JP2007140106A - Display apparatus - Google Patents

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JP2007140106A
JP2007140106A JP2005333745A JP2005333745A JP2007140106A JP 2007140106 A JP2007140106 A JP 2007140106A JP 2005333745 A JP2005333745 A JP 2005333745A JP 2005333745 A JP2005333745 A JP 2005333745A JP 2007140106 A JP2007140106 A JP 2007140106A
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capacitor
counter electrode
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display panel
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Toshihiko Tanaka
俊彦 田中
Hiroshi Sano
寛 佐野
Takashi Kunimori
隆志 國森
Masanori Yasumori
正憲 安森
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Epson Imaging Devices Corp
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Epson Imaging Devices Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display apparatus capable of performing stable light detection in a light detection part integrated into a display panel. <P>SOLUTION: In the display apparatus provided with the display panel having an illumination device, the light detection part connected to an optical sensor and a control means for controlling the illumination device; the display panel has a counter electrode. The light detection part connects a capacitor between the source and drain electrodes of a TFT by using the optical sensor as the TFT, connects one terminal side of the capacitor to a reference voltage source through a switching element and connects the other terminal side to the counter electrode, a fixed low voltage corresponding to reverse bias voltage and always lower than voltage to be applied to the counter electrode is applied to the gate electrode of the TFT, the switching element is driven for a short period synchronously with the voltage of the counter electrode to apply and charge reference voltage from the reference voltage source to the capacitor, and then the voltage of the capacitor is detected through a sampling and holding circuit synchronized with the voltage of the counter electrode to detect external light. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示装置に係り、特にバックライトやフロントライト等の光源を有する表示
装置において、外光の明るさに応じて自動的に光源の明るさを変えることのできる表示装
置に関するものである。
The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device that can automatically change the brightness of a light source in accordance with the brightness of external light in a display device having a light source such as a backlight or a front light. .

近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速に
普及している。特に、携帯型のものは、消費電力を減少させるために、透過型液晶表示装
置のようなバックライトないしはサイドライト(以下、両者をまとめて「バックライト等
」という)を必要としない反射型の液晶表示装置が多く用いられているが、この反射型液
晶表示装置は、外光を光源として用いるので暗い室内などでは見えにくくなってしまうた
めに、フロントライトを使用したもの(下記特許文献1参照)や、透過型と反射型の性質
を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の開発が進められてきている(下記特許文献2参照)
In recent years, the application of liquid crystal display devices has rapidly spread not only in information communication equipment but also in general electric equipment. In particular, the portable type is a reflective type that does not require a backlight or a sidelight (hereinafter collectively referred to as “backlight etc.”) like a transmissive liquid crystal display device in order to reduce power consumption. Although a liquid crystal display device is often used, this reflective liquid crystal display device uses a front light because it uses outside light as a light source and is difficult to see in a dark room or the like (see Patent Document 1 below). ) And transflective liquid crystal display devices having both transmissive and reflective properties have been developed (see Patent Document 2 below).
.

例えば、フロントライトを使用した反射型液晶表示装置は、暗い場所においてはフロン
トライトを点灯させて画像を表示し、明るい場所ではフロントライトを点灯させることな
く外光を利用して画像を表示することができるので、常時フロントライトを点灯する必要
がなくなり、消費電力を大幅に削減することができる。また、半透過型液晶表示装置は、
一つの画素内に透明電極を備えた透過部と反射電極を備えた反射部を有しており、暗い場
所においてはバックライト等を点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、明る
い場所においてはバックライト等を点灯することなく反射部において外光を利用して画像
を表示しているため、この場合も常時バックライト等を点灯する必要がなくなるので、消
費電力を大幅に低減させることができるという利点を有している。
For example, a reflection type liquid crystal display device using a front light displays an image by turning on the front light in a dark place and displays an image using outside light without turning on the front light in a bright place. Therefore, it is not necessary to always turn on the front light, and the power consumption can be greatly reduced. The transflective liquid crystal display device
One pixel has a transmissive part with a transparent electrode and a reflective part with a reflective electrode. In a dark place, the backlight is turned on to display an image using the transmissive part of the pixel area. In a bright place, images are displayed using outside light at the reflecting part without turning on the backlight, etc., so it is not necessary to always turn on the backlight, etc. It has the advantage that it can be reduced.

上述のような反射型液晶表示装置や半透過型液晶表示装置においては、外光の強さによ
り液晶表示画面の見えやすさが異なる。このため、エンドユーザは、液晶表示画面を見や
すくするために、外光の強さに応じてバックライト等ないしはフロントライトを点灯すべ
きレベルであるか否かを自ら判断してバックライト等ないしはフロントライトを点灯、減
灯ないしは消灯するという煩雑な操作を行う必要があった。更に、外光の明るさが十分で
ある時にも、不必要にバックライト等ないしはフロントライトを点灯してしまう場合もあ
り、このような場合には、無駄な消費電力が増大するため、携帯電話機等の携帯型の機器
においては電池の消耗が早くなるという問題点が顕在する。
In the above-described reflective liquid crystal display device and transflective liquid crystal display device, the visibility of the liquid crystal display screen varies depending on the intensity of external light. For this reason, in order to make the liquid crystal display screen easier to see, the end user himself / herself determines whether or not the backlight or the front light should be turned on according to the intensity of the external light. It was necessary to perform a complicated operation of turning on, turning off, or turning off the light. Furthermore, even when the brightness of the outside light is sufficient, the backlight or the like or the front light may be turned on unnecessarily. In such a case, useless power consumption increases. In such portable devices, there is a problem that the battery is consumed quickly.

このような問題点に対処するための従来技術として、光センサを液晶表示装置に設け、
この光センサによって外光の明暗を検知し、光センサの検知結果に基づいてバックライト
等のオン/オフを制御する発明が知られている(下記特許文献3〜5参照)。
As a conventional technique for dealing with such problems, an optical sensor is provided in a liquid crystal display device,
There is known an invention in which the light sensor detects the brightness of external light and controls on / off of a backlight or the like based on the detection result of the light sensor (see Patent Documents 3 to 5 below).

下記特許文献3に記載された液晶表示装置は、液晶表示パネルの基板上に光センサを有
する光検知部を配置したもので、光センサとして薄膜電界効果トランジスタ(TFT)を
用い、このTFTを液晶表示パネルのTFTと同時に基板上に作成し、このTFT光セン
サの光リーク電流を検知することにより、周囲の明るさに応じてバックライトを自動的に
オン/オフさせるようにしたものである。また、下記特許文献4の液晶表示装置は、光セ
ンサとしてフォトダイオードを使用し、周囲の明るさに応じてバックライトとしての発光
ダイオードに温度保証した電流を供給するようにしたものである。更に、下記特許文献5
のものは、バックライトないし機器の動作表示手段として使用されている発光ダイオード
を光センサと兼用し、周囲の明るさに応じた発光ダイオードの起電力に基づいてバックラ
イトの点灯を制御するようにしたものである。
特開2002−131742号公報(特許請求の範囲、図1〜図3) 特開2001−350158号公報(特許請求の範囲、図4) 特開2002−131719号公報(特許請求の範囲、段落[0010]〜[0013]、図1) 特開2003−215534号公報(特許請求の範囲、段落[0007]〜[0019]、図1〜図3) 特開2004−007237号公報(特許請求の範囲、段落[0023]〜[0028]、図1)
The liquid crystal display device described in Patent Document 3 below is a liquid crystal display panel in which a photodetection portion having a photosensor is arranged on a substrate, and a thin film field effect transistor (TFT) is used as the photosensor. The backlight is automatically turned on / off according to the brightness of the surroundings by producing on the substrate simultaneously with the TFT of the display panel and detecting the light leakage current of the TFT photosensor. Further, the liquid crystal display device disclosed in Patent Document 4 uses a photodiode as an optical sensor, and supplies a temperature-guaranteed current to a light-emitting diode as a backlight according to ambient brightness. Furthermore, the following patent document 5
As for the thing, the light emitting diode used as an operation display means of the backlight or the device is also used as an optical sensor, and the lighting of the backlight is controlled based on the electromotive force of the light emitting diode according to the ambient brightness. It is a thing.
JP 2002-131742 A (Claims, FIGS. 1 to 3) JP 2001-350158 A (Claims, FIG. 4) JP 2002-131719 A (claims, paragraphs [0010] to [0013], FIG. 1) JP 2003-215534 A (claims, paragraphs [0007] to [0019], FIGS. 1 to 3) JP 2004-007237 A (claims, paragraphs [0023] to [0028], FIG. 1)

上記特許文献3に記載されている液晶表示装置のように、光検知部のTFTセンサと液
晶表示パネル用のTFTとを基板上に同時に作成して光検知部を表示パネルに組み込むと
、この光検知部はその回路構成上アース接続する必要がある。ところが基板上で光検知部
をアース接続しようとすると、新たにアース電極、アース線及び接地用トランスファ電極
等を基板上に配設しなければならなくなり、そのため基板の回路設計が複雑になると共に
製造が難しくなる。そこで、このような課題を解消するために光検知部の接続をアース接
続に代えて表示パネルの対向電極に接続する方法が考えられる。
As in the liquid crystal display device described in Patent Document 3, when the TFT sensor for the light detection unit and the TFT for the liquid crystal display panel are simultaneously formed on the substrate and the light detection unit is incorporated in the display panel, this light The detector must be grounded due to its circuit configuration. However, if the light detection unit is to be grounded on the substrate, a new ground electrode, ground wire, grounding transfer electrode, etc. must be provided on the substrate, which complicates the circuit design of the substrate and is manufactured. Becomes difficult. Therefore, in order to solve such a problem, a method of connecting the light detection unit to the counter electrode of the display panel instead of the ground connection can be considered.

ところが、光検知部を対向電極に接続すると、この対向電極には、通常数ボルトの矩形
波からなる対向電極電圧が印加されているので、光検知部は、この変動する電圧、すなわ
ち所定周期毎に極性が変わる電圧に対応させて光検知部を作動させなければならなくなり
そのため光検知が不安定となる。例えば、周囲の光量が瞬間的に変動するような場合或い
はノイズが侵入すると、光検知部が誤動作する恐れがある。
However, when the photodetecting unit is connected to the counter electrode, a counter electrode voltage consisting of a rectangular wave of several volts is normally applied to the counter electrode. Therefore, the light detection unit must be operated in response to a voltage whose polarity changes, so that the light detection becomes unstable. For example, when the amount of ambient light fluctuates momentarily or when noise enters, the light detection unit may malfunction.

また、これまでの液晶表示装置は、光センサにより周囲の明るさを検知してバックライ
ト等を自動的にオン/オフさせるのに、予め定めた所定の明るさでバックライト等を自動
的にオン/オフさせるようになしている。この場合、上記特許文献3の液晶表示装置のよ
うに液晶表示パネルにTFT光センサを組み込み、或いは上記特許文献5に開示されてい
る発明のようにバックライトないし機器の動作表示手段として使用されている発光ダイオ
ードを光センサとして兼用する場合等のように、別途フォトダイオード等の光センサを用
意して液晶表示装置に組み込む場合には、光センサを特性に応じて選別することができる
ので、光センサの特性のバラツキをあまり考慮しないですむ。しかしながら、液晶表示パ
ネルと同時に光センサを作製するような場合には、それぞれの光センサの特性のバラツキ
が大きいため、必ずしも予め定めた所定の明るさでバックライト等を自動的にオン/オフ
させることができないという問題がある。このため、固定の閾値でバックライト等のオン
/オフを認識させてしまうと、個々の製品によりバックライト等が点灯/消灯する明るさ
が異なるため、液晶表示装置としては都合が悪くなる。更にこれまでの液晶表示装置は、
エンドユーザが個々の好みの周囲の明るさでバックライト等を自動的にオン/オフできる
ように設定することは考慮されていなかった。
In addition, the conventional liquid crystal display devices automatically detect the ambient brightness by the light sensor and automatically turn on / off the backlight, etc. It is supposed to be turned on / off. In this case, a TFT photosensor is incorporated in the liquid crystal display panel as in the liquid crystal display device of Patent Document 3, or used as a backlight or an operation display means of equipment as in the invention disclosed in Patent Document 5. When a light sensor such as a photodiode is separately prepared and incorporated in a liquid crystal display device, such as when the light emitting diode used as a light sensor is also used, the light sensor can be selected according to the characteristics. It is not necessary to take into account variations in sensor characteristics. However, in the case where an optical sensor is manufactured at the same time as the liquid crystal display panel, the characteristics of each optical sensor vary greatly, so that the backlight or the like is always automatically turned on / off at a predetermined brightness. There is a problem that can not be. For this reason, if the on / off state of the backlight or the like is recognized with a fixed threshold value, the brightness with which the backlight or the like is turned on / off varies depending on the individual product, which is inconvenient for a liquid crystal display device. Furthermore, conventional liquid crystal display devices
It has not been considered that the end user can automatically set the backlight or the like to be turned on / off with the brightness around each individual preference.

そこで本発明はこのような不都合を解消するためになされたもので、本発明の目的は、
液晶表示パネルに組み込んだ光検知部がノイズ或いは光量の変動による影響をなくして安
定した光検知ができるようにした表示装置を提供することにある。
Therefore, the present invention has been made to eliminate such inconvenience, and the object of the present invention is to
An object of the present invention is to provide a display device in which a light detection unit incorporated in a liquid crystal display panel can perform stable light detection without being affected by noise or light amount fluctuation.

また、本発明の他の目的は、光センサの特性のバラツキを補正して、予め定めた所定の
明るさでバックライト等を自動的にオン/オフ制御できるようにするとともに、エンドユ
ーザが任意の周囲の明るさでバックライト等を自動的にオン/オフできるように設定する
ことができるようにした表示装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to correct variations in the characteristics of the optical sensor so that the backlight or the like can be automatically turned on / off at a predetermined brightness, and can be arbitrarily set by the end user. It is an object of the present invention to provide a display device that can be set so that a backlight or the like can be automatically turned on / off with the brightness of the surroundings.

本発明の上記目的は以下の構成により達成し得る。すなわち、請求項1に記載の表示装
置の発明は、照明装置と、表示パネルと、外光を検知する光センサを有する光検知部と、
前記光検知部の出力により前記照明装置を制御する制御手段を備えた表示装置において、
前記光検知部は、前記光センサとして薄膜電界効果トランジスタを用い、該薄膜電界効
果トランジスタのソース・ドレイン電極間にコンデンサを接続し、該コンデンサの一方の
端子側をスイッチ素子を介して基準電圧源に、他方の端子側は前記対向電極に接続し、
前記薄膜電界効果トランジスタのゲート電極には前記対向電極に印加される電圧よりも
常に逆バイアス電圧に対応する一定の低い電圧を印加し、
前記スイッチ素子を前記対向電極に印加される電圧に同期して短時間作動させることに
より前記基準電圧源からの基準電圧を前記コンデンサに印加して充電し、
前記スイッチ素子をオフにしてから所定時間後の前記コンデンサの電圧を前記スイッチ
素子の作動に同期したサンプリングホールド回路を経て検知することにより外光を検知す
るようにしたことを特徴とする。
The above object of the present invention can be achieved by the following configurations. That is, the invention of the display device according to claim 1 is a lighting device, a display panel, a light detection unit having a light sensor for detecting external light,
In a display device comprising control means for controlling the illumination device by the output of the light detection unit,
The photodetection unit uses a thin film field effect transistor as the photosensor, connects a capacitor between the source and drain electrodes of the thin film field effect transistor, and connects one terminal side of the capacitor to a reference voltage source via a switch element. The other terminal side is connected to the counter electrode,
A constant low voltage corresponding to a reverse bias voltage is always applied to the gate electrode of the thin film field effect transistor rather than the voltage applied to the counter electrode,
Applying a reference voltage from the reference voltage source to the capacitor to charge the switch element by operating for a short time in synchronization with the voltage applied to the counter electrode,
External light is detected by detecting the voltage of the capacitor after a predetermined time after the switch element is turned off through a sampling hold circuit synchronized with the operation of the switch element.

また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の表示装置において、前記対向電極に
は所定の周期の矩形状に変化する電圧を印加したことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the display device according to the first aspect, a voltage that changes in a rectangular shape with a predetermined period is applied to the counter electrode.

また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の表示装置において、前記コン
デンサの容量は、前記サンプリングホールド回路のホールド用コンデンサの容量よりも小
さいことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the display device according to the first or second aspect, the capacitance of the capacitor is smaller than the capacitance of the holding capacitor of the sampling hold circuit.

また、請求項4に記載の発明は、請求項1〜3の何れかに記載の表示装置において、前
記表示パネルはアクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板との間に液晶層が設けら
れた液晶表示パネルであり、前記光検知部は前記アクティブマトリクス基板の製造工程に
おいて前記液晶表示パネルのスイッチング素子としての薄膜電界効果トランジスタと同時
に形成された光センサとしての薄膜電界効果トランジスタを備えていることを特徴とする
According to a fourth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to third aspects, the display panel is a liquid crystal display panel in which a liquid crystal layer is provided between an active matrix substrate and a color filter substrate. The photodetecting section includes a thin film field effect transistor as an optical sensor formed simultaneously with the thin film field effect transistor as a switching element of the liquid crystal display panel in the manufacturing process of the active matrix substrate. To do.

また、請求項5に記載の発明は、請求項1〜4の何れかに記載の表示装置において、前
記制御手段は閾値記憶部及び比較部を有し、通常動作モード時には、前記光検知部の出力
と前記閾値記憶部に格納されている閾値を前記比較部にて比較し、この比較結果に基づい
て前記照明装置のオン/オフ制御を行い、初期設定モード時には、前記光センサに基準と
なる光を照射しつつ、前記光検知部の出力を前記閾値記憶部に格納するようにしたことを
特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the first to fourth aspects, the control means includes a threshold value storage unit and a comparison unit. The output and the threshold value stored in the threshold value storage unit are compared by the comparison unit, and on / off control of the lighting device is performed based on the comparison result. In the initial setting mode, the light sensor becomes a reference. The output of the light detection unit is stored in the threshold storage unit while irradiating light.

また、請求項6に記載の発明は、請求項1〜5の何れかに記載の表示装置において、前
記照明装置はバックライト又はサイドライトであり、前記表示パネルは透過型又は半透過
型液晶表示パネルであることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the display device according to any of the first to fifth aspects, the illumination device is a backlight or a sidelight, and the display panel is a transmissive or transflective liquid crystal display. It is a panel.

また、請求項7に記載の発明は、請求項1〜5の何れかに記載の表示装置において、前
記照明装置はフロントライトであり、前記表示パネルは反射型液晶表示パネルであること
を特徴とする。
The invention according to claim 7 is the display device according to any one of claims 1 to 5, wherein the illumination device is a front light, and the display panel is a reflective liquid crystal display panel. To do.

請求項8に記載の表示装置の発明は、照明装置と、表示パネルと、外光を検知する光セ
ンサを有する光検知部と、前記光検知部の出力により前記照明装置を制御する制御手段を
備えた表示装置において、
前記光検知部は、前記光センサとして薄膜電界効果トランジスタを用い、該薄膜電界効
果トランジスタのソース・ドレイン電極間にコンデンサを接続し、該コンデンサの一方の
端子側を第1、第2スイッチ素子を介して第1、第2基準電圧源に、他方の端子側は前記
対向電極に接続し、
前記薄膜電界効果トランジスタのゲート電極には前記対向電極に印加される電圧よりも
常に逆バイアス電圧に対応する一定の低い電圧を印加し、
前記第1、第2スイッチ素子を前記対向電極に印加される電圧に同期して短時間順次切
換え作動させることにより前記第1又は第2基準電圧源からの基準電圧を前記コンデンサ
に印加して充電し、
前記スイッチ素子をオフにしてから所定時間後の前記コンデンサの電圧をそれぞれ前記
対向電極に印加される電圧に同期して作動する2つの第1、第2サンプリングホールド回
路を経て別々に検知することにより外光を検知するようにしたことを特徴とする。
The invention of the display device according to claim 8 includes a lighting device, a display panel, a light detection unit having a light sensor for detecting outside light, and a control means for controlling the lighting device by an output of the light detection unit. In the provided display device,
The photodetection unit uses a thin film field effect transistor as the photosensor, connects a capacitor between the source and drain electrodes of the thin film field effect transistor, and connects the first and second switch elements to one terminal side of the capacitor. Via the first and second reference voltage sources, the other terminal side is connected to the counter electrode,
A constant low voltage corresponding to a reverse bias voltage is always applied to the gate electrode of the thin film field effect transistor rather than the voltage applied to the counter electrode,
Charging by applying the reference voltage from the first or second reference voltage source to the capacitor by sequentially switching the first and second switch elements in a short time in synchronization with the voltage applied to the counter electrode. And
By separately detecting the voltage of the capacitor after a predetermined time after turning off the switch element through two first and second sampling and holding circuits that operate in synchronization with the voltage applied to the counter electrode. It is characterized by detecting external light.

また、請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の表示装置において、前記対向電極に
は所定の周期の矩形状に変化する電圧を印加したことを特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, in the display device according to the eighth aspect, a voltage that changes in a rectangular shape with a predetermined period is applied to the counter electrode.

また、請求項10に記載の発明は、請求項8又は9に記載の表示装置において、前記第
1基準電圧源は前記対向電極に供給される低い方の電圧よりも高い基準電圧を供給し、前
記第2基準電圧源は前記対向電極に供給される高い方の電圧よりも低い基準電圧を供給し
、前記第1スイッチ素子は前記対向電極に供給される電圧がローレベルの時に第1基準電
圧を前記コンデンサに印加し、前記第2スイッチ素子は前記対向電極に供給される電圧が
ハイレベルの時に前記第2基準電圧を前記コンデンサに印加するように制御されることを
特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, in the display device according to the eighth or ninth aspect, the first reference voltage source supplies a reference voltage higher than a lower voltage supplied to the counter electrode, The second reference voltage source supplies a reference voltage lower than the higher voltage supplied to the counter electrode, and the first switch element has a first reference voltage when the voltage supplied to the counter electrode is at a low level. Is applied to the capacitor, and the second switch element is controlled to apply the second reference voltage to the capacitor when the voltage supplied to the counter electrode is at a high level.

また、請求項11に記載の発明は、請求項8〜10の何れかに記載の表示装置において
、前記コンデンサの容量は、前記第1、第2サンプリングホールド回路のホールド用コン
デンサの容量よりも小さいことを特徴とする。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the display device according to any one of the eighth to tenth aspects, the capacitance of the capacitor is smaller than the capacitances of the holding capacitors of the first and second sampling and holding circuits. It is characterized by that.

また、請求項12に記載の発明は、請求項8〜11の何れかに記載の表示装置において
、前記表示パネルはアクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板との間に液晶層が設
けられた液晶表示パネルであり、前記光検知部は前記アクティブマトリクス基板の製造工
程において前記液晶表示パネルのスイッチング素子としての薄膜電界効果トランジスタと
同時に形成された光センサとしての薄膜電界効果トランジスタを備えていることを特徴と
する。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the display device according to any of the eighth to eleventh aspects, the display panel is a liquid crystal display panel in which a liquid crystal layer is provided between an active matrix substrate and a color filter substrate. The photodetecting section includes a thin film field effect transistor as an optical sensor formed simultaneously with the thin film field effect transistor as a switching element of the liquid crystal display panel in the manufacturing process of the active matrix substrate. To do.

また、請求項13に記載の発明は、請求項8〜12の何れかに記載の表示装置において
、前記制御手段は閾値記憶部及び比較部を有し、通常動作モード時には、前記光検知部の
出力と前記閾値記憶部に格納されている閾値を前記比較部にて比較し、この比較結果に基
づいて前記照明装置のオン/オフ制御を行い、初期設定モード時には、前記光センサに基
準となる光を照射しつつ、前記光検知部の出力を前記閾値記憶部に格納するようにしたこ
とを特徴とする。
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the display device according to any one of the eighth to twelfth aspects, the control unit includes a threshold value storage unit and a comparison unit, and the light detection unit is in the normal operation mode. The output and the threshold value stored in the threshold value storage unit are compared by the comparison unit, and on / off control of the lighting device is performed based on the comparison result. In the initial setting mode, the light sensor becomes a reference. The output of the light detection unit is stored in the threshold storage unit while irradiating light.

また、請求項14に記載の発明は、請求項8〜13の何れかに記載の表示装置において
、前記照明装置はバックライト又はサイドライトであり、前記表示パネルは透過型又は半
透過型液晶表示パネルであることを特徴とする。
The invention according to claim 14 is the display device according to any one of claims 8 to 13, wherein the illumination device is a backlight or a sidelight, and the display panel is a transmissive or transflective liquid crystal display. It is a panel.

また、請求項15に記載の発明は、請求項8〜13の何れかに記載の表示装置において
、前記照明装置はフロントライトであり、前記表示パネルは反射型液晶表示パネルである
ことを特徴とする。
The invention according to claim 15 is the display device according to any one of claims 8 to 13, wherein the illumination device is a front light, and the display panel is a reflective liquid crystal display panel. To do.

本発明は上記のような構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏する
。すなわち、請求項1及び2の発明によれば、スイッチ素子等を対向電極に印加される電
圧、詳しくは所定の周期の矩形状に変化する電圧に同期して作動させるので、表示パネル
の基板上にアース電極やアース線等を設ける必要がなくなり、基板の回路設計を簡略化で
きる。また、スイッチ素子を対向電圧に印加される電圧に同期してコンデンサに充電させ
、このコンデンサの電圧、すなわち光センサの外光の明るさに対応する出力を同じく対向
電極に印加される電圧に同期したサンプリングホールド回路により読み取るようにしたの
で、所定期間、例えば1フレーム期間に不安定な状態となった場合、例えば周囲の光量が
瞬間的に変動あるいはノイズが侵入したような場合でも、1フレーム期間を超えた長い期
間で積分した電圧を読取出力することにより、このような微小変動を吸収できるので、誤
動作がなくなり、精度よく安定した外光の検出を行うことができるため、高精度に照明装
置を制御することができる。
By providing the above-described configuration, the present invention has the following excellent effects. That is, according to the first and second aspects of the invention, the switch element and the like are operated in synchronism with the voltage applied to the counter electrode, more specifically, the voltage that changes into a rectangular shape with a predetermined period. It is no longer necessary to provide a ground electrode, a ground wire, or the like, and the circuit design of the substrate can be simplified. In addition, the capacitor is charged in synchronization with the voltage applied to the counter voltage, and the output of the capacitor, that is, the output corresponding to the brightness of the external light of the photosensor is also synchronized with the voltage applied to the counter electrode. Since the sampling and hold circuit is used for reading, when it becomes unstable for a predetermined period, for example, one frame period, for example, even when the ambient light quantity fluctuates instantaneously or noise enters, one frame period By reading out and outputting the voltage integrated over a long period of time exceeding this, it is possible to absorb such minute fluctuations, so there is no malfunction and accurate and stable detection of outside light. Can be controlled.

また、請求項3の発明によれば、光センサのソース・ドレイン電極間に接続されるコン
デンサの容量をサンプリングホールド回路内のホールド用コンデンサの容量に比べて小さ
くすることにより、長い期間の積分が可能となるので、より精度よく安定した光の出録画
できる。
According to the invention of claim 3, the integration of a long period of time can be achieved by making the capacitance of the capacitor connected between the source and drain electrodes of the photosensor smaller than the capacitance of the holding capacitor in the sampling hold circuit. This makes it possible to record and record light more accurately and stably.

また、請求項4の発明によれば、光センサとしての薄膜電界効果トランジスタを表示パ
ネルのスイッチング素子としての薄膜電界効果トランジスタと同時に形成することができ
るので、表示パネルにこの光センサを形成する工程を別途追加する必要がなく、製造工程
を少なくすることができる。
According to the invention of claim 4, since the thin film field effect transistor as the photosensor can be formed simultaneously with the thin film field effect transistor as the switching element of the display panel, the step of forming the photosensor on the display panel There is no need to add a separate step, and the manufacturing process can be reduced.

また、請求項5の発明によれば、光センサに特性のバラツキがあっても、初期設定モー
ド時に基準となる光を照射することにより校正されているので、正確に予め定めた所定の
明るさで照明装置を自動的にオン/オフ制御できるようになる。しかも、基準となる光は
エンドユーザが任意に選択できるから、エンドユーザが任意の周囲の明るさで自動的に照
明をオン/オフできるように設定することができる。
According to the invention of claim 5, even if there is a variation in characteristics of the optical sensor, it is calibrated by irradiating the reference light in the initial setting mode. Thus, the lighting device can be automatically turned on / off. In addition, since the end user can arbitrarily select the reference light, it can be set so that the end user can automatically turn on / off the illumination at any ambient brightness.

また、請求項6及び7の発明によれば、それぞれ透過型液晶表示パネルないしは半透過
型液晶表示パネル(請求項6)の場合、或いは反射型液晶表示パネル(請求項7)の場合
でも、同様に請求項1〜5に係る発明の効果を奏する表示装置が得られる。
According to the sixth and seventh aspects of the present invention, the same applies to a transmissive liquid crystal display panel or a transflective liquid crystal display panel (Claim 6), or a reflective liquid crystal display panel (Claim 7). Thus, a display device having the effects of the inventions according to claims 1 to 5 is obtained.

請求項8及び9の発明によれば、スイッチ素子等を対向電極に印加される電圧、詳しく
は所定の周期の矩形状に変化する電圧に同期して作動させるので、表示パネルの基板上に
アース電極やアース線等を設ける必要がなくなり、基板の回路設計を簡略化できる。また
、光検知部を対向電極に接続し、この対向電極に所定の周期の矩形状に変化する電圧、例
えば所定フレーム期間毎に極性の異なる対向電極電圧を加え、第1、第2スイッチ素子を
対向電極電圧に同期して制御することで基準電圧をこの対向電極電圧の所定フレーム期間
ごとに同調させて供給することでコンデンサを充電する。そしてコンデンサに充電された
電圧は、対向電極電圧と同期して作動する2つの第1、第2サンプリングホールド回路を
経て出力されるので、各スイッチ素子に対応したそれぞれの基準電圧に基づくコンデンサ
の電圧を別個に検出できるようになるため、ノイズが少なくなり、正確な測定値が得られ
るので、照明装置の制御精度を飛躍的に向上させることができる。
According to the eighth and ninth aspects of the present invention, the switch element and the like are operated in synchronization with the voltage applied to the counter electrode, more specifically, the voltage that changes into a rectangular shape with a predetermined period. There is no need to provide an electrode or a ground wire, and the circuit design of the substrate can be simplified. Further, the photodetecting unit is connected to the counter electrode, and a voltage that changes to a rectangular shape with a predetermined period, for example, a counter electrode voltage having a different polarity every predetermined frame period, is applied to the counter electrode, and the first and second switch elements are connected. By controlling in synchronization with the counter electrode voltage, the reference voltage is tuned and supplied every predetermined frame period of the counter electrode voltage to charge the capacitor. Since the voltage charged in the capacitor is output through two first and second sampling and holding circuits that operate in synchronization with the counter electrode voltage, the voltage of the capacitor based on the respective reference voltage corresponding to each switch element. Can be detected separately, noise is reduced, and an accurate measurement value can be obtained, so that the control accuracy of the lighting device can be dramatically improved.

また、請求項10の発明によれば、第1基準電圧源は対向電極に供給される低い方の電
圧よりも高い電圧を供給し、第2基準電圧源は対向電極に供給される高い方の電圧よりも
低い基準電圧を供給し、第1スイッチ素子は対向電極に供給される電圧がローレベルの時
に第1基準電圧をコンデンサに印加し、第2スイッチ素子は対向電極に供給される電圧が
ハイレベルの時に第2基準電圧をコンデンサに印加するように制御しているため、対向電
極と光センサとの間に交流成分の電圧が印加されるので常時直流成分が加わることがなく
なり、液晶にダメージがなく劣化が抑えられる。
According to the invention of claim 10, the first reference voltage source supplies a higher voltage than the lower voltage supplied to the counter electrode, and the second reference voltage source supplies the higher voltage supplied to the counter electrode. A reference voltage lower than the voltage is supplied, the first switch element applies a first reference voltage to the capacitor when the voltage supplied to the counter electrode is at a low level, and the second switch element receives a voltage supplied to the counter electrode. Since the second reference voltage is controlled to be applied to the capacitor at the high level, an AC component voltage is applied between the counter electrode and the optical sensor, so that no DC component is always applied, and the liquid crystal There is no damage and deterioration is suppressed.

また、請求項11〜15の発明によれば、請求項8〜10の発明の効果に加えて請求項
3〜7に記載の発明の効果を奏する表示装置を提供することができるようになる。
Moreover, according to invention of Claims 11-15, in addition to the effect of invention of Claims 8-10, the display apparatus which show | plays the effect of invention of Claims 3-7 can be provided now.

以下、本発明を実施するための最良の形態を図面を用いて詳細に説明するが、以下に述べ
る実施例は、本発明の技術思想を具体化するための表示装置として半透過型液晶表示装置
を例示するものであって、本発明をこの実施例に特定することを意図するものではなく、
本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものに
も均しく適用し得るものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The best mode for carrying out the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. The embodiments described below are transflective liquid crystal display devices as display devices for embodying the technical idea of the present invention. And is not intended to limit the invention to this example,
The present invention can be equally applied to various changes made without departing from the technical idea shown in the claims.

最初に、光センサとしてのTFT(以下、TFT光センサという)の公知の動作原理及
び駆動回路について図1〜図3を用いて説明する。なお、図1はTFT光センサの電圧−
電流曲線の一例を示す図であり、図2はTFT光センサを使用した光検知部の回路図であ
り、また、図3は明るさが異なる場合の図2に示した回路図におけるコンデンサの両端の
電圧−時間曲線を示す図である。
First, a known operation principle and driving circuit of a TFT as an optical sensor (hereinafter referred to as a TFT optical sensor) will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows the voltage of the TFT photosensor.
2 is a diagram illustrating an example of a current curve, FIG. 2 is a circuit diagram of a light detection unit using a TFT photosensor, and FIG. 3 is a diagram illustrating both ends of a capacitor in the circuit diagram illustrated in FIG. 2 when brightness is different. It is a figure which shows a voltage-time curve.

TFT光センサは、実質的にアクティブマトリクス型液晶表示パネルのスイッチング素
子として用いられているTFTと同一の構成を備えている。このTFT光センサは、図1
に示したように、遮光されている場合にはゲートオフ領域で非常に僅かな暗電流が流れて
いるが、チャネル部に光が当たるとその光の強さ(明るさ)に応じて漏れ電流が大きくな
るという特性を有している。したがって、図2の光検知部LSの回路図に示したように、
TFT光センサのゲート電極Gにゲートオフ領域となる一定の逆バイアス電圧(例えば
−10V)を印加し、ドレイン電極Dとソース電極Sとの間にコンデンサCを並列に
接続し、一定の基準電圧Vs(例えば+2V)をスイッチ素子SWをオンにしてコンデン
サCの両端に印加した後、スイッチ素子SWをオフにすると、コンデンサCの両端の電圧
はTFT光センサの周囲の明るさに応じて図3に示したように時間とともに低下する。し
たがって、スイッチ素子SWをオフにしてから所定時間t後にコンデンサCの両端の電
圧を測定すれば、その電圧とTFT光センサの周囲の明るさとの間に反比例関係が成立す
るから、TFT光センサの周囲の明るさを求めることができることになる。
The TFT photosensor has substantially the same configuration as a TFT used as a switching element of an active matrix liquid crystal display panel. This TFT photosensor is shown in FIG.
As shown in Fig. 4, when the light is shielded, a very small dark current flows in the gate-off region. However, when light hits the channel part, the leakage current depends on the intensity (brightness) of the light. It has the characteristic of becoming larger. Therefore, as shown in the circuit diagram of the light detection unit LS in FIG.
Applying a constant reverse bias voltage as a gate-off region to the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor (e.g. -10 V), and a capacitor C in parallel between the drain electrode D L and the source electrode S L, the constant When a reference voltage Vs (for example, +2 V) is applied to both ends of the capacitor C with the switch element SW turned on, and then the switch element SW is turned off, the voltage across the capacitor C depends on the brightness around the TFT photosensor. As shown in FIG. 3, it decreases with time. Therefore, if the voltage across the capacitor C is measured after a predetermined time t 0 after the switch element SW is turned off, an inversely proportional relationship is established between the voltage and the brightness around the TFT photosensor. The brightness of the surroundings can be obtained.

次に、本発明の実施例に係る光センサを組み込んだ半透過型液晶表示装置を図4〜図5
を用いて説明する。なお、図4は液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表したア
クティブマトリクス基板を模式的に示した平面図、図5は図4のX−X線で切断した断面
図である。
Next, a transflective liquid crystal display device incorporating an optical sensor according to an embodiment of the present invention is shown in FIGS.
Will be described. 4 is a plan view schematically showing an active matrix substrate seen through the color filter substrate of the liquid crystal display device, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG.

液晶表示装置1は、図5に示すように、表面に薄膜電界効果トランジスタ(TFT)等
を搭載した透明な絶縁性を有する材料、例えばガラス基板からなるアクティブマトリクス
基板(以下、TFT基板という)2と、表面にカラーフィルタ等が形成されたカラーフィ
ルタ基板(以下、CF基板という)25との間に液晶層14が形成された構成を有してい
る。
As shown in FIG. 5, the liquid crystal display device 1 has a transparent insulating material having a thin film field effect transistor (TFT) or the like mounted on its surface, for example, an active matrix substrate (hereinafter referred to as a TFT substrate) 2 made of a glass substrate. And a color filter substrate (hereinafter referred to as a CF substrate) 25 having a color filter or the like formed on the surface thereof, the liquid crystal layer 14 is formed.

このうちTFT基板2は、その表示領域DAにゲート線4及びソース線5がマトリクス
状に形成されており、ゲート線4とソース線5で囲まれる部分に画素電極12が形成され
、ゲート線4とソース線5の交差部に画素電極12と接続されたスイッチング素子として
のTFTが形成されている(図7参照)。なお、光検知部LS1は、後述するように表示
領域DAの外周縁部、さらに詳しくはトランスファ電極10と表示領域DAとの間に設
けられている。
Of these, the TFT substrate 2 has gate lines 4 and source lines 5 formed in a matrix in the display area DA, and pixel electrodes 12 are formed in portions surrounded by the gate lines 4 and the source lines 5. A TFT as a switching element connected to the pixel electrode 12 is formed at the intersection of the source line 5 (see FIG. 7). The optical detection unit LS1 is outer peripheral edge of the display area DA as described below, and more particularly is provided between the transfer electrodes 10 2 and the display area DA.

これら各配線、TFT及び画素電極は、図5においてこれらを模式的に第1構造物3と
して示し、具体的な構成は、図6〜図8に示し後述する。
These wirings, TFTs, and pixel electrodes are schematically shown as the first structure 3 in FIG. 5, and the specific configuration will be described later with reference to FIGS.

TFT基板2は、図4に示すように、その短辺部に液晶表示装置1を駆動するための画
像供給装置(図示せず)と接続するためのフレキシブル配線基板FPCが設けられ、この
フレキシブル配線基板FPCは画像供給装置からのデータ線及び制御線をドライバICに
接続している。VCOM信号、ソース信号、ゲート信号はドライバIC内で生成され、そ
れぞれTFT基板2上のコモン線11、ソース線5、ゲート線4に接続される。
As shown in FIG. 4, the TFT substrate 2 is provided with a flexible wiring substrate FPC for connecting to an image supply device (not shown) for driving the liquid crystal display device 1 on its short side portion. The substrate FPC connects data lines and control lines from the image supply device to the driver IC. The VCOM signal, the source signal, and the gate signal are generated in the driver IC and connected to the common line 11, the source line 5, and the gate line 4 on the TFT substrate 2, respectively.

また、TFT基板2の四隅には、複数のトランスファ電極10〜10が設けられて
いる。これらのトランスファ電極10〜10はコモン線11を介して互いに直接接続
ないしはドライバIC内で互いに接続されて同電位となるようになっている。各トランス
ファ電極10〜10は後述する対向電極26と電気的に接続され、ドライバICから
出力される対向電極電圧が対向電極26に印加されるようになっている。
A plurality of transfer electrodes 10 1 to 10 4 are provided at the four corners of the TFT substrate 2. These transfer electrodes 10 1 to 10 4 are directly connected to each other via the common line 11 or connected to each other in the driver IC so as to have the same potential. Each of the transfer electrodes 10 1 to 10 4 is electrically connected to a counter electrode 26 described later, and a counter electrode voltage output from the driver IC is applied to the counter electrode 26.

CF基板25は、ガラス基板の表面にR(赤)、G(緑)、B(青)等の複数色からな
るカラーフィルタと、ブラックマトリクスが形成されている。このCF基板はTFT基板
2に対向配置されるとともに、ブラックマトリクスが少なくともTFT基板2のゲート線
やソース線に対応する位置に配置され、このブラックマトリクスによって区画された領域
にカラーフィルタが設けられている。これらカラーフィルタ等の具体的な構成は図示しな
いが、図5ではこれらを模式的に第2構造物27として示してある。また、CF基板25
には、更に酸化インジウム、酸化スズ等で構成された透明電極からなる対向電極26が設
けられており、この対向電極26はTFT基板2に形成された光検知部LS1と対向する
箇所まで延設されている(図5参照)。
In the CF substrate 25, a color filter composed of a plurality of colors such as R (red), G (green), and B (blue) and a black matrix are formed on the surface of a glass substrate. The CF substrate is disposed opposite to the TFT substrate 2, and the black matrix is disposed at a position corresponding to at least the gate line and the source line of the TFT substrate 2, and a color filter is provided in a region partitioned by the black matrix. Yes. Although a specific configuration of these color filters and the like is not shown, these are schematically shown as a second structure 27 in FIG. CF substrate 25
Further, a counter electrode 26 made of a transparent electrode made of indium oxide, tin oxide or the like is provided, and this counter electrode 26 extends to a position facing the light detection part LS1 formed on the TFT substrate 2. (See FIG. 5).

シール材6は、TFT基板2の表示領域DAの周囲に注入口(図示せず)を除いて塗布
されている。このシール材6は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に絶縁性粒体のフ
ィラを混入したものである。また、両基板を接続するコンタクト材10aは例えば表面に
金属メッキが施された導電性粒子と熱硬化性樹脂とから構成される。
The sealing material 6 is applied around the display area DA of the TFT substrate 2 except for an injection port (not shown). The sealing material 6 is obtained by mixing fillers of insulating particles in a thermosetting resin such as an epoxy resin. The contact material 10a that connects the two substrates is composed of, for example, conductive particles whose surfaces are plated with metal and a thermosetting resin.

両基板2、25を貼り合わせるときは以下の手順で行なわれる。まず、TFT基板2を
第1のディスペンサ装置にセットしてシール材6を所定パターンで塗布し、次にTFT基
板2を第2のディスペンサ装置にセットしてコンタクト材10aを各トランスファ電極1
〜10上に塗布する。その後、TFT基板2の表示領域DAにスペーサ15を均一
に散布し、CF基板25のシール材6やコンタクト材10aが当接する部分に仮止め用接
着剤を塗布する。その後、TFT基板2とCF基板25を貼り合わせ、仮止め用接着剤を
硬化させて仮止めが完了する。そして仮止めされた両基板2、25を加圧しながら加熱処
理するとシール材6及びコンタクト材10aの熱硬化性樹脂が硬化し、空の液晶表示パネ
ルが完成する。この空の液晶表示パネル内に注入口(図示せず)から液晶14を注入し、
この注入口を封止剤で塞ぐと半透過型の液晶表示装置1が完成する。なお、TFT基板2
の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライトないし
はサイドライトが配置されている。
When the substrates 2 and 25 are bonded together, the following procedure is performed. First, the TFT substrate 2 is set in the first dispenser device, and the sealing material 6 is applied in a predetermined pattern. Next, the TFT substrate 2 is set in the second dispenser device, and the contact material 10a is attached to each transfer electrode 1.
Apply on 0 1 to 10 4 . Thereafter, the spacers 15 are evenly spread over the display area DA of the TFT substrate 2 and a temporary fixing adhesive is applied to the portion of the CF substrate 25 where the sealing material 6 and the contact material 10a come into contact. Thereafter, the TFT substrate 2 and the CF substrate 25 are bonded together, and the temporary fixing adhesive is cured to complete the temporary fixing. When both the temporarily fixed substrates 2 and 25 are heat-treated, the thermosetting resin of the sealing material 6 and the contact material 10a is cured, and an empty liquid crystal display panel is completed. The liquid crystal 14 is injected into the empty liquid crystal display panel from an injection port (not shown),
When this inlet is closed with a sealant, the transflective liquid crystal display device 1 is completed. TFT substrate 2
A backlight or a sidelight having a well-known light source, a light guide plate, a diffusion sheet, and the like (not shown) is disposed below.

次に、この液晶表示装置の画素構成を図6〜図7で説明する。なお、図6は液晶表示装
置のCF基板を透視して表した1画素分の平面図、図7はCF基板を含む図6のA−A断
面図である。
Next, a pixel configuration of the liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. Note that FIG. 6 is a plan view of one pixel that is seen through the CF substrate of the liquid crystal display device, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 6 including the CF substrate.

TFT基板2の表示領域DA上には、アルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数
のゲート線4が等間隔で平行に形成されており、また、隣り合うゲート線4間の略中央に
はゲート線4と同時に補助容量線16が平行に形成され、ゲート線4からはTFTのゲー
ト電極Gが延設されている。更に、TFT基板2上には、ゲート線4、補助容量線16、
ゲート電極Gを覆うようにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜1
7が積層されている。ゲート電極Gの上にはゲート絶縁膜17を介して非晶質シリコンや
多結晶シリコンなどからなる半導体層19が形成され、またゲート絶縁膜17上にはアル
ミニウムやモリブデン等の金属からなる複数のソース線5がゲート線4と直交するように
して形成されており、このソース線5からはTFTのソース電極Sが延設され、このソー
ス電極Sは半導体層19と接触している。更にまた、ソース線5及びソース電極Sと同一
の材料でかつ同時形成されたドレイン電極Dがゲート絶縁膜17上に設けられており、こ
のドレイン電極Dも半導体層19と接触している。
On the display area DA of the TFT substrate 2, a plurality of gate lines 4 made of a metal such as aluminum or molybdenum are formed in parallel at equal intervals, and a gate line is provided at the approximate center between adjacent gate lines 4. 4, auxiliary capacitance lines 16 are formed in parallel, and a gate electrode G of the TFT extends from the gate line 4. Further, on the TFT substrate 2, a gate line 4, an auxiliary capacitance line 16,
A gate insulating film 1 made of silicon nitride, silicon oxide or the like so as to cover the gate electrode G
7 are stacked. A semiconductor layer 19 made of amorphous silicon, polycrystalline silicon, or the like is formed on the gate electrode G via a gate insulating film 17, and a plurality of metals made of metal such as aluminum or molybdenum are formed on the gate insulating film 17. The source line 5 is formed so as to be orthogonal to the gate line 4, and the source electrode S of the TFT extends from the source line 5, and the source electrode S is in contact with the semiconductor layer 19. Furthermore, a drain electrode D, which is formed of the same material as the source line 5 and the source electrode S and is simultaneously formed, is provided on the gate insulating film 17, and the drain electrode D is also in contact with the semiconductor layer 19.

ここで、ゲート線4とソース線5とで囲まれた領域が1画素に相当する。そしてゲート
電極G、ゲート絶縁膜17、半導体層19、ソース電極S、ドレイン電極Dによってスイ
ッチング素子となるTFTが構成され、それぞれの画素にこのTFTが形成される。この
場合、ドレイン電極Dと補助容量線16によって各画素の補助容量を形成することになる
Here, a region surrounded by the gate line 4 and the source line 5 corresponds to one pixel. The gate electrode G, the gate insulating film 17, the semiconductor layer 19, the source electrode S, and the drain electrode D constitute a TFT serving as a switching element, and this TFT is formed in each pixel. In this case, the storage capacitor of each pixel is formed by the drain electrode D and the storage capacitor line 16.

これらのソース線5、TFT、ゲート絶縁膜17を覆うようにして例えば無機絶縁材料
からなる保護絶縁膜18が積層され、この保護絶縁膜18上に、有機絶縁膜からなる層間
膜20が積層されている。この層間膜20の表面は、反射部Rには微細な凹凸部が形成さ
れ、透過部Tは平坦となっている。なお、図7においては反射部Rにおける層間膜20の
凹凸部は省略してある。そして保護絶縁膜18と層間膜20には、TFTのドレイン電極
Dに対応する位置にコンタクトホール13が形成されている。また、それぞれの画素にお
いて、コンタクトホール13上及び層間膜20の表面の一部分には、反射部Rに例えばア
ルミニウム金属からなる反射電極Rが設けられ、この反射電極Rの表面及び透過部T
における層間膜20の表面には例えばITOからなる画素電極12が形成されている。
A protective insulating film 18 made of, for example, an inorganic insulating material is laminated so as to cover the source line 5, TFT, and gate insulating film 17, and an interlayer film 20 made of an organic insulating film is laminated on the protective insulating film 18. ing. On the surface of the interlayer film 20, fine uneven portions are formed in the reflection portion R, and the transmission portion T is flat. In FIG. 7, the uneven portion of the interlayer film 20 in the reflection portion R is omitted. A contact hole 13 is formed in the protective insulating film 18 and the interlayer film 20 at a position corresponding to the drain electrode D of the TFT. In each pixel, a reflective electrode R 0 made of, for example, aluminum metal is provided in the reflective portion R on the contact hole 13 and part of the surface of the interlayer film 20, and the surface of the reflective electrode R 0 and the transmissive portion T are provided.
A pixel electrode 12 made of, for example, ITO is formed on the surface of the interlayer film 20 in FIG.

TFT光センサ及びスイッチ素子SW1は、いずれもTFTで構成され、TFT基板2
上に形成される。すなわち、図10に示すように、TFT基板2上には、TFT光センサ
のゲート電極G、コンデンサCwの一方の端子C及び一方のスイッチ素子SW1を構
成するTFTのゲート電極Gが形成され、これらの表面を覆うようにして窒化シリコン
や酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜17が積層されている。TFT光センサのゲー
ト電極Gの上及びスイッチ素子SW1を構成するTFTのゲート電極Gの上には、そ
れぞれゲート絶縁膜17を介して非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層
19及び19が形成され、またゲート絶縁膜17上にアルミニウムやモリブデン等の
金属からなるTFT光センサのソース電極S及びドレイン電極D、一方のスイッチ素
子SW1を構成するTFTのソース電極S及びドレイン電極Dがそれぞれの半導体層
19及び19と接触するように設けられている。このうち、TFT光センサのソース
電極S及びスイッチ素子SW1を構成するTFTのドレイン電極Dは、互いに延長さ
れて接続されてコンデンサCwの他方の端子Cを形成している。更に、TFT光センサ
、コンデンサCw及びTFTからなるスイッチ素子SW1の表面を覆うようにして例えば
無機絶縁材料からなる保護絶縁膜18が積層されており、また、TFTからなるスイッチ
素子SW1の表面には、外部光の影響を受けないようにするために、ブラックマトリクス
21が被覆されている。また、この光検知部LS1が配設された向かい側のCF基板25
上には、この光検知部LS1と対向する位置まで対向電極26が延設され、光検知部LS
1を構成するTFT光センサのドレイン電極D及びコンデンサCwのグラウンド端子G
R側の他方の端子Cがこの対向電極26にトランスファ電極10を介して接続されて
いる(図4、図8参照)。また、光検知部LS1及びセンサ読取部Re1はTFT基板2
の表示領域DAの外周縁に設けられているが、特に光検知部LS1においては、表示領域
DAの内周縁部に設けられていてもよい。
The TFT optical sensor and the switch element SW1 are both composed of TFT, and the TFT substrate 2
Formed on top. That is, as shown in FIG. 10, on the TFT substrate 2, the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor, the gate electrode G S of TFT constituting one terminal C 1 and one switch element SW1 of the capacitor Cw is formed A gate insulating film 17 made of silicon nitride, silicon oxide or the like is laminated so as to cover these surfaces. Semiconductor layer 19 on the gate electrode G S of the TFT is made of amorphous silicon or polycrystalline silicon through the respective gate insulating films 17 constituting on the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor and the switching element SW1 L and 19 S are formed, and the source electrode S L and the drain electrode D L of the TFT photosensor made of a metal such as aluminum or molybdenum are formed on the gate insulating film 17, and the source electrode S of the TFT constituting one switch element SW1. S and drain electrode D S is provided so as to contact the respective semiconductor layers 19 L and 19 S. Of these, the drain electrode D S of the TFT constituting the source electrode S L and the switch element SW1 of the TFT ambient light sensor forms the other terminal C 2 of the capacitor Cw is connected is extended to each other. Further, a protective insulating film 18 made of, for example, an inorganic insulating material is laminated so as to cover the surface of the TFT photosensor, the capacitor Cw and the switch element SW1 made of TFT, and on the surface of the switch element SW1 made of TFT. The black matrix 21 is covered so as not to be affected by external light. Further, the opposite CF substrate 25 on which the light detection unit LS1 is disposed.
On the upper side, the counter electrode 26 is extended to a position facing the light detection unit LS1, and the light detection unit LS
The drain electrode D L and the ground terminal G of the capacitor Cw TFT ambient light sensor constituting one
The other terminal C 2 of the R side are connected through the transfer electrode 10 2 to the counter electrode 26 (see FIGS. 4 and 8). In addition, the light detection unit LS1 and the sensor reading unit Re1 are the TFT substrate 2
Is provided at the outer peripheral edge of the display area DA, but may be provided at the inner peripheral edge of the display area DA, particularly in the light detection unit LS1.

次に、本実施例にかかる光検知部LS1及びセンサ読取部Re1の構成及び動作を図8
〜図10を用いて説明する。なお、図8は光検知部及びセンサ読取部の回路図、図9は図
8の各部の出力波形を示すタイミングチャート、図10はTFT基板上の光センサ及びス
イッチ素子の断面図である。
Next, the configuration and operation of the light detection unit LS1 and the sensor reading unit Re1 according to the present embodiment are shown in FIG.
Description will be made with reference to FIG. 8 is a circuit diagram of the light detection unit and the sensor reading unit, FIG. 9 is a timing chart showing output waveforms of each unit of FIG. 8, and FIG. 10 is a cross-sectional view of the photo sensor and the switch element on the TFT substrate.

光検知部LS1は、図8に示すように、TFT光センサのドレイン電極Dとソース電
極S間にコンデンサCwが並列接続され、ソース電極SとコンデンサCの一方の端
子がスイッチ素子SW1を介して基準電圧源Vに接続され、更に、TFT光センサのド
レイン電極D及びコンデンサCwの他方の端子が対向電極(VCOM)に接続された構
成を有している。
Light detecting unit LS1 is, as shown in FIG. 8, the capacitor Cw is connected in parallel between the drain electrode D L and the source electrode S L of the TFT ambient light photosensor, a source electrode S L and one terminal switch element of the capacitor C W is connected to a reference voltage source V S through SW1, further, it has a configuration in which the other terminal of the drain electrode D L and the capacitor Cw TFT ambient light sensor is connected to the counter electrode (VCOM).

また、センサ読取部Re1は、公知のサンプリングホールド回路SHから構成されてお
り、光検知部LS1のコンデンサCwの電荷を蓄積するホールド用コンデンサCrと、こ
のホールド用コンデンサCrの出力電圧を増幅するOPアンプと、このOPアンプ出力を
アナログからデジタル値に変更するA/D変換器とで構成されている。そして、光検知部
LS1とセンサ読取部Re1とは、スイッチ素子SW3で接続されている。ホールド用コ
ンデンサCrには、コンデンサCwより容量が大きいものが使用される。
The sensor reading unit Re1 includes a known sampling and holding circuit SH. The holding capacitor Cr that accumulates the charge of the capacitor Cw of the light detection unit LS1 and an OP that amplifies the output voltage of the holding capacitor Cr. The amplifier is composed of an amplifier and an A / D converter that changes the output of the OP amplifier from an analog value to a digital value. The light detection unit LS1 and the sensor reading unit Re1 are connected by a switch element SW3. A capacitor having a larger capacity than the capacitor Cw is used as the hold capacitor Cr.

以下に、この光検知部LS1及び光センサ読取部Re1の動作を説明する。   Hereinafter, operations of the light detection unit LS1 and the optical sensor reading unit Re1 will be described.

液晶表示パネルの対向電極26には、所定振幅の対向電極電圧(以下、VCOMという
)が印加されており、この対向電極電圧VCOMを形成し、図9においては、ハイレベル
の電圧をVCOMH、ローレベルの電圧をVCOML、その電圧幅をVCOMWとして示
されている。また、このVCOMはTFT光センサ及びコンデンサCwに印加されている
。加えて、TFT光センサのゲート電極Gには、このVCOMと同期して所定のマイナ
ス電圧GVが印加されている。このGVはVCOMとその振幅が同一であり、かつVCO
Mの電圧よりも常に所定の逆バイアス電圧分、例えば10Vだけ電圧が低く設定されてい
る。すなわち、このGVのハイレベルの電圧であるGVHはVCOMH−10Vであり、
ローレベルの電圧であるGVLはVCOML−10Vに設定されている。
A common electrode voltage (hereinafter referred to as VCOM) having a predetermined amplitude is applied to the common electrode 26 of the liquid crystal display panel, and this common electrode voltage VCOM is formed. In FIG. The level voltage is shown as VCOML, and the voltage width is shown as VCOMW. The VCOM is applied to the TFT photosensor and the capacitor Cw. In addition, the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor, a predetermined negative voltage GV in synchronization with this VCOM is applied. This GV has the same amplitude as VCOM, and VCO
The voltage is always set lower than the voltage M by a predetermined reverse bias voltage, for example, 10V. That is, GVH which is the high level voltage of GV is VCOMH-10V,
The low level voltage GVL is set to VCOML-10V.

この状態において、光検知部LS1は所定のフレーム期間、例えば奇数(ODD)フレ
ーム及び偶数(EVEN)フレーム期間毎にスイッチ素子SW1を制御することで基準電
圧源Vから所定の基準電圧Vsが印加される。例えばODDフレーム期間におけるVC
OML期間にスイッチ素子SW1をオンして、基準電圧VsをコンデンサCwに印加して
充電する。この充電により、コンデンサCwの両端には基準電圧VとVCOML間の電
位差Vaがかかり、充電されるが、ゲート電極GにはGVLが印加されてゲートオフさ
れているので、スイッチ素子SW1をオフすると、TFT光センサへ光が照射されること
により生じる漏れ電流によってこの電位が低下する。そして、この同じODDフレーム期
間のVCOML期間にスイッチ素子SW3をオンしてコンデンサCwから電荷をホールド
用コンデンサCrへ移し、充電する。次のODDフレーム期間において、同様にしてVC
OML期間に再びスイッチ素子SW1をオンして、コンデンサCwに電圧Vaを充電し、
スイッチ素子SW1をオフし代ってスイッチ素子SW3をオンして、コンデンサCwから
電荷をホールド用コンデンサCrへ移し、充電する。以後同様に各スイッチ素子SW1、
SW3のオン・オフ動作を繰り返して、コンデンサCwの蓄積電圧をホールド用コンデン
サCrに順次充電する。したがって、各スイッチ素子SW1、SW3のオン・オフ動作を
繰り返して、複数のフレーム期間に亘って蓄積されたホールド用コンデンサCrを検知す
ることで光検出を行うようになせば、1つのフレーム期間においてコンデンサCwに蓄積
された電圧が瞬間的な光量の変化あるいはノイズ等で変化した場合でも、ホールド用コン
デンサCrでの蓄積電圧には大きな影響を及ぼすことがなく安定した光検知結果が得られ
る。なお、この光検知部LS1では、VCOML期間でスイッチ素子SW1をオンして光
検知を行ったがVCOMHの期間で行っても同様の検知出力が得られる。また、この例で
はEVENフレームでは各スイッチ素子SW1、SW3のオン・オフ動作を行わなかった
が、EVENフレームでも動作させてよい。
In this state, the optical detection unit LS1 is given frame period, the odd (ODD) frame and the even (EVEN) frame period predetermined reference voltage Vs from the reference voltage source V S by controlling the switching element SW1 in each is applied Is done. For example, VC in ODD frame period
During the OML period, the switch element SW1 is turned on, and the reference voltage Vs is applied to the capacitor Cw for charging. This charge, at both ends of the capacitor Cw takes potential Va between the reference voltage V S and VCOML, but is charged, because it is gated off GVL is applied to the gate electrode G L, turns off the switching element SW1 Then, this potential is lowered by a leakage current generated by irradiating the TFT photosensor with light. Then, the switch element SW3 is turned on during the VCOML period of the same ODD frame period, and the charge is transferred from the capacitor Cw to the hold capacitor Cr and charged. Similarly, in the next ODD frame period, VC
During the OML period, the switch element SW1 is turned on again to charge the capacitor Va with the voltage Va,
Instead of turning off the switch element SW1, the switch element SW3 is turned on, and the charge is transferred from the capacitor Cw to the hold capacitor Cr and charged. Thereafter, each switch element SW1,
The on / off operation of SW3 is repeated, and the accumulated voltage of the capacitor Cw is sequentially charged into the hold capacitor Cr. Therefore, if light detection is performed by detecting the hold capacitor Cr accumulated over a plurality of frame periods by repeating the on / off operation of each of the switch elements SW1 and SW3, in one frame period. Even when the voltage accumulated in the capacitor Cw changes due to an instantaneous change in light quantity or noise, a stable light detection result can be obtained without greatly affecting the accumulated voltage in the hold capacitor Cr. In this light detection unit LS1, the switch element SW1 is turned on in the VCOML period and the light detection is performed. However, the same detection output can be obtained even in the VCOMH period. In this example, the switch elements SW1 and SW3 are not turned on / off in the EVEN frame, but may be operated in the EVEN frame.

このように所定のフレーム期間にホールド用コンデンサCrに蓄積された電圧は、OP
アンプに入力・増幅されA/D変換されて読取出力Pが得られる。
Thus, the voltage accumulated in the holding capacitor Cr in a predetermined frame period is OP.
A read output P is obtained by input / amplification to the amplifier and A / D conversion.

この光センサ読取部Re1の出力Pは、制御手段1Aに入力されて照明装置のオン/オ
フ制御がされる。なお、図11は制御手段を構成するブロック図である。
The output P of the optical sensor reading unit Re1 is input to the control unit 1A, and on / off control of the illumination device is performed. FIG. 11 is a block diagram constituting the control means.

この光センサ読取部Re1の出力は、センサ制御部30で処理されて比較部33の一方
の端に入力されるとともに、モード制御部31にも入力される。モード制御部31は、外
部からの入力信号により通常動作モードと初期設定モードとを切換えるものであり、初期
設定モード時にはセンサ制御部30の出力を閾値記憶部32に入力して記憶させ、通常動
作モード時にはセンサ制御部30の出力を遮断するようになされており、また、閾値記憶
部32は記憶している閾値を比較部33の他方の端子へ出力するようにされている。
The output of the optical sensor reading unit Re1 is processed by the sensor control unit 30 and input to one end of the comparison unit 33 and also input to the mode control unit 31. The mode control unit 31 switches between a normal operation mode and an initial setting mode by an input signal from the outside. In the initial setting mode, the output of the sensor control unit 30 is input to the threshold storage unit 32 to be stored, and normal operation is performed. In the mode, the output of the sensor control unit 30 is cut off, and the threshold value storage unit 32 outputs the stored threshold value to the other terminal of the comparison unit 33.

そして、通常動作モード時には、比較部33はセンサ制御部30からの入力信号と閾値
記憶部32からの入力信号とを比較し、センサ制御部30からの入力信号が閾値記憶部3
2に記憶されている閾値よりも大きい(明るい)場合にはスイッチング部34を介して照
明装置であるバックライト等35を消灯し、逆にセンサ制御部30からの入力信号が閾値
記憶部33に記憶されている閾値よりも小さい(暗い)場合にはスイッチング部34を介
してバックライト等35を点灯するようになされている。
In the normal operation mode, the comparison unit 33 compares the input signal from the sensor control unit 30 with the input signal from the threshold storage unit 32, and the input signal from the sensor control unit 30 is the threshold storage unit 3.
2 is larger (brighter) than the threshold value stored in 2, the backlight 35, which is a lighting device, is turned off via the switching unit 34. Conversely, an input signal from the sensor control unit 30 is input to the threshold value storage unit 33. When it is smaller (darker) than the stored threshold value, the backlight 35 or the like is turned on via the switching unit 34.

また、初期設定モードが選択された場合は、モード制御部31において、センサ制御部
30からの出力を閾値記憶部32に記憶するようになされているため、TFT光センサに
予め定めた明るさの光を照射することによりその光の明るさに対応する閾値を記憶させる
ことができる。したがって、TFT光センサの光−電気特性にバラツキがあっても、バッ
クライト等を予め定めた明るさを境として正確にオン/オフ制御することができるように
なる。
When the initial setting mode is selected, the mode control unit 31 stores the output from the sensor control unit 30 in the threshold storage unit 32. Therefore, the TFT light sensor has a predetermined brightness. By irradiating light, a threshold value corresponding to the brightness of the light can be stored. Therefore, even if there are variations in the photoelectric characteristics of the TFT photosensor, it becomes possible to accurately control the on / off of the backlight or the like with a predetermined brightness as a boundary.

この場合、予め定めた光の明るさは製造工程で一律に定めてもよく、あるいはエンドユ
ーザが好みに応じて適宜の明るさで自動的にバックライト等をオン/オフ制御できるよう
に変更可能としてもよい。なお、比較部33として、頻繁にバックライト等がオン/オフ
制御されないようにするため、オンになるときの明るさとオフになるときの明るさを変え
る、すなわちヒステリシス特性を持たせてもよい。このヒステリシス特性は比較部33に
ヒステリシスコンパレータを備えることにより簡単に達成することができる。
In this case, the brightness of the predetermined light may be set uniformly in the manufacturing process, or can be changed so that the end user can automatically turn on / off the backlight, etc. at an appropriate brightness according to the preference. It is good. Note that the comparison unit 33 may change the brightness when turned on and the brightness when turned off, that is, have a hysteresis characteristic so that the backlight or the like is not frequently turned on / off. This hysteresis characteristic can be easily achieved by providing the comparator 33 with a hysteresis comparator.

また、使用されるTFT光センサは一つに限らず、複数個用いることもできる。すなわ
ち、複数のTFT光センサの出力を平均化して使用したり、あるいは一方のTFT光セン
サを完全遮光して暗基準値として用いて他方の遮光しないTFT光センサの出力との差分
を取ることにより、明るさの測定精度を向上させることができる。
The number of TFT photosensors used is not limited to one, and a plurality of TFT photosensors can be used. That is, by averaging the outputs of a plurality of TFT photosensors, or using one TFT photosensor as a dark reference value and taking the difference from the output of the other non-shielded TFT photosensor , Brightness measurement accuracy can be improved.

また、本実施例では、センサ制御部30、比較部33、モード制御部31、閾値記憶部
32、スイッチング部34は、液晶表示装置のドライバICに組み込むこともできる。閾
値記憶部32は液晶表示装置1内部に設けなくてもよいが、この場合は液晶表示装置1の
電源立ち上げ時に外部の閾値記憶部32を有するホストPCから液晶表示装置1を初期化
するように構成されていればよい。
In the present embodiment, the sensor control unit 30, the comparison unit 33, the mode control unit 31, the threshold value storage unit 32, and the switching unit 34 can be incorporated in a driver IC of the liquid crystal display device. The threshold storage unit 32 may not be provided inside the liquid crystal display device 1. In this case, however, the liquid crystal display device 1 is initialized from the host PC having the external threshold storage unit 32 when the liquid crystal display device 1 is powered on. It suffices to be configured.

図12は本発明の実施例2に係る表示装置に搭載された光検知部及び光センサ読取部の
回路図、図13は図12の各部の出力波形を示すタイミングチャートである。
FIG. 12 is a circuit diagram of a photodetecting unit and a photosensor reading unit mounted on a display device according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 13 is a timing chart showing output waveforms of each unit of FIG.

この光検知部LS2及び光センサ読取部Re2は、実施例1の光検知部LS1及びセン
サ読取部Re1とほぼ同じ構成を有し、異なる点は2種類の第1、第2基準電圧源VSP
、VSMとこの基準電圧源に対応した2種類のスイッチ素子SW1、SW2及び2種類の
第1、第2サンプリングホールド回路SH1、SH2を有している点が異なる。そこで共
通する構成には、実施例1と同じ符号を付して説明を省略する。
The light detection unit LS2 and the light sensor reading unit Re2 have substantially the same configuration as the light detection unit LS1 and the sensor reading unit Re1 of the first embodiment, and are different in two types of first and second reference voltage sources V SP.
, VSM and two types of switch elements SW1 and SW2 corresponding to the reference voltage source and two types of first and second sampling and holding circuits SH1 and SH2. Therefore, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

この光検知部LS2は、図12に示すように、2つの第1、第2基準電圧源VSP、V
SMを有し、これらが異なる第1、第2スイッチ素子SW1、SW2を介してコンデンサ
Cwに並列接続されている。一方、光センサ読取部Re2には、これら第1、第2基準電
圧源VSP、VSMに対応する第1、第2サンプリングホールド回路SH1、SH2を有
し、両サンプリングホールド回路SH1、SH2はホールド用コンデンサCrp、Crm
を有し、これらが第3、第4スイッチ素子SW3、SW4を介して光検知部LS2に接続
されている。また、ホールド用コンデンサCrp、Crmは、OPアンプ及びA/D変換
器に接続されて出力P、Pが得られるようになっている。また、各ホールド用コンデ
ンサCrp、Crmは、コンデンサCwよりその容量が大きくなっている。
As shown in FIG. 12, the light detection unit LS2 includes two first and second reference voltage sources V SP and V SP .
SM is provided, and these are connected in parallel to the capacitor Cw via different first and second switch elements SW1 and SW2. On the other hand, the optical sensor reading unit Re2 includes first and second sampling and holding circuits SH1 and SH2 corresponding to the first and second reference voltage sources V SP and V SM . Both sampling and holding circuits SH1 and SH2 Capacitors for holding Crp, Crm
These are connected to the light detection unit LS2 via the third and fourth switch elements SW3 and SW4. The holding capacitors Crp and Crm are connected to an OP amplifier and an A / D converter to obtain outputs P 1 and P 2 . Each of the holding capacitors Crp and Crm has a larger capacity than the capacitor Cw.

光検知部LS2を構成するTFT光センサ及びスイッチSW1、SW2は、いずれもT
FTで構成され、これらのTFTは実施例1と同様にTFT基板2のTFTと同時に作成
されている(図10参照)。
The TFT optical sensor and the switches SW1 and SW2 constituting the light detection unit LS2 are both T
The TFT is composed of FT, and these TFTs are formed at the same time as the TFT of the TFT substrate 2 as in the first embodiment (see FIG. 10).

次に、この光検知部LS2及び光センサ読取部Re2の動作を説明する。   Next, operations of the light detection unit LS2 and the optical sensor reading unit Re2 will be described.

本実施例の液晶表示パネルの対向電極26には、所定振幅の対向電極電圧(以下、VC
OMという)が印加されており、この対向電極電圧VCOMを形成し、図13においては
、ハイレベルの電圧をVCOMH、ローレベルの電圧をVCOML、その電圧幅をVCO
MWとして示されている。また、このVCOMはTFT光センサ及びコンデンサCwに印
加されている。加えて、TFT光センサのゲート電極Gには、このVCOMと同期して
所定のマイナス電圧GVが印加されている。このGVはVCOMとその振幅が同一であり
、かつVCOMの電圧よりも常に所定の逆バイアス電圧分、例えば10Vだけ電圧が低く
設定されている。すなわち、このGVのハイレベルの電圧であるGVHはVCOMH−1
0Vであり、ローレベルの電圧であるGVLはVCOML−10Vに設定されている。
The counter electrode 26 of the liquid crystal display panel of this embodiment has a counter electrode voltage (hereinafter referred to as VC) having a predetermined amplitude.
OM) is applied, and this counter electrode voltage VCOM is formed. In FIG. 13, the high level voltage is VCOMH, the low level voltage is VCOML, and the voltage width is VCO.
Shown as MW. The VCOM is applied to the TFT photosensor and the capacitor Cw. In addition, the gate electrode G L of the TFT ambient light photosensor, a predetermined negative voltage GV in synchronization with this VCOM is applied. This GV has the same amplitude as that of VCOM, and is always set lower than the voltage of VCOM by a predetermined reverse bias voltage, for example, 10V. That is, GVH which is a high level voltage of GV is VCOMH−1.
GVL which is 0V and is a low level voltage is set to VCOML-10V.

この状態において、光検知部LS2は、ODDフレーム及びEVENフレーム期間毎に
異なる基準電圧源VSP、VSMから第1、第2スイッチ素子SW1、SW2を制御する
ことにより印加される。なお、コンデンサCwには、電圧Va(=VSP−VCOML)
と電圧−Va(=VSM−VCOMH)が交互に充電されるようにする。なお、コンデン
サにかかる電圧Vaと−Vaの絶対値は対向電極電圧VCOMの電圧幅VCOMWの1/
2が好ましい。このようになせば両基準電圧源VSP、VSMとして対向電極電圧を簡単
な回路構成で利用することができるようになる。
In this state, the light detection unit LS2 is applied by controlling the first and second switch elements SW1 and SW2 from different reference voltage sources V SP and V SM for each ODD frame and EVEN frame period. The capacitor Cw has a voltage Va (= V SP -VCOML)
And the voltage −Va (= V SM −VCOMH) are alternately charged. The absolute values of the voltages Va and -Va applied to the capacitor are 1 / (1) of the voltage width VCOMW of the counter electrode voltage VCOM.
2 is preferred. If That raise Thus both the reference voltage source V SP, it becomes possible to utilize the counter electrode voltage by a simple circuit configuration as V SM.

このTFT光センサ駆動時には、例えば先ずODDフレーム期間におけるVCOML期
間に第1スイッチ素子SW1をオン(このとき他の第1〜第3スイッチ素子SW2、3、
4はオフ)して、電圧VaをコンデンサCwに短時間印加して充電する。この充電により
、コンデンサCwの両端には、電圧Vaの電位差が生じるが、ゲート電極GにGVLが
印加されているので、TFT光センサへの光照射によって暗電流が流れてこの電位差Va
は低下する。
At the time of driving the TFT photosensor, for example, the first switch element SW1 is first turned on in the VCOML period in the ODD frame period (the other first to third switch elements SW2, 3,.
4 is turned off), and the voltage Va is applied to the capacitor Cw for a short time to be charged. By this charging, a potential difference of the voltage Va is generated at both ends of the capacitor Cw. However, since GVL is applied to the gate electrode GL , a dark current flows due to light irradiation to the TFT photosensor, and this potential difference Va.
Will decline.

そして、第1スイッチ素子SW1をオフした後に同じODDフレーム期間におけるVC
OML期間に第3スイッチ素子SW3をオンしてコンデンサCwから電荷をホールド用コ
ンデンサCrpへ移し、充電する。
Then, VC in the same ODD frame period after turning off the first switch element SW1
In the OML period, the third switch element SW3 is turned on, and the charge is transferred from the capacitor Cw to the hold capacitor Crp and charged.

次のEVENフレーム期間においては、今度は、極性を変更してVCOMHのときに第
2スイッチ素子SW2をオン(このとき第1、第3、第4スイッチ素子SW1、SW3、
SW4はオフ)して、電圧−VaをコンデンサCwに印加して充電する。その後、スイッ
チ素子SW2をオフすると、コンデンサCwの両端には電圧−Vaが得られる。そして、
第2スイッチ素子SW2をオフした後に同じEVENフレーム期間におけるVCOMH期
間に第4スイッチ素子SW4をオンしてコンデンサCwの電荷をホールド用コンデンサC
rmへ移し、充電する。以後同様にして、各スイッチ素子SW1〜SW4のオン・オフ動
作を繰り返して、コンデンサCwに充電された電圧を第1又は第2サンプリングホールド
回路SH1、SH2のホールド用コンデンサCrp、Crmに充電し蓄積する。
In the next EVEN frame period, this time, the polarity is changed and the second switch element SW2 is turned on when the voltage is VCOMH (at this time, the first, third, and fourth switch elements SW1, SW3,
SW4 is turned off) and the voltage -Va is applied to the capacitor Cw for charging. Thereafter, when the switch element SW2 is turned off, the voltage −Va is obtained across the capacitor Cw. And
After the second switch element SW2 is turned off, the fourth switch element SW4 is turned on during the VCOMH period in the same EVEN frame period, and the charge of the capacitor Cw is held.
Move to rm and charge. Thereafter, the switching elements SW1 to SW4 are repeatedly turned on and off in the same manner, and the voltage charged in the capacitor Cw is charged and stored in the holding capacitors Crp and Crm of the first or second sampling hold circuits SH1 and SH2. To do.

第1、第2サンプリングホールド回路SH1、SH2のホールド用コンデンサCrp、
Crmに蓄積された電荷の量に対応した電位がOPアンプに入力され、これにより一意に
決定された電位でOPアンプから出力される。これが1サイクルであり、これを繰り返し
ていくのであるが、コンデンサCwに対して、第1、第2サンプリングホールド回路SH
1、SH2のホールド用コンデンサCrp、Crmが大きいと、複数フレーム期間に亘っ
て電荷が第1又は第2サンプリングホールド回路SH1、SH2のホールド用コンデンサ
Crp、Crmに蓄積されることになる。したがって、例えば複数フレーム期間のうちの
1つにおいてコンデンサCwに蓄積された電荷がノイズ等で少なくなったような場合でも
、順次電荷が蓄積されているホールド用コンデンサCrp、Crmにとっては大きな影響
はなく、よって出力結果は安定したものが得られる。このように、1フレーム期間の電位
のみを検出するのではなく、複数のフレーム期間の電位の積算を検出するため、ノイズや
周囲光の微小な変動を積分効果により吸収させることができ、安定した結果が得られる。
Capacitors Crp for holding the first and second sampling and holding circuits SH1 and SH2,
A potential corresponding to the amount of charge accumulated in Crm is input to the OP amplifier, and is output from the OP amplifier at a potential uniquely determined thereby. This is one cycle and this is repeated, but the first and second sampling and holding circuits SH are connected to the capacitor Cw.
When the holding capacitors Crp and Crm of 1 and SH2 are large, charges are accumulated in the holding capacitors Crp and Crm of the first or second sampling hold circuits SH1 and SH2 over a plurality of frame periods. Therefore, for example, even when the charge accumulated in the capacitor Cw decreases in one of a plurality of frame periods due to noise or the like, there is no significant effect on the holding capacitors Crp and Crm in which charges are sequentially accumulated. Therefore, a stable output result can be obtained. In this way, not only the potential of one frame period is detected, but the integration of the potentials of a plurality of frame periods is detected, so that minute fluctuations in noise and ambient light can be absorbed by the integration effect and stable. Results are obtained.

また、フレーム期間毎にVCOMの極性を変えてコンデンサCwへの基準電圧を印加す
ることにより、光検知部からは交流成分の検知出力が得られ、同時にこの出力電圧が表示
パネルの液晶に加えられ、光検知部の作動時に常時直流が加わることがなく液晶の劣化が
なくなるとともにノイズが抑えられる。
Also, by changing the VCOM polarity for each frame period and applying a reference voltage to the capacitor Cw, an AC component detection output is obtained from the light detection unit, and at the same time, this output voltage is applied to the liquid crystal of the display panel. In the operation of the light detection unit, no direct current is always applied, and the liquid crystal is not deteriorated and noise is suppressed.

なお、反射電極Rを省略すると透過型液晶表示装置が得られ、逆に反射電極を画素電
極12の下部全体にわたって設けると反射型液晶表示装置が得られる。ただし、反射型液
晶表示装置の場合は、バックライトないしはサイドライトに換えてフロントライトが使用
される。
If the reflective electrode R 0 is omitted, a transmissive liquid crystal display device is obtained. Conversely, if the reflective electrode is provided over the entire lower part of the pixel electrode 12, a reflective liquid crystal display device is obtained. However, in the case of a reflective liquid crystal display device, a front light is used instead of the backlight or side light.

図1はTFT光センサの電圧−電流曲線の一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a voltage-current curve of a TFT photosensor. 図2はTFT光センサを使用した光検知部の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a light detection unit using a TFT photosensor. 図3は明るさが異なる場合の図2に示した回路図におけるコンデンサの両端の電圧−時間曲線を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a voltage-time curve across the capacitor in the circuit diagram shown in FIG. 2 when the brightness is different. 図4は本発明の実施例1に係る液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表したアクティブマトリクス基板を模式的に示した平面図である。FIG. 4 is a plan view schematically showing an active matrix substrate seen through the color filter substrate of the liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. 図5は図4のX−X線で切断した断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 図6は半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した1画素分の平面図である。FIG. 6 is a plan view of one pixel that is seen through the color filter substrate of the transflective liquid crystal display device. 図7はカラーフィルタ基板を含む図7のA−A断面図である。7 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 7 including the color filter substrate. 図8は光検知部及びセンサ読取部の回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram of the light detection unit and the sensor reading unit. 図9は図8の各部の出力波形を示すタイミングチャートである。FIG. 9 is a timing chart showing the output waveform of each part of FIG. 図10はTFT基板上の光センサ及びスイッチ素子の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of an optical sensor and a switch element on the TFT substrate. 図11は制御手段を構成するブロック図である。FIG. 11 is a block diagram constituting the control means. 図12は本発明の実施例2に係る表示装置に搭載された光検知部及び光センサ読取部の回路図である。FIG. 12 is a circuit diagram of a photodetecting unit and a photosensor reading unit mounted on a display device according to Embodiment 2 of the present invention. 図13は図12の各部の出力波形を示すタイミングチャートである。FIG. 13 is a timing chart showing the output waveform of each part of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 半透過型液晶表示装置
1A バックライト制御手段
2 TFT基板
4 ゲート線
5 ソース線
10〜10 トランスファ電極
10a コンタクト材
11 コモン線
12 画素電極
25 CF基板
26 対向電極
30 センサ制御部
31 モード制御部
32 閾値制御部
33 比較部
34 スイッチング部
35 バックライト等
LS1、LS2 光検知部
S、S、S ソース電極
G、G、G ゲート電極
D、D、D ドレイン電極
SW1〜SW4 スイッチ素子
Cw コンデンサ
VCOM 対向電極電圧
T 透過部
R 反射部
反射電極
SH、SH1、SH2 サンプリングホールド回路
Crp、Crm ホールド用コンデンサ
、VSP、VSM 基準電圧源
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transflective liquid crystal display device 1A Backlight control means 2 TFT substrate 4 Gate line 5 Source line 10 1 to 10 4 Transfer electrode 10a Contact material 11 Common line 12 Pixel electrode 25 CF substrate 26 Counter electrode 30 Sensor control unit 31 Mode control part 32 threshold controller 33 comparing unit 34 switching unit 35 backlights LS1, LS2 light detecting unit S, S L, S S source electrode G, G L, G S gate electrode D, D L, D S drain electrode SW1~ SW4 Switch element Cw Capacitor VCOM Counter electrode voltage T Transmission part R Reflection part R 0 Reflection electrode SH, SH1, SH2 Sampling hold circuit Crp, Crm Hold capacitors V S , V SP , V SM Reference voltage source

Claims (15)

照明装置と、表示パネルと、外光を検知する光センサを有する光検知部と、前記光検知部
の出力により前記照明装置を制御する制御手段を備えた表示装置において、前記光検知部
は、前記光センサとして薄膜電界効果トランジスタを用い、該薄膜電界効果トランジスタ
のソース・ドレイン電極間にコンデンサを接続し、該コンデンサの一方の端子側をスイッ
チ素子を介して基準電圧源に、他方の端子側は前記対向電極に接続し、前記薄膜電界効果
トランジスタのゲート電極には前記対向電極に印加される電圧よりも常に逆バイアス電圧
に対応する一定の低い電圧を印加し、前記スイッチ素子を前記対向電極に印加される電圧
に同期して短時間作動させることにより前記基準電圧源からの基準電圧を前記コンデンサ
に印加して充電し、前記スイッチ素子をオフにしてから所定時間後の前記コンデンサの電
圧を前記スイッチ素子の作動に同期したサンプリングホールド回路を経て検知することに
より外光を検知するようにしたことを特徴とする表示装置。
In a display device including an illumination device, a display panel, a light detection unit having a light sensor for detecting external light, and a control unit for controlling the illumination device by an output of the light detection unit, the light detection unit is A thin film field effect transistor is used as the optical sensor, a capacitor is connected between the source and drain electrodes of the thin film field effect transistor, one terminal side of the capacitor is used as a reference voltage source via a switch element, and the other terminal side is connected Is connected to the counter electrode, and a constant lower voltage corresponding to a reverse bias voltage is always applied to the gate electrode of the thin film field effect transistor than the voltage applied to the counter electrode, and the switch element is connected to the counter electrode The capacitor is charged by applying the reference voltage from the reference voltage source to the capacitor by operating for a short time in synchronization with the voltage applied to the capacitor. Display device is characterized in that so as to detect the external light by sensing the voltage of the capacitor after a predetermined time the switch element off and then on through the sampling hold circuit in synchronization with the operation of the switching element.
前記対向電極には所定の周期の矩形状に変化する電圧を印加したことを特徴とする請求項
1に記載の表示装置。
The display device according to claim 1, wherein a voltage that changes in a rectangular shape with a predetermined period is applied to the counter electrode.
前記コンデンサの容量は、前記サンプリングホールド回路のホールド用コンデンサの容量
よりも小さいことを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置。
The display device according to claim 1, wherein a capacity of the capacitor is smaller than a capacity of a holding capacitor of the sampling and holding circuit.
前記表示パネルはアクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板との間に液晶層が設け
られた液晶表示パネルであり、前記光検知部は前記アクティブマトリクス基板の製造工程
において前記液晶表示パネルのスイッチング素子としての薄膜電界効果トランジスタと同
時に形成された光センサとしての薄膜電界効果トランジスタを備えていることを特徴とす
る請求項1〜3の何れかに記載の表示装置。
The display panel is a liquid crystal display panel in which a liquid crystal layer is provided between an active matrix substrate and a color filter substrate, and the light detection unit is a thin film as a switching element of the liquid crystal display panel in the manufacturing process of the active matrix substrate 4. A display device according to claim 1, further comprising a thin film field effect transistor as an optical sensor formed simultaneously with the field effect transistor.
前記制御手段は閾値記憶部及び比較部を有し、通常動作モード時には、前記光検知部の出
力と前記閾値記憶部に格納されている閾値を前記比較部にて比較し、この比較結果に基づ
いて前記照明装置のオン/オフ制御を行い、初期設定モード時には、前記光センサに基準
となる光を照射しつつ、前記光検知部の出力を前記閾値記憶部に格納するようにしたこと
を特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の表示装置。
The control means has a threshold value storage unit and a comparison unit, and in the normal operation mode, the output of the light detection unit and the threshold value stored in the threshold value storage unit are compared by the comparison unit, and based on this comparison result The on / off control of the illumination device is performed, and in the initial setting mode, the output of the light detection unit is stored in the threshold value storage unit while irradiating the light sensor as a reference. The display device according to claim 1.
前記照明装置はバックライト又はサイドライトであり、前記表示パネルは透過型又は半透
過型液晶表示パネルであることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の表示装置。
The display device according to claim 1, wherein the illumination device is a backlight or a sidelight, and the display panel is a transmissive or transflective liquid crystal display panel.
前記照明装置はフロントライトであり、前記表示パネルは反射型液晶表示パネルであるこ
とを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の表示装置。
The display device according to claim 1, wherein the illumination device is a front light, and the display panel is a reflective liquid crystal display panel.
照明装置と、表示パネルと、外光を検知する光センサを有する光検知部と、前記光検知部
の出力により前記照明装置を制御する制御手段を備えた表示装置において、前記光検知部
は、前記光センサとして薄膜電界効果トランジスタを用い、該薄膜電界効果トランジスタ
のソース・ドレイン電極間にコンデンサを接続し、該コンデンサの一方の端子側を第1、
第2スイッチ素子を介して第1、第2基準電圧源に、他方の端子側は前記対向電極に接続
し、前記薄膜電界効果トランジスタのゲート電極には前記対向電極に印加される電圧より
も常に逆バイアス電圧に対応する一定の低い電圧を印加し、前記第1、第2スイッチ素子
を前記対向電極に印加される電圧に同期して短時間順次切換え作動させることにより前記
第1又は第2基準電圧源からの基準電圧を前記コンデンサに印加して充電し、前記スイッ
チ素子をオフにしてから所定時間後の前記コンデンサの電圧をそれぞれ前記対向電極に印
加される電圧に同期して作動する2つの第1、第2サンプリングホールド回路を経て別々
に検知することにより外光を検知するようにしたことを特徴とする表示装置。
In a display device including an illumination device, a display panel, a light detection unit having a light sensor for detecting external light, and a control unit for controlling the illumination device by an output of the light detection unit, the light detection unit is A thin film field effect transistor is used as the photosensor, a capacitor is connected between the source and drain electrodes of the thin film field effect transistor, and one terminal side of the capacitor is connected to the first,
The first and second reference voltage sources are connected via the second switch element, the other terminal side is connected to the counter electrode, and the gate electrode of the thin film field effect transistor is always higher than the voltage applied to the counter electrode. The first or second reference is applied by applying a constant low voltage corresponding to the reverse bias voltage and switching the first and second switch elements in a short time in synchronization with the voltage applied to the counter electrode. Two capacitors that operate by synchronizing a voltage applied to the counter electrode with a voltage applied to the counter electrode after a predetermined time has elapsed after the switch element is turned off by charging a reference voltage from a voltage source to the capacitor. A display device characterized in that external light is detected by separately detecting the first and second sampling and holding circuits.
前記対向電極には所定の周期の矩形状に変化する電圧を印加したことを特徴とする請求項
8に記載の表示装置。
The display device according to claim 8, wherein a voltage that changes in a rectangular shape with a predetermined period is applied to the counter electrode.
前記第1基準電圧源は前記対向電極に供給される低い方の電圧よりも高い基準電圧を供給
し、前記第2基準電圧源は前記対向電極に供給される高い方の電圧よりも低い基準電圧を
供給し、前記第1スイッチ素子は前記対向電極に供給される電圧がローレベルの時に第1
基準電圧を前記コンデンサに印加し、前記第2スイッチ素子は前記対向電極に供給される
電圧がハイレベルの時に前記第2基準電圧を前記コンデンサに印加するように制御される
ことを特徴とする請求項8又は9に記載の表示装置。
The first reference voltage source supplies a reference voltage higher than the lower voltage supplied to the counter electrode, and the second reference voltage source supplies a reference voltage lower than the higher voltage supplied to the counter electrode. And the first switch element is first when the voltage supplied to the counter electrode is at a low level.
A reference voltage is applied to the capacitor, and the second switch element is controlled to apply the second reference voltage to the capacitor when a voltage supplied to the counter electrode is at a high level. Item 10. The display device according to Item 8 or 9.
前記コンデンサの容量は、前記第1、第2サンプリングホールド回路のホールド用コンデ
ンサの容量よりも小さいことを特徴とする請求項8〜10の何れかに記載の表示装置。
11. The display device according to claim 8, wherein a capacity of the capacitor is smaller than a capacity of a holding capacitor of the first and second sampling and holding circuits.
前記表示パネルはアクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板との間に液晶層が設け
られた液晶表示パネルであり、前記光検知部は前記アクティブマトリクス基板の製造工程
において前記液晶表示パネルのスイッチング素子としての薄膜電界効果トランジスタと同
時に形成された光センサとしての薄膜電界効果トランジスタを備えていることを特徴とす
る請求項8〜11の何れかに記載の表示装置。
The display panel is a liquid crystal display panel in which a liquid crystal layer is provided between an active matrix substrate and a color filter substrate, and the light detection unit is a thin film as a switching element of the liquid crystal display panel in the manufacturing process of the active matrix substrate The display device according to claim 8, further comprising a thin film field effect transistor as an optical sensor formed simultaneously with the field effect transistor.
前記制御手段は閾値記憶部及び比較部を有し、通常動作モード時には、前記光検知部の出
力と前記閾値記憶部に格納されている閾値を前記比較部にて比較し、この比較結果に基づ
いて前記照明装置のオン/オフ制御を行い、初期設定モード時には、前記光センサに基準
となる光を照射しつつ、前記光検知部の出力を前記閾値記憶部に格納するようにしたこと
を特徴とする請求項8〜12の何れかに記載の表示装置。
The control means has a threshold value storage unit and a comparison unit, and in the normal operation mode, the output of the light detection unit and the threshold value stored in the threshold value storage unit are compared by the comparison unit, and based on this comparison result The on / off control of the illumination device is performed, and in the initial setting mode, the output of the light detection unit is stored in the threshold value storage unit while irradiating the light sensor as a reference. The display device according to claim 8.
前記照明装置はバックライト又はサイドライトであり、前記表示パネルは透過型又は半透
過型液晶表示パネルであることを特徴とする請求項8〜13の何れかに記載の表示装置。
The display device according to claim 8, wherein the illumination device is a backlight or a sidelight, and the display panel is a transmissive or transflective liquid crystal display panel.
前記照明装置はフロントライトであり、前記表示パネルは反射型液晶表示パネルであるこ
とを特徴とする請求項8〜13の何れかに記載の表示装置。
The display device according to claim 8, wherein the illumination device is a front light, and the display panel is a reflective liquid crystal display panel.
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