JP2007273050A - Method of manufacturing perpendicular magnetic recording medium - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、垂直磁気記録方式のHDD(ハードディスクドライブ)等に搭載される垂直磁気記録媒体の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium mounted on a perpendicular magnetic recording type HDD (hard disk drive) or the like.
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたHDDの面記録密度は年率100%程度の割合で増加し続けている。最近では、HDD等に用いられる2.5インチ径磁気ディスクにして、1枚あたり100GBを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには1平方インチあたり200Gbitを超える情報記録密度を実現することが求められる。HDD等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するためには、情報信号の記録を担う磁気記録層を構成する磁性結晶粒子を微細化すると共に、その層厚を低減していく必要があった。ところが、従来から商業化されている面内磁気記録方式(長手磁気記録方式、水平磁気記録方式とも呼称される)の磁気ディスクの場合、磁性結晶粒子の微細化が進展した結果、超常磁性現象により記録信号の熱的安定性が損なわれ、記録信号が消失してしまう、いわゆる熱揺らぎ現象が発生するようになり、磁気ディスクの高記録密度化への阻害要因となっていた。 Various information recording techniques have been developed with the recent increase in information processing capacity. In particular, the surface recording density of HDDs using magnetic recording technology continues to increase at an annual rate of about 100%. Recently, an information recording capacity exceeding 100 GB has been required for a 2.5-inch diameter magnetic disk used for HDDs and the like. In order to meet such a demand, per 1 inch. It is required to realize an information recording density exceeding 200 Gbit. In order to achieve a high recording density in a magnetic disk used for an HDD or the like, it is necessary to refine the magnetic crystal particles constituting the magnetic recording layer for recording information signals and to reduce the layer thickness. It was. However, in the case of a magnetic disk of the in-plane magnetic recording method (also called longitudinal magnetic recording method or horizontal magnetic recording method) that has been commercialized conventionally, as a result of the progress of miniaturization of magnetic crystal grains, superparamagnetic phenomenon The thermal stability of the recording signal is impaired, and the so-called thermal fluctuation phenomenon that the recording signal disappears has occurred, which has been an impediment to increasing the recording density of the magnetic disk.
この阻害要因を解決するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスクが提案されている。垂直磁気記録方式の場合では、面内磁気記録方式の場合とは異なり、磁気記録層の磁化容易軸は基板面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。例えば、特開2005−285275号公報(特許文献1)では、基体上に密着層、軟磁性層、シード層、下地層、垂直磁気記録層、媒体保護層及び潤滑層をこの順で形成してなる垂直磁気記録媒体に関する技術が開示されている。また、米国特許第6468670号明細書(特許文献2)には、粒子性の記録層に交換結合した人口格子膜連続層(交換結合層)を付着させた構造からなる垂直磁気記録媒体が開示されている。
特許文献1に記載されているように、垂直磁気記録媒体においては磁気記録層の下方に軟磁性層が設けられ、記録ヘッドから軟磁性層を経て記録ヘッドへと戻る閉磁路が形成されることにより、磁気記録層に高い記録磁界を印加する手法が一般的に採られている。これにより、記録トラックに強い磁界を加えることが可能となるが、同時に隣接トラックへの漏れ磁界も大きくなることから、WATE(Wide Area Track Erasure)、すなわち、書込みの対象となるトラックを中心に数μmにわたって記録情報が消失する現象が問題となる。この問題は、隣接トラックが接近する(つまり、高記録密度の)フォーマットにおいて特に顕在化する。
As described in
WATEを低減させる手法として、磁気記録層の逆磁区核形成磁界Hnを負とし、さらにその絶対値を大きくすることが重要といわれている。高い(絶対値の大きい)Hnを得るために、グラニュラー構造を有する磁気記録層の上方又は下方に高い垂直磁気異方性を示す薄膜(連続層)が形成されたCGC(Coupled Granular Continuous)媒体が考案されていることは、特許文献2に記載されているとおりである。
As a technique for reducing WAIT, it is said that it is important to make the reverse domain nucleation magnetic field Hn of the magnetic recording layer negative and to further increase its absolute value. In order to obtain high (large absolute value) Hn, a CGC (Coupled Granular Continuous) medium in which a thin film (continuous layer) exhibiting high perpendicular magnetic anisotropy is formed above or below a magnetic recording layer having a granular structure is used. What is devised is as described in
しかしながら、垂直磁気記録媒体についてCGC媒体の構成を単に採用したとしても、Hn<−2000エルステッド(Oe)を満たすような十分な逆磁区核形成磁界を得ることは難しい。 However, even if the configuration of the CGC medium is simply adopted for the perpendicular magnetic recording medium, it is difficult to obtain a sufficient reverse domain nucleation magnetic field satisfying Hn <−2000 Oersted (Oe).
また、記録密度の向上は、主に磁気記録層の高保磁力化に起因するノイズの低減、狭トラック化により達成されるが、保磁力Hcを高めるには、磁気記録層の強磁性粒子の結晶性や結晶配向性の向上、結晶粒径の微細化、及び、結晶粒子間の磁気的相互作用の低減を図ることが有効である。CoCrPt−SiO2型の垂直磁気記録媒体では、高Ar圧力スパッタプロセスを用いて磁性粒子を微細化すると同時に、粒界にSiO2を偏析させて磁気記録層の結晶粒子間の磁気的相互作用を低減させることが考えられるが、上記CGC媒体を高Ar圧力スパッタプロセスで形成したとしても、十分な保磁力を得ることは難しい。 The improvement in recording density is mainly achieved by reducing noise and narrowing the track due to the high coercive force of the magnetic recording layer. To increase the coercive force Hc, the crystal of ferromagnetic particles in the magnetic recording layer is used. It is effective to improve the crystallinity and crystal orientation, refine the crystal grain size, and reduce the magnetic interaction between crystal grains. In the CoCrPt—SiO 2 type perpendicular magnetic recording medium, the magnetic particles are refined using a high Ar pressure sputtering process, and at the same time, SiO 2 is segregated at the grain boundaries to cause magnetic interaction between crystal grains of the magnetic recording layer. Although it is conceivable to reduce it, it is difficult to obtain a sufficient coercive force even if the CGC medium is formed by a high Ar pressure sputtering process.
本発明はこのような課題を解決するものであり、基体上に軟磁性層、グラニュラー構造を有する磁気記録層及び高い垂直磁気異方性を有する連続層を備える垂直磁気記録媒体(CGC媒体)について、磁気記録層の逆磁区核形成磁界Hn及び保磁力Hcを容易に高めることができる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的としている。 The present invention solves such a problem, and relates to a perpendicular magnetic recording medium (CGC medium) comprising a soft magnetic layer, a magnetic recording layer having a granular structure, and a continuous layer having high perpendicular magnetic anisotropy on a substrate. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium that can easily increase the reverse domain nucleation magnetic field Hn and the coercive force Hc of the magnetic recording layer.
上記課題を解決するために、本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法は、基体上に軟磁性層を形成する軟磁性層形成工程と、前記軟磁性層の上層としてグラニュラー構造を有する磁気記録層をCo系磁性材料により形成する磁気記録層形成工程と、前記磁気記録層の上層又は下層として垂直磁気異方性を有する連続層を形成する連続層形成工程と、前記磁気記録層及び前記連続層の上層として保護層を形成する保護層形成工程と、前記磁気記録層形成工程の後、または前記連続層形成工程の後、もしくは前記保護層形成工程の後に、100℃以上240℃以下に加熱する加熱工程とを備えることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium according to the present invention includes a soft magnetic layer forming step of forming a soft magnetic layer on a substrate, and a magnetic recording having a granular structure as an upper layer of the soft magnetic layer. A magnetic recording layer forming step of forming a layer of a Co-based magnetic material, a continuous layer forming step of forming a continuous layer having perpendicular magnetic anisotropy as an upper layer or a lower layer of the magnetic recording layer, the magnetic recording layer and the continuous layer A protective layer forming step for forming a protective layer as an upper layer of the layer and after the magnetic recording layer forming step, after the continuous layer forming step, or after the protective layer forming step, heated to 100 ° C. or higher and 240 ° C. or lower. And a heating step.
前記基体は、耐熱性に優れるガラスであることが好ましい。基体用ガラスとしては、アモルファスガラス、結晶化ガラスを用いることができ、例えばアルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス等が挙げられるが、中でもアルミノシリケートガラスが好適である。また、軟磁性層をアモルファスとする場合にあっては、基体をアモルファスガラスとすると好ましい。なお、化学強化したガラスを用いると、剛性が高く好ましい。 The substrate is preferably made of glass having excellent heat resistance. As the glass for the substrate, amorphous glass or crystallized glass can be used, and examples thereof include aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, soda lime glass, and the like. Among these, aluminosilicate glass is preferable. Further, when the soft magnetic layer is made amorphous, it is preferable that the substrate is made of amorphous glass. Use of chemically strengthened glass is preferable because of its high rigidity.
基体主表面の表面粗さは、JISに規定されたRmaxで6nm以下、Raで0.6nm以下であると好ましい。このような平滑表面とすることにより、垂直磁気記録層〜軟磁性層間の間隙を一定にすることができるので、磁気ヘッド〜垂直磁気記録層〜軟磁性層間に好適な磁気回路を形成することができる。 The surface roughness of the main surface of the substrate is preferably 6 nm or less as Rmax defined by JIS and 0.6 nm or less as Ra. By using such a smooth surface, the gap between the perpendicular magnetic recording layer and the soft magnetic layer can be made constant, so that a suitable magnetic circuit can be formed between the magnetic head, the perpendicular magnetic recording layer, and the soft magnetic layer. it can.
基体上の各層は、スパッタリング法で成膜することが好ましい。特にDCマグネトロンスパッタリング法で形成すると均一な成膜が可能となるが、量産性の観点から、スパッタリング法に代えてインライン型成膜方法を用いることも好ましい。 Each layer on the substrate is preferably formed by sputtering. In particular, when a DC magnetron sputtering method is used, uniform film formation is possible, but from the viewpoint of mass productivity, it is also preferable to use an in-line type film formation method instead of the sputtering method.
前記軟磁性層は、軟磁気特性を示す磁性体により形成されていれば特に制限はないが、例えばFcTaC系合金、FeTaN系合金、FeNi系合金、FeCoB系合金、FeCo系合金等のFe系軟磁性材料、CoTaZr系合金、CoNbZr系合金等のCo系軟磁性材料、あるいはFeCo系合金軟磁性材料等を用いることができる。 The soft magnetic layer is not particularly limited as long as it is formed of a magnetic material exhibiting soft magnetic characteristics. Magnetic materials, Co-based soft magnetic materials such as CoTaZr-based alloys and CoNbZr-based alloys, FeCo-based alloy soft magnetic materials, and the like can be used.
また軟磁性層は、保磁力(Hc)で0.01〜80エルステッド、好ましくは0.01〜50エルステッドの磁気特性であることが好ましい。また、飽和磁束密度(Bs)は500emu/cc〜1920emu/ccの磁気特性であることが好ましい。軟磁性層の膜厚は5nm〜1000nm、望ましくは20nm〜150nmであることが好ましい。5nm未満では、磁気ヘッド〜垂直磁気記録層〜軟磁性層間に好適な磁気回路を形成することが困難になる場合があり、1000nmを超えると表面粗さが増加する場合がある。また、1000nmを超えるとスパッタリング成膜が困難となる場合がある。 The soft magnetic layer preferably has a magnetic property of 0.01 to 80 oersted, preferably 0.01 to 50 oersted in terms of coercive force (Hc). The saturation magnetic flux density (Bs) preferably has a magnetic characteristic of 500 emu / cc to 1920 emu / cc. The thickness of the soft magnetic layer is 5 nm to 1000 nm, preferably 20 nm to 150 nm. If it is less than 5 nm, it may be difficult to form a suitable magnetic circuit between the magnetic head, the perpendicular magnetic recording layer, and the soft magnetic layer, and if it exceeds 1000 nm, the surface roughness may increase. Moreover, when it exceeds 1000 nm, sputtering film formation may become difficult.
前記磁気記録層は、非磁性物質を含有するCoCrPtにより形成することが好ましい。非磁性物質とは、磁性粒(磁性グレイン)間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト(Co)と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素(SiOx)、クロム(Cr)、酸化クロム(CrO2)、酸化チタン(TiO2)、酸化ジルコン(ZrO2)、酸化タンタル(Ta2O5)を例示できる。SiO2の含有率は3mol%〜20mol%が好ましく、望ましくは5mol%〜12mol%である。磁気記録層の膜厚は3nm以上が好ましく、望ましくは7nm〜15nmである。 The magnetic recording layer is preferably formed of CoCrPt containing a nonmagnetic substance. A non-magnetic substance is a substance that can form a grain boundary around magnetic grains so that exchange interaction between magnetic grains (magnetic grains) is suppressed or blocked, and cobalt (Co) and Any nonmagnetic substance that does not dissolve in solution may be used. Examples thereof include silicon oxide (SiOx), chromium (Cr), chromium oxide (CrO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), zircon oxide (ZrO 2 ), and tantalum oxide (Ta 2 O 5 ). The content of SiO 2 is preferably 3 mol% to 20 mol%, and desirably 5 mol% to 12 mol%. The film thickness of the magnetic recording layer is preferably 3 nm or more, and desirably 7 nm to 15 nm.
前記連続層は、CoBとPd又はPtとを交互に積層してなる交換エネルギー制御層、及び、Pd又はPtからなり前記交換エネルギー制御層を前記磁気記録層に結合するカップリング制御層を積層して形成することが好ましい。ただし、交換エネルギー制御層は逆磁区核形成磁界Hnの改善を図るものであり、Hnを改善することができれば交換エネルギー制御層は多層膜でなくてもかまわない。また、磁気的な効果は変わらないので、交換エネルギー制御層は磁気記録層の上方にも下方にも配置することができる。交換エネルギー制御層を磁気記録層の上方に形成する場合には、磁気記録層、カップリング制御層及び交換エネルギー制御層をこの順に下方から積層し、交換エネルギー制御層を磁気記録層の下方に形成する場合には、交換エネルギー制御層、カップリング制御層及び磁気記録層をこの順に下方から積層すればよい。 The continuous layer includes an exchange energy control layer formed by alternately laminating CoB and Pd or Pt, and a coupling control layer made of Pd or Pt and coupling the exchange energy control layer to the magnetic recording layer. It is preferable to form them. However, the exchange energy control layer is intended to improve the reverse domain nucleation magnetic field Hn, and the exchange energy control layer may not be a multilayer film as long as Hn can be improved. Further, since the magnetic effect does not change, the exchange energy control layer can be disposed above or below the magnetic recording layer. When the exchange energy control layer is formed above the magnetic recording layer, the magnetic recording layer, the coupling control layer, and the exchange energy control layer are stacked in this order from the bottom, and the exchange energy control layer is formed below the magnetic recording layer. In this case, the exchange energy control layer, the coupling control layer, and the magnetic recording layer may be laminated in this order from below.
前記保護層は、カーボンにより形成することが好ましい。とりわけCVD法により成膜することによって、スパッタ法により成膜する場合に比べて保護層の硬度を高めることができる。 The protective layer is preferably formed of carbon. In particular, by forming a film by the CVD method, the hardness of the protective layer can be increased as compared with the case of forming a film by the sputtering method.
前記加熱工程は、連続層を形成して得られた媒体を、恒温槽(加温装置)により加熱して行うことが好ましい。このような媒体の加熱は、媒体表面を汚染することがなければ、真空中、空気中のいずれで行ってもかまわない。加熱温度は100℃から240℃程度とすればよいが、特に100〜150℃程度でもHnの値を大幅に向上させることができ、さらに150〜240℃程度とすればHn、Hc双方の値を大幅に向上させることが可能になる。 The heating step is preferably performed by heating a medium obtained by forming a continuous layer with a thermostatic chamber (heating device). Such heating of the medium may be performed in vacuum or in air as long as the surface of the medium is not contaminated. The heating temperature may be about 100 ° C. to 240 ° C., but the value of Hn can be greatly improved even at about 100 to 150 ° C., and if it is about 150 to 240 ° C., the values of both Hn and Hc can be improved. It becomes possible to greatly improve.
本発明によれば、垂直磁気記録媒体(CGC媒体)について、既存の製造プロセスを大幅に変更することなく(量産性を損なうことなく)容易に逆磁区核形成磁界Hn及び保磁力Hcを高めることができ、良好なWATE特性と高いS/N特性とを両立させることが可能になる。 According to the present invention, it is possible to easily increase the reverse domain nucleation magnetic field Hn and the coercive force Hc of a perpendicular magnetic recording medium (CGC medium) without significantly changing an existing manufacturing process (without impairing mass productivity). It is possible to achieve both good WAIT characteristics and high S / N characteristics.
本発明に係る垂直磁気記録媒体の実施例について、図を参照して説明する。図1は本実施例に係る垂直磁気記録ディスク(垂直磁気記録媒体)の構成を説明する図、図2はその垂直磁気記録ディスクの製造方法を説明する図、図3は加熱工程における加熱による磁気特性の変化を示す図、図4は加熱温度と逆磁区核形成磁界Hnとの関係を示す図、図5は加熱温度と保磁力Hcとの関係を示す図である。なお、以下の実施例に示す数値は発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。 Embodiments of the perpendicular magnetic recording medium according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram for explaining the configuration of a perpendicular magnetic recording disk (perpendicular magnetic recording medium) according to the present embodiment, FIG. 2 is a diagram for explaining a method of manufacturing the perpendicular magnetic recording disk, and FIG. FIG. 4 is a diagram showing the change in characteristics, FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the heating temperature and the reverse domain nucleation magnetic field Hn, and FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the heating temperature and the coercive force Hc. The numerical values shown in the following examples are merely examples for facilitating understanding of the invention, and do not limit the present invention unless otherwise specified.
図1に示す垂直磁気記録ディスクは、ディスク基体1、付着層2、軟磁性層3、配向制御層4、下地層5、グラニュラー層(磁気記録層)6、連続層7、媒体保護層8、潤滑層9を備える。連続層7は、カップリング制御層10及び交換エネルギー制御層11により構成されている。
The perpendicular magnetic recording disk shown in FIG. 1 includes a
この垂直磁気記録ディスクを製造するに際し、まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、直径65mm(2.5インチ)のガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体1を得た(ステップ1:図2において「S.1」と記載。以下同様)。このディスク基体1の主表面の表面粗さをAFM(原子間力顕微鏡)で測定したところ、Rmaxが3.0nm、Raが0.25nmという平滑な表面形状であった。なお、RmaxおよびRaは、日本工業規格(JIS)に従う。
In producing this perpendicular magnetic recording disk, first, an amorphous aluminosilicate glass was formed into a disk shape by direct pressing to produce a glass disk having a diameter of 65 mm (2.5 inches). The glass disk was ground, polished, and chemically strengthened in order to obtain a smooth
得られたディスク基体1上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、Ar雰囲気中でDCマグネトロンスパッタリング法にて、付着層2から連続層7まで順次成膜を行った(ステップ2〜ステップ8)。つぎに、ステップ8で得られた中間品(媒体)を恒温層により加熱し(ステップ9)、媒体保護層8をCVD法により成膜した(ステップ10)。この後、潤滑層9をディップコート法により形成した(ステップ11)。以下、各層の構成及び具体的製造方法について説明する。
On the obtained
付着層2は10nmのTi合金層となるように、Ti合金ターゲットを用いて成膜した。付着層2を形成することにより、ディスク基体1と軟磁性層3との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層3の剥離を防止することができる。付着層2の材料としては、例えばTi含有材料を用いることができる。実用上の観点からは付着層の膜厚は、1nm〜50nmとすることが好ましい。
The
軟磁性層3は50nmのアモルファスCoTaZr層となるように、CoTaZrターゲットを用いて成膜した。
The soft
配向制御層4は、アモルファスのTaからなる層が膜厚3nm形成されるように、Taターゲットを用いて成膜した。下地層5として、膜厚20nmのRu層を形成した。なお、配向制御層4、5をRuからなる2層としてもよい。上層側のRuを形成する際に、下層側のRuを形成するときよりもArのガス圧を高くすることにより、結晶配向性を改善することができる。
The orientation control layer 4 was formed using a Ta target so that an amorphous Ta layer was formed to a thickness of 3 nm. As the
グラニュラー層6は、非磁性物質の例としてのSiO2を含有するCoCrPtからなる硬磁性体のターゲットを用いて、10nmのhcp結晶構造を形成した。なお、非磁性物質は磁性粒(磁性グレイン)間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト(Co)と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素(SiOx)、クロム(Cr)、酸化クロム(CrO2)、酸化チタン(TiO2)、酸化ジルコン(ZrO2)、酸化タンタル(Ta2O5)を例示できる。
The
カップリング制御層10は、Pd層により形成した。カップリング制御層10はPd層の他にPt層で形成することもできる。カップリング制御層10の膜厚は2nm以下が好ましく、さらに望ましくは0.5〜1.5nmである。
The
交換エネルギー制御層11はCoBとPdとの交互積層膜からなり、低Arガスで形成した。交換エネルギー制御層11の膜厚は1〜8nmが好ましく、望ましくは3〜6nmである。交換エネルギー制御層11は、Pdに代えてPtを用い、CoBとPtとを交互に積層することによって形成してもよい。
The exchange
交換エネルギー制御層11の成膜後に得られた中間品は、恒温槽により所定温度で加熱した。このときの加熱温度は100℃以上240℃以下と一般的なアニール処理の場合よりも低温とする。この加熱処理は、前述したグラニュラー層6の成膜後、あるいは、次述する媒体保護層8の成膜後に行ってもよい。
The intermediate product obtained after the formation of the exchange
続いて、真空を保ったままカーボンをCVD法により成膜して媒体保護層8を形成した。媒体保護層8は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。一般にCVD法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録層を防護することができる。 Subsequently, the medium protective layer 8 was formed by depositing carbon by a CVD method while maintaining a vacuum. The medium protective layer 8 is a protective layer for protecting the perpendicular magnetic recording layer from the impact of the magnetic head. In general, carbon deposited by the CVD method has improved film hardness compared to that deposited by the sputtering method, so that the perpendicular magnetic recording layer can be protected more effectively against the impact from the magnetic head.
潤滑層9は、PFPE(パーフロロポリエーテル)をディップコート法により成膜した。潤滑層9の膜厚は約1nmである。
The
以上の工程により製造される垂直磁気記録ディスクについて、Kerr効果測定装置の測定結果を図3に示す。図3は、加熱工程を経た場合(加熱温度150℃、200℃の各場合)の磁気特性と同工程を経ていない場合の磁気特性とを例示する。同図から明らかなように、加熱処理を施すことにより、加熱温度150℃の場合にはヒステリシスループの傾きが急峻となり主に逆磁区核形成磁界Hnの値が改善されている。さらに、加熱温度200℃の場合にはヒステリシスループが横軸(Kerr回転角軸)方向に拡大し逆磁区核形成磁界Hn、保磁力Hcの双方の値が改善されている。 FIG. 3 shows the measurement results of the Kerr effect measuring apparatus for the perpendicular magnetic recording disk manufactured by the above process. FIG. 3 exemplifies the magnetic characteristics when the heating process is performed (heating temperatures of 150 ° C. and 200 ° C.) and the magnetic characteristics when the same process is not performed. As is apparent from the figure, by performing the heat treatment, the inclination of the hysteresis loop becomes steep when the heating temperature is 150 ° C., and the value of the reverse domain nucleation magnetic field Hn is mainly improved. Furthermore, when the heating temperature is 200 ° C., the hysteresis loop expands in the horizontal axis (Kerr rotation angle axis) direction, and both values of the reverse domain nucleation magnetic field Hn and the coercive force Hc are improved.
図4は恒温槽により50℃から250℃まで変化させ、加熱温度と逆磁区核形成磁界Hnとの関係をグラフに示したものである。図4により、加熱温度が100℃から240℃程度、特に230℃前後の場合にHnの値が大幅に向上することがわかる。Hnの値は加熱温度が230℃を超えると急激に低下する傾向にあるので、温度管理の容易性と一定品質の確保とのバランスを取るという観点からは、加熱温度を200℃以下と設定して垂直磁気記録媒体の製造を行うことも非常に有効である。 FIG. 4 is a graph showing the relationship between the heating temperature and the reverse domain nucleation magnetic field Hn when the temperature is changed from 50 ° C. to 250 ° C. using a thermostatic bath. FIG. 4 shows that the value of Hn is greatly improved when the heating temperature is about 100 ° C. to 240 ° C., particularly around 230 ° C. Since the value of Hn tends to decrease sharply when the heating temperature exceeds 230 ° C., the heating temperature is set to 200 ° C. or less from the viewpoint of balancing the ease of temperature management and ensuring certain quality. It is also very effective to manufacture a perpendicular magnetic recording medium.
図5は恒温槽により50℃から250℃まで変化させ、加熱温度と保磁力Hcとの関係をグラフに示したものである。図5により、加熱温度が150℃から240℃程度、特に230℃前後の場合にHcの値が大幅に向上することがわかる。Hnの場合と同様、Hcの値も加熱温度が230℃を超えると急激に低下する傾向にあるので、温度管理の容易性と一定品質の確保とのバランスを取るという観点からは、加熱温度を200℃以下と設定して垂直磁気記録媒体の製造を行うことも非常に有効である。 FIG. 5 is a graph showing the relationship between the heating temperature and the coercive force Hc by changing the temperature from 50 ° C. to 250 ° C. using a thermostat. FIG. 5 shows that the Hc value is greatly improved when the heating temperature is about 150 ° C. to 240 ° C., particularly around 230 ° C. As in the case of Hn, the value of Hc also tends to drop sharply when the heating temperature exceeds 230 ° C. From the viewpoint of balancing the ease of temperature management and ensuring a certain quality, the heating temperature is It is also very effective to manufacture a perpendicular magnetic recording medium at a temperature of 200 ° C. or lower.
したがって、加熱工程における加熱温度を100℃以上240℃以下とすることによりHnを向上させることができ、さらに150℃以上240℃以下とすることによりHnとHcの両方を大幅に向上させることができるといえる。 Therefore, Hn can be improved by setting the heating temperature in the heating step to 100 ° C. or higher and 240 ° C. or lower, and both Hn and Hc can be greatly improved by setting the heating temperature to 150 ° C. or higher and 240 ° C. or lower. It can be said.
なお、上記実施例においては、交換エネルギー制御層11を成膜した直後に加熱工程を行った。しかし、上記工程に限らず、グラニュラー層6を成膜した後であれば、媒体保護層8や潤滑層9、その他の膜を形成した後に加熱処理を施しても、同様の効果を得ることができる。
In the above example, the heating process was performed immediately after the exchange
本発明は、垂直磁気記録方式のHDD等に搭載される垂直磁気記録媒体の製造方法として利用することができる。 The present invention can be used as a method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium mounted on a perpendicular magnetic recording type HDD or the like.
1 …ディスク基体(基体)
2 …付着層
3 …軟磁性層
4 …配向制御層
5 …下地層
6 …グラニュラー層(磁気記録層)
7 …連続層
8 …媒体保護層(保護層)
9 …潤滑層
10 …カップリング制御層
11 …交換エネルギー制御層
S.1 …ディスク基体形成工程
S.3 …軟磁性層形成工程
S.6 …グラニュラー層形成工程(磁気記録層形成工程)
S.7 …カップリング制御層形成工程(連続層形成工程)
S.8 …交換エネルギー制御層形成工程(連続層形成工程)
S.9 …加熱工程
S.10…媒体保護層形成工程(保護層形成工程)
1 ... Disc base (base)
2 ... Adhering
7: Continuous layer 8: Medium protective layer (protective layer)
9 ...
S. 7: Coupling control layer forming step (continuous layer forming step)
S. 8 ... Exchange energy control layer forming step (continuous layer forming step)
S. 9 ...
Claims (6)
前記軟磁性層の上層としてグラニュラー構造を有する磁気記録層をCo系磁性材料により形成する磁気記録層形成工程と、
前記磁気記録層の上層又は下層として垂直磁気異方性を有する連続層を形成する連続層形成工程と、
前記磁気記録層及び前記連続層の上層として保護層を形成する保護層形成工程と、
少なくとも前記連続層形成工程の後に、100℃以上240℃以下に加熱する加熱工程とを備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 A soft magnetic layer forming step of forming a soft magnetic layer on the substrate;
A magnetic recording layer forming step of forming a magnetic recording layer having a granular structure as an upper layer of the soft magnetic layer from a Co-based magnetic material;
A continuous layer forming step of forming a continuous layer having perpendicular magnetic anisotropy as an upper layer or a lower layer of the magnetic recording layer;
A protective layer forming step of forming a protective layer as an upper layer of the magnetic recording layer and the continuous layer;
And a heating step of heating to 100 ° C. or higher and 240 ° C. or lower after at least the continuous layer forming step.
The continuous layer includes an exchange energy control layer formed by alternately laminating CoB and Pd or Pt, and a coupling control layer made of Pd or Pt and coupling the exchange energy control layer to the magnetic recording layer. The method of manufacturing a perpendicular magnetic recording medium according to claim 1, wherein:
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-
2006
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