JP2007271619A - イオン物質のサイズ及び濃度を同時に検出する方法及び装置 - Google Patents

イオン物質のサイズ及び濃度を同時に検出する方法及び装置 Download PDF

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Abstract

【課題】イオン物質のサイズ及び濃度を同時に検出する方法及び装置を提供する。
【解決手段】異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーをそれぞれ利用して、サイズ及び濃度が既知の3種類以上のイオン物質の電圧降下値を測定する段階と、前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーのそれぞれに対して、前記3種類以上のイオン物質についての既知のサイズ、濃度、及び測定された前記電圧降下値から、サイズ、濃度及び電圧降下値を含む3次元プロット中に3点以上を決定する段階と、決定された前記3点以上を単一の平面に近似する段階と、未知のイオン物質の前記電圧降下値を利用して、前記平面上に存在する等電圧線を決定する段階と、決定された2以上の前記等電圧線の間の交差点を決定する段階と、を含む、イオン物質のサイズ及び濃度の検出方法である。
【選択図】図1

Description

本発明は、イオン物質のサイズ及び濃度を同時に検出する方法、並びにイオン物質のサイズ及び濃度を同時に検出する装置に関する。
電気的な信号を利用してイオン物質、特に生分子を検出するセンサーのうち、トランジスタを含む構造を有するトランジスタ基盤のバイオセンサーがある。これは、半導体工程を利用して製造されるものであって、電気的な信号の転換が速いという長所があるため、これまで上記バイオセンサーについて多くの研究が行われてきた。
電界効果トランジスタ(Field Effect Transitor:以下、FETと称する)を使用して、生物学的な反応を測定する最初の特許文献として、特許文献1がある。これは、抗原−抗体反応について表面電荷密度の変化に起因する半導体反転層の変化を電流で測定するバイオセンサーに係り、生分子のうち蛋白質に関する。
このようなFETをバイオセンサーとして使用する場合には、従来の方式に比べてコスト及び時間があまりかからず、IC(Integrated Circuit)/MEMS工程との組み合わせが容易であるという点で大きな長所を有している。
前記FET基盤のバイオセンサーのゲート電極の表面に、プローブ生分子が固定されていても固定されていなくてもよい。FET基盤のバイオセンサーを利用した生分子の検出方法は、前記プローブ生分子が固定されているか、または固定されていないゲート電極の表面に標的生分子が結合することによる電流または電圧の変化の測定によって行われうる。他の方法として、プローブ生分子が固定されていないゲート電極の一定距離内に標的生分子が存在することによる電流または電圧の変化の測定によって行われてもよい。
米国特許第4,238,757号明細書
しかし、従来のFET基盤のバイオセンサーを利用して標的イオン物質を検出しようとする場合、電圧または電流の変化による不特定イオン物質の濃度は分かるが、前記電圧または電流の変化が前記標的イオン物質に起因するものか否かは不明であるという問題点がある。
例えば、理想的に言えば、予め特定のPCRが行われるように、プライマーを適切に選定し、かつアッセイ条件を的確に設定すれば、バンドの有無のみで標的核酸の有無を高い信頼度で確認できる。しかし、実際に未知のサンプルを利用してPCRを行う場合、前記のような最適ではない次善の条件下で得られる反応物(副産物)が検出されて、エラーが頻発する。
従って、前記のようなエラーの有無を判断するためには、イオン物質の濃度と同時にイオン物質のサイズ、例えば核酸の長さを測定する必要がある。
前記問題点を解決するために、本発明の目的は、イオン物質のサイズ及び濃度を同時に検出できる方法を提供することである。
本発明の他の目的は、イオン物質のサイズ及び濃度を同時に検出できる装置を提供することである。
本発明の目的を解決するために、本発明は、異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーをそれぞれ利用して、サイズ及び濃度が既知の3種類以上のイオン物質の電圧降下値を測定する段階と、前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーのそれぞれに対して、前記3種類以上のイオン物質についての既知のサイズ、濃度、及び測定された前記電圧降下値から、サイズ、濃度及び電圧降下値を含む3次元プロット中に3点以上を決定する段階と、前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーのそれぞれに対して、決定された前記3点以上を単一の平面に近似する段階と、前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーのそれぞれを利用して、サイズ及び濃度が未知のイオン物質の電圧降下値を測定する段階と、前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーのそれぞれに対して、未知のイオン物質の前記電圧降下値を利用して、前記平面上に存在する等電圧線を決定する段階と、決定された2以上の前記等電圧線の間の交差点を決定する段階と、を含む、イオン物質のサイズ及び濃度の検出方法を提供する。
本発明の他の目的を解決するために、本発明は、異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーを備える、電圧降下測定部と、イオン物質についての既知のサイズ、濃度、及び前記電圧降下測定部で測定された電圧降下値から、サイズ、濃度及び電圧降下を含む3次元プロット中で点を決定する、点決定部と、前記点決定部で決定された3点以上を単一の平面に近似する、平面近似化部と、サイズ及び濃度が未知のイオン物質について、前記電圧降下測定部で測定された電圧降下値を利用して、前記平面近似化部で近似される平面上に存在する等電圧線を決定する等電圧線決定部と、前記等電圧線決定部で決定された2以上の前記等電圧線の間の交差点を決定する交差点決定部と、を備える、イオン物質のサイズ及び濃度の検出装置を提供する。
本発明によれば、核酸などのイオン物質の濃度とサイズとを同時に測定できる。従って、FET基盤のバイオセンサーを利用して標的イオン物質を検出しようとする場合、電圧または電流の変化によるイオン物質の濃度が分かるだけでなく、電圧または電流の変化が前記標的イオン物質に起因することについての信頼性が高くなる。
以下、添付した図面を参照しつつ、本発明を更に詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る、イオン物質のサイズ及び濃度の検出方法を示すフローチャートである。
図1に示すように、まず、異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーをそれぞれ利用して、サイズ及び濃度が既知の3種類以上のイオン物質の電圧降下値を測定する(段階11)。
前記電圧降下値の測定(段階11)は、前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーを備えるチャンバに、前記3種類以上のイオン物質を含有する溶液を流入させることによって行われうる。
前記イオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーの異なる電気的特性は、センサーの表面物質、センサーの構造またはセンサーのサイズの差異により得られうる。前記センサーの構造の差異は、同じセンサーを製造する工程上発生する微細な構造の差異でありうる。
また、前記イオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーは、それぞれ同じ電気的特性を有する複数のFET基盤のセンサーを含んでもよい。この場合、前記電圧降下値の測定は、前記同じ電気的特性を有する複数のFET基盤のセンサーを利用して測定した電圧降下値を平均化することによって行われうる。
上記のFETは、従来のバイオセンサーまたはCMOS素子に使用されている任意のFETであってもよく、n−MOS及びp−MOSのどちらも可能である。例えば、前記基板がn型にドーピングされた場合、前記ソース及びドレインは、それぞれp型にドーピングされ、逆に、前記基板がp型にドーピングされた場合、前記ソース及びドレインは、それぞれn型にドーピングされうる。
本発明において、前記イオン物質は、特に限定されることはなく、例えば、イオン原子、イオン分子であり、前記イオン分子の例として、生分子などが挙げられる。イオン性モノマーからなる生体高分子、特にDNA及びRNAのような核酸が、そのサイズ、長さ及び質量に比例した負の電荷を有するという理由から、前記イオン物質は生分子であることが好ましい。前記生分子は、DNA、RNA、PNA、LNA及びその混成体からなる群から選択される核酸であるか、または酵素、基質、抗原、抗体、リガンド、アプタマー及び受容体からなる群から選択される蛋白質でありうる。
前記イオン物質のサイズは、前記イオン物質の電荷または長さでありうる。具体的には、前記イオン物質がイオン原子である場合、前記イオン物質のサイズは前記イオン原子の電荷とみなされ、また、前記イオン物質が核酸である場合、前記イオン物質のサイズは前記核酸の長さとみなされる。
次いで、図1に示すように、前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーのそれぞれに対して、前記3種類以上のイオン物質についての既知のサイズ、濃度、及び測定された前記電圧降下値から、サイズ、濃度及び電圧降下値を含む3次元プロット中に3点以上を決定する(段階12)。
前記3次元プロットは、例えば、サイズをx軸とし、濃度をy軸とし、及び電圧降下をz軸として構成されうる。前記3点以上を決定する段階(段階12)は、まず、サイズ及び濃度が既知の1種類のイオン物質を利用して電圧降下値を測定し、前記サイズ、濃度及び電圧降下値を前記3次元プロット中に表示する。次いで、前記方法と同様に、残りの2種類以上のイオン物質についての点も前記3次元プロット中に表示する。
次いで、前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーのそれぞれに対して、決定された前記3点以上を単一の平面に近似する(段階13)。
上記の平面近似段階(段階13)は、当業界で知られているあらゆる平面近似に関する統計方法を含み、特定の方法に限定されるものではない。
例えば、3点を利用して単一の平面に近似する場合、前記平面近似段階は、下記の数式1の定数a、b及びcを求めることを含みうる。すなわち、x、y及びzの3つの変数から構成される数式1が得られる。
Figure 2007271619
前記数式1で、xはイオン物質のサイズ(単位:m)、yは濃度値(単位:M)、及びzは電圧降下値(単位:V)を表す。
次いで、前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーのそれぞれを利用して、サイズ及び濃度が未知のイオン物質の電圧降下値を測定する(段階14)。
前記イオン物質の電圧降下値の測定(段階14)は、前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーを備えるチャンバに、前記イオン物質を含有する溶液を流入させることによって行われうる。
また、前記イオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーは、それぞれ同じ電気的特性を有する複数のFET基盤のセンサーを含んでもよい。この場合、前記イオン物質の電圧降下値の測定は、前記同じ電気的特性を有する複数のFET基盤のセンサーを利用して測定した電圧降下値を平均化することによって行われうる。
次いで、前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーのそれぞれに対して、未知のイオン物質の前記電圧降下値を利用して、前記平面上に存在する等電圧線を決定する(段階15)。
例えば、上記で3点を利用して単一の平面に近似する場合、前記等電圧線の決定段階(段階15)は、z、すなわち測定された前記未知のイオン物質の電圧降下値を前記数式1に代入することによって行われうる。これにより、x及びyの二つの変数から構成される数式が得られる。
次いで、決定された2以上の前記等電圧線の間の交差点を決定する(段階16)。
図2は、前記等電圧線同士の間の交差点を決定する過程を概念的に示すグラフである。
図2に示すように、DNAのサイズ(bp)を示すx軸及びDNAの濃度を示すy軸からなる2次元平面上に等電圧線が示される。FET Aの場合、15、20、25、30及び35mVの等電圧線が示されており、FET Bの場合、12、14、16、18、20及び22mVの等電圧線が示されている。もし、それぞれ異なる電気的特性を有するイオン物質検出用のFET A及びFET Bについて、長さ及び濃度が未知のDNAの電圧降下値がそれぞれ30mV及び18mVであるならば、前記結果を利用して2本の等電圧線が得られ、それらの交差点が決定する。前記交差点のx値及びy値が、それぞれ前記未知のDNAの長さ(bp)及び濃度である。
前記等電圧線同士の間の交差点の決定段階(段階16)は、3本以上の等電圧線が存在する場合、前記3本以上の等電圧線のうち2本ずつ、等電圧線間の交差点をそれぞれ求め、前記交差点の平均値(平均の点)を求めることによって行われうる。
図3は、本発明の他の実施形態に係るイオン物質のサイズ及び濃度の検出装置の構成を概略的に示すブロック図である。
図3に示すように、本発明に係る装置は、電圧降下測定部31、点決定部32、平面近似化部33、等電圧線決定部34及び交差点決定部35を備える。
前記電圧降下測定部31は、異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーを備え、イオン物質の電圧降下値を測定する。
また、前記電圧降下測定部31は、異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーを単一のチャンバ内に備えうる。
前記イオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーの異なる電気的特性は、センサーの表面物質、センサーの構造またはセンサーのサイズの差異により得られる。前記センサーの構造の差は、同じセンサーを製造する工程上発生する微細な構造の差異でありうる。
また、前記イオン物質検出用の2以上のFET基盤のセンサーは、それぞれ同じ電気的特性を有する複数のFET基盤のセンサーを含んでもよい。
前記FETは、従来のバイオセンサーまたはCMOS素子に使用されている任意のFETであり、n−MOS及びp−MOSのどちらも可能である。例えば、前記基板がn型にドーピングされた場合、前記ソース及びドレインは、それぞれp型にドーピングされ、逆に、前記基板がp型にドーピングされた場合、前記ソース及びドレインは、それぞれn型にドーピングされうる。
前記各FETは、基板、前記基板の両側に形成されて前記基板と反対の極性にそれぞれドーピングされたソース及びドレイン、並びに基板上に形成されて前記ソース及びドレインと接触しするゲートを備えうる。前記ソースは、キャリア、例えば自由電子または正孔を供給し、前記ドレインは、前記ソースから供給されたキャリアが到達する部位であり、前記ゲートは、前記ソースとドレインとの間のキャリアの流れを制御する役割を行う。前記FETは、電解質内で生分子のようなイオン物質の検出時に最も好まれるセンサー形態であって、前記イオン物質の有無を標識することなく(label−free)検出できる。
前記FETを備えるチャンバは、溶液が流入及び流出される流入口及び流出口を更に備えてもよく、溶液を流入及び流出させるためのマイクロポンプを更に備えてもよい。
本発明において、前記イオン物質は、特に限定されることはなく、例えば、イオン原子、イオン分子でありうる。前記イオン分子の例として、生分子などが挙げられる。イオン性モノマーからなる生体高分子、特にDNA及びRNAのような核酸が、そのサイズ、長さ及び質量に比例した負の電荷を有するという理由から、前記イオン物質は生分子であることが好ましい。前記生分子は、DNA、RNA、PNA、LNA及びその混成体からなる群から選択される核酸であるか、または酵素、基質、抗原、抗体、リガンド、アプタマー及び受容体からなる群から選択される蛋白質でありうる。
前記イオン物質のサイズは、前記イオン物質の電荷または長さでありうる。具体的には、前記イオン物質がイオン原子である場合、前記イオン物質のサイズは前記イオン原子の電荷とみなされ、また、前記イオン物質が核酸である場合、前記イオン物質のサイズは前記核酸の長さとみなされる。
図4は、図3の電圧降下測定部に備えられたFET基盤のセンサーの一実施形態を概略的に示す側方断面図である。図4に示すように、異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2つのFET基盤のセンサー42、43が、単一のチャンバ41内に備えられている。イオン物質を含有するサンプル溶液は、矢印方向に流動しうる。
図5は、図3の電圧降下測定部に備えられたFET基盤のセンサーの他の実施形態を概略的に示す側方断面図である。図5に示すように、異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の3つのFET基盤のセンサー52、53、54が、単一のチャンバ51内に備えられている。
図6は、図3の電圧降下測定部に備えられたFET基盤のセンサーの他の実施形態を概略的に示す、上方から見た平面図である。図6に示すように、複数のFET基盤のセンサーAグループ(A1、A2、A3、・・・、Am)、Bグループ(B1、B2、B3、・・・、Bm)、Cグループ(C1、C2、C3、・・・、Cm)などが単一のチャンバ61内に備えられている。前記各グループのFETは、同じグループ間のFET同士では同じ電気的特性を表すが、他のグループのFETとは異なる電気的特性を表す。
図3における前記点決定部32は、イオン物質についての既知のサイズ、濃度、及び前記電圧降下測定部で測定された電圧降下値から、サイズ、濃度及び電圧降下を含む3次元プロット中で点を決定する。
図3における前記平面近似化部33は、前記点決定部で決定された3点以上を単一の平面に近似する。
前記平面近似化部33は、3点を利用して下記の数式1の定数a、b及びcを求める過程を行える。
Figure 2007271619
前記数式1で、xはイオン物質のサイズ(単位:m)、yは濃度(単位:M)、及びzは電圧降下値(単位:V)を表す。
前記等電圧線決定部34は、サイズ及び濃度が未知のイオン物質について、前記電圧降下測定部31で測定された電圧降下値を利用して、前記平面近似化部33で近似される平面上に存在する等電圧線を決定することができる。
図3における前記等電圧線決定部34は、測定された前記未知のイオン物質の電圧降下値を前記数式1に代入する過程を行える。
前記交差点決定部35は、前記等電圧線決定部で決定された2つ以上の等電圧線間の交差点を決定することができる。
前記交差点決定部35は、3本以上の等電圧線が存在する場合、測定された前記3本以上の等電圧線のうち2本ずつの等電圧線の間の交差点をそれぞれ求め、前記交差点等の平均値(平均の点)を求めることができる。
以下、本発明に関して、実施例を通じて更に詳細に説明する。しかし、これらの実施例は、本発明を例示的に説明するためのものであって、本発明の技術的範囲がこれらの実施例に限定されるものではない。
<FET基盤のバイオセンサーの製造>
後述の実施例で使用するFET素子は、X−FAB Semiconductor Foundries(ドイツ)社製であり、以下のFET素子名は一般名ではなくモデル名である。前記製品は、構造及び電気的特性が互いに同じになるように設計された、48個(4×12)のFL FETが配列されているアレイ、及び構造及び電気的特性が互いに同じになるように設計された、192個(12×16)のNMOS FETが配列されているアレイである。しかし、前記NMOS FETの構造及び電気的特性は、前記FL FETのものとは異なる。前記製品は、X−FAB Semiconductor Foundries社の設備を利用して製造し、前記メーカーに固有のCMOS工程を使用した。CMOS標準工程は、メーカーによって若干の差があるが、その差は、FET素子特性に大きな影響を及ぼす因子ではなく、前記メーカーの標準工程は、本発明にも何ら影響しないので省略した。
前記アレイの各FETのパッシベーション層及びゲート電極層を除去して、ポリシリコン層を外部に露出させた。次いで、露出したポリシリコン層を備えるFETの表面を注意深く洗浄した。洗浄は、純粋アセトン及び水を利用して行い、洗浄後に乾燥した。前記基板洗浄の過程は、半導体製造工程で利用されるウェットステーションを利用した。洗浄終了後、スピンドライを利用して乾燥した。
前記アレイ基板上にチャンバ側壁を設置し、基準電極として白金がコーティングされた上部基板を設置して、12個のFL FET及び36個のNMOS FETを備えるチャンバA、12個のFL FETを備えるチャンバB、並びに36個のNMOS FETを備えるチャンバCをそれぞれ製造した。
<本発明に係る方法を利用したDNAの長さ及び濃度の検出>
前記FET基盤のバイオセンサーの製造段階で製造したチャンバA、チャンバB及びチャンバCをそれぞれ利用して、任意の標的DNAの長さ及び濃度を的確に測定できるか否かを確認した。
前記標的DNAとして、12ng/μlの濃度及び249bpの長さを有するDNAを使用した。
<実施例1:2つの異なるFETグループの利用>
チャンバAに備えられた12個のFL FETを一つのグループとして、及び36個のNMOS FETを他の一つのグループとして、図1に示す方法を行った。
すなわち、前記各グループに対して、既に長さ及び濃度が既知の3種類のDNAの電圧降下値を測定した。次いで、12個のFL FETグループについて測定した各DNAの電圧降下値を平均化し、36個のNMOS FETグループについて測定した各DNAの電圧降下値を平均化した。
その後、前記FL FETグループに対して、長さ(x)、濃度(y)及び電圧降下(z)からなる3次元プロット中に3点を決定し、それから単一の平面に近似した。具体的には、前記3種類のDNAの既知の長さ及び濃度がそれぞれx1及びy1、x2及びy2、並びにx3及びy3であり、測定された電圧降下値がそれぞれz1、z2及びz3である場合、3つの数式、すなわち、
Figure 2007271619
を連立して解いて前記a、b及びcを決定し、平面式(plane equation):
Figure 2007271619
を得た。
同様に、前記NMOS FETグループに対しても同じ方法により、他の平面式:
Figure 2007271619
を得た。
以後、前記各グループに対して、長さ及び濃度を検出しようとする標的DNAの電圧降下値を測定及び平均化することによりz4及びz5を得て、それを前記平面式に代入して2つの等電圧線式:
Figure 2007271619
を得た。これらを連立して解いて、1の交差点のx値及びy値を得て、標的DNAの長さ及び濃度を求めた。
前記結果を表1に表した。
<実施例2:12個のFETの利用>
チャンバBに備えられた12個のFL FETが、それぞれ製造工程に由来する微細な電気的特性の差異を有すると推定し、それぞれを異なるFETとしたことを除いては、前記実施例1と同様の方法で行った。
その結果、12個の等電圧線及び12×11個の交差点を得たので、前記交差点のx値及びy値をそれぞれ平均して標的DNAの長さ及び濃度を求めた。前記結果を表1に表した。
<実施例3:36個のFETの利用>
チャンバCに備えられた36個のNMOS FETが、それぞれ製造工程に由来する微細な電気的特性の差異を有すると推定し、それぞれを異なるFETとしたことを除いては、前記実施例1と同様の方法で行った。
その結果、36個の等電圧線及び36×35個の交差点を得たので、前記交差点のx値及びy値をそれぞれ平均して標的DNAの長さ及び濃度を求めた。前記結果を表1に表した。
<実施例4:48個のFETの利用>
チャンバAに備えられた12個のFL FET及び36個のNMOS FETが、それぞれ製造工程に由来する微細な電気的特性の差異を有すると推定し、それぞれを異なるFETとしたことを除いては、前記実施例1と同様の方法で行った。
その結果、48個の等電圧線及び48×47個の交差点を得たので、前記交差点のx値及びy値をそれぞれ平均して標的DNAの長さ及び濃度を求めた。前記結果を表1に表した。
Figure 2007271619
表1に表すように、同じ電気的特性を有するFETを製造する工程上、微細な電気的特性の差異があると推定して本発明を行う場合、結果が比較的良好ではなかった。一方、電気的特性の異なるFETを利用して本発明を行う場合、比較的良好な結果が得られた。そして、電気的特性の異なるFETを利用するとともに、微細な電気的特性の差異があると推定して本発明を行った場合に(実施例4)、最も良好な結果が得られた。このようにして、本発明の方法の正確性は、特定の条件(使用するFETの種類や数など)によって変化しうるものである。
本発明の方法の全体または一部を、コンピューターで読み取り可能な記録媒体にコンピューターで読み取り可能なコードとして使用することが可能である。コンピューターで読み取り可能な記録媒体は、コンピュータシステムによって読み取られたデータが保存されるあらゆる種類の記録装置を含む。コンピューターで読み取り可能な記録媒体の例としては、ROM、RAM、CD−ROM、磁気テープ、フレキシブルディスク及び光データ記録装置などがあり、またキャリアウエーブ(例えば、インターネットを介した伝送)の形態で使用されるものも含む。
以上、本発明について幾つかの実施例を中心に説明した。当業者は、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で変形した形態を実施できるということが理解できるであろう。したがって、開示された実施例は、限定的な観点ではなく、例示的な観点で考慮されねばならない。本発明の技術的範囲は、明細書ではなく、特許請求の範囲にのみ示されており、それと均等な範囲内にあるあらゆる差異点は、本発明に含まれるものと解釈されねばならない。
本発明は、イオン物質を検出する技術分野に好適に使用されうる。
本発明の一実施形態に係る、イオン物質のサイズ及び濃度の検出方法を示すフローチャートである。 図1の等電圧線同士の間の交差点を決定する過程を概念的に示すグラフである。 本発明の他の実施形態に係るイオン物質のサイズ及び濃度の検出装置の構成を概略的に示すブロック図である。 図3の電圧降下測定部に備えられたFET基盤のセンサーの一実施形態を概略的に示す側方断面図である。 図3の電圧降下測定部に備えられたFET基盤のセンサーの他の実施形態を概略的に示す側方断面図である。 図3の電圧降下測定部に備えられたFET基盤のセンサーの他の実施形態を概略的に示す、上方から見た平面図である。
符号の説明
11 電圧降下値の測定段階、
12 3次元プロット中に3点以上を決定する段階、
13 平面近似段階、
14 イオン物質の電圧降下値の測定段階、
15 等電圧線の決定段階、
16 等電圧線同士の間の交差点の決定段階、
31 電圧降下測定部、
32 点決定部、
33 平面近似化部、
34 等電圧線決定部、
35 交差点決定部、
41、51、61 チャンバ、
42、43、52、53、54 イオン物質検出用のFET基盤のセンサー。

Claims (20)

  1. 異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーをそれぞれ利用して、サイズ及び濃度が既知の3種類以上のイオン物質の電圧降下値を測定する段階と、
    前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーのそれぞれに対して、前記3種類以上のイオン物質についての既知のサイズ、濃度、及び測定された前記電圧降下値から、サイズ、濃度及び電圧降下値を含む3次元プロット中に3点以上を決定する段階と、
    前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーのそれぞれに対して、決定された前記3点以上を単一の平面に近似する段階と、
    前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーのそれぞれを利用して、サイズ及び濃度が未知のイオン物質の電圧降下値を測定する段階と、
    前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーのそれぞれに対して、未知のイオン物質の前記電圧降下値を利用して、前記平面上に存在する等電圧線を決定する段階と、
    決定された2以上の前記等電圧線の間の交差点を決定する段階と、
    を含む、イオン物質のサイズ及び濃度の検出方法。
  2. 前記電圧降下値の測定は、前記異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーを備えるチャンバに、前記3種類以上のイオン物質を含有する溶液を流入させることによって行われる、請求項1に記載の方法。
  3. 前記イオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーの異なる電気的特性は、センサーの表面物質、センサーの構造またはセンサーのサイズの差異により得られる、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記イオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーが、それぞれ同じ電気的特性を有する複数の電界効果トランジスタ基盤のセンサーを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 前記電圧降下値の測定は、前記同じ電気的特性を有する複数の電界効果トランジスタ基盤のセンサーを利用して測定した電圧降下値を平均化することを含む、請求項4に記載の方法。
  6. 前記イオン物質のサイズは、前記イオン物質の電荷または長さである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 前記単一の平面に近似する段階は、3つの点を利用して下記の数式1の定数a、b及びcを求めることを含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法:
    Figure 2007271619
    前記数式1で、xはイオン物質のサイズ(m)、yは濃度値(M)、及びzは電圧降下値(V)を表す。
  8. 前記等電圧線を決定する段階は、測定された前記未知のイオン物質の電圧降下値を前記数式1に代入することを含む、請求項7に記載の方法。
  9. 前記等電圧線の間の交差点を決定する段階は、3本以上の前記等電圧線のうち2本ずつの等電圧線の間の交差点をそれぞれ求め、前記交差点の平均値を求める、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
  10. 前記イオン物質は、生分子である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
  11. 前記生分子は、核酸または蛋白質である、請求項10に記載の方法。
  12. 異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーを備える、電圧降下測定部と、
    イオン物質についての既知のサイズ、濃度、及び前記電圧降下測定部で測定された電圧降下値から、サイズ、濃度及び電圧降下を含む3次元プロット中で点を決定する、点決定部と、
    前記点決定部で決定された3点以上を単一の平面に近似する、平面近似化部と、
    サイズ及び濃度が未知のイオン物質について、前記電圧降下測定部で測定された電圧降下値を利用して、前記平面近似化部で近似される平面上に存在する等電圧線を決定する等電圧線決定部と、
    前記等電圧線決定部で決定された2以上の前記等電圧線の間の交差点を決定する交差点決定部と、を備える、イオン物質のサイズ及び濃度の検出装置。
  13. 前記電圧降下測定部は、異なる電気的特性を有するイオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーを単一のチャンバ内に備える、請求項12に記載の装置。
  14. 前記イオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーの異なる電気的特性は、センサーの表面物質、センサーの構造またはセンサーのサイズの差異により得られる、請求項12または13に記載の装置。
  15. 前記イオン物質検出用の2以上の電界効果トランジスタ基盤のセンサーが、それぞれ同じ電気的特性を有する複数の電界効果トランジスタ基盤のセンサーを含む、請求項12〜14のいずれか1項に記載の装置。
  16. 前記イオン物質のサイズは、イオン物質の電荷または長さである、請求項12〜15のいずれか1項に記載の装置。
  17. 前記平面近似化部は、3点を利用して下記の数式1の定数a、b及びcを求める、請求項12〜16のいずれか1項に記載の装置:
    Figure 2007271619
    前記数式1で、xはイオン物質のサイズ(m)、yは濃度(M)、及びzは電圧降下値(V)を表す。
  18. 前記等電圧線決定部は、測定された前記未知のイオン物質の電圧降下値を前記数式1に代入する、請求項17に記載の装置。
  19. 前記交差点決定部は、3本以上の等電圧線が存在する場合、測定された前記3本以上の等電圧線のうち2本ずつの等電圧線の間の交差点をそれぞれ求め、前記交差点の平均値を求める、請求項12〜18のいずれか1項に記載の装置。
  20. 前記イオン物質は、生分子である、請求項12〜19のいずれか1項に記載の装置。
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