JP2007256985A - Gray-tone mask and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gray-tone mask which can be improved in pattern shape and pattern precision. <P>SOLUTION: The gray-tone mask has a light shield part 1, a light transmission part 2 having a portion adjacent to the light shield part 1, and a gray-tone part 3 transmitting part of exposure light; and the light transmitted through the gray-tone part 3 is reduced to selectively vary the film thickness of photoresist exposed through the gray-tone part 3. The light shield part 1 includes a translucent film, an etching stopper film, and a light shield film which are formed in order on the transparent substrate, and the gray-tone part 3 includes the translucent film formed on the transparent substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、グレートーンマスク及びその製造方法等に関する。   The present invention relates to a gray-tone mask and a manufacturing method thereof.

近年、大型ＬＣＤ用マスクの分野において、グレートーンマスクを用いてマスク枚数を削減する試みがなされている（例えば、非特許文献１参照。）。
ここで、グレートーンマスクは、例えば、図７（１）に示すように、遮光部１と、透光部２と、グレートーン部３とを有する。グレートーン部３は、グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界以下の微細遮光パターン３ａを形成した領域であって、この領域を透過する光の透過量を低減しこの領域による照射量を低減してフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的として形成される。遮光部１と微細遮光パターン３ａはともにクロムやクロム化合物等の同じ材料からなる同じ厚さの膜から通常形成されている。透光部２と微細透光部３ｂはともに、透明基板上において遮光膜等が形成されていない透明基板の部分である。
グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界は、ステッパ方式の露光機で約３μｍ、ミラープロジェクション方式の露光機で約４μｍである。このため、例えば、図７（１）でグレートーン部における微細透光部３ｂのスペース幅を３μｍ未満、露光機の解像限界以下の微細遮光パターン３ａのライン幅を３μｍ未満とする。上記大型ＬＣＤ用露光機で露光した場合、グレートーン部３を通過した露光光は全体として露光量が足りなくなるため、このグレートーン部３を介して露光したポジ型フォトレジストは膜厚が薄くなるだけで基板上に残る。つまり、レジストは露光量の違いによって通常の遮光部１に対応する部分とグレートーン部３に対応する部分で現像液に対する溶解性に差ができるため、現像後のレジスト形状は、図７（２）に示すように、通常の遮光部１に対応する部分１’が例えば約１．３μｍ、グレートーン部３に対応する部分３’が例えば約０．３μｍ、透光部２に対応する部分はレジストが残存しない部分２’となる。そして、レジストが残存しない部分２’で被加工基板の第１のエッチングを行い、グレートーン部３に対応する薄い部分３’のレジストをアッシング等によって除去しこの部分で第２のエッチングを行うことによって、１枚のマスクで従来のマスク２枚分の工程を行い、マスク枚数を削減する。 In recent years, attempts have been made to reduce the number of masks using a gray-tone mask in the field of large LCD masks (see Non-Patent Document 1, for example).
Here, the gray tone mask includes, for example, a light shielding portion 1, a light transmitting portion 2, and a gray tone portion 3 as shown in FIG. The gray tone part 3 is an area where a fine light-shielding pattern 3a below the resolution limit of a large LCD exposure machine that uses a gray tone mask is formed. The amount of light transmitted through this area is reduced, and It is formed for the purpose of selectively changing the film thickness of the photoresist by reducing the dose. Both the light-shielding portion 1 and the fine light-shielding pattern 3a are usually formed from films of the same thickness made of the same material such as chromium or a chromium compound. Both the translucent part 2 and the fine translucent part 3b are portions of the transparent substrate on which the light shielding film or the like is not formed on the transparent substrate.
The resolution limit of a large LCD exposure machine using a gray tone mask is about 3 μm for a stepper type exposure machine and about 4 μm for a mirror projection type exposure machine. For this reason, for example, in FIG. 7A, the space width of the fine light transmitting portion 3b in the gray tone portion is set to less than 3 μm, and the line width of the fine light shielding pattern 3a below the resolution limit of the exposure machine is set to less than 3 μm. When the exposure is performed with the above-mentioned large LCD exposure machine, the exposure light passing through the gray tone portion 3 is insufficient in the exposure amount as a whole, so that the positive photoresist exposed through the gray tone portion 3 becomes thin. Just remain on the substrate. That is, since the resist can have a difference in solubility in the developer between the portion corresponding to the normal light-shielding portion 1 and the portion corresponding to the gray tone portion 3 depending on the exposure amount, the resist shape after development is shown in FIG. ), The portion 1 ′ corresponding to the normal light shielding portion 1 is, for example, about 1.3 μm, the portion 3 ′ corresponding to the gray tone portion 3 is, for example, about 0.3 μm, and the portion corresponding to the translucent portion 2 is This is a portion 2 'where no resist remains. Then, the first etching of the substrate to be processed is performed in the portion 2 ′ where the resist does not remain, the resist of the thin portion 3 ′ corresponding to the gray tone portion 3 is removed by ashing or the like, and the second etching is performed in this portion. Thus, the process for two conventional masks is performed with one mask to reduce the number of masks.

上述したグレートーンマスクにおいて、グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界の微細パターンにてグレートーン部を形成するには、理想的には、例えば微細ライン＆スペースパターンは２μｍ前後のピッチ（約半分の１μｍ前後が微細透光部）となり、±０．２μｍ程度の精度で微細パターンを加工する必要があるが、現在のＬＣＤ用大型マスクの精度からみれば、非常に厳しい精度である。
また、現状の大型マスク自動欠陥検査装置では、２μｍピッチパターンの欠陥検出（特にパターンのエッジについての欠陥検出）は非常に困難であり、また、±０．２μｍ程度の精度で微細パターンの検査を行うことも非常に困難である。
さらに、グレートーン部を微細パターンで構成しているため、データ作成におけるデ−タ容量が膨大になり、描画機および描画機に付随するデータ変換（フォーマット変換）機の能力を超えるような場合、描画できない可能性がある。詳しくは、例えば図８（２）に示すグレートーン部３のデータは、図８（１）に示す遮光部１及び透光部２のデータとは重ならないように遮光部及び透光部を避けてデータを作成しなくてはならず、データの作成が複雑になり、しかもグレートーン部３のデータは遮光部及び透光部のデータに沿った複雑な形状を示しているため、グレートーン部のデータ容量は、膨大なものとなり、図８（３）に示す合成データの容量も膨大なものとなる。 In the above-mentioned gray tone mask, ideally, for example, a fine line & space pattern is around 2 μm to form a gray tone portion with a fine pattern at the resolution limit of a large LCD exposure machine that uses a gray tone mask. Pitch (about half of 1 μm is a finely transparent part), and it is necessary to process fine patterns with an accuracy of about ± 0.2 μm. It is.
In addition, it is very difficult to detect defects of 2 μm pitch pattern (especially, defect detection for the edge of the pattern) with the current large mask automatic defect inspection apparatus, and to inspect fine patterns with an accuracy of about ± 0.2 μm. It is also very difficult to do.
Furthermore, since the gray tone part is composed of a fine pattern, the data capacity in data creation becomes enormous and exceeds the capabilities of the drawing machine and the data conversion (format conversion) machine attached to the drawing machine. It may not be possible to draw. Specifically, for example, the data of the gray tone part 3 shown in FIG. 8 (2) is avoided so as not to overlap with the data of the light shielding part 1 and the light transmitting part 2 shown in FIG. 8 (1). Since the data must be created, the creation of the data becomes complicated, and the data of the gray tone part 3 shows a complicated shape along the data of the light shielding part and the light transmitting part. Therefore, the data capacity of the composite data shown in FIG. 8 (3) is also huge.

一方、透明基板上に設けたクロム単層膜の膜厚を部分的に変化させ、膜厚の厚い部分を遮光部とし、中間膜厚の部分をグレートーン部とし、膜厚のゼロの部分を透光部としたグレートーンマスクが知られている。しかし、クロム膜は透過率が低い（遮光性が高い）ことから透過率０％を得る膜厚が薄いため、中間膜厚の部分について中間の所定透過率が得られる膜厚となるようにハーフエッチングすることは難しい。そこで、透明基板上に設けたクロム化合物単層膜の膜厚を部分的に変化させたグレートーンマスクが提案されている（特許文献１）。この場合、クロム化合物単層膜は透過率０％を得る膜厚が４０００オングストローム程度と厚いため、中間膜厚の部分について中間の所定透過率が得られる膜厚となるようにハーフエッチングすることはクロム単層膜の場合に比べ容易となる。しかし、この方法は、膜厚が厚すぎるため、アスペクト比（パターン寸法と高さの比）が高くその結果遮光部のパターン形状やパターン精度が悪くなり、またエッチング時間も長くなる。さらに、実際には、ハーフエッチングによる膜厚制御を厳密に行うことは難しく、実用性に難があるという問題がある。
月刊ＦＰＤ Intelligence，1999年5月 特開平７−４９４１０号公報 On the other hand, the film thickness of the chromium single layer film provided on the transparent substrate is partially changed, the thick film part is used as a light shielding part, the intermediate film part is used as a gray tone part, and the zero film thickness part is used. A gray-tone mask having a translucent portion is known. However, since the chromium film has a low transmittance (high light-shielding property), the film thickness for obtaining a transmittance of 0% is thin, so that the half film thickness is obtained so that a predetermined intermediate transmittance can be obtained for the intermediate film thickness portion. It is difficult to etch. Therefore, a gray tone mask in which the film thickness of the chromium compound single layer film provided on the transparent substrate is partially changed has been proposed (Patent Document 1). In this case, since the chromium compound single layer film has a thickness of about 4000 angstroms to obtain a transmittance of 0%, half etching to obtain a film thickness at which an intermediate predetermined transmittance can be obtained for the intermediate film thickness portion is not possible. This is easier than in the case of a chromium single layer film. However, in this method, since the film thickness is too thick, the aspect ratio (pattern dimension to height ratio) is high. As a result, the pattern shape and pattern accuracy of the light-shielding portion are deteriorated, and the etching time is also increased. Furthermore, in practice, it is difficult to strictly control the film thickness by half etching, and there is a problem that practicality is difficult.
Monthly FPD Intelligence, May 1999 JP-A-7-49410

本発明は、上述した問題点を解消したグレートーンマスク及びその製造方法等の提供を目的とする。   An object of the present invention is to provide a gray-tone mask and a method for manufacturing the same, which have solved the above-described problems.

本発明は以下の構成を有する。   The present invention has the following configuration.

（構成１） 遮光部と、透光部と、露光光の一部を透過するグレートーン部とを有するグレートーンマスクにおいて
前記遮光部が、透明基板上に順次形成された半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜を含み、前記グレートーン部が、前記透明基板上に形成された半透光膜あるいは半透光膜及びエッチングストッパー膜を含むことを特徴とするグレートーンマスク。 (Configuration 1) In a gray-tone mask having a light-shielding portion, a light-transmitting portion, and a gray-tone portion that transmits a part of the exposure light, the light-shielding portion is formed on a transparent substrate in sequence, and is etched A gray tone mask comprising a stopper film and a light shielding film, wherein the gray tone portion includes a semi-transparent film or a semi-transparent film and an etching stopper film formed on the transparent substrate.

（構成２） 前記遮光膜及び前記半透光膜を、同一エッチング液又は同一エッチングガスで処理できる膜で構成することを特徴とする構成１に記載のグレートーンマスク。 (Structure 2) The gray-tone mask according to Structure 1, wherein the light-shielding film and the semi-transparent film are formed of a film that can be processed with the same etching solution or the same etching gas.

（構成３） 前記遮光膜及び前記半透光膜が、クロムを含む材料からなることを特徴とする構成１又は２に記載のグレートーンマスク。 (Structure 3) The gray-tone mask according to Structure 1 or 2, wherein the light shielding film and the semi-translucent film are made of a material containing chromium.

（構成４） 前記エッチングストッパー膜が、ＳｉＯ2又はＳＯＧ（Spin On Glass）であることを特徴とする構成１〜３のいずれかに記載のグレートーンマスク。 (Structure 4) The gray tone mask according to any one of structures 1 to 3, wherein the etching stopper film is SiO 2 or SOG (Spin On Glass).

（構成５） 構成１〜４のいずれかに記載のグレートーンマスクの製造方法において、
透明基板上に、少なくとも半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜が順次形成されたマスクブランクを準備する工程と、
前記ブランク上にレジスト膜を形成する工程と、
透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、またグレートーン部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程と、
現像処理を行い、遮光部を形成する部分とグレートーン部を形成する部分とでレジストの残膜値が異なるようなレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜をエッチングして透光部を形成する工程と、
前記グレートーン部上に残存するレジストパターンのみを除去する工程と、
前工程で残存したレジストパターンをマスクとして遮光膜あるいは遮光膜及びエッチングストッパー膜を除去する工程と、
さらに残存したレジストパターンを剥離する工程と、を含むことを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。 (Configuration 5) In the graytone mask manufacturing method according to any one of Configurations 1 to 4,
Preparing a mask blank in which at least a semi-transparent film, an etching stopper film, and a light-shielding film are sequentially formed on a transparent substrate;
Forming a resist film on the blank;
The resist film is exposed at an exposure amount at which the resist is completely exposed to the portion where the light-transmitting portion is formed, and at an exposure amount which is smaller than the exposure amount at which the resist is completely exposed to the portion where the gray tone portion is formed. And a process of
Performing a development process, and forming a resist pattern such that the remaining film value of the resist is different between the portion forming the light-shielding portion and the portion forming the gray tone portion;
Etching the semi-transparent film, the etching stopper film, and the light shielding film using the resist pattern as a mask to form a translucent portion;
Removing only the resist pattern remaining on the gray tone portion;
Removing the light-shielding film or the light-shielding film and the etching stopper film using the resist pattern remaining in the previous process as a mask;
And a step of peeling off the remaining resist pattern.

（構成６） 構成１〜４のいずれかに記載のグレートーンマスクを製造するためのグレートーンマスクブランクであって、
透明基板上に、半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜を有することを特徴とするグレートーンマスクブランク。 (Configuration 6) A gray tone mask blank for manufacturing the gray tone mask according to any one of configurations 1 to 4,
A gray-tone mask blank comprising a translucent film, an etching stopper film, and a light-shielding film on a transparent substrate.

（構成７） グレートーンマスクがＬＣＤ用マスク又はＰＤＰ用マスクであることを特徴とする構成１〜４のいずれかに記載のグレートーンマスク。 (Structure 7) The gray tone mask according to any one of structures 1 to 4, wherein the gray tone mask is an LCD mask or a PDP mask.

（作用）
構成１によれば、透明基板上に順次形成された半透光膜とエッチングストッパー膜と遮光膜との３層構造とすることによって、エッチングによりグレートーン部（半透光部）における遮光膜を除去する際に、エッチングストッパー膜によって半透光膜の減膜を回避でき、したがって、半透光膜の膜厚の均一性が非常に高いグレートーンマスクを容易に得ることができる。また、遮光膜をクロム等の遮光性が高く薄い膜で構成できるので、エッチング時間の短縮が図れると共に、アスペクト比が低くその結果遮光部のパターン形状やパターン精度が良好となる。さらに、エッチングストッパー層を設けているため、遮光膜及び半透光膜を同一材料の膜や主成分が同じ膜等で構成できる。
なお、エッチングストッパー膜としてＳｉＯ2もしくはＳＯＧ（Spin On Glass）等を用いた場合、ＳｉＯ2やＳＯＧは透明基板と同等の透過特性を有するため、グレートーン部（半透光部）に介在してもその透過特性に影響を与えないので、グレートーン部（半透光部）におけるエッチングストッパー膜は除去しなくても良い。
本発明において、遮光膜及び／又は半透光膜としては、Ｃｒ、クロム化合物、ＭｏＳｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ａｌのうちから選択されるいずれかを用いることが好ましい。 (Function)
According to Configuration 1, a three-layer structure of a semi-transparent film, an etching stopper film, and a light-shielding film that are sequentially formed on a transparent substrate is used to form a light-shielding film in a gray tone part (semi-transparent part) by etching. At the time of removal, the etching stopper film can avoid a reduction in the thickness of the semi-transparent film, and thus a gray-tone mask having a very high uniformity in the thickness of the semi-transparent film can be easily obtained. Further, since the light shielding film can be composed of a thin film such as chromium with a high light shielding property, the etching time can be shortened and the aspect ratio is low, and as a result, the pattern shape and pattern accuracy of the light shielding portion are improved. Further, since the etching stopper layer is provided, the light-shielding film and the semi-transparent film can be composed of the same material film or the same main component film.
In the case of using a SiO 2 or SOG (Spin On Glass) or the like as an etching stopper film, SiO 2 or SOG is to have a transmission characteristic equivalent to the transparent substrate, interposed gray tone portion (semi-light-transmitting portion) Since the transmission characteristics are not affected, the etching stopper film in the gray tone portion (semi-transmissive portion) may not be removed.
In the present invention, it is preferable to use any one selected from Cr, a chromium compound, MoSi, Si, W, and Al as the light shielding film and / or the semi-translucent film.

構成２によれば、遮光膜及び半透光膜を、同一エッチング液又は同一エッチングガスで処理できる膜で構成することによって、遮光膜及び半透光膜を同時加工できる。   According to Configuration 2, the light shielding film and the semi-transparent film can be processed simultaneously by configuring the light shielding film and the semi-transparent film with a film that can be processed with the same etching solution or the same etching gas.

構成３によれば、遮光膜及び半透光膜が、クロムを含む材料からなることによって、遮光膜及び半透光膜を同一エッチング液又は同一エッチングガスで同時加工できる。このような例としては、同一材料の膜（例えば半透光膜：Ｃｒ、遮光膜：Ｃｒ）や主成分が同じ膜（例えば半透光膜：クロム化合物、遮光膜：Ｃｒ）などが挙げられる。特に、半透光膜がクロム化合物などからなり、半透光膜がクロム化合物などからなる場合は、次の効果がある。まず、半透光膜がクロム化合物などからなる場合は、所定の透過率を有するクロム化合物の膜厚は厚くすることができ、その膜厚の均一性ひいてはその透過率の均一性を高い精度で制御することができる。これに対し、半透光膜がＣｒなどからなる場合は、所定の透過率を有するＣｒの膜厚は非常に薄く、その膜厚がわずかに変動しても透過率が大きく変動してしまうため、Ｃｒ半透光膜の膜厚の均一性ひいてはその透過率の均一性を高い精度で制御することが、クロム化合物等の場合に比べ、難しい。また、遮光膜がＣｒなどからなる場合は、所定の遮光性（光学濃度）を有するＣｒの膜厚は薄くすることができ、その結果遮光部全体の厚さを抑えることができるので、遮光部のパターン形状やパターン精度が良好となる。これに対し、遮光膜がクロム化合物などからなる場合は、所定の遮光性（光学濃度）を有するクロム化合物の膜厚は厚くなり、その結果遮光部全体の厚さを抑えることができないので、遮光部のパターン形状やパターン精度が劣ることになる。
なお、上記構成１ないし３においてクロム化合物としては、酸化クロム（ＣｒＯx）、窒化クロム（ＣｒＮx）、酸窒化クロム（ＣｒＯxＮy）、フッ化クロム（ＣｒＦx）や、これらの膜に炭素や水素を含むものが挙げられる。 According to Configuration 3, since the light shielding film and the semi-transparent film are made of a material containing chromium, the light shielding film and the semi-transparent film can be simultaneously processed with the same etching solution or the same etching gas. Examples of such a film include a film made of the same material (for example, semi-transparent film: Cr, light-shielding film: Cr) and a film having the same main component (for example, semi-transparent film: chromium compound, light-shielding film: Cr). . In particular, when the semi-transparent film is made of a chromium compound or the like and the semi-transparent film is made of a chromium compound or the like, the following effects are obtained. First, when the semi-transparent film is made of a chromium compound or the like, the film thickness of the chromium compound having a predetermined transmittance can be increased, and the uniformity of the film thickness and thus the uniformity of the transmittance can be made with high accuracy. Can be controlled. On the other hand, when the semi-transparent film is made of Cr or the like, the film thickness of Cr having a predetermined transmittance is very thin, and the transmittance varies greatly even if the film thickness slightly varies. In addition, it is difficult to control the uniformity of the Cr semi-transparent film and thus the uniformity of the transmittance with high accuracy as compared with the case of a chromium compound or the like. When the light shielding film is made of Cr or the like, the film thickness of Cr having a predetermined light shielding property (optical density) can be reduced, and as a result, the thickness of the entire light shielding part can be suppressed. The pattern shape and pattern accuracy are improved. On the other hand, when the light shielding film is made of a chromium compound or the like, the film thickness of the chromium compound having a predetermined light shielding property (optical density) is increased, and as a result, the thickness of the entire light shielding portion cannot be suppressed. The pattern shape and pattern accuracy of the part are inferior.
In the above configurations 1 to 3, the chromium compounds include chromium oxide (CrOx), chromium nitride (CrNx), chromium oxynitride (CrOxNy), chromium fluoride (CrFx), and those containing carbon or hydrogen in these films. Is mentioned.

構成４によれば、エッチングストッパー膜としてＳｉＯ2もしくはＳＯＧ（Spin On Glass）を用いることによって、ＳｉＯ2やＳＯＧは透明基板と同等の透過特性を有するため、遮光部又はグレートーン部（半透光部）に介在してもそれらの透過特性に影響を与えない。また、ＳｉＯ2やＳＯＧは多くの遮光膜材料又は半透光膜材料に対してエッチングストッパー層として機能するので好ましい。さらに、ＳｉＯ2やＳＯＧは遮光膜材料や半透光膜材料との付着性が高い。
なお、エッチングストッパー層を設けない場合、半透光膜と遮光膜とをエッチング選択比が取れる材料で構成する必要があり材料が制限され、また半透光膜と遮光膜との付着力が問題となることがある。
ＳｉＯ2もしくはＳＯＧからなるエッチングストッパー層の厚さは１００〜１０００オングストロームの範囲とすることが好ましい。 According to Configuration 4, by using SiO 2 or SOG (Spin On Glass) as an etching stopper film, because the SiO 2 or SOG having a transmission characteristic equivalent to the transparent substrate, the light shielding portion or a gray-tone unit (translucent The transmission characteristics are not affected even if they are interposed in the part). SiO 2 and SOG are preferable because they function as an etching stopper layer with respect to many light shielding film materials or semi-transparent film materials. Furthermore, SiO 2 and SOG have high adhesion to a light shielding film material or a semi-transparent film material.
If the etching stopper layer is not provided, the semi-transparent film and the light-shielding film must be made of a material that can take an etching selectivity, and the material is limited, and the adhesion between the semi-transparent film and the light-shielding film is a problem. It may become.
The thickness of the etching stopper layer made of SiO 2 or SOG is preferably in the range of 100 to 1000 Å.

構成５によれば、各領域について露光量に応じてレジスト膜厚を異ならしめることによって、後工程でレジストプロセス（レジスト塗布、描画（露光）、現像）が不要となる。
なお、透光部を形成すべき部分上のエッチングストッパー膜を除去する工程と、半透光部を形成すべき部分上のレジストを除去する工程は、同時に行うことが好ましい。
また、透光部を形成すべき部分上の半透光膜を除去する工程と、半透光部を形成すべき部分上の遮光膜を除去する工程は、同時に行うことが好ましい。 According to the configuration 5, the resist process (resist application, drawing (exposure), development) is not required in the subsequent steps by making the resist film thickness different in accordance with the exposure amount for each region.
In addition, it is preferable to perform simultaneously the process of removing the etching stopper film | membrane on the part which should form a translucent part, and the process of removing the resist on the part which should form a semi-translucent part.
Further, it is preferable that the step of removing the semi-transparent film on the portion where the light-transmitting portion is to be formed and the step of removing the light-shielding film on the portion where the semi-transmissive portion is to be formed are performed simultaneously.

構成６のマスクブランクによれば、各層の膜の除去工程と、レジストの減膜処理工程だけで、グレートーンマスクを製造できる。また、グレートーン部（半透光膜）の膜厚の均一性ひいては透過特性の均一性に優れた高品質のグレートーンマスクが得られる。   According to the mask blank of structure 6, a gray tone mask can be manufactured only by the film removal process of each layer and the resist film reduction process. In addition, a high-quality gray-tone mask having excellent uniformity in the thickness of the gray tone portion (semi-transparent film) and thus uniformity in transmission characteristics can be obtained.

上記構成１ないし６においては、遮光膜と半透光膜とを合わせた光学濃度が３．０以上であればよい。つまり、遮光膜自体に光学濃度３．０以上なくても、半透光膜を合わせた場合の光学濃度が３．０以上になればよい。この場合、半透光膜の光学濃度の分だけ遮光膜を薄くすることができる。   In the above configurations 1 to 6, the optical density of the light shielding film and the semi-transparent film may be 3.0 or more. That is, even if the light shielding film itself does not have an optical density of 3.0 or more, the optical density when the semi-transparent film is combined may be 3.0 or more. In this case, the light shielding film can be made thinner by the optical density of the semi-transparent film.

構成７によれば、ＬＣＤ用グレートーンマスクブランクの場合、基板サイズが大きく膜厚の均一性を確保するのが難しいため、単層膜を中間の膜厚にハーフエッチングする方法ではマスクブランクにおける膜厚のばらつきを考慮するとハーフエッチングによる膜厚制御を厳密に行わなければならず（具体的にはハーフエッチングによるエッチング量の面内ばらつきをほぼゼロに抑える必要がある）、実際上はこのような厳密な膜厚制御は困難であることから、このような方法は実用性に難がある。これに対し、本発明のグレートーンマスクの製造方法は、このような問題がなく、したがって、本発明は、ＬＣＤ（液晶表示装置）用の大型グレートーンマスク（カラーフィルタや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）作製用など）やＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用の大型グレートーンマスク等を実用化する上で必要不可欠である。   According to Configuration 7, in the case of a gray-tone mask blank for LCD, since the substrate size is large and it is difficult to ensure film thickness uniformity, the method of half-etching a single-layer film to an intermediate film thickness requires a film in the mask blank. In consideration of variations in thickness, it is necessary to strictly control the film thickness by half etching (specifically, it is necessary to suppress the in-plane variation of the etching amount by half etching to almost zero). Since it is difficult to strictly control the film thickness, such a method has difficulty in practical use. On the other hand, the graytone mask manufacturing method of the present invention does not have such a problem. Therefore, the present invention is for producing a large graytone mask (color filter or thin film transistor (TFT)) for an LCD (liquid crystal display device). Etc.) and large gray-tone masks for PDP (Plasma Display Panel) etc. are indispensable.

なお、上記本発明のグレートーンマスク及びその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界の微細パターンにてグレートーン部を形成する必要がないので、グレートーン部における微細パターンの加工精度の問題が生じ得ない。
グレートーン部（半透光部）を半透光膜の膜厚で制御することにより、検出波形が安定するため欠陥険出は、微細パターンにてグレートーン部を形成する場合に比べ、容易である。
予め、透過率を制御した半透光膜を使用しているため、透過率の制御が容易である。
遮光部及び透光部のパターン形状が複雑であっても、グレートーン部（半透光部）は露光量を調節してグレートーン部全面に一様に描画する（いわゆるべた露光する）ので、グレートーン部の描画データ量は、微細パターンからなるグレートーン部を描画する場合に比べ、少なくなり、描画が容易となる。 In addition, according to the gray tone mask of the present invention and the manufacturing method thereof, the following effects can be obtained.
Since it is not necessary to form a gray tone portion with a fine pattern at the resolution limit of a large LCD exposure machine that uses a gray tone mask, there is no problem in processing accuracy of the fine pattern in the gray tone portion.
By controlling the gray tone part (semi-transparent part) with the thickness of the semi-transparent film, the detection waveform is stabilized, so that the defect appearance is easier than when the gray tone part is formed with a fine pattern. is there.
Since a semi-transparent film whose transmittance is controlled in advance is used, it is easy to control the transmittance.
Even if the pattern shape of the light-shielding part and the light-transmitting part is complicated, the gray tone part (semi-transparent part) draws uniformly on the entire surface of the gray tone part by adjusting the exposure amount (so-called solid exposure). The drawing data amount in the gray tone portion is smaller than that in the case of drawing the gray tone portion composed of a fine pattern, and drawing becomes easy.

以下、本発明の実施の形態について説明する。
遮光部、透光部及びグレートーン部の全てのパターンデータを組み込んだ場合の合成データが、図１（１）に示すように、遮光部１及び透光部２（例えばＴＦＴのアモルファスシリコンパターン）と、その周辺に形成されるグレートーン部３（半透光部）で構成された場合を例にとる。この場合、図１（２）に示す遮光部１及び透光部２のデータと、図１（３）に示すグレートーン部３のデータに分離する。そして、透光部２をレジストが完全に除去できる露光量（１００％）で描画した後、半透光部３をレジストが完全に感光される露光量の約半分の露光量で描画することにより図１（１）に示すパターンの描画を行うことができる。図１（１）に示す描画パターンであれば、グレートーン部３に解像限界以下の微細パターンを形成する必要がなく、グレートーン部に微細パターンを形成する場合のデータ容量の問題は解決される。なお、透光部２と半透光部３の描画の順序については順不同であり、どららが先でも構わない。
上記図１（１）に示す描画パターンを、レジスト上（ポジレジストでの描画例）に描画した際の、露光量の分布は、図２に示すようになる。つまり、透光部２の露光量は１００％、グレートーン部３の露光量は５０％、遮光部１の露光量は０％（露光されない）となる。 Embodiments of the present invention will be described below.
As shown in FIG. 1A, the combined data when all the pattern data of the light-shielding part, the light-transmitting part, and the gray tone part are incorporated is the light-shielding part 1 and the light-transmitting part 2 (for example, an amorphous silicon pattern of TFT). And a gray tone portion 3 (semi-transparent portion) formed in the periphery thereof. In this case, the data of the light shielding unit 1 and the light transmitting unit 2 shown in FIG. 1 (2) and the data of the gray tone unit 3 shown in FIG. 1 (3) are separated. Then, after drawing the light-transmitting portion 2 with an exposure amount (100%) at which the resist can be completely removed, the semi-transparent portion 3 is drawn with an exposure amount that is about half of the exposure amount at which the resist is completely exposed. The pattern shown in FIG. 1A can be drawn. With the drawing pattern shown in FIG. 1 (1), it is not necessary to form a fine pattern below the resolution limit in the gray tone part 3, and the problem of data capacity when a fine pattern is formed in the gray tone part is solved. The Note that the drawing order of the translucent part 2 and the semi-translucent part 3 is random, and either one may be the first.
The exposure dose distribution when the drawing pattern shown in FIG. 1A is drawn on a resist (an example of drawing with a positive resist) is as shown in FIG. That is, the exposure amount of the light transmitting portion 2 is 100%, the exposure amount of the gray tone portion 3 is 50%, and the exposure amount of the light shielding portion 1 is 0% (not exposed).

次に、グレートーンマスクの製造手順について説明する。
図３及び図４はグレートーンマスクの製造手順を示す部分断面図であり、図２のＩ−Ｉ線断面を示す。 Next, a manufacturing procedure of the gray tone mask will be described.
3 and 4 are partial cross-sectional views showing a manufacturing procedure of the gray-tone mask, and show a cross-section taken along line II in FIG.

まず、図３（１）に示すように、透明基板１１上に、半透光膜１２、エッチングストッパー膜（バリアー膜）１３、遮光膜１４及びノボラック系ポジレジスト膜１５を順次形成した基板に対して、図２に示す露光分布で描画を行った場合、エリアＢは未露光となり、エリアＡは露光・現像後の膜厚がエリアＢの残膜値の約半分になるように描画の際の露光量を調節する。エリアＣはレジストパターニング（残膜値がゼロ）に不足しないだけの露光量を与える。この際の描画方法は、レーザ描画機で、露光量１００％の光量にてエリアＣの描画を行なった後、露光量５０％程度の光量で工リアＡの描画を行なう。エリアＡ、Ｃの描画順序についてはどららが先でも構わない。   First, as shown in FIG. 3A, for a substrate in which a translucent film 12, an etching stopper film (barrier film) 13, a light-shielding film 14 and a novolac positive resist film 15 are sequentially formed on a transparent substrate 11. When drawing is performed with the exposure distribution shown in FIG. 2, the area B is unexposed, and the area A has a film thickness after exposure and development so that the film thickness after exposure and development is about half of the remaining film value of the area B. Adjust the exposure. Area C provides an exposure amount sufficient for resist patterning (residual film value is zero). The drawing method at this time is to draw the area A with a laser drawing machine with a light amount of 100% exposure and then draw the rear A with a light amount of about 50% exposure. As for the drawing order of the areas A and C, either may be first.

次に、図３（２）に示すように、ウエット処理にて膜厚差を有するようにレジスト膜１５を加工（現像・減膜処理）する。
この際、レジスト膜１５の膜厚は、エリアＡで工リアＢの約半分程度となり、エリアＣでは完全に除去された状態となる。なお、ウエット処理は、例えば、無機アルカリ（例えばＫＯＨ、濃度0.63Ｎ）もしくは有機アルカリ（例えばＴＭＡＨ、濃度2.3％）などの現像液にて処理を行う。 Next, as shown in FIG. 3B, the resist film 15 is processed (development / thinning process) so as to have a film thickness difference by wet processing.
At this time, the film thickness of the resist film 15 is about half of the area B in the area A and completely removed in the area C. The wet processing is performed with a developer such as inorganic alkali (for example, KOH, concentration 0.63N) or organic alkali (for example, TMAH, concentration 2.3%).

次に、図３（３）に示すように、レジストを完全に除去したエリアＣに露出する遮光膜１４をウエットエッチングもしくはドライエッチングにて完全に除去する。   Next, as shown in FIG. 3C, the light shielding film 14 exposed in the area C where the resist is completely removed is completely removed by wet etching or dry etching.

次に、図３（４）に示すように、エリアＣのエッチングストッパー膜１３（ＳｉＯ2膜もしくはＳＯＧ）をフッ素系水溶液によるウエットエッチングもしくはフッ素系ガスを使用したドライエッチングにて除去する。
なお、エッチングストッパー膜１３をドライエッチングにて処理する場合には、次工程（図４（１））で行うエリアＡ（半透光部）のレジスト除去を同時に行っても構わない。 Next, as shown in FIG. 3D, the etching stopper film 13 (SiO 2 film or SOG) in the area C is removed by wet etching using a fluorine-based aqueous solution or dry etching using a fluorine-based gas.
When the etching stopper film 13 is processed by dry etching, the resist removal in the area A (semi-translucent portion) performed in the next process (FIG. 4A) may be performed simultaneously.

次に、図４（１）に示すように、ドライ処理（例えばＯ2アッシング）によりエリアＡのレジストを完全に除去する。この結果、エリアＢ（遮光部）のレジスト膜１５の膜厚は当初の約半分になる。
なお、前工程（図３（４））で、エッチングストッパー膜１３のエッチングをドライエッチングにて処理する場合には、本工程は省いても構わない。 Next, as shown in FIG. 4A, the resist in the area A is completely removed by dry processing (for example, O 2 ashing). As a result, the film thickness of the resist film 15 in the area B (light shielding portion) is about half of the initial film thickness.
If the etching of the etching stopper film 13 is processed by dry etching in the previous step (FIG. 3 (4)), this step may be omitted.

次に、図４（２）に示すように、エリアＡの遮光膜１４と、エリアＣの半透光膜１２をウエットエッチングもしくはドライエッチングにて除去し、透光部と半透光部を同時に形成する。この際、エリアＡの半透光膜１２はエッチングストッパー膜により保護されているため、エッチングされない。   Next, as shown in FIG. 4B, the light shielding film 14 in the area A and the semi-transparent film 12 in the area C are removed by wet etching or dry etching, so that the translucent part and the semi-translucent part are simultaneously formed. Form. At this time, the semi-transparent film 12 in the area A is not etched because it is protected by the etching stopper film.

次に、図４（３）に示すように、残ったレジストを有機アルカリもしくはドライ処理（Ｏ2アッシング）にて除去することによって、エリアＢに遮光部、エリアＡに半透光部、エリアＣに透光部がそれぞれ形成されたグレートーンマスクが得られる。 Next, as shown in FIG. 4 (3), the remaining resist is removed by organic alkali or dry treatment (O 2 ashing), so that the light shielding portion in area B, the semi-transparent portion in area A, and the area C Thus, a gray-tone mask in which translucent portions are respectively formed is obtained.

半透光部のエッチングストッパー膜１３を除去する場合には、例えば、ウエットエッチングもしくはドライエッチングにて、エリアＡ（半透光部）のエッチングストッパー膜を除去できる（図４（４））。   When removing the etching stopper film 13 in the semi-translucent portion, the etching stopper film in the area A (semi-transmissive portion) can be removed by wet etching or dry etching, for example (FIG. 4 (4)).

なお、上記実施の形態において、グレートーンマスクを作製するためのマスクブランクは、例えば、石英基板などの透明基板上に、Ｃｒ又はクロム化合物（例えばＣｒＯなど）等の透過率を制御した厚さの半透光膜をスパッタ法等により成膜し、ＳｉＯ2膜（スパッタ法もしくは蒸着法などで形成）、もしくはＳＯＧ（スピン・オン・グラス）によりエッチングストッパー層（バリアー層）を形成し、Ｃｒ等の遮光性を有する厚さの遮光膜をスパッタ法等により成膜し、この遮光膜上にレジストを５０００〜１００００オングストロームの範囲で塗布して作製する。
このように遮光膜及び半透光膜をＣｒ系材料とし、エッチングストッパー層をＳｉＯ2系材料とすることにより、Ｃｒ系材料は例えば硝酸第２セリウムアンモニウムに過塩素酸を加えた水溶液によるウエットエッチング又は塩素系ガスによるドライエッチングによりエッチングすることができ、ＳｉＯ2系材料はフッ素系水溶液によるウエットエッチング又はフッ素系ガスによるドライエッチングによりエッチングすることが可能であり、これらは互いのエッチング液又はエッチングガスに対する選択性が高いため、互いのエッチングに対してエッチングされにくい。
なお、ＳｉＯ2膜もしくはＳＯＧからなるエッチングストッパー膜は透過率にほとんど影響を与えないので、除去しなくてても構わない。
この際、遮光膜と半透光膜とを合わせた光学濃度は３．０以上とする。
また、エッチングストッパー層の厚さは１００〜１０００オングストロームの範囲とする。
半透光膜の厚さは、半透光膜の透過率が２０％〜５０％となるような膜厚とする。例として、半透光膜にＣｒを用いた場合には半透光膜の膜厚が１００〜２００オングストロームの範囲（図５）、半透光膜にＣｒＯを用いた場合には、半透光膜の膜厚が６５０〜１４００オングストロームの範囲（図６）になるようにする。 In the above embodiment, the mask blank for producing the gray-tone mask has, for example, a thickness with controlled transmittance of Cr or a chromium compound (for example, CrO) on a transparent substrate such as a quartz substrate. A semi-transparent film is formed by sputtering or the like, and an etching stopper layer (barrier layer) is formed by SiO 2 film (formed by sputtering or vapor deposition) or SOG (spin on glass), Cr or the like A light-shielding film having a light-shielding thickness is formed by sputtering or the like, and a resist is applied on the light-shielding film in a range of 5000 to 10000 angstroms.
In this way, the light shielding film and the semi-transparent film are made of a Cr-based material, and the etching stopper layer is made of a SiO 2 -based material, so that the Cr-based material is, for example, wet etched with an aqueous solution of perchloric acid added to ceric ammonium nitrate. Alternatively, the etching can be performed by dry etching with a chlorine-based gas, and the SiO 2 based material can be etched by wet etching with a fluorine-based aqueous solution or dry etching with a fluorine-based gas. Since the selectivity with respect to is high, it is difficult to etch each other.
It should be noted that the etching stopper film made of SiO 2 film or SOG has almost no influence on the transmittance, so it may not be removed.
At this time, the optical density of the light shielding film and the semi-transparent film is set to 3.0 or more.
The thickness of the etching stopper layer is in the range of 100 to 1000 angstroms.
The thickness of the semi-transparent film is set such that the transmissivity of the semi-transparent film is 20% to 50%. For example, when Cr is used for the semi-transparent film, the thickness of the semi-transparent film is in the range of 100 to 200 angstroms (FIG. 5), and when CrO is used for the semi-transparent film, the semi-translucent film is used. The film thickness is set in the range of 650 to 1400 angstroms (FIG. 6).

なお、本発明は上述した実施の形態等に限定されるものではない。
例えば、マスクブランクの段階において、遮光膜上に反射防止層を設けることができる。この場合、遮光膜と反射防止膜は通常同時にエッチングできるので工程増は生じない。反射防止層は、例えば酸化クロム（ＣｒＯx）、窒化クロム（ＣｒＮx）、酸窒化クロム（ＣｒＯxＮy）などで形成できる。
また、ウエット処理の替わりにドライエッチング又はドライ処理を行うことができ、ドライエッチング又はドライ処理の替わりにウエット処理を行うこともできる。また、レーザ描画機による露光に限定されず、他の露光装置を用いても良い。
グレートーン部（半透光部）の光照射量は、所定の膜厚のフォトレジストを十分に感光されるのに必要な光照射量の５０％に限定されない。 The present invention is not limited to the above-described embodiment.
For example, an antireflection layer can be provided on the light shielding film at the mask blank stage. In this case, since the light shielding film and the antireflection film can be etched at the same time, there is no increase in the number of processes. The antireflection layer can be formed of, for example, chromium oxide (CrOx), chromium nitride (CrNx), chromium oxynitride (CrOxNy), or the like.
Further, dry etching or dry processing can be performed instead of wet processing, and wet processing can be performed instead of dry etching or dry processing. Moreover, it is not limited to the exposure by a laser drawing machine, You may use another exposure apparatus.
The light irradiation amount of the gray tone portion (semi-translucent portion) is not limited to 50% of the light irradiation amount necessary to sufficiently expose the photoresist having a predetermined film thickness.

（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、半透光膜の膜厚の均一性が非常に高いグレートーンマスクを容易に得ることができる。また、遮光膜をクロム等の遮光性が高く薄い膜で構成できるので、エッチング時間の短縮が図れるとともに、アスペクト比が低くその結果遮光部のパターン形状やパターン精度が良好となる。
特に、本発明は、ＬＣＤ用大型グレートーンマスク等を実用化する上で必要不可欠である。 (The invention's effect)
As described above, according to the present invention, it is possible to easily obtain a gray-tone mask in which the uniformity of the thickness of the semi-translucent film is very high. Further, since the light shielding film can be formed of a thin film having high light shielding properties such as chromium, the etching time can be shortened and the aspect ratio is low, and as a result, the pattern shape and pattern accuracy of the light shielding portion are improved.
In particular, the present invention is indispensable for putting a large graytone mask for LCD into practical use.

本発明の一実施の形態にかかる描画データを説明するための図であり、図１（１）は全てのパターンデータを組み込んだ場合の合成データ、図１（２）は遮光部及び透光部の描画データ、図１（３）はグレートーン部の描画データ、をそれぞれ示す。FIGS. 1A and 1B are diagrams for explaining drawing data according to an embodiment of the present invention, FIG. 1A is composite data when all pattern data is incorporated, and FIG. 1B is a light shielding portion and a light transmitting portion. The drawing data of FIG. 1 and FIG. 1 (3) show the drawing data of the gray tone portion, respectively. 描画後の光照射量の分布を示す図である。It is a figure which shows distribution of the light irradiation amount after drawing. 本発明の一実施の形態にかかるグレートーンマスクの製造手順の一部を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows a part of manufacturing procedure of the gray tone mask concerning one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態にかかるグレートーンマスクの製造手順の一部（続き）を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows a part (continuation) of the manufacturing procedure of the gray tone mask concerning one embodiment of this invention. Ｃｒ半透光膜の膜厚と透過率の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the film thickness of a Cr semi-transparent film, and the transmittance | permeability. ＣｒＯ半透光膜の膜厚と透過率の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the film thickness of a CrO semi-transparent film, and the transmittance | permeability. グレートーンマスクを説明するための図であり、（１）は部分平面図、（２）は部分断面図である。It is a figure for demonstrating a gray tone mask, (1) is a fragmentary top view, (2) is a fragmentary sectional view. 従来の描画データを説明するための図であり、図８（１）は遮光部及び透光部の描画データ、図８（２）はグレートーン部の描画データ、図８（３）は全てのパターンデータを組み込んだ場合の合成データ、をそれぞれ示す。It is a figure for demonstrating the conventional drawing data, FIG. 8 (1) is drawing data of a light-shielding part and a translucent part, FIG. 8 (2) is drawing data of a gray tone part, FIG. The composite data when pattern data is incorporated is shown respectively.

符号の説明Explanation of symbols

１ 遮光部
２ 透光部
３ グレートーン部
３ａ 微細遮光パターン
３ｂ 微細透光部
１１ 透明基板
１２ 半透光膜
１３ エッチングストッパー膜（バリアー膜）
１４ 遮光膜
１５ レジスト膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light-shielding part 2 Light-transmitting part 3 Gray tone part 3a Fine light-shielding pattern 3b Fine light-transmitting part 11 Transparent substrate 12 Semi-light-transmitting film 13 Etching stopper film (barrier film)
14 light shielding film 15 resist film

Claims (6)

遮光部と、
前記遮光部と隣接する部分を有する透光部と、
露光光の一部を透過するグレートーン部とを有するグレートーンマスクであって、該グレートーン部を通過する光を低減し、このグレートーン部を介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えるグレートーンマスクにおいて、
前記遮光部が、透明基板上に順次形成された半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜を含み、前記グレートーン部が、前記透明基板上に形成された半透光膜を含むことを特徴とするグレートーンマスク。 A light shielding part;
A light-transmitting portion having a portion adjacent to the light-shielding portion;
A gray-tone mask having a gray-tone portion that transmits a part of the exposure light, the light passing through the gray-tone portion is reduced, and the film thickness of the photoresist exposed through the gray-tone portion is selectively selected. In the gray tone mask that changes to
The light shielding part includes a semi-transparent film, an etching stopper film, and a light shielding film sequentially formed on a transparent substrate, and the gray tone part includes a semi-transparent film formed on the transparent substrate. Gray tone mask. 前記遮光膜及び前記半透光膜を、同一エッチング液又は同一エッチングガスで処理できる膜で構成することを特徴とする請求項１に記載のグレートーンマスク。   The gray-tone mask according to claim 1, wherein the light shielding film and the semi-transparent film are made of a film that can be processed with the same etching solution or the same etching gas. 前記遮光膜及び前記半透光膜が、クロムを含む材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載のグレートーンマスク。   The gray-tone mask according to claim 1, wherein the light shielding film and the semi-transparent film are made of a material containing chromium. 前記エッチングストッパー膜が、ＳｉＯ2又はＳＯＧ（Spin On Glass）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のグレートーンマスク。 The gray-tone mask according to claim 1, wherein the etching stopper film is SiO 2 or SOG (Spin On Glass). 請求項１〜４のいずれかに記載のグレートーンマスクの製造方法において、
透明基板上に、少なくとも半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜が順次形成されたマスクブランクを準備する工程と、
前記ブランク上にレジスト膜を形成する工程と、
透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、またグレートーン部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程と、
現像処理を行い、遮光部を形成する部分とグレートーン部を形成する部分とでレジストの残膜値が異なるようなレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜をエッチングして透光部を形成する工程と、
前記グレートーン部上に残存するレジストパターンのみを除去する工程と、
前工程で残存したレジストパターンをマスクとして遮光膜あるいは遮光膜及びエッチングストッパー膜を除去する工程と、
さらに残存したレジストパターンを剥離する工程と、
を含むことを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。 In the manufacturing method of the gray tone mask in any one of Claims 1-4,
Preparing a mask blank in which at least a semi-transparent film, an etching stopper film, and a light-shielding film are sequentially formed on a transparent substrate;
Forming a resist film on the blank;
The resist film is exposed at an exposure amount at which the resist is completely exposed to the portion where the light-transmitting portion is formed, and at an exposure amount which is smaller than the exposure amount at which the resist is completely exposed to the portion where the gray tone portion is formed. And a process of
Performing a development process, and forming a resist pattern such that the remaining film value of the resist is different between the portion forming the light-shielding portion and the portion forming the gray tone portion;
Etching the semi-transparent film, the etching stopper film, and the light shielding film using the resist pattern as a mask to form a translucent portion;
Removing only the resist pattern remaining on the gray tone portion;
Removing the light-shielding film or the light-shielding film and the etching stopper film using the resist pattern remaining in the previous process as a mask;
A step of peeling off the remaining resist pattern;
A method for producing a gray-tone mask, comprising: 請求項１〜４のいずれかに記載のグレートーンマスクを介して露光光をフォトレジストに露光する工程を有する、LCD又はPDPの製造方法。   A method for producing an LCD or a PDP, comprising a step of exposing exposure light to a photoresist through the gray tone mask according to claim 1.
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