JP2010222390A - Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor apparatus - Google Patents

Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor apparatus Download PDF

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Sayaka Kaino
さやか 戒能
Isao Ichikawa
功 市川
Hironori Shizuhata
弘憲 賤機
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive composition that achieves high package reliability even if exposed to a severe reflow condition in a package packaging a semiconductor chip in thinning and especially achieves high package reliability even when allowed to stand high-temperature and high-humidity conditions and IR reflow is carried out after humidity absorption, an adhesive sheet having an adhesive layer composed of the adhesive composition, and a method for producing a semiconductor apparatus using the adhesive sheet. <P>SOLUTION: The adhesive composition comprises an acrylic polymer (A), an epoxy-based thermosetting resin (B) and a phenol-based thermosetting agent (C) having a molecular weight distribution (Mw/Mn) of ≤1.7 and a weight-average molecular weight of ≥770. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体素子(半導体チップ)を有機基板やリードフレームにダイボンディングする工程およびシリコンウエハ等をダイシングし且つ半導体チップを有機基板やリードフレームにダイボンディングする工程で使用するのに特に適した接着剤組成物および該接着剤組成物からなる接着剤層を有する接着シートならびに該接着シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。   The present invention is particularly suitable for use in a step of die bonding a semiconductor element (semiconductor chip) to an organic substrate or a lead frame and a step of dicing a silicon wafer or the like and die bonding a semiconductor chip to an organic substrate or a lead frame. The present invention relates to an adhesive composition, an adhesive sheet having an adhesive layer made of the adhesive composition, and a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet.

シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは大径の状態で製造され、このウエハは素子小片(半導体チップ)に切断分離(ダイシング)された後に次の工程であるマウント工程に移されている。この際、半導体ウエハは予め粘着シートに貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップの各工程が加えられた後、次工程のボンディング工程に移送される。
これらの工程の中でピックアップ工程とボンディング工程のプロセスを簡略化するために、ウエハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えたダイシング・ダイボンディング用接着シートが種々提案されている(たとえば、特許文献1〜4)。
A semiconductor wafer made of silicon, gallium arsenide or the like is manufactured in a large diameter state, and this wafer is cut and separated (diced) into element pieces (semiconductor chips) and then transferred to the next mounting step. At this time, the semiconductor wafer is subjected to dicing, cleaning, drying, expanding, and pick-up processes in a state where it is adhered to the adhesive sheet in advance, and then transferred to the next bonding process.
In order to simplify the pick-up process and bonding process among these processes, various dicing / die bonding adhesive sheets having both a wafer fixing function and a die bonding function have been proposed (for example, Patent Documents). 1-4).

特許文献1〜4には、特定の組成物よりなる接着剤層と、基材とからなる接着シートが開示されている。この接着剤層は、ウエハダイシング時には、ウエハを固定する機能を有し、さらにエネルギー線照射により接着力が低下し基材との間の接着力がコントロールできるため、ダイシング終了後、チップのピックアップを行うと、接着剤層は、チップとともに剥離する。接着剤層を伴った半導体チップを基板に載置し、加熱すると、接着剤層中の熱硬化性樹脂が接着力を発現し、半導体チップと基板との接着が完了する。   Patent documents 1 to 4 disclose an adhesive sheet composed of an adhesive layer made of a specific composition and a base material. This adhesive layer has a function of fixing the wafer during wafer dicing, and further, the adhesive force is reduced by irradiation with energy rays and the adhesive force with the base material can be controlled. When done, the adhesive layer peels off with the chip. When the semiconductor chip with the adhesive layer is placed on the substrate and heated, the thermosetting resin in the adhesive layer develops an adhesive force, and the bonding between the semiconductor chip and the substrate is completed.

上記特許文献に開示されている接着シートは、いわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、ダイ接着用接着剤の塗布工程を省略できるようになる。上記特許文献に開示されている接着剤は、エネルギー線硬化性成分として、低分子量のエネルギー線硬化性化合物が配合されてなる。エネルギー線照射によって、エネルギー線硬化性化合物が重合硬化し、接着力が低下し、基材からの接着剤層の剥離が容易になる。また上記の接着シートの接着剤層は、エネルギー線硬化および熱硬化を経たダイボンド後には全ての成分が硬化し、チップと基板とを強固に接着する。   The adhesive sheet disclosed in the above-mentioned patent document enables so-called direct die bonding, and the application process of the die bonding adhesive can be omitted. The adhesive disclosed in the above-mentioned patent document contains a low molecular weight energy ray curable compound as an energy ray curable component. By irradiation with energy rays, the energy ray curable compound is polymerized and cured, the adhesive force is lowered, and the adhesive layer is easily peeled from the substrate. The adhesive layer of the above-mentioned adhesive sheet cures all components after die bonding after energy ray curing and heat curing, and firmly bonds the chip and the substrate.

ところで、近年、半導体装置に対する要求物性は、非常に厳しいものとなっている。たとえば、厳しい熱湿環境下におけるパッケージ信頼性が求められている。しかし、半導体チップ自体が薄型化した結果、チップの強度が低下し、厳しい熱湿環境下におけるパッケージ信頼性は十分なものとは言えなくなってきた。   In recent years, the required physical properties of semiconductor devices have become very strict. For example, package reliability in a severe hot and humid environment is required. However, as a result of thinning of the semiconductor chip itself, the strength of the chip is reduced, and it cannot be said that the package reliability in a severe heat and humidity environment is sufficient.

また近年電子部品の接続において行われている表面実装法ではパッケージ全体が半田融点以上の高温化にさらされる表面実装法(リフロー法)が行われている。最近では環境への配慮から鉛を含まない半田への移行により実装温度が従来の240℃から260℃と上昇し、半導体パッケージ内部で発生する応力が大きくなり、パッケージクラック発生の危険性はさらに高くなっている。   Further, in recent surface mounting methods used for connecting electronic components, a surface mounting method (reflow method) in which the entire package is exposed to a temperature higher than the solder melting point is used. Recently, due to environmental considerations, mounting temperature has increased from 240 ° C to 260 ° C due to the shift to lead-free solder, increasing the stress generated inside the semiconductor package, further increasing the risk of package cracking. It has become.

すなわち、半導体チップの薄型化および実装温度の上昇が、パッケージの信頼性低下を招いている。   That is, the reduction in the thickness of the semiconductor chip and the increase in the mounting temperature cause a decrease in the reliability of the package.

特開平2−32181号公報JP-A-2-32181 特開平8−239636号公報JP-A-8-239636 特開平10−8001号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-8001 特開2000−17246号公報JP 2000-17246 A

このため、薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を実現することが要求されている。さらには、特に、高温、高湿度の条件に放置し、吸湿させた後にIRリフローを行う場合においても高いパッケージ信頼性を有することが求められている。   For this reason, it is required to realize high package reliability even in a case where a package in which a semiconductor chip that is becoming thinner is mounted, even when exposed to severe reflow conditions. Furthermore, it is required to have high package reliability even in the case where IR reflow is performed after leaving it under high temperature and high humidity conditions to absorb moisture.

本発明は上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、ダイボンディングに使用される接着剤に検討を加え、上記要求に応えることを目的としている。   This invention is made | formed in view of the above prior arts, Comprising: It aims at meeting the said request | requirement by examining the adhesive agent used for die bonding.

このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
(1)アクリル重合体(A)、エポキシ系熱硬化性樹脂(B)および分子量分布(Mw/Mn)が1.7以下であり、かつ重量平均分子量が770以上であるフェノール系熱硬化剤(C)を含有することを特徴とする接着剤組成物。
(2)前記フェノール系熱硬化剤(C)が、ノボラック型フェノール系熱硬化剤である請求項1に記載の接着剤組成物。
(3)上記(1)または(2)に記載の接着剤組成物からなる接着剤層が、基材上に形成されてなる接着シート。
(4)上記(3)に記載の接着シートの接着剤層に半導体ウエハを貼着し、前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、前記半導体チップ裏面に接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、前記半導体チップをダイパッド部上に前記接着剤層を介して熱圧着する工程を含む半導体装置の製造方法。
The gist of the present invention aimed at solving such problems is as follows.
(1) A phenolic thermosetting agent having an acrylic polymer (A), an epoxy thermosetting resin (B) and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.7 or less and a weight average molecular weight of 770 or more ( C) is contained, The adhesive composition characterized by the above-mentioned.
(2) The adhesive composition according to claim 1, wherein the phenol-based thermosetting agent (C) is a novolac-type phenol-based thermosetting agent.
(3) An adhesive sheet in which an adhesive layer made of the adhesive composition according to (1) or (2) is formed on a substrate.
(4) A semiconductor wafer is adhered to the adhesive layer of the adhesive sheet described in (3) above, the semiconductor wafer is diced into semiconductor chips, and the adhesive layer is fixed and left on the back surface of the semiconductor chip to form a base material A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of peeling off the semiconductor chip and thermally bonding the semiconductor chip onto a die pad portion through the adhesive layer.

本発明によれば、薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を達成でき、さらには、特に、高温、高湿度の条件に放置し、吸湿させた後にIRリフローを行う場合においても高いパッケージ信頼性を達成することもできる接着剤組成物および該接着剤組成物からなる接着剤層を有する接着シートならびこの接着シートを用いた半導体装置の製造方法が提供される。   According to the present invention, a package mounted with a semiconductor chip that is becoming thinner can achieve high package reliability even when exposed to severe reflow conditions, and more particularly, under conditions of high temperature and high humidity. An adhesive composition that can achieve high package reliability even when IR reflow is performed after leaving it to absorb moisture and an adhesive sheet having an adhesive layer made of the adhesive composition and the adhesive sheet A method for manufacturing a semiconductor device is provided.

以下、本発明についてさらに具体的に説明する。
本発明に係る接着剤組成物は、アクリル重合体(A)、エポキシ系熱硬化性樹脂(B)および、分子量分布(Mw/Mn)が1.7以下であり、かつ重量平均分子量が770以上であるフェノール系熱硬化剤(C)を必須成分として含み、各種物性を改良するため、必要に応じ他の成分を含んでいても良い。以下、これら各成分について具体的に説明する。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically.
The adhesive composition according to the present invention has an acrylic polymer (A), an epoxy thermosetting resin (B), a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.7 or less, and a weight average molecular weight of 770 or more. The phenol-based thermosetting agent (C) is an essential component and may contain other components as necessary in order to improve various physical properties. Hereinafter, each of these components will be described in detail.

アクリル重合体(A)
アクリル重合体としては従来より公知のアクリル重合体を用いることができる。
アクリル重合体の重量平均分子量は1万以上200万以下であることが好ましく、10万以上150万以下であることがより好ましい。アクリル重合体の重量平均分子量が低過ぎると、基材との剥離力が高くなってピックアップ不良が起こることがあり、200万を超えると基板凹凸へ接着剤層が追従できないことがありボイドなどの発生要因になる。
Acrylic polymer (A)
A conventionally known acrylic polymer can be used as the acrylic polymer.
The weight average molecular weight of the acrylic polymer is preferably from 10,000 to 2,000,000, and more preferably from 100,000 to 1,500,000. If the weight average molecular weight of the acrylic polymer is too low, the peeling force from the base material may be high and pick-up failure may occur. If it exceeds 2 million, the adhesive layer may not be able to follow the substrate irregularities. It becomes an occurrence factor.

アクリル重合体のガラス転移温度は、好ましくは−10℃以上50℃以下、さらに好ましくは0℃以上40℃以下、特に好ましくは0℃以上30℃以下の範囲にある。ガラス転移温度が低過ぎると接着剤層と基材との剥離力が大きくなってチップのピックアップ不良が起こることがあり、高過ぎるとウエハを固定するための接着力が不十分となるおそれがある。   The glass transition temperature of the acrylic polymer is preferably in the range of −10 ° C. to 50 ° C., more preferably 0 ° C. to 40 ° C., and particularly preferably 0 ° C. to 30 ° C. If the glass transition temperature is too low, the peeling force between the adhesive layer and the substrate may increase, resulting in chip pick-up failure. If it is too high, the adhesive force for fixing the wafer may be insufficient. .

また、このアクリル重合体のモノマーとしては、(メタ)アクリル酸エステルモノマーあるいはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が1〜18である(メタ)アクリル酸アルキルエステル、例えば(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチルなどが挙げられる。また、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどが挙げられる。また、環状骨格を有する(メタ)アクリル酸エステルたとえば(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸ベンジルエステル、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレートなどが挙げられる。   Moreover, as a monomer of this acrylic polymer, a (meth) acrylic acid ester monomer or its derivative is mentioned. For example, (meth) acrylic acid alkyl ester having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, etc. Is mentioned. Moreover, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, and the like can be given. Also, (meth) acrylic acid esters having a cyclic skeleton such as (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, (meth) acrylic acid benzyl ester, isobornyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentenyloxy Examples include ethyl acrylate and imide acrylate.

また酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等が共重合されていてもよい。また水酸基を有しているアクリル重合体のモノマーを用いたほうが、アクリル重合体とエポキシ樹脂との相溶性が良いため好ましい。   Vinyl acetate, acrylonitrile, styrene or the like may be copolymerized. It is preferable to use an acrylic polymer monomer having a hydroxyl group because the compatibility between the acrylic polymer and the epoxy resin is good.

エポキシ系熱硬化性樹脂(B)
エポキシ系熱硬化性樹脂としては、従来より公知の種々のエポキシ樹脂を用いることができる。
Epoxy thermosetting resin (B)
Various conventionally known epoxy resins can be used as the epoxy thermosetting resin.

エポキシ系熱硬化性樹脂はアクリル重合体(A)100重量部に対して1〜1500重量部含まれることが好ましく、3〜1000重量部がより好ましい。1重量部未満だと十分な接着性が得られないことがあり、1500重量部を超えると基材との剥離力が高くなり、ピックアップ不良が起こることがある。   The epoxy thermosetting resin is preferably contained in an amount of 1 to 1500 parts by weight, more preferably 3 to 1000 parts by weight, based on 100 parts by weight of the acrylic polymer (A). If the amount is less than 1 part by weight, sufficient adhesiveness may not be obtained. If the amount exceeds 1500 parts by weight, the peel strength from the substrate may be increased, resulting in pickup failure.

エポキシ系熱硬化性樹脂としては、多官能系エポキシ樹脂や、ビフェニル化合物、ビスフェノールAジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂など、分子中に2官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。   Epoxy thermosetting resins include polyfunctional epoxy resins, biphenyl compounds, bisphenol A diglycidyl ether and hydrogenated products thereof, orthocresol novolac epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, and bisphenol A. Examples thereof include epoxy compounds having two or more functional groups in the molecule, such as type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

フェノール系熱硬化剤(C)
フェノール系熱硬化剤(C)は、分子量分布(Mw/Mn)が1.7以下であり、かつ重量平均分子量(Mw)が770以上であるフェノール系熱硬化剤であり、エポキシ系熱硬化性樹脂(B)中のエポキシ基と反応し得るフェノール性水酸基を有しているために、加熱によってエポキシ系熱硬化性樹脂(B)と反応し熱硬化剤として機能することができる。
Phenolic thermosetting agent (C)
The phenolic thermosetting agent (C) is a phenolic thermosetting agent having a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.7 or less and a weight average molecular weight (Mw) of 770 or more, and an epoxy thermosetting agent. Since it has a phenolic hydroxyl group capable of reacting with the epoxy group in the resin (B), it can react with the epoxy thermosetting resin (B) by heating to function as a thermosetting agent.

フェノール系熱硬化剤(C)の分子量分布(Mw/Mn)は1.7以下および重量平均分子量は770以上であるが、分子量分布(Mw/Mn)は1.6以下および重量平均分子量が780以上であることが好ましく、分子量分布(Mw/Mn)は1.0〜1.6であり、かつ重量平均分子量780〜2000であることがより好ましい。このような分子量分布(Mw/Mn)および重量平均分子量の範囲を採ることにより、接着剤組成物を粘着シートの接着剤層として用いた際に、フェノール系熱硬化剤(C)の未反応の低分子量成分が、接着剤層から染みだしたり、熱硬化時に気化して接着剤層の接着性を落としたりすることがないために、パッケージ信頼性を向上させることができる。   The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the phenol-based thermosetting agent (C) is 1.7 or less and the weight average molecular weight is 770 or more, but the molecular weight distribution (Mw / Mn) is 1.6 or less and the weight average molecular weight is 780. The molecular weight distribution (Mw / Mn) is preferably 1.0 to 1.6, and more preferably a weight average molecular weight 780 to 2000. By taking such molecular weight distribution (Mw / Mn) and weight average molecular weight range, when the adhesive composition is used as the adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet, the unreacted phenolic thermosetting agent (C). Since the low molecular weight component does not ooze out from the adhesive layer or vaporize at the time of heat curing to reduce the adhesiveness of the adhesive layer, the package reliability can be improved.

なお、上記重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)は、下記条件に基づいて、標準分子量ポリスチレンの溶出曲線を得、得られた溶出曲線によって求められる。また、分子量分布は、重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)である。   In addition, the said weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) obtain | require the elution curve of standard molecular weight polystyrene based on the following conditions, and are calculated | required by the obtained elution curve. The molecular weight distribution is weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn).

(GPC条件)
カラム:KF−801,KF−802,KF−803(昭和電工株式会社製)
溶媒:テトラヒドロフラン(THF)
分子量標準物質:ポリスチレン樹脂(東ソー株式会社製)
検出器:UV−8011(東ソー株式会社製)
(GPC conditions)
Column: KF-801, KF-802, KF-803 (made by Showa Denko KK)
Solvent: tetrahydrofuran (THF)
Molecular weight reference material: Polystyrene resin (manufactured by Tosoh Corporation)
Detector: UV-8011 (manufactured by Tosoh Corporation)

また、フェノール系熱硬化剤(C)は、上記分子量分布(Mw/Mn)および重量平均分子量を有する限り特に限定されなく、例えば、これらの具体的な例としては下記式(1)に示されるようなノボラック型フェノール樹脂、下記式(2)で示されるようなジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、下記式(3)で示されるような多官能系フェノール樹脂、下記式(4)で示されるようなアラルキルフェノール樹脂等が挙げられ、これらは1種単独でまたは2種類以上混合して使用することができる。   The phenol-based thermosetting agent (C) is not particularly limited as long as it has the molecular weight distribution (Mw / Mn) and the weight average molecular weight. For example, specific examples thereof are represented by the following formula (1). Such a novolak-type phenol resin, a dicyclopentadiene-based phenol resin represented by the following formula (2), a polyfunctional phenol resin represented by the following formula (3), and the following formula (4) Aralkylphenol resin etc. are mentioned, These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

Figure 2010222390
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この中でも、エポキシ系熱硬化性樹脂(B)中のエポキシ基との反応性が良好であるという観点から、ノボラック型フェノール樹脂が好ましい。
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Among these, from the viewpoint of good reactivity with the epoxy group in the epoxy thermosetting resin (B), a novolac type phenol resin is preferable.

本発明に係る接着剤組成物は、上記アクリル重合体(A)、エポキシ系樹脂(B)および分子量分布(Mw/Mn)が1.7以下であり、かつ重量平均分子量770以上であるフェノール系熱硬化剤(C)を必須成分として含んでいるが、各種物性を改良するために、後述する成分を含んでいてもよい。   The adhesive composition according to the present invention is a phenolic polymer having an acrylic polymer (A), an epoxy resin (B) and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.7 or less and a weight average molecular weight of 770 or more. Although the thermosetting agent (C) is contained as an essential component, in order to improve various physical properties, the components described later may be included.

硬化剤(D)
硬化剤(D)は、前記フェノール系熱硬化剤(C)以外の硬化剤であり、フェノール系熱硬化剤(C)とともにエポキシ系熱硬化性樹脂(B)の硬化剤として機能する。このように、フェノール系熱硬化剤(C)のみの場合に対し、硬化剤(D)を使用することにより硬化反応の速度の調節や、接着剤の硬化物の弾性率等の物性を好ましい領域に調整することができる。
Curing agent (D)
The curing agent (D) is a curing agent other than the phenol thermosetting agent (C), and functions as a curing agent for the epoxy thermosetting resin (B) together with the phenol thermosetting agent (C). Thus, with respect to the case of only the phenol-based thermosetting agent (C), by using the curing agent (D), physical properties such as adjustment of the rate of the curing reaction and the elastic modulus of the cured product of the adhesive are preferable. Can be adjusted.

好ましい硬化剤としては、1分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を2個以上有する化合物が挙げられ、その官能基としては、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物基などが挙げられる。これらのうち好ましくは、アミノ基、酸無水物基などが挙げられ、さらに好ましくは、アミノ基が挙げられる。これらの具体的な例としては、DICY(ジシアンジアミド)などのアミン系硬化剤が挙げられる。これら硬化剤は、1種単独でまたは2種以上混合して使用することができる。   Preferred curing agents include compounds having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in one molecule. The functional groups include phenolic hydroxyl groups, alcoholic hydroxyl groups, amino groups, carboxyl groups, and acid anhydrides. Examples include physical groups. Of these, an amino group and an acid anhydride group are preferable, and an amino group is more preferable. Specific examples thereof include amine curing agents such as DICY (dicyandiamide). These curing agents can be used alone or in combination of two or more.

本発明の接着剤組成物において、フェノール系熱硬化剤(C)および硬化剤(D)合計の含有量は、エポキシ系熱硬化性樹脂(B)100重量部に対して、0.1〜500重量部であることが好ましく、1〜100重量部であることがより好ましい。フェノール系熱硬化剤(C)硬化剤(D)の合計量が過度に少ないと、硬化不足で接着性が得られないことがあり、過剰であれば吸湿率が高まりパッケージの信頼性を低下させることがある。   In the adhesive composition of the present invention, the total content of the phenolic thermosetting agent (C) and the curing agent (D) is 0.1 to 500 with respect to 100 parts by weight of the epoxy thermosetting resin (B). It is preferable that it is a weight part, and it is more preferable that it is 1-100 weight part. If the total amount of the phenol-based thermosetting agent (C) and the curing agent (D) is excessively small, adhesiveness may not be obtained due to insufficient curing, and if it is excessive, the moisture absorption rate increases and the reliability of the package decreases. Sometimes.

また、フェノール系熱硬化剤(C)の含有量と、硬化剤(D)の含有量との比率(C)/(D)(重量比)は、1以上であることが好ましく、2以上であることがより好ましく、5以上であることが特に好ましい。(C)/(D)(重量比)が過度に小さければ、本発明の効果が充分に得られない場合がある。   Further, the ratio (C) / (D) (weight ratio) of the content of the phenol-based thermosetting agent (C) and the content of the curing agent (D) is preferably 1 or more, and is 2 or more. More preferably, it is 5 or more. If (C) / (D) (weight ratio) is too small, the effects of the present invention may not be sufficiently obtained.

硬化促進剤(E)
硬化促進剤は、接着剤組成物の硬化速度を調整するために用いられる。好ましい硬化促進剤としては、エポキシ基と、フェノール性水酸基やアミン等との反応を促進し得る化合物が挙げられる。
Curing accelerator (E)
The curing accelerator is used to adjust the curing rate of the adhesive composition. Preferred curing accelerators include compounds that can promote the reaction between an epoxy group and a phenolic hydroxyl group or amine.

具体的には、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の3級アミン類、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。これらは1種単独でまたは2種以上混合して使用することができる。   Specifically, tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris (dimethylaminomethyl) phenol, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4- Examples include imidazoles such as methylimidazole, organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine, and triphenylphosphine, and tetraphenylboron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphinetetraphenylborate. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

硬化促進剤(E)は、エポキシ系熱硬化性樹脂(B)100重量部に対して0.01〜100重量部含まれることが好ましく、0.1〜50重量部がより好ましく、1〜30重量部がさらに好ましい。   It is preferable that 0.01-100 weight part is contained with respect to 100 weight part of epoxy-type thermosetting resins (B), and, as for a hardening accelerator (E), 0.1-50 weight part is more preferable, and 1-30. Part by weight is more preferred.

カップリング剤(F)
カップリング剤(F)は、接着剤組成物の被着体に対する接着性、密着性を向上させるために用いられる。また、カップリング剤(F)を使用することで、接着剤組成物を硬化して得られる硬化物の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。
Coupling agent (F)
The coupling agent (F) is used to improve the adhesion and adhesion of the adhesive composition to the adherend. Moreover, the water resistance can be improved by using a coupling agent (F), without impairing the heat resistance of the hardened | cured material obtained by hardening | curing adhesive composition.

カップリング剤としては、上記(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分等が有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤(F)としては、シランカップリング剤が好ましい。   As the coupling agent, a compound having a group that reacts with a functional group of the above component (A), component (B), component (C), component (D), or the like is preferably used. As the coupling agent (F), a silane coupling agent is preferable.

このようなカップリング剤としてはγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−(メタクリロプロピル)トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−6−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−6−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス(3−トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン等が挙げられる。これらは1種単独でまたは2種以上混合して使用することができる。   Such coupling agents include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ- (methacrylopropyl). ) Trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, N- Phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis (3-triethoxysilylpropyl) tetrasulfane, methyltrimethoxy Silane, methylto Examples include reethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, and imidazolesilane. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

これらカップリング剤(F)を使用する際には、エポキシ系熱硬化性樹脂(B)100重量部に対して通常0.1〜20重量部、好ましくは0.5〜15重量部、より好ましくは1〜10重量部の割合で用いられる。0.1重量部未満だと効果が得られず、10重量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。   When these coupling agents (F) are used, they are usually 0.1 to 20 parts by weight, preferably 0.5 to 15 parts by weight, more preferably 100 parts by weight of the epoxy thermosetting resin (B). Is used in a proportion of 1 to 10 parts by weight. If it is less than 0.1 part by weight, the effect cannot be obtained, and if it exceeds 10 parts by weight, it may cause outgassing.

無機充填材(G)
無機充填材(G)を接着剤に配合することにより、熱膨張係数を調整することが可能となり半導体チップや有機基板に対して硬化後の接着剤層の熱膨張係数を最適化することでパッケージの耐熱性を向上させることができる。また、接着剤層の硬化後の吸湿率を低減させることも可能となる。好ましい無機充填材(G)としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維、ガラス繊維等が挙げられる。これらは1種単独でまたは2種以上混合して使用することができる。本発明においては、これらのなかでも、シリカ粉末、アルミナ粉末の使用が好ましい。
無機充填材(G)は、接着剤全体に対して、通常0〜80重量%の範囲で調整が可能である。
Inorganic filler (G)
By blending the inorganic filler (G) into the adhesive, the thermal expansion coefficient can be adjusted, and the package is obtained by optimizing the thermal expansion coefficient of the adhesive layer after curing with respect to the semiconductor chip or organic substrate. The heat resistance of can be improved. Moreover, it becomes possible to reduce the moisture absorption rate after hardening of an adhesive bond layer. Preferable inorganic fillers (G) include silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengara, silicon carbide, boron nitride and the like, spherical beads of these, single crystal fibers, glass fibers, and the like. . These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. In the present invention, among these, the use of silica powder and alumina powder is preferable.
The inorganic filler (G) can be adjusted in the range of usually 0 to 80% by weight with respect to the entire adhesive.

その他の成分
本発明の接着剤組成物には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。たとえば、硬化後の可とう性を保持するため可とう性成分を添加することができる。可とう性成分は、常温および加熱下で可とう性を有する成分であり、加熱やエネルギー線照射では実質的に硬化しないものが選択される。可とう性成分は、熱可塑性樹脂やエラストマーからなるポリマーであってもよいし、ポリマーのグラフト成分、ポリマーのブロック成分であってもよい。また、可とう性成分がエポキシ樹脂に予め変性された変性樹脂であってもよい。
Other components In addition to the above, various additives may be blended in the adhesive composition of the present invention as necessary. For example, a flexible component can be added to maintain the flexibility after curing. The flexible component is a component having flexibility at normal temperature and under heating, and a component that is not substantially cured by heating or energy ray irradiation is selected. The flexible component may be a polymer made of a thermoplastic resin or an elastomer, or may be a polymer graft component or a polymer block component. Moreover, the modified resin by which the flexible component was previously modified | denatured by the epoxy resin may be sufficient.

また、接着剤組成物の初期接着力および凝集力を調節するために、架橋剤を添加することもできる。架橋剤としては有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物が挙げられる。   Moreover, in order to adjust the initial adhesive force and cohesion force of an adhesive composition, a crosslinking agent can also be added. Examples of the crosslinking agent include organic polyvalent isocyanate compounds and organic polyvalent imine compounds.

上記有機多価イソシアナート化合物としては、芳香族多価イソシアナート化合物、脂肪族多価イソシアナート化合物、脂環族多価イソシアナート化合物およびこれらの多価イソシアナート化合物の三量体、ならびにこれら多価イソシアナート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。   Examples of the organic polyvalent isocyanate compounds include aromatic polyvalent isocyanate compounds, aliphatic polyvalent isocyanate compounds, alicyclic polyvalent isocyanate compounds, trimers of these polyvalent isocyanate compounds, And a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyvalent isocyanate compound with a polyol compound.

さらに、接着剤組成物の各種添加剤としては、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射により重合硬化するエネルギー線重合性化合物、光重合開始剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、顔料、染料等を用いてもよい。   Furthermore, as various additives of the adhesive composition, energy ray polymerizable compounds, photopolymerization initiators, plasticizers, antistatic agents, antioxidants, pigments that are polymerized and cured by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams A dye or the like may be used.

接着剤組成物
上記のような各成分からなる接着剤組成物は感圧接着性と加熱硬化性とを有し、未硬化状態では各種被着体を一時的に保持する機能を有する。そして熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与えることができ、しかも剪断強度と剥離強度とのバランスにも優れ、厳しい熱湿条件下においても充分な接着物性を保持し得る。
本発明に係る接着剤組成物は、上記各成分を適宜の割合で混合して得られる。混合に際しては、各成分を予め溶媒で希釈しておいてもよく、また混合時に溶媒を加えても良い。
Adhesive composition The adhesive composition comprising the above components has pressure-sensitive adhesiveness and heat-curing property, and has a function of temporarily holding various adherends in an uncured state. Finally, a cured product with high impact resistance can be obtained through thermosetting, and the balance between shear strength and peel strength is excellent, and sufficient adhesive properties can be maintained even under severe heat and humidity conditions. .
The adhesive composition according to the present invention is obtained by mixing the above-described components at an appropriate ratio. In mixing, each component may be diluted with a solvent in advance, or a solvent may be added during mixing.

接着シート
本発明に係る接着シートは、基材上に、上記接着剤組成物からなる接着剤層が積層してなる。本発明に係る接着シートの形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとり得る。
Adhesive Sheet The adhesive sheet according to the present invention is formed by laminating an adhesive layer made of the above adhesive composition on a substrate. The shape of the adhesive sheet according to the present invention can be any shape such as a tape shape or a label shape.

接着シートの基材としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、フッ素樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニルフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム等の透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、上記の透明フィルムの他、これらを着色したフィルム、不透明フィルム等を用いることができる。   Examples of the base material of the adhesive sheet include polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, fluororesin film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate. Film, polybutylene terephthalate film, polyurethane film, ethylene vinyl acetate film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, A transparent film such as a polyimide film is used. These crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated films may be sufficient. In addition to the transparent film described above, a film obtained by coloring these, an opaque film, or the like can be used.

本発明に係る接着シートは、各種の被着体に貼付され、被着体に所要の加工を施した後、接着剤層は、被着体に固着残存させて基材から剥離される。すなわち、接着剤層を、基材から被着体に転写する工程を含むプロセスに使用される。このため、基材の接着剤層に接する面の表面張力は、好ましくは40mN/m以下、さらに好ましくは37mN/m以下、特に好ましくは35mN/m以下であることが好ましい。このような表面張力が低い基材は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また基材の表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。   The adhesive sheet according to the present invention is affixed to various adherends, and after subjecting the adherend to required processing, the adhesive layer is peeled off from the substrate while remaining adhered to the adherend. That is, it is used in a process including a step of transferring an adhesive layer from a substrate to an adherend. For this reason, the surface tension of the surface in contact with the adhesive layer of the substrate is preferably 40 mN / m or less, more preferably 37 mN / m or less, and particularly preferably 35 mN / m or less. Such a substrate having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting the material, and can also be obtained by applying a release agent to the surface of the substrate and performing a release treatment.

基材の剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系等が用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。特に基材フィルムへの密着性が高く、表面張力が調整しやすいため、アルキッド樹脂が好ましい。   As the release agent used for the substrate release treatment, alkyd, silicone, fluorine, unsaturated polyester, polyolefin, wax, etc. are used, and in particular, alkyd, silicone, fluorine release agents. Is preferable because it has heat resistance. In particular, an alkyd resin is preferred because of its high adhesion to the substrate film and easy adjustment of the surface tension.

上記の剥離剤を用いて基材の表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーター等により塗布して、常温または加熱あるいは電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。   In order to release the surface of the substrate using the above release agent, the release agent can be applied directly with a gravure coater, Mayer bar coater, air knife coater, roll coater, etc. without solvent, or by solvent dilution or emulsion. The laminate may be formed by normal temperature or heating or electron beam curing, wet lamination, dry lamination, hot melt lamination, melt extrusion lamination, coextrusion processing, or the like.

基材の膜厚は、通常は10〜500μm、好ましくは15〜300μm、特に好ましくは20〜250μm程度である。接着剤層の厚みは、通常は1〜500μm、好ましくは5〜300μm、特に好ましくは10〜150μm程度である。   The film thickness of the substrate is usually about 10 to 500 μm, preferably about 15 to 300 μm, and particularly preferably about 20 to 250 μm. The thickness of the adhesive layer is usually 1 to 500 μm, preferably 5 to 300 μm, particularly preferably about 10 to 150 μm.

接着シートの製造方法は、特に限定はされず、基材上に、接着剤層を構成する組成物を塗布乾燥することで製造してもよく、また接着剤層を剥離フィルム上に設け、これを上記基材に転写することで製造してもよい。なお、接着シートの使用前に、接着剤層を保護するために、接着剤層の上面に剥離フィルムを積層しておいてもよい。また、接着剤層の表面外周部には、リングフレーム等の他の治具を固定するために別途粘着剤層や粘着テープが設けられていてもよい。   The method for producing the adhesive sheet is not particularly limited, and the adhesive sheet may be produced by applying and drying a composition constituting the adhesive layer on the substrate, and the adhesive layer is provided on the release film. You may manufacture by transferring to the said base material. In addition, in order to protect an adhesive bond layer before using an adhesive sheet, you may laminate | stack a peeling film on the upper surface of an adhesive bond layer. Moreover, in order to fix other jigs, such as a ring frame, the adhesive layer and the adhesive tape may be separately provided in the surface outer periphery part of the adhesive bond layer.

半導体装置の製造方法
次に本発明に係る接着シートの利用方法について、該接着シートを半導体装置の製造に適用した場合を例にとって説明する。
Manufacturing Method of Semiconductor Device Next, a method for using the adhesive sheet according to the present invention will be described taking as an example the case where the adhesive sheet is applied to the manufacture of a semiconductor device.

本発明に係る半導体装置の製造方法においては、まず、半導体ウエハおよびリングフレームをテープマウンター装置上に載置し、半導体ウエハおよびリングフレームの一方の面を本発明に係る接着シートの接着剤層が接するように軽く押圧し、半導体ウエハおよびリングフレームを接着シートに固定する。   In the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, first, the semiconductor wafer and the ring frame are placed on the tape mounter device, and the adhesive layer of the adhesive sheet according to the present invention is placed on one surface of the semiconductor wafer and the ring frame. The semiconductor wafer and the ring frame are fixed to the adhesive sheet by lightly pressing so as to come into contact.

次いで、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記のシリコンウエハを切断し半導体チップを得る。この際の切断深さは、シリコンウエハの厚みと、接着剤層の厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにする。   Next, the silicon wafer is cut using a cutting means such as a dicing saw to obtain a semiconductor chip. The cutting depth at this time is set to a depth that takes into account the total thickness of the silicon wafer and the adhesive layer and the wear of the dicing saw.

次いで必要に応じ、接着シートのエキスパンドを行うと、半導体チップ間隔が拡張し、半導体チップのピックアップをさらに容易に行えるようになる。この際、接着剤層と基材との間にずれが発生することになり、接着剤層と基材との間の接着力が減少し、チップのピックアップ性が向上する。   Then, if necessary, when the adhesive sheet is expanded, the interval between the semiconductor chips is expanded, and the semiconductor chips can be picked up more easily. At this time, a deviation occurs between the adhesive layer and the base material, the adhesive force between the adhesive layer and the base material is reduced, and the pick-up property of the chip is improved.

このようにして半導体チップのピックアップを行うと、切断された接着剤層を半導体チップ裏面に固着残存させて基材から剥離することができる。
次いで接着剤層を介して半導体チップをダイパッド部に載置する。ダイパッド部は半導体チップを載置する前に加熱するか載置直後に加熱される。加熱温度は、通常は80〜200℃、好ましくは100〜180℃であり、加熱時間は、通常は0.1秒〜5分、好ましくは0.5秒〜3分であり、チップマウント圧力は、通常1kPa〜200MPaである。
When the semiconductor chip is picked up in this manner, the cut adhesive layer can be fixedly left on the back surface of the semiconductor chip and peeled off from the substrate.
Next, the semiconductor chip is placed on the die pad portion through the adhesive layer. The die pad part is heated before placing the semiconductor chip or immediately after placing. The heating temperature is usually 80 to 200 ° C., preferably 100 to 180 ° C., the heating time is usually 0.1 seconds to 5 minutes, preferably 0.5 seconds to 3 minutes, and the chip mount pressure is Usually, it is 1 kPa to 200 MPa.

半導体チップをダイパッド部にチップマウントした後、必要に応じさらに加熱を行ってもよい。この際の加熱条件は、上記加熱温度の範囲であって、加熱時間は通常1〜180分、好ましくは10〜120分である。   After the semiconductor chip is chip-mounted on the die pad portion, further heating may be performed as necessary. The heating conditions at this time are in the above heating temperature range, and the heating time is usually 1 to 180 minutes, preferably 10 to 120 minutes.

また、チップマウント後の加熱処理は行わずに仮接着状態としておき、後工程で行われる樹脂封止での加熱を利用して接着剤層を硬化させてもよい。
このような工程を経ることで、接着剤層が硬化し、半導体チップとダイパッド部とを強固に接着することができる。接着剤層はダイボンド条件下では流動化しているため、ダイパッド部の凹凸にも十分に埋め込まれ、ボイドの発生を防止できる。
Alternatively, the heat treatment after the chip mounting may not be performed, and the adhesive layer may be cured by using the heat in resin sealing performed in a subsequent process.
Through such a process, the adhesive layer is cured and the semiconductor chip and the die pad portion can be firmly bonded. Since the adhesive layer is fluidized under die-bonding conditions, the adhesive layer is sufficiently embedded in the unevenness of the die pad portion, and generation of voids can be prevented.

すなわち、得られる実装品においては、チップの固着手段である接着剤が硬化し、かつダイパッド部の凹凸にも十分に埋め込まれた構成となるため、過酷な条件下にあっても、十分なパッケージ信頼性とボード実装性が達成される。   That is, in the obtained mounting product, the adhesive that is a fixing means of the chip is cured and is sufficiently embedded in the unevenness of the die pad portion, so that a sufficient package even under severe conditions Reliability and board mountability are achieved.

なお、本発明の接着剤組成物および接着シートは、上記のような使用方法の他、半導体化合物、ガラス、セラミックス、金属などの接着に使用することもできる。   In addition, the adhesive composition and adhesive sheet of this invention can also be used for adhesion | attachment of a semiconductor compound, glass, ceramics, a metal other than the usage method as mentioned above.

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例および比較例において、「表面実装性の評価」は次のように行った。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these Examples.
In the examples and comparative examples, “surface mountability evaluation” was performed as follows.

「表面実装性の評価」
(1)半導体チップの製造
#2000研磨したシリコンウエハ(150mm径、厚さ150μm)の研磨面に、実施例および比較例の接着シートの貼付をテープマウンター(リンテック社製,Adwill RAD2500)により行い、ウエハダイシング用リングフレームに固定した。次いで、ダイシング装置(株式会社東京精密製,AWD−4000B)を使用してダイシングし、8mm×8mmサイズのチップを得た。ダイシングの際の切り込み量は、基材を20μm切り込むようにした。
"Evaluation of surface mountability"
(1) Manufacture of semiconductor chip # 2000 polished silicon wafer (150 mm diameter, 150 μm thick) was bonded to the adhesive sheets of Examples and Comparative Examples with a tape mounter (Lintech Co., Adwill RAD2500) Fixed to a ring frame for wafer dicing. Next, dicing was performed using a dicing apparatus (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., AWD-4000B) to obtain an 8 mm × 8 mm size chip. The amount of cut during dicing was such that the substrate was cut by 20 μm.

(2)半導体パッケージの製造
基板として銅箔張り積層板(三菱ガス化学株式会社製CCL−HL830)の銅箔に回路パターンが形成され、パターン上にソルダーレジスト(太陽インキ製PSR4000 AUS5)を40μm厚で有しているBT基板を用いた(株式会社ちの技研製)。上記(1)で得た接着シート上のチップを接着剤層とともに基材から取り上げ、BT基板上に、接着剤層を介して120℃、100gf、1秒間の条件で圧着した。
(2) Manufacturing of semiconductor package A circuit pattern is formed on the copper foil of a copper foil-clad laminate (CCL-HL830 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) as a substrate, and a solder resist (PSR4000 AUS5 made by Taiyo Ink) is 40 μm thick on the pattern The BT substrate possessed by the company was used (made by Chino Giken Co., Ltd.). The chip on the adhesive sheet obtained in the above (1) was picked up from the base material together with the adhesive layer, and pressed onto the BT substrate via the adhesive layer under the conditions of 120 ° C., 100 gf, and 1 second.

その後、モールド樹脂(京セラケミカル株式会社製KE−1100AS3)で封止厚400μmになるように封止し(封止装置 アピックヤマダ株式会社製MPC−06M Trial Press)、175℃5時間で樹脂を硬化させた。ついで、封止されたBT基板をダイシングテープ(リンテック株式会社製Adwill D−510T)に貼付して、ダイシング装置(東京精密社製,AWD−4000B)を使用して12mm×12mmサイズにダイシングすることで信頼性評価用の半導体パッケージを得た。   Then, it is sealed with a mold resin (KE-1100AS3 manufactured by Kyocera Chemical Co., Ltd.) so as to have a sealing thickness of 400 μm (sealing device MPC-06M Trial Press manufactured by Apic Yamada Co., Ltd.), and the resin is cured at 175 ° C. for 5 hours. It was. Next, the sealed BT substrate is affixed to a dicing tape (Adwill D-510T manufactured by Lintec Corporation), and diced to a size of 12 mm × 12 mm using a dicing apparatus (AWD-4000B manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.). A semiconductor package for reliability evaluation was obtained.

(3)半導体パッケージ表面実装性の評価
得られた半導体パッケージを85℃,85%RH条件下に168時間放置し、吸湿させた後、最高温度260℃加熱時間1分間のIRリフロー(リフロー炉:相模理工製WL−15−20DNX型)を3回行なった際に接合部の浮き・剥がれの有無、パッケージクラック発生の有無を走査型超音波探傷装置(日立建機ファインテック株式会社製Hye−Focus)および断面観察により評価した。基板/半導体チップ接合部に0.5mm以上の剥離を観察した場合を剥離していると判断して、パッケージを25個試験に投入し剥離が発生しなかった個数を数えた。
(3) Evaluation of semiconductor package surface mountability The obtained semiconductor package was left to stand for 168 hours at 85 ° C. and 85% RH to absorb moisture, and then subjected to IR reflow with a maximum temperature of 260 ° C. and a heating time of 1 minute (reflow oven: Scanning ultrasonic flaw detector (Hy-Focus, manufactured by Hitachi Construction Machinery Finetech Co., Ltd.) for the presence or absence of floating / peeling of joints and the occurrence of package cracks when Sagami Riko WL-15-20DNX type) is performed three times. ) And cross-sectional observation. The case where peeling of 0.5 mm or more was observed at the substrate / semiconductor chip junction was judged as peeling, and 25 packages were put into the test, and the number of peeling did not occur was counted.

また、接着剤組成物を構成する各成分は下記の通りである。
(A)アクリル重合体:コーポニールN−2359−6(Mw:約30万、日本合成化学工業株式会社製)
(B)エポキシ樹脂:
(B−1)液状エポキシ樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エピコート828(エポキシ当量189g/eq、ジャパンエポキシレジン株式会社製))
(B−2)固体エポキシ樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(EPICRON 1055(エポキシ当量850g/eq、大日本インキ化学工業株式会社製))
(B−3)固体エポキシ樹脂:ジシクロペンタジエン(DCPD)型エポキシ樹脂(EPICRON HP−7200HH(エポキシ当量278g/eq、大日本インキ化学工業株式会社製))
(C)フェノール系熱硬化剤:
(C−1)ノボラック型フェノール樹脂(PAPS−PN2(重量平均分子量:784、分子量分布1.2、旭有機材工業株式会社製))
(C−2)ノボラック型フェノール樹脂(PAPS−PN4(重量平均分子量:1035、分子量分布1.5、旭有機材工業株式会社製))
(D)硬化剤:
(D−1)ノボラック型フェノール樹脂(ショウノールBGR556(重量平均分子量:800、分子量分布1.8、昭和高分子株式会社製))
(D−2)ノボラック型フェノール樹脂(ショウノールBGR557(重量平均分子量:1000、分子量分布2.0、昭和高分子株式会社製))
(D−3)ノボラック型フェノール樹脂(H−4(重量平均分子量:767、分子量分布1.37明和化成株式会社製))
(D−4)ジシアンジアミド(ハードナー3636AS、株式会社ADEKA製)
(E)硬化促進剤:イミダゾール(キュアゾール2PHZ、四国化成工業株式会社製)
(F)カップリング剤:シランカップリング剤(MKCシリケートMSEP2(三菱化学株式会社製))
(G)無機充填材:球状シリカ(アドマファインSC2050、株式会社アドマテックス製)
(H)熱可塑性樹脂:ポリエステル樹脂(バイロン220、東洋紡社製)
また、接着シートの基材としては、ポリエチレンフィルム(厚さ100μm、表面張力33mN/m)を用いた。
Moreover, each component which comprises an adhesive composition is as follows.
(A) Acrylic polymer: Coponil N-2359-6 (Mw: about 300,000, manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.)
(B) Epoxy resin:
(B-1) Liquid epoxy resin: bisphenol A type epoxy resin (Epicoat 828 (epoxy equivalent 189 g / eq, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.))
(B-2) Solid epoxy resin: bisphenol A type epoxy resin (EPICRON 1055 (epoxy equivalent 850 g / eq, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.))
(B-3) Solid epoxy resin: dicyclopentadiene (DCPD) type epoxy resin (EPICRON HP-7200HH (epoxy equivalent 278 g / eq, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.))
(C) Phenolic thermosetting agent:
(C-1) Novolac-type phenol resin (PAPS-PN2 (weight average molecular weight: 784, molecular weight distribution 1.2, manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.))
(C-2) Novolac-type phenol resin (PAPS-PN4 (weight average molecular weight: 1035, molecular weight distribution 1.5, manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.))
(D) Curing agent:
(D-1) Novolac type phenolic resin (Shonol BGR556 (weight average molecular weight: 800, molecular weight distribution 1.8, manufactured by Showa Polymer Co., Ltd.))
(D-2) Novolac type phenolic resin (Shonol BGR557 (weight average molecular weight: 1000, molecular weight distribution 2.0, manufactured by Showa Polymer Co., Ltd.))
(D-3) Novolac type phenol resin (H-4 (weight average molecular weight: 767, molecular weight distribution 1.37, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.))
(D-4) Dicyandiamide (Hardener 3636AS, manufactured by ADEKA Corporation)
(E) Curing accelerator: Imidazole (Cureazole 2PHZ, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.)
(F) Coupling agent: Silane coupling agent (MKC silicate MSEP2 (Mitsubishi Chemical Corporation))
(G) Inorganic filler: spherical silica (Admafine SC2050, manufactured by Admatechs Co., Ltd.)
(H) Thermoplastic resin: polyester resin (Byron 220, manufactured by Toyobo Co., Ltd.)
Further, a polyethylene film (thickness: 100 μm, surface tension: 33 mN / m) was used as the base material of the adhesive sheet.

(4)重量平均分子量および数平均分子量の測定
下記条件のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)法によって、標準分子量ポリスチレンの溶出曲線を得、得られた溶出曲線に基づいて、上記フェノール樹脂の重量平均分子量および数平均分子量(標準分子量ポリスチレン樹脂の換算値)を求めた。また、分子量分布(Mw/Mn)は、重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)とした。
(4) Measurement of weight average molecular weight and number average molecular weight By gel permeation chromatography (GPC) method under the following conditions, an elution curve of standard molecular weight polystyrene was obtained, and based on the obtained elution curve, The weight average molecular weight and number average molecular weight (converted value of standard molecular weight polystyrene resin) were determined. Moreover, molecular weight distribution (Mw / Mn) was made into the weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn).

(GPC条件)
カラム:KF−801,KF−802,KF−803(昭和電工株式会社製)
溶媒:テトラヒドロフラン(THF)
分子量標準物質:ポリスチレン樹脂(東ソー株式会社製)
検出器:UV−8011(東ソー株式会社製)
(GPC conditions)
Column: KF-801, KF-802, KF-803 (made by Showa Denko KK)
Solvent: tetrahydrofuran (THF)
Molecular weight reference material: Polystyrene resin (manufactured by Tosoh Corporation)
Detector: UV-8011 (manufactured by Tosoh Corporation)

(5)実施例および比較例
表1に記載の組成の接着剤組成物を使用した。表中、数値は固形分換算の重量部を示す。表1に記載の組成の接着剤組成物をシリコーン処理された剥離フィルム(リンテック株式会社製SP−PET3811(S))上に乾燥後の膜厚が30μmになるように塗布、乾燥(乾燥条件:オーブンにて100℃1分間乾燥後、120℃2分間乾燥)した後に基材と貼り合せて、接着剤層を基材上に転写することで接着シートを得た。
(5) Examples and Comparative Examples Adhesive compositions having the compositions described in Table 1 were used. In the table, the numerical values indicate parts by weight in terms of solid content. The adhesive composition having the composition shown in Table 1 was applied on a silicone-treated release film (SP-PET3811 (S) manufactured by Lintec Corporation) so that the film thickness after drying was 30 μm, and dried (drying conditions: After drying in an oven at 100 ° C. for 1 minute and then at 120 ° C. for 2 minutes), the substrate was bonded to the substrate, and the adhesive layer was transferred onto the substrate to obtain an adhesive sheet.

得られた接着シートを用いて、半導体パッケージを製造し、得られた半導体パッケージ表面実装性の評価を行った。結果を表2に示す。   A semiconductor package was manufactured using the obtained adhesive sheet, and the surface mountability of the obtained semiconductor package was evaluated. The results are shown in Table 2.

Figure 2010222390
Figure 2010222390

Figure 2010222390
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本発明によれば、薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を達成できる接着剤組成物および該接着組成物からなる接着剤層を有する接着シートならびこの接着シートを用いた半導体装置の製造方法が提供される。   According to the present invention, an adhesive composition capable of achieving high package reliability even when exposed to severe reflow conditions in a package mounted with a semiconductor chip that is becoming thinner, and an adhesive composed of the adhesive composition An adhesive sheet having an agent layer and a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet are provided.

Claims (4)

アクリル重合体(A)、エポキシ系熱硬化性樹脂(B)、および分子量分布(Mw/Mn)が1.7以下であり、かつ重量平均分子量が770以上であるフェノール系熱硬化剤(C)を含有することを特徴とする接着剤組成物。   Acrylic polymer (A), epoxy thermosetting resin (B), and phenolic thermosetting agent (C) having a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.7 or less and a weight average molecular weight of 770 or more. An adhesive composition comprising: 前記フェノール系熱硬化剤(C)が、ノボラック型フェノール系熱硬化剤である請求項1に記載の接着剤組成物。   The adhesive composition according to claim 1, wherein the phenol-based thermosetting agent (C) is a novolac-type phenol-based thermosetting agent. 請求項1または2に記載の接着剤組成物からなる接着剤層が、基材上に形成されてなる接着シート。   An adhesive sheet in which an adhesive layer made of the adhesive composition according to claim 1 or 2 is formed on a substrate. 請求項3に記載の接着シートの接着剤層に半導体ウエハを貼着し、前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、前記半導体チップ裏面に接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、前記半導体チップをダイパッド部上に前記接着剤層を介して熱圧着する工程を含む半導体装置の製造方法。   A semiconductor wafer is attached to the adhesive layer of the adhesive sheet according to claim 3, the semiconductor wafer is diced into a semiconductor chip, and the adhesive layer is fixed and left on the back surface of the semiconductor chip and peeled off from the substrate. The manufacturing method of the semiconductor device including the process of thermocompression bonding the said semiconductor chip on a die pad part via the said adhesive bond layer.
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