JP2007335034A - Perpendicular magnetic recording disk and its manufacturing method - Google Patents

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Yoshiaki Sonobe
義明 園部
Kongu Kim
コング キム
Takahiro Onoe
貴弘 尾上
Sadaichirou Umezawa
禎一郎 梅澤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a perpendicular magnetic recording disk which can improve a reverse magnetic domain nucleus formation magnetic field (Hn) and may improve heat stability and recording density in the perpendicular magnetic recording disk equipped with a miniaturization acceleration layer between a foundation layer and a magnetic recording layer. <P>SOLUTION: A magnetic disk is equipped with at least a foundation layer 5, a miniaturization acceleration layer 6, and a magnetic recording layer 7 on the substrate 1 in this order and used for perpendicular magnetic recording. It is characterized that the miniaturization acceleration layer 6 is a non-magnetism layer of a granular structure which contains a non-magnetic material between crystal particles containing cobalt (Co), chrome (Cr) and at least one noble metal element, and the magnetic recording layer 7 is a ferromagnetic layer of a granular structure which contains a non-magnetic material between crystal particles which contain at least cobalt (Co). <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、垂直磁気記録方式のHDD(ハードディスクドライブ)などに搭載される垂直磁気記録媒体に関する。   The present invention relates to a perpendicular magnetic recording medium mounted on a perpendicular magnetic recording type HDD (hard disk drive) or the like.

近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたHDD(ハードディスクドライブ)の面記録密度は年率100%程度の割合で増加し続けている。最近では、HDD等に用いられる2.5インチ径磁気ディスクにして、1枚あたり100GBを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには1平方インチあたり200Gビットを超える情報記録密度を実現することが求められる。HDD等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するためには、情報信号の記録を担う磁気記録層を達成する磁性結晶粒子を微細化すると共に、その層厚を低減していく必要があった。ところが、従来から商業化されている面内磁気記録方式(長手磁気記録方式、水平磁気記録方式とも呼称される)の磁気ディスクの場合、磁性結晶粒子の微細化が進展した結果、超常磁性現象により記録信号の熱的安定性が損なわれ、記録信号が消失してしまう、いわゆる熱揺らぎ現象が発生するようになり、磁気ディスクの高記録密度化への阻害要因となっていた。   Various information recording techniques have been developed with the recent increase in information processing capacity. In particular, the surface recording density of an HDD (hard disk drive) using magnetic recording technology continues to increase at an annual rate of about 100%. Recently, an information recording capacity exceeding 100 GB has been required for a 2.5-inch diameter magnetic disk used for HDDs and the like. In order to meet such a demand, per 1 inch. It is required to realize an information recording density exceeding 200 Gbits. In order to achieve a high recording density in a magnetic disk used for an HDD or the like, it is necessary to refine the magnetic crystal particles that achieve a magnetic recording layer that records information signals and to reduce the layer thickness. It was. However, in the case of a magnetic disk of the in-plane magnetic recording method (also called longitudinal magnetic recording method or horizontal magnetic recording method) that has been commercialized conventionally, as a result of the progress of miniaturization of magnetic crystal grains, superparamagnetic phenomenon The thermal stability of the recording signal is impaired, and the so-called thermal fluctuation phenomenon that the recording signal disappears has occurred, which has been an impediment to increasing the recording density of the magnetic disk.

この阻害要因を解決するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスクが提案されている。垂直磁気記録方式の場合では、面内磁気記録方式の場合とは異なり、磁気記録層の磁化容易軸は基板面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。   In order to solve this obstacle, a perpendicular magnetic recording type magnetic disk has recently been proposed. In the case of the perpendicular magnetic recording system, unlike the case of the in-plane magnetic recording system, the easy axis of magnetization of the magnetic recording layer is adjusted to be oriented in the direction perpendicular to the substrate surface. The perpendicular magnetic recording method can suppress the thermal fluctuation phenomenon as compared with the in-plane recording method, and is suitable for increasing the recording density.

垂直磁気記録方式に用いる磁気記録媒体としては、高い熱安定性と良好な記録特性を示すことから、CoCrPt−SiO垂直磁気記録媒体(非特許文献1参照)や、CGC型垂直媒体(非特許文献2)が提案されている。また、S/N比改善のために、これらの技術とあわせてRu−SiO下地層(特許文献1、2)等が提案されている。そこでの成膜プロセスは、磁性粒子の微細化を目的に高Arガス圧スパッタプロセスが通常用いられている。
T. Oikawa et. al., IEEE Trans. Magn, vol.38, 1976-1978(2002) Y. Sonobe et al., IEEE Trans. Magn, vol.37, 1667-1670(2001) 特開2002−334424号公報 特開2003−123245号公報
The magnetic recording medium used for perpendicular magnetic recording system, because they exhibit a high thermal stability and excellent recording characteristics, CoCrPt-SiO 2 perpendicular magnetic recording medium (refer to Non-Patent Document 1) and, CGC type vertical medium (Non-patent Document 2) has been proposed. Further, in order to improve the S / N ratio, a Ru—SiO 2 underlayer (Patent Documents 1 and 2) and the like have been proposed together with these techniques. As a film forming process there, a high Ar gas pressure sputtering process is usually used for the purpose of miniaturization of magnetic particles.
T. Oikawa et.al., IEEE Trans. Magn, vol.38, 1976-1978 (2002) Y. Sonobe et al., IEEE Trans. Magn, vol. 37, 1667-1670 (2001) JP 2002-334424 A JP 2003-123245 A

垂直磁気記録媒体においても面内磁気記録媒体と同様に、磁気ディスクの記録密度の向上は、主に、磁気記録層の磁化遷移領域ノイズの低減により行われる。ノイズ低減のためには、磁気記録層の結晶配向性の向上や結晶粒径および磁気的相互作用の大きさを小さくする必要がある。上述のCoCrPt−SiO型垂直磁気記録媒体では、高Arガス圧スパッタブロセスを用いることにより、磁性粒子を微細化すると同時に、粒界にSiOを偏析し、磁気記録層の結晶粒間の磁気的相互作用を低減している。 In the perpendicular magnetic recording medium, as in the in-plane magnetic recording medium, the recording density of the magnetic disk is mainly improved by reducing the magnetization transition region noise of the magnetic recording layer. In order to reduce noise, it is necessary to improve the crystal orientation of the magnetic recording layer and to reduce the crystal grain size and the magnitude of the magnetic interaction. In the above-described CoCrPt—SiO 2 type perpendicular magnetic recording medium, by using a high Ar gas pressure sputtering process, the magnetic particles are refined, and at the same time, SiO 2 is segregated at the grain boundaries, and the magnetic grains between the grains of the magnetic recording layer are magnetized. Interaction is reduced.

結晶粒径や磁気的相互作用の大きさは、粒界に偏析したSiOの水平方向の厚みに影響される。SiO量を増加させると、高記録密度時のS/N比は向上する。一方、SiO量を増加させると垂直磁気異方性が劣化し、熱安定性の劣化やノイズの増大が問題となる。また、高Arガス圧スパッタプロセスを用いるため、記録層の配向性の劣化および媒体表面性の劣化が生じるという問題がある。 The crystal grain size and the magnitude of the magnetic interaction are influenced by the horizontal thickness of SiO 2 segregated at the grain boundaries. Increasing the amount of SiO 2 improves the S / N ratio at high recording density. On the other hand, when the amount of SiO 2 is increased, the perpendicular magnetic anisotropy deteriorates, and deterioration of thermal stability and increase of noise become problems. Further, since a high Ar gas pressure sputtering process is used, there is a problem that the orientation of the recording layer is deteriorated and the surface property of the medium is deteriorated.

この問題を解決するために、発明者らは、下地層(結晶配向制御層:Ru)と磁気記録層(CoCrPt−SiO)との間に微細化促進層としてCoCr−SiO層を挿入することによって、低Arガスプロセスで、磁性粒子の微細化、SiOの偏析によるSN比の向上を行うことができることを見出し、既に特許出願をしている(特願2005−086220)。 In order to solve this problem, the inventors insert a CoCr—SiO 2 layer as a miniaturization promoting layer between the underlayer (crystal orientation control layer: Ru) and the magnetic recording layer (CoCrPt—SiO 2 ). Thus, it has been found that the SN ratio can be improved by the refinement of magnetic particles and the segregation of SiO 2 in a low Ar gas process, and a patent application has already been filed (Japanese Patent Application No. 2005-086220).

微細化促進層を用いずに、例えば磁気記録層を下地層上に形成した場合、磁性結晶粒子は下地層上のいずれの位置からも成長できるため、例えば下地層との界面付近において、磁性結晶粒子の分布に乱れが生じてしまう場合もある。しかし、非磁性の微細化促進層を形成することにより、その金属結晶粒子が下地層との界面付近において分布に乱れを生じていたとしても、磁気記録層との界面付近では、ほぼ均一に分布することとなる。そして磁気記録層の結晶粒子は微細化促進層の結晶粒子を基礎として成長することから、磁性結晶粒子の配向性を高め、微細化を促進することができる。   For example, when the magnetic recording layer is formed on the underlayer without using the miniaturization promoting layer, the magnetic crystal grains can grow from any position on the underlayer. In some cases, the particle distribution may be disturbed. However, even if the metal crystal particles are disturbed in the vicinity of the interface with the underlayer by forming a nonmagnetic miniaturization promoting layer, the distribution is almost uniform in the vicinity of the interface with the magnetic recording layer. Will be. Since the crystal grains of the magnetic recording layer grow on the basis of the crystal grains of the miniaturization promoting layer, the orientation of the magnetic crystal grains can be improved and the miniaturization can be promoted.

しかしさらに、新たな問題が生じた。すなわち上記構成にあっては、磁気記録層の磁性粒子CoCrPtと微細化促進層の非磁性粒子CoCrが結合して、あわせて磁性粒子として機能する。これにより平均磁化量が低下し、垂直磁気異方性(Ku)の劣化が生じる。すると、逆磁区核形成磁界(Hn)が小さくなると同時に、記録再生信号の熱安定性劣化などが起こる(いわゆる熱揺らぎの問題)。   However, new problems have arisen. That is, in the above configuration, the magnetic particles CoCrPt of the magnetic recording layer and the nonmagnetic particles CoCr of the miniaturization promoting layer are combined to function as magnetic particles. As a result, the average magnetization amount is reduced, and the perpendicular magnetic anisotropy (Ku) is deteriorated. As a result, the reverse domain nucleation magnetic field (Hn) decreases, and at the same time, the thermal stability of the recording / reproducing signal deteriorates (so-called thermal fluctuation problem).

本発明は、下地層と磁気記録層との間に微細化促進層を備えた垂直磁気記録ディスクにおいて、逆磁区核形成磁界(Hn)を向上し、熱安定性および記録密度を向上しうる垂直磁気記録ディスクを提供することを目的としている。   The present invention relates to a perpendicular magnetic recording disk having a miniaturization promoting layer between an underlayer and a magnetic recording layer, and can improve the reverse domain nucleation magnetic field (Hn) and improve the thermal stability and recording density. The object is to provide a magnetic recording disk.

上記課題を解決するために、本発明に係る垂直磁気記録ディスクの代表的な構成は、基体上に少なくとも下地層、微細化促進層、磁気記録層をこの順に備える垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、微細化促進層はコバルト(Co)、クロム(Cr)および少なくとも1つの貴金属元素を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の非磁性層であり、磁気記録層は少なくともコバルト(Co)を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の強磁性層であることを特徴とする。   In order to solve the above problems, a typical configuration of a perpendicular magnetic recording disk according to the present invention is a magnetic disk used for perpendicular magnetic recording having at least an underlayer, a miniaturization promoting layer, and a magnetic recording layer in this order on a substrate. The miniaturization promoting layer is a non-magnetic layer having a granular structure including a non-magnetic substance between crystal grains containing cobalt (Co), chromium (Cr) and at least one noble metal element, and the magnetic recording layer is at least It is a ferromagnetic layer having a granular structure including a nonmagnetic substance between crystal grains containing cobalt (Co).

非磁性物質とは、磁性粒(磁性グレイン)間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト(Co)と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素(SiOx)、クロム(Cr)、酸化クロム(CrO)、酸化チタン(TiO)、酸化ジルコン(ZrO)、酸化タンタル(Ta)を例示できる。 A non-magnetic substance is a substance that can form a grain boundary around magnetic grains so that exchange interaction between magnetic grains (magnetic grains) is suppressed or blocked, and cobalt (Co) and Any nonmagnetic substance that does not dissolve in solution may be used. Examples thereof include silicon oxide (SiOx), chromium (Cr), chromium oxide (CrO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), zircon oxide (ZrO 2 ), and tantalum oxide (Ta 2 O 5 ).

上記の如く非磁性の微細化促進層に貴金属を含有させることにより、磁気記録層に対する異方性を向上させることができる。このため磁気記録層の結晶粒子は立ち上がり(初期層:例えば0.5nm〜2nm程度の厚みの間)から配向性が高くなり、逆磁区核形成磁界(Hn)を向上させることができる。なお、非磁性とは、完全に非磁性の場合の他、磁気ディスクの機能上問題とならない程度の弱い磁性を有する場合も含む。非磁性グラニュラー層は、例えば、強磁性層と比べて無視できる程度の弱い磁性を有してもよい。   By adding a noble metal to the nonmagnetic miniaturization promoting layer as described above, anisotropy with respect to the magnetic recording layer can be improved. For this reason, the crystal grains of the magnetic recording layer become highly oriented from the rising edge (initial layer: for example, between about 0.5 nm and 2 nm in thickness), and the reverse domain nucleation magnetic field (Hn) can be improved. The term “non-magnetic” includes not only completely non-magnetic but also weak magnetism that does not cause a problem in the function of the magnetic disk. The nonmagnetic granular layer may have, for example, weak magnetism that is negligible compared to the ferromagnetic layer.

貴金属元素としては、プラチナ(Pt)、パラジウム(Pd)、またはルテニウム(Ru)の中から選択される1または複数の元素を用いることができる。従って例えば、微細化促進層をCoCrRu−SiOまたはCoCrPt−SiOで構成することができる。さらには貴金属元素として、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、金(Au)も利用することができる。 As the noble metal element, one or more elements selected from platinum (Pt), palladium (Pd), and ruthenium (Ru) can be used. Therefore, for example, the miniaturization promoting layer can be made of CoCrRu—SiO 2 or CoCrPt—SiO 2 . Furthermore, rhodium (Rh), palladium (Pd), silver (Ag), osmium (Os), iridium (Ir), and gold (Au) can also be used as noble metal elements.

微細化促進層中の非磁性物質の含有量は5mol%〜20mol%であることが好ましく、さらに望ましくは10mol%〜14mol%である。5mol%以下では十分な組成分離(偏析)構造が形成できないため、磁気記録層の微細化が促進できないためである。また20mol%以上であるとCoがhcp結晶を形成しにくくなるためである。また微細化促進層の膜厚は0.25nm〜5nm、さらに望ましくは0.5〜2nmであることが好ましい。   The content of the nonmagnetic substance in the miniaturization promoting layer is preferably 5 mol% to 20 mol%, and more preferably 10 mol% to 14 mol%. This is because when the content is 5 mol% or less, a sufficient composition separation (segregation) structure cannot be formed, and thus miniaturization of the magnetic recording layer cannot be promoted. Moreover, it is because Co becomes difficult to form an hcp crystal when it is 20 mol% or more. The film thickness of the miniaturization promoting layer is preferably 0.25 nm to 5 nm, more preferably 0.5 to 2 nm.

磁気記録層中の非磁性物質の含有量は、8mol%〜16mol%であることが好ましく、さらに望ましくは10mol%〜14mol%である。8mol%以下では十分な組成分離(偏析)構造が形成できないため、高いS/N比が得られないからである。また16mol%以上であるとCoがhcp結晶を形成しにくくなるため十分な垂直磁気異方性が得られず、高いHnが得られないためである。また磁気記録層の膜厚は20nm以下が好ましく、さらに望ましくは9nm〜15nmである。   The content of the nonmagnetic substance in the magnetic recording layer is preferably 8 mol% to 16 mol%, more preferably 10 mol% to 14 mol%. This is because a sufficient S / N ratio cannot be obtained because a sufficient composition separation (segregation) structure cannot be formed at 8 mol% or less. Further, if it is 16 mol% or more, Co becomes difficult to form an hcp crystal, so that sufficient perpendicular magnetic anisotropy cannot be obtained and high Hn cannot be obtained. The film thickness of the magnetic recording layer is preferably 20 nm or less, more preferably 9 nm to 15 nm.

さらに、微細化促進層中の非磁性物質の含有量をAmol%、磁気記録層中の非磁性物質の含有量をBmol%とした場合、0.3≦A/B≦2.5であることが好ましい。このように両層における非磁性物質の含有量を同程度とすることにより、微細化促進層中の結晶粒子を基礎として磁気記録層の結晶粒子が成長しやすくなるためである。   Further, when the content of the nonmagnetic substance in the miniaturization promoting layer is Amol% and the content of the nonmagnetic substance in the magnetic recording layer is Bmol%, 0.3 ≦ A / B ≦ 2.5. Is preferred. This is because, by setting the contents of the nonmagnetic substance in both layers to the same level, the crystal grains in the magnetic recording layer can easily grow based on the crystal grains in the miniaturization promoting layer.

基体と下地層との間に、アモルファスもしくはfcc構造を有する配向制御層を備えることが好ましい。なお配向制御層とは、下地層の結晶粒の配向を制御する作用を備える層である。配向制御層としては、例えばTaやNb、NiPなどのNi系合金、CoCrなどのCo系合金、およびこれらにTaやTiを含有させた非磁性層、ほかにPd、Ptなどの材料で構成することができる。   It is preferable to provide an orientation control layer having an amorphous or fcc structure between the base and the underlayer. Note that the orientation control layer is a layer having an action of controlling the orientation of crystal grains of the underlayer. The orientation control layer is made of, for example, a Ni-based alloy such as Ta, Nb, or NiP, a Co-based alloy such as CoCr, a nonmagnetic layer containing Ta or Ti, and a material such as Pd or Pt. be able to.

基体と下地層との間に、アモルファスの軟磁性層を備えることが好ましい。本発明において、軟磁性層は、軟磁気特性を示す磁性体により形成されていれば特に制限はないが、例えばFcTaC系合金、FeTaN系合金、FeNi系合金、FeCoB系合金、FeCo系合金などのFe系軟磁性材料、CoTaZr系合金、CoNbZr系合金などのCo系軟磁性材料、あるいはFeCo系合金軟磁性材料などを用いることができる。   It is preferable to provide an amorphous soft magnetic layer between the base and the underlayer. In the present invention, the soft magnetic layer is not particularly limited as long as it is formed of a magnetic material exhibiting soft magnetic properties. For example, an FcTaC alloy, FeTaN alloy, FeNi alloy, FeCoB alloy, FeCo alloy, etc. An Fe-based soft magnetic material, a Co-based soft magnetic material such as a CoTaZr-based alloy, a CoNbZr-based alloy, or an FeCo-based alloy soft magnetic material can be used.

また軟磁性層は、保磁力(Hc)で0.01〜80エルステッド(Oe)、好ましくは0.01〜50エルステッドの磁気特性であることが好ましい。また、飽和磁束密度(Bs)は500emu/cc〜1920emu/ccの磁気特性であることが好ましい。軟磁性層の膜厚は10nm〜1000nm、望ましくは20nm〜150nmであることが好ましい。10nm未満では、磁気ヘッド〜垂直磁気記録層〜軟磁性層間に好適な磁気回路を形成することが困難になる場合があり、1000nmを超えると表面粗さが増加する場合がある。また、1000nmを超えるとスパッタリング成膜が困難となる場合がある。   The soft magnetic layer preferably has a magnetic property of 0.01 to 80 Oersted (Oe), preferably 0.01 to 50 Oersted, in coercive force (Hc). The saturation magnetic flux density (Bs) preferably has a magnetic characteristic of 500 emu / cc to 1920 emu / cc. The thickness of the soft magnetic layer is 10 nm to 1000 nm, desirably 20 nm to 150 nm. If it is less than 10 nm, it may be difficult to form a suitable magnetic circuit between the magnetic head, the perpendicular magnetic recording layer, and the soft magnetic layer, and if it exceeds 1000 nm, the surface roughness may increase. Moreover, when it exceeds 1000 nm, sputtering film formation may become difficult.

基体はアモルファスガラスであることが好ましい。軟磁性層の磁区制御のために磁場中アニールが必要な場合に、耐熱性に優れることから、基体がガラスであることが好ましい。基体用ガラスとしては、アモルファスガラス、結晶化ガラスを用いることができ、例えばアルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラスなどが挙げられるが、中でもアルミノシリケートガラスが好適である。また、軟磁性層をアモルファスとする場合にあっては、基体をアモルファスガラスとすると好ましい。なお、化学強化したガラスを用いると、剛性が高く好ましい。   The substrate is preferably amorphous glass. When annealing in a magnetic field is required for controlling the magnetic domain of the soft magnetic layer, the substrate is preferably made of glass because of excellent heat resistance. As the glass for the substrate, amorphous glass and crystallized glass can be used, and examples thereof include aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, soda lime glass, and the like. Among these, aluminosilicate glass is preferable. Further, when the soft magnetic layer is made amorphous, it is preferable that the substrate is made of amorphous glass. Use of chemically strengthened glass is preferable because of its high rigidity.

本発明に係る垂直磁気記録ディスクの製造方法の代表的な構成は、基体上に少なくとも下地層、微細化促進層、及び磁気記録層をこの順に備える垂直磁気記録に用いる磁気ディスクの製造方法であって、微細化促進層としてコバルト(Co)、クロム(Cr)および少なくとも1つの貴金属元素を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の非磁性層を形成し、磁気記録層として少なくともコバルト(Co)を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の強磁性層を形成することを特徴とする。磁気記録層の成膜にあたっては、スパッタリング法、特にDCマグネトロンスパッタリング法を好ましく用いることができる。   A typical configuration of a method for manufacturing a perpendicular magnetic recording disk according to the present invention is a method for manufacturing a magnetic disk used for perpendicular magnetic recording, in which at least an underlayer, a miniaturization promoting layer, and a magnetic recording layer are provided in this order on a substrate. And forming a granular non-magnetic layer containing a non-magnetic substance between crystal grains containing cobalt (Co), chromium (Cr) and at least one noble metal element as a miniaturization promoting layer, and at least as a magnetic recording layer A ferromagnetic layer having a granular structure including a nonmagnetic substance is formed between crystal grains containing cobalt (Co). In forming the magnetic recording layer, sputtering, particularly DC magnetron sputtering, can be preferably used.

本発明によれば、下地層と磁気記録層との間に微細化促進層を備えた垂直磁気記録ディスクにおいて、逆磁区核形成磁界(Hn)を向上し、熱安定性および記録密度を向上しうる垂直磁気記録ディスクを提供することができる。   According to the present invention, in a perpendicular magnetic recording disk having a miniaturization promoting layer between an underlayer and a magnetic recording layer, the reverse domain nucleation magnetic field (Hn) is improved, and the thermal stability and the recording density are improved. A perpendicular magnetic recording disk can be provided.

本発明に係る垂直磁気記録媒体の実施例について、図を参照して説明する。図1は本実施例に係る垂直磁気記録媒体の構成を説明する図、図2は磁気記録層近傍を説明する模式図、図3は磁気記録層の厚みを変えた場合の逆磁区核形成磁界(Hn)の変化を示す図である。なお、以下の実施例に示す数値は発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。   Embodiments of the perpendicular magnetic recording medium according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram for explaining the configuration of a perpendicular magnetic recording medium according to the present embodiment, FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the vicinity of a magnetic recording layer, and FIG. It is a figure which shows the change of (Hn). The numerical values shown in the following examples are merely examples for facilitating understanding of the invention, and do not limit the present invention unless otherwise specified.

図1に示す垂直磁気記録媒体は、ディスク基体1、付着層2、軟磁性層3、配向制御層4、下地層5a、下地層5b、微細化促進層6、磁気記録層7、カップリング制御層8、交換エネルギー制御層9(Continuous層)、媒体保護層10、潤滑層11で構成されている。   The perpendicular magnetic recording medium shown in FIG. 1 includes a disk substrate 1, an adhesion layer 2, a soft magnetic layer 3, an orientation control layer 4, an underlayer 5a, an underlayer 5b, a miniaturization promoting layer 6, a magnetic recording layer 7, and coupling control. A layer 8, an exchange energy control layer 9 (continuous layer), a medium protective layer 10, and a lubricating layer 11 are configured.

まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体1を得た。ディスク直径は65mmである。このディスク基体1の主表面の表面粗さをAFM(原子間力顕微鏡)で測定したところ、Rmaxが4.8nm、Raが0.42nmという平滑な表面形状であった。なお、RmaxおよびRaは、日本工業規格(JIS)に従う。   First, an amorphous aluminosilicate glass was formed into a disk shape by direct pressing to produce a glass disk. The glass disk was ground, polished, and chemically strengthened in order to obtain a smooth nonmagnetic disk substrate 1 made of a chemically strengthened glass disk. The disc diameter is 65 mm. When the surface roughness of the main surface of the disk substrate 1 was measured with an AFM (atomic force microscope), it was a smooth surface shape with Rmax of 4.8 nm and Ra of 0.42 nm. Rmax and Ra are in accordance with Japanese Industrial Standard (JIS).

得られたディスク基体1上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、Ar雰囲気中でDCマグネトロンスパッタリング法にて、付着層2から交換エネルギー制御層9まで順次成膜を行い、媒体保護層10はCVD法により成膜した。この後、潤滑層11をディップコート法により形成した。以下、各層の構成および製造方法について説明する。   On the obtained disk substrate 1, a film was formed from the adhesion layer 2 to the exchange energy control layer 9 in order by DC magnetron sputtering in an Ar atmosphere using a vacuum-deposited film forming apparatus to protect the medium. Layer 10 was deposited by CVD. Thereafter, the lubricating layer 11 was formed by dip coating. Hereinafter, the configuration and manufacturing method of each layer will be described.

付着層2は10nmのTi合金層となるように、Ti合金ターゲットを用いて成膜した。付着層2を形成することにより、ディスク基体1と軟磁性層3との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層3の剥離を防止することができる。付着層2の材料としては、例えばTi含有材料を用いることができる。実用上の観点からは付着層の膜厚は、1nm〜50nmとすることが好ましい。   The adhesion layer 2 was formed using a Ti alloy target so as to be a 10 nm Ti alloy layer. By forming the adhesion layer 2, the adhesion between the disk substrate 1 and the soft magnetic layer 3 can be improved, so that the soft magnetic layer 3 can be prevented from peeling off. As a material of the adhesion layer 2, for example, a Ti-containing material can be used. From the practical viewpoint, the thickness of the adhesion layer is preferably 1 nm to 50 nm.

軟磁性層3は50nmのアモルファスCoTaZr層となるように、CoTaZrターゲットを用いて成膜した。   The soft magnetic layer 3 was formed using a CoTaZr target so as to be an amorphous CoTaZr layer of 50 nm.

配向制御層4は、軟磁性層3を防護する作用と、下地層5aの結晶粒の微細化を促進する作用を備える。配向制御層4としては、アモルファスのTaからなる層が膜厚3nm形成されるように、Taターゲットを用いて成膜した。   The orientation control layer 4 has an action of protecting the soft magnetic layer 3 and an action of promoting the refinement of crystal grains of the underlayer 5a. The orientation control layer 4 was formed using a Ta target so that an amorphous Ta layer was formed to a thickness of 3 nm.

下地層5a、5bは、Ruからなる2層構造となっている。上層側のRuを形成する際に、下層側のRuを形成するときよりもArのガス圧を高くすることにより、結晶配向性を改善することができる。   The underlayers 5a and 5b have a two-layer structure made of Ru. When forming Ru on the upper layer side, the crystal orientation can be improved by increasing the Ar gas pressure as compared to forming Ru on the lower layer side.

微細化促進層6は、貴金属の例としてのルテニウム(Ru)と、非磁性物質の例としてのSiOを含有するCoCrRuからなる硬磁性体のターゲットを用いて、1.5nmのhcp結晶構造を形成した。微細化促進層6を形成するためのターゲットの組成は、CoCr40Ruが88(mol%)、SiOが12(mol%)である(付記数字は原子%)。なお、Ruの代わりに例えばPtを用いて、CoCrPt−SiOとしてもよい。 The miniaturization promoting layer 6 has a 1.5-nm hcp crystal structure by using a hard magnetic target made of CoCrRu containing ruthenium (Ru) as an example of a noble metal and SiO 2 as an example of a nonmagnetic substance. Formed. The composition of the target for forming the miniaturization promoting layer 6 is CoCr 40 Ru of 88 (mol%) and SiO 2 of 12 (mol%) (the attached numbers are atomic%). Note that CoCrPt—SiO 2 may be used instead of Ru, for example, using Pt.

磁気記録層7は、非磁性物質の例としてのSiOを含有するCoCrPtからなる硬磁性体のターゲットを用いて、11nmのhcp結晶構造を形成した。磁気記録層7を形成するためのターゲットの組成は、CoCr10Ptが90(mol%)、SiOが10(mol%)である(付記数字は原子%)。 The magnetic recording layer 7 has an 11 nm hcp crystal structure using a hard magnetic target made of CoCrPt containing SiO 2 as an example of a non-magnetic substance. The composition of the target for forming the magnetic recording layer 7 is 90 (mol%) for CoCr 10 Pt and 10 (mol%) for SiO 2 (the attached numbers are atomic%).

すなわち、微細化促進層6中の非磁性物質の含有量をAmol%、磁気記録層7中の非磁性物質の含有量をBmol%とした場合、0.3≦A/B≦2.5となっている。このように両層における非磁性物質の含有量を同程度とすることにより、微細化促進層中の結晶粒子を基礎として磁気記録層の結晶粒子が成長しやすくなる。   That is, when the content of the nonmagnetic substance in the miniaturization promoting layer 6 is Amol% and the content of the nonmagnetic substance in the magnetic recording layer 7 is Bmol%, 0.3 ≦ A / B ≦ 2.5. It has become. Thus, by setting the content of the nonmagnetic substance in both layers to the same level, the crystal grains in the magnetic recording layer can easily grow based on the crystal grains in the miniaturization promoting layer.

なお、磁気記録層7に含まれる貴金属と、微細化促進層6に含まれる貴金属は、同じであることが好ましい。例えば磁気記録層7がCoCrPtである場合に微細化促進層6はCoCrPt−SiOであることが好ましく、磁気記録層7がCoCrRuである場合に微細化促進層6はCoCrRu−SiOであることが好ましい。これにより、磁気記録層の結晶成長の際の配向性を向上させることができる。 Note that the noble metal contained in the magnetic recording layer 7 and the noble metal contained in the miniaturization promoting layer 6 are preferably the same. For example, when the magnetic recording layer 7 is CoCrPt, the miniaturization promoting layer 6 is preferably CoCrPt—SiO 2 , and when the magnetic recording layer 7 is CoCrRu, the miniaturization promoting layer 6 is CoCrRu—SiO 2. Is preferred. Thereby, the orientation during crystal growth of the magnetic recording layer can be improved.

カップリング制御層8は、Pd(パラジウム)層により形成した。カップリング制御層8はPd層の他にPt層で形成することもできる。カップリング制御層8の膜厚は2nm以下が好ましく、さらに望ましくは0.5〜1.5nmである。   The coupling control layer 8 was formed of a Pd (palladium) layer. The coupling control layer 8 can be formed of a Pt layer in addition to the Pd layer. The thickness of the coupling control layer 8 is preferably 2 nm or less, and more preferably 0.5 to 1.5 nm.

交換エネルギー制御層9はCoBとPdとの交互積層膜からなり、低Arガスで形成した。交換エネルギー制御層9の膜厚は1〜8nmが好ましく、望ましくは3〜6nmである。   The exchange energy control layer 9 is made of an alternating laminated film of CoB and Pd, and is formed of a low Ar gas. The film thickness of the exchange energy control layer 9 is preferably 1 to 8 nm, and desirably 3 to 6 nm.

媒体保護層10は、Arに水素を30%含有させた混合ガス中で、プラズマCVD法により膜厚3.5nmの水素化カーボンからなる媒体保護層10を形成した。水素化カーボンとすることで膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録層を防護することができる。   As the medium protective layer 10, the medium protective layer 10 made of hydrogenated carbon having a film thickness of 3.5 nm was formed by a plasma CVD method in a mixed gas containing 30% hydrogen in Ar. Since the film hardness is improved by using hydrogenated carbon, the perpendicular magnetic recording layer can be more effectively protected against an impact from the magnetic head.

潤滑層11は、PFPE(パーフロロポリエーテル)をディップコート法により成膜した。潤滑層11の膜厚は約1nmである。   The lubricating layer 11 was formed by dip coating using PFPE (perfluoropolyether). The film thickness of the lubricating layer 11 is about 1 nm.

以上の製造工程により、垂直磁気記録媒体が得られた。得られた垂直磁気記録ディスクにおける微細化促進層6、磁気記録層7を透過型電子顕微鏡(TEM)を利用して詳細に分析したところ、グラニュラー構造を備えていた。具体的には、Coを含有するhcp結晶構造の結晶粒子の間に、非磁性物質からなる粒界部分が形成されていることを確認した。   Through the above manufacturing process, a perpendicular magnetic recording medium was obtained. When the miniaturization promoting layer 6 and the magnetic recording layer 7 in the obtained perpendicular magnetic recording disk were analyzed in detail using a transmission electron microscope (TEM), they had a granular structure. Specifically, it was confirmed that a grain boundary portion made of a nonmagnetic substance was formed between crystal grains having an hcp crystal structure containing Co.

ここで図2に示すように、下地層5bのRuと、微細化促進層6の結晶粒子6a(Co系合金)、および磁気記録層7の磁性粒7a(Co系合金)は、結晶学的につながっている。これは、微細化促進層6および磁気記録層7の結晶粒子6a、磁性粒7aおよび酸化珪素6b、7bは、それぞれ連続して成長するためである。   Here, as shown in FIG. 2, Ru of the underlayer 5b, crystal grains 6a (Co-based alloy) of the miniaturization promoting layer 6, and magnetic grains 7a (Co-based alloy) of the magnetic recording layer 7 are crystallographic. Connected to. This is because the crystal grain 6a, the magnetic grain 7a, and the silicon oxides 6b and 7b of the miniaturization promoting layer 6 and the magnetic recording layer 7 are continuously grown.

比較のために、微細化促進層6が貴金属を含まない場合、貴金属としてRuを含む場合、貴金属としてPtを含む場合のそれぞれについて、磁気記録層7の膜厚を9nm〜11nmまで変化させて垂直磁気記録媒体を製造した。そして得られた垂直磁気記録ディスクの静磁気特性をKerr効果を利用して逆磁区核形成磁界(Hn)を測定し、評価したものを図3に示す。   For comparison, when the miniaturization promoting layer 6 does not contain a noble metal, when Ru is included as a noble metal, and when Pt is included as a noble metal, the thickness of the magnetic recording layer 7 is varied from 9 nm to 11 nm and perpendicular. A magnetic recording medium was manufactured. FIG. 3 shows an evaluation of the magnetostatic characteristics of the obtained perpendicular magnetic recording disk by measuring the reverse domain nucleation magnetic field (Hn) using the Kerr effect.

図3に示すように、微細化促進層6に貴金属を含有させることにより、逆磁区核形成磁界(Hn)が向上する方向に約100[Oe]程度向上している。これは、磁気記録層7が形成される初期層の状態から配向性が高くなっているためと考えられる。さらに貴金属がRuである場合には磁気記録層7が厚くなるほどにHnが向上し、厚みが11nmの位置では約200[Oe]程度向上している。これはRuが備えている結晶配向性が作用しているものと考えられる。また、これらの媒体の熱安定性特性を調べたところ、Hnの変化と追従する形で出力の劣化の改善が認められた。   As shown in FIG. 3, by adding the noble metal to the miniaturization promoting layer 6, the reverse magnetic domain nucleation magnetic field (Hn) is improved by about 100 [Oe]. This is presumably because the orientation is higher than the initial layer where the magnetic recording layer 7 is formed. Further, when the precious metal is Ru, Hn is improved as the magnetic recording layer 7 is thickened, and is improved by about 200 [Oe] at a position where the thickness is 11 nm. This is considered to be due to the fact that the crystal orientation provided by Ru acts. Further, when the thermal stability characteristics of these media were examined, improvement in output deterioration was observed in a form following the change in Hn.

これらのことから、微細化促進層6に貴金属を含有させることにより、逆磁区核形成磁界(Hn)を向上し、同時に熱安定性を向上させることができる。従ってさらなる磁性粒子の微細化を図ることができ、記録密度を向上させることが可能となる。   From these facts, the inclusion of a noble metal in the miniaturization promoting layer 6 can improve the reverse domain nucleation magnetic field (Hn) and at the same time improve the thermal stability. Therefore, the magnetic particles can be further miniaturized and the recording density can be improved.

なお、図示しないが、磁気記録層の厚さが15nmよりも厚くなると、逆磁区核形成磁界(Hn)が低下してしまう。これは結晶粒子が粗大化するために磁化回転モードが非一斉回転となるためである。従って磁気記録層の厚さは、15nm以下であることが好ましい。   Although not shown, when the magnetic recording layer is thicker than 15 nm, the reverse domain nucleation magnetic field (Hn) is lowered. This is because the magnetization rotation mode becomes non-simultaneous rotation because the crystal grains become coarse. Therefore, the thickness of the magnetic recording layer is preferably 15 nm or less.

また、上記実施例において非磁性物質は酸化珪素(SiO)として説明したが、磁性粒(磁性グレイン)間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト(Co)と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素(SiOx)、クロム(Cr)、酸化クロム(CrO)、酸化チタン(TiO)、酸化ジルコン(ZrO)を例示できる。 In the above embodiments, the nonmagnetic substance is described as silicon oxide (SiO 2 ), but the grain boundary around the magnetic grains is so controlled that the exchange interaction between the magnetic grains (magnetic grains) is suppressed or blocked. Any nonmagnetic substance that can form a part and does not dissolve in cobalt (Co) may be used. Examples thereof include silicon oxide (SiOx), chromium (Cr), chromium oxide (CrO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), and zircon oxide (ZrO 2 ).

本発明は、垂直磁気記録方式のHDD(ハードディスクドライブ)などに搭載される垂直磁気記録媒体及びその製造方法として利用することができる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used as a perpendicular magnetic recording medium mounted on a perpendicular magnetic recording type HDD (hard disk drive) or the like and a manufacturing method thereof.

実施例に係る垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。It is a figure explaining the structure of the perpendicular magnetic recording medium based on an Example. 磁気記録層近傍を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the magnetic recording layer vicinity. 磁気記録層の厚みを変えた場合の逆磁区核形成磁界(Hn)の変化を示す図である。It is a figure which shows the change of a reverse domain nucleation magnetic field (Hn) at the time of changing the thickness of a magnetic-recording layer.

符号の説明Explanation of symbols

1 …ディスク基体
10 …媒体保護層
11 …潤滑層
2 …付着層
3 …軟磁性層
4 …配向制御層
5a、5b …下地層
6 …微細化促進層
6a …結晶粒子
6b …酸化珪素
7 …磁気記録層
7a …磁性粒
7b …酸化珪素
8 …カップリング制御層
9 …交換エネルギー制御層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Disk base | substrate 10 ... Medium protective layer 11 ... Lubrication layer 2 ... Adhesion layer 3 ... Soft magnetic layer 4 ... Orientation control layer 5a, 5b ... Underlayer 6 ... Refinement | miniaturization promotion layer 6a ... Crystal grain 6b ... Silicon oxide 7 ... Magnetic Recording layer 7a ... Magnetic grain 7b ... Silicon oxide 8 ... Coupling control layer 9 ... Exchange energy control layer

Claims (10)

基体上に少なくとも下地層、微細化促進層、磁気記録層をこの順に備える垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、
前記微細化促進層はコバルト(Co)、クロム(Cr)および少なくとも1つの貴金属元素を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の非磁性層であり、
前記磁気記録層は少なくともコバルト(Co)を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の強磁性層であることを特徴とする垂直磁気記録ディスク。
A magnetic disk used for perpendicular magnetic recording comprising at least an underlayer, a miniaturization promoting layer, and a magnetic recording layer in this order on a substrate,
The miniaturization promoting layer is a non-magnetic layer having a granular structure including a non-magnetic substance between crystal grains containing cobalt (Co), chromium (Cr) and at least one noble metal element,
2. The perpendicular magnetic recording disk according to claim 1, wherein the magnetic recording layer is a ferromagnetic layer having a granular structure including a nonmagnetic substance between crystal grains containing at least cobalt (Co).
前記貴金属元素とは、プラチナ(Pt)、パラジウム(Pd)、またはルテニウム(Ru)の中から選択される1または複数の元素であることを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録ディスク。   2. The perpendicular magnetic recording disk according to claim 1, wherein the noble metal element is one or more elements selected from platinum (Pt), palladium (Pd), and ruthenium (Ru). 前記磁気記録層の厚さが15nm以下であることを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録ディスク。   2. The perpendicular magnetic recording disk according to claim 1, wherein the thickness of the magnetic recording layer is 15 nm or less. 前記微細化促進層中の非磁性物質の含有量は、5mol%〜20mol%であることを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録ディスク。   2. The perpendicular magnetic recording disk according to claim 1, wherein the content of the nonmagnetic material in the miniaturization promoting layer is 5 mol% to 20 mol%. 前記磁気記録層中の非磁性物質の含有量は、8mol%〜16mol%であることを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録ディスク。   2. The perpendicular magnetic recording disk according to claim 1, wherein the content of the nonmagnetic material in the magnetic recording layer is 8 mol% to 16 mol%. 前記微細化促進層中の非磁性物質の含有量をAmol%、前記磁気記録層中の非磁性物質の含有量をBmol%とした場合、0.3≦A/B≦2.5であることを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録ディスク。   When the content of the nonmagnetic substance in the miniaturization promoting layer is Amol% and the content of the nonmagnetic substance in the magnetic recording layer is Bmol%, 0.3 ≦ A / B ≦ 2.5. The perpendicular magnetic recording disk according to claim 1. 前記基体と前記下地層との間に、アモルファスもしくはfcc構造を有する配向制御層を備えることを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録ディスク。   2. The perpendicular magnetic recording disk according to claim 1, further comprising an orientation control layer having an amorphous or fcc structure between the base and the underlayer. 前記基体と前記下地層との間に、アモルファスの軟磁性層を備えることを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録ディスク。   2. The perpendicular magnetic recording disk according to claim 1, further comprising an amorphous soft magnetic layer between the base and the underlayer. 前記基体はアモルファスガラスであることを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録ディスク。   2. The perpendicular magnetic recording disk according to claim 1, wherein the substrate is made of amorphous glass. 基体上に少なくとも下地層、微細化促進層、及び磁気記録層をこの順に備える垂直磁気記録に用いる磁気ディスクの製造方法であって、
前記微細化促進層としてコバルト(Co)、クロム(Cr)および少なくとも1つの貴金属元素を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の非磁性層を形成し、
前記磁気記録層として少なくともコバルト(Co)を含有する結晶粒子の間に非磁性物質を含むグラニュラー構造の強磁性層を形成することを特徴とする垂直磁気記録ディスクの製造方法。
A method of manufacturing a magnetic disk used for perpendicular magnetic recording comprising at least an underlayer, a miniaturization promoting layer, and a magnetic recording layer in this order on a substrate,
Forming a nonmagnetic layer having a granular structure including a nonmagnetic material between crystal grains containing cobalt (Co), chromium (Cr) and at least one noble metal element as the miniaturization promoting layer;
A method of manufacturing a perpendicular magnetic recording disk, comprising forming a ferromagnetic layer having a granular structure including a nonmagnetic substance between crystal grains containing at least cobalt (Co) as the magnetic recording layer.
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