JP2007266375A - 液浸光学系と、液浸光学系に用いられる液浸液と、その製造方法 - Google Patents

液浸光学系と、液浸光学系に用いられる液浸液と、その製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007266375A
JP2007266375A JP2006090406A JP2006090406A JP2007266375A JP 2007266375 A JP2007266375 A JP 2007266375A JP 2006090406 A JP2006090406 A JP 2006090406A JP 2006090406 A JP2006090406 A JP 2006090406A JP 2007266375 A JP2007266375 A JP 2007266375A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
immersion
liquid
optical system
immersion liquid
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006090406A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Kojima
龍也 小嶋
Takashi Takahashi
崇 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Topcon Corp
Original Assignee
Topcon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Topcon Corp filed Critical Topcon Corp
Priority to JP2006090406A priority Critical patent/JP2007266375A/ja
Publication of JP2007266375A publication Critical patent/JP2007266375A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】 例えば液浸露光光学系などの液浸光学系に用いられる液浸液中の水分の含有量を軽減させることにより、液浸光学系やウェハ又はマスク等におけるエッチング現象の発生を抑え、変質・劣化を防ぐことができる、液浸光学系と、液浸光学系に用いられる液浸液と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 液浸光学系に用いられる液浸液において、液中の水分の含有率が低減されている。液浸光学系に用いられる液浸液の製造方法において、液浸光学系に用いられる液浸液の中に水分除去剤を混入させ、液中の水分の含有率を低減させる。さらにドライ窒素ガスによってバブリング処理をする。脱水剤によって、液中の水分含有率を数百ppm〜数十ppmから数ppmまで低減する前述の液浸液が、レンズと、ウェハ又はマスクとの間に設けられていることを特徴とする液浸光学系。
【選択図】 図1

Description

本発明は、液浸光学系と、液浸光学系に用いられる液浸液と、その製造方法に関し、例えば液浸露光装置、液浸粒子ビーム照射装置等の液浸露光光学系、液浸真空光学系と、それらに用いられる液浸液と、その製造方法に関するものである。
従来から、ArFエキシマレーザ、KrFエキシマレーザ、Fレーザ、エックス線などの250nm以下の深紫外線を用い、例えば、レチクルの回路パターン像をウェハ上に投影するための投影光学系を有し、この投影露光光学系とウェハとの間の光路に液浸液を配置した液浸露光装置が知られている。
投影露光光学系のウェハに対向して配置されるレンズ(CaF、MgF、LaF等)の表面と、レジストが設けられたウェハの表面との間に、両表面に接するように液浸液が介在されている(例えば特許文献1の図1を参照)。
このような液浸露光装置において、投影露光光学系のレンズ表面やウェハ表面は、照射されるレーザ光によって、変質や劣化を招いてしまう虞がある。そのため、レンズの組成元素であるCa2+やFを液浸液中に含有させたり(例えば特許文献1の0038〜0040段落参照)、レジスト膜と、それに接触する液浸液との整合性を高める工夫をしたり(例えば特許文献2の0025〜0028段落、特許文献3の0012、0013段落参照)、レジスト膜に保護膜をつけたり(例えばの特許文献4の0010〜0013段落参照)、液浸油を用いている(例えば特許文献5の0004〜0049段落)。
特開2005−79140号公報 特開2005−101498号公報 特開2005−236116号公報 特開2006−30603号公報 特開平9−241214号公報
しかしながら、ArFエキシマレーザ、KrFエキシマレーザなどの254nm以下の深紫外線を照射するため、液浸液中に含まれるフッ素オイル(添加剤などであってもよい)のF,O,HOが液中の酸素分子と結合し、液浸露光光学系などの液浸光学系のフッ化カルシウムを組成とする対物レンズやウェハ、マスクなどの表面に、エッチング現象が生じてしまい、液浸光学系のレンズやウェハ等が変質・劣化してしまう虞がある。
液浸油を用いた場合においても、油中にフッ化化合物を含有するため、液中の酸素分子と結合し、やはりエッチング現象を生じてしまう可能性がある。
そこで、本発明は、例えば液浸露光光学系などの液浸光学系に用いられる液浸液中の水分の含有量を軽減させることにより、液浸光学系やウェハ又はマスク等におけるエッチング現象の発生を抑え、変質・劣化を防ぐことができる、液浸光学系と、液浸光学系に用いられる液浸液と、その製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するための本発明の解決手段を例示すると、次のとおりである。
(1)液浸光学系に用いられる液浸液において、液中の水分の含有率が低減されていること特徴とする、液浸光学系に用いられる液浸液。
(2)液中の水分の含有率が数ppm以下であることを特徴とする前述の液浸液。
(3)前述の液浸液が、レンズとウェハ又はマスクとの間に設けられていることを特徴とする液浸光学系。
(4)液浸光学系に用いられる液浸液の製造方法において、液浸液の中に脱水剤を混入させ、液中の水分の含有率を低減させることを特徴とする、液浸液の製造方法。
(5)脱水剤によって、液中の水分の含有率を数百ppm〜数十ppmから数ppmまで低減することを特徴とする、液浸液の製造方法。
(6)脱水剤で液中の水分の含有率を低減させた液浸液が、ドライ窒素ガスによってバブリング処理をされることを特徴とする前述の液浸液の製造方法。
本発明によれば、液浸光学系、例えば液浸露光光学系などの液浸光学系や、ウェハ、マスク等のエッチング現象の発生を抑え、変質・劣化を防ぐことができる。
また、液中の酸素分子の含有量が低減されることで、気泡の発生を抑えることができるので、液中に気泡が発生して、熱が滞留してしまう問題がかなり解消できる。
本発明の最良の実施形態について説明する。
図1は、本発明の最良の実施形態による液浸光学系を有する、半導体ウェハ用の液浸露光装置の露光部とその関連部分を示す。
図1において、1は液浸露光装置の液浸露光光学系、2は第1供給装置、3は第2供給装置である。
図示しない光源から、深紫外域の光が照射され、図示しない照明光学系及びレチルクを経由してパターン像が形成され、このパターン像が投影光学系のレンズ7からステージ5上のウェハ6に投影されるように構成されている。
ウェハ6に対向して配置されたレンズ7の表面7aと、レジストが設けられたウェハ6の表面6aとの間の光路に、液体媒質である液浸液8がみたされて、液浸光学系が構成されている。
この液浸液8は、レンズ7の表面7aとウェハ6の表面6aに接した状態で配置されている。
レンズ7の周辺に、液液浸8を供給するための第1および第2供給装置2,3と、図示しない回収部が設けられている。
このような液浸露光装置において、液浸光学系に照射される光は、光源から到来し、レンズ7から液体媒質の液浸液8を透過してウェハ6を露光する。
この図1の実施例では、微細なパターンを露光可能な250nm以下、好ましくは190nm以下の波長を有する深紫外線の光が使用されている。例えば、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、F2レーザ、エックス線等が使用されている。
この液浸露光装置の液浸光学系のレンズ7は、照射される光に対して実用可能な透過率を有している。このレンズ7の材料としては、250nm以下、好ましくは190nm以下の波長を有する深紫外線の光を照射させる場合、CaF、MgF、LaF等のフッ化物を使用する。
また、レンズ7は、フッ化物の単層のレンズでもよく、また、フッ化物の単層から構成された基材の上に、基材とは異なるフッ化物からなる膜を積層して、反射防止等の機能を付与したレンズであってもよい。
図1の実施例では、CaFからなる基材に、MgF膜とLaF膜とを積層したものを用いている。
このようなレンズ7に、液体媒質の液浸液8が直接接触した状態で配置されている。
図1においては、レンズ7は鏡筒9に取りつけられている。
液体媒質の液浸液8は、空気等の気体媒質の代わりに光路に配置される液体であり、屈折率を気体よりも大きくすることにより、解像度や焦点深度を向上させている。
本発明では、この液体媒質の液浸液8として、照射される光の波長に応じて透過率が異なることを勘案して、用途に応じて、水、純水等の極性溶媒、セダー油、テトラクロロカーボン、フルオロカーボン、パーフルオロカーボン、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテルなどの非極性溶媒等から高い透過率が得られる液体を選択して使用するのが好ましい。
このような液体媒質の液浸液8は、通例、数百ppm〜数十ppm程度の水分の含有率を有するので、これらの水分中の、あるいは液浸露光装置内の雰囲気中の酸素分子(溶存酸素)が液体媒質の液浸液8のF,O,HOと反応し、液体媒質の液浸液8と接触するMgF膜やLaF膜を積層したCaFレンズ7の表面7aおよび、ウェハ6の表面6aなどにエッチング現象を起こしてしまい、変質・劣化する可能性が大きい。
そこで、本発明では、液浸液8の水分含有率を低減させる。例えば、液浸露光装置のレンズ9とウェハ6との間の光路に第1および第2供給装置2、3で液体媒質の液浸液8を供給する際に、図示しない液浸液8の貯蔵槽から、ポンプ11を用いて、パイプ15を経て、第1供給装置2に液体媒質の液浸液8を供給する。この第1供給装置2内の液浸液8には、モレキュラーシーブスなどの粒状の脱水剤12が入れられており、それによって液浸液8から水分除去を行なう。
更に、第1供給装置2内で水分除去された液体媒質の液浸液8は、パイプ16を経て、ポンプ13によって、第2供給装置3に供給され、そこで、ドライ窒素ガス18が、注入管10を介して、第2供給装置3内の液体媒質の液浸液に供給され、バブリング(泡放出)の処理をする。これによって、第2供給装置3内の液浸液8の水分含有率は数ppm以下になる。そのように水分の除去された液浸液8が、第2供給装置3から、パイプ17を介してポンプ14によって、液浸露光装置の液浸露光光学系1のレンズ7の表面7aと、ウェハ6の表面6aとの間の光路に供給される。
さらに、液浸露光装置の内部や周辺の雰囲気中においては、ドライ窒素ガスをフローするのが好ましい。
また、より好ましくは、液体媒質の液浸液8と接触するレンズ7の表面7aとウェハ6の表面6aを沸酸に侵されない材料でコートする。このような表面保護のためのコート剤としては、アクリル、フッ素化合物(フッ化物)などの有機物が望ましいが、無機物でもよい。250nm以下、好ましくは190nm以下の波長を有する深紫外線の光に耐久性を有する化学物質であれば何でもよい。
図1の実施例では、第1および第2供給装置2、3に、液体媒質の液浸液8に対して、それぞれ水分除去する工程と、バブリングする工程を設けたが、本発明は、これに限定されず、別の装置で液体媒質の液浸液8の水分除去・バブリング処理を別々に(あるいは同時に)行い、そのあと、供給装置に供給し、その供給装置から、レンズ7の表面7aとウェハ6の表面6aの間の光路に供給してもよい。
上述したように液浸液を供給した液浸露光装置の液浸光学系1に、ArFエキシマレーザ、波長250nmのレーザ光を1000時間照射したところ、液体媒質の液浸液8と接触するCaFレンズ6とウェハ7の表面6a,7aには、エッチング等の変質劣化等は発生しておらず、なんら変化が見られなかった。また、1000時間以上照射しつづけても、なんら変化が見られなかった。
このように、本発明によれば、例えば液浸露光光学系などの液浸光学系やウェハ等のエッチング現象の発生を抑え、変質、劣化を防ぐことができる。
上記実施例においては、半導体露光装置(液浸露光装置)の液浸露光光学系を一例として説明したが、本発明は、これに限定されず、液浸粒子ビーム照射装置等の液浸露光光学系、液浸真空光学系等の液浸光学液においても、本発明に係る液浸液を用いことにより、液浸光学系やウェハ等のエッチング現象の発生を抑え、変質・劣化を防ぐことができる。また、液液中の酸素分子の含有量が軽減されることで、気泡の発生を抑えることができる。
本発明の最良の実施態様を示す概略説明図。
符号の説明
1 液浸露光装置の液浸露光光学系
2 第1供給装置
3 第2供給装置
5 ステージ
6 ウェハ
6a ウェハの表面
7 レンズ
7a レンズの表面
8 液浸液
9 鏡筒
10 注入管
12 脱水剤
11、13,14 ポンプ
15、16、17 パイプ
18 ドライ窒素ガス

Claims (6)

  1. 液浸光学系に用いられる液浸液において、
    液中の水分の含有率が低減されていること特徴とする、液浸光学系に用いられる液浸液。
  2. 液中の水分の含有率が数ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の液浸液。
  3. 請求項1又は2に記載の液浸液が、レンズと、ウェハ又はマスクとの間に設けられていることを特徴とする液浸光学系。
  4. 液浸光学系に用いられる液浸液の製造方法において、液浸液の中に脱水剤を混入させ、液中の水分の含有率を低減させることを特徴とする、液浸液の製造方法。
  5. 脱水剤によって、液中の水分の含有率を数百ppm〜数十ppmから数ppmまで低減することを特徴とする、液浸液の製造方法。
  6. 脱水剤で液中の水分の含有率を低減させた液浸液が、ドライ窒素ガスによってバブリング処理をされることを特徴とする請求項4又5に記載の液浸液の製造方法。

JP2006090406A 2006-03-29 2006-03-29 液浸光学系と、液浸光学系に用いられる液浸液と、その製造方法 Pending JP2007266375A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006090406A JP2007266375A (ja) 2006-03-29 2006-03-29 液浸光学系と、液浸光学系に用いられる液浸液と、その製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006090406A JP2007266375A (ja) 2006-03-29 2006-03-29 液浸光学系と、液浸光学系に用いられる液浸液と、その製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007266375A true JP2007266375A (ja) 2007-10-11

Family

ID=38639057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006090406A Pending JP2007266375A (ja) 2006-03-29 2006-03-29 液浸光学系と、液浸光学系に用いられる液浸液と、その製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007266375A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO2005119371A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-15 E.I. Dupont De Nemours And Company Ultraviolet-transparent alkanes and processes using same in vacuum and deep ultraviolet applications
JP2006032834A (ja) * 2004-07-21 2006-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO2005119371A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-15 E.I. Dupont De Nemours And Company Ultraviolet-transparent alkanes and processes using same in vacuum and deep ultraviolet applications
JP2006032834A (ja) * 2004-07-21 2006-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101213283B1 (ko) 액침 포토리소그래피 시스템 및 액침 포토리소그래피의 수행 방법
US8852850B2 (en) Method of photolithography using a fluid and a system thereof
US9599908B2 (en) Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
US9323164B2 (en) Coatings
US7459264B2 (en) Device manufacturing method
JPWO2006080250A1 (ja) 液浸型露光システム、液浸型露光用液体のリサイクル方法及び供給方法
JP2007067344A (ja) 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法
Rothschild et al. Recent trends in optical lithography
CN111913346A (zh) 一种光掩模组件及光刻系统
JP5036996B2 (ja) 洗浄液および洗浄方法
JP2007241270A (ja) 保護膜除去用溶剤およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法
JP2007123775A (ja) 洗浄液および洗浄方法
JP2006222186A (ja) 液浸露光用液体およびその製造方法
JP4333281B2 (ja) 液浸光学系及び液体媒体並びに露光装置
JP2007266375A (ja) 液浸光学系と、液浸光学系に用いられる液浸液と、その製造方法
JP2006019585A (ja) 露光装置およびその方法ならびに基板処理装置
KR100802228B1 (ko) 이멀젼 리소그래피 장치
JP2007148167A (ja) 液浸露光プロセス用保護膜形成用材料およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法
JP2005191166A (ja) 投影露光装置及び投影露光方法
KR20070037876A (ko) 노광 장치
US20120249994A1 (en) Lithographic apparatus and a device manufacturing method
US20090273766A1 (en) Apparatus and method for exposure and method of manufacturing device
KR20100039473A (ko) 레티클 보관 장치 및 기판 가공 설비
JP2008263151A (ja) 液浸露光用液体およびその製造方法
JP2009009954A (ja) 露光装置及び露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090319

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110512

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110524

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111004