JP2007501764A - 方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、放射性化合物を製造するのに用いる、前駆体に放射性カルボニル基を組み入れることによる、放射性化合物の新規製造方法に関する。これらの放射性化合物は、インビボでのイメージング技術、例えば陽電子放出断層撮影を含む多くの用途を有する。

Description

発明の詳細な記載
発明の分野
本発明は、放射性標識化合物の製造方法に関する。さらに特別には、本発明は、放射性標識化合物の製造方法であって、放射性カルボニル基を前駆体に取り込み、ついで、放射性標識化合物の製造に用いることを含む方法に関する。これらの放射性標識化合物は、インビボでのイメージング技術、例えば陽電子放出断層撮影を含む多くの使用を有する。
発明の背景
陽電子放出断層撮影(PET)は、高空間および時間分解能を示し、組織におけるトレーサー濃度の定量を可能にする、断層イメージング技術である。この技術は、陽電子放出性放射性核種で標識化した放射性トレーサーの使用を含み、種々の生体組織の生理学または生物学に関するパラメータの測定を可能にする。
化合物は、陽電子またはγ線放射性核種で標識化することができる。最も一般的に用いられる陽電子放出(PET)放射性核種は11C、18F、15Oおよび13Nであり、これらは、加速器で製造され、それぞれ、20.4、109.8、2および10分の半減期を有する。このような短い半減期のために、11C、15Oおよび13N標識化放射性医薬は、製造した時点で使用しなければならず、特有の合成方法の開発が必要とされている。
11C(T1/2=20.4分)は、生物学的および物理化学的特性を変更させることなく、いずれの有機分子においても、非放射性炭素と置換することができるので、PETの重要な中性子−欠乏放射性核種である。PET放射性核種を分子に組み込む新規方法の創作には、新規11C標識化前駆体の開発および操作が重要事項である。
11Cは、天然に生じる安定な同位体12Cおよび13Cを含まず、窒素を含有する対象ガスにおける14N(p,α)11C反応を用いる小型陽子加速器において高収率で製造することができる(Christman, et al., 1975; Clark, et al., 1975 および Welch et al., 1968)。微量の酸素(例えば、0.1%酸素)の存在下、形成される放射性化学種は[11C]二酸化炭素であり、これは、グリニャール試薬(有機マグネシウムハロゲン化物)の11C−カルボキシル化において直接使用するのに安定である。また、[11C]二酸化炭素は、種々の二次的な放射性標識化化学物質、例えば高比放射性[11C]ヨウ化メチルに変換することが可能である。
炭素−11での放射性標識化において重視すべきことは、放射性標識化合物の比放射能の最大化である。[11C]二酸化炭素の大気の二酸化炭素(3.4×10ppm)での同位体希釈は、実質的にその比放射能を減少させ、したがって、PETプローブとして得られた放射性標識化合物への適用が限定される。
化合物を放射性標識するための[11C]二酸化炭素の別の使用方法として、大気の一酸化炭素(0.1ppm)により同位体希釈されにくいので、[11C]一酸化炭素を代わりに用いることができる。[11C]二酸化炭素を高温で還元金属を用いて還元することによる、[11C]一酸化炭素の製造法は、よく知られている(Gmelins 1972; Clark, et al., 1975; Zeisler, et al.,1997)。亜鉛およびモリブデンが、[11C]二酸化炭素/一酸化炭素変換に関して、最も広く用いられる還元剤である。
しかしながら、放射性標識化合物の製造に関するほとんどの前駆体を溶解することができる少量の有機溶媒中に11COを捕捉することは困難である。分取HPLCの手段による放射性標識化生成物の分離を容易にし、反応混合物中の出発物質の濃度を増加させ、それにより、望ましい方向に反応を進めることができるので、溶媒は少量であることが必要とされる。
1978年に、Roeda, et al.は、[11C]一酸化炭素から[11C]ホスゲンを製造する方法を記載しているが、低収率であり、適当な装置および一酸化炭素を効果的に捕捉し、反応させる方法が無かったので、放射性医薬の製造におけるその実用性は、非常に限定されていた。
放射性標識化合物の製造に関する[11C]一酸化炭素の既存の捕捉方法は、溶液中の[11C]一酸化炭素を十分に高レベルに維持するために高圧または[11C]一酸化炭素の再循環に依存している(Kihlberg, et al., 1999; Hostetler, et al., 2002)。これは、[11C]一酸化炭素および特殊な装置の取り扱いのために、専用の自動ロボットシステムの使用を必要とする。
ボランカルボニル(HBCO)は、ボランカルボネート、例えばカリウム塩K[HBCO]に対する中間前駆体であり、これは、1967年に、高温で水中のCOを放出することが報告されている(Malone et al., 1967; Malone et al., 1967a)。空気中で安定な固体K[HBCO]の生産は、B+COの公知の方法により製造されるが、自然性ガスであるので、加圧条件下においてHB.COで処理することは不便である(Carter, et al., 1965; Mayer, 1971)。Alberto et al., (2001)は、市販のHB.THFからHB.COを調製し、その系でアルコール性水酸化カリウム溶液と反応させることにより、K[HBCO]を大気圧下で製造できることを見出した。反応から生じるTHFを選択的に凝縮することによりHBCOおよびHB.THFの双方向反応の平衡を制御することにより達成された。ついで、得られたK[HBCO]を、その系において、水溶液CO供給源および還元剤として用いた。
この度、放射性標識HB.COは、高圧オートクレーブまたは再循環ユニットを必要とせずに放射性標識化合物を製造するため、有機溶媒、水性溶媒ならびに有機および水性溶媒の混合物において放射性標識化一酸化炭素を放出させるのに用いることができることを見出した。
発明の詳細な説明
したがって、第1の態様において、本発明は、放射性標識HB.COの製造方法であって、適当な溶媒中、HBを一酸化炭素および適当な塩基と接触させることを含み、該一酸化炭素を放射性標識化することを特徴とする方法を提供する。
放射性標識化HB.COは、ボラン(HB)を、適当な溶媒中、放射線標識化一酸化炭素と反応させることにより調製することができる。反応に適当な溶媒は、HBを溶解し、酸素の自由電子対、例えば、テトラヒドロフラン(THF)およびエーテル、例えばジエチルエーテルおよびジオキサンと配位させることができる溶媒である。THFは、高沸点、水に対する低アフィニティーおよび比較的安価であることから、溶媒として好ましい。
また、他の元素の水素化物、例えば水素化アルミニウムガリウム、水素化インジウムおよび水素化タリウムも、放射性標識化一酸化炭素との配位が期待されるだろう。しかしながら、この反応に適当な溶媒中で水素化アルミニウムは不安定であるので、アルミニウム化合物を用いるべきである場合、好ましい化合物は、THF中のAlClまたはアルミニウムトリオルガニルのような化合物であるだろう。
フリー溶媒は、凝縮または他の適当な手段、例えば固体支持体により反応から除去することができる。このことは、放射性標識HB.COの生産を増加させる方向に反応の平衡を移動させるのに有利である。
反応に用いられる一酸化炭素は、以下の同位体:11C、13C、14C、15Oまたは18Oのいずれかで、いずれもの慣用的な方法により標識化することができる。好ましくは、11Cを用いる。
本発明の方法に用いるのに適当な溶媒は、エーテル、例えばジエチルエーテルおよびジオキサンおよびテトラヒドロフランを含む。好ましくは、テトラヒドロフランを用いる。また、溶媒の適当な混合物を用いてもよい。
本発明の第2の態様において、本発明は、放射性標識化合物のカルボニル化による製造において放射性標識一酸化炭素のドナーとしての、本発明の第1の態様に従って製造された放射性標識HB.COの使用を提供する。
実際として、本発明の第2の態様において、下記スキーム1に説明するカップリング反応において本発明の第1の態様に従って調製した放射性標識HB.COを用いて行うことができ、該カップリング反応は、典型的には、ハロゲン化物またはトリフラート(トリフルオロメタンスルホネート)を、求核剤(アルコール、アミン、チオール)または有機スタンナン、塩基および触媒、例えばパラジウム(0)触媒と一緒に用いて行って、エステル、アミド、ケトン、アルデヒド、カルボキシチオエステルを得るか、あるいはニトロ成分またはアジド誘導体を反応させて、イソシアネート誘導体を形成するか、あるいは、2つの求核剤をセレンの存在下で、カルバメート、チオカルバメート、カルボネートおよび尿素に縮合させることにより行われる。
本発明の方法で用いるのに適当な塩基は、トリエチルアミン(TEA)、N−メチルジブチルアミン(MDBA)、M−メチル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン(N−MTMP)およびN,N−ジ−イソプロピル−エチルアミン(DIPEA)を含む。また、適当な塩基の混合物を用いてもよい。
本発明の第1および第2の態様において用いる出発物質および試薬は市販されているか、あるいは、よく知られた慣用的な方法により合成することができる。非放射性標識HB.COの形成に用いられる反応条件は、Alberto et al., (2001)に記載されており、他の反応条件、例えばCOの放射性標識化およびカルボニル化はよく知られている。
11C]COを還元金属(通常、亜鉛またはモリブデン)で還元することにより調製した[11C]COは、慣用的な方法、例えば液体窒素中のモレキュラーシーブまたはシリカを用いて捕捉することができ、ついで、不活性ガス担体を用いて、BH・THFの溶液に移す。ついで、このように形成した[11C]ボランカルボニル([11C]HB.CO)複合体を反応チャンバーに移し、そこで、慣用的なカップリング法を用いて、適当な成分と反応させて必要な化合物が構築される。多くの慣用的なカップリング反応は、高温で生じ、反応チャンバーは、マイクロ波を用いるのに適当な物質で作られる(例えば、ガラス)。
11C]ボランカルボニルの形成を促進するために、THFを、典型的には凝縮により反応から除去する。カップリング反応は、典型的には、スキーム1に記載のように、[11C]ボランカルボニルを、適当な出発物質および試薬と反応させることにより行う。
Figure 2007501764
この方法により放射性標識化するのに適当な化合物は、カルボニル基を含有する化合物である(いくつかの例をスキーム2に示す)。
Figure 2007501764
また、アミドおよびイミドは、ラクタムを含み、カルボン酸エステルは、ラクトンを含みうる。
第3の態様において、本発明は、本発明の第1の態様に従って製造された放射性標識H3B.COを提供する。
第4の態様において、本発明は、本発明の第2の態様に従ってカルボニル化することにより製造された放射性標識化合物を提供する。
すべてドーパミンD2リガンドである、エピドライド(Edidepride)(N−((S)−1−エチル−ピロリジン−2−イルメチル)−3−ヨウド−5−メトキシ−ベンズアミド)、FLB(5−ブロモ−N−((S)−1−エチル−ピロリジン−2−イルメチル)−2,3−ジメトキシ−ベンズアミド)およびラクロプライド(3,5−ジクロロ−N−((S)−1−エチル−ピロリジン−2−イルメチル)−2−ヒドロキシ−6−メトキシ−ベンズアミド)およびベンゾジアゼピン受容体リガンドであるPK11195(1−(2−クロロ−フェニル)−イソキノリン−3−カルボン酸)は、[11C]COで標識化することができるカルボニル基を含有する、通常用いられるPETリガンドを用いる。
第5の態様において、本発明は、イメージング技術、例えば陽電子放出断層撮影、単一光子放出断層撮影およびオートラジオグラフィー(古典的およびリン光体イメージングプレート)における、本発明の第4の態様による放射性標識化合物の使用を提供する。
第6の態様において、本発明は、本発明は、上記したイメージング技術に用いるのに適した、本発明の第4の態様による放射性標識化合物および医薬上許容される担体を含む組成物を提供する。
発明の詳細な記載
さらに、本発明を下記実施例に記載する:
実施例
略号リスト:
THF:テトラヒドロフラン
TEA:トリエチルアミン
DBU:1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデク−7−エン
TMP:テトラメチルピペリジン
DMF:ジメチルホルムアミド
DIPEA:N,N−ジ−イソプロピル−エチルアミン
MDBA:N−メチルジブチルアミン
N−MTMP:M−メチル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン
11C]N−ベンジル−ベンズアミド(I)の合成
Figure 2007501764
実施例1
反応バイアルの調製
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、700μLのTHF(数分間Nを通気して脱気した)中に溶解した。ついで、300μLのTHF中に溶解したヨウドベンゼン(1.5mg、0.00735mmol)およびベンジルアミン(1.2mg、0.011mmol)(数分間Nを通気して脱気した)を、パラジウム複合体の溶液に加えた。TEA(1.6μL、0.0088mmol)を加え、反応バイアルを、−78℃の浴中の反応機構に置いた。
合成
11C]二酸化炭素を、窒素ガスターゲット(1%の酸素を含有する)を用いて、150psiの加圧下、General Electric Medical Systems PETtrace 200サイクロトロンを用いて16MeVプロトンを衝突させて、14N(p,α)11C核反応により製造した。典型的には、照射時間は、40μAビーム電流を用いて30分である。照射後、[11C]二酸化炭素を、4Åモレキュラーシーブで捕捉し、濃縮した。捕捉した[11C]COをモレキュラーシーブから、窒素(30mL/分)流を用いて、350℃に加熱することにより解放させた。[11C]COは、稼働中に、400℃に加熱された亜鉛粒で満たされた石英管を通り抜けた後、[11C]一酸化炭素に還元される。生成した[11C]一酸化炭素を、30mL/分で反応系に移し、そこで、−196℃で4Åモレキュラーシーブで凝縮した。[11C]COをデリバリーし、捕捉して6分後、ついで、放射性ガスを、室温にて窒素(6mL/分)流で解放して、BH.THF溶液(1.5mLの1.0M溶液)に通気して、[11C]BH.CO複合体を形成した。この複合体を窒素流で−60℃に冷却した空のバイアルに移して、THFを除去し、最終的に、−78℃に冷却した反応物を含有する反応バイアルに移した(上記反応バイアルの調製を参照のこと)。捕捉工程は約6分間を要した(反応バイアルにおいて測定した放射性レベルが最大に到達した時点)。ついで、デリバリー管を除去し、反応バイアルをオーブンで、110℃で10分間加熱した。粗生成物を0.45μmフィルターで濾過し、分析ラジオHPLCを用いて分析した。
分析HPLCは、Dionex HPLCポンプ(Model P 680A LPG)、Phenomenex Sphereclone 5u ODS(2)カラム(250×4.60mm、5μm)に直列に接続された200μlインジェクションループ、機構内でヨウ化ナトリウムラジオ検出器と直列に存在する可変Dionex UV/VIS検出器(Type UVD 170U/340U)を備えた、Dionexシステム(SUMMIT HPLCシステム)を用いて行った。
所望の最終生成物は、非放射性リファレンスと同時に注入することにより同定した。生成物に与えられた収率は、EOS(合成の最後)での反応バイアル中に捕捉された最終放射性に基づく。
分析HPLCにより、実施例1の所望の放射性標識化[11C]N−ベンジルベンズアミドの形成における収率は、約1.7%であることが示された。
実施例2
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、700μLのTHF:HO、4:1溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解し、ヨウドベンゼン(1.5mg、0.00735mmol)およびベンジルアミン(1.2mg、0.011mmol)を、300μLのTHF:HO、4:1の溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解すること以外は、実施例1に記載のように行った。反応バイアルを、0℃で浴中の反応機構に置き、[11C]BH.COの捕捉後、反応バイアルを、120℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約7%収率で形成したことを示した。
実施例3
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、700μLのTHF+2%HO溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解させ、ヨウドベンゼン(1.5mg、0.00735mmol)およびベンジルアミン(1.2mg、0.011mmol)を、300μLのTHF+2%HO溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解し、ついで、[11C]BH.COを捕捉した後、反応バイアルを、120℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は実施例1に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約30%の収率で形成したことを示した。
実施例4
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの具尾性を、二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、700μLのTHF+1%HO溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解し、ヨウドベンゼン(1.5mg、0.00735mmol)およびベンジルアミン(1.2mg、0.011mmol)を、300μLのTHF+1%HO溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解し、[11C]BH.COの捕捉後、反応バイアルを50℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は実施例1に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約17%の収率で形成したことを示した。
実施例5
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、[11C]BH.COを捕捉した後、反応バイアルを70℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は実施例4に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約47%の収率で形成したことを示した。
実施例6
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、[11C]BH.COを捕捉した後、反応バイアルを85℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例4に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約47%の収率で形成したことを示した。
実施例7
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、[11C]BH.COを捕捉した後、反応バイアルを120℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例4に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約47%の収率で形成したことを示した。
実施例8
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、[11C]BH.COを捕捉した後、反応バイアルを140℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例4に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約28%の収率で形成したことを示した。
実施例9
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、DBU(1.3μL、0.0016mmol)をTEAの代わりに用いること以外は、実施例5に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが微量に形成したことを示した。
実施例10
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、2,2,6,6−TMP(1.7μL、0.009mmol)をTEAの代わりに用いること以外は、実施例5に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約8%の収率で形成したことを示した。
実施例11
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、ピリジン(0.7μL、0.0088mmol)をトリエチルアミンの代わりに用い、反応バイアルを40〜80℃で15分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例5に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約28%の収率で形成したことを示した。
実施例12
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、ベンジルアミン(3.6mg、0.034mmol)をTEAの代わりに用い、反応バイアルを90℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例5に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約20%の収率で形成したことを示した。
実施例13
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、ベンジルアミン(3.6mg、0.034mmol)をTEAの代わりに用い、二酢酸パラジウム(II)、トリフェニルホスフィン、ヨウドベンゼンおよびベンジルアミンベンジルアミンをDMF中に溶解し、TEAを加えた後、反応バイアルを−50℃で浴中の反応機構に置くこと以外は、実施例4に記載のように行った。[11C]BH.COを捕捉した後、反応バイアルを900℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約23%の収率で形成したことを示した。
実施例14
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、ベンジルアミン(3.6mg、0.034mmol)をTEAの代わりに用い、二酢酸パラジウム(II)、トリフェニルホスフィン、ヨウドベンゼンおよびベンジルアミンベンジルアミンを1,2−ジクロロエタン中に溶解し、TEAを加え、反応バイアルを−20℃で浴中の反応機構に置くこと以外は、実施例4に記載のように行った。[11C]BH.COを捕捉した後、反応バイアルを110℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約12%の収率で形成したことを示した。
実施例15
反応バイアルの調製
反応バイアルの調製を、二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.11mmol)を、1%HOを補足した700μLのTHF中に溶解し、ヨウドベンゼン(1.5mg、0.00735mmol)およびベンジルアミン(1.2mg、0.011mmol)を、1%HOを補足した300μLの脱気したTHF中に溶解すること以外は実施例1に記載のように行った。
合成
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、生成した[11C]COを、トラップ(12−インコイルの1/16”ステンレススチール管、0.040”i.d.、carbonex1000を充填、45/60メッシュ(Supelco)からなる)で、−196℃で凝縮すること以外は、実施例1に記載のように行った。[11C]COをデリバリーし、捕捉してから6分後、放射性ガスを室温で解放し、窒素(6mL/分)流で空のバイアルに通して反応器にBH.THF溶液(1.5mLのTHF中1.0M溶液)を充填し、[11C]BH.CO複合体を形成した。ついで、複合体を、窒素流で−78℃に冷却した空のバイアルに移し、最終的に、−78℃で冷却した反応物を含有する反応バイアルに移した。[11C]BH.CO複合体をデリバリーして6分後、管を除去し、反応バイアルを95℃で10分間オーブンで加熱した。粗生成物を、0.45μmのフィルターを通して濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約47%の収率で形成したことを示した。
実施例16
11C]N−ベンジル−ベンズアミドの合成を、TEAの代わりにDIPEA(1.53μL、0.0088mmol)を用い、[11C]BH.CO複合体を含有する反応バイアルを[11C]を、90℃で10分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例5に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約91%の収率で形成したことを示した。
11C]フタリドの合成
Figure 2007501764
実施例17
テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(1.1mg、0.95μmol)を、HO溶液(Nを数分間通気して脱気した)中に溶解した。ついで、2−ブロモベンジルアルコール(1.1mg、0.006mmol)およびKCO(5mg、0.036mmol)の混合物を、300μLのTHF+1%HO溶液(Nを数分間通気して脱気した)に加え、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構においた。実施例1に記載のように[11C]BH.COを捕捉した後、反応を100℃で4分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−ベンジルベンズアミドが約91%の収率で形成したことを示した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが微量に形成したことを示した。
実施例18
二酢酸パラジウム(II)(0.8mg、0.0035mmol)およびトリフェニルホスフィン(5mg、0.020mmol)を、700μLのTHF+1%HO溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、2−ブロモベンジルアルコール(2.2mg、0.012mmol)およびKCO(5mg、0.036mmol)の混合物を、300μLのTHF+1%HO溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを−78℃の浴中の反応機構中に置いた。実施例1に記載のように[11C]BH.COを捕捉した後、反応を120℃で5分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが微量に形成したことを示した。
実施例19
二酢酸パラジウム(II)(0.8mg、0.0035mmol)およびトリフェニルホスフィン(5mg、0.020mmol)を、700μLのTHF溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、2−ブロモベンジルアルコール(2.2mg、0.012mmol)およびDBU(2.0μL、0.014mmol)の混合物を、300μLのTHF溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを−78℃の浴中の反応機構に置いた。実施例1に記載のように[11C]BH.COを捕捉した後、反応を110℃で5分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが微量に形成したことを示した。
実施例20
二酢酸パラジウム(II)(0.8mg、0.0035mmol)およびトリフェニルホスフィン(5mg、0.020mmol)を、700μLのTHF溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、300μLのTHF中の2−ブロモベンジルアルコール(2.2mg、0.012mmol)の溶液(Nを数分間通気して脱気した)を、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例1に記載のように[11C]BH.COを捕捉した後、反応を120℃で5分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが約40%の収率で形成したことを示した。
実施例21
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、700μLのTHF+1%HO溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、2−ブロモベンジルアルコール(2.2mg、0.012mmol)およびTEA(1.9μL、0.014mmol)の混合物を、300μLのTHF+1%HO溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例1に記載のように[11C]BH.COを捕捉した後、反応を90℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが約26%の収率で形成したことを示した。
実施例22
二酢酸パラジウム(II)(1.0mg、0.0044mmol)およびトリフェニルホスフィン(6mg、0.022mmol)を、700μLのTHF+1%HO溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、2−ブロモベンジルアルコール(2.2mg、0.012mmol)およびTEA(1.9μL、0.014mmol)を、300μLのTHF+1%HO溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例1に記載のように[11C]BH.COを捕捉した後、反応を90℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが約20%の収率で形成したことを示した。
実施例23
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、1%HOを補足した700μLのTHF溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、2−ブロモベンジルアルコール(1.37mg、0.0073mmol)およびDIPEA(1.53μL、0.0088mmol)の混合物を、1%HOを補足した300μLのTHF(Nを数分間通気して脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。[11C]BH.COの捕捉を実施例15に記載のように行い、反応を95℃で10分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが約40%の収率で形成したことを示した。
実施例24
11C]フタリドの合成を、反応を95℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析すること以外は、実施例23に記載のように行った。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]フタリドが約89%の収率で形成したことを示した。
11C]N−メチルニコチンアミドの合成
Figure 2007501764
実施例25
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、1%HOを補足した400μLのTHF(Nを5分間通気することにより脱気した)に溶解した。ついで、3−ヨウドピリジン(1.5mg、0.0073mmol)およびDIPEA(1.53μL、0.0088mmol)の混合物を、THF中の600μLのメチルアミン(2.0M)溶液に溶解し、ついで、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例15に記載のように[11C]BH.COを捕捉した後、反応を140℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]N−メチルニコチンアミドが約95%の収率で形成したことを示した。
11C]6−[(3−シクロブチル−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−3−ベンズアゼピン−7−イル)オキシ]−N−メチルニコチンアミドの合成(WO2004/056369)
Figure 2007501764
実施例26
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、1%HOを補足した700μLのTHF溶液(Nを5分間通気することにより脱気した)に溶解した。ついで、3−シクロブチル−7−[(5−ヨウド−2−ピリジニル)オキシ]−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−3−ベンズアゼピン(3.1mg、0.0073mmol)、DIPEA(1.53μL、0.0088mmol)およびメチルアミン2.0M(0.011mmol、5.48μLのTHF溶液)の混合物を、1%HOを補足した300μLのTHF溶液(Nを5分間通気することにより脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例15に記載のように[11C]BH.COを捕捉した後、反応を100℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]6−[(3−シクロブチル−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−3−ベンズアゼピン−7−イル)オキシ]−N−メチルニコチンアミドが約6.5%の収率で形成したことを示した。
実施例27
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、1%HOを補足した400μLのTHF溶液(Nを数分間通気して脱気した)に溶解した。ついで、3−シクロブチル−7−[(5−ヨウド−2−ピリジニル)オキシ]−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−3−ベンズアゼピン(1.6mg、0.00365mmol)、DIPEA(1.53μL、0.0088mmol)およびメチルアミン2.0M(0.011mmol、5.48μLのTHF中溶液)の混合物を、1%HOを補足した300μLのTHF溶液(Nを5分間通気することにより脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例15に記載のように[11C]BH.COを捕捉した後、反応を140℃で8分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[11C]6−[(3−シクロブチル−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−3−ベンズアゼピン−7−イル)オキシ]−N−メチルニコチンアミドが約44.4%の収率で形成したことを示した。
実施例28
11C](4−(1−{4−[4−(3−ピペリジン−1−イル−プロポキシ)−フェニル]−ピペラジン−1−イル}−メタノイル)−ベンゾニトリルの合成(WO2004/035556)
Figure 2007501764
二酢酸パラジウム(II)(0.5mg、0.0022mmol)およびトリフェニルホスフィン(2.9mg、0.011mmol)を、1%のHOを補足した700μLのTHFの溶液(Nを5分間通気することにより脱気した)に溶解した。ついで、1−(4−{[3−(1−ピペリジニル)プロピル]オキシ}フェニル)ピペラジン(2.05mg、0.0055mmol)、DIPEA(1.86μL、0.011mmol)および4−ヨウド−ベンゾニトリル(0.0036mmol、0.85mg)の混合物を、1%のHOを補足した300μLのTHF(Nを5分間通気することにより脱気した)に溶解し、パラジウム複合体の溶液に加えた。反応バイアルを、−78℃で浴中の反応機構に置いた。実施例15に記載のように[11C]BH.COを捕捉した後、反応物を140℃で7分間加熱し、濾過し、放射性含有量を分析した。HPLCクロマトグラムの分析は、所望の[[11C](4−(1−{4−[4−(3−ピペリジン−1−イル−プロポキシ)−フェニル]−ピペラジン−1−イル}−メタノイル)−ベンゾニトリルが約30%の収率で形成したことを示した。
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Claims (17)

  1. 放射性標識化HBCOの製造方法であって、HBを適当な溶媒中で一酸化炭素と接触させることを含み、該一酸化炭素が放射性標識化されていることを特徴とする方法。
  2. 適当な塩基の存在下で行われる、請求項1記載の方法。
  3. 混合物からフリー溶媒を除去することにより、放射性標識HBCOの生産を促進する、請求項1または2記載の方法。
  4. 混合物からのフリー溶媒の除去を、凝縮により促進する、請求項3記載の方法。
  5. 溶媒がいずれのエーテルまたはテトラヒドロフランを含む、請求項1〜4いずれか1項記載の方法。
  6. 溶媒が、ジエチルエーテル、ジオキサンまたはテトラヒドロフランを含む、請求項1〜5いずれか1項記載の方法。
  7. 溶媒がテトラヒドロフランである、請求項1〜6いずれか1項記載の方法。
  8. 塩基が、トリエチルアミン、N−メチルジブチルアミン、M−メチル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジンまたはN,N−ジ−イソプロピル−エチルアミン(DIPEA)である、請求項1〜7いずれか1項記載の方法。
  9. 一酸化炭素が、11C、13C、1415Oまたは18Oで放射線標識化された、請求項1〜8いずれか1項記載の方法。
  10. 放射線標識が11Cである、請求項9記載の方法。
  11. 放射線標識化一酸化炭素のドナーとしての、請求項1〜10いずれか1項記載の方法に従って製造される放射性標識化HBCOを用いるカルボニル化による、放射性標識化合物の製造方法。
  12. 請求項11記載の方法を用いて製造した、放射性標識化合物。
  13. イメージング技術における、請求項12記載の放射性標識化合物の使用。
  14. イメージング技術が、陽電子放出断層撮影、単一光子放出断層撮影またはオートラジオグラフィーから選択される請求項13記載の使用。
  15. イメージング技術が、陽電子放出断層撮影から選択される、請求項14記載の使用。
  16. 請求項1〜11いずれか1項記載の方法の生成物。
  17. 請求項12記載の放射性標識化合物を含む組成物。
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