JP2007314596A - Polyimide roll film, copper-clad laminate, circuit board and method for producing polyimide roll film - Google Patents

Polyimide roll film, copper-clad laminate, circuit board and method for producing polyimide roll film Download PDF

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Takeshi Yoshida
武史 吉田
Hiroyuki Wakui
洋行 涌井
Masayuki Tsutsumi
正幸 堤
Yoichiro Nakagawa
洋一郎 中川
Shigeru Miyagawa
茂 宮川
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Toyobo Co Ltd
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Toyobo Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a polyimide film that is useful as a substrate film of copper-clad laminate substrate (copper-clad laminate film) for a circuit board, has a small amount of foreign matter attached to a surface, is thin and has a high tensile modulus. <P>SOLUTION: The polyimide roll film has an attached amount of foreign matters having ≥2μm size of 100-100,000/m<SP>2</SP>, film thickness of 2-12.5 μm and a tensile modulus of ≥6 GPa. Especially the polyimide roll film comprises a polyimide containing a benzoxazole backbone as the residue of an aromatic diamine. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、フィルム表面の付着異物量が少ないポリイミドロールフィルムに関する。
更に詳しくは、非常に帯電しやすく、帯電のため浮遊異物が付着しやすく、付着異物量の少ないロールフィルムを作製するのが困難であった薄いフィルムの表面付着異物量が少ないポリイミドロールフィルムに関し、銅などの金属層との金属層積層基板特に銅張積層基板の基板フィルムとして使用でき、この銅張積層基板を使用したフレキシブルプリント配線板など回路基板に使用できる、表面付着異物量が少ない有用なポリイミドフィルムを提供しうるポリイミドロールフィルムに関する。
The present invention relates to a polyimide roll film with a small amount of adhered foreign matter on the film surface.
More specifically, regarding a polyimide roll film having a small amount of adhering foreign matter on the surface of a thin film, which is very easy to be charged, easily adhering to floating foreign matters due to charging, and difficult to produce a roll film with a small amount of adhering foreign matters, Can be used as a substrate film for a metal layer laminated substrate with a metal layer such as copper, especially a copper clad laminate substrate, and can be used for a circuit board such as a flexible printed wiring board using this copper clad laminate substrate. The present invention relates to a polyimide roll film that can provide a polyimide film.

電子部品の基材の材料として、セラミックが用いられていた。セラミックからなる基材は耐熱性を有し、近年の情報通信機器における信号帯域の高周波数化(GHz帯に達する)にも対応し得る。しかし、セラミックはフレキシブルでなく、薄くできないので使用できる分野が限定される。そのため、有機材料からなるフィルムを電子部品の基材として用いる検討がなされ、ポリイミドからなるフィルム、ポリテトラフルオロエチレンからなるフィルムが提案されている。ポリイミドからなるフィルムは耐熱性に優れ、また、強靭であるのでフィルムを薄くできるという長所を備えている。さらに弾性率を高くしたポリイミドフィルムとして、ベンゾオキサゾール環を主鎖に有するポリイミドからなるポリイミドベンゾオキサゾールフィルムが提案されている(特許文献1参照)。このポリイミドベンゾオキサゾールフィルムを誘電層とするプリント配線板も提案されている(特許文献2、特許文献3参照)。
特開平06−056992号公報 特表平11−504369号公報 特表平11−505184号公報
Ceramics have been used as the base material for electronic components. A base material made of ceramic has heat resistance, and can cope with a higher frequency band (reaching the GHz band) in recent information communication equipment. However, ceramics are not flexible and cannot be thinned, so the fields that can be used are limited. For this reason, studies have been made to use a film made of an organic material as a base material for an electronic component, and a film made of polyimide and a film made of polytetrafluoroethylene have been proposed. A film made of polyimide is excellent in heat resistance and has an advantage that the film can be thin because it is tough. Furthermore, a polyimide benzoxazole film made of polyimide having a benzoxazole ring in the main chain has been proposed as a polyimide film having a higher elastic modulus (see Patent Document 1). A printed wiring board using the polyimide benzoxazole film as a dielectric layer has also been proposed (see Patent Document 2 and Patent Document 3).
Japanese Patent Laid-Open No. 06-056792 Japanese National Patent Publication No. 11-504369 Japanese National Patent Publication No. 11-505184

LSIなどの電子部品の高密度化、高集積化、また回路の多様化が進むにつれて、半導体ウエハに存在する塵埃、金属不純物などの異物(パーティクル)が製品の歩留り、製品の信頼性に大きく影響するようになつた。たとえば、半導体ウエハの表面(回路パターン形成面)に存在する異物は、回路形成時に回路の断線やシヨートの原因となる。また、半導体ウエハの裏面(回路パターン面の反対面)に存在する異物は、回路形成時の露光工程で焦点を狂わす原因となり、また隣接するウエハの表面に転写して回路の断線やシヨ―トの原因となる。
LSIの製造工程では、製造工程内の清浄度のレベルアツプ、ウエハ洗浄技術のレベルアツプに努めており、さまざまな清浄化技術が提案され、洗浄工程は全工程の約30%を占めており、歩留りや信頼性アツプのキーポイントである。しかし、最近のLSIの高密度化、高集積化に伴い、従来のウエハ洗浄方法の問題が顕在化してきた。ウエハ洗浄方法には、ウエツト洗浄(超純水、薬液などによる)と、ドライ洗浄(UVオゾン、Oプラズマなど)があり、一般にはウエツト洗浄がその汎用性、経済性のバランスのよさから頻繁に適用される。ウエツト洗浄の問題点は、洗浄によりウエハから除去された異物のウエハへの再付着であり、とくにウエハ裏面に付着している異物 は著しい汚染源となる。また、ウエツト洗浄は乾燥工程を必要とするため、乾燥工程でのウエハ汚染の問題が同様に存在する。ウエツト洗浄の短所を補う洗浄方法として、洗浄方法のドライ化(UVオゾン、Oプラズマなど)が進んでおり、異物の再付着の低減、乾燥工程の省略などの利点を活かしているが、ドライ洗浄は異物に対して十分な除去能力を示さず、多量の汚染物の除去に適していないことがわかつてきた。
粘着テープを用い、半導体ウエハの表面に付着した異物をテ―プの粘着剤層面に吸着させて除去する方法が提案されている。この方法は、一種のドライ洗浄といえるので、ウエツト洗浄における異物の再付着の問題や乾燥工程での汚染の問題を回避することができ、しかもUVオゾン、Oプラズマなどの他のドライ洗浄に比べ、異物の除去能力をより高められるものと期待されている(特許文献4〜6参照)。
特開昭48−035771号公報 特開平01−135574号公報 特開平08−088205号公報
As electronic parts such as LSIs become more dense, highly integrated, and circuit diversifies, foreign matter (particles) such as dust and metal impurities present on semiconductor wafers greatly affects product yield and product reliability. I got to do it. For example, foreign matters present on the surface (circuit pattern forming surface) of a semiconductor wafer cause circuit disconnection or short circuit during circuit formation. In addition, foreign matter present on the back side of the semiconductor wafer (opposite side of the circuit pattern surface) may cause the focus to be out of focus in the exposure process during circuit formation, and is transferred to the surface of the adjacent wafer for circuit breakage or short circuit. Cause.
In the LSI manufacturing process, we are striving to improve the level of cleanliness in the manufacturing process and the level of wafer cleaning technology. Various cleaning technologies have been proposed, and the cleaning process accounts for about 30% of the total process. It is a key point for improving yield and reliability. However, with recent increases in density and integration of LSIs, problems with conventional wafer cleaning methods have become apparent. There are two types of wafer cleaning methods: wet cleaning (with ultrapure water, chemicals, etc.) and dry cleaning (UV ozone, O 2 plasma, etc.). In general, wet cleaning is frequently performed because of the balance of versatility and economy. Applies to The problem with wet cleaning is the reattachment of foreign matter removed from the wafer by cleaning to the wafer, and especially the foreign matter adhering to the backside of the wafer becomes a significant source of contamination. In addition, since the wet cleaning requires a drying process, there is a problem of wafer contamination in the drying process as well. As a cleaning method that compensates for the disadvantages of wet cleaning, the cleaning method is becoming more dry (UV ozone, O 2 plasma, etc.), and it takes advantage of the advantages such as the reduction of reattachment of foreign substances and the elimination of the drying process. It has been found that cleaning does not show a sufficient removal capability against foreign substances and is not suitable for removing large amounts of contaminants.
There has been proposed a method for removing foreign substances adhering to the surface of a semiconductor wafer by adhering them to the adhesive layer surface of the tape using an adhesive tape. Since this method can be said to be a kind of dry cleaning, it can avoid the problem of reattachment of foreign matters in wet cleaning and the problem of contamination in the drying process, and can also be used for other dry cleaning such as UV ozone and O 2 plasma. In comparison, it is expected that the foreign matter removal capability can be further enhanced (see Patent Documents 4 to 6).
JP-A-48-035771 Japanese Patent Laid-Open No. 01-135574 Japanese Patent Laid-Open No. 08-088205

これらの従来技術は、表面付着異物量が少ない有用なポリイミドフィルムを提供しうるポリイミドロールフィルムに関するものではなく、LSIなどの製品における異物の除去などに関するものである。銅などの金属層が存在するこれらの製品における異物の除去などは例えば静電気による場合にはフィルム単独の場合に較べてより容易なものであり、基板として使用する絶縁性ポリイミドフィルムにおける付着異物の問題はより大きな課題となる。
また、ポリイミドフィルムのコロナ放電処理、プラズマ放電処理などの処理後のポリイミドフィルムの表面上に付着したフィルムの分解物や塵埃を除去する方法として、ポリイミドフィルムを放電処理した後、フィルムに付着した異物を除去する方法において、第1の粘着ローラーを放電装置の後に配置し、放電処理後のフィルムを該第1のローラーに供するポリイミドフィルムの除塵方法が提案されている(特許文献7参照)が、この方法は、ポリイミドフィルムの特定処理を施した後のものであって、異物の大きさが0.2mm〜0.8mmと大きな異物に関するものである。
特開2003−181945号公報
These prior arts do not relate to a polyimide roll film that can provide a useful polyimide film with a small amount of foreign matter adhered to the surface, but relate to the removal of foreign matters in products such as LSIs. The removal of foreign matters in these products with a metal layer such as copper is easier than in the case of a film alone, for example, due to static electricity, and the problem of adhered foreign matters in an insulating polyimide film used as a substrate Is a bigger challenge.
In addition, as a method of removing decomposition products and dust attached to the surface of the polyimide film after treatment such as corona discharge treatment and plasma discharge treatment of the polyimide film, foreign matter attached to the film after discharge treatment of the polyimide film In this method, a first adhesive roller is disposed after the discharge device, and a polyimide film dust removal method is proposed in which the film after the discharge treatment is provided to the first roller (see Patent Document 7). This method is after the polyimide film is subjected to a specific treatment, and relates to a large foreign matter having a foreign matter size of 0.2 mm to 0.8 mm.
JP 2003-181945 A

本発明は、かかる従来技術の課題を背景になされたものである。すなわち、本発明の目的は、非常に帯電しやすく、帯電のため浮遊異物が付着しやすく、付着異物量の少ないロールフィルムを作製するのが困難であったポリイミドフィルム、特に薄いポリイミドフィルムの表面付着異物量が少ないポリイミドロールフィルムに関し、銅などの金属層との金属層積層基板、特に銅張積層基板の基板フィルムとして使用でき、この銅張積層基板を使用したフレキシブルプリント配線板など回路基板に使用できる、表面付着異物量が少ない有用なポリイミドフィルムを提供することにある。     The present invention has been made against the background of such prior art problems. That is, the object of the present invention is to adhere to the surface of a polyimide film, particularly a thin polyimide film, which is very easy to be charged, to which floating foreign matters easily adhere due to charging, and to produce a roll film with a small amount of attached foreign matters. For polyimide roll film with a small amount of foreign matter, it can be used as a metal film laminated substrate with a metal layer such as copper, especially as a substrate film for copper clad laminate substrate, and used for circuit boards such as flexible printed wiring boards using this copper clad laminate substrate Another object of the present invention is to provide a useful polyimide film with a small amount of surface-attached foreign matter.

本発明者らは鋭意検討した結果、以下に示す手段により、上記課題を解決できることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、以下の構成からなる。
1. 2μm以上の付着異物量が100〜100,000個/mであり、巻き長さが50m以上、フィルム幅が250mm以上のポリイミドロールフィルム。
2. 5μm以上の付着異物量が100〜10,000個/mである1.のポリイミドロールフィルム。
3. 10μm以上の付着異物量が100〜1,000個/mである前記1のポリイミドロールフィルム。
4. フィルムの厚さが2〜12.5μm、引張弾性率が6GPa以上の前記1〜3いずれかのポリイミドロールフィルム。
5. ポリイミドが芳香族ジアミン類の残基としてベンゾオキサゾール骨格を有する前記1〜4いずれかのポリイミドロールフィルム。
6. 前記1〜5いずれかのポリイミドフィルムを用いて作製された銅張積層板
7. 前記6の銅張積層板を用いて作製された回路基板。
8. 巻き取り雰囲気のパーティクル数が、クラス100以下であることを特徴とする前記1〜5のポリイミドロールフィルムの製造方法。
9. 巻き取り時のフィルムの帯電量が1kV以下である前記8のポリイミドロールフィルムの製造方法。
10. 巻き取り前に粘着ロールと接触させる前記8〜9いずれかのポリイミドロールフィルムの製造方法。
11. 巻き取り前にウェブクリーナーにより表面付着粉塵を除去する前記8〜10いずれかのポリイミドロールフィルムの製造方法。
As a result of intensive studies, the present inventors have found that the above problems can be solved by the following means, and have reached the present invention.
That is, this invention consists of the following structures.
1. A polyimide roll film having an adhered foreign matter amount of 2 μm or more of 100 to 100,000 pieces / m 2 , a winding length of 50 m or more, and a film width of 250 mm or more.
2. 1. The amount of adhering foreign matter of 5 μm or more is 100 to 10,000 / m 2 . Polyimide roll film.
3. The first polyimide roll film deposition amount of foreign matters than 10μm is 100 to 1,000 pieces / m 2.
4). The polyimide roll film according to any one of 1 to 3, wherein the film has a thickness of 2 to 12.5 μm and a tensile elastic modulus of 6 GPa or more.
5). The polyimide roll film according to any one of 1 to 4, wherein the polyimide has a benzoxazole skeleton as a residue of an aromatic diamine.
6). 6. Copper-clad laminate produced using any of the polyimide films 1 to 5 above. A circuit board produced using the copper-clad laminate of 6 above.
8). The method for producing a polyimide roll film according to 1 to 5, wherein the number of particles in the winding atmosphere is 100 or less.
9. The manufacturing method of said 8 polyimide roll film whose charge amount of the film at the time of winding is 1 kV or less.
10. The manufacturing method of the polyimide roll film in any one of said 8-9 made to contact with an adhesion roll before winding up.
11. The manufacturing method of the said polyimide roll film in any one of said 8-10 which removes surface adhesion dust with a web cleaner before winding up.

本発明の2μm以上の付着異物量が100〜100,000個/mであり、巻き長さが50m以上、フィルム幅が250mm以上のポリイミドロールフィルムであり、フィルムの厚さが2〜12.5μm、引張弾性率が6GPa以上のポリイミドロールフィルムは、例えば銅張積層板を用いて作製された回路基板に使用する際、フィルムの表面上の異物が一定値内にあって少ないことが、回路形成面に存在する異物が、回路形成時に回路の断線やショートの原因となること、回路形成面の反対面に存在する異物は、回路形成時の露光工程で焦点を狂わす原因となり、また隣接するウエハの表面に転写して回路の断線やショートの原因となることなどに対して品質上問題が少ないものと成し得て、回路形成されたものを作製するときの歩留まりが向上するなどの利点を有しており、工業的意義は極めて大きい。特に非常に帯電しやすく、帯電のため浮遊異物が付着しやすく、付着異物量の少ないロールフィルムを作製するのが困難であった薄いポリイミドフィルムにおいて好適であり、例えば10μm程度の薄いポリイミドフィルムであっても、引張弾性率が所定値以上保有しているために、軽少短薄な回路基板となし得る銅張積層板を効率よく生産し得て、さらにこれを使用して軽少短薄回路基板などの電子部品とすることができる。 The present invention is a polyimide roll film having a foreign matter amount of 2 μm or more of the present invention of 100 to 100,000 pieces / m 2 , a winding length of 50 m or more and a film width of 250 mm or more, and a film thickness of 2 to 12. When using a polyimide roll film having a tensile modulus of 5 GPa or more and having a tensile modulus of 6 GPa or more, for example, on a circuit board manufactured using a copper-clad laminate, there is little foreign matter on the surface of the film within a certain value. Foreign matter existing on the forming surface may cause circuit disconnection or short circuit at the time of circuit formation, and foreign matter existing on the opposite side of the circuit forming surface may cause the focus to be out of focus in the exposure process at the time of circuit formation, and adjacent to it. Transfer to the surface of the wafer to cause circuit disconnection or short-circuit, etc., so that there are few quality problems, and the yield when manufacturing the circuit formed product. There have advantages such as improved industrial significance is extremely large. It is particularly suitable for thin polyimide films that are very easy to charge, and to which floating foreign matter easily adheres due to charging, and it is difficult to produce a roll film with a small amount of attached foreign matter. For example, a thin polyimide film of about 10 μm is suitable. However, because the tensile elastic modulus is more than a predetermined value, it can efficiently produce a copper-clad laminate that can be made into a light and short circuit board, and further use this to make a light and short circuit It can be an electronic component such as a substrate.

以下、本発明の2μm以上の付着異物量が100〜100,000個/mであり、巻き長さが50m以上、フィルム幅が250mm以上のポリイミドロールフィルムであり、好ましい態様としてのフィルムの厚さが2〜12.5μm、引張弾性率が6GPa以上の前記ポリイミドロールフィルムについて詳述する。
本発明におけるポリイミドロールフィルムにおけるポリイミドフィルムは、特に限定されるものではないが、好ましくは下記の芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸(無水物)類との組み合わせによって得られるポリイミドからのポリイミドフィルムが好ましい例として挙げられる。
A.ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類との組み合わせ(芳香族ジアミン類の残基としてベンゾオキサゾール骨格を有するポリイミドの組み合わせ)。
B.ジアミノジフェニルエーテル骨格を有する芳香族ジアミン類とピロメリット酸骨格を有する芳香族テトラカルボン酸類との組み合わせ。
C.フェニレンジアミン骨格を有する芳香族ジアミン類とビフェニルテトラカルボン酸骨格を有する芳香族テトラカルボン酸類との組み合わせ。
D.上記のABCの一種以上の組み合わせ。
中でも特にA.のベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン残基を有するポリイ
ミドフィルムを製造するための組み合わせが好ましい。
本発明で特に好ましく使用できるベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させて得られるポリイミドベンゾオキサゾールを主成分とするポリイミドベンゾオキサゾールに使用される、ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類として、下記の化合物が例示できる。
Hereinafter, the amount of adhering foreign matter of 2 μm or more of the present invention is 100 to 100,000 pieces / m 2 , a polyimide roll film having a winding length of 50 m or more and a film width of 250 mm or more, and the film thickness as a preferred embodiment The polyimide roll film having a thickness of 2 to 12.5 μm and a tensile elastic modulus of 6 GPa or more will be described in detail.
The polyimide film in the polyimide roll film of the present invention is not particularly limited, but is preferably a polyimide film from polyimide obtained by a combination of the following aromatic diamines and aromatic tetracarboxylic acids (anhydrides). Is a preferred example.
A. A combination of an aromatic diamine having a benzoxazole structure and an aromatic tetracarboxylic acid (a combination of polyimides having a benzoxazole skeleton as a residue of the aromatic diamine).
B. A combination of an aromatic diamine having a diaminodiphenyl ether skeleton and an aromatic tetracarboxylic acid having a pyromellitic acid skeleton.
C. A combination of an aromatic diamine having a phenylenediamine skeleton and an aromatic tetracarboxylic acid having a biphenyltetracarboxylic acid skeleton.
D. A combination of one or more of the above ABCs.
In particular, A. A combination for producing a polyimide film having an aromatic diamine residue having a benzoxazole structure is preferred.
Benzene used in polyimide benzoxazole mainly composed of polyimide benzoxazole obtained by reacting aromatic diamines having a benzoxazole structure and aromatic tetracarboxylic anhydrides that can be particularly preferably used in the present invention. Examples of aromatic diamines having an oxazole structure include the following compounds.

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これらの中でも、合成のし易さの観点から、アミノ(アミノフェニル)ベンゾオキサゾールの各異性体が好ましい。ここで、「各異性体」とは、アミノ(アミノフェニル)ベンゾオキサゾールが有する2つアミノ基が配位位置に応じて定められる各異性体である(例;上記「化1」〜「化4」に記載の各化合物)。これらのジアミンは、単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
本発明においては、前記ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミンを70モル%以上使用することが好ましい。
Among these, amino (aminophenyl) benzoxazole isomers are preferable from the viewpoint of ease of synthesis. Here, “each isomer” refers to each isomer in which two amino groups of amino (aminophenyl) benzoxazole are determined according to the coordination position (eg, the above “formula 1” to “formula 4”). Each compound described in the above. These diamines may be used alone or in combination of two or more.
In the present invention, it is preferable to use 70 mol% or more of the aromatic diamine having the benzoxazole structure.

本発明は、前記事項に限定されず下記の芳香族ジアミンを使用してもよいが、好ましくは全芳香族ジアミンの30モル%未満であれば下記に例示されるベンゾオキサゾール構造を有しないジアミン類を一種または二種以上、併用してのポリイミドフィルムである。
そのようなジアミン類としては、例えば、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、m−フェニレンジアミン、o−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、m−アミノベンジルアミン、p−アミノベンジルアミン、
The present invention is not limited to the above items, and the following aromatic diamines may be used. Preferably, the diamines do not have the benzoxazole structure exemplified below as long as the total aromatic diamine is less than 30 mol%. It is a polyimide film using one or two or more in combination.
Examples of such diamines include 4,4′-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone, and bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl]. Sulfide, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, m-phenylenediamine, o-phenylenediamine, p-phenylenediamine, m-aminobenzylamine, p-aminobenzylamine,

3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,4’−ジアミノジフェニルスルホキシド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfoxide 4,4'-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminobenzophenone, 3,4'- Diaminobenzophenone, 4,4′-diaminobenzophenone, 3,3′-diaminodiphenylmethane, 3,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylmethane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, 1 , 1-Bi [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1 , 2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl ]propane,

1,1−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノシ)フェニル]ブタン、2,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ブタン、2−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−2−[4−(4−アミノフェノキシ)−3−メチルフェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−3−メチルフェニル]プロパン、2−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−2−[4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) Phenyl] butane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 2,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 2- [4- (4-aminophenoxy) Phenyl] -2- [4- (4-aminophenoxy) -3-methylphenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) -3-methylphenyl] propane, 2- [4- ( 4-aminophenoxy) phenyl] -2- [4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphen Le] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane,

1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホキシド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、4,4’−ビス[(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,1−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) ) Biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfoxide, bis [4- ( 4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) ) Benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,4-bis [4- (3 Aminophenoxy) benzoyl] benzene, 4,4′-bis [(3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,1-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide,

2,2−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]メタン、1,1−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、1,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エタン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホキシド、4,4’−ビス[3−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ジフェニルスルホン、ビス[4−{4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ}フェニル]スルホン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノ−6−トリフルオロメチルフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノ−6−フルオロフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノ−6−メチルフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノ−6−シアノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、 2,2-bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, 1,1 -Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ethane, 1,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ethane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfoxide, 4,4 '-Bis [3- (4-aminophenoxy) benzoyl] diphenyl ether, 4,4'-bis [3- (3-aminophenoxy) benzoyl] diphenyl ether, 4,4'-bis [4- (4-amino-α) , Α-dimethylbenzyl) phenoxy] benzophenone, 4,4′-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] diphenylsulfone, bis 4- {4- (4-aminophenoxy) phenoxy} phenyl] sulfone, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy-α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy-α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-amino-6-trifluoromethylphenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3 -Bis [4- (4-amino-6-fluorophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-amino-6-methylphenoxy) -α, α-dimethylbenzyl Benzene, 1,3-bis [4- (4-amino-6-cyanophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene,

3,3’−ジアミノ−4,4’−ジフェノキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−5,5’−ジフェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−4,5’−ジフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−フェノキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−5−フェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−4−フェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−5’−フェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジビフェノキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−5,5’−ジビフェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−4,5’−ジビフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−ビフェノキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−5−ビフェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−4−ビフェノキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−5’−ビフェノキシベンゾフェノン、1,3−ビス(3−アミノ−4−フェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−4−フェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−5−フェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−5−フェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−4−ビフェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−4−ビフェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−5−ビフェノキシベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−5−ビフェノキシベンゾイル)ベンゼン、2,6−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾニトリルおよび上記芳香族ジアミンにおける芳香環上の水素原子の一部もしくは全てがハロゲン原子、炭素数1〜3のアルキル基またはアルコキシル基、シアノ基、またはアルキル基またはアルコキシル基の水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換された炭素数1〜3のハロゲン化アルキル基またはアルコキシル基で置換された芳香族ジアミン等が挙げられる。 3,3′-diamino-4,4′-diphenoxybenzophenone, 4,4′-diamino-5,5′-diphenoxybenzophenone, 3,4′-diamino-4,5′-diphenoxybenzophenone, 3, 3'-diamino-4-phenoxybenzophenone, 4,4'-diamino-5-phenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-4-phenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-5'-phenoxybenzophenone, 3,3 '-Diamino-4,4'-dibiphenoxybenzophenone, 4,4'-diamino-5,5'-dibiphenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-4,5'-dibiphenoxybenzophenone, 3,3'- Diamino-4-biphenoxybenzophenone, 4,4′-diamino-5-biphenoxybenzophenone, 3,4 -Diamino-4-biphenoxybenzophenone, 3,4'-diamino-5'-biphenoxybenzophenone, 1,3-bis (3-amino-4-phenoxybenzoyl) benzene, 1,4-bis (3-amino- 4-phenoxybenzoyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-5-phenoxybenzoyl) benzene, 1,4-bis (4-amino-5-phenoxybenzoyl) benzene, 1,3-bis (3-amino) -4-biphenoxybenzoyl) benzene, 1,4-bis (3-amino-4-biphenoxybenzoyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-5-biphenoxybenzoyl) benzene, 1,4-bis (4-Amino-5-biphenoxybenzoyl) benzene, 2,6-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) pheno Si] benzonitrile and some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring in the aromatic diamine are halogen atoms, alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms or alkoxyl groups, cyano groups, or hydrogen atoms of alkyl groups or alkoxyl groups. Examples thereof include aromatic diamines substituted with a halogenated alkyl group having 1 to 3 carbon atoms partially or wholly substituted with a halogen atom or an alkoxyl group.

本発明で用いられる芳香族テトラカルボン酸類は例えば芳香族テトラカルボン酸無水物類である。芳香族テトラカルボン酸無水物類としては、具体的には、以下のものが挙げられる。   The aromatic tetracarboxylic acids used in the present invention are, for example, aromatic tetracarboxylic anhydrides. Specific examples of the aromatic tetracarboxylic acid anhydrides include the following.

Figure 2007314596
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これらのテトラカルボン酸二無水物は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
本発明においては、全テトラカルボン酸二無水物の30モル%未満であれば下記に例示される非芳香族のテトラカルボン酸二無水物類を一種または二種以上、併用しても構わない。そのようなテトラカルボン酸無水物としては、例えば、ブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、ペンタン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサ−1−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、3−エチルシクロヘキサ−1−エン−3−(1,2),5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−メチル−3−エチルシクロヘキサン−3−(1,2),5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−メチル−3−エチルシクロヘキサ−1−エン−3−(1,2),5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−エチルシクロヘキサン−1−(1,2),3,4−テトラカルボン酸二無水物、1−プロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3,4−テトラカルボン酸二無水物、1,3−ジプロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3−(2,3)−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−3,4,3’,4’−テトラカルボン酸二無水物、
These tetracarboxylic dianhydrides may be used alone or in combination of two or more.
In the present invention, one or two or more non-aromatic tetracarboxylic dianhydrides exemplified below may be used in combination as long as they are less than 30 mol% of the total tetracarboxylic dianhydrides. Examples of such tetracarboxylic acid anhydrides include butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pentane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, and cyclobutanetetracarboxylic acid. Acid dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, cyclohex-1-ene-2,3 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 3-ethylcyclohex-1-ene-3- (1,2), 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1-methyl-3-ethylcyclohexane-3 -(1,2), 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1-methyl-3-ethylcyclohex-1-ene-3- (1,2), 5,6-tetracarboxylic dianhydride 1-ethylcyclohexane -(1,2), 3,4-tetracarboxylic dianhydride, 1-propylcyclohexane-1- (2,3), 3,4-tetracarboxylic dianhydride, 1,3-dipropylcyclohexane- 1- (2,3), 3- (2,3) -tetracarboxylic dianhydride, dicyclohexyl-3,4,3 ′, 4′-tetracarboxylic dianhydride,

ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−プロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3,4−テトラカルボン酸二無水物、1,3−ジプロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3−(2,3)−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−3,4,3’,4’−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらのテトラカルボン酸二無水物は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。 Bicyclo [2.2.1] heptane-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1-propylcyclohexane-1- (2,3), 3,4-tetracarboxylic dianhydride, 1 , 3-Dipropylcyclohexane-1- (2,3), 3- (2,3) -tetracarboxylic dianhydride, dicyclohexyl-3,4,3 ′, 4′-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.1] Heptane-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.2] octane-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.2] Oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride and the like. These tetracarboxylic dianhydrides may be used alone or in combination of two or more.

前記芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸(無水物)類とを反応(重合)させてポリアミド酸を得るときに用いる溶媒は、原料となるモノマーおよび生成するポリアミド酸のいずれをも溶解するものであれば特に限定されないが、極性有機溶媒が好ましく、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックアミド、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、スルホラン、ハロゲン化フェノール類等があげられる。 これらの溶媒は、単独あるいは混合して使用することができる。溶媒の使用量は、原料となるモノマーを溶解するのに十分な量であればよく、具体的な使用量としては、モノマーを溶解した溶液に占めるモノマーの質量が、通常5〜40質量%、好ましくは10〜30質量%となるような量が挙げられる。   The solvent used when the polyamic acid is obtained by reacting (polymerizing) the aromatic diamine with the aromatic tetracarboxylic acid (anhydride) dissolves both the monomer as a raw material and the polyamic acid to be produced. Although it will not specifically limit if it is a thing, A polar organic solvent is preferable, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N, N -Dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphoric amide, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol dimethyl ether, sulfolane, halogenated phenols and the like. These solvents can be used alone or in combination. The amount of the solvent used may be an amount sufficient to dissolve the monomer as a raw material. As a specific amount used, the mass of the monomer in the solution in which the monomer is dissolved is usually 5 to 40% by mass, The amount is preferably 10 to 30% by mass.

ポリアミド酸を得るための重合反応の条件は従来公知の条件を適用すればよく、具体例として、有機溶媒中、0〜80℃の温度範囲で、10分〜30時間連続して撹拌および/または混合することが挙げられる。必要により重合反応を分割したり、温度を上下させてもかまわない。この場合に、両モノマーの添加順序には特に制限はないが、芳香族ジアミン類の溶液中に芳香族テトラカルボン酸無水物類を添加するのが好ましい。重合反応によって得られるポリアミド酸溶液に占めるポリアミド酸の質量は、好ましくは5〜40質量%、より好ましくは10〜30質量%であり、前記溶液の粘度はブルックフィールド粘度計による測定(25℃)で、送液の安定性の点から、好ましくは10〜2000Pa・sであり、より好ましくは100〜1000Pa・sである。本発明におけるポリアミド酸の還元粘度(ηsp/C)は、特に限定するものではないが3.0dl/g以上が好ましく、4.0dl/g以上がさらに好ましい。
重合反応中に真空脱泡することは、良質なポリアミド酸の有機溶媒溶液を製造するのに有効である。また、重合反応の前に芳香族ジアミン類に少量の末端封止剤を添加して重合を制御することを行ってもよい。末端封止剤としては、無水マレイン酸等といった炭素−炭素二重結合を有する化合物が挙げられる。無水マレイン酸を使用する場合の使用量は、芳香族ジアミン類1モル当たり好ましくは0.001〜1.0モルである。
The polymerization reaction conditions for obtaining the polyamic acid may be conventionally known conditions. As a specific example, stirring and / or continuous in an organic solvent at a temperature range of 0 to 80 ° C. for 10 minutes to 30 hours. Mixing may be mentioned. If necessary, the polymerization reaction may be divided or the temperature may be increased or decreased. In this case, the order of adding both monomers is not particularly limited, but it is preferable to add aromatic tetracarboxylic acid anhydrides to the solution of aromatic diamines. The mass of the polyamic acid in the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction is preferably 5 to 40% by mass, more preferably 10 to 30% by mass, and the viscosity of the solution is measured with a Brookfield viscometer (25 ° C.). From the viewpoint of the stability of liquid feeding, it is preferably 10 to 2000 Pa · s, and more preferably 100 to 1000 Pa · s. The reduced viscosity (ηsp / C) of the polyamic acid in the present invention is not particularly limited, but is preferably 3.0 dl / g or more, and more preferably 4.0 dl / g or more.
Vacuum defoaming during the polymerization reaction is effective for producing a high-quality polyamic acid organic solvent solution. Moreover, you may perform superposition | polymerization by adding a small amount of terminal blockers to aromatic diamines before a polymerization reaction. Examples of the end capping agent include compounds having a carbon-carbon double bond such as maleic anhydride. The amount of maleic anhydride used is preferably 0.001 to 1.0 mol per mol of aromatic diamine.

高温処理によるイミド化方法としては、従来公知のイミド化反応を適宜用いることが可能である。例えば、閉環触媒や脱水剤を含まないポリアミド酸溶液を用いて、加熱処理に供することでイミド化反応を進行させる方法(所謂、熱閉環法)やポリアミド酸溶液に閉環触媒および脱水剤を含有させておいて、上記閉環触媒および脱水剤の作用によってイミド化反応を行わせる、化学閉環法を挙げることができる。   As an imidization method by high-temperature treatment, a conventionally known imidation reaction can be appropriately used. For example, using a polyamic acid solution that does not contain a ring-closing catalyst or a dehydrating agent, the imidization reaction proceeds by subjecting it to a heat treatment (so-called thermal ring-closing method), or a polycyclic acid solution containing a ring-closing catalyst and a dehydrating agent In particular, a chemical ring closing method in which an imidization reaction is performed by the action of the above ring closing catalyst and a dehydrating agent can be given.

本発明のポリイミドフィルムを得るための方法は、ポリイミドフィルムの前駆体であるグリーンフィルムを所定の乾燥条件と所定の高温イミド化の条件を選定して実施する公知の方法において適用されるものであり、例えばポリイミドロールフィルム製造方法は、芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸(無水物)類とを反応させ、ポリアミド酸溶液を得る溶液製造工程、このポリアミド酸溶液をエンドレスのステンレススチールベルトやポリエステルフィルムなどの支持体上に流延し、支持体上で乾燥し自己支持性のグリーンフィルムを得る乾燥工程、このグリーンフィルムをイミド化するイミド化工程、イミド化されたフィルムを巻き取りポリイミドロールフィルムとする巻き取り工程、これらの各工程をとるポリイミドフィルムの製造方法において、好ましい態様として、巻き取り工程の雰囲気のパーティクル数をクラス100以下にするポリイミドロールフィルムの製造方法であり、また巻き取り工程でのフィルムの帯電量を1kV以下とするポリイミドロールフィルムの製造方法であり、さらに巻き取り工程前にイミド化されたポリイミドフィルムを粘着ロールと接触させるポリイミドロールフィルムの製造方法であり、また巻き取り雰囲気のパーティクル数が、クラス100以下であるクリーンブース内で、巻き取る前にウェブクリーナーにより表面付着粉塵を除去するポリイミドロールフィルムの製造方法である。   The method for obtaining the polyimide film of the present invention is applied in a known method in which a green film which is a precursor of a polyimide film is selected and carried out by selecting predetermined drying conditions and predetermined high temperature imidization conditions. For example, a polyimide roll film manufacturing method is a solution manufacturing process in which an aromatic diamine and an aromatic tetracarboxylic acid (anhydride) are reacted to obtain a polyamic acid solution, and this polyamic acid solution is used as an endless stainless steel belt or polyester. A drying process of casting on a support such as a film and drying on the support to obtain a self-supporting green film, an imidization process for imidizing this green film, and a polyimide roll film that winds up the imidized film The winding process and the polyimide film that takes each of these processes In the production method, as a preferred embodiment, there is a production method of a polyimide roll film in which the number of particles in the atmosphere in the winding process is set to 100 or less, and the charge amount of the film in the winding process is 1 kV or less. It is a manufacturing method, and is a manufacturing method of a polyimide roll film in which an imidized polyimide film is brought into contact with an adhesive roll before the winding process, and the number of particles in the winding atmosphere is 100 or less in a clean booth. This is a method for producing a polyimide roll film in which dust adhered to the surface is removed by a web cleaner before winding.

本発明のポリイミドフィルムは、2μm以上の付着異物量が100〜100,000個/mであり、巻き長さが50m以上、フィルム幅が250mm以上のポリイミドロールフィルムであり、また好ましい態様として5μm以上の付着異物量が100〜10,000個/mであるポリイミドロールフィルムであり、さらに10μm以上の付着異物量が100〜1,000個/mであるポリイミドロールフィルムであり、フィルムの厚さが2〜12.5μm、引張弾性率が6GPa以上のポリイミドロールフィルムである。
2μm以上の付着異物量が100〜100,000個/mであり、巻き長さが50m以上、フィルム幅が250mm以上のポリイミドロールフィルムにおいて、2μm以上の付着異物量のより好ましい値は、100〜20,000個/mである。
また、5μm以上の付着異物量の値は、より好ましくは100〜3,500個/mである。さらに、10μm以上の付着異物量のより好ましい値は、100〜300個/mである。
The polyimide film of the present invention is a polyimide roll film having a foreign matter amount of 2 μm or more of 100 to 100,000 pieces / m 2 , a winding length of 50 m or more, and a film width of 250 mm or more, and a preferred embodiment of 5 μm. It is a polyimide roll film whose amount of adhering foreign matter is 100 to 10,000 pieces / m 2 , and is a polyimide roll film whose amount of adhering foreign matter of 10 μm or more is 100 to 1,000 pieces / m 2 , It is a polyimide roll film having a thickness of 2 to 12.5 μm and a tensile elastic modulus of 6 GPa or more.
In a polyimide roll film having an adhered foreign matter amount of 2 μm or more of 100 to 100,000 pieces / m 2 , a winding length of 50 m or more and a film width of 250 mm or more, a more preferable value of the attached foreign matter amount of 2 μm or more is 100 ˜20,000 pieces / m 2 .
Moreover, the value of the amount of adhering foreign matter of 5 μm or more is more preferably 100 to 3,500 / m 2 . Further, a more preferable value of the amount of adhered foreign matter of 10 μm or more is 100 to 300 / m 2 .

本発明における付着異物量の測定は、下記によるものである。
全てクラス1000以下のクリーンルーム内に設置しているクラス100のクリーンベンチにて測定を実施した。実測したところ、作業雰囲気の0.3μm以下のパーティクル数は、5個以下であり、0.3μm以上のパーティクルは含まれていなかった。
(1)測定用分散媒の調整方法
1L(リットル)のイオン交換水を細孔径が0.1μmのフィルターを備え付けた薬液循環ろ過装置(リオン社製)を用い、ろ過を行うことで測定用分散媒を調整した。液体微粒子計数器(リオン社製、KL−11−A)を用い、この溶液10ml中に含まれるパーティクル数を測定したところ、2μm以上の粒子は1個も含まれていなかった。
(2)測定用容器の調整
測定に使用した容器はクリーンパックされたスクリュークリーン瓶を用いた。測定用分散媒をクリーン瓶にいれ容器内部を十分に洗浄した後、100mlの測定用分散媒を加え、超音波処理を行った(28kHz、1分)。液体微粒子計数器(リオン社製、KL−11−A)を用い、この溶液10ml中に含まれるパーティクル数を測定したところ、2μm以上の数は1個も含まれていなかった。上記の方法で洗浄した容器を測定に使用した。
(3)表面付着異物量の測定
クラス100のクリーンベンチ内で、ロールフィルムを5m巻きだし評価用フィルム(サンプリングフィルム)として、ロール内部のフィルムの中央部を100mmにカッターを用いて切り出した。その後、100mL(ミリリットル)の測定用分散媒とサンプリングしたフィルム10枚を前述したクリーンスクリュー瓶に入れた。周波数28kHzで3分間超音波処理を行うことで、付着異物を純水中に分散させた。液体微粒子計数器(リオン社製、KL−11−A)を用い、この溶液10ml中に含まれる2μm以上パーティクル数を測定し、下記の式に従い得られた個数をフィルム1mあたりの個数とした。
1mあたりの表面異物量(個数)=(パーティクル数の測定値/測定面積(100mm×100mm))×100(換算係数)とした。
The measurement of the amount of adhered foreign matter in the present invention is as follows.
All measurements were carried out on a class 100 clean bench installed in a clean room of class 1000 or lower. When actually measured, the number of particles of 0.3 μm or less in the working atmosphere was 5 or less, and particles of 0.3 μm or more were not included.
(1) Adjustment method of measurement dispersion medium Dispersion for measurement by filtering 1 L (liter) of ion-exchanged water using a chemical circulation filtration device (manufactured by Rion) equipped with a filter having a pore diameter of 0.1 μm. The medium was adjusted. When the number of particles contained in 10 ml of this solution was measured using a liquid fine particle counter (manufactured by Rion, KL-11-A), no particles of 2 μm or more were contained.
(2) Adjustment of measuring container The container used for the measurement was a clean-packed screw clean bottle. The dispersion medium for measurement was put in a clean bottle and the inside of the container was thoroughly washed, and then 100 ml of the dispersion medium for measurement was added and sonication was performed (28 kHz, 1 minute). When the number of particles contained in 10 ml of this solution was measured using a liquid fine particle counter (manufactured by Rion Co., Ltd., KL-11-A), no number of 2 μm or more was contained. The container washed by the above method was used for the measurement.
(3) Measurement of surface adhering foreign matter In a clean bench of class 100, the roll film was rolled out by 5 m, and the central part of the film inside the roll was cut out to 100 mm 2 with a cutter as a film for evaluation (sampling film). Thereafter, 100 mL (milliliter) of the measurement dispersion medium and 10 sampled films were placed in the clean screw bottle described above. By performing ultrasonic treatment for 3 minutes at a frequency of 28 kHz, the adhered foreign matter was dispersed in pure water. Using a liquid fine particle counter (Lion Co., Ltd., KL-11-A), the number of particles of 2 μm or more contained in 10 ml of this solution was measured, and the number obtained according to the following formula was taken as the number per 1 m 2 of film. .
Surface foreign matter amount per 1 m 2 (number) = (measured number of particles / measured area (100 mm × 100 mm)) × 100 (conversion coefficient).

本発明の2μm以上の付着異物量が100〜100,000個/mであり、巻き長さが50m以上、フィルム幅が250mm以上のポリイミドロールフィルムにおける好ましい態様は、フィルムの厚さが2〜12.5μm、引張弾性率が6GPa以上の前記ポリイミドロールフィルムである。
フィルムの厚さが2〜12.5μmであることで回路基板など電子部品の軽少短薄により貢献できる上、これらの薄いポリイミドフィルムにおいてはこれらの付着異物量低減が極めて困難であって、その付着異物量低減効果が極めて顕著となる。
また引張弾性率が状態で6GPa以上であることが好ましく、6GPaに満たないものは付着異物量が満足し得るものであっても、フィルムの皺や部分破損などの欠点が発生しやすくフィルムの生産効率が極めて悪くなる。
In the preferred embodiment of the polyimide roll film of the present invention, the adhered foreign matter amount of 2 μm or more is 100 to 100,000 pieces / m 2 , the winding length is 50 m or more, and the film width is 250 mm or more, the film thickness is 2 to 2 mm. It is the said polyimide roll film whose 12.5 micrometers and tensile elasticity modulus are 6 GPa or more.
Since the thickness of the film is 2 to 12.5 μm, it is possible to contribute to the lightness and thinness of electronic components such as circuit boards, and in these thin polyimide films, it is extremely difficult to reduce the amount of adhered foreign matter. The effect of reducing the amount of adhering foreign matter becomes extremely remarkable.
In addition, the tensile modulus is preferably 6 GPa or more in the state, and if it is less than 6 GPa, even if the amount of adhered foreign matter can be satisfied, defects such as wrinkles and partial breakage of the film are likely to occur, and film production Efficiency is extremely poor.

ポリイミドフィルムの引張弾性率、引張破断強度の測定は、測定対象のポリイミドフィルムを、MD方向(長尺フィルムの流れ方向、縦方向)およびTD方向(長尺フィルムの幅方向、横方向)にそれぞれ100mm×10mmの短冊状に切り出したものを試験片とし、引張試験機(島津製作所製、オートグラフ(商品名)機種名AG−5000A)を用い、引張速度50mm/分、チャック間距離40mmの条件で、MD方向、TD方向それぞれについて、引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度を測定する。
引き裂き伝播抵抗の測定は、JIS P8116で規定する引裂伝播抵抗の測定法に従い、さらに、引裂伝播抵抗値がフィルム厚さに比例するとして、1.0mm厚さに換算して数値化する。
The measurement of the tensile elastic modulus and the tensile strength at break of the polyimide film is carried out by measuring the polyimide film to be measured in the MD direction (long film flow direction, vertical direction) and TD direction (long film width direction, horizontal direction), respectively. A specimen cut into a strip of 100 mm × 10 mm is used as a test piece, and a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corp., Autograph (trade name) model name AG-5000A) is used, and the tensile speed is 50 mm / min and the distance between chucks is 40 mm. In each of the MD direction and the TD direction, the tensile elastic modulus, tensile breaking strength, and tensile breaking elongation are measured.
The tear propagation resistance is measured in accordance with the tear propagation resistance measurement method defined in JIS P8116. Further, the tear propagation resistance value is proportional to the film thickness, and converted into a thickness of 1.0 mm.

次に、上述したポリイミドロールフィルム(ポリイミドベンゾオキサゾールロールフィルム)のフィルムを用いた銅張積層基板と回路基板のプリント配線基板を説明する。
銅張積層基板は、絶縁基板としてのポリイミドフィルムの少なくとも片面に銅金属層を積層してなる構成の略平板状の基板である。積層される銅金属層は、エッチング等の加工によって回路を形成することが意図される回路用の金属層であってもよいし、特に後加工をせずに絶縁板と一緒になって放熱等の目的に用いられる金属層であってもよい。
Next, a copper-clad laminate using the above-described polyimide roll film (polyimide benzoxazole roll film) film and printed circuit board of a circuit board will be described.
The copper-clad laminate is a substantially flat substrate having a structure in which a copper metal layer is laminated on at least one surface of a polyimide film as an insulating substrate. The copper metal layer to be laminated may be a metal layer for a circuit intended to form a circuit by processing such as etching, or heat radiation etc. together with an insulating plate without any post processing. It may be a metal layer used for the purpose.

例えばプリント配線基板の用途としては、FPC、TAB用キャリアテープ等が、付着異物量が小さいという本発明のポリイミドフィルムの特徴を活かすことができるため好ましい。ポリイミドフィルムの少なくとも片面に積層される金属は特に限定はなく、好ましくは銅、アルミニウム、ステンレス鋼などである。積層方法は特に問わず、接着剤を用いてポリイミドフィルムに金属板を貼り付ける方法、金属板を支持体として、そこにポリアミド酸溶液を塗布して上述のようにイミド化してフィルムを形成させる方法、ポリイミドフィルムに蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの乾式製膜法(真空コーティング技術)を用いて金属層を形成する方法、無電解めっき、電気めっきなどの湿式メッキ法により金属層をポリイミドフィルムに形成する方法などが挙げられる。
これらの方法を単独で、あるいは組み合わせることによってポリイミドベンゾオキサゾールフィルムの少なくとも片面に金属層を積層することができる。
For example, as a printed wiring board, FPC, TAB carrier tape, and the like are preferable because the characteristics of the polyimide film of the present invention that the amount of adhering foreign matter is small can be utilized. The metal laminated on at least one surface of the polyimide film is not particularly limited, and preferably copper, aluminum, stainless steel, or the like. The method of laminating is not particularly limited, and a method of attaching a metal plate to a polyimide film using an adhesive, a method of forming a film by applying a polyamic acid solution to the metal plate as a support and imidizing as described above A method of forming a metal layer on a polyimide film using a dry film forming method (vacuum coating technique) such as vapor deposition, sputtering, or ion plating, or a metal layer on a polyimide film by a wet plating method such as electroless plating or electroplating. The method of forming etc. are mentioned.
A metal layer can be laminated on at least one surface of the polyimide benzoxazole film by using these methods alone or in combination.

以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。なお、以下の実施例における物性の評価方法は以下の通りである。
1.ポリアミド酸の還元粘度(ηsp/C)
ポリマー濃度が0.2g/dlとなるようにN−メチル−2−ピロリドンに溶解した溶液をウベローデ型の粘度管により30℃で測定した。
2.フィルムの厚さ
マイクロメーター(ファインリューフ社製、ミリトロン(商品名)1254D)を用いて測定した。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated more concretely, this invention is not limited by a following example. In addition, the evaluation method of the physical property in the following examples is as follows.
1. Reduced viscosity of polyamic acid (ηsp / C)
A solution dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone so that the polymer concentration was 0.2 g / dl was measured at 30 ° C. using an Ubbelohde type viscosity tube.
2. The thickness of the film was measured using a micrometer (Finereuf, Millitron (trade name) 1254D).

3.ポリイミドフィルムの引張弾性率、引張破断強度などの測定
測定対象のポリイミドフィルムを、MD方向およびTD方向にそれぞれ100mm×10mmの短冊状に切り出したものを試験片とした。引張試験機(島津製作所製、オートグラフ(商品名)機種名AG−5000A)を用い、引張速度50mm/分、チャック間距離40mmの条件で、MD方向、TD方向それぞれについて、引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度を測定した。MD,TDの注記がない場合はMD方向の値を示す。
3. Measurement of tensile modulus, tensile breaking strength, etc. of polyimide film A test piece was prepared by cutting a polyimide film to be measured into strips of 100 mm × 10 mm in the MD direction and TD direction, respectively. Using a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corp., Autograph (trade name) model name AG-5000A) under the conditions of a tensile speed of 50 mm / min and a distance between chucks of 40 mm, the tensile modulus and tension in each of the MD and TD directions. The breaking strength and tensile breaking elongation were measured. When there is no MD or TD annotation, the value in the MD direction is indicated.

4.ポリイミドフィルムの表面付着異物量の測定
本操作は、全てクラス1000以下のクリーンルーム内に設置しているクラス100のクリーンベンチにて測定を実施した。実測したところ、作業雰囲気の0.3μm以下のパーティクル数は、5個以下であり、0.3μm以上のパーティクルは含まれていなかった。
(1)分散媒の調整方法
1Lのイオン交換水を細孔径が0.1μmのフィルターを備え付けた薬液循環ろ過装置(リオン社製)を用い、ろ過を行うことで測定用分散媒を調整した。液体微粒子計数器(リオン社製、KL−11−A)を用い、この溶液10ml中に含まれるパーティクル数を測定したところ、2μm以上の粒子は1個も含まれていなかった。
(2)測定用容器の調整
測定に使用した容器はクリーンパックされたスクリュークリーン瓶を用いた。測定用分散媒をクリーン瓶にいれ容器内部を十分に洗浄した後、100mlの分散媒を加え、超音波処理を行った(28kHz、1分)。液体微粒子計数器(リオン社製、KL−11−A)を用い、この溶液10ml中に含まれるパーティクル数を測定したところ、2μm、以上の数は1個も含まれていなかった。上記の方法で洗浄した容器を測定に使用した。
(3)表面付着異物量の測定
クラス100のクリーンベンチ内で、ロールフィルムを5m巻きだし評価用フィルムとして、ロール内部のフィルムの中央部を100mmにカッターを用いて切り出した。その後、100mlの分散媒とサンプリングしたフィルム10枚を前述したクリーンスクリュー瓶に入れた。周波数28kHzで3分間超音波処理を行うことで、付着異物を純水中に分散させた。液体微粒子計数器(リオン社製、KL−11−A)を用い、この溶液10ml中に含まれる2μm以上パーティクル数を測定し、下記の式に従い得られた個数をフィルム1mあたりの個数とした。
1mあたりの表面異物数=(パーティクル数の測定値/測定面積(100mm×100mm))×100(換算係数)とした。
4). Measurement of the amount of foreign matter adhering to the surface of the polyimide film This operation was performed on a class 100 clean bench installed in a clean room of class 1000 or less. When actually measured, the number of particles of 0.3 μm or less in the working atmosphere was 5 or less, and particles of 0.3 μm or more were not included.
(1) Method for adjusting dispersion medium The dispersion medium for measurement was adjusted by filtering 1 L of ion-exchanged water using a chemical circulation filtration device (manufactured by Rion) equipped with a filter having a pore size of 0.1 μm. When the number of particles contained in 10 ml of this solution was measured using a liquid fine particle counter (manufactured by Rion, KL-11-A), no particles of 2 μm or more were contained.
(2) Adjustment of measuring container The container used for the measurement was a clean-packed screw clean bottle. The dispersion medium for measurement was put in a clean bottle and the inside of the container was thoroughly washed, and then 100 ml of the dispersion medium was added and sonication was performed (28 kHz, 1 minute). When the number of particles contained in 10 ml of this solution was measured using a liquid fine particle counter (manufactured by Rion Co., Ltd., KL-11-A), no more than 2 μm was included. The container washed by the above method was used for the measurement.
(3) Measurement of surface adhering foreign matter amount In a clean bench of class 100, the roll film was rolled out by 5 m, and the central part of the film inside the roll was cut out to 100 mm 2 using a cutter. Thereafter, 100 ml of the dispersion medium and 10 sampled films were placed in the clean screw bottle described above. By performing ultrasonic treatment for 3 minutes at a frequency of 28 kHz, the adhered foreign matter was dispersed in pure water. Using a liquid fine particle counter (Lion Co., Ltd., KL-11-A), the number of particles of 2 μm or more contained in 10 ml of this solution was measured, and the number obtained according to the following formula was taken as the number per 1 m 2 of film. .
The number of surface foreign matters per 1 m 2 = (measured number of particles / measured area (100 mm × 100 mm)) × 100 (conversion coefficient).

5.銅張積層フィルムの外観評価方法
回転刃を備え付けた巻き返し装置にて、銅張積層フィルムを48mmにスリットした。得られた銅張積層フィルムをポリイミド基材側から光学顕微鏡を使用して、外観観察を実施した。測定視野は、100個のサンプルに対してこの操作を行い、イミドと銅層との界面の欠点の有無を評価した。欠点とは、大きさが10μm以上である界面に見られる黒点を示す。欠点が確認されたサンプル数を表に示す。
5). Method for evaluating appearance of copper-clad laminate film The copper-clad laminate film was slit to 48 mm with a rewinder equipped with a rotary blade. The appearance of the obtained copper-clad laminate film was observed from the polyimide substrate side using an optical microscope. The measurement visual field performed this operation with respect to 100 samples, and evaluated the presence or absence of the defect of the interface of an imide and a copper layer. A defect shows the black spot seen in the interface whose magnitude | size is 10 micrometers or more. The number of samples with confirmed defects is shown in the table.

6.櫛形パターンの形状評価
銅張積層フィルムのスリットロールを塩化第二鉄溶液40°Be(ボーメ)を用い、10μmピッチ(ライン幅5μm、スペース幅5μm)の櫛形パターンに加工した。櫛形パターン部位の10ピースをSEMにてパターン形状を評価した。均一にラインが描かれているサンプルを良好、異物により、ラインに凹凸が見られたものを異常とした。
6). Shape Evaluation of Comb Pattern A slit roll of a copper clad laminate film was processed into a comb pattern having a pitch of 10 μm (line width 5 μm, space width 5 μm) using a ferric chloride solution 40 ° Be (Baume). The pattern shape of 10 pieces of the comb pattern portion was evaluated by SEM. Samples with a line drawn uniformly were good, and samples with irregularities on the line due to foreign matter were regarded as abnormal.

7.櫛形パターンの絶縁性耐久試験
絶縁信頼性試験は、クリーンルーム内に設置された85℃、85%RHの雰囲気の恒温恒湿槽内で、6.で調整した櫛形パターンに60Vのバイアスをかけ、の絶縁抵抗値を測定した。絶縁抵抗値が1×10Ω以下に到達するまでの時間を測定した。1000時間経過後の絶縁抵抗値が1×10Ω以上である場合を絶縁耐久性良好、以下であるものを不良と判断した。
7). Insulation durability test of comb pattern Insulation reliability test was conducted in a constant temperature and humidity chamber of 85 ° C and 85% RH in a clean room. A bias of 60 V was applied to the comb-shaped pattern adjusted in step 1, and the insulation resistance value was measured. The time until the insulation resistance value reached 1 × 10 4 Ω or less was measured. When the insulation resistance value after the lapse of 1000 hours was 1 × 10 4 Ω or more, it was judged that the insulation durability was good, and the following was judged as defective.

8.巻き取り雰囲気のパーティクル量の測定
気中パーティクルカウンター(KC−01D1(株)リオン製)を用いて巻き取りフィルムの雰囲気中の浮遊粉塵量を測定した。測定位置は、巻き取りフィルムの50mm離れた位置で実施した。
8). Measurement of the amount of particles in the winding atmosphere The amount of suspended dust in the atmosphere of the winding film was measured using an air particle counter (KC-01D1 manufactured by Lion Co., Ltd.). The measurement position was carried out at a position 50 mm away from the wound film.

9.巻き取りフィルムの帯電量の測定
精密型静電気測定器(STATIRION−DS3(株)シシド静電気)を使用して、巻き取り中のポリイミドフィルムの帯電量を測定した。巻き取り中での最大の帯電量値を巻き取り時の帯電量として記した。
9. Measurement of electrification amount of take-up film Using a precision electrostatic meter (STATIION-DS3 Co., Ltd., CID), the charge amount of the polyimide film being taken up was measured. The maximum charge amount value during winding was described as the charge amount during winding.

〔ポリアミド酸溶液(1)の重合〕
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)ベンゾオキサゾール500質量部を仕込んだ。次いで、次いで、N−メチル−2−ピロリドン5000質量部を加えて完全に溶解させた後,ピロメリット酸二無水物485質量部を加えた。次いで、別に蒸留したN−メチル−2−ピロリドン50質量部に、コロイダルシリカを1000ppm混合して、ホモジナイザーで15分攪拌後加えた後、25℃の反応温度で48時間攪拌すると、淡黄色で粘調なポリアミド酸溶液(1)が得られた。得られた溶液のηsp/Cは4.1dl/gであった。
[Polymerization of polyamic acid solution (1)]
The inside of a reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, and then 500 parts by mass of 5-amino-2- (p-aminophenyl) benzoxazole was charged. Subsequently, after adding 5000 mass parts of N-methyl-2-pyrrolidone and making it melt | dissolve completely, 485 mass parts of pyromellitic dianhydrides were added. Next, 1000 ppm of colloidal silica was mixed with 50 parts by mass of N-methyl-2-pyrrolidone separately distilled, added after stirring for 15 minutes with a homogenizer, and then stirred for 48 hours at a reaction temperature of 25 ° C. A tonic polyamic acid solution (1) was obtained. Ηsp / C of the obtained solution was 4.1 dl / g.

〔ポリアミド酸溶液(2)の重合〕
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、ピロメリット酸無水物545質量部、4,4’ジアミノジフェニルエーテル500質量部を5000質量部のジメチルアセトアミドに溶解した。次いで、別に蒸留したN−メチル−2−ピロリドン50質量部に、コロイダルシリカを1000ppm混合して、ホモジナイザーで15分攪拌後加えた後、25℃の反応温度で48時間攪拌すると、淡黄色で粘調なポリアミド酸溶液(2)を得た。得られた溶液のηsp/Cは3.0dl/gであった。
[Polymerization of polyamic acid solution (2)]
The inside of a reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod was purged with nitrogen, and then 545 parts by mass of pyromellitic anhydride and 500 parts by mass of 4,4′diaminodiphenyl ether were dissolved in 5000 parts by mass of dimethylacetamide. Next, 1000 ppm of colloidal silica was mixed with 50 parts by mass of N-methyl-2-pyrrolidone separately distilled, added after stirring for 15 minutes with a homogenizer, and then stirred for 48 hours at a reaction temperature of 25 ° C. A tonic polyamic acid solution (2) was obtained. The obtained solution had a ηsp / C of 3.0 dl / g.

〔ポリアミド酸溶液(3)の重合〕
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、3,3’−4,4’ビフェニルテトラカルボン酸無水物545質量部、パラフェニレンジアミン500質量部を5000質量部のジメチルアセトアミドに溶解した。次いで、別に蒸留したN−メチル−2−ピロリドン50質量部に、コロイダルシリカを1000ppm混合して、ホモジナイザーで15分攪拌後加えた後、25℃の反応温度で48時間攪拌すると、淡黄色で粘調なポリアミド酸溶液(3)を得た。得られた溶液のηsp/Cは3.5dl/gであった。
[Polymerization of polyamic acid solution (3)]
After replacing the inside of the reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring rod with nitrogen, 545 parts by mass of 3,3′-4,4′biphenyltetracarboxylic acid anhydride and 500 parts by mass of paraphenylenediamine were 5000 parts by mass. In dimethylacetamide. Next, 1000 ppm of colloidal silica was mixed with 50 parts by mass of N-methyl-2-pyrrolidone separately distilled, stirred for 15 minutes with a homogenizer, and then stirred for 48 hours at a reaction temperature of 25 ° C. A tonic polyamic acid solution (3) was obtained. The solution obtained had a ηsp / C of 3.5 dl / g.

〔ポリアミド酸溶液(4)の重合〕
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、5000質量部のジメチルアセトアミドを入れ、ピロメリット酸無水物545質量部、パラフェニレンジアミン500質量部を加え溶解した。次いで、別に蒸留したN−メチル−2−ピロリドン50質量部に、コロイダルシリカを1000ppm混合して、ホモジナイザーで15分攪拌後加えた後、25℃の反応温度で48時間攪拌すると、淡黄色で粘調なポリアミド酸溶液(4)を得た。得られた溶液のηsp/Cは3.1dl/gであった。
[Polymerization of polyamic acid solution (4)]
The inside of a reaction vessel equipped with a nitrogen introduction tube, a thermometer and a stirring rod was purged with nitrogen, 5000 parts by mass of dimethylacetamide was added, and 545 parts by mass of pyromellitic acid anhydride and 500 parts by mass of paraphenylenediamine were added and dissolved. Next, 1000 ppm of colloidal silica was mixed with 50 parts by mass of N-methyl-2-pyrrolidone separately distilled, added after stirring for 15 minutes with a homogenizer, and then stirred for 48 hours at a reaction temperature of 25 ° C. A tonic polyamic acid solution (4) was obtained. The solution obtained had a ηsp / C of 3.1 dl / g.

(実施例1)
上記のポリアミド酸溶液(1)をステンレスベルトにT型ダイを用いてコーティングした。ダイのリップギャップは280μmであった。次いで、90℃にて60分間乾燥することにより得られた自己支持性をもつポリアミド酸フィルムをステンレスベルトから剥離し、連続式の乾燥炉にて、170℃で3分間、次いで、約20秒間で450℃にまで昇温して450℃にて7分間加熱して、その後、5分間で室温にまで冷却し、粘着ロール(ブチルゴムロール:(株)長田コーポレーション製)及び超音波型除塵クリーナー(吹き出し圧力12KPa(株)伸興製)、除電機、クリーンブースを設けた巻き取り機により厚さが10μmのポリイミドロールフィルムを巻き取った。巻き取りの機構を図1に示す。巻き取り時のフィルムへの帯電量、巻き取り環境のパーティクル数などを表1に、フィルムの評価結果を表2に示す。
得られたポリイミドロールフィルムを、連続式スパッタ装置に装着し、周波数13.56MHz、出力400W、ガス圧0.8Paの条件、ニッケル−クロム(クロム含有量10%)合金のターゲット用い、アルゴン雰囲気下にてRFスパッタ法により、10Å/秒のレートで厚さ50Åのニッケル−クロム合金被膜を形成した。次いで、100Å/秒のレートで銅を蒸着し、厚さ0.3μmの銅薄膜を形成させた。その後、このフィルム硫酸銅めっき浴を用いて、厚さ5μmの厚付け銅メッキ層を上記銅薄膜上に形成して、金属化ポリイミドフィルム(銅張積層フィルム)を得た。
得られた銅張積層フィルムの外観評価、櫛形パターンの形状評価、櫛形パターンの絶縁性耐久試験結果を表3に示す。
Example 1
The above polyamic acid solution (1) was coated on a stainless steel belt using a T-type die. The lip gap of the die was 280 μm. Next, the polyamic acid film having a self-supporting property obtained by drying at 90 ° C. for 60 minutes is peeled off from the stainless steel belt, and then in a continuous drying furnace at 170 ° C. for 3 minutes and then for about 20 seconds. The temperature is raised to 450 ° C., heated at 450 ° C. for 7 minutes, then cooled to room temperature in 5 minutes, an adhesive roll (butyl rubber roll: manufactured by Nagata Corporation) and an ultrasonic dust cleaner (blowout) A polyimide roll film having a thickness of 10 μm was wound up by a winder equipped with a pressure of 12 KPa (manufactured by Shinko Co., Ltd.), a static eliminator, and a clean booth. The winding mechanism is shown in FIG. Table 1 shows the amount of charge on the film during winding, the number of particles in the winding environment, and Table 2 shows the evaluation results of the film.
The obtained polyimide roll film is mounted on a continuous sputtering apparatus, and the frequency is 13.56 MHz, the output is 400 W, the gas pressure is 0.8 Pa, and the target is a nickel-chromium (chromium content: 10%) alloy, in an argon atmosphere. A nickel-chromium alloy film having a thickness of 50 mm was formed at a rate of 10 mm / second by RF sputtering. Subsequently, copper was vapor-deposited at a rate of 100 liters / second to form a copper thin film having a thickness of 0.3 μm. Then, using this film copper sulfate plating bath, a thick copper plating layer having a thickness of 5 μm was formed on the copper thin film to obtain a metallized polyimide film (copper-clad laminate film).
Table 3 shows the appearance evaluation of the obtained copper-clad laminate film, the shape evaluation of the comb pattern, and the insulation durability test result of the comb pattern.

(実施例2)
上記のポリアミド酸溶液(1)をステンレスベルトにT型ダイを用いてコーティングした。ダイのリップギャップは210μmであった。次いで、90℃にて60分間乾燥することにより得られた自己支持性をもつポリアミド酸フィルムをステンレスベルトから剥離し、連続式の乾燥炉にて、170℃で3分間、次いで、約20秒間で450℃にまで昇温して450℃にて7分間加熱して、その後、5分間で室温にまで冷却し、粘着ロール(ブチルゴムロール:(株)長田コーポレーション製)及び超音波型除塵クリーナー(吹き出し圧力12KPa(株)伸興製)、除電機、クリーンブースを設けた巻き取り機により厚さが7.5μmのポリイミドロールフィルムを巻き取った。巻き取りの機構を図に示す。巻き取り時のフィルムへの帯電量、巻き取り環境のパーティクル数などを表1に、フィルムの評価結果を表2に示す。
得られたポリイミドロールフィルムを、連続式スパッタ装置に装着し、周波数13.56MHz、出力400W、ガス圧0.8Paの条件、ニッケル−クロム(クロム含有量10%)合金のターゲット用い、アルゴン雰囲気下にてRFスパッタ法により、10Å/秒のレートで厚さ50Åのニッケル−クロム合金被膜を形成した。次いで、100Å/秒のレートで銅を蒸着し、厚さ0.3μmの銅薄膜を形成させた。その後、このフィルム硫酸銅めっき浴を用いて、厚さ5μmの厚付け銅メッキ層を上記銅薄膜上に形成して、金属化ポリイミドフィルム(銅張積層フィルム)を得た。
得られた銅張積層フィルムの外観評価、櫛形パターンの形状評価、櫛形パターンの絶縁性耐久試験結果を表3に示す。
(Example 2)
The above polyamic acid solution (1) was coated on a stainless steel belt using a T-type die. The die lip gap was 210 μm. Next, the polyamic acid film having a self-supporting property obtained by drying at 90 ° C. for 60 minutes is peeled off from the stainless steel belt, and then in a continuous drying furnace at 170 ° C. for 3 minutes and then for about 20 seconds. The temperature is raised to 450 ° C., heated at 450 ° C. for 7 minutes, then cooled to room temperature in 5 minutes, an adhesive roll (butyl rubber roll: manufactured by Nagata Corporation) and an ultrasonic dust cleaner (blowout) A polyimide roll film having a thickness of 7.5 μm was wound by a winder provided with a pressure of 12 KPa (manufactured by Shinko Co., Ltd.), a static eliminator, and a clean booth. The winding mechanism is shown in the figure. Table 1 shows the amount of charge on the film during winding, the number of particles in the winding environment, and Table 2 shows the evaluation results of the film.
The obtained polyimide roll film is mounted on a continuous sputtering apparatus, and the frequency is 13.56 MHz, the output is 400 W, the gas pressure is 0.8 Pa, and the target is a nickel-chromium (chromium content: 10%) alloy, in an argon atmosphere. A nickel-chromium alloy film having a thickness of 50 mm was formed at a rate of 10 mm / second by RF sputtering. Subsequently, copper was vapor-deposited at a rate of 100 liters / second to form a copper thin film having a thickness of 0.3 μm. Then, using this film copper sulfate plating bath, a thick copper plating layer having a thickness of 5 μm was formed on the copper thin film to obtain a metallized polyimide film (copper-clad laminate film).
Table 3 shows the appearance evaluation of the obtained copper-clad laminate film, the shape evaluation of the comb pattern, and the insulation durability test result of the comb pattern.

(実施例3)
上記のポリアミド酸溶液(3)をステンレスベルトにT型ダイを用いてコーティングした。ダイのリップギャップは280μmであった。次いで、90℃にて60分間乾燥することにより得られた自己支持性をもつポリアミド酸フィルムをステンレスベルトから剥離し、連続式の乾燥炉にて、170℃で3分間、次いで、約20秒間で450℃にまで昇温して450℃にて7分間加熱して、その後、5分間で室温にまで冷却し、粘着ロール(ブチルゴムロール:(株)長田コーポレーション製)及び超音波型除塵クリーナー(吹き出し圧力12KPa(株)伸興製)、除電機、クリーンブースを設けた巻き取り機により厚さが10μmのポリイミドロールフィルムを巻き取った。巻き取りの機構を図に示す。巻き取り時のフィルムへの帯電量、巻き取り環境のパーティクル数などを表1に、フィルムの評価結果を表2に示す。
得られたポリイミドロールフィルムを、連続式スパッタ装置に装着し、周波数13.56MHz、出力400W、ガス圧0.8Paの条件、ニッケル−クロム(クロム含有量10%)合金のターゲット用い、アルゴン雰囲気下にてRFスパッタ法により、10Å/秒のレートで厚さ50Åのニッケル−クロム合金被膜を形成した。次いで、100Å/秒のレートで銅を蒸着し、厚さ0.3μmの銅薄膜を形成させた。その後、このフィルム硫酸銅めっき浴を用いて、厚さ5μmの厚付け銅メッキ層を上記銅薄膜上に形成して、金属化ポリイミドフィルム(銅張積層フィルム)を得た。
得られた銅張積層フィルムの外観評価、櫛形パターンの形状評価、櫛形パターンの絶縁性耐久試験結果を表3に示す。
(Example 3)
The above polyamic acid solution (3) was coated on a stainless steel belt using a T-type die. The lip gap of the die was 280 μm. Next, the polyamic acid film having a self-supporting property obtained by drying at 90 ° C. for 60 minutes is peeled off from the stainless steel belt, and then in a continuous drying furnace at 170 ° C. for 3 minutes and then for about 20 seconds. The temperature is raised to 450 ° C., heated at 450 ° C. for 7 minutes, then cooled to room temperature in 5 minutes, an adhesive roll (butyl rubber roll: manufactured by Nagata Corporation) and an ultrasonic dust cleaner (blowout) A polyimide roll film having a thickness of 10 μm was wound up by a winder equipped with a pressure of 12 KPa (manufactured by Shinko Co., Ltd.), a static eliminator, and a clean booth. The winding mechanism is shown in the figure. Table 1 shows the amount of charge on the film during winding, the number of particles in the winding environment, and Table 2 shows the evaluation results of the film.
The obtained polyimide roll film is mounted on a continuous sputtering apparatus, and the frequency is 13.56 MHz, the output is 400 W, the gas pressure is 0.8 Pa, and the target is a nickel-chromium (chromium content: 10%) alloy, in an argon atmosphere. A nickel-chromium alloy film having a thickness of 50 mm was formed at a rate of 10 mm / second by RF sputtering. Subsequently, copper was vapor-deposited at a rate of 100 liters / second to form a copper thin film having a thickness of 0.3 μm. Then, using this film copper sulfate plating bath, a thick copper plating layer having a thickness of 5 μm was formed on the copper thin film to obtain a metallized polyimide film (copper-clad laminate film).
Table 3 shows the appearance evaluation of the obtained copper-clad laminate film, the shape evaluation of the comb pattern, and the insulation durability test result of the comb pattern.

(実施例4)
上記のポリアミド酸溶液(4)をステンレスベルトにT型ダイを用いてコーティングした。ダイのリップギャップは280μmであった。次いで、90℃にて60分間乾燥することにより得られた自己支持性をもつポリアミド酸フィルムをステンレスベルトから剥離し、連続式の乾燥炉にて、170℃で3分間、次いで、約20秒間で450℃にまで昇温して450℃にて7分間加熱して、その後、5分間で室温にまで冷却し、粘着ロール(ブチルゴムロール:(株)長田コーポレーション製)及び超音波型除塵クリーナー(吹き出し圧力12KPa(株)伸興製)、除電機、クリーンブースを設けた巻き取り機により厚さが10μmのポリイミドロールフィルムを巻き取った。巻き取りの機構を図に示す。巻き取り時のフィルムへの帯電量、巻き取り環境のパーティクル数などを表1に、フィルムの評価結果を表2に示す。
得られたポリイミドロールフィルムを、連続式スパッタ装置に装着し、周波数13.56MHz、出力400W、ガス圧0.8Paの条件、ニッケル−クロム(クロム含有量10%)合金のターゲット用い、アルゴン雰囲気下にてRFスパッタ法により、10Å/秒のレートで厚さ50Åのニッケル−クロム合金被膜を形成した。次いで、100Å/秒のレートで銅を蒸着し、厚さ0.3μmの銅薄膜を形成させた。その後、このフィルム硫酸銅めっき浴を用いて、厚さ5μmの厚付け銅メッキ層を上記銅薄膜上に形成して、金属化ポリイミドフィルム(銅張積層フィルム)を得た。
得られた銅張積層フィルムの外観評価、櫛形パターンの形状評価、櫛形パターンの絶縁性耐久試験結果を表3に示す。
Example 4
The above polyamic acid solution (4) was coated on a stainless steel belt using a T-type die. The lip gap of the die was 280 μm. Next, the polyamic acid film having a self-supporting property obtained by drying at 90 ° C. for 60 minutes is peeled off from the stainless steel belt, and then in a continuous drying furnace at 170 ° C. for 3 minutes and then for about 20 seconds. The temperature is raised to 450 ° C., heated at 450 ° C. for 7 minutes, then cooled to room temperature in 5 minutes, an adhesive roll (butyl rubber roll: manufactured by Nagata Corporation) and an ultrasonic dust cleaner (blowout) A polyimide roll film having a thickness of 10 μm was wound up by a winder equipped with a pressure of 12 KPa (manufactured by Shinko Co., Ltd.), a static eliminator, and a clean booth. The winding mechanism is shown in the figure. Table 1 shows the amount of charge on the film during winding, the number of particles in the winding environment, and Table 2 shows the evaluation results of the film.
The obtained polyimide roll film is mounted on a continuous sputtering apparatus, and the frequency is 13.56 MHz, the output is 400 W, the gas pressure is 0.8 Pa, and the target is a nickel-chromium (chromium content: 10%) alloy, in an argon atmosphere. A nickel-chromium alloy film having a thickness of 50 mm was formed at a rate of 10 mm / second by RF sputtering. Subsequently, copper was vapor-deposited at a rate of 100 liters / second to form a copper thin film having a thickness of 0.3 μm. Then, using this film copper sulfate plating bath, a thick copper plating layer having a thickness of 5 μm was formed on the copper thin film to obtain a metallized polyimide film (copper-clad laminate film).
Table 3 shows the appearance evaluation of the obtained copper-clad laminate film, the shape evaluation of the comb pattern, and the insulation durability test result of the comb pattern.

(比較例1)
上記のポリアミド酸溶液(2)をステンレスベルトにT型ダイを用いてコーティングした。ダイのリップギャップは1400μmであった。次いで、90℃にて60分間乾燥することにより得られた自己支持性をもつポリアミド酸フィルムをステンレスベルトから剥離し、連続式の乾燥炉にて、170℃で3分間、次いで、約20秒間で450℃にまで昇温して450℃にて7分間加熱して、その後、5分間で室温にまで冷却し、粘着ロール(ブチルゴムロール:(株)長田コーポレーション製)及び超音波型除塵クリーナー(吹き出し圧力12KPa(株)伸興製)、除電機、クリーンブースを設けた巻き取り機により厚さが50μmのポリイミドロールフィルムを巻き取った。巻き取りの機構を図に示す。巻き取り時のフィルムへの帯電量、巻き取り環境のパーティクル数などを表1に、フィルムの評価結果を表2に示す。
得られたポリイミドロールフィルムを、連続式スパッタ装置に装着し、周波数13.56MHz、出力400W、ガス圧0.8Paの条件、ニッケル−クロム(クロム含有量10%)合金のターゲット用い、アルゴン雰囲気下にてRFスパッタ法により、10Å/秒のレートで厚さ50Åのニッケル−クロム合金被膜を形成した。次いで、100Å/秒のレートで銅を蒸着し、厚さ0.3μmの銅薄膜を形成させた。その後、このフィルム硫酸銅めっき浴を用いて、厚さ5μmの厚付け銅メッキ層を上記銅薄膜上に形成して、金属化ポリイミドフィルム(銅張積層フィルム)を得た。
得られた銅張積層フィルムの外観評価、櫛形パターンの形状評価、櫛形パターンの絶縁性耐久試験結果を表3に示す。
(Comparative Example 1)
The above polyamic acid solution (2) was coated on a stainless steel belt using a T-type die. The lip gap of the die was 1400 μm. Next, the polyamic acid film having a self-supporting property obtained by drying at 90 ° C. for 60 minutes is peeled off from the stainless steel belt, and then in a continuous drying furnace at 170 ° C. for 3 minutes and then for about 20 seconds. The temperature is raised to 450 ° C., heated at 450 ° C. for 7 minutes, then cooled to room temperature in 5 minutes, an adhesive roll (butyl rubber roll: manufactured by Nagata Corporation) and an ultrasonic dust cleaner (blowout) A polyimide roll film having a thickness of 50 μm was wound up by a winder equipped with a pressure 12 KPa (manufactured by Shinko Co., Ltd.), a static eliminator, and a clean booth. The winding mechanism is shown in the figure. Table 1 shows the amount of charge on the film during winding, the number of particles in the winding environment, and Table 2 shows the evaluation results of the film.
The obtained polyimide roll film is mounted on a continuous sputtering apparatus, and the frequency is 13.56 MHz, the output is 400 W, the gas pressure is 0.8 Pa, and the target is a nickel-chromium (chromium content: 10%) alloy, in an argon atmosphere. A nickel-chromium alloy film having a thickness of 50 mm was formed at a rate of 10 mm / second by RF sputtering. Subsequently, copper was vapor-deposited at a rate of 100 liters / second to form a copper thin film having a thickness of 0.3 μm. Then, using this film copper sulfate plating bath, a thick copper plating layer having a thickness of 5 μm was formed on the copper thin film to obtain a metallized polyimide film (copper-clad laminate film).
Table 3 shows the appearance evaluation of the obtained copper-clad laminate film, the shape evaluation of the comb pattern, and the insulation durability test result of the comb pattern.

(比較例2)
上記のポリアミド酸溶液(2)をステンレスベルトにT型ダイを用いてコーティングした。ダイのリップギャップは280μmであった。次いで、90℃にて60分間乾燥することにより得られた自己支持性をもつポリアミド酸フィルムをステンレスベルトから剥離し、連続式の乾燥炉にて、170℃で3分間、次いで、約20秒間で450℃にまで昇温して450℃にて7分間加熱して、その後、5分間で室温にまで冷却し、粘着ロール(ブチルゴムロール:(株)長田コーポレーション製)及び超音波型除塵クリーナー(吹き出し圧力12KPa(株)伸興製)、除電機、クリーンブースを設けた巻き取り機により厚さが10μmのポリイミドロールフィルムの巻き取りを試みたが、フィルムの剛性が低いため粘着ロール接触時に皺が入り、フィルムを巻き取ることができなかった。
(Comparative Example 2)
The above polyamic acid solution (2) was coated on a stainless steel belt using a T-type die. The lip gap of the die was 280 μm. Next, the polyamic acid film having a self-supporting property obtained by drying at 90 ° C. for 60 minutes is peeled off from the stainless steel belt, and then in a continuous drying furnace at 170 ° C. for 3 minutes and then for about 20 seconds. The temperature is raised to 450 ° C., heated at 450 ° C. for 7 minutes, then cooled to room temperature in 5 minutes, an adhesive roll (butyl rubber roll: manufactured by Nagata Corporation) and an ultrasonic dust cleaner (blowout) Attempt to wind up a polyimide roll film with a thickness of 10 μm using a winder equipped with a pressure remover and a clean booth. The film could not be wound up.

(比較例3)
巻き取り機構で、クリーンブース、除電装置を使用しないこと以外は、実施例1と同様の方法で、ポリイミドフィルムを得た。巻き取り時のフィルムへの帯電量、巻き取り環境のパーティクル数などを表1に、フィルムの評価結果を表2に示す。
得られたポリイミドロールフィルムを、連続式スパッタ装置に装着し、周波数13.56MHz、出力400W、ガス圧0.8Paの条件、ニッケル−クロム(クロム含有量10%)合金のターゲット用い、アルゴン雰囲気下にてRFスパッタ法により、10Å/秒のレートで厚さ50Åのニッケル−クロム合金被膜を形成した。次いで、100Å/秒のレートで銅を蒸着し、厚さ0.3μmの銅薄膜を形成させた。その後、このフィルム硫酸銅めっき浴を用いて、厚さ5μmの厚付け銅メッキ層を上記銅薄膜上に形成して、金属化ポリイミドフィルム(銅張積層フィルム)を得た。
得られた銅張積層フィルムの外観評価、櫛形パターンの形状評価、櫛形パターンの絶縁性耐久試験結果を表3に示す。
(Comparative Example 3)
A polyimide film was obtained in the same manner as in Example 1 except that a clean booth and a static eliminator were not used in the winding mechanism. Table 1 shows the amount of charge on the film during winding, the number of particles in the winding environment, and Table 2 shows the evaluation results of the film.
The obtained polyimide roll film is mounted on a continuous sputtering apparatus, and the frequency is 13.56 MHz, the output is 400 W, the gas pressure is 0.8 Pa, and the target is a nickel-chromium (chromium content: 10%) alloy, in an argon atmosphere. A nickel-chromium alloy film having a thickness of 50 mm was formed at a rate of 10 mm / second by RF sputtering. Subsequently, copper was vapor-deposited at a rate of 100 liters / second to form a copper thin film having a thickness of 0.3 μm. Then, using this film copper sulfate plating bath, a thick copper plating layer having a thickness of 5 μm was formed on the copper thin film to obtain a metallized polyimide film (copper-clad laminate film).
Table 3 shows the appearance evaluation of the obtained copper-clad laminate film, the shape evaluation of the comb pattern, and the insulation durability test result of the comb pattern.

(比較例4)
巻き取り機構で、除電装置、粘着ロール、超音波除去装置を使用しないこと以外は、実施例1と同様の方法で、ポリイミドフィルムを得た。巻き取り時のフィルムへの帯電量、巻き取り環境のパーティクル数などを表1に、フィルムの評価結果を表2に示す。
得られたポリイミドロールフィルムを、連続式スパッタ装置に装着し、周波数13.56MHz、出力400W、ガス圧0.8Paの条件、ニッケル−クロム(クロム含有量10%)合金のターゲット用い、アルゴン雰囲気下にてRFスパッタ法により、10Å/秒のレートで厚さ50Åのニッケル−クロム合金被膜を形成した。次いで、100Å/秒のレートで銅を蒸着し、厚さ0.3μmの銅薄膜を形成させた。その後、このフィルム硫酸銅めっき浴を用いて、厚さ5μmの厚付け銅メッキ層を上記銅薄膜上に形成して、金属化ポリイミドフィルム(銅張積層フィルム)を得た。
得られた銅張積層フィルムの外観評価、櫛形パターンの形状評価、櫛形パターンの絶縁性耐久試験結果を表3に示す。
(Comparative Example 4)
A polyimide film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the winding mechanism did not use a static eliminating device, an adhesive roll, or an ultrasonic removing device. Table 1 shows the amount of charge on the film during winding, the number of particles in the winding environment, and Table 2 shows the evaluation results of the film.
The obtained polyimide roll film is mounted on a continuous sputtering apparatus, and the frequency is 13.56 MHz, the output is 400 W, the gas pressure is 0.8 Pa, and the target is a nickel-chromium (chromium content: 10%) alloy, in an argon atmosphere. A nickel-chromium alloy film having a thickness of 50 mm was formed at a rate of 10 mm / second by RF sputtering. Subsequently, copper was vapor-deposited at a rate of 100 liters / second to form a copper thin film having a thickness of 0.3 μm. Then, using this film copper sulfate plating bath, a thick copper plating layer having a thickness of 5 μm was formed on the copper thin film to obtain a metallized polyimide film (copper-clad laminate film).
Table 3 shows the appearance evaluation of the obtained copper-clad laminate film, the shape evaluation of the comb pattern, and the insulation durability test result of the comb pattern.

Figure 2007314596
Figure 2007314596

Figure 2007314596
Figure 2007314596

Figure 2007314596
Figure 2007314596

本発明により得られた2μm以上の付着異物量が100〜100,000個/mであり、巻き長さが50m以上、フィルム幅が250mm以上のポリイミドロールフィルムからのポリイミドフィルムは、例えばこのフィルムを銅張積層板の基板として用いて作製された回路基板に使用する際、フィルムの表面上の異物が一定値内にあって少ないことが、回路形成面に存在する異物が、回路形成時に回路の断線やシヨ―トの原因となること、回路形成面の反対面に存在する異物は、回路形成時の露光工程で焦点を狂わす原因となり、また隣接するウエハの表面に転写して回路の断線やシヨ―トの原因となることなどに対して品質上問題が少ない回路基板とすることができ、回路形成されたものを作製するときの歩留まりが向上するなどの利点を有しており、工業的意義は極めて大きい。特に非常に帯電しやすく、帯電のため浮遊異物が付着しやすく、付着異物量の少ないロールフィルムを作製するのが困難であった薄いポリイミドフィルムにおいて好適であり、例えば10μm程度の薄いポリイミドフィルムであっても、引張弾性率が所定値以上保有しているために、軽少短薄な回路基板となし得る銅張積層板を効率よく生産し得て、さらにこれを使用して軽少短薄回路基板などの電子部品とすることができすることができ、より生産性向上が可能となり、製品歩留まりの向上も非常に容易であることからも、産業界に大きく寄与することが期待される。 A polyimide film from a polyimide roll film having an amount of adhered foreign matter of 2 μm or more obtained by the present invention of 100 to 100,000 pieces / m 2 , a winding length of 50 m or more, and a film width of 250 mm or more is, for example, this film Is used as a circuit board made of copper-clad laminate, the foreign matter on the surface of the film is within a certain value and is small. This may cause disconnection or shorting of the circuit, and foreign matter existing on the opposite side of the circuit formation surface may cause the focus to go out of focus in the exposure process during circuit formation. The circuit board has few quality problems with respect to the cause of damage and short circuit, and the yield is improved when manufacturing a circuit-formed product. Has, industrial significance is extremely large. It is particularly suitable for thin polyimide films that are very easy to charge, and to which floating foreign matter easily adheres due to charging, and it is difficult to produce a roll film with a small amount of attached foreign matter. For example, a thin polyimide film of about 10 μm is suitable. However, because the tensile elastic modulus is more than a predetermined value, it can efficiently produce a copper-clad laminate that can be made into a light and short circuit board, and further use this to make a light and short circuit It can be used as an electronic component such as a substrate, can be further improved in productivity, and is very easy to improve the product yield, so that it is expected to greatly contribute to the industry.

本発明のポリイミドロールフィルム製造装置の概略を示す。The outline of the polyimide roll film manufacturing apparatus of this invention is shown.

符号の説明Explanation of symbols

1:熱処理炉
2:搬送フィルム
3:粘着ロール
4:ウェブクリーナー
5:除電機
6:搬送ロール
7:イミド巻き取りフィルム
8:クリーンブース:クラス100
1: Heat treatment furnace 2: Conveying film 3: Adhesive roll 4: Web cleaner 5: Electrification machine 6: Conveying roll 7: Imide winding film 8: Clean booth: Class 100

Claims (11)

2μm以上の付着異物量が100〜100,000個/mであり、巻き長さが50m以上、フィルム幅が250mm以上のポリイミドロールフィルム。 A polyimide roll film having an adhered foreign matter amount of 2 μm or more of 100 to 100,000 pieces / m 2 , a winding length of 50 m or more, and a film width of 250 mm or more. 5μm以上の付着異物量が100〜10,000個/mである請求項1記載のポリイミドロールフィルム。 The polyimide roll film according to claim 1, wherein the amount of adhered foreign matter of 5 μm or more is 100 to 10,000 pieces / m 2 . 10μm以上の付着異物量が100〜1,000個/mである請求項1記載のポリイミドロールフィルム。 The polyimide roll film according to claim 1, wherein the amount of adhering foreign matter of 10 μm or more is 100 to 1,000 pieces / m 2 . フィルムの厚さが2〜12.5μm、引張弾性率が6GPa以上の請求項1〜3いずれかに記載のポリイミドロールフィルム。   The polyimide roll film according to claim 1, wherein the film has a thickness of 2 to 12.5 μm and a tensile elastic modulus of 6 GPa or more. ポリイミドが芳香族ジアミン類の残基としてベンゾオキサゾール骨格を有する請求項1〜4いずれかに記載のポリイミドロールフィルム。   The polyimide roll film according to any one of claims 1 to 4, wherein the polyimide has a benzoxazole skeleton as a residue of aromatic diamines. 請求項1〜5いずれかに記載のポリイミドフィルムを用いて作製された銅張積層板   A copper-clad laminate produced using the polyimide film according to claim 1. 請求項6に記載の銅張積層板を用いて作製された回路基板。   The circuit board produced using the copper clad laminated board of Claim 6. 巻き取り雰囲気のパーティクル数が、クラス100以下であることを特徴とする請求項1〜5に記載のポリイミドロールフィルムの製造方法。   The method for producing a polyimide roll film according to claim 1, wherein the number of particles in the winding atmosphere is 100 or less. 巻き取り時のフィルムの帯電量が1kV以下である請求項8記載のポリイミドロールフィルムの製造方法。   The method for producing a polyimide roll film according to claim 8, wherein the charge amount of the film at the time of winding is 1 kV or less. 巻き取り前に粘着ロールと接触させる請求項8〜9いずれかに記載のポリイミドロールフィルムの製造方法。   The manufacturing method of the polyimide roll film in any one of Claims 8-9 made to contact with an adhesion roll before winding up. 巻き取り雰囲気のパーティクル数が、クラス100以下であるクリーンブース内で、巻き取り前にウェブクリーナーにより表面付着粉塵を除去する請求項8〜10いずれかに記載のポリイミドロールフィルムの製造方法。   The manufacturing method of the polyimide roll film in any one of Claims 8-10 which removes surface adhesion dust with a web cleaner before winding up in the clean booth whose number of particles of winding-up atmosphere is class 100 or less.
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