JP2007286458A - Display device and control method for display device - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims abstract description 114
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 59
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 55
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 23
- 238000010606 normalization Methods 0.000 claims description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 53
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
Description
本発明は、表示装置および表示装置の制御方法に関し、特に有機電界発光素子(有機EL(Electro Luminescence) 素子)等の自発光素子を表示素子として用いた表示装置およびその制御方法に関する。 The present invention relates to a display device and a display device control method, and more particularly to a display device using a self-light emitting element such as an organic electroluminescence element (organic EL (Electro Luminescence) element) as a display element and a control method thereof.
近年、発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、有機EL素子などの自発光素子を表示素子として用いたパネル型の表示装置(ディスプレイ)の開発が為されている。この種の表示装置は、一般に、自発光素子をマトリクス状に多数配置することによって画面部(表示パネル)が構成され、各素子を映像信号に応じて選択的に発光させることにより、映像の表示が行われる。 In recent years, panel-type display devices (displays) using self-luminous elements such as light-emitting diodes (LEDs), laser diodes (LD), and organic EL elements as display elements have been developed. In this type of display device, generally, a screen portion (display panel) is configured by arranging a large number of self-light-emitting elements in a matrix, and each element is selectively made to emit light according to a video signal, thereby displaying an image. Is done.
表示媒体として、テレビジョン受像機、コンピュータモニター、携帯情報端末などに代表されるように、我々の日常生活の中でディスプレイは大きな役割を担っている。インターネットの進展に伴い、ヒューマンインターフェイスとしてのディスプレイの重要性は益々大きくなっている。このような状況下で、目に優しく、高精細な画面で見やすく、かつ動画に遅れなしにくっきりと綺麗に見える高解像度、高速応答のディスプレイが要求されている。 As a display medium, a display plays a big role in our daily life, as represented by a television receiver, a computer monitor, a portable information terminal, and the like. With the development of the Internet, the importance of displays as human interfaces is increasing. Under such circumstances, there is a demand for a high-resolution, high-speed display that is easy on the eyes, easy to see on a high-definition screen, and can be clearly displayed without delay in moving images.
自発光素子を用いた表示装置は、非自発光素子を用いた表示装置、例えば液晶を用いた液晶表示装置(LCD;(Liquid Crystal Display)に比べて、バックライトが不要なために、薄型化、軽量化を実現でき、消費電力の点でも有利であるなどの利点がある。特に、有機EL素子を用いた有機EL表示装置は、視野角が広く、視認性が高いこと、素子の応答速度が速いことなどから、近年注目されている。 A display device using a self-light emitting element is thinner than a display device using a non-self light emitting element, for example, a liquid crystal display device using liquid crystal (LCD; (Liquid Crystal Display), because a backlight is unnecessary. The organic EL display device using an organic EL element has a wide viewing angle, high visibility, and a response speed of the element. Has been attracting attention in recent years.
これに対して、自発光素子、例えば有機EL素子には、発光に伴う発熱などによって各有機層が劣化し、発光輝度が低下するとともに、発光自体が不安定になるなどの経時的劣化の問題がある。このような問題は、有機EL表示装置に限らず、他の自発光素子を用いた表示装置、例えばプラズマディスプレイなどでも起こる。 On the other hand, for self-luminous elements, such as organic EL elements, each organic layer deteriorates due to heat generated by light emission, the luminance of light emission decreases, and light emission itself becomes unstable. There is. Such a problem occurs not only in the organic EL display device but also in a display device using other self-luminous elements, such as a plasma display.
その対策のために、従来は、電流量と発光輝度との比例関係を利用して、デバイスに流れる電流量を抑制することによって温度上昇による輝度劣化を抑えるようにしていた(例えば、特許文献1参照)。 As a countermeasure, conventionally, a luminance relationship due to a rise in temperature is suppressed by suppressing the amount of current flowing through the device by using a proportional relationship between the amount of current and light emission luminance (for example, Patent Document 1). reference).
また、走査線とデータ線との交差点の画素近傍に温度センサを配置し、当該温度センサが検出する周囲温度の変化に応じて走査線を駆動する駆動電圧の電圧レベルを制御することにより、周囲温度が変化しても均一で明るい表示を行うようにしていた(例えば、特許文献2参照)。 In addition, a temperature sensor is arranged near the pixel at the intersection of the scanning line and the data line, and the voltage level of the driving voltage for driving the scanning line is controlled in accordance with the change in the ambient temperature detected by the temperature sensor. Even when the temperature changes, uniform and bright display is performed (for example, see Patent Document 2).
しかしながら、特許文献1記載の従来技術では、デバイスに流れる電流量を抑制するようにしているために、電流量の制御によって発光輝度が低下し、良好な画像表示を提供できないなどの問題があった。
However, in the conventional technique described in
一方、有機EL素子は発光輝度-印加電圧特性の温度依存性がデバイスごとに異なる。したがって、温度センサの検出出力だけを用いて発光輝度の制御を行う特許文献2記載の従来技術では、デバイス(有機EL素子)個々の発光輝度-印加電圧特性の温度に起因する変化の違いに対応できないなどの問題がある。 On the other hand, the temperature dependence of light emission luminance-applied voltage characteristics varies depending on the device. Therefore, in the conventional technology described in Patent Document 2 in which the emission luminance is controlled using only the detection output of the temperature sensor, it is possible to cope with the difference in the emission luminance-applied voltage characteristics due to the temperature of each device (organic EL element). There are problems such as being unable to do so.
また、有機EL素子は発光ダイオード特性を示し、温度上昇に伴ってデバイスに流れる電流が比例して大きくなり、結果的に発光輝度と比例関係にあるために、デバイスの劣化を促進する傾向にある。すなわち、有機EL素子は、温度によって発光輝度が変化する温度特性を持っている。 In addition, organic EL elements exhibit light-emitting diode characteristics, and the current flowing through the device increases proportionally with increasing temperature. As a result, the organic EL element has a proportional relationship with the emission luminance, and thus tends to promote device degradation. . That is, the organic EL element has a temperature characteristic in which the light emission luminance changes depending on the temperature.
そして、ある一定輝度で発光させたとき、有機EL素子の温度が高ければ高い程相対輝度が劣化し易くなる。具体的には、図7に示すように、横軸を駆動時間、縦軸を相対輝度とし、駆動時間が0のときの相対輝度を1とすると、駆動時間が長くなるに連れて相対輝度が劣化するとともに、その輝度劣化曲線が温度によって異なる。 When light is emitted with a certain luminance, the higher the temperature of the organic EL element, the more easily the relative luminance is degraded. Specifically, as shown in FIG. 7, when the horizontal axis is the driving time, the vertical axis is the relative luminance, and the relative luminance when the driving time is 0 is 1, the relative luminance increases as the driving time increases. In addition to deterioration, the luminance deterioration curve varies depending on the temperature.
表示エリア全域において、温度が異なる箇所で相対輝度に差があると、この相対輝度の差が人間の目にいわゆる焼付き現象として見える。すなわち、デバイスの温度起因による輝度劣化の違いによって焼付き現象が発生する。このような温度起因による相対輝度の劣化の違いに対しては、単にデバイスに流れる電流量を抑制したり、温度センサの検出出力だけを用いた制御を行ったりするだけでは補正することが困難であり、上記特許文献1,2記載の従来技術を用いたとしても、デバイスの温度起因による相対輝度の劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制することはできない。
If there is a difference in relative luminance at different temperatures throughout the display area, this difference in relative luminance appears as a so-called burn-in phenomenon to the human eye. That is, a burn-in phenomenon occurs due to a difference in luminance deterioration due to the temperature of the device. It is difficult to correct for the difference in degradation of relative luminance due to temperature by simply suppressing the amount of current flowing through the device or performing control using only the detection output of the temperature sensor. Even if the conventional techniques described in
そこで、本発明は、デバイスの温度起因による輝度劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制し、滑らかな画像表示を実現可能な表示装置および表示装置の制御方法を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a display device and a display device control method capable of suppressing a burn-in phenomenon caused by a difference in luminance deterioration due to a temperature of a device and realizing a smooth image display.
上記目的を達成するために、本発明では、一対の基板間に形成された発光素子を含む画素が複数配置されてなる表示装置において、前記一対の基板のうちの一方の基板に、発光素子の各々に対応して受光素子を配置し、当該受光素子によって発光素子の漏れ光を検出することによって発光素子個々の輝度を検出するとともに、前記発光素子への入力信号と前記受光素子群の各受光素子の検出信号とに基づいて前記発光素子の相対輝度の劣化分を検出する。そして、画素個々の隣接画素との温度差、あるいは、画素個々の画素温度と表示部の周囲温度との温度差に対して上記相対輝度の劣化分を反映させて前記発光素子の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるように前記発光素子の発光輝度を制御する。 In order to achieve the above object, according to the present invention, in a display device in which a plurality of pixels including a light-emitting element formed between a pair of substrates is arranged, one of the pair of substrates is attached to one of the substrates. A light receiving element is arranged corresponding to each, and the light receiving element detects the light leakage of the light emitting element by detecting the light leakage of the light emitting element, and also receives the input signal to the light emitting element and each light reception of the light receiving element group. Based on the detection signal of the element, the deterioration of the relative luminance of the light emitting element is detected. Then, the relative luminance due to the temperature of the light emitting element is reflected by reflecting the deterioration of the relative luminance with respect to the temperature difference between adjacent pixels of each pixel or the temperature difference between the pixel temperature of each pixel and the ambient temperature of the display unit. The light emission luminance of the light emitting element is controlled so that the luminance degradation is constant.
上記構成の表示装置において、発光素子の相対輝度の劣化分を検出し、当該相対輝度の劣化分を画素個々の隣接画素との温度差、あるいは、画素個々の画素温度と表示部の周囲温度との温度差に反映させて発光素子の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるように発光輝度の制御を行うことにより、温度起因による相対輝度の劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制することができる。 In the display device having the above-described configuration, the amount of deterioration of the relative luminance of the light emitting element is detected, and the amount of deterioration of the relative luminance is detected as a temperature difference from each pixel adjacent pixel, or the pixel temperature of each pixel and the ambient temperature of the display unit. By controlling the light emission luminance so that the relative luminance deterioration due to the temperature of the light emitting element is made constant by reflecting the difference in temperature of the light emitting element, the image sticking phenomenon caused by the difference in the relative luminance deterioration due to the temperature is suppressed. be able to.
本発明によれば、発光素子の温度起因による輝度劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制することができるために、滑らかな画像表示を実現できる。 According to the present invention, it is possible to suppress a burn-in phenomenon that occurs due to a difference in luminance degradation due to the temperature of the light emitting element, and thus it is possible to realize a smooth image display.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[第1実施形態]
(上面発光型パネルモジュール)
図1は、本発明の第1実施形態に係る表示装置、例えば有機EL表示装置に用いられる上面発光型パネルモジュールの構成の概略を示す要部断面図である。
[First Embodiment]
(Top-emitting panel module)
FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part showing an outline of a configuration of a top emission panel module used in a display device according to a first embodiment of the present invention, for example, an organic EL display device.
図1に示すように、本実施形態に係る有機EL表示装置に用いられるパネルモジュール10Aは、支持基板11と対向基板12とを有し、これら基板11,12間に挟持される形で発光素子13が設けられた構成となっている。支持基板11は、石英、ガラス等の透明基板やシリコン基板などの中から適宜選択されて用いられる。
As shown in FIG. 1, the
ここでは、パネルモジュール10Aの駆動方式としてアクティブマトリクス方式を採用するものとする。ただし、パネルモジュール10Aの駆動方式としては、アクティブマトリクス方式に限られるものではなく、パッシブマトリクス方式を採用した場合であっても、本発明は適用可能である。
Here, it is assumed that an active matrix method is adopted as a driving method of the
支持基板11には、発光素子13を含む画素ごとに、発光素子13を駆動するトランジスタ、例えばTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)が形成されている。支持基板11にはさらに、ここでの図示を省略した駆動回路、具体的には発光素子13を含む画素が行列状に2次元配置されてなる表示部を駆動するに当たって、当該表示部の各画素を画素行ごとに配線された走査線を介して行単位で選択する行選択回路や、当該行選択回路によって選択された行の各画素に、画素列ごとに配線されたデータ線を介して表示データを供給するデータ線駆動回路などが設けられている。 On the support substrate 11, a transistor for driving the light emitting element 13, for example, a TFT (Thin Film Transistor) is formed for each pixel including the light emitting element 13. Further, when driving the display unit in which the driving circuit, not shown here, specifically, the pixels including the light emitting elements 13 are two-dimensionally arranged in a matrix, the support substrate 11 is driven to display each pixel of the display unit. Is selected via a scanning line wired for each pixel row in a row unit, and is displayed on each pixel in a row selected by the row selection circuit via a data line wired for each pixel column. A data line driving circuit for supplying data is provided.
発光素子13は、自発光素子である有機EL素子からなり、支持基板11の一主面側中央部の表示領域にマトリクス状(行列状)に2次元配置されている。これらの発光素子13は、それぞれが例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の各色に発光するものであり、所定の配列形式に従って表示領域に配列されている。また、発光素子13の相互間には、各発光素子13を分離する素子分離絶縁層14が形成されている。この素子分離絶縁層14の部分に、上記走査線が画素行ごとに配線されることになる。 The light-emitting elements 13 are organic EL elements that are self-light-emitting elements, and are two-dimensionally arranged in a matrix (matrix shape) in the display area at the center of the main surface of the support substrate 11. Each of these light emitting elements 13 emits light of, for example, each color of R (red), G (green), and B (blue), and is arranged in a display area according to a predetermined arrangement format. An element isolation insulating layer 14 that separates the light emitting elements 13 is formed between the light emitting elements 13. The scanning line is wired for each pixel row in the element isolation insulating layer 14.
発光素子13は、支持基板11上に各発光素子13ごとに配列形成される下部電極(陽極)15と、下部電極15上に形成され、各色に発光する発光層を含む有機層16と、各有機層16および素子分離絶縁層14を覆う状態でベタ膜状に形成され、各発光素子13の共通電極となる上部電極(陰極)17とが順次積層されている。
The light emitting element 13 includes a lower electrode (anode) 15 arranged on the support substrate 11 for each light emitting element 13, an organic layer 16 formed on the
なお、ここでは、下部電極15を陽極、上部電極17を陰極としているが、下部電極15が陰極で、上部電極17が陽極であってもよい。また、上部電極17と対向基板12との間には、例えば窒化シリコンからなる透明材料膜18が設けられている。
Although the
対向基板12の表面側には、各発光素子13の間となる位置、即ち走査線が配線される素子分離絶縁層14の部位と対向する位置に、受光素子19が発光素子13に対応した数だけ配置されている。具体的には、受光素子19は、対向基板12の表面側に形成された凹部12aを埋め込む状態で設けられている。この凹部12aは、支持基板11と対向基板12とを対向配置させる前に、エッチング等によって形成されることとする。
On the surface side of the
なお、ここでは、受光素子19を対向基板12の表面側に形成された凹部12aに埋め込んだ配置構造を採っているが、対向基板12における発光素子13側に凹部を形成し、当該凹部に受光素子19を埋め込む配置構造や、透明材料膜18の対向基板12側に凹部を形成し、当該凹部に受光素子19を埋め込む配置構造を採ることも可能である。
Here, an arrangement structure is adopted in which the light receiving element 19 is embedded in a
受光素子19は、例えばアモルファスシリコン半導体によって形成された高感度受光センサ(可視光センサ)であり、対応関係にある発光素子13の漏れ光を検出して光電変換し、受光量に応じた電気信号を発生する。発光素子13と受光素子19との対応関係については後述する。 The light receiving element 19 is a high-sensitivity light receiving sensor (visible light sensor) formed of, for example, an amorphous silicon semiconductor, detects leakage light of the light emitting element 13 in a corresponding relationship, performs photoelectric conversion, and an electrical signal corresponding to the amount of light received Is generated. The correspondence relationship between the light emitting element 13 and the light receiving element 19 will be described later.
受光素子19としては、アモルファスシリコン半導体によって形成された高感度受光センサに限られるものではなく、受光量に応じて電気信号を発生させることができる周知の受光センサを用いることができる。ただし、受光素子19として高感度受光センサを用いることで、後述するように、発光素子13の発光強度に対して20%程度の光量の漏れ光を検出できる利点がある。 The light receiving element 19 is not limited to a high sensitivity light receiving sensor formed of an amorphous silicon semiconductor, and a known light receiving sensor capable of generating an electric signal according to the amount of received light can be used. However, by using a highly sensitive light receiving sensor as the light receiving element 19, there is an advantage that leakage light having a light amount of about 20% with respect to the light emission intensity of the light emitting element 13 can be detected as will be described later.
また、有機EL素子には、その構造上受光素子としての機能を持たせることも可能であることから、有機EL素子を受光素子19として用いることも可能である。有機EL素子を受光素子19として用いることで、有機EL表示装置にあっては、発光素子13と受光素子19とを同じプロセスで形成することができるために、製造プロセス上有利であるという利点がある。 In addition, since the organic EL element can have a function as a light receiving element because of its structure, the organic EL element can also be used as the light receiving element 19. By using the organic EL element as the light receiving element 19, in the organic EL display device, since the light emitting element 13 and the light receiving element 19 can be formed by the same process, there is an advantage that the manufacturing process is advantageous. is there.
受光素子19は、画素の配列ピッチや上部電極17および透明材料膜18の膜厚などで決まる発光素子13に対する配置関係から、発光素子13の発光強度に対して20%程度の光量の漏れ光を検出することができる。このように、受光素子19が発光素子13の発光強度の20%程度を受光できれば、当該受光素子19の受光出力に基づく後述する制御を十分に実現できる。 The light receiving element 19 emits leakage light having a light amount of about 20% with respect to the light emission intensity of the light emitting element 13 due to the arrangement relationship with respect to the light emitting element 13 determined by the pixel arrangement pitch and the film thickness of the upper electrode 17 and the transparent material film 18. Can be detected. As described above, if the light receiving element 19 can receive about 20% of the light emission intensity of the light emitting element 13, the control described later based on the light receiving output of the light receiving element 19 can be sufficiently realized.
また、図2の平面図に示すように、受光素子19はスキャン方向において平面視的に隣接する各発光素子13の間に配置されている。そして、先述した行選択回路による画素行の走査の際に、ある画素行の発光素子13が選択されたときに、この選択行の発光素子13に隣接する一方の受光素子19が当該発光素子13の漏れ光をモニタリングする対応関係となっている。この対応関係が先述した発光素子13と受光素子19との対応関係である。 As shown in the plan view of FIG. 2, the light receiving elements 19 are arranged between the light emitting elements 13 adjacent in plan view in the scanning direction. When a light emitting element 13 in a certain pixel row is selected during scanning of the pixel row by the above-described row selection circuit, one light receiving element 19 adjacent to the light emitting element 13 in the selected row is the light emitting element 13. It is a correspondence relationship to monitor the leakage light. This correspondence is the correspondence between the light emitting element 13 and the light receiving element 19 described above.
すなわち、ある画素行の発光素子13とこれにスキャン方向に隣接する一方の受光素子19とが対となり、発光素子13のスキャン周期と同周期で当該発光素子13と対応関係にある受光素子19が発光素子13の漏れ光をモニタリングすることになる。このタイミング関係により、1つの受光素子19に対してスキャン方向における両側に隣接して発光素子13が2個存在していても、受光素子19が一方の発光素子13からの光漏れ量のみを受光し、他方の発光素子13からの光漏れ量を受光することを防止できる。ここで、図2のA−A′線に沿った矢視断面図が図1の断面構成図となる。 That is, the light emitting element 13 in a certain pixel row and the one light receiving element 19 adjacent to the light emitting element 13 in the scanning direction are paired, and the light receiving element 19 corresponding to the light emitting element 13 in the same cycle as the scanning cycle of the light emitting element 13. Light leakage from the light emitting element 13 is monitored. Due to this timing relationship, even if there are two light emitting elements 13 adjacent to both sides in the scanning direction with respect to one light receiving element 19, the light receiving element 19 receives only the amount of light leakage from one light emitting element 13. In addition, the amount of light leakage from the other light emitting element 13 can be prevented from being received. Here, the cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2 is the cross-sectional configuration diagram of FIG.
以上により、発光素子13の有機層16からの発光光を対向基板12側から取り出すいわゆる上面発光型パネルモジュール10Aが構成されている。そして、この上面発光型パネルモジュール10Aにおいて、光取り出し方向と反対側、即ち支持基板11側で、当該支持基板11の一主面(外面)上の発光素子13と対向する部位に温度センサ20が設けられている。
As described above, the so-called top emission
温度センサ20は、支持基板11の一主面に密着していることで、当該支持基板11を挟んで対向する発光素子13の発熱に伴う温度を確実に検知することができる。この温度センサ20としては、例えば、アモルファスシリコン半導体などによって形成された周知の温度センサを用いることができる。
Since the
ここでは、上面発光型パネルモジュール10Aを例に挙げたが、本発明は上面発光型パネルモジュール10Aへの適用に限られるものではなく、発光素子13の有機層16からの発光光を支持基板11側から取り出すいわゆる下面(ボトム)発光型パネルモジュールに対しても適用可能である。以下に、下面発光型パネルモジュールの構造について説明する。
Here, the top-emitting
(下面発光型パネルモジュール)
図3は、本発明の第1実施形態に係る有機EL表示装置に用いられる下面発光型パネルモジュールの構成の概略を示す要部断面図であり、図中、図1と同等部分には同一符号を付して示している。
(Bottom-emitting panel module)
FIG. 3 is a cross-sectional view of an essential part showing an outline of the configuration of the bottom emission panel module used in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention. In FIG. Is shown.
図3に示すように、本実施形態に係る有機EL表示装置に用いられる下面発光型パネルモジュール10Bの場合は、有機層16からの発光光が支持基板11側から取り出されるため、上部電極17は反射性材料で形成され、下部電極15は透明性材料で形成される。ここで、下部電極15は、支持基板11に配置されたTFTを覆う状態で設けられた平坦化絶縁膜(図示省略)上に、各発光素子13に対応する状態で配置されている。
As shown in FIG. 3, in the case of the bottom emission
そして、受光素子19は、下部電極15間の平坦化絶縁膜上に、隣接する下部電極15とは離間する状態で配置されている。また、この受光素子19で発光素子13の漏れ光を検出するため、上記受光素子19を覆う状態で配置される素子分離絶縁層14は、透明材料によって生成される。一方、温度センサ20は、光取り出し方向と反対側、即ち対向基板12側で、当該対向基板12の一主面(外面)上の発光素子13と対向する部位に設けられている。
The light receiving element 19 is disposed on the planarization insulating film between the
以上の点が、下面発光型パネルモジュール10Bが上面発光型パネルモジュール10Aと構造上相違する点であり、それ以外の構造については上面発光型パネルモジュール10Aと基本的に同じである。
The above point is that the bottom
本実施形態に係る有機EL表示装置は、以上説明した上面発光型パネルモジュール10Aあるいは下面発光型パネルモジュール10Bに加えて、以下に説明する本実施形態に係る制御部を備えており、当該制御部によってパネルモジュール10A/10Bの表示制御(駆動制御)を行う構成となっている。
The organic EL display device according to the present embodiment includes a control unit according to the present embodiment described below in addition to the top
(制御部)
図4は、先述した構成を持つパネルモジュール10A/10Bの制御を行う第2実施形態に係る制御部30Aの構成の一例を示すブロック図である。
(Control part)
FIG. 4 is a block diagram showing an example of the configuration of the control unit 30A according to the second embodiment that controls the
図4に示すように、本実施形態に係る制御部30Aは、レベル制御部301、相対レベル調整部302、メモリー部303、除算部304、A/D(アナログ/デジタル)変換部305、メモリー部306、乗算部307、相対輝度劣化検出部308、A/D変換部309、メモリー部310、温度差検出部311、データ規格化処理部312、電圧除算演算部313、電圧除算結果比較演算部314、電圧除算比率制御部315および演算選択制御部316を有する構成となっている。
As shown in FIG. 4, the control unit 30A according to the present embodiment includes a
本制御部30Aは、入力されるデジタル映像信号に応じてパネルモジュール10A内の表示部の各画素の表示制御を行う一方、パネルモジュール10A/10Bに設けられた受光素子群の各受光素子19の検出信号に基づいて相対輝度劣化量を検出するとともに、パネルモジュール10Aに設けられた温度センサ群の各温度センサ20の検出信号に基づいて各画素の隣接画素との温度差を検出し、これら検出した相対輝度劣化量および温度差に基づいて発光素子13の温度特性に起因する相対輝度の劣化が一定に(均一に)なるように発光素子13の駆動制御を行う。
The control unit 30A performs display control of each pixel of the display unit in the
制御部30Aにおいて、デジタル映像信号は、レベル制御部301および相対レベル調整部302を介してメモリー部303に供給され、当該メモリー部303に各表示画素の階調値が保存された後パネルモジュール10A/10Bに供給される。レベル制御部301および相対レベル調整部302の各機能については後述する。
In the control unit 30A, the digital video signal is supplied to the
パネルモジュール10A/10Bにおいては、先述したように、画素が行列状に2次元配置されてなる表示部の各画素を行単位で選択するとともに、この選択行の各画素にデジタル映像信号に応じた表示データを書き込むことにより、デジタル映像信号に応じた階調にて各画素の発光素子13の発光駆動が行われる。
In the
この行走査による表示駆動により、各画素の発光素子13が行単位で順に発光すると、各受光素子19が対応関係にある各発光素子13の漏れ光を受光し、光電変換して受光量に応じた電圧値として出力する。受光素子19から出力される電圧値は除算部304に供給される。 When the light emitting element 13 of each pixel emits light sequentially in units of rows by the display drive by this row scanning, each light receiving element 19 receives the leakage light of each light emitting element 13 having a corresponding relationship, and performs photoelectric conversion according to the amount of light received. Output as a voltage value. The voltage value output from the light receiving element 19 is supplied to the division unit 304.
除算部304は、乗算部307を介してメモリー部303から与えられる階調値で、受光素子19から出力される電圧値を除算する演算処理を行う。ここで、表示画素の発光強度(発光輝度)が強ければ(明るければ)階調が高く、逆に発光強度が弱ければ(暗ければ)階調が低いということであるため、除算部304による除算結果から表示画素の輝度の状態(高輝度であるか低輝度であるか)を認識することができる。この除算結果は、A/D変換部305でデジタルデータに変換され、メモリー部306に保存される。
The division unit 304 performs arithmetic processing for dividing the voltage value output from the light receiving element 19 by the gradation value given from the
乗算部307は、メモリー部303に保存されている各表示画素の階調値に対して20%の乗算処理を行う。ここで、表示画素の階調値に対して20%の乗算処理を行うのは、先述したように、受光素子19が受光する漏れ光の受光量が発光素子13の発光量の20%程度であることから、除算演算の対象となる受光素子19からの電圧値とメモリー部303からの階調値とを対応させる(揃える)ためである。
The
なお、ここでは、メモリー部303からの階調値に対して乗算部307で20%の乗算処理を行うとしたが、受光素子19からの電圧値に対して5倍の乗算処理を行うことによっても、除算部304での除算演算の対象となる受光素子19からの電圧値とメモリー部303からの階調値とを対応させることができる。
Here, the
相対輝度劣化検出部308は、メモリー部306の保存データから、1表示画面における最高輝度もしくはその近傍の輝度で発光する画素を高輝度表示画素、最低輝度もしくはその近傍の輝度で発光する画素を低輝度表示画素として認識し、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について、乗算部307を介してメモリー部303から与えられる階調値を基に、所定の駆動期間における相対輝度劣化分を検出する。
The relative luminance
先述したように、有機EL素子は発光ダイオード特性を示し、温度によって発光輝度が変化する温度特性を持っている。そして、ある一定輝度で発光させたとき、温度が高ければ高い程発光輝度(明るさ)が劣化していく。具体的には、駆動時間が長くなるに連れて相対輝度が劣化するとともに、その輝度劣化曲線が温度によって異なる。また、高輝度表示画素と低輝度表示画素とで温度起因による輝度劣化の特性が違い、図5から明らかなように、高輝度表示画素の特性(A)の方が、低輝度表示画素の特性(B)よりも劣化が顕著である。 As described above, the organic EL element exhibits a light emitting diode characteristic, and has a temperature characteristic in which the light emission luminance varies depending on the temperature. When the light is emitted at a certain luminance, the light emission luminance (brightness) deteriorates as the temperature increases. Specifically, as the driving time becomes longer, the relative luminance deteriorates and the luminance deterioration curve varies depending on the temperature. Also, the characteristics of luminance degradation due to temperature are different between the high-luminance display pixel and the low-luminance display pixel, and as is clear from FIG. 5, the characteristic (A) of the high-luminance display pixel is the characteristic of the low-luminance display pixel. Deterioration is more remarkable than in (B).
パネルモジュール10A内の温度センサ群の各温度センサ20は、表示画素の非表示期間において画素個々の温度を検出して電圧値として出力する。温度センサ20から出力される電圧値はA/D変換部309でデジタルデータに変換され、メモリー部310に保存される。温度差検出部311は、メモリー部310に格納されている検出温度についての保存データを基に、画素ごとに隣接する画素、例えば走査順における前の画素との間の温度差(電圧値の差分)を画素個々について検出する。
Each
データ規格化処理部312は、輝度と温度との対応関係を示す数値相関データテーブルを有し、温度差検出部311で検出された画素個々の隣接画素との温度差に、相対輝度劣化検出部308で検出された高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々についての相対輝度劣化分を反映させることにより、高輝度表示画素の相対輝度劣化分が反映された隣接画素との温度差に応じた第1の電圧値(以下、「高輝度表示画素の相対輝度劣化分」と記述する)ΔLaと、低輝度表示画素の相対輝度劣化分が反映された隣接画素との温度差に応じた第2の電圧値(以下、「低輝度表示画素の相対輝度劣化分」と記述する)ΔLbとに規格化(換算)する。
The data
電圧除算演算部313は、画素個々について、データ規格化処理部313で規格化された高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaを低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbで除算する。この除算結果ΔLa/ΔLbは、高輝度表示画素の相対輝度劣化分が反映された隣接画素との温度差と低輝度表示画素の相対輝度劣化分が反映された隣接画素との温度差との比であることから、温度起因による輝度劣化の違いによって発生する焼付き現象の程度を表すことになる。以下、除算結果ΔLa/ΔLbを温度特性焼付き相関係数と呼ぶこととする。
The voltage
電圧除算結果比較演算部314は、画素個々について、電圧除算演算部313での除算結果である温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbに基づいて、検出した隣接画素との温度差において温度起因による輝度劣化の違いによって発生する焼付き現象の程度を判定する。
The voltage division result
ここで、隣接画素間の温度差と焼付き現象が発生する臨界点(以下、「焼付き発生臨界点」と記述する)との対応関係について説明する。なお、焼付き発生臨界点(数値)は、特許請求の範囲の所定の基準値に相当する。一例として、図6に示すように、隣接画素間の温度差が5℃のときは、焼付き発生臨界点が1.53となる。これは、温度差5℃のときに焼付き現象が発生する臨界点が1.53であることを表しており、温度差5℃では温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbが臨界点未満(ΔLa/ΔLb<1.53)であれば焼付き現象が発生しないことを意味している。 Here, a correspondence relationship between a temperature difference between adjacent pixels and a critical point at which a seizure phenomenon occurs (hereinafter referred to as a “seizure critical point”) will be described. Note that the seizure critical point (numerical value) corresponds to a predetermined reference value in the claims. As an example, as shown in FIG. 6, when the temperature difference between adjacent pixels is 5 ° C., the critical point for occurrence of seizure is 1.53. This indicates that the critical point at which the seizure phenomenon occurs at a temperature difference of 5 ° C. is 1.53, and at the temperature difference of 5 ° C., the temperature characteristic seizure correlation coefficient ΔLa / ΔLb is less than the critical point ( If ΔLa / ΔLb <1.53), it means that no seizure phenomenon occurs.
同様に、隣接画素間の温度差が10℃のときは焼付き発生臨界点が1.45、隣接画素間の温度差が15℃のときは焼付き発生臨界点が1.40、隣接画素間の温度差が20℃のときは焼付き発生臨界点が1.36、隣接画素間の温度差が25℃のときは焼付き発生臨界点が1.31、隣接画素間の温度差が30℃のときは焼付き発生臨界点が1.24、隣接画素間の温度差が35℃のときは焼付き発生臨界点が1.19、隣接画素間の温度差が40℃のときは焼付き発生臨界点が1.12となる。 Similarly, when the temperature difference between adjacent pixels is 10 ° C., the critical point for image sticking is 1.45, and when the temperature difference between adjacent pixels is 15 ° C., the critical point for image sticking is 1.40, between adjacent pixels. When the temperature difference is 20 ° C., the critical point for image sticking is 1.36, when the temperature difference between adjacent pixels is 25 ° C., the critical point for image sticking is 1.31, and the temperature difference between adjacent pixels is 30 ° C. When the temperature difference is 1.24, the critical point for image sticking is 1.24, when the temperature difference between adjacent pixels is 35 ° C., the critical point for image sticking is 1.19, and when the temperature difference between adjacent pixels is 40 ° C., the image sticking occurs. The critical point is 1.12.
すなわち、温度差10℃ではΔLa/ΔLb<1.45、温度差15℃ではΔLa/ΔLb<1.40、温度差29℃ではΔLa/ΔLb<1.36、温度差25℃ではΔLa/ΔLb<1.31、温度差30℃ではΔLa/ΔLb<1.24、温度差35℃ではΔLa/ΔLb<1.19、温度差40℃ではΔLa/ΔLb<1.12であれば焼付き現象が発生しないことになる。 That is, ΔLa / ΔLb <1.45 at a temperature difference of 10 ° C., ΔLa / ΔLb <1.40 at a temperature difference of 15 ° C., ΔLa / ΔLb <1.36 at a temperature difference of 29 ° C., and ΔLa / ΔLb <at a temperature difference of 25 ° C. 1.31, ΔLa / ΔLb <1.24 at a temperature difference of 30 ° C., ΔLa / ΔLb <1.19 at a temperature difference of 35 ° C., and seizure phenomenon at ΔLa / ΔLb <1.12 at a temperature difference of 40 ° C. Will not.
したがって、電圧除算結果比較演算部314では次のような比較演算処理が行われる。すなわち、ある画素において、検出した隣接画素との温度差が例えば15℃のときを例に挙げると、上述した隣接画素間の温度差と焼付き発生臨界点との対応関係から、温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbが1.40以上あるか否か、即ち焼付き現象が発生するか否か、また1.40以上であれば、焼付き現象の発生程度、即ち焼付き発生臨界点(1.40)に対する差分を演算する処理が行われる。
Therefore, the voltage division result
電圧除算比率制御部315は、電圧除算結果比較演算部314による焼付き現象の発生程度の判定結果を基に、焼付き現象が発生しないようにするための制御値を画素個々について算出する。具体的には、電圧除算結果比較演算部314で焼付き現象が発生すると判定され、焼付き発生臨界点に対する差分の演算が行われた場合に、その差分に対応した制御値を算出する。この制御値は、発光素子13の温度特性に起因する相対輝度の劣化が一定(均一)になるように、入力デジタル信号の信号レベルを補正する輝度補正値となる。
The voltage division
ここで、電圧除算演算部313、電圧除算結果比較演算部314および電圧除算比率制御部315には、演算される電圧値と輝度との対応関係を示す対応表が組み込まれていることとする。これにより、輝度補正を行う上で、演算される電圧値がどれくらいの輝度値に相当するかを各回路部ごとに照会できるためにスムーズな補正が可能となる。
Here, it is assumed that the voltage
演算選択制御部316は、電圧除算比率制御部315で算出された画素個々の輝度補正値(制御値)を基にして、補正処理の対象画素が高輝度表示画素であるときに、当該高輝度表示画素に対して信号レベル(輝度レベル)の補正を行うか否かの選択制御を行う。そして、演算選択制御部316による選択結果を基に、レベル制御部301は、高輝度表示画素の信号レベルに対して、電圧除算比率制御部315で算出された輝度補正値に応じた補正制御を行う。
Based on the brightness correction value (control value) of each pixel calculated by the voltage division
相対レベル調整部302は、静止画判定部3021、切り替えスイッチ3022およびレベル調整部3023によって構成されている。
The relative level adjustment unit 302 includes a still image determination unit 3021, a
静止画判定部3021は、例えば図7に示すように、フレームメモリ30211、演算回路30212および判定回路30213からなり、Nフレーム目の映像信号レベルV1Nと、フレームメモリ30211に格納された1フレーム前のN−1フレーム目の映像信号レベルV1(N−1)とを用いて、演算回路30212で
[{V1N−V1(N−1)}/V1(N−1)]×100
なる演算処理を行い、その演算結果がN−1フレーム目の映像信号レベルV1(N−1)の例えば70%以下であるか否かを判定回路30213で判定し、70%以下であるときに静止画であると判定する。当然のことながら、70%を越えるときは動画となる。
For example, as shown in FIG. 7, the still image determination unit 3021 includes a
The
切り替えスイッチ3022は、通常は、入力されるデジタル映像信号を直接メモリー部303へ供給し、静止画判定部3021の判定結果が静止画であるときは入力されるデジタル映像信号を、レベル調整部3023を介してメモリー部303へ供給する。レベル調整部3023は、静止画と判定されたときの映像信号の信号レベルを例えば100倍に乗算処理を行う。
The change-
ここで、静止画と判定されたときに映像信号の信号レベルを100倍するのは次の理由による。すなわち、先述したように、相対輝度劣化検出部308において所定期間(例えば、1フレーム期間)における発光輝度(輝度レベル)の変化分の検出が行われるが、静止画であっても、デバイスの温度変化などに起因してフレーム間において輝度レベルに変動が生じる。そして、1フレーム期間における静止画の輝度レベルの変化分は、1フレーム期間における動画の輝度レベルの変化分に比べて1/100程度と極めて微小である。
Here, the reason why the signal level of the video signal is multiplied by 100 when it is determined as a still image is as follows. That is, as described above, the relative luminance
したがって、静止画と判定したときに、映像信号の信号レベルに対して100倍程度の乗算処理を施すことにより、相対輝度劣化検出部308において、前後のフレーム間での微弱な信号レベルの推移(輝度変化)の検出処理を容易に行うことができる。ただし、100倍という数値は一例に過ぎず、これに限られるものではなく、少なくとも、前後のフレーム間での微弱な信号レベルの推移を検出できる程度の倍率であれば良い。
Therefore, when it is determined that the image is a still image, the relative luminance
また、静止画と判定したときに、映像信号の信号レベルに対して100倍程度の乗算処理を施すことにより、1フレーム期間における輝度レベルの変化分を静止画時と動画時で同程度の電圧値にすることができる。このように、輝度レベルの変化分を静止画時と動画時で同程度の電圧値にすることで、データ規格化処理部312→電圧除算部313→電圧除算結果比較演算部314→電圧除算比率制御部315→演算選択制御部316→レベル制御部301の補正制御系を静止画時と動画時とで共通にできる(分けなくて済む)。この場合は、100倍という数値が有効に作用する。
In addition, when a still image is determined, the signal level of the video signal is multiplied by about 100 times so that the change in the luminance level in one frame period is the same voltage for the still image and the moving image. Can be a value. In this way, by making the change in the luminance level the same voltage value at the time of still image and moving image, the data
なお、静止画時の信号レベルの調整については、静止画時の信号レベルとそれに対応した輝度値との対応表をレベル調整部3023にあらかじめ組み込んでおき、この対応表を用いて静止画時の信号レベルをそれに対応した輝度値に設定する構成を採ることも可能である。
Regarding the adjustment of the signal level at the time of still image, a correspondence table between the signal level at the time of still image and the corresponding luminance value is incorporated in the
上記構成の本実施形態に係る制御部30Aを備えた有機EL表示装置において、発光素子13として用いられる有機EL素子は、先述したように、駆動時間が長くなるに連れて相対輝度が劣化するとともに、その輝度劣化曲線が温度によって異なる特性を持ち、さらに高輝度表示画素と低輝度表示画素とで温度起因による輝度劣化の特性が違う。そして、デバイスの温度起因による輝度劣化の違いによって焼付き現象が発生する。 In the organic EL display device including the control unit 30A according to the present embodiment having the above-described configuration, as described above, the organic EL element used as the light-emitting element 13 is deteriorated in relative luminance as the driving time becomes longer. The luminance degradation curve has different characteristics depending on the temperature, and the luminance degradation characteristics due to temperature are different between the high luminance display pixel and the low luminance display pixel. A burn-in phenomenon occurs due to a difference in luminance deterioration due to the temperature of the device.
このように、有機EL素子を発光素子13として用いた表示装置では、有機EL素子が自発光素子であるが故に、特に同じ表示状態が長く続けばそれだけ温度が上昇する。そして、デバイスの温度起因による輝度劣化の違いによって焼付き現象が発生するという現状において、本実施形態に係る制御部30Aを備えた有機EL表示装置では次のような構成を採ることを特徴としている。 As described above, in the display device using the organic EL element as the light emitting element 13, since the organic EL element is a self-luminous element, the temperature rises as much as the same display state continues for a long time. And in the present situation that the burn-in phenomenon occurs due to the difference in luminance degradation due to the temperature of the device, the organic EL display device including the control unit 30A according to the present embodiment is characterized by adopting the following configuration. .
すなわち、発光素子13の各々に対応して受光素子19を配置し、当該受光素子19によって発光素子13の漏れ光を検出することによって発光素子13個々の輝度を検出するとともに、温度センサ20によって発光素子13を含む画素の各々の温度を検出し、制御部30Aによる制御の下に、入力デジタル信号と受光素子19の検出信号とを用いて所定の駆動期間における相対輝度の劣化分を検出するとともに、温度センサ20による画素個々の温度情報を用いて画素ごとに隣接画素との温度差を検出し、この温度差に相対輝度の劣化分を反映させて、発光素子13の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるように発光素子13の発光輝度を制御する構成を採っている。
That is, a light receiving element 19 is arranged corresponding to each light emitting element 13, and the light receiving element 19 detects leakage light of the light emitting element 13 to detect the luminance of each light emitting element 13, and the
このように、発光素子13個々の輝度情報を用いて相対輝度の劣化分を検出し、当該相対輝度の劣化分を画素個々の隣接画素との温度差に反映させて発光素子13個々の発光輝度の制御を行う、具体的には発光素子13の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるように発光素子13個々の発光輝度の制御を行うことにより、デバイスの温度起因による相対輝度の劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制することができるために、滑らかな画像表示を実現できる。 As described above, the luminance information of each light emitting element 13 is detected using the luminance information of each light emitting element 13, and the light emitting luminance of each light emitting element 13 is reflected by reflecting the deterioration of the relative luminance in the temperature difference with each adjacent pixel. Specifically, by controlling the light emission luminance of each light emitting element 13 so that the deterioration of the relative luminance due to the temperature of the light emitting element 13 becomes constant, the deterioration of the relative luminance due to the temperature of the device is controlled. Since the image sticking phenomenon caused by the difference can be suppressed, smooth image display can be realized.
本実施形態に係る制御部30Aによる輝度制御では、その具体的な制御として、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について相対輝度劣化分を相対輝度劣化化検出部308で検出するとともに、画素個々の隣接画素との温度差を温度変化検出部311で検出し、この画素個々の隣接画素との温度差を、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々についての相対輝度劣化分が反映された高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaと低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbとにデータ規格化処理部312で規格化(換算)することによって温度補正を行い、この温度補正によって得られた相対輝度劣化分ΔLaと相対輝度劣化分ΔLbとの除算結果である温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbを基に輝度補正の制御を行うようにしている。
In the luminance control by the control unit 30A according to the present embodiment, as specific control, the relative luminance
また、本実施形態に係る制御部30Aを備えた有機EL表示装置では、画素個々の温度を検出する温度センサ20を、上面発光型パネルモジュール10A、下面発光型パネルモジュール10Bに関わらず、一対の基板11,12のうち、光取り出し方向と反対側の支持基板11に配置した構成を採っていることにより、パネルモジュール10A/10B上において平面視的に温度センサ20を配置するための余分なスペースを確保する必要がないために、表示エリアを抑制したり、パネルサイズの縮小化を妨げたりすることがない。
In addition, in the organic EL display device including the control unit 30A according to the present embodiment, the
しかも、図1や図3から明らかなように、発光素子13の各々に対して支持基板11を挟んで温度センサ20の各々を配向配置していることにより、発光素子13を含む画素の開口率の低下を招くことがないために、多画素化に伴う高解像度化に有利な構造となり、さらに、温度センサ20を支持基板11に密着させているために、当該温度センサ20によって発光素子13個々の温度を確実に検出することができる。
Moreover, as apparent from FIGS. 1 and 3, the aperture ratio of the pixel including the light emitting element 13 is obtained by orienting each of the
なお、上記構成の制御部30Aについては、画素が行列状に配置されてなる表示部やその周辺の駆動回路と共に、パネルモジュール10A/10B上に搭載する構成を採っても良いし、あるいは、パネルモジュール10A/10B外に設ける構成を採っても良い。
The control unit 30A having the above-described configuration may be configured to be mounted on the
ここで、本実施形態に係る制御部30Aの各構成要素、即ちレベル制御部301、相対レベル調整部302、メモリー部303、除算部304、A/D変換部305、メモリー部306、乗算部307、相対輝度劣化検出部308、A/D変換部309、メモリー部310、温度差検出部311、データ規格化処理部312、電圧除算演算部313、電圧除算結果比較演算部314、電圧除算比率制御部315および演算選択制御部316については、パーソナルコンピュータのように、所定プログラムを実行することによって情報記憶処理、信号処理、演算処理等の各機能を実行するコンピュータ機器を利用してソフトウェア構成によって実現することが考えられる。ただし、ソフトウェア構成による実現に限られるものではなく、ハードウェア構成、あるいはハードウェアとソフトウェアの複合構成によって実現することも可能である。
Here, each component of the control unit 30A according to the present embodiment, that is, the
(制御方法)
次に、上記構成の本実施形態に係る有機EL表示装置の制御方法(本発明による表示装置の制御方法)の処理手順について、図8のフローチャートを用いて具体的に説明する。この制御方法による処理は、図4の制御部30Aの処理に相当する。なお、この一連の処理は、スキャン周期に同期して画素単位で実行されることとする。
(Control method)
Next, a processing procedure of the organic EL display device control method according to the present embodiment having the above-described configuration (display device control method according to the present invention) will be described in detail with reference to the flowchart of FIG. The processing by this control method corresponds to the processing of the control unit 30A in FIG. Note that this series of processing is executed in units of pixels in synchronization with the scan cycle.
ここでは、一例として、図9に示すように、発光素子13の初期温度が30℃であったときに、高輝度表示画素(A)の相対輝度をLa(=1.0)、低輝度表示画素(B)の相対輝度をLb(=1.0)とし、所定の駆動期間tが経過した後の表示状態での高輝度表示画素の温度が60℃に上昇し、このときの高輝度表示画素の相対輝度が初期値Laよりも6%劣化(ΔLa=La×6%)し、低輝度表示画素の温度が45℃に上昇し、このときの低輝度表示画素の相対輝度が初期値Lbよりも4%劣化(ΔLa=La×4%)している場合の輝度補正制御を例に挙げて説明する。 Here, as an example, as shown in FIG. 9, when the initial temperature of the light emitting element 13 is 30 ° C., the relative luminance of the high luminance display pixel (A) is La (= 1.0), and the low luminance display is performed. The relative luminance of the pixel (B) is set to Lb (= 1.0), and the temperature of the high luminance display pixel in the display state after the elapse of a predetermined driving period t rises to 60 ° C., and the high luminance display at this time The relative luminance of the pixel deteriorates 6% from the initial value La (ΔLa = La × 6%), the temperature of the low-luminance display pixel rises to 45 ° C., and the relative luminance of the low-luminance display pixel at this time is the initial value Lb. As an example, the luminance correction control in the case of 4% deterioration (ΔLa = La × 4%) will be described.
なお、静止画の場合も動画の場合も制御方法は同じであるために、ここでは、静止画/動画の共通の制御として説明する。 Note that the control method is the same for both still images and moving images, and therefore, here, a description will be given of common control for still images / moving images.
先ず、画像表示のためのデジタル映像信号を取り込み(ステップS11)、当該映像信号の信号レベルで示される階調値を保存し(ステップS12)、しかる後デジタル映像信号をパネルモジュール10A/10Bに対して入力する(ステップS13)。これにより、パネルモジュール10A/10Bでは、デジタル入力信号に基づいて画素の表示駆動が行われ、各画素の発光素子13が発光する。
First, a digital video signal for image display is fetched (step S11), the gradation value indicated by the signal level of the video signal is stored (step S12), and then the digital video signal is sent to the
発光素子13が発光することにより、対応関係にある受光素子19が当該発光素子13の漏れ光を受光し、その受光量に応じた電気信号、即ち発光輝度に応じた電圧値を出力するとともに、発光素子13に対して支持基板11を挟んで対向配置された温度センサ20が当該発光素子13の温度を検出してその温度に応じた電圧値を出力する。
When the light emitting element 13 emits light, the corresponding light receiving element 19 receives the leakage light of the light emitting element 13 and outputs an electric signal corresponding to the amount of received light, that is, a voltage value corresponding to the light emission luminance. A
このように、パネルモジュール10Aが表示駆動状態にあるときに、受光素子19から出力される発光輝度に応じた電圧値(輝度電圧値)を取り込み(ステップS14)、この輝度電圧値をステップS12で保存した階調値で除算し(ステップS15)、デジタルデータ化した後保存する(ステップS16)。
Thus, when the
次いで、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について、ステップS12で保存した階調値を基に、所定の駆動期間における発光輝度の劣化分を検出する(ステップS17)。 Next, for each of the high-luminance display pixel and the low-luminance display pixel, the deterioration of the light emission luminance during a predetermined driving period is detected based on the gradation value stored in step S12 (step S17).
なお、ステップS15での除算処理や、ステップS17での輝度劣化分の検出に用いられる階調値は、実際には、受光素子19が受光する漏れ光の受光量が発光素子13の発光量の20%程度であり、受光素子19からの電圧値に対応させるために、20%の除算処理が行われたものとなる。
Note that the gradation value used for the division process in step S15 and the detection of the luminance degradation in step S17 is actually the amount of light received by the light receiving element 19 is equal to the amount of light emitted by the light emitting element 13. It is about 20%, and in order to correspond to the voltage value from the
次いで、温度センサ20から出力される、発光素子13を含む画素の温度に応じた電圧値(温度電圧値)を取り込み(ステップS18)、画素個々について隣接画素との間の温度差(電圧値の差分)を検出する(ステップS19)。
Next, a voltage value (temperature voltage value) corresponding to the temperature of the pixel including the light emitting element 13 output from the
なお、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について輝度変化分を検出するためのステップS14〜S17の各処理と、画素個々について隣接画素との間の温度差を検出するためのステップS18,S19の各処理については、その処理の順番が逆であっても良く、また双方の検出処理を並行して行うようにしても良い。 In addition, each process of steps S14 to S17 for detecting the luminance change amount for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel, and step S18 for detecting a temperature difference between adjacent pixels for each pixel. About each process of S19, the order of the process may be reverse, and you may make it perform both detection processes in parallel.
次に、輝度と温度との対応関係を示す数値相関データテーブルを基に、画素個々の隣接画素との間の温度差を、ステップS17で検出した高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々についての輝度劣化分に対応した電圧値(高輝度表示画素の相対輝度劣化分)ΔLaと、低輝度表示画素の温度変化分に応じた電圧値(低輝度表示画素の相対輝度劣化分)ΔLbとに規格化(換算)する(ステップS20)。 Next, based on the numerical correlation data table indicating the correspondence between the brightness and the temperature, the temperature difference between each adjacent pixel is detected for each of the high brightness display pixel and the low brightness display pixel detected in step S17. The voltage value corresponding to the luminance deterioration amount (relative luminance deterioration amount of the high luminance display pixel) ΔLa and the voltage value corresponding to the temperature change amount of the low luminance display pixel (relative luminance deterioration amount of the low luminance display pixel) ΔLb Normalization (conversion) is performed (step S20).
ここで、所定の駆動期間tが経過した後の30℃から60℃への温度変化に伴う高輝度表示画素の相対輝度の劣化が6%のとき、高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaは例えば4.8Vの電圧値に規格化され、所定の駆動期間経過後の30℃から45℃への温度変化に伴う低輝度表示画素の相対輝度の劣化が4%のとき、低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbは例えば3.2Vの電圧値として規格化されるものとする。 Here, when the relative luminance deterioration of the high luminance display pixel due to the temperature change from 30 ° C. to 60 ° C. after the elapse of the predetermined driving period t is 6%, the relative luminance deterioration ΔLa of the high luminance display pixel is For example, when the relative luminance deterioration of the low-luminance display pixel is 4%, which is normalized to a voltage value of 4.8 V and the temperature change from 30 ° C. to 45 ° C. after a predetermined driving period has elapsed, It is assumed that the relative luminance degradation ΔLb is standardized as a voltage value of 3.2 V, for example.
次に、高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaを低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaで除算し(ステップS21)、次いで、高輝度表示画素と低輝度表示画素との温度差ΔTがΔT≧15℃(=60℃−45℃)であるときの除算結果である温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbを基に、図6に示す温度差と焼付き発生臨界点との対応関係から、温度起因による相対輝度の劣化の違いによる焼付き現象の発生程度を判定する(ステップS22)。 Next, the relative luminance degradation ΔLa of the high luminance display pixel is divided by the relative luminance degradation ΔLa of the low luminance display pixel (step S21), and then the temperature difference ΔT between the high luminance display pixel and the low luminance display pixel is ΔT. Based on the temperature characteristic seizure correlation coefficient ΔLa / ΔLb as a result of division when ≧ 15 ° C. (= 60 ° C.−45 ° C.), the correspondence between the temperature difference and seizure critical point shown in FIG. Then, the degree of occurrence of the image sticking phenomenon due to the difference in deterioration of the relative luminance due to temperature is determined (step S22).
ここでの例では、温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbが、ΔLa/ΔLb=4.8V/3.2V=1.50であり、図6の対応関係から、高輝度表示画素と低輝度表示画素との温度差ΔTが15℃のときの焼付き発生臨界点(1.40)以上であるために、温度起因による相対輝度の劣化の違いによる焼付き現象が発生すると判定される。そして、焼付き現象の発生程度、即ち温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbの焼付き発生臨界点に対する差を算出する処理が行われる。 In this example, the temperature characteristic image sticking correlation coefficient ΔLa / ΔLb is ΔLa / ΔLb = 4.8 V / 3.2 V = 1.50. From the correspondence in FIG. Since the temperature difference ΔT with respect to the display pixel is equal to or higher than the critical point (1.40) at which image sticking occurs when the temperature difference is 15 ° C., it is determined that the image sticking phenomenon occurs due to the difference in relative luminance degradation due to temperature. Then, a process for calculating the degree of occurrence of seizure phenomenon, that is, the difference between the temperature characteristic seizure correlation coefficient ΔLa / ΔLb and the seizure critical point is performed.
ここで、温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbを1.40未満にするためには、即ち0.10を越える値だけ減少させるためには、低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbを約3.43V以上にするか、高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaを約4.48V以下にすれば良いことになる。そのためには、低輝度表示画素の信号レベルを約0.23V(=3.43V−3.2V)以上増幅させるか、高輝度表示画素の信号レベルを約0.32V(=4.48V−4.8V)以上減衰させるかのいずれか一方を選択することになる。 Here, in order to reduce the temperature characteristic image sticking correlation coefficient ΔLa / ΔLb to less than 1.40, that is, to decrease it by a value exceeding 0.10, the relative luminance degradation amount ΔLb of the low-luminance display pixel is reduced to about It may be set to 3.43 V or higher, or the relative luminance degradation ΔLa of the high luminance display pixel may be set to about 4.48 V or lower. For this purpose, the signal level of the low luminance display pixel is amplified by about 0.23 V (= 3.43 V-3.2 V) or more, or the signal level of the high luminance display pixel is about 0.32 V (= 4.48 V-4). .8V) or more is selected.
このような処理をステップS23〜S25の各処理ステップで実行することになる。すなわち、温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbを1.0〜1.4の範囲に収めるための輝度補正値(上記の例では、低輝度表示画素に対して0.23V/高輝度表示画素に対して0.32V)を画素個々について算出し(ステップS23)、次いで、低輝度表示画素に対して信号レベルの増幅による補正を行うのか、高輝度表示画素に対して信号レベルの減衰による補正を行うのかを選択し(ステップS24)、次いで、この選択結果に基づいてデジタル映像信号の画素単位の信号レベル(輝度レベル)に対して増幅制御または減衰制御することによって輝度補正を行う(ステップS25)。 Such processing is executed in each processing step of steps S23 to S25. That is, the luminance correction value for keeping the temperature characteristic image sticking correlation coefficient ΔLa / ΔLb in the range of 1.0 to 1.4 (in the above example, 0.23 V / high luminance display pixel with respect to the low luminance display pixel). 0.32V) is calculated for each pixel (step S23), and then correction by signal level amplification is performed on the low luminance display pixel or correction by attenuation of the signal level on the high luminance display pixel (Step S24), and then, based on the selection result, the luminance correction is performed by performing amplification control or attenuation control on the signal level (luminance level) of each pixel of the digital video signal (step S25). ).
上述した一連の処理により、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について相対輝度の劣化分を検出し、画素個々の隣接画素との間の温度差を高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々についての相対輝度の劣化分に対応した高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaと低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbとに換算することによって温度補正を行い、この温度補正によって得られた相対輝度劣化分ΔLa,ΔLbの除算結果である温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbが焼付き発生臨界点未満になるように輝度補正が行われるために、発光素子13の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるような制御が行われる。これにより、発光素子13の温度起因による相対輝度の劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制することができるために、滑らかな画像表示を実現できる。 Through the above-described series of processing, the deterioration of relative luminance is detected for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel, and the temperature difference between the adjacent pixels of each pixel is detected by the high luminance display pixel and the low luminance display pixel. The temperature correction was performed by converting the relative luminance deterioration amount ΔLa of the high luminance display pixel corresponding to the deterioration amount of the relative luminance and the relative luminance deterioration amount ΔLb of the low luminance display pixel. Since the luminance correction is performed such that the temperature characteristic image sticking correlation coefficient ΔLa / ΔLb, which is the result of the division of the relative luminance deterioration ΔLa, ΔLb, is less than the critical point for image sticking, the relative luminance due to the temperature of the light emitting element 13 is obtained. Control is performed so that the deterioration of the ink becomes constant. Thereby, since the image sticking phenomenon that occurs due to the difference in deterioration of the relative luminance due to the temperature of the light emitting element 13 can be suppressed, a smooth image display can be realized.
以上説明した本実施形態では、画素各々に対応させて温度センサ20を配置し、当該温度センサによって画素個々の温度を検出して隣接画素間の温度差を検出するとしたが、有機EL素子が発光ダイオード特性を示し、発光輝度と電流量との間に比例関係があるという特性を利用し、受光素子19にて検出する発光素子13の輝度情報から発光素子13の各々に流れる電流値を推定し、この推定した電流値から消費電力を算出し、この算出した消費電力から画素個々の温度を推定して隣接画素間の温度差を検出する構成を採ることも可能である。
In the present embodiment described above, the
[第2実施形態]
(上面発光型パネルモジュール)
図11は、本発明の第2実施形態に係る表示装置、例えば有機EL表示装置に用いられる上面発光型パネルモジュールの構成の概略を示す要部断面図であり、図中、図1と同等部分には同一符号を付して示している。
[Second Embodiment]
(Top-emitting panel module)
FIG. 11 is a cross-sectional view of an essential part showing an outline of the configuration of a top emission panel module used in a display device according to a second embodiment of the present invention, for example, an organic EL display device. In FIG. Are denoted by the same reference numerals.
図11と図1との対比から明らかなように、本実施形態に係る有機EL表示装置に用いられるパネルモジュール10Cは、画素ごとに画素個々の温度を検出する温度センサを持たない点で図1に示すパネルモジュール10Aと異なっており、それ以外の構造については当該パネルモジュール10Aと同じ構造となっている。
As is clear from the comparison between FIG. 11 and FIG. 1, the panel module 10C used in the organic EL display device according to the present embodiment does not have a temperature sensor for detecting the temperature of each pixel for each pixel. The
(下面発光型パネルモジュール)
図12は、本発明の第2実施形態に係る有機EL表示装置に用いられる上面発光型パネルモジュールの構成の概略を示す要部断面図であり、図中、図1と同等部分には同一符号を付して示している。
(Bottom-emitting panel module)
FIG. 12 is a cross-sectional view of an essential part showing an outline of the configuration of a top emission panel module used in the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention. In FIG. Is shown.
図12と図3との対比から明らかなように、本実施形態に係る有機EL表示装置に用いられるパネルモジュール10Dは、画素ごとに画素個々の温度を検出する温度センサを持たない点で図3に示すパネルモジュール10Bと異なっており、それ以外の構造については当該パネルモジュール10Bと同じ構造となっている。
As is clear from the comparison between FIG. 12 and FIG. 3, the panel module 10D used in the organic EL display device according to this embodiment does not have a temperature sensor for detecting the temperature of each pixel for each pixel. The
以上説明した上面発光型パネルモジュール10Cあるいは下面発光型パネルモジュール10Dは、画素ごとに画素個々の温度を検出する温度センサを持たない代わりに、画素が行列状に配置されてなる表示部の周辺に少なくとも1個配置され、当該表示部の周辺温度(パネルモジュール10C/10Dが置かれる環境温度とも言える)を検出する温度センサ21(図12参照)を持つ構成となっている。 The top-emitting panel module 10C or the bottom-emitting panel module 10D described above does not have a temperature sensor for detecting the temperature of each pixel for each pixel, but is arranged around a display unit in which pixels are arranged in a matrix. At least one is arranged and has a temperature sensor 21 (see FIG. 12) that detects the ambient temperature of the display unit (which can also be said to be the environmental temperature where the panel module 10C / 10D is placed).
本実施形態に係る有機EL表示装置は、パネル周縁(表示部の周辺)に温度センサ21を有する上面発光型パネルモジュール10Cあるいは下面発光型パネルモジュール10Dに加えて、当該パネルモジュール10C/10Dの表示制御(駆動制御)を行う制御部を備えている。
The organic EL display device according to the present embodiment includes a display of the panel module 10C / 10D in addition to the top emission panel module 10C or the bottom emission panel module 10D having the
(制御部)
図12は、パネルモジュール10C/10Dの制御を行う第2実施形態に係る制御部30Bの構成の一例を示すブロック図である。なお、上述したように、パネルモジュール10C/10Dは、パネル周縁(表示部の周辺)に表示部の周囲温度(非表示部の温度)を検出する温度センサ21を備えている。
(Control part)
FIG. 12 is a block diagram illustrating an example of a configuration of a control unit 30B according to the second embodiment that performs control of the panel module 10C / 10D. As described above, the panel module 10C / 10D includes the
図12に示すように、本実施形態に係る制御部30Bは、レベル制御部321、相対レベル調整部322、メモリー部323、除算部324、A/D変換部325、メモリー部326、乗算部327、相対輝度劣化検出部328、A/D変換部329、画素温度検出部330、温度差検出部331、データ規格化処理部332、電圧差分演算部333、電圧差分結果比較演算部334、電圧差分比率制御部335および演算選択制御部336を有する構成となっている。
As shown in FIG. 12, the control unit 30B according to this embodiment includes a
本制御部30Bは、入力されるデジタル映像信号に応じてパネルモジュール10C/10D内の表示部の各画素の表示制御を行う一方、パネルモジュール10C/10Dに設けられた受光素子群の各受光素子19の検出信号に基づいて相対輝度劣化量を検出するとともに、受光素子19にて検出する発光素子13の輝度情報から各画素の温度を推定することによって画素個々の温度を検出し、この検出した画素温度と温度センサ21による表示部の周囲温度との温度差を画素ごとに検出し、これら検出した相対輝度劣化量および温度差に基づいて発光素子13の温度特性に起因する相対輝度の劣化が一定に(均一に)なるように発光素子13の駆動制御を行う。
The control unit 30B performs display control of each pixel of the display unit in the panel module 10C / 10D according to the input digital video signal, while each light receiving element of the light receiving element group provided in the panel module 10C / 10D. The relative brightness deterioration amount is detected based on the 19 detection signals, and the temperature of each pixel is detected by estimating the temperature of each pixel from the brightness information of the light emitting element 13 detected by the light receiving element 19, and this detection is performed. A temperature difference between the pixel temperature and the ambient temperature of the display unit by the
この制御部30Bは、受光素子19にて検出する発光素子13の輝度情報から各画素の温度を推定し、この推定した画素温度と温度センサ21による表示部の周囲温度(非表示部の温度)との温度差を画素ごとに検出する点で、温度センサ群の各温度センサ20が検出した各画素温度から各画素ごとに隣接画素との間の温度差を検出する第1実施形態に係る制御部30Aと相違しており、それ以外の構成については制御部30Aの構成と基本的に同じである。
The control unit 30B estimates the temperature of each pixel from the luminance information of the light emitting element 13 detected by the light receiving element 19, and the estimated pixel temperature and the ambient temperature of the display unit by the temperature sensor 21 (temperature of the non-display unit). The control according to the first embodiment detects a temperature difference between adjacent pixels for each pixel from each pixel temperature detected by each
したがって、以下では、制御部30Aと相違する点、即ち発光素子13の輝度情報から各画素の温度を推定し、この推定した画素温度と温度センサ21による表示部の周囲温度との温度差を画素ごとに検出するための具体的な構成を中心に説明する。
Therefore, in the following, the temperature of each pixel is estimated from the difference from the control unit 30A, that is, the luminance information of the light emitting element 13, and the temperature difference between the estimated pixel temperature and the ambient temperature of the display unit by the
画素温度検出部330は、有機EL素子が発光ダイオード特性を示し、発光輝度と電流量との間に比例関係があるという特性を利用し、受光素子群の各受光素子19にて検出する発光素子13の輝度情報、即ちメモリー部306の保存データから発光素子13の各々に流れる電流値を推定し、この推定した電流値から消費電力を算出し、この算出した消費電力から画素個々の温度を推定することによって画素個々の温度を検出する。
The pixel
具体的には、画素温度検出部330において、先ず、メモリー部306の保存データから発光素子13の各々に流れる電流値を推定し、この推定した電流値から消費電力を演算する。ここで、発光素子13では、流れる電流が多くなり、消費電力が増えると、それに比例して温度が比例して上昇する。そこで、消費電力−温度上昇の線形の関係を基に、発光素子13の消費電力から当該発光素子13の温度を推定する。画素温度検出部330が検出した画素ごとの温度情報は温度差検出部331にその一方の入力として供給される。
Specifically, in the pixel
一方、パネルモジュール10C/10Dの表示部周辺に設けられた温度センサ21は、表示部の周囲温度、即ちパネルモジュール10C/10Dが設置される環境の温度を検出する。温度センサ21の温度情報は、A/D変換部329でデジタルデータに変換されて温度差検出部331にその他方の入力として供給される。温度差検出部331は、画素温度検出部330で検出された画素個々の温度情報と、温度センサ21によって検出された表示部の周囲温度との温度差(電圧値の差分)を画素ごとに検出する。
On the other hand, the
データ規格化処理部332は、輝度と温度との対応関係を示す数値相関データテーブルを有し、温度差検出部331で検出された画素温度と周囲温度との温度差に、相対輝度劣化検出部328で検出された高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々についての相対輝度劣化分を反映させることにより、高輝度表示画素の相対輝度劣化分が反映された画素温度と周囲温度との温度差に応じた高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaと、低輝度表示画素の相対輝度劣化分が反映された画素温度と周囲温度との温度差に応じた低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbとに規格化(換算)する。
The data
電圧除算演算部333は、画素個々について、データ規格化処理部333で規格化された高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaを低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbで除算する。この除算結果である温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbは、高輝度表示画素の相対輝度劣化分が反映された画素温度と周囲温度との温度差と低輝度表示画素の相対輝度劣化分が反映された画素温度と周囲温度との温度差との比であることから、温度起因による輝度劣化の違いによって発生する焼付き現象の程度を表すことになる。
The voltage
電圧除算結果比較演算部334は、画素個々について、電圧除算演算部333での除算結果である温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbに基づいて、検出した画素温度と周囲温度との温度差において温度起因による輝度劣化の違いによって発生する焼付き現象の程度を判定する。
The voltage division result
画素温度と周囲温度との温度差と焼付き発生臨界点との対応関係については、第1実施形態の場合における隣接画素間の温度差と焼付き発生臨界点との対応関係と同様に考えることができる。 Regarding the correspondence between the temperature difference between the pixel temperature and the ambient temperature and the critical point for seizure, consider the same as the correspondence between the temperature difference between adjacent pixels and the critical point for seizure in the first embodiment. Can do.
具体的には、図6において、隣接画素間の温度差を画素温度と周囲温度との温度差と読み替えると、画素温度と周囲温度との温度差が5℃のときは焼付き発生臨界点が1.53、画素温度と周囲温度との温度差が10℃のときは焼付き発生臨界点が1.45、画素温度と周囲温度との温度差が15℃のときは焼付き発生臨界点が1.40、画素温度と周囲温度との温度差が20℃のときは焼付き発生臨界点が1.36、画素温度と周囲温度との温度差が25℃のときは焼付き発生臨界点が1.31、画素温度と周囲温度との温度差が30℃のときは焼付き発生臨界点が1.24、画素温度と周囲温度との温度差が35℃のときは焼付き発生臨界点が1.19、画素温度と周囲温度との温度差が40℃のときは焼付き発生臨界点が1.12となる。 Specifically, in FIG. 6, when the temperature difference between adjacent pixels is read as the temperature difference between the pixel temperature and the ambient temperature, when the temperature difference between the pixel temperature and the ambient temperature is 5 ° C., the critical point for occurrence of seizure is 1.53, when the temperature difference between the pixel temperature and the ambient temperature is 10 ° C, the critical point for occurrence of seizure is 1.45, and when the temperature difference between the pixel temperature and the ambient temperature is 15 ° C, the critical point for seizure occurrence is 1.40 When the temperature difference between the pixel temperature and the ambient temperature is 20 ° C., the critical point for image sticking is 1.36, and when the temperature difference between the pixel temperature and the ambient temperature is 25 ° C., the critical point for image sticking is 1.31, when the temperature difference between the pixel temperature and the ambient temperature is 30 ° C., the critical point for occurrence of seizure is 1.24, and when the temperature difference between the pixel temperature and the ambient temperature is 35 ° C., the critical point for seizure occurrence is 1.19 When the temperature difference between the pixel temperature and the ambient temperature is 40 ° C., the critical point for occurrence of seizure is 1.12. .
すなわち、温度差5℃ではΔLa/ΔLb<1.53、温度差10℃ではΔLa/ΔLb<1.45、温度差15℃ではΔLa/ΔLb<1.40、温度差29℃ではΔLa/ΔLb<1.36、温度差25℃ではΔLa/ΔLb<1.31、温度差30℃ではΔLa/ΔLb<1.24、温度差35℃ではΔLa/ΔLb<1.19、温度差40℃ではΔLa/ΔLb<1.12であれば焼付き現象が発生しないことになる。 That is, ΔLa / ΔLb <1.53 at a temperature difference of 5 ° C., ΔLa / ΔLb <1.45 at a temperature difference of 10 ° C., ΔLa / ΔLb <1.40 at a temperature difference of 15 ° C., and ΔLa / ΔLb <at a temperature difference of 29 ° C. 1.36, ΔLa / ΔLb <1.31 at a temperature difference of 25 ° C., ΔLa / ΔLb <1.24 at a temperature difference of 30 ° C., ΔLa / ΔLb <1.19 at a temperature difference of 35 ° C., ΔLa / at a temperature difference of 40 ° C. If ΔLb <1.12, the seizure phenomenon will not occur.
したがって、電圧除算結果比較演算部334では次のような比較演算処理が行われる。すなわち、ある画素において、検出した画素温度と周囲温度との温度差が例えば15℃のときを例に挙げると、上述した画素温度と周囲温度との温度差と焼付き発生臨界点との対応関係から、温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbが1.40以上あるか否か、即ち焼付き現象が発生するか否か、また1.40以上であれば、焼付き現象の発生程度、即ち焼付き発生臨界点(1.40)に対する差分を演算する処理が行われる。
Therefore, the voltage division result
電圧除算比率制御部335は、電圧除算結果比較演算部334による焼付き現象の発生程度の判定結果を基に、焼付き現象が発生しないようにするための制御値を画素個々について算出する。具体的には、電圧除算結果比較演算部334で焼付き現象が発生すると判定され、焼付き発生臨界点に対する差分の演算が行われた場合に、その差分に対応した制御値を算出する。この制御値は、発光素子13の温度特性に起因する相対輝度の劣化が一定になるように、入力デジタル信号の信号レベルを補正する輝度補正値となる。
The voltage division
ここで、電圧除算演算部333、電圧除算結果比較演算部334および電圧除算比率制御部335には、演算される電圧値と輝度との対応関係を示す対応表が組み込まれていることとする。これにより、輝度補正を行う上で、演算される電圧値がどれくらいの輝度値に相当するかを各回路部ごとに照会できるためにスムーズな補正が可能となる。
Here, it is assumed that the voltage
演算選択制御部336は、電圧除算比率制御部335で算出された画素個々の輝度補正値(制御値)を基にして、補正処理の対象画素が高輝度表示画素であるときに、当該高輝度表示画素に対して信号レベル(輝度レベル)の補正を行うか否かの選択制御を行う。そして、演算選択制御部336による選択結果を基に、レベル制御部321は、高輝度表示画素の信号レベルに対して、電圧除算比率制御部335で算出された輝度補正値に応じた補正制御を行う。
Based on the brightness correction value (control value) of each pixel calculated by the voltage division
ここで、電圧差分演算部333、電圧差分結果比較演算部334および電圧差分比率制御部335には、演算される電圧値と輝度との対応関係を示す対応表が組み込まれていることとする。これにより、輝度補正を行う上で、演算される電圧値がどれくらいの輝度値に相当するかを各回路部ごとに照会できるためにスムーズな補正が可能となる。
Here, it is assumed that the voltage
演算選択制御部336は、電圧除算比率制御部335で算出された画素個々の輝度補正値(制御値)を基にして、補正処理の対象画素が高輝度表示画素であるときに、当該高輝度表示画素に対して信号レベル(輝度レベル)の補正を行うか否かの選択制御を行う。そして、演算選択制御部336による選択結果を基に、レベル制御部321は、高輝度表示画素の信号レベルに対して、電圧除算比率制御部335で算出された輝度補正値に応じた補正制御を行う。
Based on the brightness correction value (control value) of each pixel calculated by the voltage division
上記構成の本実施形態に係る制御部30Bを備えた有機EL表示装置では、その具体的な制御として、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について相対輝度劣化分を相対輝度劣化化検出部328で検出するとともに、画素個々の温度と表示部の周囲温度(非表示部の温度)との温度差を温度差検出部331で検出し、この画素個々の周期温度との温度差を、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々についての相対輝度劣化分が反映された高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaと低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbとにデータ規格化処理部332で規格化(換算)することによって温度補正を行い、この温度補正によって得られた相対輝度劣化分ΔLaと相対輝度劣化分ΔLbとの除算結果、即ち温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbに基づいて輝度補正の制御を行うようにしている。
In the organic EL display device including the control unit 30B according to the present embodiment having the above-described configuration, as a specific control, the relative luminance deterioration detection unit is used to calculate the relative luminance deterioration amount for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel. 328, and the temperature difference between the individual pixel temperature and the ambient temperature of the display unit (the temperature of the non-display unit) is detected by the temperature
このように、発光素子13個々の輝度情報を用いて相対輝度の劣化分を検出し、当該相対輝度の劣化分を画素個々の周囲温度との温度差に反映させて発光素子13個々の発光輝度の制御を行う、具体的には発光素子13の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるように発光素子13個々の発光輝度の制御を行うことにより、デバイスの温度起因による相対輝度の劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制することができるために、滑らかな画像表示を実現できる。それ以外の作用効果は、第1実施形態に係る制御部30Aの場合と同じである。 In this manner, the luminance information of each light emitting element 13 is detected using the luminance information of each light emitting element 13, and the light emitting luminance of each light emitting element 13 is reflected by reflecting the amount of the relative luminance deterioration on the temperature difference from the ambient temperature of each pixel. Specifically, by controlling the light emission luminance of each light emitting element 13 so that the deterioration of the relative luminance due to the temperature of the light emitting element 13 becomes constant, the deterioration of the relative luminance due to the temperature of the device is controlled. Since the image sticking phenomenon caused by the difference can be suppressed, a smooth image display can be realized. Other functions and effects are the same as those of the control unit 30A according to the first embodiment.
なお、上記構成の制御部30Bについては、画素が行列状に配置されてなる表示部やその周辺の駆動回路と共に、パネルモジュール10A上に搭載する構成を採っても良いし、あるいは、パネルモジュール10A外に設ける構成を採っても良い。
The control unit 30B having the above configuration may be configured to be mounted on the
ここで、本実施形態に係る制御部30Bの各構成要素、即ちレベル制御部321、相対レベル調整部322、メモリー部323、除算部324、A/D変換部325、メモリー部326、乗算部327、相対輝度劣化検出部328、A/D変換部329、画素温度検出部330、温度差検出部331、データ規格化処理部332、電圧差分演算部333、電圧差分結果比較演算部334、電圧差分比率制御部335および演算選択制御部336については、パーソナルコンピュータのように、所定プログラムを実行することによって情報記憶処理、信号処理、演算処理等の各機能を実行するコンピュータ機器を利用してソフトウェア構成によって実現することが考えられる。ただし、ソフトウェア構成による実現に限られるものではなく、ハードウェア構成、あるいはハードウェアとソフトウェアの複合構成によって実現することも可能である。
Here, each component of the control unit 30B according to the present embodiment, that is, a
(制御方法)
続いて、上記構成の本実施形態に係る有機EL表示装置の制御方法(本発明による表示装置の制御方法)の処理手順について、図13のフローチャートを用いて具体的に説明する。この制御方法による処理は、図12の制御部30Bの処理に相当する。なお、この一連の処理は、スキャン周期に同期して画素単位で実行されることとする。
(Control method)
Next, the processing procedure of the organic EL display device control method according to the present embodiment having the above-described configuration (display device control method according to the present invention) will be specifically described with reference to the flowchart of FIG. The processing by this control method corresponds to the processing of the control unit 30B in FIG. Note that this series of processing is executed in units of pixels in synchronization with the scan cycle.
ここでは、一例として、初期状態(非表示状態)において温度センサ21が表示部の周囲温度(非表示部の温度)として30℃を検出し、所定の駆動期間tが経過した後の表示状態での高輝度表示画素の温度が60℃に上昇し、このときの高輝度表示画素の相対輝度が初期値Laよりも6%劣化(ΔLa=La×6%)し、低輝度表示画素の温度が45℃に上昇し、このときの低輝度表示画素の相対輝度が初期値Lbよりも4%劣化(ΔLb=Lb×4%)している場合の輝度補正制御を例に挙げて説明する(図9参照)。ここで、初期状態での周囲温度30℃は、発光素子13の初期温度(非表示状態の温度)が30℃であることを意味する。
Here, as an example, in the display state after the
なお、静止画の場合も動画の場合も制御方法は同じであるために、ここでは、静止画/動画の共通の制御として説明する。 Note that the control method is the same for both still images and moving images, and therefore, here, a description will be given of common control for still images / moving images.
先ず、画像表示のためのデジタル映像信号を取り込み(ステップS31)、当該映像信号の信号レベルで示される階調値を保存し(ステップS32)、しかる後デジタル映像信号をパネルモジュール10C/10Dに対して入力する(ステップS33)。これにより、パネルモジュール10C/10Dでは、デジタル入力信号に基づいて画素の表示駆動が行われ、各画素の発光素子13が発光する。 First, a digital video signal for image display is captured (step S31), the gradation value indicated by the signal level of the video signal is stored (step S32), and then the digital video signal is sent to the panel module 10C / 10D. (Step S33). Accordingly, in the panel module 10C / 10D, display driving of the pixels is performed based on the digital input signal, and the light emitting elements 13 of the respective pixels emit light.
発光素子13が発光することにより、対応関係にある受光素子19が当該発光素子13の漏れ光を受光し、その受光量に応じた電気信号、即ち発光輝度に応じた電圧値を出力する。 When the light emitting element 13 emits light, the corresponding light receiving element 19 receives the leaked light from the light emitting element 13 and outputs an electric signal corresponding to the amount of received light, that is, a voltage value corresponding to the light emission luminance.
このように、パネルモジュール10Aが表示駆動状態にあるときに、受光素子19から出力される発光輝度に応じた電圧値(輝度電圧値)を取り込み(ステップS34)、この輝度電圧値をステップS12で保存した階調値で除算し(ステップS35)、デジタルデータ化した後保存する(ステップS36)。
Thus, when the
次いで、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について、ステップS32で保存した階調値を基に、所定の駆動期間における発光輝度の劣化分を検出する(ステップS37)。 Next, for each of the high-luminance display pixel and the low-luminance display pixel, the deterioration of the light emission luminance during a predetermined driving period is detected based on the gradation value stored in step S32 (step S37).
なお、ステップS35での除算処理や、ステップS37での輝度劣化分の検出に用いられる階調値は、実際には、受光素子19が受光する漏れ光の受光量が発光素子13の発光量の20%程度であり、受光素子19からの電圧値に対応させるために、20%の除算処理が行われたものとなる。
Note that the gradation value used for the division processing in step S35 and the detection of the luminance deterioration in step S37 is actually the amount of light received by the light receiving element 19 is equal to the amount of light emitted by the light emitting element 13. It is about 20%, and in order to correspond to the voltage value from the
次に、ステップS34で取り込んだ発光輝度に応じた電圧値(輝度電圧値)を基に発光素子13の各々に流れる電流値を推定し、この推定した電流値から消費電力を求め(ステップS38)、次いで、この求めた消費電力から発光素子13の温度を推定することによって画素個々について検出し(ステップS39)、次いで、この検出した画素温度と温度センサ21によって検出される周囲温度との温度差を検出する(ステップS40)。
Next, the current value flowing through each of the light emitting elements 13 is estimated based on the voltage value (luminance voltage value) corresponding to the light emission luminance captured in step S34, and the power consumption is obtained from the estimated current value (step S38). Next, each pixel is detected by estimating the temperature of the light emitting element 13 from the obtained power consumption (step S39), and then the temperature difference between the detected pixel temperature and the ambient temperature detected by the
なお、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について輝度変化分を検出するためのステップS34〜S37の各処理と、画素個々について温度変化分を検出するためのステップS38〜S40の各処理については、その処理の順番が逆であっても良く、また双方の検出処理を並行して行うようにしても良い。 In addition, about each process of step S34-S37 for detecting a luminance change part about each of a high-intensity display pixel and a low-intensity display pixel, and each process of step S38-S40 for detecting a temperature change part about each pixel. The processing order may be reversed, or both detection processes may be performed in parallel.
次に、輝度と温度との対応関係を示す数値相関データテーブルを基に、画素個々の周囲感度の温度差を、ステップS37で検出した高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々についての輝度劣化分に対応した電圧値(高輝度表示画素の相対輝度劣化分)ΔLaと、低輝度表示画素の温度変化分に応じた電圧値(低輝度表示画素の相対輝度劣化分)ΔLbとに規格化(換算)する(ステップS41)。 Next, based on the numerical correlation data table indicating the correspondence between the brightness and the temperature, the brightness deterioration for each of the high brightness display pixel and the low brightness display pixel in which the temperature difference of the ambient sensitivity of each pixel is detected in step S37. Normalized to a voltage value corresponding to the minute (relative luminance degradation of the high luminance display pixel) ΔLa and a voltage value (relative luminance degradation of the low luminance display pixel) ΔLb corresponding to the temperature change of the low luminance display pixel ( (Converted) (step S41).
ここで、所定の駆動期間tが経過した後の30℃から60℃への温度変化に伴う高輝度表示画素の相対輝度の劣化が6%のとき、高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaは例えば1.2Vの電圧値に規格化され、所定の駆動期間経過後の30℃から45℃への温度変化に伴う低輝度表示画素の相対輝度の劣化が4%のとき、低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbは例えば0.8Vの電圧値として規格化されるものとする。 Here, when the relative luminance deterioration of the high luminance display pixel due to the temperature change from 30 ° C. to 60 ° C. after the elapse of the predetermined driving period t is 6%, the relative luminance deterioration ΔLa of the high luminance display pixel is For example, when the relative luminance deterioration of the low-luminance display pixel is 4%, which is normalized to a voltage value of 1.2 V and the temperature change from 30 ° C. to 45 ° C. after a predetermined driving period has elapsed, Assume that the relative luminance degradation ΔLb is normalized as a voltage value of 0.8 V, for example.
次に、高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaから低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaを除算(ステップS42)、次いで、高輝度表示画素と低輝度表示画素との温度差ΔTがΔT≧15℃(=60℃−45℃)であるときの除算結果である温度特性焼付き相関係数がどの程度の焼付き現象の発生程度であるかを判定する(ステップS43)。 Next, the relative luminance degradation amount ΔLa of the low luminance display pixel is divided from the relative luminance degradation amount ΔLa of the high luminance display pixel (step S42), and then the temperature difference ΔT between the high luminance display pixel and the low luminance display pixel is ΔT ≧ It is determined how much of the seizure phenomenon occurs the temperature characteristic seizure correlation coefficient which is the result of division when the temperature is 15 ° C. (= 60 ° C.−45 ° C.) (step S43).
ここでの例では、温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbが、ΔLa/ΔLb=1.2V/0.8V=1.50であり、図6の対応関係から、高輝度表示画素と低輝度表示画素との温度差ΔTが15℃のときの焼付き発生臨界点(1.40)以上であるために、温度起因による相対輝度の劣化の違いによる焼付き現象が発生すると判定される。そして、焼付き現象の発生程度、即ち温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbの焼付き発生臨界点に対する差を算出する処理が行われる。 In this example, the temperature characteristic burn-in correlation coefficient ΔLa / ΔLb is ΔLa / ΔLb = 1.2 V / 0.8 V = 1.50. From the correspondence relationship in FIG. Since the temperature difference ΔT with respect to the display pixel is equal to or higher than the critical point (1.40) at which image sticking occurs when the temperature difference is 15 ° C., it is determined that the image sticking phenomenon occurs due to the difference in relative luminance degradation due to temperature. Then, a process for calculating the degree of occurrence of seizure phenomenon, that is, the difference between the temperature characteristic seizure correlation coefficient ΔLa / ΔLb and the seizure critical point is performed.
ここで、温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbを1.40未満にするためには、即ち0.10を越える値だけ減少させるためには、低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbを約0.858V以上にするか、高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaを約1.119V以下にすれば良いことになる。そのためには、低輝度表示画素の信号レベルを約0.058V(=0.858V−0.8V)以上増幅させるか、高輝度表示画素の信号レベルを約0.081V(=1.2V−1.119V)以上減衰させるかのいずれか一方を選択することになる。 Here, in order to reduce the temperature characteristic image sticking correlation coefficient ΔLa / ΔLb to less than 1.40, that is, to decrease it by a value exceeding 0.10, the relative luminance degradation amount ΔLb of the low-luminance display pixel is reduced to about It may be set to 0.858 V or more, or the relative luminance deterioration ΔLa of the high luminance display pixel may be set to about 1.119 V or less. For this purpose, the signal level of the low-luminance display pixel is amplified by about 0.058 V (= 0.858 V-0.8 V) or more, or the signal level of the high-luminance display pixel is about 0.081 V (= 1.2 V−1). .119V) or more is selected.
このような処理をステップS44〜S46の各処理ステップで実行することになる。すなわち、温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbを1.0〜1.4の範囲に収めるための輝度補正値(上記の例では、低輝度表示画素に対して0.058V/高輝度表示画素に対して0.081V)を画素個々について算出し(ステップS44)、次いで、低輝度表示画素に対して信号レベルの増幅による補正を行うのか、高輝度表示画素に対して信号レベルの減衰による補正を行うのかを選択し(ステップS45)、次いで、この選択結果に基づいてデジタル映像信号の画素単位の信号レベル(輝度レベル)に対して増幅制御または減衰制御することによって輝度補正を行う(ステップS46)。 Such processing is executed in each processing step of steps S44 to S46. That is, a luminance correction value for keeping the temperature characteristic burn-in correlation coefficient ΔLa / ΔLb in the range of 1.0 to 1.4 (in the above example, 0.058 V / high luminance display pixel with respect to the low luminance display pixel) 0.081V for each pixel (step S44), and then whether to correct the low luminance display pixel by amplification of the signal level or to correct the high luminance display pixel by attenuation of the signal level (Step S45). Then, based on the selection result, luminance correction is performed by performing amplification control or attenuation control on the signal level (luminance level) of the digital video signal in units of pixels (step S46). ).
上述した一連の処理により、高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々について相対輝度の劣化分を検出し、画素個々の周囲温度(非表示部の温度)との温度差を高輝度表示画素および低輝度表示画素の各々についての相対輝度の劣化分に対応した高輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLaと低輝度表示画素の相対輝度劣化分ΔLbとに換算することによって温度補正を行い、この温度補正によって得られた相対輝度劣化分ΔLa,ΔLbの除算結果である温度特性焼付き相関係数ΔLa/ΔLbが焼付き発生臨界点未満になるように輝度補正が行われるために、発光素子13の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるような制御が行われる。これにより、発光素子13の温度起因による相対輝度の劣化の違いによって発生する焼付き現象を抑制することができるために、滑らかな画像表示を実現できる。 Through the series of processes described above, the deterioration of the relative luminance is detected for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel, and the temperature difference from the ambient temperature of each pixel (the temperature of the non-display part) is detected. A temperature correction is performed by converting the relative luminance degradation amount ΔLa of the high luminance display pixel corresponding to the degradation amount of the relative luminance for each of the low luminance display pixels and the relative luminance degradation amount ΔLb of the low luminance display pixel. Since the luminance correction is performed so that the temperature characteristic image sticking correlation coefficient ΔLa / ΔLb, which is a result of the division of the relative luminance deterioration ΔLa and ΔLb obtained by the correction, becomes less than the critical point for image sticking, Control is performed so that the degradation of relative luminance due to temperature is constant. Thereby, since the image sticking phenomenon that occurs due to the difference in deterioration of the relative luminance due to the temperature of the light emitting element 13 can be suppressed, a smooth image display can be realized.
以上説明した本実施形態では、有機EL素子が発光ダイオード特性を示し、発光輝度と電流量との間に比例関係があるという特性を利用し、受光素子19にて検出する発光素子13の輝度情報から発光素子13の各々に流れる電流値を推定し、この推定した電流値から消費電力を算出し、この算出した消費電力から画素個々の温度を推定することによって画素個々について温度を検出し、この検出した画素温度と周囲温度との温度差を検出するとしたが、第1実施形態に係る有機EL表示装置に用いたパネルモジュール10A/10Bのように、画素各々に対応させて温度センサ20を配置し、当該温度センサによって画素個々の温度を検出し、この検出した画素温度周囲温度との温度差を検出する構成を採ることも可能である。
In the present embodiment described above, the luminance information of the light emitting element 13 detected by the light receiving element 19 using the characteristic that the organic EL element exhibits a light emitting diode characteristic and there is a proportional relationship between the light emission luminance and the current amount. The current value flowing through each of the light emitting elements 13 is estimated from this, the power consumption is calculated from this estimated current value, and the temperature of each pixel is detected by estimating the temperature of each pixel from this calculated power consumption. Although the temperature difference between the detected pixel temperature and the ambient temperature is detected, the
なお、上記各実施形態では、RGB各色を発光する発光素子13を備えた有機EL表示装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、白色光を発光する発光素子を備えた有機EL表示装置にも適用可能である。 In each of the above embodiments, the organic EL display device including the light emitting elements 13 that emit RGB colors has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the light emitting that emits white light. The present invention can also be applied to an organic EL display device including an element.
また、上記各実施形態では、発光素子13の各々の光漏れ量を、それぞれ対応する受光素子19によって一様にモニタリングすることを前提として説明を行ったが、赤色光、緑色光、青色光あるいは白色光を発光する発光素子ごとに発光強度(発光輝度)が異なることから、各発光色ごとにレベル制御を行って相対的なレベルを揃えるようにしたり、あるいは、光漏れ量をモニタリングする対象となる発光色の種類を初期設定で限定したりすることも可能である。 In each of the above embodiments, the light leakage amount of each of the light emitting elements 13 has been described on the assumption that the light receiving elements 19 are uniformly monitored. However, red light, green light, blue light, or Since the light emission intensity (light emission brightness) differs for each light emitting element that emits white light, level control is performed for each emission color so that the relative levels are aligned, or the amount of light leakage is monitored. It is also possible to limit the types of luminescent colors to be limited by the initial setting.
また、上記各実施形態では、有機EL表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明は有機EL表示装置への適用に限られるものではなく、有機EL素子と同様に、デバイスの温度変化に応じて発光輝度が変化する特性を持つPDP(Plasma Display Panel)等の自発光素子を備えた表示装置全般に適用可能である。 In each of the above embodiments, the case where the present invention is applied to an organic EL display device has been described as an example. However, the present invention is not limited to application to an organic EL display device, and a device similar to an organic EL element. The present invention can be applied to all display devices including a self-luminous element such as a PDP (Plasma Display Panel) having a characteristic that the light emission luminance changes according to the temperature change.
10A,10C…上面発光型パネルモジュール、10B,10D…上面発光型パネルモジュール、11…支持基板、12…対向基板、13…発光素子(有機EL素子)、14…素子分離絶縁層、15…下部電極、16…有機層、17…上部電極、18…透明材料膜、19…受光素子、20,21…温度センサ、30A,30B…制御部、301,321…レベル制御部、302,322…相対レベル調整部、303,306,310,323,326…メモリー部、304,324…除算部、305,309,325,329…A/D変換部、307,327…乗算部、308,328…相対輝度劣化検出部、311,331…温度差検出部、312,332…データ規格化処理部、313,333…電圧除算演算部、314,334…電圧除算結果比較演算部、315,335…電圧除算比率制御部、316,336…演算選択制御部
DESCRIPTION OF
Claims (13)
前記一対の基板のうちの一方の基板に前記発光素子の各々に対応して配置され、当該発光素子の漏れ光を検出して光電変換する受光素子群と、
前記発光素子への入力信号と前記受光素子群の各受光素子の検出信号とに基づいて前記発光素子の相対輝度の劣化分を検出する相対輝度劣化検出手段と、
前記表示部における画素個々について隣接画素との間の温度差を検出する温度差検出手段と、
前記温度差検出手段が検出した画素個々の隣接画素との温度差に対して前記相対輝度劣化検出手段が検出した相対輝度の劣化分を反映させて前記発光素子の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるように前記発光素子の発光輝度を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする表示装置。 A display unit in which a plurality of pixels including a light emitting element formed between a pair of substrates are disposed;
A light receiving element group disposed on one of the pair of substrates in correspondence with each of the light emitting elements, and detecting light leakage of the light emitting elements and performing photoelectric conversion;
A relative luminance deterioration detecting means for detecting a deterioration amount of the relative luminance of the light emitting element based on an input signal to the light emitting element and a detection signal of each light receiving element of the light receiving element group;
Temperature difference detection means for detecting a temperature difference between adjacent pixels for each pixel in the display unit;
The relative luminance deterioration due to the temperature of the light emitting element is reflected by reflecting the amount of deterioration of the relative luminance detected by the relative luminance deterioration detecting means with respect to the temperature difference between each pixel detected by the temperature difference detecting means. And a control means for controlling the light emission luminance of the light emitting element so as to be constant.
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein each temperature sensor of the temperature sensor group is disposed on a substrate on the opposite side to the light extraction direction of the pair of substrates.
ことを特徴とする請求項2記載の表示装置。 The display device according to claim 2, wherein each temperature sensor of the temperature sensor group is disposed to face each of the light emitting elements across the opposite substrate.
前記制御手段は、前記温度差検出手段が検出した画素個々の隣接画素との温度差に対して前記相対輝度劣化検出部が検出した前記高輝度表示画素および前記低輝度表示画素の各々についての相対輝度の劣化分を反映させる規格化処理部を有し、当該規格化処理部の処理結果に基づいて前記発光素子の発光輝度を制御する
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。 The relative luminance deterioration detecting means identifies a high luminance display pixel and a low luminance display pixel based on a detection signal of each light receiving element of the light receiving element group, and for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel. Detects the degradation of relative luminance during a predetermined drive period,
The control means is configured to detect relative to each of the high-luminance display pixel and the low-luminance display pixel detected by the relative luminance deterioration detection unit with respect to a temperature difference between adjacent pixels detected by the temperature difference detection means. The display device according to claim 1, further comprising: a normalization processing unit that reflects luminance degradation, and controlling the light emission luminance of the light emitting element based on a processing result of the normalization processing unit.
前記規格化処理部で前記高輝度表示画素の輝度変化分が反映された温度差に応じた第1の電圧値を前記低輝度表示画素の輝度変化分が反映された温度差に応じた第2の電圧値で除算する除算演算部と、
前記除算演算部の除算結果を所定の基準値と比較する比較演算部と、
前記比較演算部の比較結果に基づいて輝度補正値を算出する除算比率制御部と、
前記除算比率制御部が算出した画素個々の輝度補正値を基に前記入力信号の信号レベルを制御するレベル制御部とをさらに有する
ことを特徴とする請求項4記載の表示装置。 The control means includes
A first voltage value corresponding to the temperature difference reflecting the luminance change amount of the high luminance display pixel in the normalization processing unit is used as a second voltage corresponding to the temperature difference reflecting the luminance change amount of the low luminance display pixel. A division operation unit for dividing by the voltage value of
A comparison operation unit that compares the division result of the division operation unit with a predetermined reference value;
A division ratio control unit that calculates a luminance correction value based on a comparison result of the comparison operation unit;
The display device according to claim 4, further comprising: a level control unit that controls a signal level of the input signal based on a luminance correction value of each pixel calculated by the division ratio control unit.
前記判定部が静止画と判定したとき、前記入力信号の信号レベルに対して所定の倍率を乗算する
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。 A determination unit that determines whether the image is a still image or a moving image based on the input signal;
The display device according to claim 1, wherein when the determination unit determines that the image is a still image, the signal level of the input signal is multiplied by a predetermined magnification.
前記一対の基板のうちの一方の基板に前記発光素子の各々に対応して配置され、当該発光素子の漏れ光を検出して光電変換する受光素子群と、
前記発光素子への入力信号と前記受光素子群の各受光素子の検出信号とに基づいて前記発光素子の相対輝度の劣化分を検出する相対輝度劣化検出手段と、
前記表示部の周囲温度を検出する温度センサと、
前記表示部における画素個々について前記温度センサが検出した周囲温度との温度差を検出する温度差検出手段と、
前記温度差検出手段が検出した画素個々の周囲温度との温度差に対して前記相対輝度劣化検出手段が検出した相対輝度の劣化分を反映させて前記発光素子の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるように前記発光素子の発光輝度を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする表示装置。 A display unit in which a plurality of pixels including a light emitting element formed between a pair of substrates are disposed;
A light receiving element group disposed on one of the pair of substrates in correspondence with each of the light emitting elements, and detecting light leakage of the light emitting elements and performing photoelectric conversion;
A relative luminance deterioration detecting means for detecting a deterioration amount of the relative luminance of the light emitting element based on an input signal to the light emitting element and a detection signal of each light receiving element of the light receiving element group;
A temperature sensor for detecting an ambient temperature of the display unit;
A temperature difference detecting means for detecting a temperature difference from the ambient temperature detected by the temperature sensor for each pixel in the display unit;
The relative luminance deterioration due to the temperature of the light emitting element is reflected by reflecting the deterioration of the relative luminance detected by the relative luminance deterioration detecting means with respect to the temperature difference between the individual pixels detected by the temperature difference detecting means. And a control means for controlling the light emission luminance of the light emitting element so as to be constant.
ことを特徴とする請求項7記載の表示装置。 The temperature difference detecting means estimates the temperature of each pixel from the luminance information of the light emitting element detected by each light receiving element of the light receiving element group, and the estimated pixel temperature and the ambient temperature detected by the temperature sensor. The display device according to claim 7, wherein the temperature difference is detected for each pixel.
前記制御手段は、前記温度差検出手段が検出した画素個々の周囲温度との温度差に対して前記相対輝度劣化検出部が検出した前記高輝度表示画素および前記低輝度表示画素の各々についての相対輝度の劣化分を反映させる規格化処理部を有し、当該規格化処理部の処理結果に基づいて前記発光素子の発光輝度を制御する
ことを特徴とする請求項7記載の表示装置。 The relative luminance deterioration detecting means identifies a high luminance display pixel and a low luminance display pixel based on a detection signal of each light receiving element of the light receiving element group, and for each of the high luminance display pixel and the low luminance display pixel. Detects the degradation of relative luminance during a predetermined drive period,
The control means is configured to detect relative to each of the high-luminance display pixel and the low-luminance display pixel detected by the relative luminance deterioration detection unit with respect to a temperature difference from the ambient temperature of each pixel detected by the temperature difference detection means. The display device according to claim 7, further comprising: a normalization processing unit that reflects luminance degradation, and controlling light emission luminance of the light emitting element based on a processing result of the normalization processing unit.
前記規格化処理部で前記高輝度表示画素の輝度変化分が反映された温度差に応じた第1の電圧値を前記低輝度表示画素の輝度変化分が反映された温度差に応じた第2の電圧値で除算する除算演算部と、
前記除算演算部の除算結果を所定の基準値と比較する比較演算部と、
前記比較演算部の比較結果に基づいて輝度補正値を算出する除算比率制御部と、
前記除算比率制御部が算出した画素個々の輝度補正値を基に前記入力信号の信号レベルを制御するレベル制御部とをさらに有する
ことを特徴とする請求項4記載の表示装置。 The control means includes
A first voltage value corresponding to the temperature difference reflecting the luminance change amount of the high luminance display pixel in the normalization processing unit is used as a second voltage value corresponding to the temperature difference reflecting the luminance change amount of the low luminance display pixel. A division operation unit for dividing by the voltage value of
A comparison operation unit that compares the division result of the division operation unit with a predetermined reference value;
A division ratio control unit that calculates a luminance correction value based on a comparison result of the comparison operation unit;
The display device according to claim 4, further comprising: a level control unit that controls a signal level of the input signal based on a luminance correction value of each pixel calculated by the division ratio control unit.
前記判定部が静止画と判定したとき、前記入力信号の信号レベルに対して所定の倍率を乗算する
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。 A determination unit that determines whether the image is a still image or a moving image based on the input signal;
The display device according to claim 1, wherein when the determination unit determines that the image is a still image, the signal level of the input signal is multiplied by a predetermined magnification.
前記一対の基板のうちの一方の基板に前記発光素子の各々に対応して配置された発光素子群の各発光素子によって前記発光素子の漏れ光を検出する漏れ光検出ステップと、
前記発光素子への入力信号と前記受光素子群の各受光素子の検出信号とに基づいて前記発光素子の相対輝度の劣化分を検出する相対輝度劣化検出ステップと、
前記表示部における画素個々について隣接画素との間の温度差を検出する温度差検出ステップと、
前記温度差検出ステップで検出した画素個々の隣接画素との温度差に対して前記相対輝度劣化検出ステップで検出した相対輝度の劣化分を反映させて前記発光素子の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるように前記発光素子の発光輝度を制御する制御ステップと
を有することを特徴とする表示装置の制御方法。 A control method for a display device in which a plurality of pixels including light emitting elements formed between a pair of substrates are arranged,
A leakage light detection step of detecting leakage light of the light emitting element by each light emitting element of the light emitting element group arranged corresponding to each of the light emitting elements on one of the pair of substrates;
A relative luminance deterioration detection step for detecting a deterioration amount of the relative luminance of the light emitting element based on an input signal to the light emitting element and a detection signal of each light receiving element of the light receiving element group;
A temperature difference detection step of detecting a temperature difference between adjacent pixels for each pixel in the display unit;
The relative luminance deterioration due to the temperature of the light emitting element is reflected by reflecting the deterioration of the relative luminance detected in the relative luminance deterioration detecting step on the temperature difference between each pixel detected in the temperature difference detecting step. And a control step of controlling the light emission luminance of the light emitting element so as to be constant.
前記一対の基板のうちの一方の基板に前記発光素子の各々に対応して配置された発光素子群の各発光素子によって前記発光素子の漏れ光を検出する漏れ光検出ステップと、
前記発光素子への入力信号と前記受光素子群の各受光素子の検出信号とに基づいて前記発光素子の相対輝度の劣化分を検出する相対輝度劣化検出ステップと、
前記表示部における画素個々について前記温度センサが検出した周囲温度との温度差を検出する温度差検出ステップと、
前記温度差検出ステップで検出した画素個々の周囲温度との温度差に対して前記相対輝度劣化検出ステップで検出した相対輝度の劣化分を反映させて前記発光素子の温度起因による相対輝度の劣化が一定になるように前記発光素子の発光輝度を制御する制御ステップと
を有することを特徴とする表示装置の制御方法。
A display device control method comprising: a display unit in which a plurality of pixels including light emitting elements formed between a pair of substrates are arranged; and a temperature sensor that detects an ambient temperature of the display unit,
A leakage light detection step of detecting leakage light of the light emitting element by each light emitting element of the light emitting element group arranged corresponding to each of the light emitting elements on one of the pair of substrates;
A relative luminance deterioration detection step for detecting a deterioration amount of the relative luminance of the light emitting element based on an input signal to the light emitting element and a detection signal of each light receiving element of the light receiving element group;
A temperature difference detecting step for detecting a temperature difference from the ambient temperature detected by the temperature sensor for each pixel in the display unit;
The relative luminance deterioration due to the temperature of the light emitting element is reflected by reflecting the deterioration of the relative luminance detected in the relative luminance deterioration detecting step with respect to the temperature difference with the ambient temperature of each pixel detected in the temperature difference detecting step. And a control step of controlling the light emission luminance of the light emitting element so as to be constant.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006115214A JP2007286458A (en) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | Display device and control method for display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006115214A JP2007286458A (en) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | Display device and control method for display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007286458A true JP2007286458A (en) | 2007-11-01 |
Family
ID=38758262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006115214A Pending JP2007286458A (en) | 2006-04-19 | 2006-04-19 | Display device and control method for display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007286458A (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2006
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