JP2007316196A - Display device - Google Patents

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JP2007316196A
JP2007316196A JP2006143730A JP2006143730A JP2007316196A JP 2007316196 A JP2007316196 A JP 2007316196A JP 2006143730 A JP2006143730 A JP 2006143730A JP 2006143730 A JP2006143730 A JP 2006143730A JP 2007316196 A JP2007316196 A JP 2007316196A
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display device
tft
standby state
unit
light
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Withdrawn
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JP2006143730A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Sano
寛 佐野
Takashi Kunimori
隆志 國森
Toshihiko Tanaka
俊彦 田中
Masanori Yasumori
正憲 安森
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Epson Imaging Devices Corp
Original Assignee
Epson Imaging Devices Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device provided with a light sensing part having the optical sensor, which prevents deterioration of the optical sensor and attaining low power consumption. <P>SOLUTION: In the display device 1 provided with a display panel provided with a TFT substrate 2, a light illuminating means, the light sensing part LS having the TFT optical sensor detecting external light, an optical sensor reading part Re1 reading the detection value of the light sensing part and a controlling means 20 having a switching part performing on/off control of the light illuminating means, a standby state judging part 25 judging whether the display panel mounting device is in a usual operation state or in a standby state is provided in the controlling means 20 and when the standby state judging part judges change from the usual operation state to the standby state, negative voltage applied to a gate electrode of the TFT optical sensor is changed to positive voltage to be applied in a fixed period and then the light sensing part LS, the optical sensor reading part Re1 and the switching part 23 are stopped. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は表示パネルを照射する照光手段を備えた表示装置に係り、特に外光の明るさに
応じて自動的に照光手段の明るさを変えることができ、低消費電力化を実現した表示装置
に関するものである。
The present invention relates to a display device having illumination means for illuminating a display panel, and in particular, a display device that can automatically change the brightness of the illumination means in accordance with the brightness of external light and achieves low power consumption. It is about.

近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速に
普及している。特に、携帯型のものは、消費電力を減少させるために、透過型液晶表示装
置のようなバックライトないしはサイドライト(以下、両者を纏めて「バックライト等」
という)を必要としない反射型の液晶表示装置が多く用いられている。しかし、この反射
型液晶表示装置は、外光を光源として用いるので暗い室内などでは見え難くなってしまう
ために、フロントライトを使用したもの(例えば、下記特許文献1参照)や、透過型と反
射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の開発が進められてきている(例えば、下
記特許文献2参照)。
In recent years, the application of liquid crystal display devices has rapidly spread not only in information communication equipment but also in general electric equipment. In particular, in order to reduce power consumption, a portable type uses a backlight or a sidelight such as a transmissive liquid crystal display device (hereinafter referred to as “backlight etc.” collectively)
In many cases, a reflection type liquid crystal display device that does not need to be used is used. However, since this reflection type liquid crystal display device uses outside light as a light source and is difficult to see in a dark room or the like, it uses a front light (for example, see Patent Document 1 below), or a transmission type and reflection type. Development of a transflective liquid crystal display device having a mold property has been underway (for example, see Patent Document 2 below).

例えば、フロントライトを使用した反射型液晶表示装置は、暗い場所においてはフロン
トライトを点灯して画像を表示し、明るい場所ではフロントライトを点灯することなく外
光を利用して画像を表示することができるので、常時フロントライトを点灯する必要がな
く、消費電力を大幅に削減することができる。また、半透過型液晶表示装置は、一つの画
素内に透明電極を備えた透過部と反射電極を備えた反射部を有しており、暗い場所におい
てはバックライト等を点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、明るい場所に
おいてはバックライト等を点灯することなく反射部において外光を利用して画像を表示し
ているため、この場合も常時バックライト等を点灯する必要がなくなるので、消費電力を
大幅に低減させることができるという利点を有している。
For example, a reflective liquid crystal display device using a front light displays an image by turning on the front light in a dark place and displays an image using outside light without turning on the front light in a bright place. Therefore, it is not necessary to always turn on the front light, and the power consumption can be greatly reduced. In addition, the transflective liquid crystal display device includes a transmissive portion having a transparent electrode and a reflective portion having a reflective electrode in one pixel. In a dark place, a backlight or the like is lit to turn on the pixel region. Since the image is displayed using the transmission part and the image is displayed using the external light in the reflection part without lighting the backlight or the like in a bright place, the backlight or the like is always turned on in this case as well. Since it is not necessary, power consumption can be greatly reduced.

このような反射型液晶表示装置や半透過型液晶表示装置においては、外光の強さにより
液晶表示画面の見えやすさが異なる。このため、エンドユーザは、液晶表示画面を見やす
くするために、外光の強さに応じてバックライト等ないしはフロントライトを点灯すべき
レベルであるか否かを自ら判断してバックライト等ないしはフロントライトを点灯、減灯
ないしは消灯するという煩雑な操作を行う必要があった。更に、外光の明るさが十分であ
る時にも、不必要にバックライト等ないしはフロントライトを点灯してしまう場合もあり
、このような場合には、無駄な消費電力が増大するため、携帯電話機等の携帯型の機器に
おいては電池の消耗が早くなるという問題点が顕在する。
In such a reflective liquid crystal display device and a transflective liquid crystal display device, the visibility of the liquid crystal display screen varies depending on the intensity of external light. For this reason, in order to make the liquid crystal display screen easier to see, the end user himself / herself determines whether or not the backlight or the front light should be turned on according to the intensity of the external light. It was necessary to perform a complicated operation of turning on, turning off, or turning off the light. Furthermore, even when the brightness of the outside light is sufficient, the backlight or the like or the front light may be turned on unnecessarily. In such a case, useless power consumption increases. In such portable devices, there is a problem that the battery is consumed quickly.

そこで、このような課題を解消するために、液晶表示装置に光センサを組み込み、この
光センサによって外光の明暗を検出し、この検出結果に基づいてバックライト等のオン/
オフを制御する技術が開発されている(例えば、下記特許文献1、2参照)。
Therefore, in order to solve such a problem, an optical sensor is incorporated in the liquid crystal display device, the light sensor detects the brightness of the outside light, and on / off of the backlight or the like based on the detection result.
A technique for controlling the off state has been developed (for example, see Patent Documents 1 and 2 below).

例えば、下記特許文献1に記載された液晶表示装置は、液晶パネルの基板に光センサを
有する光検知部を配置したもので、光センサとして薄膜トランジスタ(TFT)を用い、
このTFT光センサを液晶パネルのスイッチング素子として使用されるTFTと同時に作
成し、このTFT光センサの光リーク電流を検出することにより、周囲の明るさに応じて
バックライト等を自動的にオン/オフさせるようにしたものである。
For example, a liquid crystal display device described in Patent Document 1 below is a liquid crystal panel substrate in which a light detection unit having a photosensor is arranged, and a thin film transistor (TFT) is used as the photosensor.
This TFT photosensor is created at the same time as the TFT used as the switching element of the liquid crystal panel, and the light leakage current of this TFT photosensor is detected, so that the backlight is automatically turned on / off according to the ambient brightness. It is intended to be turned off.

また、下記特許文献2に記載された液晶表示装置は、外光照度検出センサおよびバック
ライト照度検出センサを設け、両センサの検出結果にバックライト等を制御するものであ
り、これらのセンサには薄膜トランジスタ(TFT)が使用されている。
特開2002−131719号公報(特許請求の範囲、段落[0006]〜[0013]、図1) 特開2000−122575号公報(段落[0013]〜[0016]、図4) 特開2001−169190号公報(段落[0053]、[0054]、図2)
In addition, the liquid crystal display device described in Patent Document 2 below includes an external light illuminance detection sensor and a backlight illuminance detection sensor, and controls a backlight or the like based on detection results of both sensors. (TFT) is used.
JP 2002-131719 A (Claims, paragraphs [0006] to [0013], FIG. 1) JP 2000-122575 A (paragraphs [0013] to [0016], FIG. 4) JP 2001-169190 A (paragraphs [0053] and [0054], FIG. 2)

ところで、上記特許文献1、2の液晶表示装置に組み込まれるTFT光センサは、光が
当たらないときはゲートオフ領域において僅かな漏れ電流(暗電流)が流れ、一方、光が
当たるとその光の強さ(明るさ)に応じて大きな漏れ電流が流れる、いわゆる光リーク特
性を有している(図8参照)。このような特性をもつTFTセンサは、例えば、図9に示
すような光検出回路に組み込まれて使用される。なお、図8はTFT光センサの電圧−電
流曲線の一例を示す図であり、図9はTFT光センサを使用した公知の光検出回路図であ
り、また、図10は明るさが異なる場合の図9に示した回路図におけるコンデンサの両端
の電圧−時間曲線を示す図である。
By the way, in the TFT photosensors incorporated in the liquid crystal display devices of Patent Documents 1 and 2 described above, a slight leakage current (dark current) flows in the gate-off region when no light is applied. It has a so-called light leakage characteristic in which a large leakage current flows in accordance with the brightness (brightness) (see FIG. 8). A TFT sensor having such characteristics is used by being incorporated in a photodetection circuit as shown in FIG. 9, for example. 8 is a diagram showing an example of a voltage-current curve of the TFT photosensor, FIG. 9 is a known photodetection circuit diagram using the TFT photosensor, and FIG. 10 shows a case where the brightness is different. It is a figure which shows the voltage-time curve of the both ends of the capacitor | condenser in the circuit diagram shown in FIG.

この光検出回路は、TFT光センサのドレイン電極Dとソース電極S間にコンデン
サCが並列接続され、ソース電極SとコンデンサCの一方の端子がスイッチ素子SWを
介して基準電圧源Vsに接続され、更に、TFT光センサのドレイン電極Dおよびコン
デンサCの他方の端子が接地された構成を有している(図9参照)。この光検出回路の動
作は、先ず、TFT光センサのゲート電極Gに一定の逆バイアス電圧(例えば−10V
)を印加しておき、スイッチ素子SWをオンして一定の基準電圧Vs(例えば+2V)を
コンデンサCの両端に印加し、所定時間後にこのスイッチ素子SWをオフにする。これに
より、コンデンサCの両端には、TFT光センサの周囲の明るさに応じて、図10に示す
ように、時間とともに低下するソース電圧、すなわち充電電圧が得られる。したがって、
スイッチ素子SWをオフにしてから所定時間t後にコンデンサCの両端の充電電圧を測
定すれば、その電圧とTFT光センサの周囲の明るさとの間に反比例の関係が成立してい
るので、TFT光センサの周囲の明るさを検出することができる。
The photodetector circuit, the capacitor C is connected in parallel between the drain electrode D L and the source electrode S L of the TFT ambient light photosensor, a source electrode S L and one terminal of the capacitor C via the switching element SW reference voltage source Vs to be connected, further, the other terminal of the drain electrode D L and the capacitor C of the TFT ambient light photosensor has a structure that is grounded (see FIG. 9). The operation of the light detection circuit, first, a constant reverse bias voltage to the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor (e.g. -10V
), The switch element SW is turned on, a constant reference voltage Vs (for example, +2 V) is applied to both ends of the capacitor C, and the switch element SW is turned off after a predetermined time. As a result, a source voltage that decreases with time, that is, a charging voltage, is obtained at both ends of the capacitor C as shown in FIG. 10 according to the brightness around the TFT photosensor. Therefore,
If the charging voltage at both ends of the capacitor C is measured after a predetermined time t 0 after the switch element SW is turned off, an inversely proportional relationship is established between the voltage and the brightness around the TFT photosensor. The brightness around the optical sensor can be detected.

しかしながら、このような光検出回路は、TFT光センサのゲート電極に、常時一定の
逆バイアス電圧が印加されるため、極性の偏った電圧が掛けられた状態が継続し、TFT
のゲート電極部分に電荷がトラップされる等の現象が発生して、TFTセンサ素子の特性
が劣化し、このため感度特性が変化し、センサの信頼性が低下する恐れがある。そこで、
このような偏りに起因した素子劣化を防止するために、TFTセンサのゲート電極にリセ
ット信号を印加することにより素子特性の劣化を防ぐ方法が知られている(例えば、上記
特許文献3参照)。しかし、この方法を上記の光検出回路に適用しようとすると、リセッ
ト信号を光センサへの充電時および読み取り時に印加すると光検知部および読取部が誤動
作を起し、また、この時点を避けたタイミングにリセット信号を印加しようとすると、リ
セット、充電および読み出しを制御するシーケンスが必要となりその制御が複雑になる。
However, in such a photodetection circuit, a constant reverse bias voltage is always applied to the gate electrode of the TFT photosensor.
A phenomenon such as trapping of electric charges at the gate electrode portion of the TFT occurs, and the characteristics of the TFT sensor element are deteriorated. As a result, the sensitivity characteristics change, and the reliability of the sensor may be lowered. Therefore,
In order to prevent element deterioration due to such bias, a method for preventing deterioration of element characteristics by applying a reset signal to the gate electrode of the TFT sensor is known (for example, see Patent Document 3). However, if this method is applied to the above-described photodetection circuit, if the reset signal is applied to the photosensor during charging and reading, the photodetection unit and the reading unit will malfunction, and the timing at which this point is avoided If an attempt is made to apply a reset signal, a sequence for controlling reset, charging and reading becomes necessary and the control becomes complicated.

また、上記特許文献1、2の液晶表示装置に、上記のような外光検出回路を組み込むと
、通常、外光を検出する必要がない状態、例えば携帯電話機の待ち受け状態で必要最小限
の一部画像を表示させる、いわゆるパーシャル駆動のときにも、光検出回路が動作するよ
うになるので、余分な電流が消費されて電池の消耗が速くなるという問題点が顕在してし
まう。
In addition, when the external light detection circuit as described above is incorporated in the liquid crystal display devices of Patent Documents 1 and 2, normally, it is not necessary to detect external light, for example, in a standby state of a mobile phone, the minimum necessary one. Even during so-called partial driving in which partial images are displayed, the photodetection circuit operates, which causes a problem that excessive current is consumed and battery consumption is accelerated.

そこで、本発明の目的は、外光の明るさに応じて自動的に照光手段の明るさを変えるこ
とができる光センサを有する光検知部を備えた表示装置において、光センサ素子の劣化を
防止するとともに低消費電力化を実現した表示装置を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to prevent deterioration of a photosensor element in a display device having a photodetection unit having a photosensor that can automatically change the brightness of illumination means according to the brightness of external light. It is another object of the present invention to provide a display device that achieves low power consumption.

上記目的を達成するために、請求項1に記載の表示装置の発明は、アクティブマトリク
ス基板を備えた表示パネルと、前記表示パネルを照射する照光手段と、外光を検出する薄
膜トランジスタ(TFT)からなるTFT光センサを有する光検知部および該光検知部の
検出値を読み取る光センサ読取部と、前記光センサ読取部の出力により前記照光手段をオ
ン/オフ制御するスイッチング部を有する制御手段とを備えた表示装置において、前記制
御手段には、前記表示パネルを搭載した機器が通常の動作状態か待ち受け状態かを判定す
る待ち受け状態判定部を設け、該待ち受け状態判定部は前記機器が通常の動作状態から待
ち受け状態へ変更されたことを判定したときに、前記TFT光センサのゲート電極に印加
されていた負電圧を一定期間だけ正電圧に変更して印加し、その後は、前記光検知部およ
び前記光センサ読取部並びに前記スイッチング部の動作を停止させることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the invention of the display device according to claim 1 includes a display panel provided with an active matrix substrate, illumination means for illuminating the display panel, and a thin film transistor (TFT) for detecting external light. A light detection unit having a TFT optical sensor, a light sensor reading unit that reads a detection value of the light detection unit, and a control unit that includes a switching unit that controls on / off of the illumination unit by an output of the light sensor reading unit. In the display device provided, the control means includes a standby state determination unit that determines whether a device equipped with the display panel is in a normal operation state or a standby state, and the standby state determination unit is configured so that the device operates normally. The negative voltage applied to the gate electrode of the TFT photosensor for a certain period when it is determined that the state has been changed to the standby state. Change applied to a positive voltage, then is characterized by stopping the operation of the light sensing unit and the light sensor reading unit and the switching unit.

請求項2の発明は、請求項1に記載の表示装置において、前記待ち受け状態判定部は、
前記表示パネルの表示領域の一部領域が表示状態とされ、残りの領域が非表示状態とされ
たときに待ち受け状態と判定することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the display device according to the first aspect, the standby state determination unit includes:
When a part of the display area of the display panel is in a display state and the remaining area is in a non-display state, the standby state is determined.

請求項3の発明は、請求項1に記載の表示装置において、前記待ち受け状態判定部は、
前記表示パネルの表示領域の全領域が非表示状態とされたときに待ち受け状態と判定する
ことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the display device according to the first aspect, the standby state determination unit includes:
When the entire display area of the display panel is in a non-display state, the standby state is determined.

請求項4の発明は、請求項1又は2に記載の表示装置において、前記表示装置は反射型
又は半透過型液晶表示装置であることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the display device according to the first or second aspect, the display device is a reflective or transflective liquid crystal display device.

請求項5の発明は、請求項1又は3に記載の表示装置において、前記表示装置は透過型
液晶表示装置であることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the display device according to the first or third aspect, the display device is a transmissive liquid crystal display device.

請求項6の発明は、請求項4又は5に記載の表示装置において、前記TFT光センサは
、前記表示パネルの製造工程においてスイッチング素子としてのTFTと同時に形成され
ていることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the display device according to the fourth or fifth aspect, the TFT photosensor is formed simultaneously with a TFT as a switching element in the manufacturing process of the display panel.

本発明は、上記構成を備えることにより、以下の優れた効果を奏する。すなわち、請求
項1の発明によれば、制御手段に、表示パネルを搭載した機器の動作状態が通常の動作状
態か待ち受け状態かを判定する待ち受け状態判定部を設け、この待ち受け状態判定部で機
器が通常の動作状態から待ち受け状態へ変更されたのを判定し、この判定結果によりTF
T光センサのゲート電極に一定期間正電圧を印加するので、極めて簡単な判定制御により
、TFT光センサ素子の劣化を防止でき、光センサの感度特性を維持できる。また、TF
T光センサのゲート電極への正電圧は、待ち受け状態に変更されたときに印加され、この
とき光センサ読取部は不作動になっているので、この読取に影響を与えることがない。さ
らに、待ち受け状態への変更時に、光検知部および光センサ読取部並びにスイッチング部
の動作を停止させるので無駄な電力の消費をなくすることができる。
By providing the above configuration, the present invention has the following excellent effects. In other words, according to the first aspect of the present invention, the control means is provided with the standby state determination unit that determines whether the operation state of the device equipped with the display panel is the normal operation state or the standby state. Is changed from the normal operation state to the standby state, and the result of this determination is TF
Since a positive voltage is applied to the gate electrode of the T photosensor for a certain period, deterioration of the TFT photosensor element can be prevented and the sensitivity characteristic of the photosensor can be maintained by extremely simple determination control. TF
The positive voltage applied to the gate electrode of the T photosensor is applied when the standby state is changed. At this time, the photosensor reading unit is inoperative, so this reading is not affected. Furthermore, since the operations of the light detection unit, the optical sensor reading unit, and the switching unit are stopped when changing to the standby state, wasteful power consumption can be eliminated.

請求項2、3の発明によれば、待ち受け状態判定部が表示パネルの表示領域の一部領域
が表示状態とされ、残りの領域が非表示状態とされたとき、また、表示パネルの表示領域
の全領域が非表示状態とされたときに待ち受け状態と判定することにより、待ち受け状態
の判定が極めて簡単になる。
According to the second and third aspects of the invention, when the standby state determination unit sets a part of the display area of the display panel to the display state and the remaining area to the non-display state, the display area of the display panel By determining the standby state when all of the areas are not displayed, it is very easy to determine the standby state.

請求項4の発明によれば、反射型又は半透過型液晶表示装置において、請求項1、2の
効果と同様の効果を奏することができる。
According to the invention of claim 4, in the reflective or transflective liquid crystal display device, the same effects as those of claims 1 and 2 can be obtained.

請求項5の発明によれば、透過型液晶表示装置において、請求項1、3の効果と同様の
効果を奏することができる。
According to the invention of claim 5, in the transmission type liquid crystal display device, the same effect as that of claims 1 and 3 can be obtained.

請求項6の発明によれば、TFT光センサは、液晶パネルのスイッチング素子としての
TFT製造時に同時に製造することができるので、光センサを設けるために特に製造工数
を増加させる必要がなくなる。
According to the sixth aspect of the present invention, the TFT optical sensor can be manufactured at the same time when the TFT as the switching element of the liquid crystal panel is manufactured, so that it is not necessary to increase the number of manufacturing steps particularly in order to provide the optical sensor.

以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための表示装置として液晶表示装置を例示するもので
あって、本発明をこの液晶表示装置に特定することを意図するものではなく、特許請求の
範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
Hereinafter, the best embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the embodiment described below exemplifies a liquid crystal display device as a display device for embodying the technical idea of the present invention, and is not intended to specify the present invention for this liquid crystal display device. And other embodiments within the scope of the claims are equally applicable.

本発明の実施例に係る光センサを組み込んだ液晶表示装置を図1、図2を用いて説明す
る。なお、図1は本発明の実施例に係る液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表
したアクティブマトリクス基板を模式的に示した平面図、図2は図1のX−X線で切断し
た断面図、図3はTFT基板上の光センサおよびスイッチ素子の断面図である。
A liquid crystal display device incorporating an optical sensor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is a plan view schematically showing an active matrix substrate seen through a color filter substrate of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is cut along the line XX in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of the optical sensor and the switch element on the TFT substrate.

液晶表示装置1は、図1及び図2に示すように、表面に薄膜トランジスタ(TFT)等
を搭載した透明な絶縁性を有する材料、例えばガラス基板からなるアクティブマトリクス
基板(以下、TFT基板という)2と、表面にカラーフィルタ等が形成されたガラス基板
等からなるカラーフィルタ基板(以下、CF基板という)13とをシール枠7を介して貼
り合わせ、この貼り合せで形成された空間に液晶16が封入された構成を有している。
As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal display device 1 includes a transparent insulating material having a thin film transistor (TFT) or the like on its surface, for example, an active matrix substrate (hereinafter referred to as a TFT substrate) 2 made of a glass substrate. And a color filter substrate (hereinafter referred to as a CF substrate) 13 made of a glass substrate or the like having a color filter or the like formed on the surface thereof are bonded together via a seal frame 7, and a liquid crystal 16 is formed in the space formed by the bonding. It has an enclosed configuration.

このうちTFT基板2は、その表示領域DAにゲート線4およびソース線5がマトリク
ス状に形成されており、ゲート線4とソース線5で囲まれる部分に画素電極が形成され、
ゲート線4とソース線5の交差部に画素電極と接続されたスイッチング素子としてのTF
Tが形成されている。光検知部LSは、後述するように表示領域DA内の外周縁部、さら
に詳しくはトランスファ電極6に近接する表示領域DA内の隅部に設けられている。こ
れら各配線、TFTおよび画素電極は、図2においてこれらを模式的に第1構造物3とし
て示している。
Of these, the TFT substrate 2 has gate lines 4 and source lines 5 formed in a matrix in the display area DA, and pixel electrodes are formed in a portion surrounded by the gate lines 4 and the source lines 5.
TF as a switching element connected to the pixel electrode at the intersection of the gate line 4 and the source line 5
T is formed. Light detecting section LS is, the outer peripheral edge portion of the display area DA as described below, more particularly provided in the corners of the display area DA adjacent to the transfer electrode 6 2. These wirings, TFTs, and pixel electrodes are schematically shown as the first structure 3 in FIG.

TFT基板2は、その短辺部に液晶表示装置1を駆動するための画像供給装置(図示せ
ず)と接続するためのフレキシブル配線基板FPCが設けられ、このフレキシブル配線基
板FPCは画像供給装置からのデータ線および制御線をドライバICに接続している。V
COM信号、ソース信号、ゲート信号はドライバIC内で生成され、それぞれTFT基板
2上のコモン線8、ソース線5、ゲート線4に接続される。また、TFT基板2の四隅に
は、複数のトランスファ電極6〜6が設けられている。これらのトランスファ電極6
〜6はコモン線8を介して互いに直接接続ないしはドライバIC内で互いに接続され
て同電位となるようになっている。各トランスファ電極6〜6は後述する対向電極1
4とコンタクト材6aを介して電気的に接続され、ドライバICから出力される対向電極
電圧が対向電極14に印加されるようになっている。
The TFT substrate 2 is provided with a flexible wiring substrate FPC for connecting to an image supply device (not shown) for driving the liquid crystal display device 1 on the short side portion, and the flexible wiring substrate FPC is connected to the image supply device. The data line and the control line are connected to the driver IC. V
The COM signal, the source signal, and the gate signal are generated in the driver IC and connected to the common line 8, the source line 5, and the gate line 4 on the TFT substrate 2, respectively. A plurality of transfer electrodes 6 1 to 6 4 are provided at the four corners of the TFT substrate 2. These transfer electrodes 6
1-6 4 is adapted to the same potential are connected to one another directly connected or in the driver IC to each other through a common line 8. Each transfer electrode 61 through 4 are opposing electrode 1 described below
4 and the contact material 6a are electrically connected to each other, and a counter electrode voltage output from the driver IC is applied to the counter electrode 14.

CF基板13は、ガラス基板の表面にR(赤)、G(緑)、B(青)等の複数色からな
るカラーフィルタと、ブラックマトリクスが形成されている。このCF基板13はTFT
基板2に対向配置されるとともに、ブラックマトリクスが少なくともTFT基板2のゲー
ト線やソース線に対応する位置に配置され、このブラックマトリクスによって区画された
領域にカラーフィルタが設けられている。これらカラーフィルタ等の具体的な構成は図示
しないが、図2ではこれらを模式的に第2構造物15として示してある。また、CF基板
13には、更に酸化インジウム、酸化スズ等で構成された透明電極からなる対向電極14
が設けられており、この対向電極14はTFT基板2に形成された光検知部LSと対向す
る箇所まで延設されている(図2参照)。また、TFT基板2の下方には、図示しない周
知の照光手段、導光板、拡散シート等を有するバックライトが配置されている。
In the CF substrate 13, a color filter composed of a plurality of colors such as R (red), G (green), and B (blue) and a black matrix are formed on the surface of a glass substrate. This CF substrate 13 is a TFT
The black matrix is disposed at a position corresponding to at least the gate line and the source line of the TFT substrate 2, and a color filter is provided in a region partitioned by the black matrix. Although specific configurations of these color filters and the like are not shown, these are schematically shown as the second structure 15 in FIG. Further, the CF substrate 13 is further provided with a counter electrode 14 made of a transparent electrode made of indium oxide, tin oxide or the like.
The counter electrode 14 extends to a position facing the light detection part LS formed on the TFT substrate 2 (see FIG. 2). A backlight having well-known illumination means (not shown), a light guide plate, a diffusion sheet, and the like is disposed below the TFT substrate 2.

光検知部LSを構成するTFT光センサおよびスイッチ素子SW1は、いずれもTFT
で構成され、TFT基板2上に形成される。すなわち、図3に示すように、TFT基板2
上に、先ず、TFT光センサのゲート電極G、コンデンサCwの一方の端子Cおよび
一方のスイッチ素子SW1を構成するTFTのゲート電極Gが形成され、これらの表面
を覆うようにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜9が積層される
。TFT光センサのゲート電極Gの上およびスイッチ素子SW1を構成するTFTのゲ
ート電極Gの上には、それぞれゲート絶縁膜9を介して非晶質シリコンや多結晶シリコ
ンなどからなる半導体層11および11が形成され、またゲート絶縁膜9上にアルミ
ニウムやモリブデン等の金属からなるTFT光センサのソース電極Sおよびドレイン電
極D、一方のスイッチ素子SW1を構成するTFTのソース電極Sおよびドレイン電
極Dがそれぞれの半導体層11および11と接触するように設けられる。このうち
、TFT光センサのソース電極Sおよびスイッチ素子SW1を構成するTFTのドレイ
ン電極Dは、互いに延長されて接続されてコンデンサCwの他方の端子Cが形成され
る。更に、TFT光センサ、コンデンサCwおよびTFTからなるスイッチ素子SW1の
表面を覆うようにして例えば無機絶縁材料からなる保護絶縁膜10が積層され、また、T
FTからなるスイッチ素子SW1の表面には、外部光の影響を受けないようにするために
、ブラックマトリクスが被覆される。また、この光検知部LSが配設された向かい側のC
F基板13上には、この光検知部LSと対向する位置まで対向電極14が延設され、光検
知部LSを構成するTFT光センサのドレイン電極DおよびコンデンサCwの端子C
がこの対向電極14にトランスファ電極6を介して接続される。また、光検知部LSは
TFT基板2の表示領域DA内の外周縁に設けられているものとしたが、表示領域DAの
外縁部に設けられていてもよい。
TFT light sensor and switch element SW1 constituting the light detection unit LS are both TFTs.
And is formed on the TFT substrate 2. That is, as shown in FIG.
Above, first, the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor, the gate electrode G S of TFT constituting one terminal C 1 and one switch element SW1 of the capacitor Cw is formed so as to cover these surfaces nitride A gate insulating film 9 made of silicon, silicon oxide or the like is laminated. Semiconductor layer 11 on the gate electrode G S of the TFT is made of amorphous silicon or polycrystalline silicon through the respective gate insulating film 9 constituting the upper and the switch element SW1 of the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor L and 11 S are formed, and the source electrode S L and the drain electrode D L of the TFT photosensor made of metal such as aluminum or molybdenum are formed on the gate insulating film 9, and the source electrode S of the TFT constituting one switch element SW1. S and the drain electrode D S is provided so as to contact the respective semiconductor layers 11 L and 11 S. Of these, the drain electrode D S of the TFT constituting the source electrode S L and the switch element SW1 of the TFT ambient light photosensor, the other terminal C 2 of the capacitor Cw is formed are connected to be extended from one another. Further, a protective insulating film 10 made of, for example, an inorganic insulating material is laminated so as to cover the surface of the switch element SW1 made of the TFT photosensor, the capacitor Cw and the TFT.
The surface of the switch element SW1 made of FT is covered with a black matrix so as not to be affected by external light. Further, the C on the opposite side where the light detection unit LS is disposed.
On F substrate 13, the light detecting unit LS and the counter electrode 14 to the opposing position is extended, the light detection unit drain electrode of the TFT ambient light photosensors constituting the LS D L and the terminal C 2 of the capacitor Cw
There are connected via the transfer electrode 6 2 to the counter electrode 14. Further, although the light detection unit LS is provided at the outer peripheral edge in the display area DA of the TFT substrate 2, it may be provided at the outer edge of the display area DA.

次に図4及び図5を参照して、光検知部LSおよび光センサ読取部Re1の構成および
動作を説明する。なお、図4は光検知部および光センサ読取部の回路図、図5は図4の各
部の出力波形を示すタイミングチャートである。
Next, the configuration and operation of the light detection unit LS and the optical sensor reading unit Re1 will be described with reference to FIGS. 4 is a circuit diagram of the light detection unit and the optical sensor reading unit, and FIG. 5 is a timing chart showing output waveforms of the respective units in FIG.

光検知部LSは、図4に示すように、TFT光センサのドレイン電極Dとソース電極
間にコンデンサCwが並列接続され、ソース電極SとコンデンサCwの一方の端子
がスイッチ素子SW1を介して基準電圧源Vsに接続され、更に、TFT光センサのドレ
イン電極DおよびコンデンサCwの他方の端子が対向電極(VCOM)に接続された構
成を有している。また、光センサ読取部Re1は、公知のサンプリングホールド回路SH
から構成されており、光検知部LSのコンデンサCwの電荷を蓄積するホールド用コンデ
ンサCrと、このホールド用コンデンサCrの出力電圧を増幅するOPアンプと、このO
Pアンプ出力をアナログからデジタル値に変更するA/D変換器とで構成されている。そ
して、光検知部LSと光センサ読取部Re1とは、スイッチ素子SW3で接続されている
Light detecting section LS as shown in FIG. 4, the capacitor Cw is connected in parallel between the drain electrode D L and the source electrode S L of the TFT ambient light photosensor, a source electrode S L and one terminal switching element SW1 of the capacitor Cw is connected to a reference voltage source Vs through a further has a configuration in which the other terminal of the drain electrode D L and capacitor Cw TFT ambient light sensor is connected to the counter electrode (VCOM). The optical sensor reading unit Re1 includes a known sampling and holding circuit SH.
The hold capacitor Cr for storing the charge of the capacitor Cw of the light detection unit LS, an OP amplifier for amplifying the output voltage of the hold capacitor Cr, and the O
The A / D converter changes the P amplifier output from analog to digital value. The light detection unit LS and the light sensor reading unit Re1 are connected by a switch element SW3.

次に、光検知部LSおよび光センサ読取部Re1の動作を説明する。
液晶表示パネルの対向電極14には、所定振幅の対向電極電圧(以下、VCOMという
)が印加されており、この対向電極電圧VCOMは、図5においてハイレベルの電圧をV
COMH、ローレベルの電圧をVCOML、その電圧幅をVCOMWとして示されている
。また、このVCOMはTFT光センサおよびコンデンサCwに印加されている。加えて
、TFT光センサのゲート電極Gには、このVCOMと同期して所定のマイナス電圧G
Vが印加されている。このGVはVCOMとその振幅が同一であり、かつVCOMの電圧
よりも常に所定の逆バイアス電圧分、例えば10Vだけ電圧が低く設定されている。すな
わち、このGVのハイレベルの電圧であるGVHはVCOMH−10Vであり、ローレベ
ルの電圧であるGVLはVCOML−10Vに設定されている。
Next, operations of the light detection unit LS and the light sensor reading unit Re1 will be described.
A counter electrode voltage (hereinafter referred to as VCOM) having a predetermined amplitude is applied to the counter electrode 14 of the liquid crystal display panel. This counter electrode voltage VCOM is a high level voltage V in FIG.
COMH, the low level voltage is indicated as VCOML, and the voltage width is indicated as VCOMW. The VCOM is applied to the TFT photosensor and the capacitor Cw. In addition, the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor, a predetermined negative voltage G synchronized with the VCOM
V is applied. This GV has the same amplitude as that of VCOM, and is always set lower than the voltage of VCOM by a predetermined reverse bias voltage, for example, 10V. That is, GVH which is a high level voltage of GV is set to VCOMH-10V, and GVL which is a low level voltage is set to VCOML-10V.

この状態において、光検知部LSは所定のフレーム期間、例えば奇数(ODD)フレー
ムおよび偶数(EVEN)フレーム期間毎にスイッチ素子SW1を制御することで基準電
圧源Vsから所定の基準電圧Vsが印加される。例えばODDフレーム期間におけるVC
OML期間にスイッチ素子SW1をオンして、基準電圧VsをコンデンサCwに印加して
充電する。この充電により、コンデンサCwの両端には基準電圧VsとVCOML間の電
位差Vaがかかり、充電されるが、ゲート電極GにはGVLが印加されてゲートオフさ
れているので、スイッチ素子SW1をオフすると、TFT光センサへ光が照射されること
により生じる漏れ電流によってこの電位が低下する。そして、この同じODDフレーム期
間のVCOML期間にスイッチ素子SW3をオンしてコンデンサCwから電荷をホールド
用コンデンサCrへ移し、充電する。次のODDフレーム期間において、同様にしてVC
OML期間に再びスイッチ素子SW1をオンして、コンデンサCwに電圧Vaを充電し、
スイッチ素子SW1をオフし代ってスイッチ素子SW3をオンして、コンデンサCwから
電荷をホールド用コンデンサCrへ移し、充電する。以後同様に各スイッチ素子SW1、
SW3のオン・オフ動作を繰り返して、コンデンサCwの蓄積電圧をホールド用コンデン
サCrに順次充電する。したがって、各スイッチ素子SW1、SW3のオン・オフ動作を
繰り返して、複数のフレーム期間に亘って蓄積されたホールド用コンデンサCrを検出す
ることで光検出を行うようになせば、1つのフレーム期間においてコンデンサCwに蓄積
された電圧が瞬間的な光量の変化あるいはノイズ等で変化した場合でも、ホールド用コン
デンサCrでの蓄積電圧には大きな影響を及ぼすことがなく安定した光検出結果が得られ
る。なお、この光検知部LSでは、VCOML期間でスイッチ素子SW1をオンして光検
出を行ったがVCOMHの期間で行っても同様の検出出力が得られる。また、この例では
EVENフレームでは各スイッチ素子SW1、SW3のオン・オフ動作を行わなかったが
、EVENフレームでも動作させてよい。
In this state, the photodetecting unit LS is applied with the predetermined reference voltage Vs from the reference voltage source Vs by controlling the switch element SW1 every predetermined frame period, for example, every odd (ODD) frame and even (EVEN) frame period. The For example, VC in ODD frame period
During the OML period, the switch element SW1 is turned on, and the reference voltage Vs is applied to the capacitor Cw for charging. By this charging, a potential difference Va between the reference voltage Vs and VCOML is applied to both ends of the capacitor Cw, and charging is performed. However, since GVL is applied to the gate electrode GL and the gate is turned off, the switching element SW1 is turned off. This potential is lowered by a leakage current generated by irradiating the TFT photosensor with light. Then, the switch element SW3 is turned on during the VCOML period of the same ODD frame period, and the charge is transferred from the capacitor Cw to the hold capacitor Cr and charged. Similarly, in the next ODD frame period, VC
During the OML period, the switch element SW1 is turned on again to charge the capacitor Va with the voltage Va,
Instead of turning off the switch element SW1, the switch element SW3 is turned on, and the charge is transferred from the capacitor Cw to the hold capacitor Cr and charged. Thereafter, each switch element SW1,
The on / off operation of SW3 is repeated, and the accumulated voltage of the capacitor Cw is sequentially charged into the hold capacitor Cr. Therefore, if the light detection is performed by detecting the hold capacitor Cr accumulated over a plurality of frame periods by repeating the on / off operation of each switch element SW1, SW3, in one frame period. Even when the voltage accumulated in the capacitor Cw changes due to an instantaneous change in light quantity or noise, a stable light detection result can be obtained without greatly affecting the accumulated voltage in the hold capacitor Cr. In the light detection unit LS, the switch element SW1 is turned on during the VCOML period to perform light detection. However, similar detection output can be obtained even during the VCOMH period. In this example, the switch elements SW1 and SW3 are not turned on / off in the EVEN frame, but may be operated in the EVEN frame.

このように所定のフレーム期間にホールド用コンデンサCrに蓄積された電圧は、OP
アンプに入力・増幅されA/D変換されて読取出力Pが得られる。この光センサ読取部R
e1の出力Pは、制御手段20に入力されて照光手段となるバックライト等のオン/オフ
制御がされる。
Thus, the voltage accumulated in the holding capacitor Cr in a predetermined frame period is OP.
A read output P is obtained by input / amplification to the amplifier and A / D conversion. This optical sensor reading unit R
The output P of e1 is input to the control means 20, and ON / OFF control of the backlight etc. which becomes an illumination means is performed.

図6はバックライト等を制御する制御手段を構成するブロック図、図7は図6の動作を
説明するタイミングチャートである。
制御装置20は、光センサ読取部Re1で読み取られた読取値および閾値記憶部21の
値が入力される比較部22と、所定の明暗でバックライト等をオンする基準値が記憶され
た閾値記憶部21と、比較部の比較結果に基づいてバックライト等24をオン/オフ制御
するスイッチング部23と、液晶表示装置1が搭載された機器の待ち受け状態を判定する
待ち受け状態判定部25とを有し、この待ち受け状態判定部25では機器から待ち受け信
号を受けて待ち受け状態を判定したとき(図7(a)、図7(b)参照)、この判定結果
により、TFT光センサのゲート電極Gに掛るゲート電圧GVをこれまでの−10Vか
ら一定期間だけ+15Vに変更して印加し(図7(c)参照)、その後、0Vにする。ま
た、これと同時に光検知部LS、光センサ読取部Re1、比較部22およびスイッチング
部23をオフ状態とする(図7(d)参照)。
FIG. 6 is a block diagram constituting the control means for controlling the backlight and the like, and FIG. 7 is a timing chart for explaining the operation of FIG.
The control device 20 includes a comparison unit 22 to which a reading value read by the optical sensor reading unit Re1 and a value of the threshold storage unit 21 are input, and a threshold storage in which a reference value for turning on a backlight or the like in a predetermined brightness is stored. Unit 21, a switching unit 23 that controls on / off of the backlight 24 based on the comparison result of the comparison unit, and a standby state determination unit 25 that determines the standby state of the device in which the liquid crystal display device 1 is mounted. and, when it is determined the standby state in response to a signal waiting from this the waiting state determination unit 25 devices (FIG. 7 (a), the reference FIG. 7 (b)), the result of this determination, the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor The gate voltage GV applied to is changed from -10V so far to + 15V for a certain period (see FIG. 7 (c)), and then is set to 0V. At the same time, the light detection unit LS, the optical sensor reading unit Re1, the comparison unit 22, and the switching unit 23 are turned off (see FIG. 7D).

待ち受け状態判定部25は、液晶表示装置1が搭載された機器、例えば携帯電話機、パ
ーソナルコンピュータ等が一時休止されて、液晶表示装置1の一部ないし全表示領域を非
表示状態にされたときに待ち受け状態と判定する。
The standby state determination unit 25 is used when a device on which the liquid crystal display device 1 is mounted, such as a mobile phone or a personal computer, is temporarily suspended and a part or all of the display area of the liquid crystal display device 1 is not displayed. The standby state is determined.

したがって、バックライト等24を制御する制御装置20に待ち受け状態判定部25を
設けて、この判定結果によりTFT光センサのゲート電極Gに一定期間正の電圧を印加
するという極めて簡単な判定制御により、TFT光センサ素子の劣化を防止でき、光セン
サの感度特性を維持できる。
Thus, by providing a state determination unit 25 waiting in the control device 20 for controlling the backlights 24, a very simple decision control of applying a certain period positive voltage to the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor by the determination result Degradation of the TFT photosensor element can be prevented, and the sensitivity characteristics of the photosensor can be maintained.

また、TFT光センサのゲート電極Gへ印加される正電圧は、待ち受け状態に変更さ
れたときに印加され、このとき光センサ読取部Re1がオフ状態となるので読取に影響を
与えることがない。さらに、待ち受け状態への変更時に、光検知部LSおよび光センサ読
取部Re1並びにスイッチング部23の動作を停止させるので無駄な電力の消費をなくす
ることができる。
The positive voltage applied to the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor is applied when it is changed to the standby state, this time the optical sensor reader Re1 will not affect the reading because the OFF state . Furthermore, since the operations of the light detection unit LS, the optical sensor reading unit Re1, and the switching unit 23 are stopped when changing to the standby state, wasteful power consumption can be eliminated.

図1は本発明の実施例に係る液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表したアクティブマトリクス基板を模式的に示した平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing an active matrix substrate seen through a color filter substrate of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 図2は図1のX−X線で切断した断面図である。2 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. 図3はアクティブマトリクス基板上の光センサおよびスイッチング素子の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of an optical sensor and a switching element on the active matrix substrate. 図4は光検知部および光センサ読取部の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of the light detection unit and the light sensor reading unit. 図5は図4の各部の出力波形を示すタイミングチャートである。FIG. 5 is a timing chart showing the output waveform of each part of FIG. 図6はバックライト等を制御する制御手段を構成するブロック図である。FIG. 6 is a block diagram of the control means for controlling the backlight and the like. 図7は図6の動作を説明するタイミングチャートである。FIG. 7 is a timing chart for explaining the operation of FIG. 図8はTFT光センサの電圧−電流曲線の一例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an example of a voltage-current curve of the TFT photosensor. 図9はTFT光センサを使用した公知の光検出回路図である。FIG. 9 is a known photodetection circuit diagram using a TFT photosensor. 図10は明るさが異なる場合の図9に示した回路図におけるコンデンサの両端の電圧−時間曲線を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a voltage-time curve across the capacitor in the circuit diagram shown in FIG. 9 when the brightness is different.

符号の説明Explanation of symbols

1 液晶表示装置
2 アクティブマトリクス基板(TFT基板)
4 ゲート線
5 ソース線
〜6 トランスファ電極
7 シール材
8 コモン線
13 カラーフィルタ基板(CF基板)
LS 光検知部
Re1 光センサ読取部
20 制御装置
22 比較部
23 スイッチング部
24 バックライト等
25 待ち受け状態判定部
1 Liquid crystal display device 2 Active matrix substrate (TFT substrate)
4 Gate line 5 Source line 6 1 to 6 4 Transfer electrode 7 Seal material 8 Common line 13 Color filter substrate (CF substrate)
LS light detection unit Re1 optical sensor reading unit 20 control device 22 comparison unit 23 switching unit 24 backlight etc. 25 standby state determination unit

Claims (6)

アクティブマトリクス基板を備えた表示パネルと、前記表示パネルを照射する照光手段
と、外光を検出する薄膜トランジスタ(TFT)からなるTFT光センサを有する光検知
部および該光検知部の検出値を読み取る光センサ読取部と、前記光センサ読取部の出力に
より前記照光手段をオン/オフ制御するスイッチング部を有する制御手段とを備えた表示
装置において、
前記制御手段には、前記表示パネルを搭載した機器が通常の動作状態か待ち受け状態か
を判定する待ち受け状態判定部を設け、該待ち受け状態判定部は前記機器が通常の動作状
態から待ち受け状態へ変更されたことを判定したときに、前記TFT光センサのゲート電
極に印加されていた負電圧を一定期間だけ正電圧に変更して印加し、その後は、前記光検
知部および前記光センサ読取部並びに前記スイッチング部の動作を停止させることを特徴
とする表示装置。
A light detection unit having a display panel including an active matrix substrate, illumination means for illuminating the display panel, a TFT light sensor composed of a thin film transistor (TFT) for detecting external light, and light for reading a detection value of the light detection unit In a display device comprising: a sensor reading unit; and a control unit having a switching unit that controls on / off of the illumination unit based on an output of the optical sensor reading unit.
The control means is provided with a standby state determination unit for determining whether a device equipped with the display panel is in a normal operation state or a standby state, and the standby state determination unit changes the device from a normal operation state to a standby state. When it is determined that the negative voltage applied to the gate electrode of the TFT photosensor is changed to a positive voltage for a certain period and then applied, the photodetecting unit, the photosensor reading unit, and A display device, wherein operation of the switching unit is stopped.
前記待ち受け状態判定部は、前記表示パネルの表示領域の一部領域が表示状態とされ、
残りの領域が非表示状態とされたときに待ち受け状態と判定することを特徴とする請求項
1に記載の表示装置。
The standby state determination unit is configured to display a partial area of the display area of the display panel,
The display device according to claim 1, wherein the display device is determined to be in a standby state when the remaining area is in a non-display state.
前記待ち受け状態判定部は、前記表示パネルの表示領域の全領域が非表示状態とされた
ときに待ち受け状態と判定することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
The display device according to claim 1, wherein the standby state determination unit determines the standby state when the entire display area of the display panel is in a non-display state.
前記表示装置は反射型又は半透過型液晶表示装置であることを特徴とする請求項1又は
2に記載の表示装置。
The display device according to claim 1, wherein the display device is a reflective or transflective liquid crystal display device.
前記表示装置は透過型液晶表示装置であることを特徴とする請求項1又は3に記載の表
示装置。
The display device according to claim 1, wherein the display device is a transmissive liquid crystal display device.
前記TFT光センサは、前記表示パネルの製造工程においてスイッチング素子としての
TFTと同時に形成されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の表示装置。
6. The display device according to claim 4, wherein the TFT photosensor is formed simultaneously with a TFT as a switching element in a manufacturing process of the display panel.
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Cited By (4)

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