JP2007306664A - Overvoltage protection circuit, charger using same, and electronic apparatus - Google Patents

Overvoltage protection circuit, charger using same, and electronic apparatus Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suitably protect a circuit from an overvoltage by making an overvoltage protection circuit built therein. <P>SOLUTION: The overvoltage protection circuit 50 is built in a semiconductor integrated circuit, and clamps power supply voltages Vdd fed to power supply terminals 104a, 104b of the semiconductor integrated circuit to a prescribed clamp voltage or lower. A first clamp circuit 56 and a first switch M1 are arranged in series between the power supply terminal 104b of the semiconductor integrated circuit and a fixed voltage terminal. A reference voltage source 52 generates a prescribed reference voltage Vref. A comparator 54 compares a voltage Vdd" which corresponds to a power supply voltage Vdd' fed to the power supply terminal 104b with the reference voltage Vref. The comparator 54 turns on the first switch M1 so that an expression of Vdd">Vref is satisfied. A current-voltage conversion circuit 60 converts a current Ix flowing to a passage including the first clamp circuit 56 and the first switch M1 into a voltage Vx. When the converted voltage Vx exceeds a prescribed threshold voltage, a part of a function of the semiconductor integrated circuit is stopped. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、過電圧から回路を保護する過電圧保護回路に関する。   The present invention relates to an overvoltage protection circuit that protects a circuit from an overvoltage.

近年の携帯電話、PDA(Personal Digital Assistant)、ノート型パーソナルコンピュータなどのさまざまな電子機器には、デジタル信号処理を行うCPU(Central Processing Unit)や、その他のDSP(Digital Signal Processor)、あるいは、液晶パネル、その他のアナログ回路など、多くの電子回路が搭載される。これらの電子回路は、電池や、電池電圧を安定化する電源回路から電力供給を受けて動作する。   Various electronic devices such as mobile phones, PDAs (Personal Digital Assistants), and notebook personal computers in recent years include CPUs (Central Processing Units) that perform digital signal processing, other DSPs (Digital Signal Processors), and liquid crystals. Many electronic circuits such as panels and other analog circuits are installed. These electronic circuits operate with power supplied from a battery or a power supply circuit that stabilizes the battery voltage.

こうした電子回路を構成する抵抗、トランジスタなどの回路素子には、耐圧が存在し、この耐圧を超える電圧が印加されると、正常な機能が実行できなくなる。   Circuit elements such as resistors and transistors constituting such an electronic circuit have a withstand voltage. When a voltage exceeding the withstand voltage is applied, a normal function cannot be performed.

特開平9−219935号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-219935

一般に、CPUや、DSPなどは、電子機器に内蔵される電源回路によって安定化された電圧によって動作するため、想定外の過電圧が印加される状況はそれほどない。一方、電池を充電する充電回路などは、外部からの電源電圧を受け、この電源電圧によって回路動作を実行することになる。   In general, a CPU, a DSP, and the like operate with a voltage stabilized by a power supply circuit built in an electronic device, and thus there are not many situations in which an unexpected overvoltage is applied. On the other hand, a charging circuit or the like that charges a battery receives a power supply voltage from the outside, and performs a circuit operation using the power supply voltage.

この場合、ユーザが、本来使用すべき外部電源回路を使用した場合には、充電回路に想定外の過電圧が印加されることはないが、ユーザが電子機器に対応していない外部電源などを用いた場合、充電装置に、その耐圧を超えるような非常に大きな過電圧が印加される場合も想定される。   In this case, when the user uses an external power supply circuit that should be used, an unexpected overvoltage is not applied to the charging circuit, but the user uses an external power supply that is not compatible with the electronic device. In such a case, it may be assumed that a very large overvoltage exceeding the breakdown voltage is applied to the charging device.

本発明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、過電圧から、回路を好適に保護することの可能な過電圧保護回路の提供にある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide an overvoltage protection circuit capable of suitably protecting a circuit from an overvoltage.

本発明のある態様は、半導体集積回路に内蔵され、本半導体集積回路の電源端子に供給される電源電圧を、所定のクランプ電圧以下にクランプする過電圧保護回路に関する。この過電圧保護回路は、半導体集積回路の電源端子および固定電圧端子間に、直列に設けられた第1クランプ回路および第1スイッチと、所定の基準電圧を生成する基準電圧源と、電源端子に供給される電源電圧に応じた電圧を、基準電圧と比較するコンパレータと、を備える。コンパレータは、電源電圧に応じた電圧が基準電圧より高くなると、第1スイッチをオンする。「固定電圧端子」とは、接地端子、正負の電源端子、基準電圧端子など、電位の固定された端子をいう。   One embodiment of the present invention relates to an overvoltage protection circuit that is built in a semiconductor integrated circuit and clamps a power supply voltage supplied to a power supply terminal of the semiconductor integrated circuit below a predetermined clamp voltage. The overvoltage protection circuit supplies a first clamp circuit and a first switch provided in series between a power supply terminal and a fixed voltage terminal of a semiconductor integrated circuit, a reference voltage source for generating a predetermined reference voltage, and a power supply terminal. A comparator that compares a voltage according to the power supply voltage to a reference voltage. The comparator turns on the first switch when the voltage corresponding to the power supply voltage becomes higher than the reference voltage. “Fixed voltage terminal” refers to a terminal having a fixed potential, such as a ground terminal, a positive / negative power supply terminal, or a reference voltage terminal.

この態様によると、電源端子に供給された電源電圧が、しきい値電圧を超えると、第1スイッチおよび第1クランプ回路を含む経路が導通する。その結果、電源電圧がクランプ電圧以下となるようにクランプされて、過電圧保護を実現することができる。   According to this aspect, when the power supply voltage supplied to the power supply terminal exceeds the threshold voltage, the path including the first switch and the first clamp circuit becomes conductive. As a result, the power supply voltage is clamped to be equal to or lower than the clamp voltage, and overvoltage protection can be realized.

ある態様において、第1クランプ回路および第1スイッチを含む経路に流れる電流を、電圧に変換する電流電圧変換回路をさらに含んでもよい。変換された電圧が、所定のしきい値電圧を超えると、半導体集積回路の機能の一部を停止してもよい。
この場合、半導体集積回路の機能の一部が、過電圧状態で動作して誤動作し、あるいは不具合が生ずるのを防止することができる。
In one aspect, a current-voltage conversion circuit that converts a current flowing through a path including the first clamp circuit and the first switch into a voltage may be further included. When the converted voltage exceeds a predetermined threshold voltage, a part of the function of the semiconductor integrated circuit may be stopped.
In this case, it is possible to prevent a part of the functions of the semiconductor integrated circuit from operating in an overvoltage state and malfunctioning or causing a malfunction.

ある態様の過電圧保護回路は、第1スイッチから固定電圧端子へと至る経路と並列の経路に、直列に設けられた第2クランプ回路および第2スイッチをさらに含んでもよい。基準電圧源は、半導体集積回路に供給される電源電圧が低いことにより、所定の基準電圧が出力不能な状態において所定レベルとなる低電圧検出信号を出力するように構成され、第2スイッチは、低電圧検出信号が所定レベルの期間、オンしてもよい。
この場合、基準電圧源が起動する前に過電圧が印加されても、第2クランプ回路および第2スイッチの経路が確実にアクティブとなるため、電源端子の電圧を好適にクランプすることができる。
The overvoltage protection circuit according to an aspect may further include a second clamp circuit and a second switch provided in series in a path parallel to the path from the first switch to the fixed voltage terminal. The reference voltage source is configured to output a low voltage detection signal that is at a predetermined level when a predetermined reference voltage cannot be output due to a low power supply voltage supplied to the semiconductor integrated circuit. The low voltage detection signal may be turned on for a predetermined level.
In this case, even if an overvoltage is applied before the reference voltage source is activated, the path of the second clamp circuit and the second switch is reliably activated, so that the voltage at the power supply terminal can be clamped appropriately.

第1クランプ回路は、ダイオードを含んでもよい。ダイオードは、複数個、直列に接続されていてもよい。この場合、ダイオードの個数によって、クランプ電圧を調節することができる。   The first clamp circuit may include a diode. A plurality of diodes may be connected in series. In this case, the clamp voltage can be adjusted according to the number of diodes.

ある態様において、第1スイッチは、PチャンネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)であってもよい。また、コンパレータは、電源電圧に応じた電圧が、基準電圧より高いとき、ローレベルの比較信号を、第1スイッチであるPチャンネルMOSFETのゲートに出力してもよい。この場合、過電圧状態において、PチャンネルMOSFETをオンすることができる。   In one embodiment, the first switch may be a P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). The comparator may output a low-level comparison signal to the gate of the P-channel MOSFET that is the first switch when the voltage according to the power supply voltage is higher than the reference voltage. In this case, the P-channel MOSFET can be turned on in the overvoltage state.

ある態様において、第1スイッチは、PチャンネルMOSFETであり、第2クランプ回路および第2スイッチは、PチャンネルMOSFETのゲートおよび固定電圧端子間に、直列に接続されるとともに、PチャンネルMOSFETのゲートソース間に、プルアップ抵抗を設けてもよい。   In one embodiment, the first switch is a P-channel MOSFET, and the second clamp circuit and the second switch are connected in series between the gate and the fixed voltage terminal of the P-channel MOSFET and the gate source of the P-channel MOSFET. A pull-up resistor may be provided between them.

ある態様において、電流電圧変換回路は、第1クランプ回路および第1スイッチと直列に設けられた第1トランジスタと、第1トランジスタとカレントミラー接続された第2トランジスタと、一端の電位が固定された抵抗と、を含み、第2トランジスタに流れる電流に応じた電流を、抵抗に流すことにより、電圧に変換してもよい。   In one embodiment, the current-voltage conversion circuit includes a first transistor provided in series with the first clamp circuit and the first switch, a second transistor connected to the first transistor in a current mirror, and a potential at one end fixed. A current corresponding to the current flowing through the second transistor may be converted into a voltage by flowing through the resistor.

本発明の別の態様は、外部電源からの電源電圧にもとづいて電池を充電する充電装置である。この充電装置は、外部電源から電池への経路上に設けられた充電トランジスタと、半導体基板上に集積化され、充電トランジスタのオン状態を調節して、電池に供給する充電電流を調節する充電制御回路と、外部電源から充電制御回路の電源端子への電力供給経路上に設けられ、必要な電圧降下を生成する電圧調節回路と、を備える。充電制御回路は、当該充電制御回路の電源端子の電圧を、所定のクランプ電圧以下にクランプする上述のいずれかの態様の過電圧保護回路と、電池の電圧が、所定の電圧値に近づくように、充電トランジスタのオン状態を調節する電流調節回路と、を含む。   Another aspect of the present invention is a charging device that charges a battery based on a power supply voltage from an external power supply. This charging device is integrated on a semiconductor substrate with a charging transistor provided on a path from an external power source to the battery, and charging control for adjusting a charging current supplied to the battery by adjusting an ON state of the charging transistor. A circuit and a voltage adjustment circuit that is provided on a power supply path from an external power supply to a power supply terminal of the charge control circuit and generates a necessary voltage drop. The charge control circuit includes the overvoltage protection circuit according to any one of the above aspects that clamps the voltage of the power supply terminal of the charge control circuit below a predetermined clamp voltage, and the battery voltage approaches a predetermined voltage value. And a current adjusting circuit for adjusting an on state of the charging transistor.

ある態様において、電圧調節回路は、抵抗であってもよい。   In some embodiments, the voltage regulation circuit may be a resistor.

ある態様において、電圧調節回路は、外部電源から充電制御回路の電源端子へ至る電力供給経路上に設けれた保護トランジスタと、保護トランジスタの外部電源に接続される端子および保護トランジスタの制御端子間に設けられた抵抗と、を含んでもよい。過電圧保護回路は、保護トランジスタの制御端子の電圧を、所定の電圧以下にクランプすることにより、充電制御回路の電源端子の電圧を、クランプ電圧以下にクランプしてもよい。   In one embodiment, the voltage adjustment circuit includes a protection transistor provided on a power supply path from an external power supply to the power supply terminal of the charge control circuit, a terminal connected to the external power supply of the protection transistor, and a control terminal of the protection transistor. And a provided resistor. The overvoltage protection circuit may clamp the voltage at the power supply terminal of the charge control circuit below the clamp voltage by clamping the voltage at the control terminal of the protection transistor below a predetermined voltage.

ある態様の充電装置は、保護トランジスタの制御端子および固定電圧端子間に設けられたキャパシタをさらに備えてもよい。この場合、キャパシタおよび保護トランジスタの制御端子に接続された抵抗によってRC回路が構成されるため、外部電源から供給される電圧が急激に上昇した場合でも、確実な回路保護を実現することができる。   The charging device of a certain aspect may further include a capacitor provided between the control terminal and the fixed voltage terminal of the protection transistor. In this case, since the RC circuit is configured by the resistor and the resistance connected to the control terminal of the protection transistor, reliable circuit protection can be realized even when the voltage supplied from the external power supply suddenly increases.

ある態様において、過電圧保護回路は、充電制御回路の電源端子の電圧が、クランプされた状態において、充電制御回路の充電機能を停止し、外部電源から電池に供給される充電電流を遮断してもよい。   In one aspect, the overvoltage protection circuit may stop the charging function of the charging control circuit and cut off the charging current supplied to the battery from the external power supply when the voltage of the power supply terminal of the charging control circuit is clamped. Good.

本発明のさらに別の態様は、電子機器である。この電子機器は、電池と、外部電源からの電源電圧にもとづいて電池を充電する上述の充電装置と、を備える。   Yet another embodiment of the present invention is an electronic device. This electronic device includes a battery and the above-described charging device that charges the battery based on a power supply voltage from an external power supply.

なお、以上の構成要素の任意の組合せや本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。   Note that any combination of the above-described constituent elements and the constituent elements and expressions of the present invention replaced with each other among methods, apparatuses, systems, etc. are also effective as an aspect of the present invention.

本発明に係る過電圧保護回路によれば、過電圧から、回路を好適に保護することができる。   According to the overvoltage protection circuit of the present invention, the circuit can be suitably protected from overvoltage.

以下、本発明の実施の形態に係る充電回路およびクランプ回路について、図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、以下の説明において、電圧信号、電流信号あるいは抵抗、容量などに付された符号は、必要に応じてそれぞれの電圧値、電流値あるいは抵抗値、容量値を表すものとして用いることとする。   Hereinafter, a charging circuit and a clamp circuit according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The same or equivalent components, members, and processes shown in the drawings are denoted by the same reference numerals, and repeated descriptions are omitted as appropriate. Further, in the following description, reference numerals attached to voltage signals, current signals, resistors, capacitors, and the like are used to represent the respective voltage values, current values, resistance values, and capacitance values as necessary.

(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態に係る充電回路200aおよび電子機器1000全体の構成を示す回路図である。
電子機器1000は、たとえば携帯電話端末や、PDA、ノート型PCなどの電池駆動型の情報端末機器である。電子機器1000は、充電回路200a、電池220を備える。電子機器1000は、その他に、図示しない電源回路や、DSP、液晶パネルをはじめ、その他のアナログ、デジタルを備える。
(First embodiment)
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of the entire charging circuit 200a and electronic device 1000 according to the first embodiment.
The electronic device 1000 is a battery-driven information terminal device such as a mobile phone terminal, PDA, or notebook PC. The electronic device 1000 includes a charging circuit 200a and a battery 220. In addition, the electronic device 1000 includes a power supply circuit (not shown), a DSP, a liquid crystal panel, and other analog and digital.

電池220は、リチウムイオンやNiCd(ニッケルカドミウム)電池などの2次電池であり、その電池電圧Vbatが、電子機器1000のその他の回路ブロックへと供給される。   The battery 220 is a secondary battery such as a lithium ion or NiCd (nickel cadmium) battery, and the battery voltage Vbat is supplied to other circuit blocks of the electronic device 1000.

外部電源210は、電子機器1000に接続され、商用交流電圧を直流電圧に変換するACアダプタや、車載バッテリ等の電圧を、降圧するDC/DCコンバータなどであり、電子機器1000に接続される。外部電源210は、充電回路200aに対して、直流の電源電圧Vdcを供給する。   The external power source 210 is connected to the electronic device 1000 and is an AC adapter that converts a commercial AC voltage into a DC voltage, a DC / DC converter that steps down the voltage of an in-vehicle battery, and the like, and is connected to the electronic device 1000. The external power supply 210 supplies a DC power supply voltage Vdc to the charging circuit 200a.

充電回路200aは、外部電源210からの電源電圧Vdcにもとづいて電池220を充電する。充電回路200aは、充電トランジスタTr1、充電制御回路100a、電圧調節回路110およびその他の回路素子を備える。   Charging circuit 200a charges battery 220 based on power supply voltage Vdc from external power supply 210. The charging circuit 200a includes a charging transistor Tr1, a charging control circuit 100a, a voltage adjustment circuit 110, and other circuit elements.

充電トランジスタTr1は、外部電源210から電池220への充電経路上に設けられる。本実施の形態において、充電経路は、充電トランジスタTr1、充電制御回路100aの第2電流制御端子108、電池端子102を介して電池220に至る経路である。充電トランジスタTr1は、PNP型バイポーラトランジスタであって、エミッタが外部電源210に接続されている。充電トランジスタTr1のエミッタおよびベース間には、第2抵抗R2が接続される。また、充電トランジスタTr1のベースおよび固定電圧端子である接地端子間には、充電制御トランジスタTr2が接続される。充電制御トランジスタTr2は、NPN型バイポーラトランジスタであって、コレクタが充電トランジスタTr1のベースに、エミッタが接地端子に接続される。   The charging transistor Tr1 is provided on a charging path from the external power source 210 to the battery 220. In the present embodiment, the charging path is a path that reaches the battery 220 via the charging transistor Tr1, the second current control terminal 108 of the charging control circuit 100a, and the battery terminal 102. The charging transistor Tr1 is a PNP-type bipolar transistor, and an emitter is connected to the external power source 210. A second resistor R2 is connected between the emitter and base of the charging transistor Tr1. In addition, a charging control transistor Tr2 is connected between the base of the charging transistor Tr1 and a ground terminal which is a fixed voltage terminal. The charge control transistor Tr2 is an NPN bipolar transistor, and has a collector connected to the base of the charge transistor Tr1 and an emitter connected to the ground terminal.

充電制御回路100aは、半導体基板上に集積化され、充電トランジスタTr1のオン状態を調節して、電池220に供給する充電電流Ichgを調節する。充電制御回路100aは、入出力用の端子として、電池端子102、電源端子104、第1電流制御端子106、第2電流制御端子108を備える。   The charging control circuit 100a is integrated on the semiconductor substrate, and adjusts the ON state of the charging transistor Tr1 to adjust the charging current Ichg supplied to the battery 220. The charge control circuit 100a includes a battery terminal 102, a power supply terminal 104, a first current control terminal 106, and a second current control terminal 108 as input / output terminals.

電池端子102には、電池220が接続され、第2電流制御端子108には、充電トランジスタTr1のコレクタが接続される。第1電流制御端子106からは、充電トランジスタTr1のオンの程度を制御する制御電圧Vcntが出力される。この制御電圧Vcntは、充電制御トランジスタTr2のベースに入力される。電源端子104は、充電制御回路100a自体の電源端子であって、電源電圧Vddが供給される。以下、説明の混乱を避けるため、必要に応じて外部電源210からの電源電圧を外部電源電圧Vdc、第1電流制御端子106に供給される電源電圧を、内部電源電圧Vddとして区別する。   A battery 220 is connected to the battery terminal 102, and a collector of the charging transistor Tr1 is connected to the second current control terminal 108. From the first current control terminal 106, a control voltage Vcnt for controlling the degree of ON of the charging transistor Tr1 is output. This control voltage Vcnt is input to the base of the charge control transistor Tr2. The power supply terminal 104 is a power supply terminal of the charging control circuit 100a itself, and is supplied with the power supply voltage Vdd. Hereinafter, in order to avoid confusion, the power supply voltage from the external power supply 210 is distinguished as the external power supply voltage Vdc, and the power supply voltage supplied to the first current control terminal 106 is distinguished as necessary as the internal power supply voltage Vdd.

本実施の形態において、電圧調節回路110は、電圧制御抵抗R1を含み、外部電源210から充電制御回路100aの電源端子104への電力供給の経路上に設けられる。電圧調節回路110には、動作に応じて電圧降下が発生し、外部電源電圧Vdcが、内部電源電圧Vddに降圧される。電圧制御抵抗R1の抵抗値は、たとえば100Ω程度に設計する。   In the present embodiment, voltage adjustment circuit 110 includes voltage control resistor R1 and is provided on a power supply path from external power supply 210 to power supply terminal 104 of charge control circuit 100a. A voltage drop occurs in voltage adjusting circuit 110 according to the operation, and external power supply voltage Vdc is stepped down to internal power supply voltage Vdd. The resistance value of the voltage control resistor R1 is designed to be about 100Ω, for example.

充電制御回路100aは、クランプ回路10、電流調節回路20、その他の回路素子を備える。電流調節回路20をはじめとする充電制御回路100aの内部の回路は、内部電源電圧Vddを電源として動作する。   The charge control circuit 100a includes a clamp circuit 10, a current adjustment circuit 20, and other circuit elements. Circuits inside the charging control circuit 100a including the current adjusting circuit 20 operate using the internal power supply voltage Vdd as a power source.

たとえば、充電制御回路100aは、外部電源210から外部電源電圧Vdcとして5V程度の電圧を供給された状態において、電池220を安定に充電するように構成される。ところが、外部電源210として、本来予期しないデバイスが接続され、外部電源電圧Vdcとして5Vを大きく超える、たとえば30V程度の過電圧が印加される状況も想定される。充電制御回路100aは、こうした過電圧から回路素子を保護するための過電圧保護回路を内蔵している。   For example, the charging control circuit 100a is configured to stably charge the battery 220 in a state where a voltage of about 5 V is supplied from the external power supply 210 as the external power supply voltage Vdc. However, a situation where an unexpected device is connected as the external power supply 210 and an overvoltage of about 30 V, for example, greatly exceeding 5 V as the external power supply voltage Vdc is assumed. The charge control circuit 100a has a built-in overvoltage protection circuit for protecting circuit elements from such overvoltage.

クランプ回路10は、充電制御回路100aの電源端子104の電圧Vddを、所定のクランプ電圧Vclmp以下にクランプする過電圧保護回路として機能する。クランプ電圧Vclmpは、充電制御回路100aの半導体製造プロセスによって決まる耐圧に応じて設定すればよい。一般に高耐圧プロセスは、集積化の観点で不利であるため、信頼性を満たした上で、なるべく耐圧の低いプロセスを選択することが望ましい。この点から、通常動作時に想定される外部電源電圧Vdc=5Vよりも、若干高い電圧値に設定するのが望ましい。たとえば、充電制御回路100aは、外部電源電圧Vdc=5Vに対して、2V高い、7V耐圧のプロセスで設計してもよい。クランプ回路10のクランプ電圧Vclmpは、充電制御回路100aの耐圧に応じて設定すればよく、たとえば、7Vよりも低い6.8V程度に設定する。   The clamp circuit 10 functions as an overvoltage protection circuit that clamps the voltage Vdd of the power supply terminal 104 of the charge control circuit 100a to a predetermined clamp voltage Vclmp or less. The clamp voltage Vclmp may be set according to the breakdown voltage determined by the semiconductor manufacturing process of the charge control circuit 100a. In general, a high breakdown voltage process is disadvantageous from the viewpoint of integration. Therefore, it is desirable to select a process with a low breakdown voltage as much as possible after satisfying the reliability. From this point, it is desirable to set a voltage value slightly higher than the external power supply voltage Vdc = 5V assumed during normal operation. For example, the charge control circuit 100a may be designed by a 7V withstand voltage process that is 2V higher than the external power supply voltage Vdc = 5V. The clamp voltage Vclmp of the clamp circuit 10 may be set according to the withstand voltage of the charge control circuit 100a, and is set to about 6.8V, which is lower than 7V, for example.

電流調節回路20は、電池220の電圧Vbatが、所定の電圧値に近づくように、充電トランジスタTr1のオン状態を調節し、充電電流Ichgを制御する。電流調節回路20は、誤差増幅器22、第3抵抗R3、第4抵抗R4を含む。第3抵抗R3、第4抵抗R4は、電池端子102に現れる電池電圧Vbatを分圧し、Vbat×R4/(R3+R4)で与えられる帰還電圧Vfbを、誤差増幅器22の反転入力端子へと出力する。誤差増幅器22の非反転入力端子には、所定の基準電圧Vrefが印加される。誤差増幅器22の出力端子は、第1電流制御端子106を介して充電制御トランジスタTr2のベースに接続され、充電制御電圧Vcntを出力する。充電制御電圧Vcntによって、充電制御トランジスタTr2のオンの程度が制御されると、充電制御トランジスタTr2のコレクタ電流が変化して、第2抵抗R2における電圧降下が変化する。その結果、充電トランジスタTr1のベースエミッタ間電圧が変化し、充電トランジスタTr1のオンの程度が調節される。   The current adjusting circuit 20 controls the charging current Ichg by adjusting the on state of the charging transistor Tr1 so that the voltage Vbat of the battery 220 approaches a predetermined voltage value. The current adjustment circuit 20 includes an error amplifier 22, a third resistor R3, and a fourth resistor R4. The third resistor R3 and the fourth resistor R4 divide the battery voltage Vbat appearing at the battery terminal 102, and output the feedback voltage Vfb given by Vbat × R4 / (R3 + R4) to the inverting input terminal of the error amplifier 22. A predetermined reference voltage Vref is applied to the non-inverting input terminal of the error amplifier 22. The output terminal of the error amplifier 22 is connected to the base of the charge control transistor Tr2 via the first current control terminal 106, and outputs the charge control voltage Vcnt. When the turn-on degree of the charge control transistor Tr2 is controlled by the charge control voltage Vcnt, the collector current of the charge control transistor Tr2 changes and the voltage drop in the second resistor R2 changes. As a result, the base-emitter voltage of the charging transistor Tr1 changes, and the degree of ON of the charging transistor Tr1 is adjusted.

充電制御回路100aの第2電流制御端子108、電池端子102の間には、充電停止スイッチM3、第5抵抗R5が直列に設けられる。充電トランジスタTr1に流れる充電電流Ichgは、充電停止スイッチM3および第5抵抗R5を介して、電池220へと供給される。   A charge stop switch M3 and a fifth resistor R5 are provided in series between the second current control terminal 108 and the battery terminal 102 of the charge control circuit 100a. The charging current Ichg flowing through the charging transistor Tr1 is supplied to the battery 220 via the charging stop switch M3 and the fifth resistor R5.

本実施の形態において、クランプ回路10は、充電制御回路100aの電源端子104の内部電源電圧Vddをクランプしている状態において、すなわち、外部電源210から供給される外部電源電圧Vdcが上昇した状態において、外部電源210から電池220に供給される充電電流Ichgを遮断する。具体的には、外部電源210から電池220への充電電流Ichgの経路上に設けられた充電停止スイッチM3をオフすることにより、充電電流Ichgを遮断する。   In the present embodiment, the clamp circuit 10 clamps the internal power supply voltage Vdd of the power supply terminal 104 of the charge control circuit 100a, that is, in a state where the external power supply voltage Vdc supplied from the external power supply 210 has increased. The charging current Ichg supplied from the external power source 210 to the battery 220 is cut off. Specifically, the charging current Ichg is cut off by turning off a charging stop switch M3 provided on the path of the charging current Ichg from the external power supply 210 to the battery 220.

以上のように構成された充電回路200の動作について説明する。外部電源210から通常の外部電源電圧Vdc=5V程度が供給されると、クランプ回路10のクランプ機能は働かず、充電制御回路100aは通常の充電機能を実行する。誤差増幅器22は、その反転入力端子と非反転入力端子の電圧が等しくなるように、すなわちVfb=Vrefが成り立つように、充電トランジスタTr1のベース電圧、すなわちオン状態を調節し、電池220に適切な充電電流Ichgを供給する。   The operation of the charging circuit 200 configured as described above will be described. When a normal external power supply voltage Vdc of about 5 V is supplied from the external power supply 210, the clamp function of the clamp circuit 10 does not work, and the charge control circuit 100a executes a normal charge function. The error amplifier 22 adjusts the base voltage of the charging transistor Tr1, that is, the on-state so that the voltages of the inverting input terminal and the non-inverting input terminal are equal, that is, Vfb = Vref, and is appropriate for the battery 220. A charging current Ichg is supplied.

いま、外部電源210から、外部電源電圧Vdcとして30V程度の過電圧が印加されたとする。このとき、電源端子104の内部電源電圧Vddは、外部電源電圧Vdcの上昇にともなって上昇しようとするが、クランプ回路10は、内部電源電圧Vddをクランプし、クランプ電圧Vclmp以上に上昇しないように機能する。電圧調節回路110である電圧制御抵抗R1には、外部電源電圧Vdc=30Vと、内部電源電圧Vdd=Vclmpの差に相当する電圧降下が発生する。   Now, it is assumed that an overvoltage of about 30 V is applied from the external power supply 210 as the external power supply voltage Vdc. At this time, the internal power supply voltage Vdd of the power supply terminal 104 tends to increase as the external power supply voltage Vdc increases, but the clamp circuit 10 clamps the internal power supply voltage Vdd so that it does not rise above the clamp voltage Vclmp. Function. A voltage drop corresponding to the difference between the external power supply voltage Vdc = 30V and the internal power supply voltage Vdd = Vclmp occurs in the voltage control resistor R1 that is the voltage adjustment circuit 110.

本実施の形態に係る充電回路200aによれば、充電制御回路100aの耐圧に応じてクランプ電圧Vclmpを設定し、充電制御回路100aの内部にクランプ回路10を内蔵することにより、電源電圧Vdcとして過電圧が印加されても、電圧調節回路110によって電圧降下が発生するため、電源端子104に、クランプ電圧Vdcを超える電圧が印加されるのを防止することができる。   According to the charging circuit 200a according to the present embodiment, the clamp voltage Vclmp is set according to the withstand voltage of the charging control circuit 100a, and the clamping circuit 10 is built in the charging control circuit 100a, whereby the overvoltage is set as the power supply voltage Vdc. Even if is applied, a voltage drop is generated by the voltage adjustment circuit 110, so that a voltage exceeding the clamp voltage Vdc can be prevented from being applied to the power supply terminal 104.

また、クランプ回路10は、内部電源電圧Vddをクランプした状態で、充電停止スイッチM3をオフして、充電電流Ichgを遮断する。過電圧状態において、充電機能を停止することにより、より安全な回路保護が実現できる。   In addition, the clamp circuit 10 turns off the charging stop switch M3 and cuts off the charging current Ichg in a state where the internal power supply voltage Vdd is clamped. By stopping the charging function in the overvoltage state, safer circuit protection can be realized.

また、回路構成としても、充電制御回路100aにクランプ回路10を内蔵し、電圧制御抵抗R1を追加するのみで実現できるため、回路部品点数の増大を招くことなく、好適に過電圧保護を実現することができる。   Further, since the circuit configuration can be realized simply by incorporating the clamp circuit 10 in the charge control circuit 100a and adding the voltage control resistor R1, it is possible to suitably realize overvoltage protection without increasing the number of circuit components. Can do.

(第2の実施の形態)
図2は、第2の実施の形態に係る充電回路200bの構成を示す回路図である。以下、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
(Second Embodiment)
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a charging circuit 200b according to the second embodiment. Hereinafter, the difference from the first embodiment will be mainly described.

図1の充電回路200aは、電圧調節回路110として、抵抗素子を用いていた。その結果、過電圧印加時の、電圧制御抵抗R1における消費電力が大きくなる場合があった。たとえば、外部電源電圧Vdc=30V、クランプ電圧Vclmp=7の場合、23Vの電圧降下が発生するため、抵抗値を100Ωとした場合、23/100≒5W程度の消費電力が発生する。したがって、電圧制御抵抗R1として、定格電力が5W以上の素子を選ぶ必要がある。定格電力の大きな抵抗素子は、部品の大きさやコストの観点から、使用を避けたい場合もある。以下で説明する第2の実施の形態に係る充電回路200bは、定格電力の大きな抵抗素子の使用を望まない場合に有効である。 The charging circuit 200a of FIG. 1 uses a resistance element as the voltage adjustment circuit 110. As a result, the power consumption in the voltage control resistor R1 may increase when an overvoltage is applied. For example, when the external power supply voltage Vdc = 30V and the clamp voltage Vclmp = 7, a voltage drop of 23V occurs. Therefore, when the resistance value is 100Ω, power consumption of about 23 2 / 100≈5W is generated. Therefore, it is necessary to select an element having a rated power of 5 W or more as the voltage control resistor R1. In some cases, it is desirable to avoid using a resistive element having a large rated power from the viewpoint of the size and cost of the component. The charging circuit 200b according to the second embodiment described below is effective when it is not desired to use a resistance element having a large rated power.

本実施の形態において、電圧調節回路110は、保護トランジスタTr3、第6抵抗R6を含む。保護トランジスタTr3は、外部電源210から充電制御回路100bの電源端子104aへ至る電力供給の経路上に設けられる。保護トランジスタTr3は、NPN型バイポーラトランジスタであり、エミッタが充電制御回路100bの電源端子104a側に接続され、コレクタが外部電源210側に接続される。第6抵抗R6は、保護トランジスタTr3の制御端子であるベースと、保護トランジスタTr3の外部電源210に接続される端子であるコレクタとの間に設けられる。   In the present embodiment, the voltage adjustment circuit 110 includes a protection transistor Tr3 and a sixth resistor R6. The protection transistor Tr3 is provided on a power supply path from the external power supply 210 to the power supply terminal 104a of the charge control circuit 100b. The protection transistor Tr3 is an NPN bipolar transistor, and has an emitter connected to the power supply terminal 104a side of the charge control circuit 100b and a collector connected to the external power supply 210 side. The sixth resistor R6 is provided between a base that is a control terminal of the protection transistor Tr3 and a collector that is a terminal connected to the external power supply 210 of the protection transistor Tr3.

保護トランジスタTr3のベースは、充電制御回路100bの電源端子104bに接続される。本実施の形態において、クランプ回路10は、保護トランジスタTr3のベース電圧を、所定のしきい値電圧Vth以下にクランプすることにより、充電制御回路100bの電源端子104aの電圧Vddを、クランプ電圧Vclmp以下にクランプする。本実施の形態では、しきい値電圧Vthと、クランプ電圧Vclmpの間には、Vclmp=Vth−Vfが成り立つ。ここでVfは、保護トランジスタTr3のベースエミッタ間ダイオードの順方向電圧である。   The base of the protection transistor Tr3 is connected to the power supply terminal 104b of the charge control circuit 100b. In the present embodiment, the clamp circuit 10 clamps the base voltage of the protection transistor Tr3 to a predetermined threshold voltage Vth or less, thereby setting the voltage Vdd of the power supply terminal 104a of the charge control circuit 100b to the clamp voltage Vclmp or less. Clamp to In the present embodiment, Vclmp = Vth−Vf is established between the threshold voltage Vth and the clamp voltage Vclmp. Here, Vf is a forward voltage of the base-emitter diode of the protection transistor Tr3.

また、保護トランジスタTr3のベースと、接地端子間には、キャパシタC1が設けられる。   A capacitor C1 is provided between the base of the protection transistor Tr3 and the ground terminal.

以上のように構成された充電回路200bの動作を説明する。外部電源210により、外部電源電圧Vdcとして、過電圧が印加されると、電圧調節回路110のコレクタ電圧が上昇し、これにともない、ベース電圧、すなわち電源端子104bの電圧も上昇する。クランプ回路10は、電源端子104bの電圧が、しきい値電圧Vthを超えないようにクランプするため、内部電源電圧Vddは、Vclmp(=Vth−Vf)以下にクランプされる。   The operation of the charging circuit 200b configured as described above will be described. When an overvoltage is applied as the external power supply voltage Vdc by the external power supply 210, the collector voltage of the voltage adjustment circuit 110 increases, and accordingly, the base voltage, that is, the voltage of the power supply terminal 104b also increases. Since the clamp circuit 10 clamps the power supply terminal 104b so that the voltage does not exceed the threshold voltage Vth, the internal power supply voltage Vdd is clamped to Vclmp (= Vth−Vf) or less.

このとき、第6抵抗R6に流れる電流は、保護トランジスタTr3のコレクタ電流の1/hfeとなる。ここでhfeは、保護トランジスタTr3の電流増幅率である。つまり、第2の実施の形態では、第6抵抗R6に流れる電流は、第1の実施の形態の電圧制御抵抗R1に流れる電流に比べて、非常に小さくなる。その結果、第6抵抗R6として、電圧制御抵抗R1の抵抗値の数十倍から100倍程度の抵抗値とすることができる。このとき、過電圧状態で第6抵抗R6で消費される電力は、第1の実施の形態の電圧制御抵抗R1で消費される電力の数十分の1〜100分の1程度まで減少する。   At this time, the current flowing through the sixth resistor R6 is 1 / hfe of the collector current of the protection transistor Tr3. Here, hfe is a current amplification factor of the protection transistor Tr3. That is, in the second embodiment, the current flowing through the sixth resistor R6 is very small compared to the current flowing through the voltage control resistor R1 of the first embodiment. As a result, the sixth resistor R6 can have a resistance value of several tens to 100 times the resistance value of the voltage control resistor R1. At this time, the power consumed by the sixth resistor R6 in the overvoltage state is reduced to about 1 to 1/100 that is several tenths of the power consumed by the voltage control resistor R1 of the first embodiment.

その結果、第6抵抗R6の定格電力を低くすることができ、回路設計の自由度を上げることができる。   As a result, the rated power of the sixth resistor R6 can be lowered, and the degree of freedom in circuit design can be increased.

また、本実施の形態に係る充電回路200bでは、第6抵抗R6とキャパシタC1がCR時定数回路を形成する。したがって、外部電源電圧Vdcが急激に上昇した場合においても、その上昇に対して、電源端子104a、104bの電圧の上昇が遅れるため、クランプ回路10の動作速度が遅い場合であっても、確実に充電制御回路100bに供給される内部電源電圧Vddがクランプ電圧を超えるのを防止することができる。   In the charging circuit 200b according to the present embodiment, the sixth resistor R6 and the capacitor C1 form a CR time constant circuit. Therefore, even when the external power supply voltage Vdc suddenly rises, the rise of the voltage at the power supply terminals 104a and 104b is delayed with respect to the rise, so that even if the operation speed of the clamp circuit 10 is slow, it is ensured. It is possible to prevent the internal power supply voltage Vdd supplied to the charge control circuit 100b from exceeding the clamp voltage.

次に、第1、第2の実施の形態に係る充電回路200a、200bにクランプ回路として利用される過電圧保護の構成について説明する。   Next, a configuration of overvoltage protection used as a clamp circuit in the charging circuits 200a and 200b according to the first and second embodiments will be described.

図3は、第1、第2の実施の形態においてクランプ回路10として使用される過電圧保護回路50の構成を示す回路図である。過電圧保護回路50は、半導体集積回路に内蔵され、本半導体集積回路の電源端子104aに供給される電源電圧Vddを、所定のクランプ電圧以下にクランプするクランプ回路である。   FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of an overvoltage protection circuit 50 used as the clamp circuit 10 in the first and second embodiments. The overvoltage protection circuit 50 is a clamp circuit that is built in the semiconductor integrated circuit and clamps the power supply voltage Vdd supplied to the power supply terminal 104a of the semiconductor integrated circuit below a predetermined clamp voltage.

過電圧保護回路50は、基準電圧源52、コンパレータ54、第1クランプ回路56、第2クランプ回路58、第1スイッチM1、第2スイッチM2、電流電圧変換回路60を含む。   The overvoltage protection circuit 50 includes a reference voltage source 52, a comparator 54, a first clamp circuit 56, a second clamp circuit 58, a first switch M1, a second switch M2, and a current-voltage conversion circuit 60.

第1クランプ回路56、第1スイッチM1は、充電制御回路100bの電源端子104bと接地端子間に、直列に設けられる。第1クランプ回路56はアノードが電源端子104b側に、カソードが接地端子側に接続された複数のダイオードを含む。第1スイッチM1は、ソースが第1クランプ回路56に接続されたPチャンネルMOSFETである。   The first clamp circuit 56 and the first switch M1 are provided in series between the power supply terminal 104b and the ground terminal of the charge control circuit 100b. The first clamp circuit 56 includes a plurality of diodes having an anode connected to the power supply terminal 104b side and a cathode connected to the ground terminal side. The first switch M <b> 1 is a P-channel MOSFET whose source is connected to the first clamp circuit 56.

基準電圧源52は、バンドギャップレギュレータなどであって、所定の基準電圧Vrefを生成し、コンパレータ54の非反転入力端子に印加する。第7抵抗R7、第8抵抗R8は、電源端子104bの電圧Vdd’を分圧し、コンパレータ54の反転入力端子に印加する。   The reference voltage source 52 is a band gap regulator or the like, and generates a predetermined reference voltage Vref and applies it to the non-inverting input terminal of the comparator 54. The seventh resistor R7 and the eighth resistor R8 divide the voltage Vdd 'of the power supply terminal 104b and apply it to the inverting input terminal of the comparator 54.

コンパレータ54は、反転入力端子に印加された電源端子104bの電源電圧Vdd’に応じた電圧Vdd’’を、基準電圧Vrefと比較し、比較結果に応じて、第1スイッチM1のオンオフを制御する。本実施の形態において、コンパレータ54は、Vdd’’>Vrefのときローレベルとなる比較信号Vcmpを出力する。第1スイッチM1は、比較信号Vcmpがローレベルのときオン、ハイレベルのときオフとなる。   The comparator 54 compares the voltage Vdd ″ corresponding to the power supply voltage Vdd ′ of the power supply terminal 104b applied to the inverting input terminal with the reference voltage Vref, and controls on / off of the first switch M1 according to the comparison result. . In the present embodiment, the comparator 54 outputs a comparison signal Vcmp that is at a low level when Vdd ″> Vref. The first switch M1 is turned on when the comparison signal Vcmp is at a low level and turned off when the comparison signal Vcmp is at a high level.

電流電圧変換回路60は、第1クランプ回路56および第1スイッチM1を含む経路に流れる電流Ixを、電圧Vxに変換する。電流電圧変換回路60は、変換して得られた電圧Vxが、所定のしきい値電圧を超えると、半導体集積回路の機能の一部を停止する。第1、第2の実施の形態では、充電機能を停止する場合について説明した。   The current-voltage conversion circuit 60 converts a current Ix flowing through a path including the first clamp circuit 56 and the first switch M1 into a voltage Vx. The current-voltage conversion circuit 60 stops part of the functions of the semiconductor integrated circuit when the voltage Vx obtained by the conversion exceeds a predetermined threshold voltage. In the first and second embodiments, the case where the charging function is stopped has been described.

電流電圧変換回路60は、第1トランジスタQ1〜第4トランジスタQ4、第9抵抗R9を含む。第1トランジスタQ1は、第1クランプ回路56および第1スイッチM1と直列に、同一電流経路上に設けられる。第2〜第4トランジスタQ2〜Q4は、第1トランジスタQ1とカレントミラー接続される。第2〜第4トランジスタQ2〜Q4よって複製された電流Ix’は、一端の電位が固定された第9抵抗R9に流され、Vx=R9×Ix’の電圧が生成される。   The current-voltage conversion circuit 60 includes a first transistor Q1 to a fourth transistor Q4 and a ninth resistor R9. The first transistor Q1 is provided on the same current path in series with the first clamp circuit 56 and the first switch M1. The second to fourth transistors Q2 to Q4 are current mirror connected to the first transistor Q1. The current Ix ′ replicated by the second to fourth transistors Q2 to Q4 is passed through a ninth resistor R9 having a fixed potential at one end, and a voltage of Vx = R9 × Ix ′ is generated.

電圧Vxは、エミッタ接地された第5トランジスタQ5のベースに入力される。第10抵抗R10は、第5トランジスタQ5のコレクタと、電源端子104bの間に設けられる。電圧Vxが、しきい値電圧を超えて、第5トランジスタQ5がオンすると、インバータ62の出力はハイレベルとなる。インバータ62の出力信号は、半導体集積回路の機能の一部を停止するために利用される。第1、第2の実施の形態では、インバータ62の出力信号は、充電停止スイッチM3のゲートに供給される信号として利用された。   The voltage Vx is input to the base of the fifth transistor Q5 whose emitter is grounded. The tenth resistor R10 is provided between the collector of the fifth transistor Q5 and the power supply terminal 104b. When the voltage Vx exceeds the threshold voltage and the fifth transistor Q5 is turned on, the output of the inverter 62 becomes high level. The output signal of the inverter 62 is used to stop a part of the function of the semiconductor integrated circuit. In the first and second embodiments, the output signal of the inverter 62 is used as a signal supplied to the gate of the charge stop switch M3.

第2クランプ回路58および第2スイッチM2は直列に接続され、第1スイッチM1から接地端子に至る経路と並列の経路に配置される。より具体的には、第2クランプ回路58および第2スイッチM2は、第1スイッチM1のゲートと接地端子の間に、直列に接続される。また、第1スイッチM1のゲートソース間には、プルアップ抵抗R11が設けられる。第2スイッチM2は、NチャンネルMOSFETであり、ソースが接地され、ドレインが第2クランプ回路58に接続される。   The second clamp circuit 58 and the second switch M2 are connected in series, and are arranged in a path parallel to the path from the first switch M1 to the ground terminal. More specifically, the second clamp circuit 58 and the second switch M2 are connected in series between the gate of the first switch M1 and the ground terminal. A pull-up resistor R11 is provided between the gate and source of the first switch M1. The second switch M <b> 2 is an N-channel MOSFET, the source is grounded, and the drain is connected to the second clamp circuit 58.

ここで、基準電圧源52は、電源端子104aに供給される電源電圧Vddによって動作するため、電源電圧Vddが低い場合には、所定の基準電圧Vrefが出力不能な状態となる場合がある。基準電圧源52は、このような場合に、ハイレベルとなる低電圧検出信号VLOWを出力するように構成される。低電圧検出信号VLOWは、第2スイッチM2のゲートに印加される。その結果、第2スイッチM2は、低電圧検出信号VLOWがハイレベルの期間、すなわち、所定の基準電圧Vrefが生成されない期間、オンとなる。   Here, since the reference voltage source 52 operates by the power supply voltage Vdd supplied to the power supply terminal 104a, when the power supply voltage Vdd is low, the predetermined reference voltage Vref may not be output. In such a case, the reference voltage source 52 is configured to output a low voltage detection signal VLOW that becomes a high level. The low voltage detection signal VLOW is applied to the gate of the second switch M2. As a result, the second switch M2 is turned on while the low voltage detection signal VLOW is at a high level, that is, during a period when the predetermined reference voltage Vref is not generated.

以上のように構成された過電圧保護回路50の動作を説明する。
電源端子104aに印加される電源電圧Vddおよび電源端子104bに印加される電源電圧Vdd’が、通常の動作電圧の場合、Vdd’’<Vrefが成り立つため、第1スイッチM1はオフとなり、第1クランプ回路56および第1スイッチM1を含む経路には電流が流れず、クランプ機能は働かない。
The operation of the overvoltage protection circuit 50 configured as described above will be described.
When the power supply voltage Vdd applied to the power supply terminal 104a and the power supply voltage Vdd ′ applied to the power supply terminal 104b are normal operating voltages, Vdd ″ <Vref is established, so that the first switch M1 is turned off, and the first switch M1 is turned off. No current flows through the path including the clamp circuit 56 and the first switch M1, and the clamp function does not work.

過電圧状態において、電源端子104aに印加される電源電圧Vddおよび電源端子104bに印加される電源電圧Vdd’が上昇すると、コンパレータ54から出力される比較信号Vcmpがローレベルとなり、第1スイッチM1がオン状態となる。このとき、第1スイッチM1および第1クランプ回路56を含む経路に電流Ixが流れ、第1クランプ回路56によって、電源端子104bの電圧Vdd’が所定のしきい値電圧Vth以下にクランプされる。このときのしきい値電圧Vthは、Vth≒Vf×2+VdsM1+VceQ1で与えられる。ここで、Vfは、第1クランプ回路56のダイオードの順方向電圧、VdsM1は、第1スイッチM1のドレインソース間電圧、VceQ1は、第1トランジスタQ1のコレクタエミッタ間電圧である。   In an overvoltage state, when the power supply voltage Vdd applied to the power supply terminal 104a and the power supply voltage Vdd ′ applied to the power supply terminal 104b rise, the comparison signal Vcmp output from the comparator 54 becomes low level, and the first switch M1 is turned on. It becomes a state. At this time, a current Ix flows through a path including the first switch M1 and the first clamp circuit 56, and the voltage Vdd 'of the power supply terminal 104b is clamped to a predetermined threshold voltage Vth or less by the first clamp circuit 56. The threshold voltage Vth at this time is given by Vth≈Vf × 2 + VdsM1 + VceQ1. Here, Vf is the forward voltage of the diode of the first clamp circuit 56, VdsM1 is the drain-source voltage of the first switch M1, and VceQ1 is the collector-emitter voltage of the first transistor Q1.

電源端子104bの電圧Vdd’がクランプされると、電源端子104aの電圧Vddは、クランプ電圧Vclmp=Vth−Vf以下にクランプされる。ここでVfは、保護トランジスタTr3のベースエミッタ間電圧である。その結果、コンパレータ54や基準電圧源52に印加される電源電圧Vddは、クランプ電圧以下に抑えられるため、回路保護が実現される。   When the voltage Vdd ′ at the power supply terminal 104b is clamped, the voltage Vdd at the power supply terminal 104a is clamped to a clamp voltage Vclmp = Vth−Vf or less. Here, Vf is a base-emitter voltage of the protection transistor Tr3. As a result, the power supply voltage Vdd applied to the comparator 54 and the reference voltage source 52 is suppressed to a clamp voltage or less, so that circuit protection is realized.

また、このとき、電流Ixが、電流電圧変換回路60によって電圧Vxに変換され、Vx>Vfとなると、第5トランジスタQ5がオンし、インバータ62の出力信号によって、過電圧保護回路50が内蔵される半導体集積回路の機能の一部が停止される。   At this time, when the current Ix is converted into the voltage Vx by the current-voltage conversion circuit 60 and Vx> Vf, the fifth transistor Q5 is turned on, and the overvoltage protection circuit 50 is built in by the output signal of the inverter 62. A part of the function of the semiconductor integrated circuit is stopped.

さらに、本実施の形態によれば、外部電源210からの外部電源電圧Vdcが、0V付近から急激に上昇した場合にも、好適に回路保護を実現することができる。外部電源電圧Vdcが、0V付近の場合、基準電圧源52は基準電圧Vrefを生成することができず、また、コンパレータ54自体も電圧比較を行うことができない。   Furthermore, according to the present embodiment, circuit protection can be suitably realized even when the external power supply voltage Vdc from the external power supply 210 suddenly rises from around 0V. When the external power supply voltage Vdc is near 0 V, the reference voltage source 52 cannot generate the reference voltage Vref, and the comparator 54 itself cannot perform voltage comparison.

この状態において、基準電圧源52はハイレベルの低電圧検出信号VLOWを出力しているため、第2スイッチM2がオンとなる。その結果、第1クランプ回路56、プルアップ抵抗R11、第2クランプ回路58、第2スイッチM2を含む経路がアクティブとなり、クランプ回路として機能する。したがって、急激に外部電源電圧Vdcが上昇した場合においても、電源端子104bの電源電圧Vdd’ならびに電源端子104aの電源電圧Vddを確実にクランプすることができる。   In this state, the reference voltage source 52 outputs the high level low voltage detection signal VLOW, so that the second switch M2 is turned on. As a result, a path including the first clamp circuit 56, the pull-up resistor R11, the second clamp circuit 58, and the second switch M2 becomes active and functions as a clamp circuit. Therefore, even when the external power supply voltage Vdc suddenly increases, the power supply voltage Vdd 'of the power supply terminal 104b and the power supply voltage Vdd of the power supply terminal 104a can be reliably clamped.

なお、外部電源電圧Vdcがある程度上昇して、基準電圧源52により所定の基準電圧Vrefが生成されるようになると、第2スイッチM2がオフし、第1クランプ回路56および第1スイッチM1を含む経路でのクランプ動作へと移行する。   When the external power supply voltage Vdc rises to some extent and the reference voltage source 52 generates a predetermined reference voltage Vref, the second switch M2 is turned off and includes the first clamp circuit 56 and the first switch M1. Transition to clamping operation in the path.

以上、実施の形態にもとづき、本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎないことはいうまでもなく、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を離脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が可能であることはいうまでもない。   Although the present invention has been described above based on the embodiments, it should be understood that the embodiments merely illustrate the principles and applications of the present invention, and the embodiments are within the scope of the claims. Needless to say, many modifications and arrangements can be made without departing from the concept of the present invention.

実施の形態でMOSFETとバイポーラトランジスタは、必要に応じて適宜置き換えることが可能である。また、MOSFETのNチャンネルとPチャンネル、あるいはバイポーラトランジスタのNPN型とPNP型も、適宜置換してもよい。   In the embodiment, the MOSFET and the bipolar transistor can be appropriately replaced as necessary. Further, the N channel and P channel of the MOSFET or the NPN type and PNP type of the bipolar transistor may be appropriately replaced.

また、実施の形態では、充電トランジスタTr1や充電制御トランジスタTr2が充電制御回路100の外部に設けられる場合について説明したが、これらを充電制御回路100の内部に設けてもよい。したがって、いずれの回路素子を半導体集積回路の内部に形成するかは、使用する半導体プロセスや、回路に要求される仕様などに応じて適宜変更可能である。   Further, although the case where the charging transistor Tr1 and the charging control transistor Tr2 are provided outside the charging control circuit 100 has been described in the embodiment, they may be provided inside the charging control circuit 100. Therefore, which circuit element is formed in the semiconductor integrated circuit can be changed as appropriate according to the semiconductor process to be used, the specifications required for the circuit, and the like.

また、本実施の形態において、ハイレベル、ローレベルの論理値の設定は一例であって、インバータなどによって適宜反転させることにより自由に変更することが可能である。   Further, in the present embodiment, the setting of high level and low level logical values is merely an example, and can be freely changed by appropriately inverting it with an inverter or the like.

第1の実施の形態に係る充電回路および電子機器全体の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the charging circuit which concerns on 1st Embodiment, and the whole electronic device. 第2の実施の形態に係る充電回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the charging circuit which concerns on 2nd Embodiment. 第1、第2の実施の形態においてクランプ回路として使用される過電圧保護回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the overvoltage protection circuit used as a clamp circuit in 1st, 2nd embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 クランプ回路、 20 電流調節回路、 50 過電圧保護回路、 52 基準電圧源、 54 コンパレータ、 56 第1クランプ回路、 58 第2クランプ回路、 60 電流電圧変換回路、 100 充電制御回路、 104 電源端子、 210 外部電源、 220 電池、 1000 電子機器、 Tr1 充電トランジスタ、 Tr2 充電制御トランジスタ、 Tr3 保護トランジスタ、 M1 第1スイッチ、 M2 第2スイッチ、 R11 プルアップ抵抗。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Clamp circuit, 20 Current adjustment circuit, 50 Overvoltage protection circuit, 52 Reference voltage source, 54 Comparator, 56 1st clamp circuit, 58 2nd clamp circuit, 60 Current voltage conversion circuit, 100 Charge control circuit, 104 Power supply terminal, 210 External power supply, 220 battery, 1000 electronic device, Tr1 charge transistor, Tr2 charge control transistor, Tr3 protection transistor, M1 first switch, M2 second switch, R11 pull-up resistor.

Claims (14)

半導体集積回路に内蔵され、本半導体集積回路の電源端子に供給される電源電圧を、所定のクランプ電圧以下にクランプする過電圧保護回路であって、
前記半導体集積回路の電源端子および固定電圧端子間に、直列に設けられた第1クランプ回路および第1スイッチと、
所定の基準電圧を生成する基準電圧源と、
前記電源端子に供給される電源電圧に応じた電圧を、前記基準電圧と比較するコンパレータと、
を備え、
前記コンパレータは、前記電源電圧に応じた電圧が前記基準電圧より高くなると、前記第1スイッチをオンすることを特徴とする過電圧保護回路。
An overvoltage protection circuit that is embedded in a semiconductor integrated circuit and clamps a power supply voltage supplied to a power supply terminal of the semiconductor integrated circuit below a predetermined clamp voltage,
A first clamp circuit and a first switch provided in series between a power supply terminal and a fixed voltage terminal of the semiconductor integrated circuit;
A reference voltage source for generating a predetermined reference voltage;
A comparator that compares a voltage according to a power supply voltage supplied to the power supply terminal with the reference voltage;
With
The overvoltage protection circuit, wherein the comparator turns on the first switch when a voltage corresponding to the power supply voltage becomes higher than the reference voltage.
前記第1クランプ回路および前記第1スイッチを含む経路に流れる電流を、電圧に変換する電流電圧変換回路をさらに含み、
変換された電圧が、所定のしきい値電圧を超えると、前記半導体集積回路の機能の一部を停止することを特徴とする請求項1に記載の過電圧保護回路。
A current-voltage conversion circuit that converts a current flowing through a path including the first clamp circuit and the first switch into a voltage;
2. The overvoltage protection circuit according to claim 1, wherein when the converted voltage exceeds a predetermined threshold voltage, a part of the function of the semiconductor integrated circuit is stopped.
前記第1スイッチから前記固定電圧端子へと至る経路と並列の経路に、直列に設けられた第2クランプ回路および第2スイッチをさらに含み、
前記基準電圧源は、前記半導体集積回路に供給される前記電源電圧が低いことにより、前記所定の基準電圧が出力不能な状態において所定レベルとなる低電圧検出信号を出力するように構成され、
前記第2スイッチは、前記低電圧検出信号が前記所定レベルの期間、オンすることを特徴とする請求項1または2に記載の過電圧保護回路。
A second clamp circuit and a second switch provided in series in a path parallel to the path from the first switch to the fixed voltage terminal;
The reference voltage source is configured to output a low voltage detection signal that is at a predetermined level when the power supply voltage supplied to the semiconductor integrated circuit is low and the predetermined reference voltage cannot be output.
3. The overvoltage protection circuit according to claim 1, wherein the second switch is turned on while the low voltage detection signal is at the predetermined level. 4.
前記第1クランプ回路は、ダイオードを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の過電圧保護回路。   The overvoltage protection circuit according to claim 1, wherein the first clamp circuit includes a diode. 前記第1スイッチは、PチャンネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)であることを特徴とする請求項1または2に記載の過電圧保護回路。   The overvoltage protection circuit according to claim 1, wherein the first switch is a P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). 前記コンパレータは、前記電源電圧に応じた電圧が、前記基準電圧より高いとき、ローレベルの比較信号を、前記第1スイッチである前記PチャンネルMOSFETのゲートに出力することを特徴とする請求項5に記載の過電圧保護回路。   6. The comparator outputs a low level comparison signal to a gate of the P-channel MOSFET as the first switch when a voltage corresponding to the power supply voltage is higher than the reference voltage. The overvoltage protection circuit described in 1. 前記第1スイッチは、PチャンネルMOSFETであり、
前記第2クランプ回路および前記第2スイッチは、前記PチャンネルMOSFETのゲートおよび接地端子間に、直列に接続されるとともに、
前記PチャンネルMOSFETのゲートソース間に、プルアップ抵抗を設けたことを特徴とする請求項3に記載の過電圧保護回路。
The first switch is a P-channel MOSFET;
The second clamp circuit and the second switch are connected in series between the gate and the ground terminal of the P-channel MOSFET,
4. The overvoltage protection circuit according to claim 3, wherein a pull-up resistor is provided between the gate and source of the P-channel MOSFET.
前記電流電圧変換回路は、
前記第1クランプ回路および前記第1スイッチと直列に設けられた第1トランジスタと、
前記第1トランジスタとカレントミラー接続された第2トランジスタと、
一端の電位が固定された抵抗と、
を含み、前記第2トランジスタに流れる電流に応じた電流を、前記抵抗に流すことにより、電圧に変換することを特徴とする請求項2に記載の過電圧保護回路。
The current-voltage conversion circuit is
A first transistor provided in series with the first clamp circuit and the first switch;
A second transistor in current mirror connection with the first transistor;
A resistor with a fixed potential at one end;
The overvoltage protection circuit according to claim 2, wherein a current corresponding to a current flowing through the second transistor is converted into a voltage by flowing through the resistor.
外部電源からの電源電圧にもとづいて電池を充電する充電装置であって、
前記外部電源から前記電池への経路上に設けられた充電トランジスタと、
半導体基板上に集積化され、前記充電トランジスタのオン状態を調節して、前記電池に供給する充電電流を調節する充電制御回路と、
前記外部電源から前記充電制御回路の電源端子への電力供給経路上に設けられ、必要な電圧降下を生成する電圧調節回路と、
を備え、
前記充電制御回路は、当該充電制御回路の電源端子の電圧を、所定のクランプ電圧以下にクランプする請求項1から8のいずれかに記載の過電圧保護回路と、
前記電池の電圧が、所定の電圧値に近づくように、前記充電トランジスタのオン状態を調節する電流調節回路と、
を含むことを特徴とする充電装置。
A charging device for charging a battery based on a power supply voltage from an external power source,
A charging transistor provided on a path from the external power source to the battery;
A charge control circuit that is integrated on a semiconductor substrate and adjusts an on-state of the charging transistor to adjust a charging current supplied to the battery;
A voltage adjustment circuit that is provided on a power supply path from the external power supply to the power supply terminal of the charge control circuit and generates a necessary voltage drop;
With
The overvoltage protection circuit according to any one of claims 1 to 8, wherein the charge control circuit clamps a voltage at a power supply terminal of the charge control circuit below a predetermined clamp voltage;
A current adjusting circuit that adjusts the on state of the charging transistor so that the voltage of the battery approaches a predetermined voltage value;
A charging device comprising:
前記電圧調節回路は、抵抗であることを特徴とする請求項9に記載の充電装置。   The charging device according to claim 9, wherein the voltage adjustment circuit is a resistor. 前記電圧調節回路は、
前記外部電源から前記充電制御回路の電源端子へ至る電力供給経路上に設けれた保護トランジスタと、
前記保護トランジスタの前記外部電源に接続される端子および前記保護トランジスタの制御端子間に設けられた抵抗と、
を含み、
前記過電圧保護回路は、前記保護トランジスタの制御端子の電圧を、所定の電圧以下にクランプすることにより、前記充電制御回路の電源端子の電圧を、前記クランプ電圧以下にクランプすることを特徴とする請求項9に記載の充電装置。
The voltage adjustment circuit includes:
A protection transistor provided on a power supply path from the external power supply to the power supply terminal of the charge control circuit;
A resistor provided between a terminal connected to the external power source of the protection transistor and a control terminal of the protection transistor;
Including
The overvoltage protection circuit clamps the voltage at the power supply terminal of the charge control circuit below the clamp voltage by clamping the voltage at the control terminal of the protection transistor below a predetermined voltage. Item 10. The charging device according to Item 9.
前記保護トランジスタの制御端子および固定電圧端子間に設けられたキャパシタをさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の充電装置。   The charging device according to claim 11, further comprising a capacitor provided between a control terminal and a fixed voltage terminal of the protection transistor. 前記過電圧保護回路は、前記充電制御回路の電源端子の電圧が、クランプされた状態において、前記充電制御回路の充電機能を停止し、前記外部電源から前記電池に供給される充電電流を遮断することを特徴とする請求項11に記載の充電装置。   The overvoltage protection circuit stops a charging function of the charging control circuit and cuts off a charging current supplied to the battery from the external power supply in a state where the voltage of the power supply terminal of the charging control circuit is clamped. The charging device according to claim 11. 電池と、
外部電源からの電源電圧にもとづいて前記電池を充電する請求項9に記載の充電装置と、
を備えることを特徴とする電子機器。
Battery,
The charging device according to claim 9, wherein the battery is charged based on a power supply voltage from an external power supply;
An electronic device comprising:
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