JP2007312523A - Power module - Google Patents

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昌弘 徳永
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a power module that can facilitate installation on an HEV, by reducing the size of apparatus. <P>SOLUTION: Semiconductor chips 1a to 1c are mounted at predetermined locations on a surface of a terminal board 40H. Semiconductor chips 2a to 2c are mounted at predetermined locations on surfaces of bus bars 11u to 11w. Elastic bodies 100a to 100c are intervened between a bottom 81 of a housing 30 and the terminal board 40H, and between elastic bodies 200a to 200c are interposed between the lid 80 of the housing 30 and a terminal board 40L. This eliminates the need for a printed circuit board for mounting the semiconductor chips 1a to 1c and 2a to 2c, thereby reducing the size of the apparatus as a whole. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、パワーモジュールに関し、特に、電機モータを駆動するためのインバータ回路を備えるパワーモジュールに関する。   The present invention relates to a power module, and more particularly, to a power module including an inverter circuit for driving an electric motor.

近年、環境意識の高まりから、ガソリンエンジンと電機モータとの双方を動力源として用いるハイブリッド自動車（以下、ＨＥＶという。）が注目されている。ＨＥＶにおいては、複数のパワースイッチング素子を備えるインバータ回路を用いて直流電源をスイッチングすることにより、電機モータが交流駆動されている。パワースイッチング素子のオンオフは、制御回路により制御される。   2. Description of the Related Art In recent years, with increasing environmental awareness, a hybrid vehicle (hereinafter referred to as HEV) that uses both a gasoline engine and an electric motor as power sources has attracted attention. In HEV, an electric motor is AC-driven by switching a DC power source using an inverter circuit including a plurality of power switching elements. On / off of the power switching element is controlled by a control circuit.

従来のパワーモジュールの構成例として、制御回路、インバータ回路および電機モータとが一体化されたパワーモジュールが、開示されている（特許文献１参照）。かかるパワーモジュールでは、モータハウジングの周壁外周面にプリント基板が固定され、プリント基板上に制御回路とインバータ回路とが実装されている。   As a configuration example of a conventional power module, a power module in which a control circuit, an inverter circuit, and an electric motor are integrated is disclosed (see Patent Document 1). In such a power module, a printed circuit board is fixed to the outer peripheral surface of the peripheral wall of the motor housing, and a control circuit and an inverter circuit are mounted on the printed circuit board.

なお、環状導体のバスバーを備える車両用ブラシレスモータに関する技術が、開示されている（特許文献２参照）。   In addition, the technique regarding the brushless motor for vehicles provided with the bus bar of an annular conductor is disclosed (refer patent document 2).

特開２００３−３２４９０３号公報JP 2003-324903 A 特開２００３−１３４７２８号公報JP 2003-134728 A

上記特許文献１に開示された従来のパワーモジュールによると、制御回路、インバータ回路および電機モータのすべてが一体化して構成されているため、装置全体が大型化する。かかるパワーモジュールをＨＥＶに搭載する場合、ＨＥＶ内に大きなスペースが必要となる。   According to the conventional power module disclosed in Patent Document 1, since the control circuit, the inverter circuit, and the electric motor are all integrated and configured, the entire apparatus is increased in size. When such a power module is mounted on the HEV, a large space is required in the HEV.

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、装置全体を小型化してＨＥＶへの搭載を容易にするパワーモジュールを得ることを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to obtain a power module that can be easily mounted on HEV by downsizing the entire apparatus.

第１の発明にかかるパワーモジュールは、蓋部と底部とを有する筐体と、２本の直流電源用導体と、３本の三相交流電力供給用導体と、これらの直流電源用導体のいずれか１本とこれらの三相交流電力供給用導体のいずれか１本からなる６組の導体対のそれぞれに挟持され、かつ、筐体内に位置する６個のパワースイッチング素子から構成され、各パワースイッチング素子は、第１の面に第１の通電電極を有し、第１の面とは表裏関係を成す第２の面に第２の通電電極を有しており、第１の通電電極が直流電源用導体に接続され、かつ、第２の通電電極が三相交流電力供給用導体に接続され、直流電源用導体のいずれか１本と蓋部又は底部のいずれか一方との間に、弾性体を介在させることを特徴とする。   A power module according to a first aspect of the present invention includes a housing having a lid and a bottom, two DC power supply conductors, three three-phase AC power supply conductors, and any of these DC power supply conductors. Each of the three pairs of conductors for supplying three-phase AC power, and each of the six power switching elements sandwiched between the six conductor pairs and located in the housing. The switching element has a first current-carrying electrode on a first surface, a second current-carrying electrode on a second surface that forms a front-back relationship with the first surface, and the first current-carrying electrode is Connected to the DC power supply conductor, and the second energizing electrode is connected to the three-phase AC power supply conductor, and between any one of the DC power supply conductors and either the lid or the bottom, It is characterized by interposing an elastic body.

第２の発明にかかるパワーモジュールは、パワースイッチング素子の第１の通電電極又は第２の通電電極のいずれか一方の電極と直流電源用導体又は三相交流電力供給用導体のいずれか一方の導体との間に、弾性導体を介在させることを特徴とする。
この弾性導体が介在することにより、パワースイッチング素子の電極と直流電源用導体または三相交流電力供給用導体に発生する熱による変位を弾性導体の撓で吸収できる。 A power module according to a second aspect of the present invention is the power module, wherein either the first energizing electrode or the second energizing electrode of the power switching element and the DC power source conductor or the three-phase AC power supply conductor. An elastic conductor is interposed between the two.
By interposing this elastic conductor, displacement due to heat generated in the electrode of the power switching element and the DC power supply conductor or the three-phase AC power supply conductor can be absorbed by the bending of the elastic conductor.

第３の発明にかかるパワーモジュールは、三相交流電力供給用導体は環状導体であることを特徴とする。
このため、三相交流電力供給用導体は円形形状を有する電機モータの三相交流電力供給部品として形状上電機モータに容易に装着される。 The power module according to the third invention is characterized in that the three-phase AC power supply conductor is an annular conductor.
For this reason, the three-phase AC power supply conductor is easily attached to the electric motor in shape as a three-phase AC power supply component of the electric motor having a circular shape.

本願の発明にかかるパワーモジュールによれば、パワースイッチング素子は素子の表面と裏面にそれぞれ電極を有するため、各々の電極は直流電源用導体および三相交流電力供給用導体に直接接続される。このため、インバータ回路を基板に構成する必要はなく、パワーモジュールの小型化を図ることができる。   According to the power module of the present invention, since the power switching element has electrodes on the front and back surfaces of the element, each electrode is directly connected to the DC power supply conductor and the three-phase AC power supply conductor. For this reason, it is not necessary to comprise an inverter circuit on a board | substrate, and size reduction of a power module can be achieved.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、異なる図面において同一または相応する符号を付した要素は、同一または相応する要素を示すものとする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the element which attached | subjected the same or corresponding code | symbol in different drawing shall show the same or corresponding element.

図１は、本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの構成を示す回路図である。図１には、パワースイッチング素子として、パワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃが用いられた例が示されている。本実施の形態に係るパワーモジュールは、三相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の電機モータ４と、電機モータ４を駆動するためのインバータ回路８と、インバータ回路８が有するパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃを制御するための制御回路７とを備えている。なお、本発明の本質に影響しないので図示は省略しているが、パワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃのそれぞれのデバイス内には、ドレイン−ソース間に寄生ダイオードがあり、転流時の電流がこの寄生ダイオードに流れる。   FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a power module according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 shows an example in which power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c are used as power switching elements. The power module according to the present embodiment includes a three-phase (U-phase, V-phase, W-phase) electric motor 4, an inverter circuit 8 for driving the electric motor 4, and power MOSFETs 1a to 1c included in the inverter circuit 8. , 2a to 2c. Although not shown in the figure because it does not affect the essence of the present invention, there is a parasitic diode between the drain and source in each of the power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c. It flows in this parasitic diode.

パワーＭＯＳＦＥＴ１ａ，２ａは、正の直流電源電圧ＶＨと負の直流電源電圧ＶＬとの間で、ノード６ｕを介して直列に接続されている。具体的に、パワーＭＯＳＦＥＴ１ａのドレイン電極は正の直流電源電圧ＶＨに接続され、ソース電極はノード６ｕに接続されている。また、パワーＭＯＳＦＥＴ２ａのドレイン電極はノード６ｕに接続され、ソース電極は負の直流電源電圧ＶＬに接続されている。同様に、パワーＭＯＳＦＥＴ１ｂ，２ｂは、正の直流電源電圧ＶＨと負の直流電源電圧ＶＬとの間でノード６ｖを介して直列に接続されており、パワーＭＯＳＦＥＴ１ｃ，２ｃは、正の直流電源電圧ＶＨと負の直流電源電圧ＶＬとの間でノード６ｗを介して直列に接続されている。   The power MOSFETs 1a and 2a are connected in series via a node 6u between a positive DC power supply voltage VH and a negative DC power supply voltage VL. Specifically, the drain electrode of the power MOSFET 1a is connected to the positive DC power supply voltage VH, and the source electrode is connected to the node 6u. The drain electrode of the power MOSFET 2a is connected to the node 6u, and the source electrode is connected to the negative DC power supply voltage VL. Similarly, the power MOSFETs 1b and 2b are connected in series via a node 6v between the positive DC power supply voltage VH and the negative DC power supply voltage VL, and the power MOSFETs 1c and 2c are connected to the positive DC power supply voltage VH. And a negative DC power supply voltage VL are connected in series via a node 6w.

パワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの各ゲート電極は、制御回路７に接続されている。制御回路７は、パワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの各ゲート電極に電圧パルスを印加することにより、パワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃをそれぞれ駆動する。   The gate electrodes of the power MOSFETs 1 a to 1 c and 2 a to 2 c are connected to the control circuit 7. The control circuit 7 drives the power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c by applying voltage pulses to the gate electrodes of the power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c, respectively.

ノード６ｕ，６ｖ，６ｗは、電機モータ４の各相の電極５ｕ，５ｖ，５ｗにそれぞれ接続されている。制御回路７によってパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃおよびパワーＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｃのいずれを駆動するかによって、電機モータ４が備える電磁コイル３に流れる電流の向きを制御することができる。また、制御回路７からパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの各ゲート電極に印加される電圧パルスのパルス幅によって、電磁コイル３に流れる電流の大きさを制御することができる。   The nodes 6u, 6v, 6w are connected to the electrodes 5u, 5v, 5w of each phase of the electric motor 4, respectively. Depending on which of the power MOSFETs 1a to 1c and the power MOSFETs 2a to 2c is driven by the control circuit 7, the direction of the current flowing in the electromagnetic coil 3 provided in the electric motor 4 can be controlled. The magnitude of the current flowing through the electromagnetic coil 3 can be controlled by the pulse width of the voltage pulse applied from the control circuit 7 to the gate electrodes of the power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c.

なお、図１には、パワースイッチング素子としてパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃが用いられた例が示されているが、パワーＭＯＳＦＥＴの代わりにＩＧＢＴ等の他のパワースイッチング素子を用いてもよい。なお、ＩＧＢＴでは寄生ダイオードがないので、転流ダイオードを逆並列に接続しておく必要がある。あるいは、ＳｉＣ，ＧａＮ，Ｃ等のワイドバンドギャップ半導体を用いた、大電力制御可能かつ高温動作可能なトランジスタを使用してもよい。ワイドバンドギャップデバイスを用いた場合には、電機モータ４と同様に高温環境で動作可能なインバータ回路を実現することができる。   FIG. 1 shows an example in which power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c are used as power switching elements, but other power switching elements such as IGBTs may be used instead of the power MOSFETs. In addition, since there is no parasitic diode in IGBT, it is necessary to connect a commutation diode in antiparallel. Alternatively, a transistor capable of controlling high power and operating at high temperature using a wide band gap semiconductor such as SiC, GaN, or C may be used. When a wide band gap device is used, an inverter circuit that can operate in a high-temperature environment can be realized like the electric motor 4.

また、図１には、Ｕ，Ｖ，Ｗの各相のハイサイド及びローサイドに各１個のパワーＭＯＳＦＥＴのみが用いられた例が示されているが、電流容量に応じて、それぞれ複数個のパワーＭＯＳＦＥＴを用いて構成してもよい。   FIG. 1 shows an example in which only one power MOSFET is used for each of the high side and the low side of each of U, V, and W phases. A power MOSFET may be used.

図２は、本実施の形態に係るパワーモジュールが備える三相交流電力供給用導体のバスバー１１の構造の一部を示す上面図である。電機モータ４（図２には示さない）の外周に沿って、リング状のバスバー１１が配設されている。バスバー１１は、電機モータ４のＵ相に対応するバスバー１１ｕと、Ｖ相に対応するバスバー１１ｖと、Ｗ相に対応するバスバー１１ｗとに分離されている。バスバー１１ｕは図１に示したノード６ｕと電極５ｕとの間を接続し、バスバー１１ｖはノード６ｖと電極５ｖとの間を接続し、バスバー１１ｗはノード６ｗと電極５ｗとの間を接続する。バスバー１１ｕ〜１１ｗは、打ち抜き加工された銅板の表面にスズまたはニッケル等のメッキ処理が施されることによって形成されている。   FIG. 2 is a top view showing a part of the structure of the bus bar 11 of the three-phase AC power supply conductor provided in the power module according to the present embodiment. A ring-shaped bus bar 11 is disposed along the outer periphery of the electric motor 4 (not shown in FIG. 2). The bus bar 11 is separated into a bus bar 11u corresponding to the U phase of the electric motor 4, a bus bar 11v corresponding to the V phase, and a bus bar 11w corresponding to the W phase. Bus bar 11u connects between node 6u and electrode 5u shown in FIG. 1, bus bar 11v connects between node 6v and electrode 5v, and bus bar 11w connects between node 6w and electrode 5w. The bus bars 11u to 11w are formed by performing a plating process such as tin or nickel on the surface of the punched copper plate.

バスバー１１ｕ〜１１ｗは、筐体１０内に収納されている。筐体１０は、ＰＰＳ等の耐熱性樹脂によって構成されている。但し、筐体１０は、強度を高めるために、金属部材によって強化されていてもよい。筐体１０の内部には、内壁１０ａ，１０ｂによって規定される溝が形成されており、その溝部分にバスバー１１ｕ〜１１ｗが嵌め込まれている。また、筐体１０が形成されていない領域５０が部分的に設けられており、この領域５０においてはバスバー１１ｕ〜１１ｗが露出している。   The bus bars 11u to 11w are housed in the housing 10. The housing 10 is made of a heat resistant resin such as PPS. However, the housing 10 may be reinforced by a metal member in order to increase the strength. Grooves defined by the inner walls 10a and 10b are formed inside the housing 10, and the bus bars 11u to 11w are fitted into the groove portions. Moreover, the area | region 50 in which the housing | casing 10 is not formed is provided partially, and the bus-bars 11u-11w are exposed in this area | region 50. FIG.

図３は、領域５０におけるバスバー１１ｕ〜１１ｗの構造を具体的に示す斜視図である。図３では、リング状のバスバー１１ｕ〜１１ｗを直線状に近似して図示している。バスバー１１ｕの表面上には、図１に示したパワーＭＯＳＦＥＴ２ａの半導体チップ（以下、パワーＭＯＳＦＥＴと同一の符号を用いる）２ａが実装されている。バスバー１１ｕの表面上の所定の箇所に、チップを実装すべき位置を示すマーキングを刻印しておくことにより、その所定の箇所に半導体チップ２ａを実装することができる。同様に、バスバー１１ｖ，１１ｗの表面上の所定の箇所には、パワーＭＯＳＦＥＴ２ｂ，２ｃの半導体チップ２ｂ，２ｃがそれぞれ実装されている。また、バスバー１１ｕ，１１ｖ，１１ｗには、それぞれ所定の箇所に切り欠き２０ｕ，２０ｖ，２０ｗが形成されている。   FIG. 3 is a perspective view specifically showing the structure of the bus bars 11 u to 11 w in the region 50. In FIG. 3, the ring-shaped bus bars 11u to 11w are illustrated as being approximated in a straight line. On the surface of the bus bar 11u, a semiconductor chip (hereinafter, the same reference numeral as that of the power MOSFET) 2a of the power MOSFET 2a shown in FIG. 1 is mounted. A semiconductor chip 2a can be mounted at a predetermined location on the surface of the bus bar 11u by marking a mark indicating a position where the chip is to be mounted. Similarly, semiconductor chips 2b and 2c of power MOSFETs 2b and 2c are mounted at predetermined locations on the surfaces of the bus bars 11v and 11w, respectively. The bus bars 11u, 11v, and 11w are formed with notches 20u, 20v, and 20w at predetermined locations, respectively.

図４は、図３に示した半導体チップ２ａの構造を示す上面図であり、図５は、図４に示したラインＶ−Ｖに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。図４，５を参照して、半導体チップ２ａは、いわゆる縦型パワーＭＯＳチップであり、半導体チップ２ａの表面にはゲート電極（制御電極）Ｇおよびソース電極（電流流出電極）Ｓが形成されており、裏面にはドレイン電極（電流流入電極）Ｄが形成されている。図１３，１４は、図４，５におけるソース電極Ｓ上に、弾性導体９０を接合した図である。この弾性導体９０は、半田付けまたはロウ付けによってこのソース電極Ｓ上に接合される。また、この弾性導体９０は、リン青銅を用いその表面にはスズまたはニッケル等のメッキ処理が施されることによって形成されている。また、図１３，１４における弾性導体９０は、コ字状の板バネであるが、弦巻バネなどであってもよい。   4 is a top view showing the structure of the semiconductor chip 2a shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure relating to the position along the line V-V shown in FIG. 4 and 5, the semiconductor chip 2a is a so-called vertical power MOS chip, and a gate electrode (control electrode) G and a source electrode (current outflow electrode) S are formed on the surface of the semiconductor chip 2a. A drain electrode (current inflow electrode) D is formed on the back surface. 13 and 14 are diagrams in which an elastic conductor 90 is joined on the source electrode S in FIGS. The elastic conductor 90 is bonded onto the source electrode S by soldering or brazing. The elastic conductor 90 is formed by using phosphor bronze and plating its surface with tin or nickel. Further, the elastic conductor 90 in FIGS. 13 and 14 is a U-shaped leaf spring, but may be a chord spring or the like.

図３を参照して、半導体チップ２ｂ，２ｃは、半導体チップ２ａと同様の構造を有している。つまり、半導体チップ２ｂ，２ｃの各表面にはゲート電極Ｇ及びソース電極Ｓがそれぞれ形成されており、各裏面にはドレイン電極Ｄがそれぞれ形成されている。半導体チップ２ａ〜２ｃの各ドレイン電極Ｄは、半田付けまたはロウ付けによって、バスバー１１ｕ〜１１ｗの各表面にそれぞれ直接的に接合されている。   Referring to FIG. 3, semiconductor chips 2b and 2c have the same structure as semiconductor chip 2a. That is, the gate electrode G and the source electrode S are formed on each surface of the semiconductor chips 2b and 2c, and the drain electrode D is formed on each back surface. The drain electrodes D of the semiconductor chips 2a to 2c are directly bonded to the surfaces of the bus bars 11u to 11w by soldering or brazing, respectively.

図６は、本実施の形態に係るパワーモジュールが備える筐体３０の構造を示す斜視図である。筐体３０は、ＰＰＳ等の耐熱性樹脂によって構成されている。筐体３０の側壁には、位置決め構造として複数の溝３１ｕ，３１ｖ，３１ｗ，３２Ｈ，３２Ｌが形成されている。溝３２Ｈは溝３１ｕ〜３１ｗよりも深く形成されており、溝３２Ｌは溝３１ｕ〜３１ｗよりも浅く形成されている。また、溝３２Ｈと溝３２Ｌとの間には開口部３３が形成されている。   FIG. 6 is a perspective view showing the structure of the housing 30 included in the power module according to the present embodiment. The housing 30 is made of a heat resistant resin such as PPS. A plurality of grooves 31u, 31v, 31w, 32H, and 32L are formed on the side wall of the housing 30 as a positioning structure. The groove 32H is formed deeper than the grooves 31u to 31w, and the groove 32L is formed shallower than the grooves 31u to 31w. An opening 33 is formed between the groove 32H and the groove 32L.

図３，６を参照して、互いに隣接する溝３１ｕ〜３１ｗ同士の間隔は、切り欠き２０ｕ〜２０ｗが形成されている箇所における、互いに隣接するバスバー１１ｕ〜１１ｗ同士の間隔に等しい。また、溝３１ｕ〜３１ｗが形成されている側壁同士の間隔は、バスバー１１ｕ〜１１ｗが延在する方向において互いに隣接する切り欠き２０ｕ同士の間隔に等しい。   Referring to FIGS. 3 and 6, the interval between adjacent grooves 31u to 31w is equal to the interval between adjacent bus bars 11u to 11w where cutouts 20u to 20w are formed. Moreover, the space | interval of the side walls in which the grooves 31u-31w are formed is equal to the space | interval of the notches 20u mutually adjacent in the direction where the bus-bars 11u-11w extend.

図７〜１２は、本実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。まず、図７を参照して、筐体３０の溝３２Ｈ内に、直流電源用導体としての端子板４０Ｈを嵌め込む。端子板４０Ｈは、図１に示した正の直流電源電圧ＶＨを供給するためのものであり、銅板の表面にスズまたはニッケル等のメッキ処理が施されることによって形成されている。端子板４０Ｈには所定の箇所に切り欠き２０Ｈが形成されており、この切り欠き２０Ｈを溝３２Ｈの側壁に嵌合させることによって、筐体３０と端子板４０Ｈとの位置決めがなされる。   7 to 12 are perspective views sequentially showing the assembly process of the power module according to the present embodiment. First, referring to FIG. 7, terminal plate 40 </ b> H as a DC power source conductor is fitted into groove 32 </ b> H of housing 30. The terminal board 40H is for supplying the positive DC power supply voltage VH shown in FIG. 1, and is formed by performing a plating process such as tin or nickel on the surface of the copper board. A notch 20H is formed at a predetermined location on the terminal plate 40H, and the housing 30 and the terminal plate 40H are positioned by fitting the notch 20H to the side wall of the groove 32H.

半導体チップ１ａ〜１ｃが予め実装されている端子板４０Ｈの面との反対面において、弾性体１００ａ〜１００ｃが半導体チップ１ａ〜１ｃと対向するように端子板４０Ｈの面上に半田付けまたはロウ付けによって接合される。具体的には、図１５のとおりで、図７のラインＩ−Ｉに沿った端子板４０Ｈを中心とした断面図である。端子板４０Ｈは、弾性体１００ａ〜１００ｃを介して筐体３０の底部８１より支えられる。弾性体１００ａ〜１００ｃは、熱伝導率のよい絶縁部材、例えば、表面を樹脂製の薄いカバー（ポリエチレンなど）を付けた金属製のコ字状の板バネである。   Soldering or brazing on the surface of the terminal plate 40H so that the elastic bodies 100a to 100c face the semiconductor chips 1a to 1c on the surface opposite to the surface of the terminal plate 40H on which the semiconductor chips 1a to 1c are mounted in advance. Joined by. Specifically, it is as shown in FIG. 15 and is a cross-sectional view centering on the terminal board 40H along the line II in FIG. The terminal board 40H is supported from the bottom 81 of the housing 30 via the elastic bodies 100a to 100c. The elastic bodies 100a to 100c are insulating members having good thermal conductivity, for example, metal U-shaped leaf springs with a thin resin cover (such as polyethylene) on the surface.

端子板４０Ｈの表面上の所定の箇所には、図１に示したパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃの半導体チップ１ａ〜１ｃが予め実装されている。端子板４０Ｈの表面上の所定の箇所に、チップを実装すべき位置を示すマーキングを刻印しておくことにより、その所定の箇所に半導体チップ１ａ〜１ｃを実装することができる。   The semiconductor chips 1a to 1c of the power MOSFETs 1a to 1c shown in FIG. 1 are mounted in advance at predetermined locations on the surface of the terminal board 40H. The semiconductor chips 1a to 1c can be mounted at the predetermined locations by marking the positions indicating the positions where the chips are to be mounted at predetermined locations on the surface of the terminal board 40H.

半導体チップ１ａ〜１ｃは、図３に示した半導体チップ２ａ〜２ｃと同様の構造を有している。つまり、半導体チップ１ａ〜１ｃの各表面にはゲート電極Ｇおよびソース電極Ｓがそれぞれ形成されており、各裏面にはドレイン電極Ｄがそれぞれ形成されている。また、半導体チップ１ａ〜１ｃの各ドレイン電極Ｄは、半田付けまたはロウ付けによって、端子板４０Ｈの表面にそれぞれ直接的に接合されている。なお、図７〜１１において、ソース電極Ｓ上に接合されている弾性導体９０は明示されていないが、図１３および図１４に記載の弾性導体９０がソース電極Ｓ上に接合されているものとする。   The semiconductor chips 1a to 1c have the same structure as the semiconductor chips 2a to 2c shown in FIG. That is, the gate electrode G and the source electrode S are formed on each surface of the semiconductor chips 1a to 1c, and the drain electrode D is formed on each back surface. The drain electrodes D of the semiconductor chips 1a to 1c are directly joined to the surface of the terminal board 40H by soldering or brazing. 7 to 11, the elastic conductor 90 bonded on the source electrode S is not clearly shown, but the elastic conductor 90 described in FIGS. 13 and 14 is bonded on the source electrode S. To do.

筐体３０から外部に突出している端子板４０Ｈの端部には、電力供給用の高圧ケーブルの一端が接続される。高圧ケーブルの他端は、バッテリまたは昇圧コンバータに接続される。   One end of a high-voltage cable for power supply is connected to the end of the terminal board 40H that protrudes from the housing 30 to the outside. The other end of the high voltage cable is connected to a battery or a boost converter.

次に、図８を参照して、筐体３０の溝３１ｕ〜３１ｗ内に、バスバー１１ｕ〜１１ｗをそれぞれ嵌め込む。具体的には、図７に示した構造を図３に示したバスバー１１ｕ，１１ｖ，１１ｗの下方に位置させた後、溝３１ｕ〜３１ｗと切り欠き２０ｕ〜２０ｗとをそれぞれ嵌合させながら、図７に示した構造を上方に持ち上げる。これにより、図８に示すように、半導体チップ１ａ〜１ｃの各ソース電極Ｓが、バスバー１１ｕ〜１１ｗの各裏面にそれぞれ接触する。その際、コ字状弾性導体の片端を固定されていないので、半導体チップ１ａ〜１ｃの各ソース電極Ｓ上に接合されている弾性導体９０は、バスバー１１ｕ〜１１ｗによって押し当てられ撓む。この押し当てられた撓みによって、バスバー１１ｕ〜１１ｗの各裏面と圧接され電気的接続状態になる。弾性導体９０を介在させることより、各ソース電極Ｓとバスバー１１ｕ〜１１ｗの裏面とを半田付けまたはロウ付けするよりも簡便に接合することができる。また、自動車走行による振動があっても、弾性導体９０の撓みによって電気的接続状態が長期に安定する。   Next, referring to FIG. 8, the bus bars 11 u to 11 w are fitted into the grooves 31 u to 31 w of the housing 30, respectively. Specifically, after the structure shown in FIG. 7 is positioned below the bus bars 11u, 11v, and 11w shown in FIG. 3, the grooves 31u to 31w and the cutouts 20u to 20w are fitted, respectively. The structure shown in FIG. 7 is lifted upward. Thereby, as shown in FIG. 8, each source electrode S of semiconductor chip 1a-1c contacts each back surface of bus-bar 11u-11w, respectively. At this time, since one end of the U-shaped elastic conductor is not fixed, the elastic conductor 90 joined on each source electrode S of the semiconductor chips 1a to 1c is pressed and bent by the bus bars 11u to 11w. Due to this pressed deflection, each of the back surfaces of the bus bars 11u to 11w is pressed and brought into an electrically connected state. By interposing the elastic conductor 90, it is possible to join each source electrode S and the back surfaces of the bus bars 11u to 11w more simply than soldering or brazing. Further, even if there is vibration due to running of the automobile, the electrical connection state is stabilized for a long time due to the bending of the elastic conductor 90.

次に、図９を参照して、筐体３０の溝３２Ｌ内に、直流電源用導体としての端子板４０Ｌを嵌め込む。端子板４０Ｌは、図１に示した負の直流電源電圧ＶＬを供給するためのものであり、銅板の表面にスズまたはニッケル等のメッキ処理が施されることによって形成されている。端子板４０Ｌには所定の箇所に切り欠き２０Ｌが形成されており、この切り欠き２０Ｌを溝３２Ｌの側壁に嵌合させることによって、筐体３０と端子板４０Ｌとの位置決めがなされる。   Next, referring to FIG. 9, terminal plate 40 </ b> L as a DC power source conductor is fitted into groove 32 </ b> L of housing 30. The terminal board 40L is for supplying the negative DC power supply voltage VL shown in FIG. 1, and is formed by plating the surface of the copper board with tin or nickel. The terminal plate 40L is formed with a notch 20L at a predetermined location, and the housing 30 and the terminal plate 40L are positioned by fitting the notch 20L to the side wall of the groove 32L.

図９に図示されていないが、弾性体２００ａ〜２００ｃが半導体チップ２ａ〜２ｃと対向するように、端子板４０Ｌの面上に予め半田付けまたはロウ付けによって接合されている。具体的には、図１６のとおりで、図９のラインII−IIに沿った端子板４０Ｌを中心とした断面図である。端子板４０Ｌは、弾性体２００ａ〜２００ｃが筐体３０の蓋部８０に向くように設置される。弾性体２００ａ〜２００ｃは、熱伝導率のよい絶縁部材、例えば、表面を樹脂製の薄いカバー（ポリエチレンなど）を付けた金属製のコ字状の板バネである。   Although not shown in FIG. 9, the elastic bodies 200a to 200c are joined to the surface of the terminal board 40L in advance by soldering or brazing so as to face the semiconductor chips 2a to 2c. Specifically, FIG. 16 is a cross-sectional view centering on the terminal board 40L along the line II-II in FIG. The terminal board 40L is installed so that the elastic bodies 200a to 200c face the lid 80 of the housing 30. The elastic bodies 200a to 200c are insulating members having good thermal conductivity, for example, metal U-shaped leaf springs with a thin resin cover (such as polyethylene) on the surface.

図９に示すように、半導体チップ２ａ〜２ｃの各ソース電極Ｓ上に接合されている弾性導体９０は、端子板４０Ｌによって押し当てられ撓む。この弾性導体９０の撓みによる圧接よって、半導体チップ２ａ〜２ｃの各ソース電極Ｓと端子板４０Ｌの裏面とが電気的に接続される。   As shown in FIG. 9, the elastic conductor 90 joined on each source electrode S of the semiconductor chips 2a to 2c is pressed and bent by the terminal plate 40L. By the press contact due to the bending of the elastic conductor 90, the source electrodes S of the semiconductor chips 2a to 2c and the back surface of the terminal plate 40L are electrically connected.

筐体３０から外部に突出している端子板４０Ｌの端部には、電力供給用の高圧ケーブルの一端が接続される。高圧ケーブルの他端は、バッテリ又は昇圧コンバータに接続される。   One end of a high-voltage cable for power supply is connected to the end of the terminal board 40 </ b> L that protrudes outward from the housing 30. The other end of the high voltage cable is connected to a battery or a boost converter.

次に、図１０を参照して、筐体３０の開口部３３にコネクタ６０を嵌め込み、ネジ止め等によって固定する。コネクタ６０は複数の端子６２を有しており、端子６２は筐体３０内に突出している。コネクタ６０には、端子６２に電気的に接続された信号線６１の一端が接続されている。信号線６１の他端は、図１に示した制御回路７に接続される。   Next, referring to FIG. 10, the connector 60 is fitted into the opening 33 of the housing 30 and fixed by screwing or the like. The connector 60 has a plurality of terminals 62, and the terminals 62 protrude into the housing 30. One end of a signal line 61 electrically connected to the terminal 62 is connected to the connector 60. The other end of the signal line 61 is connected to the control circuit 7 shown in FIG.

次に、図１１を参照して、コネクタ６０の端子６２と、半導体チップ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの各ゲート電極Ｇとを、ボンディングワイヤ７０によってそれぞれ接続する。これにより、図１に示した制御回路７と、半導体チップ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの各ゲート電極Ｇとが、信号線６１、端子６２、およびボンディングワイヤ７０を介して、それぞれ電気的に接続される。   Next, referring to FIG. 11, the terminal 62 of the connector 60 and the gate electrodes G of the semiconductor chips 1 a to 1 c and 2 a to 2 c are connected by bonding wires 70. Thereby, the control circuit 7 shown in FIG. 1 is electrically connected to the gate electrodes G of the semiconductor chips 1a to 1c and 2a to 2c via the signal lines 61, the terminals 62, and the bonding wires 70, respectively. Is done.

なお、筐体３０内に所望のセンサ等を配設してもよく、この場合は、上記のゲート電極Ｇと同様に、センサの出力端子とコネクタ６０の端子６２とをボンディングワイヤ７０によって接続することにより、センサの出力信号をコネクタ６０から筐体３０の外部に取り出すことができる。   In addition, a desired sensor or the like may be disposed in the housing 30. In this case, the output terminal of the sensor and the terminal 62 of the connector 60 are connected by the bonding wire 70 similarly to the gate electrode G described above. Thus, the output signal of the sensor can be taken out of the housing 30 from the connector 60.

次に、図１２を参照して、蓋部８０を筐体３０の上面に固定する。このとき、端子板４０Ｌ上の弾性体２００ａ〜２００ｃも蓋部８０に押し当てられ、弾性体の反発力により弾性体から半導体チップ方向への力が加わる。反対に、端子板４０Ｈの弾性体１００ａ〜１００ｃは、弾性体の反発力により弾性体から半導体チップ方向への力が加わる。   Next, referring to FIG. 12, lid 80 is fixed to the upper surface of housing 30. At this time, the elastic bodies 200a to 200c on the terminal board 40L are also pressed against the lid 80, and a force from the elastic body toward the semiconductor chip is applied by the repulsive force of the elastic body. On the other hand, the elastic bodies 100a to 100c of the terminal board 40H are subjected to a force from the elastic body toward the semiconductor chip by the repulsive force of the elastic body.

その後、筐体３０の孔（図示せず）から、図１１に示した筐体３０の内部へ樹脂等の絶縁性の封止材を流し込み、封止する。なお、蓋部８０や底部８１の材質は、筐体３０の材質と同一であってもよい。   Thereafter, an insulating sealing material such as resin is poured into the housing 30 shown in FIG. 11 from a hole (not shown) of the housing 30 and sealed. Note that the material of the lid 80 and the bottom 81 may be the same as the material of the housing 30.

以上の工程により、本実施の形態に係るパワーモジュールの組立が完了する。なお、ソース電極Ｓが端子板４０Ｌの裏面やバスバー１１ｕ〜１１ｗの各裏面に半田付けまたはロウ付けされる場合、ドレイン電極Ｄに弾性導体９０を介在させることも可能である。   Through the above steps, the assembly of the power module according to the present embodiment is completed. In addition, when the source electrode S is soldered or brazed to the back surface of the terminal plate 40L and the back surfaces of the bus bars 11u to 11w, the elastic conductor 90 can be interposed in the drain electrode D.

このように本実施の形態に係るパワーモジュールによれば、筐体３０内にはパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃが実装されており、図１に示した制御回路７は、筐体３０内に実装されるのではなく、筐体３０の外部に配設されている。つまり、本実施の形態に係るパワーモジュールにおいては、インバータ回路８及び電機モータ４が一体化して構成され、制御回路７は別体として構成されている。従って、制御回路７、インバータ回路８および電機モータ４の全てが一体化して構成されているパワーモジュールと比較すると、全体として装置の小型化を図ることができる。   As described above, according to the power module according to the present embodiment, the power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c are mounted in the casing 30, and the control circuit 7 shown in FIG. Instead of being mounted, it is disposed outside the housing 30. That is, in the power module according to the present embodiment, the inverter circuit 8 and the electric motor 4 are integrally configured, and the control circuit 7 is configured as a separate body. Therefore, as compared with a power module in which all of the control circuit 7, the inverter circuit 8, and the electric motor 4 are integrated, the overall size of the apparatus can be reduced.

また、インバータ回路８と電機モータ４とが一体化して構成されていることにより、インバータ回路８と電機モータ４とを互いに接続するための大電流量の配線ケーブルが不要となるため、配線の簡素化を図ることもできる。   In addition, since the inverter circuit 8 and the electric motor 4 are configured integrally, a wiring cable having a large amount of current for connecting the inverter circuit 8 and the electric motor 4 to each other is not necessary, so that the wiring is simplified. Can also be achieved.

さらに、本実施の形態に係るパワーモジュールによれば、図１１に示したように、半導体チップ１ａ〜１ｃは端子板４０Ｈとバスバー１１ｕ〜１１ｗとの間に実装され、半導体チップ２ａ〜２ｃはバスバー１１ｕ〜１１ｗと端子板４０Ｌとの間に実装される。従って、半導体チップ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃを実装するためのプリント基板が不要となるため、全体として装置の小型化を図ることができる。   Furthermore, according to the power module of the present embodiment, as shown in FIG. 11, the semiconductor chips 1a to 1c are mounted between the terminal plate 40H and the bus bars 11u to 11w, and the semiconductor chips 2a to 2c are bus bars. It is mounted between 11u-11w and terminal board 40L. Accordingly, since a printed circuit board for mounting the semiconductor chips 1a to 1c and 2a to 2c is not necessary, the overall size of the apparatus can be reduced.

また、端子板４０Ｈと底部８１との間及び／又は端子板４０Ｌと蓋部８０との間に、それぞれ弾性体１００ａ〜１００ｃ、２００ａ〜２００ｃを介在させ、その弾性体１００ａ〜１００ｃ、２００ａ〜２００ｃの反発力により、自動車による振動下でも、安定的に電気的接続状態を保持できる。   Further, elastic bodies 100a to 100c and 200a to 200c are interposed between the terminal plate 40H and the bottom portion 81 and / or between the terminal plate 40L and the lid portion 80, respectively, and the elastic bodies 100a to 100c and 200a to 200c. Due to the repulsive force, it is possible to stably maintain an electrical connection state even under vibration caused by an automobile.

さらに、自動車の振動時、半導体チップ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃに瞬間的に加わる力をその弾性体１００ａ〜１００ｃ、２００ａ〜２００ｃが吸収するため、半導体チップ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの破壊を防ぐことができる。   Furthermore, since the elastic bodies 100a to 100c and 200a to 200c absorb the momentary force applied to the semiconductor chips 1a to 1c and 2a to 2c during automobile vibration, the semiconductor chips 1a to 1c and 2a to 2c are destroyed. Can be prevented.

加えて、弾性体１００ａ〜１００ｃ、２００ａ〜２００ｃ、蓋部８０や底部８１の材質が熱伝導性の高い材料であれば、半導体チップ１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃが発生する熱を弾性体１００ａ〜１００ｃ、２００ａ〜２００ｃ、蓋部８０や底部８１を通じて放熱することができる。   In addition, if the materials of the elastic bodies 100a to 100c, 200a to 200c, the lid portion 80, and the bottom portion 81 are materials having high thermal conductivity, the heat generated by the semiconductor chips 1a to 1c and 2a to 2c is transferred to the elastic bodies 100a to 100c. The heat can be radiated through 100 c, 200 a to 200 c, the lid 80 and the bottom 81.

また、半導体チップ１ａ〜１ｃの各ソース電極Ｓは、弾性導体９０を介在することによってバスバー１１ｕ〜１１ｗの各裏面にそれぞれ接合され、半導体チップ２ａ〜２ｃの各ソース電極Ｓは、弾性導体９０を介在することによって端子板４０Ｌの裏面に接合される。このため、半導体チップ１ａ〜１ｃとバスバー１１ｕ〜１１ｗとを、および、半導体チップ２ａ〜２ｃと端子板４０Ｌとを、簡便に接続することができる。   The source electrodes S of the semiconductor chips 1a to 1c are joined to the back surfaces of the bus bars 11u to 11w by interposing the elastic conductor 90, and the source electrodes S of the semiconductor chips 2a to 2c are connected to the elastic conductor 90. By interposing, it is joined to the back surface of terminal board 40L. For this reason, the semiconductor chips 1a to 1c and the bus bars 11u to 11w can be easily connected to the semiconductor chips 2a to 2c and the terminal plate 40L.

さらに、端子板４０Ｈ、バスバー１１ｕ〜１１ｗおよび端子板４０Ｌが、筐体３０の溝３２Ｈ，３１ｕ〜３１ｗ，３２Ｌにそれぞれ嵌め込まれることにより、相互の位置関係が規定される。従って、端子板４０Ｈ、バスバー１１ｕ〜１１ｗ、及び端子板４０Ｌの位置決め作業の容易化を図ることができる。なお、図７〜１２において、端子板４０Ｈ，４０Ｌの端部は筐体３０内に位置するが、溝３２Ｈ，３２Ｌに対向する筐体３０内の側壁に新たな溝を設け、これらの端部を新たな溝に嵌合し固定をしてもよい。端子板４０Ｈ，４０Ｌの端部を固定することにより、バスバー１１ｕ〜１１ｗとの位置決め精度を向上させ、ひいては各ソース電極Ｓ上の弾性導体９０がバネの撓みにより圧接される部分の位置決め精度を向上させることができる。   Further, the terminal plate 40H, the bus bars 11u to 11w, and the terminal plate 40L are fitted into the grooves 32H, 31u to 31w, and 32L of the housing 30, respectively, thereby defining the mutual positional relationship. Therefore, the positioning work of the terminal plate 40H, the bus bars 11u to 11w, and the terminal plate 40L can be facilitated. 7 to 12, the end portions of the terminal plates 40H and 40L are located in the housing 30, but new grooves are provided on the side walls in the housing 30 facing the grooves 32H and 32L, and these end portions are provided. May be fitted into a new groove and fixed. By fixing the end portions of the terminal plates 40H and 40L, the positioning accuracy with the bus bars 11u to 11w is improved, and as a result, the positioning accuracy of the portion where the elastic conductor 90 on each source electrode S is pressed by the bending of the spring is improved. Can be made.

しかも、筐体３０の内部は絶縁性の封止材によって封止されている。従って、端子板４０Ｈ，４０Ｌ間やバスバー１１ｕ〜１１ｗ間の放電を効果的に防止できるとともに、防塵効果や防水効果等の耐環境性を高めることができる。   Moreover, the inside of the housing 30 is sealed with an insulating sealing material. Therefore, discharge between the terminal boards 40H and 40L and between the bus bars 11u to 11w can be effectively prevented, and environmental resistance such as a dustproof effect and a waterproof effect can be enhanced.

本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the power module which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールが備えるバスバー１１の構造の一部を示す上面図である。It is a top view which shows a part of structure of the bus-bar 11 with which the power module which concerns on embodiment of this invention is provided. 領域５０におけるバスバー１１ｕ〜１１ｗの構造を具体的に示す斜視図である。4 is a perspective view specifically showing the structure of bus bars 11u to 11w in a region 50. FIG. 図３に示した半導体チップ２ａの構造を示す上面図である。FIG. 4 is a top view showing the structure of the semiconductor chip 2a shown in FIG. 図４に示したラインＶ−Ｖに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional structure regarding a position along a line VV illustrated in FIG. 4. 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールが備える筐体３０の構造を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the housing | casing 30 with which the power module which concerns on embodiment of this invention is provided. 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the assembly process of the power module which concerns on embodiment of this invention in order. 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the assembly process of the power module which concerns on embodiment of this invention in order. 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the assembly process of the power module which concerns on embodiment of this invention in order. 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the assembly process of the power module which concerns on embodiment of this invention in order. 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the assembly process of the power module which concerns on embodiment of this invention in order. 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの組立工程を順に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the assembly process of the power module which concerns on embodiment of this invention in order. ソース電極Ｓ上に弾性導体９０を接合した半導体チップ２ａの構造を示す上面図である。FIG. 6 is a top view showing a structure of a semiconductor chip 2a in which an elastic conductor 90 is joined on a source electrode S. 図１３に示したラインＶ−Ｖに沿った位置に関する断面構造を示す断面図であって、ソース電極Ｓ上に弾性導体９０を接合した半導体チップ２ａの断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure with respect to a position along line V-V shown in FIG. 図７のＩ−Ｉに沿った端子板４０Ｈの断面構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross-section of the terminal board 40H along II of FIG. 図９のII−IIに沿った端子板４０Ｌの断面構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross-section of the terminal board 40L along II-II of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃ パワーＭＯＳＦＥＴ（半導体チップ）
３ 電磁コイル
４ 電機モータ
５ｕ〜５ｗ 電極
６ｕ〜６ｗ ノード
７ 制御回路
８ インバータ回路
１０ 筐体
１０ａ，１０ｂ 内壁
１１，１１ｕ〜１１ｗ バスバー
２０ｕ〜２０ｗ，２０Ｈ，２０Ｌ 切り欠き
３０ 筐体
３１ｕ〜３１ｗ，３２Ｈ，３２Ｌ 溝
３３ 開口部
４０Ｈ，４０Ｌ 端子板
５０ 筐体１０が形成されていない領域
６０ コネクタ
６１ 信号線
６２ 端子
７０ ボンディングワイヤ
８０ 蓋部
８１ 底部
９０ 弾性導体
１００ａ〜１００ｃ，２００ａ〜２００ｃ 弾性体
1a to 1c, 2a to 2c Power MOSFET (semiconductor chip)
3 Electromagnetic coil 4 Electric motor 5u-5w Electrode 6u-6w Node 7 Control circuit 8 Inverter circuit 10 Housing 10a, 10b Inner wall 11, 11u-11w Busbar 20u-20w, 20H, 20L Notch 30 Housing 31u-31w, 32H , 32L Groove 33 Opening 40H, 40L Terminal plate 50 Region in which housing 10 is not formed 60 Connector 61 Signal line 62 Terminal 70 Bonding wire 80 Lid 81 Bottom 90 Elastic conductor 100a to 100c, 200a to 200c Elastic body

Claims (3)

蓋部と底部とを有する筐体と、
２本の直流電源用導体と、
３本の三相交流電力供給用導体と、
該直流電源用導体のいずれか１本と該三相交流電力供給用導体のいずれか１本からなる６組の導体対のそれぞれに挟持され、かつ、該筐体内に位置する６個のパワースイッチング素子から構成されるパワーモジュールであって、
該各パワースイッチング素子は、第１の面に第１の通電電極を有し、該第１の面とは表裏関係を成す第２の面に第２の通電電極を有しており、
該第１の通電電極が該直流電源用導体に接続され、かつ、該第２の通電電極が該三相交流電力供給用導体に接続され、
該直流電源用導体のいずれか１本と該蓋部又は該底部のいずれか一方との間に、弾性体を介在させることを特徴とするパワーモジュール。 A housing having a lid and a bottom;
Two conductors for DC power supply,
Three three-phase AC power supply conductors;
Six power switching units sandwiched between each of six conductor pairs each including one of the DC power supply conductors and one of the three-phase AC power supply conductors and located in the casing A power module composed of elements,
Each power switching element has a first current-carrying electrode on a first surface, and a second current-carrying electrode on a second surface that forms a front-back relationship with the first surface,
The first current-carrying electrode is connected to the DC power supply conductor, and the second current-carrying electrode is connected to the three-phase AC power supply conductor;
A power module characterized in that an elastic body is interposed between any one of the DC power supply conductors and either the lid or the bottom. 前記パワースイッチング素子の該第１の通電電極又は該第２の通電電極のいずれか一方の電極と該直流電源用導体又は該三相交流電力供給用導体のいずれか一方の導体との間に、弾性導体を介在させることを特徴とする請求項１のパワーモジュール。   Between any one of the first current-carrying electrode or the second current-carrying electrode of the power switching element and either the DC power supply conductor or the three-phase AC power supply conductor, 2. The power module according to claim 1, wherein an elastic conductor is interposed. 該三相交流電力供給用導体は環状導体であることを特徴とする請求項１又は２のパワーモジュール。   3. The power module according to claim 1, wherein the three-phase AC power supply conductor is an annular conductor.
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