JP2007258437A - Die bond dicing laminate film - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminate film for bonding a semiconductor chip manufacturing dicing die bond film which changes the mutual bonding temperature between a dicing tape and the die bond film. <P>SOLUTION: The laminate film is used after mutually bonding adhesive layers of a dicing tape mainly using a side chain crystalline polymer as the adhesive and a die bond film nonadhesive at room temperature, using an adhesive of a shear viscosity of 10-100,000 Pa s in a temperature range of 40-80°C. The mutually bonding temperature is over the adhesive of either the die bond film or the dicing tape but lower than the setting temperature of the adhesive of the die bond film. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウエハのダイシング時や半導体チップのピックアップ時に使用するダイボンドダイシング積層フィルムに関するものである。   The present invention relates to a die-bonded dicing laminated film used when dicing a wafer or picking up a semiconductor chip.

近年、半導体チップの種類は、多様化しており、特にその厚みや、大きさは、その半導体チップが装着される電子部品によって異なっており、さまざまである。   In recent years, the types of semiconductor chips have been diversified. In particular, the thickness and size of the semiconductor chips vary depending on the electronic component on which the semiconductor chip is mounted and are various.

上記の背景から半導体チップの製造工程においても、それぞれの半導体チップの大きさや厚みに応じた工法が必要とされている。特に、半導体チップの大きさを決定するウエハのダイシング工程や、その後に続くピックアップ工程で使用されるダイシングテープは重要な役割を担っている。   From the above background, in the manufacturing process of a semiconductor chip, a construction method corresponding to the size and thickness of each semiconductor chip is required. In particular, the dicing tape used in the wafer dicing process for determining the size of the semiconductor chip and the subsequent pick-up process plays an important role.

ダイシング工程は、薄くバックグラインドされたウエハを所定のサイズへ、ダイシング刃を使ってカットする工程であるが、ウエハにダイシング刃の衝撃が強く影響する工程であり、チップの欠けやクラックが発生しやすい工程といえる。通常ダイシングされるウエハの厚みやチップの大きさに応じて、使われるダイシングテープも種種に使い分けされていた。   The dicing process is a process that uses a dicing blade to cut a thin back-grinded wafer into a predetermined size, but the wafer is strongly affected by the impact of the dicing blade, causing chipping and cracking. This is an easy process. Depending on the thickness of the wafer that is normally diced and the size of the chip, the dicing tape to be used is also used in various ways.

また、小さくカットされた半導体チップは、ダイシング工程の後、ダイシングテープから剥離する必要がある。通常ダイシングテープの下方からニードルを押し当て、吸引コレットで半導体チップ表面から吸引しながら、ダイシングテープから剥離される(ピックアップ工程)。このピックアップ工程でも、カットされた半導体チップの厚みやサイズがさまざまなことから、半導体チップの欠けやクラックが発生しないよう、各厚みやサイズにあった工法が必要とされていた。特に、ダイシングテープから半導体チップを剥離する際の剥離力は、各チップサイズによって個々に変更する必要があり、それに応じたダイシングテープを種々用意する必要があった。   Moreover, the semiconductor chip cut | disconnected small needs to peel from a dicing tape after a dicing process. Usually, the needle is pressed from below the dicing tape and peeled off from the dicing tape while being sucked from the surface of the semiconductor chip with a suction collet (pickup process). Even in this pick-up process, since the thickness and size of the cut semiconductor chip are various, a method suitable for each thickness and size is required so that the chip and crack of the semiconductor chip do not occur. In particular, the peeling force when peeling the semiconductor chip from the dicing tape needs to be individually changed depending on the size of each chip, and various dicing tapes corresponding to that need to be prepared.

また近年、ダイシングテープとダイボンド積層フィルムを一体的に積層したダイボンドダイシングフィルムが発明され、半導体チップのダイシング工程やピックアップ工程において、その工程の簡素化から現在では一般的に常用されている。   In recent years, a die-bonded dicing film in which a dicing tape and a die-bonded laminated film are integrally laminated has been invented, and is currently commonly used in the dicing process and pick-up process of semiconductor chips because of the simplification of the process.

通常前記ダイボンドダイシング積層フィルムは、ダイシング工程前に、加熱(通常70℃以上)しながらウエハにダイボンドフィルム側を接着させて使われる。ダイシング工程終了後、ダイシングテープとダイボンドフィルムの界面の粘着力を低下させた後、半導体チップをダイボンドフィルムごと垂直方向にピックアップし、支持体へ移した後、ダイボンドフィルムを硬化させて固定される。   Usually, the die bond dicing laminated film is used by adhering the die bond film side to a wafer while heating (usually 70 ° C. or higher) before the dicing step. After the dicing process is completed, the adhesive force at the interface between the dicing tape and the die bond film is reduced, and then the semiconductor chip is picked up in the vertical direction together with the die bond film, transferred to the support, and then the die bond film is cured and fixed.

例えば特許文献1には、放射線で硬化する剤を通常の粘着剤へ添加した粘着層を持つダイシングテープと、ダイボンドフィルムを一体的に積層したフィルムが開示されている。ウエハのダイシングを行った後、放射線を照射し、ダイシングテープの粘着剤を硬化させ粘着性を低下させた後、ダイボンドフィルムとダイシングテープの界面で半導体チップを垂直方向へ剥離、ピックアップする。   For example, Patent Document 1 discloses a film in which a dicing tape having an adhesive layer obtained by adding a radiation curing agent to a normal adhesive and a die bond film are integrally laminated. After the wafer is diced, the wafer is irradiated with radiation, the adhesive of the dicing tape is cured to reduce the adhesiveness, and then the semiconductor chip is peeled off and picked up at the interface between the die bond film and the dicing tape.

特開2003−301148号公報JP 2003-301148 A

上記に開示されているようなダイボンドダイシングフィルムは、ダイシングテープの粘着剤を放射線硬化により粘着力の低下を図っている。粘着力の低下は、粘着力の必要なダイシングカット工程の後に行われ、それまでは常に粘着力が発生している状態でダイボンドフィルムを貼り合わされていることとなる。この粘着力が発生している状態での貼り合わせは、粘着力の経時的な増加の原因となり、放射線照射後のピックアップ時の粘着力の低下を大きく阻害する。ピックアップ時に粘着力が低下していないと、ダイシングテープからチップが剥離しないピックアップミスが発生する。   The die bond dicing film as disclosed above is intended to reduce the adhesive strength of the dicing tape adhesive by radiation curing. The decrease in the adhesive strength is performed after the dicing cut process that requires the adhesive strength, and until then, the die bond film is bonded in a state where the adhesive strength is always generated. Bonding in a state where the adhesive force is generated causes an increase in the adhesive force over time, and greatly reduces the decrease in the adhesive force during pickup after radiation irradiation. If the adhesive force is not reduced during pick-up, a pick-up mistake that does not peel off the chip from the dicing tape occurs.

最初から紫外線照射により粘着力の低下したダイシングテープを用いることや、微粘着性を持ったダイシングテープを使用し、ピックアップ時の粘着力を弱くすることは、ウエハをダイシングする際のウエハの固定力が減少することにつながる。   Using a dicing tape whose adhesive strength has decreased due to UV irradiation from the beginning or using a dicing tape with slight adhesiveness to weaken the adhesive strength at the time of pick-up means that the wafer fixing force when dicing the wafer Leads to a decrease.

このように、これらのダイボンドダイシングフィルムでは、ダイシング時のウエハの固定力とピックアップ時の粘着力のバランスを図ることは難しいといえる。特に、種々の半導体チップのサイズに合わせたダイボンドダイシング積層フィルムのダイシングテープとダイボンドフィルム間の粘着力を同一組成の粘着剤で変更させることは、容易とは言えない。   Thus, it can be said that with these die-bonded dicing films, it is difficult to balance the wafer fixing force during dicing and the adhesive force during pickup. In particular, it is not easy to change the adhesive force between a dicing tape and a die bond film of a die bond dicing laminated film according to various semiconductor chip sizes with an adhesive having the same composition.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、ダイシングテープとダイボンドフィルム間の固定力と粘着力を容易に変更でき、種々の半導体チップのサイズに対応できるダイボンドダイシング積層フィルムを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a die-bonded dicing laminated film that can easily change the fixing force and adhesive force between a dicing tape and a die-bonding film and can cope with various semiconductor chip sizes. The purpose is to do.

本発明は、主に側鎖結晶性ポリマーよりなる粘着層と支持フィルムからなるダイシングテープと、常温では非粘着性を有し、かつ40℃以上、80℃以下の温度域でせん断粘度が10Pa・s以上、100000Pa・s以下を示す粘着層を有するダイボンドフィルムとを、粘着層面で積層一体化した積層フィルムにおいて、前記積層一体化の温度が40℃以上又は前記ダイシングテープの粘着層の融点以上であって、かつ前記ダイボンドフィルムの粘着層の硬化温度未満であることを特徴とする半導体チップ製造に使われる積層フィルムである。   The present invention is a dicing tape mainly composed of a pressure-sensitive adhesive layer composed of a side chain crystalline polymer and a support film, and has non-adhesiveness at room temperature, and has a shear viscosity of 10 Pa · in a temperature range of 40 ° C. or higher and 80 ° C. or lower. In a laminated film obtained by laminating and integrating a die bond film having an adhesive layer exhibiting s to 100000 Pa · s on the adhesive layer surface, the temperature of the laminated integration is 40 ° C. or higher or the melting point of the adhesive layer of the dicing tape or higher. A laminated film used for manufacturing a semiconductor chip, wherein the temperature is lower than the curing temperature of the adhesive layer of the die bond film.

また、本発明は、積層一体化の温度が、40〜80℃の範囲又はダイボンドフィルムの粘着層のせん断粘度が10Pa・s以上、100000Pa・s以下を示す温度範囲である前記の積層フィルムである。更に、本発明は、ダイシングテープの粘着層の融点がダイボンドフィルムのタック性発現温度より高く、かつ積層一体化の温度が、40℃以上又はダイシングテープの粘着層の融点以上である前記の積層フィルムである。   Moreover, this invention is the said laminated | multilayer film whose temperature of lamination | stacking integration is the range which is the range of 40-80 degreeC, or the shear viscosity of the adhesion layer of a die-bonding film is 10 Pa.s or more and 100000 Pa.s or less. . Furthermore, the present invention provides the above laminated film, wherein the melting point of the adhesive layer of the dicing tape is higher than the tackiness expression temperature of the die bond film, and the temperature of lamination integration is 40 ° C. or higher or the melting point of the adhesive layer of the dicing tape. It is.

以下、本発明をさらに詳しく説明する。
本発明で使用するダイボンドフィルムは樹脂成分とフィラーからなることが望ましい。フィラーとしては、例えば金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、カーボン、シリカ、石英などが用いられ、好ましくは球状のシリカである。このようなフィラーは樹脂成分100重量部に対し、100〜1000重量部程度の割合で用いられる。樹脂成分といては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂と硬化剤からなることが望ましい。熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂およびポリスチレン樹脂などの熱可塑性樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としてはエポキシ、フェノール、ユリア等の熱硬化性樹脂が挙げられる。好ましいエポキシ樹脂としては、グリシジルエーテル型のエポキシ樹脂があり、これらを単独あるいは複数の混合物として使用することが可能である。硬化剤は種々のものから選択できるが、エポキシ系硬化剤としては、アミン類、酸無水物類、多価フェノール類などの汎用の硬化剤やジシアンジアミド、イミダゾール類、ヒドラジド類などの潜在性硬化剤を使用できる。常温以上の所定の温度、例えば上記樹脂成分が必要な粘着性を示す温度以上で硬化性を発揮し、室温での長期保存も可能な潜在性硬化剤が望ましい。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
The die bond film used in the present invention is preferably composed of a resin component and a filler. As the filler, for example, gold, silver, copper, nickel, aluminum, carbon, silica, quartz and the like are used, and spherical silica is preferable. Such a filler is used in a ratio of about 100 to 1000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component. The resin component is preferably made of a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a curing agent. Examples of the thermoplastic resin include thermoplastic resins such as phenoxy resin, polycarbonate resin, and polystyrene resin. Examples of the thermosetting resin include thermosetting resins such as epoxy, phenol, and urea. As a preferable epoxy resin, there is a glycidyl ether type epoxy resin, which can be used alone or as a mixture thereof. The curing agent can be selected from various types, but as the epoxy curing agent, general curing agents such as amines, acid anhydrides and polyhydric phenols and latent curing agents such as dicyandiamide, imidazoles and hydrazides Can be used. A latent curing agent that exhibits curability at a predetermined temperature above room temperature, for example, at or above the temperature at which the resin component exhibits the necessary tackiness, and is capable of long-term storage at room temperature is desirable.

これらを配合することにより得られるダイボンドフィルムは、常温では非粘着であるが、40℃〜80℃に加熱することにより、せん断粘度が10Pa・s〜100000Pa・sになる。ここで、10Pa・sより低いと流動性が高く流れ出してしまい、ダイシングテープとの貼り合わせができず、100000Pa・sより高いと流動性が不足し良好な接着性を得ることができない。   Although the die-bonding film obtained by mix | blending these is non-adhesive at normal temperature, a shear viscosity will be 10 Pa.s-100,000 Pa.s by heating at 40 to 80 degreeC. Here, if it is lower than 10 Pa · s, the fluidity will flow out and cannot be bonded to the dicing tape. If it is higher than 100000 Pa · s, the fluidity will be insufficient and good adhesion cannot be obtained.

本発明で使用するダイシングテープは、ベースの支持フィルムと側鎖結晶性のポリマーを主とする粘着層の少なくとも2層以上からなる。支持フィルムは、室温から90℃までの熱処理により機械的物性を損なわないものがよく、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムが用いられる。厚みは、50〜250μmが望ましい。プラスチックフィルム表面には、側鎖結晶性ポリマーの粘着層との密着性を上げるために表面処理、例えばコロナ放電処理、プラズマ処理、ブラスト処理、サンドマット処理、プライマー薬品処理などの化学的、物理的処理を行うこともできる。更にその上に、粘着層、例えばアクリル系、ゴム系、シリコン系粘着層をコーティングすることによって、更なる密着性の向上あるいは、ダイシングカット時に使用する金属製のダイシングリングへの粘着力の付与を行っても良い。   The dicing tape used in the present invention comprises at least two layers of a base support film and an adhesive layer mainly composed of a side chain crystalline polymer. The support film is preferably one that does not impair mechanical properties by heat treatment from room temperature to 90 ° C., for example, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene film, polypropylene film, polyvinyl chloride film, polycarbonate film, polyamide film. A plastic film such as a polyimide film is used. The thickness is desirably 50 to 250 μm. The surface of the plastic film is chemically and physically treated with surface treatments such as corona discharge treatment, plasma treatment, blast treatment, sand mat treatment, primer chemical treatment, etc. in order to increase the adhesion to the adhesive layer of the side chain crystalline polymer. Processing can also be performed. Furthermore, by coating an adhesive layer such as an acrylic, rubber, or silicon adhesive layer on top of that, it is possible to further improve the adhesion or impart adhesive force to the metal dicing ring used during dicing cut. You can go.

ダイシングテープの側鎖結晶性ポリマーの粘着層は、温度変化に対応して、結晶状態と非結晶状態とを可逆的に起こす粘着層のことを意味する。本発明において結晶状態と非結晶状態との変化点を融点といい、これは最初は秩序ある状態に整合されていた特定部分が、無秩序状態となる温度を意味するものであり、示差熱走査熱量計(DSC)で、10℃/分の測定条件で測定して得られる値である。   The adhesive layer of the side chain crystalline polymer of the dicing tape means an adhesive layer that reversibly causes a crystalline state and an amorphous state corresponding to a temperature change. In the present invention, the transition point between the crystalline state and the amorphous state is referred to as the melting point, which means the temperature at which the specific portion initially matched to the ordered state becomes disordered, and the differential thermal scanning calorific value. It is a value obtained by measuring with a meter (DSC) under measurement conditions of 10 ° C./min.

側鎖結晶性ポリマーの粘着層は、炭素数16以上の直鎖状アルキル基を有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステル30〜100重量部と、炭素数1〜6のアルキル基を有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステル0〜70重量部と、極性モノマー0〜10重量部とを重合して得られる重合体であることが望ましい。この側鎖結晶性ポリマーは、ホモポリマー又はコーポリマーのいずれでも良い。   The pressure-sensitive adhesive layer of the side chain crystalline polymer comprises 30 to 100 parts by weight of an acrylic ester or methacrylic ester having a linear alkyl group having 16 or more carbon atoms and an acrylic ester having a C 1 to C 6 alkyl group or A polymer obtained by polymerizing 0 to 70 parts by weight of a methacrylic acid ester and 0 to 10 parts by weight of a polar monomer is desirable. This side chain crystalline polymer may be either a homopolymer or a copolymer.

前記炭素数16以上の直鎖状アルキル基を有するアクリル酸エステル及び/又はメタクリル酸エステル(以下、(メタ)アクリレートともいう)としては、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、エイコシル(メタ)アクリレート、ベヘニル(メタ)アクリレート等の炭素数16〜22の線状アルキル基を有する(メタ)アクリレート等の1種又は2種以上を好ましく用いることができる。この直鎖状アルキル基はポリマーとなったとき側鎖となる。   Examples of the acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester (hereinafter also referred to as (meth) acrylate) having a linear alkyl group having 16 or more carbon atoms include cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, eicosyl (meta ) One type or two or more types such as (meth) acrylate having a linear alkyl group having 16 to 22 carbon atoms such as acrylate and behenyl (meth) acrylate can be preferably used. This linear alkyl group becomes a side chain when it becomes a polymer.

炭素数1〜6のアルキル基を有する(メタ)アクリレートとしては、例えばメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート等の1種又は2種以上を好ましく用いることができる。   Examples of the (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include one or more of methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate and the like. It can be preferably used.

極性モノマーとしては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸などのカルボキシル基含有エチレン不飽和単量体;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリレート等のヒドロキシル基を有するエチレン不飽和単量体等の1種又は2種以上を好ましく用いることができる。   Examples of polar monomers include carboxyl-containing ethylenically unsaturated monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic acid, and fumaric acid; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meta ) One type or two or more types of ethylenically unsaturated monomers having a hydroxyl group such as acrylate and 2-hydroxyhexyl (meth) acrylate can be preferably used.

この様な側鎖結晶性ポリマーは、従来公知の方法で得られるが、粘着剤による汚染を低減するために、低分子量体を含まないことが望ましく、ポリマーの重量平均分子量は、ポリスチレン換算で30万〜100万が望ましい。分子量が30万未満であると、凝集力不足により粘着剤の転写などの汚染を起こす恐れがある。また、分子量が100万を超えると、溶液粘度が高くなり塗工が困難になる恐れがある。また、得られたポリマーの融点は、30〜70℃、好ましくは40〜60℃である。融点が70℃を超えると、粘着フィルム貼り付け時の好適温度が高くなりすぎ、30℃より低いと、室温で粘着性が発現し、粘着力の経時変化が起こる可能性がある。   Such a side-chain crystalline polymer can be obtained by a conventionally known method. However, in order to reduce contamination by the pressure-sensitive adhesive, it is desirable not to contain a low molecular weight substance, and the weight average molecular weight of the polymer is 30 in terms of polystyrene. 10,000 to 1,000,000 is desirable. If the molecular weight is less than 300,000, there is a risk of causing contamination such as transfer of an adhesive due to insufficient cohesive force. Moreover, when molecular weight exceeds 1 million, there exists a possibility that solution viscosity may become high and coating may become difficult. The melting point of the obtained polymer is 30 to 70 ° C, preferably 40 to 60 ° C. If the melting point exceeds 70 ° C., the preferred temperature at the time of sticking the adhesive film becomes too high, and if it is lower than 30 ° C., the tackiness is developed at room temperature, and the adhesive force may change over time.

前記のダイボンドフィルムとダイシングテープの各粘着層同士を、ダイボンドフィルムの粘着層のタック性発現温度以上もしくは前記ダイシングテープの粘着層の融点以上であって、かつ前記ダイボンドフィルムの粘着剤の硬化温度未満で貼り合わせ一体化して、本発明のダイボンドダイシング積層フィルム(以下、積層フィルムともいう)とする。ダイボンドフィルムのタック性発現温度以上もしくは前記ダイシングテープの融点以上の温度に加熱して貼り合わせることで、各粘着層の少なくとも一方の界面は、粘着剤が流動状態にあって、各粘着剤層同士を密着させ、接着させることができる。この積層されたフィルムをダイボンドフィルムのタック性発現温度以下かつダイシングテープの融点以下であるピックアップ時の温度(通常では常温)に戻しても、本発明の積層フィルムの粘着剤の境界層は、貼り合わせた時の密着させた状態を維持し、保持されている。   The pressure-sensitive adhesive layers of the die-bonding film and the dicing tape are not less than the tackiness expression temperature of the pressure-sensitive adhesive layer of the die-bonding film or the melting point of the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape, and less than the curing temperature of the pressure-sensitive adhesive of the die-bonding film. The die-bonded dicing laminated film of the present invention (hereinafter, also referred to as a laminated film). At least one interface of each pressure-sensitive adhesive layer is in a fluid state by heating to a temperature equal to or higher than the tackiness expression temperature of the die-bonding film or a temperature equal to or higher than the melting point of the dicing tape. Can be adhered and adhered. Even when this laminated film is returned to the pick-up temperature (normally normal temperature) which is lower than the tackiness expression temperature of the die-bonding film and lower than the melting point of the dicing tape, the boundary layer of the adhesive of the laminated film of the present invention is stuck. It is maintained and kept in close contact with each other.

また、例えば前記各粘着剤の内、ダイボンドフィルムのタック性発現温度以上もしくは前記ダイシングテープの融点以上の温度で貼り合わせた場合は、いずれの粘着剤も流動状態にあることから、各粘着剤同士の密着度は上記の場合より前記粘着層界面の接着力が向上する。この場合も、ダイボンドフィルムのタック性発現温度以下かつダイシングテープの融点以下であるピックアップ時の温度へ戻しても、粘着層の境界面は、貼り合わせた時の密着させた状態を維持し、保持されていることから、片方が流動性を示す状態で貼り合わせた上記の場合よりも強く接着保持されることになる。   In addition, for example, when each of the adhesives is bonded at a temperature equal to or higher than the tack development temperature of the die bond film or higher than the melting point of the dicing tape, each adhesive is in a fluid state. The adhesive strength of the adhesive layer interface is improved as compared with the above case. Even in this case, even when the temperature is returned to the pick-up temperature that is not higher than the tackiness expression temperature of the die-bonding film and not higher than the melting point of the dicing tape, the boundary surface of the adhesive layer maintains and maintains the contact state when bonded. Therefore, one side is bonded and held stronger than in the above case where one side is bonded in a state showing fluidity.

このように、ダイボンドフィルムとダイシングテープの貼り合わせる温度を変更させるだけで、ダイボンドフィルムのタック性発現温度以下かつダイシングテープの融点以下であるピックアップ時の温度において各粘着層の境界面の接着力を変更することができる。   In this way, by simply changing the temperature at which the die bond film and the dicing tape are bonded, the adhesive force at the interface between the adhesive layers at the pick-up temperature that is below the tackiness expression temperature of the die bond film and below the melting point of the dicing tape. Can be changed.

前記するようにダイシングテープの粘着層は、主に側鎖結晶性ポリマーが使われており、粘着剤が融点に達すると急速に結晶状態から相転移して非結晶状態の流動性を示す状態へ転移する性質を持つ。このような急激な相転移は、前記粘着剤の貯蔵弾性率(G')が、融点以下の温度では5×106Pa以上を示すのに対し、融点以上の温度では1×105Pa未満へ急激に低下することからも明らかといえる。 As described above, the adhesive layer of the dicing tape is mainly made of a side chain crystalline polymer, and when the adhesive reaches the melting point, it rapidly undergoes a phase transition from a crystalline state to a state showing a non-crystalline fluidity. It has the property of transferring. Such a rapid phase transition shows that the storage elastic modulus (G ′) of the pressure-sensitive adhesive exhibits 5 × 10 6 Pa or more at a temperature below the melting point, whereas it is less than 1 × 10 5 Pa at a temperature above the melting point. It is clear from the sudden drop.

このように融点の温度を境にして、結晶性と非結晶性を可逆的に繰り返すことができる粘着剤をダイシングテープに使用し、ダイシングテープの粘着剤の融点以上の温度でダイボンドフィルムの粘着剤と貼り合わせ、その後ダイボンドフィルムのタック性発現温度未満もしくは前記ダイシングテープの融点未満の温度状態に戻すと、ダイシングテープの粘着剤が瞬時に相転移することで、貼り合わせた時の各粘着剤の界面の状態を維持することが可能となる。この粘着剤として、通常のアクリル粘着剤を使った場合は、急激な相転移を示さないことから、上記の現象を発生させることが難しい。   In this way, an adhesive capable of reversibly repeating crystallinity and non-crystallinity at the melting point temperature is used for the dicing tape, and the die bond film adhesive is used at a temperature higher than the melting point of the dicing tape adhesive. And then, after returning to a temperature state below the tackiness expression temperature of the die bond film or below the melting point of the dicing tape, the adhesive of the dicing tape instantaneously undergoes a phase transition, and each adhesive when bonded It becomes possible to maintain the state of the interface. When a normal acrylic pressure-sensitive adhesive is used as this pressure-sensitive adhesive, it does not show a rapid phase transition, and it is difficult to generate the above phenomenon.

このような積層フィルムを使用して、前記ダイシングダイボンドフィルムをダイボンドフィルムのタック性発現温度未満かつ前記ダイシングテープの融点未満の状態で、ウエハをダイシングすることで、ウエハを十分固定することができると共にダイシング時発生する半導体チップのチップ飛びやチッピングが防止できる。   Using such a laminated film, the wafer can be sufficiently fixed by dicing the wafer in a state where the dicing die-bonding film is below the tackiness expression temperature of the die-bonding film and below the melting point of the dicing tape. Chip skipping and chipping of the semiconductor chip that occur during dicing can be prevented.

本発明では、上記ダイシングテープの粘着剤と同様に、ダイボンドフィルムの粘着剤についても、上記相転移に似た現象を示すことが望ましい。すなわち、タック性発現温度以上では、せん断粘度が急激に小さくなり、流動性を示すと共に、タック性発現温度未満の温度になると、急激にせん断粘度が高まり、流動性を示さない非粘着性の状態へ変化することが望ましい。この状態の変化は、前記ダイシングテープの粘着剤と同じく急激に変化するので、ダイシングテープの粘着剤と貼り合わせた後、ダイシングダイボンドフィルムをダイボンドフィルムのタック性発現温度未満もしくは前記ダイシングテープの融点未満の温度状態にすると、粘着剤が瞬時に流動性を示さない非粘着性の状態へ変化することで、貼り合わせた時の各粘着剤の界面の状態を保持することが可能となる。   In the present invention, it is desirable for the die-bonding film pressure-sensitive adhesive to exhibit a phenomenon similar to the phase transition as well as the dicing tape pressure-sensitive adhesive. That is, at the tack development temperature or higher, the shear viscosity rapidly decreases and exhibits fluidity, and at a temperature lower than the tack development temperature, the shear viscosity rapidly increases and is non-adhesive with no fluidity. It is desirable to change to Since the change in this state changes abruptly like the adhesive of the dicing tape, after bonding with the adhesive of the dicing tape, the dicing die bond film is less than the tackiness expression temperature of the die bond film or less than the melting point of the dicing tape. In this temperature state, the pressure-sensitive adhesive instantly changes to a non-sticky state that does not exhibit fluidity, so that the interface state of each pressure-sensitive adhesive when bonded can be maintained.

本発明では、ダイシングテープとダイボンドフィルムのいずれの粘着剤も上記するように、急激な状態の変化を起こす粘着剤であることが望ましく、この現象をうまく使ってダイシングテープとダイボンドフィルムの粘着剤同士を貼り合わせることで本目的を達成することが可能となる。   In the present invention, as described above, it is desirable that both the dicing tape and the die bond film are adhesives that cause a sudden change in state, and by using this phenomenon, the dicing tape and the die bond film can be used together. This object can be achieved by pasting together.

貼り合わせる温度によって、ダイボンドフィルムの粘着剤のみを流動状態にしたり、ダイシングテープの粘着剤のみを流動状態にしたり、あるいは両者を共に流動状態にできることで、その各状態において貼り合わせた後、ダイボンドフィルムのタック性発現温度以下かつダイシングテープの融点以下であるピックアップ時の温度において各粘着剤の界面に異なる接着力を保持させることが可能となる。特に、両粘着剤が共に流動性を示す温度(ダイボンドフィルムのタック性発現温度以上かつダイシングテープの融点以上)で、粘着剤を貼り合わす時、ダイボンドフィルムのタック性発現温度以下かつダイシングテープの融点以下であるピックアップ時の温度において最も強い接着界面を持つダイボンドダイシングフィルムとなることがわかる。   Depending on the bonding temperature, only the adhesive of the die bond film can be made into a fluid state, only the adhesive of the dicing tape can be made into a fluid state, or both can be made into a fluid state. It is possible to maintain different adhesive forces at the interfaces of the respective pressure-sensitive adhesives at a temperature at the time of pickup which is not higher than the tackiness expression temperature and not higher than the melting point of the dicing tape. In particular, when the adhesive is bonded at a temperature at which both adhesives exhibit fluidity (above the die bond film tacking temperature and the dicing tape melting point), the die bonding film tacking temperature is below the dicing tape melting point. It can be seen that the die bond dicing film having the strongest adhesive interface at the following pick-up temperature is obtained.

以上から、本発明のダイボンドダイシング積層フィルムは、各粘着剤層同士を貼り合わせる温度を変えることによって、ダイボンドフィルムのタック性発現温度以下かつダイシングテープの融点以下であるダイシング時とピックアップ時の前記積層フィルムの層間の接着力を変化させることが可能である。   From the above, the die-bonded dicing laminated film of the present invention can be obtained by changing the temperature at which the respective adhesive layers are bonded to each other, so that the lamination at the time of dicing and at the time of pick-up is lower than the tackiness expression temperature of the die-bonding film and lower than the melting point of the dicing tape. It is possible to change the adhesion between the layers of the film.

ウエハを所定のサイズへダイシングした後、吸引コレットにより半導体チップを上方へピックアップする、もしくはニードルレスピックアップ用冶具にてピックアップする(ピックアップ工程)。通常この工程では、半導体チップ下方からニードルでチップを突き上げながら、吸引コレットで半導体チップをピックアップする。   After the wafer is diced to a predetermined size, the semiconductor chip is picked up by a suction collet, or picked up by a needleless pick-up jig (pickup process). Usually, in this step, the semiconductor chip is picked up by a suction collet while pushing up the chip with a needle from below the semiconductor chip.

本発明の積層フィルム(ダイボンドダイシングフィルム)を使用してダイシングした場合、ダイボンドフィルムの粘着剤とダイシングテープの粘着剤の界面で剥離する必要がある。ダイシングの工程、およびピックアップの工程で、前記各粘着剤はいずれも融点未満の結晶状態(ダイシングテープの粘着剤の場合)又はせん断粘度が高く非粘着性の状態(ダイボンドフィルムの粘着剤の場合)となっていることから、ニードルの突き上げにより作られる小さな剥離の起点から、わずかな力で容易に半導体チップをピックアップできる。   When dicing using the laminated film (die-bonded dicing film) of the present invention, it is necessary to peel off at the interface between the adhesive of the die-bonding film and the adhesive of the dicing tape. In the dicing process and the pick-up process, each of the pressure-sensitive adhesives is in a crystalline state below the melting point (in the case of a dicing tape pressure-sensitive adhesive) or in a non-adhesive state having a high shear viscosity (in the case of a die-bonding film pressure-sensitive adhesive). Therefore, the semiconductor chip can be easily picked up with a slight force from the starting point of the small peeling made by pushing up the needle.

ダイシングテープとダイボンドフィルム間の固定力と粘着力を容易に変更でき、種々の半導体チップのサイズに対応できるダイボンドダイシングフィルムを提供できる。   The fixing force and adhesive force between the dicing tape and the die bond film can be easily changed, and a die bond dicing film that can correspond to various semiconductor chip sizes can be provided.

以下、本発明の実施の一例を工程図を示す図1を参照して説明する。ダイボンドフィルム1とダイシングテープ2が用意される。ダイボンドフィルム1とダイシングテープ2は、上記した粘着層を有するものであればよいが、支持体(図示せず)を有してもよい。次に、ダイボンドフィルム1とダイシングテープ2の粘着層面を重ねて上記のような条件で熱圧着して積層して、本発明のダイボンドダイシングフィルムとする。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. A die bond film 1 and a dicing tape 2 are prepared. The die bond film 1 and the dicing tape 2 may have any of the above-described adhesive layers, but may have a support (not shown). Next, the pressure-sensitive adhesive layer surfaces of the die bond film 1 and the dicing tape 2 are overlapped and laminated by thermocompression bonding under the above conditions to obtain the die bond dicing film of the present invention.

ダイボンドダイシングフィルムのダイシングテープ2の側に(支持体を有する場合はそれを剥がしたのち)、粘着テープ3を密着させ、固着させる。粘着テープ3は、ピックアップ操作での、ダイボンドフィルム1とダイシングテープ2の剥離を助ける。次に、ダイボンドフィルム1の側に(支持体を有する場合はそれを剥がしたのち)、ウエハー4を密着させ、固着させる。その後、ダイシング処理してウエハー4とダイボンドダイシングフィルムを所定のチップサイズに切断する。次に、ピックアップニードル5でチップを押し上げ、ダイボンドフィルム1とダイシングテープ2の界面で剥離させ、ダイボンドフィルム付きのチップを得る。   Adhesive tape 3 is brought into intimate contact with and fixed to the dicing tape 2 side of the die bond dicing film (after having the support removed). The adhesive tape 3 helps the die bond film 1 and the dicing tape 2 to be peeled off during the pickup operation. Next, the wafer 4 is brought into close contact with the die-bonding film 1 (after peeling off the support, if any), and fixed. Thereafter, the wafer 4 and the die bond dicing film are cut into a predetermined chip size by dicing. Next, the chip is pushed up by the pickup needle 5 and peeled off at the interface between the die bond film 1 and the dicing tape 2 to obtain a chip with a die bond film.

以下、参考例、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、部は重量部を意味する。   EXAMPLES Hereinafter, although a reference example and an Example are given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to a following example. In addition, a part means a weight part.

実施例1
熱硬化樹脂分としてエポキシ樹脂と溶剤とフェノキシ樹脂とを混合し、球状シリカを加え、3本ロールで混練した。この混合物にマイクロカプセル型イミダゾール系潜在性硬化剤を加え、混合ワニスを得た。これを50μmの離型処理されたPETフィルム上に塗布、乾燥しダイボンドフィルムを得た。
Example 1
As a thermosetting resin component, an epoxy resin, a solvent, and a phenoxy resin were mixed, spherical silica was added, and the mixture was kneaded with three rolls. A microcapsule type imidazole-type latent curing agent was added to this mixture to obtain a mixed varnish. This was applied onto a 50 μm release treated PET film and dried to obtain a die bond film.

ベヘニルアクリレート45部、メチルアクリレート50部、アクリル酸5部、アゾビスイソブチロニトリル0.5部を酢酸エチル200部と混合、55℃で重合し、側鎖結晶性ポリマーA溶液を得た。得られたポリマーの重量平均分子量は60万、融点は55℃であった。これに架橋剤としてケミタイトPZ33をポリマー100部に対し5部添加し、50μmの離型処理されたPETフィルム上に塗布、乾燥しダイシングテープAを得た。   45 parts of behenyl acrylate, 50 parts of methyl acrylate, 5 parts of acrylic acid and 0.5 part of azobisisobutyronitrile were mixed with 200 parts of ethyl acetate and polymerized at 55 ° C. to obtain a side chain crystalline polymer A solution. The weight average molecular weight of the obtained polymer was 600,000, and the melting point was 55 ° C. To this, 5 parts of Chemite PZ33 as a cross-linking agent was added to 100 parts of the polymer, applied onto a 50 μm release-treated PET film, and dried to obtain a dicing tape A.

前記ダイボンドフィルムの粘着剤層と前記ダイシングテープAの粘着剤層を40℃でラミネートし、積層フィルムを得た(積層フィルム1)。積層フィルム1を21cmφの円形に打ち抜き、これに100μmのポリエチレンフィルム上に10μmのアクリル粘着剤層を塗布したものをダイシングテープAの粘着剤側に貼り合せ、一体化テープ(テープ1)を得た。   The pressure-sensitive adhesive layer of the die bond film and the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape A were laminated at 40 ° C. to obtain a laminated film (laminated film 1). The laminated film 1 was punched into a 21 cmφ circle, and a 100 μm polyethylene film coated with a 10 μm acrylic adhesive layer was bonded to the adhesive side of the dicing tape A to obtain an integrated tape (tape 1). .

実施例2
実施例1と同組成のダイボンドフィルムとダイシングテープAを用い、60℃でラミネートし、積層フィルムを得た(積層フィルム2)。これを一体化テープとし、テープ2を得た。
Example 2
A die-bonding film having the same composition as in Example 1 and a dicing tape A were used and laminated at 60 ° C. to obtain a laminated film (laminated film 2). This was used as an integrated tape to obtain tape 2.

実施例3
実施例1と同組成のダイボンドフィルムとダイシングテープAを用い、80℃でラミネートし、積層フィルムを得た(積層フィルム3)。これを一体化テープとし、テープ3を得た。
Example 3
Using a die-bonding film having the same composition as in Example 1 and dicing tape A, lamination was performed at 80 ° C. to obtain a laminated film (laminated film 3). This was used as an integrated tape to obtain tape 3.

実施例4
ステアリルアクリレート45部、メチルアクリレート50部、アクリル酸5部、アゾビスイソブチロニトリル0.5部を酢酸エチル200部と混合、55℃で重合し、側鎖結晶性ポリマーB溶液を得た。得られたポリマーの重量平均分子量は55万、融点は35℃であった。これに架橋剤としてケミタイトPZ33をポリマー100部に対し5部添加し、50μmの離型処理されたPETフィルム上に塗布、乾燥しダイシングテープBを得た。
Example 4
45 parts of stearyl acrylate, 50 parts of methyl acrylate, 5 parts of acrylic acid and 0.5 part of azobisisobutyronitrile were mixed with 200 parts of ethyl acetate and polymerized at 55 ° C. to obtain a side chain crystalline polymer B solution. The obtained polymer had a weight average molecular weight of 550,000 and a melting point of 35 ° C. To this, 5 parts of Chemite PZ33 as a cross-linking agent was added to 100 parts of the polymer, applied onto a 50 μm release-treated PET film, and dried to obtain a dicing tape B.

実施例1と同組成のダイボンドフィルムの粘着剤層と前記のダイシングテープBの粘着層40℃でラミネートし、積層フィルムを得た(積層フィルム4)。アセンブリ2を21cmφの円形に打ち抜き、これに100μmのポリエチレンフィルム上に10μmのアクリル粘着剤層を塗布したものをダイシングテープBの粘着層に貼り合せ、一体化テープ(テープ4)を得た。   A laminated film was obtained by laminating the adhesive layer of the die bond film having the same composition as in Example 1 and the adhesive layer of the dicing tape B at 40 ° C. (laminated film 4). The assembly 2 was punched into a 21 cmφ circle, and a 100 μm polyethylene film coated with a 10 μm acrylic pressure-sensitive adhesive layer was bonded to the dicing tape B pressure-sensitive adhesive layer to obtain an integrated tape (tape 4).

比較例1
ダイシングテープとして市販UVテープを使用して、実施例1のダイボンドフィルムの粘着剤層に、このUVテープの粘着層を40℃で貼り合わせ、積層フィルム(テープ5)を得た。ピックアップ(剥離)前にUV光を照射した。
Comparative Example 1
Using a commercially available UV tape as the dicing tape, the adhesive layer of this UV tape was bonded to the adhesive layer of the die bond film of Example 1 at 40 ° C. to obtain a laminated film (tape 5). Before picking up (peeling), UV light was irradiated.

比較例2
ダイシングテープとして微粘着テープを使用して、実施例1のダイボンドフィルムの粘着層に、この微粘着テープの粘着層を40℃で貼り合わせ、積層フィルム(テープ6)を得た。
Comparative Example 2
Using a slightly adhesive tape as the dicing tape, the adhesive layer of the fine adhesive tape was bonded to the adhesive layer of the die bond film of Example 1 at 40 ° C. to obtain a laminated film (tape 6).

得られたテープ1〜6を48時間放置後、100μm厚みの半導体ウェハを2mmサイズと8mmサイズにカットし、回路基板に貼り合せた半導体装置を作成し、ダイシング適正(チップ飛び、ティッピング、カットバリ)、ピックアップ性(ピックアップミス)の評価を行った。
同時に、テープ1〜6で使用されているダイボンドフィルムの粘着剤とダイシングテープの粘着剤界面の接着特性をピール剥離、垂直剥離で評価した。これらをまとめて表1に示す。なお、ダイボンドフィルムの剪断粘度は、ラミネート温度におけるものである。
The obtained tapes 1 to 6 are allowed to stand for 48 hours, and then a semiconductor device having a thickness of 100 μm is cut into 2 mm size and 8 mm size to produce a semiconductor device bonded to a circuit board, and dicing suitability (chip skipping, tipping, cut burr) The pick-up property (pick-up mistake) was evaluated.
At the same time, the adhesive properties at the interface between the adhesive of the die bond film used in tapes 1 to 6 and the adhesive of the dicing tape were evaluated by peel peeling and vertical peeling. These are summarized in Table 1. The shear viscosity of the die bond film is at the lamination temperature.

Figure 2007258437
Figure 2007258437

テープ1は、貼り合わせ温度が40℃と低いため、接着力が弱く、2mmの半導体チッ
プがチップ飛びを起こす。しかし、同組成で60℃、80℃と貼り合わせ温度を上昇させると、チップ飛びはなくなる。逆にテープ3は、貼り合わせ温度が80℃と高いため、8mmチップでピックアップミスが発生することがある。テープ1〜3は、貼り合わせ温度で自由に接着力を調整できるため、チップサイズが変化しても同組成のテープで対応できることが示された。同様にテープ4は、側鎖結晶性ポリマーの融点がテープ1に比べ低いため、貼り付け温度が40℃と低くても、チップ飛びのない粘着力とピックアップミスのない剥離性を持つ。テープ5は、UVテープの粘着性が高いため、チップとびはないが、剥離時にピックアップミスが多く、剥離が重い。また微粘着タイプのテープ6は、粘着力が弱くチップ飛びが発生する。8mmサイズでピックアップミスが発生していることから、これ以上粘着力の高いものは使用できず、粘着力と剥離性のバランスを取りえないことが明らかである。
Since the bonding temperature of the tape 1 is as low as 40 ° C., the adhesive force is weak, and a 2 mm semiconductor chip causes a chip jump. However, when the bonding temperature is increased to 60 ° C. and 80 ° C. with the same composition, chip skipping disappears. On the contrary, the tape 3 has a bonding temperature as high as 80 ° C., so that a pickup error may occur with an 8 mm chip. It was shown that the tapes 1 to 3 can be adjusted with a tape having the same composition even if the chip size is changed because the adhesive force can be freely adjusted at the bonding temperature. Similarly, since the melting point of the side chain crystalline polymer is lower than that of the tape 1, the tape 4 has adhesive force without chip skipping and releasability without pick-up error even when the application temperature is as low as 40 ° C. Since the tape 5 has high adhesiveness to the UV tape, there is no chip skipping, but there are many pick-up mistakes during peeling, and the peeling is heavy. Further, the slightly adhesive type tape 6 has a weak adhesive force and causes chip jumping. Since a pick-up error has occurred in the 8 mm size, it is apparent that a material with higher adhesive strength cannot be used, and the balance between adhesive strength and peelability cannot be achieved.

本発明の一実施形態を示す工程図である。It is process drawing which shows one Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1:ダイボンドフィルム
2:ダイシングテープ
3:粘着テープ
4:ウエハー
5:ピックアップニードル
1: Die bond film
2: Dicing tape
3: Adhesive tape
4: Wafer
5: Pickup needle

Claims (3)

主に側鎖結晶性ポリマーよりなる粘着層と支持フィルムからなるダイシングテープと、常温では非粘着性を有しかつ40℃以上、80℃以下の温度域でせん断粘度が10Pa・s以上、100000Pa・s以下を示す粘着層を有するダイボンドフィルムとを粘着層面で積層一体化した積層フィルムにおいて、前記積層一体化の温度が40℃以上又は前記ダイシングテープの粘着層の融点以上であって、かつ前記ダイボンドフィルムの粘着層の硬化温度未満であることを特徴とする半導体チップ製造に使われる積層フィルム。   A dicing tape mainly composed of a pressure-sensitive adhesive layer composed of a side chain crystalline polymer and a support film, and non-adhesive at room temperature, and a shear viscosity of 10 Pa · s to 100000 Pa · In a laminated film obtained by laminating and integrating a die bond film having an adhesive layer showing s or less on the adhesive layer surface, the temperature of the laminated integration is 40 ° C. or higher or the melting point of the adhesive layer of the dicing tape, and the die bond A laminated film used for manufacturing semiconductor chips, wherein the temperature is lower than the curing temperature of the adhesive layer of the film. 積層一体化の温度が、40〜80℃の範囲又はダイボンドフィルムの粘着層のせん断粘度が10Pa・s以上、100000Pa・s以下を示す温度範囲であることを特徴とする請求項1の積層フィルム。   2. The laminated film according to claim 1, wherein the temperature of the laminated integration is in the range of 40 to 80 ° C. or the temperature range in which the shear viscosity of the pressure-sensitive adhesive layer of the die bond film is 10 Pa · s or more and 100000 Pa · s or less. ダイシングテープの粘着層の融点がダイボンドフィルムのタック性発現温度より高く、かつ積層一体化の温度が、40℃以上又はダイシングテープの粘着層の融点以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の積層フィルム。   The melting point of the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape is higher than the tackiness expression temperature of the die-bonding film, and the temperature of lamination and integration is 40 ° C. or higher, or higher than the melting point of the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape. A laminated film according to 1.
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