JP2007264993A - Verification support apparatus, verification support method, verification support program and recording medium - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、LSIの論理検証を支援する検証支援装置、検証支援方法、検証支援プログラム、および記録媒体に関する。 The present invention relates to a verification support apparatus, a verification support method, a verification support program, and a recording medium that support LSI logic verification.
LSI設計では、LSIが正常に動作するか否かを検証する論理シミュレーションなどの論理検証作業により動作確認をおこなうことが必要不可欠であり、特に、大規模化、高機能化、高速化および低消費電力化が要求されているLSIについては、高品質を維持するためにもこの論理検証作業は重要である一方、従来から設計期間の短縮による作業効率化が要求されている。 In LSI design, it is indispensable to check the operation by logic verification work such as logic simulation to verify whether the LSI operates normally. Especially, large scale, high functionality, high speed and low consumption For LSIs that are required to be powered, this logic verification work is important in order to maintain high quality. On the other hand, work efficiency has been demanded by shortening the design period.
実機レベルの論理シミュレーションでは、セルにより記述されたネットリストと、物理レイアウトから求められた遅延情報(SDF(Standard Deley File)ファイル)と、論理ライブラリとが用いられる。 In the actual machine level logic simulation, a net list described by cells, delay information obtained from a physical layout (SDF (Standard Delay File) file), and a logic library are used.
論理ライブラリは、各セル内の寄生抵抗、寄生容量、トランジスタなどのレイアウト情報により求められた特性情報と、その動作記述とから構成されている。論理シミュレーションをおこなう場合、物理レイアウトから求めたセル間の配線抵抗・容量と、セルの特性情報からLSIの遅延情報を動作条件ごとに求めている。 The logic library includes characteristic information obtained from layout information such as parasitic resistance, parasitic capacitance, and transistor in each cell, and its operation description. When performing logic simulation, LSI delay information is obtained for each operation condition from inter-cell wiring resistance / capacitance obtained from the physical layout and cell characteristic information.
このため、論理ライブラリは想定される動作条件の特性情報を包括する必要があるため、論理ライブラリの元となるトランジスタモデルも同様でなければならない。トランジスタモデルを作成する際に、想定される動作条件毎にトランジスタ評価用チップ(Tr TEG)を作成し、トランジスタ評価用チップを用いて特性情報を取得することで、論理ライブラリの作成が可能となる。また、論理ライブラリの作成に関しては、たとえば、下記特許文献1の技術が挙げられる。
For this reason, since it is necessary for the logic library to include the characteristic information of the assumed operating conditions, the transistor model that is the source of the logic library must be the same. When creating a transistor model, a transistor evaluation chip (Tr TEG) is created for each assumed operating condition, and characteristic information is obtained using the transistor evaluation chip, thereby enabling creation of a logic library. . As for the creation of a logical library, for example, the technique disclosed in
しかしながら、上述した従来の論理ライブラリの作成では、トランジスタモデルの作成工程と、セルライブラリの作成工程という2つの工程を経ねばならないため、論理ライブラリの作成に時間がかかるという問題があった。また、LSI開発を容易にするためにセルの種類を増加すればするほど、さらに論理ライブラリの作成時間が長期化するという問題があった。したがって、特性改善や製造機器の変更などがあっても、短時間で論理ライブラリを再作成することは困難であるという問題があった。 However, in the above-described conventional logic library creation, there is a problem that it takes time to create a logic library because two steps of a transistor model creation process and a cell library creation process must be performed. Further, as the number of types of cells is increased in order to facilitate LSI development, there is a problem that the creation time of the logic library becomes longer. Therefore, there is a problem that it is difficult to re-create a logical library in a short time even if characteristics are improved or manufacturing equipment is changed.
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、簡単かつ効率的に論理ライブラリを作成することにより、設計期間の短縮化を図ることができる検証支援装置、検証支援方法、検証支援プログラム、および記録媒体を提供することを目的とする。 The present invention eliminates the problems caused by the prior art described above, and can easily reduce the design period by creating a logical library simply and efficiently, a verification support apparatus, a verification support method, and a verification support program And a recording medium.
上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかる検証支援装置、検証支援方法、検証支援プログラム、および記録媒体は、セルごとに、当該セルに関する回路情報を取得し、取得された回路情報から前記セルを構成するトランジスタを検出し、トランジスタに関する特性情報を算出し、算出された特性情報をトランジスタ種別ごとにデータベースに格納することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the verification support apparatus, the verification support method, the verification support program, and the recording medium according to the present invention acquire and acquire circuit information about the cell for each cell. The transistor constituting the cell is detected from the circuit information, characteristic information about the transistor is calculated, and the calculated characteristic information is stored in a database for each transistor type.
この発明によれば、トランジスタ特性情報をそのトランジスタ種別ごとにまとめることができる。 According to the present invention, transistor characteristic information can be collected for each transistor type.
また、上記発明において、作成対象セルのレイアウト情報を取得し、取得されたレイアウト情報から前記作成対象セルに関する回路情報を抽出し、抽出された回路情報により特定されるトランジスタに関する特性情報を前記データベースから抽出し、抽出されたトランジスタに関する特性情報に基づいて、前記作成対象セルに関するライブラリ情報を生成することとしてもよい。 In the above invention, the layout information of the creation target cell is acquired, the circuit information about the creation target cell is extracted from the acquired layout information, and the characteristic information about the transistor specified by the extracted circuit information is extracted from the database. Based on the extracted characteristic information relating to the transistor, library information relating to the creation target cell may be generated.
この発明によれば、論理ライブラリの自動生成を効率的におこなうことができる。また、LSIの製造工程の変更により、セルを構成するトランジスタが変更されても、トランジスタ特性情報DBから抽出するトランジスタ特性情報を変えるだけで、あらたなライブラリ情報を生成することができる。 According to the present invention, automatic generation of a logical library can be efficiently performed. Further, even if the transistors constituting the cell are changed due to the change of the LSI manufacturing process, new library information can be generated only by changing the transistor characteristic information extracted from the transistor characteristic information DB.
また、上記発明において、前記抽出回路情報により特定されるトランジスタ以外の他の回路素子に関する特性情報を前記抽出回路情報から抽出し、抽出されたトランジスタおよび他の回路素子に関する特性情報に基づいて、前記作成対象セルに関するライブラリ情報を生成することとしてもよい。 Further, in the above invention, characteristic information relating to other circuit elements other than the transistor specified by the extraction circuit information is extracted from the extraction circuit information, and based on the extracted characteristic information relating to the transistors and other circuit elements, Library information relating to the creation target cell may be generated.
この発明によれば、セルの遅延値の算出元となるセルを構成する他の回路素子(抵抗、容量)の特性情報のライブラリ化も自動でおこなうことができる。 According to the present invention, it is also possible to automatically create a library of characteristic information of other circuit elements (resistance, capacitance) constituting a cell from which the cell delay value is calculated.
また、上記発明において、前記抽出回路情報により特定されるトランジスタおよび他の回路素子の接続情報を前記抽出回路情報から抽出し、抽出された接続情報に基づいて、前記作成対象セルに関するライブラリ情報を生成することとしてもよい。 In the above invention, the connection information of the transistor specified by the extraction circuit information and other circuit elements is extracted from the extraction circuit information, and library information related to the creation target cell is generated based on the extracted connection information. It is good to do.
この発明によれば、セルの遅延値の算出元となる接続情報のライブラリ化も自動でおこなうことができる。 According to the present invention, it is possible to automatically create a library of connection information, which is a calculation source of the cell delay value.
また、上記発明において、検証対象回路に関する回路情報を取得し、取得された回路情報の中から、遅延値算出対象となる任意のセルおよび当該セルに接続されている付加回路素子からなる回路情報(以下、「算出対象回路情報」という)を抽出し、生成されたライブラリ情報群の中から、算出された算出対象回路情報により特定されるセルに関するライブラリ情報を抽出し、抽出されたライブラリ情報に基づいて、前記算出対象回路情報により特定されるセルの遅延値を算出し、算出された算出結果を出力することとしてもよい。 In the above invention, circuit information related to a circuit to be verified is acquired, and circuit information including an arbitrary cell that is a delay value calculation target and an additional circuit element connected to the cell from the acquired circuit information ( (Hereinafter referred to as “calculation target circuit information”), library information relating to the cell specified by the calculated calculation target circuit information is extracted from the generated library information group, and based on the extracted library information Then, the delay value of the cell specified by the calculation target circuit information may be calculated, and the calculated calculation result may be output.
この発明によれば、検証対象回路内のセルの遅延値算出を効率的におこなうことができる。 According to the present invention, it is possible to efficiently calculate the delay value of the cell in the circuit to be verified.
また、上記発明において、ライブラリ情報に基づいて、前記算出対象回路情報を、当該算出対象回路情報により特定されるセルを構成するトランジスタごとに分割し、ライブラリ情報に含まれているトランジスタに関する特性情報に基づいて、分割された算出対象回路情報ごとに遅延値を算出し、その算出結果を、前記算出対象回路情報により特定されるセルの遅延値として出力することとしてもよい。 Further, in the above invention, based on the library information, the calculation target circuit information is divided for each transistor constituting a cell specified by the calculation target circuit information, and the characteristic information related to the transistor included in the library information is obtained. On the basis of this, a delay value may be calculated for each divided calculation target circuit information, and the calculation result may be output as a delay value of a cell specified by the calculation target circuit information.
この発明によれば、検証対象回路内のセルの算出遅延値の高精度化を図ることができる。 According to the present invention, it is possible to increase the accuracy of the calculated delay value of the cell in the circuit to be verified.
本発明にかかる検証支援装置、検証支援方法、検証支援プログラム、および記録媒体によれば、簡単かつ効率的に論理ライブラリを作成することにより、設計期間の短縮化を図ることができるという効果を奏する。 According to the verification support apparatus, the verification support method, the verification support program, and the recording medium according to the present invention, it is possible to shorten the design period by creating a logical library simply and efficiently. .
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる検証支援装置、検証支援方法、検証支援プログラム、および記録媒体の好適な実施の形態を詳細に説明する。 Exemplary embodiments of a verification support apparatus, a verification support method, a verification support program, and a recording medium according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
(検証支援装置のハードウェア構成)
まず、この発明の実施の形態にかかる検証支援装置のハードウェア構成について説明する。図1は、この発明の実施の形態にかかる検証支援装置のハードウェア構成を示すブロック図である。
(Hardware configuration of verification support device)
First, the hardware configuration of the verification support apparatus according to the embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a block diagram showing a hardware configuration of a verification support apparatus according to an embodiment of the present invention.
図1において、検証支援装置は、CPU101と、ROM102と、RAM103と、HDD(ハードディスクドライブ)104と、HD(ハードディスク)105と、FDD(フレキシブルディスクドライブ)106と、着脱可能な記録媒体の一例としてのFD(フレキシブルディスク)107と、ディスプレイ108と、I/F(インターフェース)109と、キーボード110と、マウス111と、スキャナ112と、プリンタ113と、を備えている。また、各構成部はバス100によってそれぞれ接続されている。
In FIG. 1, the verification support apparatus is an example of a
ここで、CPU101は、検証支援装置の全体の制御を司る。ROM102は、ブートプログラムなどのプログラムを記憶している。RAM103は、CPU101のワークエリアとして使用される。HDD104は、CPU101の制御にしたがってHD105に対するデータのリード/ライトを制御する。HD105は、HDD104の制御で書き込まれたデータを記憶する。
Here, the
FDD106は、CPU101の制御にしたがってFD107に対するデータのリード/ライトを制御する。FD107は、FDD106の制御で書き込まれたデータを記憶したり、FD107に記憶されたデータを検証支援装置に読み取らせたりする。
The FDD 106 controls reading / writing of data with respect to the
また、着脱可能な記録媒体として、FD107のほか、CD−ROM(CD−R、CD−RW)、MO、DVD(Digital Versatile Disk)、メモリーカードなどであってもよい。ディスプレイ108は、カーソル、アイコンあるいはツールボックスをはじめ、文書、画像、機能情報などのデータを表示する。このディスプレイ108は、たとえば、CRT、TFT液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどを採用することができる。
In addition to the FD 107, the removable recording medium may be a CD-ROM (CD-R, CD-RW), MO, DVD (Digital Versatile Disk), memory card, or the like. The
I/F109は、通信回線を通じてインターネットなどのネットワーク114に接続され、このネットワーク114を介して他の装置に接続される。そして、I/F109は、ネットワーク114と内部のインターフェースを司り、外部装置からのデータの入出力を制御する。I/F109には、たとえばモデムやLANアダプタなどを採用することができる。 The I / F 109 is connected to a network 114 such as the Internet through a communication line, and is connected to other devices via the network 114. The I / F 109 controls an internal interface with the network 114 and controls data input / output from an external device. For example, a modem or a LAN adapter may be employed as the I / F 109.
キーボード110は、文字、数字、各種指示などの入力のためのキーを備え、データの入力をおこなう。また、タッチパネル式の入力パッドやテンキーなどであってもよい。マウス111は、カーソルの移動や範囲選択、あるいはウィンドウの移動やサイズの変更などをおこなう。ポインティングデバイスとして同様に機能を備えるものであれば、トラックボールやジョイスティックなどであってもよい。 The keyboard 110 includes keys for inputting characters, numbers, various instructions, and the like, and inputs data. Moreover, a touch panel type input pad or a numeric keypad may be used. The mouse 111 performs cursor movement, range selection, window movement, size change, and the like. A trackball or a joystick may be used as long as they have the same function as a pointing device.
スキャナ112は、画像を光学的に読み取り、検証支援装置内に画像データを取り込む。なお、スキャナ112は、OCR機能を持たせてもよい。また、プリンタ113は、画像データや文書データを印刷する。プリンタ113には、たとえば、レーザプリンタやインクジェットプリンタを採用することができる。
The scanner 112 optically reads an image and takes in the image data into the verification support apparatus. The scanner 112 may have an OCR function. The
(検証支援装置の機能的構成)
つぎに、この発明の実施の形態にかかる検証支援装置の機能的構成について説明する。図2は、この発明の実施の形態にかかる検証支援装置の機能的構成を示すブロック図である。図2において、検証支援装置200は、トランジスタ特性情報作成部201と、論理ライブラリ作成部202と、遅延値演算部203と、から構成されている。
(Functional configuration of verification support device)
Next, a functional configuration of the verification support apparatus according to the embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a block diagram showing a functional configuration of the verification support apparatus according to the embodiment of the present invention. In FIG. 2, the
トランジスタ特性情報作成部201は、トランジスタ種別ごとにトランジスタ特性情報を作成する。このトランジスタ特性情報の集合がトランジスタ特性情報DB210である。また、論理ライブラリ作成部202は、トランジスタ特性情報DB210に格納されているトランジスタ特性情報を用いてセルの論理ライブラリ220を作成する。また、遅延値演算部203は、論理ライブラリ220に格納されているセルのライブラリ情報を用いて、検証対象回路内のセルの遅延値を演算する。演算されたセルの遅延値は、論理シミュレーションに用いられる。
The transistor characteristic
トランジスタ特性情報作成部201、論理ライブラリ作成部202、および遅延値演算部203の詳細な機能的構成については後述する。なお、トランジスタ特性情報作成部201、論理ライブラリ作成部202、および遅延値演算部203は、具体的には、たとえば、図1に示したROM102,RAM103,HD105などの記録媒体に記録されているプログラムを、CPU101に実行させることによって、またはI/F109によって、その機能を実現する。
Detailed functional configurations of the transistor characteristic
(トランジスタ特性情報DB210の記憶内容)
つぎに、図2に示したトランジスタ特性情報DB210の記憶内容について説明する。図3は、図2に示したトランジスタ特性情報DB210の記憶内容を示す説明図である。図3において、トランジスタ特性情報DB210は、トランジスタ種別Tri(i=1〜n)ごとに、トランジスタ特性情報Fiを格納している。
(Contents stored in transistor characteristic information DB 210)
Next, the contents stored in the transistor
ここで、トランジスタ種別Triとは、トランジスタの分類をあらわしており、サイズ情報(Poly幅、Poly長など)Siや、P型/N型の種類、標準駆動電圧、動作温度など、各種動作条件をあらわしている。なお、サイズ情報Siは、論理ライブラリ作成部202において利用する。
Here, the transistor type Tri represents the classification of the transistor, and includes various operating conditions such as size information (Poly width, Poly length, etc.) Si, P type / N type, standard driving voltage, operating temperature, and the like. Appears. The size information Si is used in the logical
また、トランジスタ特性情報Fiとは、トランジスタ種別Triに該当するトランジスタの特徴をあらわす情報であり、具体的には、たとえば、トランジスタ種別Triによる分類、すなわち、動作条件が与えられたときの抵抗や容量を示す。図3に示したトランジスタ特性情報Fi,Fjでは、ソース−ドレイン間の抵抗、ゲート−ドレイン間の抵抗や、入力容量、出力容量によりトランジスタ特性を示している。 The transistor characteristic information Fi is information representing the characteristics of the transistor corresponding to the transistor type Tri. Specifically, for example, the classification according to the transistor type Tri, that is, the resistance and capacitance when the operating condition is given. Indicates. In the transistor characteristic information Fi and Fj shown in FIG. 3, the transistor characteristics are indicated by the resistance between the source and the drain, the resistance between the gate and the drain, the input capacitance, and the output capacitance.
このように、不特定多数(X個)のトランジスタではなく、トランジスタ種別Triごとに分類することにより、トランジスタ数(X個)よりも少ない個数(n個)のトランジスタ特性情報Fiによりトランジスタ特性情報DB210を構築することができる。したがって、従来のトランジスタモデルの作成工程よりも作成時間を短縮化することができる。なお、トランジスタ特性情報DB210は、具体的には、たとえば、図1に示したROM102,RAM103,HD105などの記録媒体によって、その機能を実現する。
In this way, by classifying by transistor type Tri, not by an unspecified number (X) of transistors, the transistor
(論理ライブラリ220の記憶内容)
つぎに、図2に示した論理ライブラリ220の記憶内容について説明する。図4は、図2に示した論理ライブラリ220の記憶内容を示す説明図である。図4において、論理ライブラリ220は、セルCEk(k=1〜m)ごとに、セル動作記述Akとセル内部情報Ikを格納している。セル内部情報Ikは、セルCEk内の回路素子種別ごとに、セルCEk内の接続情報と、その特性情報とを格納している。
(Storage contents of the logical library 220)
Next, the contents stored in the
たとえば、セルCEk内の回路素子にトランジスタ種別Triのトランジスタが含まれているとすると、トランジスタ種別Triの接続情報(PCH(VCC、NET1,NET2))とトランジスタ特性情報Fiとが格納されている。 For example, if the circuit element in the cell CEk includes a transistor of the transistor type Tri, connection information (PCH (VCC, NET1, NET2)) of the transistor type Tri and transistor characteristic information Fi are stored.
同様に、セルCEk内の回路素子に抵抗種別R1の抵抗が含まれているとすると、抵抗種別R1の接続情報(A,NET1)と抵抗特性情報r1とが格納されている。抵抗特性情報r1は、抵抗の特徴をあらわす情報であり、たとえば、抵抗値である。 Similarly, if the circuit element in the cell CEk includes a resistor of resistance type R1, connection information (A, NET1) and resistance characteristic information r1 of resistance type R1 are stored. The resistance characteristic information r1 is information representing the characteristic of the resistance, for example, a resistance value.
同様に、セルCEk内の回路素子に容量種別C1の抵抗が含まれているとすると、容量種別C1の接続情報(NET1,VCC)と容量特性情報c1とが格納されている。抵抗特性情報c1は、容量の特徴をあらわす情報であり、たとえば、容量値である。なお、トランジスタ特性情報DB210は、具体的には、たとえば、図1に示したROM102,RAM103,HD105などの記録媒体によって、その機能を実現する。
Similarly, assuming that the circuit element in the cell CEk includes a resistance of the capacity type C1, connection information (NET1, VCC) and capacity characteristic information c1 of the capacity type C1 are stored. The resistance characteristic information c1 is information representing the characteristics of the capacitance, and is, for example, a capacitance value. Note that, specifically, the transistor
(トランジスタ特性情報作成部201の機能的構成)
つぎに、図2に示したトランジスタ特性情報作成部201の機能的構成について説明する。図5は、図2に示したトランジスタ特性情報作成部201の機能的構成を示すブロック図である。図5において、トランジスタ特性情報作成部201は、セル回路情報取得部501と、トランジスタ検出部502と、特性情報算出部503と、格納部504と、から構成されている。
(Functional configuration of transistor characteristic information creation unit 201)
Next, a functional configuration of the transistor characteristic
まず、セル回路情報取得部501は、セルごとに、当該セルに関する回路情報を取得する。ここで、セルとは、トランジスタを含む回路素子から構成され、特定の機能を有する回路である。
First, the cell circuit
たとえば、バッファ、インバータ、AND回路、OR回路、NAND回路、NOR回路、XOR回路などの論理ゲート回路、一致回路、比較回路、デコーダ、エンコーダ、マルチプレクサ、デマルチプレクサなどの組み合わせ論理回路、各種フリップフロップなどの順序論理回路、カウンタやシフトレジスタなど順序論理回路を組み合わせたディジタル演算回路などが挙げられる。 For example, logic gate circuits such as buffers, inverters, AND circuits, OR circuits, NAND circuits, NOR circuits, XOR circuits, matching circuits, comparison circuits, combinational logic circuits such as decoders, encoders, multiplexers, demultiplexers, various flip-flops, etc. And a digital arithmetic circuit combining sequential logic circuits such as a counter and a shift register.
また、セルに関する回路情報とは、セルをトランジスタなどの回路素子であらわした等価回路データである。以降、セルに関する回路情報を、セル回路情報と称す。また、トランジスタ検出部502は、セル回路情報取得部501によって取得されたセル回路情報からセルを構成するトランジスタを検出する。たとえば、セルがインバータである場合、その等価回路データから1つのP型トランジスタと1つのN型トランジスタとが検出される。
Further, the circuit information regarding the cell is equivalent circuit data in which the cell is represented by a circuit element such as a transistor. Hereinafter, the circuit information regarding the cell is referred to as cell circuit information. Further, the
また、特性情報算出部503は、トランジスタ検出部502によって検出されたトランジスタのトランジスタ特性情報Fiを算出する。具体的には、上述したサイズ情報(Poly幅、Poly長など)Siや、P型/N型の種類、標準駆動電圧、動作温度など、各種動作条件にしたがってトランジスタ種別Triを絞り込み、トランジスタ特性情報Fiを算出する。すでに同種のトランジスタ特性情報Fiが算出されている場合には、算出する必要がない。
In addition, the characteristic
また、格納部504は、特性情報算出部503によって算出されたトランジスタ特性情報Fiをトランジスタ種別Triごとにトランジスタ特性情報DB210に格納する。これにより、図3に示したトランジスタ特性情報DB210を構築することができる。
The
(トランジスタ特性情報作成部201の作成処理手順)
つぎに、上述したトランジスタ特性情報作成部201の作成処理手順について説明する。図6は、トランジスタ特性情報作成部201の作成処理手順を示すフローチャートである。図6において、まず、未処理のセルがあるか否かを判断し(ステップS601)、未処理のセルがある場合(ステップS601:Yes)、セル回路情報取得部501により未処理のセルのセル回路情報を取得する(ステップS602)。
(Creation processing procedure of transistor characteristic information creation unit 201)
Next, a creation processing procedure of the above-described transistor characteristic
そして、トランジスタ検出部502によりセル回路情報からトランジスタを検出する(ステップS603)。そして、特性情報算出部503によりトランジスタ特性情報を算出する(ステップS604)。このあと、ステップS601に戻る。 Then, the transistor is detected from the cell circuit information by the transistor detection unit 502 (step S603). Then, the transistor characteristic information is calculated by the characteristic information calculation unit 503 (step S604). Thereafter, the process returns to step S601.
一方、ステップS601において、未処理のセルがないと判断された場合(ステップS601:No)、格納部504によりトランジスタ種別Triごとにトランジスタ特性情報DB210に格納する(ステップS605)。これにより、一連の処理を終了する。
On the other hand, if it is determined in step S601 that there is no unprocessed cell (step S601: No), the
このトランジスタ特性情報作成部201によれば、トランジスタをトランジスタ種別Triに絞り込むことができるため、多数のセル内のトランジスタのトランジスタ特性情報Fiをまとめることができる。したがって、必要なトランジスタ種別Triのみライブラリ化すれば良く、工数の削減を図ることができる。また、すでに同種のトランジスタ特性情報Fiが算出されている場合には、算出する必要がないため、算出効率の向上を図ることができる。
According to the transistor characteristic
(論理ライブラリ作成部202の機能的構成)
つぎに、図2に示した論理ライブラリ作成部202の機能的構成について説明する。図7は、図2に示した論理ライブラリ作成部202の機能的構成を示すブロック図である。図7において、論理ライブラリ作成部202は、レイアウト情報取得部701と、回路情報抽出部702と、特性情報抽出部703と、接続情報抽出部704と、生成部705と、から構成されている。
(Functional configuration of the logical library creation unit 202)
Next, a functional configuration of the logic
レイアウト情報取得部701は、論理ライブラリ220の作成対象となるセル(作成対象セル)のレイアウト情報を取得する。具体的には、レイアウトツールにより作成された作成対象セルのレイアウト情報を取得する。図8は、インバータの展開例を示す説明図である。作成対象セルがインバータ801である場合、そのレイアウト情報802を読み込む。
The layout
回路情報抽出部702は、レイアウト情報取得部701によって取得されたレイアウト情報から作成対象セルに関する回路情報を抽出する。この抽出された回路情報を抽出回路情報と称す。また、この抽出ルールには、たとえば、パターン認識ルールとRC抽出ルールなどがある。パターン認識ルールは、トランジスタ、メタル、ビアなどのパターンを認識するルールである。
The circuit
また、RC抽出ルールは、パターン認識ルールにしたがって認識されたパターンの抵抗や容量を抽出する。そして認識されたパターンや抵抗、容量により、抽出回路情報を得る。図8に示したインバータ801では、レイアウト情報802からその等価回路を示す回路データ803を抽出することができる。
The RC extraction rule extracts the resistance and capacitance of the pattern recognized according to the pattern recognition rule. Then, extraction circuit information is obtained from the recognized pattern, resistance, and capacitance. In the
また、特性情報抽出部703は、抽出回路情報により特定されるトランジスタ特性情報Fiをトランジスタ特性情報DB210から抽出する。たとえば、図8に示した回路データ803の場合、回路データ803内のトランジスタTra,Trbのサイズと同等(一致または所定誤差内)のトランジスタ種別Tri,Trjを特定する。そして、特定されたトランジスタ種別Tri,Trjのトランジスタ特性情報Fi,Fjを抽出する。
Further, the characteristic
また、特性情報抽出部703は、抽出回路情報により特定されるトランジスタ以外の他の回路素子に関する特性情報も抽出回路情報から抽出する。すなわち、抽出回路情報に含まれているトランジスタ以外の他の回路素子(抵抗、容量)に関する特性情報を抽出する。たとえば、抵抗に関する特性情報とはその抵抗の抵抗値であり、容量に関する特性情報とはその容量の容量値である。
In addition, the characteristic
また、接続情報抽出部704は、抽出回路情報により特定されるトランジスタおよび他の回路素子の接続情報を抽出回路情報から抽出する。具体的には、トランジスタのゲート、ソース、ドレインや、電源VCC、VSS、抵抗、容量の接続関係をあらわす接続情報を抽出回路情報から抽出する。たとえば、図8に示した回路データ803については、図4に示した接続情報を得ることができる。
In addition, the connection
すなわち、トランジスタTraの種別はトランジスタ種別Triであるため、接続情報(VCC,NET1,NET2)を得ることができる。その他、トランジスタTrb、抵抗R1,R2、容量C1,C2についても図4に示したような接続情報を得ることができる。この接続情報と各種回路素子(トランジスタ、抵抗、容量)の特性情報Fi,Fj,r1,r2,c1,c2とを得る。 That is, since the type of the transistor Tra is the transistor type Tri, connection information (VCC, NET1, NET2) can be obtained. In addition, connection information as shown in FIG. 4 can be obtained for the transistor Trb, resistors R1 and R2, and capacitors C1 and C2. This connection information and characteristic information Fi, Fj, r1, r2, c1, c2 of various circuit elements (transistors, resistors, capacitors) are obtained.
また、生成部705は、抽出回路情報と特性情報抽出部703によって抽出された特性情報とに基づいて、作成対象セルに関するライブラリ情報を生成する。具体的には、抽出回路情報を構成するセル内回路素子ごとに、接続情報および特性情報を関連付け、論理ライブラリ220に格納する。
Also, the
たとえば、図8に示した回路データ803において、トランジスタTraの種別はトランジスタ種別Triであるため、接続情報(VCC,NET1,NET2)とトランジスタ特性情報Fiとを関連付ける。他の回路素子(トランジスタTrb、抵抗R1,R2、容量C1,C2)についても同様に関連付け、図4に示したようなセル内部情報Ikを生成する。このセル内部情報Ikとセル動作記述Akとからなる作成対象セルCEk(ここでは、図8に示したインバータ801)のライブラリ情報を得る。
For example, in the
(論理ライブラリ作成部202の作成処理手順)
つぎに、論理ライブラリ作成部202の作成処理手順について説明する。図9は、論理ライブラリ作成部202の作成処理手順を示すフローチャートである。まず、作成対象セルCEkがあるか否かを判断し(ステップS901)、作成対象セルCEkがある場合(ステップS901:Yes)、レイアウト情報取得部701によりレイアウト情報を取得する(ステップS902)。
(Creation processing procedure of the logical library creation unit 202)
Next, the creation processing procedure of the logical
つぎに、回路情報抽出部702により、作成対象セルCEkのレイアウト情報からその回路情報を抽出する(ステップS903)。このあと、特性情報抽出部703によりトランジスタや抵抗、容量の特性情報を抽出するとともに、接続情報抽出部704により接続情報を抽出する(ステップS904)。そして、作成対象セルCEkのライブラリ情報を生成する(ステップS905)。このあとステップS901に戻る。
Next, the circuit
なお、ステップS901において、作成対象セルCEkがない場合(ステップS901:No)、一連の処理を終了する。これにより、図4に示した論理ライブラリ220を作成することができる。この論理ライブラリ作成部202によれば、LSIの製造プロセス変更やセルの追加などに柔軟に対応することができる論理ライブラリ220を自動生成することができる。
In step S901, when there is no creation target cell CEk (step S901: No), a series of processing ends. As a result, the
(遅延値演算部203の機能的構成)
つぎに、図2に示した遅延値演算部203の機能的構成について説明する。図10は、図2に示した遅延値演算部203の機能的構成を示すブロック図である。図10において、遅延値演算部203は、検証対象回路情報取得部1001と、算出対象回路情報抽出部1002と、ライブラリ情報抽出部1003と、分割部1004と、遅延値算出部1005と、出力部1006と、から構成されている。
(Functional configuration of delay value calculation unit 203)
Next, a functional configuration of the delay
検証対象回路情報取得部1001は、検証対象回路に関する回路情報を取得する。ここで、検証対象回路とは、論理シミュレーションの対象となっている回路である。また、検証対象回路に関する回路情報(以下、「検証対象回路情報」という)1000は、検証対象回路のネットリスト1010とレイアウト情報1020とからなる回路情報である。
The verification target circuit
算出対象回路情報抽出部1002は、検証対象回路情報1000の中から、遅延値算出対象となる任意のセルおよび当該セルに接続されている付加回路素子からなる回路情報(以下、「算出対象回路情報」という)を抽出する。ここで、付加回路素子とは、遅延値算出対象となるセルの入力端子や出力端子に接続されている抵抗や容量などの回路素子である。
The calculation target circuit
ライブラリ情報抽出部1003は、論理ライブラリ220の中から、算出対象回路情報抽出部1002によって抽出された算出対象回路情報により特定されるセルに関するライブラリ情報を抽出する。たとえば、算出対象回路情報により特定されるセルがインバータであれば、論理ライブラリ220からインバータのライブラリ情報を抽出する。
The library
また、分割部1004は、ライブラリ情報抽出部1003によって抽出されたライブラリ情報に基づいて、算出対象回路情報を、当該算出対象回路情報により特定されるセルを構成するトランジスタごとに分割する。具体的には、算出対象回路情報内のセルを構成するトランジスタが複数存在する場合、セルの等価回路をランジスタごとに分割する。
Further, the
また、遅延値算出部1005は、ライブラリ情報抽出部1003によって抽出されたライブラリ情報に基づいて、算出対象回路情報により特定されるセルの遅延値を算出する。具体的には、ライブラリ情報抽出部1003によって抽出されたライブラリ情報に含まれているトランジスタのトランジスタ特性情報Fiに基づいて、分割部1004によって分割された算出対象回路情報ごとに遅延値を算出する。たとえば、分割された算出対象回路情報のトランジスタに合致するトランジスタ特性情報を用いて、分割された算出対象回路情報の遅延値を算出する。
The delay
また、出力部1006は、遅延値算出部1005によって算出された算出結果を出力する。具体的には、遅延値算出部1005によって算出された算出結果を、算出対象回路情報により特定されるセルの遅延値として出力する。遅延値算出部1005では、分割された算出対象回路情報ごとに、すなわち、トランジスタごとに遅延値が算出される。したがって、セルの遅延値は、トランジスタごとの遅延値からなる情報である。
The
つぎに、遅延値演算部203の具体的な演算処理例について説明する。図11は、遅延値演算部203の具体的な演算処理例を示す工程図である。図11では、インバータを例に挙げて具体的に説明する。まず、工程(A)において、検証対象回路情報1000であるネットリスト1010およびレイアウト情報1020を用意する。
Next, a specific calculation processing example of the delay
つぎに、工程(B)において、算出対象回路情報抽出部1002により、任意のセルCEkであるインバータおよびその付加回路素子となる抵抗Ra,Rx,Ca,Cxを抽出する。つぎに、工程(C)において、ライブラリ情報抽出部1003により、セルCEkのライブラリ情報を論理ライブラリ220から抽出する。これにより、セルCEkの等価回路1100を得る。
Next, in step (B), the calculation target circuit
つぎに、工程(D)において、分割部1004により、トランジスタTra,TrbごとにセルCEkの等価回路1100を分割する。これにより、トランジスタTraを有する等価回路1101と、トランジスタTrbを有する等価回路1102を得る。等価回路1101は、インバータの0→1→0の状態遷移をあらわし、等価回路1102は、インバータの1→0→1の状態遷移をあらわしている。
Next, in step (D), the
等価回路1101,1102では、抵抗Ra,R1をマージして抵抗Ra1とし、抵抗R2,Rxをマージして抵抗R2xとし、容量Ca,C1をマージして容量Ca1とし、容量C2,Cxをマージして容量C2xとする。
In
つぎに、工程(E)において、遅延値算出部1005により、等価回路1101,1102ごとに遅延値を算出する。これにより、セルCEkを構成するトランジスタTra,Trbの動作ごとに遅延値Da,Dbを得ることができる。最後に、工程(F)において、出力部1006により、等価回路1101,1102ごとの遅延値Da,DbをセルCEkの遅延値として出力する。
Next, in step (E), the delay
ここで、遅延値算出部1005による遅延値算出処理について具体的に説明する。図12は、等価回路1102およびその信号波形を示す説明図である。図12において、Slew(in)は入力信号波形1201のなまりであり、Slew(out)は出力信号波形1202のなまりである。入力信号波形1201と出力信号波形1202との間の時間距離が遅延値Dbとなる。
Here, the delay value calculation processing by the delay
図13は、SPICEシミュレータの参照テーブルを示す図表である。図13において、テーブル1301は、入力側のテーブルであり、テーブル1302は出力側のテーブルである。テーブル1301,1302は温度範囲ごとに用意されている。 FIG. 13 is a chart showing a reference table of the SPICE simulator. In FIG. 13, a table 1301 is an input side table, and a table 1302 is an output side table. Tables 1301 and 1302 are prepared for each temperature range.
遅延値Dbは、Slew(in)と入力付加RC(in)との組み合わせによりテーブル1301から得られる遅延値と、Slew(in)と出力付加RC(out)との組み合わせによりテーブル1302から得られるSlew(out)との総和である。 The delay value Db is obtained from the table 1302 by a combination of the delay value obtained from the table 1301 by the combination of Slew (in) and the input addition RC (in) and the combination of Slew (in) and the output addition RC (out). (Out) and the sum.
図13においては、入力付加RC(in)は、抵抗Ra1と容量Ca1とからなる入力側回路の付加である。同様に、出力付加RC(out)は、抵抗R2xと容量C2xとからなる入力側回路の付加である。 In FIG. 13, an input addition RC (in) is an addition of an input side circuit composed of a resistor Ra1 and a capacitor Ca1. Similarly, the output addition RC (out) is an addition of an input side circuit composed of a resistor R2x and a capacitor C2x.
たとえば、ある温度Tにおいて、Slew(in)=Slew(in2)、入力付加RC(in)=RC(in3)、出力付加RC(out)=RC(out2)である場合、テーブル1301から遅延値Deley23が読み出され、テーブル1302からSlew(out23)が読み出される。遅延値Dbは、遅延値Deley23とSlew(out22)との総和となる。 For example, when Slew (in) = Slew (in2), input addition RC (in) = RC (in3), and output addition RC (out) = RC (out2) at a certain temperature T, the delay value Delay23 from the table 1301 is obtained. Is read, and Slew (out23) is read from the table 1302. The delay value Db is the sum of the delay value Delay23 and Slew (out22).
(遅延値演算部203の演算処理手順)
つぎに、遅延値演算部203の演算処理手順について説明する。図14は、遅延値演算部203の演算処理手順を示すフローチャートである。図14において、まず、検証対象回路情報取得部1001により、検証対象回路情報1000を取得し(ステップS1401)、未処理のセルがあるか否かを判断する(ステップS1402)。未処理のセルがある場合(ステップS1402:Yes)、算出対象回路情報抽出部1002により、算出対象回路情報を検証対象回路情報1000から抽出する(ステップS1403)。
(Calculation procedure of delay value calculation unit 203)
Next, a calculation processing procedure of the delay
つぎに、算出対象回路情報により特定されるセルのライブラリ情報を論理ライブラリ220から抽出する(ステップS1404)。このライブラリ情報の抽出によりセルの等価回路を得ることができる。 Next, library information of the cell specified by the calculation target circuit information is extracted from the logic library 220 (step S1404). By extracting the library information, an equivalent circuit of the cell can be obtained.
そして、分割部1004により等価回路をトランジスタごとに分割し(ステップS1405)、遅延値算出部1005によりトランジスタごとに遅延値を算出する(ステップS1406)。そして、算出結果を出力し(ステップS1407)、ステップS1402に戻る。このあと、ステップS1402において、未処理のセルがない場合(ステップS1402:No)、一連の処理を終了する。
Then, the
この遅延値演算処理によれば、トランジスタごとにセルの遅延値を算出することができるため、遅延値の信頼性が向上し、論理シミュレーションの精度向上を図ることができる。 According to this delay value calculation process, since the delay value of the cell can be calculated for each transistor, the reliability of the delay value can be improved and the accuracy of the logic simulation can be improved.
このように、この発明にかかる実施の形態によれば、LSIの論理シミュレーションに用いられる論理ライブラリ作成にかかる工数削減を図ることができる。また、製造プロセスに変更があった場合は、必要な種類のトランジスタ特性情報を再作成するだけでよい。また、セル物理情報が変更された場合は、トランジスタ種別Triなどを修正すれば、セル特性情報を算出する必要はない。 As described above, according to the embodiment of the present invention, it is possible to reduce the man-hours required for creating a logic library used for logic simulation of an LSI. Further, when there is a change in the manufacturing process, it is only necessary to re-create necessary types of transistor characteristic information. When the cell physical information is changed, it is not necessary to calculate the cell characteristic information by correcting the transistor type Tri or the like.
また、論理セルの追加をおこなう場合は、動作記述とトランジスタ種別Tri、抵抗、容量だけ求めればよい。換言すれば、これまで一括で行っていたセル特性算出の工数をLSIチップ遅延計算にも分担させることができる。 Further, when adding a logic cell, only the operation description, transistor type Tri, resistance, and capacitance need be obtained. In other words, it is possible to share the man-hours for calculating the cell characteristics that have been performed in a lump for the LSI chip delay calculation.
したがって、プロセス変更やセルの追加などに柔軟な対応が可能な論理ライブラリ220が開発できるとともに、必要なトランジスタ種別Triのみライブラリ化すれば良く、論理ライブラリ作成工数の削減を図ることができる。
Therefore, a
以上説明したように、検証支援装置、検証支援方法、検証支援プログラム、および記録媒体によれば、簡単かつ効率的に論理ライブラリ220を作成することにより、設計期間の短縮化を図ることができる。
As described above, according to the verification support device, the verification support method, the verification support program, and the recording medium, the design period can be shortened by creating the
なお、本実施の形態で説明した検証支援方法は、予め用意されたプログラムをパーソナル・コンピュータやワークステーション等のコンピュータで実行することにより実現することができる。このプログラムは、ハードディスク、フレキシブルディスク、CD−ROM、MO、DVD等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行される。またこのプログラムは、インターネット等のネットワークを介して配布することが可能な伝送媒体であってもよい。 The verification support method described in the present embodiment can be realized by executing a program prepared in advance on a computer such as a personal computer or a workstation. This program is recorded on a computer-readable recording medium such as a hard disk, a flexible disk, a CD-ROM, an MO, and a DVD, and is executed by being read from the recording medium by the computer. The program may be a transmission medium that can be distributed via a network such as the Internet.
(付記1)セルごとに、当該セルに関する回路情報を取得するセル回路情報取得手段と、
前記セル回路情報取得手段によって取得された回路情報から前記セルを構成するトランジスタを検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出されたトランジスタに関する特性情報を算出する特性情報算出手段と、
前記特性情報算出手段によって算出された特性情報をトランジスタ種別ごとにデータベースに格納する格納手段と、
を備えることを特徴とする検証支援装置。
(Appendix 1) Cell circuit information acquisition means for acquiring circuit information related to the cell for each cell;
Detecting means for detecting a transistor constituting the cell from circuit information acquired by the cell circuit information acquiring means;
Characteristic information calculating means for calculating characteristic information about the transistor detected by the detecting means;
Storage means for storing the characteristic information calculated by the characteristic information calculation means in a database for each transistor type;
A verification support apparatus comprising:
(付記2)作成対象セルのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得手段と、
前記レイアウト情報取得手段によって取得されたレイアウト情報から前記作成対象セルに関する回路情報を抽出する回路情報抽出手段と、
前記回路情報抽出手段によって抽出された回路情報により特定されるトランジスタに関する特性情報を前記データベースから抽出する特性情報抽出手段と、
前記回路情報と前記特性情報抽出手段によって抽出されたトランジスタに関する特性情報とに基づいて、前記作成対象セルに関するライブラリ情報を生成する生成手段と、
を備えることを特徴とする付記1に記載の検証支援装置。
(Supplementary Note 2) Layout information acquisition means for acquiring layout information of a creation target cell;
Circuit information extraction means for extracting circuit information relating to the creation target cell from layout information acquired by the layout information acquisition means;
Characteristic information extraction means for extracting characteristic information about the transistor specified by the circuit information extracted by the circuit information extraction means from the database;
Generating means for generating library information relating to the creation target cell based on the circuit information and the characteristic information relating to the transistor extracted by the characteristic information extracting means;
The verification support apparatus according to
(付記3)作成対象セルのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得手段と、
前記レイアウト情報取得手段によって取得されたレイアウト情報から前記作成対象セルに関する回路情報を抽出する回路情報抽出手段と、
トランジスタ種別ごとに得られたトランジスタに関する特性情報の集合の中から、前記回路情報抽出手段によって抽出された回路情報(以下、「抽出回路情報」という)により特定されるトランジスタに関する特性情報を抽出する特性情報抽出手段と、
前記抽出回路情報と前記特性情報抽出手段によって抽出された特性情報とに基づいて、前記作成対象セルに関するライブラリ情報を生成する生成手段と、
を備えることを特徴とする検証支援装置。
(Supplementary Note 3) Layout information acquisition means for acquiring layout information of a creation target cell;
Circuit information extraction means for extracting circuit information relating to the creation target cell from layout information acquired by the layout information acquisition means;
A characteristic for extracting characteristic information relating to a transistor specified by circuit information extracted by the circuit information extracting means (hereinafter referred to as “extracted circuit information”) from a set of characteristic information relating to the transistor obtained for each transistor type. Information extraction means;
Based on the extraction circuit information and the characteristic information extracted by the characteristic information extraction means, generation means for generating library information related to the creation target cell;
A verification support apparatus comprising:
(付記4)前記特性情報抽出手段は、
前記抽出回路情報により特定されるトランジスタ以外の他の回路素子に関する特性情報を前記抽出回路情報から抽出し、
前記生成手段は、
前記特性情報抽出手段によって抽出されたトランジスタおよび他の回路素子に関する特性情報に基づいて、前記作成対象セルに関するライブラリ情報を生成することを特徴とする付記2または3に記載の検証支援装置。
(Supplementary Note 4) The characteristic information extracting means includes:
Extracting characteristic information about circuit elements other than the transistor specified by the extraction circuit information from the extraction circuit information,
The generating means includes
4. The verification support apparatus according to appendix 2 or 3, wherein library information relating to the creation target cell is generated based on characteristic information relating to the transistor and other circuit elements extracted by the characteristic information extracting means.
(付記5)前記抽出回路情報により特定されるトランジスタおよび他の回路素子の接続情報を前記抽出回路情報から抽出する接続情報抽出手段とを備え、
前記生成手段は、
前記接続情報抽出手段によって抽出された接続情報に基づいて、前記作成対象セルに関するライブラリ情報を生成することを特徴とする付記2〜4のいずれか一つに記載の検証支援装置。
(Supplementary note 5) comprising connection information extracting means for extracting connection information of the transistor specified by the extraction circuit information and other circuit elements from the extraction circuit information;
The generating means includes
The verification support apparatus according to any one of appendices 2 to 4, wherein library information related to the creation target cell is generated based on the connection information extracted by the connection information extraction unit.
(付記6)検証対象回路に関する回路情報を取得する検証対象回路情報取得手段と、
前記検証対象回路情報取得手段によって取得された回路情報の中から、遅延値算出対象となる任意のセルおよび当該セルに接続されている付加回路素子からなる回路情報(以下、「算出対象回路情報」という)を抽出する算出対象回路情報抽出手段と、
前記生成手段によって生成されたライブラリ情報群の中から、前記算出対象回路情報抽出手段によって検出された算出対象回路情報により特定されるセルに関するライブラリ情報を抽出するライブラリ情報抽出手段と、
前記ライブラリ情報抽出手段によって抽出されたライブラリ情報に基づいて、前記算出対象回路情報により特定されるセルの遅延値を算出する遅延値算出手段と、
前記遅延値算出手段によって算出された算出結果を出力する出力手段と、
を備えることを特徴とする検証支援装置。
(Appendix 6) Verification target circuit information acquisition means for acquiring circuit information related to the verification target circuit;
Among the circuit information acquired by the verification target circuit information acquisition means, circuit information (hereinafter referred to as “calculation target circuit information”) consisting of an arbitrary cell as a delay value calculation target and an additional circuit element connected to the cell. Calculation target circuit information extracting means for extracting
Library information extraction means for extracting library information related to the cell specified by the calculation target circuit information detected by the calculation target circuit information extraction means from the library information group generated by the generation means;
A delay value calculating means for calculating a delay value of a cell specified by the calculation target circuit information based on the library information extracted by the library information extracting means;
Output means for outputting a calculation result calculated by the delay value calculating means;
A verification support apparatus comprising:
(付記7)前記ライブラリ情報抽出手段によって抽出されたライブラリ情報に基づいて、前記算出対象回路情報を、当該算出対象回路情報により特定されるセルを構成するトランジスタごとに分割する分割手段を備え、
前記遅延値算出手段は、
前記ライブラリ情報抽出手段によって抽出されたライブラリ情報に含まれているトランジスタに関する特性情報に基づいて、前記分割手段によって分割された算出対象回路情報ごとに遅延値を算出し、
前記出力手段は、
前記遅延値算出手段によって算出された算出結果を、前記算出対象回路情報により特定されるセルの遅延値として出力することを特徴とする付記6に記載の検証支援装置。
(Additional remark 7) It is provided with the division means which divides | segments the said calculation object circuit information for every transistor which comprises the cell specified by the said calculation object circuit information based on the library information extracted by the said library information extraction means,
The delay value calculating means includes
Based on the characteristic information about the transistors included in the library information extracted by the library information extraction unit, a delay value is calculated for each calculation target circuit information divided by the division unit,
The output means includes
The verification support apparatus according to appendix 6, wherein the calculation result calculated by the delay value calculation means is output as a delay value of a cell specified by the calculation target circuit information.
(付記8)セルごとに、当該セルに関する回路情報を取得するセル回路情報取得工程と、
前記セル回路情報取得工程によって取得された回路情報から前記セルを構成するトランジスタを検出する検出工程と、
前記検出工程によって検出されたトランジスタに関する特性情報を算出する特性情報算出工程と、
前記特性情報算出工程によって算出された特性情報をトランジスタ種別ごとにデータベースに格納する格納工程と、
を含んだことを特徴とする検証支援方法。
(Supplementary note 8) A cell circuit information acquisition step for acquiring circuit information about the cell for each cell;
A detection step of detecting a transistor constituting the cell from the circuit information acquired by the cell circuit information acquisition step;
A characteristic information calculation step of calculating characteristic information about the transistor detected by the detection step;
A storage step of storing the characteristic information calculated by the characteristic information calculation step in a database for each transistor type;
A verification support method characterized by including
(付記9)作成対象セルのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得工程と、
前記レイアウト情報取得工程によって取得されたレイアウト情報から前記作成対象セルに関する回路情報を抽出する回路情報抽出工程と、
トランジスタ種別ごとに得られたトランジスタに関する特性情報の集合の中から、前記回路情報抽出工程によって抽出された回路情報(以下、「抽出回路情報」という)により特定されるトランジスタに関する特性情報を抽出する特性情報抽出工程と、
前記抽出回路情報と前記特性情報抽出工程によって抽出された特性情報とに基づいて、前記作成対象セルに関するライブラリ情報を生成する生成工程と、
を含んだことを特徴とする検証支援方法。
(Supplementary note 9) Layout information acquisition step of acquiring layout information of a creation target cell;
A circuit information extraction step for extracting circuit information relating to the creation target cell from the layout information acquired by the layout information acquisition step;
A characteristic for extracting characteristic information about a transistor specified by circuit information extracted by the circuit information extraction step (hereinafter referred to as “extracted circuit information”) from a set of characteristic information about the transistor obtained for each transistor type. An information extraction process;
Based on the extraction circuit information and the characteristic information extracted by the characteristic information extraction step, a generation step of generating library information related to the creation target cell;
A verification support method characterized by including
(付記10)セルごとに、当該セルに関する回路情報を取得させるセル回路情報取得工程と、
前記セル回路情報取得工程によって取得された回路情報から前記セルを構成するトランジスタを検出させる検出工程と、
前記検出工程によって検出されたトランジスタに関する特性情報を算出させる特性情報算出工程と、
前記特性情報算出工程によって算出された特性情報をトランジスタ種別ごとにデータベースに格納させる格納工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする検証支援プログラム。
(Additional remark 10) The cell circuit information acquisition process which acquires the circuit information regarding the said cell for every cell,
A detection step of detecting a transistor constituting the cell from the circuit information acquired by the cell circuit information acquisition step;
A characteristic information calculation step for calculating characteristic information about the transistor detected by the detection step;
A storing step of storing the characteristic information calculated by the characteristic information calculating step in a database for each transistor type;
A verification support program characterized by causing a computer to execute.
(付記11)作成対象セルのレイアウト情報を取得させるレイアウト情報取得工程と、
前記レイアウト情報取得工程によって取得されたレイアウト情報から前記作成対象セルに関する回路情報を抽出させる回路情報抽出工程と、
トランジスタ種別ごとに得られたトランジスタに関する特性情報の集合の中から、前記回路情報抽出工程によって抽出された回路情報(以下、「抽出回路情報」という)により特定されるトランジスタに関する特性情報を抽出させる特性情報抽出工程と、
前記抽出回路情報と前記特性情報抽出工程によって抽出された特性情報とに基づいて、前記作成対象セルに関するライブラリ情報を生成させる生成工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする検証支援プログラム。
(Additional remark 11) The layout information acquisition process of acquiring the layout information of a production target cell;
A circuit information extraction step for extracting circuit information relating to the creation target cell from the layout information acquired by the layout information acquisition step;
A characteristic for extracting characteristic information related to a transistor specified by circuit information extracted by the circuit information extraction step (hereinafter referred to as “extracted circuit information”) from a set of characteristic information related to the transistor obtained for each transistor type. An information extraction process;
Based on the extraction circuit information and the characteristic information extracted by the characteristic information extraction step, a generation step for generating library information related to the creation target cell;
A verification support program characterized by causing a computer to execute.
(付記12)付記10または11に記載の検証支援プログラムを記録した前記コンピュータに読み取り可能な記録媒体。 (Supplementary note 12) A computer-readable recording medium on which the verification support program according to Supplementary note 10 or 11 is recorded.
以上のように、本発明にかかる検証支援装置、検証支援方法、検証支援プログラム、および記録媒体は、LSIの論理ライブラリの作成および論理シミュレーションに有用である。 As described above, the verification support apparatus, the verification support method, the verification support program, and the recording medium according to the present invention are useful for creation of an LSI logic library and logic simulation.
200 検証支援装置
201 トランジスタ特性情報作成部
202 論理ライブラリ作成部
203 遅延値演算部
210 トランジスタ特性情報DB
220 論理ライブラリ
501 セル回路情報取得部
502 トランジスタ検出部
503 特性情報算出部
504 格納部
701 レイアウト情報取得部
702 回路情報抽出部
703 特性情報抽出部
704 接続情報抽出部
705 生成部
1001 検証対象回路情報取得部
1002 算出対象回路情報抽出部
1003 ライブラリ情報抽出部
1004 分割部
1005 遅延値算出部
1006 出力部
DESCRIPTION OF
220
Claims (5)
前記セル回路情報取得手段によって取得された回路情報から前記セルを構成するトランジスタを検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出されたトランジスタに関する特性情報を算出する特性情報算出手段と、
前記特性情報算出手段によって算出された特性情報をトランジスタ種別ごとにデータベースに格納する格納手段と、
を備えることを特徴とする検証支援装置。 Cell circuit information acquisition means for acquiring circuit information about the cell for each cell;
Detecting means for detecting a transistor constituting the cell from circuit information acquired by the cell circuit information acquiring means;
Characteristic information calculating means for calculating characteristic information about the transistor detected by the detecting means;
Storage means for storing the characteristic information calculated by the characteristic information calculation means in a database for each transistor type;
A verification support apparatus comprising:
前記レイアウト情報取得手段によって取得されたレイアウト情報から前記作成対象セルに関する回路情報を抽出する回路情報抽出手段と、
トランジスタ種別ごとに得られたトランジスタに関する特性情報の集合の中から、前記回路情報抽出手段によって抽出された回路情報(以下、「抽出回路情報」という)により特定されるトランジスタに関する特性情報を抽出する特性情報抽出手段と、
前記抽出回路情報と前記特性情報抽出手段によって抽出された特性情報とに基づいて、前記作成対象セルに関するライブラリ情報を生成する生成手段と、
を備えることを特徴とする検証支援装置。 Layout information acquisition means for acquiring layout information of a creation target cell;
Circuit information extraction means for extracting circuit information relating to the creation target cell from layout information acquired by the layout information acquisition means;
A characteristic for extracting characteristic information relating to a transistor specified by circuit information extracted by the circuit information extracting means (hereinafter referred to as “extracted circuit information”) from a set of characteristic information relating to the transistor obtained for each transistor type. Information extraction means;
Based on the extraction circuit information and the characteristic information extracted by the characteristic information extraction means, generation means for generating library information related to the creation target cell;
A verification support apparatus comprising:
前記セル回路情報取得工程によって取得された回路情報から前記セルを構成するトランジスタを検出する検出工程と、
前記検出工程によって検出されたトランジスタに関する特性情報を算出する特性情報算出工程と、
前記特性情報算出工程によって算出された特性情報をトランジスタ種別ごとにデータベースに格納する格納工程と、
を含んだことを特徴とする検証支援方法。 For each cell, a cell circuit information acquisition step for acquiring circuit information about the cell;
A detection step of detecting a transistor constituting the cell from the circuit information acquired by the cell circuit information acquisition step;
A characteristic information calculation step of calculating characteristic information about the transistor detected by the detection step;
A storage step of storing the characteristic information calculated by the characteristic information calculation step in a database for each transistor type;
A verification support method characterized by including
前記セル回路情報取得工程によって取得された回路情報から前記セルを構成するトランジスタを検出させる検出工程と、
前記検出工程によって検出されたトランジスタに関する特性情報を算出させる特性情報算出工程と、
前記特性情報算出工程によって算出された特性情報をトランジスタ種別ごとにデータベースに格納させる格納工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする検証支援プログラム。 For each cell, a cell circuit information acquisition step for acquiring circuit information about the cell,
A detection step of detecting a transistor constituting the cell from the circuit information acquired by the cell circuit information acquisition step;
A characteristic information calculation step for calculating characteristic information about the transistor detected by the detection step;
A storing step of storing the characteristic information calculated by the characteristic information calculating step in a database for each transistor type;
A verification support program characterized by causing a computer to execute.
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