JP2007269867A - Manufacturing method for structure body - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、構造体の製造方法に係り、特に、ブロックポリマーを用いてナノ構造を形成したラメラ構造及びシリンダー構造を有する構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a structure, and more particularly to a method for manufacturing a structure having a lamellar structure and a cylinder structure in which a nanostructure is formed using a block polymer.
従来より、ナノシリンダー構造（以下、ナノシリンダー構造とは、ほぼ同径のシリンダーがほぼ等間隔で配列している構造のことをいう）やラメラ構造（以下、ラメラ構造とは、ほぼ同厚の構造がほぼ等間隔で配列している構造のことをいう）を形成する系として、ブロックポリマー系や相分離薄膜系が知られている。こうしたナノ構造体は、多方面にわたる各種デバイスへの応用が期待されている。各種デバイスへの応用には、構造特性が均一で規則的に配置したものが望ましい。 Conventionally, a nano-cylinder structure (hereinafter referred to as a nano-cylinder structure refers to a structure in which cylinders having substantially the same diameter are arranged at approximately equal intervals) or a lamellar structure (hereinafter referred to as a lamellar structure is substantially the same thickness). A block polymer system and a phase separation thin film system are known as systems that form a structure in which the structures are arranged at almost equal intervals. Such nanostructures are expected to be applied to various devices. For application to various devices, it is desirable that the structural characteristics are uniform and regularly arranged.
このような構造を形成する方法として、特許文献１は、ブロックポリマーを用いてかなりの規則性をもったナノオーダーのパターンを形成する方法を開示する。この文献で開示する方法では、ナノシリンダーを規則的に配向させるために、基板上にブロックポリマーを配置して得た構造を利用している。しかしながら、このような方法によると、広範囲にわたり斯かる構造を形成するためには、基板上の構造が制約される。また、製造コストの増加が避けられないという問題が生じる。
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、基板上の複雑な構造物を必要とせず、効率よく配向された構造体の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an efficiently oriented structure without requiring a complicated structure on a substrate.
本発明による構造体の製造方法は、複数のセグメントからなり該複数のセグメントのそれぞれのセグメントの誘電率と透磁率とが異なるブロックポリマーに、互いに直交する電場と磁場とを印加する工程を有することを特徴とする。 The structure manufacturing method according to the present invention includes a step of applying an electric field and a magnetic field orthogonal to each other to a block polymer composed of a plurality of segments and having different permittivity and permeability of each of the plurality of segments. It is characterized by.
また、本発明による構造体の製造方法は、複数のセグメントからなり該複数のセグメントのそれぞれのセグメントの誘電率と透磁率とが異なるブロックポリマーに、互いに直交する電場と磁場とを印加する工程と、電場又は磁場のいずれか一方を印加する工程と、を有することを特徴とする。 Further, the structure manufacturing method according to the present invention includes a step of applying an electric field and a magnetic field orthogonal to each other to a block polymer composed of a plurality of segments, each of which has a different dielectric constant and magnetic permeability. Applying either one of an electric field and a magnetic field.
本発明によると、基板上の複雑な構造物が存在しなくとも、低コストで広範囲に渡って規則的なラメラ構造やシリンダー構造などの構造体を製造することが可能となる。 According to the present invention, it is possible to manufacture a structure such as a regular lamella structure or a cylinder structure over a wide range at a low cost even without a complicated structure on the substrate.
以下、本発明の好適な実施形態につき説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described.
＜本発明における構造体＞
本発明における構造体は、ブロックポリマーの各セグメントの誘電率が異なる場合に電場による配向制御が可能であること、及び、各セグメントの透磁率が異なる場合に磁場による配向制御が可能であることを利用して、製造される。
<Structure in the Present Invention>
The structure according to the present invention can be controlled by an electric field when the dielectric constant of each segment of the block polymer is different, and can be controlled by a magnetic field when the magnetic permeability of each segment is different. Utilized and manufactured.
電束密度についてのガウスの法則から、ブロックポリマーを構成する各セグメントの誘電率が異なる場合には、一様電場を印加した環境下においては、各セグメントの境界面が電場の方向に平行となる構造が安定に存在する。 According to Gauss's law for the electric flux density, when the dielectric constant of each segment constituting the block polymer is different, the boundary surface of each segment is parallel to the direction of the electric field in an environment where a uniform electric field is applied. The structure exists stably.
また、磁束密度についてのガウスの法則から、ブロックポリマーを構成する各セグメントの透磁率が異なる場合には、一様磁場を印加した環境下においては、各セグメントの境界面が磁場の方向に平行となる構造が安定に存在する。 In addition, when the magnetic permeability of each segment constituting the block polymer is different from Gauss's law regarding the magnetic flux density, the boundary surface of each segment is parallel to the direction of the magnetic field in an environment where a uniform magnetic field is applied. This structure exists stably.
従って、電場と磁場とを互いに直交な方向に同時に印加すると、ブロックポリマーの可能な配位が一方向に限定される。本発明は、こうしたブロックポリマーの性質を利用する。なお、本発明において、電場及び磁場を印加する方向をいう「直交」とは、およそ直交であることを意図するものである。以下、本発明における構造体について、詳述する。 Therefore, when an electric field and a magnetic field are simultaneously applied in directions orthogonal to each other, the possible coordination of the block polymer is limited to one direction. The present invention takes advantage of these block polymer properties. In the present invention, “orthogonal”, which refers to the direction in which an electric field and a magnetic field are applied, is intended to be approximately orthogonal. Hereinafter, the structure in the present invention will be described in detail.
図１は、本発明における構造体を例示した概略図であり、図２は本発明における構造体の一例を示す概略図である。一般的に、ブロックポリマーに電場や磁場などの外場を印加する系を考えると、ブロックポリマーを構成する各セグメントの電気的な特性に応じて、ブロックポリマー内に過剰化学ポテンシャルが生じない方向に、ブロックポリマーが配向される。例えば、図１（１）に示すように、電場のみをブロックポリマーに印加すると、電場方向を軸とする回転自由度と、並進自由度とが許容され、電場方向に配向されたシリンダー構造が形成される。一般に、このような状態の各シリンダー構造の電場に直交する方向での間隔（つまり、各シリンダー構造の間隔）は、必ずしも規則的なものとはならない。 FIG. 1 is a schematic view illustrating a structure according to the present invention, and FIG. 2 is a schematic view illustrating an example of a structure according to the present invention. In general, when considering a system in which an external field such as an electric field or a magnetic field is applied to the block polymer, an excessive chemical potential is not generated in the block polymer depending on the electrical characteristics of each segment constituting the block polymer. The block polymer is oriented. For example, as shown in FIG. 1 (1), when only an electric field is applied to the block polymer, a degree of freedom of rotation about the direction of the electric field and a degree of freedom of translation are allowed, and a cylinder structure oriented in the direction of the electric field is formed. Is done. In general, the distance in the direction perpendicular to the electric field of each cylinder structure in such a state (that is, the distance between the cylinder structures) is not necessarily regular.
このように形成された不規則なシリンダー構造に、電場と直交する磁場を印加すると、上記の自由度のうち、並進自由度のみが許容されることとなる。従って、互いに直交する電場と磁場とを印加すると、図１（２）に示すような規則的なラメラ構造を形成することとなる。本発明は、このような現象を利用した発明である。 When a magnetic field orthogonal to the electric field is applied to the irregular cylindrical structure formed in this way, only the translational freedom is allowed among the above-mentioned degrees of freedom. Therefore, when an electric field and a magnetic field that are orthogonal to each other are applied, a regular lamellar structure as shown in FIG. 1 (2) is formed. The present invention is an invention utilizing such a phenomenon.
＜ブロックポリマー及びセグメント＞
本発明において、ブロックポリマーとしては、各セグメント間の誘電率と透磁率とが異なるセグメントからなるブロックポリマーであれば、特に限定されるものではない。ブロックポリマーの合成方法としては、本技術分野公知の方法により合成すればよい。例えば、リビング重合反応による単量体の逐次重合反応や、末端残基にヒドロキシル基、ビニル基等の活性基を有する重合体を合成した後、他の単量体を重合させる方法や、複数種の重合体を適宜結合させる方法などが挙げられる。
<Block polymer and segment>
In the present invention, the block polymer is not particularly limited as long as it is a block polymer composed of segments having different dielectric constants and magnetic permeability between the segments. The block polymer may be synthesized by a method known in the art. For example, a sequential polymerization reaction of monomers by a living polymerization reaction, a method of synthesizing a polymer having an active group such as a hydroxyl group or a vinyl group at a terminal residue, and then polymerizing other monomers, And a method of appropriately bonding the polymer.
本発明において、ブロックポリマーを構成するセグメントの例としては、以下の繰り返し構造を有するセグメントが挙げられる。 In the present invention, examples of the segment constituting the block polymer include segments having the following repeating structure.
ポリエステルなどのエステル系ポリマー
アクリル酸、メタクリル酸等のモノマーからなるアクリル系ポリマー
フェニル基、メチルフェニル基、ビフェニル基等の芳香族環を有するポリマー
Ester polymers such as polyester Acrylic polymers composed of monomers such as acrylic acid and methacrylic acid Polymers having aromatic rings such as phenyl, methylphenyl, and biphenyl groups
各セグメントは、種々の置換基でセグメントの側鎖がさらに置換されてもよい。この側鎖としては、例えば、メチル基、エチル基などのアルキル基、フェニル、ナフチルなどの芳香環、フッ素、塩素などのハロゲン、塩化亜鉛、塩化スズ、塩化ホウ素、塩化チタン素等の金属ハロゲン化物などが例示される。 Each segment may be further substituted on the side chain of the segment with various substituents. Examples of the side chain include alkyl groups such as methyl and ethyl groups, aromatic rings such as phenyl and naphthyl, halogens such as fluorine and chlorine, metal halides such as zinc chloride, tin chloride, boron chloride, and titanium chloride. Etc. are exemplified.
本発明において、セグメントの誘電率及び透磁率の範囲は、ブロックポリマーを構成する各セグメントの誘電率及び透磁率が異なる値であれば、特に限定されない。例えば、比誘電率の範囲としては、１．０〜１０．０が挙げられ、比透磁率の範囲としては、０．５〜２．０が挙げられる。 In the present invention, the ranges of the dielectric constant and magnetic permeability of the segment are not particularly limited as long as the dielectric constant and magnetic permeability of each segment constituting the block polymer are different values. For example, the range of relative permittivity is 1.0 to 10.0, and the range of relative permeability is 0.5 to 2.0.
＜本発明による構造体の製造方法の第一の実施態様＞
本発明による構造体の製造方法は、複数のセグメントからなり該複数のセグメントのそれぞれのセグメントの誘電率と透磁率とが異なるブロックポリマーに、互いに直交する電場と磁場とを印加する工程を有することを特徴とする。以下、図面を参照して、この実施態様について説明する。
<First Embodiment of Manufacturing Method of Structure according to the Present Invention>
The structure manufacturing method according to the present invention includes a step of applying an electric field and a magnetic field orthogonal to each other to a block polymer composed of a plurality of segments and having different permittivity and permeability of each of the plurality of segments. It is characterized by. Hereinafter, this embodiment will be described with reference to the drawings.
図３は、本発明による構造体の製造方法の第一の実施態様を示すフローチャートである。この実施態様により、上述した図１に示す構造体が得られる。 FIG. 3 is a flowchart showing a first embodiment of a method for manufacturing a structure according to the present invention. According to this embodiment, the structure shown in FIG. 1 is obtained.
本発明による構造体の製造方法において、まず、溶融状態のブロックポリマー薄膜に、互いに直交する方向の電場と磁場とを印加する（Ｓ１１）。ブロックポリマー薄膜に印加する電場及び磁場の範囲は、ブロックポリマーを構成する各セグメントの配向状態を変え得る範囲であれば、特に限定されない。印加する電場の範囲としては、１０．０〜１００．０（Ｖ／μｍ）が例示される。また、印加する磁場の範囲としては、１．０〜１０．０（Ｔ）が例示される。特に、各セグメント間の誘電率及び透磁率の差が大きくなればなるほど、一定の電場又は磁場を用いた場合、配向が容易に行い得る。また、ブロックポリマーに印加する電場及び／又は磁場の印加時間は、ブロックポリマーを構成する各セグメントの物性（誘電率、透磁率等）に応じて、適宜調節すればよい。 In the structure manufacturing method according to the present invention, first, an electric field and a magnetic field in directions orthogonal to each other are applied to the molten block polymer thin film (S11). The range of the electric field and magnetic field applied to the block polymer thin film is not particularly limited as long as the orientation state of each segment constituting the block polymer can be changed. The range of the electric field to be applied is exemplified by 10.0 to 100.0 (V / μm). Moreover, as a range of the magnetic field to apply, 1.0-10.0 (T) is illustrated. In particular, the greater the difference between the dielectric constant and the magnetic permeability between the segments, the easier the orientation can be when using a constant electric or magnetic field. In addition, the application time of the electric field and / or magnetic field applied to the block polymer may be appropriately adjusted according to the physical properties (dielectric constant, magnetic permeability, etc.) of each segment constituting the block polymer.
電場を発生させる手段としては、ブロックポリマーを構成する各セグメントに適当な電場を印加し得るものであれば、特に限定されるものではない。例えば、ハニカム型、多極高電圧型などの電場発生装置を用いればよい。また、磁場を発生させる手段としては、ブロックポリマーを構成する各セグメントに適当な磁場を印加し得るものであれば、特に限定されるものではなく、例えば冷凍機冷却型の超伝導磁石などを利用すればよい。 The means for generating an electric field is not particularly limited as long as an appropriate electric field can be applied to each segment constituting the block polymer. For example, an electric field generator such as a honeycomb type or a multipolar high voltage type may be used. The means for generating a magnetic field is not particularly limited as long as an appropriate magnetic field can be applied to each segment constituting the block polymer. For example, a refrigerator-cooled superconducting magnet is used. do it.
なお、溶融状態とは、固相状態のブロックポリマーに、熱エネルギーを与えて、液相状態に変化させた状態をいう。ブロックポリマーを溶融状態とする手段としては、特に限定されず、ブロックポリマーを構成する材料に応じて、熱／圧力等を適用すればよい。 The molten state refers to a state in which the block polymer in the solid phase is changed to the liquid phase by applying thermal energy. The means for bringing the block polymer into a molten state is not particularly limited, and heat / pressure or the like may be applied depending on the material constituting the block polymer.
次に、電場及び磁場の印加により、ブロックポリマーが十分に配向したかどうかを検証する工程を行ってもよい（Ｓ１２）。この検証手段としては、微細な構造を検出し得る手段であれば、特に限定されるものではなく、例えば透過型、走査型等の電子顕微鏡などが例示される。ここで、十分な配向が行われたことが確認されていれば、ブロックポリマーは、本発明における構造体（例えば、ラメラ構造を有する構造体）が形成されることとなる（Ｓ１３）。また、十分な配向が行われていないと判定されれば、再度上述のＳ１１の工程を行う。 Next, a step of verifying whether the block polymer is sufficiently oriented by applying an electric field and a magnetic field may be performed (S12). The verification means is not particularly limited as long as it is a means capable of detecting a fine structure, and examples thereof include a transmission type and a scanning type electron microscope. Here, if it is confirmed that sufficient alignment has been performed, the block polymer will form a structure (for example, a structure having a lamellar structure) in the present invention (S13). Moreover, if it determines with sufficient orientation not being performed, the process of above-mentioned S11 will be performed again.
本発明における構造体（例えば、ラメラ構造）が形成されていると判定された場合には（Ｓ１３）、電場及び磁場の印加を停止する（Ｓ１６）。これにより、所望する構造を有する本発明における構造体（例えば、ラメラ構造）が得られる。必要に応じて、空冷や水冷などの冷却手段を施して、固化を行ってもよい。 When it is determined that a structure (for example, a lamellar structure) is formed in the present invention (S13), application of an electric field and a magnetic field is stopped (S16). Thereby, the structure (for example, lamellar structure) in this invention which has a desired structure is obtained. If necessary, solidification may be performed by applying cooling means such as air cooling or water cooling.
このようにして、本発明による構造体（例えば、ラメラ構造）が得られる（Ｓ１７）。 Thus, a structure (for example, a lamellar structure) according to the present invention is obtained (S17).
＜本発明による構造体の製造方法の第二の実施態様＞
また、本発明による構造体の製造方法は、複数のセグメントからなり該複数のセグメントのそれぞれのセグメントの誘電率と透磁率とが異なるブロックポリマーに、互いに直交する電場と磁場とを印加する工程と、電場又は磁場のいずれか一方を印加する工程と、を有することを特徴とする。以下、図面を参照して、この実施態様について説明する。なお、「互いに直交する電場と磁場とを印加する工程」は、上述の第一の実施態様と同様である。
<Second Embodiment of Manufacturing Method of Structure according to the Present Invention>
Further, the structure manufacturing method according to the present invention includes a step of applying an electric field and a magnetic field orthogonal to each other to a block polymer composed of a plurality of segments, each of which has a different dielectric constant and magnetic permeability. Applying either one of an electric field and a magnetic field. Hereinafter, this embodiment will be described with reference to the drawings. The “step of applying an electric field and a magnetic field orthogonal to each other” is the same as in the first embodiment described above.
図４は、本発明における構造体の他の例を示す概略図であり、図５は、本発明による構造体の製造方法の第二の実施態様を示すフローチャートである。本実施態様において、Ｓ２１〜Ｓ２３は、上述のＳ１１〜Ｓ１３に対応するので、説明は割愛する。これらのステップを経て、図４の（２）に示す構造体が得られる。ここで、ブロックポリマーに印加していた電場及び磁場の印加を、電場又は磁場のいずれかを印加する（Ｓ２４）。これにより、ブロックポリマーにおける構造の相転移が起こり、例えば、シリンダー構造などの構造体となる（Ｓ２５）。 FIG. 4 is a schematic view showing another example of the structure according to the present invention, and FIG. 5 is a flowchart showing a second embodiment of the structure manufacturing method according to the present invention. In the present embodiment, S21 to S23 correspond to the above-described S11 to S13, and thus description thereof is omitted. Through these steps, the structure shown in (2) of FIG. 4 is obtained. Here, either the electric field or the magnetic field is applied as the electric field and magnetic field applied to the block polymer (S24). Thereby, the phase transition of the structure in the block polymer occurs, and for example, a structure such as a cylinder structure is formed (S25).
なお、Ｓ２５において、所望の構造体が得られていることを、上述のＳ１２で述べた検証手段で確認してもよく、構造体の状態によって、印加等の条件を種々変更してもよい。 In S25, it may be confirmed by the verification means described in S12 that a desired structure is obtained, and conditions such as application may be variously changed depending on the state of the structure.
その後、Ｓ２６及びＳ２７として、上述のＳ１６とＳ１７と同様の工程を経て、本発明における構造体（例えば、シリンダー構造）が得られる。 Thereafter, as S26 and S27, a structure (for example, a cylinder structure) in the present invention is obtained through the same steps as S16 and S17 described above.
このようにして得たシリンダー構造を有する構造体を例示したのが、図４である。図４において、（１）及び（２）は、図１の（１）及び（２）に示した状態とそれぞれ同様である。つまり、図２（１）では、電場のみを印加することにより、電場方向を軸とする回転自由度と並進自由度とが許容されることにより、必ずしも規則的なシリンダー構造は形成されない。この状態で、電場と磁場とを同時に印加すると、これら自由度のうち、並進自由度のみが許容されることにより、図４（２）に示すような規則的なラメラ構造を有する構造体が得られる。この状態で、電場と磁場とが印加されていた外場を、例えば磁場のみを印加した外場とすると、図４（３）に示すように、規則的なシリンダー構造が形成されることとなる。ここで、規則的なシリンダー構造が形成されるのは、電場と磁場とを印加して形成された規則的なラメラ構造の層間距離が保持されたまま、外場が変化するためである。つまり、電場の印加を解除して磁場のみを印加した外場とすることにより、並進自由度のみが許容されていた外場の状態から、磁場方向を軸とする回転自由度と並進自由度とを許容する外場の状態が形成されることとなる。これにより、規則的なラメラ構造の層間距離を保持したまま、規則的なシリンダー構造が形成されることとなる。 FIG. 4 shows an example of the structure having the cylinder structure thus obtained. 4, (1) and (2) are the same as the states shown in (1) and (2) of FIG. 1, respectively. That is, in FIG. 2A, by applying only an electric field, a rotational degree of freedom and a translational degree of freedom about the direction of the electric field are allowed, so that a regular cylinder structure is not necessarily formed. When an electric field and a magnetic field are applied simultaneously in this state, only a translational degree of freedom is allowed out of these degrees of freedom, thereby obtaining a structure having a regular lamellar structure as shown in FIG. It is done. In this state, if an external field to which an electric field and a magnetic field are applied is an external field to which only a magnetic field is applied, for example, a regular cylinder structure is formed as shown in FIG. . Here, the reason why the regular cylinder structure is formed is that the external field changes while the interlayer distance of the regular lamellar structure formed by applying an electric field and a magnetic field is maintained. In other words, by canceling the application of the electric field and setting the external field to which only the magnetic field is applied, from the state of the external field where only translational freedom was allowed, the rotational freedom and translational freedom with the magnetic field direction as the axis Thus, an external field state that allows the Thereby, a regular cylinder structure is formed while maintaining the interlayer distance of the regular lamella structure.
上述した本発明における構造体と、従来例とをシミュレートした結果を、図６、図７及び図８に示す。図６は、従来例を示し、図７及び図８は、本発明による構造体を示す。これらの図から明らかなように、本発明により、規則的なラメラ構造、若しくは規則的なシリンダー構造が形成可能であることがわかる。 The simulation results of the above-described structure according to the present invention and the conventional example are shown in FIG. 6, FIG. 7, and FIG. FIG. 6 shows a conventional example, and FIGS. 7 and 8 show a structure according to the present invention. As is apparent from these drawings, it is understood that a regular lamella structure or a regular cylinder structure can be formed according to the present invention.
（実施例１）
ポリスチレン（重量平均分子量（Ｍｗ）：６００００、比誘電率：２．５）−ＰＭＭＡ（Ｍｗ：１３０００、比誘電率：６．０）のブロックコポリマー（Ｍｗ／Ｍｎ（数平均分子量）＝１．０４、ポリスチレンとＰＭＭＡの比透磁率が異なるもの）を、１７０℃、窒素雰囲気中で溶融状態とする。これに、５０Ｖ／μｍの電場と、６Ｔの磁場とを２４時間、印加する。得た組成物を空冷により冷却し、透過型電子顕微鏡で観察すると、図１に示すラメラ構造を有する構造体１が得られる。
Example 1
Block copolymer of polystyrene (weight average molecular weight (Mw): 60000, relative dielectric constant: 2.5) -PMMA (Mw: 13000, relative dielectric constant: 6.0) (Mw / Mn (number average molecular weight) = 1.04) Polystyrene and PMMA having different relative magnetic permeability) are brought into a molten state at 170 ° C. in a nitrogen atmosphere. An electric field of 50 V / μm and a 6 T magnetic field are applied to this for 24 hours. When the obtained composition is cooled by air cooling and observed with a transmission electron microscope, a
（実施例２）
実施例１において、電場と磁場とを印加した後、続いて印加を電場のみとする。得た組成物を空冷により冷却し、透過型電子顕微鏡で観察すると、図４に示すシリンダー構造を有する構造体２が得られる。
(Example 2)
In Example 1, after applying an electric field and a magnetic field, the application is continued to be only an electric field. When the obtained composition is cooled by air cooling and observed with a transmission electron microscope, a
（実施例３）
実施例１において、電場と磁場とを印加した後、この印加を磁場のみとする。得た組成物を空冷により冷却し、透過型電子顕微鏡で観察すると、図４に示すシリンダー構造を有する構造体３が得られる。なお、構造体２と構造体３とは、シリンダー構造の配向方向が、直交する。
(Example 3)
In Example 1, after applying an electric field and a magnetic field, this application is limited to the magnetic field only. When the obtained composition is cooled by air cooling and observed with a transmission electron microscope, a
（実施例４〜６）
実施例１〜３において、ポリスチレン−ＰＭＭＡのブロックコポリマーを、非特許文献１に記載の方法によりポリフェニルメチルシラン−ポリスチレンのジブロックコポリマー（ポリフェニルメチルシラン（Ｍｗ：１２０００、比誘電率：２．１）−ポリスチレン（Ｍｗ＝４８０００、比誘電率：２．５）、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１、ポリフェニルメチルシランとポリスチレンの比透磁率が異なるもの）に代えた以外は、それぞれ実施例１〜３と同様に処理し、構造体４〜６を得る。これらのうち、構造体４は、図１に示すラメラ構造を有する。また、構造体５及び６は、いずれも、図４に示すシリンダー構造を有し、これらのシリンダー構造の配向方向は、互いに直交する。
(Examples 4 to 6)
In Examples 1 to 3, a polystyrene-PMMA block copolymer was converted to a polyphenylmethylsilane-polystyrene diblock copolymer (polyphenylmethylsilane (Mw: 12000, relative dielectric constant: 2. 1) Example 1 except that it was replaced with polystyrene (Mw = 48000, relative dielectric constant: 2.5), Mw / Mn = 2.1, and polyphenylmethylsilane and polystyrene having different relative magnetic permeability) It processes like -3 and the structures 4-6 are obtained. Among these, the structure 4 has the lamellar structure shown in FIG. Each of the structures 5 and 6 has a cylinder structure shown in FIG. 4, and the orientation directions of these cylinder structures are orthogonal to each other.
（実施例７〜９）
実施例１〜３において、ポリスチレン−ＰＭＭＡのブロックコポリマーを、ポリスチレン（ＰＳ）−ポリターシャリーブチルアクリレート（ＰｔＢＡ）のジブロックコポリマー（ポリスチレン（Ｍｗ：１０００００、比誘電率：２．５）−ポリターシャリーブチルアクリレート（Ｍｗ＝４８０００、比誘電率：２．１）、ポリスチレンとポリターシャリーブチルアクリレートの比透磁率が異なるもの）に代えた以外は、実施例１〜３とそれぞれ同様に処理し、構造体７〜９を得る。これらのうち、構造体７は、図１に示すラメラ構造を有する。また、構造体８及び９は、いずれも、図４に示すシリンダー構造を有し、これらのシリンダー構造の配向方向は、互いに直交する。
(Examples 7 to 9)
In Examples 1 to 3, a block copolymer of polystyrene-PMMA was converted to a diblock copolymer of polystyrene (PS) -polytertiary butyl acrylate (PtBA) (polystyrene (Mw: 100,000, relative dielectric constant: 2.5) -polytersia. Except for the replacement with libutyl acrylate (Mw = 48000, relative permittivity: 2.1), polystyrene and polytertiary butyl acrylate having different relative magnetic permeability, the same treatment as in Examples 1 to 3, Structures 7-9 are obtained. Among these, the structure 7 has the lamellar structure shown in FIG. Each of the structures 8 and 9 has a cylinder structure shown in FIG. 4, and the orientation directions of these cylinder structures are orthogonal to each other.
以上説明したように、本発明による構造体の製造方法により、規則的なラメラ構造又はシリンダー構造などの構造体を形成することが可能となる。なお、本発明における構造体は、磁気記録媒体などの電子機器製品に利用可能である。 As described above, a structure such as a regular lamella structure or a cylinder structure can be formed by the structure manufacturing method according to the present invention. In addition, the structure in the present invention can be used for electronic equipment products such as magnetic recording media.
以上、本発明の好適な実施の形態により本発明を説明した。ここでは特定の具体例を示して本発明を説明したが、特許請求の範囲に定義された本発明の広範な趣旨および範囲から逸脱することなく、これら具体例に様々な修正および変更を加えることができることは明らかである。すなわち、具体例の詳細および添付の図面により本発明が限定されるものと解釈してはならない。 The present invention has been described above by the preferred embodiments of the present invention. While the invention has been described with reference to specific embodiments, various modifications and changes may be made to the embodiments without departing from the broad spirit and scope of the invention as defined in the claims. Obviously you can. In other words, the present invention should not be construed as being limited by the details of the specific examples and the accompanying drawings.
Claims (4)
電場又は磁場のいずれか一方を印加する工程と、
を有することを特徴とする構造体の製造方法。 Applying an electric field and a magnetic field orthogonal to each other to a block polymer comprising a plurality of segments and having a different dielectric constant and permeability of each of the plurality of segments;
Applying either an electric or magnetic field;
A structure manufacturing method characterized by comprising:
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| JP2001151834A (en) * | 1999-06-07 | 2001-06-05 | Toshiba Corp | Pattern formation material, method for producing porous structure, method for forming pattern, electrochemical cell, hollow fiber filter, method for producing porous carbon structure, method for producing capacitor and method for producing catalytic layer of fuel cell |
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| WO2004026459A1 (en) * | 2002-09-12 | 2004-04-01 | Kyoto Instruments Co., Ltd. | Thin film and method for manufacturing same |
| JP2005275364A (en) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Chisso Corp | Liquid crystal alignment layer, liquid crystal aligning agent and liquid crystal display device |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001151834A (en) * | 1999-06-07 | 2001-06-05 | Toshiba Corp | Pattern formation material, method for producing porous structure, method for forming pattern, electrochemical cell, hollow fiber filter, method for producing porous carbon structure, method for producing capacitor and method for producing catalytic layer of fuel cell |
| JP2003014930A (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Hayashi Telempu Co Ltd | Method for manufacturing optically anisotropic element, and optically anisotropic element |
| WO2004026459A1 (en) * | 2002-09-12 | 2004-04-01 | Kyoto Instruments Co., Ltd. | Thin film and method for manufacturing same |
| JP2005275364A (en) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Chisso Corp | Liquid crystal alignment layer, liquid crystal aligning agent and liquid crystal display device |
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