JP2007305946A - Semiconductor device, its manufacturing method, and electronic apparatus - Google Patents

Semiconductor device, its manufacturing method, and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2007305946A
JP2007305946A JP2006135832A JP2006135832A JP2007305946A JP 2007305946 A JP2007305946 A JP 2007305946A JP 2006135832 A JP2006135832 A JP 2006135832A JP 2006135832 A JP2006135832 A JP 2006135832A JP 2007305946 A JP2007305946 A JP 2007305946A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
resin
sealing
adhesive
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006135832A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4844229B2 (en
Inventor
Tateo Terai
健郎 寺井
Hiroyuki Yasuda
浩幸 安田
Takashi Hirano
孝 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2006135832A priority Critical patent/JP4844229B2/en
Publication of JP2007305946A publication Critical patent/JP2007305946A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4844229B2 publication Critical patent/JP4844229B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385Shape, e.g. interlocking features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device comprising adhesive agent for preventing damage, etc. of a semiconductor element, and to provide a method for manufacturing it and an electronic apparatus having the semiconductor device. <P>SOLUTION: In this semiconductor device; a semiconductor element, and a substrate, or a semiconductor element and a semiconductor element are bonded via the adhesive agent. After electrically connecting the semiconductor element to the substrate by wire bonding, the device is so sealed with a sealing resin as to cover the semiconductor element and the bonding wire. The sealing resin contains an inorganic filler. The adhesive agent has an elastic modulus of 6 MPa or above at a sealing temperature at which sealing resin is sealed. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器に関する。   The present invention relates to a semiconductor device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus.

電子機器の小型化・薄型化に伴い、これらに用いられる半導体素子は基板に高密度で実装された半導体パッケージが用いられるようになっている。通常、このような半導体パッケージは、半導体素子と基板との接着フィルムを用いた接合工程、半導体素子と基板とのワイヤーボンディング工程、半導体素子を封止樹脂で封止する封止工程を経て得られる(例えば、特許文献1参照)。   Along with the downsizing and thinning of electronic devices, semiconductor packages mounted on a substrate at a high density are used as semiconductor elements used for these devices. Usually, such a semiconductor package is obtained through a bonding process using an adhesive film between a semiconductor element and a substrate, a wire bonding process between the semiconductor element and the substrate, and a sealing process for sealing the semiconductor element with a sealing resin. (For example, refer to Patent Document 1).

ここで、用いられる接着フィルムには、半導体素子と基板とを接合する機能と、基板の凹凸を埋め込む機能等とが要求される。従来の接着フィルムでは、封止樹脂を封止する工程における加熱により、接着フィルムが軟化し基板の凹凸を埋め込むものであった。   Here, the adhesive film used is required to have a function of bonding a semiconductor element and a substrate, a function of embedding unevenness of the substrate, and the like. In the conventional adhesive film, the adhesive film softens and embeds the irregularities of the substrate by heating in the step of sealing the sealing resin.

しかし、従来の接着フィルムを用いた場合、封止工程において封止樹脂に含まれる充填材が半導体素子を損傷したり、半導体素子が多段に形成されている場合には半導体素子間に充填材が挟まったりする場合があった。   However, when the conventional adhesive film is used, the filler contained in the sealing resin in the sealing process damages the semiconductor element, or when the semiconductor element is formed in multiple stages, the filler is not present between the semiconductor elements. There was a case of being caught.

特開2003−60127号公報JP 2003-60127 A

本発明の目的は、半導体素子の損傷等を防止することができる接着剤を備えた半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、上記に記載の半導体装置を有する電子機器を提供することにある。
The objective of this invention is providing the semiconductor device provided with the adhesive agent which can prevent damage etc. of a semiconductor element, and its manufacturing method.
Another object of the present invention is to provide an electronic apparatus having the semiconductor device described above.

このような目的は、下記(1)〜(15)に記載の本発明により達成される。
(1)半導体素子と基板または半導体素子と半導体素子とが接着剤を介して接合されており、前記半導体素子と、前記基板とをボンディングワイヤーで電気的に接続した後に、前記半導体素子およびボンディングワイヤーを覆うように封止樹脂で封止してなる半導体装置であって、前記封止樹脂は、無機充填材を含有しており、前記接着剤は、前記封止樹脂を封止する封止温度での弾性率が6MPa以上のものであることを特徴とする半導体装置。
(2)前記接着剤は、ワイヤーボンディングする温度での弾性率が、5MPa以上である上記(1)に記載の半導体装置。
(3)前記接着剤は、130℃での溶融粘度が100Pa・s以下である上記(1)または(2)に記載の半導体装置。
(4)前記接着剤は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されているものである上記(1)ないし(3)のいずれかに記載の半導体装置。
(5)前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂を含むものである上記(4)に記載の半導体装置。
(6)前記熱硬化性樹脂の含有量は、前記樹脂組成物全体の60〜85重量%である上記(4)または(5)に記載の半導体装置。
(7)前記樹脂組成物は、さらに硬化剤を含むものである上記(4)ないし(6)のいずれかに記載の半導体装置。
(8)前記樹脂組成物は、さらに硬化触媒を含むものである上記(4)ないし(7)のいずれかに記載の半導体装置。
(9)前記硬化触媒は、イミダゾール化合物を含むものである上記(8)に記載の半導体装置。
(10)前記硬化触媒の融点が、150℃以上である上記(8)または(9)に記載の半導体装置。
(11)上記(1)ないし(10)のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。
(12)半導体素子と、基板とを接着剤を介して仮接合体を得る仮接合工程と、前記仮接合体の前記半導体素子と前記基板とをボンディングワイヤーで電気的に接続するワイヤーボンディング工程と、前記半導体素子およびボンディングワイヤーを覆うように封止樹脂で封止する封止工程とを有し、前記接着剤は、前記封止樹脂を封止する封止温度での弾性率が6MPa以上であるものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(13)さらに、前記仮接合体を構成する前記接着剤を所定の硬化度まで仮硬化させ、該接着剤の弾性率を5Mpa以上とする第1硬化工程を有するものである上記(12)に記載の半導体装置の製造方法。
(14)前記接着剤として、130℃での溶融粘度が100Pa・s以下であるものを用いる上記(12)または(13)に記載の半導体装置の製造方法。
(15)前記封止工程の後に、さらに前記封止樹脂を硬化すると共に、前記接着剤を前記硬化度以上に本硬化する第2硬化工程を有するものである上記(12)ないし(14)のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (15).
(1) A semiconductor element and a substrate, or a semiconductor element and a semiconductor element are bonded via an adhesive, and the semiconductor element and the substrate are electrically connected with a bonding wire, and then the semiconductor element and the bonding wire are connected. A semiconductor device that is sealed with a sealing resin so as to cover the sealing resin, wherein the sealing resin contains an inorganic filler, and the adhesive is a sealing temperature for sealing the sealing resin A semiconductor device having an elastic modulus of 6 MPa or more.
(2) The semiconductor device according to (1), wherein the adhesive has an elastic modulus of 5 MPa or more at a wire bonding temperature.
(3) The said adhesive agent is a semiconductor device as described in said (1) or (2) whose melt viscosity in 130 degreeC is 100 Pa.s or less.
(4) The semiconductor device according to any one of (1) to (3), wherein the adhesive is made of a resin composition containing a thermosetting resin.
(5) The semiconductor device according to (4), wherein the thermosetting resin includes an epoxy resin.
(6) The semiconductor device according to (4) or (5), wherein the content of the thermosetting resin is 60 to 85% by weight of the entire resin composition.
(7) The semiconductor device according to any one of (4) to (6), wherein the resin composition further includes a curing agent.
(8) The semiconductor device according to any one of (4) to (7), wherein the resin composition further includes a curing catalyst.
(9) The semiconductor device according to (8), wherein the curing catalyst includes an imidazole compound.
(10) The semiconductor device according to (8) or (9), wherein the melting catalyst has a melting point of 150 ° C. or higher.
(11) An electronic apparatus comprising the semiconductor device according to any one of (1) to (10).
(12) a temporary bonding step of obtaining a temporary bonded body between the semiconductor element and the substrate via an adhesive, and a wire bonding step of electrically connecting the semiconductor element of the temporary bonded body and the substrate with a bonding wire; And a sealing step of sealing with a sealing resin so as to cover the semiconductor element and the bonding wire, and the adhesive has an elastic modulus of 6 MPa or more at a sealing temperature for sealing the sealing resin. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized by using a certain one.
(13) The above (12) further includes a first curing step in which the adhesive constituting the temporary joined body is temporarily cured to a predetermined degree of cure, and the elastic modulus of the adhesive is 5 Mpa or more. The manufacturing method of the semiconductor device of description.
(14) The method for manufacturing a semiconductor device according to (12) or (13), wherein the adhesive has a melt viscosity at 130 ° C. of 100 Pa · s or less.
(15) After the sealing step, the sealing resin is further cured, and the second curing step is performed to fully cure the adhesive to the degree of curing or more. The manufacturing method of the semiconductor device in any one.

本発明によれば、半導体素子の損傷等を防止することができる接着剤を備えた半導体装置およびその製造方法を得ることができる。
また、本発明によれば、上記に記載の半導体装置を有する電子機器を得ることができる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the semiconductor device provided with the adhesive agent which can prevent damage etc. of a semiconductor element, and its manufacturing method can be obtained.
Further, according to the present invention, an electronic apparatus having the semiconductor device described above can be obtained.

以下、本発明の半導体装置、半導体装置の製造方法および電子機器について詳細に説明する。
本発明の半導体装置は、半導体素子と基板または半導体素子と半導体素子とが接着剤を介して接合されており、前記半導体素子と、前記基板とをボンディングワイヤーで電気的に接続した後に、前記半導体素子およびボンディングワイヤーを覆うように封止樹脂で封止してなる半導体装置であって、前記封止樹脂は、無機充填材を含有しており、前記接着剤は、前記封止樹脂を封止する封止温度での弾性率が6MPa以上のものであることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子と、基板とを接着剤を介して仮接合体を得る仮接合工程と、前記仮接合体の前記半導体素子と前記基板とをボンディングワイヤーで電気的に接続するワイヤーボンディング工程と、前記半導体素子およびボンディングワイヤーを覆うように封止樹脂で封止する封止工程とを有し、前記接着剤は、前記封止樹脂を封止する封止温度での弾性率が6MPa以上であるものを用いることを特徴とする。
Hereinafter, a semiconductor device, a method for manufacturing the semiconductor device, and an electronic apparatus according to the present invention will be described in detail.
In the semiconductor device of the present invention, the semiconductor element and the substrate or the semiconductor element and the semiconductor element are bonded via an adhesive, and after the semiconductor element and the substrate are electrically connected with a bonding wire, the semiconductor device A semiconductor device formed by sealing with a sealing resin so as to cover an element and a bonding wire, wherein the sealing resin contains an inorganic filler, and the adhesive seals the sealing resin The elastic modulus at the sealing temperature is 6 MPa or more.
Moreover, the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a temporary bonding step of obtaining a temporary bonded body between a semiconductor element and a substrate via an adhesive, and the semiconductor element and the substrate of the temporary bonded body with a bonding wire. A wire bonding step of electrically connecting, and a sealing step of sealing with a sealing resin so as to cover the semiconductor element and the bonding wire, and the adhesive seals the sealing resin A material having an elastic modulus at a temperature of 6 MPa or more is used.

まず、半導体装置の製造方法および半導体装置について、好適な実施形態に基づいて詳細に説明する(接着剤として接着フィルムの例を具体例に挙げて説明する)。
図1は、本発明の半導体装置の製造方法のフロー図である。
図2ないし5は、本発明の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
First, a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device will be described in detail based on preferred embodiments (an example of an adhesive film as an adhesive will be described as a specific example).
FIG. 1 is a flowchart of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
2 to 5 are cross-sectional views showing the manufacturing process of the semiconductor device of the present invention.

(仮接合工程)
仮接合工程では、図2に示すように予め接着フィルム1が貼付された半導体素子3と、基板2とを仮接合して仮接合体10’を得る(図3)。また、仮接合工程では、接着フィルム1を基板2の凹凸に埋め込む(初期埋め込み)を行う。仮接合は、具体的には基板2、接着フィルム1および半導体素子3を順次搭載し、熱プレスにて熱圧着して行う。ここで、接着フィルム1は、予め半導体素子3に接合していても良いし、基板2に接合していても良い。
仮接合の条件は、特に限定されないが、80〜250℃×0.01〜10MPaで、0.1〜100秒間プレスする条件が挙げられる。
この接着フィルム1の130℃での溶融粘度は、特に限定されないが、100Pa・s以下であることが好ましく、特に50〜80Pa・sであることが好ましい。溶融粘度が前記範囲内であると、特に仮接合時における初期埋め込み性に優れる。
このように、130℃での接着フィルムの溶融粘度が前記範囲内であると初期埋め込み性に優れる理由は、下記の通りである。
接着フィルム1の130℃での溶融粘度が前記上限値以下であると、基板と半導体素子等を熱圧着する時の流動性に優れ、接着フィルム1が基板に設けられた回路との間の空隙(凹凸)の充填性(埋め込み性)に優れる。一方、130℃での溶融粘度が前記下限値以上であると、必要以上に半導体用接着フィルムがフローしてしまうことを抑制できるため半導体素子を汚染する危険が低くなる。さらに、接着フィルム1を加熱硬化させる場合に、接着フィルム1が基板から発生するガス成分を巻き込むことによるボイドの発生を抑制できる。
(Temporary joining process)
In the temporary bonding step, as shown in FIG. 2, the semiconductor element 3 on which the adhesive film 1 has been pasted in advance and the substrate 2 are temporarily bonded to obtain a temporary bonded body 10 ′ (FIG. 3). In the temporary bonding step, the adhesive film 1 is embedded in the unevenness of the substrate 2 (initial embedding). Specifically, the temporary bonding is performed by sequentially mounting the substrate 2, the adhesive film 1, and the semiconductor element 3 and thermocompression bonding with a hot press. Here, the adhesive film 1 may be bonded to the semiconductor element 3 in advance or may be bonded to the substrate 2.
Although the conditions of temporary joining are not specifically limited, The conditions which press for 0.1 to 100 second at 80-250 degreeC x 0.01-10 MPa are mentioned.
The melt viscosity at 130 ° C. of the adhesive film 1 is not particularly limited, but is preferably 100 Pa · s or less, and particularly preferably 50 to 80 Pa · s. When the melt viscosity is within the above range, the initial embedding property at the time of temporary bonding is excellent.
As described above, the reason why the initial embedding property is excellent when the melt viscosity of the adhesive film at 130 ° C. is within the above range is as follows.
When the melt viscosity at 130 ° C. of the adhesive film 1 is not more than the above upper limit value, the adhesive film 1 has excellent fluidity when thermocompression bonding between the substrate and the semiconductor element, and the gap between the adhesive film 1 and the circuit provided on the substrate Excellent fillability (embedding property). On the other hand, when the melt viscosity at 130 ° C. is equal to or higher than the lower limit value, it is possible to suppress the semiconductor adhesive film from flowing more than necessary, thereby reducing the risk of contaminating the semiconductor element. Furthermore, when the adhesive film 1 is cured by heating, generation of voids due to the gas component generated from the substrate by the adhesive film 1 can be suppressed.

ここで接着フィルム1は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されていることが好ましい。これにより、耐熱性を向上することができる。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもエポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐熱性および密着性をより向上することができる。
Here, the adhesive film 1 is preferably composed of a resin composition containing a thermosetting resin. Thereby, heat resistance can be improved.
Examples of the thermosetting resins include phenol novolac resins, cresol novolac resins, novolac type phenol resins such as bisphenol A novolac resins, phenol resins such as resol phenol resins, bisphenol type epoxies such as bisphenol A epoxy resins and bisphenol F epoxy resins. Resin, novolak epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, etc., novolak epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, alkyl-modified triphenolmethane type epoxy resin, triazine nucleus-containing epoxy resin, di Epoxy resins such as cyclopentadiene-modified phenolic epoxy resins, resins with triazine rings such as urea (urea) resins and melamine resins, unsaturated Riesuteru resins, bismaleimide resins, polyurethane resins, diallyl phthalate resins, silicone resins, resins having a benzoxazine ring, cyanate ester resins, and the like. These may be used singly or in admixture. Among these, an epoxy resin is preferable. Thereby, heat resistance and adhesiveness can be improved more.

前記エポキシ樹脂は、特に限定されないが、結晶性エポキシ樹脂が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂としては、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子量であるものが挙げられる。結晶性エポキシ樹脂が好ましい理由は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するからである。それによって、半導体部品と基板とを接合する際の初期埋め込み性(基板の凹凸に対する初期の埋め込み性)をより向上することができる。   The epoxy resin is not particularly limited, but a crystalline epoxy resin is preferable. Examples of such crystalline epoxy resins include those having a rigid structure such as a biphenyl skeleton, a bisphenol skeleton, and a stilbene skeleton in the main chain and having a relatively low molecular weight. The reason why the crystalline epoxy resin is preferable is that it is a solid that is crystallized at room temperature, but rapidly melts into a low-viscosity liquid in a temperature range above the melting point. Thereby, the initial embedding property (initial embedding property with respect to the unevenness of the substrate) when joining the semiconductor component and the substrate can be further improved.

前記結晶性エポキシ樹脂の融点は、特に限定されないが、50〜150℃が好ましく、特に60〜140℃が好ましい。融点が前記範囲内であると、特に低温接着性(低温でシリコンウエハにラミネートすること)を向上することができる。
前記融点は、例えば示差走査熱量計を用いて、常温から昇温速度5℃/分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点温度で評価することができる。
Although melting | fusing point of the said crystalline epoxy resin is not specifically limited, 50-150 degreeC is preferable and especially 60-140 degreeC is preferable. When the melting point is within the above range, particularly low-temperature adhesion (lamination to a silicon wafer at a low temperature) can be improved.
The melting point can be evaluated by using, for example, a differential scanning calorimeter at the apex temperature of the endothermic peak of crystal melting that is heated from room temperature at a heating rate of 5 ° C./min.

前記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の60〜85重量%が好ましく、特に70〜80重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化後の接着フィルム1の弾性率を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えるとフィルム形成能を向上する効果が低下する場合がある。さらに、含有量が前記範囲内であると、基板2と半導体素子3との初期埋め込み性をより向上することができる。   Although content of the said thermosetting resin is not specifically limited, 60 to 85 weight% of the whole said resin composition is preferable, and 70 to 80 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of improving the elastic modulus of the adhesive film 1 after curing may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the effect of improving the film forming ability may be reduced. Furthermore, when the content is within the above range, the initial embedding property between the substrate 2 and the semiconductor element 3 can be further improved.

前記樹脂組成物は、さらに硬化剤(前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、特に、フェノール系硬化剤)を含有することが好ましい。
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)等の脂環族酸無水物(液状酸無水物)、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン(通称テトラメチルビスフェノールF)、4,4’−スルホニルジフェノール、4,4’−イソプロピリデンジフェノール(通称ビスフェノールA)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンおよびこれらの内ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンの3種の混合物(例えば、本州化学工業(株)製、ビスフェノールF−D)等のビスフェノール類、1,2−ベンゼンジオール、1,3−ベンゼンジオール、1,4−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、1,2,4−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、1,6−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、2,2’−ビフェノール、4,4’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
It is preferable that the resin composition further contains a curing agent (in particular, when the thermosetting resin is an epoxy resin, a phenolic curing agent).
Examples of the curing agent include aliphatic polyamines such as diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), and metaxylylenediamine (MXDA), diaminodiphenylmethane (DDM), m-phenylenediamine (MPDA), and diaminodiphenylsulfone. (DDS) and other aromatic polyamines, dicyandiamide (DICY), amine-based curing agents such as polyamine compounds containing organic acid dihydrazide, etc., hexahydrophthalic anhydride (HHPA), alicyclics such as methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA) Acid anhydride curing agents such as acid anhydride (liquid acid anhydride), trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA), etc., phenol Phenol such as resin System curing agents. Among these, a phenolic curing agent is preferable, and specifically, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) methane (common name: tetramethylbisphenol F), 4,4′-sulfonyldiphenol, 4,4′- Isopropylidene diphenol (commonly called bisphenol A), bis (4-hydroxyphenyl) methane, bis (2-hydroxyphenyl) methane, (2-hydroxyphenyl) (4-hydroxyphenyl) methane and bis (4-hydroxy) Bisphenols such as three mixtures of phenyl) methane, bis (2-hydroxyphenyl) methane, and (2-hydroxyphenyl) (4-hydroxyphenyl) methane (for example, bisphenol FD manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) , 1,2-benzenediol, 1,3-benzenediol Dihydroxybenzenes such as 1,4-benzenediol, trihydroxybenzenes such as 1,2,4-benzenetriol, various isomers of dihydroxynaphthalenes such as 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,2′-biphenol, Examples of the compound include various isomers of biphenols such as 4,4′-biphenol.

前記硬化剤(特にフェノール系硬化剤)の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の15〜40重量%が好ましく、特に20〜30重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。なお、フェノール系硬化剤としてフェノール樹脂を用いる場合には、該フェノール樹脂は熱硬化性樹脂とせずに含有量を評価する。   Although content of the said hardening | curing agent (especially phenol type hardening | curing agent) is not specifically limited, 15 to 40 weight% of the whole said resin composition is preferable, and 20 to 30 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of improving the heat resistance may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the storage stability may be reduced. In addition, when using a phenol resin as a phenol type hardening | curing agent, this phenol resin does not make it a thermosetting resin, but evaluates content.

また、前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、前記エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量(たとえばフェノール樹脂であれば水酸基当量)の比が0.5〜1.5であることが好ましく、特に0.7〜1.3であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。   In addition, when the thermosetting resin is an epoxy resin, it can be determined by calculating the equivalent ratio of the epoxy equivalent and the curing agent. The epoxy equivalent of the epoxy resin and the equivalent of the functional group of the curing agent (for example, phenol resin) If present, the ratio of hydroxyl equivalent) is preferably 0.5 to 1.5, particularly preferably 0.7 to 1.3. When the content is less than the lower limit value, the storage stability may be lowered, and when the content exceeds the upper limit value, the effect of improving the heat resistance may be lowered.

前記樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに硬化触媒を含むことが好ましい。これにより、接着フィルム1の硬化性を向上することができる。
前記硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。
前記イミダゾール類としては、例えば1−ベンジル−2メチルイミダゾール、1−ベンジル−2フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリル−(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−ウンデシルイミダゾリル−(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−エチル−4'メチルイミダゾリル−(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリル−(1')]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。
The resin composition is not particularly limited, but preferably further contains a curing catalyst. Thereby, the sclerosis | hardenability of the adhesive film 1 can be improved.
Examples of the curing catalyst include amine catalysts such as imidazoles and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene, phosphorus catalysts such as triphenylphosphine, and the like. Of these, imidazoles are preferred. Thereby, especially quick curability and preservability can be made compatible.
Examples of the imidazoles include 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ′)]-Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4′methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 -[2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2- Phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-vinyl-s- Examples include triazine isocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, and the like. Among these, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole or 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole is preferable. Thereby, the storage stability can be particularly improved.

前記硬化触媒の融点は、特に限定されないが、150℃以上であることが好ましく、特に160〜230℃であることが好ましい。融点が前記範囲内であると、半導体素子3と基板2との初期埋め込み性(基板2の凹凸に対する接着フィルム1の接合時の埋め込み性)と硬化性とのバランスに優れる。
融点が150℃以上の硬化触媒としては、例えば2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
The melting point of the curing catalyst is not particularly limited, but is preferably 150 ° C. or higher, and particularly preferably 160 to 230 ° C. When the melting point is within the above range, the balance between the initial embedding property of the semiconductor element 3 and the substrate 2 (embedding property when the adhesive film 1 is bonded to the unevenness of the substrate 2) and curability is excellent.
Examples of the curing catalyst having a melting point of 150 ° C. or higher include 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole.

前記硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、前記熱硬化性樹脂100重量部に対して0.01〜30重量部が好ましく、特に0.5〜10重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。   Although content of the said curing catalyst is not specifically limited, 0.01-30 weight part is preferable with respect to 100 weight part of the said thermosetting resins, and 0.5-10 weight part is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the curability may be insufficient, and if the content exceeds the upper limit, the storage stability may decrease.

前記硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、10μm以下であることが好ましく、特に1〜5μmであることが好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。   Although the average particle diameter of the said curing catalyst is not specifically limited, It is preferable that it is 10 micrometers or less, and it is especially preferable that it is 1-5 micrometers. When the average particle size is within the above range, the reactivity of the curing catalyst is particularly excellent.

前記樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。これにより、接着フィルムのフィルム形成能を向上することができる。
前記熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いため接着フィルムの初期埋め込み性をより向上することができる。
The resin composition is not particularly limited, but preferably further includes a thermoplastic resin. Thereby, the film formation ability of an adhesive film can be improved.
Examples of the thermoplastic resin include polyimide resins such as polyimide resins and polyetherimide resins, polyamide resins such as polyamide resins and polyamideimide resins, and acrylic resins. Among these, acrylic resins are preferable. Since the acrylic resin has a low glass transition temperature, the initial embedding property of the adhesive film can be further improved.

前記アクリル系樹脂は、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。
また、アクリル系樹脂の中でもエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、ニトリル基等を持つ化合物(共重合モノマー成分)を有するアクリル系樹脂(特に、アクリル酸エステル共重合体)が好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、ニトリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
The acrylic resin means acrylic acid and derivatives thereof, and specifically, acrylic acid esters such as acrylic acid, methacrylic acid, methyl acrylate, and ethyl acrylate, and methacrylate esters such as methyl methacrylate and ethyl methacrylate. , Polymers such as acrylonitrile and acrylamide, and copolymers with other monomers.
Of the acrylic resins, acrylic resins (particularly acrylic ester copolymers) having a compound (copolymerization monomer component) having an epoxy group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a nitrile group or the like are preferable. Thereby, the adhesiveness to adherends, such as a semiconductor element, can be improved more. Specific examples of the compound having a functional group include glycidyl methacrylate having a glycidyl ether group, hydroxy methacrylate having a hydroxyl group, carboxy methacrylate having a carboxyl group, and acrylonitrile having a nitrile group.

前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、前記アクリル系樹脂全体の0.5〜40重量%が好ましく、特に5〜30重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。   The content of the compound having a functional group is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 40% by weight, particularly preferably 5 to 30% by weight, based on the entire acrylic resin. When the content is less than the lower limit, the effect of improving the adhesion may be reduced, and when the content exceeds the upper limit, the adhesive force is too strong and the effect of improving the workability may be reduced.

前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、特に限定されないが、−25〜120℃であることが好ましく、特に−20〜60℃が好ましく、最も−10〜50℃が好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると接着フィルムの粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。   The glass transition temperature of the thermoplastic resin is not particularly limited, but is preferably −25 to 120 ° C., particularly preferably −20 to 60 ° C., and most preferably −10 to 50 ° C. When the glass transition temperature is less than the lower limit, the adhesive force of the adhesive film may be increased and workability may be reduced. When the glass transition temperature exceeds the upper limit, the effect of improving the low temperature adhesiveness may be reduced.

前記熱可塑性樹脂(特にアクリル系樹脂)の重量平均分子量は、特に限定されないが、10万以上が好ましく、特に15万〜100万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に半導体用接着フィルムの製膜性を向上することができる。   The weight average molecular weight of the thermoplastic resin (particularly acrylic resin) is not particularly limited, but is preferably 100,000 or more, particularly preferably 150,000 to 1,000,000. When the weight average molecular weight is within the above range, the film forming property of the adhesive film for a semiconductor can be improved.

前記熱可塑性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の10〜30重量%が好ましく、特に15〜25重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとフィルム形成能を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると初期埋め込み性を向上する効果が低下する場合がある。   Although content of the said thermoplastic resin is not specifically limited, 10 to 30 weight% of the whole said resin composition is preferable, and 15 to 25 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of improving the film forming ability may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the effect of improving the initial embedding property may be reduced.

前記樹脂組成物は、特に限定されないが、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、樹脂と被着体および樹脂界面の密着性をより向上させることができる。
前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。
The resin composition is not particularly limited, but preferably further includes a coupling agent. Thereby, the adhesiveness of resin, a to-be-adhered body, and a resin interface can be improved more.
Examples of the coupling agent include a silane coupling agent, a titanium coupling agent, and an aluminum coupling agent. Of these, silane coupling agents are preferred. Thereby, heat resistance can be improved more.

前記シラン系カップリング剤としては例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。   Examples of the silane coupling agent include vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycol. Sidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N- Examples include phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, and 3-acryloxypropyltrimethoxysilane.

前記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記熱硬化性樹脂100重量部に対して0.01〜10重量部が好ましく、特に0.5〜8重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。   The content of the coupling agent is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 10 parts by weight, particularly preferably 0.5 to 8 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermosetting resin. If the content is less than the lower limit, the effect of adhesion may be insufficient, and if it exceeds the upper limit, it may cause outgassing or voids.

このような樹脂組成物を、例えばメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥して接着フィルム1を得ることができる。
接着フィルム1の厚さは、特に限定されないが、3〜100μmが好ましく、特に5〜70μmが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。なお、接着フィルム1の特性については、後述する。
Such a resin composition is dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone, acetone, toluene, dimethylformaldehyde, etc. to make a varnish, and then applied to a carrier film using a comma coater, die coater, gravure coater, etc. The adhesive film 1 can be obtained by drying.
Although the thickness of the adhesive film 1 is not specifically limited, 3-100 micrometers is preferable and 5-70 micrometers is especially preferable. When the thickness is within the above range, it is particularly easy to control the thickness accuracy. In addition, the characteristic of the adhesive film 1 is mentioned later.

(第1硬化工程)
第1硬化工程では、仮接合体10’を加熱処理等して接着フィルム1を構成する樹脂組成物を所定の硬化度まで仮硬化する。これにより、後述するワイヤーボンディング工程でのワイヤー接着力を向上することができる。
具体的に所定の硬化度とは、例えば接着フィルム1を示差熱量計で測定して得られる全硬化発熱量の50〜80%の発熱を終えた状態である場合をいう。
また、前記第1硬化工程を経た後の接着フィルム1の175℃(例えばワイヤーボンディングする温度)での弾性率は、特に限定されないが、5.0MPa以上とすることが好ましく、特に6.0〜8.0MPaとすることが好ましい。これにより、ワイヤーボンディング性を向上することができる。
(First curing step)
In the first curing step, the temporary bonding body 10 ′ is subjected to a heat treatment or the like to temporarily cure the resin composition constituting the adhesive film 1 to a predetermined degree of curing. Thereby, the wire adhesive force in the wire bonding process mentioned later can be improved.
Specifically, the predetermined degree of curing refers to a case where the heat generation of 50 to 80% of the total curing heating value obtained by measuring the adhesive film 1 with a differential calorimeter is completed.
In addition, the elastic modulus at 175 ° C. (for example, wire bonding temperature) of the adhesive film 1 after the first curing step is not particularly limited, but is preferably 5.0 MPa or more, particularly 6.0 to 6.0. It is preferable to set it as 8.0 MPa. Thereby, wire bondability can be improved.

前記第1硬化工程の条件は、接着フィルム1を構成する樹脂組成物により異なり、特に限定されないが、例えば80〜160℃×30〜180分間が好ましく、特に100〜130℃×20〜120分間が好ましい。前記範囲内であると、接着フィルム1の弾性率が向上し、本硬化時のボイドの発生を抑えることができる。また封止工程において封止樹脂5に含まれる充填材が、半導体素子3と基板2との間に挟まったりして発生する不良を低減することができる。
前記第1硬化工程は、接着フィルム1を構成する樹脂組成物の組成によっては不要であるが、後述するワイヤーボンディング工程の安定性の観点では、第1硬化工程を有することが好ましい。
The conditions of the first curing step vary depending on the resin composition constituting the adhesive film 1 and are not particularly limited. However, for example, 80 to 160 ° C. × 30 to 180 minutes are preferable, and 100 to 130 ° C. × 20 to 120 minutes are particularly preferable. preferable. Within the above range, the elastic modulus of the adhesive film 1 is improved, and the generation of voids during the main curing can be suppressed. In addition, it is possible to reduce defects caused by the filler contained in the sealing resin 5 being sandwiched between the semiconductor element 3 and the substrate 2 in the sealing step.
Although the said 1st hardening process is unnecessary depending on the composition of the resin composition which comprises the adhesive film 1, it is preferable to have a 1st hardening process from a viewpoint of stability of the wire bonding process mentioned later.

(ワイヤーボンディング工程)
ワイヤーボンディング工程では、半導体素子3の電極(不図示)と、基板2の電極(不図示)とをボンディングワイヤー4で電気的に接続する(図4)。
ボンディングワイヤー4の接続は、例えばEAGLE60(ASM製)等を用いて行うことができる。
ここで、ワイヤーボンディング工程は、通常150〜250℃の温度で行われる。そこで、初期埋め込み性に優れるような接着フィルム1の場合、接着フィルム1の弾性率が低い傾向があり、接着フィルム1がクッションとなりワイヤーボンディング強度が低下し、不良の原因となる場合がある。そのため、前述の第1硬化工程により、接着フィルム1の硬化度をある程度向上させることが好ましい。
ここで、ワイヤーボンディングする温度(例えば150〜200℃)での接着フィルム1の弾性率は、特に限定されないが、5MPa以上であることが好ましく、特に6.0〜8.0MPaとすることが好ましい。これにより、ワイヤーボンディング性を向上することができる。
(Wire bonding process)
In the wire bonding step, an electrode (not shown) of the semiconductor element 3 and an electrode (not shown) of the substrate 2 are electrically connected by a bonding wire 4 (FIG. 4).
The bonding wire 4 can be connected using, for example, EAGLE 60 (manufactured by ASM).
Here, a wire bonding process is normally performed at the temperature of 150-250 degreeC. Therefore, in the case of the adhesive film 1 having excellent initial embedding properties, the elastic modulus of the adhesive film 1 tends to be low, and the adhesive film 1 becomes a cushion and the wire bonding strength is lowered, which may cause defects. Therefore, it is preferable to improve the degree of curing of the adhesive film 1 to some extent by the first curing step described above.
Here, the elastic modulus of the adhesive film 1 at the temperature for wire bonding (for example, 150 to 200 ° C.) is not particularly limited, but is preferably 5 MPa or more, and particularly preferably 6.0 to 8.0 MPa. . Thereby, wire bondability can be improved.

(封止工程)
封止工程では、半導体素子3および半導体素子3の電極と基板2の電極とを接合しているボンディングワイヤー4を覆うように封止樹脂で封止する。これにより、半導体素子3を保護、絶縁性および防湿性を向上することができる。封止条件は、例えばトランスファー成形機を用いて、150〜200℃、50〜100kg/mmの高温、高圧で行われる。
従来の接着剤では、封止工程で封止樹脂に含まれる充填材が半導体素子と基板の間(または半導体素子が複数積層される場合は、半導体素子間)の接着剤に混入してしまい、半導体素子の割れや欠け等の不良を発生する場合があった。
この原因について検討した結果、本発明者らは封止工程(封止温度)において接着剤(本実施の形態では、接着フィルム1に相当)が軟化し、かつ圧力がかかるために充填材が混入しやすくなっていることを見出した。そこで、本発明は、半導体素子と基板とまたは半導体素子と半導体素子とを接合する接着剤の封止温度での弾性率を6MPa以上とすることを特徴とする。これにより、封止する温度においても接着剤がある程度の硬さを有しているために、充填材が混入することを防止できるものである。
具体的に封止温度での弾性率は、12MPa以上が特に好ましく、15〜50MPaが最も好ましい。このような弾性率は、例えば動的粘弾性測定装置(DMA)で測定することができる。
前記弾性率は、例えばセイコーインスツルメント社製動的粘弾性装置を用い、昇温3℃/min、周波数10Hzで動的粘弾性を測定し、貯蔵弾性率を測定した。
(Sealing process)
In the sealing step, the semiconductor element 3 and the bonding wire 4 that joins the electrode of the semiconductor element 3 and the electrode of the substrate 2 are sealed with a sealing resin. Thereby, the semiconductor element 3 can be improved in protection, insulation and moisture resistance. The sealing conditions are, for example, 150 to 200 ° C., 50 to 100 kg / mm 2 , high temperature and high pressure using a transfer molding machine.
In the conventional adhesive, the filler contained in the sealing resin in the sealing process is mixed into the adhesive between the semiconductor element and the substrate (or between the semiconductor elements when a plurality of semiconductor elements are stacked), In some cases, defects such as cracking or chipping of the semiconductor element occur.
As a result of studying this cause, the present inventors softened the adhesive (corresponding to the adhesive film 1 in the present embodiment) in the sealing step (sealing temperature) and mixed with a filler because pressure is applied. I found it easier to do. Therefore, the present invention is characterized in that the elastic modulus at the sealing temperature of the adhesive for joining the semiconductor element and the substrate or the semiconductor element and the semiconductor element is 6 MPa or more. Thereby, since the adhesive has a certain degree of hardness even at the sealing temperature, the filler can be prevented from being mixed.
Specifically, the elastic modulus at the sealing temperature is particularly preferably 12 MPa or more, and most preferably 15 to 50 MPa. Such elastic modulus can be measured by, for example, a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA).
The elastic modulus was measured by using a dynamic viscoelastic device manufactured by Seiko Instruments Inc., measuring the dynamic viscoelasticity at a temperature increase of 3 ° C./min and a frequency of 10 Hz, and measuring the storage elastic modulus.

このように、封止温度での接着フィルム1の弾性率を6MPa以上にする方法としては、例えば前記樹脂組成物中の熱硬化性樹脂の含有量を多く調製する方法、充填材を添加する方法、弾性率の高い樹脂を用いる方法等が挙げられる。これらの中でも、前記樹脂組成物中の熱硬化性樹脂の含有量を多く調製する方法が好ましい。これにより、初期埋め込み性に優れ、かつ封止工程での半導体素子の損傷を防止することができる。   Thus, as a method of making the elastic modulus of the adhesive film 1 at the sealing temperature 6 MPa or more, for example, a method of preparing a large content of the thermosetting resin in the resin composition, a method of adding a filler And a method using a resin having a high elastic modulus. Among these, a method of preparing a large content of the thermosetting resin in the resin composition is preferable. Thereby, the initial embedding property is excellent, and damage to the semiconductor element in the sealing process can be prevented.

このような封止樹脂5は、例えばエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、シリカのような無機充填材とを含んでいる。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノール樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂等が使用できるが、通常エポキシ系樹脂が使用される。その含有量としては、例えば封止樹脂5全体の5〜50重量%であることが好ましい。
Such a sealing resin 5 includes, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin and an inorganic filler such as silica.
As the thermosetting resin, for example, phenol resin, epoxy resin, silicone resin and the like can be used, but epoxy resin is usually used. As the content, it is preferable that it is 5 to 50 weight% of the whole sealing resin 5, for example.

前記無機充填材としては、例えば溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミナ等が挙げられる。その含有量としては、例えば封止樹脂5全体の60〜95重量%であることが好ましい。   Examples of the inorganic filler include fused silica, crystalline silica, alumina, silicon nitride, and alumina nitride. The content is preferably 60 to 95% by weight of the entire sealing resin 5, for example.

(第2硬化工程)
第2硬化工程では、封止樹脂5を硬化すると共に、接着フィルム1を前記硬化度以上に本硬化する。これにより、最終的な半導体装置10を得ることができる。
第2硬化条件は、封止樹脂5が硬化し、かつ接着フィルム1の硬化が促進される条件であれば特に限定されないが、例えば100〜160℃×5〜180分間が好ましく、特に120〜130℃×10〜100分間が好ましい。
(Second curing step)
In the second curing step, the sealing resin 5 is cured and the adhesive film 1 is fully cured to the degree of curing or more. Thereby, the final semiconductor device 10 can be obtained.
The second curing condition is not particularly limited as long as the sealing resin 5 is cured and the curing of the adhesive film 1 is promoted. For example, the second curing condition is preferably 100 to 160 ° C. for 5 to 180 minutes, and particularly 120 to 130. The temperature is preferably 10 to 100 minutes.

このようにして得られる半導体装置10を構成する接着フィルム1(硬化した後)の175℃での弾性率は、特に限定されないが、30MPa以上でることが好ましく、特に40MPa以上であることが好ましい。   The elastic modulus at 175 ° C. of the adhesive film 1 (after being cured) constituting the semiconductor device 10 thus obtained is not particularly limited, but is preferably 30 MPa or more, particularly preferably 40 MPa or more.

上述のような工程を経て、図5に示すような半導体装置10を得ることができる。
半導体装置10は、基板2と半導体素子3とが接着フィルム1を介して接合されている。
基板2の電極(不図示)と、半導体素子3の電極(不図示)とは、ボンディングワイヤー4で電極的に接続されている。
半導体素子3とボンディングワイヤー4とは、封止樹脂5によって封止されている。
基板2としては、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した基板、ポリイミド基板およびビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等を用いることができる。
Through the steps as described above, a semiconductor device 10 as shown in FIG. 5 can be obtained.
In the semiconductor device 10, the substrate 2 and the semiconductor element 3 are bonded via the adhesive film 1.
An electrode (not shown) of the substrate 2 and an electrode (not shown) of the semiconductor element 3 are connected in an electrode manner by a bonding wire 4.
The semiconductor element 3 and the bonding wire 4 are sealed with a sealing resin 5.
As the substrate 2, for example, a substrate in which glass fiber is impregnated with an epoxy resin, a polyimide substrate, a bismaleimide-triazine resin substrate, or the like can be used.

このように本実施の形態では、接着剤の一形態として接着フィルム1について説明したが、本発明はこれに限定されず、液状、ペースト状等の形態であっても良い。しかし、これらの中でも接着フィルム1が作業性の観点で好ましい。
このように、接着フィルム1を用いると初期埋め込み性に優れ、かつ封止工程での半導体素子の損傷を低減することができる。
また、本実施の形態では、基板と半導体素子とを接合する場合について説明したが、これに限定されず、半導体素子と半導体素子とを接合するために使用しても良い。
As described above, in the present embodiment, the adhesive film 1 has been described as one form of the adhesive, but the present invention is not limited to this, and may be in a liquid form, a paste form, or the like. However, among these, the adhesive film 1 is preferable from the viewpoint of workability.
Thus, when the adhesive film 1 is used, it is excellent in initial embedding property, and damage to the semiconductor element in the sealing process can be reduced.
In this embodiment, the case where the substrate and the semiconductor element are bonded to each other has been described. However, the present invention is not limited to this, and the semiconductor element and the semiconductor element may be bonded.

以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定
されるものではない。
まず、接着フィルムの実施例および比較例について説明する。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this.
First, the Example and comparative example of an adhesive film are demonstrated.

(実施例1)
1.接着フィルム樹脂ワニスの調製
熱可塑性樹脂(A)としてアクリル酸エステル共重合体(エチルアクリレート−アクリロニトリル−グリシジルメタクリレート−N,Nジメチルアクリルアミド共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80HDR、Tg:10℃、重量平均分子量:350,000)19.92重量%と、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂(EOCN−1020−80(オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)19.32重量%と、NC6000(エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)29.08重量%、硬化剤として液状フェノール化合物(MEH−8000H、水酸基当量141g/OH基、明和化成(株)製)21.91重量%、固形フェノール樹脂(PR−HF−3、水酸基当量104g/OH基、住友ベークライト(株)製)9.36重量%、硬化促進剤(E)としてイミダゾール化合物(2P4MHZ−PW、四国化成工業(株)製、融点195℃)0.15重量%、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403E、信越化学工業(株)製)0.26重量%をメチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分49%の樹脂ワニスを得た。
Example 1
1. Preparation of Adhesive Film Resin Varnish Acrylic ester copolymer (ethyl acrylate-acrylonitrile-glycidyl methacrylate-N, N dimethylacrylamide copolymer, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-80HDR, Tg as thermoplastic resin (A) : 10.degree. C., weight average molecular weight: 350,000) 19.92% by weight, curable resin as epoxy resin (EOCN-1020-80 (orthocresol novolac type epoxy resin), epoxy equivalent 200 g / eq, Nippon Kayaku ( 19.32 wt%, NC6000 (epoxy equivalent 200 g / eq, Nippon Kayaku Co., Ltd.) 29.08 wt%, liquid phenolic compound (MEH-8000H, hydroxyl equivalent 141 g / OH group) as a curing agent Manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.) 21.91% by weight, solid pheno Resin (PR-HF-3, hydroxyl group equivalent 104 g / OH group, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) 9.36 wt%, imidazole compound (2P4MHZ-PW, Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) as curing accelerator (E) Made by melting 0.15 wt% of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM403E, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a coupling agent in methyl ethyl ketone (MEK). A resin varnish having a resin solid content of 49% was obtained.

2.接着フィルムの製造
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、基材フィルム(I)であるポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム(株)製、品番MRX50、厚さ50μm)に塗布した後、90℃、5分間乾燥して、厚さ25μmの接着フィルムを得た。
なお、得られた接着フィルム(基材フィルム無し)を120℃で1時間処理後の175℃(後述するワイヤーボンディングする温度)での弾性率は、10MPaであった。
また、得られた接着フィルム(基材フィルム無し)を硬化した後(175℃×2時間熱処理後)の175℃(後述する封止樹脂の封止温度)での弾性率は、45MPaであった。
ここで弾性率は、セイコーインスツルメント社製動的粘弾性装置を用い、予めフィルム状接着剤に前述の処理を行った後、昇温3℃/min、周波数10Hzで動的粘弾性を測定し、175℃での貯蔵弾性率を測定した。
接着フィルムの130℃での溶融粘度は、80Pa・sであった。
2. Manufacture of an adhesive film After apply | coating the above-mentioned resin varnish to the polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film Co., Ltd. product number MRX50, thickness 50micrometer) which is a base film (I) using a comma coater, 90 degreeC The film was dried for 5 minutes to obtain an adhesive film having a thickness of 25 μm.
In addition, the elasticity modulus in 175 degreeC (temperature which wire-bonds mentioned later) after processing the obtained adhesive film (without base film) for 1 hour at 120 degreeC was 10 MPa.
The elastic modulus at 175 ° C. (sealing temperature of a sealing resin described later) after curing the obtained adhesive film (no base film) (after heat treatment at 175 ° C. × 2 hours) was 45 MPa. .
Here, the elastic modulus is measured by using a dynamic viscoelastic device manufactured by Seiko Instruments Inc. and performing the above-described treatment on the film adhesive in advance, and then measuring the dynamic viscoelasticity at a temperature rise of 3 ° C./min and a frequency of 10 Hz. The storage elastic modulus at 175 ° C. was measured.
The melt viscosity of the adhesive film at 130 ° C. was 80 Pa · s.

(実施例2)
接着フィルムの樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
熱可塑性樹脂(A)としてアクリル酸エステル共重合体(エチルアクリレート−アクリロニトリル−グリシジルメタクリレート−N,Nジメチルアクリルアミド共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80HDR、Tg:10℃、重量平均分子量:350,000)29.87重量%と、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂(EOCN−1020−80(オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)16.93重量%と、NC6000(エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)25.49重量%、硬化剤として液状フェノール化合物(MEH−8000H、水酸基当量141g/OH基、明和化成(株)製)19.12重量%、固形フェノール樹脂(PR−HF−3、水酸基当量104g/OH基、住友ベークライト(株)製)8.17重量%、硬化促進剤(E)としてイミダゾール化合物(2P4MHZ−PW、四国化成工業(株)製、融点195℃)0.15重量%、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403E、信越化学工業(株)製)0.26重量%をメチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分49%の樹脂ワニスを得た。
なお、得られた接着フィルムを120℃で1時間処理後の175℃での弾性率は、8MPaであった。
また、得られた接着フィルムを硬化した後(175℃×2時間熱処理後)の175℃での弾性率は、30MPaであった。
接着フィルムの130℃での溶融粘度は、100Pa・sであった。
(Example 2)
The same procedure as in Example 1 was performed except that the resin varnish of the adhesive film was mixed as follows.
As the thermoplastic resin (A), an acrylate copolymer (ethyl acrylate-acrylonitrile-glycidyl methacrylate-N, N dimethylacrylamide copolymer, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-80HDR, Tg: 10 ° C., weight average (Molecular weight: 350,000) 29.87% by weight and epoxy resin (EOCN-1020-80 (orthocresol novolac type epoxy resin) as epoxy resin), epoxy equivalent 200 g / eq, Nippon Kayaku Co., Ltd.) 93 wt%, NC6000 (epoxy equivalent 200 g / eq, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 25.49 wt%, liquid phenolic compound (MEH-8000H, hydroxyl equivalent 141 g / OH group, Meiwa Kasei Co., Ltd.) as a curing agent 19.12% by weight, solid phenolic resin (PR-HF-3, water) Group equivalent 104g / OH group, Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 8.17% by weight, curing accelerator (E) imidazole compound (2P4MHZ-PW, Shikoku Kasei Co., Ltd., melting point 195 ° C.) 0.15% by weight %, 0.26% by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM403E, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a coupling agent was dissolved in methyl ethyl ketone (MEK) to obtain a resin varnish having a resin solid content of 49%. It was.
The elastic modulus at 175 ° C. after treatment of the obtained adhesive film at 120 ° C. for 1 hour was 8 MPa.
In addition, the elastic modulus at 175 ° C. after curing the obtained adhesive film (after heat treatment at 175 ° C. × 2 hours) was 30 MPa.
The melt viscosity at 130 ° C. of the adhesive film was 100 Pa · s.

(実施例3)
接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
熱可塑性樹脂(A)としてアクリル酸エステル共重合体(エチルアクリレート−アクリロニトリル−グリシジルメタクリレート−N,Nジメチルアクリルアミド共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80HDR、Tg:10℃、重量平均分子量:350,000)19.92重量%と、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂(EOCN−1020−80(オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)19.32重量%と、NC6000(エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)29.08重量%、硬化剤として液状フェノール化合物(MEH−8000H、水酸基当量141g/OH基、明和化成(株)製)21.91重量%、固形フェノール樹脂(PR−HF−3、水酸基当量104g/OH基、住友ベークライト(株)製)9.36重量%、硬化促進剤(E)としてイミダゾール化合物(2PZ−CN、四国化成工業(株)製)0.15重量%、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403E、信越化学工業(株)製)0.26重量%をメチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分49%の樹脂ワニスを得た。
なお、得られた接着フィルムを120℃で1時間処理後の175℃での弾性率は、12MPaであった。
また、得られた接着フィルムを硬化した後(175℃×2時間熱処理後)の175℃での弾性率は、48MPaであった。
接着フィルムの130℃での溶融粘度は、80Pa・sであった。
(Example 3)
The procedure of Example 1 was repeated except that the adhesive film resin varnish was blended as follows.
As the thermoplastic resin (A), an acrylate copolymer (ethyl acrylate-acrylonitrile-glycidyl methacrylate-N, N dimethylacrylamide copolymer, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-80HDR, Tg: 10 ° C., weight average 19.92% by weight (molecular weight: 350,000) and epoxy resin (EOCN-1020-80 (orthocresol novolac type epoxy resin), epoxy equivalent 200 g / eq, Nippon Kayaku Co., Ltd.) as a curable resin. 32 wt%, NC6000 (epoxy equivalent 200 g / eq, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 29.08 wt%, liquid phenol compound (MEH-8000H, hydroxyl group equivalent 141 g / OH group, Meiwa Kasei Co., Ltd.) as a curing agent 21.91% by weight, solid phenol resin (PR-HF-3, water) 104 g / OH group equivalent, 9.36% by weight, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., imidazole compound (2PZ-CN, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) 0.15% by weight as a coupling accelerator (E), coupling As an agent, 0.26% by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM403E, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was dissolved in methyl ethyl ketone (MEK) to obtain a resin varnish having a resin solid content of 49%.
The elastic modulus at 175 ° C. after treating the obtained adhesive film at 120 ° C. for 1 hour was 12 MPa.
Moreover, after hardening the obtained adhesive film (after 175 degreeC x 2-hour heat processing), the elasticity modulus in 175 degreeC was 48 MPa.
The melt viscosity of the adhesive film at 130 ° C. was 80 Pa · s.

(比較例1)
接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
熱可塑性樹脂(B)としてアクリル酸共重合体(エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−708−6DR、Tg:6℃、重量平均分子量:800,000)19.92重量%と、熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−80、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)5.97重量%と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(2PHZ−PW、四国化成工業(株)製、平均粒径約2μm、分解温度330℃)0.04重量%と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403E、信越化学工業(株)製)0.20重量%とを用いた。
なお、得られた接着フィルムを120℃で1時間処理後の175℃での弾性率は、1MPaであった。
また、得られた接着フィルムを硬化した後(175℃×2時間熱処理後)の175℃での弾性率は、12MPaであった。
接着フィルムの130℃での溶融粘度は、1,100Pa・sであった。
(Comparative Example 1)
The procedure of Example 1 was repeated except that the adhesive film resin varnish was blended as follows.
As the thermoplastic resin (B), an acrylic acid copolymer (ethyl acrylate-butyl acrylate-acrylonitrile-acrylic acid-hydroxyethyl methacrylate copolymer, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-708-6DR, Tg: 6 ° C., (Weight average molecular weight: 800,000) 19.92% by weight, and cresol novolac epoxy resin (EOCN-1020-80, epoxy equivalent 200 g / eq, Nippon Kayaku Co., Ltd.) 5.97% by weight as a thermosetting resin And 0.04% by weight of an imidazole compound (2PHZ-PW, manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd., average particle size of about 2 μm, decomposition temperature 330 ° C.) as a curing accelerator, and γ-glycidoxypropyltri as a coupling agent. Methoxysilane (KBM403E, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 0.20% by weight was used.
The elastic modulus at 175 ° C. after treatment of the obtained adhesive film at 120 ° C. for 1 hour was 1 MPa.
Moreover, the elastic modulus at 175 ° C. after curing the obtained adhesive film (after heat treatment at 175 ° C. × 2 hours) was 12 MPa.
The melt viscosity of the adhesive film at 130 ° C. was 1,100 Pa · s.

各実施例および比較例で得られた接着フィルムについて、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表1に示す。
1.耐熱性
得られた接着フィルムの耐熱性は、熱機械分析(TMA)により硬化後の接着フィルムのガラス転移温度(Tg)で評価した。
The following evaluation was performed about the adhesive film obtained by each Example and the comparative example. The evaluation items are shown together with the contents. The obtained results are shown in Table 1.
1. Heat resistance The heat resistance of the obtained adhesive film was evaluated by the glass transition temperature (Tg) of the cured adhesive film by thermomechanical analysis (TMA).

2.保存性
得られた接着フィルムの保存性は、加速試験として接着フィルムを50℃で1日間処理した後の硬化発熱量を測定し、初期硬化発熱量(mJ/mg)に対する保存処理後の硬化発熱量(mJ/mg)の百分率で評価した。単位は%。この値が100%に近いほど保存性が高いことを示す。硬化発熱量の評価は、示差走査熱量計(DSC)を用いた。
◎:硬化発熱量の比が、90%以上である。
○:硬化発熱量の比が、70%以上〜90%未満である。
△:硬化発熱量の比が、50%以上〜70%未満である。
×:硬化発熱量の比が、50%未満である。
2. Preservability The preservability of the obtained adhesive film is determined by measuring the heat value of curing after treating the adhesive film at 50 ° C. for 1 day as an accelerated test, and the heat value of curing after storage treatment relative to the initial heat value (mJ / mg). Evaluation was made as a percentage of the amount (mJ / mg). Units%. The closer this value is to 100%, the higher the storage stability. A differential scanning calorimeter (DSC) was used for evaluation of the amount of heat generated by curing.
A: The ratio of the amount of heat generated by curing is 90% or more.
◯: The ratio of the amount of heat generated by curing is 70% or more and less than 90%.
(Triangle | delta): Ratio of the emitted-heat amount of hardening is 50% or more and less than 70%.
X: Ratio of calorific value of curing is less than 50%.

Figure 2007305946
Figure 2007305946

表1から明らかなように、実施例1〜3の接着フィルムは、ガラス転移温度が高く、耐熱性に優れていることが示された。
また、実施例1および2の接着フィルムは、保存性にも特に優れていた。
As is clear from Table 1, it was shown that the adhesive films of Examples 1 to 3 had a high glass transition temperature and excellent heat resistance.
Moreover, the adhesive films of Examples 1 and 2 were particularly excellent in storage stability.

次に、半導体装置について説明する。
(実施例1a〜実施例3a)
(1)半導体用接着フィルムの製造
各実施例で得られた接着フィルム樹脂ワニスをコンマコーターで、基材フィルム(I)であるポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム(株)社製、品番MRX50、厚さ50μm)に塗布した後、90℃、5分間乾燥して、厚さ25μmの半導体用接着フィルムを得た。
Next, a semiconductor device will be described.
(Example 1a to Example 3a)
(1) Manufacture of adhesive film for semiconductors The adhesive film resin varnish obtained in each Example is a comma coater, and a polyethylene terephthalate film (Mitsubishi Chemical Polyester Film Co., Ltd., product number MRX50) as a base film (I). After application to a thickness of 50 μm, the film was dried at 90 ° C. for 5 minutes to obtain an adhesive film for semiconductor having a thickness of 25 μm.

(2)粘着剤層の製造
基材フィルム(II)としてクリアテックCT−H717((株)クラレ製)を、押し出し機で、厚み100μmのフィルムに形成し、表面をコロナ処理した。次に、アクリル酸2−エチルヘキシル50重量部、アクリル酸ブチル10重量部、酢酸ビニル37重量部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル3重量部とを共重合して得られた重量平均分子量500,000の共重合体を剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィルム(粘着層のカバーフィルムに相当)に乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、80℃で5分間乾燥し、粘着剤層を得た。その後、この粘着剤層を基材フィルム(II)のコロナ処理面にラミネートして基材フィルム(II)および粘着剤層を得た。
(2) Production of pressure-sensitive adhesive layer Cleartec CT-H717 (manufactured by Kuraray Co., Ltd.) as a base film (II) was formed into a film having a thickness of 100 μm with an extruder, and the surface was subjected to corona treatment. Next, a weight average molecular weight of 500,000 obtained by copolymerizing 50 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 10 parts by weight of butyl acrylate, 37 parts by weight of vinyl acetate, and 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate. The copolymer was peeled and applied to a 38 μm thick polyester film (corresponding to the cover film of the adhesive layer) so that the thickness after drying was 10 μm, and dried at 80 ° C. for 5 minutes. Obtained. Thereafter, this pressure-sensitive adhesive layer was laminated on the corona-treated surface of the base film (II) to obtain a base film (II) and a pressure-sensitive adhesive layer.

(3)半導体用接着フィルム(ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム)の製造
上述の半導体用接着フィルム(基材フィルム(I)付きの接着フィルム)のフィルム状接着剤層のみ(ウエハーと接合される部分のみ残す)をハーフカットし、上述の粘着層からカバーフィルムを剥離して、半導体用接着フィルムの接着フィルム層と粘着層とが接合するように貼り付けた。これにより、基材フィルム(II)、粘着剤層、接着フィルム、基材(I)とがこの順に構成されてなるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを得た。
(3) Manufacture of semiconductor adhesive film (die attach film with dicing sheet function) Only the film-like adhesive layer of the above-mentioned semiconductor adhesive film (adhesive film with base film (I)) (part bonded to the wafer) The adhesive film layer of the semiconductor adhesive film and the adhesive layer were bonded so that the cover film was peeled off from the adhesive layer described above. Thereby, the die attach film with a dicing sheet function in which base film (II), an adhesive layer, an adhesive film, and base material (I) were constituted in this order was obtained.

(4)半導体装置の製造
このダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの基材(I)を剥離して、接着フィルム面を5インチ200μmウエハーの裏面に温度40℃、圧力0.3MPaで貼り付けし、ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムが付いたウエハーを得た。
その後、このウエハーを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数30,000rpm、切断速度50mm/secで5mm×5mm角の半導体素子のサイズにダイシング(切断)した。次に、ダイシング機能付きダイアタッチフィルムの裏面から突上げし、粘着剤層と接着フィルムとの間で剥離し接着剤層(接着フィルム)が接着した半導体素子を得た。この半導体素子を、ソルダーレジスト(太陽インキ製造(株)製:商品名:AUS308)をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板(回路段差5〜10μm)に、130℃、5N、1.0秒間圧着して、ダイボンディングし、120℃、1時間熱処理を行い、接着フィルム部を半硬化させた、175℃でワイヤーボンディングした後、175℃で封止樹脂EME−G760を封止し、175℃で2時間熱処理を行い、封止樹脂を硬化させて10個の半導体装置を得た。
(4) Manufacturing of semiconductor device The substrate (I) of this die attach film with a dicing sheet function is peeled off, and the adhesive film surface is attached to the back surface of a 5-inch 200 μm wafer at a temperature of 40 ° C. and a pressure of 0.3 MPa. A wafer with a die attach film with a dicing sheet function was obtained.
Thereafter, the wafer was diced (cut) into a size of 5 mm × 5 mm square semiconductor element using a dicing saw at a spindle rotation speed of 30,000 rpm and a cutting speed of 50 mm / sec. Next, it was pushed up from the back surface of the die attach film with a dicing function, peeled between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive film, and a semiconductor element having an adhesive layer (adhesive film) adhered thereto was obtained. This semiconductor element is pressure-bonded to a bismaleimide-triazine resin substrate (circuit step 5 to 10 μm) coated with a solder resist (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd .: trade name: AUS308) at 130 ° C., 5 N for 1.0 second. Then, die bonding was performed, heat treatment was performed at 120 ° C. for 1 hour, and the adhesive film part was semi-cured. After wire bonding at 175 ° C., the sealing resin EME-G760 was sealed at 175 ° C. and 2 at 175 ° C. Temporary heat treatment was performed to cure the sealing resin to obtain 10 semiconductor devices.

(比較例1a)
接着フィルムとして、比較例1で得られた接着フィルムを用いた以外は、実施例1aと同様にした。
(Comparative Example 1a)
The adhesive film was the same as Example 1a except that the adhesive film obtained in Comparative Example 1 was used.

1.初期埋め込み性
初期埋め込み性(回路充填性)は、各実施例および比較例で得られる樹脂封止前の半導体装置を、走査型超音波探傷機(SAT)により、有機基板上の回路段差内に半導体用接着フィルムが充填されている率を評価した。各符号は、以下の通りである。
◎:充填率が、90%以上、100%であった。
○:充填率が、80%以上、90%未満であった。
△:充填率が、40%以上、80%未満であった。
×:充填率が、40%未満であった。
1. Initial embedding property The initial embedding property (circuit filling property) is obtained by applying the semiconductor device before resin sealing obtained in each of the examples and comparative examples into a circuit step on the organic substrate by a scanning ultrasonic flaw detector (SAT). The rate with which the adhesive film for semiconductors was filled was evaluated. Each code is as follows.
A: The filling rate was 90% or more and 100%.
○: The filling rate was 80% or more and less than 90%.
Δ: The filling rate was 40% or more and less than 80%.
X: The filling rate was less than 40%.

2.低温貼り付け性
各実施例および比較例での、接着フィルムを厚み550μmのウエハー裏面に温度40℃、圧力0.3MPaで貼り付け後の180°ピール強度を評価した。
◎:ピール強度が、100N/m以上であった。
○:ピール強度が、50N/m以上、100N/m未満であった。
△:ピール強度が、30N/m以上、50N/m未満であった。
×:ピール強度が、30N/m未満であった。
2. Low temperature sticking property The 180 degree peel strength after sticking the adhesive film on the back surface of a wafer having a thickness of 550 μm at a temperature of 40 ° C. and a pressure of 0.3 MPa in each example and comparative example was evaluated.
A: The peel strength was 100 N / m or more.
○: The peel strength was 50 N / m or more and less than 100 N / m.
Δ: The peel strength was 30 N / m or more and less than 50 N / m.
X: The peel strength was less than 30 N / m.

3.半導体素子への充填材の混入、割れ等の有無
封止樹脂で半導体素子とボンディングワイヤーを封止後、半導体装置の断面観察により
接着フィルムに充填材が入り混んでいないかを顕微鏡により観察した。各符号は、以下の通りである。
◎:接着フィルム中への充填材の混入が、ほとんど無かった。
×:接着フィルム中へ充填材が混入し、一部の半導体素子で割れ等があった。
3. Presence or absence of mixing, cracking, etc. of the filler in the semiconductor element After sealing the semiconductor element and the bonding wire with the sealing resin, it was observed with a microscope whether the filler was mixed in the adhesive film by observing the cross section of the semiconductor device. Each code is as follows.
A: Almost no filler was mixed in the adhesive film.
X: The filler was mixed into the adhesive film, and some semiconductor elements were cracked.

Figure 2007305946
Figure 2007305946

表2から明らかなように、実施例1a〜3aで得られた半導体装置は、半導体素子の割れ等がほとんど無かった。
また、実施例1および3の半導体装置では、接着フィルムの初期埋め込み性に特に優れていた。
As is apparent from Table 2, the semiconductor devices obtained in Examples 1a to 3a had almost no cracks in the semiconductor elements.
Moreover, in the semiconductor devices of Examples 1 and 3, the initial embedding property of the adhesive film was particularly excellent.

半導体装置の製造工程を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the manufacturing process of a semiconductor device. 半導体装置の製造工程を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing process of a semiconductor device. 半導体装置の製造工程を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing process of a semiconductor device. 半導体装置の製造工程を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the manufacturing process of a semiconductor device. 半導体装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a semiconductor device.

符号の説明Explanation of symbols

1 接着フィルム
2 基板
3 半導体素子
4 ボンディングワイヤー
5 封止樹脂
10’ 仮接合体
10 半導体装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Adhesive film 2 Board | substrate 3 Semiconductor element 4 Bonding wire 5 Sealing resin 10 'Temporary joined body 10 Semiconductor device

Claims (15)

半導体素子と基板または半導体素子と半導体素子とが接着剤を介して接合されており、
前記半導体素子と、前記基板とをボンディングワイヤーで電気的に接続した後に、前記半導体素子およびボンディングワイヤーを覆うように封止樹脂で封止してなる半導体装置であって、
前記封止樹脂は、無機充填材を含有しており、
前記接着剤は、前記封止樹脂を封止する封止温度での弾性率が6MPa以上のものであることを特徴とする半導体装置。
The semiconductor element and the substrate or the semiconductor element and the semiconductor element are bonded via an adhesive,
After electrically connecting the semiconductor element and the substrate with a bonding wire, a semiconductor device formed by sealing with a sealing resin so as to cover the semiconductor element and the bonding wire,
The sealing resin contains an inorganic filler,
The adhesive has a modulus of elasticity of 6 MPa or more at a sealing temperature for sealing the sealing resin.
前記接着剤は、ワイヤーボンディングする温度での弾性率が、5MPa以上である請求項1に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the adhesive has an elastic modulus of 5 MPa or more at a wire bonding temperature. 前記接着剤は、130℃での溶融粘度が100Pa・s以下である請求項1または2に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the adhesive has a melt viscosity at 130 ° C. of 100 Pa · s or less. 前記接着剤は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されているものである請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the adhesive is made of a resin composition containing a thermosetting resin. 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂を含むものである請求項4に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 4, wherein the thermosetting resin includes an epoxy resin. 前記熱硬化性樹脂の含有量は、前記樹脂組成物全体の60〜85重量%である請求項4または5に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 4, wherein a content of the thermosetting resin is 60 to 85% by weight of the entire resin composition. 前記樹脂組成物は、さらに硬化剤を含むものである請求項4ないし6のいずれかに記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 4, wherein the resin composition further contains a curing agent. 前記樹脂組成物は、さらに硬化触媒を含むものである請求項4ないし7のいずれかに記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 4, wherein the resin composition further contains a curing catalyst. 前記硬化触媒は、イミダゾール化合物を含むものである請求項8に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 8, wherein the curing catalyst contains an imidazole compound. 前記硬化触媒の融点が、150℃以上である請求項8または9に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 8, wherein a melting point of the curing catalyst is 150 ° C. or higher. 請求項1ないし10のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the semiconductor device according to claim 1. 半導体素子と、基板とを接着剤を介して仮接合体を得る仮接合工程と、
前記仮接合体の前記半導体素子と前記基板とをボンディングワイヤーで電気的に接続するワイヤーボンディング工程と、
前記半導体素子およびボンディングワイヤーを覆うように封止樹脂で封止する封止工程とを有し、
前記接着剤は、前記封止樹脂を封止する封止温度での弾性率が6MPa以上であるものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
A temporary bonding step of obtaining a temporary bonded body between the semiconductor element and the substrate via an adhesive;
A wire bonding step of electrically connecting the semiconductor element of the temporary joined body and the substrate with a bonding wire;
A sealing step of sealing with a sealing resin so as to cover the semiconductor element and the bonding wire,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the adhesive has an elastic modulus of 6 MPa or more at a sealing temperature for sealing the sealing resin.
さらに、前記仮接合体を構成する前記接着剤を所定の硬化度まで仮硬化させ、該接着剤の弾性率を5Mpa以上とする第1硬化工程を有するものである請求項12に記載の半導体装置の製造方法。   The semiconductor device according to claim 12, further comprising a first curing step in which the adhesive constituting the temporary joined body is temporarily cured to a predetermined degree of curing, and an elastic modulus of the adhesive is set to 5 Mpa or more. Manufacturing method. 前記接着剤として、130℃での溶融粘度が100Pa・s以下であるものを用いる請求項12または13に記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein the adhesive has a melt viscosity at 130 ° C. of 100 Pa · s or less. 前記封止工程の後に、さらに前記封止樹脂を硬化すると共に、前記接着剤を前記硬化度以上に本硬化する第2硬化工程を有するものである請求項12ないし14のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
The semiconductor according to claim 12, further comprising a second curing step of curing the sealing resin after the sealing step and further curing the adhesive to a degree higher than the degree of curing. Device manufacturing method.
JP2006135832A 2006-05-15 2006-05-15 Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device Expired - Fee Related JP4844229B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006135832A JP4844229B2 (en) 2006-05-15 2006-05-15 Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006135832A JP4844229B2 (en) 2006-05-15 2006-05-15 Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007305946A true JP2007305946A (en) 2007-11-22
JP4844229B2 JP4844229B2 (en) 2011-12-28

Family

ID=38839589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006135832A Expired - Fee Related JP4844229B2 (en) 2006-05-15 2006-05-15 Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4844229B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260232A (en) * 2008-03-26 2009-11-05 Hitachi Chem Co Ltd Film-like adhesive for sealing semiconductor, and semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61255090A (en) * 1985-05-07 1986-11-12 キヤノン株式会社 Electronic component unit
JP2001106767A (en) * 1999-10-07 2001-04-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin paste for semiconductor and semiconductor device using the same
JP2004043762A (en) * 2001-08-27 2004-02-12 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet, semiconductor device, and production method of the sheet
JP2004186429A (en) * 2002-12-03 2004-07-02 Furukawa Electric Co Ltd:The Adhesive tape
JP2004266137A (en) * 2003-03-03 2004-09-24 Hitachi Chem Co Ltd Die bonding material for semiconductor device and semiconductor device using it
JP2005019962A (en) * 2003-06-06 2005-01-20 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet
JP2005327789A (en) * 2004-05-12 2005-11-24 Sharp Corp Pressure-sensitive adhesive sheet for both dicing and die-bonding, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61255090A (en) * 1985-05-07 1986-11-12 キヤノン株式会社 Electronic component unit
JP2001106767A (en) * 1999-10-07 2001-04-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin paste for semiconductor and semiconductor device using the same
JP2004043762A (en) * 2001-08-27 2004-02-12 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet, semiconductor device, and production method of the sheet
JP2004186429A (en) * 2002-12-03 2004-07-02 Furukawa Electric Co Ltd:The Adhesive tape
JP2004266137A (en) * 2003-03-03 2004-09-24 Hitachi Chem Co Ltd Die bonding material for semiconductor device and semiconductor device using it
JP2005019962A (en) * 2003-06-06 2005-01-20 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet
JP2005327789A (en) * 2004-05-12 2005-11-24 Sharp Corp Pressure-sensitive adhesive sheet for both dicing and die-bonding, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260232A (en) * 2008-03-26 2009-11-05 Hitachi Chem Co Ltd Film-like adhesive for sealing semiconductor, and semiconductor apparatus and method of manufacturing the same
JP2013229613A (en) * 2008-03-26 2013-11-07 Hitachi Chemical Co Ltd Film-like adhesive for sealing semiconductor, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP4844229B2 (en) 2011-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009113296A1 (en) Resin varnish for semiconductor element bonding film formation, semiconductor element bonding film, and semiconductor device
JP4303705B2 (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device using the same
WO2010044179A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
JPWO2009001492A1 (en) Adhesive film and semiconductor device using the same
JPWO2008047610A1 (en) Film for semiconductor, method for manufacturing semiconductor film, and semiconductor device
EP2136393A1 (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device made with the same
JP2006269887A (en) Adhesive film for semiconductor, and semiconductor device using this
JP5115096B2 (en) Adhesive film
JP4466397B2 (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device using the same
JP2005276925A (en) Conductive adhesive film and semiconductor device employing it
JP2012089630A (en) Film for semiconductor and semiconductor device
JP4050290B2 (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device using the same
JP3754700B1 (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device using the same
JP2007157758A (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device using the same
JP4893640B2 (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device using the same
JP2008133330A (en) Visco-adhesive composition, visco-adhesive sheet and method for producing semiconductor device
JP4661889B2 (en) Die attach film with dicing sheet function and method for manufacturing semiconductor device using the same
JP2006237483A (en) Die attach film with dicing sheet function, semiconductor device, and manufacturing method thereof employing it
JP2006206787A (en) Die attach film having dicing sheet function and manufacturing process of semiconductor device and semiconductor device using it
JP5344802B2 (en) Protective film forming sheet for chip and semiconductor chip with protective film
JP4400609B2 (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device
JP2006165074A (en) Die attach film with dicing sheet function, and method of manufacturing semiconductor device using film
JP4319108B2 (en) Adhesive film for semiconductor and semiconductor device
JP2010222390A (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor apparatus
JP2007073647A (en) Die attaching film with dicing sheet function, manufacturing method of semiconductor device using the same, and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110628

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110826

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110913

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110926

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees