JP2007335785A - Apparatus, method and program for testing semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウェハを検査してチップ単位で選別を行う半導体ウェハの検査装置、検査方法、及び検査プログラムに関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer inspection apparatus, an inspection method, and an inspection program for inspecting a semiconductor wafer and sorting in units of chips.
複数のチップを有する半導体ウェハが知られている。一の半導体ウェハ上に形成された複数のチップは、個別に製品化される。従って、ウェハ単位ではなくてチップ単位で良品か不良品かのテストが行われる。このテストは、例えばテスタにより各チップの電気的特性を測定することで行われる。テストの結果、不良品と判断されたチップは、例えばマーキングなどの処理が施され、チップ単位に切り分けられた後に不良品として排除される。このように、チップをテストして良・不良の判定を行う方法として、例えば特許文献1には、測定した各ウェハのデータと規格とを比較・集計して、ウェハ間の同一座標における規格はずれの割合を一つのマップ形式にて出力することが記載されている。
A semiconductor wafer having a plurality of chips is known. A plurality of chips formed on one semiconductor wafer are individually commercialized. Therefore, a test for a good product or a defective product is performed not for each wafer but for each chip. This test is performed, for example, by measuring the electrical characteristics of each chip using a tester. Chips determined to be defective as a result of the test are subjected to processing such as marking, and are cut into chips, and then removed as defective products. As described above, as a method of testing a chip to determine whether it is good or bad, for example,
ところで、テストの精度によっては、良品と判断されたチップの中にも、不良の要因を内在している可能性のあるものがある。 By the way, depending on the accuracy of the test, some chips determined to be non-defective products may have a cause of failure.
各チップの良・不良結果は、半導体ウェハ上での位置に依存するところが大きい。万が一にも不良品を良品として扱わないようにするために、この位置依存性を利用した検査技術が知られている。例えば特許文献2には、連続的な不良分布が発生した時に、不良チップ周辺に自動的に不良マークができるようにすることが記載されている。即ち、半導体ウェハの実測結果で不良チップが固まっていた場合、その周辺部では例えテスト結果が良品であったとしても強制的に排除する、というものである。
The good / defective result of each chip largely depends on the position on the semiconductor wafer. In order to prevent a defective product from being handled as a non-defective product, an inspection technique using this position dependency is known. For example,
しかしながら、特許文献2に記載されるように、不良チップ周辺のチップを自動的に不良として扱った場合には、不良品ではないのに排除されてしまうチップの割合が大きくなり、収率が低下してしまう、という問題点があった。従って、万が一にも不良品を良品として扱わず、且つ、収率を高めることのできる検査技術の提供が望まれていた。
本発明の目的は、万が一にも不良品が良品として扱われず、且つ、収率を高めることのできる半導体ウェハの検査装置、検査方法、及び検査プログラムを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer inspection apparatus, inspection method, and inspection program in which a defective product is not handled as a non-defective product and the yield can be increased.
その課題を解決するための手段が、下記のように表現される。その表現中に現れる技術的事項には、括弧()つきで、番号、記号等が添記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複数の形態又は複数の実施例のうちの少なくとも1つの実施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現されている技術的事項に付せられている参照番号、参照記号等に一致している。このような参照番号、参照記号は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このような対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されることを意味しない。 Means for solving the problem is expressed as follows. Technical matters appearing in the expression are appended with numbers, symbols, etc. in parentheses. The numbers, symbols, and the like are technical matters constituting at least one embodiment or a plurality of embodiments of the present invention or a plurality of embodiments, in particular, the embodiments or examples. This corresponds to the reference numbers, reference symbols, and the like attached to the technical matters expressed in the drawings corresponding to. Such reference numbers and reference symbols clarify the correspondence and bridging between the technical matters described in the claims and the technical matters of the embodiments or examples. Such correspondence or bridging does not mean that the technical matters described in the claims are interpreted as being limited to the technical matters of the embodiments or examples.
本発明にかかる半導体ウェハの検査装置(10)は、潜在不良領域マップを作成する潜在不良領域マップ作成部(1)と、強制排除チップ用ファイルを作成する強制排除チップ用ファイル作成部(2)と、排除チップ用ファイルを作成する排除チップ用ファイル作成部(3)と、を具備する。潜在不良領域マップ作成部(1)は、既にテストされた半導体ウェハのチップの位置毎の収率に基いて、不良となる確率が高い領域を示す情報をその潜在不良領域マップとして作成する。強制排除チップ用ファイル作成部(2)は、被検査対象の半導体ウェハ(4)の実測テストで不良となったチップの位置を示す不良チップマップと、その潜在不良領域マップとに基いて、その潜在不良領域マップに示される領域とその不良チップマップに示される領域とが重なる領域であるAND領域を算出する。そのAND領域に基いて強制排除チップ領域を求め、その強制排除チップ領域を示す情報としてその強制排除チップ用ファイルを作成する。排除チップ用ファイル作成部(3)は、その強制排除チップ用ファイルと前記不良チップマップとに基いて、その強制排除チップ用領域と、その不良チップマップデータに示される領域と、を合わせた領域を示す情報をその排除チップ用ファイルとして作成する。その排除チップ用ファイルを、半導体ウェハ(4)上で排除すべきチップの領域を表す情報として出力する。ここで、強制排除チップ用ファイル作成部(2)は、その強制排除チップ用ファイルを作成するに際し、その不良チップマップに示される領域のうちでそのAND領域と位置的に連続する領域を求め、求めた領域とそのAND領域との周囲の領域を示す情報としてその強制排除チップ用ファイルを作成することが好ましい。 A semiconductor wafer inspection apparatus (10) according to the present invention includes a latent defective region map creating unit (1) that creates a latent defective region map, and a forced exclusion chip file creating unit (2) that creates a forced exclusion chip file. And an exclusion chip file creation section (3) for creating an exclusion chip file. The latent defective area map creation unit (1) creates information indicating a region having a high probability of being defective as the latent defective area map based on the yield of each chip position of the semiconductor wafer that has already been tested. The compulsory exclusion chip file creation unit (2), based on the defective chip map indicating the position of the chip that has failed in the actual test of the semiconductor wafer (4) to be inspected, and the latent defective area map, An AND area that is an area where the area indicated in the latent defective area map and the area indicated in the defective chip map overlap is calculated. A forced exclusion chip area is obtained based on the AND area, and the forced exclusion chip file is created as information indicating the forced exclusion chip area. The exclusion chip file creation unit (3) combines the forcibly excluded chip area and the area indicated by the defective chip map data based on the forcibly excluded chip file and the defective chip map. Is created as a file for the excluded chip. The excluded chip file is output as information representing the area of the chip to be excluded on the semiconductor wafer (4). Here, the forcibly excluded chip file creation unit (2), when creating the forcibly excluded chip file, obtains an area that is positionally continuous with the AND area among the areas indicated in the defective chip map, It is preferable to create the forced exclusion chip file as information indicating the area around the obtained area and the AND area.
上述の構成に依れば、半導体ウェハの各チップを実測した結果が不良であったチップに加えて、強制排除チップ用ファイルに示される領域中のチップも排除される。従って、実測結果は良品であるにもかかわらず不良を内在している可能性のあるチップを確実に排除することができる。 According to the above-described configuration, in addition to the chip whose result of actual measurement of each chip of the semiconductor wafer is defective, the chip in the area indicated in the forcibly excluded chip file is also excluded. Therefore, it is possible to surely eliminate chips that may have defects even though the actual measurement results are good.
一方、強制排除チップ用ファイルが、潜在不良領域マップと不良チップマップとの重なり領域(AND領域)に基いて作成されるので、除去されるチップは、被検査対象の半導体ウェハ毎に決定される。これにより、不良を内在していないにもかかわらず除去されるチップ数が減るので、歩留まりを向上させることができる。 On the other hand, since the forcibly excluded chip file is created based on the overlapping area (AND area) of the latent defective area map and the defective chip map, the chip to be removed is determined for each semiconductor wafer to be inspected. . As a result, the number of chips to be removed is reduced despite the absence of defects, and the yield can be improved.
本発明に依れば、万が一にも不良品を良品として扱わず、且つ、収率を高めることのできる半導体ウェハの検査装置、検査方法、及び検査プログラムが提供される。 According to the present invention, there is provided a semiconductor wafer inspection apparatus, inspection method, and inspection program that can handle a defective product as a non-defective product and increase the yield.
図面を参照して、本発明の実施の形態に係る半導体ウェハの検査装置の構成について説明する。図1は、半導体ウェハの検査装置10の構成を機能ブロック的に示す図である。半導体ウェハの検査装置10は、テスター5、処理装置6、システムPC7、及びマーキングプロ−バー8を有している。これらは、処理装置6を介して互いにデータ交換が可能に接続されている。各構成の詳細について以下に述べる。
A configuration of a semiconductor wafer inspection apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a functional block diagram showing the configuration of a semiconductor
テスター5は、被検査対象の半導体ウェハ4の良・不良を、チップ単位で測定するものである。テスター5は、半導体ウェハ4上のチップ全てについての測定行うと、データとして不良チップマップを生成する。その不良チップマップは、不良チップの位置を示す情報である。以下の説明にあたり、不良チップマップに示される不良チップの領域を、不良領域と記載する。テスター5は、処理装置6に接続されており、その不良チップマップを処理装置6に送ることが可能である。
The
処理装置6は、CPU、ROM、RAM等を有するコンピュータである。処理装置6は、インストールされたプログラムによってその機能を実現する。処理装置6は、テスター5から取得した不良チップマップをデータとして記憶するとともに、システムPC7へ送信する機能を実現する。また、処理装置6には、半導体ウェハの検査プログラムとして、排除チップ用ファイル作成部3がインストールされている。この排除チップ用ファイル作成部3の機能については後述する。
The
システムPC7も処理装置6と同様に、CPU、ROM、RAM、ハードディスク等のハードウェア構成を有するコンピュータである。システムPC7には、半導体ウェハの検査プログラムとして、強制排除チップ用ファイル作成部2、及び潜在不良領域マップ作成部1がインストールされている。システムPC7は、処理装置6から不良チップマップを取得すると、強制排除チップ用ファイルを生成して、この強制排除チップ用ファイルを処理装置6に送信する機能を実現する。
Similarly to the
また、システムPC7は、記憶装置も有している。その記憶装置中には、既に検査された半導体ウェハの検査結果をチップの位置毎に示す情報(検査済みウェハのデータ9)が格納されている。 The system PC 7 also has a storage device. In the storage device, information (inspected wafer data 9) indicating the inspection result of the already inspected semiconductor wafer for each position of the chip is stored.
マーキングプロ−バー8は、半導体ウェハ4上のチップのうちで排除すべきチップにマーキングするものである。マーキングは、処理装置6から取得した排除チップ用ファイルに基いて行われる。マーキングされたチップは、排除されるべきチップであるとされ、チップ単位に分割された後に排除される。
The
続いて、処理装置6やシステムPC7にインストールされた半導体装置の検査プログラムの機能について説明する。既述のように、半導体装置の検査プログラムとして、処理装置6には排除チップ用ファイル作成部3が、システムPC7には強制排除チップ用ファイル作成部2と潜在不良領域マップ作成部とが、夫々インストールされている。
Next, the function of the semiconductor device inspection program installed in the
潜在不良領域マップ作成部1は、検査済みデータ9を参照して、潜在不良領域マップを生成する。その潜在不良領域マップは、半導体ウェハ上において不良となる確率の高い位置を示す情報である。図4は、その潜在不良領域マップを概念的に示す図である。図4に示される例において、半導体ウェハの左上の網掛けされた領域が、潜在的に不良となる確率が高い領域(以下、潜在不良領域と記載する)であることを示している。
The latent defective area
潜在不良領域マップの生成は、例えば、半導体ウェハ上での位置毎に不良チップの収率を求め、予め定められた所定の割合よりもその収率が高い領域を潜在不良領域とすることで求めることができる。また、その他にも、標準偏差σを利用するなどの既知の統計的手法を用いてもよい。 The generation of the latent defective area map is obtained, for example, by determining the yield of defective chips for each position on the semiconductor wafer and determining an area having a higher yield than a predetermined ratio as a potential defective area. be able to. In addition, a known statistical method such as using the standard deviation σ may be used.
強制排除チップ用ファイル作成部2は、処理装置6から不良チップマップがデータとして送られてくると、潜在不良領域マップ作成部1によって作成された潜在不良領域マップをに基いて、強制排除チップ用ファイルを作成する。強制排除チップ用ファイルの作成にあたり、強制排除チップ用ファイル作成部2は、まずAND領域を求める。そのAND領域は、不良領域と潜在不良領域とが重なる領域である。
When the defective chip map is sent as data from the
図3及び図5を参照して、AND領域の求め方を説明する。図3は、不良チップマップに示される領域(不良領域)の概念図を示している。図3(a)〜(c)において、「F」のマークが描かれたチップが、テスター5による検査で不良であったチップである。図5(a)〜(c)は、図3(a)〜(c)に示される不良領域に、潜在不良領域を重ねた状態を示す図である。強制排除チップ用ファイル作成部2は、図5に示されるようなマップの重ね合わせを行って、AND領域を求める。図5(a)に示される例では不良領域と潜在不良領域とが完全に一致している。従って、AND領域は、不良チップマップ及び潜在不良領域と同じである。一方、図5(b)に示される例では、不良領域が潜在不良領域を完全に含み、且つ、不良領域の方が広い。この場合には、AND領域は潜在不良領域に一致する。図5(c)に示される例では、不良領域と潜在不良領域とは重なり合わない。この場合は、AND領域は存在しないことになる。
With reference to FIG. 3 and FIG. 5, how to obtain the AND region will be described. FIG. 3 shows a conceptual diagram of a region (defective region) shown in the defective chip map. 3A to 3C, the chip on which the mark “F” is drawn is a chip that has been defective in the inspection by the
強制排除チップ用ファイル作成部2は、更に、求めたAND領域に基いて強制排除チップ用ファイルを作成する。具体的には、AND領域が存在している場合には、不良領域の中で連続する領域のうち、AND領域を含む領域を求める。即ち、潜在不良領域に少なくとも一部で重なる領域を求める。以下、この領域を連続不良領域と記載する。図5(a),(b)に示される例では、不良領域は一の連続した領域である。そして、その不良領域がAND領域を含んでいるので、不良領域そのものが連続不良領域である。尚、潜在不良領域の中でAND領域に連続する領域があったとしても、この部分は特に処理を行わない。一方、図5(c)に示される例では、AND領域そのものが存在しないので、不良領域は連続不良領域ではない。
The forcibly excluded chip
続いて、強制排除チップ用ファイル作成部2は、連続不良領域に隣接する領域を、強制排除チップ用領域として求める。図6は、強制排除チップ用領域を示す図である。図6(a)、(b)、(c)は、AND領域が図5(a)、(b)、(c)であった場合の例に夫々対応している。図6(a)、(b)に示される例では、連続不良領域に隣接する領域が強制排除チップ用領域となる。ここで、隣接するとは、辺同士が隣接する場合に加え、角同士が隣接する場合も含まれている。一方、図6(c)のような場合には、連続不良領域が存在しないので、強制排除チップ用領域は存在しない。
Subsequently, the forcibly excluded chip
強制排除チップ用ファイル作成部2は、このようにして求めた強制排除チップ用領域を示す情報を、強制排除チップ用ファイルとして生成する。
The forcibly excluded chip
続いて、排除チップ用ファイル作成部3の機能について説明する。排除チップ用ファイル作成部3は、強制排除チップ用ファイル作成部2によって生成された強制排除チップ用ファイルと、処理装置6に格納された不良チップマップとに基いて、強制排除チップ用領域と不良領域とを合わせた領域(以下、排除チップ領域)を求める。ここで、図6(c)に示されるように、強制排除チップ用領域が存在しない場合には、不良領域のみが排除チップ領域となる。排除チップ用ファイル作成部3は、このようにして求めた排除チップ領域を示す情報を、排除チップ用ファイルとして生成する。そして、生成した排除チップ用ファイルをマーキングプロ−バー8に出力する。
Next, the function of the excluded chip
尚、本実施の形態においては、潜在不良領域マップ作成部1及び強制排除チップ用ファイル作成部2がシステムPC7に、排除チップ用ファイル作成部3が処理装置6にインストールされている場合について説明したが、必ずしも検査プログラムが2つの装置に分かれてインストールされている必要は無い。即ち、潜在不良領域マップ作成部1、強制排除チップ用ファイル作成部2、排除チップ用ファイル作成部3、及び検査済みウェハのデータ9が同一のコンピュータに格納されていても問題ない。
In this embodiment, the case where the latent defective area
また、不良チップマップの生成は、テスター5によって行われる場合について説明を行ったが、処理装置6側で不良チップマップの生成が行われてもよい。
Moreover, although the case where the generation of the defective chip map is performed by the
続いて、本実施の形態にかかる半導体装置の検査方法について説明する。図2は、半導体装置の検査方法のフローチャートである。 Subsequently, a method for inspecting a semiconductor device according to the present embodiment will be described. FIG. 2 is a flowchart of a semiconductor device inspection method.
まず、テスター5によって、半導体ウェハ4の良・不良が実測される(ステップS20)。測定は、半導体ウェハ4上の全てのチップについて行われる。続いて、テスター5が不良チップマップを作成する(ステップS30)。テスター5は、生成した不良チップマップを処理装置6に送信する(ステップS31)。更に、処理装置6は、取得した不良チップマップを処理装置6内に記憶させるとともに、システムPC7へ転送する(ステップS32)。
First, the quality of the semiconductor wafer 4 is measured by the tester 5 (step S20). The measurement is performed for all chips on the semiconductor wafer 4. Subsequently, the
システムPC7では、潜在不良領域マップ作成部1が検査済みウェハのデータ9を参照して、潜在不良領域マップを生成する(ステップS10)。そして、強制排除チップ用ファイル作成部2が、不良チップマップと潜在不良領域マップとに基いて、AND領域を求める(ステップS40)。既述のように、AND領域とは、不良領域と潜在不良領域とが重なった領域である。尚、潜在不良領域マップの生成(S10)は、AND領域の生成(S40)が行われる前であればどの段階で実行されてもよい。
In the
AND領域を生成した強制排除チップ用ファイル作成部2は、更に、強制排除用ファイルを生成する(ステップS50)。ここで、強制排除チップ用ファイル2は、まず、不良領域の中で連続する領域であり、AND領域を含む領域を連続不良領域として求める(ステップS501)。そして、連続不良領域に隣接する領域を強制排除チップ用領域として求め、強制排除チップ用ファイルとしてデータ化する(ステップS502)。強制排除チップ用ファイル作成部2は、生成した強制排除チップ用ファイルを処理装置6へ送信する(ステップS53)。
The forcibly excluded chip
強制排除チップ用ファイルを取得した処理装置6では、排除チップ用ファイル作成部3が排除チップ用ファイルを作成する(ステップS60)。ここで、既述のように、排除チップ用ファイル作成部3は、不良領域と強制排除チップ領域とを合わせた領域を排除チップ用領域として求め、データ化して排除チップ用ファイルとする。排除チップ用ファイル作成部3は、排除チップ用ファイルをマーキングプロ−バー8へ転送する(ステップS61)。
In the
続いて、マーキングプロ−バー8は、排除チップ用ファイルに基いて、半導体ウェハ4上のチップのうち、排除チップ領域に含まれるチップにマーキングを行う(ステップS62)。その後、半導体ウェハ4は、チップ単位に物理的に分割される(ステップS63)。分割されたチップのうち、マーキングされたチップは排除され、製品化されることはない(ステップS70)。
Subsequently, the marking
以上説明したように、本実施の形態に依れば、実測結果が良品であったにもかかわらず排除するチップを、被検査対象の半導体ウェハ毎に求めているので、本来排除する必要がないにもかかわらず排除されるチップ数を減らすことができる。また、実測結果が良品であったにも関わらず排除するチップを求めるにあたり、潜在不良領域と不良領域とが重なる領域(AND領域)に基いている。このAND領域周辺では、チップが不良を内在している可能性が高い。一方、潜在不良領域であるが、不良領域と重なりあわない領域では、チップが不良を内在している可能性は非常に低い。このように、AND領域を基準にすることで、実測結果が良品であったにもかかわらず不良を内在している可能性のあるチップを、個々の半導体ウェハ毎に精度よく求めることができる。従って、検査工程における歩留まりを、信頼性を落とさずに向上させることができる。 As described above, according to the present embodiment, since the chip to be excluded is obtained for each semiconductor wafer to be inspected even though the measurement result is a non-defective product, there is no need to originally eliminate it. Nevertheless, the number of chips to be eliminated can be reduced. Further, in obtaining a chip to be excluded although the measurement result is a non-defective product, it is based on an area (AND area) where the latent defective area and the defective area overlap. In the vicinity of the AND region, there is a high possibility that the chip contains a defect. On the other hand, in a region which is a latent defective region but does not overlap with the defective region, the possibility that the chip has a defect is very low. In this way, by using the AND region as a reference, it is possible to accurately obtain, for each individual semiconductor wafer, a chip that may have a defect even though the measurement result is a non-defective product. Therefore, the yield in the inspection process can be improved without reducing the reliability.
1 潜在不良領域マップ作成部
2 強制排除チップ用ファイル作成部
3 排除チップ用ファイル作成部
4 被検査対象の半導体ウェハ
5 テスター
6 処理装置
7 システムPC
8 マーキングプロ−バー
9 検査済みウェハのデータ
10 半導体ウェハの検査装置
DESCRIPTION OF
8 Marking probe 9 Inspected
Claims (10)
強制排除チップ用ファイルを作成する強制排除チップ用ファイル作成部と、
排除チップ用ファイルを作成する排除チップ用ファイル作成部と、
を具備し、
前記潜在不良領域マップ作成部は、既にテストされた半導体ウェハのチップの位置毎の収率に基いて、不良となる確率が高い領域を示す情報を前記潜在不良領域マップとして作成し、
前記強制排除チップ用ファイル作成部は、前記潜在不良領域マップに基いて、被検査対象の半導体ウェハ毎に強制排除チップ用領域を求め、前記強制排除チップ用領域を示す情報として前記強制排除チップ用ファイルを作成し、
前記排除チップ用ファイル作成部は、前記強制排除チップ用ファイルと前記不良チップマップとに基いて、前記強制排除チップ用領域と、前記不良チップマップデータに示される領域と、を合わせた領域を示す情報を前記排除チップ用ファイルとして作成し、前記排除チップ用ファイルを、前記半導体ウェハ上で排除すべきチップの領域を表す情報として出力する
半導体ウェハの検査装置。 A latent defect area map creation unit for creating a latent defect area map;
A forced exclusion chip file creation unit for creating a forced exclusion chip file;
An exclusion chip file creation unit for creating an exclusion chip file;
Comprising
The latent defect area map creation unit creates information indicating a region having a high probability of being defective as the latent defect area map based on the yield of each position of a semiconductor wafer chip that has already been tested,
The compulsory exclusion chip file creation unit obtains a compulsory exclusion chip area for each semiconductor wafer to be inspected based on the latent defective area map, and uses the forced exclusion chip area as information indicating the compulsory exclusion chip area. Create a file,
The exclusion chip file creation unit indicates an area obtained by combining the forced exclusion chip area and the area indicated by the defective chip map data based on the forced exclusion chip file and the defective chip map. A semiconductor wafer inspection apparatus that creates information as an excluded chip file and outputs the excluded chip file as information representing a region of a chip to be excluded on the semiconductor wafer.
強制排除チップ用ファイルを作成する強制排除チップ用ファイル作成部と、
排除チップ用ファイルを作成する排除チップ用ファイル作成部と、
を具備し、
前記潜在不良領域マップ作成部は、既にテストされた半導体ウェハのチップの位置毎の収率に基いて、不良となる確率が高い領域を示す情報を前記潜在不良領域マップとして作成し、
前記強制排除チップ用ファイル作成部は、被検査対象の半導体ウェハの実測テストで不良となったチップの位置を示す不良チップマップと、前記潜在不良領域マップとに基いて、前記潜在不良領域マップに示される領域と前記不良チップマップに示される領域とが重なる領域であるAND領域を算出し、前記AND領域に基いて強制排除チップ領域を求め、前記強制排除チップ領域を示す情報として前記強制排除チップ用ファイルを作成し、
前記排除チップ用ファイル作成部は、前記強制排除チップ用ファイルと前記不良チップマップとに基いて、前記強制排除チップ用領域と、前記不良チップマップデータに示される領域と、を合わせた領域を示す情報を前記排除チップ用ファイルとして作成し、前記排除チップ用ファイルを、前記半導体ウェハ上で排除すべきチップの領域を表す情報として出力する
半導体ウェハの検査装置。 A latent defect area map creation unit for creating a latent defect area map;
A forced exclusion chip file creation unit for creating a forced exclusion chip file;
An exclusion chip file creation unit for creating an exclusion chip file;
Comprising
The latent defect area map creation unit creates information indicating a region having a high probability of being defective as the latent defect area map based on the yield of each position of a semiconductor wafer chip that has already been tested,
The compulsory exclusion chip file creation unit creates a latent defect area map based on a defective chip map indicating the position of a chip that has failed in an actual test of a semiconductor wafer to be inspected and the latent defect area map. An AND area that is an area where the indicated area and the area indicated in the defective chip map overlap is calculated, a forced exclusion chip area is obtained based on the AND area, and the forced exclusion chip is used as information indicating the forced exclusion chip area Create a file for
The exclusion chip file creation unit indicates an area obtained by combining the forced exclusion chip area and the area indicated by the defective chip map data based on the forced exclusion chip file and the defective chip map. A semiconductor wafer inspection apparatus that creates information as an excluded chip file and outputs the excluded chip file as information representing a region of a chip to be excluded on the semiconductor wafer.
前記強制排除チップ用ファイル作成部は、
前記強制排除チップ用ファイルを作成するに際し、前記不良チップマップに示される領域のうちで、位置的に連続した領域であり、且つ、前記AND領域を含む領域を、連続不良領域として求め、
前記連続不良領域の周囲の領域を示す情報として前記強制排除チップ用ファイルを作成する
半導体ウェハの検査装置。 A semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 2,
The forced exclusion chip file creation unit
When creating the forced exclusion chip file, among the areas shown in the defective chip map, the area that is position continuous and includes the AND area as a continuous defective area,
A semiconductor wafer inspection apparatus that creates the forced exclusion chip file as information indicating an area around the continuous defective area.
前記周囲の領域は、前記連続不良領域に隣接するチップを含む
半導体ウェハの検査装置。 A semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 3,
The peripheral area is a semiconductor wafer inspection apparatus including a chip adjacent to the continuous defective area.
被検査対象の半導体ウェハの良・不良をチップ単位で実測する実測ステップと、
前記実測ステップにおいて不良となったチップの前記半導体ウェハ上での位置を示す不良チップマップを作成するステップと、
前記不良チップマップ及び前記潜在不良領域マップに基いて、前記潜在不良領域マップに示される領域と前記不良チップマップに示される領域とが重なる領域を、AND領域として求めるステップと、
前記AND領域に基いて、強制排除チップ用領域を求める強制排除チップ用領域算出ステップと、
前記強制排除チップ用領域と、前記不良チップマップに示される領域とを合わせた領域を、排除チップ用領域として求めるステップと、
前記被検査対象の半導体ウェハに形成されたチップのなかで、前記排除チップ用領域に含まれるチップを排除するステップと、
を具備する
半導体ウェハの検査方法。 Based on the yield for each chip position of a semiconductor wafer that has already been tested, creating information indicating a region having a high probability of being defective as a potential defect region map,
An actual measurement step for actually measuring the quality of a semiconductor wafer to be inspected on a chip basis,
Creating a defective chip map indicating a position on the semiconductor wafer of a chip that has failed in the actual measurement step;
Based on the defective chip map and the latent defective area map, obtaining an area where the area shown in the latent defective area map and the area shown in the defective chip map overlap as an AND area;
A forced exclusion chip area calculating step for obtaining a forced exclusion chip area based on the AND area; and
Obtaining a region combining the region for forced exclusion chip and the region shown in the defective chip map as a region for exclusion chip;
Out of the chips formed on the semiconductor wafer to be inspected, excluding the chips included in the exclusion chip region; and
A semiconductor wafer inspection method comprising:
前記強制排除チップ用領域算出ステップは、
前記不良チップマップに示される領域のうちで、連続した領域であり、且つ、前記AND領域を含む領域を、連続不良領域として求めるステップと、
前記連続不良領域の周囲の領域を示す情報として、前記強制排除チップ用ファイルを作成するステップと、を有する
半導体ウェハの検査装方法。 A semiconductor wafer inspection method according to claim 5,
The forced exclusion chip area calculation step includes:
Of the areas indicated in the defective chip map, obtaining a continuous area and an area including the AND area as a continuous defective area;
Creating a forced exclusion chip file as information indicating a region around the continuous defective region, and a method for inspecting a semiconductor wafer.
前記周囲の領域は、前記AND領域に隣接するチップを含む領域である
半導体ウェハの検査方法。 A semiconductor wafer inspection method according to claim 6,
The semiconductor wafer inspection method, wherein the surrounding area is an area including a chip adjacent to the AND area.
被検査対象の半導体ウェハの実測テストで不良となったチップの位置を示す不良チップマップを取得し、前記不良チップマップ及び前記潜在不良領域マップに基いて、前記潜在不良領域マップに示される領域と前記不良チップマップに示される領域とが重なる領域を、AND領域として求めるステップと、
前記AND領域に基いて、強制排除チップ用領域を求める強制排除チップ領域算出ステップと、
前記強制排除チップ用領域と、前記不良チップマップに示される領域とを合わせた領域を、排除チップ用領域として求めるステップと、
前記排除チップ用ファイルを、前記半導体ウェハ上で排除すべきチップの領域を表す情報として出力するステップと、
をコンピュータに実行させるための半導体ウェハの検査プログラム。 Based on the yield for each chip position of a semiconductor wafer that has already been tested, creating information indicating a region having a high probability of being defective as a potential defect region map,
Obtaining a defective chip map indicating the position of a chip that has failed in an actual measurement test of a semiconductor wafer to be inspected, and based on the defective chip map and the latent defective area map, an area indicated in the latent defective area map; Obtaining an area that overlaps the area indicated in the defective chip map as an AND area;
A forced exclusion chip area calculating step for obtaining a forced exclusion chip area based on the AND area; and
Obtaining a region combining the region for forced exclusion chip and the region shown in the defective chip map as a region for exclusion chip;
Outputting the exclusion chip file as information representing an area of a chip to be excluded on the semiconductor wafer;
Semiconductor wafer inspection program for causing a computer to execute.
前記強制排除チップ用領域算出ステップは、
前記不良チップマップに示される領域のうちで、連続した領域であり、且つ、前記AND領域を含む領域を、連続不良領域として求めるステップと、
前記連続不良領域の周囲の領域を示す情報として、前記強制排除チップ用ファイルを作成するステップと、を有する
半導体ウェハの検査プログラム。 A semiconductor wafer inspection program according to claim 8,
The forced exclusion chip area calculation step includes:
Of the areas indicated in the defective chip map, obtaining a continuous area and an area including the AND area as a continuous defective area;
Creating a compulsory exclusion chip file as information indicating an area around the continuous defective area.
前記周囲の領域は、前記AND領域に隣接するチップを含む領域である
半導体ウェハの検査プログラム。 A semiconductor wafer inspection program according to claim 9,
The semiconductor wafer inspection program, wherein the surrounding area is an area including a chip adjacent to the AND area.
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300599A (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Nec Electronics Corp | Semiconductor wafer inspecting apparatus |
WO2010010907A1 (en) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | Ricoh Company, Ltd. | Chip quality determination method and marking mechanism using same |
US20110202297A1 (en) * | 2010-02-18 | 2011-08-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Product sorting method based on quantitative evaluation of potential failure |
CN103646900A (en) * | 2013-12-03 | 2014-03-19 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | Test method and test system for LED wafer |
US9424954B2 (en) | 2013-05-23 | 2016-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package including stacked chips and method of fabricating the same |
CN113140490A (en) * | 2021-04-22 | 2021-07-20 | 扬州乾照光电有限公司 | Method for sorting LED crystal grains in wafer |
WO2022080740A1 (en) * | 2020-10-14 | 2022-04-21 | (주) 아프로시스 | Gis-based method for producing spatial wafer map, and method for providing wafer test results using same |
US11714106B2 (en) | 2021-02-25 | 2023-08-01 | Renesas Electronics Corporation | Test apparatus, test method and recording medium |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006120793A (en) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | Wafer marking system and failure chip marking method |
JP2006128251A (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Renesas Technology Corp | Method of manufacturing semiconductor device |
-
2006
- 2006-06-19 JP JP2006168439A patent/JP4737764B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006120793A (en) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | Wafer marking system and failure chip marking method |
JP2006128251A (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Renesas Technology Corp | Method of manufacturing semiconductor device |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300599A (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Nec Electronics Corp | Semiconductor wafer inspecting apparatus |
WO2010010907A1 (en) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | Ricoh Company, Ltd. | Chip quality determination method and marking mechanism using same |
JP2010027910A (en) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Ricoh Co Ltd | Chip quality determining method, chip quality determining program, and marking mechanism using the same |
US8440474B2 (en) | 2008-07-22 | 2013-05-14 | Ricoh Company, Ltd. | Chip quality determination method and marking mechanism using same |
US20110202297A1 (en) * | 2010-02-18 | 2011-08-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Product sorting method based on quantitative evaluation of potential failure |
US9424954B2 (en) | 2013-05-23 | 2016-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package including stacked chips and method of fabricating the same |
CN103646900A (en) * | 2013-12-03 | 2014-03-19 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | Test method and test system for LED wafer |
WO2022080740A1 (en) * | 2020-10-14 | 2022-04-21 | (주) 아프로시스 | Gis-based method for producing spatial wafer map, and method for providing wafer test results using same |
US11894278B2 (en) | 2020-10-14 | 2024-02-06 | Aphrosys Co.,Ltd. | GIS-based method for producing spatial wafer map, and method for providing wafer test results using same |
US11714106B2 (en) | 2021-02-25 | 2023-08-01 | Renesas Electronics Corporation | Test apparatus, test method and recording medium |
CN113140490A (en) * | 2021-04-22 | 2021-07-20 | 扬州乾照光电有限公司 | Method for sorting LED crystal grains in wafer |
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