(図. 38)
4.1 初めの段階として、我々は循環の流れの上の二つの力ベクターなどの方式で非均質なフィールドを配列できる。例えば、前方のさらに大きい強度、等価の対称、制動及び加速がお互いに干渉されないこと。これは縦方向のフィールドの特性が内部よりは外部の強いフィールドと同様であることを意味する。
非対称プロファイルによる振動の代わりのFMの循環。
4.2 二番目の段階は妨害のために与えられた相互絶縁された薄い板シート金属のように、縦方向の柱により分離され、残りは板シート金属の横方向の増加によるものである。従って相対的に小さい制動力を持つ制動位置で狭いバーの横方向とFMの後方(＝相対的に大きい加速強度による相対的な始まり)が発達する。それで全てのKraefte-dieは相対的に更に大きい相互加速強度(対称＋平衡状態維持)を持つ相対的に更に小さい制動力を保有できる。ウェップの厚みが非対称的に３倍であることに起因する振動に代わるFMはまたこのような方式でプロファイルとして設計される。前方の渦状電流とバーに位置した制動は多数の小さいバーのために相対的にウェッジプロファイルである。バーが厚いウェッジの加速渦状電流は相対的に更に強力である。なぜならばvoluminoesが物質の渦状電流が更に強力に形成されるようにするためである。
Profil-undが加速強度と制動の関係を糾明する。
非対称プロファイルによる振動に代わるFMのオプションは厚さが２倍の移動したスロットによるFMを持っており、回答に対する他の転換として開発されたPM'sに対する小さな隙間を薄い層で造成する。
4.5 反渦状電流の構築
4.5.1 反-Lorentz原理
もしこれが自らの接線を誘導し比較するのであれば、前、後方の別の力でFMリーダーに長方形の生成を引き起こす。平行でないように形成されたPM'sを考慮してみよう：これらの結果から、形成されたそれぞれのPMに反対の性質が誘導される。
均質なフィールドには前方と後半の間で発生する力の違いがない。なぜならば磁気場の増減がないからである。
非均質は前、後方でスペックの抵抗と異なる伝導体断面(バー)によって補正のための構造的設計を決定する。
後方に高スペック電気的抵抗と少量の渦状電流量を持つ薄いスロットシート金属の発明に伴って、低スペック抵抗と大量の渦状電流を持つ厚いスロットシート金属は前方に配列できる。制動装置は加速によるこれらの構築によって補正される。
渦状電流量と関連した構築は反対側(前方と後方)に長方形を発明したことに相応する。これらの渦状電流は他の電子量と異なるスペックに近づくように必ず平衡状態で補正されなければならない。
伝導性は予測磁気電圧の接線ベクターの差のようなものを補正する。
これらの平衡条件を備えるために、必ず前方と後方に二つの非対置リーダー分岐を持ってkeilfoerrnige単一バー伝導体断面の表面を設計しなければならない。そのために制動と加速力が同じくらいなのである。
効果はフィールドの変化なしの均質なフィールドで運動したものと同様である。kraft-Wirkungenは可能ベクターの差にもかかわらず同じくらいだ。
反渦状電流原理を持つ電動回路の構築はZ-側に対する角度、e.g.と一般的な方向に用いることができる。他のものは前面と端の部分に対する別の電位差(電圧)に考慮することができる。
4. 2 反スプリング原理：
同一の循環方向での別の偽りの開発または補正が行われるよう誘導する。
配列されたリーダーの異なる面に入るものは渦状電流と直接的に反対の作用をする敏感性を誘導する方向である。従って発明に伴い次のようなものを補正のために用いることができる：1. 陽電荷を持ち反対側に配列されたリバー：A) 内外部の伝導体回路陰電荷痰滞 b) 内外部の伝導体回路陽
陽極のリバーは陽電荷や電荷の運搬が原因になる。陽電荷運搬単極リバーを持ついろいろ。
2. 液状の単極リバー A) コールロイド溶液；陽または陰粒子
コールロイド粒子は陽または陰電荷として充電される。その後にこれらの正反対の同一の電荷が水に投入される。
もし非伝導体(Nichtelektrolyt)があれば、後に物質の負荷は陽電気的に更に高く誘電体上水を持つ。 b) 環境を持つ微粒子とフィールド強度を除去する強度の減少。微粒子はバキュウムより更に小さいPermittivitaetを持つ。 C) また電子半導体を使用することができる。
陰電子伝導体と陽電子伝導体
電気場において発生した電子は循環のためにcost workを強要する。これはo. g. 原理によって同時に補正できる。
陰電気と陽電気のLeiterschlelfenの間のスクリーン：もし相互影響(インターフェイス)
Ne-conducting circuit-river-ne-Leiterschleifen-Stroms-undは電動回路の相互間隔を考慮できないようになっている。効果発現のために形成された他のリーダーの流れのフィールドを引き起こしたそれぞれの場合において、反対を引き起こした相互間の時計回りの循環補正連結-bwzを生成し、誘導されたリバーの方向を誘発したものと関連して割り当てられた陰電気及び陽電気の間の磁気的スクリーン(磁気的絶縁＝Dimagnetikum)である。要求された発電機とエンジンを持つPe-undの構築によってリバーが発生する。しかしリーダーからPMまでの一般的な方向は補正されるであろう。なぜならばこの場合、方向は電流伝送の方向と誘導のためのリーダーが必要だからである。
直接制御されたスクリーン：もし要求された逆のフィールドの方向PMではない誘導のためのものであれば、直接制御されたスクリーンもまた使用できる。なぜならばこれらのものはスプリング力を生成するからである。
速度周期を持つ力学的な線形運動senkrechtzuの区間は、誘発された電気場の強度の発生と等価である強度に対する負荷移動から、変調器に平衡リーダー線形バーの磁気補正に従って回答を得る。
Lorentz力の二種類の異なった影響がある。 A) 移動速度viを持つstromdurchflossenen リーダー上の強度F. もし線形リーダーが誘発したものと関連のあるフィールドを持つ磁気であれば、これは定積線形リーダーと等価である。
リーダーの平行なリバーでリーダーの間に発生したフィールドの減少を誘発する。それで誘導した磁気場の反応は伝導性と断面に対してリーダー-中性化された。平行段階は主要磁気場、分岐の誘発された磁気場のスクリーンとして養成できる。
2. 陰電気と陽電気
(L) 関連した陽を持つ陰の補正
電気的スクリーン (A) (L) 相互影響因子：磁気消去、B) スクリーン層の異方性とkristallanisotropieの定義の違いを考慮してみよう。
4. 磁気的方向-制御されたスクリーン
(A) PMと陽伝導体回路の間のPM磁気場クリスタルダイオード層の間のTransluzenz
Ｌ界のＰＭ方向の流れ量子のみが、ＰＭとＬとの間で磁気的にコヒーレントな流れを備えた磁気共鳴器（磁気干渉計）間の周期的な磁気屈折率変調を伴う磁気鏡に影響を及ぼさない（磁気鏡表面は、磁界の湾曲、すなわち正確に適用した曲線状の波表面でなければならない）。
５．Ａ）磁極磁石から離れた導電回路の速度ｖによる磁気補償。ＬとＰＭとの間の引力。
磁気的に正のエネルギー／容量による補償。
差を考慮されたい：磁力（＝磁石リーダ）は、引力を消し去り、負の磁力（磁石非導電体＝絶縁体）が無く、正の磁力が反発力を生成する。
−ｂ）方向磁気極磁石による補償。ＬとＰＭとの間の反発力。
−負の磁力による補償−＊引力。
−引力のある「逆界」による補償。
各ケースにおいて、リーダの種類のみがアクティブであるので、ワークの補償を連続的に（直列的に）行うことができ、ワーク＋ＷＰの合計が、直接的に零とされるであろう。
例えば、原理は、より高い効率を持つエンジンを構成することが可能である。
導電回路ＦＭシート金属：ループ零にわたった積算の場合における一つに対するループの線形動作の場合に対して垂直な閉空間を形成している例えば長方形における電界の均一な誘導電圧となる。
もしもループがより安定な状態、例えば角度４５°以下を保つのであれば、回転せず、非均一な界を磁石が相対的に移動し、以下の効果をもたらす。それは、一時的に変化する非均一なｂ界によるループ内で引き起こされたフープ応力である。これは、磁気モーメントを持った異なるｂ量を持つループの分岐上に、非均一に引き起こされた磁界を再び生成する。
磁界における電流通過流れ、リーダの前終では力の補償を伴う。この方向は、その方向である。
もしも角度Ａの下の磁束線が表面法線に曲げられるのであれば、流れ密度のみが、表面Ｂコサイン測定に対して直角である。
磁界における長さからなる電流通過流れ導線／導電体における力は、表面に対して垂直に働く。これは、ベクトル及びＢによって伸ばされる。
もしもｖとＢとが互いに垂直で０に立っており、もしも充電キャリアが磁界の方に移動するのであれば、これは最大になる。
ａ＝０°である角度の下では、反対方向の力が反対の径方向に向かう斥力として働く。
これによって反対の角度にある界を強める。
数学的に負の向きで回転する電流通過流れリーダの束線は、北極から南極へ走る磁束線と重なる。
結果として生じる界は、この場合、左側に束線圧縮を持ち、右側に束線希釈を持つ。
リーダ上では、力が、正の向きで回転する束線によって効率的に界希釈の方向に向かい、この場合、左側に対する作用である左側における界希釈を進展させる。
導電回路（渦電流リング）磁石における誘導電流流れから、北極及び南極は、角度Bに対する力という結果に至る。
ａ＝４５°以下では、導電回路の始端及び終端は、反力が互いに補償するように、内部断面積領域及び／又は仕様電気抵抗を変えることができる。
Ａ＝４５°の導電回路状態によっても、電流伝送Ｉをもつ渦電流リング成分が、並列のために生成される。Ｂ斜面に対するこの端におけるローレンツ力の成分は、各々の上にあり、変化（流れよりも大きい）仕様電気伝導度の補償原理、及び／又は調整可能な平衡原因に従って行うことができる。これによって、Ｆ１−Ｆ２＝０の量となる。
導電回路方向の速度ｖによって、磁気北極又は、ｖ方向導電回路を持つ磁石によって、接線方向において、ブレーキが、切断面における加速最終力成分Ｆｉを弱める。
これらは、好適には、対角線状（Ａ＝４５°）で、多くの並列した単一の導電回路からなる。
結果：この擬似にも関わらず、正常な方向には何もない。
一つは、未だに加速力を非均一界に強めることができる。これによって、渦電流正面において、力を弱めるよりも大きくなる。
上述した原理は、本発明に従って、横方向及び垂直方向における非均一な全ての界についても同様に適用することができる。
我々は、重力界をＺ界（Ｚ＝循環）とも呼ぶ。なぜなら、この規則は、全ての現実の界タイプに同様に適用可能だからである。
（例えば、電界又は磁界のような）非均一界では、渦の出現を含んでいる。なぜなら、それ自身がポテンシャルである場合に回転が始まるからである（ｚ．
それ自身の方向に対して横切る速度ポテンシャルｖ、又は磁気ポテンシャルＢｒは変わる。
従って、横切り力プロファイル、又は横切り速度プロファイル、又はその勾配は、変化のために必要な力を決定する。
また、横切りプロファイルは、境界層において常に利用可能であり、（例えば、径方向速度、力の速度−次数変化、ローレンツ力、コリオリ力等参照）摩擦のために、又は電気又は磁気等を伴って発達する。界。結果：一つの結果ｘ−ｘ−ｂｚｗを持つ原子、イオン、分子における電磁摩擦の出現。Zプロファイル。
流通用語、磁石の周りのリングの磁気。周期的な界（渦電流リングＩ）は、ＰＭ循環を一定に推進する。そのために、閉じられた方法と別の方法に取って代わられる。それは、渦を閉じ込めない。そのような方法では、Ｄが、渦が供給する回転対称の周りの回転方向で行われる。
とりわけ、この意味は、力、振り向けられた動的な持ち上げに対する横切りに対する記述の中にある。例えば、界強度（Ｅ，Ｄ，Ｈ，Ｂ）は、光の速度によって影響される電磁界の流れ、及び加速度（ｇ）としても記述される。
群速度。
持ち上げ力合成は、ローレンツ力フラット鉄棒対して、平衡流れにより作用する。
磁気を伴った電気の周囲磁気周期界を持った回転電気リーディングシリンダの後のフローを参照されたい。
理論を伴った磁気効果は、利用可能な全ての結合体に類似している。
出現したもの（例えば、電流、磁界など）は、常に渦を含んでいる。なぜなら、回転は、それ自身がポテンシャル（ｚ．Ｂ．又はそれ自身の方向変化を横切る磁気ポテンシャルＢｒを持っている時に始まるからである。
従って、横切り力プロファイル、又はＺ界プロファイル。その勾配は、変化のために必要な力を決定する。
また、周期的な界では、横切りプロファイルは、境界層において常に利用可能であり（例えば、径方向の力の変化、ローレンツ力、コリオリ力等参照）、摩擦のために、又は電気又は磁気等を伴って発達する。界。結果：一つの結果ｘ−ｘ−ｂｚｗを持つ原子、イオン、分子における電磁摩擦による渦の出現。Ｚプロファイル。
磁石の周りのリング。周期的な界（渦電流リングＩ）は、ＰＭ循環を一定に推進する。そのために、閉じ込められた方法と別の方法に代わられる。それは、渦を閉じ込めない。そこではポテンシャル界が優勢である。すなわち、そのような方法では、渦が供給する回転対称の周りの回転方向で行われる。
とりわけ、この意味は、動的な持ち上げの結果となる力を記述する事実の中にある。
例えば、界強度（Ｅ，Ｄ，Ｈ，Ｂ）は、光の速度によって影響される電磁界の流れ、及び加速度（ｇ）としても記述される。
持ち上げ力合成は、ローレンツ力フラット鉄棒対する平衡流れで作用する。
磁気を伴った電気的な渦電流の周りの磁石を備えた回転電気リーディングシリンダの後のフローを参照されたい。
力の定義：合計力ＦＲ ＦＤは、界流速１界流れ速度によって４倍に増加する。
その後、電磁気体が、界境界層を乱す。それはさらに、表面上における電磁波の形成に依存する。
界流線体の界流線体幾何は、界体に沿った圧力の減少が、非常にゆっくりと生じるので、界渦が界流線体の電磁テーブルを引き起こさないという特性を持つ。
その中では、ｖ＝０である界流速が最大値に上る境界Ｄを考慮されたい。初めに、表面の部分において薄板状の境界層が形成される。この範囲内では加速される。ＦＫＭに沿った更なる界流れの間、始まった流れ界渦情報の遅れが始まるように、界体が、界漏出圧力を増加させる。薄板状の境界層（薄板状の低位層、乱れた上部層）からの乱れた界流れが発達する。
反対側の凹面側より高い界流速である凸面側上の体の界サージの間、（周期的な界を持つリーダで）力を上げることによって、（ベルヌイの方程式と同様に）凸面側において、界が発達するという結果となる。この理由から、動的な力合成は、流れの界方向及び凸面側に向かう横方向として有効になる。これは、推進力と同様に公式化される。この力合成（凸面側方向）は、もしも界流れの循環方向が、磁場と同じ方向を向いているのであれば、反対方向（凹面側方向）に形成される。凸面側で生じる。凹面側で生じる。合成を用いてＦＡは補償されうる。
また、リーダにおいて誘導された磁界の反発ばね力は、界流れの循環に対して配置された磁石の一つによる磁界上で補償されうる。この場合、凸面側方向に、ローレンツ力を示す。
この力は、負の圧力領域に向かうより高い流速をもたらす。これは逆である。
合成を伴うプロファイルも考慮されたい。ベクトル的に発達した力が、結果として生じる力を加える。
界流れの「循環」の方向は、凸面側の方向によって決定される。
界体プロファイル（「ウィング」）の長く伸びた落下形態である「電磁ウィング」が、抵抗に対する界を強く下げる。しかしながら、同時に、それを備えた界体の湾曲が、界渦の流れペアの周囲で、他のものよりも実質的により強く遮り、それを引き離す。右手は流れに対して重なる。
その他の非均一なポテンシャルにおいて全く同じ効果が発達する。
5.ステップ。ＦＭが企業の電気抵抗を高めるウォーマーはスペックの電気抵抗がＦＭの金属(逆に備えて)より小さいローレンツ力と増加するようになる。
他の効果は、磁石抵抗のように、抵抗の依存に圧力をかけ、行けば電気／熱の伝導性は平衡の補償主義の常に意味深長に結合された意志をすることができる。
4.2。静止したＦＭの静止したＦＭを4なしのステップすべてを4適用しなさい。3)及び5。
それの唯一に縦方向のローレンツ力は、あるも、接線加速度力はＦＭの行方不明の横断線の動きのために起こらない。また静止したＦＭの振動の電子の述べられる第3に省略される。場合で磁気m半導体は考慮されること回されたと温度依存した抵抗帰宅している。
4.5.誘導による磁気反渦流れの主義(図39)充満移動の運動学的なＦＭの2,3構造。電気回路の部品でないリーダーの動かされた部分の存在はそれに金属の部分のの補償まで充満移動に移動電気を(原因電界)起因したもの導き、一つの「電子欠損」上には他動きの棒そして方向の正しいオリエンテーションの間に磁気効果が彼ら自身をフェルクトリール（verktoriell）加えるようになる。
運動学的なＦＭ。影響動かされたリーダー=ＦＭに沿う。
ＦＭと振動は動きの方向が回れば、回る、vの速度のＦＭの循環の間に常にそれが切られる同じ方向はある。
前部から後部へのまた平行はＰＭの回転の時を方向づけた。
-対称平面のＰＭのb界の逆行性の回転の時に…それ自身を中和する、ＰＭに回されたＦＭの表面は逆の影響(別様にリッヒルング（Richrung）b界)に充満ある。
-フルエンスがあることの正しいオリエンテーションの場合には互いを補足しなさい、電子や充満は同じ側面で運動学的なＦＭなる。影響動かされたリーダーに沿って
ＦＭと振動は動きの方向が回れば、回る、vの速度のＦＭの循環の間に常にそれが切られる同じ方向はある。
後部平行へのＰＭの磁界はまたＰＭの回転の時を方向づけた。
対称平面のＰＭのb界の逆行性の回転の時に…それ自身を中和する、ＰＭで充満は回されて回った(別様に方向)。
-正しいオリエンテーションの場合には互いをまた補足しなさい、_電子や充満なあ同じ側面4結合電気及び磁気力主義それ弾力性2主義。ａ）
磁気1つおよび電気東洋(ドイツ連邦共和国40)。
1.静的磁石界は張力によっての薄板金の分離によって防がれなければ、充満を右と中心へのリーダーの動きとのFq(それぞれ磁気棒のb界の逆の流れの方向を見なさい)運転する。
2.静電界は中心に(分離の層の縦方向の薄板金の分離が防がれないそれ)正しく集中するように電子を(e肯定的なターミナルの整理を見なさい)、同様に運転したりそして中心で起こることができる。
それは、垂直にＦＭの動きへのＦＭの動きに横断、薄板の薄板金でそして横断棒を水平に=平行また貫流できる。b)電気1つおよび磁気交差させた東洋(図
1.界はリーダーの充満および棒のb界の外側を下方に運転する、棒はスロットによって別に成長する中立地帯行い。
2.従ってそれは中心にこれ以上アイント（Eind）によって作り出される強さFqと右のドライブ動きにどの中立地帯かリーダー死ぬ電気満たす(逆の流れの方向磁気棒を見れば)、によるを除いて荷電粒子、ことができなくない(それから分離の層の薄板の薄板金の分離によって防がれるべき作り出す(図42)。負荷の分離は電気肯定的なターミナルでそれから起こる。
A。充満がこの区域から前に取除かれたので隔離のためのへの権利への電子の流れは可能インターフェイスさせる、電子のすなわちそれ自身を調節する動きは右(可能でないリーダーの電子の動き)にリーダーの行方不明のために右に全然だけ、ようにローレンツ力Fq、缶防がない。Fqはしかし現在の隔離された薄板の薄板金に電子がそこにまだあれば局部的にある。
変形b。穴めっきによるaが長さIのディレクター／コンダクターの感覚で起こったら、右(引き起こされた影響)へのFqの漂流とのこれらしか。これらは1によってＦＭの中心でそれからできた(ＦＭは正電荷を持つ)。
それ、垂直にＦＭの動きへのＦＭの動きへの横断、薄板の薄板金のそして、水平に=平行横断、棒間の重複された流れの交差による缶また流れるため。
起こりなさい主義すべてはＰＭの動きの方向の間に建設上また変えることができる。5概要4.5。2.5。動かされた磁石および休息のＦＭの磁界が付いている1力一時的に絶えず(断続的)、静止しているＦＭの状態。開いたＦＭのＰＭが、成長できればどれもＦＭのために出発しない。
ＦＭ=ＵＴによる「Zu」。ＰＭの閉鎖した縫い付けるの平衡がそれ自身と資格を与えられたら)、渦流れからの反発力の結果はＰＭ近いＦＭの前部表面で引き起こす、ＦＭの対称平面ではそれらは流れが逆行性ＰＭによって彼ら自身をの反対の中和するので、ゼロである。
ＰＭが閉鎖したＦＭから出発すれば、ＦＭの前部表面の魅力的な力は成長する。それからＰＭsの動きとの閉められていればときだけ機械がブレーキがかかるべきなら起こる4.5.2.5。動かされたＦＭ(ＯＴ、リーダーとのＦＭのＦＭの動かされたリーダー)の2つの力ＰＭ。
絶えず一時的の磁界（静止して）、断続的なＦＭの状態。ＦＭのリーダーは他の垂直に立つサイズの31才であり。充満qが付いている伝導の電子の動きリーダーに沿うまたは機械的にによる電気で、原因。
1.aの強さFiは(電気)リーダーを流れを通って流れる界Bの充満移動の速度の動きがリーダーの方に横断方向の1に導く。
2.伝導の電子の強さFqは荷電粒子の強さにリーダーの機械動き、速度の長さに垂直に、それらを、引き起こされた電界強さと同等に導く。Fq=qアイント（Eind）(=補償まで移動(影響を)満たすために電気回路の部品でないリーダーの動かされた部分に沿うローレンツ力はそれ導く。
もののそして反対側=影響へのそれからのＦＭのリーダーの結果。充満はように負荷の分離理解され、オーバーレイされポイントによって移る、リーダー は正電荷を持つべきである。
5.HPの構造と対照をなすＦＭの構造はＦＭの薄板金を逆行性の整理されたＰＭのポーランド間の流れを導く横断を製造する。横断、薄い(渦流れに対して)ＦＭの薄板金のたくわえ(薄い版の厚さを除いて必要ならば異方性を形作れば)付加的な縦方向の反渦の現在の構造(薄板金の薄板のコラム)。
従って他の上の運動学的受動の雇用1のためのＦＭは横断方向にコラムの構造に建設上指定するために薄板にした薄板金の櫛を(コラムと)投射のすなわちそれら部分のための反渦の流れを薄板金のレベルに垂直に所有している薄板金の櫛をTJ00Nはずすことの反渦の現在のコラム、あり。
他の上の薄板金の櫛ある1のコラムの構造はどれもこと従って次に薄板金の水平なあることでそれ移されてあるなる(スクリーン)することができるかどれが薄板金の櫛のコラムがそれの下で示す。横断の流れのためのラップの長さは建設上考慮されなければならない。
最適の盾の効果のため取除く広さの交互になる界によって(そのままの)仕事の場所でＦＭ材料を減磁することは必要である場合もある(表立った位置の立場のＦＭ)。
層になる(図43)移された薄板金の薄板、コラムは覆われなければならない。横断流れとのラップの長さを考慮しなさい。0.05ミリメートル以下の容積そして厚さはホイルのパッケージに変えることができる。その後形づけられた部品は火花腐食によって切ることができる。
-渦流れの機械電気抑制は薄板にされたＦＭの薄板金(せん断するによって渦流れ-薄板金間の薄板間の電気酸化物のコーティングを隔離する-大幅により小さい磁気抵抗を大きい表面の接触整理し。2間の空隙
層になることの最小距離。従ってａ）=分離の層の厚さは、b)多数スクリーンのために縦方向の方向のインターフェイス(磁気好まれた方向を用いる合金が境界表面の使用(磁気の屈折率)に特別な形態または必ずしも広げられた基礎のODの薄板金)時、層になることのラップの長さを考慮する-ある空隙の長さから磁気的に有効なギャップは空気によって中心網の前部表面、余分のバイパス行うが)磁化の特徴を定める-考慮する磁極片のヒステリシスのHPの構造の曲がったせん断をである空気で繋ぐことができる流れへ縦方向の方向へ平行、平行を除く薄板金のオリエンテーション増加しなさいそれに垂直なそれによってギャップを作れば、HPは異なる、逆行性、反発力ＰＭの間の棒の棒の関係しかカバーしない。磁極片と穀物のオリエンテーションはあり、磁気名誉は異方性機能関連を形作る。
6.目的。ＯＴと。補正器界鉄磁気材料の肯定的な仕事の仕事は磁界(ＰＭ)の引込まれた横断である。仕事は否定的=損失(-から引き抜かれれば、Wtzu)である(ＦＭ=時計1)の開始。界の近くの場合ＰＭはとの起こらない。仕事はＦＭが界に引込まれれば、肯定的(+Wtab)である(ＦＭ=時計3)の掛け金。この強いＯＴとしかし、ので3の閉鎖のプロシージャ起こらない。完全に小さい界が付いている時計はしか起こる(ＰＭはh/2のＦＭにある)。
両方の部分間の平衡が製造されたなら、一緒に=ＦＭ+システム装置でＰＭを償うＦＭは+K償う彼ら自身をＰＭ界の開始分冊刊行の出版物。
ＯＴはこれ可能ときだけ1でである。製造された及び3で横断平衡の時間を記録しなさい。3のＰＭのそこに界を横の否定的な使の時間を記録してはいけない。ＦＭに関する時計は1つ、1のＦＭを開けるとき否定的な仕事の補償のための小さいことのために、ほとんど、肯定的な仕事が勝たれる閉鎖のプロシージャと、ある。相談するためにできる時間を記録 しなさい、それは形式的にしかし考慮される。
ＦＭ/HPの動き1の概要力部品。目的。1.磁気強さ(ＰＭ著横の魅力ＦＭ/PS)2。目的。縮小／補強の最適化。[2。電気強さのブレーキがかかる行為)、反渦均衡加速][4による現在のシステム]補償による補償。機械強さ(減少、摩擦)は重大に粘着性の]熱強さ]1である。変形A。中心の増強のコイルのFt(s)の静止活動的な補償は中心の増強のコイルによって次の補償の変形実現することができる。どんなにそれにより否定的な仕事はヘクター（hectar）原因界の生産のためのコイルの企業のために必要である。作動ポイントの高い透磁率の鉄の中心の激化の効果によってように、エネルギー消費相対的は小さい中心名誉のないコイルに比較の必要のにある。
利点。動的にでとまた3操縦される、またＰＭの横断強さの方法特徴としてとしてちょうど缶、強度。非活動化させるべき時計。
縦方向のアンプの2つのコイルによる補償の缶は訓練される。ここに作動ポイントは飽和カーブに広さの透磁率=タンジェントのポイントとのA3=B2-Ha2のMの強化点=作動ポイントA3この関係によってが付いている高い補強と考慮するためになる大きい強化界(図44)のために非常に小さくである。
十字界コイルの補正器(利点補正器の静止したシステム固まりの図は運動エネルギーでそれ及びより小さい損失とならない。
2.変形B。(図46)中立地帯の効果の方の補正器Kの2,1ミットベヴェグング（Mitbewegung）の補償(s)。短いＵＴのＰＭの補正器界。
2のまわりの回転を用いる2,2のチャネルの補正器。この主義の時計は時計でに関連して補正器の永久的な磁石(キロメートル)の変化のラインの方向を仕事の磁石の方向使用される (図47.48)。
特にキロメートルは2でなる。時計=4の働く打撃、および/または。時計=遊んでいる打撃ＦＭの開始を使の相違(=1の補償。小さいＦＭの仕事のＦＭの掛け金への時計は))成長する。どれものまわりのキロメートルの回転磁気。ＦＭが1つの磁気の等方性物質的な構造を所有していれば、仕事。
小さい仕事はキロメートルの回転とＦＭがキロメートル界にキロメートルの回転の間に残り、横断1つが移るのでＦＭが異方性物質的な構造を所有していれば、成長する。ＦＭにの材料で磁気好まれた方向がＦＭ=穀物のオリエンテーションおよび/または必要ならばある。
水晶-異方性。注。1.垂直の界のオリエンテーションＰＭＦＭの動きの時計)2に。ＦＭの穀物のオリエンテーション必要ならばＦＭの動き3に垂直に。ＦＭ(非常に別の磁気好まれた方向(肩目盛りを付けられた方向、または垂直に車軸への平行=重い方向)の水晶−異方性を用いる例えばFe立方地域中心である基本的な細胞、か共同六角形であるの基本的な細胞、またはまたは亜鉄酸塩4が付いているスピネル構造。異方性(磁界のアニーリング)=ＦＭ機能のための選択。1.時計。仕事47)2の補償と開けなさい。時計。補正器キロメートルは必要ならば引っくり返る。3。時計。磁気のないほぼＦＭ。ＰＭ遠い界4の仕事。時計。時計11との同じように最初の位置の補正器の余分の回転。補正器の磁石mV
の磁気好まれた方向MVtの異方性のノートのキロメートルのＦＭの開始(図47)の時計。キロメートルの基本的な位置の間の変化のキロメートルラインの方向に平行ＦＭの開始
2.時計の回転(新しいオリエンテーション図変化垂直の仕事代わりにキロメートルの転位へのキロメートル分野のノートの平行ＦＭの動きにの小さい横の強度効果の相違のキロメートルラインの回転のために。ＦＭの位置仕事はの外のの方のキロメートルの転位の場合にはこのプロシージャが同輩ＦＭの開始来るので、成長する。
キロメートルの回転余分。ＦＭない有効射距離の磁気。等方性ＦＭを使。Wrot=0。3。時計は変化のキロメートルラインに掛け金を降ろす(の後でおよそ2つを回しなさい。時計の)静止した縦方向の働くＰＭの補正器との静止したの2,3注目はＯＴのＦＭのレベルにＰＭの補正器に残る。
ＵＴと縦方向のＰＭの補正器は強さtを(s)との(NZ
はそれに斜めに立つ)きつく締めることを及び横断作り出す。
ＵＴのＯＴＦＭの開始そして損失とＰＭの補正器を働かせることを用いる断続的な横断働くＰＭの補正器それぞれの磁石の位置に交換する仕事ＰＭとのこれら3で。ＦＭ「留め金」ほとんどの横及び縦方向の損失力が付いている時計(-働くFtはできる。ＦＭにＰＭの動きの縦方向の方向の中立地帯の方向と立つ。
従って。短い範囲および大きい強さ(NZの中立地帯)と。不利な点。付加的な運動エネルギーによる損失のその上により高い重量。
変形C。磁気スイッチａ）の現在の脈拍による変形Dのビスタビレ（Bistabile）の磁石(切換えの中心)活性化する／非活性化する半硬磁気材料b)の衝動の磁化c)の無定形の合金。異なった時計の磁極片(HP)の補償は時間を記録する。PS1は3の重量のHPの入り口によって、2)=掛け金のHP償った。2HPが常にそれぞれのＰＭ(図49)にいるので、ＦＭの同じように分離のない周期の補償。
対称平面の1HPおよびＦＭの共同運動の変形は次で記述されている(磁極片及び界の変調器の効果の原則)。
5.PS'sの強い引力へのに対する構造 (図50)。中心の(付加的なエネルギーと)c)ばねの行為の増強の補償の変形ａ）の永久的な磁石b)の電磁石はHP(機能的に合わせられた補償界強さ)の横断動きの間のＰＭにそれら対応しなければならない。
6.補償(順序ＦＭ翻訳のための主義を用いる図。仕事。最初に=連続的に補償。平衡のポテンシャル界Wの方法で1=Wの方法2=45.(図52)常に同時に平衡でW126.3の+W11の干渉ＦＭの動きで。アエクウィ族ポテンシャル表面(図53)W12=0、4。54)6。4.1機械同時連続6。6.5。垂直の2平行ＦＭのＦＭの動き界7にの1つの機械カップリング。ポテンシャル界の変化のラインに平行ＦＭの動き。
7.1.空気ギャップ連結の磁極片の方向s車軸=xの軸線の対称の整理(図56)の2ＦＭ=1。仕事の永久的な磁石のz方向の平衡=反発するようにＦＭ界の変調器=z方向+FIＰＭFIＦＭ2のGの平衡。_平衡x方向ＦＭ1界変調器=横断ＦＭ2界変調器=横断魅力的+x+FtＦＭ2KＰＭ1ＦＭ1補強ＰＭ=反発するようにKＰＭ2ＦＭ2補強ＰＭ=G平衡x方向界計算すべて5つ部品なあ平衡と位置ＦＭ="Zu"。
対称界システム(主義のマクロ超伝導体+スーパートランジスタ)7.との(に平行図ＦＭの動き。
1.z方向AＰＭ界の変調器の平衡=z方向=+FIＰＭ-FIＦＭ=02のGの平衡。ＦＭの横断反発するように誘引するKＰＭＦＭの補償のx方向の平衡はＰＭ=反発するように+x++FxKＰＭ=+FtKＰＭ注意する。=仕事+W11に勝った
x方向のGの平衡。_+W"構成要素ことができあ加えに合計、そして平衡あ使を余剰界計算なすべて4部品平衡あと位置ＦＭ="余りに"。非対称的な界システム。
平衡の超過の最適。私達は仕事に勝つ7.3は考慮する。磁気形態の異方性(n)ＦＭ(図58)の等方性への水晶とＦＭの減磁の要因。8.磁界に平行移された磁極片(図59)ＦＭの動きが付いている同時補償の重量8,1。
2つの範囲内の補償はの補償のために余りに移った使用される。KＰＭのオプション・フィールドのベクトルそれがそれないの反対に、および/または同じ方向によって方向づけられる力の方法特徴に同一でないという事実、さもなければＦＭの動きの間の瞬時の補償との非対称。
8.2つは移された磁極片(図60)とのＰＭを1サンドイッチ。1.1は棒がポイント縦方向の方向(z方向)に浮上する長方形の磁石でそれ以上の説明最初に起こる。
これは磁気好まれた方向が停止することができること円形ディスク磁石の反対のそれ自身をＦＭの平行の利点または垂直にに引き起こす。従って1つは(x方向の変化のラインへの平行)またはそれに垂直に(y方向で)-横断力それにより完全に異なっている。同じはそれのアヒルを、好む円形ディスクと対照をなしてに1.2適用する。1ＦＭに撃退のＰＭ間の平衡が成長する最大限に活用された厚さがある、ように仕事のない閉鎖したＦＭの方法2
ａ）平衡は、例えばようにおよその縦方向の間隔のＰＭ丁度停止する。魅力のこの量は量として拒絶の動きでそれから逃していること既にきつく締められるべきＦＭそれからそれによるＦＭが続く前に1ミリメートル(=方法の仕事W11の減少1)。b)一方ではＦＭのこのスペーサの態度は結果として横断の転位がほぼＰＭの端への大きい横断間隔に関連するＦＭほとんど平衡あるとき持っている。力の方法特徴肯定的ただ(拒絶)、そして強く否定的に。従ってほぼ小さい間隔をＦＭはＰＭの端でaの全体の強さを転換できる。
ＰＭへの縦方向のＦＭの間隔による力の方法独特の現在の原因は強く非対称的に研ぐ。仕事はWt12結果の平衡にない。ロッカースイッチ効果、ＰＭの端、よりよいのより急に力の方法機能切換えの効果の非直線性。
円形の磁石はＦＭが円アーク上の界の方向の開放／閉鎖になるので、スイッチ機能の正弦の操作部である。c)平衡ＰＭ-ＦＭ-ＰＭまでのＦＭの間隔が停止すれば、否従って強い非対称はＦＭに独特力の方法である。
従って明確な傾く効果がなければ(=使用されるため、磁気横断働く補正器による仕事の部品間の平衡が製造されたである力の方法特徴の非対称は既に示されるように、なる。
転位は力の方法特徴の分岐点まで達する。これがゼロの否定的な価値から再度行けば。この分岐点は確かにまたより小さいＦＭの大きい分散界との次元、そこに界を分散させる外側反発するように働き、この部品はあるまっすぐに0点規正するべきであるさらに(ＦＭは、この部品を償うためより大きい魅力と幾分厚くなければならない従って、および/またはＦＭは横断方向の正しい次元を表わさなければならない)。
1.2つの磁極片との磁極片(HP)の主義は時計の共鳴(各ＰＭ1のHPのために)原因で横断移動式そして縦方向より大きい縦方向の仕事との強さの増加=ほしい。
横断の仕事とのPS"Zu"は償うことになる。 (61強度と同等の図、図62。適用範囲が広いHP、大きい間隔=力の方法機能Fo(h)=ミリメートルの間隔hの強度と同等のもの(図61)の強さFの図=棒表面の(h)=分析的に定義されて(45.、v/W形態、球、等は。)置かれる正常な方向の磁気屈折率のための増加のために適切にの間の変化のラインは=界との穀物のオリエンテーション作り出される。棒の表面(h)の外の焦点、=高く磁気棒(最後の平均の大きい間隔の間隔に対する同等のもののおかげでそして効果。ＰＭの重荷が増加すれば、v)は間隔を減らす。ho=ミリメートル、h1=0、1ミリメートル、WPの分岐点、h3=1.0D、h4=1,3D、5DはD=及び磁気形態の異方性HPしかＦＭと同様、そしてないそれとならない適用による1つの磁極片との磁気システム原理の直径または対角線ある。
2.それは外部の分散界、腿の仕事、ほとんど外側の反発する部品をもたらす砂間のすなわち鋭い界よい次の利点-そこに有しない。
およそ強さ。要因18は磁石をもたらす結論の砂のない開いた磁気システムより非常に腿
FP(結論)間の磁気好まれた方向を発音した。
界の方向の、しかし垂直に転位の強さのそれへのＦＭの転位の場合にはない、すなわちゼロに対して行く。
磁気好まれた方向(電流ループの端)の方に転位が付いている同じようにＰＭの端にどれもない。
外面が唯一に現在の分散界弱くであるのでより短い長さのシンナーに及びなる2,2システム設計(によって(FP)ように防がれるそう結論の井戸)。
それは縦方向の平衡がＰＭ-ＦＭ-ＰＭと製造されるように合わせられる(またエネルギーギャップとして)。
空隙に1がその間あり、ＰＭは、見るすなわちＰＭの前の簡潔に肯定的否定的な力部品の平衡は、最高のレバー腕を搭載するＫＷのピストン棒長さ変動にこれらを導入できてが強さが仕事の生産のために最大にならなければならないのでまた重要でない。
そしてエネルギー・バランスFKMの砂の収穫の構造のない等しいスペースプロセス(v図表、p-)。FP-ＰＭ-FP-ＰＭ-FP-ＰＭ-FPの、正方形または長方形のシステムインラインＦＭ補正器3,1の最初の状態1。従ってのＰＭの端でより大きいと負荷アンプとして独特横断ＦＭ力の方法で平衡の間隔はFKGまた使用することができる。
結果。4のＦＭの前のＰＭsの魅力既に。時計。
2.ＯＴのＦＭのＰＭの平衡。結果。横力の方法特徴はの横断動きとの大きい角度の平衡の横の車軸を切らない3.それは4のＰＭの平衡になる。調節される横断ＦＭの動きの間のＰＭ-ＦＭそして平衡の空隙の間隔まで時間を記録しなさい。
1.解決。表面1の端の変化。横力の方法特徴はとして移る(=陽性は陽性によって否定的で、否定的な仕事表面によって償った
結果。横断方向のＦＭの変更の引き起こされた強さはとの総仕事が部品間の平衡に償われるように表面のためのそれ自身を=ＦＭの横断動きとのＰＭの端アエンデムデン（aendemden）。
2.解決。2.1のように、どんなにその上に非常に非常に速いのＰＭ、可能なＦＭの振動の上のリーアレ（lieare）でない端の方法としか。
結果。ＦＭを開ける場合の方法の横断に沿う大きいシュトラッケ（Strocke）の平衡にもかかわらず非線形スイッチ機能。
4.結果。ＰＭの端ように定まるＦＭ(非線形スイッチ機能のインテルグラチオン（Intergration）の補償必要ならば)に独特横力の方法。
3,2磁気に平行ＦＭの動きａ）ＦＭの動き。好まれた方向。b)垂直のＦＭの動き磁気に。好まれた方向。
3,3ＰＭサンドイッチシステム(=異方性磁気と。ＦＭ(図65)(図65)の好まれた方向は棒の打撃の選択の1本の棒との仕事磁気システムFP流れの版の厚さでＦＭＰＭの永久的な磁石の作動ポイントA3mV磁気好まれた方向でF=、B2を考慮する。、水晶異方性、磁界のアニーリング、等。穀物方向づけられる)異方性ＦＭ(接触のＦＭがまたはＦＭの変化の完全に付加的なラインGの境界表面を遠のければ=変化のＦＭ物質的なラインの磁気好まれた方向、代わりの間隔ミリメートル。ＰＭの異なった横断面区域は研ぐ、b変化は補強または弱まることとFPs3,4の変化でのt).r除去する。
66.,にまた補償を引き起こす界の表面横力部品Ftに垂直に1-3))縦方向の強さFがある。次の主義は累積することができる、それらは磁気へ平行垂直である。ＰＭの好まれた方向適当に。AIの定数=B2/2.0、a=f2。(図66,2)K2定数=.の絶対相対的な透磁率=透磁率数材料=.1=./.0の相違(コンピュータの有限な価値)への交換の価値のある違いの作動ポイントA3のおよび/または、変更の広さの透磁率の相違の部分の、途中でA33.の他の伝導性の.aの材料の変更1として作動ポイントの.aの広さの透磁率の.aは変わる(図66。3)機能外部のローディングセクション(ＰＭ界)K4定数のＰＭのコイルの.a*.0=一定した物質的な作動ポイント3。ディスクＰＭ(図67)変化を用いる2つの例の((ＰＭ)のコイル)、表面のA'(PS)の広さの透磁率(磁気及びの=ように(ＦＭ)=f3.4。3運動補償エネルギー回復。ＦＭの円(図68)でブレーキがかかるとき運動エネルギー(親族エネルギー)は回復される。
変えられるの潜在的なエネルギー運動エネルギーを除くＦＭの外の入熱wブレーキによるＦＭの+W加速。
材料Sが付いている作動ポイントA3でシステム4,1ＦＭ動きを垂直の変化(図69)補償(y方向)表面のf(ａ)sの方法A表面機能A広いa=f(s)の.aの広さの透磁率垂直にもたらす砂との4つの例コイルの物質的な異方性および/またはmVの磁気好まれた方向(界は方向を好んだ)縦方向の強さのＰＭにのラインにに沿う(s)(Ftの横の強さで(接した方向で=ここに界に垂直に方向やBFl=f(Blのa)、Ft=f()Btを、a)3.4.変化(図70)のライン-+平行補償に好んだ(x方向は)変化。FPの広さの透磁率の回収の表面のAAの変更はMVSの磁気好まれた方向の外面界鉄道のためのおよび/または材料による界のdHをおよび/またはああ、作り出す。
この界の缶は部品に平行をそして垂直に車軸に分けた
3.4.5(図71)1による横断力の補償。基礎ＰＭシステム(細胞=砂もたらされるまたはチャネル)B界ライン、磁気総数の磁気。ＰＭまたはコイル6の生産の異方性磁界の変化のライン、(図72)mVの磁気。好まれた方向。スクリーン7が付いている楕円形のソレノイド。(HP)及び界の変調器(ＦＭ)にＰＭで、またはＦＭと大幅につながれる1つの磁極片によってb)つながれる1。1つにつき2つの磁極片間の磁気強さAを}、それにより高めるために繋ぐ磁極片仕事が界の変調器を引き出すことに起因する空隙ある。
コイル(=1つのボディ)が付いている3(図73)鉄磁気ディスクはディスクの端への磁界エネルギーが運ばれると同時にコイルを次(減磁の要因および磁気棒をそこに開発するため。b)2枚の磁石による鉄磁気ディスク(1人のボディHP)(=3つの地帯の)磁化と接触する磁石はディスクの端に磁界エネルギーとしてしかとの運ばれる、界が付いている薄いディスクとHPディスクから接した歩む。c)2枚の磁石による鉄磁気ディスク(=3ボディ)磁化間の空隙の磁石はディスクの端へ磁気エネルギーとしてトランスポートするのでこれらでない-空隙D(境界)およびスクリーンのために…表面そしてないリーダーの仕事(磁気計算の索引を考慮しなさい)異方性材料との2.のような…(HPの主に軸方向に鉛だけの磁気流れとできるために減るべき接した撤回の分散界のまわりの磁気好まれた方向(mVは)使用される制御の異方性材料を除外できる。
磁気異方性は異なった種類、ここに2つの場合で使用することができる。第2大学軸異方性3に関する分極。張力引き起こされた異方性はヘクター異方性界強くする界強さ、容易な好まれた方向からの磁化を最も重い方向に回すためにである。
異方性働く材料と計算とそれは界強さに接したによっての左右される事実への支払済の関心でなければならない、ある界強さの軸及び放射状の部品からの開始はそれら、優先的に操業の磁極片ディスクのためにまた接した漏出変化が最小になることHPディスクの軸方向の磁気、述べられる場合に成長し、それに磁化できる難しさと斜めにである結果のHPディスク匹敵する。
ように構造のHPおよびＦＭの方向管理された異方性の伝導性および減磁の要因Nが累積によって使用することができる前に記述されている機能モードのための減磁の要因の異方性境界表面の/空気ギャップ(図74)の組合せの異方性(図切換え。流れ等の磁気。形態の異方性の例。a)コバルトの水晶(異方性)AおよびC。耳障りな等方的にスペースb)CoFec)B2、Ha2べム（Bem）の同じように価値「中断」動作基点で、磁気形態の異方性N方向と、場所依存した減磁の要因拒絶。COに車軸間の磁化でFeやNIより大きい相違がある。
3.減磁の要因および3。1つの減磁の要因Nはそれに縦方向の方向で長いスタッフ斜めにより容易に磁化することができる(N=0、5)の版の平面の磁気形態の異方性に(N=0)接した版垂直よりより容易に。
磁極片の構造のための結果。HPは部分からの版でないが、なる。解決1。密接に格子パッキングの薄い正方形のスタッフからの混合物(チェス盤のサンプルのように)、スタッフの長さはスタッフの横断面次元が選ばれる厚さにスタッフの縦方向の方向に入るように対応する。
利点。これらが誘電性の層によって隔離されれば、小さなロッドの渦流れの渦流れの減少。
解決2。多くの平行軸ストリップ(ライン)。
解決3。録音傷のコードのディスクは、異方性材料に従ってが付いている薄いホイルから成っていた容積断ち切れた。
減磁の要因N、空隙の長さIL=D及び中間間の関係は記述する3,2せん断のせん断をある。
磁気1つ。4.のせん断ラインのBHのループ、すべての透磁率のサイズ、残存及び飽和分極および(一定した誘導について)損失の構造。薄い版が始まると同時に1つが版の平面にそして版の平面で垂直に減磁を用いる磁気形態の異方性による永久的な磁石の間で、それからスクリーン効果起これば減磁する。
選択。多くの薄い平行版からのＦＭは+反渦の流れの効果と盾の効果の補強成長する。回される磁界の軸ラインとの軸方向(Blechung)で多くの薄い薄板金からＦＭの構造をもたらす。これらの薄板金では軸薄板金の方向の水晶異方性は接した分散界が最小になるようにそれらを増加できる。
界の変調器スイッチ、障壁と磁気間の薄板金の方向に依存する。形状異方性と水晶異方性スイッチ。
FKGの構造のための結果は次のとおりである。幅の単位ＰＭ1の2つの磁極片の代りに)等と同様、0からの軸方向の磁気の変更によって閉鎖はＦＭから一流のＦＭ意志に条件付きで転換されてできる。
チャネルの条件(図(電気めっきする軸磁化されたスタッフN4oのための版a/bの絶縁層の磁気絶縁層のCoOのオハイオ州関係図は77)平ら(薄い版)a/b=1つの球または立方体の例A
=0.5ミリメートルb=0、任意のための02及びベクトル的にベクトルM及びHを互いにつなぐテンソル垂直である。
形態の異方性(のため形態の異方性は使用可能であり、)1の場合。垂直のＦＭ/HPの動き界(図2に。ＦＭ/HPの動き設計されている主義1の缶ののようなそれら。
幅の磁気への関係の長さ。形態の異方性は(=長さの幅の商)範囲40-100回転の楕円体のために適切である場合もある)。それはz積み重なる訓練することができる。
そして有効性のHPのためのＦＭはそれ入口の表面の定数上のこれらの構造の単位がまた作動ポイントA3の定数の磁界作動すること必要であり。
この作動ポイントの最も大きい伝導性は最高の指定材料現在の.rである。スイッチS?の切換えの状態=8。磁界(図1の鉄磁気の文書。飽和カーブ(BXh)磁気。流れ(流れの磁気流れTM)。
磁気。張力=磁気。柔らかい磁気に関しては作動ポイントAをおよび/または引張りなさい。材料S(チャネルに横断h界が付いているトランジスターと)。
2.磁気のプロセス.r。伝導性.=.0.rの.aの透磁率の広さ、電界の鉄電気材料に一般的な方法で(ヒステリシスを持ちなさい)下記のものの適用する。a)(b)DXe)プロセススイッチSアンプ(図82)として鉄磁気材料=ＦＭの制動機の段階変数M磁化(刺激／上の磁化)[A/cm]Bの磁気。飽和へクター外部のローディングセクション、磁気とのBs。界強さ[磁気A/cm]、uoの。1の界の定数、.aの広さの透磁率B=.0(Ha+M)M=B/.0Ha1。伝導性は別の方法で変えることができる。a)チャネルの外のＦＭ、Dhの後のＰＭ間の平衡のm半導体の磁化のキャリア集中の温度b)の変更の変更=)導かない。
1(チャネルの拒絶の流れそれ2.ＰＭの河道に横断磁界は源と下水管間の磁気を操縦する。最適設計のための静止した物静止した変形横断方向仕事の絶えずＦＭおよび必要ならばBの磁気(=異方性の車軸)広告(x、y、z)やAOy、が付いている場所のすなわち断面区域Aの変更。
従って導くことのＦＭが常にB2ととの作動することが最高の最適の効果と従って、保障される。横断方向の伝導性。磁気半導体の部品、(磁気)。M両極トランジスターはＦＭの運動学的な転位のない横断界によってM-FETとしか、なされ。2.運動学的なＦＭそれの運動学的なＦＭは意味を持っている動きの小さい伝導性(ＰＭによる魅力のために)そして垂直にそれへの方向の(異方性界と)作動ポイントA3/点B2うそのすべての範囲内のＦＭの機能を持つ高い伝導性および一定した流れ密度。
2転換の状態にスイッチとしてmトランジスタースイッチmトランジスターがある。それらは磁気で働く。飽和=""(Ha2及び.maxとのB2=Bopt)透明物のポイント=BmaxとのHa5=Hamax)、(仕事の直線のポイントa2で0-範囲=飽和初め始まるHa3のB3にHaoとの飽和地域=過剰規制の範囲Boを考慮しなさい。
mトランジスターアンプによりより小さい磁気mトランジスター磁気との大きいの引き起こすように変調器の守備につきなさい。1つはこれを呼ぶ。mトランジスターは磁気ブスターおよび達成のアンプ(Vp)としてまた作動させることができる。
磁気。適切な材料の選定(s)および最大限にまた界強さの広さHa2受動のＦＭの変形より静かなシンナーがなることができるように、B2と、磁化M、仕事のステアリング補助界Ha2そして最も小さいエネルギー支出に沿う最高の補強の作動ポイントA3の最高値(活動的な補助界なしで)。
北極界と、円形ディスク磁石にいかに起因するか、すべては放射状の方向の界(中心)の逆転のポイントで使うことができるかどれがどの強さ影響を受けているがあるかかかわるこの異質な界によるＦＭの横の転位各方向の同じように、方向づけられる。方向と後どの接した方向を超過したＦＭが中心に引き起こされるかＦＭの推圧力、によってそれのウンアブハエブグ（unabhaebg）を成長する。
チャネルの磁石かサンドイッチとのＰＭは界が北極の方向づけられて、しかし別ないのでのそれそれのような。従って移る界のベクトルに平行ＦＭはその間 ｏ．ｇ．問題そのような方法である。従ってＦＭがそれに垂直になれば、チャネルの方向で、移った、ＦＭの切口は界のベクトルおよび強さ磁気システム図83)の別の比較なる。
分解する車軸yに沿うコーディネートシステムの1つのＵまたはと起こる部品。べム。変化のラインは真空で引出される。ポイントP(磁気の表面を働かせる界の材料と 屈折率は、それら重錘に壊れている。物質的な表面(ＦＭ)の重錘からの偏差の結果として起こりなさい。ＦＭ材料のボーダー。
注。縦方向の打撃の方向の中立地帯NZの仕事はまた考慮する。可能な誘導の積み込みのコイルが付いているまた解決。
プロシージャの時計。ヘクター界はＦＭと3を離れてＦＭ開放スイッチの後でヘクター開始(ＯＴと)?の補償界をつける。ＦＭの時計は(ＵＴと)ＦＭ3のエネルギー回復の影響界のヘクター=損なわれていない平衡のコイルの必要ならば掛け金を降ろさない。増幅定数(図A3エネルギー)のために独特作動ポイントA3の時計=最高エネルギープロダクト=柔らか磁気材料のための品質特性。
ソレノイド(図86)のコイルの長さのbヘクター独特のW3終わりに=の最高タンジェントの初めに飽和カーブ材料Wの分岐点Wは外のＰＭ連邦機関HaＰＭとアエクファレント（aequvalent）Vのために=回転アンペア数rの中間のコイルの半径のヘクター外面H(x=I/2)の中間のN数巻き枠の流れIとの中心によって増強される外面非常に小さいエネルギー雇用のH=Hの終わりとの持っている。
小さい流れは#強いＰＭ界HaＰＭを中和するおよび/またはまた対等に小さいコイルおよび小さい流れ(補正器)とn段階の補強1を考慮する。.aのコイルコア(か。)2つを段階的に変える。また段階的に変えるの磁極片、μa(例えばCoFe)3。コンセントレイターの段階的に変えるの特定のコイル。移動を用いるアルミニウムは特定の関係の伝導性の重荷の伝導性密度p02825の密度p=2,7のCu01754の密度p=8,96kg/dm3Vp=9の7=3,32特定の関係の伝導性の重荷VのCu0の中心を増強し、カバーの0.02825の028250613永久的な磁石のために休息のコイルが付いているCuを巻く（柔らかい及び硬い磁石材料(図88の)アンプの滝(図89.90、91)のための図ポス（pos）。1。永久的な磁石(選択ＰＭ)、永久電子(PE)の超伝導体の磁石(SM)の。アンプのコートか2と。中心の録音傷のコードの増強のコイル、か3。ヘクターの中心のないコイル。
4.n棒と=与えられる強い界の薄くなる。プロセス。
適切にからの材料にBＰＭ(A')(ヘクター同等のローディングセクション)との代り、すなわちとのS=転位のヘクターは独特のSのBと変わる。
逆機能モードように5.流れ密度は材料Sを持つHa2によって増強する異なった材料S(が付いている放射状のヘクタル層、機能録音傷のコード。B(r)=各単位ポスのための段階の利益の半径依存した。aの滝。
7.界の集中はのより高く合わせられるを用いる材料(s)である。独特のSのBの界強さの広さのヘクター変更。最も高く材料の。初期値F=可変的なエルゲビス（Ergebis）。91)ＰＭ界の設計1でアンプ(v)(図89)の(a)(図90)調節をもたらすHa2M=B2/.0Haの砂とのSのB2。永久的な磁石(ＰＭ)1つの円形ディスク磁石(極小化AP)の(中間の減磁の要因の図Dの空隙Gの重荷Dの最大化の逆行性のＰＭ1,2正方形ディスク磁石(AP)による均等に強いコエルツィティフ（Koerzitiv）界のN=1(薄い版)93)変形A。方形に変形B。ひし形のa=b(薄い版)逆行性のＰＭ3の変形Aによるコエルツィティフ界の最適(最高)sの極小化の最適化H/Gの減磁の要因N=1。変形B。同質な回転車軸に沿う回転(RH)(図95.96)RHの楕円体がNをによるコエルツィティフ界の(薄い版)ひし形Aの最大化bの極小化sの極小化の減磁の要因N=1は磁化するＰＭ1,4a/b=0A薄い版および同じ磁化の反対のRHの北極シャフトセクション=回転車軸(平行によって磁化される方向)シャフトセクション重量の軽減を用いる磁気の形態の異方性の減磁の要因N=1を記述する(同質磁化する)。
1.(図97)円周の方向利点の磁化。同じの結論のない棒は両方とも回転H磁界強さ変数Rの方向内部半径の中間の半径のRAの外の半径L最大化のDMの方向の変化長さのアンペア数N数の中間ラインの電気流れを通ってh=逆行性のＰＭ2によってコエルツィティフ界の400,000減磁の要因のN=1ヘクタル界=ミリメートルを分散させる為の有効射距離のコート巻く。ＰＭは挟まる(多層)(利点の図。a)より高いb)より高い構成密度の代わり。1.変化同質な界の最大化のより高い強さの第2より急なライン。より小さいb)表面Aの磁石の王冠第1、第2、第3が付いているより高い強さF(図99)のa)サンドイッチ構造、=分析的な4.=磁気。zの異質な界を通した界達された方向のための屈折率は+a2変数F強さ[N]B磁気Aの表面の.0磁界の定数でより小さい変化表面の作りのより急なライン=1、Tcm/AF=表面の変更なしの3.、量の回転とのすなわちAの残物の同じ均質になる。
3,1の変形(図100.101)の打撃h。h1、3、max1はの4-e翻訳u磁石等にまた適用する。角度Aの下の翻訳はu磁石等に、また適用する。
3.2変形B(図102.103)の3,3変形イチジク、横断システム)(修正界の設計1によって独特力の方法の図3,4変形C(D(。直角システム(Fig.、b、Cのイチジク。A、bのa)直角界b)の角度c)c2)斜めに2に沿う浸るシステムより急な勾配c1)。有利。サンドイッチ、大きい打撃狭い構造-大きい強さのの斜めシステム(図107)a)斜め界の流れの大きい打撃非常にPPのそれら、より小さいの長さ1。ＰＭ=縦方向の方向3のまた第2等方性アンカーの固定子。回避4のための異方性アンカー+水晶異方性等。界強さ1の最大化との4.のために必ずしも高いスペックの電気抵抗を考慮しなさい。拒絶2それはＰＭ2。魅力2それは3。魅力4。引き起こされた渦流れおよびばねの規則ＦＭの設計1の誘導の磁石AIリングが付いている拒絶の魅力。インラインＦＭのFKG(図は110の循環プロセスp、2の1,1作動の期間運動学的に磁極片((図112)のないＦＭの1.2.1FKGのＦＭそしてHPのための磁気形態の異方性をのHP)考慮する空隙DによるD力の減少。
1.ＦＭ及び磁極片(HP)の空隙の2FKM+より高い反発する強さの変形A。中央に(図113)HP(A、bを見るN(図2の磁気形態の異方性を集中しなさい。輪郭ＦＭ界の変調器(魅力の平衡)とのFKG+構造の単位の磁極片(HP)また。(図115)HP。bh独特の)磁気の磁極片。形態の異方性(Fig.N。Nのために磁気特徴はそうなったものである。(スタッフ)斜めにではそれに、ＦＭはs(薄い版)で容易に残すそれ自身を垂直より版の平面に接したショートする。
3.FKG横断システム変形A。インラインＦＭ(変形B図。ＦＭ(時計4.の輪郭への図。ＦＭのトルクを考慮しなさい。
回避。より可変的ＦＭの、(代わりに及び転位)相互に砂もたらされる打撃hに依存した。(図117)4。活動界の変調器(図119、120、121、122、123、124、125)の比較。ＦＭの系統学ポス。ヘクタル、B2、μaＦＭのまた可変的な/力の磁化b)の衝動の磁化の4柔らか磁気a)コイルは調節する。1.魅力N-0/0-S=不活発である2。強い魅力3。強い拒絶3。輪郭ＦＭ(中心K流れIとの図コイルの整理の。
ＦＭは調節する。1.2。3へのコイルの「上」のSN=。コイル「上」Nコイルの補強a)の不利な点のn=。コイルは大きいコイルの半径b)の利点を取る。
タイプ4.aとして作動ポイントの半導体の物質的な回路なしでどんなに、多くの小さいコイルのための場所、小さい1、ＦＭの(ＦＭの系統学のタイプ4bで)主義のトランジスターの柔らか磁気誘導界強さの小さいr。大きい切換えエネルギー(=飽和Bs)タイプ4b。切換えの状態の例えば誘導界強さ。B2(増強されるM)とのとの-Ha2、B23Ha0、B0M=最小値および/または最初にとの1."の上の"=。柔らか磁気A3作動ポイント(BH)最高値-=否定的なエネルギー=魅力)=最高の否定的なエネルギープロダクト柔らかい磁気。材料=柔らか磁気材料材料S1のための品質特性。減少2。磁気を通した界強さ回路の終わる管の断面調節の増加。チャネルの同じような同類に横断界。界効果のトランジスターM-FET。(図124、125)運動学的のまたは静止したＦＭ。a)各場合(ゲート第一次キャリアの流れによる誘導の生産訓練されるべきように、)でと動かされた荷電粒子の各場合2横断界(ゲート)の支払能力がある州FKMの発電機のまたは電磁石の主義=動かされた部品のないFKGの魅力によって動かされる部分の)支払能力がある州機械による活気づけられた梯子とのb)すなわち。一時的に変更からのa)は断続的な磁界の静止活動的な基礎による磁界が前にＦＭによって永久的な磁石の静止したポテンシャル界からの調整された磁石静電気連続的な界行う、またはb)一時的にから変わる絶食させ絶食し(断続的な電界の基礎による静電気界は前に静止したのによって静止した連続的な界からの静止したc)からの調整された静電気の連続的な界によってＦＭ-調整されるとしてa)行う。
静止した静止したＰＭは静止したＰＭピストンをきつく締める支払能力がある州か反発するＰＭピストンとしてまた実現することができる。
1.静止したＰＭかPE(図図126A。溶剤の国家静止した静止したＦＭか運動学的なＦＭの一時的な変更の磁界は彼ら自身を電気図b引き起こす。静止した物または運動学的なＦＭKピストン柔らか磁気材料の図ノートの魅力ピストンK。ＵＴの平衡のＯＴと、独特縦方向力の方法は縦方向非対称的なＦＭの位置にもかかわらず特徴がまだピストン棒変動を考慮する横力の方法への関係である。ＯＴと。ＵＴのＦＭ。ＦＭは位置2のＦＭなしで掛け金を降ろす。輪郭ＦＭ/PSの方法への単一のコイルの発電機(図127、128)はHPによって転換されるb)HPの高い縦方向の伝導性によってＦＭのＦＭの高い横断伝導性のa)及び磁気形態の異方性か方法BHP="の上の"、考慮する水晶異方性を考慮し、ＦＭ界の変調器=流れの磁気形態の異方性は両方のより多くの回転のHP=流れの鉛のコイル、テレックス=永久的な磁石(SMのPE)のFeGが考慮する2つの腿ＰＭ閉まる。B2、最適の3のためのHa2の調節。最高二重コイルの発電機(図129)ＰＭの永久的な磁石(SM、PE)コイル／ソレノイドGの境界表面K。
ＦＭフィールド変調器=バリアのHPの磁極片から始まる同等の鉄自由なコイルのようにそれから作動ポイントの補強は=導いて=高く方法A"余りに"=1で抵抗=高く方法Bで伝導性2つの流れの指導部分(2つの腿)の利点もっとたくさんの回転を収容するにはができること成っている。
界の変調器のタイプのＦＭは次のように知っている。1.積極的に受動的に運動学的なＦＭa)b)および/o。同様に第2静止したＦＭa)b)M-FET訓練されるべき例えばM-BTの管の断面調節)。B.発明の界力の発電機(FKG)の好ましい効果交換に資格を与えられることの機械仕事の(全体で=不可逆循環プロセス)。一般化されるFKGの効果の原則は次の主義に従ってエネルギーギャップの超伝導体へ別のためにまたであるマクロスコピック類似対応する。機械は(縦方向機械と)磁気適用範囲が広い界の基礎の反発するＰＭから衝撃波=ソリトネン（Solitonen）を作り出す。
平衡の条件の生産間のＰＭの振動のために、自発的に磁化された範囲のつながれた回転の時および/またはb)つながれた磁気のこれらはのためにa)からのある(せん断、くねり及びねじりとまたつながれる縦波必要ならば)。
反発するＰＭ.(ＰＭの組)の逆行性カップリングはそれによる界の適用範囲が広い変形によって魅力的なＦＭ仲介することなされる。ＦＭによる磁気魅力的な交換相互効果はＦＭのこされた羽／飛ぶと同じように反発する磁石静電気魅力によってＰＭsの時を=の否定的なエネルギーＦＭ=３／４間の磁界のラップ磁気の要素を償う逆行性間のローカル磁石静電気界を歪める。2ＰＭか2ＦＭ)。
薄いＦＭの層は「上」を通っての後の転移プロセスと取り替えられる、相互効果はＦＭ材料(運動学的なＦＭ)によって起こらない。前述機能モードは鉄電気ＦＭの静電界が付いているPEと同様、超伝導体の磁石SM'sに一般的な方法でまた適用する。仕事の生産は発明に従う界力の発電機異なった利点を表わす。
ＦＭでは永久的な磁石(反発するような)および1つは(魅力的に)、およびこうしてＦＭが開くＦＭの魅力のない拒絶からのエネルギーの平衡の機械、そしてあり、肯定的な仕事及びエントロピー結果作り出される。ここにクランク軸のより低い真々中(ＵＴ)(=方法Wab1)とのそれ自身を、例えば引き起こす。ＵＴと1つは方法の拒絶のないＵＴから後Wab2が循環プロセスの一部としてそれ自身を後方に動かすことができるように、閉まる。仕事Wabはaでディシパチフェン（dissipativen）システム、方法Wab1をすなわち肯定的な使を方法Wab2Dhを使作り出されない。
潜在性界システムと)仕事の合計はある仕事は界の変調器「上」ＯＴ中によって=供給し、ＵＴは非常に小さい。運動学的なＦＭは磁気で(界に垂直)、ポテンシャル界で平行できれば動かすことができる。発生の否定的な仕事とWzuは補償によってこれら除去することができる。エネルギー・バランスは1つのそして小さい仕事の補償のために動き、非常にこうしてである。
界力の発電機は界効果従って運動エネルギーへの永久的な磁石の潜在的なエネルギーが変えられる回路によって磁石の間でパーマの変形を磁気的に使用する。
これは使用される送信される力を運転することを知ることができるまたは電気一次エネルギーの生産。
周期のエネルギー・バランス(0.ＫＷとの古典の代りのＫＷの力の塗布の結果のクランクギヤとの発明に従う1つの作動の期間=360KW)/の効率(力の利益の)働くプロセス適用。
1つの作動の期間=ＫＷのDの打撃h=打撃の蛇口のサイクル／秒へのＫＷの半径。働くプロセス(時計ＰＭ1ＦＭの厚さsの間隔のＯＴの位置の図及び静止した。平衡のＰＭそしてＦＭ。初期状態のエネルギー。
1.界の変調器"の上の"=ＰＭ強さ構造1。ＦＭ"開始"界のW1ＦＭAufの仕事の初めは=CoFeの段階的に変える2)引っ張られる。空隙D及びこうして2の磁極片のPS"Zu"のためにバイパス。段階。ので鉄磁石W利益を得なさい。材料は界2で引込んだ。時計(磁気.の反発する強さFIのクロックレート))ＰＭ、及びＵＴ(180.ＫＷ)の方のＯＴ(90.ＫＷ)からのＰＭ2移はクランク軸に及び仕事を伝える。
"打撃"仕事配達ＰＭW2ＰＭ+h=エネルギー状態E=ポジティブのそれは磁気仕事およびエントロピーを開発する。
3.静止した時計(分解する力)及びＵＴの位置のＰＭ2。ＰＭの最終状態。条件のエネルギーE=ポジティブ。
1.ＦＭのための空隙およびこうして界強さFI力分解の1の減少の生産のための磁極片のHP「上」。仕事の段階的に変えるの初め(-W1は界2で=否定的に=引込んだ。力分解の2。仕事(+W1=ポジティブの段階的に変える、ので鉄磁石の初め。界の材料は4)引っ張られる。(磁気の反発する反対代理力FIのない後退する／空運転するの打撃)ＰＭ1ののＯＴ(270.ＫＷ)の方のＵＴ(180.ＫＷ)からのＰＭ2移時間を記録し、クランク軸に仕事W2をそれにより伝えなさい、磁気の反発する反対代理力なしの再調節のための仕事の動きの平均の小さい初めを戻しなさい。エネルギー状態それは磁気を開発しない。仕事及びエントロピー無し。
2.周期の時計の仕事は=仕事償うことができるその上に2その上に償うことができる。時計(反発する強さの時計(分解する力)の仕事がその上に償われた仕事である場合もある磁気のクロックレートはその上に4償うことができる。時計(磁気の使用率(時計1-4)の仕事の全体の計算のための仕事の合計の仕事配達の反発する反対代理力f)の合計の初めのない後退する／空運転するの打撃=。2つの磁石ＰＭ1及びＰＭ2は位置のの間の状態で瞬間的になる静止して固定されなければならない(システムはピストン棒変動のない正常なクランク軸との同じように動きのこの条件のＰＭ間の力の自由な演劇に応じてないかもしれない)。
2つＰＭsなあ平衡のシステム、の間ＦＭ引き出oＵＴ及びあれ／あれら。
それらは瞬間的に静止して固定でなければならない(丁度上部の真々中ＯＴ180.ＫＷのより低い真々中ＵＴとのと同じ)。従ってＰＭの力の方法特徴はやＦＭやHPＰＭ(ピストン棒新しい変動の構造による原因)の機械調節によってそれらでに磁気的に減結合される。その範囲に仕事の初めも(ＦＭやHP著)及び仕事配達W2はまた全然ように(ＰＭによって)骨フルッセン（flussen）彼ら自身を。これは効率のための相当な結果を有する
4.効率(図131.132)の方式は非対称的に1ＦＭRrRとして(s)の、効率ＵＴW、[Nm]=WabＯＴ2ＦＭ対称的にかRiの重量=(s)のように[Nm]V=周期の関係働く。
1の発明に従う機能の概要。機能はＰＭ=永久的な磁石、ＦＭ=界の変調器、HP=磁極片作動の期間の4個の時計次のとおりである。1.=圧力集結(ＯＴのＫＷ)HP2開けなさい。仕事肯定的に3の時間を記録しなさい。ＦＭの掛け金=圧力降下の時間を記録しなさい(ＵＴはガソリンエンジンによって同じように+4.=作動の期間また逃げる)。打撃は=ないここにあり、(ＯＴや真々中が、休ませるＵＴのＰＭので、ののそれ自身に古典ＫＷ=および/または。180.の後の270.=ＵＴはレバー腕またはＫＷの各場合の強さを移せる'回り続けた。
2.圧縮比の作業スペースそれは磁石シリンダーおよび2つの磁石の区域の閉鎖である。そのサイズは時計のｏ．ｇ．に従って打撃の間に変わる。それらがＯＴにあれば、作業スペース最も大きい、自体はＵＴおよび最も小さい。
圧縮部屋Vcのサイズは=HPとのＦＭまたは境界表面のGの空隙D最も小さい作業スペースである。
界容量それは磁石ピストンの2真々中とＵＴ間の区域である。それは個々の磁石シリンダー1の合計にそれ自身で起因する1つはこれまでＦＭによって強化する磁石ピストンおよび/またはHP(容量の前部スパー+間の区域を強化した後磁石ピストン間の区域の圧縮部屋界を比較する(圧縮部屋1は圧縮比を受け取る(図=(そのような方法でVcは+Vh)/Vcより高い圧縮比、よりよい界エネルギーの利用及びこうしてFKG/FKMの効率ある。
増加する圧縮比と界のそれらは上がる。荷を積まれる圧縮界によるとの圧縮比は界が磁石シリンダーに既に非常に圧縮された着くので、より小さい。
1.法律(容積が付いているシリンダー変更の磁石ピストンＰＭ1及びＰＭ2の上-とアベヴェグング（Abbewegung）著の法律にまたガスを供給する界のアナログ界圧力pおよび界の量子場の温度TQ。
ボイルの法律に対して熱エンジンのためのマリオッテ（Mariotte）は磁石に独特力の方法のシリンダーの連続的な容積そして圧力と変える事実とのそれ自身を適用する。それは次の秩序を適用する。界の圧力及び容積のプロダクトは含まれる磁石に独特力の方法の機能である。
2.容積及び圧力の関係へのトンを含む法律(ゲイ‐ルサックの法則にガスを供給する界のアナログ)は次の秩序を適用する。界が連続的な圧力Kとあたたまれば、それから容積の1/To一部分によって拡大する。
3.大いにより大きいレバー腕を搭載する90.ＫＷの力の塗布から離れてなぜ圧力パターンは磁石(図に定められる。焼跡が付いている圧力パターンに6.-特徴両方の比較によるＯＴの結果が(界の遺伝性ランニング)独特力の方法によって界の圧力パターン明確になった後12.クランク軸間の高温で最高圧力がある、(およそ。
古典的な新しいクランクスロットの反対の要因4は必要とある。ピストンと既にＵＴの方にＯＴの後で動き、運動学的なＦＭはＯＴのこの短い時間に非常に速く引き出されなければならない、それはそれのようなのＫＷとない。クランク軸が位置のＯＴ'beiのＫＷに達したまで、磁石ピストンＰＭ1は他の磁石ピストンＰＭsのＯＴの位置に(こうして最高圧力や強さと)完全に近く残る。
4.テスト指定操作フローチャートは圧力容積の図表(テスト指定の図表)に作動の期間の間p、VおよびTQフォン界間の関係移すことができる。
それにより理想はＵＴの磁石ピストンおよび界の拡張のプロシージャおよび容積の間のＯＴの逆転のそれぞれポイントで変わらない図表がすなわち成長する一定している残る。
(圧力集結の界の拡張)。それらの多くはそれ自身へ一定した容積とのＯＴの開始と一定した容積とのＦＭの操業を開けることによって回されるの後のＫＷからのクランク軸止まる)。
条件との(図。-シリンダーは先行するクロックレートからの新しい界およびどれもしか-シリンダーの界の完全なエネルギー変換-圧力降下(ＯＴの開始のＦＭ)およびプロシージャの圧力集結(ＵＴの掛け金とのＦＭ)の間の一定した容積含んでいない-圧力集結区域はすなわち磁石ピストン残るそれ自身の間のＯＴに圧力集結の短い時の間ＫＷにの=仕事プロセス周期=一定した容積(Isochore)との(等エントロピーの)構造=開始圧力増加の動きでなければならない(界圧力を楽にするため)。高圧に拡大するあるおよび移動は磁石ピストンの再度達される界。分解する量子場の取り外し無し=ＦＭの掛け金。プロシージャはＵＴの位置の一定した容積と量子場の取り外しによる180.のＫＷは後でまでのからの(=1が開始を出力界圧力再度達される冷却する)界圧力ポイント沈めるが、起こり。
図表(図136)で開発されるエネルギーの損失はコーナーが付いている表面作動の期間の間に勝たれる仕事を示す。
増加は増加によって仕事に勝った。勝たれた仕事はポイント5の最初の圧力までの界が(緩んだ後やっとＰＭがポイント4で既になったらが、磁石が打撃を備えなければならなければ)より大きくてもよい。これはしかし界の拡張の延長が打撃の拡大と接続されるので、可能実際にである
従って無くなった仕事の表面の結果再度。条件が保たれることができないので圧縮比=(容量=(実際は磁極片間のVc+Vh)/VcDか境界表面のGはそう理想的に逃げない。
作動の期間の2回の打撃(2つの磁石ピストン+2ＦＭ)の間の圧力パターンは現在の繊維のプラスチック発電機／エンジンの試験台の圧電気の表示器ととられ、スクリーンでカーブとして目に見えるようにすることができる。相違は確認するべき理想的なテスト指定の図表にはっきりある(図136)。
5.図表に課税するために1つは程度のＦＭのそれらを置くそして1は税の図表(図137)を受け取る。a)対称のb)非対称的な細部それは1
つの余分にＦＭの税の角度を与える。
しかし開始はこれの内で常に一定している常に完全に開く(変数界の強さ)及び制御カムの形態は変数として公正-速度)であり、各タイプの建物のための試みによって繊維のプラスチック発電機が最適達成を伝えることをそのような方法で指定したある。これが全体の速度範囲に可能でないので、繊維のプラスチック発電機は調節可能が装備されている。ＦＭのドエルの角度はあるタイミングの角度のまわりで変えることができる(可変的な税は時間を計る。必要ならば後でＦＭのためにおよび/または前の時で開いた閉めなさい)。各繊維のプラスチック発電機のための互いから柔らかい個人の税の角度は規則角度の専有物より大きい開始からのＦＭの閉鎖への、エンジンの規定回転数より高い。
6.6個々の磁石シリンダー1(-)の焼跡指定は標準化される。磁石シリンダーのカウントは力配達側面に直面する側面から始まる。二重ピストンエンジンを搭載するVRのvRと1つは左の磁石シリンダー列から始まり、各列に数える
続く繊維のプラスチック発電機の個々の磁石シリンダーのクロックレートに互いがシーケンス死ぬあなたとの6,2ＦＭの開始順序は示し。
それはクランク角度のある程度の柔らかい間隔で、クロックレート示すおよび/または互いが続く個々の磁石シリンダーのそれら。11だけとなる(1つのクランク軸の回転のＦＭは=のこうしてへの量4-クロック燃焼機関のＫＷと必要とした)。磁石シリンダーが現在より多くのなら、なるより小さくそれ及び伝えられたトルク均等に。それは1の適切な磁石シリンダー整理そして適切な状態の結果として起こる。発明の技術的な区域は参照する。
磁気の活動の界に発明に従って属しなさい。磁気は界力の発電機("ずっとエネルギー消費1が下げる磁気の要素の技術からの生産を補う。破片の統合されたとあるできる。
主義のm/Eダイオード、半導体界の変調器(ＦＭ)のm/Eトランジスターの半導体の部品そして適用の、守備につきなさい。磁気は電気磁気F＆E、生産、および適用の完全に新技術そして訓練である。そこに力の界により、別に、調整されて、増強されて引き起こし、整理したまたは等意志転換されて、界の半導体の部品すべては生産に、しか使用されるべき1つの界の円の調節、補強、回路、方向、等に仕事によって主にに従ってない属しない!技術の対立。電子=荷電粒子=エレクトロ技術及び電子工学を過ぎてように荷電粒子および電気流れとして電子穴が伝導バンド電子で流れる量、および磁化のキャリアのエレクトロ技術の磁気技術の電子工学の磁気の粒子。この現在の流れは荷電粒子が格子原子と衝突すれば、それ自身の大きいtをまた持って来る大きい暖かさを作り出す。
結晶及び無定形材料すべてが鉄のグループ(鉄inct.)に属するという、m半導体およびm絶縁体は磁気及びディマグネティカ（Dimagnetika）に分けられる。Dy、HoFe、CO、NIおよびラザノイデ（Lathanoide）、強磁性のために重大な彼は相対的な原子間隔結晶か無定形材料にかかわるどうか独立しているの。
従ってまた材料は強磁性をいかに示す。磁気に次の粒子例えば磁気および量はある(=磁気。量子界=磁気)効果的に。a)磁気流れの量の磁気。界(=量、光子はまた呼ばれる)。b)磁気大抵3d- シャレ（Schale）、これから原子(他の1つの磁気の外へ向かう有効な回転の時に続く。時、例えば=逃す回転の時、それらは否定的な磁気の湖の肯定的な磁気探傷のようにする。c)磁気=関係は及び磁気=関係のギャップ穴があく、ラッテルス（latters）は肯定的な量のようにし、磁気流れとして固形物によって流れる。
より奇妙な原子、例えばCO+NIまたはCOに恵まれているM半導体の磁気半導体は例えばコバルト及びまたはジスプロシウムである、+Fe。それは電気場合のように類似したに例えばシリコンする。結合の電子(3d)間の関係は暖かさと同様、外国原子そして外部の磁界が重大な行動を持って来るしかしながら、損なわれていない。
これらのm半導体とそれからm要素は達成磁気(z.Bのためのmトランジスター及びmサイリスタ等のような缶詰になる。同じような行動のM-IGTB)造られるべき。
それは及び新しい応用範囲を可能にさせる。電気伝導バンドのの代りに磁気の発明に従ってなる今磁気。伝導バンドは使用した。今ではその範囲への電子および電子穴と同じような磁気伝導バンドに磁気(カップリング)及び磁気の穴(カップリングの穴)がある。
発明1の表示。概観機能モード磁気半導体はディマグネティクム（Dimagnetikum）=界の絶縁体なる(および/または誘電体の添加によって、磁気磁気的に半導体材料達した。
会計情報システムの基礎の水晶は使用された例えばコバルトまたはジスプロシウムのどれである場合もある。
非常に純粋のニッケルに例えば恵んでいることができる。
またz.はホロミウムまたはエレビウム（Erebium）に恵んでいることができる。結果。磁気的に否定的な半導体Nm。
またはFeと1つは寄与する。またはDy水晶はテルビウムやガドリニウムと寄与する。結果。磁気的により肯定的に。例えばコバルトかディマグネティクム(.r=1)のまた添加はラザノイデン（Lathanoiden）の例えばFeO2かCoO4可能である。磁気の穴(.B+)に基づく磁気に基づく磁気との磁気にまたはまた、磁気システムNmと同様にNeそしてPEとの電子主義に同様に、起因しなさい。
磁気の(および/または電界の半導体の部品)磁気要素はｚ．Ｂ．m両極トランジスター(M-BT)、(M-FET)、mサイリスタ、およびまた等である。
構造は磁気流れの量(および/または電気流れの量)に基づく影響が開発される相違を用いる電子半導体の部品に類似している。また電子回路すべては磁気回路(磁気の張力、磁気に同様に缶詰になる。変形するべき流れ)。
磁気両極トランジスターは作動ポイントで転換する。M-BT及びM-FETは磁気アンプとしてまた置かれたoＵＴ可能である。
FKGのために磁気(また行う電界のAによってラインの制御適用する)磁界のリーダー、磁界の半導体および磁界不導体／絶縁体(ディマグネティカ)ある磁気による流れの制御のバリヤー層かb)。チャネル(M-FET)に横断界=
主義及び管の断面調節は両方)結合することができる
常態でフロー制御は磁気的に一流材料で起こる。磁気で磁気的に一流の直通磁気的に物質的の取り替えられる。磁気半導体界の変調器は使用することができる。
2,2.1.電子システム磁気システム充電磁気の磁気流れ(t)dt2の相当なサイズ。転位密度磁気。流れ密度(誘導)3。電気アンペア数磁気。流れ(増強する)4。DS5の電気張力磁気張力(s)。電気抵抗磁気抵抗静電界および磁気円の磁気円のオームの同質なワイヤー同質な(ワイヤー)法律。磁気円は全広がりの磁界区域呼ばれる。磁気円に独特サイズ親密な関係の磁気的におよび流れを通っての立場、なぜならそれは磁気探傷=磁気／磁気および穴およびマクロ(範囲等はによって。)なる磁気の磁気円で電気電気回路で調節する対応すると同様、=磁気(M-)(=磁気間で。システムに取り替える。
m半導体の磁気(M-階層的の鎖整理された関係ののあれば(自発)ポラリスチオン（Polaristion）およびカップリング(関係)が外側に歩むために製造された=交換相互効果およびそれなら流れの量が固形物に段階の群速度と=広がるしかしながら)は及び動かない(それらは中ボールの原子空間格子で静止している(熱振動を考慮しなさい)、(穀物(点地区))の水晶の分極と。
2.2。鉄磁気m絶縁体の分類、m半導体、mリーダーの磁界の伝導性。電気システムのe絶縁体は磁気に==絶縁体(絶縁体)の電界で"磁界のm絶縁体ある。従って絶縁体(磁気の絶縁体)の荷電粒子の自由に可動装置は、磁化のキャリアまたである内部(電界の自由に可動装置の磁気=ないである。従ってまた界自由である。界は1つの磁気の中にあったように握る。磁気を通した絶縁体によって。界自由でない界。界の誘電体はそれが磁気によって行ったように握る。
絶縁体ディマグネティカ。電気コンデンサーの磁気コンデンサーは"部品の真空のそれを、が容量のセリウム分けるために、界強さに関連して、そして電気取得持って来られる電界、そして磁界の取得にディマグネティクムの誘電体をそれの真空のそれの反対の磁界強さ彼10が磁気持って来られる。容量Ｃmはεr主題を持って来ることによって持って来る上がる。"クムス（kums）はそれに上がる。
それ=または相対的、=ペルメアビリテーツツァール（permeabilitaetszahl）または比誘電率の(無次元の)ディマグネティツィテーツツァール（Dimagnetizitaetszahl）の相対的な(無次元の)価値常にそれ=ペルミッティフィテート（Permittivitaet）==電気、u=透磁率の磁気。界の伝導性。界の伝導性。
従って要因Xe=電気の感受性の要因はディマグネティカと真空ur=1の誘電体=絶縁体のディマグネティカの磁気のためのErS1であり。絶縁体それ常に1、常に1の材料材料(拒絶)の材料-(魅力)パラグラフ電気材料(魅力)の常磁-反鉄電気的に(中立的に)-反鉄磁力的に(中立的に)Xe==電気的なもの.r=1、Xm=0=-鉄電気材料(魅力)の鉄磁気。材料(-魅力)(魅力)鉄電気材料材料(魅力)材料のペルミッティフィテーツツァール（Permittivitaetszahl）の鉄磁気ペルメアビリテーツツァールは上昇に従って磁気的に1整理した。彼は各絶縁体悪いリーダー結局は、誘電体やディマグネティシェ（dimagnetische）の損失6を考慮する(および/または
1.1反鉄電気。反鉄磁気。CR、FeO2、CoO4、NiＯＴ。2鉄電気。鉄磁気。強く電気で強く磁気的にFe、CO、NI、Gd、Tbのそれtパラフィン2、2NdFeB(堅い)1の12ディスク(誘電体のような例えばそれらムメタル（Mumetall）の仕事のセリウム)無定形にCoFe1、1CoPl1.1水81(NDKのタイプエラーAlNiCo4503のceramic(s)。(堅い)1.3亜鉄酸塩の(電界の磁界SIのBi、Pb、H203の柔らかい)スライド。磁気拒絶の亜鉄酸塩の3鉄電気。鉄磁気。強く電気で強く磁気的にn。電気のパラグラフ電気の常磁の魅力。アルミニウム、Pt、TAの空気2。3つの磁気半導体2。価数／伝導の電子電子=外側正電荷の穴がボーリングをするように原子、e+)および/または電子や、電子穴のm粒子ドリルの磁石(eと-)および(磁気的に有効な電子の磁気的に内部これである強磁性のための必要で、しかし十分でない状態だけウンコンペンジエルテン（unkompensierten）B+(e+で逃す)電気磁気半導体の3,1の基盤そして基本的な考え=の合計のための単位ローカル。
M量-.B=2回転の時間のカップリング(関係)が付いているマグネトロンm=(界-量子)及び量子的に磁気半導体の磁気関係のM量マグネトロン穴M+=2つの回転の時のm量間の行方不明のカップリングとの欠陥磁気動作／ラインM-、=磁気なったカップリング(磁気)および磁気穴(磁気の穴)の磁気半導体の部品、B.mMM-M-トランジスタ、mMサイリスタ、およびm粒子原子磁気A.Bおよび穴の合計=原子(ない関係)のm量の回転の時のuB-電子及び電子穴の代りの回転の時=カップリングの余分の原子間隔の合計の関係への原子のマグネトロンの数の原子磁石(=近隣原子やイオンの下の電子の電子貝そして関連交換のラップによる強さ効果)。
その場所自身が個々の原子を平行にする原子磁石をもたらしなさい。交換相互効果は強磁性のための十分な状態である。マグネトロンは磁気に結合「不活発である」=鉄の磁化のグループである。
鉄磁気のカップリング考慮すれば。M量原子マグネトロン穴の=逃す結合／接続"キャリア"=欠陥原子のマグネトロン2.3。固体によって自発的に磁化される異なった材料の2つの磁界の伝導性の範囲は番号が付き、磁気の移動性(交換相互効果の移動性)及び、ラインコバルトのための特定の適合性を+会社の鉄磁気のジスプロシウム=会社=外国原子の磁気金属、磁気絶縁体の磁気金属(強磁性)の磁気梯子によって磁気が)磁気流れのキャリアの限界のの数である磁気半導体は意図し(磁気の中の移動性(回転の時=範囲の移動／回転)しかしのの電子回転時のカップリングは別様にあり、堅く(重い)または柔らかい磁気に依存する(容易に)。
磁気絶縁体の磁気絶縁体ディマグネティクムは)(-+パラグラム磁気は)回転のカップリング=交換相互効果によって区切られる磁気の穴の磁気/の数であり磁気伝導性(=磁気)無限少の小さい逃すことのために実用的に(Fe単一原子=常磁)ゼロおよび対応する。
の状態非--伝導性はキュリー温度の超過分の間にまた、考慮する、ＵＴ独特起こる。磁気半導体磁気金属および磁気絶縁体のそれはのの磁気伝導性圧力(情緒の移動性の磁気に強く左右される。磁気)、温度(磁気、磁気の数そして移動性)、および供給された外交問題(数及び種類それ (管理された設置磁気的に有効な外交問題の)葉自体の寄与による外国原子との添加は磁気半導体によって磁気伝導性を定義し、調節するために置く。これはFKGの要素として磁気の基礎またである。
2.3.3細目磁気的に磁気u=.r/.0。オームのような抵抗は磁気またである。RMは長さの磁気に比例して抵抗した。比例して逆効果的に断面区域にのリーダー(で=中間の長さ)及び。
磁気の特定の磁気抵抗。半導体のために磁気間で適切がある。磁気のリーダー及び。それは、Hとして温度の強い扶養家族外国原子との添加である(=ポインティングのベクトルの電磁波S=ExHの効果的に部品H)。
とりわけ磁気。ＰＭ=1は/、磁気u=1/ＰＭ==B/Hの磁気抵抗した。ドリル磁気は抵抗した1)。磁気時の"軌道時は実用的な原子の磁気何も、電子の回転の時だけに貢献しない。この時の単位は鉄磁気要素に各原子のための平均でn磁気の独特数がこれあるドリルと呼ばれる中性子回折の助けによる缶は実験的に断固としたである。このからそれらの及び飽和磁化は計算することができる。1つと受け取る要素n鉄-2、218(否定的にeの.Bのために-)コバルト-1、714は""ニッケル0、単位界強さを好む)。
結晶材料のマクロ磁気a)。整理された原子時の穀物(マクロ)は=自発的に終わる磁気を原子整理した結晶粒度、数および種類のような構造変数の透磁率の扶養家族及び外国ボディのb)無定形材料の内部張力数ある中で。原子時は直接有効である。
側従属的に当然な磁気ひずみに張力合金=結晶材料のa)のマクロ。地区(自発の回転の調節の地区(=穀物は自発の磁化とそれ間の力によって==方向(磁気を)好んだ=原子間のの単独でこつ外側の磁界の協同なしで。 (互いに平行EZ)うそ。基本的な細胞は結晶格子が開発される繰返しである。
穀物=クリスタライトの知っている地区の磁気。電子瞬間／原子／原子層／基本細胞／水晶の好まれた方向マクロ単位'。
プロセス。1.転位+2。回転。b)無定形材料(整理されたスペース格子、すなわち穀物および粒界を持っていない)。地区は外側の磁界の協同のない原子の間でから単独で掛かる。
ある順序は近い範囲にしかない。モデル。金属原子は終わり((集り)四面体の球状集り)で整理される、順序の程度及び対称はその最高のようでないし、水晶が開発できるそれおよびパッキングそう密接に。
マクロ単位それプロセス。異方性の定数がないので、ほぼ唯一の回転プロセス。
力の連結による原子の知っている地区の回転の連結の近隣の間隔は主に磁化する(結晶及び無定形材料)(同義語で。連結=関係)。
流れの量のマクロ=磁気のマクロ磁気。磁気のエネルギーは磁気によって磁気間の区域に鉄の磁気固形物の階層的な順序に従って交換相互効果のマクロによってあり、(=磁気)、磁気の形態、磁気のそれらの再度マクロ形作る広がる。
非常に磁気伝導性、よりよいの(マクロ-)磁気のマクロの磁気探傷との磁気の移動性=伝播(に従う量のマクロは原子、層／集団の単一水晶、クリスタライトのマクロの順序を...階層のほとんど)。=。磁気液体との磁気の高いマクロ(原子、原子層、エレメタルツェレ（Elemetarzelle）、単一の水晶／水晶)(ロネントランスポルト（lonentransport）を見なさい)。
磁気探傷のシステメティク（Systemetik）及び固体階層平行に従うシステム構造量はA.計画の調節をの回す。1)電子回転時=流れの量。
原子／イオン磁気。A.B?の磁気イオンIm?。 (結晶か無定形)原子／イオンの陰性の基本的な磁化=磁石(電子の原因の陰電子充満否定的な時(=.B-)=原因の陽電子充満原子価磁気1,1磁気=.B+)(肯定的な回転の時を逃す=磁気の肯定的な基本的な磁化の肯定的な時)のn知っている地区シュトルクトゥルデタイウルス（Strukturdetaiuls）からの基本的な細胞結晶質である／まとまりなく原子の層の知っている地区の6)固形物=同等の行方不明磁化／磁気。穴1,2磁気の時=原子価の磁石(m)/磁気穴(M+の)陰性や陽性は磁気間の区域に=磁気エネルギーおよび/またはある。
磁気の穴。2.2,1の陽性の磁化原子の原子の否定的な磁化原子の否定的な時=穴の原子磁石=原子の同等の行方不明の原子磁化2の肯定的な時。原子磁気(To)/原子磁気は(AM+)=原子磁気/A磁気の穴間の区域の磁気エネルギー穴があく。
2.3磁気否定的か肯定的な調子Im?2。3。.B1つの磁気陽性粘土／トーン一般に作り出された磁気は(-)(準の磁気(関係と同様、陽性(.B+)のように、すれば) ラッテルスは肯定的な磁気のようにまたする)、電子回転時からの現在しかあり。
それからの関係としてに磁気的に肯定的な粘土／トーン(Im+)がのためにIm+=磁気肯定的な粘土／トーン
成長すれば。磁気(関係)が原子に行方不明なら、それ磁気的に肯定的に成長する磁化される
2.3.それからの2磁気陰性のために粘土／トーン磁気的に粘土／トーン否定的な粘土／トーンが開発する。原子に多くが磁化されるそれを磁気のそれ否定的に開発するＰＭ界半導体をある。
2.3.4つは磁気調子と考慮する。電気調子のLEは原子中心で等しかったらニュートラルある絶対に電気でである。
理想的なm絶縁体は=磁気的に中立的に磁気調子と原子磁気的に絶対に中立、ドリル磁気賃金である。に=ゼロは=電子外装の回転の時の磁気ゼロレベル=理想的なm絶縁体ある。システムは電気システムへ論理的でない同輩、D中心のプロトンの磁気時でない、それは磁化に回転の時ほぼ何も貢献し。
磁気システムに2つのレベルがある。a)絶対に否定的か肯定的な回転の時CO、NIの絶対レベルに来る陰電子のためにそして余剰で否定的なA.Bが-、ある(逆行性時に平行一時的な平均で)。b)相対的なレベル。周囲の半導体原子(例えばCO)の陰性または陽性への比較の原子のA.B-が磁気なら。外国原子のドリルへの購入の小さいz.のFeがNmのリーダーへ余りにNIであるように)。
それらは磁気結晶格子である(電気場合基礎に組の電気結晶格子の電子の関係はある)。非常に低温のe半導体は電気絶縁体=誘電体帰宅している。
m半導体伝導性のカップリングはとチクム（tikum）140のe半導体でと同じような温度の回転の時の左右される
特別で物質的な設計によって1つは低温でこれを--伝導性非回すことができる。(温度の上昇による図は、にe半導体、磁気でように類似したなる。
従って伝導性は、可動装置(関係=原子間のmカップリング)を自由に開発する関係増加する。m半導体と=磁気は帰宅している、原子は磁気部品とそれにより一緒に握られる。
3.結晶の金属。原子順序=厳しくスペース格子の周期的な整理=スペース格子の基本的な細胞(異なった構成)の基本的な細胞の順序。近隣の回転nの有効な格子原子の交換相互効果によってつなぐ格子ポイントのmはマグネトロン無定形の金属考慮し、。=不規則に近い範囲の異なった構成で基本的な細胞=順序をしか整理しなかった。=交換相互効果の回転n衝突の有効なmによってつなぐ原子基本的な磁石が付いている角ポイントのm角原子S
の四面体かSの形態に当る各mのためのの四面体か二十面体は角原子基本的な細胞磁気およびマグネトロン4.原子の層(フェズ)を原因=S(スペース格子か集り)フェズmin.=層(s)=強磁性の初め考慮する。
注意ベイは材料を結晶質である。(異方性)順序の等方の又はリッヒトゥングソルドヌング（Richtungsordnung）のMITのより確かにの磁気。選択方向マグネトグル５ウフング（Magnetfeldgl5uhung）、等。)4.1=否定的な原子層磁化=陰性の時の一つの原子層4。2原子層磁気湖=AL.B+=陽性の時の一つの原子層
=交換シフト影響のこれはフェズ否定的なと同様に肯定的なありますのダイス=マグネティシェエネルジアイムラオム（magnetischeEnergieimRaum）洞穴ALM-同様に。ALM+-エル５オシェルン（L5ochern）を間に。
その始まりのためにこのフェロマグネティスムザプ（Ferromagnetismusab）のその6。後に及び外側層としてダイスの鉄磁化のこれの水晶及びそれでのダイスヴァイッシェンべツィルケ（WeissschenBezirke）をエルム５オグリッヒェン（erm5oglichen）。
5.不定形である)クリスタリンダイスヴァイッシェンべツィルク（KristallinWeissscherBezirk）(結晶質である又は。からフェズクリスタルク５オルネルクリスタリテ（Kristallk5ornerKristallite）(からの5ウベル（uber）のゲーエル５オッセレ（gr5ossere）の地域のレゲルム５アッシグアモルフ（regelm5assigAmorph）を存在する。直接からの洞穴フェズ6。フェストク５オルペル（Festk5orper）のnからヴァイッシェンべツィルケン（WeissschenBezirken）=(ＰＭ)2。3.4M-ハルプライテルクリスタルマグネティシェライトフ５アヒグカイト（HalbleiterkristallMagnetischeLeitf5ahigkeit）フォンは半導体のダイスの正確であるの知識のこれを磁気の代わりにを電子構造のこれのフェストク５オルペルの必要であるを磁気です。
M-ライテルティペン‐クラシフィツィールング（LeiterTypen-Klassifizierung）のまでのz.B.オーシュ材料1,06年の半導体。a) M-ライテルテンペラチュラブフ５アンギゲ（LeiterTemperaturabh5angige）M-半導体M-半導体までのですベイは温度M-ニヒトライテル（Nichtleiter）及びを形のない磁気ベイ標準温度を深い(=増加した磁気。ウンゲケールテルフンクチオニムチーフテンペラツルベライヒ（umgekehrterFunktionimTieftemperaturbereich）のライトフ５アヒグカイト（Leitf5ahigkeit）)M-半導体のMITの返される温度-ライトフ５アヒグカイト-機能ラッセンのそれ自体は用途。
反対はそうするの洞穴は半導体のありますの磁気の半導体ベイのとてもを深い温度オーシュのマグネティシェライテル（magnetischeLeiter）のもしもの人のそれを従って設計した電気(材料デザイン)!方法の電気の電子-半導体、反対方法-M-半導体。
ダイスのライトフ５アヒグカイトの磁気はMアイソレーターのエル５アスト（l5asst）のそれ自体を通って加わるフォンM-ベイ(M-半導体寄付、ベイM-ライテルレジーレン（LeiterLegieren）)又は通って5アオセレアインフル５ウッセ（aussereEinfl5usse）の硬直したz.を通っての磁気界を影響関係。
基礎材料としてのそれは起こる一つの関係のMアイソレーター、z.B。
結晶材料と考慮しなさい。確かの等方順序か(異方性)磁気との方向順序。好まれた方向(磁界のアニーリング、等。)4.1=否定的な原子の層の磁化=原子層4の否定的な時。2個原子の層の磁気の穴=AL.B+は=陰性や陽性のフェズの原子層=交換相互効果の肯定的な時=ALM-やALM+の穴間の区域の磁気エネルギーある。
6から始まる強磁性の初めのために。そして水晶の鉄の磁化は外側にとしてこうして知っている地区可能な層を作り。
5.(結晶か無定形)結晶知っている地区。規則的に無定形のクリスタライトの穀物のフェズから(より大きい範囲に成りなさい。直接フェズ6から。n知っている地区からの固形物=(ＰＭ)2。の厳密な知識が固体の電子構造の代りに磁気磁気半導体の3,4のm半導体の水晶磁気伝導性は必要である。
1.06のm半導体の例えばまた材料へのMリーダーの型分類。mリーダーの温度依存したm半導体にm半導体はa)低温のm絶縁体と帰宅してい、標準温度の自由な磁気を形作る(=磁気を高めた。逆の温度伝導率機能の伝導性の)m半導体は非常に低温範囲内の逆機能で使用することができる。
電気半導体に対して磁気半導体は非常に低温の磁気梯子にそれらがそう設計した1つ、またある(物質的な設計)!電子e半導体のように、反mの半導体のように。
伝導性の磁気。外的な影響、磁界によるz.の(、とmリーダーのアロヤゲ（alloyage）寄与するm半導体)またはによるmを強く影響を与えるために加えることによる親類のm絶縁体の葉自体の。
基材としてm絶縁体、z.Bは相対的になる。自由な管理磁気、a)かb)非常に低温のＵＴ独特の)使用のDのない自由な磁気回転の時のカップリングのない同じようにコバルトかジスプロシウム(等。)、すなわち熱供給か磁気によって磁気物。界効果は磁気磁気にまたなる(=ＵＴ独特への磁気)。
鉄磁気原子の層の回転の時結合／接続は強磁性、すなわちmマクロ量を=単独でない回転の時(=m粒子)、しかし親類のための回転の時のカップリングの余分交換相互効果もたらす。これらの鉄磁気mマクロ量はこれらにより温度Tただで磁気伝導性を引き起こすので、実際の磁気である、関係がそこになければ、磁気からおよび/または磁気的にまた存在していない。
磁気の穴(磁気をまた考慮しなさい。基本的な細胞の効果)、Nm添加のNmの添加。回転の時のカップリング、すなわち原子が付いている外国原子の取付けはm「アイソレーター」原子よりもっと持たなければ磁気回転の時ならない。各々の挿入されたm外国原子はこうして供給する(=磁気磁気的に
ＰＭ添加のＰＭ添加。取付けはの外国原子によって挿入される外国原子行方不明すなわち磁気を("肯定的に"磁気"穴"=磁気の穴)作り出す、余分が付いている完全なカップリングのために外国原子および準のＰＭ関係に行方不明がありなさいので。
これは磁気穴または欠陥のマグネトロン呼ばれる。M穴はm外国原子の供給に自由な、肯定的に磁化された欠陥のマグネトロン(磁気穴)こうして帰宅している。磁気"絶縁体"は磁気になる磁気半導体で同じm半導体の水晶のＰＭ一流の地帯と地帯間のフロンティアは呼ばれる。
ＰＭ区域の外側の磁気張力なしに非常に多くの磁気穴(o)は非常に少数に、ある、非常に多くのに磁気は非常に少数にある。磁気磁気(流れの量=磁化のキャリア)に続く濃度勾配は別の各場合で区域(磁気不明瞭なイオン電流／流れ)を拡散させる。
それ自身を磁気的に否定的に磁化する磁気穴の損失によって、磁気結合／接続の損失によってNm区域はそれ自身を磁気的に肯定的に磁化する。
従って磁気張力は磁気(結合／接続-)キャリア移動が(=磁気ハイキング)働くNm区域の間で(作り付けの電圧)形作る。
磁気穴(=磁気の穴)および磁気カップリングの和解は(=磁気)それにより停止する。結果。1つに移動式カップリング(キャリア)でなるそれらの困窮した、磁気的に悪く一流の地帯に成長するまたはそれ強い磁界のバリヤー層は、勝つ。
張力(図142)(1)。磁気スペース磁化の地帯への(n)磁気否定的な棒(s)への及び磁気肯定的なターミナル。従って小さい残りまでの磁気現在の流れはキャリアからである当然ある。磁気肯定的なターミナル(n)への及び磁気。
否定的な棒(s)はバリヤー層を減少する。それを氾濫させれば大きい磁気電流／流れ道の方向に流れる。
M-デュルフブルフスパヌング（Durchbruchsspannung）。磁気締切り現在の急な上昇小さい磁気スパヌングセルホエフング（spannungserhoehung）抗力が高い方向の磁気張力、(-流れの原因。
原因。その高いm界の強さのまたは内部電子の関係からの他の磁気を打つの影響のための結晶格子からのエキス縛られた磁気は加速された磁気の殻から取り出す(なだれ余りに磁気穴は成長する(=導く(磁気的に2.3.原子構造は結晶格子m半導体を形作る。2つのm半導体-原子はnの共通の組の回転の時を過す(=磁気は形作りt-?Tcとの6から(水晶と)始める回転の時の力の連結によって満足することがなくなった。
各原子のためのnのドリル磁気数=従って一時的な1平行及び-1の63d-電気、逆行性に効果的にとして、218の残物整理される9の各Fe原子のためのFe外側に、A.B-=-外へ向かう効果的に各原子のための1、(否定的にeの.Bのために-)NI=-回転の時の外側の効果的に各原子ののための0、"?の電子回転時の関係それ
それは大部分はどれもの一時的な平均でコバルトの回転の時と例えば)、近隣原子の磁気とのそれら磁気持っていない。磁気少しの関係は電子貝のこの大きい部分が原子で既に満ちているので受け取られる(カップリング。
すなわち外側に磁気効果的であるによって磁気A.B-はそれによって(有効なドリル磁気を見なさい)、自発の磁化カップリングを形作り、作り出すことができる。
ウンゲコッペルト（ungekoppelt）は温度、それにである常磁ある。一直線に並んだ入熱(h界)の磁気の整理された缶によって(分極される)そして結果とつながれるべきT-?Tcとのそれは、今水晶の外側に整理された有効な磁気、つながれて満足することがなくなった、の材料の磁気の整理された凝集性の付加は)近隣原子の時、原因をその"法廷"磁気。これ分極-、階層の結合／接続はとでm原子価バンドウンゲコッペルトの磁気、上敷の上昇のそれらのクリスタライト)、ないm伝導バンド=伝導バンドに加えられる=、加えられる遠い界のオーバーレイされつながれて、また対応する
温度の沈むか、またはb)すなわちm伝導バンドが付いているm-ライトゥングスベライヒ（Leitungsbereich）の温度の上昇からの磁気伝導バンド結果の上昇はへのa)温度依存している。
原子が残りの外へ向かう有効な磁気時を過せば、それから電気で負電荷を帯びた磁気的に否定的なイオンのようにと同じような陰性磁気的にである(=-。
1磁気は時(欠乏)を逃す磁気的に肯定的なイオンを=行方不明の有効な磁気にまたは述べられる磁気の穴の類似した意味する。彼らは同じが磁気によって磁気交換相互効果に加える磁気2.磁気伝導性として(高い透磁率)3.6はm半導体とのある肯定的な磁気探傷のような否定的な磁気の湖でし。この温度の下のそれらは可動装置自由にである、すなわちこうして伝導バンド形作るために分極されるNah-及び遠い界でそして交換相互効果によって広がることができ、アディエレン（addieren）2)、(自発的に)平行場所自身にそして一致して、すなわち整理されるつないだ及び覆い。
1)。伝導バンドの電気場合の電子=荷電粒子=。2)。一貫性。1つがヴェレナ（Wellena）を、しっかりした段階関係があるb)覆えば、広さは極性の記号a)の凝集性の上敷と一致して関連している彼ら自身を加える(A1+A2)2-一時的な一貫性。一貫性の時間、一貫性長さの磁気円は与えられ、流れによって直角これらは界の断面A散在していたり、そして磁気起こる。変化のラインの部分はAの外で動くこと特にそれを散在させることが加えられる時。それに起因する漏出変化はそれを減らし、のために程度や円係数(図143)をばらまくことを適用する。
-+ある特定の流れを通って/m張力の飽和カーブを、せん断する。次の1つで考慮しなさい。a)現在の磁気の技術的な方向は磁気によってがのm流れるフィシクリ（Physikli）の行動から流れのm流れる
ラインプロシージャ=磁気のM+流れ。m半導体やmリーダーのエネルギー1は磁気を置いた。張力はそれにより磁気(自発的に)否定的な棒からの肯定的な棒の機能付加が付いている肯定的な棒に分極された否定的なmを(物理的な方向と)界浮かべる、現在の逆の流れの技術的な方向の間
磁化(=カップリング力によってそれのための凝集性の付加自体(必要ならば外の磁気の影響によって。界の)平行場所。
自発の磁化すべてと外側の磁界の効果のない知っている地区で平行がありなさい。
外部界=カップリング界=原子時のE。磁気的に機能影響磁気。完全の表面の盾b界のが付いている表面の電気場合でように、しか)。n棒の範囲の(=+)否定的な磁気はMである--に従って(強磁性体学の中の流れを見なさい)及び機能付加的な界が効果的に強さ置く余分(また見なさい。a)ＦＭの反発する界の地帯のＰＭの中立地帯および/またはb)。
北極のNeによる時は(北極の範囲の内で押されるそれら)、時それに応じてあるきつく締まり、界およびローカルに肯定的なターミナルの方の自体(=否定的な磁気の磁気)とすぐ(その転位のねじれの磁気のために。外部界によって)双極子(原子地区の分極)を広げる(否定的な磁化の陰性は点のの機能時彼ら自身を1個の原子加える(それの内で機能Nah-及び磁気.の否定的な磁気ののすなわちエネルギーはおよび/または磁気エネルギーギャップ、磁気穴を残し、すなわち磁化(=磁気はまた=m半導体の他の場所の(量の時)の磁気の付加どれもn終りに機能磁気を広げなかったりおよび/または別の方法でからのからの磁気の原子結束からm半導体を成長する送り。
m穴は磁気に同様に貢献する。近隣の関係のマグネトロンのマウスは交換相互効果によってそのようなマグネトロンの穴(ビンドゥングシウエケ（Bindungsiuecke))
を精力的に満たすことができる。の前の(マグネトロン)あった場所では、再度マグネトロンの穴は成長する。磁気。エネルギー(磁気)は磁気間の区域、このプロシージャの繰り返し自体で絶えず取付けられる。m穴移動(南極への北極(N=+)へのの全身(m半導体の水晶)による広がり。
カップリング力によりその平行場所を自身電子弾道(電子軌道関数)のラップ及び電子の準交換によって影響によって近隣原子や調子の下で引き起こす。
35.ウルザッヒェディアマグネティスムス（Ursachediamagnetismus）。最終的な電子は強磁性を殻から取り出す。内部電子は殻から取り出す。小さい内部電子貝、非常に。内部電子貝、磁気のためのスピネル構造の結果は磁化で=磁気電気電子穴でおよび/または(M+NS)、同様に否定的な磁気(エネルギー量子)同様に必要とされる。
磁気=伝播及び付加の磁気。時=方向肯定的な棒基礎。否定的な瞬間.Bと-否定的な素電荷から来るので。s棒の範囲内のマグネトロンの穴の欠陥のマグネトロンは)肯定的な磁気中の強磁性体学)および機能機能的に付加的な有効な磁気である。。N=+と部品はSによって=-きつく締められ、界東洋／分極に時のSNやLVそれに応じてであるM+を離れて押される。
エレメタル（Elemetar）肯定的な充満や行方不明の素電荷(電子穴の回転の時の穴)から来るので肯定的な時の穴の磁石。
磁気2磁気マクロ「小片」(.Bに磁気m及び磁気の穴M+が、.B+)=磁気各場合の量の磁気こうしてある。
既に固まりによって。占める)磁気に置かれるによって。肯定的な棒のMは肯定的な棒(n)にボディの否定的な棒(s)に張力(n)を広げた。
磁気及び磁気の自由な穴は組にしか起こることができなかったりそして磁気の密度に適用し、時からの流れの磁気総価値のために1つの合計が形作られると同時に、に電気と同様に電子場合でように類似した缶詰にしなさい。電子正孔電流。磁気で磁気から成っている。磁気/Mロエヘム（Loechem）間の区域のD。
2.磁気物は1つ純粋な鉄磁気の溶解を(=純粋なディマグネティクムや純粋なm絶縁体無し、のでm絶縁体間の標準温度の伝導性のm半導体及びmリーダー)余りに完全に小さい鉄磁気外交問題の部分(寄与しなさい)、それから磁気強く上がる(流れの量)加える
基礎。z.a)低温のm絶縁体のCO、かb)Dy.。および/または1つは1を透磁率放棄する、普遍的な機能に関連して続く。
Nmのリーダーの例。8-ヴェルティゲム（wertigem）のNIとのM-クリスタルの基礎
7-ヴェルティゲス（wertiges）COは磁気の高位と=外国原子磁気的に(COのレベルに関して)寄与する。+1つのNI電子=NI磁気=NIマグネトロン。
充満、磁気の磁気の印が付いている磁気探傷。同じ印との界量子。各マグネトン／マグネトロンは=棒、S=棒の)回転の時持っている。
時(及び基本的な細胞(スペース格子／四面体／二十面体)と)ドリルの一時的な平均Xの平行そしてyで逆行性に整理される電子の数そして相違を3d-シャレ量の磁気の相違考慮しなさい。従ってCOの1,714NI0、604=+1の11、幾分電子数相違、すなわちまた+1、磁気より多く。
Tbラザノイデの鉄の列Gdからまた添加する、Dy、Hoのそれ、z.B。HoとDy4f105d06s24f115d06s2+1つのHo電子=+2彼電子。
それぞれは次の受け取られた磁気関係であることができない内部電子貝の磁気(回転の時の電子)に沿って磁気的に高位(COで寄与されるNI)と基礎の水晶の残りであるので持って来る。
寄付原子はm半導体の水晶(例えばCO)にm関係を持って来る、すなわち否定的な磁気は関係である。
(=陰性の否定的な回転の時は原子から粒子として分かれている、シュピンリッヒツング（spinrichtung)で一直線に並ばれるようになる小さい入熱(h界)によってそれらの広がり関係の方向の磁気機能の缶が加えるように、=(分極される)ことができなくが。磁気は原子でそれらがe伝導バンド(粒子の輸送"上の原子を変えることができる外ボールでと同じように任意内部ボールにあるので、固定される(。磁気と存在している、m半導体のすなわち原則は整理された磁気の輸送に基づいている
この場合主に否定的な磁気のフェトデネルジー（Fetdenergie）の輸送に磁気ライン基づかせている(=電子の輸送の及びない原子で固定したD=電子の否定的な回転の時の量。m半導体は従って磁気的に肯定的なNIイオン=mNIイオン+陰性の形態になる。=限界磁気の固形物のまた広がりの磁気。
磁化のキャリア=電子の否定的な回転の時の量としてNm界のリーダー(ライン磁気)。磁気の関係そして分極による磁化。
リーダーの例。6-ヴェルティゲムのFeとの7-ヴェルティゲは寄与する。さらに、m半導体の水晶としてその磁気的に7-ヴェルティゲコバルトは6-ヴェルティゲムの外国原子に恵んでいることができる例えば。Fe3dのマグネトロンとCO3d74s2は3d-シャレ／軌道の一時的な平均Xの平行そしてyで逆行性に整理される電子の数そして相違を考慮する。
ドリル磁気の相違は714に+Fe2.218=-0.504、すなわちオーシュ0、磁気なる(界-量子)。またはTbとまたDy4f105d06s24f=-1Tb電子マグネトロンかそれらはより大きい磁気となる。優先順位の相違は寄与する。4f=-3のGdの電子相違とDy4f105d06s2と5d=+1=-2つのDy電子=-2磁気磁気。
完全な磁気的に肯定的な関係(回転の時の電子)のため。寄付原子は1つを持って来る(例えば、すなわち肯定的な磁気はあるマグネトンの肯定的な界エネルギーは磁気的に肯定的な穴を形作る。それからの磁気的に否定的の粘土／トーン=6-ヴェルティゲン（wertigen）外国原子呼出し1に恵まれている7-ヴェルティゲンコバルトの水晶になる
既に小さい整理された入熱(h界)によって、このローカルは精力的に連結による近隣原子の磁石によって磁気で満たすことができる。
磁界ラインは磁気に基づいて陽性の伝播に主にこうして基づかせていて従って肯定的な磁気が(=陽電子はe+、または肯定的な磁気探傷のようにするeの逃す回転の時の時を回す-、)、1つ穴があくの話す
磁化のキャリアとしてＰＭ界リーダーの陽性=。Nm界のリーダーによってが寄与に起因した結果ＰＭＰＭ及びための外へ向かう磁気的に中立は更に残る。
寄与されたm半導体の磁界の伝導性は磁気として彼等ののＰＭ界リーダーで外国原子すべてが結合／接続によってNm界のリーダーとの余剰を精力的に伝えた、および/またはマグネトロンの穴そう長ただ増加するまで。界エネルギーは精力的にとた。
磁気は否定的な関係、磁気の穴である肯定的な関係のギャップである。
2.3.81つはＰＭ界リーダーを持って来、一緒のNm界のリーダーは接触(図のポイントで、成長する例CO=外国原子NIかFeと添加するm半導体。
Nm界のリーダー。CO+NI8-ヴェルティッヒ（wertig）は寄与する。'磁気=磁化のキャリアのＰＭ界リーダー。COは置かれた磁気なしで7-ヴェルティッヒ+Nm界のリーダーＰＭにからのボーダーで=磁化のキャリア寄与されるFe6-ヴェルティッヒ突き通る。
そこに磁気の穴(界の穴)を持つＰＭ界リーダーにNm界のリーダーの磁気によって張力0をしか(再会させなさい)組み変えなければ。ＰＭ界リーダーの回されたm穴はNm界のリーダーに拡散し、自由な磁気と彼ら自身をそこに接続する
両側自由でm半導体の水晶(例えばCO)に困窮するようになるボーダー。境界層は磁気として働く。m障壁が層にする形態及び絶縁体(図146)。
m障壁の層(永久的な磁石の北極の南極の転移の同じように中立地帯)m半導体ので成長する。但しライン磁気及びm穴が境界層で行方不明帰宅していれば、ローカル結合の練習の磁化は彼等のフィートをm-ロネン（lonen）。それは陽性磁気的にである(イオンはそれと磁気的に否定的に磁化する(イオン
これらは電気磁化の地帯の間隔をあける(それ以上の磁気広がったイオンは終わる。磁気は否定的なＰＭ境界層拡散のm穴および磁気を肯定的なNmの境界層突き通された磁気撤回する。およそそれの磁化。1つは、に境界層の原因1の磁気を厚くする。外の磁気の作成によるへの作り付けの電圧。点検の方向または磁気のための道の方向の張力缶。作動するべき流れ(流れの量)(図147)。
仕事磁気としてその。コンデンサー。バリヤー層は1つの磁気を所有している。キャパシタンス容量cm(障壁)。磁気コンデンサー。界強さは、容量の上昇、である考慮されるべき界のそれら沈む。エネルギーギャップE=0の発明の平衡。
2.3.9磁気進歩2.3。点検の方向のへの9.1磁気類似それは進歩に来ることができる。より大きい磁気のため。転移磁気の中の界強さは磁気からなる。
磁気の終わる制限区域。伝導バンドは強く寄与された磁気とのこの効果のステップを引っ張った。ダイオードは磁気逆電圧使用のそこの少数のアンペアの缶持ち上げ。(図148)。
2.3.9。2このメカニズムが進歩に導くＰＭNmの変動する磁気なだれ乗法。マグネトロンはより大きい磁気と動く。格子との衝突のエネルギーの一部分を伝え、新しく自由な"磁気""磁気湖"の組を作り出すことができるほど界強さ速く。これらの磁化のキャリアは同じように加速され、新しい部分のために知ることは作成するために磁石の現在の流れがなだれのように増加するように自由に組み合わせる(図149)。
4.(磁石の半導体4.ＰＭNmの転移がmダイオード、2に導くMタイプはmトランジスター、mサイリスタへの3つのおよびより多くの転移をもたらす。
mダイオードの機能。_m水晶ダイオード導、1分極それ、及び彼女閉め磁気電流／流れ、彼女あ反対分極。
Mトランジスター。Mトランジスターは活動的な増強帰宅しているまたは調節可能なm半導体の部品、1つの缶それらおよびmトランジスターM-FETは分かれる。
Mサイリスタ。Mサイリスタ(一般的な言葉)は順次4の磁気的に調節可能な要素、である。mサイリスタはmダイオードのようにm-ガテストロム（Gatestrom）が流れるとすぐ、働く。
誘発される磁気信号によってそれらはロッカースイッチのように働く水晶ものの不純物集中のそれぞれプロセスによる特定の行動の4,2のmダイオードのm半導体の部品は定まる(図150)。
従ってそれであることが上昇温度と強く増加するより小さいM整流器のダイオード影響ように抗力が高い方向の磁気の改正のための適した要素場合もある約107倍であり。
高いm張力高い磁気逆電圧1つのためのM電気整流器は少なくとも低い磁気伝導性が持っているように要求する(道の方向のそしてこうして強い暖房への高い磁気抵抗)。
高い磁気逆電圧へ非常に寄与されたＰＭＰＭおよび結果の間で非常に弱く寄与された地帯のつけることから、しかし磁気低い磁気を持っている
できれば低い磁気インピーダンス(磁気の明白なインピーダンス=m-アインツェルヴィデルステーンデ（Einzelwiderstaende）のベクトル和)のそして逆の急速な切換えのために。切換えの時間は磁気及びm穴の組み変えを支持する材料による付加的な広がったイオンによって短くされる。
ある磁気張力から磁気張力逆方向を高めることの場合には磁気なだれの故障のための磁気が起こる設計されているこの範囲で作動するMダイオードの磁気クリスタル・ダイオードは、連続的のためになる。
磁気は磁気コンデンサーのような仕事に地帯をスペース満たす。ディマグネティクムは磁化straegern"entbloesste"magnetiの半導体材料である。磁気に置かれるの増加。広げ、m障壁の層をさせるm容量をより小さく引張りなさい、磁気m容量。
1つが使用するM水晶のダイオード。に磁気逆電圧のために適切がある。事件1の磁気流れはm関係から磁気に引く。それからその上に磁気を放せば増加磁気締切り電流／流れ磁気流れの考えに比例して生じる。
従って単位のために表面を垂直にそこにいつも実行するmダイオード(図150)の1)強度の磁界エネルギーに、達成P及び表面からの商。
容積VVの転移の近さの達成の磁気放出で磁気m穴との磁気を組み変え、EEC一桁のエネルギーをそれにより伝えなさい。
このエネルギー。エネルギーによって送られる用紙。これはMEDのアプローチが広げられる-これの制限区域のEECの波長AG依存する白黒m界を送ることを意味する。
放出は強度と起こる3)特別に。4,3のmトランジスターは3,1の操作上の主義のmトランジスター(能動態)磁気半導体の部品を増強している。
それはa)両極に分かれた(磁気+磁気は及び磁気+及びb)(磁気+磁気の磁界のトランジスター穴があく。
Mトランジスター種類(図151)、mトランジスター(図152)の構造および特徴はM-IGTB両極及び無極性のmトランジスターの組合せである。
M補強の張力、達成)m回路(トランジスターそしてトランジスターＦＭ(のＦＭ=2ＰＭ間のトランジスター効果)2は磁気トランジスター効果に密接に導き、m要素に磁気スイッチが働くと同時に磁気信号はまたは増強する。
両極M-BT及びM-FETの磁気current/riversのFKMの缶、reinforcement/circuitおよび磁気的に寄与された境界層(ＦＭの基礎)(ＰＭNm-、ＰＭNmＰＭ-の張力、磁気流れのキャリア(磁気=磁気の注入によって閉鎖した物のNmＰＭNmでを通したカップリングまた使用されるべき操作上の主義の弾力性。回転の時は)作る磁気的に伝導性に寄与する(伝導性の透磁率、バリヤー層によって磁気のDiffussion。
1つでは閉鎖したのの区域に磁気拡散によってここから薄いＦＭの基礎層に磁気エミッターから磁気が着く、あり、磁気によってそこになる。
M障壁の層は魅力、かb)回転、拒絶の制御それのための磁気基礎である。ＰＭの磁界は磁気的に定数(従ってまたここに初期状態に沿う及び磁気の整数倍への量一時的にであるアンプより小さい磁気としてMトランジスターによりmトランジスター磁気との大きいの引き起こす。1つはこれを呼ぶmトランジスターは磁気ブスターおよび達成のアンプ(Vp)としてまた作動させることができる。
2転換の状態にスイッチとしてmトランジスターとしてmトランジスターがある。それらはHa2及び.maxでで="")働くか、または閉められていた非伝導性=磁気的に透明物(.r=1)ポイントAi(B5=HamaxのBmax)である、(仕事の直線のポイントa2で=飽和初め始まるHa3のB3に=Haoが付いている規制を超えた範囲Bo考慮しなさい。磁気の鉄磁気の文書。界。Mスイッチ磁気。切換えの状態=ＦＭの制動機の段階(図81)。
4.3.2つの両極mトランジスター4。3。2.1つの概観の操作上の主義は互いの上にある3からmトランジスター成っている
mコレクターによって再度きつく締められる、キャリアとして磁気に外側の両方mエミッター及びmエミッターを送る中間の地帯=m基礎(b)。m基礎エミッター間隔は方向によって磁界のm基礎コレクター間隔にm-Transistorbetriebで分極される。
磁気雄牛で肯定的な磁気はx主題に量のmエミッターからの否定的な磁気に穴をあける影響は磁気道の方向で公然とNmＰＭNmのトランジスターのためにmエミッター基礎転移(M-EB)分極される。従って磁気は基礎層(図に注入される
m基礎コレクター転移(M-BC)は抗力が高い方向で分極される。従って磁気は強い磁界と地帯を形作られるスペース満たす。顕著な磁気(=、2非常に近いうそは一緒に起こる(でそれからM-EBと注入される磁気はmコレクターにm基礎によって拡散する。それらがM-BCの磁界の範囲に入って来るとすぐ、中にm-m-Kollektorstromとして更に流れるために加速され。m基礎の濃度勾配は既存にmエミッターからのmコレクターにそれ以上のための原因こうしてそして付随して残る。少数の行方不明の磁気への磁気そしてへのmエミッターの出て行く磁気移動の99%及びより多くのすべてそこに現在の意志の人出にMP-ENDOWEDのm基礎によってさまようときである。何も別の1つ起こらなければ、それらはm基礎を否定的に磁化し、それ以上の磁気によって防がれる全然あった。この否定的な磁化がmトランジスターによって全くまたは部分的に償う陽性からより小さい。
磁気こうして原因の大きい変更の小さい変更NmＰＭNmのトランジスターは両極増強の磁気半導体の部品である。必要な唯一に小さい磁気達成である磁気。
mトランジスターは磁気としてなる。使用としてアンプまたは。それはそれらが接したを離れて流れるべきなら、基礎の水晶の等方性または異方性である(例えばCOとよい伝導性は六角形の車軸、悪い状態にそれに垂直にある)。基礎はyのM-BTと等方性である場合もある従って-、透磁率は類似している)、ＰＭＰＭbzw。
Nmの層考慮することは磁気のためにそうなったものである。界を好む水晶-異方性は異方性のc)によって張力引き起こされた異方性d)磁気を引き起こす。基礎の形態の異方性それはまた異方性電気である
両極mトランジスターに恵まれているそれらは磁気強幾分より少しである。非常に基礎層を(少数、厚く)唯一の小さい数含んでいるm外国原子を薄くしなさい、適用のM-BTの好まれた方向は最も高く、コレクターにエミッターの添加最も低く。これらの条件により機能メカニズム(正常な作動の方向)のための好まれた方向をまた引き起こす。反対方向(反対操作)で磁気特徴は両極mトランジスターが分けられる適用にはっきりより悪く左右されている。-m-Verstaerkertransistoren-磁気に従って作動条件のm-m-Schalttransistoren。2磁気およびものの極性はm両極トランジスター、テーブルの塗布の普通mアンプ-?0の4つの作動条件の間で積極的に区別するか。0閉められていたスイッチは最大限に活用されるの好まれた方向に対して("から")スイッチを("")mトランジスター打ち消す。構造は作動した。成長の磁気はそれから大幅により悪い。飽和地域とまた呼ばれる範囲。磁気は磁気によってこれ以上ことができなくない。
操縦される。すべてと磁気のまわりで回ることはある。磁気増幅定数のためB=ヘクタル=外部B=.0(Ha+M)M=磁化M=B/.0のヘクタル(excitation/AuＦ磁化は、ヘクタル考慮する).r、.a=透磁率の広さのmFeldeffektトランジスター(M-FE4.3。このタイプとの1つの概観の操作上の主義は磁気Steuermagnetrodeに適用される磁気張力に起因する磁気的に一流チャネルで本質的に操縦される、!へのmの対照は種類の磁石のキャリアをmトランジスター使をしか(穴の磁気か磁気)bibolaren、従ってまた指定a)b)のm絶縁の層Feldeffektトランジスター(M-IFET)で影響を与える(M-SFET)(タイプのNmチャネル説明する)(NmMOSのために異なる。Nm一流の水晶の端に図155)年はMDCの電圧のために適切である。
m-SOURCEからの磁気の流れはへのm流出する。チャネルの幅は2とそしてこれにある近く否定的なm張力横に定められる。1つが否定的なmゲート張力を高めれば、中チャネルに多くはそれらを拡大する磁石の流れ(流れ)のゆとりを結び。SteuermagnetrodeGの磁気張力はm-SOURCESの間でこうして操縦し、Dをm流出させる。
M-SFETの極性の磁石のキャリアだけの機能に必要がありなさい(磁気または磁気の穴)。の制御バリヤー層M-SFETは要素こうしてである。
m界効果トランジスター(説明の影響の絶縁層のための(ＰＭMOS。図156)年=。。磁気金属磁気酸化物の半導体。ベム。電子とまた、M-MOSの磁気酸化物のコーティングがある
m-SOURCEの磁気張力なしで磁気電流／流れをm流出させなければ。mＰＭNm転移は閉まる。これらのの下のNm区域でMagnetrodeはmゲートの磁気的に否定的な張力によって磁気転置され、磁気はまた表面に常に利用できるである引っ張られるLoecher死ぬ。
表面の下の狭いＰＭ一流の層は常に成長する。ＰＭチャネル。2つの区域間(m-SOURCEは磁気的に今流れ。それは磁気の穴からしか成っていない。
磁気ゲートの張力が磁気的に隔離の酸化物のコーティングに働くので、制御回路で磁気的に流れない。制御は起こる。
それは要素である。結果はチャネルに横断磁界を源の下水管の間隔の磁気抵抗操縦する。磁気ゲートの源の張力は実用的に操縦する
磁気ゲートの源の張力ゼロの間に磁気ゼロの閉鎖のM-FETのの間の磁気流れは既ににある。
産業別労働組合。磁気隔離されたゲートは=層FETをm絶縁するゲートを隔離した。磁気。ゲートの分離は磁気ゲートの張力の高さそして極性の独立している非常に高い磁気入力インピーダンスに達する。
磁気的に伝導性チャネルがmゲートSOURCE張力なしでとあれば、1つは磁気の導くM-FETを話す。
自己閉塞M-FETは磁気ゲートの張力のない磁気的に伝導性チャネルをまだ所有していない。これは適した分極磁気ゲートの源の張力である1つにしか起因しない。閉まっている。ありなさいNmMOSのトランジスターまだある、(CmMOS。図157)年及びBCDMischprozess(Bipolar/CmMOS/DmMOS)のDmMOS。
構造の(図160、1。(また図158、ＰＭやNmの缶下記のものの。a)源の源=nn極性またはb)下水管の下水管=作動させるため。
結果。そして拒絶が=他の極性のチャネルの一流のゲート必ずしもなければ回路のauf"leitendの間のチャネルのない流れ"|平衡、。==源または下水管の間隔2の同じ名前のすなわち極性。(また図160、NmやＰＭの缶下記のものの。a)源の源のnn極性かb)下水管の下水管=ss極性作動するべき。
そして拒絶が=他の極性のチャネルの一流のゲート必ずしもなければチャネルの流れ。+OG-源または下水管の間隔4.3の同じ名前の極性のOG=すなわち。4.4達成磁気なしの2.31つのインパルス制御及びm建物サービスの達成磁気自体。
M半導体の部品は次のとおりである。Mダイオード、mサイリスタ、mGTOサイリスタ、mトライアック、M-IGTB。
4.連続的な3つは磁気サイリスタの効果と磁気要素をもたらす。従ってMサイリスタはＰＭＰＭundNmが代理を区分するという、4つの順次m半導体の地域を含んでいる例えば1枚のCO-CO-ODERDyディスクが付いている磁気的に調節可能な要素帰宅している、。(図163)。
m陽極は金属ハウジングによって接続される磁気的に導くこと帰宅している。こうして企業の缶の磁気。張力へのm-Thyristorgehaeuseの残りに対して。
mロッカーのような磁気信号mサイリスタによって転換する。Benennnung"磁気サイリスタ"は1によって転換することができる磁気要素によってすべての種類のために一般的な言葉として使用される、(または逆で)。
Mサイリスタは分けることができる。外のＰＭ層外のNmの層とそれはm-Katodeおよび内部ＰＭ層ゲート帰宅している。
中心にあるm障壁の層が減少するほどその機能モード内部ＰＭ界リーダー(a)図164強く。残ったの左右されている。方向磁気。
どちらかのm陽極とm-Katodeの間でまたは抗力が高い方向で及びm水晶のダイオード(b)図164のＰＭNmの転移のような仕事そして転換した。
mサイリスタはmダイオードのように、とすぐ磁気働く。必要の磁気を発火させる為のそれら及び。
同じ範囲(図164のゲートの張力のために適切がありなさいmサイリスタと有効な内部3のm障壁の層は帰宅している。mの陽極とm-Katode1のうその磁気間。張力は、それから1つ点検の方向のこれらのm層の少なくとも分極される。方向磁気。
1つは点検の方向にmサイリスタで点検の方向へのＰＭnmの転移しか分極されない張力を、m障壁の層の方向、転換する、呼ばれる逆方向と呼ぶ。
1つはm電気整流器またはB.として使用mサイリスタをように知っている4,2mGTOサイリスタはなる。削除はしかしとある(disconnectiblemサイリスタ。可能なゲートに。そして磁気極性の変更と演説する削除のための発火に。
4.4.1つはm層のm-Fuenfschichtdiodeの数の後のm制御港のない3mサイリスタを呼ぶ。 (mダイアック)。=層の例えばコバルトのパネル(かDyは)M-PNP(図165)を含んでいる。mバイアス減少の潜在性の超過とmダイアックは極性磁気.の導くことの独自になる。閉まる電圧m切のの下で落ちた場合m-m-Vierschichtdiodeにm-SchichtenfolgeＰＭNmＰＭNmがある。
磁気の導くことはmサイリスタによって同じように同様に発火するmバイアス減少の潜在性によってそれになる。
1つは脈拍のように機能がmoldersか、または磁気スイッチが変調器の守備につくと同時に)例えばm-m-Vierschichtdioden使用する。
そののM-Fuenfschichtdiodeは磁気にm活発化の電圧に達することを用いるスイッチで入るm張力の方向の独立したm-Schichtenfolge一流の条件である。
m脈打った電圧のそしてこうしてmサイリスタ及び使用を発火させる為の結果の生産。この目的のために1つはかかわっているm要素のゲートの前にそれを転換する。
4.4.4(mトライアック。ステアリング1のために三極管そして交互になることは1両方のmサイリスタの流れの構造一緒に後方に、例えば閉鎖及びNmのゲートの(移動図を166a)サイリスタ使用できる(図166a)は、それから1をm半導体の部品、柔らかい行動持っているが、Steuermagnetrodeただ受け取る(図166b及び166は必要とした。
磁気に現在flusskreisのm負荷に、と近隣スイッチ1のように機能する独自に分極されるm張力の方向の2mサイリスタのSteuermagnetrode間の脈拍、一流の条件。2つの方向adjustably(二方向の)m-Thyristortriode呼出しは高い磁気のために1つの使用mトライアックなる。張力及び使用。それは接触器のために(例えばでm調光器)そしてとして制御メンバーとして使用することができる。
4.4.5つは(磁気ゲートの両極トランジスター)磁気（magnetronische）スイッチとして達成磁気で使用される磁気の半導体の部品である。M-IGTBはM-FET制御)および両極mトランジスター(磁気の相当な利点をのためのよい道の行動結合する。
それは要素それのための理想FKM(高性能、強い磁気スイッチ}こうしてである。
dfesM-IGBTの構造が達成mのそれに類似しているとこと、(z.Bを構成しなさい。
それはM-IGBTのあることが形作るそれの下で異なる(図
m界効果とトランジスターは共通コレクターが付いている多くの平行転換された要素からの両極mトランジスターを操縦する。それは3つの1結論を有する。m要素のm制御はゲートのエミッターの間隔のGEによってなされる。コレクターのエミッターの間隔のセリウム。
切換えの態度は肯定的な磁気の作成によって制御起こる。ゲートへの張力。コレクターのエミッターの間隔は磁気の超過としか転換しない。ゲートのエミッターのair-lockの張力。磁気のCe間隔の一流の条件は範囲の磁気内のM-IGBT帰宅している。飽和、すなわち、磁気。コレクターのエミッターの張力は磁気で沈む。M-IGBTのOcEsatの結果にそして特徴に両極mトランジスターのように小さい磁気がある。
対等な小さいの反対の磁気。
M-FETのための言い分がほぼあるように必要ならば不足分(z.Bのm-Freilaufdiodenbeschaltungは限られるただ逆方向にある。
Mフレッドダイオードは=開発される。
雇用は高い磁気のための磁気でなる。
逆電圧は割り当て、高い磁気をすることができる。
それら磁気の300キロヘルツまでの缶。休み無しのスイッチパワー・パック及び(作動するべき支払能力がある状態の例えばm-Feldmodulator。
製造されるためにm配列すると同様、mモジュール(建物グループ)として分離したm分離した部品として、(整理)知りなさい。
4.結果/Ausblick4.5。1e半導体要素(eダイオード、eトランジスター、eサイリスタ)はまた磁気及びphenomenologically移動可能対応している、ここにカップリングのキャリアは回転の時に、範囲で電気で自発の分極を引き起こす水晶にない基づいているが。
ようにまたこれらの鉄電気要素は訓練することができる。重大がある。電子は、流れない(磁気との磁気の代りの流れが付いている水晶の基礎のoberflaechenladungenすなわち。界強さは電気電界強さEとのある。
しかし超伝導体の上の半導体は電気システムおよび使用された"たる製造人Paare"als"gebundene"Leitungselektronenである。
"Paare"in寄与されか、または組み立てられ、との1からのたる製造人を逃すことによるこのpassenden"Cooperの穴Paare"entstehenのためのそれらは超伝導体の半導体の要素として順序でそしてようにまた設計されているべきSMFeldmodulatorこうして(SM-BT及びSM-FET)、使用することができる。
原子に=組の電子または余りに少し=電子組余りにが大いになければならない
これから組をdie"gebundenen"Leitungselektronen組のm上半導体の穴は成長する。
producible電気電子超伝導体がまたあり、電気上の半導体は(タイプのSE)、m界の代りのD界とのそれら上磁気を働かせる
4.6.磁気または電界回路、z.のコンピュータ・チップの半導体の要素よりそれ以上の適用磁気は磁気及び電界M/Eの半導体電子流れ(伝導性のストリップのeのTriften)の代りに界電流／流れ及び段階/Gruppengeschindigkeitの信号の伝播と及び(伝導性のストリップの電子輸送による行方不明の暖房のために)、製造され、使用されるためにまた知っている。
また上分野の半導体は磁気または電界回路で要素として使用することができる。
5.5.1。M-BTインラインFeldmodulator5.1。1M-BT=磁気的に両極トランジスター
増強するまたはスイッチ素子の両極=磁化のキャリア2つ。磁気Nm及びm穴ＰＭ。
別の伝導性の3つの地帯は区分する。エミッターEの添加の最高は=高く小さい会社の基礎Bの添加の数=添加している会社のコレクターCの数min.=会社の低い数磁気を調節する。EやCの伝導性により機能メカニズム(正常な作動の方向)のための好まれた方向をまた引き起こす。逆の作動の方向に磁気はある。
特徴はっきりより悪く。
非常に近く一緒にある。
転移。=紀元前に地帯=強い磁気とのスペース磁化の地帯にの。
分野。
E、B、bヘクタル独特の1,2M-BT5.2の作動ポイントへのCの調節を考慮しなさい。5.2。1つの磁気トランジスター
=ある伝導性.0.r、Nm(磁気)または(m穴)ＰＭの1つ=1つの地帯は、例えばもっと寄与した
増強するまたはスイッチ素子。
M-FETで磁気を操縦する。チャネルの磁気に横断界。源の下水管の間隔に抵抗した。
磁気。ゲートの源の張力はそれを操縦する
2,2のm障壁の層FETのゲートG=Steuermagnetrode。制御磁気。1つの磁気によるCurrent/river。張力(bh独特で考慮しなさい)ゲート。否定的な磁気の増加と。伸張をチャネルにもっと引張り、磁気をconstrict。
源=置かれた磁気のない源(n棒)。源と下水管間のGの張力。
3の相対的な透磁率に、84selfleadingM-FET(タイプの枯渇)5,3m絶縁の層産業連合FET(M-MOS-FET)が磁気ある。ゲートの張力の界は磁気やm穴でそれにより貧しくなられるようになるチャネルの地帯からの移動式磁化のキャリアを転置する。
磁気と。既にゲートの源の張力ゼロ流れ。転移は開いている。
磁気と。転移は閉鎖している。
肯定的な棒とのゲートの源の張力のnチャネルのFETの極性と考慮しなさい。m界はSと磁気間の移動式磁気の伝導性道を発達させる表面に自由な磁気を引っ張る。ゲートの張力はチャネルの磁化のキャリアを富ませる。
4M-INDUSTRIALの連合FETインラインＦＭの構造(図170)5,5M-IGBT5.1M-IGBT=磁気絶縁されたゲートの両極トランジスターM-IGBT=(M-FET制御とよい)MBTの組合せ。
より小さい磁気。
達成無く制御ほぼ。
逆方向の唯一の限界(m-flywheelingダイオード)のM-IGBT。
関係。エミッターEのCollektorのゲートGの磁気の制御。程度
'bヘクタル独特の作動ポイントを考慮しなさい。
発明に従う発明のインラインＦＭの構造171)年のDの好ましい効果はそれらを及び。表わす。
磁気および磁気以来穴はまた陽性と、通常の感覚の暖かさ作り出される衝突しない。
行方不明の熱生産のために要素をあるMikro-sowieでproduciblemagnetronischen。
流れの量(磁気/磁気の穴)の輸送は磁気半導体でまた起こる。
適用スケーリング。容積のNanoは信号の就労時間(およそnanoコンピュータに関する短い方法の利点と小さくよりマイクロをの要因100より速く、例えば時間を計る。
さらにそれは次の理由で要素を必要としない外のelekをtrischen流れをmagnetronischenこと来る、。また置かれるべき破片の現在の発電機が知っているようにマイクロmikromikro-oderの1つ、磁気のための必要な電力の供給を、例えば保障するためb)modulatableコイル等を磁気使い果される電気流れ無し実際に積極的に界目撃する。
全体の磁気技術および磁気が偏光子からの部品が付いている電界でまた使用することができることが)まだ指摘される。
磁気電気ヒステリシスの物理学に開発された類似したさもなければ完全に電気にある場合もある)。
なお超電導m/E半導体は発明に従って記述されている。
実行への方法のCの記述発明(1つのＰＭの組および2対称的に運動学的なＦＭの例FKG)の1,1a)縦のプロフィール(図およびb)監督(図172は界の索引車、タイプ(FKG)の基本原則、力ハウジングモジュールおよびクランクの場合モジュールに整理されて示されている。
それは平衡とトランスデューサーおよびクランク軸のＯＴの位置力のトルクの閉鎖した界の変調器(ＦＭ)とある。力のトルクコンバーターは1つおよび特別な利点をだけ示されている例にフリーホイルのクラッチが強さの最高からの界電池(FB)に独特力の方法で強さを変えることができることない。
(マグネシウム)回転開始および界力の発電機(FKG)。
界の変調器(ＦＭ)によって操縦されたクランクの場合モジュール、それぞれ、2つの連接棒が付いている1つの接合箇所負荷+Fの下の繊維のプラスチック連接棒に力の塗布+Fで(ＦＭ)、の下で、そして仕切りで電動機に界力の効果の界電池は(FB1及びFB2)、推進する、推進した。
連接棒(繊維のプラスチック)は交差の旋回装置接合箇所上のＯＴの位置の強さをもたらす。
この旋回装置接合箇所はＵＴからの負荷の下でそれのプラスチック終わる締め金で止めるボディによってくさびで留められる翻訳回転トランスデューサー(、繊維の)とクランク軸のトルクへの強さ変えるために、移る。
それのクランク軸の打撃の蛇口につながれる第2連接棒(p)はクランク軸の回転の下でクランク軸クロックレートのこの打撃の蛇口を、からＯＴ=ＵＴ180.のＫＷの後のＫＷ動かす。
クランク軸のＵＴの位置の超過の後で連接棒"ピストン棒"はフライホイール(s)のＯＴの位置へのＵＴのクランクピンに移る運動エネルギーの前にのために負荷のない遊んでいる打撃の(p)を、押す。従って締め金で止めるボディをくさびで留めないでfreewheelのクラッチは、最初の位置に、回る。freewheelのクラッチは界力の発電機(FKG)のまわりでクランク軸1の間のが付いている遊んでいる打撃で+Fとの新しいのの導入のための最初の位置に再調節するためにこうして交換する。
組両方ともの連接棒はクランク軸にある
従って界電池(FB1)はクランク軸の再調節を用いる力のトルクコンバーターが導入するＫＷの位置のまわりで磁石ピストンK2として磁石ピストンK1としてとのＯＴ=それの0.ＫＷ界電池同時に労働者+Fとの=0.ＫＷ知っている。主義対称のＦＭの整理(図172c)は及び監督のラックギヤ運動学的な界の変調器(ＦＭ)、のために及び対称の建物方法のより短い切換えの時間(より短い方法)、開始および錠反対の方向(棚動く棚によって作られて)で実行される、ピニオンに推進される。
渦流れの中断のために数を用いるストリップで1-5仕切られる。
界の変調器(ＦＭ)u磁石として設計されているこうして界電池の変化のラインに垂直に磁気好まれた方向に。北極はと(+)あり、南極はとの(-)示す。d)ＦＭスイッチメカニズムの細部(監督、意見のそして平均A-Aの図172d)はＦＭ(図172導入される2-Gelenk-Hebelmechanismusによって横のように、d)意見で、監督および切口のショー"-"及び"余りに-"位置間の振動を引き起こす三相交流線形モーターの波そしてe)垂直切口の回転動きによってを搭載する直接結合によって実現される横示されている代わりに示されているそれ以上の代わり。
ドライブAlternativen gegenlaeufigeの三相交流線形モーター間の相違は摩耗と運動エネルギーのためにAuwandes、界の変調器(ＦＭ)のためのすなわち運転力の高さに、ある。
例の界力エンジンが及び制御された器械使用いかに操縦されるか、FKM制御、ブロックダイヤグラム(図173)FKM制御、ブロックダイヤグラム(図173)ショー。
さらに整理とのＰＭ)174は)第2によってkovariante力の塗布を、すなわちもたらす強さ+Fの平行導入を、1つによってＯＴの位置の後のＵＴの最初に再調節示されている。従って強さのクランク軸の打撃の方法は両方とも占められた+Fである。
2FKM制御FKM制御、ブロックダイヤグラム。(図173)高いpolzahl(最高が付いている1,3の始動機a)ディスク着陸エンジンの制御1,0力1,1電源スイッチ+ランプ1,2の安全装置またはb)
トルクは)、15,000分'、操作(t)の水晶発振器1,5充満リチウムイオンの高性能1,4の期間を過すまたはリチウムポリマー電池14Vは、(W、120Aに)1,6ファンによって冷却する冷却力の立方体a)の外面かFKM)2,0の余剰からまた冷却する内部変調器の守備につく。電気制御2,1のためのＦＭの自動調節計は=との運営方法1にＯＴ=ＫＷ0.0%の自動調節計A1=ＯＴＫＷ=immer"Zu"beiＵＴ=コイルの流れ(ＦＭの衝動との後自動調節計のＯＴ2,3の捕獲物の時間ＫＷB=遅く捕獲物+ＯＴの後のＫＷ)のための2,2の自動調節計のＫＷ180.3,0の力の調節スイッチ手動で転換する。または2.。1.最高の作動のカーブのDrehzahl-und加速規則FKMと。効率は作動する。
2.加速の間。最高のFKM。達成は作動する、電池がほぼ荷を下されれば、そして作動条件への最高の1.スイッチ)。
電池の再積載のための効率。
多くののための出口が付いている計器チャネルwriter/oscillograph1.0。強さ、方法は、1,1(ＦＭ)1.1を時間を計る。1つの位置ＯＴＯＴの後のＫＷ=。ＦＭの方法時間(衝動に従って)センサーの強さ。とのまたは帰納的に力の測定feather/springボディ。離れた圧電気センサー。強さ、圧力、衝撃波圧電気加速センサー。1.2の加速速度。ＦＭ(n)、(s)センサーの方法時間の強さ。feather/springのボディまたは帰納的にDifferenzialspulensensorの力の測定。離れた圧電気センサー。強さ、圧力、圧電気加速センサー。1,3
本ピストン棒(p)1.3の加速調節ＦＭの捕獲物(ＯＴの後のＫＷ)。1強さのオンの位置。離れた時間(s)のセンサー。feather/springのボディまたは帰納的にDifferenzialspulensensorの力の測定。離れた圧電気センサー。強さ、圧力、衝撃波圧電気加速センサー。加速。1.3の速度。FB2-Pleuel(n)の方法時間センサーの2強さ。とのまたは帰納的に力の測定feather/springボディ。離れた圧電気センサー。強さ、圧力、衝撃波圧電気加速センサー。磁石センサーを浸す加速。2,1の速度(コイルの流れ!、張力w)非線形2,2ＦＭ(2.3磁界のために。2,3の温度(t)ＦＭのケイ素の温度検出器2,4の温度FB1、FB2の回転tacho発電機3,2のトルク(Nm)の(w)3,3機械達成のケイ素の温度検出器3,0FKM3,1数3,4電気データ。4,1ＦＭの入口V、w)3.4。繊維のプラスチックマウスのコースV
、w)3.4。3相違Vの効率3.4。力の立方体の温度4つの効率の%3,5の、ケイ素の温度検出器3。選択。また電気で冷却抵抗の消費者(出口のケイ素の温度検出器2のファンの換気3,7の温度の代りに。多数のＰＭsおよび3。A.それらのの技術的な区域は、磁界力の発電機の必要性と対照をなして発明界強さから発電機最初に勝つことができる界力エンジンの電気を参照する、(緩衝される緩衝battteryで)。
FKEは別の電気"Quelle"beziehenの電気をまた知っている。
界力エンジンではＦＭは磁力線がおよび/またはなるどんなに、必要でない。
発明に従って割り当てられる電子線。
B.技術的な仕事を解決して発明の主題は磁力線によって訓練される時磁石のfeldemの生産(電界との電子線に同様に適用する)、界力エンジンの缶B.行う。
FKGと対照をなしてＦＭ/PSは反発する(または魅力的な)界を作り出す特別なアンプの中心の界コイルの供給のために、電気一次エネルギーのサーブ使用されないが。
調整され、能動態が付いている受動の核物質か調整されたキャビティを増強するまた材料の作動ポイントのコイルは、磁力線や電子線と呼ばれる。
発明に従う発明の表示は次に公言した磁力線磁力線機械=エンジンの効果の原則をおよび/または=。1ある。中心の増強のコイル鉄磁気材料(磁化の高く高い補強)の作動ポイントの非常に高いMagnetfetdverstaerkungの機械。作動ポイントの衝動の磁化によってまた磁化は起こる。
この非常に非線形は、作動ポイント磁気的に増強された界の衝動で材料によって管理された、この機械で線形になることそれを、燃焼機関でたたくことのような非a、音速の焼跡の前部のために可能に)作り出されるさせる。
2.einer"Laser機械への類似より活動的な固形物磁力線/Festkoerper電子線"=、という一致して(パラメーター付き(レーザーに類似した)磁気寄与された発見ここに磁気的に(および/またはポンププロシージャのライト)によってレーザー材料でポンプでくまれて。従って1で磁気的にポンプでくまれて成長する。中心の増強のコイルは磁気効果主としてであり、より小さい中間のコイルの長さは(変化長さの中間ライン)。
発明は1によってなる。2。最適化は説明する。
Lmの極小化との最大化間の磁気効果の最高の1最適化の最適化。
結果。XYのマトリックスまたは三角形の網と大きいの大きいコイルより大いに磁気効果の整理された結果の多くの小さいコイル
磁石はより大きい影響によって備えている、より近く変化の磁気ラインはあれば、従ってより大きかったりそれによって実行される磁気流れおよび。
2.表面の極小化との磁気の最適化の最大化。
結果。XYのマトリックスまたは三角形の網ともっとたくさんのの結果の多くの小さいコイル磁気。大きいAの大きいコイルとして影響によって。
磁気中心によってが磁気的に満足する時最高の拒絶アンプと同時に中心と巻きなさい、飽和からの開始はこれ以上の補強行われない。最も高い増幅定数は最大限に活用された中心およびコイルで作動ポイントA3との発明に従ってエネルギー雇用が最も高く最も小さく、en安定であるので、使用される。o.は私達のために決定的kungsgrad界力エンジンである。
柔らか磁気材料との減磁の要因は最高N=1-(BH)(否定的なエネルギー)考慮するためにまたである。中心はその後コイル最初に最大限に活用されるべきである。b)ちょうどhaftkraftからの磁石の重量に最適を最適化の間のＰＭとのように使用される(ここに中心+コイル+結論と、設計に依存する)(c)最大限に活用された関係また横力の方法特徴が横断機械のために定めている。d)中心は磁気と(酸化物の分離とwirbelstrom-Verlusteに対して層になる)、なることができる。
分かれることは方向を好んだ。kristall-AnisＯＴropie等は使用されるの必要ならば缶の薄板金考慮されるべきである。最適化の間に使用するべきhochpermeable材料が考慮されるべきいある。合金と出かければ誘導のBoptの適切な使用は、それ最も高い増幅定数である。
これは多く多くのでマトリックス(磁力線電池)の磁力線起因する。
単一水晶、薄板のパッケージの使用は特に好ましい(渦流れのために+造り上げられるため。中心の幾何学調節された周期的な共鳴に尊重されるにある(ヒステリシス損)。
+1の脈拍の圧縮はEin-undの切換え(衝動の磁化を離れた+脈拍の圧縮)の衝動の磁化によって誘導に磁力線で磁界を保つ(従って2でなって。Spule/leitenterの誘導リング高い張力は引き起こす)。そしてこうして磁気流れの大きい変更。
一流のアンプの中心の結果と。鉄による補強効果は最大限に活用されたコイルのA3とこの単位調整し、丁度中心の増強を、私達呼び、物質的な電子線のずっと最高材料の作動ポイントA3で余分から緩衝battteryに、必要ならば与えられた、エンジンの時計の一時的に強化された現在の脈拍の衝動の磁化によってそれの磁力線をおよび/またはまた増強され、そして作動する調整した。
2.積極的に磁気固形物磁力線/電子線の磁気的に誘導放出ポンプ原則より発明類似はに従って寄与されると磁力線の磁気的に核分裂物質と磁気的にポンプでくまれる事実のレーザーに成っている。
電気で活動界の固形物が付いている活動界の固形物磁力線は、別で実現することができる。
主義は放出原子のアンプの中心の)あり、(=積極的に作動ポイント1つは強い磁気によって磁気積極的にferrousferricmagnetic中心で、これらの平均磁気ポンプ効果になる。
強い刺激された磁気放出への強制方法の調整されたキャビティ。凝集性磁気補強は磁気反転分布に基づいている。積極的に寄与された鉄原子が付いている母体結晶が役立つことができる材料磁気ネオジム、ジスプロジウム、エルビウム、ホルミウム等との例えば（およそ１%）添加ように。
比較的ランタノイドで深く中ある磁気エネルギー状態は電子回転時でいわゆる次第に満ちている。従って外の電子の回転の時、それらの覆いは水晶の磁気、（交換全体）妨げるほんの少しだけ所有している磁力線放射線の生産のための適した顕著である鋭い磁気エネルギー状態を定まる。
吸収に合わせられなければならない振動の頻度は核分裂物質に調整するべきである。
ＨＦ界は２方向の転移を活気づける。回転がより精力的高い条件に折る、及びより深いのに折る強制放出吸収。
ＨＦ界エネルギーからの最初エキス、もたらすも第２鉛。
転移は左右される。
代わりに有効な高速に磁力線ダイオード／電子線ダイオードはポンププロシージャを作ることができる（磁気提案は磁気逆転を作り出す）。
前述の原理はまたシステムに同様に作用する、
ここにない回転は電子線のための水晶で、定まっている。
磁気の例の引き起こされたか、または刺激された磁気１つの電気放出（電気流れの量のために類似した）。
エネルギーの流れの量は高い磁気の１回転の時を缶詰にする。より深い磁気。
回転の時のエネルギー準位の卵は刺激する
心配した磁気。さらに、エネルギーは１回転の時より高いＥ２ｍ吸収の吸収され、こうして持ち上げることができる。
強い刺激された磁気放出を受け取るため、磁気反転分布はすなわちなる、磁気。
反転分布私達強いのの助けによって磁気ポンプによるＤ
ｍ放射／Ｍ吸収の原則は基本的な細胞、単一水晶、自発の調節の個人の固体が付いている穀物のようなｍマクロにまた適用することができる。
共鳴器＝一つの磁気で割り当てられて電気で活動化させた材料が活動的な磁気材料が付いている磁力線の缶の磁気干渉計。２磁気が付いている共鳴器。
ミラー、提供されるため。この磁気。共鳴器はそれ自身を永続的な磁気造る。波（縦方向の方向の磁気.は、磁気的に核分裂物質を幾度も交差させ、そのような移動磁気の間に磁気的に凝集性になる。縦方向の軸線に方法を斜めに取る波、非常に速い磁気.去り、促進しないべき核分裂物質増力れる（バンドリング／増強と考慮する１つの磁気を考慮しなさい。この効果に責任があるとある屈折。
磁気。ミラーは１つの磁気を備えている。Ｓ２の間の１００％年の反射、小さい磁気。伝達展示物。従って流れの量の一部分は絶えず連結を解かれる。
バースト方式の磁力線や電子線の仕事。
磁気の間。磁力線が揺れで及び高い磁気ように、ポンププロシージャ１はＱを人工に低く保つ。
反転分布は開発される。ある時に増加1は今質そのような方法でそれ自身の磁気の全体荷を下す。
共鳴器は短い、高性能の磁石の脈拍で磁気エネルギーを貯えた。
結果。モノクロマシー（monochromasy）そして接続されるそれと磁気的に高く
共鳴器で造られる磁気および/または電気セル。
甲革の生命持続期間が余りに短くなければ、ＴＭ磁力線及び磁力線はネティスケン（netischen）および／または電気逆転好みの刺激エネルギーを貯えることができる。
上部の状態の消滅時間の中では１つは１の媒体に１が同時に抑制すれば磁気および/または電気界エネルギーをポンプでくむことができる。さらに質要因を強く減らす質スイッチは使用される。短い時間の間満足する磁気および/または電気ｅｎ安定をずっと超過する磁気および／または電気界の補強は開発される。開始とこの大きい補強は磁気の放出をおよび/または電気簡潔にもたらす
磁気および／または電気界エネルギーは適した磁気および/または電気アンプによって上げることができる。非常に大成功で着くため、磁気および/または電気界の脈拍は最初にの間に人工に延長でなければならない（補強の後の極度な出力密度のために磁気および/または電気界の脈拍は単に再度及び順序の短い時間磁力線の極度な達成とそれから立つため圧縮される。
磁気的に核分裂物質の添加の母体結晶の例えばネオジム（Ｎｙは独立した原子の凍結するガスを好む）、顕著な絶対必要の磁気。そして大きい熱伝導率ｔ不用な熱は質を所有している。
周期的な磁気屈折率調節の磁気ミラー、例えば
３．磁気および/または電気ギャップののサイズは磁気逆転が磁化のキャリア（磁気エトロネン（etronen）及びで基礎磁気エトネン（etonen）（Ｂ−）の注入によってそして得るべきコースの磁気半導体１つをすることができる磁気および/または電気半導体材料の特徴である。
それらは光子（磁気エトロン（etron））「再結合」の放出の下で（Ｂ＋）及び回転の状態の磁石との一時域の缶磁化される、空いている陽性である。
磁気半導体のＰＭＮｍの転移のフォーヴァーテスベトリーブ（Vorwaertesbetrieb）。磁気伝導バンド大会の転移磁気エトロネンの範囲の中では互い及び（磁気エトロニック（etronik）を見れば）組み変えられる。
磁力線及び電子線ダイオードはマイクロ及びナノ構造にある
ｍ−ｍ及び電子半導体システム。１つのｍ−ｍ及びの電子水晶の形態は最終磁気を映す。定在波の共鳴器。活動的の＋層順序１ミリメートル。
適用。小さい機械等のナノ構造は原理の界力エンジン1をもたらす。再パルス的に（repulsively）（またはより魅力的に）（拒絶で逆平行）位置の今２磁力線の原理車軸（図１７５）で移動式表面へ２磁力線や電子線は設置済み縦方向である。
界と対照をなすそれらの間の変調器は空隙なしで、使用可能なポーランドへ磁力線触れる自分自身に溝を彫るＴＳＯ直接なる極度な再パルス（repulsive）衝動界力に減らす流れをでない。
それらしか凹面整理されたＢ．である場合もないまたは終わる磁気屈折率界か１つ順序で、再パルス選ばれるおよび/または棒への棒の逆転が均等にに浮上するとききつく締まる界力はできるために移る（＝作動ポイントＡ３および回避の調節はの材料で機械電圧を非常に上げて最高になる）。
１つは各場合の第2磁力線のＵＴとまたまたＵＴと結合する交換の動きおよびＯＴと拒絶を1を、結合できる、そしてまた（整流される）否定的な打撃hによって使用されるａ）ｃ）の拒絶、ｄ）はｆの注目をきつく締める。磁力線は静止して、磁力線は交換する。
２．）下記のもので２つ磁力線は交換する。
再パルス力が機械（二重ピストンエンジン）で及びＵＴの再パルス力使用することができるように、静止した磁力線（固定子）および磁力線（ランナー）はピストンとして（平衡はまた実現するべきＦＫＧと同じようにここにない）使用することができる。
さらに、反対の方向で動く２可動装置磁力線は可能のためにである。
また移動コイルの構造はこれに打撃（図１７７）年に関するクランク軸のトルクプロセスの回転の角度によりよく合わせることができるよりよい力のＷｅｇが'特徴あるので使用することができる。
また（図１７８）、この場合空隙は絶えず使用することができて残る。
アルミニウム場所の銅からの空気スプールのｚ．は磁力線ｓの馬力当たり重量が運動エネルギーの減少のためそれからであること使用された速い交換動かされた固まりの技術情報の方法がことを知っている（濃い及びスペックのためにほぼ要因２よりよく）。
同様に空気並びに水等冷却は達成損失を下げ増加する。
コイルの代りの電子線nとディスクの組は電気界の衝動の生産のために使用される。
２．磁力線の磁力線及びはより長い中心と誘導器原理磁力線（固定子）に静止的に置かれ、この中心のアルミニウム誘導器可動装置で（アルミニウムリングまたはより＝ランナー）強い渦流れを作り出される。アルミニウムリングのが付いている変更磁界をコイルの界がに対整理される流れ、（レンツの規則）。リングは撃退される。
両方の界を離れて転換した場合同じ方向を持つ。リングはきつく締められる。私達はピストンとしてＯＴの再パルス力および魅力的な力が機械（図１７９）でＵＴと使用することができるように、このアルミニウムリングを使用する。
それにもかかわらずＵＴとの1つの機械缶はまた第2磁力線ｓのつけるとき拒絶が第一次磁力線sの魅力を補うように使用されるべき第2磁力線を置いた（＋Ｆｈ）の使用、付加（図１８０）。
磁力線のＩ＝インダクタ。ａ）さらにＭｉは、反対の方向で動く２人の２人の移動式ランナー可能のためにである。
磁力線純粋な企業を用いる同じように代わりは独特別の力の方法か横断打撃との横断インダクタ原理に（インダクタなしで）使用することができる。
３．達成の漂流は界力の発電機によって達成のための漂流次の通りことを起こる。ａ）終わる一次エネルギーの終わる発電機（ｂ）線形機械）の直接生産直接変換回転トランスデューサーの三相同期交流発電機またはトルク。
仕事の転換の間に始まる連結長さ変化はある-彼はまたの最高のＯＴとの再パルス可能ののための直接及び直接転換を（必要ならばまた構造の後のＵＴと）作る。
賢いｅｎのスキーデネ（schiedene）の利点の発明１に従う発明のＤの好ましい効果。
ＦＫＧと対照をなす仕事の生産はＦＫＥと再パルスなる（および/または刺激物システム（鋭敏の=磁力線、または活動的な固形物磁力線の生産にまたは永久的な界の代りのコイルは使用した。類似した異なった原理の電子線（基礎の電気界）は使用することができる。
代わりに誘導器はインダクタの再パルス界との引き起こされたワーブスとローム（Wirbestrom）が磁力線sに対してaの代りに作り出した磁力線sの強い磁気脈拍で、使用することができる。
このモータータイプの利点は小さい外の入熱と調整され、非常に高い補強効果が一方で大幅に高性能に、一方では開発するこれより事実から接した働く界の主な発動機が発明（ＦＫＧ、ＦＫＥ）のための条件に同様に属するが、である接した働くエンジンと可能成っている。
機械両方タイプにＦＫＧ及びＦＫＥに持ち上がるシリンダー機械デハルブ（dehalb）として完全に異なった古典的な回転式電磁石機械がある。従ってそれらは電源の単位として使用を用いる大幅に増進された原動力を、およびＦＫＧの場合には永久にあるエネルギーを発達させる。
源エネルギーの感覚のその範囲意志に力学的エネルギーへの磁界エネルギーが１つ変えるパーマので。
極度な補強への最高の結果は機械が非常に高い原動力、瞬時の力および瞬時のトルクに最高を伝えることができることである。
慣習的な電気ドライブエンジン（エンジン）への反対それはそれらを古典的な電動機の有名なすべて側面こうして除去する（例えば車を見よ）。
４．（テスト指定）発明のＡ．の技術的な区域は、大幅に高性能の回転に線形動きを作る力のトルクコンバーターを発明を示す参照する。
Ｂ．古典的なクランク軸（力のトルクコンバーター）との技術の関連した条件はおよその持ち上がるシリンダー燃焼機関の最高の焼跡圧力を使い（pのv図表を見なさい）もたらされる。
最高圧力の最高のトルクの生産のためのレバー腕はこうして比較的小さい。
技術的な仕事を解決するＣは発明の主題トルクの改宗者に力導入する連結長さ変化である。
発明の表示は磁石間の間隔ゼロの力最も高くそこに、さらに変えられるべきより大きいレバーアームを搭載するこの力はとの４つの変形にある。
ピストンはＯＴのＯＴ及びＵＴに基本的に残る。ＵＴの位置のエレベーターの相違のために立つのをそれらが持持っていて（ＯＴ’）ＫＷの後のＫＷの後の0.によってそれ自身にそれによって回されるようにクランク軸の打撃の蛇口をおよび／またはの（ＵＴ）なる。
それが始めなければ棒で正常な方向で磁気力の方法特徴が（の同様にクーロンの潜在性浮上し、）適した棒の表面の形態によって、それらまたはしかしシステム等ＯＴの彼女の力の最高の力の方法特徴のflatterのＧＥの浸る常に後圧力最高１ガソリンオットー又はディーゼル機関を好むためにのでレバー腕を搭載するクランクギヤとの。古典的なクランクギヤよりと基本的な必要性は別の解決のためのある。
連結長さ変化sの発明の目的は導入であり、ＫＷまでのクランク軸が回し続けるそれ自身の間のＯＴののためのドエル段階の導入。従って、ためにＰＭの拒絶に静止した解決とできる（位置の上でとのＯＴ=ＰＭ）、またはＯＴのＦＭの適切な界ために成長するため界の変調器を転換するために1つは時間に引き起こすそれ自身を勝たない。
同じ原理は運動学的なＦＭが位置に再度動くＵＴの位置にＯＴの位置への方法と彼ら自身を撃退してはいけないように適用する（平衡）。
また活動的な静止したＦＭに最高圧力の界力の構造の時間遅延問題が、ようにＰＭの不感時間あるか。pはなることができる。
連結長さ変化（テスト）と指定。カムディスクＬＶが付いているＫＷの車軸および明確のＫＷの解決ｂ）の暗黙の解決２のタペットに関連するエレベーター機能ＭＫＺ及びＡＶＨＺ。カムディスクＬＶ及び影響との相関的なエレベーター機能＝暗黙の解決（おおよそ変化システムと回る）３．は。180サイクル／秒はキロリットル及びＫ２のための１１につき変化の２つの連接棒を移した。
４．合われたカーブディスクはHK１及び１／２ＨＫ２とＫ１のためのそして打撃の分離が付いている静止的１本の変化ピストン棒分ける。
テスト指定１の機能。クランク軸がそれ自身を回し続ける間、状態のＵＴの位置のＫＷと位置間の定数を保つ連結長さ変化（テスト）の指定テスト指定の運動学的な原理１の仕事に仕事がピストンある。
ＵＴのＫＷとＵＴ’=２７０°のＫＷ間の同じｏ．ｇ．運動学的な機能は可変的な上部ピストン棒によるテスト指定のそれらがＰｉ＝２の達されたクランクギアであることを実現した。
ピストン棒の延長の価格の増加は次で記述されている異なった原理に従ってクランク軸の回転に同期に起こることができる位相参照。
２．機能セクションの1つの機能セクション拡張／減少力伝達無しΔＰｉ変化のための排出。
正弦及び同時とＰｉのおよび/またはＦＭの動きの後の力の塗布はＦＭの掛け金を上回る。
運動学的なＦＭはまた（別様に）開き、推論する他の機能のカムと自然に動かすことができるまたは減結合され、および／または線形モーターと機械的に簡潔に進む（φ＝９０°）。
それが力の塗布のないΔＰｉ変化である前に-
時間間隔で・・・不感時間がそこになかったら（φ＝０°）（運動エネルギー、ＰＭをきつく締めるＰＭ引き付ける音渦流れ力を考慮しなさい）動かされる。
２．２は大きい長さ並びにそれらのためにそうなったものである。
カムディスク相違（最小になったカムディスクで速度の比率あるサイクル／秒のＬＶのＬＶの代りに重大。
２−１０ピストンが付いている２，３の反作用の磁石ピストンは反対のＫＷの位置の打撃の蛇口があるので、延長の動きである。
重大な４つの力の塗布は位置（力の塗布＋Ｆ）であり、ＵＴ1はｐｏｓとそれらある。（３）すなわち長さからの打撃がＭＫＺの位置に起因するように分岐点は達された最も深いポイントの間で、減少からのＭＫＺ＝伸びた。
ピストンの２，５Ｋ２は１８０によって税の図表に位相移動される。すなわちｐｏｓにある。ｐｏｓの（４）自体。（２）発見は、両方ＰＭの界電池によってこの位置の力＋Ｆで持っている。
３．３．１ 解決（テスト指定の図は上部ピストン棒Ｐｉおよびより低いピストン棒Ｐ２から成っている。）
テスト指定は２である。上部のクランクギヤ（OKZ）及び上部ピストン棒に統合されてそれにより範囲ΔＰをに引き起こす
３．暗黙の解決に接合箇所２暗黙の解決（図１８０）がより少なくある
テスト指定は２である。甲革のクランクギアは範囲のクランク軸の位置を引き起こす上部ピストン棒に統合した。
それはピストン棒Ｐ１からクランク軸の打撃の蛇口のＯＫＺが今統合されていたという成り、（生成器／エンジンのより低い重点とより短い接合箇所）からそれのずっとＫ２記録のためのＫ１が位置を反映したら３，３回の打撃の蛇口の位置（ピストンのための図１８６）ショーＫＷ（図はピストンＫ２のためのテスト指定を含む運動学的な状態に動力学の図表ショーを、ｐ＝Ｋ１＝延長である事実を示す。打撃のＫ１及び反映されるには余りに許可と対称があるために、Ａ全体（赤い設計）なる印との＋としてｐは受け取る。
結果。打撃のための段階、拡張／減少の変更より多くのゲグヌエバー（gegnueber）
働く打撃として対称力の塗布の仕事+Fおよび遊んでいる打撃fとの3.4。（Fig.187）4。ピストン棒の車軸（構造カムディスクＬＶが付いているそしてクランク軸のＫＷに関連する延長の価格の増加４，１の原理＝エレベーター機能ＭＫＺおよびの図。
クランク軸共同回転カムディスク=カムディスクＬＶに関連して１による中間ピストン蛇口ＶＨＺの制御。タペットはテスト指定と、見る設計「機械構造」を接続される（図１８２）。不利な点。多くはカムディスクの凹面ポイントでロールラディウスにまた削る。
使用のための。原理の暗黙の原理。
設計原理Ａ。Ｋ１のためのカムディスク構造及び（図１８８）。
ＫＷ及びテスト指定によって切られる４．２人の親類カムディスク構造（図１８９）
カムディスクＬＶ及び毎秒ＫＷサイクルのタペットが付いている（図１９０）。
意見のＫＷはそしてテスト指定（図１９１）構造＝暗黙の原理と回る。
非常に先の尖った凹面の物はカムディスクのこの変形ポイントによって避け、サイクル／秒で共同回転カムディスクは原理Ａと同じように実現されるべきテスト指定である。
従ってタペットは角度の角度のピストン棒によって１に、どんなにない高度常に接続される。ピストン棒で滑走装置はタペットの指導そして相対的な動きのために付す。
４，３原理。
１１につき変化の２つの連接棒が付いている差動歯車機構、概観の腕の腕および要素の指定（図１９３）の原理のＣＩのクランクギア、原理風変りなカム衝動（図１９４）の構造、Ｋ１のためのそしておよそ移る。
打撃の蛇口は曲がり状態のアームおよびｒ＝１／２ΔＰのギヤ車輪になり（ｒ＝１／２）エレベーターの相違は静止した与えられた。そして、ターゲット肘の間でＰＺを移り、ローカルおよび制御が機能取る共同回転か、または風変りなカム衝動と、場所ギヤは外の車輪のＺａの内部の車輪Ｚとのこれと車輪つなぎ依存する。
テスト指定のすなわち車軸はクランク軸の打撃の蛇口ＨＺ２の新しい状態に統合されていたり、原理Ａと同じようにの代りに及び外的に置いた。
結果。ピストン棒のＨＺ３はターゲット肘（ＰＺの相対的な、瞬間的に静止したポイントとしてＰＺの中心が付いている半径）でＨＺ１の実際の肘のの代りにＨＺ２のまわりで、今動く。
結果。ＰＺはピストンがＫＷの回転の間のＯＴの位置を変えないこと結果の状態のＫＷの回転の間にロックされている絶えず、同じはＵＴの位置に適用する。ＰＺの動きが成長しないように、打撃のくさびで留めることがまたターゲット肘に続くように（例えば磁気）この段階の間に起こらなければならないどんなに。
原理のＣＩ。P変化クランクギア原理Ｃ２。Ｐ変化エクツェンタートリブ（Exzentertrieb）１．ターゲット肘２の動き。ギア車輪変換ｉ＝４を用いるΔＰａ）のクランクギアの除去。１ｂ）。変換Ｉ。サイクル／秒は回転に動く。１ＶＰは３からのＨＺ３のターゲット肘の後にある類似している。ギア車輪のカップリングａ）の外の車輪Ｚａはピストンｏ外の車輪Ｚａおよびプラネタリギアの回転逆転ｄ）のプラネタリギアＰの方向を用いる車輪のＺｊの内部の和解のその間打撃の、Ｚａのディディミアム＝クランクシャフト車輪のＺｐのプラネタリギア４受諾と分かれた。（例えば磁気）ギア車輪４のないＰＺのｈ動きのＳをくさびで留めること。Ｐ終わるｓｓのしかしエレベーター動きの回転無し。
くさびで留めるＳの道具４．２そして解放（＝停止）、ＵＴへの打撃Ｈの。
４，３のPの振動終わるｓｓは支持し、ＨＺ３はそれ自身のでPの長さHをしっかりと自由に調節する。
４．２． ４，４原理の同じように４，４動きはＫ１のための1本の変化ピストン棒とＨＫ１の打撃の部品の分離Ｄ＝カーブディスク（図１９５）構造におよび１／２ＨＫ２静止的に合った。
カムディスクＫＳはカムローラー移動が振動腕によってつないだターゲット肘とのガイドの方法でターゲット肘のクランク軸の位置に起こるつながれたピストン棒のｐ−ｓｏののＫＷ打撃の蛇口のサイクル／秒と接続したＫＳの中の外側及び静止したＫＳである。
それにより少なく非線形回転および摩耗が生じるように厚さの材料のための発注によって外軌道に等距離湾曲の半径へのＤ変形させることができる鋭い分岐点はある。カムローラーの半径はより適切の等距離ガイドの方法で起因する
持ち上がるシリンダー焼跡機械、圧縮機、ポンプおよび他の力のトルクコンバーターに伸ばされる。１．古典的な持ち上がるシリンダー機械古典的な持ち上がるシリンダーエンジンは４個の時計を使う。強化燃や排出する吸いなさい。
古典的な持ち上がるシリンダーエンジンのエンジンの開発の初めが新しい運動学的に原理使用されないのでここに（回転式ピストンモーターを除いて）。エンジンの原理は機械の瞬時の作動条件に従ってターボチャージャー圧縮機、圧縮の調節のための空気クーラー、弁ギヤおよび打撃の価格の増加によって補われた。連結長さ変化の８バー機械。対等な古典的な持ち上がるシリンダー機械の反対の消費のおよそ利点の余分のおよそ四倍のトルク／パフォーマンスか適切な減少。
新しく運動学的な原理に従う発明、持ち上がるシリンダー燃焼機関（ガソリン、ディーゼル、ガス）のそれに従う２．１の新しい原理の仕事両方およそ要因のまわりの達成と同様、トルク。増加するべき４つはすることができる。
熱効果２の２，２増加。２．さらに１熱効率は２それ以上の冷却段階までにこの新建設と熱効率の増加それぞれとの及び排出また来る。副作用。燃焼の後の熱負荷はより小さい。
２．２．２ よりよい空気／燃料混合物は達成の増加を同様にもたらす全体の働くプロセス現在の新しく一時的な制御のために付加的な時計になお大幅によりよい空気／燃料混合物が自動的にある。
２．２．３ よりよい焼跡は動力学達成の増加を同様にもたらすクロックレートのガスの弛緩のないよりよい焼跡を更に可能にする。
２．発明への４つのそれ以上の効果そして好ましい効果連結長さ変化ｓまたＡの割り当ての発明）完全なつりあい機（振動の腕）との小さい区域のより多くの達成。遊んでいる打撃をその上にまたｂ）の使はクロックレートｃ）許されたのそれ及び８バー原理の積込み機が使用されれば主としてあり、（他のためにまたｄ）詰物はより高くそうなったものである。
３．発明の結果は消費者かなりの達成の増加のためにまたは要因のまわりに生態学的な効果、また両方の経済およそある。４−８の反対の今日の燃焼機関。これは付加的な重要性の地球温暖化の効果とまたとして経済的である。
エンジン、圧縮機、ポンプおよび他の力のトルクコンバーターのために新しいこれらは彼ら自身を使用する。
発明に従う発明の好ましい効果は異なった利点を表わす。
発明の結果力及び仕事の紹介が大幅により大きいトルク機械同じような増加の達成そして付随して生じるという事実。導入のために間隔のテスト指定１／２だけとの使用されるので打撃の蛇口に半径のｒ＝ｓがなければならないという仕事の転換のまわりの方法s、打撃D（維持されて残らなければならない（古典にｒ＝ｓ−０の代りに、５）は行く（ＯＴ’）。
こうして仕事がpの転換で起因すれば、しかし統合されたテスト指定、効率とより大きいトルク上のv図表はそれである。
それに従うエネルギー変換古典的なクランク軸でより大幅に主として。
構造は選ばれるそのような方法でまた否定的な打撃ことある（占められた缶（力がある推圧のＵＴのh）。＋Ｆとの＝への及びｆｈ＝への
連結長さ変化のＦＭの飛行時間そして運動エネルギーミスアラインメント後270.からの位置のＰＭピストンを休ませる連結長さ変化著９０ＫＷへのピストン棒のこの調節の時間で）とのまで（最高はある。この残り期間ではＦＭはまたは逆のインＺＵの常態の動きと同じように大幅に遅れるＦＭのより小さいために多くの運動エネルギーが、救われる位置の）横断になることができる。
この保持の時間はそこのＫＷＰＭピストン残りをから既に始め、ΔＰｉそれによりによるＫＷそしてピストン棒までのこの時間のＫＷは伸びる。
静止した使用の場合には切換えの時間缶大幅に延長古典的なクランクスロットは最高の力がまだ達されていないが、ＯＴのピストンを下方に既に動かす。
次は発明のための条件である。原理Ａ。ＫＷの車軸原理の原理に関連するエレベーター機能ＭＫＺ及びＡＶＨＺ。原理Ｄ。静止した合われたカーブディスク缶は変換が回転で効率的に変わる機械及び他の機械で有効な力のトリックの時のトランスデューサーとして、また始まる。完全に新しい電源の単位が与えられるように。
６．電磁気界力機械（ＦＫＭ）
ＦＫＭシステム構成は、半導体を前に有するＦＫＭサブシステムと作動原理界力生成器と名付けられた二つのものを置く。界変調器と界力モーターは、共に投じられた機能接続の原理である連結長変化を有し、これにより完全に新しい駆動集中が与えられる。界力機械の発明である。
動作原理
１．界力生成器（ＦＫＧ）
界変調器との（電子の）エネルギー機械余分の磁気の（磁石）または電気条件をとして先行する記述のように界力の発電機（ＦＫＧ）は最初に作り出す（力および/またはトルク）、（回転式現在の発電機等を交換する）使用された缶がある第一次キャリアの流れによる生産のための収穫そして。静止したＦＭ「ＡＵＦ」及びそれ自身からの誘導による流れのＺＵ切り替えの生成が一時的に絶食すれば、誘導の方法第一次キャリアの流れの必要性の可動装置の部品そして缶は直接作り出さない（静止した）。
２．界力モーター（ＦＫＥ）
磁力線のアンプによっておよび/または増加する必ずしも界力エンジンの外側の電気一次エネルギー。この補強効果は発明に従って新しい電気機械が大きい力のために、それらまたは大きいトルクを渡すように、非常に与えられる。
界力機械システム
適当なスルー界力モーターで界力発生器の結合する新しい自主的な駆動システムを発明した。同様に新しいエネルギー源として界力機械。駆動システム（図１９７）。
縦方向機械を示す。 移動波ＦＫＧを示す。 回転界機械を示す。 界力機械を示す。 均衡点におけるインラインＦＭを示す。 アウトラインＦＭを示す。 同質の縦材界の横断切口を示す。 閉鎖したＵＴポジションにおけるＦＭを示す。 再設定ＰＭを示す。 発電機を示す。 その高さにおけるインラインＦＭと磁化を示す。 インラインＦＭ軸の磁化＋流れ誘導被膜（ＦＬ）を示す。 横断補強ＰＭ引力、渦電流を示す。 動的補強システムを備えた積極的なＦＭを示す。 静止したＦＭ、Ｂ‐Ｈ特性の重大な変更を示す。 ＦＭ‐「絶縁体」を通した流れ量子Φ０のトンネル＝障壁層を示す。 ラミネーションにおける分割を示す。 幾何学的開放又は閉鎖した筐体を示す。 反発均衡引力を示す。 ＴＣによる透磁性回路：鉄の磁気による常磁性体を示す。 異質の逆行性分野におけるＦＭ動作を示す。 シートメタル（主として外見）における粒子配向を示す。 流れ誘導部品ＦＳを備えた磁極片ＰＳ＝縦材誘導を示す。 誘導を示す。 ２ＦＭ‐流れ誘導部品を備えた反発力を示す。 可変ＦＭ‐厚さを示す。 ｈｍｉｎ→ｈｍａｘによる加速する強さリーダーシップ後の力を示す。 補強の横の力の強さを示す。 動的なＦＭを示す。 閉鎖した幾何学を示す。 支持界なしの動的受身ＦＭを示す。 調節されるＰＭ’ｓのＰＭ‐ＦＭ‐ＰＭ基本システム引力を示す。 永久磁石ＦＭを示す。 集積されるポット永久磁石ＦＭを示す。 力のための集積される風＋補強カーネルを示す。 外の縦方向磁石界を示す。 外された外の縦方向界ＦＭを示す。 ４５°インラインＦＭを示す。 ４５°アウトラインＦＭを示す。 運河のための横の横である界変調を示す。 Ｕを備えたアウトラインＦＭ又はサンドイッチ磁石を示す。 くし状のＦＭを示す。 アウトラインＦＭ、外側が磁石のＦＭを示す。 動的運動及び加速支持界を備えたアオティフェス（Autives）ＦＭを示す。 インライン及びアウトラインＦＭを示す。 リラックス又は変数鉄磁気を示す。 縦方向であるのに対してバランスにおいて交換ＦＭを示す。 縦方向である高さに対してバランスにおいて交換ＦＭを示す。 双安定／変数Ｔｃを示す。 双安定／変数Ｔｃ造りを示す。 引力原則を備えたＦＫＧを示す。 境界周波数カウンタを示す。
符号の説明
１． ＦＫＭ−システム
ＦＫＭ 界力機械
界変調器を通じた二個の永久磁石又は二つの永久エレクトレーテについての影響
ＦＫＧ 界力生成器
Ｍ−ＦＫＭ 磁界力機械（基礎ＰＭ）
Ｅ−ＦＫＭ 電界力機械（基礎ＰＥ）
ＷＫＭ 熱力機械
ＦＭ 界変調器
ＰＭ 永久磁石（磁気的に強い鉄／磁鉄（ferro-/ferrimagnetischer）物質）
ＰＥ 永久電子（Elektret）（電気的に強い鉄／鉄電気（ferro-/ferrielektrischer）物質）
ＰＳ 永久超伝導体磁石
ＦＢ ｘ−ｙマトリクスとｚカスケードによる界電池（素子的磁石の複数の順序／電子ボタンセル）
Ｍ−ＦＢ 磁界電池
Ｅ−ＦＢ 電界電池
ＦＳ フローテイトストゥーケ（FluBteitstucke）
ＦＰ フロープレート（FluBplatte）
ＰＳ ポールシュー（Polschuh）
ＥＧ 電子発電機
ＥＢ 電子電池
ＭＢ 磁気電池
ＦＫＥ 界力モーター
Ｍ−ＦＫＥ 電界力モーター
Ｅ−ＦＫＥ 磁界力モーター
ＦＱＴ 界量子トランジスタ
ＥＴ 電子トランジスタ
ＳＬ 超伝導体
ＳＭ 超伝導体磁石
２． ＦＫＭパラメータ
Ｉ 流れ
Ｆ 力
Ｍ トルク
Ａ ポール面
Ｂ 磁気誘導（磁流密度）
Ｈ 磁界の強さ
Ｊ 磁気分極化（フロー密度への問題の貢献）
μ０ パーメアビリタッツコンスタンテ（Permeabilitatskonstante）（磁場一定）
μｒ パーメアビリタッツザール（Permeabilitatszahl）
μ パーメアビリタット（Permeabilitat）
ｄ 空気分割長
ｓ ＦＭ厚さ
Ｔｃ キュリー−温度
ＯＴ 死点クランクシャフトの上に
ＵＴ 死点クランクシャフトの下に
ＫＷ クランクシャフト
φ クランクシャフト角
ｈ 持ち上げ

ピストン棒の長さの変化についての関係サイン、記号

要素
ＫＷ クランクシャフト
ＷＺ 波タップ
ＨＺ 持ち上げタップ
Ｋ１ ピストン１
Ｋ２ ピストン２
ＰＺ 連結棒タップ
ＯＫＺ 高いピストンタップ
ＭＫＺ 中央のピストンタップ
ＵＫＺ 低いピストンタップ
Ｐ 連結棒（Pleuel）
Ｐ１ 上の連結棒
Ｐ２ 低い連結棒
ＶＷ ファリアターベレ（Variatorwelle）
Ｐ１−Ｋ１（Ｉ） ピストン1、１側の連結棒Ｐ１
Ｐ２−Ｋ１（Ｉ） ピストン1、１側の連結棒Ｐ２
Ｐ１−Ｋ２（Ｉ） ピストン２、１側の連結棒Ｐ１
Ｐ２−Ｋ２（Ｉ） ピストン２、１側の連結棒Ｐ２
Ｐ１−Ｋ１（ＩＩ） ピストン1、２側の連結棒Ｐ１
Ｐ２−Ｋ１（ＩＩ） ピストン1、２側の連結棒Ｐ２
Ｐ１−Ｋ１（ＩＩ） ピストン２、２側の連結棒Ｐ１
Ｐ２−Ｋ２（ＩＩ） ピストン２、２側の連結棒Ｐ２
ＫＳ カーブディスク
ＮＳ カムディスク
ＮＳ−Ｋ カムディスクピストン
ＮＳ−ＦＭ カムディスク界変調器
ＮＲ カムロール
Ｓ 乳棒
Ｓ−Ｋ１（Ｉ） 乳棒Ｋ１、１側
Ｓ−Ｋ２（Ｉ） 乳棒Ｋ２、１側
Ｓ−Ｋ１（ＩＩ） 乳棒Ｋ１、２側
Ｓ−Ｋ２（ＩＩ） 乳棒Ｋ２、２側
Ｓ−ＦＭ（Ｉ） 乳棒界変調器１側
Ｓ−ＦＭ（ＩＩ） 乳棒界変調器２側
Ｋ１−Ｖ（Ｉ） ピストン１、ΔＰ１ランゲン変化、１側
Ｋ２−Ｖ（Ｉ） ピストン２、ΔＰ１ランゲン変化、１側
ＶＷＺ 変化タップ
ＶＨＺ 変化持ち上げタップ
ＶＰＺ 変化連結棒タップ
パラメータ
ＣＬ−Ｖ 中心線連結棒ランゲン変化
ＣＬ−ＫＷ 中心線クランクシャフト
ΔＰ１ 連結棒ランゲン差
ΔＰ１−Ｋ１（Ｉ） ピストン１、１側の連結棒ランゲン差
ΔＰ１−Ｋ２（Ｉ） ピストン２、１側の連結棒ランゲン差
φ カーブ曲がり角
Δφ ΔＰ１≠Ｈかつφ＝２７０°ＫＷにおける非対称ＨＺ差
ＯＴ φ＝０°ＫＷにおける上の死点
ＯＴ’ φ＝９０°ＫＷにおける上の死点
ＯＴ１’ φ＝９０°ＫＷにおける上の死点Ｋ１、非対称構造ΔＰ１≠Ｈ
ＯＴ１’ Ｋ１についてφ＝９０°−ΔφにおけるＫ１についてのＯＴ、非対称構造ΔＰ１＝Ｈ
ＵＴ φ＝１８０°ＫＷにおける下の死点
ＵＴ’ φ＝２７０°ＫＷにおける下の死点
ＵＴ１’ Ｋ１についてφ＝２７０°＋ΔφにＫＷにおけるＵＴ、Ｈ≠ΔＰ１のため非対称（→ΔＰ１＝Ｈならば対称）
ＵＴ１’ Ｋ１についてφ＝２７０°＋ΔφにＫＷにおけるＵＴ、Ｈ≠ΔＰ１における対称構造
Ｈ 持ち上げ
Ｒｖ ラディウスＶＷ−ＭＫＺ = １／２ΔＰ１（＝１／２ＲＫｗ）
ＲＫＷ ラディウスＫＷ−ＨＺ
＋Ｆ ＋Ｈによる力
−Ｆ −Hによる力
▽ レベル

構造連結棒ランゲン変化と持ち上げについての関係サイン、記号

出口データ
ΦＦＢ 直径界電池＝磁石
Ｈｅｆｆ 効果的持ち上げ
Ｈ／Ｄ 穴あけＤに対する持ち上げＨの持ち上げ関係
（短フーバー０，９〜０，７−長フーバー＞１→１，１〜１，３）
ＲＫＷ ラディウスＫＷ−ＨＺ
Ｐ２ ＝λ・ＲＫＷ
λ＝ｌ／ｒ、ｒ＝カーブラディウス、ｌ＝連結棒極範囲、変数
λ＝３，０〜４，５（→鳥コンパートメント、本、自動車・航空機のマスター試験）
連結棒三角形ＰＺ−ＨＺ−ＭＫＷ
ＭＫＷ クランクシャフトの中央
ａ ＝ＲＫＷ
ｂ φ＝９０°、（ＯＴ１’）による差分ＭＫＷ−ＰＺ
ｃ 連結棒長Ｐ２＝λ・ＲＫＷ
ΔＰ１についての拡張／減少Ｐ１
ΔＲＫＷ ＝ｃ−ｂ
ΔＰ１ ＝ＲＫＷ＋ΔＲＫＷ
持ち上げ
Ｈ ＝ＲＫＷ−ΔＲＫＷ
ＨＫ ＝１／２Ｈ、対向するピストンによる中央のＦＢからのピストン毎の持ち上げ
ΔＨ −Δφによる高さの差
ΔＨ ＋Δφによる高さの差
持ち上げ／穿孔
Ｈ／Ｄ
境界速度
Ｖｍａｘ 境界速度＝Ｈ・ｆ
（Ｈ／Ｄ＝０，９〜０，７近いカーツフーバー（Kurzhuber）によるＶｍａｘ＝１６ｍ／ｓ
ｆ 周波数
ｎ 速度

連結棒ランゲン変化の原理Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ
原理Ａ：ＫＷ軸に相対的な高さ関数ＭＫＺ対ＶＨＺ
ＲＮＳ ラディウスカムディスク
ΔＭＫＺ 高さ関数（レベル▽ＭＫＺ）
ΔＶＨＺ 高さ関数変化持ち上げタップ（レベル▽ＶＨＺ）
ΔＲ−ＮＳ 関数半径変更カムディスク（ロールカーブ）
ＲＮＲ ラディウスカムロール
ｓ 厚い界変調器
ｄ 空気分割
原理Ｂ：ＫＥ−ＨＺ軸に相対的な高さ関数ΔＶＨＺ
新しい要素とパラメータ
原理Ｃ：バランスメカニズム
要素
Ａ アウトリガー、固定
ＨＺ φ＝０による起点ＫＷ持ち上げタップ
ＨＺ１ 構造ＨＺ、ＲＫＷによる交差ＲＰ
ＨＺ２ アウトリガーＡの新しいＫＷ持ち上げタップ
ＨＺ３ 連結棒接続を有する回転持ち上げタップ→Ｚａ上のギアＺｐの非拘束を通じたゾルボゲン（Sollbogen）
Ｐ 連結棒
Ｖ 変化連結棒
ＰＺ 連結棒タップ
ＰＺ’ ＵＴによる連結棒タップ
Ｚａ 外側のギア
Ｚｉ 内側のギア
Ｚｐ プラネットギア
Ｅ エクスゼンター（Exzenter）
パラメータ
Ｂ１ ＨＺ的ボウ
Ｂ２ ＨＺソルボウ
Ｂ３ ＨＺ３的ボウ
Ｂ４ ＨＺ３ソルボウ
ΔＰ 連結棒長変化
ｉ 変換関係
ＶＰα ＨＺ３による変化連結棒トリック角
β 新しい位置▽ＯＴφ＝０°と▽ＯＴφ＝９０°の間の連結棒ヴィンケル
λ φ＝−４５°，＋４５°，＋１３５°，２２５°による変化連結棒の角
φＨＺ ＨＺのＫＷ角
ＲＰ ラディウス連結棒ボウ
Ｒ’ＫＷ 中心線に平行な半径ＲＰに対する交差ＭＫＷ
ａ ＝ラディウスＲＫＷ、位置ＨＺ３＝ＲＰによる交差Ｒ’ＫＷ
ｂ ＝計算√ｃ２−ａ２
ｃ ＝ＲＰ
ｄ ＝ＲＫＷ＋ｂ−ｃ
ｇ ＝ＲＫＷ＋ｂ
ｅ 奇抜さ（Exzentrizitat）
Ｓ クレムング（Klemmung）（停止）
原理Ｄ：バランス−静止したカーブディスク
Ａ ＨＺにおけるジョイント付きのアウトリガー
ＫＳ 静止したカーブディスク
ＫＲ カーブロール
ｄ 転換点における半径の形成への物質順序
Ｂ１ ＨＺ１ゾルボゲン（上のトラック＋Ｈ）
Ｂ２ ＨＺ１ゾルボゲン（下のトラック−Ｈ）

Claims (108)

  1. 逆平行（突き放し合う力の界）又は平行（引きつけあう力の界）な極性を示しつつ、磁気的又は電気的又は熱的又は重力的ポテンシャル界又は渦動界又は双極界を発生させる界電池（FB）のいづれかを伴った、一つの界が全域に広がっている領域としての一つ又は二つの力の界円から構成され、界力機械（FKM）が、界力生成器（FKG）として、界電池（FB）間にある運動するか固定されている界変調器（FM）から構成されることを特徴とする界力機械（FKM）。界変調器（FM）は、突き放す界電池（FB）と引きつける界変調器（FM）間の界のコンデンサーの作用として、又は突き放す界変調器（FM）を伴った引きつける界電池（FB） 間の界のコンデンサーの作用として、界の磁束／磁界電流と磁界電圧／流量を調節する。界の調節は、すべて又は部分的に、キャパシタバリエーションにより、磁束を通したり、磁束を通さないようにして行う。界変調器の仕事Ｗｚｕを供給することで、スイッチ切替及び／又は増幅をし、界力機械の仕事サイクルにある界力（突き放すか引きつける）を、平衡状態と非平衡状態を繰り返しつつ、調節する。つまり、界変調器（FM）状態「開」にあり、界電池（FB）が非平衡状態で、OT及びUTポジション間の界力Fと仕事ストロークＷ１（＝仕事動程ｈ）から仕事Ｗａｂが生じ、その一方で、界電池（FB）は、空動程Ｗ２において平衡状態で反する力なしに戻される。力は、力-モーメント変換装置、優先的に連結棒長さ調節装置（PLV）を介して、トルクM又は仕事量Pに変換される。界力機械（FKM）、界力生成器（FKG）タイプの仕事は、非可逆性の循環プロセス（p、V図）で４サイクルで行われる。また、界力生成器は、一つの界電池（FB）と二つの界変調器（FM）を伴うソリッドステイト配置として、動く部分なしに、電気的エネルギー連結解除をするため、電磁コイル付き界力円内に製作することが可能である。界変調器（FM）付きソリッドステイト界力円内の界を調節することで、時間的に変化する界が発生し、それにより界力円内に内蔵された電磁コイル内に電磁誘導による電気エネルギーが発生する。
  2. 界力生成器（FKG）が、左又は右回転処理機械として動作され得る事実により特徴付けられる、請求項１に記載の界力機械。
  3. 界電池-界変調器-界電池（FB-FM-FB）システムが、界のコントロール／増幅／弱化／保存用のコンデンサーとして作用する特徴をもつ、優先的に磁気又は電気の界が使われ、但し熱的力による熱の界又は重力による重力界も可能である、請求項１に記載の界力機械。
  4. 電池界変調器（FM）が、磁気コンデンサー界では弱磁性体又は反磁性体として、電気コンデンサー界では誘電素材又は非極性素材として、熱コンデンサー界では非透熱素材又は透熱素材として、重力コンデンサー界では重力素材又は反重力素材として作用する特徴がある、請求項３に記載の界力機械。
  5. 力の界で逆に作用するコンデンサーシステムが、反コンデンサーシステムとして使用される特徴をもつ、請求項４に記載の界力機械。
  6. 強磁性／フェリ磁性又は強誘電性／フェリ誘電性の界のコンデンサーが、固形／流体の一定しているか設定可能な構成部品として、電気コンデンサー部品同様に、浸透性又は誘電性の度合いによって作用する特徴をもつ、請求項３に記載の界力機械。
  7. 運動する界変調器（FM）及び／又は極片（PS）を、ポテンシャル界において界電池（FB）の作用線に対して平行か作用線に垂直にポテンシャル同一面上を横断して移動させることが可能で、その際、横方向仕事Ｗｚｕの同時又は順次の平衡へと横の静的及び／又は動的界力を補正して達することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  8. 運動する界変調器（FM）をパッシブ又はアクティブなバージョンで形成可能で、その際、アクティブなバージョンは通常方向及び／又は横方向で増幅作用を動的に制御可能か二種類の状態切替が可能な補助界を利用して、パッシブな界変調器（FM）の界力及び／または周波数に対応した渦動流力の補正を補助界のオーバーラップで強めたり弱めたりできることを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  9. 界電池（FB）が、第一のFB駆動セット-ピストン-ペア（K１）として、スプリング又は連結棒長さ調節（PV）とはずみプレート付きクランクシャフト又はスプリングとフリークラッチ付き回転スピンドル、又はフリークラッチ付き押し棒、又は仕事サイクル２でクランクシャフト（KW）上に１８０°ずらしてある第二のFB駆動セット-ピストン-ペア（K２）、又は他のリターンシステムにより、界変調器（FM）が閉じていて平衡状態のサイクル４で初期位置に戻されることを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  10. 界電池（FB）が、高い界力を発生させるために、例えばx-y-z網（すなわち、マトリックスの一つ又は複数のグループに対して行列付きの多くのセルを整列させて、z方向へ層を形成させる）の３Dサンドウィチ構造に配置されるか、三角網にz方向へ層を形成させ丸いセル界電池（FB）に配置されている特徴をもつ、請求項１に記載の界力機械。
  11. 界電池（FB）が、優先して、磁気の界では強磁性体／フェリ磁性体又は超伝導体マグネット（SM）から製造される永久磁石（PM）から構成されるか、電気の界では強誘電体／フェリ誘電体から製造される永久エリクトリック（PE）から構成されることを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  12. 永久磁石（PM）又は永久エリクトリック（PE）が、運動エネルギー再生のため、把持力と自重の関係において反発する条件下で、隙間流／形状変形及び規定の作業温度Tで減磁又は放電しないように最適化することを特徴とする、請求項１１に記載の界力機械。
  13. 永久磁石（PM）、超伝導体マグネット（SM）又は永久エリクトリック（PE）の通常方向に作用する力-ストローク特性曲線を、輪郭における特殊な界のデザイン（極形状、磁気化及び帯電化において結晶方向性を使って収束中心部の事前置換、極構造化、円錐及び潜水システム）により、特定のパワーアップとトルクアップ及び／又は動程拡張を達成するように形成可能な特徴をもつ、請求項１１に記載の界力機械。
  14. 平衡-非平衡-平衡の状態から、界電池（FB）と界変調器（FM）すなわち界のコンデンサー間で界の作用を調節するために、界変調器（FM）をインライン界変調器としては、界電池（FB）の物質境界と極の内側に、アウトライン界変調器としては外側に位置づけできることを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  15. 界変調器（FM）が、界電池（FB）の力の界の磁束方向に対して横方向の界の伝導性調節及び／又は流路面積調節をすることで、界の磁束サイズ又は界のパワーをコントロールし、平衡／非平衡をコントロールすることを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  16. 界変調器（FM）及び／又は極片（PS）が、同位及び／又は異方の原子／分子及び／又はミクロ／マクロ的に、界方向に対して平行又は垂直に位置づけされた層からなり、形状異方を考慮して形成されていて、細分化されていて、機能的に異なっていて、技術的に指定した方向において、界を通したり、界を通さなかったり、界を半分に通したりする物質から構成されることを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  17. 伝導性磁束密度界変調器（FM）が、磁化曲線形状内で柔らかい素材の与えられている伝導性磁束密度特性曲線を使って、局所的に作用する磁束密度を変化させ、作動点（Ａ３）での最大物質伝導性から他の磁束密度に左右される伝導性作用点にかけて、界電池（FB）の界磁束を通したり、通さなかったりして調節することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  18. 磁束密度-界強度-界変調器（FM）が、磁化曲線形状で内柔らかい素材の与えられている磁束密度-界強度-特性曲線を使って、局所的に作用する界強度を変化させ、作動点（Ａ３）での最大物質-伝導性から他の界強度に左右される伝導性-作用点にかけて、界電池（FB）の界磁束を通したり、通さなかったりして調節することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  19. 磁束密度-温度-界変調器（FM）が、磁化曲線形状内で柔らかい素材の与えられている磁束密度-温度-特性曲線を使って、局所的に作用する温度を変化させ、作動点（Ａ３）での最大物質-伝導性から他の温度に左右される伝導性-作用点にかけて、界電池（FB）の界磁束を通したり、通さなかったりして調節することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  20. 異方体界変調器（FM）が、磁化曲線形状内で柔らかい結晶素材の与えられている伝導性-方向-特性曲線を使って、結晶の界優先方向の方向を局所的に変化させ、作動点（Ａ３）での最大物質-伝導性から他の方向に左右される伝導性-作用点にかけて、界電池（FB）の界磁束を通したり、通さなかったりして調節することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  21. 異方体界変調器（FM）が、磁化曲線形状内で柔らかい素材の与えられている伝導性-負荷-特性曲線を使って、機械的負荷を局所的に変化させ、作動点（Ａ３）での最大物質-伝導性から他の負荷に左右される伝導性-作用点にかけて、界電池（FB）の界磁束を通したり、通さなかったりして調節することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  22. 永久誘導界変調器（FM）が、磁化曲線形状内で固い素材の与えられている磁束密度-界強度-特性曲線を使って、残留磁性の磁束密度を局所的に変化させ、最大の残留磁性磁束密度から他の磁束密度-作用点にかけて、残留磁性磁束密度が最小又はマイナスになった後のヒステリシス上で、界電池（FB）とアクティブな誘導界変調器（FM）間での平衡を非平衡へと残留磁界により変化させて、界電池（FB）の界磁束を調節することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  23. 誘導電流界変調器（FM）が、電気伝導性の高い素材の与えられている電気伝導-誘導-特性曲線を使って、うず電流を発生させて、変化して誘導される界の力により、界電池（FB）とアクティブな誘導電流界変調器（FM）間での平衡を非平衡へと、界電池（FB）の界磁束を調節することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  24. 限界周波数-伝導性-界変調器（FM）が、磁化曲線形状で柔らかい素材の与えられている伝導性-限界周波数-特性曲線を使って、限界周波数を局所的に変化させ、作動点（Ａ３）での最大物質-伝導性から他の限界周波数に左右される伝導性-作用点にかけて、界電池（FB）の界磁束を通したり、通さなかったりして調節することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  25. スピン共鳴-磁束方向-界変調器（FM）が、磁化曲線形状内で柔らかい素材の与えられているスピン共鳴-磁束方向-特性曲線を使って、高周波がかかっているスピン方向を局所的に変化させ、平行スピン位置の最大物質-伝導性から逆平行スピン位置の最小伝導性へと反転させて、スピン方向スイッチにより、界電池（FB）の界磁束を通したり、通さなかったりして調節することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  26. 原子距離-伝導性-界変調器（FM）が、磁化曲線形状内で柔らかい素材又は固い素材の与えられている原子距離-伝導性-特性曲線を使って、原子距離を幾何学的に定義して局所的に変化させ、作動点（Ａ３）での最大物質-伝導性から他の原子距離に左右される伝導性-作用点にかけて、界電池（FB）の界磁束を通したり、通さなかったりして調節することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  27. トンネル効果-界変調器（FM）が、非常に薄い磁気-界変調器-分離層（Ｉｍ）を有し、２つの磁気超伝導線間に１つの弱磁性体を使い、与えられているトンネル電圧-伝導性-特性曲線及び局所的に作用するエネルギーの隙間を使って、磁気的トンネル電圧をかけて磁束量子を加速し、この界変調器-分離層（Ｉｍ）を通過させることで、超伝導界電池（SM-FB）の磁気界磁束を通したり、通さなかったりして調節することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  28. 両方の磁気超伝導線が、同一の磁気伝導超伝導線から成り立ち、磁気磁束量ペアをトンネル通過可能にすると、磁気超伝導線-分離層-接点（ＳｍＩｍＳｍ接点）が存在することを特徴とする、請求項２７に記載の界力機械。
  29. ＳｍＩｍＳｍ接点に弱い磁気直流／磁束が顕著で、臨海磁気電流／磁束強度以下、すなわち磁気ポテンシャル差がなく、磁束ペアがスピンモーメント連結としてＩｍ層をトンネル通過し、臨海磁気電流／磁束強度上で磁束が超伝導線-マグネット-界電池（SB-FB）間でロックされていることを特徴とする、請求項２８に記載の界力機械。
  30. ＳｍＩｍＳｍ接点に磁気直流電圧をかけることで、この磁気直流電圧に比例する高周波磁気交流電圧が発生し、この原理が可逆的な場合、量子学的干渉により磁気交流効果（MWE）が発生することを特徴とする、請求項２８に記載の界力機械。
  31. 超伝導線-界変調器（FM）が、厚い磁気分離層Ｉｍを使ったＳｍＩｍＳｍ接点として、又は厚い電気分離層Ｉｅを使ったＳｅＩｅＳｅ接点として、超伝導線及び／又は超非伝導線及び／又は超半伝導線から作られていて、遷移温度Ｔｃ又は通常温度Tと遷移温度Ｔｃ間で磁束調節をすることを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  32. 界変調器（FM）スイッチングの際に発生する界電池（FB）間の隙間が優先的に一つ又は二つの極片（PS）によりブリッジされ、力又は仕事損失Ｗａｂが界電池（FB）力-ストローク-特性曲線において最小になることを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  33. 界変調器（FM）及び／又は極片（PS）が、同一及び／又は異方の物質で成り立ち、界伝導を最適にするように積層され、積層プレート内の磁束が強い結晶異方体及び／又は大きな形状異方体を積層プレートの幾何学に関連して優先的に活用し、積層プレートの方向に対応して、一次的通常又は横方向に伝導し、その際、界電池（FB）の力の界が結晶及び形状異方体のため最小となることを特徴とする、請求項３２に記載の界力機械。
  34. 界電池（FB）と界変調器（FM）間で平衡状態を制御するための温度補正が、例えばペルティエ電池付き「ヒートパイプ」などを使って、界力機械の外部温度を制御することで、及び／又は補正システムの磁束密度-温度-特性曲線の変化を利用し界電池（FB）温度を直接補正することで、及び／又はΔｈの動程バリエーションにより、界電池（FB）と界変調器（FM）のシステムの作動点を温度変化に対応させることを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  35. 電気伝導界変調器素材において、機械的及び／又は電気的及び／又は磁気的反うず電流補正器が、界変調器（FM）内で周波数に左右され、機能的にマイナスに作用する界力を補正するか実際には排除することを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  36. 機械的反うず電流補正器が、界電池（FB）の極間の磁束方向を基準に、界変調器の動きとうず電流に垂直に積層プレート内に内蔵されているスリットを伴う、界変調器の動きに平行に方向づけられた互いに分離された薄い積層プレートから構成され、選択肢として、分子うず電流において容積うず電流の変形を伴う、互いに電気的に分離されている厚いソフト磁性の立方格子又は立体ミクロ構造体から構成することも可能であることを特徴とする、請求項３３又は３５に記載の界力機械。
  37. 界電池（FB）の界の作用領域から電子を遠ざけ、電荷分離をし、界変調器（FM）が電気的に分離され電界内で位置づけされているため、電気的影響で、ニュートラルゾーンとして、界電池（FB）の磁界により、うず電流を発生しない中間領域が発生することで、電気的反うず電流補正器が成り立つことを特徴とする、請求項３５に記載の界力機械。
  38. 影響される電荷担体が、とがり部付きの、二つの向き合って界変調器（FM）に固定されいてる機械的じょうご内で集中して集められ、電気伝導性の高い刃を介して、界変調器（FM）の振動路に沿って、無接触キャリーを通り、アースされて放出されるか、簡易蓄電池又はコンデンサーなどのエネルギーリザーバーに蓄積され使用されることを特徴とする、請求項３７に記載の界力機械。
  39. 運動する界変調器（FM）の横方向の動きで、界電池（FB）の不均質な界が、界の傾斜輪郭において横方向に形成され、回路電流上のローレンツ力の両方の減速させる力、すなわち、フロントに減速させる力及び界変調器（FM）の後部に加速する力が同一の大きさであることを特徴とする、請求項３５に記載の界力機械。
  40. 横方向に不均質な界において、積層プレートの個々のプレートの素材幅を横方向に増やし、ブレーキ作用の少ない界変調器先端部では狭いプレート幅を、プレート単位で界変調器後部では幅広いプレートにして、加速を大きくして、力の平衡をつくることを特徴とする、請求項３６又は３９に記載の界力機械。
  41. 横方向に不均質な界において、横方向の楔形輪郭又は積層プレート内の個々のプレート幅増加の作用で、個々のプレートにおいて楔形輪郭の先端エッジで減速する力コンポーネントが、楔形輪郭の厚い後部の加速する力コンポーネントより相当小さく、前後部の体積流の力コンポーネントが平衡になることを特徴とする、請求項３６又は３９に記載の界力機械。
  42. 横方向に不均質な界において、一つの積層プレート及び／又は積層プレートの個々のプレートが正方形-傾斜-導線ループとして、前後部で異なる導線断面及び／又は異なる固有電気抵抗値で形成されているため、相反する電流方向をもつ電流要素のペアとして誘導され、うず電流輪の該当する前後部力コンポーネントと平衡をつくることを特徴とする、請求項３５又は３６に記載の界力機械。
  43. 界変調器（FM）に内蔵されている反レンツ力補正器が、電荷がプラスで、マイナスとプラスの導線ループ間で磁気遮蔽された逆方向単極電流を伴う、第二の導線ループから構成され、マイナス誘導電流のレンツ力をプラス誘導電流で補正することを特徴とする、請求項３５又は４２に記載の界力機械。
  44. 界変調器（FM）に内蔵されている反レンツ力補正器が、同一電流方向の界電池（FB）の界作用領域で平行な導線を伴う、一つの導線ループから構成され、同一方向電流の界を弱め、界電池（FB）の一次界へ誘導された磁界を戻す作用を減少させるか、回避することを特徴とする、請求項３５又は４２に記載の界力機械。
  45. 界変調器（FM）に内蔵されている反レンツ力補正器が、磁気的に非対称に方向に対応する遮蔽体（浸透性テンソルが片側で封鎖される）、又は界半導体ダイオードから構成され、これが界変調器（FM）と界電池（FB）間に位置づけされ、遮蔽物質の作動点で誘導される界の戻り作用不可能にすることを特徴とする、請求項３５又は４２に記載の界力機械。
  46. 界変調器（FM）に内蔵されている反レンツ力補正器が、移動方向に対応した反界作用から成り立ち、これが磁気補正により、弱磁性体（引きつける）及び／又は反磁性体（押し付ける）と移動方向に対応した平衡をつくることを特徴とする、請求項３５又は４２に記載の界力機械。
  47. 界変調器（FM）に内蔵されている反レンツ力補正器が、界電池（FB）の面垂線に対して４５°の角度にある一つの導線ループから成り立ち、これが導線ループ分岐の前後部で異なる断面積及び／又は異なる固有抵抗値をもつ異なるポテンシャルレベルにある導線ループ分岐をもち、不均質な界において、方向が相反する弱いブレーキ作用のある前部力ベクトルと強い加速作用のある後部力ベクトルを有する誘導うず電流輪を発生して、自己補正によりレンツ力を回避することを特徴とする、請求項３５又は４２に記載の界力機械。
  48. 電気伝導性のある界変調器（FM）及び／又は極片（PS） の反レンツ力補正器において、電気的及び磁気的反レンツ力の原理を組み合わせて、発生する電気的影響及び磁気的影響が同一方向に向けられているか（図４０）、交差するように方向づけられているか（図４１）、どちらかであることを特徴とする、請求項１、３５、３６、３７又は３８に記載の界力機械。
  49. 滴形の界流線体の幾何学的形状によって、界対流の界圧力低下が界流線体に沿ってゆっくり起こり、界うずを発生不可能にすることを特徴とする、請求項３５に記載の界力機械。
  50. 滴形の界輪郭の幾何学的形状を歪めて、凹凸面が発生するようにし、そのため界対流において界輪郭の回りに界循環が起こり、これが凸面での界対流速度を相対する凹面より速くし、凸面で界超過圧力、凹面で負圧が発生し、動的な力ＦＡが作用し、この力は、界対流の界循環方向が誘導された磁界の界循環方向と同意義に方向づけられている場合、凹面方向のローレンツ力ＦＬと逆方向に作用するため、該当するＦＡによってＦＬが補正されることを特徴とする、請求項１又は３５に記載の界力機械。界輪郭の凸面がＦＬ方向の場合、界対流の界循環が誘導される磁界の界循環と逆方向のため、界輪郭内で誘導される磁界の押し付けるレンツ力が界電池（FB）の一次界へと補正される。
    既に記述した作用原理は、同様に回転する電気的伝導性のあるシリンダーに応用可能である。
  51. 界変調器（FM）及び／又は極片（PS） おいて、横方向の力／仕事を横方向補正器内で補正し、力Ｆ及び／又は仕事Ｗｚｕの平衡を保つことを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  52. 一定したアクティブな補正が、界変調器の横方向-力-ストローク-特性曲線を界電池（FB）の横方向-力-ストローク-特性曲線に正確に適応させて、縦方向界又は横方向界-コイル-界変調器としての素材の作動点で強化してある核を使ったコイルによって行われることを特徴とする、請求項５１に記載の界力機械。
  53. 一定したパッシブな補正が、ニュートラルゾーン（ＮＺ、図４６）を活用し縦方向にパッシブな補正器がいっしょに動くことで行われるか、パッシブな補正器の界作用線の優先方向が界電池（FB）の方向に対して機械サイクルに相対的にα＝９０°回転（図４７、４８）することによるＵ輪郭補正によって行われることを特徴とする、請求項５１に記載の界力機械。
  54. 補正が、双安定マグネット（スイッチ核）に対して、作動させる／作動解除する電流パルスより実現されることを特徴とする、請求項５１に記載の界力機械。
  55. 極片（PS）の補正が、異なるサイクルで、自己補正により機械サイクルに相対的に行われ（図４９）、場合によっては、補正マグネット（KM-図５０）による、個々の極片（PS）での界電池（FB）の縦方向の力を補正することで行われることを特徴とする、請求項５１に記載の界力機械。
  56. 横方向の仕事補正が、ポテンシャル界において界作用点に対して平行に（図５１）順次補正によって行われるか、界作用点に対してα＝４５°で（図５２）同時補正によって行われるか、界作用点に対して垂直に同一ポテンシャル面上に（図５３）同時補正によって行われるか、界作用点に対して平行に相対して動く二つの界変調器（FM） （図５４）の機械的連結による同時補正にっよって行われるか、界作用点に対して垂直に相対して動く二つの界変調器（FM） （図５５）の機械的連結による同時補正にっよって界変調器-自己補正として行われることを特徴とする、請求項５１に記載の界力機械。
  57. 横方向の補正が、それぞれ一つの補正器マグネット（KPM）を有する二つの対称的界変調器（ＦＭ−図５６）の界変調器の界作用点に対する平行な動きで行われることを特徴とする、請求項５１に記載の界力機械。選択肢として、補正器マグネット-変調器-接続部の異なるバリエーションを有する、連結した極片（ＰＳ−図５７）を伴う変調器（FM）を使用する。
  58. 接線方向の仕事Ｗｔの同時補正が、位置をずらして交差している補正マグネット（ＫＰＭ１とＫＰＭ２）として磁束を半分通過させる極片を伴う、平型永久磁石（PM）により行われるか、サンドウィッチ永久磁石システムとして、磁束を集中してN極の出力面Ａ１及びS極の入力面Ａ２へ通過させる、半分にされ、ずらしてある極片（ＰＳ−図６０）を使って行われることを特徴とする、請求項５１に記載の界力機械。
  59. 磁気的優先方向のある、非常に非対称な、即ち直線でない横方向力-ストローク-特性曲線の正方形界電池（FB）において優先的に、界作用線に平行な方向においてポテンシャル界内で界作用線／優先方向及び変調器（FM）の横方向の動きに平行に、トグルスイッチ作用が出て、界電池（FB）と界変調器（FM）のシステムが力増幅器として働き、補正器として作用しないことを特徴とする、請求項５１に記載の界力機械。
  60. 反横方向力補正器が、界の力を決める要素の細分化された機能的増幅器／減衰器を伴う、インライン補正器として、磁束プレート（FP）（f（A）-図６６．１ａ，ｂ）の界-出力及び入力面のバリエーション、及び／又は磁束プレート（FP）での振幅浸透性（f（μａ）−図６６．２）のバリエーション、及び／又は永久磁石（ｆ（Ｈａ）−図６３．３）の磁化における界強度振幅のバリエーションにより、横方向磁束密度機能で、横方向に沿って縦方向の力Ｆ１の機能を、それにより、力の界において、それに左右される横方向力のコンポーネントＦｆ（FB）を設定し、それにより、平衡をつくるため、動く際に作用する界変調器（FM）に対する横方向力Ｆｔ（FM）の補正を、界電池（FB）と界変調器（FM）のシステムとして、界電池（FB）の界優先方向に平行又は垂直な変調器動作を使って、技術的に実現することを特徴とする、請求項５１に記載の界力機械。
  61. 永久磁石内に異方磁界を発生させるため、U形状の長いシリンダーコイルを使い、このコイルがU曲線領域で遮蔽されるようになっているため、その巻き線によりz方向（シリンダー軸＝極軸S-N-図７２.２）に均質界を、x方向に磁気的優先方向を、y方向に、即ち磁気的優先方向に垂直に、バリエーション可能な界強度振幅（f（Ｈａ）-図７２.１）を傾斜磁化用に、バリエーション可能な巻き線及び導線断面積によって実現可能で、その際補足的に、シリンダー形状をS-N方向（図７２.３a-e）に動かして、界の事前置換された収束中心部を有する力-ストローク-特性曲線の修正を、界内での磁化で整えられた結晶方向性配列により達成することを特徴とする、請求項６０に記載の界力機械。
  62. 復熱が、界変調器（FM）の運動エネルギーの運動学的リサイクルとして、減速やエネルギー供給の際に、FM回路で界変調器（FM）の閉仕事Ｗｚｕを伴う開仕事Ｗａｕｆの補正用に、全仕事Ｗｚｕにおいて平衡を最適化するための補足コンポーネントとして利用されることを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  63. 力-ストローク-特性曲線における有効動力を最適化するため、極片のデザインを、弾性のある固定方法（図６２）また楔形形状締結（図６３）又は円錐形形状締結（図６４）用にすることで、極片と界電池（FB）間の微小エアギャップを機械的に少なくしてあることを特徴とする、請求項１に記載の界力機械。
  64. 界を相対的に通さない強特性又はフェリ特性（界絶縁体（I））の高純度物質、及び界を通す強特性又はフェリ特性の低い濃度の異物質（界ドープ原子）、電子（N）及び／又はホール（P）の相対物として導通する半導体結晶から構成され、界半導体界変調器が、FGKの界電池（FB）の界力円において、相対的に導通しない磁気的界-結晶又は電気的界-結晶又は熱的界-結晶又は重力的界-結晶により、界を相対的に通さない異原子（ドープ原子）を組み込むことで成り立つことを特徴とする、界力機械。
    これは、この界半導体内において二極（P及びN）又は単極（P又はN）の半導体作用を起こし、半導体作用は、ドーピング及び外部の界-影響及び／又は温度影響により、界-帯域モデルに従って、界量子-伝導帯において定義され、位置づけされ設定されるうる。これにより、界半導体結晶の自己回線が作られ、回線は、界力円に統合されると、すなわち界-電圧がかかると、界-障害箇所回線を形成する。この界-障害箇所回線において、磁束／界量子が、極性に応じて、機能的加算と影響をして、それぞれの逆方向極へと動かされる。
    これらのP又はN-界-半導体結晶は、電子半導体部品同様に、界-半導体部品を形成する。機能メカニズム及び構造に従って、界-半導体変調器部品は、界力円の界量子流をコントロールするため、界-半導体ダイオードを使って検波したりするか、界-二極トランジスタ（BT）内の界-ロック層（ベース）による界-浸透性変調を使って、及び／又は、界-界効果トランジスタ（FET）の流路に斜めの界を伴うゲートによる流路断面変調を使って、スイッチしたり、増幅したり、ドリガしたり、変調したりして（界-電流／磁束、電圧、仕事量）作られる。
    他の複合的組み合わせで、界-サイリスタ、界-GTO-サイリスタ、界-サイリスタダイオード、界-トライアック及び界-IGBTなどの界-出力部品を作る。
    発明によると、すべての既に記述された界-半導体変調器は、界力円のコンデンサー界内にあり、界力円のかかっている界-電圧のため、及びそれにより発生する界強度のため、もたらされるキャバシティに相対的に、マクロ界力機械、ミクロ界力機械又はナノ界力機械として定義され、製造可能である。
  65. 磁界半導体変調器においては、強磁性特性又はフェリ強磁性特性の結晶同一又は異方の物質が、電界半導体変調器においては、強誘電特性又はフェリ強誘電特性の結晶同一又は異方の物質が使用され、技術的取扱いのため、温度との関係における伝導性に従って、弱磁性体（磁界絶縁体）又は磁性体（磁界-導体）又は誘電体（電界絶縁体）又は電体（電界導体）において、クラス分けしてあることを特徴とする、請求項６４に記載の界力機械。
  66. 磁気的システムの界-半導体変調器において、磁気的素子が、マイナス電子スピンモーメントによりマイナスの磁化（N）で磁子μＢとして、欠けている電子スピンモーメントによりプラスの磁化（P）で磁子ホールμＢ（ホール磁子）として原子及び結晶格子の中に固定されていて、界量子が、二つのスピンモーメント間の連結／結合によりマイナスの磁化（N）で磁子Mとして、二つのスピンモーメント間の欠けている連結／結合ホールによりプラスの磁化（N）で磁子ホールMとして、磁束量子（光量子）による磁束回線の必要な前提として作用することを特徴とする、請求項６５に記載の界力機械。
  67. 界-半導体変調器において、磁気的マクロ素子が、原子磁子AμＢとして時間的中間地点において反平行スピンモーメントに平行に発生する磁子数の合計により、及び原子磁子ホールAμＢとして時間的中間地点において反平行スピンモーメントに平行に発生する欠けている磁子数の合計により特定されていて、該当する原子磁子AM又は原子磁子ホールAMが隣接原子との交換作用によって磁束回線の十分な前提をつくることを特徴とする、請求項６６に記載の界力機械。
  68. 磁気的システムの界-半導体変調器において、磁子ペア結合に関する３種類の磁気的基準レベルの設定方法によって、原子の絶対的磁気的にマイナス又はプラスの基準レベルとして時間的中間地点おいて反平行モーメントに平行な種類が使用されるか、ドープ原子のAμＢが周囲の格子原子のAμＢに相対的にマイナスかプラスの場合は、原子／結晶格子の磁子ペア結合の相対的基準レベルが使われ、周囲の格子原子のAμＢを基準にしてドープ原子のAμＢが格子原子のそれより小さいか大きくなるようにするか、電子半導体結晶内の珪素同様に、磁気的ゼロレベル（磁気的絶縁体、μ＝１）の弱磁性体の基準レベルが使われることを特徴とする、請求項６７に記載の界力機械。
  69. 界-半導体変調器において、磁気的結晶格子おける磁子ペア結合として磁気的イオン及びＮｍ又はＰｍ界-半導体が、以下のように作用することで実現されることを特徴とする、請求項６７又は６８に記載の界力機械。
    Ｎｍ導体：相対的又は絶対的弱磁性体が、例えば１磁子価磁気的に高い原子との完全磁子ペア結合によってドーピングされる場合、一つの磁気的にプラスのイオンＩｍが発生し、１AMが回線磁子AμＢとして去ることで、プラスに磁化されたイオンが残り、一つのＮｍ界-半導体が発生する。
    Ｐｍ導体：相対的又は絶対的弱磁性体が、例えば１磁子価磁気的に低い原子とドーピングされる場合、完全な磁子ペア結合に一つの磁子が不足し、１つの磁気的にマイナスのイオンＩｍが発生し、１AMが回線磁子としてAμＢに不足することで、磁気的Ｐｍ界-半導体が発生する。それにより、プラスの磁気的ホールが残る。
  70. 界-半導体変調器において、同一又は異方の立体格子内の厳格に周期的な原子／イオン配置が、立体格子のnの格子点を有する磁気的要素セルを形成し、この中で原子マグネットが格子点に配置されていて、隣接するスピンとの特定の距離に左右される交換作用を介して磁子ペア結合を形成し、mの格子原子を有するnの作用する要素マグネットを要素セル磁子及び磁子として形成し、これらが用意される磁束回線及び伝導性の高さに必要とされ、特にナノ結晶界-半導体部品の形成の際に幾何学的に特定されて配置されることを特徴とする、請求項６７、６８又は６９に記載の界力機械。
  71. 界-半導体変調器において、磁気的原子／イオン層が強／フェリ要素セルFEZ）を形成し、これがSの要素セル層の数において、強／フェリ磁気を可能にし、ALMマクロ磁子を有する磁気的マイナスのマクロ原子／イオン層ALμＢ又はALMマクロ磁子ホールを有する磁気的にプラスのマクロ原子／イオン層ホールALμＢが、磁気的区画構造（ドメイン）のためのベースを形成し、これがマクロ的に自然に起こる分極単位として界-半導体結晶を形成することを特徴とする、請求項７０に記載の界力機械。
  72. 界-半導体変調器において、ＰｍＮｍ移行部分が、同じ磁気的半導体内のＰｍの伝導するゾーン及びＮｍの伝導するゾーンの間の境界領域として作られ、このゾーンは外部の磁気的電圧なしか（図１４６）、外部の磁気的電圧を伴って（図１４７）作られ、外部の磁気的電圧を伴う場合、ロックするケース（１-図１４２）及び通過させるケース（２-図１４２）を技術的用途に提供することを特徴とする、請求項６９に記載の界力機械。
  73. 界-半導体変調器において、弱磁性体から磁気的界-半導体結晶が磁性体異原子とのドーピングによって、誘電体から電気的界-半導体結晶が電体異原子とのドーピングによって、電子半導体部品の製造方法同様に、製造されることを特徴とする、請求項６４又は６５に記載の界力機械。
  74. 界-半導体変調器において、電子半導体部品と似た機能メカニズムと構造で、磁子界-半導体部品として異なる強くドーピングされた界-半導体結晶を組み合わせて製造、使用し、バリエーションには、磁気ダイオード（M-図１５０）、磁気二極（M-BT）及び単極（M-FET） トランジスタ（M-図１５１、１５２、１５３、１５４、１５５、１５６、１５７、１５８、１５９、１６０、１６１、１６２）、出力磁子部品用途においては、磁気サイリスタ（M-図１６３、１６４a-c、１６４）、M-GTOサイリスタとして、M-サイリスタダイオード、M-ダイアック、M-４層及び５層ダイオード、磁気トライアック（M-図１６６a-c）及び磁気IGBTをM-FETの組み合わせとして高効率及び強電流／磁束回路のM-BT（M-IGTB図１６７、１６８）のコントロール用に製造、使用することを特徴とする、請求項６４乃至７３のいずれかに記載の界力機械。
  75. 界-半導体変調器において、磁気電流／磁束のスイッチング又は増幅の効果が、優先方向においては、機能メカニズム（通常作動方向）に決定的な最大出力となり、逆の作動、即ち優先方向に逆らう作動においては、最小出力となることを特徴とする、請求項７３に記載の界力機械。
  76. 界-半導体変調器において、磁気二極トランジスタ（M-BT） が磁気電流／磁束を制御する界-半導体部品であり、この部品では、磁気基本電流／磁束における小さい変化が磁気エミッタ-コレクタ電流／磁束での大きな変化となり、及び、M-界効果トランジスタ（M-FET）が単極磁気電圧制御界-半導体部品であり、この部品では、流路に斜めの磁気界がソース-ドレイン間の磁気抵抗を実質仕事量ゼロで制御し、及び、M-IGBTでは、M-FET（ほとんど仕事量ゼロの制御）がM-BT（優れた導通特性）を、導通抵抗が小さいため、ほとんど仕事量ゼロで制御し、強い磁気電流／磁束がほとんど仕事量ゼロで制御可能であることを特徴とする、請求項７３に記載の界力機械。
  77. 界-半導体変調器において、電子半導体部品の出力特性曲線フィールド同様に、界電流／磁束-界電圧-特性曲線又は磁束密度-界強度-特性曲線（Φｍ＝Ｉｍ、Ｂｍ又はΦｍ＝Uｍ、Hｍ）、非常に大きな抵抗を伴う作動点A１＝「オフ」での安定したスイッチ状態、M-BTでのA２＝飽和開始又はM-FETでのピンチオフリミット、及び最大伝導性のあるA３＝「オン」が、スイッチング又は増幅についての作動線上に定義され、作動点安定が可能となることを特徴とする、請求項６４、６５、６６又は７６に記載の界力機械。
  78. 界-半導体変調器において、電気的界-半導体変調器としても、同様の機能メカニズムと構造を有するすべての界-半導体部品は、例えばE-BT、E-FET、E-IGBTが製造され、使用され、その際、強／フェリ電気により、結晶の表面電荷が、磁気スピンモーメントに代わって、電気的に自然発生する分極を起こさせ、出力特性曲線フィールドを定義することを特徴とする、請求項７３に記載の界力機械。
  79. 超伝導非導体結晶が価が高いか低い反平行電子ペアを伴う超伝導異原子により低濃度でドーピングされることにより、即ち、クーパー対が多すぎるか少なすぎるため、「結合した」回路電子ペア又はホールペアが発生することで、超伝導半導体変調器が、結合した回路電子ペア（Nc）及び／又は不足する回路電子ペア（Pc）たる電子ホールペアとしての電子ペア（クーパー対）を伴う電気的単極又は二極システムとして成立するのを、及び、この超伝導半導体結晶を使って、通常の半導体コンポーネントと同様の機能メカニズムで、超伝導半導体ダイオード、超伝導半導体-BT、-FET、-IGBT等及び超伝導回路が超伝導界力円内に形成可能であることを特徴とする、請求項６４に記載の界力機械。
  80. 界-半導体変調器及び超伝導半導体変調器おいて、あらゆる種類の回路が、M-界-半導体変調器又はE-界-半導体変調器又は超伝導半導体変調器によって形成可能であることを特徴とする、請求項７３又は７９に記載の界力機械。
  81. 界-半導体変調器において、マクロ、ミクロ又はナノ構造で製造されるM-BT／E-BT（図１６９）又はM-FET-E-FET（図１７０）又はM-IGBT／E-IGBT（図１７１）の構造が、界変調器（FM）及び／又は極片（PS）として、界力生成器内（FKG）の界電池（FB）の界を調節することを特徴とする、請求項７３乃至８０のいずれかに記載の界力機械。
  82. 励起コイル又は励起プレート及び点火コイル、並びに電気的又は磁気的に伝導又は半伝導で強／フェリ特性の核から構成され、界力モーター（FKE）が、外部一次エネルギーを供給され、界力モーターサイクル内で動的に制御され、バリエーションのある時間間隔でコントロールされ、マグネーゼでは突き放すか引きつける界力衝突を、又は、エレクトレーゼでは電気的界力衝突を発生し、これが、２マグネーゼ／エレクトレーゼ原理又は１マグネーゼ／エレクトレーゼ原理を介して、発生した界の力-ストローク-特性曲線に従って、p、Vグラフとなって、機械的仕事に変換されることを特徴とする、界力機械。
  83. 界力モーター（FKE）が、２つのマグネーゼを有するシステムから、反平行又は平行な力の界連結に方向づけられて、構成され、個々のマグネーゼが１つの最適化された励起コイルと１つの最適化された核から構成され、システムがパルス圧縮技術によるパルス磁化によって励起されることを特徴とする、請求項８２に記載の界力機械。
  84. 起磁力が大きいほど、またコイル長さ（界作用線の長さ平均値）が小さいほど、励起コイルが、第一の最適化された磁気作用において、大きくなり、そのため、短いコイルの方が長い方より多くの磁気作用を発生し、第二の最適化において、磁気界作用線の密度が高いほど、即ち、磁束が大きく磁束作用面が小さいほど、力の作用が大きくなり、小さな面積の小さなコイルがたくさんある方が、面積の大きなコイル１つより、より高い力の作用をもたらすことを特徴とする、請求項８２又は８３に記載の界力機械。
  85. 作動点での伝導性が高いほど、最適化された核がより高い磁気増幅を示し、同時に磁束密度を最大にし界強度を最小にすると、磁束密度-界強度-特性曲線内にある、即ち、このタイプのマグネーゼの最大効果を引き出すためには、伝導性が最大で同時に最大磁束密度で最大界強度の物質だけが最大増幅係数を示すことを特徴とする、請求項８２又は８３に記載の界力機械。
  86. エネルギー消費を最小にするための、これ以外のマグネーゼ最適化が、励起コイル、核及び後部締結部の自重と力の関係を最大にすることで、核を電気的に絶縁された積層プレート製にすることでと、核に優先的に方向性及び／又は異方の素材を使用することで、核に単一結晶／二種複合結晶を使い積層プレート内で磁気的優先軸に沿って分配することで、磁化切替損失を最小にして核の幾何学的に条件づけられた自己共鳴を最適化することで、実現されることを特徴とする、請求項８２、８３、８４又は８５に記載の界力機械。
  87. 界力モーター（FKE）が、２つの固体マグネーゼを有するシステムから、反平行又は平行な力の界連結に方向づけられて、構成され、個々のマグネーゼが、磁気的にアクティブなLBO結晶を使った強い磁気空洞共鳴器で、磁気品質に優れ、熱伝導が高く、ドーピングされたアクティブな異原子を使用した増幅器核として作られていて、ポンプによって、即ちパルス圧縮技術によるポンプ周波数での常磁性励起／増幅によって、マグネーゼ素材内の磁気反転を介して、強い磁気の可干渉性誘導放出を強いられ、スピンがエネルギー的に低い状態へ反転し、FKE内に発生する固体マグネーゼの界力衝突が有効動力をつくることを特徴とする、請求項８２に記載の界力機械。
  88. 磁気的算出係数を調節することで実現された、１００%の磁気反射鏡と低い磁気透過Ｓ１の連結解除鏡Ｓ２の二つの磁気ミラーを使用した磁気共鳴器に、固体マグネーゼ素材が使用されることで、その中に磁束量子から常置的磁気波がつくられ、これが縦軸内で移動し、再三磁気的にアクティブな素材を通過し、その際、可干渉性的に増幅され、これらの磁気波が縦軸に斜めのコースをとると、非常に速く磁気的にアクティブな素材から放れ、それ以上は増幅されないことを特徴とする、請求項８７に記載の界力機械。
  89. 磁気的ポンプ動作中に、共鳴器品質を技術的に抑えることで、固体マグネーゼを振動させないようにし、高い磁気反転を起こさせ、セルで構成されて共鳴器内に内蔵された品質スイッチ（Qｍスイッチング）の品質を特定のタイミングで高めて、短い出力の高い磁気的巨大パルス内に蓄積された磁気的励起エネルギーを放出させることを特徴とする、請求項８８に記載の界力機械。
  90. 磁気エネルギーを高めるのに、増幅プロセス中、最初、増幅器メディア内の極限出力密度のため、磁気界パルスを技術的に長くし、増幅後、再度磁気パルスを圧縮し、極限出力で、短時間-固体マグネーゼ内で使用可能にし、その後連結解除することを特徴とする、請求項８８又は８９に記載の界力機械。
  91. 磁気空洞共鳴器の選択肢として、ポンプ動作発生用に、効率の良い空洞出力-マグネーゼダイオードを使用することを特徴とする、請求項８２又は８８に記載の界力機械。
  92. 磁気的帯隙間を設定する磁気半導体によりマグネーゼダイオードが成り立ち、その際、磁気反転が、このＰｍＮｍ-移行部をもつ磁気半導体内で磁化素子（磁子μＢと磁子ホールμＢ）を投入することにより達成され、磁子ホールはプラスに磁化された不在電子スピン状態で、ＰｍＮｍ-移行部から磁子スピン状態で前進モード中に光量子（磁子）を放出して「再組み換え」が可能であることを特徴とする、請求項９１に記載の界力機械。
  93. 界力モーター（FKE）が、一つマグネーゼ／固体マグネーゼ／ダイオードマグネーゼから構成され、及び対向ピストンが引きつける強／フェリ磁性素材から構成されることを特徴とする、請求項８２に記載の界力機械。
  94. 界力モーター（FKE）が、一つマグネーゼ／固体マグネーゼ／ダイオードマグネーゼから構成され、及び対向ピストンが、電気的伝導性が高い軽量素材、例えばアルミニウム製の点火コイルで構成されるか、二次コイルで構成されることで、界のオンオフの際に迅速に変化する励起界が発生し、これが点火コイル内で強いうず電流を発生させ、この電流が、界をクランクシャフトOT位置に切り替える際に押し付ける力（磁界は励起コイル界と逆方向）を起こさせ、UT位置にすると引きつける力（磁界は励起コイル界と同じ方向）を起こさせることを特徴とする、請求項８２乃至９３のいずれかに記載の界力機械。
  95. 界力モーター（FKE）が、マグネーゼ-システムと同様の機能メカニズムで、励起プレート及び強／フェリ誘電性素材製の核を伴うエレクトレーゼ-システム-コンポーネントから形成されていることを特徴とする、請求項８２乃至９４のいずれかに記載の界力機械。
  96. 一次的又は二次的に界を発生させるコンポーネントを使用した界力モーター（FKE）の仕組みが、パルス調整する場合は二つの対向するランナーが、パルス調整しない場合は、一つの位置の固定した固定子と振動するか移動するランナーが、縦方向構造又は横方向構造の界力機械タイプとして、製造され、稼動されるようになっていることを特徴とする、請求項８２、８７、９１又は９５に記載の界力機械。
  97. 界力を直接直線運動／回転運動に使うか、力-トルク変換装置を介して、縦方向機械では優先的に発明に従ったクランク機構に内蔵された連結棒調節（PLV）を使用して、界力モーター（FKE）を仕事及び仕事量を引き出すための作業機械として製造し稼動することを特徴とする、請求項８２又は９５に記載の界力機械。
  98. クランクシャフト、連結棒及びピストンの連動クランク機構で作動する力-トルク変換装置から構成され、連結棒長さ調節器（PLV）が、可変連結棒として、クランクシャフト（KW）のジャーナル（HZ）とピストンジャーナル（KZ）との高低差を、０° KW におけるOT位置から９０° KWにおけるOT位置へと、１８０° KW におけるUT位置から２７０° KWにおけるUT位置へと、クランクシャフト回転中に調節することで、連結棒（P）が、これらの周期において、高低差（ΔVHZ）分又は長さ差（ΔP１）分長くなるか、短くなり、ピストン（K）が、ジャーナル（HZ） 位置９０° KW 又は２７０° KWまで、OT位置又はUT位置で休止しするため、９０° KW 又は２７０° KW以降の位置では、最大てこの力（ΔP１-制御グラフ 明解な解決案-図１８１、機械的構造-図１８２、KW-運動学 連結棒長さバリエーション-図１８３、ΔP１-制御グラフ 潜在的解決案-図１８４、ピストンK１用PV-図１８５、ピストンK２用PV-図１８６、ΔP１-制御グラフ K１-図１８７の対称的力誘導+Fと-Fを使っている）となることを特徴とする、界力機械。
  99. 連結棒長さ調節器が、バリエーションA「KW軸に対して相対的MKZ及びΔVHZ高さ機能」、B「KW-HZ-軸に対して相対的ΔVHZ 高さ機能」、C「調節歯車装置」、D「調節板カム 位置固定」において、高さ又は長さ調整を行うことを特徴とする、請求項９８に記載の界力機械。
  100. 「KW軸に対して相対的MKZ及びΔVHZ高さ機能」原理を使ったバリエーションA（図１８８）の連結棒長さ調節器（PLV）が、上部ピストンジャーナル（OKZ）内に２つ目のクランク機構（PV）を装備していて、高さ又は長さ調整のカムロール（NR）付き突き棒（S）がカム板（NS）上にあり、カム板はクランクシャフト（KW）といっしょに動くように固定されていて、PV内の中間ジャーナル（MKZ）制御用に使われることを特徴とする、請求項９８に記載の界力機械。
    潜在的原理（図１８１）は、上部連結棒（P１）と下部連結棒（P２）から構成されていて、PVがOKZを介して連結棒（P１）に統合されている。
    潜在的原理（図１８４）は、明解な原理より関節が一つ少ないため、システムをはるかに短く形成可能で、低い重心にプラスの作用がある。
  101. 「ＫＷ−ＨＺ軸に対する相対的ΔＶＨＺ高さ機能」原理を使ったバリエーションB（図１８９，１８９，１９０，１９１）の連結棒長さ調節器（ＰＬＶ）が、上部ピストンジャーナル（ＯＫＺ）内に２つ目のクランク機構（ＰＶ）を装備していて、高さ又は長さ調整のカムロール（ＮＲ）付き突き棒（Ｓ）が、カム板（ＮＳ）と接触する時、連結棒Ｐ２上のスライドガイドによって、回転可能に接続されていて、カム板（ＮＳ）クランクシャフトジャーナル（ＨＺ）上に固定されていることを特徴とする、請求項９８に記載の界力機械。
  102. 「調節歯車装置」原理を使ったバリエーションC（図１９２、１９３、１９４）の連結棒長さ調節器（ＰＬＶ）が、高さ又は長さ調整を以下の通りに行うことを特徴とする、請求項９８に記載の界力機械。クランクシャフトジャーナル（ＨＺ１）が、アームを介して、角度位置及び遊星歯車半径差r＝１／２ΔP（r＝１／２瞬間的に位置固定されている連結棒ジャーナル（Ｚｐ）においてジャーナルHZ３の実際アーチと規定アーチ間の半径差、即ち、歯車減速i＝４:１）において移動されられ、局所的な追随して動くPVクランク機構又は偏心機構を装備し、遊星歯車（Ｚｐ）によって、制御機能に対応して制御され、回転方向が逆なため、外輪（Ｚａ）及び／内輪（Ｚｉ）を連結してある。PVの軸は、クランクシャフトジャーナル（HZ２）の新しい位置に組みこまれる。このようにして、連結棒のクランクシャフトジャーナル（HZ３）は、調整アーチ＝規定アーチ上（PZの相対的及び瞬間的に位置固定された点としてのPZ内に中心を置いた半径）を、HZ１の実際アーチのかわりに、HZ２分動く。連結棒ジャーナル（PZ）は、クランクシャフトが０° KWから９０° KWへと回転する間、スイッチ可能な固定具（ストップ）によって、その位置に一定して固定され、ピストンはクランクシャフト回転中OT位置を変えない;同じ原理が、UT位置１８０° KW から２７０° KWのケースに適用される。連結棒ジャーナル（PZ）を動かないようにするため、この段階での行程を固定させ、クランクシャフトジャーナルHZ３を規定アーチにも追随させる。
  103. 「調節板カム 位置固定」原理を使ったバリエーションC（図１９５）の連結棒長さ調節器（PLV）が、高さ又は長さ調整を、ピストン（K１）及びピストン（K２）用に一つの調節連結棒、独立した行程分配装置１／２HK１及び１／２HK２を使用した構造で、以下のように行うことを特徴とする、請求項９８に記載の界力機械。カム板は位置固定されていて、外部カム板と内部カム板を付帯し、規定アーチのガイド軌道内で、一つのカムロール（KR）が可変ジャーナルHZ１（クランクシャフトのジャーナルHZと接続した振動するアーム（A）を介して連結している）としてHZ１に連結している連結棒（P）といっしょに動くことで、クランクシャフト位置に対して相対的に、規定アーチ上で連結棒長さ調節が行われる。内部軌道上に発生する鋭い転換点は、内部軌道上に厚さdで素材を塗布し、外部軌道に対して同一間隔の曲げ半径に変形させ、ローリングの鋭さを少なくし、磨耗を削減する。軸受け（KR）の半径によって、該当する加速機能を有する同一間隔のガイド軌道となる。
  104. 異なるバリエーションの調節器（PLV）が、クランク連動機構において回転運動へより効果的に（より大きなてこに基づく、より高いトルクと仕事量）直線的に変換するための、新しい変換原理として、燃焼エンジン、コンプレッサー、ポンプ及び他の力-トルク変換機構用に導入可能であることを特徴とする、請求項９８に記載の界力機械。
  105. 電子生成器、電荷レギュレータ、バッファ電池、クラッチ、熱交換器、遮蔽装置、負荷等から構成され、FKMサブシステムを組み合わせた界力機械-生成器-モーター-システム、界力生成器（FKG）、FKGソリッド-ステイト-バージョンとしては、界-半導体変調器（FKG）、界力モーター（FKE）、及び／又は直線運動／回転運動変換では、連結棒-調節器-システムが、相互調節された関連性をもつことで、完全に新しい自立した駆動システム／ユニット及び／又はエネルギー源及び／又はエネルギーポンプ（左循環プロセス）が生まれる（図１９７）ことを特徴とする、界力機械。
  106. 界生成器及び／又は界力モーター（FKE）が、優先的にシリンダピストン、フリーピストン、周回ピストン、横方向シリンダピストン機械として形成される、又は界電池（FB）間の作動エアギャップが一定している横方向機械として、優先的にロータリーシリンダ、回転磁界又は移動磁界機械として並びに可動コンポーネントのない（界変調器を除く）FKGソリッド-ステイト界生成器として形成される、横方向機械の機械種類で製造されることを特徴とする、請求項１０５に記載の界力機械。
  107. 界力機械の製造が、マクロ技術、ミクロ技術、ナノ技術と、次元を分けて、部分及び全体的に行われることを特徴とする、請求項１０５又は１０６に記載の界力機械。
  108. 導入及び応用又は利用するにあたって、陸上、水中、空中、宇宙と、制限がないのを、及び、界力機械に用途の制限がなく、移動システムでは、例えば、自動車、鉄道、船、オートバイ、飛行機などの駆動用に、及び、固定されたシステムでは、例えば家庭において、熱や冷気の発生、水供給などのために、並びに、工業的には、機械の駆動及び／又は電気エネルギー発生のために導入可能であることを特徴とする、請求項１０５、１０６又は１０７に記載の界力機械。
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