JP2007060733A - Power module - Google Patents

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Masahiro Tokunaga
昌弘 徳永
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a power module with which the heat generated from a power switching element can be dissipated efficiently, without complicating the mechanism of the apparatus or accompanying increase in the weight of the apparatus, and the apparatus can be miniaturized and facilitates mounting on an HEV. <P>SOLUTION: One end of a thermally conductive sheet 56 is secured to a motor case 55. The other end of the thermally conductive sheet 56 is inserted into a housing 13 from a gap provided in a cover 50 and then is stuck to the back of a substrate 19 through thermally conductive adhesive. Heat generated from power MOSFETs 1a-1c, 2a-2c is conducted to the motor case 55 via the substrate 19 and the thermally conductive sheet 56, and is dissipated by the cooling mechanism of an electric motor 4. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、パワーモジュールに関し、特に、電機モータと、当該電機モータを駆動するためのインバータ回路とを備えるパワーモジュールに関する。   The present invention relates to a power module, and more particularly, to a power module including an electric motor and an inverter circuit for driving the electric motor.

近年、環境意識の高まりから、ガソリンエンジンと電機モータとの双方を動力源として用いるハイブリッド自動車(HEV)が注目されている。HEVにおいては、複数のパワースイッチング素子を備えるインバータ回路を用いて直流電源をスイッチングすることによって、電機モータが交流駆動されている。スイッチング素子のオン/オフは、制御回路によって制御される。   In recent years, attention has been paid to a hybrid vehicle (HEV) using both a gasoline engine and an electric motor as power sources due to an increase in environmental awareness. In HEV, an electric motor is AC-driven by switching a DC power source using an inverter circuit including a plurality of power switching elements. On / off of the switching element is controlled by a control circuit.

従来のパワーモジュールの構成例として、インバータ回路と、制御回路と、電機モータとが一体化して構成されたパワーモジュールがある(下記特許文献1参照)。かかる従来のパワーモジュールでは、モータハウジングの周壁外周面にプリント基板が固定され、プリント基板上にインバータ回路と制御回路とが実装されている。   As a configuration example of a conventional power module, there is a power module in which an inverter circuit, a control circuit, and an electric motor are integrated (see Patent Document 1 below). In such a conventional power module, a printed circuit board is fixed to the outer peripheral surface of the peripheral wall of the motor housing, and an inverter circuit and a control circuit are mounted on the printed circuit board.

なお、参考例として、リング状のバスバーを備える車両用ブラシレスモータに関する技術が、例えば下記特許文献2,3に開示されている。   As a reference example, technologies relating to a vehicle brushless motor including a ring-shaped bus bar are disclosed in, for example, Patent Documents 2 and 3 below.

特開2003−324903号公報JP 2003-324903 A 特開2003−134728号公報JP 2003-134728 A 特開2003−134756号公報JP 2003-134756 A

上記した従来のパワーモジュールによると、インバータ回路、制御回路、及び電機モータの全てが一体化して構成されているため、装置が大型化する。従って、かかるパワーモジュールをHEVに搭載することを考えると、大型のパワーモジュールを搭載するための大きなスペースを車両内に確保する必要があるため、HEVへの搭載が困難であるという問題がある。   According to the above-described conventional power module, since the inverter circuit, the control circuit, and the electric motor are all integrated, the apparatus becomes large. Accordingly, considering that such a power module is mounted on the HEV, there is a problem that it is difficult to mount the HEV on the HEV because it is necessary to secure a large space in the vehicle for mounting the large power module.

また、HEVに搭載されたパワーモジュールは大電流を扱うため、パワースイッチング素子からの発熱が大きくなる。ここで、パワースイッチング素子からの発熱を放熱すべく、冷却フィン等を有する放熱機構を、パワースイッチング素子が実装される基板の裏面に配設することも考えられる。しかし、この場合は、基板の裏面に配設された放熱機構を機械的に支持すべく、基板が収納される筐体の板厚を厚くしたり、金属部材で補強する等の必要がある。そのため、装置の機構が複雑となるばかりか、装置の重量も増大するという問題がある。   In addition, since the power module mounted on the HEV handles a large current, heat generated from the power switching element increases. Here, in order to dissipate heat generated from the power switching element, a heat dissipating mechanism having a cooling fin or the like may be disposed on the back surface of the substrate on which the power switching element is mounted. However, in this case, in order to mechanically support the heat dissipation mechanism disposed on the back surface of the substrate, it is necessary to increase the thickness of the housing in which the substrate is accommodated or to reinforce it with a metal member. Therefore, there is a problem that not only the mechanism of the apparatus becomes complicated, but also the weight of the apparatus increases.

本発明は、かかる問題を解決するために成されたものであり、パワースイッチング素子からの発熱を、装置機構の複雑化や装置重量の増大を伴うことなく効率的に放熱でき、しかも、装置を小型化してHEVへの搭載を容易化し得るパワーモジュールを得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve such a problem, and can efficiently dissipate heat generated from the power switching element without increasing the complexity of the device mechanism and increasing the weight of the device. It is an object of the present invention to obtain a power module that can be miniaturized and easily mounted on an HEV.

第1の発明に係るパワーモジュールは、電磁コイルを有するモータが収納されたモータケースと、複数のパワー素子を備え、電磁コイルに接続されたインバータ回路と、複数のパワー素子の各々の半導体チップが主面に実装された基板と、モータケースと基板とに接続された熱伝導シートとを備えることを特徴とする。   A power module according to a first invention includes a motor case in which a motor having an electromagnetic coil is housed, a plurality of power elements, an inverter circuit connected to the electromagnetic coil, and a semiconductor chip of each of the plurality of power elements. It is provided with the board | substrate mounted in the main surface, and the heat conductive sheet connected to the motor case and the board | substrate.

第2の発明に係るパワーモジュールは、第1の発明に係るパワーモジュールにおいて特に、熱伝導シートは、基板の裏面に接触していることを特徴とする。   The power module according to the second invention is characterized in that, in the power module according to the first invention, the heat conductive sheet is in contact with the back surface of the substrate.

第3の発明に係るパワーモジュールは、電磁コイルを有するモータが収納されたモータケースと、複数のパワー素子を備え、電磁コイルに接続されたインバータ回路と、複数のパワー素子の各々の半導体チップが実装された基板と、モータケースと半導体チップとに接続された熱伝導シートとを備えることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a power module including a motor case in which a motor having an electromagnetic coil is accommodated, an inverter circuit connected to the electromagnetic coil, and a semiconductor chip for each of the plurality of power elements. It is provided with the mounted board | substrate and the heat conductive sheet connected to the motor case and the semiconductor chip.

第4の発明に係るパワーモジュールは、第1〜第3の発明のいずれか一つに係るパワーモジュールにおいて特に、熱導電シートは、高熱伝導性のグラファイトシートであることを特徴とする。   The power module according to a fourth invention is characterized in that, in the power module according to any one of the first to third inventions, the thermal conductive sheet is a highly thermal conductive graphite sheet.

第1、第2、又は第4の発明に係るパワーモジュールによれば、半導体チップが実装された基板は、熱伝導シートによってモータケースに接続されている。そのため、半導体チップからの発熱は、基板及び熱伝導シートを介してモータケースに伝導され、モータの冷却機構によって放熱される。従って、半導体チップからの発熱を効率的に放熱することができる。   According to the power module according to the first, second, or fourth invention, the substrate on which the semiconductor chip is mounted is connected to the motor case by the heat conductive sheet. Therefore, the heat generated from the semiconductor chip is conducted to the motor case via the substrate and the heat conductive sheet, and is radiated by the motor cooling mechanism. Therefore, the heat generated from the semiconductor chip can be efficiently radiated.

また、基板の裏面に放熱機構を配設する必要がないため、装置機構を簡略化できるとともに、装置の軽量化を図ることもできる。   Further, since it is not necessary to dispose a heat dissipation mechanism on the back surface of the substrate, the apparatus mechanism can be simplified and the apparatus can be reduced in weight.

特に第2の発明に係るパワーモジュールによれば、熱伝導シートは基板の裏面に接触している。基板の裏面には配線パターンやボンディングワイヤ等が形成されていないため、熱伝導の経路となる熱伝導シートを、基板に簡単に密着させることができる。   Particularly in the power module according to the second invention, the heat conductive sheet is in contact with the back surface of the substrate. Since a wiring pattern, a bonding wire, or the like is not formed on the back surface of the substrate, a heat conductive sheet serving as a heat conduction path can be easily adhered to the substrate.

第3又は第4の発明に係るパワーモジュールによれば、半導体チップは、熱伝導シートによってモータケースに接続されている。そのため、半導体チップからの発熱は、熱伝導シートを介してモータケースに伝導され、モータの冷却機構によって放熱される。従って、半導体チップからの発熱を効率的に放熱することができる。しかも、半導体チップは熱伝導シートに直接接触しているため、かかる放熱効果は高い。   According to the power module of the third or fourth aspect of the invention, the semiconductor chip is connected to the motor case by the heat conductive sheet. Therefore, the heat generated from the semiconductor chip is conducted to the motor case via the heat conductive sheet, and is radiated by the motor cooling mechanism. Therefore, the heat generated from the semiconductor chip can be efficiently radiated. Moreover, since the semiconductor chip is in direct contact with the heat conductive sheet, such a heat dissipation effect is high.

また、基板の裏面に放熱機構を配設する必要がないため、装置機構を簡略化できるとともに、装置の軽量化を図ることもできる。   Further, since it is not necessary to dispose a heat dissipation mechanism on the back surface of the substrate, the apparatus mechanism can be simplified and the apparatus can be reduced in weight.

特に第4の発明に係るパワーモジュールによれば、高熱伝導性のグラファイトシートを用いることによって、銅等の金属の熱伝導シートを用いた場合と比較すると、軽量化を図ることができる。   In particular, according to the power module according to the fourth aspect of the invention, the use of a highly heat conductive graphite sheet makes it possible to reduce the weight as compared with the case where a heat conductive sheet of metal such as copper is used.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、異なる図面において同一又は相応する符号を付した要素は、同一又は相応する要素を示すものとする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the element which attached | subjected the same or corresponding code | symbol in different drawing shall show the same or corresponding element.

図1は、本実施の形態に係るパワーモジュールの構成を示す回路図である。図1には、パワースイッチング素子として、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cが用いられた例が示されている。本実施の形態に係るパワーモジュールは、三相(U相、V相、W相)の電機モータ4と、電機モータ4を駆動するためのインバータ回路8と、インバータ回路8が有するパワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cを制御するための制御回路7とを備えている。   FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a power module according to the present embodiment. FIG. 1 shows an example in which power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c are used as power switching elements. The power module according to the present embodiment includes a three-phase (U-phase, V-phase, W-phase) electric motor 4, an inverter circuit 8 for driving the electric motor 4, and power MOSFETs 1a to 1c included in the inverter circuit 8. , 2a to 2c.

パワーMOSFET1a,2aは、正の直流電源電圧(第1電圧)VHと負の直流電源電圧(第2電圧)VLとの間で、ノード6uを介して直列に接続されている。具体的に、パワーMOSFET1aのドレイン電極は電源電圧VHに接続され、ソース電極はノード6uに接続されている。また、パワーMOSFET2aのドレイン電極はノード6uに接続され、ソース電極は電源電圧VLに接続されている。同様に、パワーMOSFET1b,2bは、電源電圧VHと電源電圧VLとの間でノード6vを介して直列に接続されており、パワーMOSFET1c,2cは、電源電圧VHと電源電圧VLとの間でノード6wを介して直列に接続されている。   The power MOSFETs 1a and 2a are connected in series via a node 6u between a positive DC power supply voltage (first voltage) VH and a negative DC power supply voltage (second voltage) VL. Specifically, the drain electrode of the power MOSFET 1a is connected to the power supply voltage VH, and the source electrode is connected to the node 6u. The drain electrode of the power MOSFET 2a is connected to the node 6u, and the source electrode is connected to the power supply voltage VL. Similarly, power MOSFETs 1b and 2b are connected in series via a node 6v between power supply voltage VH and power supply voltage VL, and power MOSFETs 1c and 2c are connected between power supply voltage VH and power supply voltage VL. 6w is connected in series.

パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cの各ゲート電極は、制御回路7に接続されている。制御回路7は、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cの各ゲート電極に電圧パルスを印加することにより、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cをそれぞれ駆動する。   The gate electrodes of the power MOSFETs 1 a to 1 c and 2 a to 2 c are connected to the control circuit 7. The control circuit 7 drives the power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c by applying voltage pulses to the gate electrodes of the power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c, respectively.

ノード6u,6v,6wは、電機モータ4の各相の電極5u,5v,5wにそれぞれ接続されている。制御回路7によってパワーMOSFET1a〜1c及びパワーMOSFET2a〜2cのいずれを駆動するかによって、電機モータ4が備える電磁コイル3に流れる電流の向きを制御することができる。また、制御回路7からパワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cの各ゲート電極に印加される電圧パルスのパルス幅によって、電磁コイル3に流れる電流の大きさを制御することができる。   The nodes 6u, 6v, 6w are connected to the electrodes 5u, 5v, 5w of each phase of the electric motor 4, respectively. Depending on which of the power MOSFETs 1a to 1c and the power MOSFETs 2a to 2c is driven by the control circuit 7, the direction of the current flowing in the electromagnetic coil 3 provided in the electric motor 4 can be controlled. The magnitude of the current flowing through the electromagnetic coil 3 can be controlled by the pulse width of the voltage pulse applied from the control circuit 7 to the gate electrodes of the power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c.

なお、図1には、パワースイッチング素子としてパワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cが用いられた例が示されているが、パワーMOSFETの代わりにIGBT等の他のパワースイッチング素子を用いてもよい。あるいは、SiC,GaN,C等のワイドバンドギャップ半導体を用いた、大電力制御可能かつ高温動作可能なトランジスタを使用してもよい。ワイドバンドギャップデバイスを用いた場合には、電機モータ4と同様に高温環境で動作可能なインバータ回路を実現することができる。   FIG. 1 shows an example in which power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c are used as power switching elements, but other power switching elements such as IGBTs may be used instead of the power MOSFETs. Alternatively, a transistor capable of controlling high power and operating at high temperature using a wide band gap semiconductor such as SiC, GaN, or C may be used. When a wide band gap device is used, an inverter circuit that can operate in a high-temperature environment can be realized like the electric motor 4.

また、図1には、U,V,Wの各相のハイサイド及びローサイドに各1個のパワーMOSFETのみが用いられた例が示されているが、電流容量に応じて、それぞれ複数個のパワーMOSFETを用いて構成してもよい。   FIG. 1 shows an example in which only one power MOSFET is used for each of the high side and the low side of each of U, V, and W phases. A power MOSFET may be used.

図2は、図1に示したインバータ回路8の構造を示す平面図である。電機モータ4の外周に沿って、リング状のバスバー11が配設されている。バスバー11は、電機モータ4のU相に対応するバスバー11uと、V相に対応するバスバー11vと、W相に対応するバスバー11wとに分割されている。バスバー11u〜11wは、打ち抜き加工された銅板の表面にスズメッキが施されることによって構成されている。バスバー11u〜11wは、筐体10内に収納されており、電機モータ4のモータステータの各相の電極5u,5v,5w(図2には示さない)に接続されている。   FIG. 2 is a plan view showing the structure of the inverter circuit 8 shown in FIG. A ring-shaped bus bar 11 is disposed along the outer periphery of the electric motor 4. The bus bar 11 is divided into a bus bar 11u corresponding to the U phase of the electric motor 4, a bus bar 11v corresponding to the V phase, and a bus bar 11w corresponding to the W phase. The bus bars 11u to 11w are configured by performing tin plating on the surface of a punched copper plate. The bus bars 11u to 11w are housed in the housing 10 and connected to electrodes 5u, 5v, 5w (not shown in FIG. 2) of each phase of the motor stator of the electric motor 4.

筐体10は、PPS等の耐熱性樹脂によって構成されている。但し、筐体10は、強度を高めるために、金属部材によって強化されていてもよい。筐体10の内部には溝が形成されており、その溝部分に、バスバー11u〜11wが填め込まれている(後述の図6,7参照)。   The housing 10 is made of a heat resistant resin such as PPS. However, the housing 10 may be reinforced by a metal member in order to increase the strength. A groove is formed inside the housing 10, and bus bars 11u to 11w are fitted in the groove portion (see FIGS. 6 and 7 described later).

筐体10の外周側壁には、筐体10と同様の材質から成る筐体13が、填め込み又はネジ止め等によって固定されている。筐体13内には、基板19が収納・固定されている。基板19の主面上には、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cの各半導体チップが実装されている。また、基板19の主面上には、コネクタ14が、ネジ止め等によって固定されている。コネクタ14の端子は、半田付け又はロウ付けによって、基板19に接続されている。コネクタ14内には、コネクタ15を差し込むことが可能である。コネクタ15には接続線16の一端が接続されており、接続線16の他端は、図1に示した制御回路7に接続されている。   A casing 13 made of the same material as the casing 10 is fixed to the outer peripheral side wall of the casing 10 by fitting or screwing. A substrate 19 is housed and fixed in the housing 13. On the main surface of the substrate 19, the semiconductor chips of the power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c are mounted. Further, the connector 14 is fixed on the main surface of the substrate 19 by screws or the like. The terminals of the connector 14 are connected to the substrate 19 by soldering or brazing. A connector 15 can be inserted into the connector 14. One end of a connection line 16 is connected to the connector 15, and the other end of the connection line 16 is connected to the control circuit 7 shown in FIG.

基板19とバスバー11u,11v,11wとは、それぞれ接続電極12u,12v,12wによって互いに接続されている。接続電極12u〜12wの材質は、バスバー11u〜11wの材質と同様である。接続電極12u,12v,12wの各一端は、半田付け、ロウ付け、又は溶接によって、それぞれバスバー11u,11v,11wに接続されており、接続電極12u,12v,12wの各他端は、半田付け又はロウ付けによって、基板19に接続されている。これにより、接続電極12u〜12wとバスバー11u〜11w及び基板19とを、信頼性高くかつ簡便に接続することができる。   The substrate 19 and the bus bars 11u, 11v, 11w are connected to each other by connection electrodes 12u, 12v, 12w, respectively. The material of the connection electrodes 12u to 12w is the same as the material of the bus bars 11u to 11w. One end of each of the connection electrodes 12u, 12v, and 12w is connected to the bus bars 11u, 11v, and 11w by soldering, brazing, or welding, and the other end of each of the connection electrodes 12u, 12v, and 12w is soldered. Alternatively, it is connected to the substrate 19 by brazing. Accordingly, the connection electrodes 12u to 12w, the bus bars 11u to 11w, and the substrate 19 can be connected with high reliability and simply.

接続電極12u,12v,12w間での放電を防止すべく、平面視上で互いに隣接する接続電極12u,12v,12w同士の間隔が、所定の距離以上に保たれている。   In order to prevent discharge between the connection electrodes 12u, 12v, and 12w, the distance between the connection electrodes 12u, 12v, and 12w adjacent to each other in a plan view is maintained at a predetermined distance or more.

また、基板19には、電源電圧VHを供給するための高圧接続端子17の一端と、電源電圧VLを供給するための高圧接続端子18の一端とが、半田付け又はロウ付けによって接続されている。高圧接続端子17,18の材質は、バスバー11u〜11wの材質と同様である。高圧接続端子17,18の各他端は、電力供給用の高圧ケーブルによって、バッテリ又は昇圧コンバータに接続される。高圧接続端子17,18の各他端と、電力供給用の高圧ケーブルとは、ボルト等によって互いに固定される。   Further, one end of the high-voltage connection terminal 17 for supplying the power supply voltage VH and one end of the high-voltage connection terminal 18 for supplying the power supply voltage VL are connected to the substrate 19 by soldering or brazing. . The material of the high-voltage connection terminals 17 and 18 is the same as the material of the bus bars 11u to 11w. The other ends of the high-voltage connection terminals 17 and 18 are connected to a battery or a boost converter by a high-voltage cable for power supply. The other ends of the high-voltage connection terminals 17 and 18 and the high-voltage cable for supplying power are fixed to each other by bolts or the like.

図3は、図2に示した基板19の構造を具体的に示す平面図である。基板19の主面上には、配線パターン20,21,22a〜22c,241〜246が形成されているとともに、金属のパッド23a〜23cが貼り付けられている。配線パターン241〜246は、金属によって形成されており、コネクタ14の各端子に接続されている。配線パターン20,21,22a〜22cは厚膜の金属によって形成されており、これにより、大電流に対応可能となるため、ハイブリッド自動車の駆動用モータに適用することが可能となる。 FIG. 3 is a plan view specifically showing the structure of the substrate 19 shown in FIG. On the main surface of the substrate 19, wiring patterns 20, 21, 22a to 22c, 24 1 to 24 6 are formed, and metal pads 23a to 23c are attached. The wiring patterns 24 1 to 24 6 are made of metal and connected to the terminals of the connector 14. Since the wiring patterns 20, 21, 22a to 22c are made of a thick metal, and can handle a large current, it can be applied to a drive motor for a hybrid vehicle.

配線パターン20上には、縦型パワーMOSFET1a〜1cがボンディングされている。また、配線パターン20には、高圧接続端子17の一端が接続されている。配線パターン21には、高圧接続端子18の一端が接続されている。配線パターン22a,22b,22c上には、それぞれ縦型パワーMOSFET2a,2b,2cがボンディングされている。パッド23a,23b,23cには、それぞれ接続電極12u,12v,12wの各他端が接続されている。   On the wiring pattern 20, vertical power MOSFETs 1a to 1c are bonded. In addition, one end of the high-voltage connection terminal 17 is connected to the wiring pattern 20. One end of the high voltage connection terminal 18 is connected to the wiring pattern 21. Vertical power MOSFETs 2a, 2b, and 2c are bonded to the wiring patterns 22a, 22b, and 22c, respectively. The other ends of the connection electrodes 12u, 12v, and 12w are connected to the pads 23a, 23b, and 23c, respectively.

基板19の四隅にはネジ孔25が形成されており、ネジ孔25内に螺挿されるネジによって、基板19と図2に示した筐体13とが互いに固定される。また、高圧接続端子17,18の各他端には、ボルトによって電力供給用の高圧ケーブルを圧着するためのボルト孔26,27が形成されている。   Screw holes 25 are formed at the four corners of the substrate 19, and the substrate 19 and the housing 13 shown in FIG. 2 are fixed to each other by screws screwed into the screw holes 25. In addition, bolt holes 26 and 27 are formed at the other ends of the high-voltage connection terminals 17 and 18 for crimping a high-voltage cable for power supply with bolts.

図4は、図3に示した縦型パワーMOSFET1aの構造を示す平面図であり、図5は、図4に示したラインV−Vに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。図4,5を参照して、縦型パワーMOSFET1aの半導体チップの上面にはゲート電極Gとソース電極Sとが形成されており、底面にはドレイン電極Dが形成されている。他のパワーMOSFET1b,1c,2a〜2cの構造も、図4,5に示したパワーMOSFET1aの構造と同様である。従って、図3を参照して、パワーMOSFET1a〜1cの各ドレイン電極Dは、配線パターン20に接続され、パワーMOSFET2a,2b,2cの各ドレイン電極Dは、それぞれ配線パターン22a,22b,22cに接続される。   4 is a plan view showing the structure of the vertical power MOSFET 1a shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure relating to the position along the line V-V shown in FIG. 4 and 5, a gate electrode G and a source electrode S are formed on the top surface of the semiconductor chip of the vertical power MOSFET 1a, and a drain electrode D is formed on the bottom surface. The structures of the other power MOSFETs 1b, 1c, 2a to 2c are the same as the structure of the power MOSFET 1a shown in FIGS. Therefore, referring to FIG. 3, each drain electrode D of power MOSFETs 1a to 1c is connected to wiring pattern 20, and each drain electrode D of power MOSFETs 2a, 2b, and 2c is connected to wiring patterns 22a, 22b, and 22c, respectively. Is done.

図3を参照して、パワーMOSFET1a,1b,1c,2a,2b,2cの各ゲート電極Gは、それぞれボンディングワイヤ301,302,303,304,305,306によって、配線パターン241,242,243,246,245,244に接続されている。パワーMOSFET1a,1b,1cの各ソース電極Sは、それぞれボンディングワイヤ311,312,313によって、配線パターン22a,22b,22cに接続されている。パワーMOSFET2a,2b,2cの各ソース電極Sは、それぞれボンディングワイヤ331,332,333によって、配線パターン21に接続されている。配線パターン22a,22b,22cは、それぞれボンディングワイヤ321,322,323によって、パッド23a,23b,23cに接続されている。このように、ボンディングワイヤ301〜306,311〜313,321〜323,331〜333を用いて接続することにより、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cと各配線パターンとを、信頼性高くかつ簡便に接続することができる。 Referring to FIG. 3, each gate electrode G of power MOSFETs 1a, 1b, 1c, 2a, 2b and 2c is connected to a wiring pattern by bonding wires 30 1 , 30 2 , 30 3 , 30 4 , 30 5 and 30 6 . 24 1 , 24 2 , 24 3 , 24 6 , 24 5 , 24 4 are connected. The source electrodes S of the power MOSFETs 1a, 1b, and 1c are connected to the wiring patterns 22a, 22b, and 22c by bonding wires 31 1 , 31 2 , and 31 3 , respectively. The source electrodes S of the power MOSFETs 2a, 2b, and 2c are connected to the wiring pattern 21 by bonding wires 33 1 , 33 2 , and 33 3 , respectively. The wiring patterns 22a, 22b, and 22c are connected to the pads 23a, 23b, and 23c by bonding wires 32 1 , 32 2 , and 32 3 , respectively. In this way, by using the bonding wires 30 1 to 30 6 , 31 1 to 31 3 , 32 1 to 32 3 , 33 1 to 33 3 to be connected, the power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c and the respective wiring patterns are connected. Can be connected with high reliability and simplicity.

なお、図3には、縦型パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cが用いられた場合の例を示したが、基板19の主面上に形成される配線パターンを変更することにより、横型パワーMOSFETを用いることもできる。   FIG. 3 shows an example in which the vertical power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c are used. By changing the wiring pattern formed on the main surface of the substrate 19, the horizontal power MOSFET is changed. Can also be used.

また、図3には、ボンディングワイヤ301〜306,311〜313,321〜323,331〜333がそれぞれ1本のワイヤを用いて構成されている場合の例を示したが、電流容量に応じて、それぞれ複数本のワイヤを用いて構成してもよい。 FIG. 3 shows an example in which the bonding wires 30 1 to 30 6 , 31 1 to 31 3 , 32 1 to 32 3 , and 33 1 to 33 3 are each configured by using one wire. However, a plurality of wires may be used depending on the current capacity.

図6は、図2に示したラインVI−VIに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。バスバー11vとパッド23bとを接続するための接続電極12vは、複数箇所で折り曲げられることにより、バスバー11wの上方を通過している。バスバー11u〜11wが収納されている筐体10の内部は、樹脂等の絶縁性の封止材41によって封止されている。従って、接続電極12u,12v,12w間での放電を、信頼性高く防止することができる。また、互いに隣接する接続電極12u,12v,12w同士の離間距離を短くできるため、筐体10の小型化を図ることもできる。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure relating to a position along line VI-VI shown in FIG. The connection electrode 12v for connecting the bus bar 11v and the pad 23b passes above the bus bar 11w by being bent at a plurality of locations. The inside of the housing 10 in which the bus bars 11u to 11w are accommodated is sealed with an insulating sealing material 41 such as resin. Therefore, the discharge between the connection electrodes 12u, 12v, and 12w can be prevented with high reliability. Further, since the distance between the adjacent connection electrodes 12u, 12v, 12w can be shortened, the housing 10 can be reduced in size.

基板19が収納されている筐体13の内部は、シリコーンゲル等の絶縁性の封止材40によって封止されている。これにより、ボンディングワイヤ間や配線パターン間の電気的絶縁性が確保されて放電が防止されるとともに、外部からの影響(水、油、埃等)に起因する基板19の劣化を防止することができる。さらに、外部からの影響を遮断する効果を高めるべく、筐体13の開口上面には、填め込み、接着、又はネジ止め等によって、カバー50が固定されている。   The inside of the housing 13 in which the substrate 19 is accommodated is sealed with an insulating sealing material 40 such as silicone gel. As a result, electrical insulation between bonding wires and wiring patterns is ensured to prevent electric discharge, and deterioration of the substrate 19 due to external influences (water, oil, dust, etc.) can be prevented. it can. Furthermore, in order to enhance the effect of blocking the influence from the outside, the cover 50 is fixed to the upper surface of the opening of the housing 13 by fitting, bonding, screwing or the like.

バスバー11が収納された筐体11は、モータケース55に固定されている。モータケース55内には、図2に示した電機モータ4が収納されている。モータケース55には、電機モータ4を冷却するための冷却機構(図示しない)が配設されており、モータケース55自体も、該冷却機構の冷却水又はATF(Automatic Transmission Fluid)によって冷却されている。   The housing 11 in which the bus bar 11 is housed is fixed to the motor case 55. In the motor case 55, the electric motor 4 shown in FIG. The motor case 55 is provided with a cooling mechanism (not shown) for cooling the electric motor 4, and the motor case 55 itself is also cooled by cooling water or ATF (Automatic Transmission Fluid) of the cooling mechanism. Yes.

モータケース55には、熱伝導シート56の一端が固定されている。モータケース55とカバー57との間に熱伝導シート56の一端を挟み込み、カバー57をモータケース55にネジ止めすることによって、熱伝導シート56の一端はモータケース55に接触しつつ固定されている。   One end of a heat conductive sheet 56 is fixed to the motor case 55. One end of the heat conductive sheet 56 is sandwiched between the motor case 55 and the cover 57 and the cover 57 is screwed to the motor case 55, so that one end of the heat conductive sheet 56 is fixed in contact with the motor case 55. .

熱伝導シート56の他端は、カバー50に設けられた隙間から筐体13内に差し込まれた後、熱伝導性の接着剤によって、基板19の裏面に貼り付けられている。あるいは、基板19の裏面と筐体13の底面との間に熱伝導シート56の他端が差し込まれた状態で、基板19を筐体13にネジ止めすることによって、基板19と熱伝導シート56とを圧着することも可能である。基板19の裏面には図3に示した配線パターンやボンディングワイヤ等が形成されていないため、熱伝導シート56を基板19に簡単に密着させることができる。   The other end of the heat conductive sheet 56 is inserted into the housing 13 through a gap provided in the cover 50 and then attached to the back surface of the substrate 19 with a heat conductive adhesive. Alternatively, the substrate 19 and the heat conductive sheet 56 are screwed to the housing 13 with the other end of the heat conductive sheet 56 inserted between the back surface of the substrate 19 and the bottom surface of the housing 13. Can also be pressure-bonded. Since the wiring pattern and bonding wires shown in FIG. 3 are not formed on the back surface of the substrate 19, the heat conductive sheet 56 can be easily adhered to the substrate 19.

熱伝導シート56としては、銅やアルミニウム等の金属の熱伝導シートのほか、高熱伝導性のグラファイトシートを用いることができる。グラファイトシートは、厚み方向の熱伝導性は低い一方、面内方向の熱伝導性は金属よりも高い、異方性の熱導電性を有する。グラファイトシートの面内方向の熱伝導率は、600〜800W/(m・K)程度であり、銅の約2倍である。そのため、高熱伝導性のグラファイトシートを用いた場合には、金属の熱伝導シートを用いた場合と比較すると、熱伝導シート56の厚さを薄くできる。従って、金属の熱伝導シートと同程度の放熱効果を確保しつつも、装置全体として軽量化を図ることができる。   As the heat conductive sheet 56, in addition to a heat conductive sheet of metal such as copper or aluminum, a highly heat conductive graphite sheet can be used. While the graphite sheet has a low thermal conductivity in the thickness direction, the graphite sheet has an anisotropic thermal conductivity that is higher in the in-plane direction than the metal. The thermal conductivity in the in-plane direction of the graphite sheet is about 600 to 800 W / (m · K), which is about twice that of copper. Therefore, when the highly heat conductive graphite sheet is used, the thickness of the heat conductive sheet 56 can be reduced as compared with the case where a metal heat conductive sheet is used. Therefore, it is possible to reduce the weight of the entire apparatus while ensuring the same heat radiation effect as that of the metal heat conductive sheet.

このように本実施の形態に係るパワーモジュールによれば、バスバー11が収納された筐体10に基板19が固定されている。そして、基板19には、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cが実装されており、図1に示した制御回路7は、基板19に実装されるのではなく、コネクタ14を介して基板19に接続される。つまり、本実施の形態に係るパワーモジュールにおいては、インバータ回路8及び電機モータ4が一体化して構成され、制御回路7は別体として構成されている。従って、インバータ回路8、制御回路7、及び電機モータ4の全てが一体化して構成されているパワーモジュールと比較すると、全体として装置の小型化を図ることができる。   Thus, according to the power module according to the present embodiment, the substrate 19 is fixed to the housing 10 in which the bus bar 11 is housed. The power MOSFETs 1 a to 1 c and 2 a to 2 c are mounted on the substrate 19, and the control circuit 7 shown in FIG. 1 is not mounted on the substrate 19 but is connected to the substrate 19 via the connector 14. Is done. That is, in the power module according to the present embodiment, the inverter circuit 8 and the electric motor 4 are integrally configured, and the control circuit 7 is configured as a separate body. Therefore, as compared with a power module in which the inverter circuit 8, the control circuit 7, and the electric motor 4 are all integrated, the overall size of the apparatus can be reduced.

また、インバータ回路8と電機モータ4とが一体化して構成されていることにより、インバータ回路8と電機モータ4とを互いに接続するための大電流量の配線ケーブルが不要となるため、配線の簡素化を図ることもできる。   In addition, since the inverter circuit 8 and the electric motor 4 are configured integrally, a wiring cable having a large amount of current for connecting the inverter circuit 8 and the electric motor 4 to each other is not necessary, so that the wiring is simplified. Can also be achieved.

さらに、図6に示したように、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cが実装された基板19は、熱伝導シート56によってモータケース55に接続されている。そのため、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cからの発熱は、基板19及び熱伝導シート56を介してモータケース55に伝導され、電機モータ4の冷却機構によって放熱される。従って、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cからの発熱を効率的に放熱することができる。   Further, as shown in FIG. 6, the substrate 19 on which the power MOSFETs 1 a to 1 c and 2 a to 2 c are mounted is connected to the motor case 55 by a heat conductive sheet 56. Therefore, heat generated from the power MOSFETs 1 a to 1 c and 2 a to 2 c is conducted to the motor case 55 via the substrate 19 and the heat conductive sheet 56 and is radiated by the cooling mechanism of the electric motor 4. Therefore, heat generated from the power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c can be efficiently radiated.

しかも、基板19の裏面に放熱機構を配設する必要がないため、装置機構を簡略化できるとともに、装置の軽量化を図ることもできる。   In addition, since it is not necessary to dispose a heat dissipation mechanism on the back surface of the substrate 19, the apparatus mechanism can be simplified and the apparatus can be reduced in weight.

図7は、図6に対応させて、本実施の形態に係るパワーモジュールの変形例を示す断面図である。図6に示した構造では基板19の裏面に熱伝導シート56の他端を接着していたが、図7に示した構造では、熱伝導シート56は、基板19の主面側において、熱伝導性の接着剤によってパワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cに接着されている。そのため、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cからの発熱は、熱伝導シート56を介してモータケース55に伝導され、電機モータ4の冷却機構によって放熱される。図7に示した構造によると、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cは、基板19を介在することなく熱伝導シート56に直接接触している。そのため、図6に示した構造と比較すると、パワーMOSFET1a〜1c,2a〜2cの放熱効果は高い。   FIG. 7 is a cross-sectional view showing a modification of the power module according to the present embodiment, corresponding to FIG. In the structure shown in FIG. 6, the other end of the heat conductive sheet 56 is bonded to the back surface of the substrate 19. However, in the structure shown in FIG. 7, the heat conductive sheet 56 is thermally conductive on the main surface side of the substrate 19. The power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c are bonded to each other by a conductive adhesive. Therefore, heat generated from the power MOSFETs 1 a to 1 c and 2 a to 2 c is conducted to the motor case 55 through the heat conductive sheet 56 and is radiated by the cooling mechanism of the electric motor 4. According to the structure shown in FIG. 7, the power MOSFETs 1 a to 1 c and 2 a to 2 c are in direct contact with the heat conductive sheet 56 without the substrate 19 interposed. Therefore, the power MOSFETs 1a to 1c and 2a to 2c have a higher heat dissipation effect than the structure shown in FIG.

本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the power module which concerns on embodiment of this invention. 図1に示したインバータ回路の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the inverter circuit shown in FIG. 図2に示した基板の構造を具体的に示す平面図である。FIG. 3 is a plan view specifically showing the structure of the substrate shown in FIG. 2. 図3に示した縦型パワーMOSFETの構造を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the structure of the vertical power MOSFET shown in FIG. 3. 図4に示したラインV−Vに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional structure related to a position along line V-V illustrated in FIG. 4. 図2に示したラインVI−VIに沿った位置に関する断面構造を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure related to a position along line VI-VI shown in FIG. 2. 本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the power module which concerns on embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1a〜1c,2a〜2c パワーMOSFET
3 電磁コイル
4 電機モータ
6u〜6w ノード
8 インバータ回路
10,13 筐体
11u〜11w バスバー
12u〜12w 接続電極
20,21,22a〜22c 配線パターン
301〜306,311〜313,321〜323,331〜333 ボンディングワイヤ
41 封止材
56 熱伝導シート
1a to 1c, 2a to 2c Power MOSFET
3 electromagnetic coil 4 electric motor 6u~6w node 8 inverter circuit 10, 13 the housing 11u~11w busbar 12u~12w connection electrode 20,21,22a~22c wiring patterns 30 1 to 30 6, 31 1 to 31 3, 32 1 32 3 , 33 1 to 33 3 Bonding wire 41 Sealing material 56 Thermal conductive sheet

Claims (4)

電磁コイルを有するモータが収納されたモータケースと、
複数のパワー素子を備え、前記電磁コイルに接続されたインバータ回路と、
前記複数のパワー素子の各々の半導体チップが主面に実装された基板と、
前記モータケースと前記基板とに接続された熱伝導シートと
を備える、パワーモジュール。
A motor case containing a motor having an electromagnetic coil;
An inverter circuit comprising a plurality of power elements and connected to the electromagnetic coil;
A substrate on which a semiconductor chip of each of the plurality of power elements is mounted on a main surface;
A power module comprising a heat conductive sheet connected to the motor case and the substrate.
前記熱伝導シートは、前記基板の裏面に接触している、請求項1に記載のパワーモジュール。   The power module according to claim 1, wherein the heat conductive sheet is in contact with a back surface of the substrate. 電磁コイルを有するモータが収納されたモータケースと、
複数のパワー素子を備え、前記電磁コイルに接続されたインバータ回路と、
前記複数のパワー素子の各々の半導体チップが主面に実装された基板と、
前記モータケースと前記半導体チップとに接続された熱伝導シートと
を備える、パワーモジュール。
A motor case containing a motor having an electromagnetic coil;
An inverter circuit comprising a plurality of power elements and connected to the electromagnetic coil;
A substrate on which a semiconductor chip of each of the plurality of power elements is mounted on a main surface;
A power module comprising: a heat conductive sheet connected to the motor case and the semiconductor chip.
前記熱導電シートは、高熱伝導性のグラファイトシートである、請求項1〜3のいずれか一つに記載のパワーモジュール。
The power module according to claim 1, wherein the thermal conductive sheet is a highly thermal conductive graphite sheet.
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