JP2007336148A - Electrical property adjusting device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To offer an automatic impedance adjusting device which carries out automatic adjusting of variable capacitor's positions of two variable capacitors in order to establish an arbitrary impedance as a dummy load. <P>SOLUTION: The impedance automatic adjusting device is provided with an adjusting means which adjusts two variable capacitor positions of the dummy load, and an evaluation value calculation means which calculates evaluation values from impedance measured by an impedance measuring device. The impedance automatic adjusting device alternatively repeats two adjustments of an adjustment by one adjusting means so that the evaluation value becomes minimum in a condition that another adjusting means is fixed, and an adjustment by another adjusting means so that the evaluation value becomes minimum in a condition that one adjusting means is fixed until an impedance measured by the impedance measuring device is in a predetermined range. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本願発明は、電気的な特性値を変化することができる装置の特性値を目標特性値に自動調整する電気特性調整装置に関する。   The present invention relates to an electrical characteristic adjusting device that automatically adjusts a characteristic value of a device capable of changing an electrical characteristic value to a target characteristic value.

高周波電源装置から高周波電力をプラズマ処理装置に供給し、エッチング等の方法を用いて半導体ウェハや液晶基板等の被加工物を加工するプラズマ処理システムにおいては、プラズマ処理中にプラズマ処理装置のインピーダンスが大きく変動するため、一般に、図7に示すように、高周波電源装置10とプラズマ処理装置30との間にインピーダンス整合装置20を介在させ、このインピーダンス整合装置20によって高周波電源装置10とプラズマ処理装置30とのインピーダンス整合を行う構成が採用されている。   In a plasma processing system in which high frequency power is supplied from a high frequency power supply device to a plasma processing apparatus and a workpiece such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate is processed using a method such as etching, the impedance of the plasma processing apparatus is reduced during the plasma processing. Due to the large fluctuation, generally, as shown in FIG. 7, an impedance matching device 20 is interposed between the high frequency power supply device 10 and the plasma processing device 30, and the impedance matching device 20 causes the high frequency power supply device 10 and the plasma processing device 30 to be interposed. Is used for impedance matching.

インピーダンス整合装置20は、高周波電源装置10とプラズマ処理装置30とのインピーダンスを整合させるものであり、プラズマ処理中において、インピーダンス整合装置20の入力端20aからプラズマ処理装置30側を見たインピーダンスZ1が略50Ωになるように負荷のインピーダンスを変換する。インピーダンス整合装置20は、インダクタL1、可変リアクタンス素子であるバリコンVC1,VC2をT型接続したものと入力側検出器201と制御部202を備えている。入力側検出器201は、インピーダンス整合装置20の入力端20aに入力される高周波電源装置10の出力の電圧Vi,電流Ii,および電圧Viと電流Iiとの位相差θiを検出し、制御部202に入力する。制御部202は、マイクロコンピュータを備えており、入力側検出器201からの検出結果Vi,Ii,θiに基づいて、インピーダンス整合装置20の入力インピーダンス、すなわちインピーダンス整合装置20の入力端20aからプラズマ処理装置30側を見たインピーダンスZ1を算出する。そして、制御部202は、この入力インピーダンスZ1を高周波電源装置10の出力インピーダンスZout(=50Ω)に整合させるように、バリコンVC1,VC2の調整位置(以下、それぞれ「バリコンポジションC1」,「バリコンポジションC2」という。)を調整する。   The impedance matching device 20 is for matching the impedance between the high frequency power supply device 10 and the plasma processing device 30. During the plasma processing, the impedance Z1 when the plasma processing device 30 side is viewed from the input end 20a of the impedance matching device 20 is obtained. The load impedance is converted to approximately 50Ω. The impedance matching device 20 includes an inductor L 1, a variable-reactance element variable capacitors VC 1 and VC 2 connected in a T shape, an input-side detector 201, and a control unit 202. The input-side detector 201 detects the voltage Vi, current Ii, and the phase difference θi between the voltage Vi and current Ii, which are input to the input terminal 20a of the impedance matching device 20, and the control unit 202. To enter. The control unit 202 includes a microcomputer, and based on detection results Vi, Ii, and θi from the input side detector 201, plasma processing is performed from the input impedance of the impedance matching device 20, that is, from the input end 20a of the impedance matching device 20. The impedance Z1 when the device 30 side is viewed is calculated. Then, the control unit 202 adjusts the variable capacitors VC1 and VC2 (hereinafter referred to as “variable position C1” and “variable position”, respectively) so that the input impedance Z1 matches the output impedance Zout (= 50Ω) of the high-frequency power supply device 10. C2 ").

インピーダンス整合装置20は、制御部202がプラズマ処理装置30のインピーダンスZL(以下、「負荷インピーダンスZL」という。)の変化に応じてバリコンVC1,VC2を変化させ、入力インピーダンスZ1を出力インピーダンスZoutに整合させるようになっている。   In the impedance matching device 20, the control unit 202 changes the variable capacitors VC1 and VC2 in accordance with the change in the impedance ZL (hereinafter referred to as “load impedance ZL”) of the plasma processing device 30, and matches the input impedance Z1 to the output impedance Zout. It is supposed to let you.

なお、負荷インピーダンスZLの変化範囲に含まれる多数のインピーダンス値に対して、インピーダンス整合装置20が整合動作を正しく行えるかどうかを予め検証しておく必要がある。   It is necessary to verify in advance whether or not the impedance matching device 20 can correctly perform the matching operation with respect to a large number of impedance values included in the change range of the load impedance ZL.

図8は、図7のプラズマ処理装置30の代わりにダミーロード40を用いて、インピーダンス整合装置20の整合動作を検証するためのシステムである。   FIG. 8 is a system for verifying the matching operation of the impedance matching device 20 using a dummy load 40 instead of the plasma processing device 30 of FIG.

ダミーロード40は、擬似的にプラズマ処理装置30の特性インピーダンスを生成するものであり、インダクタL2と可変リアクタンス素子であるバリコンVC3,VC4をT型接続したもので、バリコンVC4は50Ωの抵抗R1で終端されている。なお、終端抵抗R1を50Ωにしているのは、計測系の特性インピーダンスが50Ωであるからである。バリコンVC3,VC4のキャパシタンスはステップ状に変化可能になっている。キャパシタンスを変化させることで、任意のインピーダンスを設定できるようになっている。 The dummy load 40 artificially generates the characteristic impedance of the plasma processing apparatus 30 and is a T-type connection of the inductor L2 and the variable capacitors VC3 and VC4 which are variable reactance elements. The variable capacitor VC4 has a resistance R1 of 50Ω. It is terminated. The reason why the termination resistance R1 is set to 50Ω is that the characteristic impedance of the measurement system is 50Ω. The capacitances of the variable capacitors VC3 and VC4 can be changed stepwise. An arbitrary impedance can be set by changing the capacitance.

インピーダンス整合装置20は、ダミーロード40によって擬似的に生成された、負荷インピーダンスZLの変化範囲に含まれる多数のインピーダンス値に対して、入力インピーダンスZ1を出力インピーダンスZoutに整合させる事ができるかが検証される。例えば、プラズマ処理装置30の負荷インピーダンスZLが取り得るインピーダンス値の変化範囲に40個の代表的な負荷インピーダンス値を抽出した場合、インピーダンス整合装置20は、それぞれダミーロード40によって生成された40個の負荷インピーダンス値に対して、入力インピーダンスZ1を出力インピーダンスZoutに整合させる事ができるかが検証される。   The impedance matching device 20 verifies whether the input impedance Z1 can be matched with the output impedance Zout with respect to a large number of impedance values included in the change range of the load impedance ZL generated in a pseudo manner by the dummy load 40. Is done. For example, when 40 representative load impedance values are extracted in the impedance value change range that can be taken by the load impedance ZL of the plasma processing apparatus 30, the impedance matching apparatus 20 has the 40 impedance impedances generated by the dummy load 40. It is verified whether the input impedance Z1 can be matched to the output impedance Zout with respect to the load impedance value.

ダミーロード40を用いてインピーダンス整合装置20の整合動作を検証するには、まず、ダミーロード40の2つのバリコンVC3,VC4を調整してダミーロード40に負荷インピーダンスZLの変化範囲の値を設定する。そのとき、インピーダンス整合装置20は、入力側検出器201からの入力を基に算出したインピーダンス整合装置20の入力インピーダンスZ1を高周波電源10の出力インピーダンスZout(=50Ω)に整合する事ができるかが検証される。   In order to verify the matching operation of the impedance matching device 20 using the dummy load 40, first, the two variable capacitors VC3 and VC4 of the dummy load 40 are adjusted, and the value of the change range of the load impedance ZL is set in the dummy load 40. . At that time, the impedance matching device 20 can match the input impedance Z1 of the impedance matching device 20 calculated based on the input from the input-side detector 201 with the output impedance Zout (= 50Ω) of the high-frequency power source 10. Validated.

また、近年は、図7に示すプラズマ処理システムにおいて、プラズマ処理中の動的なインピーダンス整合動作を、高周波電源装置10の出力周波数を微小変動させて行うプラズマ処理システムも実用化されている。出力周波数を微小変動させてインピーダンス整合を行う高周波電源装置を可変周波数電源装置という。当該プラズマ処理システムにおいては、インピーダンス整合装置20は伝送路に並列に接続された1つのバリコンVC1によって構成されていて、伝送路に直列に接続されるバリコンVC2を含まない。このようなインピーダンス整合装置を固定整合装置という。プラズマ処理中の動的なインピーダンス整合動作は、可変周波数電源装置の出力周波数を中心周波数fo±Δfで変化させることと、固定整合装置のバリコンVC1の調整で行われる。この場合も図8に示す検証システムと同様にプラズマ処理装置30の代わりにダミーロード40を用いて、負荷インピーダンスZLの変化範囲に含まれる多数のインピーダンス値に対して、入力インピーダンスZ1を出力インピーダンスZoutに整合させる事ができるかが検証される。   In recent years, in the plasma processing system shown in FIG. 7, a plasma processing system that performs a dynamic impedance matching operation during plasma processing by minutely changing the output frequency of the high-frequency power supply device 10 has been put into practical use. A high frequency power supply device that performs impedance matching by minutely changing the output frequency is called a variable frequency power supply device. In the plasma processing system, the impedance matching device 20 includes one variable capacitor VC1 connected in parallel to the transmission line, and does not include the variable capacitor VC2 connected in series to the transmission line. Such an impedance matching device is called a fixed matching device. The dynamic impedance matching operation during the plasma processing is performed by changing the output frequency of the variable frequency power supply device at the center frequency fo ± Δf and adjusting the variable capacitor VC1 of the fixed matching device. In this case, similarly to the verification system shown in FIG. 8, the dummy load 40 is used instead of the plasma processing apparatus 30, and the input impedance Z1 is set to the output impedance Zout with respect to many impedance values included in the change range of the load impedance ZL. It is verified whether it can be matched with

ところで、インピーダンス整合装置や可変周波数電源装置の整合動作を検証するためには、ダミーロード40に負荷インピーダンスZLの変化範囲に含まれる各インピーダンス値を設定するためのバリコンVC3,VC4の調整位置(以下、それぞれ「バリコンポジションC3」,「バリコンポジションC4」という。)を予め取得しておかなければならない。ダミーロード40に負荷インピーダンス値を設定するためのバリコンポジションC3,C4の調整(以下、「インピーダンス調整」という。)は、インピーダンス計測装置で計測されたインピーダンスZ=R+jXの実部Rと虚部Xの値から、高周波計測に特有のスミスチャート上に表示されるインピーダンス計測値(R,X)を見ながらバリコンポジションC3,C4を変化させ、インピーダンス計測値(R,X)が許容範囲に収まるまで調整を行う作業であり、バリコンポジションC3,C4を同時に変化させるのではなく、いずれかのバリコンポジションC3,C4を調整する動作を繰り返すことによって行われるので、各バリコンポジションC3,C4を変化させたときに、インピーダンス計測値(R,X)がスミスチャート上をどのように変化するのかを経験的に知っていなければ、インピーダンス計測値(R,X)を目標値に調整することはできず、時間と熟練を要する。   By the way, in order to verify the matching operation of the impedance matching device or the variable frequency power supply device, the adjustment positions of the variable capacitors VC3 and VC4 for setting each impedance value included in the change range of the load impedance ZL in the dummy load 40 (hereinafter, referred to as the variable impedance power supply device). , “Varicon position C3” and “varicon position C4”, respectively) must be acquired in advance. Adjustment of the variable capacitor positions C3 and C4 (hereinafter referred to as “impedance adjustment”) for setting the load impedance value in the dummy load 40 is performed by the real part R and the imaginary part X of the impedance Z = R + jX measured by the impedance measuring device. The variable capacitor positions C3 and C4 are changed while observing the impedance measurement values (R, X) displayed on the Smith chart peculiar to the high frequency measurement from the value of the impedance until the impedance measurement values (R, X) fall within the allowable range. This is an adjustment operation, and is not performed by changing the variable capacitor positions C3 and C4 at the same time. Instead, the variable capacitor positions C3 and C4 are changed. Sometimes, the measured impedance value (R, X) appears on the Smith chart. Need to know whether the changes as empirically, can not be adjusted impedance measured value (R, X) to the target value, it takes time and skill.

図1は、スミスチャートにおけるインピーダンス調整を説明するための図である。インピーダンス計測値(R,X)は、バリコンポジションC3,C4の変化に合わせて直交座標上を変化するのではなく、スミスチャート上を変化する。スミスチャート上で、インピーダンス調整開始時のインピーダンス計測点をA、目標点(通常は、一定の許容範囲を設定し、設定された許容範囲に収まると目標に足したこととする。)をBとすると、インピーダンス計測点Aを直線的にBまで変化させるように調整することはできず、例えば、バリコンポジションC3を100増加させると点Aから点Cに移動し、さらにバリコンポジションC4を100増加させると点Cから点Dに移動するというように、インピーダンス計測点Aは変化する。バリコンポジションC3,C4の変化によりインピーダンス計測値(R,X)がどのように変化するかは、熟練作業者でも把握が難しく、目標のインピーダンスを得るために相当の時間を要する。例えば、初めてインピーダンス調整を行う場合は、負荷インピーダンスZLが取り得るインピーダンス値の変化範囲にある代表的な40個の負荷インピーダンス値を調整するのに数時間を要する。   FIG. 1 is a diagram for explaining impedance adjustment in the Smith chart. The impedance measurement values (R, X) do not change on the orthogonal coordinates in accordance with the change of the variable position C3, C4, but change on the Smith chart. On the Smith chart, A is the impedance measurement point at the start of impedance adjustment, and B is the target point (usually, a certain allowable range is set, and if it falls within the set allowable range, it is added to the target). Then, the impedance measurement point A cannot be adjusted so as to linearly change to B. For example, when the variable capacitor position C3 is increased by 100, the point moves from the point A to the point C, and further the variable capacitor position C4 is increased by 100. Impedance measurement point A changes such as moving from point C to point D. It is difficult for a skilled worker to understand how the impedance measurement values (R, X) change due to changes in the variable capacitor positions C3, C4, and it takes a considerable amount of time to obtain the target impedance. For example, when impedance adjustment is performed for the first time, it takes several hours to adjust the representative 40 load impedance values in the change range of the impedance value that the load impedance ZL can take.

また、ダミーロード40の状態(電源入切によるバリコンの初期化位置のズレ、個体差、経年劣化、冷却水の水温や水質など)が異なると負荷インピーダンスZLは変化するので、一度調整した負荷インピーダンス値に対応するバリコンポジションC3,C4の値を記録していたとしても、同じバリコンポジションC3,C4の値で前回調整した負荷インピーダンス値を再現することができない。よって、精度維持のためには、作業ごとに調整を行う必要があった。   Also, the load impedance ZL changes if the state of the dummy load 40 (deviation of the initialization position of the variable capacitor due to turning on / off of the power supply, individual differences, deterioration over time, cooling water temperature, water quality, etc.) changes. Even if the values of the variable capacitor positions C3 and C4 corresponding to the values are recorded, the previously adjusted load impedance value cannot be reproduced with the same variable capacitor positions C3 and C4. Therefore, in order to maintain accuracy, it is necessary to make adjustments for each work.

本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ダミーロードに負荷インピーダンスZLの変化範囲に含まれる各インピーダンス値を設定するために、2つのバリコンのバリコンポジションを自動調整するインピーダンス自動調整装置を提供することをその目的としている。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and automatically adjusts the variable capacitor positions of the two variable capacitors in order to set each impedance value included in the change range of the load impedance ZL on the dummy load. It is an object of the present invention to provide an automatic impedance adjusting device.

上記課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。   In order to solve the above problems, the present invention takes the following technical means.

請求項1に記載の電気特性調整装置は、電気的な特性値を変更可能な複数の回路素子と、これらの回路素子の特性値をそれぞれ変更するために各回路素子に対応して設けられた複数のアクチュエータと、これらのアクチュエータの駆動を制御する駆動制御手段とを備えた装置の電気的な特性値を予め設定された目標特性値に自動調整するための電気特性調整装置であって、前記電気的な特性値を計測する計測装置によって、計測された装置の特性値を入手する特性値入手手段と、前記複数の回路素子のうち、1の回路素子を可変素子としその他の回路素子を固定素子として、前記駆動制御手段により当該可変素子の特性値を所定の変化範囲で変化させる特性値変化手段と、前記特性値変化手段により前記可変素子の特性値が変化する毎に、所定の演算式により前記特性値入手手段により入手された特性値と前記目標特性値との誤差を評価する誤差評価値を演算し、この誤差評価値が最小となる前記可変素子の特性値を求める回路素子調整手段と、前記複数の回路素子の各回路素子を順番に可変素子に切り換え、各可変素子について前回可変素子とされた回路素子の特性値を前記回路素子調整手段で求められた特性値に固定して前記特性値変化手段による特性値の変更と前記回路素子調整手段による回路素子の調整を行う動作を、前記特性値入手手段により入手された特性値が前記目標特性値の許容範囲内となるまで繰り返す調整制御手段とを備えたことを特徴とする。   The electrical characteristic adjusting device according to claim 1 is provided corresponding to each circuit element in order to change a plurality of circuit elements whose electrical characteristic values can be changed and the characteristic values of these circuit elements. An electrical characteristic adjusting device for automatically adjusting an electrical characteristic value of a device including a plurality of actuators and a drive control means for controlling the driving of these actuators to a preset target characteristic value, A characteristic value obtaining means for obtaining the measured characteristic value of the device by a measuring device for measuring an electric characteristic value, and one of the plurality of circuit elements is a variable element, and the other circuit elements are fixed. As the element, characteristic value changing means for changing the characteristic value of the variable element within a predetermined change range by the drive control means, and whenever the characteristic value of the variable element is changed by the characteristic value changing means, A circuit that calculates an error evaluation value that evaluates an error between the characteristic value obtained by the characteristic value obtaining means and the target characteristic value, and obtains the characteristic value of the variable element that minimizes the error evaluation value. The element adjustment means and each circuit element of the plurality of circuit elements are sequentially switched to variable elements, and the characteristic value of the circuit element previously set as the variable element for each variable element is changed to the characteristic value obtained by the circuit element adjustment means. The operation of fixing and changing the characteristic value by the characteristic value changing means and adjusting the circuit element by the circuit element adjusting means is performed so that the characteristic value obtained by the characteristic value obtaining means is within an allowable range of the target characteristic value. It is characterized by comprising adjustment control means that repeats until

この構成によれば、インピーダンス自動調整装置はダミーロードの2つのバリコンのうち一方のバリコンを固定して他方のバリコンを変化させ、インピーダンス計測装置により計測されたダミーロードのインピーダンス値と目標インピーダンス値との誤差を評価する評価値を算出し、この評価値が最小となる様に他方のバリコンを調整する。インピーダンス自動調整装置は固定するバリコンと調整するバリコンを交代させ、ダミーロードのインピーダンス値が目標インピーダンス値の許容範囲内になるまでバリコンの調整を行う。よって、インピーダンス自動調整装置はダミーロードに負荷インピーダンスZLの変化範囲に含まれる各インピーダンス値を設定するように、ダミーロードの2つのバリコンのバリコンポジションを自動調整することができる。   According to this configuration, the automatic impedance adjustment device fixes one of the two variable capacitors of the dummy load and changes the other variable capacitor, and determines the dummy load impedance value and the target impedance value measured by the impedance measurement device. An evaluation value for evaluating the error is calculated, and the other variable condenser is adjusted so that the evaluation value is minimized. The automatic impedance adjustment device alternates between the variable capacitor to be fixed and the variable capacitor to be adjusted, and adjusts the variable capacitor until the impedance value of the dummy load is within the allowable range of the target impedance value. Therefore, the automatic impedance adjustment device can automatically adjust the variable capacitor positions of the two variable capacitors of the dummy load so as to set each impedance value included in the change range of the load impedance ZL to the dummy load.

請求項2に記載の電気特性調整装置は、請求項1に記載の電気特性調整装置において、前記特性値変化手段は、前記可変素子としての回路素子の特性値を黄金分割法を用いて前記所定の変化範囲内で離散的に変化させることを特徴とする。   The electrical characteristic adjusting apparatus according to claim 2 is the electrical characteristic adjusting apparatus according to claim 1, wherein the characteristic value changing means uses a golden division method to calculate the characteristic value of the circuit element as the variable element. It is characterized by being changed discretely within the change range of.

この構成によれば、インピーダンス自動調整装置はバリコンの調整において黄金分割法を用いるので、評価値の最小値を少ない探索回数で行うことができる。   According to this configuration, since the automatic impedance adjustment device uses the golden section method in the adjustment of the variable capacitor, the minimum evaluation value can be performed with a small number of searches.

請求項3に記載の電気特性調整装置は、請求項1または2に記載の電気特性調整装置において、前記特性値変化手段は、各回路素子を可変素子としてその特性値を変化させるとき、その変化範囲を当該可変素子の前回の特性値の変化量に基づいて設定する範囲設定手段を更に備えたことを特徴とする。   The electrical characteristic adjusting apparatus according to claim 3 is the electrical characteristic adjusting apparatus according to claim 1 or 2, wherein the characteristic value changing means changes the characteristic value when each circuit element is changed as a variable element. It further includes range setting means for setting the range based on the amount of change in the previous characteristic value of the variable element.

この構成によれば、インピーダンス自動調整装置はバリコンの調整の範囲を前回の調整量に比例させて変化させるので、前回の調整量が多かった場合はまだ目標から離れているのでバリコンの調整範囲を広くすることができる。   According to this configuration, since the automatic impedance adjustment device changes the variable adjustment range in proportion to the previous adjustment amount, if the previous adjustment amount is large, the variable adjustment range of the variable capacitor is not adjusted because it is still far from the target. Can be wide.

請求項4に記載の電気特性調整装置は、請求項1〜3のいずれかに記載の電気特性調整装置において、前記特性値入手手段により入手された特性値は前記装置のインピーダンス値であり、前記回路素子調整手段は、下記演算式(1)により誤差評価値を演算することを特徴とする。

Figure 2007336148
The electrical characteristic adjusting device according to claim 4 is the electrical characteristic adjusting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the characteristic value obtained by the characteristic value obtaining unit is an impedance value of the device, The circuit element adjustment means calculates an error evaluation value by the following calculation formula (1).
Figure 2007336148

この構成によれば、評価値に(1)式を用いるので、計測されたインピーダンス値の抵抗成分R、リアクタンス成分Xがそれぞれインピーダンス目標値の抵抗成分Ro、リアクタンス成分Xoの許容範囲にないとき評価値を大きくすることができる。   According to this configuration, since the equation (1) is used as the evaluation value, the evaluation is performed when the resistance component R and the reactance component X of the measured impedance value are not within the allowable ranges of the resistance component Ro and the reactance component Xo of the impedance target value, respectively. The value can be increased.

請求項5に記載の電気特性調整装置は、請求項1〜4のいずれかに記載の電気特性調整装置において、前記装置は、複数の回路素子として2個のリアクタンス値を変更可能なリアクタンス素子を備えた擬似負荷装置であることを特徴とする。   The electrical property adjusting device according to claim 5 is the electrical property adjusting device according to any one of claims 1 to 4, wherein the device includes a reactance element capable of changing two reactance values as a plurality of circuit elements. It is the provided pseudo load device.

請求項6に記載の電気特性調整装置は、請求項1〜3のいずれかに記載の電気特性調整装置において、前記装置は、複数の回路素子として2個のリアクタンス値を変更可能なリアクタンス素子を備えたインピーダンス整合装置であり、前記計測装置は、前記インピーダンス整合装置の進行波電力を計測する第1の電力計測装置と、前記インピーダンス整合装置の反射波電力を計測する第2の電力計測装置であり、前記回路素子調整手段は、前記特性値入手手段により入手された進行波電力と反射波電力から反射係数を算出し、所定の演算式により算出したこの反射係数と予め設定された反射係数の目標値との誤差を評価する誤差評価値を用いて前記可変素子の特性値を求める、ことを特徴とする。   The electrical property adjusting device according to claim 6 is the electrical property adjusting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the device includes a reactance element capable of changing two reactance values as a plurality of circuit elements. An impedance matching device comprising: a first power measuring device that measures a traveling wave power of the impedance matching device; and a second power measuring device that measures a reflected wave power of the impedance matching device. And the circuit element adjusting means calculates a reflection coefficient from the traveling wave power and the reflected wave power obtained by the characteristic value obtaining means, and calculates the reflection coefficient calculated by a predetermined arithmetic expression and a preset reflection coefficient. A characteristic value of the variable element is obtained using an error evaluation value for evaluating an error from a target value.

この構成によれば、インピーダンスマッチング制御装置はインピーダンス整合装置の2つのバリコンのうち一方のバリコンを固定して他方のバリコンを変化させ、電力計により計測され算出された反射係数と目標とする反射係数との誤差を評価する評価値を算出し、この評価値が最小となる様に他方のバリコンを調整する。インピーダンスマッチング制御装置は固定するバリコンと調整するバリコンを交代させ、反射係数が目標とする反射係数の許容範囲内になるまでバリコンの調整を行う。よって、インピーダンスマッチング制御装置はインピーダンス整合装置に自動的にインピーダンスマッチングを行わせることができる。   According to this configuration, the impedance matching control device fixes one of the two variable capacitors of the impedance matching device and changes the other variable capacitor, and the reflection coefficient measured and calculated by the power meter and the target reflection coefficient An evaluation value for evaluating the error is calculated, and the other variable condenser is adjusted so that the evaluation value is minimized. The impedance matching control device alternates between the variable condenser to be fixed and the variable condenser to be adjusted, and adjusts the variable condenser until the reflection coefficient is within the allowable range of the target reflection coefficient. Therefore, the impedance matching control device can cause the impedance matching device to automatically perform impedance matching.

本願発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

以下、本願発明の好ましい実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図2は、本願発明に係るインピーダンス自動調整装置を用いてダミーロードのインピーダンス調整を行うためのインピーダンス調整システムの一例を示す図である。このインピーダンス調整システムは、ダミーロード1に負荷インピーダンスZLの変化範囲に含まれる各インピーダンス値を設定するために、ダミーロード1内の2つのバリコンのバリコンポジションC3,C4を自動調整するものである。このインピーダンス調整システムは、ダミーロード1、インピーダンス自動調整装置2、インピーダンス計測装置3で構成されている。   FIG. 2 is a diagram showing an example of an impedance adjustment system for performing impedance adjustment of a dummy load using the automatic impedance adjustment apparatus according to the present invention. This impedance adjustment system automatically adjusts the variable capacitor positions C3 and C4 of the two variable capacitors in the dummy load 1 in order to set each impedance value included in the change range of the load impedance ZL to the dummy load 1. This impedance adjustment system includes a dummy load 1, an automatic impedance adjustment device 2, and an impedance measurement device 3.

ダミーロード1は、プラズマ処理システムのプラズマ処理装置を模擬するための装置で、伝送路に並列に接続されたバリコンVC3と直列に接続されたバリコンVC4のそれぞれのバリコンポジションC3,C4の調整により任意のインピーダンスを設定できる。バリコンVC3,VC4は、エアーバリコンであり、相対向する一対の電極の一方が、電極の対向面に垂直な軸の周りを回転する可動電極で構成され、この可動電極を回転させることより電極の対向面積が変化してキャパシタンスが変化する構成となっている。可動電極を支持する軸にはステップモータなどの電動モータが取り付けられ、この電動モータの駆動力によって可動電極が回転される。バリコンVC3,VC4は、一対の電極の対向面積をステップ的に変化させて、例えば、1000個のキャパシタンス値を生成することができる。従って、ダミーロード1としては、周波数を変更しない場合、1000×1000=1000000個の負荷インピーダンス値を擬似的に実現することができるようになっている。制御部11には、バリコンVC3,VC4の各ステップモータの回転位置に対応するデータのテーブルが設けられている。バリコンVC3のステップモータの1000個の回転位置には、小さい方から順番に0〜1000の位置番号が付され、制御部11は、この位置番号を指定してテーブルから駆動データを読み出し、ステップモータに供給することにより、当該ステップモータを回転させてバリコンVC3をその位置番号に対応するキャパシタンスに設定する。バリコンVC4についても同様である。   The dummy load 1 is an apparatus for simulating the plasma processing apparatus of the plasma processing system, and is arbitrarily adjusted by adjusting the variable capacitor positions C3 and C4 of the variable capacitor VC3 connected in parallel to the transmission line and the variable capacitor VC4 connected in series. Can be set. The variable capacitors VC3 and VC4 are air variable capacitors, and one of a pair of electrodes facing each other is composed of a movable electrode that rotates around an axis perpendicular to the opposed surface of the electrode. The opposing area changes and the capacitance changes. An electric motor such as a step motor is attached to the shaft that supports the movable electrode, and the movable electrode is rotated by the driving force of the electric motor. The variable capacitors VC3 and VC4 can generate, for example, 1000 capacitance values by stepwise changing the facing area of the pair of electrodes. Therefore, as the dummy load 1, when the frequency is not changed, 1000 × 1000 = 1000000 load impedance values can be realized in a pseudo manner. The control unit 11 is provided with a data table corresponding to the rotational positions of the step motors of the variable capacitors VC3 and VC4. The 1000 rotational positions of the step motor of the variable capacitor VC3 are assigned position numbers 0 to 1000 in order from the smallest, and the controller 11 designates this position number and reads the drive data from the table. , The step motor is rotated to set the variable capacitor VC3 to the capacitance corresponding to the position number. The same applies to the variable capacitor VC4.

インピーダンス自動調整装置2は、インピーダンス調整システムを制御するもので、パーソナルコンピュータなどからなる。インピーダンス自動調整装置2にはインピーダンス計測装置3が計測したダミーロード1のインピーダンスが入力され、インピーダンス自動調整装置2からダミーロード1にバリコンVC3,VC4を調整する制御信号が出力される。インピーダンス自動調整装置2は、インピーダンス計測装置3より入力されたダミーロード1のインピーダンスZ(=R+jX)と目標のインピーダンスZo(=Ro+jXo)(ユーザによって予め入力されている)とから評価値Eを算出し、算出した評価値Eを小さくするようにダミーロード1のバリコンVC3,VC4のバリコンポジションC3,C4を調整することで、ダミーロード1のインピーダンスZを目標のインピーダンスZoに調整する。   The automatic impedance adjustment device 2 controls an impedance adjustment system, and includes a personal computer or the like. The impedance of the dummy load 1 measured by the impedance measuring device 3 is input to the automatic impedance adjusting device 2, and a control signal for adjusting the variable capacitors VC 3 and VC 4 is output from the automatic impedance adjusting device 2 to the dummy load 1. The automatic impedance adjustment device 2 calculates an evaluation value E from the impedance Z (= R + jX) of the dummy load 1 input from the impedance measurement device 3 and the target impedance Zo (= Ro + jXo) (preliminarily input by the user). Then, by adjusting the variable capacitor positions C3 and C4 of the variable capacitors VC3 and VC4 of the dummy load 1 so as to reduce the calculated evaluation value E, the impedance Z of the dummy load 1 is adjusted to the target impedance Zo.

インピーダンス自動調整装置2が、ダミーロード1のインピーダンスZを目標のインピーダンスZoに調整する方法を以下に説明する。   A method in which the automatic impedance adjustment device 2 adjusts the impedance Z of the dummy load 1 to the target impedance Zo will be described below.

複数の計測値をそれぞれ目標値に近付ける方法として、各計測値とその目標値との差から算出された評価値を最小にするよう調整する方法が考えられる。本実施形態における評価値Eは、インピーダンス計測装置3により計測されたインピーダンスをZ(=R+jX)、目標とするインピーダンスをZo(=Ro+jXo)とすると、下記式(2)を用いて算出される。   As a method for bringing a plurality of measured values close to the target value, a method for adjusting the evaluation value calculated from the difference between each measured value and the target value to be minimized can be considered. The evaluation value E in the present embodiment is calculated using the following equation (2), where Z (= R + jX) is the impedance measured by the impedance measuring device 3 and Zo (= Ro + jXo) is the target impedance.

Figure 2007336148
Figure 2007336148

式(2)において、超過量とは目標値の許容範囲(目標値に達したと判断される数値の範囲で下限と上限を目標値に対しての百分率で±表示により表される。例えば、Ro±N%)からの逸脱量であり、例えば、Roの許容範囲を100±1%とすると、許容範囲は99〜101となり、R=100.5のときの超過量は0、R=97.8のときの超過量は1.2(=99−97.8)となる。評価値Eは、計測値R,Xのそれぞれの目標値Ro,Xoとの差の二乗と、計測値R,Xのそれぞれの超過量の二乗とに、評価用の重み付け係数a,b,c,dをそれぞれ乗算して、乗算結果を加算し、その正の平方根として算出される。目標値R,Xのそれぞれの超過量の二乗の項はペナルティ項であり、重み付け係数c,dを大きくすることで、計測値R,Xのどちらかが許容範囲内に収まっていない場合に評価値が大きくなるよう設定されている。例えば、本実施形態では、a,bは「1」、c,dは「1000」に設定されている。   In the equation (2), the excess amount is expressed by ± display as a percentage of the target value with respect to the allowable range of the target value (a range of numerical values determined to have reached the target value. For example, if the allowable range of Ro is 100 ± 1%, the allowable range is 99 to 101, and the excess amount is 0 when R = 100.5, and R = 97. The excess amount when .8 is 1.2 (= 99-97.8). The evaluation value E is a weighting coefficient a, b, c for evaluation with the square of the difference between the measured values R, X and the target values Ro, Xo and the square of the excess of each of the measured values R, X. , D are respectively multiplied, and the multiplication results are added to calculate the positive square root. The term of the square of the excess amount of each of the target values R and X is a penalty term, and is evaluated when one of the measured values R and X is not within the allowable range by increasing the weighting coefficients c and d. The value is set to be large. For example, in this embodiment, a and b are set to “1”, and c and d are set to “1000”.

なお、式(2)の評価値Eの最小値を求めるにあたり、本実施形態では黄金分割法を使用している。黄金分割法は、少ない探索回数で最小値を求めることができるので、最小値を求める演算処理を最適化することができる利点がある。しかしながら、黄金分割法は1次元の最適化しかできず、2つのバリコンポジションC3,C4を調整する本実施形態のような2次元の最適化にそのまま利用することができない。そこで、本実施形態では、バリコンポジションC3,C4のうち一方を固定して他方を変化させ、仮想的に1次元の最適化に置き換えることで黄金分割法を適用可能にしている。すなわち、まず、バリコンポジションC3を固定してバリコンポジションC4を変化させ黄金分割法を用いて評価値Eが最小になるよう調整し、次にバリコンポジションC4を固定してバリコンポジションC3を変化させ黄金分割法を用いて評価値Eが最小になるよう調整する。以下、これを繰り返して評価値Eが最小となるバリコンポジションC3,C4が調整される。   Note that, in obtaining the minimum value of the evaluation value E of Expression (2), the golden section method is used in this embodiment. Since the golden section method can obtain the minimum value with a small number of searches, there is an advantage that the arithmetic processing for obtaining the minimum value can be optimized. However, the golden section method can only perform one-dimensional optimization, and cannot be used as it is for two-dimensional optimization as in the present embodiment in which the two variable control positions C3 and C4 are adjusted. Therefore, in this embodiment, the golden section method can be applied by fixing one of the variable capacitor positions C3 and C4 and changing the other, and virtually replacing it with one-dimensional optimization. That is, first, the variable capacitor position C3 is fixed and the variable capacitor position C4 is changed and adjusted using the golden section method so that the evaluation value E is minimized. Next, the variable capacitor position C4 is fixed and the variable capacitor position C3 is changed to change the golden value. Using the division method, adjustment is made so that the evaluation value E is minimized. Thereafter, the variable control positions C3 and C4 at which the evaluation value E is minimized are adjusted by repeating this.

バリコンポジションC3が固定されたとき、バリコンポジションC4の変化により主にXが変化するがRも変化し、同様に、バリコンポジションC4が固定されたとき、バリコンポジションC3の変化により主にRが変化するがXも変化する。なお、バリコンポジションC3またはC4の一方が固定され他方が変化するとき、式(2)の評価値Eは単峰性の関数となり、黄金分割法が適用できることが経験的に分かっている。   When the variable capacitor position C3 is fixed, X changes mainly due to the change in the variable capacitor position C4, but R also changes. Similarly, when the variable capacitor position C4 is fixed, the R mainly changes due to the change in the variable capacitor position C3. However, X also changes. It is empirically known that when one of the variable capacitor positions C3 or C4 is fixed and the other changes, the evaluation value E of Equation (2) becomes a unimodal function and the golden section method can be applied.

黄金分割法について図3を用いて説明する。黄金分割法は、f(x)が単峰性の関数(例えば二次関数など)のときに、x1<x<x2の探索範囲でf(x)の最小値(または、最大値)を求める探索方法である。図3は、黄金分割法を用いてx1からx2の区間にあるf(x)の最小値を求める方法を説明するための図である。   The golden section method will be described with reference to FIG. The golden section method obtains the minimum value (or maximum value) of f (x) within the search range of x1 <x <x2 when f (x) is a unimodal function (for example, a quadratic function). This is a search method. FIG. 3 is a diagram for explaining a method for obtaining the minimum value of f (x) in the section from x1 to x2 using the golden section method.

図3(a)はx1からx2の区間をr:(1-r)に内分する点x3と(1-r):rに内分する点x4および、x3とx4における関数f(x)の値f(x3)、f(x4)を表している。図3(a)において、f(x3)とf(x4)の大きさを比較する。例えば、f(x3)>f(x4)の場合、f(x)を最小にするxminはx3<x≦x4に存在する場合(図3(c)参照)とx4<x<x2に存在する場合(図3(d)参照)とが考えられるが、少なくともx3<x<x2に存在する。よって、次はx3をx1としてx1<x<x2の探索範囲で同様に内分点x3,x4を求めf(x3)とf(x4)の大きさを比較する(図3(b)参照)。なお、f(x3)<f(x4)の場合はf(x)を最小にするxはx1<x<x4に存在するのでx4をx2とする。これを繰り返していくとxの探索範囲が徐々に狭まっていき、xの探索範囲が十分狭くなった時点でf(x3)≒f(x4)がf(x)の最小値と考えることができる。   FIG. 3A shows a point x3 that internally divides an interval from x1 to x2 into r: (1-r), a point x4 that internally divides into (1-r): r, and a function f (x) at x3 and x4. Values f (x3) and f (x4). In FIG. 3A, the magnitudes of f (x3) and f (x4) are compared. For example, when f (x3)> f (x4), xmin that minimizes f (x) exists in x3 <x ≦ x4 (see FIG. 3C) and exists in x4 <x <x2. The case (see FIG. 3D) is considered, but exists at least in x3 <x <x2. Therefore, next, x3 is set to x1, and internal dividing points x3 and x4 are similarly obtained in the search range of x1 <x <x2, and the sizes of f (x3) and f (x4) are compared (see FIG. 3B). . If f (x3) <f (x4), x that minimizes f (x) exists in x1 <x <x4, and therefore x4 is x2. When this is repeated, the search range of x gradually narrows, and when the search range of x becomes sufficiently narrow, f (x3) ≈f (x4) can be considered as the minimum value of f (x). .

ここで、r=(3−√5)/2としておくとr:(1-r)=1:(1+√5)/2(いわゆる黄金比)となる。よって、図3(a)のx3からx2の区間をr:(1-r)に内分する点はx4となるので、図3(b)のx3は図3(a)のx4となる。図3(a)において、x3をx1にすることで、図3(b)のように、次のxの探索範囲x1<x<x2が定まり、このx1からx2の区間をr:1-rに内分する点x3、(1-r):rに内分する点x4からf(x3)とf(x4)を算出するのだが、f(x3)は図3(a)で算出したf(x4)を利用することができるので、算出にかかる時間を短縮することができる。   Here, when r = (3−√5) / 2, r: (1−r) = 1: (1 + √5) / 2 (so-called golden ratio). Therefore, since the point that internally divides the section from x3 to x2 in FIG. 3A into r: (1-r) is x4, x3 in FIG. 3B is x4 in FIG. 3A. In FIG. 3A, by setting x3 to x1, as shown in FIG. 3B, the next x search range x1 <x <x2 is determined, and this section from x1 to x2 is defined as r: 1−r. The point x3 internally divided into (1-r): f (x3) and f (x4) are calculated from the point x4 internally divided into r, and f (x3) is the f calculated in FIG. Since (x4) can be used, the time required for calculation can be shortened.

以上のように、本願発明のインピーダンス自動調整装置2は、ダミーロード1のバリコンポジションC3とC4のうちの一方を固定し、他方を一定の探索範囲内で、黄金分割法を用いて評価値Eが最小となるように調整し、次に調整していた方を固定して、先の調整で固定していた方を一定の探索範囲内で、黄金分割法を用いて評価値Eが最小となるように調整する。これをインピーダンスZが許容範囲に収まるまで繰り返してダミーロード1のインピーダンスZを目標のインピーダンスZoに調整する。   As described above, the automatic impedance adjusting device 2 of the present invention fixes one of the variable capacitor positions C3 and C4 of the dummy load 1 and sets the other to the evaluation value E using the golden section method within a certain search range. Is adjusted to be the smallest, and the one that has been adjusted next is fixed, and the one that has been fixed by the previous adjustment is within a certain search range, and the evaluation value E is minimized using the golden section method. Adjust so that This is repeated until the impedance Z falls within the allowable range, and the impedance Z of the dummy load 1 is adjusted to the target impedance Zo.

次に、評価値Eの最小値を探索するバリコンポジションC3,C4の探索範囲について説明する。   Next, the search range of the variable control positions C3 and C4 for searching for the minimum value of the evaluation value E will be described.

バリコンポジションC3またはC4の探索範囲は、それぞれ前回の探索終了時点でのC3またはC4の値を中心に、所定の探索幅を加算した値が上限、減算した値が下限である範囲となる。すなわち、(n−1)回目の探索終了時点でのC3の値をC3n-1、n回目の探索幅をR3nとするとn回目の探索のC3の値C3nの探索範囲は、下記式(3)となる。 The search range of the variable position C3 or C4 is a range in which a value obtained by adding a predetermined search width is an upper limit and a value obtained by subtracting is a lower limit centering on the value of C3 or C4 at the end of the previous search, respectively. That, (n-1) th C3 value C3 n-1, n-th search range of C3 values C3 n of the calculation width R3 n to the n-th search in search end point of the following formulas (3)

Figure 2007336148
Figure 2007336148

同様に(n−1)回目の探索終了時点でのC4の値をC4n-1、n回目の探索幅をR4nとするとn回目の探索のC4の値C4nの探索範囲は、下記式(4)となる。 Similarly the (n-1) th search range value C4 n of C4 of the value of C4 C4 n-1, when the n-th calculation width and R4 n n-th search in search end point of the following formulas (4)

Figure 2007336148
Figure 2007336148

バリコンポジションC3,C4の探索幅が固定されている場合、探索幅が広く固定されているときは所定の探索範囲になるまでの比較の回数が多くなるので、1回の探索にかかる時間が長くなり、探索幅が狭く固定されているときは一度の探索におけるバリコンポジションの調整量が少なく、最小値に達するまでの探索の回数が多くなる。よって、バリコンポジションC3,C4が解から離れているときに探索幅が狭く固定されていると、探索回数が多くなり探索効率が低下する。また、バリコンポジションC3,C4が解に近付いたときに探索幅が広く固定されていると、不必要な探索範囲の探索のために時間がかかり探索効率が低下する。よって、探索の効率を良くするためには、バリコンポジションC3,C4が解から離れているときは広く、解に近付いたときは狭く、探索幅が変動するようにする必要がある。   When the search widths of the variable position C3 and C4 are fixed, if the search width is fixed widely, the number of comparisons until reaching the predetermined search range increases, so the time required for one search is long. Thus, when the search width is narrow and fixed, the amount of adjustment of the variable condenser position in one search is small, and the number of searches until reaching the minimum value increases. Therefore, if the search width is narrow and fixed when the variable control positions C3 and C4 are away from the solution, the number of searches increases and the search efficiency decreases. Further, if the search width is fixed widely when the variable control positions C3 and C4 approach the solution, it takes time to search for an unnecessary search range, and the search efficiency decreases. Therefore, in order to improve the efficiency of the search, it is necessary that the variable control positions C3 and C4 are wide when they are away from the solution and narrow when they approach the solution, so that the search width varies.

バリコンポジションC3またはC4が解から離れているときは探索開始時点から探索終了時点までのバリコンポジションC3またはC4の変化量は大きくなり、バリコンポジションC3またはC4が解に近付くと探索開始時点から探索終了時点までのバリコンポジションC3またはC4の変化量は小さくなる。よって、本実施形態では、探索開始時点から探索終了時点までのバリコンポジションC3またはC4の変化量に比例して次回の探索幅を設定するようにしている。つまり、バリコンポジションC3またはC4の変化量が大きいときは、バリコンポジションC3またはC4が解から離れているので、次回の探索幅を広くし、バリコンポジションC3またはC4の変化量が小さいときは、バリコンポジションC3またはC4が解に近づいているので、次回の探索幅を狭くする。なお、探索幅が狭すぎる場合は探索回数が多くなりすぎて探索効率が低下し、探索幅が広すぎる場合は探索時間が長くなりすぎて探索効率が低下するので、探索幅には下限値と上限値が設定されている。また、最初の探索幅はバリコンポジションC3またはC4が解から離れているかどうか分からないので狭く設定される。   When the variable capacitor position C3 or C4 is away from the solution, the amount of change in the variable capacitor position C3 or C4 from the search start time to the search end time increases, and when the variable capacitor position C3 or C4 approaches the solution, the search ends from the search start time. The amount of change in variable condenser position C3 or C4 up to the time becomes small. Therefore, in this embodiment, the next search width is set in proportion to the amount of change in the variable capacitor position C3 or C4 from the search start time to the search end time. That is, when the amount of change in the variable capacitor position C3 or C4 is large, the variable capacitor position C3 or C4 is far from the solution. Therefore, the next search range is widened, and when the amount of change in the variable capacitor position C3 or C4 is small, Since the position C3 or C4 is approaching the solution, the next search width is narrowed. If the search width is too narrow, the number of searches increases too much and the search efficiency decreases.If the search width is too wide, the search time becomes too long and the search efficiency decreases. An upper limit is set. The initial search width is set narrow because it is not known whether the variable position C3 or C4 is away from the solution.

(n−1)回目、(n−2)回目の探索終了時点でのバリコンポジションC3の値をそれぞれC3n-1,C3n-2とすると(n−1)回目のバリコンポジションC3の変化量は|C3n-1−C3n-2|となり、係数V3を乗じたものをn回目の探索幅R3nとする。R3nの上限値をR3max、下限値をR3minとすると、n回目の探索幅は、下記式(5)となる。 When the values of the variable capacitor position C3 at the end of the (n-1) -th and (n-2) -th searches are C3 n-1 and C3 n-2 , respectively, the amount of change in the (n-1) -th variable capacitor position C3. Becomes | C3 n-1 −C3 n-2 |, and the product of the coefficient V3 is used as the n-th search width R3 n . R3 n R3max the upper limit of, when the lower limit value to R3min, search width of the n-th becomes the following equation (5).

Figure 2007336148
Figure 2007336148

同様に(n−1)回目、(n−2)回目の探索終了時点でのバリコンポジションC4の値をそれぞれC4n-1,C4n-2とすると(n−1)回目のバリコンポジションC4の変化量は|C4n-1−C4n-2|となり、係数V4を乗じたものをn回目の探索幅R4nとする。R4nの上限値をR4max、下限値をR4minとすると、n回目の探索幅は、下記式(6)となる。 Similarly, if the values of the variable position C4 at the end of the (n-1) -th and (n-2) -th searches are C4 n-1 and C4 n-2 , respectively, the (n-1) -th variable position C4 The amount of change is | C4 n−1 −C4 n−2 |, and the result obtained by multiplying by the coefficient V4 is the nth search width R4 n . R4 n R4max the upper limit of, when the lower limit value to R4min, search width of the n-th becomes the following equation (6).

Figure 2007336148
Figure 2007336148

本実施形態では、係数V3,V4は「2」として、探索幅を前回の変化量の2倍としている。   In the present embodiment, the coefficients V3 and V4 are “2”, and the search width is twice the previous change amount.

次に、探索におけるバリコンポジションC3,C4の初期値について説明する。   Next, initial values of the variable control positions C3 and C4 in the search will be described.

インピーダンス自動調整装置2は記憶装置を持ち、ダミーロード1に目標のインピーダンスZoを設定したときのバリコンポジションC3,C4を当該目標のインピーダンスZoに対応付けて記憶装置に記憶し、次にダミーロード1を当該目標のインピーダンスZoに調整するときは記憶装置に記憶されたバリコンポジションC3,C4を初期値として使用する。記憶されたバリコンポジションC3,C4は、ダミーロードの状態が変化しているので当該目標のインピーダンスZoの解に一致はしないが、解に近いのでバリコンポジションの調整にかかる時間が短くてすむ。   The automatic impedance adjusting device 2 has a storage device, stores the variable capacitor positions C3 and C4 when the target impedance Zo is set in the dummy load 1 in the storage device in association with the target impedance Zo, and then the dummy load 1 Is adjusted to the target impedance Zo, variable control positions C3 and C4 stored in the storage device are used as initial values. The stored variable capacitor positions C3 and C4 do not coincide with the solution of the target impedance Zo because the state of the dummy load is changed, but since it is close to the solution, the time required for adjusting the variable capacitor position can be shortened.

また、インピーダンス自動調整装置2の記憶装置には、あらかじめ各周波数におけるバリコンポジションC3,C4の離散値に対応するインピーダンスの計測値がデータベースとして格納されている(図4参照)。インピーダンス自動調整装置2は、ダミーロード1を過去に調整したことがないインピーダンスに調整する際には、任意の固定初期値か、このデータベースの値を初期値として使用する。固定初期値を使用するかデータベースの値を使用するかは、あらかじめ設定されている。   In addition, in the storage device of the automatic impedance adjustment device 2, impedance measurement values corresponding to the discrete values of the variable capacitor positions C3 and C4 at each frequency are stored in advance as a database (see FIG. 4). The automatic impedance adjustment device 2 uses an arbitrary fixed initial value or a value of this database as an initial value when adjusting the dummy load 1 to an impedance that has not been adjusted in the past. Whether to use a fixed initial value or a database value is preset.

図4は、インピーダンス自動調整装置の記憶装置に格納されているデータベースを説明するための図である。このデータベースでは、使用する各周波数ごと(例えば、13.56MHzと2.0MHz)に、バリコンポジションC3,C4をそれぞれ0から1000まで10ずつ増加させて計測されたダミーロード1のインピーダンスZ=R+jXの実部Rと虚部Xの値が、バリコンポジションC3,C4に対応付けされ設定されている。   FIG. 4 is a diagram for explaining a database stored in the storage device of the automatic impedance adjustment device. In this database, for each frequency used (for example, 13.56 MHz and 2.0 MHz), the impedance Z = R + jX of the dummy load 1 measured by increasing the variable capacitor positions C3 and C4 by 10 from 0 to 1000 respectively. Values of the real part R and the imaginary part X are set in association with the variable control positions C3 and C4.

このデータベースに設定されているデータからバリコンポジションC3,C4の初期値を選択する方法を説明する。まず、目標周波数に近い周波数(その周波数と目標周波数との差が最小のもの)のデータを抽出する。式(2)の評価値Eの算出式のR,Xに抽出されたデータを入力して最小となるR,Xに対応するバリコンポジションC3,C4を初期値とする。この初期値とするバリコンポジションC3,C4において評価値Eは最小となるので、データベースに設定されているバリコンポジションC3,C4の中で最も解に近く、バリコンポジションの調整にかかる時間が短くてすむ。   A method for selecting the initial values of the variable control positions C3 and C4 from the data set in this database will be described. First, data of a frequency close to the target frequency (the difference between the frequency and the target frequency is minimum) is extracted. Input the extracted data into R and X of the calculation formula of the evaluation value E of the formula (2), and the variable capacitor positions C3 and C4 corresponding to the minimum R and X are set as initial values. Since the evaluation value E is minimum at the variable capacitor positions C3 and C4 which are the initial values, it is closest to the solution among the variable capacitor positions C3 and C4 set in the database, and the time required for adjusting the variable capacitor position can be shortened. .

図2に戻って、インピーダンス計測装置3は、ダミーロード1の負荷インピーダンス値を計測するためのもので、ダミーロードの入力端1aに接続されている。インピーダンス計測装置3は、いわゆるインピーダンスアナライザであり、ダミーロード1にかかる電圧とダミーロード1を流れる電流を直接的に計測してインピーダンス値を求める。インピーダンス計測装置3は、計測対象のインピーダンスZ=R+jXの実部Rと虚部Xをそれぞれ算出し、インピーダンス自動調整装置2に出力する。   Returning to FIG. 2, the impedance measuring device 3 is for measuring the load impedance value of the dummy load 1, and is connected to the input end 1a of the dummy load. The impedance measuring device 3 is a so-called impedance analyzer, and directly measures the voltage applied to the dummy load 1 and the current flowing through the dummy load 1 to obtain the impedance value. The impedance measuring device 3 calculates the real part R and the imaginary part X of the impedance Z = R + jX to be measured, and outputs it to the automatic impedance adjusting device 2.

インピーダンス計測装置3は、あらかじめ設定された周波数範囲の設定された計測点をスイープして計測する。例えば、12MHzから13MHzの範囲を801点に分割した場合、インピーダンス計測装置3は、12MHzから1.25kHz=((13−12)×1000/800)置きに周波数を変化させて、各周波数についてインピーダンス計測を行う。また、同範囲を101点で分割した場合、インピーダンス計測装置3は、10kHz=((13−12)×1000/100)毎に周波数を変化させて、各周波数についてインピーダンス計測を行う。   The impedance measuring device 3 sweeps and measures measurement points set in a preset frequency range. For example, when the range of 12 MHz to 13 MHz is divided into 801 points, the impedance measuring apparatus 3 changes the frequency from 12 MHz every 1.25 kHz = ((13-12) × 1000/800), and the impedance is measured for each frequency. Measure. When the same range is divided at 101 points, the impedance measuring device 3 changes the frequency every 10 kHz = ((13-12) × 1000/100) and measures impedance for each frequency.

スイープする周波数範囲や計測点を変更する度に計測対象からプローブを外し手動で校正をやり直す必要があるので、再校正の手間を省くために、全ての負荷がフォローできるような広い周波数範囲が設定される。広い周波数範囲で精度を求めた探索をするためには計測点を多くとる必要があるが、冗長な計測を行うため、1回の計測時間が非常に長くなり、高速に多点を探索する黄金分割法のようなアルゴリズムには向いていない。そこで、本実施形態では探索を2段階にし、第1段階の広域探索では精度を要求せず、少ない計測点(本実施形態では101点)で高速におおまかな位置を探索し、第2段階で、設定できる最大の計測点(本実施形態では801点)を設定し、第1段階で探索した結果を初期値として詳細な探索を行うことにより、スイープ設定を固定にするときよりも高速かつ高精度の探索を行うようにしている。   Each time the frequency range to be swept or the measurement point is changed, the probe must be removed from the measurement target and manually calibrated, so a wide frequency range is set so that all loads can be followed to save recalibration. Is done. In order to search for accuracy over a wide frequency range, it is necessary to take many measurement points. However, since redundant measurement is performed, the time required for one measurement is very long, and the golden point is used to search for multiple points at high speed. It is not suitable for algorithms such as the division method. Therefore, in this embodiment, the search is performed in two stages, the first-stage wide area search does not require accuracy, and a rough position is searched at a high speed with a small number of measurement points (101 in this embodiment). By setting the maximum measurement point that can be set (in this embodiment, 801 points) and performing a detailed search using the result of the search in the first stage as an initial value, it is faster and higher than when the sweep setting is fixed. A precision search is performed.

図5に示すフローチャートは、インピーダンス自動調整装置2がダミーロード1のインピーダンスZを目標のインピーダンスZoに調整する制御を示すものである。   The flowchart shown in FIG. 5 shows control in which the automatic impedance adjusting device 2 adjusts the impedance Z of the dummy load 1 to the target impedance Zo.

まず、設定周波数F、目標のインピーダンスZo(=Ro+jXo)が入力され(S1)、バリコンポジションC3,C4と探索幅R3、R4が初期化され、探索回数カウンタnが1に初期化される(S2)。過去にダミーロード1を目標のインピーダンスZoに調整したことがある場合は、インピーダンス自動調整装置2の記憶装置に記憶されている目標のインピーダンスZoに対応するバリコンポジションC3,C4が初期値として使用される。過去にダミーロード1を目標のインピーダンスZoに調整したことがない場合は、記憶装置に格納されているデータベースの値から選択された値か、任意の固定値が初期値として使用される。探索幅R3、R4はそれぞれ下限値R3min、R4minが設定される。   First, a set frequency F and a target impedance Zo (= Ro + jXo) are input (S1), variable control positions C3 and C4 and search widths R3 and R4 are initialized, and a search number counter n is initialized to 1 (S2). ). If the dummy load 1 has been adjusted to the target impedance Zo in the past, the variable capacitor positions C3 and C4 corresponding to the target impedance Zo stored in the storage device of the automatic impedance adjustment device 2 are used as initial values. The If the dummy load 1 has not been adjusted to the target impedance Zo in the past, a value selected from the database values stored in the storage device or an arbitrary fixed value is used as the initial value. Search widths R3 and R4 are set to lower limit values R3min and R4min, respectively.

次に、C4を固定して、黄金分割法を用いてC3の調整が行われる(S3〜5)。前回のC3の調整におけるC3の変化量に係数V3を乗じて、探索幅が算出され(S3)、探索範囲が決定される(S4)。前回、前々回のC3の値をそれぞれC3n-1,C3n-2とすると、n回目の探索幅R3nは、

Figure 2007336148
となり、n回目の探索のC3の値C3nの探索範囲は、
Figure 2007336148
となる。この探索範囲内で黄金分割法を用いてC3を変化させ、インピーダンス計測装置3が計測したインピーダンスZ(=R+jX)により評価値E(式(2)参照)が算出され、評価値Eを最小とするC3と、そのとき計測されたインピーダンスZが求められる(S5)。なお、C30,R30はステップS2でそれぞれ初期化されたC3、R3の値となる。 Next, C4 is fixed, and C3 is adjusted using the golden section method (S3-5). The search width is calculated by multiplying the change amount of C3 in the previous adjustment of C3 by the coefficient V3 (S3), and the search range is determined (S4). Assuming that the previous C3 value is C3 n-1 and C3 n-2 , the n-th search width R3 n is
Figure 2007336148
The search range of the C3 value C3 n of the n-th search is
Figure 2007336148
It becomes. Within this search range, C3 is changed using the golden section method, and an evaluation value E (see formula (2)) is calculated from the impedance Z (= R + jX) measured by the impedance measuring device 3, and the evaluation value E is minimized. C3 to be performed and the impedance Z measured at that time are obtained (S5). C3 0 and R3 0 are the values of C3 and R3 initialized in step S2, respectively.

求められたインピーダンスZが許容範囲内であるか否かが判別され(S6)、許容範囲内でなければ(S6:NO)、C3を固定して、黄金分割法を用いてC4の調整が行われる(S7〜9)。前回のC4の調整におけるC4の変化量に係数V4を乗じて、探索幅が算出され(S7)、探索範囲が決定される(S7)。前回、前々回のC4の値をそれぞれC4n-1,C4n-2とすると、n回目の探索幅をR4nは、

Figure 2007336148
となり、n回目の探索のC4の値C4nの探索範囲は、
Figure 2007336148
となる。この探索範囲内で黄金分割法を用いてC4を変化させ、インピーダンス計測装置3が計測したインピーダンスZ(=R+jX)により評価値E(式(2)参照)が算出され、評価値Eを最小とするC4と、そのとき計測されたインピーダンスZが求められる(S9)。なお、C40,R40はステップS2でそれぞれ初期化されたC4、R4の値となる。 It is determined whether or not the obtained impedance Z is within the allowable range (S6). If it is not within the allowable range (S6: NO), C3 is fixed and C4 is adjusted using the golden section method. (S7-9). The search width is calculated by multiplying the change amount of C4 in the previous adjustment of C4 by the coefficient V4 (S7), and the search range is determined (S7). Assuming that the previous C4 value is C4 n-1 and C4 n-2 , respectively, the n-th search width is R4 n .
Figure 2007336148
The search range of the C4 value C4 n of the n-th search is
Figure 2007336148
It becomes. Within this search range, C4 is changed using the golden section method, and an evaluation value E (see formula (2)) is calculated from the impedance Z (= R + jX) measured by the impedance measuring device 3, and the evaluation value E is minimized. C4 to be performed and the impedance Z measured at that time are obtained (S9). C4 0 and R4 0 are the values of C4 and R4 initialized in step S2, respectively.

求められたインピーダンスZが許容範囲内であるか否かが判別され(S10)、許容範囲内でなければ(S10:NO)、計算時間が規定値を超えたか否かが判別される(S11)。超えていなければ(S11:NO)、探索回数カウンタnが1増加されて(S12)、ステップS3に戻り、C3の調整が行われる。超えていれば(S11:YES)、解が見つからなかったものとして制御が終了される。   It is determined whether or not the obtained impedance Z is within the allowable range (S10), and if it is not within the allowable range (S10: NO), it is determined whether or not the calculation time exceeds the specified value (S11). . If not exceeded (S11: NO), the search number counter n is incremented by 1 (S12), the process returns to step S3, and C3 is adjusted. If it exceeds (S11: YES), the control is terminated as if no solution was found.

求められたインピーダンスZが許容範囲内であれば(S6またはS10:YES)、ダミーロード1が目標のインピーダンスZoに調整されたので、制御が終了される。   If the obtained impedance Z is within the allowable range (S6 or S10: YES), the dummy load 1 is adjusted to the target impedance Zo, and the control is terminated.

以上のように、上記実施形態に係るインピーダンス自動調整装置は、ダミーロードの2つのバリコンポジションを自動調整して、ダミーロードに負荷インピーダンスZLの変化範囲に含まれる各インピーダンス値を設定することができるので、ダミーロードのインピーダンス調整にかかっていた時間を短縮することができる。   As described above, the automatic impedance adjusting device according to the embodiment can automatically adjust the two variable capacitor positions of the dummy load and set each impedance value included in the change range of the load impedance ZL to the dummy load. As a result, the time required for adjusting the impedance of the dummy load can be reduced.

なお、上記実施形態では、ダミーロードに負荷インピーダンスZLの変化範囲に含まれる各インピーダンス値を設定するためのインピーダンス自動調整装置について説明したが、本願発明はこれに限らず、複数の調整手段を変化させて計測値を目標値に自動調整するための様々のものに応用できる。   In the above embodiment, the automatic impedance adjustment device for setting each impedance value included in the change range of the load impedance ZL on the dummy load has been described. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of adjustment means are changed. It can be applied to various things for automatically adjusting the measured value to the target value.

図6は、可変周波数電源装置に接続された固定整合装置によりインピーダンスマッチングを行うインピーダンスマッチングシステムを説明するための図である。インピーダンスマッチングシステムは、ダミーロード1、可変周波数電源装置4、電力計5、固定整合装置6、インピーダンスマッチング制御装置7で構成されている。このインピーダンスマッチングシステムにおいて、可変周波数電源装置4と固定整合装置6の制御を行うインピーダンスマッチング制御装置7に本願発明が利用されている。   FIG. 6 is a diagram for explaining an impedance matching system that performs impedance matching using a fixed matching device connected to a variable frequency power supply device. The impedance matching system includes a dummy load 1, a variable frequency power supply device 4, a wattmeter 5, a fixed matching device 6, and an impedance matching control device 7. In this impedance matching system, the present invention is used in an impedance matching control device 7 that controls the variable frequency power supply device 4 and the fixed matching device 6.

可変周波数電源装置4は、出力電力の周波数を変化させることができる高周波電源装置であり、出力電力の周波数はインピーダンスマッチング制御装置7により制御される。電力計5は、可変周波数電源装置4から供給される進行波電力と可変周波数電源装置4に反射される反射波電力を計測し出力する。固定整合装置6は、負荷のインピーダンス変動に追従して可変周波数電源装置4と負荷のインピーダンスを整合させるもので、インピーダンスマッチング制御装置7により制御される。インピーダンスマッチング制御装置7は、本願発明を利用して、電力計5から入力される進行波電力と反射波電力から反射係数(=反射波電力/進行波電力)を算出し、予め設定された反射係数の目標値との誤差を評価する誤差評価値を最小とするように、固定整合装置6のバリコンと可変周波数電源装置4の出力周波数とを自動調整する。   The variable frequency power supply device 4 is a high frequency power supply device that can change the frequency of the output power, and the frequency of the output power is controlled by the impedance matching control device 7. The wattmeter 5 measures and outputs the traveling wave power supplied from the variable frequency power supply device 4 and the reflected wave power reflected by the variable frequency power supply device 4. The fixed matching device 6 is adapted to match the impedance of the load with the variable frequency power supply device 4 following the load impedance variation, and is controlled by the impedance matching control device 7. The impedance matching control device 7 uses the present invention to calculate a reflection coefficient (= reflected wave power / traveling wave power) from the traveling wave power and the reflected wave power input from the wattmeter 5, and to set a preset reflection. The variable condenser of the fixed matching device 6 and the output frequency of the variable frequency power supply device 4 are automatically adjusted so that the error evaluation value for evaluating the error from the coefficient target value is minimized.

インピーダンスマッチング制御装置7は、ダミーロード1の2つのバリコンVC3,VC4を調整してダミーロード1に負荷インピーダンスZLの変化範囲に含まれる各インピーダンス値を設定する。インピーダンスマッチング制御装置7は、電力計5から入力される進行波電力と反射波電力から反射係数(=反射波電力/進行波電力)を算出し、予め設定された反射係数の目標値との誤差を評価する誤差評価値を最小とするように、固定整合装置6のバリコンポジションと可変周波数電源装置4の出力周波数を調整する。すなわち、本実施形態における進行波電力と反射波電力、反射係数の誤差評価値、固定整合装置6のバリコンポジション、可変周波数電源装置4の出力周波数が、上記実施形態におけるインピーダンスZ=R+jXの実部Rと虚部Xの値、評価値E、バリコンポジションC3,C4に相当し、インピーダンスマッチング制御装置7は、固定整合装置6のバリコンポジションと可変周波数電源装置4の出力周波数の一方を固定して、他方を黄金分割法を用いて反射係数の誤差評価値が最小となるように調整する。この調整を反射係数が許容範囲に収まるまで交互に繰り返して、固定整合装置6のバリコンポジションと可変周波数電源装置4の出力周波数を調整する。なお、可変周波数電源装置はインピーダンスの自動整合を行うので、自動整合を行ったときの出力周波数を初期値として使用する。固定整合装置6のバリコンポジションの初期値は、任意の固定値を使用する。   The impedance matching control device 7 adjusts the two variable capacitors VC3 and VC4 of the dummy load 1 and sets each impedance value included in the change range of the load impedance ZL to the dummy load 1. The impedance matching control device 7 calculates a reflection coefficient (= reflected wave power / traveling wave power) from the traveling wave power and the reflected wave power input from the wattmeter 5, and an error from a preset target value of the reflection coefficient. The variable control position of the fixed matching device 6 and the output frequency of the variable frequency power supply device 4 are adjusted so as to minimize the error evaluation value for evaluating. That is, the traveling wave power and the reflected wave power in this embodiment, the error evaluation value of the reflection coefficient, the variable condenser position of the fixed matching device 6, and the output frequency of the variable frequency power supply device 4 are the real part of the impedance Z = R + jX in the above embodiment. Corresponding to the values of R and imaginary part X, evaluation value E, variable position C3, C4, the impedance matching control device 7 fixes one of the variable control position of the fixed matching device 6 and the output frequency of the variable frequency power supply device 4. The other is adjusted using the golden section method so that the error evaluation value of the reflection coefficient is minimized. This adjustment is alternately repeated until the reflection coefficient falls within the allowable range, and the variable condenser position of the fixed matching device 6 and the output frequency of the variable frequency power supply device 4 are adjusted. Since the variable frequency power supply device performs automatic impedance matching, the output frequency when automatic matching is performed is used as an initial value. An arbitrary fixed value is used as the initial value of the variable condenser position of the fixed alignment device 6.

なお、図6において、可変周波数電源装置4の出力周波数が変化すると、ダミーロード1のインピーダンスも変化する。ダミーロード1のインピーダンスを変化させたくない場合、インピーダンスマッチング制御装置7は、可変周波数電源装置4の出力周波数は変化させずに、可変周波数電源装置4自身のインピーダンス自動整合機能を利用し、固定整合装置6のバリコンポジションのみを変化させる。また、図6において、可変周波数電源装置4の変わりに出力電力の周波数が変化しない高周波電源装置を用いる場合は、固定整合装置6の代わりにインピーダンス整合装置を用いて、2つのバリコンを自動調整する。   In FIG. 6, when the output frequency of the variable frequency power supply device 4 changes, the impedance of the dummy load 1 also changes. When it is not desired to change the impedance of the dummy load 1, the impedance matching control device 7 does not change the output frequency of the variable frequency power supply device 4 and uses the automatic impedance matching function of the variable frequency power supply device 4 itself to perform fixed matching. Only the variable control position of the device 6 is changed. Further, in FIG. 6, when using a high frequency power supply device in which the frequency of the output power does not change instead of the variable frequency power supply device 4, two variable capacitors are automatically adjusted using an impedance matching device instead of the fixed matching device 6. .

また、上記実施形態では、自動調整装置は、2つの調整値(バリコンポジション)を変化させて、2つの計測値(インピーダンスZ=R+jXの実部Rと虚部Xの値)を目標値に自動調整したが、調整値が3つ以上あってもよいし、計測値が3つ以上あってもよい。計測値が3つ以上の場合、自動調整装置はそれらの計測値を用いて評価値を算出する。また、調整値が3つ以上の場合、自動調整装置は1つの調整値以外を固定して、固定されていない調整値を、評価値が最小となる様に調整する。これを各調整値において順に繰り返し、各計測値がそれぞれ所定の範囲に収まるまで繰り返す。   Moreover, in the said embodiment, an automatic adjustment apparatus changes two adjustment values (variable position), and automatically uses two measured values (value of impedance Z = R + jX real part R and imaginary part X) as a target value. Although the adjustment is performed, there may be three or more adjustment values or three or more measurement values. When there are three or more measurement values, the automatic adjustment device calculates an evaluation value using these measurement values. When there are three or more adjustment values, the automatic adjustment device fixes other than one adjustment value, and adjusts the unfixed adjustment value so that the evaluation value is minimized. This is repeated in order for each adjustment value until each measurement value falls within a predetermined range.

なお、上記実施形態では、評価値を算出する算出式が評価値が最小のときもっとも評価されるような算出式であったので評価値を最小にするよう自動調整が行われたが、評価値を算出する算出式が評価値が最大のときもっとも評価されるような算出式であった場合は、評価値を最大にするよう自動調整が行われる。   In the above embodiment, since the calculation formula for calculating the evaluation value is the calculation formula that is most evaluated when the evaluation value is the smallest, automatic adjustment was performed to minimize the evaluation value. If the calculation formula for calculating is a calculation formula that is most evaluated when the evaluation value is the maximum, automatic adjustment is performed so as to maximize the evaluation value.

スミスチャートにおけるインピーダンス調整を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the impedance adjustment in a Smith chart. 本願発明に係るインピーダンス自動調整装置を用いてダミーロードのインピーダンス調整を行うためのインピーダンス調整システムの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the impedance adjustment system for performing the impedance adjustment of a dummy load using the impedance automatic adjustment apparatus which concerns on this invention. 黄金分割法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the golden division method. インピーダンス自動調整装置の記憶装置に格納されているデータベースを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the database stored in the memory | storage device of an impedance automatic adjustment apparatus. インピーダンス自動調整装置がダミーロードのインピーダンスを目標のインピーダンスに調整する制御を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the control which an impedance automatic adjustment apparatus adjusts the impedance of a dummy load to a target impedance. 可変周波数電源装置に接続されたインピーダンス整合装置によりインピーダンスマッチングを行うインピーダンスマッチングシステムを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the impedance matching system which performs impedance matching with the impedance matching apparatus connected to the variable frequency power supply device. 一般的なプラズマ処理システムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a general plasma processing system. ダミーロードを用いて、インピーダンス整合装置の整合動作を検証するためのシステムである。This is a system for verifying the matching operation of the impedance matching device using a dummy load.

符号の説明Explanation of symbols

1 ダミーロード(装置)
11 制御部(駆動制御手段)
VC3 バリコン(回路素子)
VC4 バリコン(回路素子)
2 インピーダンス自動調整装置(電気特性調整装置)
21 CPU(特性値入手手段、特性値変化手段、回路素子調整手段,調整制御手段、範囲設定手段)
3 インピーダンス計測装置(計測装置)
4 可変周波数電源装置
5 電力計(計測装置)
6 インピーダンス整合装置(装置)
7 インピーダンスマッチング制御装置(電気特性調整装置)
10 高周波電源装置
20 インピーダンス整合装置
30 プラズマ処理装置
40 ダミーロード
1 Dummy load (device)
11 Control unit (drive control means)
VC3 variable capacitor (circuit element)
VC4 variable capacitor (circuit element)
2 Impedance automatic adjustment device (electric characteristic adjustment device)
21 CPU (characteristic value obtaining means, characteristic value changing means, circuit element adjusting means, adjustment control means, range setting means)
3 Impedance measuring device (measuring device)
4 Variable frequency power supply 5 Power meter (measuring device)
6 Impedance matching device (device)
7 Impedance matching control device (electric characteristic adjustment device)
10 High-frequency power supply device 20 Impedance matching device 30 Plasma processing device 40 Dummy load

Claims (6)

電気的な特性値を変更可能な複数の回路素子と、これらの回路素子の特性値をそれぞれ変更するために各回路素子に対応して設けられた複数のアクチュエータと、これらのアクチュエータの駆動を制御する駆動制御手段とを備えた装置の電気的な特性値を予め設定された目標特性値に自動調整するための電気特性調整装置であって、
前記電気的な特性値を計測する計測装置によって、計測された装置の特性値を入手する特性値入手手段と、
前記複数の回路素子のうち、1の回路素子を可変素子としその他の回路素子を固定素子として、前記駆動制御手段により当該可変素子の特性値を所定の変化範囲で変化させる特性値変化手段と、
前記特性値変化手段により前記可変素子の特性値が変化する毎に、所定の演算式により前記特性値入手手段により入手された特性値と前記目標特性値との誤差を評価する誤差評価値を演算し、この誤差評価値が最小となる前記可変素子の特性値を求める回路素子調整手段と、
前記複数の回路素子の各回路素子を順番に可変素子に切り換え、各可変素子について前回可変素子とされた回路素子の特性値を前記回路素子調整手段で求められた特性値に固定して前記特性値変化手段による特性値の変更と前記回路素子調整手段による回路素子の調整を行う動作を、前記特性値入手手段により入手された特性値が前記目標特性値の許容範囲内となるまで繰り返す調整制御手段と、
を備えたことを特徴とする電気特性調整装置。
A plurality of circuit elements whose electrical characteristic values can be changed, a plurality of actuators provided corresponding to each circuit element in order to change the characteristic values of these circuit elements, and control of driving of these actuators An electrical characteristic adjusting device for automatically adjusting an electrical characteristic value of a device provided with a drive control means to a preset target characteristic value,
Characteristic value obtaining means for obtaining a characteristic value of the device measured by the measuring device for measuring the electric characteristic value;
Of the plurality of circuit elements, one circuit element is a variable element and the other circuit element is a fixed element, and the characteristic value changing means for changing the characteristic value of the variable element within a predetermined change range by the drive control means;
Every time the characteristic value of the variable element changes by the characteristic value changing means, an error evaluation value for evaluating an error between the characteristic value obtained by the characteristic value obtaining means and the target characteristic value is calculated by a predetermined arithmetic expression. A circuit element adjusting means for obtaining a characteristic value of the variable element that minimizes the error evaluation value;
The circuit elements of the plurality of circuit elements are sequentially switched to variable elements, and the characteristic values of the circuit elements that were previously made variable elements for each variable element are fixed to the characteristic values obtained by the circuit element adjustment means. Adjustment control that repeats the operation of changing the characteristic value by the value changing means and adjusting the circuit element by the circuit element adjusting means until the characteristic value obtained by the characteristic value obtaining means falls within the allowable range of the target characteristic value. Means,
An electrical characteristic adjusting device comprising:
前記特性値変化手段は、前記可変素子としての回路素子の特性値を黄金分割法を用いて前記所定の変化範囲内で離散的に変化させることを特徴とする請求項1に記載の電気特性調整装置。   2. The electrical characteristic adjustment according to claim 1, wherein the characteristic value changing unit discretely changes a characteristic value of the circuit element as the variable element within the predetermined change range using a golden section method. apparatus. 前記特性値変化手段は、各回路素子を可変素子としてその特性値を変化させるとき、その変化範囲を当該可変素子の前回の特性値の変化量に基づいて設定する範囲設定手段を更に備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の電気特性調整装置。   The characteristic value changing means further comprises range setting means for setting the change range based on the previous change amount of the characteristic value of the variable element when changing the characteristic value of each circuit element as a variable element. The electrical property adjusting device according to claim 1 or 2. 前記特性値入手手段により入手された特性値は前記装置のインピーダンス値であり、前記回路素子調整手段は、下記演算式(1)により誤差評価値を演算することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電気特性調整装置。
Figure 2007336148
4. The characteristic value obtained by the characteristic value obtaining unit is an impedance value of the device, and the circuit element adjusting unit calculates an error evaluation value by the following equation (1). The electrical characteristic adjustment apparatus in any one of.
Figure 2007336148
前記装置は、複数の回路素子として2個のリアクタンス値を変更可能なリアクタンス素子を備えた擬似負荷装置であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の電気特性調整装置。   5. The electrical characteristic adjusting device according to claim 1, wherein the device is a pseudo load device including a reactance element capable of changing two reactance values as a plurality of circuit elements. 前記装置は、複数の回路素子として2個のリアクタンス値を変更可能なリアクタンス素子を備えたインピーダンス整合装置であり、
前記計測装置は、前記インピーダンス整合装置の進行波電力を計測する第1の電力計測装置と、前記インピーダンス整合装置の反射波電力を計測する第2の電力計測装置であり、
前記回路素子調整手段は、前記特性値入手手段により入手された進行波電力と反射波電力から反射係数を算出し、所定の演算式により算出したこの反射係数と予め設定された反射係数の目標値との誤差を評価する誤差評価値を用いて前記可変素子の特性値を求める、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電気特性調整装置。
The apparatus is an impedance matching apparatus including reactance elements capable of changing two reactance values as a plurality of circuit elements,
The measurement device is a first power measurement device that measures traveling wave power of the impedance matching device, and a second power measurement device that measures reflected wave power of the impedance matching device,
The circuit element adjusting unit calculates a reflection coefficient from the traveling wave power and the reflected wave power obtained by the characteristic value obtaining unit, and calculates the reflection coefficient by a predetermined arithmetic expression and a target value of a preset reflection coefficient. The electrical characteristic adjusting apparatus according to claim 1, wherein a characteristic value of the variable element is obtained using an error evaluation value for evaluating an error from the variable element.
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