JP2007333387A - Semiconductor inspection system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば半導体ウエハ上の半導体チップの電気特性を試験検査するための半導体検査装置に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor inspection apparatus for testing and inspecting electrical characteristics of semiconductor chips on a semiconductor wafer, for example.
従来から、例えばLSI等の半導体装置の製造工程において、半導体ウエハ上の半導体チップや製品として完成した半導体装置である半導体デバイスを検査するために広く利用されている半導体検査装置は、その装置内に膨大な回路を有して、検査対象の半導体チップや半導体デバイスに対して、それらの電気特性についての検査試験を実行可能なように構成されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor device such as an LSI, for example, a semiconductor inspection apparatus widely used for inspecting a semiconductor device which is a semiconductor device completed as a semiconductor chip or a product on a semiconductor wafer is included in the apparatus. It has an enormous number of circuits and is configured to be able to perform an inspection test on the electrical characteristics of a semiconductor chip or semiconductor device to be inspected.
そのため、例えば半導体チップや半導体デバイスの検査試験を行う場合、それに先立って、半導体検査装置側自身の機能が正常であるかを、システム診断プログラムを実行してチェックしている。 Therefore, for example, when an inspection test of a semiconductor chip or a semiconductor device is performed, a system diagnosis program is executed to check whether or not the function of the semiconductor inspection apparatus itself is normal.
このようなシステム診断の中で、テストヘッドに係るシステム診断を行う場合には、半導体検査装置は、テストヘッドにシステム診断専用の診断ボードを装着して行うように、構成されている。 In such system diagnosis, when system diagnosis related to the test head is performed, the semiconductor inspection apparatus is configured to be performed by mounting a diagnostic board dedicated to system diagnosis on the test head.
以上のような従来の半導体検査装置(例えば、特許文献1を参照)について、図面を参照しながら以下に説明する。
図9は従来の半導体検査装置におけるシステム診断実行時のテストヘッド周辺の構造を示す断面図である。図9において、910はプローブカード型診断用カード、940はテストヘッド、960はウエハ用マザー・ボード、962は検査ボード、963は回路異常検出用診断回路部、964は同軸ケーブル、966はプロービング・アッセンブリ、969はポゴピンである。
The conventional semiconductor inspection apparatus as described above (see, for example, Patent Document 1) will be described below with reference to the drawings.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a structure around a test head when system diagnosis is executed in a conventional semiconductor inspection apparatus. In FIG. 9, 910 is a probe card type diagnostic card, 940 is a test head, 960 is a wafer mother board, 962 is an inspection board, 963 is a circuit abnormality detection diagnostic circuit section, 964 is a coaxial cable, and 966 is a
以上のような半導体検査装置について、その動作を以下に説明する。
図9に示すように、仲介回路構造体を装着したままで、プローブカード側の開放端にプローブカードと同一嵌合形状としたプローブカード型診断用カード910と、プローブカード型診断用カード910に半導体検査装置の回路異常検出用診断回路部963を設ける構成手段にする。これにより、テストヘッド940とプローブカード間を1対1の電気的な仲介接続をする仲介回路構造体を有して、ウエハプローバに接続してウエハ上の半導体チップの電気的試験をする半導体検査装置において、ウエハ用マザー・ボードを装着した状態での自動システム診断が可能となる。
The operation of the semiconductor inspection apparatus as described above will be described below.
As shown in FIG. 9, the probe card type
また、上記の仲介回路構造体は、テストヘッド940とプローブカード間を1対1の電気的な仲介接続をする回路構造体の全てであって、一例としてはウエハ用マザー・ボード960がある。また、プローブカード型診断用カード910に対して固有のボード識別IDコードを付与し、これを読み出し可能とする回路をプローブカード型診断用カード910に追加する構成手段がある。これにより、このボード識別IDコードをシステムが読み出してプローブカード型診断用カード910の装着を確認し、そのプローブカード型診断用カード910に対応するシステム診断プログラムを実行させることが可能となる。
The intermediary circuit structure described above is all of the circuit structures that have a one-to-one electrical intermediary connection between the
以上のようにして、ウエハプローバに接続されるウエハ用マザー・ボード960のシステム診断において、ウエハ用マザー・ボード960を装着した状態でのウエハ用マザー・ボードを含んだ自動システム診断を実現している。
しかしながら上記のような従来の半導体検査装置では、異常検出対象の主体はあくまでも半導体試験器(半導体テスタ)であって、その異常診断や、ウエハプローバに接続されるウエハ用マザー・ボード960までを含めた全体の異常診断を実行するための異常検出手段については構成を有しているが、半導体テスタとウエハ用マザー・ボード960との間に存在する検査ボード及びインターフェース周辺部の検査回路要素の各要素をも含む検査装置全体にわたって、それらの各部ごとに発生する動作異常不良の全てを個々に検出することができないという問題点を有していた。
However, in the conventional semiconductor inspection apparatus as described above, the main subject of abnormality detection is a semiconductor tester (semiconductor tester), including abnormality diagnosis and
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、検査装置の不良として、検査ボード及びインターフェース周辺部の検査回路要素を含む検査装置全体にわたって、それらの各部に発生する異常不良の全てを検出することができる半導体検査装置を提供する。 The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and detects all abnormal defects occurring in each part of the entire inspection apparatus including the inspection circuit elements in the peripheral part of the inspection board and the interface as defects of the inspection apparatus. Provided is a semiconductor inspection apparatus capable of performing the above.
上記の課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の半導体検査装置は、半導体チップを検査するために前記半導体チップの外部接続端子に電気接触する複数のプローブ針がプローブカード基板に取り付けられたプローブカードと、前記半導体チップを検査するために前記半導体チップの電気特性を試験する半導体試験器と、前記複数のプローブ針が前記プローブカード基板を通じて電気接続され、前記プローブカード基板と前記半導体試験器との間で前記半導体チップの試験用信号を処理伝達する検査回路とを有し、前記複数のプローブ針を前記半導体チップの外部接続端子に電気接触させた状態で、前記検査回路を通じて前記試験用信号の処理伝達により得られた前記半導体試験器による試験結果に基づいて、前記半導体チップを検査する半導体検査装置において、前記プローブカードの取り付け部に、前記プローブカードの代わりに、前記検査回路における動作異常を検出するための異常検出用回路を前記プローブカード基板と同一基板上に形成した回路異常検出装置を取り付けて、前記検査回路を試験するよう構成したことを特徴とする。
In order to solve the above-described problem, in the semiconductor inspection apparatus according to
また、本発明の請求項2に記載の半導体検査装置は、請求項1記載の半導体検査装置であって、前記検査回路を、前記半導体チップの試験用信号として時間信号を処理伝達する時間判定回路を含む複数の信号処理伝達回路で構成し、前記異常検出用回路を、前記検査回路における動作異常として前記時間判定回路の動作異常を検出する時間判定動作異常検出回路を含む複数の動作異常検出回路で構成し、前記検査回路における前記時間判定回路の動作異常を検出することを特徴とする。
A semiconductor inspection apparatus according to
また、本発明の請求項3に記載の半導体検査装置は、請求項1記載の半導体検査装置であって、前記検査回路を、前記半導体チップの試験用信号としてリレー制御信号を処理伝達するリレー過渡応答回路を含む複数の信号処理伝達回路で構成し、前記異常検出用回路を、前記検査回路における動作異常として前記リレー過渡応答回路の動作異常を検出するリレー過渡応答動作異常検出回路を含む複数の動作異常検出回路で構成し、前記検査回路における前記リレー過渡応答回路の動作異常を検出することを特徴とする。
A semiconductor inspection apparatus according to
また、本発明の請求項4に記載の半導体検査装置は、請求項1記載の半導体検査装置であって、前記検査回路を、前記半導体チップの試験用信号として供給電源を処理伝達する供給電源回路を含む複数の信号処理伝達回路で構成し、前記異常検出用回路を、前記検査回路における動作異常として前記供給電源回路の動作異常を検出する電源供給動作異常検出回路を含む複数の動作異常検出回路で構成し、前記検査回路における前記供給電源回路の動作異常を検出することを特徴とする。 A semiconductor inspection apparatus according to a fourth aspect of the present invention is the semiconductor inspection apparatus according to the first aspect, wherein the inspection power is supplied to the inspection circuit as a test signal for the semiconductor chip. A plurality of operation abnormality detection circuits including a power supply operation abnormality detection circuit that detects an operation abnormality of the power supply circuit as an operation abnormality in the inspection circuit. And an abnormal operation of the power supply circuit in the inspection circuit is detected.
また、本発明の請求項5に記載の半導体検査装置は、請求項1記載の半導体検査装置であって、前記検査回路を、前記半導体チップの試験用信号として供給信号を処理伝達する供給信号回路を含む複数の信号処理伝達回路で構成し、前記異常検出用回路を、前記検査回路における動作異常として前記供給信号回路の動作異常を検出する信号供給動作異常検出回路を含む複数の動作異常検出回路で構成し、前記検査回路における前記供給信号回路の動作異常を検出することを特徴とする。
The semiconductor inspection apparatus according to
また、本発明の請求項6に記載の半導体検査装置は、複数の半導体チップを同時検査するために前記複数の半導体チップのそれぞれの外部接続端子にそれぞれ電気接触する複数のプローブ針がプローブカード基板に取り付けられたプローブカードと、前記複数の半導体チップを同時検査するために前記複数の半導体チップのそれぞれの電気特性を同時に試験する半導体試験器と、前記複数のプローブ針が前記プローブカード基板を通じて電気接続され、前記プローブカード基板と前記半導体試験器との間で前記複数の半導体チップのそれぞれに対して試験用信号を処理伝達する複数の検査回路とを有し、前記複数のプローブ針を前記複数の半導体チップのそれぞれの外部接続端子に電気接触させた状態で、前記複数の検査回路を通じて前記試験用信号の処理伝達により得られた前記半導体試験器による試験結果に基づいて、前記複数の半導体チップを同時検査する半導体検査装置において、前記プローブカードの取り付け部に、前記プローブカードの代わりに、前記複数の検査回路におけるそれぞれの動作異常を検出するための複数の異常検出用回路を前記プローブカード基板と同一基板上に形成した回路異常検出装置を取り付けて、前記複数の検査回路を試験するよう構成したことを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the semiconductor inspection apparatus, wherein a plurality of probe needles that are in electrical contact with the respective external connection terminals of the plurality of semiconductor chips in order to simultaneously inspect the plurality of semiconductor chips, A probe card attached to the semiconductor chip, a semiconductor tester for simultaneously testing electrical characteristics of the plurality of semiconductor chips to simultaneously inspect the plurality of semiconductor chips, and the plurality of probe needles electrically connected through the probe card substrate. A plurality of inspection circuits that are connected and process and transmit test signals to each of the plurality of semiconductor chips between the probe card substrate and the semiconductor tester; The test chip is electrically connected to each external connection terminal of the semiconductor chip through the plurality of inspection circuits. In a semiconductor inspection apparatus that simultaneously inspects the plurality of semiconductor chips based on a test result obtained by the semiconductor tester obtained by processing signal transmission, in the probe card mounting portion, instead of the probe card, A configuration in which a plurality of abnormality detection circuits for detecting respective operation abnormalities in a plurality of inspection circuits are formed on the same substrate as the probe card substrate is attached, and the plurality of inspection circuits are tested. It is characterized by that.
以上のように本発明によれば、プローブカード取り付け部に、半導体チップの通常検査時に装着するプローブカードの代わりに、プローブカード同一基板上に異常検出用回路を配置した回路異常検出装置を、プローブカード同一基板によって装着設定することにより、半導体試験器主体であった異常検出プログラムと回路異常検出機能を、検査装置における更に最先端部にまで展開させて、半導体試験器とウエハ用マザー・ボードとの間に存在する検査ボード及びインターフェース周辺部の検査回路の動作異常をも検出することができる。 As described above, according to the present invention, a circuit abnormality detection device in which an abnormality detection circuit is arranged on the same substrate of a probe card, instead of a probe card to be mounted at the time of a normal inspection of a semiconductor chip, on a probe card mounting portion By installing the card on the same board, the abnormality detection program and circuit abnormality detection function, which were mainly semiconductor testers, are expanded to the most advanced part of the inspection equipment. It is also possible to detect an abnormal operation of the inspection board and the inspection circuit in the periphery of the interface existing between the two.
以上により、検査ボード及びインターフェース周辺部の検査回路要素を含む検査装置全体にわたって、それらの各部に発生する異常不良の全てを検出することを可能とし、検査装置の異常発生中における無駄な装置稼動を大幅に低減することができ、かつ総合的な異常検出方法の統一化を図り、検査装置に発生する異常不良の検出を検査装置全体にわたって効率的に実行することができる。 As described above, it is possible to detect all abnormalities occurring in each part of the entire inspection apparatus including the inspection circuit elements in the inspection board and the interface peripheral part, and wasteful operation of the inspection apparatus during the occurrence of abnormality is possible. It can be greatly reduced, and a unified abnormality detection method can be unified, so that abnormality detection occurring in the inspection apparatus can be efficiently detected over the entire inspection apparatus.
その結果、製品としての半導体検査装置の信頼性を大幅に向上することができるとともに、半導体検査装置のコストダウンを実現することができる。 As a result, the reliability of the semiconductor inspection apparatus as a product can be greatly improved, and the cost of the semiconductor inspection apparatus can be reduced.
以下、本発明の実施の形態を示す半導体検査装置について、図面を参照しながら具体的に説明する。
図1は本実施の形態の半導体検査装置の構造を示す構成断面図である。図2は本実施の形態の半導体検査装置の構成を示すブロック図である。本実施の形態の半導体検査装置においては、図1および図2に示すように、例えばウエハ上の半導体チップ(図示せず)の良否を検査する通常検査の際に半導体チップの外部接続端子に電気接触が可能な複数のプローブ針100がプローブカード基板101に取り付けられたプローブカード102と、半導体チップに対する通常検査のために半導体チップの電気特性を内蔵のソフトウエアプログラムに従って試験する半導体試験器(半導体テスタ)200と、複数のプローブ針100がプローブカード基板101を通じて電気接続され、プローブカード基板101と半導体試験器200との間の検査ボード103およびインターフェース(ポゴリング)104周辺部に設けられ、半導体チップの試験用信号を処理伝達する検査回路201とを有し、半導体チップに対する通常検査時に、複数のプローブ針100を半導体チップの外部接続端子に電気接触させた状態で、検査回路201を通じて試験用信号の処理伝達により得られた半導体試験器200による試験結果に基づいて、半導体チップの電気的な良否を検査するように構成されている。
Hereinafter, a semiconductor inspection apparatus showing an embodiment of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a sectional view showing the structure of the semiconductor inspection apparatus according to the present embodiment. FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the semiconductor inspection apparatus of the present embodiment. In the semiconductor inspection apparatus according to the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, in a normal inspection for inspecting the quality of a semiconductor chip (not shown) on a wafer, the external connection terminals of the semiconductor chip are electrically connected. A probe card 102 in which a plurality of probe needles 100 that can be contacted are attached to a probe card substrate 101, and a semiconductor tester (semiconductor) that tests the electrical characteristics of the semiconductor chip according to a built-in software program for normal inspection of the semiconductor chip The
さらに、検査ボード103およびインターフェース(ポゴリング)104周辺部に構成された検査回路201の動作異常の有無を試験する場合に、インターフェース(ポゴリング)104のプローブカード取り付け部に、半導体チップの検査時にプローブカードフォルダ部105を介して装着したプローブカード102の代わりに、検査回路201における動作異常を検出するための異常検出用回路106をプローブカード基板と同一基板107上に形成した回路異常検出装置108を取り付けるように構成されている。 Further, when testing for the presence or absence of abnormal operation of the inspection circuit 201 configured in the periphery of the inspection board 103 and the interface (pogo ring) 104, the probe card mounting portion of the interface (pogo ring) 104 is connected to the probe card when inspecting the semiconductor chip. Instead of the probe card 102 mounted via the folder unit 105, a circuit abnormality detection device 108 in which an abnormality detection circuit 106 for detecting an operation abnormality in the inspection circuit 201 is formed on the same substrate 107 as the probe card substrate is attached. It is configured as follows.
また、検査ボード103およびインターフェース(ポゴリング)104周辺部に設けられた検査回路201は、複数の信号処理伝達回路で構成され、これらの信号処理伝達回路として、ここでは例えば、半導体チップの試験用信号として半導体チップの特定外部接続端子に供給する電流信号を処理伝達する供給電流回路202と、半導体チップの試験用信号として半導体チップの特定外部接続端子に供給する時間信号を処理伝達する時間判定回路203と、半導体チップの試験用信号として半導体チップの特定外部接続端子に供給するリレー制御信号を処理伝達するリレー過渡応答回路204と、半導体チップの試験用信号として半導体チップの特定外部接続端子に供給する供給電源を処理伝達する供給電源回路205と、半導体チップの試験用信号としてコネクタ1〜nを通じて半導体チップの特定外部接続端子に供給する供給信号を処理伝達する供給信号回路206とが設けられている。
In addition, the inspection circuit 201 provided in the periphery of the inspection board 103 and the interface (pogo ring) 104 includes a plurality of signal processing transmission circuits. As these signal processing transmission circuits, for example, test signals for semiconductor chips are used here. A supply
また、回路異常検出装置108の異常検出用回路106は、複数の動作異常検出回路で構成され、これらの動作異常検出回路として、ここでは例えば、検査回路201における動作異常として供給電流回路202の動作異常を検出するための電流供給動作異常検出回路としての抵抗器207と、検査回路201における動作異常として時間判定回路203の動作異常を検出するための時間判定動作異常検出回路としての発振回路208と、検査回路201における動作異常としてリレー過渡応答回路204の動作異常を検出するためのリレー過渡応答動作異常検出回路としての信号発生器209と、検査回路201における動作異常として供給電源回路205の動作異常を検出するための電源供給動作異常検出回路としての接続器210と、検査回路201における動作異常として供給信号回路206のコネクタ1〜nにおける不完全接触等による動作異常を検出するための信号供給動作異常検出回路としての判定回路211とが設けられている。
The abnormality detection circuit 106 of the circuit abnormality detection device 108 includes a plurality of operation abnormality detection circuits. As these operation abnormality detection circuits, here, for example, the operation of the supply
これらの異常検出用回路106に含まれる各回路の構成例を以下に説明する。
図3〜図7は本実施の形態の半導体検査装置における異常検出用回路の各回路の詳細構成を示す回路図であり、図3は異常検出用回路における抵抗器の構成を示す回路図であり、図4は異常検出用回路における発振回路の構成を示す回路図であり、図5は異常検出用回路における信号発生器の構成を示す回路図であり、図6は異常検出用回路における接続器の構成を示す回路図であり、図7は異常検出用回路における判定回路および表示器の構成を示す回路図である。
A configuration example of each circuit included in the abnormality detection circuit 106 will be described below.
3 to 7 are circuit diagrams showing the detailed configuration of each circuit of the abnormality detection circuit in the semiconductor inspection apparatus of the present embodiment, and FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of the resistor in the abnormality detection circuit. 4 is a circuit diagram showing a configuration of an oscillation circuit in the abnormality detection circuit, FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a signal generator in the abnormality detection circuit, and FIG. 6 is a connector in the abnormality detection circuit. FIG. 7 is a circuit diagram showing the configuration of the determination circuit and the display in the abnormality detection circuit.
図3に示す抵抗器207において、300、310は抵抗素子1kΩ(ここでは、各々13個設けられている)、301、311は抵抗素子2kΩ(ここでは、各々4個設けられている)であり、検査ボード103上に半導体チップを2個同時に検査可能なように検査回路201が2組(n=2)設けられている場合の構成例を示しており、この構成例では、各抵抗素子の一端が接地電位に共通接続され、残りの一端が、抵抗素子1kΩ300、310についてはそれぞれ1kΩ側接続端子302、312に接続され、抵抗素子2kΩ301、311についてはそれぞれ2kΩ側接続端子303、313に接続されている。
In the
なお、1つの抵抗器(例えばn=1)207に、抵抗素子1kΩ300と抵抗素子2kΩ301のように2種類の抵抗値を設けているのは、それらに同一の印加電圧に対して異なる電流が流れることを利用して、リレーなどで、一方の接点(例えばa接点)を例えば抵抗素子1kΩ300に接続し、他方の接点(例えばb接点)を例えば抵抗素子2kΩ301に接続することにより、現在の接続側接点を特定するためである。
It should be noted that two resistance values such as the
図4に示す発振回路208は、タイマICを用いた一般的な矩形波発振回路であり、400はタイマIC、401は12v電源を基にタイマIC400に所定の定電圧(ここでは5v)を供給するレギュレータ、402はレギュレータ401の入力側に12v電源を印加するための電源端子、403、413はタイマIC400からの矩形波によりスイッチングするスイッチングトランジスタ、404、414は一端が接地電位に接続された接地抵抗、405、415は出力端子、406、416はそれぞれスイッチングトランジスタ403、413と接地抵抗404、414のどちらかに切り替えて出力端子405、415に接続する切り替えスイッチである。
The
なお、12v電源は半導体テスタ200側から供給されており、レギュレータ401は、半導体テスタ200側からの供給電圧の変動に対して、その電圧より低い電圧で安定化させている。
The 12v power source is supplied from the
図5に示す信号発生器209において、501はロジックIC(FPGA、CPLD等)、502は基準クロック、503はリレー制御信号、504はリレー動作時間(1)、505は信号発生待ち時間(1)、506はパターン信号(1)、507は取り込み信号(1)、508はリレー動作時間(2)、509は取り込み信号(2)、510はリレー動作時間(3)、511は信号発生待ち時間(2)、512はパターン信号(2)、513は取り込み信号(3)、514はリレー動作時間(4)、515はパターン信号(3)、516は取り込み信号(4)である。
In the
図6に示す接続器210において、600は半導体テスタ200からの例えば+5v、−5v、+12v、−12v、接地電位(GND)の各電位の供給電源を受ける受信側端子、601は例えば+5v、−5v、+12v、−12v、接地電位(GND)の各電位の電圧を半導体テスタ200に返す返信側端子、602は受信側端子600で受けた半導体テスタ200からの例えば+5v、−5v、+12v、−12v、接地電位(GND)の各電位の電圧を、そのまま1:1で返信側端子601に戻す戻し配線である。
In the
図7に示す判定回路211において、700は判定信号、701は表示器、702はLED、703はAND回路、704は信号(1)、705は信号(2)、706は信号(n)である。
In the
以上のように構成された半導体検査装置について、その動作を以下に説明する。
例えば半導体チップの通常検査の前に、検査ボード103およびインターフェース(ポゴリング)104周辺部に構成された検査回路201の動作異常の有無を試験する場合には、まず、図1に示すように、インターフェース(ポゴリング)104のプローブカード取り付け部に、半導体チップの通常検査時にプローブカードフォルダ部105を介して装着したプローブカード102の代わりに、検査回路201における動作異常を検出するための異常検出用回路106をプローブカード基板と同一基板107上に形成した回路異常検出装置108を取り付ける。
The operation of the semiconductor inspection apparatus configured as described above will be described below.
For example, when testing whether there is an abnormal operation of the inspection circuit 201 formed in the periphery of the inspection board 103 and the interface (pogo ring) 104 before the normal inspection of the semiconductor chip, first, as shown in FIG. (Pogoring) Anomaly detection circuit 106 for detecting an operation abnormality in the inspection circuit 201 instead of the probe card 102 attached to the probe card mounting portion 104 of the semiconductor card via the probe card folder portion 105 during the normal inspection of the semiconductor chip. Is mounted on the same substrate 107 as the probe card substrate.
そして、図2に示すように、抵抗器207により、供給電流回路202における抵抗の断線やリレーの接点不良やリレー巻線の断線やリレー巻線の線間ショートや配線の線間ショート等による動作異常を検出する。例えば、図3に示す抵抗器207において、半導体テスタ200側から、予め設定した所定電圧を、供給電流回路202の各回路を通じて対応する1kΩ側接続端子302および2kΩ側接続端子303に印加し、その時に、半導体テスタ200側から供給電流回路202の各回路に流れ出る各電流を、半導体テスタ200側自身で測定し、そのようにして測定した各電流ごとに、それぞれの規定電流値と比較確認することにより、半導体テスタ200において供給電流回路202の上記動作異常を検出することができる。
Then, as shown in FIG. 2, the
また、発振回路208により、時間判定回路203の時間設定不良や回路不良等による動作異常を検出する。例えば、図4に示す発振回路208において、任意の出力端子405について、まず切り替えスイッチ406の切り替えにより予め設定した期間だけ出力端子405が接地抵抗404側と接続された状態から、つぎに切り替えスイッチ406により出力端子405がスイッチングトランジスタ403側と接続された状態に切り替え、その時点から予め設定した期間後に、さらに切り替えスイッチ406により最初の出力端子405が接地抵抗404側と接続された状態に戻した場合に、出力端子405がスイッチングトランジスタ403側と接続された状態にある期間におけるタイマIC400からの矩形波のパルス数を、その出力端子405に接続された時間判定回路203によりカウントして、この期間の時間を判定し、その判定結果を受けた半導体テスタ200側で、時間判定回路203による判定時間を、発振回路208において予め設定した切り替えスイッチ406の切り替えタイミングを基に予め設定した期間の時間と比較確認し、この動作を、発振回路208の各出力端子に接続された時間判定回路ごとに実行することにより、半導体テスタ200において時間判定回路203の上記動作異常を検出することができる。
Further, the
また、信号発生器209により、リレー過渡応答回路204におけるリレーの劣化による接点不良やリレー巻線の断線やリレー巻線の線間ショートおよびリレー制御信号線の断線や線間ショート等による動作異常を検出する。
In addition, the
以下、図5(a)に示す信号発生器209を用いて、リレー過度応答回路204における動作異常の検出動作について、図5(b)に示す一動作例を説明する。
図5(a)に示すように、FPGAやCPLD等の自由に信号を生成することのできるロジックIC501は、リレーの制御信号を受けて、基準クロック502を発生させるクロック発生器からの基準クロック502を基にパターン信号を発生させる。
Hereinafter, an operation example shown in FIG. 5B will be described with respect to the operation detecting operation abnormality in the relay
As shown in FIG. 5A, a
次に、図5(b)を用いて信号発生器209の動作例を示す。まず、リレーON動作時の異常検出動作を説明する。
信号発生器209は、半導体試験器200からのリレー制御信号503を受け取ると、リレーの規定動作(ON)時間の待ち時間(信号発生待ち時間(1)505)後、パターン信号(1)506を出力する。半導体試験器200は、信号発生待ち時間(1)505の待ち時間(1)後にパターン信号(1)506を取り込む。
Next, an operation example of the
When the
リレー動作が正常な場合、リレー動作時間(1)504は信号発生待ち時間(1)505以内であるため、信号発生器209が出力したパターン信号(1)506と同一の取り込み信号(1)507を半導体試験器200は取り込む。
When the relay operation is normal, the relay operation time (1) 504 is within the signal generation waiting time (1) 505, and therefore the same capture signal (1) 507 as the pattern signal (1) 506 output by the
半導体試験器200において、予め、信号発生器209が発生するパターン信号(1)506の信号パターンを保持させ、取り込み信号(1)507と予め保持したパターン信号(1)506を比較して、信号が同一であることが確認でき、その場合にリレーが正常動作していることを確認することが可能である。
In the
リレー動作が異常な場合、リレー動作時間(2)508が信号発生待ち時間(1)505より長くなり、取り込み信号(2)509として、信号発生器209が発生するパターン信号(1)506とは異なる取り込み信号(2)509を半導体試験器200が取り込む。半導体試験器200は、パターン信号(1)506と取り込み信号(2)509を比較することにより、それらの信号が同一でないことが確認でき、その場合にリレーが異常動作していることを確認することが可能である。
When the relay operation is abnormal, the relay operation time (2) 508 becomes longer than the signal generation waiting time (1) 505, and the pattern signal (1) 506 generated by the
次に、リレーOFF動作時の異常検出動作を説明する。
信号発生器209は、半導体試験器200からのリレー制御信号503を受け取ると、リレーの規定動作OFF時間の待ち時間(信号発生待ち時間(2)511)の後、パターン信号(2)512を出力する。半導体試験器200は、信号発生待ち時間(2)511の待ち時間後にパターン信号(2)512を取り込む。
Next, an abnormality detection operation at the time of relay OFF operation will be described.
When the
リレー動作が正常な場合、リレー動作時間(3)510は信号発生待ち時間(2)511以内であるため、取り込み信号(3)513は何の信号も含まない。半導体試験器200は、取り込み信号(3)513に何の信号もないことを確認することで、リレーが正常動作していることを確認することが可能である。
When the relay operation is normal, since the relay operation time (3) 510 is within the signal generation waiting time (2) 511, the capture signal (3) 513 does not include any signal. The
リレー動作が異常な場合、リレー動作時間(4)514は信号発生待ち時間(2)511より長くなり、取り込み信号(4)516は何らかの信号を含む。半導体試験器200は、取り込み信号(4)516に何らかの信号があることを確認することで、リレーが異常動作していることを確認することが可能である。
When the relay operation is abnormal, the relay operation time (4) 514 is longer than the signal generation waiting time (2) 511, and the capture signal (4) 516 includes some signal. The
上記より、半導体テスタ200においてリレー過渡応答回路204の上記動作異常を検出することができる。
また、接続器210により、供給電源回路205の断線や線間ショート等による動作異常を検出する。例えば、図6に示す接続器210において、半導体テスタ200側から、通常検査時に半導体チップに供給する例えば+5v、−5v、+12v、−12v、接地電位(GND)の各電圧を、供給電源回路205の各回路を通じて対応する受信側端子600に印加し、その時に、戻し配線602により、返信側端子601から供給電源回路205の他の各回路を通じて半導体テスタ200側に戻った各電圧を、半導体テスタ200側自身で測定し、そのようにして測定した各電圧ごとに、供給電源回路205の各回路へ出力した各電圧値と比較確認することにより、半導体テスタ200において供給電源回路205の上記動作異常を検出することができる。
As described above, the operation abnormality of the relay
Further, the
また、判定回路211により、供給信号回路206のコネクタ1〜nにおける不完全接触や線間ショート等による動作異常を検出し、その検出結果をLED等により構成された表示器212に表示する。
Further, the
例えば、図7に示す判定回路211において、信号(1)704、信号(2)705、信号(n)706は、AND回路703上で、全てON時のみ判定信号700を出すとともに、LED702を点灯させて、装着に問題なしを示す表示器701(212)として機能することにより、半導体テスタ200において供給信号回路206の上記動作異常を検出することができる。
For example, in the
次に、本実施の形態の半導体検査装置の他の構成について説明する。図1および図2に示す半導体検査装置に対して、以下のように構成することもできる。
図8は本実施の形態の半導体検査装置の他の構成を示すブロック図である。この半導体検査装置においては、図1および図8に示すように、例えばウエハ上の複数(n>2)の半導体チップ(図示せず)の良否を同時検査する通常検査の際に複数の半導体チップのそれぞれの外部接続端子にそれぞれ電気接触する複数のプローブ針100がプローブカード基板101に取り付けられたプローブカード102と、複数の半導体チップに対する同時検査のために複数の半導体チップのそれぞれの電気特性を内蔵のソフトウエアプログラムに従って同時に試験する半導体試験器(半導体テスタ)200と、複数のプローブ針100がプローブカード基板101を通じて電気接続され、プローブカード基板101と半導体試験器200との間の検査ボード800およびインターフェース(ポゴリング)104周辺部に設けられ、複数の半導体チップのそれぞれに対して試験用信号を処理伝達する複数(n>2)の検査回路801とを有し、半導体チップに対する通常検査時に、複数のプローブ針100を複数の半導体チップのそれぞれの外部接続端子に電気接触させた状態で、複数の検査回路801を通じて試験用信号の処理伝達により得られた半導体試験器200による試験結果に基づいて、複数の半導体チップを同時検査するように構成されている。
Next, another configuration of the semiconductor inspection apparatus according to the present embodiment will be described. The semiconductor inspection apparatus shown in FIGS. 1 and 2 can also be configured as follows.
FIG. 8 is a block diagram showing another configuration of the semiconductor inspection apparatus of the present embodiment. In this semiconductor inspection apparatus, as shown in FIG. 1 and FIG. 8, for example, a plurality of semiconductor chips in a normal inspection for simultaneously inspecting the quality of a plurality (n> 2) of semiconductor chips (not shown) on a wafer. A probe card 102 having a plurality of probe needles 100 that are in electrical contact with the respective external connection terminals are attached to the probe card substrate 101, and electrical characteristics of the plurality of semiconductor chips for simultaneous inspection of the plurality of semiconductor chips. A semiconductor tester (semiconductor tester) 200 that tests simultaneously according to a built-in software program and a plurality of probe needles 100 are electrically connected through a probe card substrate 101, and an inspection board 800 between the probe card substrate 101 and the
さらに、検査ボード800およびインターフェース(ポゴリング)104周辺部に構成された複数の検査回路801の動作異常の有無を試験する場合に、インターフェース(ポゴリング)104のプローブカードの取り付け部に、半導体チップの検査時にプローブカードフォルダ部105を介して装着したプローブカード102の代わりに、複数の検査回路801におけるそれぞれの動作異常を検出するための複数(n>2)の異常検出用回路802をプローブカード基板と同一基板803上に形成した回路異常検出装置804を取り付けるように構成されている。
Further, when testing whether or not there is an abnormal operation of the plurality of
なお、図8において、複数の(第1〜第n)検査回路801のそれぞれは、図2に示す検査回路201に相当し、複数の(第1〜第n)異常検出用回路802のそれぞれは、図2に示す異常検出用回路106に相当する。
In FIG. 8, each of the plurality of (first to nth)
以上のように構成することにより、例えばウエハ上の複数の半導体チップに対して、それらの良否を同時に検査するように構成された半導体検査装置の検査ボードおよびインターフェース(ポゴリング)周辺部に構成された検査回路を含む半導体検査装置全体について、それら各部の動作異常の有無を試験することができる。 By configuring as described above, for example, a plurality of semiconductor chips on a wafer are configured on the periphery of an inspection board and interface (pogo ring) of a semiconductor inspection apparatus configured to inspect their quality at the same time. With respect to the entire semiconductor inspection apparatus including the inspection circuit, it is possible to test whether or not there is an abnormal operation of each part.
以上のような本実施の形態の構成によれば、ポゴリングのプローブカード取り付け部に、半導体チップの通常検査時に装着するプローブカードの代わりに、プローブカード同一基板上に異常検出用回路を配置した回路異常検出装置を、プローブカード同一基板によって装着設定することにより、半導体テスタ主体であった異常検出プログラムと回路異常検出機能を、検査装置における更に最先端部にまで展開させて、半導体テスタとウエハ用マザー・ボードとの間に存在する検査ボード及びポゴリング周辺部の検査回路の動作異常をも検出することができる。 According to the configuration of the present embodiment as described above, a circuit in which an anomaly detection circuit is arranged on the same substrate as the probe card, instead of the probe card that is attached to the probe card mounting portion of the pogo ring during the normal inspection of the semiconductor chip. By installing the anomaly detection device on the same substrate as the probe card, the anomaly detection program and the circuit anomaly detection function, which were mainly semiconductor testers, are expanded to the most advanced part of the inspection device, and are used for semiconductor testers and wafers. It is also possible to detect an abnormal operation of the inspection board existing between the mother board and the inspection circuit around the pogo ring.
そのため、検査ボード及びポゴリング周辺部の検査回路要素を含む検査装置全体にわたって、それらの各部に発生する異常不良の全てを検出することを可能とし、検査装置の異常発生中における無駄な装置稼動を大幅に低減することができ、かつ総合的な異常検出方法の統一化を図り、検査装置に発生する異常不良の検出を検査装置全体にわたって効率的に実行することができる。 Therefore, it is possible to detect all abnormalities that occur in each part of the inspection device including the inspection circuit elements in the inspection board and the periphery of the pogo ring. In addition, it is possible to unify the overall abnormality detection method, and to efficiently detect abnormality defects occurring in the inspection apparatus throughout the inspection apparatus.
その結果、製品としての半導体装置の信頼性を大幅に向上することができるとともに、半導体装置のコストダウンを実現することができる。
また、回路異常検出装置は、異常検出用回路をプローブカード基板と全く同一の基板上に配置して、ポゴリングのプローブカード取り付け部に、半導体チップの通常検査時に装着するプローブカードの代わりに取り付け装着が可能なように構成しているため、回路異常検出装置の異常検出用回路は、従来から半導体チップの通常検査時に装着するプローブカードに使用している既存のプローブカード基板上に搭載することができる。
As a result, the reliability of the semiconductor device as a product can be significantly improved, and the cost of the semiconductor device can be reduced.
In addition, the circuit abnormality detection device has an abnormality detection circuit arranged on the same substrate as the probe card substrate, and is attached to the probe card mounting portion of the pogo ring instead of the probe card to be mounted during normal inspection of the semiconductor chip. Therefore, the abnormality detection circuit of the circuit abnormality detection device can be mounted on an existing probe card substrate that has been used for a probe card that is conventionally mounted during normal inspection of a semiconductor chip. it can.
また、上記により、半導体検査装置の異常状態の有無を試験する際には、半導体チップの通常検査用に装着していたプローブカードから、異常検出用回路がプローブカード基板と全く同一の基板上に配置された回路異常検出装置に、素早くかつ容易に取り替えることができる。 In addition, according to the above, when testing for the presence or absence of an abnormal state of the semiconductor inspection apparatus, the abnormality detection circuit is placed on the same substrate as the probe card substrate from the probe card that is mounted for the normal inspection of the semiconductor chip. It is possible to replace the arranged circuit abnormality detection device quickly and easily.
また、上記により、半導体検査装置の異常状態の有無を試験するために、半導体チップの通常検査用に装着していたプローブカードから回路異常検出装置に取り替える際に、その回路異常検出装置の装着時に、回路異常検出装置取り付け用のアダプタなど特別な専用治具を用意する必要をなくすことができる。 In addition, according to the above, when replacing the probe card that has been mounted for the normal inspection of the semiconductor chip with the circuit abnormality detection device in order to test the presence or absence of the abnormal state of the semiconductor inspection device, when the circuit abnormality detection device is mounted In addition, it is possible to eliminate the need to prepare a special dedicated jig such as an adapter for mounting the circuit abnormality detection device.
本発明の半導体検査装置は、検査装置の不良として、検査ボード及びインターフェース周辺部の検査回路要素を含む検査装置全体にわたって、それらの各部に発生する異常不良の全てを検出することができるもので、例えば半導体ウエハ上の半導体チップを検査するための半導体検査装置等に適用できる。 The semiconductor inspection apparatus of the present invention is capable of detecting all of the abnormal defects occurring in the respective parts over the entire inspection apparatus including the inspection circuit elements of the inspection board and the interface peripheral portion as defects of the inspection apparatus. For example, the present invention can be applied to a semiconductor inspection apparatus for inspecting semiconductor chips on a semiconductor wafer.
100 プローブ針
101 プローブカード基板
102 プローブカード
103 検査ボード
104 ポゴリング
105 プローブカードフォルダ部
106 異常検出用回路
107 プローブカード同一基板
108 回路異常検出装置
200 半導体試験器(半導体テスタ)
201 検査回路
202 供給電流回路
203 時間判定回路
204 リレー過渡応答回路
205 供給電源回路
206 供給信号回路
207 抵抗器
208 発振回路
209 信号発生器
210 接続器
211 判定回路
212 表示器
300、310 抵抗素子1kΩ
301、311 抵抗素子2kΩ
302、312 1kΩ側接続端子
303、313 2kΩ側接続端子
400 タイマIC
401 レギュレータ
402 電源端子
403、413 スイッチングトランジスタ
404、414 接地抵抗
405、415 出力端子
406、416 切り替えスイッチ
501 ロジックIC(FPGA、CPLD等)
502 基準クロック
503 リレー制御信号
504 リレー動作時間(1)
505 信号発生待ち時間(1)
506 パターン信号(1)
507 取り込み信号(1)
508 リレー動作時間(2)
509 取り込み信号(2)
510 リレー動作時間(3)
511 信号発生待ち時間(2)
512 パターン信号(2)
513 取り込み信号(3)
514 リレー動作時間(4)
515 パターン信号(3)
516 取り込み信号(4)
600 受信側端子
601 返信側端子
602 戻し配線
700 判定信号
701 表示器
702 LED
703 AND回路
704 信号(1)
705 信号(2)
706 信号(n)
800 検査ボード
801 第1〜第n検査回路
802 第1〜第n異常検出用回路
803 プローブカード同一基板
804 回路異常検出装置
910 プローブカード型診断用カード
940 テストヘッド
960 ウエハ用マザー・ボード
962 検査ボード
963 回路異常検出用診断回路部
964 同軸ケーブル
966 プロービング・アッセンブリ
969 ポゴピン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Probe needle 101 Probe card board 102 Probe card 103 Inspection board 104 Pogo ring 105 Probe card folder part 106 Abnormality detection circuit 107 Probe card same board 108 Circuit
201
301, 311 Resistance element 2kΩ
302, 312 1 kΩ
401 Regulator 402 Power supply terminal 403, 413 Switching transistor 404, 414 Ground resistance 405, 415 Output terminal 406, 416
502 Reference clock 503 Relay control signal 504 Relay operation time (1)
505 Waiting time for signal generation (1)
506 Pattern signal (1)
507 Capture signal (1)
508 Relay operation time (2)
509 Capture signal (2)
510 Relay operation time (3)
511 Waiting time for signal generation (2)
512 Pattern signal (2)
513 Capture signal (3)
514 Relay operation time (4)
515 Pattern signal (3)
516 Capture signal (4)
600 Reception side terminal 601 Reply side terminal 602 Return wiring 700 Determination signal 701
703 AND circuit 704 Signal (1)
705 signal (2)
706 Signal (n)
800
Claims (6)
前記半導体チップを検査するために前記半導体チップの電気特性を試験する半導体試験器と、
前記複数のプローブ針が前記プローブカード基板を通じて電気接続され、前記プローブカード基板と前記半導体試験器との間で前記半導体チップの試験用信号を処理伝達する検査回路とを有し、
前記複数のプローブ針を前記半導体チップの外部接続端子に電気接触させた状態で、前記検査回路を通じて前記試験用信号の処理伝達により得られた前記半導体試験器による試験結果に基づいて、前記半導体チップを検査する半導体検査装置において、
前記プローブカードの取り付け部に、
前記プローブカードの代わりに、
前記検査回路における動作異常を検出するための異常検出用回路を前記プローブカード基板と同一基板上に形成した回路異常検出装置を取り付けて、
前記検査回路を試験するよう構成した
ことを特徴とする半導体検査装置。 A probe card in which a plurality of probe needles that are in electrical contact with external connection terminals of the semiconductor chip to inspect the semiconductor chip are attached to the probe card substrate;
A semiconductor tester for testing electrical characteristics of the semiconductor chip to inspect the semiconductor chip;
The plurality of probe needles are electrically connected through the probe card substrate, and have an inspection circuit that processes and transmits a test signal for the semiconductor chip between the probe card substrate and the semiconductor tester,
Based on a test result by the semiconductor tester obtained by processing transmission of the test signal through the inspection circuit in a state where the plurality of probe needles are in electrical contact with external connection terminals of the semiconductor chip, the semiconductor chip In semiconductor inspection equipment that inspects
In the probe card mounting part,
Instead of the probe card,
A circuit abnormality detection device in which an abnormality detection circuit for detecting an operation abnormality in the inspection circuit is formed on the same substrate as the probe card substrate is attached,
A semiconductor inspection apparatus configured to test the inspection circuit.
前記検査回路を、前記半導体チップの試験用信号として時間信号を処理伝達する時間判定回路を含む複数の信号処理伝達回路で構成し、
前記異常検出用回路を、前記検査回路における動作異常として前記時間判定回路の動作異常を検出する時間判定動作異常検出回路を含む複数の動作異常検出回路で構成し、
前記検査回路における前記時間判定回路の動作異常を検出する
ことを特徴とする半導体検査装置。 The semiconductor inspection apparatus according to claim 1,
The inspection circuit includes a plurality of signal processing transmission circuits including a time determination circuit that processes and transmits a time signal as a test signal for the semiconductor chip,
The abnormality detection circuit is configured with a plurality of operation abnormality detection circuits including a time determination operation abnormality detection circuit that detects an operation abnormality of the time determination circuit as an operation abnormality in the inspection circuit,
A semiconductor inspection apparatus for detecting an operation abnormality of the time determination circuit in the inspection circuit.
前記検査回路を、前記半導体チップの試験用信号としてリレー制御信号を処理伝達するリレー過渡応答回路を含む複数の信号処理伝達回路で構成し、
前記異常検出用回路を、前記検査回路における動作異常として前記リレー過渡応答回路の動作異常を検出するリレー過渡応答動作異常検出回路を含む複数の動作異常検出回路で構成し、
前記検査回路における前記リレー過渡応答回路の動作異常を検出する
ことを特徴とする半導体検査装置。 The semiconductor inspection apparatus according to claim 1,
The inspection circuit is constituted by a plurality of signal processing transmission circuits including a relay transient response circuit that processes and transmits a relay control signal as a test signal for the semiconductor chip,
The abnormality detection circuit is configured with a plurality of operation abnormality detection circuits including a relay transient response operation abnormality detection circuit that detects an operation abnormality of the relay transient response circuit as an operation abnormality in the inspection circuit,
A semiconductor inspection apparatus for detecting an operation abnormality of the relay transient response circuit in the inspection circuit.
前記検査回路を、前記半導体チップの試験用信号として供給電源を処理伝達する供給電源回路を含む複数の信号処理伝達回路で構成し、
前記異常検出用回路を、前記検査回路における動作異常として前記供給電源回路の動作異常を検出する電源供給動作異常検出回路を含む複数の動作異常検出回路で構成し、
前記検査回路における前記供給電源回路の動作異常を検出する
ことを特徴とする半導体検査装置。 The semiconductor inspection apparatus according to claim 1,
The inspection circuit is constituted by a plurality of signal processing transmission circuits including a power supply circuit that processes and transmits a power supply as a test signal for the semiconductor chip,
The abnormality detection circuit comprises a plurality of operation abnormality detection circuits including a power supply operation abnormality detection circuit that detects an operation abnormality of the power supply circuit as an operation abnormality in the inspection circuit,
A semiconductor inspection apparatus for detecting an operation abnormality of the power supply circuit in the inspection circuit.
前記検査回路を、前記半導体チップの試験用信号として供給信号を処理伝達する供給信号回路を含む複数の信号処理伝達回路で構成し、
前記異常検出用回路を、前記検査回路における動作異常として前記供給信号回路の動作異常を検出する信号供給動作異常検出回路を含む複数の動作異常検出回路で構成し、
前記検査回路における前記供給信号回路の動作異常を検出する
ことを特徴とする半導体検査装置。 The semiconductor inspection apparatus according to claim 1,
The inspection circuit is composed of a plurality of signal processing transmission circuits including a supply signal circuit that processes and transmits a supply signal as a test signal for the semiconductor chip,
The abnormality detection circuit comprises a plurality of operation abnormality detection circuits including a signal supply operation abnormality detection circuit that detects an operation abnormality of the supply signal circuit as an operation abnormality in the inspection circuit,
A semiconductor inspection apparatus for detecting an operation abnormality of the supply signal circuit in the inspection circuit.
前記複数の半導体チップを同時検査するために前記複数の半導体チップのそれぞれの電気特性を同時に試験する半導体試験器と、
前記複数のプローブ針が前記プローブカード基板を通じて電気接続され、前記プローブカード基板と前記半導体試験器との間で前記複数の半導体チップのそれぞれに対して試験用信号を処理伝達する複数の検査回路とを有し、
前記複数のプローブ針を前記複数の半導体チップのそれぞれの外部接続端子に電気接触させた状態で、前記複数の検査回路を通じて前記試験用信号の処理伝達により得られた前記半導体試験器による試験結果に基づいて、前記複数の半導体チップを同時検査する半導体検査装置において、
前記プローブカードの取り付け部に、
前記プローブカードの代わりに、
前記複数の検査回路におけるそれぞれの動作異常を検出するための複数の異常検出用回路を前記プローブカード基板と同一基板上に形成した回路異常検出装置を取り付けて、
前記複数の検査回路を試験するよう構成した
ことを特徴とする半導体検査装置。 A probe card in which a plurality of probe needles that are in electrical contact with respective external connection terminals of the plurality of semiconductor chips in order to simultaneously inspect a plurality of semiconductor chips are attached to a probe card substrate;
A semiconductor tester for simultaneously testing the electrical characteristics of each of the plurality of semiconductor chips to simultaneously test the plurality of semiconductor chips;
A plurality of test circuits in which the plurality of probe needles are electrically connected through the probe card substrate and process and transmit test signals to each of the plurality of semiconductor chips between the probe card substrate and the semiconductor tester; Have
In the state where the plurality of probe needles are in electrical contact with the respective external connection terminals of the plurality of semiconductor chips, the test results obtained by the semiconductor tester obtained by processing transmission of the test signals through the plurality of inspection circuits. On the basis of the semiconductor inspection apparatus for simultaneously inspecting the plurality of semiconductor chips,
In the probe card mounting part,
Instead of the probe card,
Attach a circuit abnormality detection device in which a plurality of abnormality detection circuits for detecting respective operation abnormalities in the plurality of inspection circuits are formed on the same substrate as the probe card substrate,
A semiconductor inspection apparatus configured to test the plurality of inspection circuits.
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