JP2007288033A - Organic semiconductor material, organic semiconductor film, organic semiconductor device and organic thin-film transistor - Google Patents

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秀謙 尾関
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic semiconductor film exhibiting high carrier mobility having a high ON/OFF ratio, and further having high durability (improvement in oxidation stability and secular change stability) by using an organic semiconductor material obtained by molecular design of an organic semiconductor material useful for purpose of a thin-film transistor; and to provide an organic semiconductor device and an organic thin-film transistor. <P>SOLUTION: The organic semiconductor material contains a composition having a partial structure in which two or more aromatic rings are directly or indirectly coupled with conjugate, or a partial structure in which two or aromatic rings are condensed. In the material, the composition has at least one substituent represented by a formula (a). In the formula, a symbol * denotes a coupling portion with the aromatic rings, and R<SB>1</SB>and R<SB>2</SB>each denote an hydrogen atom, a halogen atom or a substituent thereof. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタに関する。   The present invention relates to an organic semiconductor material, an organic semiconductor film, an organic semiconductor device, and an organic thin film transistor.

情報端末の普及に伴い、コンピュータ用のディスプレイとしてフラットパネルディスプレイに対するニーズが高まっている。また、さらに情報化の進展に伴い、従来、紙媒体で提供されていた情報が電子化される機会が増え、薄くて軽い、手軽に持ち運びが可能なモバイル用表示媒体として、電子ペーパーあるいはデジタルペーパーへのニーズも高まりつつある。   With the widespread use of information terminals, there is an increasing need for flat panel displays as computer displays. In addition, with the progress of computerization, information that has been provided in paper media has been increasingly digitized. As a mobile display medium that is thin, light, and portable, electronic paper or digital paper can be used. The need for is increasing.

一般に平板型のディスプレイ装置においては、液晶、有機EL(有機エレクトロルミネッセンス)、電気泳動等を利用した素子を用いて表示媒体を形成している。また、こうした表示媒体では画面輝度の均一性や画面書き換え速度等を確保するために、画像駆動素子としてアクティブ駆動素子(TFT素子)を用いる技術が主流になっている。例えば、通常のコンピュータディスプレイではガラス基板上にこれらTFT素子を形成し、液晶、有機EL素子等が封止されている。   In general, in a flat panel display device, a display medium is formed using elements utilizing liquid crystal, organic EL (organic electroluminescence), electrophoresis, or the like. In such display media, a technique using an active drive element (TFT element) as an image drive element has become mainstream in order to ensure uniformity of screen brightness, screen rewrite speed, and the like. For example, in a normal computer display, these TFT elements are formed on a glass substrate, and liquid crystal, organic EL elements, etc. are sealed.

ここでTFT素子には主にa−Si(アモルファスシリコン)、p−Si(ポリシリコン)等の半導体を用いることができ、これらのSi半導体(必要に応じて金属膜も)を多層化し、ソース、ドレイン、ゲート電極を基板上に順次形成していくことでTFT素子が製造される。こうしたTFT素子の製造には通常、スパッタリング、その他の真空系の製造プロセスが必要とされる。   Here, semiconductors such as a-Si (amorphous silicon) and p-Si (polysilicon) can be mainly used for the TFT element, and these Si semiconductors (and metal films as necessary) are formed into a multilayer structure. The TFT element is manufactured by sequentially forming the drain and gate electrodes on the substrate. The manufacture of such a TFT element usually requires sputtering or other vacuum manufacturing processes.

しかしながら、このようなTFT素子の製造では、真空チャンバーを含む真空系の製造プロセスを何度も繰り返して各層を形成せざるを得ず、装置コスト、ランニングコストが非常に膨大なものとなっていた。例えば、TFT素子では、通常それぞれの層の形成のために真空蒸着、ドープ、フォトリソグラフ、現像等の工程を何度も繰り返す必要があり、何十もの工程を経て素子を基板上に形成している。スイッチング動作の要となる半導体部分に関しても、p型、n型等、複数種類の半導体層を積層している。こうした従来のSi半導体による製造方法ではディスプレイ画面の大型化のニーズに対し、真空チャンバー等の製造装置の大幅な設計変更が必要とされる等、設備の変更が容易ではない。   However, in the manufacture of such a TFT element, the vacuum system manufacturing process including the vacuum chamber must be repeated many times to form each layer, and the apparatus cost and running cost have become enormous. . For example, in a TFT element, it is usually necessary to repeat processes such as vacuum deposition, dope, photolithography, development, etc. many times to form each layer, and the element is formed on a substrate through tens of steps. Yes. As for the semiconductor portion that is the key to the switching operation, a plurality of types of semiconductor layers such as p-type and n-type are stacked. In such a conventional manufacturing method using a Si semiconductor, it is not easy to change the equipment, for example, a design change of a manufacturing apparatus such as a vacuum chamber is required in response to the need for a large display screen.

また、このような従来からのSi材料を用いたTFT素子の形成には高い温度の工程が含まれるため、基板材料には工程温度に耐える材料であるという制限が加わることになる。このため実際上はガラスを用いざるをえず、先に述べた電子ペーパーあるいはデジタルペーパーといった薄型ディスプレイを、こうした従来知られたTFT素子を利用して構成した場合、そのディスプレイは重く、柔軟性に欠け、落下の衝撃で割れる可能性のある製品となってしまう。ガラス基板上にTFT素子を形成することに起因するこれらの特徴は、情報化の進展に伴う手軽な携行用薄型ディスプレイへのニーズを満たすにあたり望ましくないものである。   In addition, since the formation of such a conventional TFT element using a Si material includes a process at a high temperature, the substrate material is restricted to be a material that can withstand the process temperature. Therefore, in practice, glass must be used, and when the above-described thin display such as electronic paper or digital paper is configured using such a conventionally known TFT element, the display is heavy and flexible. Products that may break due to chipping or dropping impact. These characteristics resulting from the formation of TFT elements on a glass substrate are undesirable in satisfying the need for an easy-to-carry-type thin display accompanying the progress of computerization.

一方、近年において高い電荷輸送性を有する有機化合物として、有機半導体材料の研究が精力的に進められている。これらの化合物は有機EL素子用の電荷輸送性材料のほか、有機レーザー発振素子(例えば、非特許文献1参照。)や、多数の論文にて報告されている有機薄膜トランジスタ素子(有機TFT素子)への応用が期待されている(例えば、非
特許文献2参照。)。
On the other hand, in recent years, organic semiconductor materials have been energetically studied as organic compounds having high charge transport properties. In addition to charge transport materials for organic EL devices, these compounds can be used for organic laser oscillation devices (for example, see Non-Patent Document 1) and organic thin film transistor devices (organic TFT devices) reported in many papers. Is expected (see, for example, Non-Patent Document 2).

これら有機半導体デバイスを実現できれば、比較的低い温度での真空ないし低圧蒸着による製造プロセスの簡易化や、さらにはその分子構造を適切に改良することによって、溶液化できる半導体を得る可能性があると考えられ、有機半導体溶液をインク化することによりインクジェット方式を含む印刷法による製造も考えられる。これらの低温プロセスによる製造は、従来のSi系半導体材料については不可能と考えられてきたが、有機半導体を用いたデバイスにはその可能性があり、従って前述の基板耐熱性に関する制限が緩和され、透明樹脂基板上にも例えばTFT素子を形成できる可能性がある。透明樹脂基板上にTFT素子を形成し、そのTFT素子により表示材料を駆動させることができれば、ディスプレイを従来のものよりも軽く、柔軟性に富み、落としても割れない(もしくは非常に割れにくい)ディスプレイとすることができるであろう。   If these organic semiconductor devices can be realized, there is a possibility of obtaining a semiconductor that can be made into a solution by simplifying the manufacturing process by vacuum or low-pressure deposition at a relatively low temperature and further improving the molecular structure appropriately. It is conceivable that the organic semiconductor solution is made into an ink and manufactured by a printing method including an ink jet method. Manufacturing by these low-temperature processes has been considered impossible for conventional Si-based semiconductor materials, but there is a possibility for devices using organic semiconductors, so the above-mentioned restrictions on substrate heat resistance are relaxed. For example, a TFT element may be formed on the transparent resin substrate. If a TFT element is formed on a transparent resin substrate and the display material can be driven by the TFT element, the display is lighter and more flexible than conventional ones, and will not crack even if dropped (or very difficult to break) It could be a display.

しかしながら、こうしたTFT素子を実現するための有機半導体としてこれまでに検討されてきたのは、ペンタセンやテトラセンといったアセン類(例えば、特許文献1参照。)、鉛フタロシアニンを含むフタロシアニン類、ペリレンやそのテトラカルボン酸誘導体といった低分子化合物(例えば、特許文献2参照。)や、α−チエニールもしくはセクシチオフェンと呼ばれるチオフェン6量体を代表例とする芳香族オリゴマー(例えば、特許文献3参照。)、ナフタレン、アントラセンに5員の芳香族複素環が対称に縮合した化合物(例えば、特許文献4参照。)、モノ、オリゴ及びポリジチエノピリジン(例えば、特許文献5参照。)、更には、ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリ−p−フェニレンビニレンといった共役高分子等限られた種類の化合物(例えば、非特許文献1〜3参照。)でしかなく、溶剤への十分な溶解性を保持しながら、十分なキャリア移動度・ON/OFF比を示す材料は見出されていない。   However, organic semiconductors for realizing such TFT elements have been studied so far such as acenes such as pentacene and tetracene (see, for example, Patent Document 1), phthalocyanines including lead phthalocyanine, perylene and its tetra. Low molecular weight compounds such as carboxylic acid derivatives (see, for example, Patent Document 2), aromatic oligomers typically represented by thiophene hexamers called α-thienyl or sexithiophene (for example, see Patent Document 3), naphthalene, Compounds in which 5-membered aromatic heterocycles are condensed symmetrically on anthracene (for example, see Patent Document 4), mono-, oligo- and polydithienopyridines (for example, see Patent Document 5), polythiophene, polythienylene vinylene Conjugated high such as poly-p-phenylene vinylene A material that exhibits a sufficient carrier mobility / ON / OFF ratio while maintaining sufficient solubility in a solvent is not limited to a limited number of compounds (eg, non-patent documents 1 to 3). Not found.

最近、溶解性の高いアセン類であるルブレンの単結晶によって非常に高い移動度が報告されているが(例えば、非特許文献4参照。)、溶液キャストで成膜したルブレンの膜はこのような単結晶構造を取らず、十分な移動度は得られていない。また、高いキャリア移動度と優れた半導体デバイス特性を発現することが報告されているペンタセンは、有機溶媒に対して不溶、もしくは難溶という課題があった。この点を改良するために、ペンタセンに官能基を付与した化合物等も開示され、溶液塗布によって比較的良好なキャリア移動度が得られるとの報告もされている(例えば、特許文献6参照。)。   Recently, a very high mobility has been reported by a single crystal of rubrene, which is a highly soluble acene (see, for example, Non-Patent Document 4), but a rubrene film formed by solution casting is like this. A single crystal structure is not taken and sufficient mobility is not obtained. Further, pentacene, which has been reported to exhibit high carrier mobility and excellent semiconductor device characteristics, has a problem that it is insoluble or hardly soluble in organic solvents. In order to improve this point, a compound having a functional group added to pentacene is also disclosed, and it has been reported that relatively good carrier mobility can be obtained by solution coating (for example, see Patent Document 6). .

しかし、これらルブレンやペンタセン等のアセン系の化合物は、空気によって容易に酸化されエンドペルオキシドのような酸化体や二量体などへの転化を起こし、電界効果トランジスタとしての性能が大きく劣化してしまうことが知られており、溶液での保存安定性や、塗布膜の安定性についてはいまだ解決すべき課題が残されている。酸化に対して比較的安定なアセン系化合物の例としては、ペンタセンの6、13位やアントラジチオフェンの5、11位をシリルエチニル基で置換した一部の化合物が、塗布膜の安定性が良いとの報告がある(例えば、非特許文献5、6、7及び特許文献7参照。)。   However, these acene-based compounds such as rubrene and pentacene are easily oxidized by air and are converted into oxidants and dimers such as endoperoxide, and the performance as a field effect transistor is greatly deteriorated. It is known that there are still problems to be solved regarding the storage stability in solution and the stability of the coating film. Examples of acene-based compounds that are relatively stable against oxidation include some compounds in which 6- and 13-positions of pentacene and 5- and 11-positions of anthradithiophene are substituted with silylethynyl groups. There are reports that it is good (see, for example, Non-Patent Documents 5, 6, 7 and Patent Document 7).

しかしながら、これらの報告においては、酸化に対する安定性が向上したと定性的な性状を述べているのみであり、いまだ実用に耐えうる程度の安定性は得られていない。   However, these reports only describe the qualitative properties that the stability against oxidation has been improved, and the stability to the extent that it can withstand practical use has not yet been obtained.

従って、工程適性を有する溶媒に高濃度に溶解し、且つ、十分なキャリア移動度、on/off比を有し、さらには溶液状態での安定性を有するような、新規な電荷輸送性材料
を用いた半導体性組成物の開発が待望されている。
Therefore, a novel charge transporting material that dissolves at high concentration in a solvent having process suitability, has sufficient carrier mobility, on / off ratio, and stability in a solution state. Development of the used semiconducting composition is awaited.

しかしながら、上記文献においては、該化合物の半導体材料としての検討は行われておらず利用法が例示されているのみであり、十分なTFT性能は得られていない。   However, in the above-mentioned document, the compound is not studied as a semiconductor material, and only usage is exemplified, and sufficient TFT performance is not obtained.

従って、工程適性を有する溶媒に高濃度に溶解し、かつ十分なキャリア移動度、on/off比を有し、さらには溶液状態での安定性を有するような、新規な電荷輸送性材料を用いた半導体性組成物の開発が待望されている。
特開平5−55568号公報 特開平5−190877号公報 特開平8−264805号公報 特開平11−195790号公報 特開2003−155289号公報 国際公開第03/016599号パンフレット 米国特許第6690029号明細書 『サイエンス』(Science)誌289巻、599ページ(2000) 『ネイチャー』(Nature)誌403巻、521ページ(2000) 『アドバンスド・マテリアル』(Advanced Material)誌、2002年、第2号、99ページ Science,2004,303,5664,1644−1646 Org.Lett.,vol.4(2002),15ページ J.Am.Chem.Soc.,vol.127(2005),4986ページ Adv.Mater.,Vol.15(2003),2009頁
Therefore, a novel charge transporting material that dissolves in a high concentration in a solvent having process suitability, has sufficient carrier mobility, on / off ratio, and stability in a solution state is used. Development of a semiconducting composition that has been long-awaited is highly desired.
JP-A-5-55568 Japanese Patent Laid-Open No. 5-190877 JP-A-8-264805 JP-A-11-195790 JP 2003-155289 A International Publication No. 03/016599 Pamphlet US Pat. No. 6690029 Specification “Science” 289, 599 (2000) “Nature” 403, 521 (2000) Advanced Material, 2002, No. 2, page 99 Science, 2004, 303, 5664, 1644-1646. Org. Lett. , Vol. 4 (2002), 15 pages J. et al. Am. Chem. Soc. , Vol. 127 (2005), 4986 pages Adv. Mater. , Vol. 15 (2003), 2009

本発明の目的は、薄膜トランジスタ用途に有用な有機半導体材料を分子設計し、得られた有機半導体材料を用いて、高いキャリア移動度を示し、ON/OFF比が高く、且つ、高耐久性(酸化安定性及び経時安定性向上)を併せ持つ、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。   The object of the present invention is to molecularly design an organic semiconductor material useful for thin film transistor applications, use the obtained organic semiconductor material, exhibit high carrier mobility, a high ON / OFF ratio, and high durability (oxidation). It is to provide an organic semiconductor film, an organic semiconductor device, and an organic thin film transistor having both stability and stability over time.

本発明の上記目的は下記の構成1〜11により達成された。   The above object of the present invention has been achieved by the following constitutions 1 to 11.

1.2環以上の芳香環が共役をもって直接または間接的に連結した部分構造または2環以上の芳香環が縮合した部分構造を有する化合物を含有する有機半導体材料において、
該化合物が、下記一般式(a)で表される置換基を少なくとも1つ有することを特徴とする有機半導体材料。
1.2 In an organic semiconductor material containing a compound having a partial structure in which two or more aromatic rings are linked directly or indirectly with conjugation or a partial structure in which two or more aromatic rings are condensed,
The organic semiconductor material, wherein the compound has at least one substituent represented by the following general formula (a).

Figure 2007288033
Figure 2007288033

〔式中、*は芳香環との結合部位を表し、R1及びR2は、各々水素原子、ハロゲン原子または置換基を表す。〕
2.前記化合物が、3環以上の芳香環が共役をもって直接または間接的に連結した部分構造または3環以上の芳香環が縮合した部分構造を有する化合物であることを特徴とする前記1に記載の有機半導体材料。
Wherein * represents a binding site with an aromatic ring, R 1 and R 2 each represents a hydrogen atom, a halogen atom or a substituent. ]
2. 2. The organic compound according to 1 above, wherein the compound is a compound having a partial structure in which three or more aromatic rings are directly or indirectly connected with conjugation or a partial structure in which three or more aromatic rings are condensed. Semiconductor material.

3.前記化合物が、下記一般式(1)で表される部分構造を有することを特徴とする前記1または2に記載の有機半導体材料。   3. 3. The organic semiconductor material as described in 1 or 2 above, wherein the compound has a partial structure represented by the following general formula (1).

Figure 2007288033
Figure 2007288033

〔式中、Ar1〜Ar3は、各々芳香環を表す。X1〜X4は、該芳香環を形成する原子群の一部であって炭素原子または窒素原子を表し、R1及びR2は各々水素原子、ハロゲン原子または置換基を表す。〕
4.前記化合物が、下記一般式(2)で表される部分構造を有することを特徴とする前記1または2に記載の有機半導体材料。
[In formula, Ar < 1 > -Ar < 3 > represents an aromatic ring respectively. X 1 to X 4 are a part of an atomic group forming the aromatic ring and represent a carbon atom or a nitrogen atom, and R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, a halogen atom or a substituent. ]
4). 3. The organic semiconductor material as described in 1 or 2 above, wherein the compound has a partial structure represented by the following general formula (2).

Figure 2007288033
Figure 2007288033

〔式中、Ar4、Ar5は、各々芳香環を表す。R1〜R7は各々水素原子、ハロゲン原子または置換基を表す。ただし、R4とR5及びR6とR7は互いに結合して環を形成してもよい。〕
5.前記一般式(2)のR3が前記一般式(a)で表されることを特徴とする前記4に記載の有機半導体材料。
[Wherein Ar 4 and Ar 5 each represent an aromatic ring. R 1 to R 7 each represents a hydrogen atom, a halogen atom or a substituent. However, R 4 and R 5 and R 6 and R 7 may be bonded to each other to form a ring. ]
5). 5. The organic semiconductor material as described in 4 above, wherein R 3 in the general formula (2) is represented by the general formula (a).

6.下記一般式(3)で表される部分構造を有することを特徴とする前記4または5に記載の有機半導体材料。   6). 6. The organic semiconductor material as described in 4 or 5 above, which has a partial structure represented by the following general formula (3).

Figure 2007288033
Figure 2007288033

〔式中、Ar6及びAr7は、各々芳香環を表す。n1及びn2は1〜4の整数を表す。ただし、2≦n1+n2≦6である。R1、R2、R3は水素原子、ハロゲン原子または置換基を表す。〕
7.前記一般式(3)のR3が前記一般式(a)で表されることを特徴とする前記6に記載の有機半導体材料。
[Wherein Ar 6 and Ar 7 each represents an aromatic ring. n1 and n2 represent the integer of 1-4. However, 2 ≦ n1 + n2 ≦ 6. R 1 , R 2 and R 3 represent a hydrogen atom, a halogen atom or a substituent. ]
7). 7. The organic semiconductor material as described in 6 above, wherein R 3 in the general formula (3) is represented by the general formula (a).

8.前記1〜7のいずれか1項に記載の有機半導体材料を含有することを特徴とする有機半導体膜。   8). The organic-semiconductor film of any one of said 1-7 is contained, The organic-semiconductor film characterized by the above-mentioned.

9.前記1〜7のいずれか1項に記載の有機半導体材料を有機溶媒に溶解し、得られた溶液を塗布・乾燥する工程を経て、形成されることを特徴とする有機半導体膜。   9. 8. An organic semiconductor film formed by dissolving the organic semiconductor material according to any one of 1 to 7 in an organic solvent, and applying and drying the obtained solution.

10.前記1〜7のいずれか1項に記載の有機半導体材料を用いることを特徴とする有機半導体デバイス。   10. 8. An organic semiconductor device using the organic semiconductor material according to any one of 1 to 7 above.

11.前記1〜7のいずれか1項に記載の有機半導体材料を半導体層に用いることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。   11. 8. An organic thin film transistor, wherein the organic semiconductor material according to any one of 1 to 7 is used for a semiconductor layer.

本発明により、薄膜トランジスタ用途に有用な有機半導体材料を分子設計し、得られた有機半導体材料を用いて、高いキャリア移動度を示し、ON/OFF比が高く、且つ、高耐久性(酸化安定性及び経時安定性向上)を併せ持つ、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することが出来た。   According to the present invention, organic semiconductor materials useful for thin film transistor applications are molecularly designed, and the resulting organic semiconductor materials exhibit high carrier mobility, a high ON / OFF ratio, and high durability (oxidation stability). In addition, an organic semiconductor film, an organic semiconductor device, and an organic thin film transistor having both improved stability with time) can be provided.

本発明の有機半導体材料においては、請求項1〜7のいずれか1項に規定される構成を用いることにより、薄膜トランジスタ用途に有用な有機半導体材料が得られた。   In the organic semiconductor material of the present invention, an organic semiconductor material useful for thin film transistor applications was obtained by using the configuration defined in any one of claims 1 to 7.

得られた該有機半導体材料を用いて、高いキャリア移動度を示し、良好なON/Off特性を示す、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ(有機TFTともいう)が得られた。   Using the obtained organic semiconductor material, an organic semiconductor film, an organic semiconductor device, and an organic thin film transistor (also referred to as an organic TFT) exhibiting high carrier mobility and good ON / Off characteristics were obtained.

また、本発明の有機TFTを具備した有機エレクトロルミネッセンス素子は、良好な発光特性を示すことが判った。   Moreover, it turned out that the organic electroluminescent element which comprised the organic TFT of this invention shows a favorable light emission characteristic.

以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。   Hereinafter, details of each component according to the present invention will be sequentially described.

《有機半導体材料》
本発明の有機半導体材料について説明する。
《Organic semiconductor material》
The organic semiconductor material of the present invention will be described.

本発明者等は上記の問題点を種々検討した結果、本発明の化合物を含有する有機半導体材料は、高い移動度と酸化に対する高い安定性を有することが判明した。これは一般式(a)で表される置換基において芳香環に結合したN原子がC原子以外の原子を持たず、分子同士のπスタッキングを阻害する要素が少ないため、分子がより密に配列した結晶性の高い膜が形成され、その結果、塗布膜の移動度を高いものとできるのみならず、酸素や水分等の劣化因子が浸透しにくい薄膜となり、耐久性を向上できたものと推定される。   As a result of various studies on the above problems, the present inventors have found that an organic semiconductor material containing the compound of the present invention has high mobility and high stability against oxidation. This is because the N atom bonded to the aromatic ring in the substituent represented by the general formula (a) does not have an atom other than the C atom, and there are few elements that inhibit π stacking between molecules, so that the molecules are arranged more closely. As a result, it is estimated that not only the mobility of the coating film can be made high, but also a thin film that is difficult to permeate deterioration factors such as oxygen and moisture, and the durability can be improved. Is done.

上記一般式(a)で表される置換基を少なくともひとつ含む化合物を含有する、本発明の有機半導体材料は、高耐久性(酸化安定性及び経時安定性)であり、且つ、キャリア移動度の高い材料であることが判った。また、溶解性が向上しており、TFT製造の際の生産効率の高い材料であることも大きなメリットである。   The organic semiconductor material of the present invention containing a compound containing at least one substituent represented by the general formula (a) has high durability (oxidation stability and stability over time), and has carrier mobility. It turned out to be a high material. In addition, the solubility is improved, and it is a great merit to be a material with high production efficiency when manufacturing TFTs.

《一般式(a)で表される置換基を少なくとも一つ有する化合物》
本発明の有機半導体材料に係る、上記一般式(a)で表される置換基を少なくとも一つ有する化合物について説明する。
<< Compound having at least one substituent represented by formula (a) >>
The compound having at least one substituent represented by the general formula (a) according to the organic semiconductor material of the present invention will be described.

本発明の有機半導体材料は、前記一般式(a)で表される置換基を少なくとも一つ有する化合物を含有することが特徴であり、該化合物を少なくとも1種を主成分として含有することが好ましい。   The organic semiconductor material of the present invention is characterized by containing a compound having at least one substituent represented by the general formula (a), and preferably contains at least one kind of the compound as a main component. .

ここで、主成分として含有されるとは、有機半導体材料の総質量の50質量%以上含まれていることを示すが、もちろん、本発明に係る化合物が、本発明の有機半導体材料において、100質量%の含有量で含まれていてもよい。   Here, “containing as a main component” means that 50% by mass or more of the total mass of the organic semiconductor material is contained. Of course, the compound according to the present invention is 100% in the organic semiconductor material of the present invention. It may be contained with a content of mass%.

本発明の有機半導体材料に係る、前記化合物は、2環以上の芳香環が共役をもって直接または間接的に連結した部分構造または2環以上の芳香環が縮合した部分構造を有する。   The compound according to the organic semiconductor material of the present invention has a partial structure in which two or more aromatic rings are linked directly or indirectly with conjugation or a partial structure in which two or more aromatic rings are condensed.

一般式(a)で表される置換基において、R1、R2で各々表される置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基、1−プロペニル基、2−ブテニル基、1,3−ブタジエニル基、2−ペンテニル基、イソプロペニル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素基(芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−Si(R)3基(ここで、Rは置換基を表し、前記芳香族炭化水素環や芳香族複素環が有してもよい置換基と同義である)、ホスホノ基等が挙げられる。 In the substituent represented by the general formula (a), examples of the substituent represented by R 1 and R 2 include an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, Pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group, 1- Propenyl group, 2-butenyl group, 1,3-butadienyl group, 2-pentenyl group, isopropenyl group, etc.), alkynyl group (for example, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon group (aromatic carbocyclic group) Also referred to as an aryl group, for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group Anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group, etc., aromatic heterocyclic group (for example, furyl group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group) Group, triazinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced by a nitrogen atom) ), A phthalazinyl group, etc.), a heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), an alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, Hexyloxy group, Octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group) Group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl Groups (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl groups (eg, phenoxy group) Ruoxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (for example, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group) , Dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl) Group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyl Xy group (for example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group) Dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.) Carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group) Group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group) , Ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butyl) Sulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2 Pyridylsulfinyl group etc.), alkylsulfonyl group (eg methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (eg , Phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group) , Anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, etc.), halogen atom (eg fluorine atom, chlorine atom, bromine atom etc.), fluorinated hydrocarbon group (eg fluoromethyl group, trifluoromethyl) , Pentafluoroethyl group, a pentafluorophenyl group), a cyano group, a nitro group, hydroxy group, a mercapto group, -Si (R) 3 group (wherein, R represents a substituent, Ya the aromatic hydrocarbon ring And a phosphono group, and the like.

これらの置換基は、さらに置換されていてもよく、また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよいが、上記一般式(a)の*とR1またはR2で環を形成することはない。 These substituents may be further substituted, and a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring, but * in the general formula (a) and R 1 or R 2 does not form a ring.

一般式(a)で表される置換基を少なくとも一つ有する化合物が有する芳香環について説明する。   The aromatic ring of the compound having at least one substituent represented by the general formula (a) will be described.

《芳香環》
本発明に係る芳香環とは、詳細は後述するが、芳香族炭化水素環、芳香族複素環をともに含む。芳香族炭化水素環(2環以上の縮合環も含む)としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。更に、前記芳香族炭化水素環は、後述する置換基を有してもよい。
《Aromatic ring》
The aromatic ring according to the present invention includes both an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring, as will be described in detail later. Aromatic hydrocarbon rings (including two or more condensed rings) include benzene ring, biphenyl ring, naphthalene ring, azulene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene ring, naphthacene ring, triphenylene ring, o- Terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphen ring, picene ring, pyrene ring, pyranthrene ring And anthraanthrene ring. Furthermore, the aromatic hydrocarbon ring may have a substituent described later.

芳香族複素環(2環以上の縮合環も含む)としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す)等が挙げられる。更に、前記芳香族複素環は、後述する置換基を有してもよい。   Examples of the aromatic heterocyclic ring (including two or more condensed rings) include a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, a benzimidazole ring, Oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, indazole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoline ring, isoquinoline ring, Phthalazine ring, naphthyridine ring, carbazole ring, carboline ring, diazacarbazole ring (which represents a ring in which one of the carbon atoms of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring is further substituted with a nitrogen atom). Furthermore, the aromatic heterocyclic ring may have a substituent described later.

芳香族炭化水素環や芳香族複素環が有してもよい置換基としては、一般式(a)で表される置換基において、R1、R2で各々表される置換基と同義である。 The substituent that the aromatic hydrocarbon ring or the aromatic heterocyclic ring may have is the same as the substituents represented by R 1 and R 2 in the substituent represented by the general formula (a). .

また、本発明に係る化合物は、2環以上の芳香環が共役をもって直接または間接的に連結した部分構造または2環以上の芳香環が縮合した部分構造を有するが、ここで、『共役をもって直接または間接的に連結した』とは、例えば、『共役をもって直接に連結した』とは、二つの芳香環が、少なくとも一つの共役二重結合を介して連結されていることを表し、また、『共役をもって間接的に連結した』とは、例えば2つの芳香環がアルキニル基やアルケニル基を介して結合したものを示す。   Further, the compound according to the present invention has a partial structure in which two or more aromatic rings are directly or indirectly linked with conjugation or a partial structure in which two or more aromatic rings are condensed. `` Or indirectly linked '' means, for example, `` directly linked with conjugation '' means that two aromatic rings are linked via at least one conjugated double bond, “Indirectly linked through conjugation” means, for example, a structure in which two aromatic rings are bonded via an alkynyl group or an alkenyl group.

本発明に係る、一般式(a)で表される置換基を少なくとも一つ有する化合物の好ましい態様としては、下記が挙げられる。   The following is mentioned as a preferable aspect of the compound which has at least one substituent represented by general formula (a) based on this invention.

(a)3環以上の芳香環が共役をもって直接または間接的に連結した部分構造または3環以上の芳香環が縮合した部分構造を有する化合物、
(b)上記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物
(c)上記一般式(2)で表される部分構造を有する化合物や、更に、前記一般式(2)のR3が一般式(a)で表される化合物
(d)上記一般式(3)で表される部分構造を有する化合物や、更に、前記一般式(3)のR3が前記一般式(a)で表される化合物
《一般式(1)で表される部分構造を有する化合物》
一般式(1)において、Ar1〜Ar3で、各々表される芳香環は、前記一般式(a)で表される置換基を少なくとも一つ有する化合物が有する芳香環と同義である。
(A) a compound having a partial structure in which three or more aromatic rings are linked directly or indirectly with conjugation or a partial structure in which three or more aromatic rings are condensed,
(B) a compound having a partial structure represented by the general formula (1) (c) a compound having a partial structure represented by the general formula (2), and R 3 in the general formula (2) The compound represented by the general formula (a) (d) The compound having the partial structure represented by the general formula (3), and further, R 3 in the general formula (3) is represented by the general formula (a). Compound << Compound having a partial structure represented by the general formula (1) >>
In the general formula (1), each of the aromatic rings represented by Ar 1 to Ar 3 has the same meaning as the aromatic ring contained in the compound having at least one substituent represented by the general formula (a).

一般式(1)において、R1、R2で各々表される置換基は、一般式(a)で表される置換基において、R1、R2で各々表される置換基と同義である。 In the general formula (1), the substituent represented by each of R 1, R 2 are, in the substituent represented by the general formula (a), is the same as the substituents each represented by a R 1, R 2 .

《一般式(2)で表される部分構造を有する化合物》
一般式(2)において、Ar4、Ar5で、各々表される芳香環は、前記一般式(a)で表される置換基を少なくとも一つ有する化合物が有する芳香環と同義である。
<< Compound having a partial structure represented by the general formula (2) >>
In the general formula (2), the aromatic rings represented by Ar 4 and Ar 5 have the same meaning as the aromatic ring of the compound having at least one substituent represented by the general formula (a).

一般式(2)において、R1〜R7で各々表される置換基は、一般式(a)で表される置換基において、R1、R2で各々表される置換基と同義である。 In the general formula (2), the substituents represented by R 1 to R 7 are the same as the substituents represented by R 1 and R 2 in the substituent represented by the general formula (a). .

《一般式(3)で表される部分構造を有する化合物》
一般式(3)において、Ar6、Ar7で、各々表される芳香環は、前記一般式(a)で表される置換基を少なくとも一つ有する化合物が有する芳香環と同義である。
<< Compound having a partial structure represented by the general formula (3) >>
In the general formula (3), the aromatic rings represented by Ar 6 and Ar 7 are synonymous with the aromatic rings of the compound having at least one substituent represented by the general formula (a).

一般式(3)において、R1、R2、R3で各々表される置換基は、一般式(a)で表される置換基において、R1、R2で各々表される置換基と同義である。 In the general formula (3), each represented substituent at R 1, R 2, R 3 are, in the substituent represented by the general formula (a), the substituent represented by each of R 1, R 2 It is synonymous.

以下、本発明の有機半導体材料に係る化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the specific example of the compound which concerns on the organic-semiconductor material of this invention is shown, this invention is not limited to these.

Figure 2007288033
Figure 2007288033

Figure 2007288033
Figure 2007288033

Figure 2007288033
Figure 2007288033

本発明の有機半導体材料に係る化合物は、従来公知の合成法を参照することにより合成可能であるが、ここで、上記に具体例としてあげた例示化合物11の合成例を一例として示す。   Although the compound which concerns on the organic-semiconductor material of this invention is compoundable by referring a conventionally well-known synthesis method, the synthesis example of the exemplary compound 11 mentioned as a specific example here is shown as an example.

《例示化合物11の合成》
以下に例示化合物11の合成スキーム概要を示す。
<< Synthesis of Exemplified Compound 11 >>
The outline of the synthesis scheme of Exemplary Compound 11 is shown below.

Figure 2007288033
Figure 2007288033

中間体1を用い、Chem.Zentrabl.,112,1941,889ページを参考に化合物例11を合成した。   Using Intermediate 1, Chem. Zentrabl. , 112, 1941, 889 pages, Compound Example 11 was synthesized.

《有機半導体膜》
本発明に係る有機半導体膜について説明する。
<Organic semiconductor film>
The organic semiconductor film according to the present invention will be described.

本発明の有機半導体材料は適当な有機溶媒(後述する)と混合し、溶液または分散液として用いることができる。   The organic semiconductor material of the present invention can be mixed with an appropriate organic solvent (described later) and used as a solution or dispersion.

本発明の有機半導体材料を含有する溶液を用いて有機半導体膜を作製する場合、使用する有機溶媒は何を用いても構わず、また2種以上の有機溶媒を混合して用いてもよいが、好ましくは非ハロゲン系の溶媒を1種以上含んでおり、より好ましくは非ハロゲン系の溶媒のみで構成されていることが望ましい。   When producing an organic semiconductor film using a solution containing the organic semiconductor material of the present invention, any organic solvent may be used, or two or more organic solvents may be mixed and used. Preferably, it contains at least one non-halogen solvent, and more preferably only non-halogen solvent.

《室温で溶液または分散液》
本発明の有機半導体膜は、本発明の有機半導体材料を下記に示す有機溶媒と混合して調製した、室温で溶液または分散液を用いて膜形成する工程を経て作製されることが好ましい。ここで、室温で溶液または分散液とは、有機半導体材料と有機溶媒とを10℃〜80
℃の条件下で混合した時に、溶液または分散液が形成されることが好ましく、分散液とは、有機半導体材料が粒子状に分散された状態を表すが、分散液中に、有機半導体材料が部分的溶解している状態も含まれる。
<< Solution or dispersion at room temperature >>
The organic semiconductor film of the present invention is preferably produced through a step of forming a film using a solution or a dispersion at room temperature, prepared by mixing the organic semiconductor material of the present invention with the organic solvent shown below. Here, the solution or dispersion at room temperature refers to an organic semiconductor material and an organic solvent at 10 ° C to 80 ° C.
When mixed under the condition of ° C., it is preferable that a solution or a dispersion is formed. The dispersion represents a state in which the organic semiconductor material is dispersed in the form of particles. A partially dissolved state is also included.

また、分散液の一態様としては、例えば、80℃の温度条件下では溶解し、溶液を形成するが、室温(通常25℃前後の温度を示す)に戻すと有機半導体材料の粒子、凝集体、析出物等が有機溶媒中に分散されている状態等を挙げることが出来る。   Further, as one embodiment of the dispersion, for example, it dissolves under a temperature condition of 80 ° C. to form a solution, but when returned to room temperature (usually showing a temperature of about 25 ° C.), particles or aggregates of organic semiconductor material And a state in which precipitates are dispersed in an organic solvent.

(有機溶媒)
上記の溶液または分散液の調製に用いる有機溶媒としては、特に制限はなく、単一溶媒でも混合溶媒でもよいが、好ましくは、非ハロゲン系溶媒が用いられる。本発明に用いられる非ハロゲン系溶媒としては、ヘキサン、オクタンなどの脂肪族系、シクロヘキサンなどの脂環式系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジエチルエーテル、アニソール、ベンジルエチルエーテル、エチルフェニルエーテル、ジフェニルエーテル、メチル−t−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、エチルセロソルブ等のエステル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン等のケトン系溶媒、その他ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムアミド、1,3−ジオキソラン等が挙げられる。
(Organic solvent)
There is no restriction | limiting in particular as an organic solvent used for preparation of said solution or dispersion liquid, Although a single solvent or a mixed solvent may be sufficient, Preferably, a non-halogen-type solvent is used. Non-halogen solvents used in the present invention include aliphatic solvents such as hexane and octane, alicyclic solvents such as cyclohexane, aromatic solvents such as benzene, toluene and xylene, tetrahydrofuran, dioxane, and ethylene glycol diethyl ether. , Ether solvents such as anisole, benzyl ethyl ether, ethyl phenyl ether, diphenyl ether, and methyl-t-butyl ether, ester solvents such as methyl acetate, ethyl acetate, and ethyl cellosolve, alcohol solvents such as methanol, ethanol, and isopropanol, acetone , Ketone solvents such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-hexanone, 2-heptanone and 3-heptanone, other dimethylformamide, dimethylsulfoxide, diethylformamide, 1,3- Oxolane, and the like.

また、併用される有機溶剤は、特に制限されるものではないが、好ましいものとしては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ピロリドン、N−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、β−メトキシプロピオン酸メチル、β−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、ヘキサン、リモネン、シクロヘキサンなどが挙げられる。これらの有機溶媒は2種類以上を組合せて用いることもできる。   Further, the organic solvent used in combination is not particularly limited, but preferred examples include methanol, ethanol, isopropanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, pyrrolidone, N-methylpyrrolidone, dimethylformamide, dimethylacetamide, Examples include methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl β-methoxypropionate, ethyl β-ethoxypropionate, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, xylene, hexane, limonene, cyclohexane, etc. It is done. Two or more of these organic solvents can be used in combination.

また、エステル系溶剤としては、オキシイソ酪酸アルキルエステル等を用いてもよく、オキシイソ酪酸エステルとしては、α−メトキシイソ酪酸メチル、α−メトキシイソ酪酸エチル、α−エトキシイソ酪酸メチル、α−エトキシイソ酪酸エチルなどのα−アルコキシイソ酪酸アルキルエステル;β−メトキシイソ酪酸メチル、β−メトキシイソ酪酸エチル、β−エトキシイソ酪酸メチル、β−エトキシイソ酪酸エチルなどのβ−アルコキシイソ酪酸アルキルエステル;およびα−ヒドロキシイソ酪酸メチル、α−ヒドロキシイソ酪酸エチルなどのα−ヒドロキシイソ酪酸アルキルエステルが挙げられ、特にα−メトキシイソ酪酸メチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、β−エトキシイソ酪酸メチルまたはα−ヒドロキシイソ酪酸メチル等を用いることができる。   Further, as the ester solvent, oxyisobutyric acid alkyl ester or the like may be used, and as oxyisobutyric acid ester, α-methoxyisobutyrate methyl, α-methoxyisobutyrate ethyl, α-ethoxyisobutyrate methyl, α-ethoxyisobutyrate ethyl, etc. α-alkoxyisobutyric acid alkyl esters; β-alkoxyisobutyric acid alkyl esters such as methyl β-methoxyisobutyrate, ethyl β-methoxyisobutyrate, methyl β-ethoxyisobutyrate, ethyl β-ethoxyisobutyrate; and methyl α-hydroxyisobutyrate, α Α-hydroxyisobutyric acid alkyl esters such as ethyl-hydroxyisobutyrate, and in particular, methyl α-methoxyisobutyrate, methyl β-methoxyisobutyrate, methyl β-ethoxyisobutyrate or methyl α-hydroxyisobutyrate may be used. it can.

《有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ(有機TFTともいう)》
本発明の有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ(本願では、有機TFTともいう)について説明する。
<< Organic semiconductor device, organic thin film transistor (also called organic TFT) >>
The organic semiconductor device and organic thin film transistor (also referred to as organic TFT in the present application) of the present invention will be described.

本発明の有機半導体材料は、有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ(有機TFT)等の半導体層に用いられることにより、良好に駆動する有機半導体デバイス、有機TFTを提供することができる。   The organic semiconductor material of the present invention can be used for a semiconductor layer such as an organic semiconductor film, an organic semiconductor device, and an organic thin film transistor (organic TFT), thereby providing an organic semiconductor device and an organic TFT that are driven well.

有機TFT(有機薄膜トランジスタ)は、支持体上に、半導体層として有機半導体チャネルで連結されたソース電極とドレイン電極を有し、その上にゲート絶縁層を介してゲー
ト電極を有するトップゲート型と、支持体上にまずゲート電極を有し、ゲート絶縁層を介して有機半導体チャネルで連結されたソース電極とドレイン電極を有するボトムゲート型に大別される。
An organic TFT (organic thin film transistor) has a source electrode and a drain electrode connected by an organic semiconductor channel as a semiconductor layer on a support, and a top gate type having a gate electrode via a gate insulating layer thereon, A bottom gate type having a gate electrode on a support and having a source electrode and a drain electrode connected by an organic semiconductor channel through a gate insulating layer is roughly classified.

本発明の有機半導体材料を有機TFTの半導体層に設置するには、真空蒸着により基板上に設置することもできるが、適切な溶剤に溶解し必要に応じ添加剤を加えて調製した溶液をキャストコート、スピンコート、印刷、インクジェット法、アブレーション法等によって基板上に設置するのが好ましい。   In order to install the organic semiconductor material of the present invention on the semiconductor layer of the organic TFT, it can be installed on the substrate by vacuum deposition, but a solution prepared by dissolving in an appropriate solvent and adding additives as necessary is cast. It is preferable to install on the substrate by coating, spin coating, printing, ink jet method, ablation method or the like.

この場合、本発明に係る有機半導体化合物を溶解する溶剤は、該有機半導体化合物を溶解して適切な濃度の溶液が調製できるものであれば格別の制限はないが、具体的にはジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル等の鎖状エーテル系溶媒、テトラヒドロフランやジオキサンなどの環状エーテル系溶媒、アセトンやメチルエチルケトン等のケトン系溶媒、クロロホルムや1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系溶媒、トルエン、o−ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン、m−クレゾール等の芳香族系溶媒、N−メチルピロリドン、2硫化炭素等を挙げることができる。これらの溶媒のうち、非ハロゲン系溶媒を含む溶媒が好ましく、非ハロゲン系溶媒で構成することが好ましい。   In this case, the solvent for dissolving the organic semiconductor compound according to the present invention is not particularly limited as long as the organic semiconductor compound can be dissolved to prepare a solution with an appropriate concentration. Chain ether solvents such as diisopropyl ether, cyclic ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, alkyl halide solvents such as chloroform and 1,2-dichloroethane, toluene, o-dichlorobenzene And aromatic solvents such as nitrobenzene and m-cresol, N-methylpyrrolidone, carbon disulfide and the like. Of these solvents, a solvent containing a non-halogen solvent is preferable, and a non-halogen solvent is preferable.

本発明において、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成する材料は導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ(ITO)、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム混合物、リチウム/アルミニウム混合物等が用いられるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ITOおよび炭素が好ましい。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体なども好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。   In the present invention, the material for forming the source electrode, the drain electrode and the gate electrode is not particularly limited as long as it is a conductive material. Platinum, gold, silver, nickel, chromium, copper, iron, tin, antimony lead, tantalum, indium , Palladium, tellurium, rhenium, iridium, aluminum, ruthenium, germanium, molybdenum, tungsten, tin oxide / antimony, indium tin oxide (ITO), fluorine-doped zinc oxide, zinc, carbon, graphite, glassy carbon, silver paste and carbon Paste, lithium, beryllium, sodium, magnesium, potassium, calcium, scandium, titanium, manganese, zirconium, gallium, niobium, sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, aluminum, magnesi A copper / gold mixture, a magnesium / silver mixture, a magnesium / aluminum mixture, a magnesium / indium mixture, an aluminum / aluminum oxide mixture, a lithium / aluminum mixture, etc., in particular, platinum, gold, silver, copper, aluminum, indium, ITO and carbon are preferred. Alternatively, known conductive polymers whose conductivity is improved by doping or the like, for example, conductive polyaniline, conductive polypyrrole, conductive polythiophene, a complex of polyethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid, and the like are also preferably used. Among them, those having low electrical resistance at the contact surface with the semiconductor layer are preferable.

電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子分散液を直接インクジェットによりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。更に導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。   As a method for forming an electrode, a method for forming an electrode using a known photolithographic method or a lift-off method, using a conductive thin film formed by a method such as vapor deposition or sputtering using the above as a raw material, or a metal foil such as aluminum or copper There is a method of etching using a resist by thermal transfer, ink jet or the like. Alternatively, a conductive polymer solution or dispersion, or a conductive fine particle dispersion may be directly patterned by ink jetting, or may be formed from a coating film by lithography or laser ablation. Furthermore, a method of patterning an ink containing a conductive polymer or conductive fine particles, a conductive paste, or the like by a printing method such as relief printing, intaglio printing, planographic printing, or screen printing can also be used.

ゲート絶縁層としては種々の絶縁膜を用いることができるが、特に比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニ
オブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
Various insulating films can be used as the gate insulating layer, and an inorganic oxide film having a high relative dielectric constant is particularly preferable. Inorganic oxides include silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, tin oxide, vanadium oxide, barium strontium titanate, barium zirconate titanate, lead zirconate titanate, lead lanthanum titanate, strontium titanate, Examples thereof include barium titanate, barium magnesium fluoride, bismuth titanate, strontium bismuth titanate, strontium bismuth tantalate, bismuth tantalate niobate, and yttrium trioxide. Of these, silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, and titanium oxide are preferable. Inorganic nitrides such as silicon nitride and aluminum nitride can also be suitably used.

上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、CVD法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。   Examples of the method for forming the film include a vacuum process, a molecular beam epitaxial growth method, an ion cluster beam method, a low energy ion beam method, an ion plating method, a CVD method, a sputtering method, an atmospheric pressure plasma method, and a spray process. Wet processes such as coating methods, spin coating methods, blade coating methods, dip coating methods, casting methods, roll coating methods, bar coating methods, die coating methods, and other wet processes such as printing and ink jet patterning methods, etc. Can be used depending on the material.

ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶剤あるいは水に必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えば、アルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。これらのうち好ましいのは、大気圧プラズマ法とゾルゲル法である。   The wet process is a method of applying and drying a liquid in which fine particles of inorganic oxide are dispersed in an arbitrary organic solvent or water using a dispersion aid such as a surfactant as required, or an oxide precursor, for example, A so-called sol-gel method in which a solution of an alkoxide body is applied and dried is used. Among these, the atmospheric pressure plasma method and the sol-gel method are preferable.

大気圧下でのプラズマ製膜処理による絶縁膜の形成方法は、大気圧または大気圧近傍の圧力下で放電し、反応性ガスをプラズマ励起し、基材上に薄膜を形成する処理で、その方法については特開平11−61406号公報、同11−133205号公報、特開2000−121804号公報、同2000−147209号公報、同2000−185362号公報等に記載されている(以下、大気圧プラズマ法とも称する)。これによって高機能性の薄膜を、生産性高く形成することができる。   The method for forming an insulating film by plasma film formation under atmospheric pressure is a process in which a reactive gas is discharged under atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure to excite reactive gas to form a thin film on a substrate. The method is described in JP-A-11-61406, JP-A-11-133205, JP-A-2000-121804, JP-A-2000-147209, JP-A-2000-185362 (hereinafter referred to as atmospheric pressure). Also called plasma method). Accordingly, a highly functional thin film can be formed with high productivity.

また有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることもできる。有機化合物皮膜の形成法としては、前記ウェットプロセスが好ましい。無機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層して併用することができる。またこれら絶縁膜の膜厚としては、一般に50nm〜3μm、好ましくは100nm〜1μmである。   In addition, as the organic compound film, polyimide, polyamide, polyester, polyacrylate, photo radical polymerization type, photo cation polymerization type photo curable resin, or a copolymer containing an acrylonitrile component, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol, novolac resin, Also, cyanoethyl pullulan or the like can be used. As the method for forming the organic compound film, the wet process is preferable. An inorganic oxide film and an organic oxide film can be laminated and used together. The thickness of these insulating films is generally 50 nm to 3 μm, preferably 100 nm to 1 μm.

また、支持体はガラスやフレキシブルな樹脂製シートで構成され、例えば、プラスチックフィルムをシートとして用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。   Moreover, a support body is comprised with glass or a flexible resin-made sheet | seat, for example, a plastic film can be used as a sheet | seat. Examples of the plastic film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polyetherimide, polyetheretherketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC). And a film made of cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate propionate (CAP), or the like. Thus, by using a plastic film, the weight can be reduced as compared with the case of using a glass substrate, the portability can be improved, and the resistance to impact can be improved.

以下に、本発明に係る有機半導体化合物を用いて形成された有機薄膜を用いた有機薄膜トランジスタ(有機TFT)について説明する。   Below, the organic thin-film transistor (organic TFT) using the organic thin film formed using the organic-semiconductor compound concerning this invention is demonstrated.

図1は、本発明に係る有機TFTの構成例を示す図である。同図(a)は、支持体6上に金属箔等によりソース電極2、ドレイン電極3を形成し、両電極間に本発明の有機薄膜トランジスタ材料からなる有機半導体層1を形成し、その上に絶縁層5を形成し、更にその上にゲート電極4を形成して電界効果トランジスタを形成したものである。同図(b)は、有機半導体層1を、(a)では電極間に形成したものを、コート法等を用いて電極及び支持体表面全体を覆うように形成したものを表す。(c)は、支持体6上に先ずコート
法等を用いて、有機半導体層1を形成し、その後ソース電極2、ドレイン電極3、絶縁層5、ゲート電極4を形成したものを表す。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of an organic TFT according to the present invention. In FIG. 2A, a source electrode 2 and a drain electrode 3 are formed on a support 6 by a metal foil or the like, an organic semiconductor layer 1 made of the organic thin film transistor material of the present invention is formed between the two electrodes, and on that, An insulating layer 5 is formed, and a gate electrode 4 is further formed thereon to form a field effect transistor. FIG. 2B shows the organic semiconductor layer 1 formed between the electrodes in FIG. 1A so as to cover the entire surface of the electrode and the support using a coating method or the like. (C) shows that the organic semiconductor layer 1 is first formed on the support 6 by using a coating method or the like, and then the source electrode 2, the drain electrode 3, the insulating layer 5, and the gate electrode 4 are formed.

同図(d)は、支持体6上にゲート電極4を金属箔等で形成した後、絶縁層5を形成し、その上に金属箔等で、ソース電極2及びドレイン電極3を形成し、該電極間に本発明の有機薄膜トランジスタ材料により形成された有機半導体層1を形成する。その他同図(e)、(f)に示すような構成を取ることもできる。   In FIG. 4D, after forming the gate electrode 4 on the support 6 with a metal foil or the like, the insulating layer 5 is formed, and the source electrode 2 and the drain electrode 3 are formed on the metal foil or the like on the insulating layer 5. An organic semiconductor layer 1 made of the organic thin film transistor material of the present invention is formed between the electrodes. In addition, the configuration as shown in FIGS.

図2は、有機TFTシートの概略等価回路図の1例を示す図である。   FIG. 2 is a diagram showing an example of a schematic equivalent circuit diagram of an organic TFT sheet.

有機TFTシート10はマトリクス配置された多数の有機TFT11を有する。7は各TFT11のゲートバスラインであり、8は各TFT11のソースバスラインである。各TFT11のソース電極には、出力素子12が接続され、この出力素子12は例えば液晶、電気泳動素子等であり、表示装置における画素を構成する。画素電極は光センサの入力電極として用いてもよい。図示の例では、出力素子として液晶が、抵抗とコンデンサからなる等価回路で示されている。13は蓄積コンデンサ、14は垂直駆動回路、15は水平駆動回路である。   The organic TFT sheet 10 has a large number of organic TFTs 11 arranged in a matrix. 7 is a gate bus line of each TFT 11, and 8 is a source bus line of each TFT 11. An output element 12 is connected to the source electrode of each TFT 11, and the output element 12 is, for example, a liquid crystal or an electrophoretic element, and constitutes a pixel in the display device. The pixel electrode may be used as an input electrode of the photosensor. In the illustrated example, a liquid crystal as an output element is shown by an equivalent circuit composed of a resistor and a capacitor. 13 is a storage capacitor, 14 is a vertical drive circuit, and 15 is a horizontal drive circuit.

また、本発明の有機半導体材料を用いた有機TFTは、例えばSID2005, session49−1,2,3で紹介されている技術に適用することができ、a−Siトランジスタを本発明の有機半導体トランジスタに置き換えることで良好な特性を得ることが可能である。   Moreover, the organic TFT using the organic semiconductor material of the present invention can be applied to the technology introduced in, for example, SID2005, sessions 49-1, 2 and 3, and an a-Si transistor is used as the organic semiconductor transistor of the present invention. By replacing it, it is possible to obtain good characteristics.

以下、技術適用の一例として、本発明の有機TFTを具備している有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)について記載する。   Hereinafter, as an example of the technology application, an organic electroluminescence element (organic EL element) including the organic TFT of the present invention will be described.

《有機EL素子(有機エレクトロルミネッセンス素子)》
本発明の有機半導体デバイスまたは有機薄膜トランジスタは、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子ともいう)に具備することができ、有機EL素子は、例えば、陽極と陰極との間に有機EL層(有機層、有機化合物層ともいう)が挟まれた状態(挟持された状態ともいう)のものが挙げられるが、これらの構成としては、従来公知の層構成、有機EL層の材料等を用いて作製することが出来る。例えば、Nature,395巻,151〜154頁の文献等が参照出来る。
<< Organic EL element (Organic electroluminescence element) >>
The organic semiconductor device or the organic thin film transistor of the present invention can be provided in an organic electroluminescence element (also referred to as an organic EL element), and the organic EL element is, for example, an organic EL layer (organic layer, The organic compound layer is also sandwiched (also referred to as a sandwiched state), and these structures are prepared using a conventionally known layer structure, organic EL layer material, or the like. I can do it. For example, the literature etc. of Nature, 395 volumes, 151-154 pages can be referred.

有機EL素子を発光(例えば、表示装置、照明装置等に適用)させるにあたっては、高い発光輝度を得、且つ、発光寿命が長い等の効果を得る観点から、本発明の有機半導体デバイスまたは、本発明の有機薄膜トランジスタを具備していることが好ましい。   In emitting light from an organic EL element (for example, applied to a display device, a lighting device, etc.), the organic semiconductor device of the present invention or the present invention is obtained from the viewpoint of obtaining high light emission luminance and a long light emission lifetime. The organic thin film transistor of the invention is preferably provided.

《表示装置》
有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用しても良いし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用しても良い。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。または、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
<Display device>
The organic EL element may be used as a kind of lamp for illumination or exposure light source, a projection device that projects an image, or a display device (display) that directly recognizes a still image or a moving image. May be used as When used as a display device for reproducing moving images, the driving method may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method. Alternatively, a full-color display device can be manufactured by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.

本発明の有機EL素子から構成される表示装置の一例を図面に基づいて説明する。   An example of a display device composed of the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.

図3は、有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。   FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of a display device including organic EL elements.

有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。ディスプレイ21は、複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。   It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element. The display 21 includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information, and the like.

制御部Bは、表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。   The control unit B is electrically connected to the display unit A, and sends a scanning signal and an image data signal to each of the plurality of pixels based on image information from the outside. The pixels for each scanning line are converted into image data signals by the scanning signal. In response to this, light is sequentially emitted and image scanning is performed to display image information on the display unit A.

図4は、表示部Aの模式図である。   FIG. 4 is a schematic diagram of the display unit A.

表示部Aは基板上に、複数の走査線25及びデータ線26を含む配線部と、複数の画素23等とを有する。   The display unit A includes a wiring unit including a plurality of scanning lines 25 and data lines 26, a plurality of pixels 23, and the like on a substrate.

表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。   The main members of the display unit A will be described below.

図においては、画素23の発光した光が、白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。配線部の走査線25及び複数のデータ線26は、それぞれ導電材料からなり、走査線25とデータ線26は格子状に直交して、直交する位置で画素23に接続している(詳細は図示せず)。   In the drawing, the light emitted from the pixel 23 is extracted in the direction of the white arrow (downward). The scanning lines 25 and the plurality of data lines 26 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 25 and the data lines 26 are orthogonal to each other in a lattice shape and are connected to the pixels 23 at the orthogonal positions (details are shown in FIG. Not shown).

画素23は、走査線25から走査信号が印加されると、データ線26から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。   When a scanning signal is applied from the scanning line 25, the pixel 23 receives an image data signal from the data line 26 and emits light according to the received image data. Full color display is possible by appropriately arranging pixels in the red region, the green region, and the blue region that emit light on the same substrate.

次に、画素の発光プロセスを説明する。   Next, the light emission process of the pixel will be described.

図5は、画素の模式図である。   FIG. 5 is a schematic diagram of a pixel.

画素は、有機EL素子100、スイッチングトランジスタ110、駆動トランジスタ120、コンデンサ130等を備えている。複数の画素に有機EL素子100として、赤色、緑色、青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。   The pixel includes an organic EL element 100, a switching transistor 110, a driving transistor 120, a capacitor 130, and the like. A full color display can be performed by using red, green, and blue light emitting organic EL elements as the organic EL elements 100 for a plurality of pixels, and juxtaposing them on the same substrate.

図5において、制御部Bからデータ線60を介してスイッチングトランジスタ110のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線50を介してスイッチングトランジスタ110のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ110の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ130と駆動トランジスタ120のゲートに伝達される。   In FIG. 5, an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching transistor 110 via the data line 60. When a scanning signal is applied from the control unit B to the gate of the switching transistor 110 via the scanning line 50, the driving of the switching transistor 110 is turned on, and the image data signal applied to the drain is supplied to the capacitor 130 and the driving transistor 120. Is transmitted to the gate.

画像データ信号の伝達により、コンデンサ130が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ120の駆動がオンする。駆動トランジスタ120は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子100の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン70から有機EL素子100に電流が供給される。   By transmitting the image data signal, the capacitor 130 is charged according to the potential of the image data signal, and the drive of the drive transistor 120 is turned on. The drive transistor 120 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 100, and the power supply line 70 connects to the organic EL element 100 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied.

制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線50に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ110の駆動がオフしてもコンデンサ130は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジス
タ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ120が駆動して有機EL素子100が発光する。
When the scanning signal is moved to the next scanning line 50 by the sequential scanning of the control unit B, the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, since the capacitor 130 maintains the potential of the charged image data signal even when the driving of the switching transistor 110 is turned off, the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied. Until then, the light emission of the organic EL element 10 continues. When a scanning signal is next applied by sequential scanning, the driving transistor 120 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 100 emits light.

すなわち、有機EL素子100の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子100に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ110と駆動トランジスタ120を設けて、図4に示されるような複数の画素23に具備されている、各々の有機EL素子100の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。   That is, the organic EL element 100 emits light by providing a switching transistor 110 and a driving transistor 120 which are active elements for each of the organic EL elements 100 of the plurality of pixels, and the plurality of pixels 23 as shown in FIG. Each of the organic EL elements 100 that are provided emits light. Such a light emitting method is called an active matrix method.

ここで、有機EL素子100の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。   Here, the light emission of the organic EL element 100 may be light emission of a plurality of gradations by a multi-value image data signal having a plurality of gradation potentials, or on / off of a predetermined light emission amount by a binary image data signal. But you can.

また、コンデンサ130の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。   The potential of the capacitor 130 may be maintained until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.

本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。   In the present invention, not only the active matrix method described above, but also a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。ここで、実施例に用いる、比較用の有機半導体材料(有機半導体化合物ともいう)の構造式を以下に示す。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these. Here, structural formulas of comparative organic semiconductor materials (also referred to as organic semiconductor compounds) used in the examples are shown below.

Figure 2007288033
Figure 2007288033

実施例1
《有機薄膜トランジスタ1の作製》
ゲート電極としての比抵抗0.01Ω・cmのSiウェハーに、厚さ2000Åの熱酸化膜を形成してゲート絶縁層とした後、オクタデシルトリクロロシランによる表面処理を行った。
Example 1
<< Production of Organic Thin Film Transistor 1 >>
A Si oxide having a specific resistance of 0.01 Ω · cm as a gate electrode was formed with a thermal oxide film having a thickness of 2000 mm to form a gate insulating layer, and then surface treatment with octadecyltrichlorosilane was performed.

このような表面処理を行ったSiウェハー上に、比較化合物1(ペンタセン、アルドリッチ社製、市販試薬を昇華精製して用いた)を、窒素雰囲気下で窒素を30分間バブリングしたトルエンに対して0.5質量%の濃度で溶解させ、窒素雰囲気下でスピンコート塗布(回転数2500rpm、15秒)し、自然乾燥することによりキャスト膜を形成して、窒素雰囲気下で50℃、30分間の熱処理を施した。   On a Si wafer subjected to such a surface treatment, Comparative Compound 1 (Pentacene, manufactured by Aldrich, used after sublimation purification of a commercially available reagent) was added to toluene that was bubbled with nitrogen for 30 minutes in a nitrogen atmosphere. , Dissolved at a concentration of 5% by mass, spin-coated under a nitrogen atmosphere (rotation speed: 2500 rpm, 15 seconds), naturally dried to form a cast film, and heat-treated at 50 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere Was given.

さらに、この膜の表面にマスクを用いて金を蒸着してソース電極及びドレイン電極を形成した。ソース電極及びドレイン電極は幅100μm、厚さ200nmで、チャネル幅W=3mm、チャネル長L=20μmの有機薄膜トランジスタ1を作製した。   Further, gold was deposited on the surface of this film using a mask to form a source electrode and a drain electrode. An organic thin film transistor 1 having a source electrode and a drain electrode having a width of 100 μm, a thickness of 200 nm, a channel width W = 3 mm, and a channel length L = 20 μm was produced.

《有機薄膜トランジスタ2の作製》
比較化合物2(2,3,9,10−テトラヘキシルペンタセン)は、Organic Letters、vol.2(2000),p85に記載の方法で合成した。
<< Production of Organic Thin Film Transistor 2 >>
Comparative compound 2 (2,3,9,10-tetrahexylpentacene) is described in Organic Letters, vol. 2 (2000), p85.

有機薄膜トランジスタ1の作製において、比較化合物1を比較化合物2に変更した以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ2を作製した。   An organic thin film transistor 2 was produced in the same manner as in the production of the organic thin film transistor 1, except that the comparative compound 1 was changed to the comparative compound 2.

《有機薄膜トランジスタ3の作製》
比較化合物3は、J.Am.Chem.Soc.,vol.123(2001),p9486,supporting informationに記載の方法で合成した。
有機薄膜トランジスタ1の作製において、比較化合物1を比較化合物4に変更した以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ3を作製した。
<< Production of Organic Thin Film Transistor 3 >>
Comparative compound 3 is described in J. Org. Am. Chem. Soc. , Vol. 123 (2001), p9486, supporting information.
An organic thin film transistor 3 was produced in the same manner as in the production of the organic thin film transistor 1, except that the comparative compound 1 was changed to the comparative compound 4.

《有機薄膜トランジスタ4の作製》
比較化合物4は、J.Am.Chem.Soc.,vol.127(2005),p4986,supporting informationに記載の方法で合成した。
<< Production of Organic Thin Film Transistor 4 >>
Comparative compound 4 is described in J. Org. Am. Chem. Soc. , Vol. 127 (2005), p4986, supporting information.

有機薄膜トランジスタ1の作製において、比較化合物1を比較化合物5に変更した以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ4を作製した。   An organic thin film transistor 4 was produced in the same manner as in the production of the organic thin film transistor 1, except that the comparative compound 1 was changed to the comparative compound 5.

《有機薄膜トランジスタ5の作製》
比較化合物5は、J.Am.Chem.Soc.,vol.126(2004),p3378,supporting informationに記載の方法を参考にして合成した。
<< Production of Organic Thin Film Transistor 5 >>
Comparative compound 5 is described in J. Org. Am. Chem. Soc. , Vol. 126 (2004), p3378, supporting information, and synthesized.

有機薄膜トランジスタ1の作製において、比較化合物1を比較化合物5に変更した以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ5を作製した。   An organic thin film transistor 5 was produced in the same manner as in the production of the organic thin film transistor 1, except that the comparative compound 1 was changed to the comparative compound 5.

《有機薄膜トランジスタ6〜13の作製》
有機薄膜トランジスタ2の作製において、比較化合物1の代わりに、表1に記載の本発明の有機半導体材料に変更した以外は同様にして、有機薄膜トランジスタ6〜13を作製した。
<< Production of Organic Thin Film Transistors 6-13 >>
In the production of the organic thin film transistor 2, organic thin film transistors 6 to 13 were produced in the same manner except that the organic semiconductor material of the present invention described in Table 1 was used instead of the comparative compound 1.

《キャリア移動度及びON/OFF値の評価》
得られた有機薄膜トランジスタ1〜13について、各素子のキャリア移動度とON/OFF値を、素子作成直後に測定した。なお、本発明では、I−V特性の飽和領域からキャリア移動度を求め、さらに、ドレインバイアス−50Vとし、ゲートバイアス−50V及び0Vにしたときのドレイン電流値の比率からON/OFF比を求めた。
<< Evaluation of carrier mobility and ON / OFF value >>
About the obtained organic thin-film transistors 1-13, the carrier mobility and ON / OFF value of each element were measured immediately after element preparation. In the present invention, the carrier mobility is obtained from the saturation region of the IV characteristic, and the ON / OFF ratio is obtained from the ratio of the drain current values when the drain bias is −50 V and the gate bias is −50 V and 0 V. It was.

また同様の評価を、各素子を40℃、90%RHの環境室に48時間投入したのち、キャリア移動度・ON/OFF比の再測定を行った。   In addition, the same evaluation was carried out for 48 hours after putting each element in an environmental chamber at 40 ° C. and 90% RH, and then the carrier mobility / ON / OFF ratio was measured again.

得られた結果を表1に示す。   The obtained results are shown in Table 1.

Figure 2007288033
Figure 2007288033

表1から、比較と比べて、本発明の有機半導体材料を用いて作製した有機薄膜トランジスタ6〜13では、作製直後においてキャリア移動度・ON/OFF比ともに優れた特性を示し、かつ、耐久試験後においても移動度が10-2以上、ON/OFF比も105以上であり,経時劣化が少なく高い耐久性を併せ持つということが分かる From Table 1, compared with the comparison, the organic thin film transistors 6 to 13 fabricated using the organic semiconductor material of the present invention showed excellent characteristics in both carrier mobility and ON / OFF ratio immediately after fabrication, and after the durability test. The mobility is 10 -2 or more, the ON / OFF ratio is 10 5 or more, and it is understood that it has both high durability and little deterioration over time.

本発明に係る有機TFTの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the organic TFT which concerns on this invention. 有機TFTシートの概略等価回路図の1例を示す図である。It is a figure which shows one example of the schematic equivalent circuit schematic of an organic TFT sheet. 有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed an example of the display apparatus comprised from an organic EL element. 表示部Aの模式図である。4 is a schematic diagram of a display unit A. FIG. 画素の模式図である。It is a schematic diagram of a pixel.

符号の説明Explanation of symbols

1 有機半導体層
2 ソース電極
3 ドレイン電極
4 ゲート電極
5 絶縁層
6 支持体
7 ゲートバスライン
8 ソースバスライン
10 有機TFTシート
11 有機TFT
12 出力素子
13 蓄積コンデンサ
14 垂直駆動回路
15 水平駆動回路
21 ディスプレイ
23 画素
25 走査線
26 データ線
27 電源ライン
100 有機EL素子
110 スイッチングトランジスタ
120 駆動トランジスタ
130 コンデンサ
A 表示部
B 制御部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic-semiconductor layer 2 Source electrode 3 Drain electrode 4 Gate electrode 5 Insulating layer 6 Support body 7 Gate bus line 8 Source bus line 10 Organic TFT sheet 11 Organic TFT
DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 Output element 13 Storage capacitor 14 Vertical drive circuit 15 Horizontal drive circuit 21 Display 23 Pixel 25 Scan line 26 Data line 27 Power supply line 100 Organic EL element 110 Switching transistor 120 Drive transistor 130 Capacitor A Display part B Control part

Claims (11)

2環以上の芳香環が共役をもって直接または間接的に連結した部分構造または2環以上の芳香環が縮合した部分構造を有する化合物を含有する有機半導体材料において、
該化合物が、下記一般式(a)で表される置換基を少なくとも1つ有することを特徴とする有機半導体材料。
Figure 2007288033
〔式中、*は芳香環との結合部位を表し、R1及びR2は、各々水素原子、ハロゲン原子または置換基を表す。〕
In an organic semiconductor material containing a compound having a partial structure in which two or more aromatic rings are linked directly or indirectly with conjugation or a partial structure in which two or more aromatic rings are condensed,
The organic semiconductor material, wherein the compound has at least one substituent represented by the following general formula (a).
Figure 2007288033
Wherein * represents a binding site with an aromatic ring, R 1 and R 2 each represents a hydrogen atom, a halogen atom or a substituent. ]
前記化合物が、3環以上の芳香環が共役をもって直接または間接的に連結した部分構造または3環以上の芳香環が縮合した部分構造を有する化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体材料。 2. The compound according to claim 1, wherein the compound is a compound having a partial structure in which three or more aromatic rings are directly or indirectly connected with conjugation or a partial structure in which three or more aromatic rings are condensed. Organic semiconductor material. 前記化合物が、下記一般式(1)で表される部分構造を有することを特徴とする請求項1または2に記載の有機半導体材料。
Figure 2007288033
〔式中、Ar1〜Ar3は、各々芳香環を表す。X1〜X4は、該芳香環を形成する原子群の一部であって炭素原子または窒素原子を表し、R1及びR2は各々水素原子、ハロゲン原子または置換基を表す。〕
The organic semiconductor material according to claim 1, wherein the compound has a partial structure represented by the following general formula (1).
Figure 2007288033
[In formula, Ar < 1 > -Ar < 3 > represents an aromatic ring respectively. X 1 to X 4 are a part of an atomic group forming the aromatic ring and represent a carbon atom or a nitrogen atom, and R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, a halogen atom or a substituent. ]
前記化合物が、下記一般式(2)で表される部分構造を有することを特徴とする請求項1または2に記載の有機半導体材料。
Figure 2007288033
〔式中、Ar4、Ar5は、各々芳香環を表す。R1〜R7は各々水素原子、ハロゲン原子または置換基を表す。ただし、R4とR5及びR6とR7は互いに結合して環を形成してもよい。〕
The organic semiconductor material according to claim 1, wherein the compound has a partial structure represented by the following general formula (2).
Figure 2007288033
[Wherein Ar 4 and Ar 5 each represent an aromatic ring. R 1 to R 7 each represents a hydrogen atom, a halogen atom or a substituent. However, R 4 and R 5 and R 6 and R 7 may be bonded to each other to form a ring. ]
前記一般式(2)のR3が前記一般式(a)で表されることを特徴とする請求項4に記載の有機半導体材料。 The organic semiconductor material according to claim 4, wherein R 3 in the general formula (2) is represented by the general formula (a). 下記一般式(3)で表される部分構造を有することを特徴とする請求項4または5に記載の有機半導体材料。
Figure 2007288033
〔式中、Ar6及びAr7は、各々芳香環を表す。n1及びn2は1〜4の整数を表す。ただし、2≦n1+n2≦6である。R1、R2、R3は水素原子、ハロゲン原子または置換基を表す。〕
6. The organic semiconductor material according to claim 4, wherein the organic semiconductor material has a partial structure represented by the following general formula (3).
Figure 2007288033
[Wherein Ar 6 and Ar 7 each represents an aromatic ring. n1 and n2 represent the integer of 1-4. However, 2 ≦ n1 + n2 ≦ 6. R 1 , R 2 and R 3 represent a hydrogen atom, a halogen atom or a substituent. ]
前記一般式(3)のR3が前記一般式(a)で表されることを特徴とする請求項6に記載の有機半導体材料。 The organic semiconductor material according to claim 6, wherein R 3 in the general formula (3) is represented by the general formula (a). 請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機半導体材料を含有することを特徴とする有機半導体膜。 An organic semiconductor film comprising the organic semiconductor material according to claim 1. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機半導体材料を有機溶媒に溶解し、得られた溶液を塗布・乾燥する工程を経て、形成されることを特徴とする有機半導体膜。 An organic semiconductor film formed by a process of dissolving the organic semiconductor material according to any one of claims 1 to 7 in an organic solvent and applying and drying the obtained solution. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機半導体材料を用いることを特徴とする有機半導体デバイス。 The organic-semiconductor device using the organic-semiconductor material of any one of Claims 1-7. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機半導体材料を半導体層に用いることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 An organic thin film transistor, wherein the organic semiconductor material according to claim 1 is used for a semiconductor layer.
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