JP2005007244A - Method for preparing polymer mixture - Google Patents

Method for preparing polymer mixture Download PDF

Info

Publication number
JP2005007244A
JP2005007244A JP2003172352A JP2003172352A JP2005007244A JP 2005007244 A JP2005007244 A JP 2005007244A JP 2003172352 A JP2003172352 A JP 2003172352A JP 2003172352 A JP2003172352 A JP 2003172352A JP 2005007244 A JP2005007244 A JP 2005007244A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
block copolymer
molecular weight
film
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003172352A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeji Hashimoto
竹治 橋本
Sivania Ethan
シバニア イーサン
Kenji Fukunaga
謙二 福永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Industries Ltd filed Critical Ube Industries Ltd
Priority to JP2003172352A priority Critical patent/JP2005007244A/en
Publication of JP2005007244A publication Critical patent/JP2005007244A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method capable of controlling the size of a pattern by finding out a method for preparing a polymer film having a micro-domain structure oriented vertically to the surface of a substrate and changing a mixture composition by the latter method. <P>SOLUTION: The method for preparing a block copolymer mixture having the micro-domain structure oriented vertically to the surface of a substrate comprises the following processes of: (1) mounting a block copolymer resin which is produced by bonding at least two kinds or more of polymers incompatible to each other between mutual terminals and has a molecular weight M on the substrate having a surface roughness of at least 1 nm or more, forming the pattern consisting of the micro-domain structure oriented vertically to the surface of the substrate, and determining the relationship between the interval L of the pattern and the molecular weight M of the resin; (2) determining the molecular weight M which yields the pattern of a prescribed size by interpolation or extrapolation of the data obtained from the process (1); (3) mixing two kinds or more block copolymers so that the molecular weight M is equal to the average molecular weight; and (4) mounting the mixture on the substrate having the prescribed surface roughness. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィー等の工程によらず、膜表面に対して垂直に配向したパターン構造を自己組織化により形成する材料の作製方法に関する。
膜を形成する高分子成分のうち、特定の成分を選択的に分解除去することにより基板表面の微細なパターニングに適用できる。
また特定の高分子成分に他の機能性材料、例えば触媒微粒子などを選択的に導入することにより高活性な触媒表面の構築などに適用される。更にはミクロドメイン構造が膜面に対して特定の方向に配向していることを利用して偏向フィルムや導波路用部材として適用される。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子部品の小型化に代表されるように、リソグラフィー技術を始めとする微細なパターン加工技術の重要性は非常に高まっている。しかしながら、リソグラフィー技術では加工寸法が小さくなるほど加工装置が複雑且つ大型化し、膨大な投資が必要となってくるため、加工サイズの微細化とそのコストをバランスさせる新しい技術の創出が待望されてきた。
【0003】
このような観点からリソグラフィーのような機械的手法ではなく、特定の材料が示す自己組織的に形作る構造を材料の微細加工に利用しようとする機運が高まってきた。
【0004】
自己組織化を示す代表的な材料の一つとしてブロック共重合体を挙げることができる(例えば非特許文献1参照)。
【0005】
ブロック共重合体とは、複数の高分子(ブロック)が互いの末端で結合した材料である。なおブロック共重合体1分子を形成するブロック成分の種類は3種類以上であってもよい。
ブロック共重合体をなす異種のブロック成分が互いに混じり合わない(非相溶な)場合、これらのブロックの相分離(ミクロ相分離)により、特定の秩序を持ったミクロドメイン構造が自己組織化される。このようなミクロドメイン構造を微細加工の雛型として利用しようとする試みはこれまでも為されてきた(例えば非特許文献2参照)。
ミクロ相分離を生じるブロック共重合体を基板上で成膜することによって、ミクロドメイン構造を表面のパターニングや微細加工に利用しようとする試みも行われてきた(例えば特許文献1参照)。
【0006】
ブロック共重合体の膜内部では基板に対してより親和性の高いブロックが基板に接するように、一方では自由表面(基板と反対側の表面)に対してより親和性の高いブロックが自由表面に接するように、ミクロドメインが配列しようとする。その結果、ブロック共重合体膜のミクロドメイン構造は、しばしば膜表面に対して平行に配向したミクロドメイン構造を示す。
【0007】
特にブロック共重合体のミクロドメイン構造がラメラ構造である場合、膜表面に対してラメラが平行に並んだ構造が通常観察される。このような高分子膜は膜の面内方向には特徴的な構造を持たず、表面のパターニングなどに用いることはできない。
【0008】
一方で、ブロック共重合体の膜に、膜面に垂直な方向に極めて高い電界を印加することにより、ミクロドメインを電界の方向へ配向させ、膜表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造を得る方法が提案されている(例えば非特許文献3参照)。
しかしブロック共重合体の膜に高電界を印加するには、膜表面に電極を密着させ非常に狭いギャップ間で該膜に電圧を印加するなど特別の工程あるいは設備が必要であった。
【0009】
あるいは基板表面を化学的に修飾しブロック共重合体の各ブロックに対して等しい親和性を持つように処理する方法(例えば非特許文献4参照)により、ミクロドメイン構造が膜表面に対して垂直に配向した構造が得られている。
しかし、基板表面をブロック共重合体の各ブロックに対して等しい親和性を持つように処理するのは一般に容易ではない。このような点から、これらの方法を実際にミクロ相分離構造を膜表面に対して垂直に配向させる方法として採用するのは現実的ではなかった。
【0010】
あるいは基板の表面に100nm以下の繰返し周期を持った微細なパターニングを施すことによって、ミクロドメイン構造が膜表面に対して垂直に配向したパターニング膜を形成する方法が考えられてきた(例えば特許文献2参照)。
【0011】
しかしこの方法では予め何らかの手法により、基板の表面に規則的かつ微細なパターンを形成しなければならないため、結局従来の機械的手法の利用無しには実施できないものであった。
このような現状を鑑み、本願発明人らの一部はこれまでに、所定の特性表面粗さを有する基板上にブロック共重合体樹脂を載置した後、該樹脂を熱処理することにより、ブロック共重合体の膜面に垂直に配向したラメラ構造を形成する方法を見出してきた(特許文献3参照)。
【0012】
【特許文献1】特開2001−151834
【特許文献2】米国特許5948470
【特許文献3】特願2002−260512
【非特許文献1】Physics Today 52(1999)p.32
【非特許文献2】Langmuir 13(1997)p.3866
【非特許文献3】Macromolecules 24(1991)p.6546
【非特許文献4】Macromolecules 32(1999)p.5299
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の手法ではブロック共重合体の膜の表面に形成される微細パターンのサイズが、該ブロック共重合体の分子構造から導かれるミクロドメイン構造の周期によって決定されるため、いくつかの異なるサイズのパターニングを実施しようとした場合、それぞれの場合についてそのサイズのミクロドメイン構造を生じせしめるブロック共重合体を設計し、合成する必要があった。
【0014】
本願発明人らは鋭意研究の結果、樹脂として分子量が異なる少なくとも2種類以上のブロック共重合体樹脂の混合物を用い、前記樹脂を少なくとも1nm以上の表面粗さを有する基板上に載置した後、該樹脂を熱処理することにより、基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造を有する高分子膜を作製する方法を見出し、この方法により混合組成を変えることによってパターンのサイズが制御し得ることを見出した
【0015】
特にブロック共重合体がラメラ構造を形成する場合、各々のラメラ界面が基板に対して垂直かつ交互に配列した膜が形成できる。本明細書(特許請求の範囲を含む)では、これを垂直配向ラメラ構造を有するブロック共重合体膜と呼ぶ。
しかしこの手法においては、パターンのサイズと混合組成の関係を実験によって求める必要があった。
【0016】
更には不適切な混合物を用いた場合、混合した複数のブロック共重合体樹脂が膜内でマクロに相分離を生じてしまい、混合によるパターンサイズ制御の効果が失われる場合があるため、前記マクロ相分離が生じない混合組成を実験によって確認する必要があった。
そこで多数の実験を用いることなく所望のパターンサイズを与える高分子混合物の組成や成分を予測する手法が望まれてきた。
【0017】
【課題を解決するための手段】
分子量Mのブロック共重合体を所定の表面粗さを有する基板上に載置することによって基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造からなるパターンを膜表面に形成し、そのパターンの間隔Lと分子量Mの関係を予め求めておき、前記の関係から所定のサイズのパターンを与えるMを求め、その平均分子量が前記のMになるように2種類あるいはそれ以上のブロック共重合体を混合する工程を含むことを特徴とする、高分子混合物の作製方法である。
【0018】
すなわち、本発明は、(1)少なくとも1nm以上の表面粗さを有する基板上に、少なくとも2種類以上の互いに非相溶な高分子が互いの末端で結合してなるブロック共重合体樹脂であって分子量Mのものを載置し、基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造からなるパターンを膜表面に形成し、前記パターンの間隔Lと樹脂の分子量Mの関係を求める工程を含み、(2)所定のサイズのパターンを与えるMを(1)の工程から得られたデータの内挿あるいは外挿から求める工程と、(3)前記のMと平均分子量が等しくなるように2種類以上のブロック共重合体を混合する工程と、(4)前記混合物を所定の表面粗さを有する基板上に載置する工程を含むことを特徴とする、基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造を有するブロック共重合体混合物の膜の作製方法に関する。
【0019】
また、本発明は、(1)少なくとも1nm以上の表面粗さを有する基板上に、少なくとも2種類以上の互いに非相溶な高分子が互いの末端で結合してなるブロック共重合体樹脂であって分子量Mのものを載置し該樹脂を熱処理することにより、基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造からなるパターンを膜表面に形成し、前記パターンの間隔Lと樹脂の分子量Mの関係を異なる少なくとも1点のMについて求める工程と、前記のデータとシミュレーションの結果が一致するように前記シミュレーションに用いるパラメータを決める工程を含み、(2)前記パラメータを用いたシミュレーションから所定のサイズのパターンを与えるブロック共重合体混合物の混合組成を決定する工程と、(4)前記混合物を調整し所定の表面粗さを有する基板上に載置する工程を含むことを特徴とする、基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造を有するブロック共重合体混合物の膜の作製方法に関する。
【0020】
また、本発明は、シミュレーションとして自己無撞着場法を用いることを特徴とする請求項2記載の基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造を有するブロック共重合体混合物の膜の作製方法に関する。
【0021】
【発明の実施の形態】
本願発明のブロック共重合体に用いられるモノマー成分としては、アクリロニトリル、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸、ビニルピロリドン、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ビニルスルホン酸、ビニルホスホン酸、ビニルピリジンなどのブロック共重合体の合成に供しえるモノマーがいずれも使用可能である。
好適には、スチレン、クロロスチレン、メチルスチレン、ヒドロキシスチレン、ビニルナフタレン、スチレンスルホン酸など芳香環含有モノマーからなるブロックと、メタクリル酸メチルやブチルメタクリル酸メチルなどのアクリル系モノマーからなるブロックの組合せなどが用いられる。
【0022】
ブロック共重合体は、前記モノマー成分を、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合、リビングラジカル重合などの手法により各ブロックの順番に重合していくことによって供される。
または、上記ブロック共重合体は、予めモノマーから重合された高分子鎖の末端に重合開始基が付加したマクロ開始剤を用いて、他のモノマーを更に重合することによってことによっても得ることができる。
あるい上記ブロック共重合体は、予め重合された高分子鎖の末端に反応性基が付加したマクロマー同士を反応させ結合させることなどによっても得ることができる。
【0023】
前記の方法などによって合成したブロック共重合体を更に化学的に修飾した樹脂も本願発明に供することができる。
例えばスチレンを含むブロック共重合体に対して、スチレン部位にスルホン酸基を導入したものを用いることができる。
【0024】
ブロック共重合体を構成する各ブロックの体積分率によりミクロドメイン構造の形態が変化する。
例えば、互いに非相溶なAとBの2種類のモノマーからなるABブロック共重合体について説明する。ここでAモノマーからなるブロック(Aブロック)の体積分率φがBのモノマーからなるブロック(Bブロック)の体積分率φより大きくならないようにAとBを定める。
【0025】
このときφが概略17%以下ではAからなる球状ミセルがBからなるマトリックス中に分散した構造(ミセル構造)が、φが概略17%から33%の間ではAからなるシリンダーがBからなるマトリックス中に分散した構造(シリンダー構造)が、φが概略33%以上ではAからなるラメラとBからなるラメラが交互に積層した構造(ラメラ構造)がそれぞれ形成される。
【0026】
ブロック共重合体を構成するブロックの種類が3種類以上の場合、更に多様な構造が形成できる。
ブロック共重合体を構成する各ブロックの化学成分およびそれらの体積分率を一定とした場合、ミクロドメイン構造のサイズはブロック共重合体の分子量により変化する。
【0027】
ここでブロック共重合体の分子量とは、ブロック共重合体1分子中に含まれる各ブロックの分子量の総和をいう。
前記ブロック共重合体を所定の表面粗さを有する基板上に載置し、必要により熱処理することによって、基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造を形成することができる。
【0028】
基板としては、ガラス、シリコン、シリコン酸化物、チタニアやインジウム錫酸化物(ITO)などの各種金属酸化物、カーボンや各種金属などからなる無機基板や、各種の樹脂基板などを使用目的に応じていずれも選択することができる。
【0029】
ここで必要とされる基板表面の表面粗さについて本願発明の原理に基づいて説明する。
基板上にAブロックから成るラメラ及びBブロックから成るラメラの2種のラメラから成る交互ラメラ構造を有するブロック共重合体膜が存在する場合を考える。
【0030】
平坦な基板上にブロック共重合体膜を作製した場合、基板との親和性が良い方のAブロックからなるラメラが基板に接するように、ブロック共重合体膜は基板に平行に配向したラメラ構造をとる(以下これを平行配向ラメラ構造と呼ぶ)。これは、基板とAブロックから成るラメラとの間の界面張力が基板とBブロックから成るラメラとの間の界面張力よりも小さいことを意味する。
基板の表面を徐々に粗くしてゆくと、各ラメラはその表面形状に沿ってうねらなければならなくなり、基板とAブロックから成るラメラとの間の界面自由エネルギー及びABラメラ間の界面自由エネルギーが増加する。基板の表面粗さが所定の値(これを臨界値と呼ぶ)を超えたとき、垂直配向ラメラ構造をった方が系全体の自由エネルギーが低くなる。すなわち、表面粗さが臨界値よりも小さい場合には平行配向ラメラ構造が好まれ、臨界値よりも大きい場合には垂直配向ラメラ構造が好まれる。
【0031】
この臨界値は、ブロック共重合体膜が形成される雰囲気(例えば空気中)とブロック共重合体膜を構成する各ブロックとの表面張力、基板と各ブロックとの界面張力、異種ブロック間の界面張力、及び分子量により決まる。これらの関係は次の式で表される。
【0032】
【数1】

Figure 2005007244
【0033】
γA,air、γB,airはそれぞれブロック共重合体膜のAブロック、Bブロックと空気との間の表面張力、γA,subs、γA,subsはそれぞれAブロック、Bブロックと基板との間の界面張力、γA,BはAブロックとBブロックの間の界面張力である。f(d/dref)はブロック共重合体膜内のブロックのラメラ間距離d(詳しくは、所定の基準ラメラ間距離drefに対する比)に依存する値であり、d=drefのときf(d/dref)=1であり、(qR)は一般にdに依存する。
また、d/drefの値が小さくなるとf(d/dref)の値は大きくなる。すなわち、ラメラ間距離dが小さくなると臨界特性表面粗さの値は大きくなる。
【0034】
なお、基板表面から膜表面まで垂直な配向ラメラ構造が形成されるためには、γA,airとγB,airの差は小さいことが望ましく、∂air、∂subsの値は0.5mN/mより小さくなければならない。ポリスチレン−ポリメタクリル酸メチルのブロック共重合体の場合は∂air=│γPS,air−γPMMA,air│=0.1mN/mである。
【0035】
上式における表面粗さ(の臨界値)は、特性表面粗さで表されるものである。
特性表面粗さとは、基板表面の断面形状に基づき、基板面と平行な方向をx方向、基板面と垂直な方向をz方向としたときの、x方向における表面の凹凸の平均周期λの逆数とz方向の振幅から得られる数値である。
【0036】
具体的に特性表面粗さは、q=2π/λと、基板表面の平均面mからの個々の場所における表面の偏差Δzの二乗平均根で定義されるRとの積qRで得ることができる。
この特性表面粗さは単位を持たない無次元値であり、λやΔzの絶対的な大きさによらず形状だけを表すものである。
【0037】
基板の特性表面粗さをこの臨界値以下として基板上に垂直配向ラメラ構造を有するブロック共重合体膜を作製した場合、それを加熱すると、(qR)の大きさに依存する或る特定の時間の後にブロック共重合体膜は平行配向ラメラ構造に変化する。
例えば、ITO基板上に分子量約38,000のポリスチレンと分子量約36,800のポリメタクリル酸メチルのブロック共重合体PS−PMMAからなる膜を載置した場合について、特性表面粗さの値が0.3では前記膜には200℃で200分程度熱処理を行うと平行ラメラ構造が発現する。
【0038】
しかし特性表面粗さの値が0.38以上になると、前記膜のミクロドメイン構造はいくら長時間加熱しても平行配向ラメラ構造とはならず、恒久的に垂直配向ラメラ構造が維持された。
このように恒久的に垂直配向ラメラ構造が維持される特性表面粗さを臨界特性表面粗さ(又は臨界値)という。
【0039】
一方、前記式1右辺のf(d/dref)を除いた項に各表面張力及び界面張力γA,air、γA,air、γA,subs、γA,subs、γA,Bの値を入れて計算すると、(qR)=0.36となる。これは、実験的に見積もられた臨界値と符合する。
従って、PS−PMMAの場合、PSブロックの分子量38,000、PMMAブロックの分子量36,800のPS−PMMAのラメラ間距離dがほぼ基準ラメラ間距離drefとなることがわかる。これより、任意の分子量のPS−PMMAに対して臨界特性表面粗さ(qR)を決定することができる。なお、PS−PMMAの場合、ラメラ間距離dはブロック共重合体の平均重合度Nとの関係で、Nが280以上の場合、d=0.3N0.75[nm]で近似されることがわかっている。
【0040】
また、上記臨界値0.36の値は、PSブロックの分子量とPMMAブロックのそれぞれの分子量が概略18,000まで小さいものであっても当てはまることが分かっている。
上記臨界値以上の表面粗さを基板表面に導入する方法としては、真空蒸着やスパッタリングなどを用いて適当な基材の上に基板材料を乱雑に堆積することによって得ることが出来る。例えばガラス基材上に真空蒸着されたITO基板は、蒸着条件を適当に選ぶことにより本願発明で必要とされる特性表面粗さを有するものが容易に得られる。
【0041】
あるいは基板表面を、摩擦、化学エッチング、陽極酸化、レーザー照射、イオン衝撃などの各種の手法により適度に荒らすことによって臨界値以上の表面粗さを基板表面に導入することができる。
【0042】
または、予め臨界値以上の表面粗さを有する表面を先に挙げた手法などを用いて用意しておき、この表面のレプリカを樹脂などを用いて作製することにより臨界値以上の表面粗さを有する基板を複製することができる。
例えば、真空蒸着によって作製した所定の表面粗さを有するITO基板上に、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸樹脂溶液を塗布製膜し、次いで加熱により溶媒を除去すると共に前記ポリアミック酸樹脂をイミド化し、上記ポリイミド膜をITO基板から剥離することによって、本願発明に供される臨界値以上の表面粗さを有するポリイミド樹脂基板を作製することができる。
【0043】
ブロック共重合体を前記基板上に載置する方法としては、該ブロック共重合体を揮発性有機溶剤に溶解させた樹脂溶液を調整した後、スピンコート法、溶媒キャスト法、ロールコート法、浸漬コーティング法、カーテンコート法などの一般的な塗布方法を採用することができる。
【0044】
このようにブロック共重合体の膜を該樹脂の溶液を用いて基板上に載置する場合、前記基板は有機溶剤に対して安定な材質でなければならない。この点から各種の無機基板やポリイミド樹脂など耐溶剤性に優れた材質からなる基板が好適に用いられる。
【0045】
更に塗布工程中にブロック共重合体の膜が基板から脱濡れして不均一な膜になることを防止するために、前記基板はブロック共重合体樹脂と親和性を持ったものが選択される。
【0046】
溶液から塗布され乾燥されたブロック共重合体の膜は、しばしば無秩序で熱的に不安定な構造を示す。これは該溶液が塗布されて乾燥される工程で、ブロック間のミクロ相分離過程を完了させ秩序だったミクロドメイン構造を形成させるのに必要な時間が不足するためによる。
このため、ブロック共重合体の膜を基板上に載置した後、必要に応じて前記膜の熱処理を行う。この熱処理工程によりブロック共重合体のミクロドメイン構造を配列させることができる。
【0047】
熱処理温度はブロック共重合体を構成する各ブロック成分のガラス転移温度のうち、最も高いものと同程度あるいはそれ以上とする。
熱処理温度が上記ガラス転移温度に比べて高いほど熱処理を行う時間は短くてよくなるが、ブロック共重合体樹脂の熱劣化が生じないように該樹脂の熱分解温度より低く設定する。
【0048】
例えばポリスチレンとポリメタアクリル酸メチルからなるブロック共重合体について、熱処理として温度140℃以上の加熱処理が用いられる。更に好適には190〜270℃において10分以上の加熱処理が用いられる。
【0049】
加熱によるブロック共重合体膜の酸化劣化を防ぐため、不活性雰囲気または真空中における熱処理が好適に用いられる。
ブロック共重合体膜の基板はこの熱処理に耐え得るものでなければならない。この点でも各種の無機基板や、ポリイミドなど耐熱樹脂からなる基板が好適に用いられる。
【0050】
ブロック共重合体がラメラ構造を形成する場合、本願発明により容易にラメラ構造が基板表面に対して垂直に配向した構造を有する膜を作製することが可能となる。
【0051】
本願発明では、ブロック共重合体の分子量Mと膜表面のパターンのサイズLとの関係を求める。
パターンのサイズLとは、ブロック共重合体がラメラ構造を形成する場合、膜表面に垂直に配向したラメラの周期を指す。
【0052】
少なくとも2種類以上のMについてミクロドメイン構造が基板表面に対して垂直に配向した構造を有する膜を作製し、MとLの関係を求める。
非特許文献5(Polym.Bull.37(1996)p.135)には、ABブロック共重合体については、ブロックAとB間の界面張力の値γABを用いて、MとLの関係を求める手法が紹介されている。
【0053】
例えばABブロック共重合体がラメラ構造を形成する場合については以下の式を用いることができる。
但し、Vは該ABブロック共重合体の全体積、N、NはそれぞれA、B各ブロックの連鎖長、a、aはそれぞれA、B各セグメントの長さ、kはボルツマン定数でTは絶対温度である。界面張力γの値が分かっている場合、上記の方法を用いてMとLの関係を推定により求めてもよい。
【0054】
先に挙げた非特許文献5には、ABCブロック共重合体について、ブロックAとB、BとC、AとC間の界面張力の値γAB、γBC、γACを用いて、MとLの関係を求める手法も紹介されている。
しかし、本願発明に用いられるブロック共重合体について、必ずしも正確な界面張力の値がそろって与えられている訳ではない。
【0055】
そこで先に述べたように、実験により少なくとも2種類以上のMについてミクロドメイン構造が基板表面に対して垂直に配向した構造を有する膜を作製し、MとLの関係を求める方法が好適に用いられる。
更に好適には、ここでMとLの関係を求めるのにあたっては自己無撞着場シミュレーション(例えば非特許文献6(J.Chem.Phys.99(1993)p.9202)、非特許文献7(高分子論文集 56(1999)674)などを参照)を用いることができる。
【0056】
自己無撞着場シミュレーションでは実際のポリマーは適当なサイズまで粗視化することができる。例えば重合度N=1,000の高分子を連鎖長N’=100の分子として扱うことができる。
但しこの時、ブロック間の相互作用の強さを規定するパラメーター(相互作用パラメータ、χ)も粗視化のレベルに応じてスケールされる。具体的にはχNの値が等しくなるようにスケールされる。
例えば上記の例ではχ’=χ×N/N’とスケールされた相互作用パラメータχ’が計算に用いられる。
このような粗視化はシミュレーションに要する時間を著しく短縮し、好適に用いられる。
【0057】
χの値は例えば各ブロックを構成するモノマー成分の溶解度パラメーターを用いて推定することができる。
好適には少なくとも1点の実測データを用い、実測したMとLのデータにフィッティングするようにχの値を定めることができる。
【0058】
上記のようにして求めたMとLの関係から、所定のパターンサイズDを与える分子量Mを求める。
ブロック共重合体樹脂の混合物は、分子量Mのブロック共重合体1とそれより大きい分子量Mをもったブロック共重合体2の混合物であり、ブロック共重合体1と2は同じモノマー成分の組合せからなる。
上記混合物は、ブロック共重合体1、2に加えて他の成分を適宜加えてもよい。
【0059】
ブロック共重合体1、2は平均分子量<M>が所定のパターンサイズDを与える分子量Mとなるように混合される。
【0060】
ここで平均分子量<M>は以下のように求めることができる。
<M>=φ+φ
但し、φ、φはブロック共重合体混合物中におけるブロック共重合体1、2それぞれの体積分率である。
【0061】
ブレンドした少なくとも2種類以上のブロック共重合体樹脂は、製膜工程や後述する熱処理工程で、おのおののブロック共重合体樹脂のみからなるマクロなドメインを形成しないことが好ましい。
【0062】
ここでいう「マクロな」とは前記ブロック共重合体樹脂が形成するミクロ相分離構造の周期より大きいサイズであることをいう。
マクロなドメインが生じる場合、前記ドメイン中ではそのドメインを構成している一方のブロック共重合体樹脂のみからなるミクロ相分離構造が形成され、本願発明が目的とするブレンドを用いてパターンのサイズを制御する効果が失われる。
【0063】
マクロなドメインを生じないためには、ブレンドする2種類以上のブロック共重合体樹脂の比率にもよるが、前記樹脂の中で最も分子量が小さいものSの分子量Mと最も分子量が大きいものLの分子量Mの比M/Mが概略9を超えないことが好ましい。
【0064】
更に好ましくは上記M/Mが概略5を超えないものが用いられる。但し、仮にM/Mが5より大きな値であったとしても、前記SとLのブレンド比が所定の範囲内にある場合は、マクロなドメインが形成されず本願発明に用いることができる。
【0065】
例えば、ポリスチレンとポリメタクリル酸メチルのブロック共重合体PS−PMMAについて、M/Mが5.7の場合、Lの重量分率が概略40%より大きい範囲ではマクロなドメインが形成されないことが分かっている。
【0066】
更に、例えば、ポリスチレンとポリメタクリル酸メチルのブロック共重合体PS−PMMAについて、M/Mが9.4の場合、Lの重量分率が概略50%より大きい範囲ではマクロなドメインが形成されないことが分かっている。
【0067】
MとLの関係を自己無撞着場シミュレーションで求めておいた場合、マクロなドメインが形成されない範囲を、前記シミュレーションから求めることができ、混合組成を決定するのに好適に用いられる。
【0068】
このようにして作製された膜の垂直に配向した構造は、該膜を前記基板から剥離しても、全てのブロック成分のガラス転移温度以上に長時間加熱処理されない限り維持される。
更には剥離した膜を別の適当な基板上に担持し直して用いることが可能である。この場合も全てのブロック成分のガラス転移温度以上に長時間加熱処理されない限り垂直に配向した構造は維持される。
【0069】
例えば本願発明の方法を用いれば、膜に平行な方向と膜に垂直な方向で屈折率に差が生じることを利用した偏光フィルムなどの光学材料の製造が可能である。
【0070】
またブロック共重合体の成分として、イオン伝導性のモノマーと非イオン伝導性のモノマーを用いることにより、イオン伝導性ドメインが膜面に垂直に配向した固体電解質膜を製造することが可能である。この膜はイオンを伝導するドメインがイオンを流したい方向に沿って膜を貫通して配列している構造を有しており、リチウム電池や燃料電池などに好適に用いられる。
【0071】
ここでプロトン伝導性に優れたブロック成分Xと機械的強度に優れたブロック成分Yからなるブロック共重合体膜を本願発明に従って製造し燃料電池用電解質膜として用いれば、Yにより運転条件下でのXの膨潤が抑制されることにより優れた機能が発揮できることが期待される。例えば直接メタノール分解型の燃料電池用固体電解質膜として好適に用いられることが期待される。
【0072】
更に、垂直配向ラメラ構造を有する膜に対しては、特定の試薬での処理、プラズマ処理、紫外線照射等で当該試薬等に耐性を持たない一方の部位のみを侵食除去することにより、膜の微細加工を行うことが可能である。
【0073】
ナノレベルの精度が要求される様々な微細加工分野においてこの方法を適用することができる。
【0074】
例えばこの方法を用いて、回折格子、ナノオーダーのパターンを作製するためのレジスト及びこのレジストを使用して作製される電子デバイス、樹脂の除去部分を磁性体や光学材料により置き換えることにより高密度メモリなどの製造に適用できる。
【0075】
ブロック共重合体混合物の平均分子量及びその種類に応じた適当な特性表面粗さを有する基板を使用することにより、容易にミクロドメイン構造が基板表面に対して垂直に配向した構造を有する膜を作製することが可能である。
【0076】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
なお、基板の特性表面粗さは原子間力顕微鏡(AFM)により測定を行い、膜の配向構造は、AFMならびに透過型電子顕微鏡(TEM)による断面観察によって行った。
【0077】
【実施例1】
ガラス上に蒸着された表面粗さ15nmであって、特性表面粗さ0.6のITOを基板として用いた。
PS−PMMA樹脂として、アニオン重合により合成したPSブロックの分子量18,000、PMMAブロックの分子量18,000のもの(これ以降18k−18kと呼ぶ)、PSブロックの分子量50,000、PMMAブロックの分子量54,000のもの(これ以降50k−54kと呼ぶ)、PSブロックの分子量106,000、PMMAブロックの分子量99,000のもの(これ以降106k−99kと呼ぶ)、PSブロックの分子量170,000、PMMAブロックの分子量168,000のもの(これ以降170k−168kと呼ぶ)を用いた。
各PS−PMMA樹脂をトルエンに溶解し均一溶液とした。
上記溶液を前記ITO基板上にスピンコートし、有機溶剤を揮発させた後、230℃で2時間、窒素ガス雰囲気下で加熱することにより各ブロック共重合体を配列させた。
【0078】
TEMによる膜断面観察から、ミクロドメイン構造において垂直配向ラメラ構造が形成されていることが確認された。
AFMによる膜表面観察から、図1に示すように、各分子量Mに対応して膜表面のパターンの周期Lを求めた。
【0079】
所定のパターン周期Dが得られるように、図1の各実測点の内挿によって平均分子量<M>を求め、混合物の平均分子量が<M>と一致するように18k−18kと50k−54kを混合した。
前記混合物をトルエンに溶解し均一溶液とした。
上記溶液を前記ITO基板上にスピンコートし、有機溶剤を揮発させた後、230℃で2時間、窒素ガス雰囲気下で加熱することにより各ブロック共重合体を配列させた。
【0080】
TEMによる膜断面観察から、ミクロドメイン構造において垂直配向ラメラ構造が形成されていることが確認された。
AFMによる膜表面観察から求めたパターン周期Dobsは、図2に示すように設計周期Dと一致した。
【0081】
【実施例2】
ブレンドするPS−PMMA樹脂として、50k−54kと106k−99kを用いた以外は実施例1と同様にして、垂直配向ラメラ構造を有する膜を作製した。
AFMによる膜表面観察から求めたパターン周期Dobsは、図2に示すように設計周期Dと一致した。
【0082】
【実施例3】
ブレンドするPS−PMMA樹脂として、106k−99kと170k−168kを用いた以外は実施例1と同様にして、垂直配向ラメラ構造を有する膜を作製した。
AFMによる膜表面観察から求めたパターン周期Dobsは、図2に示すように設計周期Dと一致した。
【実施例4】
PS−PMMA樹脂18k−18kの膜が形成する垂直配向ラメラ構造の周期を用いて、自己無撞着場シミュレーションのパラメータを決定した。
シミュレーションにはOCTA(http://octa.jp)で公開されているコードSUSHIを用いた。
ここで、連鎖長40を一つのセグメントとして粗視化した。上記実験値との比較により、粗視化されたモデルのχパラメータ(χ’)は1と決めた。
18k−18k、50k−54k、106k−99k、170k−168kのうちから任意に2種類の材料を選び、PS−PMMA樹脂混合物に用いることとし、所定のパターン周期Dが得られるように、上記自己無撞着場シミュレーションからブレンド組成を求めた。
上記の組成に従って樹脂混合物を調製し作製した垂直配向ラメラ構造を有する膜について、AFMによる膜表面観察から求めたパターン周期Dobsは、図3に示すように、全ての場合について設計周期Dと一致した。
【0083】
【比較例1】
混合するPS−PMMA樹脂1,2を予め決めて、前記樹脂のうちで高分子量成分のPS−PMMA樹脂2からなる膜が形成する垂直配向ラメラ構造の周期Dを求めた。
所定のパターン周期Dが得られるように、非特許文献8(Polymer(1990)p.2185)記載の式により混合物中のPS−PMMA樹脂1,2の重量分率φ,φを求めた
【0084】
Figure 2005007244
【0085】
但し、N,NはPS−PMMA樹脂1,2の重合度である。
上記の組成に従って樹脂混合物を調製し作製した垂直配向ラメラ構造を有する膜について、AFMによる膜表面観察からパターン周期Dobsを求めた。しかし図4に示すように、いくつかの場合において設計周期Dとあまり一致しなかった。
【0086】
【発明の効果】
本発明は、所定の表面粗さを有する基板上でブロック共重合体樹脂を用いて膜内部の構造制御を細かく行う場合について、任意のサイズの構造を、それぞれの場合について特別の樹脂を新規に設計し合成することなく、可能かつ著しく容易ならしめる手法を提供する。
本願手法は、 ナノレベルの精度が要求される様々な微細加工分野において適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】単成分のPS−PMMA樹脂を実施例1記載のITO基板上に載置し、基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造を形成し、膜表面に得られたパターンのサイズLと、用いた樹脂の分子量Mの関係を示す。
【図2】実施例1〜3記載の各方法で所定のパターンサイズDが得られるように処方したPS−PMMA樹脂混合物について、設計サイズDとその膜表面に実際に形成されたパターンサイズDobsの関係。実線はDobs=Dとなる場合を示す。
【図3】実施例4記載のシミュレーションを用いて所定のパターンサイズDが得られるように処方したPS−PMMA樹脂混合物について、設計サイズDとその膜表面に実際に形成されたパターンサイズDobsの関係。実線はDobs=Dとなる場合を示す。
【図4】比較例1記載の方法で所定のパターンサイズDが得られるように処方したPS−PMMA樹脂混合物について、設計サイズDとその膜表面に実際に形成されたパターンサイズDobsの関係。実線はDobs=Dとなる場合を示す。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for producing a material that forms a pattern structure oriented perpendicularly to a film surface by self-organization irrespective of a process such as lithography.
It can be applied to fine patterning of the substrate surface by selectively decomposing and removing specific components among the polymer components forming the film.
Further, it is applied to the construction of a highly active catalyst surface by selectively introducing other functional materials such as catalyst fine particles into a specific polymer component. Furthermore, it is applied as a deflecting film or a waveguide member by utilizing the fact that the microdomain structure is oriented in a specific direction with respect to the film surface.
[0002]
[Prior art]
In recent years, as typified by miniaturization of electronic components, the importance of fine pattern processing technology including lithography technology has been greatly increased. However, in lithography technology, as the processing dimension becomes smaller, the processing apparatus becomes more complicated and larger, and enormous investment is required. Therefore, creation of a new technology that balances the miniaturization of processing size and its cost has been awaited.
[0003]
From such a point of view, there has been an increased momentum for using a self-organized structure represented by a specific material for microfabrication of the material, rather than a mechanical method such as lithography.
[0004]
A block copolymer can be given as one of typical materials exhibiting self-assembly (see, for example, Non-Patent Document 1).
[0005]
A block copolymer is a material in which a plurality of macromolecules (blocks) are bonded to each other at their ends. Three or more types of block components may be used to form one molecule of the block copolymer.
If the different block components that make up the block copolymer do not mix with each other (incompatible), the microdomain structure with a specific order is self-organized by phase separation (microphase separation) of these blocks. The Attempts to use such a microdomain structure as a template for microfabrication have been made (see Non-Patent Document 2, for example).
Attempts have also been made to use the microdomain structure for surface patterning and microfabrication by forming a block copolymer that causes microphase separation on a substrate (see, for example, Patent Document 1).
[0006]
Inside the block copolymer film, blocks with higher affinity to the substrate touch the substrate, while blocks with higher affinity to the free surface (surface opposite to the substrate) Microdomains try to align so that they touch. As a result, the microdomain structure of the block copolymer film often exhibits a microdomain structure oriented parallel to the film surface.
[0007]
In particular, when the microdomain structure of the block copolymer is a lamella structure, a structure in which lamellae are arranged in parallel to the film surface is usually observed. Such a polymer film does not have a characteristic structure in the in-plane direction of the film and cannot be used for surface patterning or the like.
[0008]
On the other hand, by applying an extremely high electric field to the block copolymer film in the direction perpendicular to the film surface, the microdomains are oriented in the direction of the electric field, and the microdomain structure is oriented perpendicular to the film surface. A method of obtaining is proposed (see, for example, Non-Patent Document 3).
However, in order to apply a high electric field to the block copolymer film, a special process or equipment such as applying an electrode to the film surface and applying a voltage to the film in a very narrow gap is required.
[0009]
Alternatively, the microdomain structure is perpendicular to the film surface by a method in which the substrate surface is chemically modified and treated so as to have equal affinity for each block of the block copolymer (for example, see Non-Patent Document 4). An oriented structure is obtained.
However, it is generally not easy to treat the substrate surface to have equal affinity for each block of the block copolymer. From this point of view, it is not practical to actually adopt these methods as a method of orienting the microphase separation structure perpendicularly to the film surface.
[0010]
Alternatively, a method of forming a patterned film in which the microdomain structure is oriented perpendicular to the film surface by performing fine patterning with a repetition period of 100 nm or less on the surface of the substrate has been considered (for example, Patent Document 2). reference).
[0011]
However, in this method, since a regular and fine pattern must be formed on the surface of the substrate by some method in advance, it cannot be implemented without using a conventional mechanical method.
In view of such a current situation, some of the inventors of the present application have hitherto made a block by placing a block copolymer resin on a substrate having a predetermined characteristic surface roughness and then heat-treating the resin. A method for forming a lamellar structure oriented perpendicular to the film surface of the copolymer has been found (see Patent Document 3).
[0012]
[Patent Document 1] JP-A-2001-151834
[Patent Document 2] US Pat. No. 5,948,470
[Patent Document 3] Japanese Patent Application No. 2002-260512
[Non-Patent Document 1] Physics Today 52 (1999) p. 32
[Non-Patent Document 2] Langmuir 13 (1997) p. 3866
[Non-Patent Document 3] Macromolecules 24 (1991) p. 6546
[Non-patent Document 4] Macromolecules 32 (1999) p. 5299
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above method, since the size of the fine pattern formed on the surface of the block copolymer film is determined by the period of the microdomain structure derived from the molecular structure of the block copolymer, there are some differences. When size patterning was to be performed, it was necessary to design and synthesize a block copolymer that produced a microdomain structure of that size for each case.
[0014]
As a result of intensive studies, the inventors of the present invention have used a mixture of at least two types of block copolymer resins having different molecular weights as the resin, and after placing the resin on a substrate having a surface roughness of at least 1 nm, A method for producing a polymer film having a microdomain structure oriented perpendicularly to the substrate surface by heat-treating the resin is found, and the pattern size can be controlled by changing the mixed composition by this method. Found
[0015]
In particular, when the block copolymer forms a lamella structure, it is possible to form a film in which each lamella interface is arranged perpendicularly and alternately to the substrate. In the present specification (including claims), this is referred to as a block copolymer film having a vertically aligned lamellar structure.
However, in this method, it is necessary to obtain the relationship between the pattern size and the mixed composition by experiments.
[0016]
Furthermore, when an inappropriate mixture is used, the mixed block copolymer resin may cause macro phase separation in the film, and the effect of pattern size control by mixing may be lost. It was necessary to confirm experimentally the mixed composition in which phase separation did not occur.
Therefore, a method for predicting the composition and components of a polymer mixture that gives a desired pattern size without using a large number of experiments has been desired.
[0017]
[Means for Solving the Problems]
By placing a block copolymer having a molecular weight M on a substrate having a predetermined surface roughness, a pattern having a microdomain structure oriented perpendicularly to the substrate surface is formed on the film surface, and the pattern spacing L The molecular weight M is obtained in advance, M giving a pattern of a predetermined size is obtained from the above relationship, and two or more kinds of block copolymers are mixed so that the average molecular weight becomes the above M. It is a manufacturing method of the polymer mixture characterized by including a process.
[0018]
That is, the present invention is (1) a block copolymer resin in which at least two kinds of mutually incompatible polymers are bonded to each other on a substrate having a surface roughness of at least 1 nm or more. Mounting a substrate having a molecular weight of M, forming a pattern having a microdomain structure oriented perpendicularly to the substrate surface on the film surface, and determining a relationship between the pattern interval L and the molecular weight M of the resin, (2) a step of obtaining M giving a pattern of a predetermined size by interpolation or extrapolation of data obtained from step (1), and (3) two or more types so that the average molecular weight is equal to M And (4) a step of placing the mixture on a substrate having a predetermined surface roughness, wherein the microdomains are oriented perpendicular to the substrate surface. Construction Film about a manufacturing method of a block copolymer mixture having.
[0019]
The present invention also relates to (1) a block copolymer resin in which at least two or more kinds of mutually incompatible polymers are bonded to each other on a substrate having a surface roughness of at least 1 nm or more. A pattern having a microdomain structure oriented perpendicularly to the substrate surface is formed on the film surface by placing a resin having a molecular weight M and heat-treating the resin, and the pattern interval L and the molecular weight M of the resin A step of obtaining at least one M having a different relationship, and a step of determining a parameter to be used for the simulation so that the data and the result of the simulation match, and (2) a predetermined size from the simulation using the parameter. Determining the mixing composition of the block copolymer mixture that gives the pattern; and (4) adjusting the mixture to a predetermined surface roughness. Characterized in that it comprises a step of placing on the substrate having the film method of fabricating a block copolymer mixture having oriented microdomain structure perpendicular to the substrate surface.
[0020]
The present invention also relates to a method for producing a film of a block copolymer mixture having a microdomain structure oriented perpendicular to the substrate surface according to claim 2, wherein a self-consistent field method is used as a simulation. .
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
As monomer components used in the block copolymer of the present invention, acrylonitrile, vinyl acetate, vinyl chloride, acrylic acid, vinyl pyrrolidone, ethylene, propylene, isoprene, butadiene, ethylene oxide, propylene oxide, vinyl sulfonic acid, vinyl phosphonic acid, Any monomer that can be used for the synthesis of a block copolymer such as vinylpyridine can be used.
Preferably, a combination of a block composed of an aromatic ring-containing monomer such as styrene, chlorostyrene, methylstyrene, hydroxystyrene, vinylnaphthalene, styrenesulfonic acid and a block composed of an acrylic monomer such as methyl methacrylate or butyl methyl methacrylate. Is used.
[0022]
The block copolymer is provided by polymerizing the monomer components in the order of each block by a technique such as radical polymerization, anionic polymerization, cationic polymerization, and living radical polymerization.
Alternatively, the block copolymer can be obtained by further polymerizing another monomer using a macroinitiator in which a polymerization initiating group is added to the end of a polymer chain polymerized from the monomer in advance. .
Alternatively, the block copolymer can also be obtained by reacting and bonding macromers each having a reactive group added to the terminal of a polymer chain polymerized in advance.
[0023]
A resin obtained by further chemically modifying the block copolymer synthesized by the above method can also be used in the present invention.
For example, a block copolymer containing styrene having a styrene group introduced with a sulfonic acid group can be used.
[0024]
The form of the microdomain structure changes depending on the volume fraction of each block constituting the block copolymer.
For example, an AB block copolymer composed of two types of monomers A and B that are incompatible with each other will be described. Here, the volume fraction φ of the block composed of A monomer (A block)AIs the volume fraction φ of the block consisting of B monomer (B block)BA and B are determined so as not to become larger.
[0025]
At this time φAIs approximately 17% or less, a structure in which spherical micelles made of A are dispersed in a matrix made of B (micelle structure) is φAIs approximately 17% to 33%, the structure in which the cylinder made of A is dispersed in the matrix made of B (cylinder structure) is φAWhen approximately 33% or more, a structure (lamella structure) in which lamellae composed of A and lamellae composed of B are alternately laminated is formed.
[0026]
When there are three or more types of blocks constituting the block copolymer, more various structures can be formed.
When the chemical components of the blocks constituting the block copolymer and the volume fraction thereof are constant, the size of the microdomain structure varies depending on the molecular weight of the block copolymer.
[0027]
Here, the molecular weight of the block copolymer refers to the sum of the molecular weights of the respective blocks contained in one molecule of the block copolymer.
By placing the block copolymer on a substrate having a predetermined surface roughness and performing a heat treatment if necessary, a microdomain structure oriented perpendicular to the substrate surface can be formed.
[0028]
As substrates, glass, silicon, silicon oxide, various metal oxides such as titania and indium tin oxide (ITO), inorganic substrates made of carbon and various metals, various resin substrates, etc., depending on the intended use Either can be selected.
[0029]
The required surface roughness of the substrate surface will be described based on the principle of the present invention.
Consider a case where a block copolymer film having an alternating lamellar structure composed of two types of lamellae, that is, a lamella composed of an A block and a lamella composed of a B block is present on the substrate.
[0030]
When a block copolymer film is prepared on a flat substrate, the block copolymer film is aligned in parallel with the substrate so that the lamella composed of the A block having better affinity with the substrate contacts the substrate. (Hereinafter, this is referred to as a parallel-aligned lamellar structure). This means that the interfacial tension between the substrate and the lamella composed of the A block is smaller than the interfacial tension between the substrate and the lamella composed of the B block.
As the surface of the substrate is gradually roughened, each lamella must swell along its surface shape, and the interface free energy between the substrate and the lamella composed of the A block and the interface free energy between the AB lamellae are reduced. To increase. When the surface roughness of the substrate exceeds a predetermined value (this is referred to as a critical value), the free energy of the entire system becomes lower when the vertical alignment lamellar structure is used. That is, when the surface roughness is smaller than the critical value, the parallel alignment lamella structure is preferred, and when the surface roughness is larger than the critical value, the vertical alignment lamella structure is preferred.
[0031]
This critical value is the surface tension between the atmosphere in which the block copolymer film is formed (for example, in the air) and each block constituting the block copolymer film, the interfacial tension between the substrate and each block, and the interface between different blocks. Determined by tension and molecular weight. These relationships are expressed by the following formula.
[0032]
[Expression 1]
Figure 2005007244
[0033]
γA, air, ΓB, airAre the surface tension between the A block and B block of the block copolymer film and air, respectively, γA, subs, ΓA, subsAre the A block, the interfacial tension between the B block and the substrate, and γ, respectively.A, BIs the interfacial tension between the A and B blocks. f (d / dref) Is an interlamellar distance d of the block in the block copolymer film (specifically, a predetermined reference interlamellar distance drefThe ratio depends on the ratio of d = drefF (d / dref) = 1 and (qR)cGenerally depends on d.
D / drefF (d / dref) Value increases. That is, when the distance d between lamellas becomes small, the value of the critical characteristic surface roughness becomes large.
[0034]
In order to form a vertical alignment lamellar structure from the substrate surface to the film surface, γA, airAnd γB, airIt is desirable that the difference betweenair, ∂subsThe value of must be less than 0.5 mN / m. In the case of block copolymer of polystyrene-polymethyl methacrylateair= │γPS, air−γPMMA, air│ = 0.1 mN / m.
[0035]
The surface roughness (its critical value) in the above equation is expressed by the characteristic surface roughness.
The characteristic surface roughness is the reciprocal of the average period λ of surface irregularities in the x direction when the direction parallel to the substrate surface is the x direction and the direction perpendicular to the substrate surface is the z direction based on the cross-sectional shape of the substrate surface. And a numerical value obtained from the amplitude in the z direction.
[0036]
Specifically, the characteristic surface roughness can be obtained by the product qR of q = 2π / λ and R defined by the root mean square of the deviation Δz of the surface at each location from the average surface m of the substrate surface. .
This characteristic surface roughness is a dimensionless value having no unit, and represents only the shape regardless of the absolute size of λ and Δz.
[0037]
When a block copolymer film having a vertically aligned lamella structure is produced on the substrate with the characteristic surface roughness of the substrate being less than or equal to this critical value, when the block copolymer film is heated, a certain time depending on the magnitude of (qR) After this, the block copolymer film changes to a parallel-aligned lamellar structure.
For example, when a film made of a block copolymer PS-PMMA of polystyrene having a molecular weight of about 38,000 and polymethyl methacrylate having a molecular weight of about 36,800 is placed on an ITO substrate, the value of the characteristic surface roughness is 0. .3, a parallel lamellar structure is developed when the film is heat-treated at 200 ° C. for about 200 minutes.
[0038]
However, when the value of the characteristic surface roughness was 0.38 or more, the microdomain structure of the film did not become a parallel alignment lamella structure even when heated for a long time, and the vertical alignment lamella structure was permanently maintained.
The characteristic surface roughness in which the vertically aligned lamella structure is permanently maintained in this way is called critical characteristic surface roughness (or critical value).
[0039]
On the other hand, f (d / d) on the right side of Equation 1 above.refEach surface tension and interfacial tension γA, air, ΓA, air, ΓA, subs, ΓA, subs, ΓA, BWhen calculating with the value of (qR)c= 0.36. This is consistent with the experimentally estimated critical value.
Therefore, in the case of PS-PMMA, the interlamellar distance d of PS-PMMA having a molecular weight of 38,000 for the PS block and a molecular weight of 36,800 for the PMMA block is approximately the distance d between the reference lamellae.refIt turns out that it becomes. From this, the critical surface roughness (qR) for PS-PMMA of any molecular weightcCan be determined. In the case of PS-PMMA, the interlamellar distance d is related to the average degree of polymerization N of the block copolymer. When N is 280 or more, d = 0.3 N0.75It is known that it is approximated by [nm].
[0040]
Further, it has been found that the critical value of 0.36 is applicable even when the molecular weight of the PS block and the molecular weight of the PMMA block are as small as about 18,000.
As a method for introducing a surface roughness equal to or higher than the above critical value to the substrate surface, it can be obtained by randomly depositing a substrate material on an appropriate base material by using vacuum vapor deposition or sputtering. For example, an ITO substrate vacuum-deposited on a glass substrate can be easily obtained having the characteristic surface roughness required by the present invention by appropriately selecting the deposition conditions.
[0041]
Alternatively, a surface roughness higher than the critical value can be introduced into the substrate surface by appropriately roughening the substrate surface by various methods such as friction, chemical etching, anodizing, laser irradiation, ion bombardment and the like.
[0042]
Alternatively, a surface having a surface roughness greater than or equal to the critical value is prepared in advance using the above-described method, and the surface roughness greater than or equal to the critical value is obtained by making a replica of this surface using a resin or the like. The substrate having it can be replicated.
For example, a polyamic acid resin solution, which is a polyimide resin precursor, is applied and formed on an ITO substrate having a predetermined surface roughness produced by vacuum deposition, and then the solvent is removed by heating and the polyamic acid resin is imide Then, by peeling the polyimide film from the ITO substrate, a polyimide resin substrate having a surface roughness equal to or higher than the critical value provided for the present invention can be produced.
[0043]
As a method of placing the block copolymer on the substrate, after preparing a resin solution in which the block copolymer is dissolved in a volatile organic solvent, a spin coating method, a solvent casting method, a roll coating method, an immersion method is prepared. A general coating method such as a coating method or a curtain coating method can be employed.
[0044]
Thus, when the block copolymer film is placed on the substrate using the resin solution, the substrate must be made of a material that is stable with respect to the organic solvent. In this respect, a substrate made of a material excellent in solvent resistance such as various inorganic substrates and polyimide resins is preferably used.
[0045]
Further, in order to prevent the block copolymer film from dewetting from the substrate into a non-uniform film during the coating process, the substrate is selected to have an affinity for the block copolymer resin. .
[0046]
Block copolymer films applied from solution and dried often exhibit disordered and thermally unstable structures. This is because the solution is applied and dried, and the time required to complete the microphase separation process between the blocks and form an ordered microdomain structure is insufficient.
Therefore, after the block copolymer film is placed on the substrate, the film is heat-treated as necessary. By this heat treatment step, the microdomain structure of the block copolymer can be arranged.
[0047]
The heat treatment temperature is about the same as or higher than the highest glass transition temperature of each block component constituting the block copolymer.
As the heat treatment temperature is higher than the glass transition temperature, the heat treatment time may be shorter. However, the heat treatment temperature is set lower than the thermal decomposition temperature of the block copolymer resin so as not to cause thermal degradation.
[0048]
For example, for a block copolymer made of polystyrene and polymethylmethacrylate, a heat treatment at a temperature of 140 ° C. or higher is used as the heat treatment. More preferably, a heat treatment at 190 to 270 ° C. for 10 minutes or more is used.
[0049]
In order to prevent oxidative deterioration of the block copolymer film due to heating, heat treatment in an inert atmosphere or vacuum is preferably used.
The substrate of the block copolymer film must be able to withstand this heat treatment. Also in this respect, various inorganic substrates and substrates made of a heat resistant resin such as polyimide are preferably used.
[0050]
When the block copolymer forms a lamellar structure, the present invention makes it possible to easily produce a film having a structure in which the lamellar structure is oriented perpendicular to the substrate surface.
[0051]
In the present invention, the relationship between the molecular weight M of the block copolymer and the pattern size L on the film surface is determined.
When the block copolymer forms a lamellar structure, the pattern size L refers to the period of the lamella oriented perpendicular to the film surface.
[0052]
A film having a structure in which the microdomain structure is oriented perpendicularly to the substrate surface for at least two kinds of M is prepared, and the relationship between M and L is obtained.
In Non-Patent Document 5 (Polym. Bull. 37 (1996) p. 135), the AB block copolymer has an interfacial tension value γ between blocks A and B.ABA method for obtaining the relationship between M and L using the above is introduced.
[0053]
For example, when the AB block copolymer forms a lamellar structure, the following formula can be used.
Where V is the total volume of the AB block copolymer, NA, NBIs the chain length of each block A and B, aA, ABAre the lengths of the A and B segments, k is the Boltzmann constant, and T is the absolute temperature. When the value of the interfacial tension γ is known, the relationship between M and L may be obtained by estimation using the above method.
[0054]
Non-Patent Document 5 mentioned above describes the value of the interfacial tension γ between blocks A and B, B and C, and A and C for the ABC block copolymer.AB, ΓBC, ΓACA method for obtaining the relationship between M and L using the above is also introduced.
However, the block copolymer used in the present invention is not necessarily provided with the exact value of the interfacial tension.
[0055]
Therefore, as described above, a method in which a film having a structure in which the microdomain structure is oriented perpendicularly to the substrate surface for at least two types of M is experimentally obtained and the relationship between M and L is suitably used. It is done.
More preferably, in determining the relationship between M and L, self-consistent field simulation (for example, Non-Patent Document 6 (J. Chem. Phys. 99 (1993) p. 9202), Non-Patent Document 7 (High See, for example, 56 (1999) 674).
[0056]
In the self-consistent field simulation, the actual polymer can be coarse-grained to an appropriate size. For example, a polymer having a polymerization degree N = 1,000 can be handled as a molecule having a chain length N ′ = 100.
However, at this time, a parameter (interaction parameter, χ) that defines the strength of interaction between blocks is also scaled according to the level of coarse-graining. Specifically, the values are scaled so that the values of χN are equal.
For example, in the above example, the interaction parameter χ ′ scaled as χ ′ = χ × N / N ′ is used for the calculation.
Such coarse-graining significantly reduces the time required for simulation and is preferably used.
[0057]
The value of χ can be estimated using the solubility parameter of the monomer component constituting each block, for example.
Preferably, at least one point of measured data is used, and the value of χ can be determined so as to fit the measured M and L data.
[0058]
Molecular weight M giving a predetermined pattern size D from the relationship between M and L determined as described aboveDAsk for.
The block copolymer resin mixture has a molecular weight M1Block copolymer 1 and higher molecular weight M2The block copolymers 1 and 2 are made of a combination of the same monomer components.
In addition to the block copolymers 1 and 2, other components may be appropriately added to the mixture.
[0059]
The block copolymers 1 and 2 have an average molecular weight M <M> giving a predetermined pattern size DDTo be mixed.
[0060]
Here, the average molecular weight <M> can be determined as follows.
<M> = φ1M1+ Φ2M2
However, φ1, Φ2Is the volume fraction of each of block copolymers 1 and 2 in the block copolymer mixture.
[0061]
It is preferable that the blended at least two or more types of block copolymer resins do not form a macro domain consisting only of each block copolymer resin in the film forming step or the heat treatment step described later.
[0062]
Here, “macro” means that the size is larger than the period of the microphase separation structure formed by the block copolymer resin.
When a macro domain occurs, a micro phase separation structure composed of only one block copolymer resin constituting the domain is formed in the domain, and the size of the pattern is adjusted using the blend intended by the present invention. The control effect is lost.
[0063]
In order not to generate a macro domain, although depending on the ratio of two or more block copolymer resins to be blended, the molecular weight M of the resin having the smallest molecular weight MSThe molecular weight M of L having the largest molecular weightLRatio ML/ MSPreferably does not exceed approximately 9.
[0064]
More preferably, ML/ MSThat does not exceed about 5 is used. However, if ML/ MSEven if is a value larger than 5, when the blend ratio of S and L is within a predetermined range, a macro domain is not formed and can be used in the present invention.
[0065]
For example, for block copolymer PS-PMMA of polystyrene and polymethyl methacrylate, ML/ MSIs 5.7, it is known that no macro domain is formed when the weight fraction of L is larger than about 40%.
[0066]
Further, for example, for block copolymer PS-PMMA of polystyrene and polymethyl methacrylate, ML/ MSIs 9.4, it is known that a macro domain is not formed when the weight fraction of L is larger than about 50%.
[0067]
When the relationship between M and L is obtained by self-consistent field simulation, a range in which no macro domain is formed can be obtained from the simulation, which is preferably used for determining the mixed composition.
[0068]
The vertically oriented structure of the film thus produced is maintained as long as it is not heat-treated for a long time above the glass transition temperature of all the block components even if the film is peeled off from the substrate.
Furthermore, the peeled film can be re-supported on another appropriate substrate and used. Also in this case, a vertically oriented structure is maintained unless heat treatment is performed for a long time above the glass transition temperature of all the block components.
[0069]
For example, when the method of the present invention is used, it is possible to manufacture an optical material such as a polarizing film utilizing the difference in refractive index between a direction parallel to the film and a direction perpendicular to the film.
[0070]
Further, by using an ion conductive monomer and a non-ion conductive monomer as a component of the block copolymer, it is possible to produce a solid electrolyte membrane in which ion conductive domains are oriented perpendicular to the film surface. This membrane has a structure in which domains that conduct ions are arranged through the membrane along the direction in which ions are desired to flow, and is suitably used for lithium batteries, fuel cells, and the like.
[0071]
Here, if a block copolymer membrane composed of a block component X having excellent proton conductivity and a block component Y having excellent mechanical strength is produced according to the present invention and used as an electrolyte membrane for a fuel cell, Y can be used under operating conditions. It is expected that an excellent function can be exhibited by suppressing the swelling of X. For example, it is expected to be suitably used as a direct methanol decomposition type solid electrolyte membrane for fuel cells.
[0072]
Furthermore, for a film having a vertical alignment lamellar structure, the film is finely removed by eroding and removing only one part that is not resistant to the reagent by treatment with a specific reagent, plasma treatment, ultraviolet irradiation, etc. Processing is possible.
[0073]
This method can be applied in various microfabrication fields that require nano-level accuracy.
[0074]
For example, by using this method, a diffraction grating, a resist for producing a nano-order pattern, an electronic device produced using this resist, and a resin-removed portion are replaced with a magnetic material or an optical material to obtain a high-density memory. It can be applied to manufacturing such as.
[0075]
By using a substrate having an appropriate molecular surface roughness according to the average molecular weight and the type of the block copolymer mixture, a film having a structure in which the microdomain structure is oriented perpendicular to the substrate surface can be easily produced. Is possible.
[0076]
【Example】
Examples of the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto.
The characteristic surface roughness of the substrate was measured by an atomic force microscope (AFM), and the alignment structure of the film was observed by cross-sectional observation using an AFM and a transmission electron microscope (TEM).
[0077]
[Example 1]
ITO having a surface roughness of 15 nm deposited on glass and having a characteristic surface roughness of 0.6 was used as the substrate.
As PS-PMMA resin, the molecular weight of PS block synthesized by anionic polymerization is 18,000, the molecular weight of PMMA block is 18,000 (hereinafter referred to as 18k-18k), the molecular weight of PS block is 50,000, the molecular weight of PMMA block 54,000 (hereinafter referred to as 50k-54k), PS block molecular weight 106,000, PMMA block molecular weight 99,000 (hereinafter referred to as 106k-99k), PS block molecular weight 170,000, A PMMA block having a molecular weight of 168,000 (hereinafter referred to as 170k-168k) was used.
Each PS-PMMA resin was dissolved in toluene to make a uniform solution.
The above solution was spin-coated on the ITO substrate to volatilize the organic solvent, and then each block copolymer was arranged by heating at 230 ° C. for 2 hours in a nitrogen gas atmosphere.
[0078]
From observation of the film cross-section by TEM, it was confirmed that a vertically aligned lamella structure was formed in the microdomain structure.
From the film surface observation by AFM, as shown in FIG. 1, the period L of the film surface pattern corresponding to each molecular weight M was obtained.
[0079]
In order to obtain a predetermined pattern period D, an average molecular weight <M> is obtained by interpolation of each measurement point in FIG. 1, and 18k-18k and 50k-54k are calculated so that the average molecular weight of the mixture matches <M>. Mixed.
The mixture was dissolved in toluene to make a uniform solution.
The above solution was spin-coated on the ITO substrate to volatilize the organic solvent, and then each block copolymer was arranged by heating at 230 ° C. for 2 hours in a nitrogen gas atmosphere.
[0080]
From observation of the film cross-section by TEM, it was confirmed that a vertically aligned lamella structure was formed in the microdomain structure.
Pattern period D determined from film surface observation by AFMobsWas consistent with the design period D as shown in FIG.
[0081]
[Example 2]
A film having a vertically aligned lamella structure was produced in the same manner as in Example 1 except that 50 k-54 k and 106 k-99 k were used as PS-PMMA resins to be blended.
Pattern period D determined from film surface observation by AFMobsWas consistent with the design period D as shown in FIG.
[0082]
[Example 3]
A film having a vertically aligned lamella structure was prepared in the same manner as in Example 1 except that 106k-99k and 170k-168k were used as PS-PMMA resins to be blended.
Pattern period D determined from film surface observation by AFMobsWas consistent with the design period D as shown in FIG.
[Example 4]
The parameters of the self-consistent field simulation were determined using the period of the vertically aligned lamella structure formed by the film of PS-PMMA resin 18k-18k.
For the simulation, the code SUSHI published by OCTA (http://octa.jp) was used.
Here, the chain length 40 was coarse-grained as one segment. By comparison with the experimental value, the χ parameter (χ ′) of the coarse-grained model was determined to be 1.
Two kinds of materials are arbitrarily selected from 18k-18k, 50k-54k, 106k-99k, 170k-168k and used for the PS-PMMA resin mixture, so that the predetermined pattern period D can be obtained. The blend composition was obtained from the simulation of the landing site.
Pattern period D obtained from observation of film surface by AFM for a film having a vertical alignment lamellar structure prepared by preparing a resin mixture according to the above compositionobsAs shown in FIG. 3, it coincided with the design period D in all cases.
[0083]
[Comparative Example 1]
The period D of the vertically oriented lamella structure formed by a film made of PS-PMMA resin 2 having a high molecular weight component among the above-mentioned resins is determined in advance.2Asked.
In order to obtain a predetermined pattern period D, the weight fraction φ of the PS-PMMA resins 1 and 2 in the mixture according to the formula described in Non-Patent Document 8 (Polymer (1990) p. 2185).1, Φ2Sought
[0084]
Figure 2005007244
[0085]
However, N1, N2Is the degree of polymerization of PS-PMMA resins 1 and 2.
For a film having a vertically aligned lamellar structure prepared by preparing a resin mixture according to the above composition, the pattern period D was determined from observation of the film surface by AFM.obsAsked. However, as shown in FIG. 4, in some cases, the design period D was not very consistent.
[0086]
【The invention's effect】
In the present invention, a structure having an arbitrary size is newly used for a case where a structure inside a film is finely controlled using a block copolymer resin on a substrate having a predetermined surface roughness, and a special resin is newly used for each case. It provides a technique that is possible and significantly easier without designing and synthesizing.
The method of the present application can be applied in various microfabrication fields that require nano-level accuracy.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing the size of a pattern obtained by placing a single-component PS-PMMA resin on an ITO substrate described in Example 1 to form a microdomain structure oriented perpendicular to the substrate surface. The relationship between L and the molecular weight M of the resin used is shown.
FIG. 2 shows a design size D and a pattern size D actually formed on the film surface of a PS-PMMA resin mixture formulated so as to obtain a predetermined pattern size D by each method described in Examples 1 to 3.obsconnection of. The solid line is Dobs= D is shown.
3 shows a design size D and a pattern size D actually formed on the film surface of the PS-PMMA resin mixture formulated so as to obtain a predetermined pattern size D using the simulation described in Example 4. FIG.obsconnection of. The solid line is Dobs= D is shown.
4 shows a design size D and a pattern size D actually formed on the film surface of a PS-PMMA resin mixture formulated so as to obtain a predetermined pattern size D by the method described in Comparative Example 1. FIG.obsconnection of. The solid line is Dobs= D is shown.

Claims (3)

(1)少なくとも1nm以上の表面粗さを有する基板上に、少なくとも2種類以上の互いに非相溶な高分子が互いの末端で結合してなるブロック共重合体樹脂であって分子量Mのものを載置し、基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造からなるパターンを膜表面に形成し、前記パターンの間隔Lと樹脂の分子量Mの関係を求める工程を含み、(2)所定のサイズのパターンを与えるMを(1)の工程から得られたデータの内挿あるいは外挿から求める工程と、(3)前記のMと平均分子量が等しくなるように2種類以上のブロック共重合体を混合する工程と、(4)前記混合物を所定の表面粗さを有する基板上に載置する工程を含むことを特徴とする、基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造を有するブロック共重合体混合物の膜の作製方法。(1) A block copolymer resin comprising a substrate having a surface roughness of at least 1 nm or more and having at least two kinds of mutually incompatible polymers bonded to each other at the ends, and having a molecular weight of M (2) a step of forming a pattern having a microdomain structure placed on the surface of the substrate and forming a microdomain structure on the film surface, and determining a relationship between the pattern interval L and the molecular weight M of the resin; A step of obtaining M which gives a pattern of (1) by interpolation or extrapolation of data obtained from the step of (1), and (3) two or more types of block copolymers so that the average molecular weight is equal to the above M. And (4) placing the mixture on a substrate having a predetermined surface roughness, and comprising a block co-polymer having a microdomain structure oriented perpendicularly to the substrate surface. Film manufacturing method of the body mixtures. (1)少なくとも1nm以上の表面粗さを有する基板上に、少なくとも2種類以上の互いに非相溶な高分子が互いの末端で結合してなるブロック共重合体樹脂であって分子量Mのものを載置し該樹脂を熱処理することにより、基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造からなるパターンを膜表面に形成し、前記パターンの間隔Lと樹脂の分子量Mの関係を異なる少なくとも1点のMについて求める工程と、前記のデータとシミュレーションの結果が一致するように前記シミュレーションに用いるパラメータを決める工程を含み、(2)前記パラメータを用いたシミュレーションから所定のサイズのパターンを与えるブロック共重合体混合物の混合組成を決定する工程と、(4)前記混合物を調整し所定の表面粗さを有する基板上に載置する工程を含むことを特徴とする、基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造を有するブロック共重合体混合物の膜の作製方法。(1) A block copolymer resin comprising a substrate having a surface roughness of at least 1 nm or more and having at least two kinds of mutually incompatible polymers bonded to each other at the ends, and having a molecular weight of M By placing and heat-treating the resin, a pattern having a microdomain structure oriented perpendicularly to the substrate surface is formed on the film surface, and at least one point in which the relationship between the pattern interval L and the molecular weight M of the resin is different And a step of determining parameters used in the simulation so that the data and the simulation result coincide with each other, and (2) a block weight that gives a pattern of a predetermined size from the simulation using the parameters (4) adjusting the mixture and adjusting the mixture onto a substrate having a predetermined surface roughness; Characterized in that it comprises a step of location, film manufacturing method of the block copolymer mixtures having oriented microdomain structure perpendicular to the substrate surface. シミュレーションとして自己無撞着場法を用いることを特徴とする請求項2記載の基板表面に対して垂直に配向したミクロドメイン構造を有するブロック共重合体混合物の膜の作製方法。3. The method for producing a film of a block copolymer mixture having a microdomain structure oriented perpendicular to the substrate surface according to claim 2, wherein a self-consistent field method is used as the simulation.
JP2003172352A 2003-06-17 2003-06-17 Method for preparing polymer mixture Pending JP2005007244A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003172352A JP2005007244A (en) 2003-06-17 2003-06-17 Method for preparing polymer mixture

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003172352A JP2005007244A (en) 2003-06-17 2003-06-17 Method for preparing polymer mixture

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005007244A true JP2005007244A (en) 2005-01-13

Family

ID=34096533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003172352A Pending JP2005007244A (en) 2003-06-17 2003-06-17 Method for preparing polymer mixture

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005007244A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007128086A (en) * 2005-10-31 2007-05-24 Toshiba Corp Short-wavelength polarizing element and method of manufacturing polarizing element
JP2007128087A (en) * 2005-10-31 2007-05-24 Toshiba Corp Short-wavelength polarizing element and method of manufacturing polarizing element
WO2011007878A1 (en) * 2009-07-16 2011-01-20 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 Diffraction grating, organic el element using same, and method for manufacturing said diffraction grating and organic el element
WO2013069544A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-16 Jsr株式会社 Self-organization composition for pattern formation and pattern formation method
JP2013129836A (en) * 2013-01-07 2013-07-04 Hitachi Ltd Method of producing polymer thin film having microstructure and pattern substrate
EP2657767A1 (en) 2012-04-27 2013-10-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process
EP2657766A1 (en) 2012-04-27 2013-10-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8687274B2 (en) 2005-10-31 2014-04-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Short-wavelength polarizing elements and the manufacture and use thereof
JP2007128087A (en) * 2005-10-31 2007-05-24 Toshiba Corp Short-wavelength polarizing element and method of manufacturing polarizing element
JP2007128086A (en) * 2005-10-31 2007-05-24 Toshiba Corp Short-wavelength polarizing element and method of manufacturing polarizing element
WO2011007878A1 (en) * 2009-07-16 2011-01-20 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 Diffraction grating, organic el element using same, and method for manufacturing said diffraction grating and organic el element
JP4740403B2 (en) * 2009-07-16 2011-08-03 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 Diffraction grating, organic EL element using the same, and manufacturing method thereof
KR101521687B1 (en) * 2009-07-16 2015-05-19 제이엑스 닛코닛세키에너지주식회사 Diffraction grating, organic el element using same, and method for manufacturing said diffraction grating and organic el element
US8541778B2 (en) 2009-07-16 2013-09-24 Jx Nippon Oil & Energy Corporation Diffraction grating, organic EL element using the same, and manufacturing methods thereof
JPWO2013069544A1 (en) * 2011-11-09 2015-04-02 Jsr株式会社 Self-assembling composition for pattern formation and pattern forming method
WO2013069544A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-16 Jsr株式会社 Self-organization composition for pattern formation and pattern formation method
US9684235B2 (en) 2011-11-09 2017-06-20 Jsr Corporation Directed self-assembling composition for pattern formation, and pattern-forming method
US10308752B2 (en) 2011-11-09 2019-06-04 Jsr Corporation Block copolymer
US10995173B2 (en) 2011-11-09 2021-05-04 Jsr Corporation Composition and pattern-forming method
EP2657766A1 (en) 2012-04-27 2013-10-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process
KR20130121750A (en) 2012-04-27 2013-11-06 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Patterning process
EP2657767A1 (en) 2012-04-27 2013-10-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process
US8992790B2 (en) 2012-04-27 2015-03-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process
US9248693B2 (en) 2012-04-27 2016-02-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process
JP2013129836A (en) * 2013-01-07 2013-07-04 Hitachi Ltd Method of producing polymer thin film having microstructure and pattern substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tada et al. Directed self-assembly of POSS containing block copolymer on lithographically defined chemical template with morphology control by solvent vapor
Edwards et al. Mechanism and kinetics of ordering in diblock copolymer thin films on chemically nanopatterned substrates
JP2005008701A (en) Polymer film and method for producing the same
JP4654280B2 (en) Manufacturing method of fine structure
JP5178401B2 (en) Production method of polymer thin film having fine structure and patterned substrate
Tang et al. Thin film morphology of block copolymer blends with tunable supramolecular interactions for lithographic applications
Park et al. Deep-nanoscale pattern engineering by immersion-induced self-assembly
Shi et al. Thin film self-assembly of a silicon-containing rod–coil liquid crystalline block copolymer
TWI627219B (en) Copolymer formulation for directed self-assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
Pang et al. Directed self-assembly of styrene-methyl acrylate block copolymers with sub-7 nm features via thermal annealing
CN105722927B (en) Method for controlling the period of nanostructured assemblies comprising blends of block copolymers
Han et al. Resist free patterning of nonpreferential buffer layers for block copolymer lithography
Wu et al. Morphological evolution of gyroid-forming block copolymer thin films with varying solvent evaporation rate
Nagpal et al. Pattern dimensions and feature shapes of ternary blends of block copolymer and low molecular weight homopolymers directed to assemble on chemically nanopatterned surfaces
Yu et al. Two-Step Chemical Transformation of Polystyrene-block-poly (solketal acrylate) Copolymers for Increasing χ
Xiong et al. The solvent distribution effect on the self-assembly of symmetric triblock copolymers during solvent vapor annealing
Kim et al. Morphological behavior of A2B block copolymers in thin films
Qiang et al. Simultaneous in-film polymer synthesis and self-assembly for hierarchical nanopatterns
JP2004099667A (en) Method for preparing block copolymer film having vertically oriented lamellar structure
Yao et al. Poly (cyclohexylethylene)-block-poly (lactide) oligomers for ultrasmall nanopatterning using atomic layer deposition
Guliyeva et al. Thin Films with Perpendicular Tetragonally Packed Rectangular Rods Obtained from Blends of Linear ABC Block Terpolymers
JP5640099B2 (en) Production method of polymer thin film having fine structure and patterned substrate
Seo et al. Inverted cylindrical microdomains by blending star-shaped and linear block copolymers
Jo et al. Balanced interfacial interactions for fluoroacrylic block copolymer films and fast electric field directed assembly
Toth et al. Film thickness and composition effects in symmetric ternary block copolymer/homopolymer blend films: domain spacing and orientation