JPH0651491A - Production of multistage phase shift reticule - Google Patents
Production of multistage phase shift reticuleInfo
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- JPH0651491A JPH0651491A JP20392392A JP20392392A JPH0651491A JP H0651491 A JPH0651491 A JP H0651491A JP 20392392 A JP20392392 A JP 20392392A JP 20392392 A JP20392392 A JP 20392392A JP H0651491 A JPH0651491 A JP H0651491A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフトレチクルの
製造方法に関し、特に多段位相シフトレチクルの製造方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a phase shift reticle, and more particularly to a method for manufacturing a multi-stage phase shift reticle.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の位相シフトレチクルとし
ては、日経マイクロデバイス1990年7月号No.61第103〜1
14頁, 1991年5月号No.71第53〜58頁に紹介されているよ
うに種々の構造が提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a phase shift reticle of this type, Nikkei Microdevice July 1990 No. 61 No. 103-1
Various structures have been proposed as introduced on page 14, May 1991 No. 71, pages 53-58.
【０００３】図１８乃至図２１はその一例として、クロ
ム等の遮光パターンを使用せず、シフターのみで、その
エッジ部による遮光効果を利用した多段位相シフトマス
クの製造方法を工程順に示す断面図である。図１８に示
すように、レチクルの母材となるガラス基板１の上にネ
ガ型電子線用レジストとして、例えばポリグリシジルメ
タクリレート（以下、ＰＧＭＡと略す）膜７等を塗布す
る。As an example, FIGS. 18 to 21 are cross-sectional views showing, in the order of steps, a method of manufacturing a multi-stage phase shift mask that does not use a light-shielding pattern such as chrome but uses only a shifter and utilizes the light-shielding effect of its edge portion. is there. As shown in FIG. 18, for example, polyglycidyl methacrylate (hereinafter abbreviated as PGMA) film 7 or the like is applied as a negative electron beam resist on glass substrate 1 which is the base material of the reticle.
【０００４】次に、図１９、図２０に示すように、電子
線８をＰＧＭＡ膜７の一部に選択的に、且つ各領域につ
いて照射量を変えて照射する。ＰＧＭＡレジストはネガ
型であるため、電子線照射量が相違するとレジストの残
膜厚が異なる。この方法においては、残存しているレジ
スト膜を位相シフターとするため、前述のように、電子
線の照射量を制御することによりシフター膜厚を制御す
る。但し、シフター膜厚ｔは、ｎをシフターの屈折率、
λをこのマスクを使用して露光する光の波長とすると、
ｔ＝λ／２（ｎ−１）である。ここで、シフターを多段
（ｍ段）にするときの一段の膜厚はｔ／ｍで求められ
る。図２１に示す従来の位相シフターは、２段位相シフ
ターの場合の例であるので、図２１に示すＰＧＭＡ膜７
の１段目及び２段目の膜厚は夫々ｔ／２、ｔである。こ
のようにして２段型位相シフトレチクルが作成される。Next, as shown in FIGS. 19 and 20, a part of the PGMA film 7 is selectively irradiated with an electron beam 8 with a different irradiation amount for each region. Since the PGMA resist is a negative type, the residual film thickness of the resist is different when the electron beam irradiation amount is different. In this method, since the remaining resist film is used as the phase shifter, the shifter film thickness is controlled by controlling the electron beam irradiation amount as described above. However, in the shifter film thickness t, n is the refractive index of the shifter,
Let λ be the wavelength of the light exposed using this mask,
t = λ / 2 (n-1). Here, the film thickness of one stage when the shifter has multiple stages (m stages) is obtained by t / m. Since the conventional phase shifter shown in FIG. 21 is an example of a two-stage phase shifter, the PGMA film 7 shown in FIG.
The film thicknesses of the first and second steps are t / 2 and t, respectively. In this way, a two-stage phase shift reticle is created.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の位相シフトレチクルの製造方法においては、こ
のレチクルを波長435.8nm（水銀ランプのＧ線）の光で
露光する場合、ＳｉＯ2シフターの膜厚は、約4700ű1
30Å、即ち所望の膜厚から約±2.8％の範囲内に制御
し、この範囲内に入るように膜厚の均一性を確保するこ
とが必要である。しかし、位相シフターをＰＧＭＡで形
成する場合、シフターの膜厚は電子線の照射及び現像後
の残膜厚で決定されるが、電子線照射量の過不足の境界
及びレジストの不溶と可溶の境界はいずれも微妙であ
り、コントラストが低いため、残膜厚の制御は極めて難
しく、場合によっては２重３重照射を行う場合もある。However, in the above-mentioned conventional method for manufacturing a phase shift reticle, when the reticle is exposed to light having a wavelength of 435.8 nm (G line of mercury lamp), the film thickness of the SiO 2 shifter is increased. Is about 4700Å ± 1
It is necessary to control the thickness within 30Å, that is, within a range of about ± 2.8% from the desired film thickness, and to ensure the uniformity of the film thickness within the range. However, in the case of forming the phase shifter with PGMA, the film thickness of the shifter is determined by the remaining film thickness after electron beam irradiation and development. Since the boundaries are delicate and the contrast is low, it is extremely difficult to control the remaining film thickness, and in some cases, double or triple irradiation may be performed.
【０００６】また、上記境界部ではコントラストが低い
ため、レジスト（シフター）のプロファイルが悪く、製
品としての位相シフトレチクルを通る光のコントラスト
を向上させることが難しい。Further, since the contrast at the boundary is low, the profile of the resist (shifter) is bad, and it is difficult to improve the contrast of light passing through the phase shift reticle as a product.
【０００７】更に、シフターは有機レジストであり、光
を吸収するので、透過率が低く、膜が変質しやすいた
め、寿命が短い。そのうえ、レジストシフターは物理的
衝撃に弱く、ごみが付着したときに洗浄が難しい等の問
題点がある。Further, the shifter is an organic resist and absorbs light, so that the transmittance is low and the quality of the film is easily altered, so that the life is short. In addition, the resist shifter is vulnerable to physical shock and has a problem that it is difficult to wash when dust adheres.
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、シフター膜厚の制御が容易であり、通過す
る光のコンタラストを向上させることができると共に、
変質しにくい長寿命の位相シフトレチクルを製造できる
多段位相シフトレチクルの製造方法を提供することを目
的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and it is easy to control the film thickness of the shifter, and it is possible to improve the contrast of passing light.
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multi-stage phase shift reticle that can manufacture a long-life phase shift reticle that is resistant to alteration.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明に係る多段位相シ
フトレチクルの製造方法は、ガラス基板上に、ＳｉＯ2
膜を、又はエッチングストッパ層及びＳｉＯ2膜からな
る組を複数組形成し、レジストを塗布した後、露光及び
現像によりレジストパターンを形成し、このレジストを
マスクとして前記ＳｉＯ2膜を、所定の厚さで又は前記
エッチングストッパ層までエッチングする。そして、こ
のレジストパターンの形成及びＳｉＯ2膜のエッチング
の工程を所定の段数だけ繰り返し、最終的にレジストを
剥離する。Method for producing a multi-stage phase-shifting reticle of the present invention In order to achieve the above object, according to a glass substrate, SiO 2
After forming a film or a plurality of sets of an etching stopper layer and a SiO 2 film and applying a resist, a resist pattern is formed by exposure and development, and using the resist as a mask, the SiO 2 film has a predetermined thickness. Etching is performed up to the etching stopper layer. Then, the steps of forming the resist pattern and etching the SiO 2 film are repeated for a predetermined number of steps, and the resist is finally peeled off.
【００１０】なお、前記シフターの１層目の端部分と２
層目の端部分との間の距離は0.5μｍ以内であることが
好ましい。The end portion of the first layer of the shifter and 2
The distance from the edge of the layer is preferably within 0.5 μm.
【００１１】また、前記エッチングストッパー層として
は、例えば、インジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）等の
透明導電性膜を使用することができる。As the etching stopper layer, for example, a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) can be used.
【００１２】更に、前記ＳｉＯ2膜は、例えば、スパッ
タリング法、ＣＶＤ法又はスピン塗布法によって形成す
ることができる。Further, the SiO 2 film can be formed by, for example, a sputtering method, a CVD method or a spin coating method.
【００１３】[0013]
【作用】本発明においては、ガラス基板上にＳｉＯ2膜
を例えばスピン塗布法で形成し、その上にレジストを塗
布し、露光、現像、及びエッチング等の工程を行い、前
記ＳｉＯ2膜に所望のパターンを形成する。次いで、こ
のパターンの部分に、再びレジストを塗布し、露光、現
像、及びエッチングを行い、レジストを剥離することに
より、２段型の位相シフトパターンが形成される。３段
以上の場合はこれらの工程を繰り返す。In the present invention, a SiO 2 film is formed on a glass substrate by, for example, a spin coating method, a resist is applied on the SiO 2 film, and steps such as exposure, development, and etching are performed to obtain the desired SiO 2 film. Pattern is formed. Next, a resist is applied again to the portion of this pattern, exposure, development, and etching are performed, and the resist is peeled off, whereby a two-stage type phase shift pattern is formed. When the number of stages is 3 or more, these steps are repeated.
【００１４】このように、シフター材料がレジストでは
なくＳｉＯ2膜であり、シフター膜厚の制御をエッチン
グ時間で行うので、膜厚制御が容易である。また、シフ
ター上部はレジストにより保護されているため、側壁を
垂直にする条件でエッチングを行った後、レジストを剥
離すると、側壁が垂直なままの良好なプロファイルのシ
フターが得られるので、完成した位相シフトレチクルを
通る光のコントラストを更に向上させることができる。
更に、ＳｉＯ2膜はレジスト膜と異なり、無機材料であ
るため、光の吸収がほとんどなく、透過率が高く、光を
効率良く使える。そのため膜の変質も起こりにくく、寿
命が長い。As described above, since the shifter material is not the resist but the SiO 2 film, and the shifter film thickness is controlled by the etching time, the film thickness control is easy. Also, since the upper part of the shifter is protected by the resist, if the resist is peeled off after etching under the condition that the side wall is vertical, a shifter with a good profile in which the side wall remains vertical is obtained. The contrast of light passing through the shift reticle can be further improved.
Further, unlike the resist film, the SiO 2 film is an inorganic material, so that it hardly absorbs light, has a high transmittance, and can efficiently use light. Therefore, deterioration of the film is unlikely to occur and the life is long.
【００１５】[0015]
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings.
【００１６】図１乃至図７は本発明の実施例方法を工程
順に示す断面図である。図１に示すように、ガラス基板
１上に例えばスピンコート法によりＳｉＯ2膜２を形成
する。このＳｉＯ2膜の膜厚は、露光光の波長が例えば4
35.8nmの場合、例えば約4700Åである。1 to 7 are sectional views showing a method of an embodiment of the present invention in the order of steps. As shown in FIG. 1, a SiO 2 film 2 is formed on a glass substrate 1 by, for example, a spin coating method. The thickness of this SiO 2 film is such that the wavelength of the exposure light is, for example, 4
In the case of 35.8 nm, it is, for example, about 4700Å.
【００１７】次いで、図２に示すように、ＳｉＯ2膜２
の上に、レジスト３を塗布し、更に図３に示すように、
例えば電子線などからなる露光光４を、マスク５ａを介
して、レジスト３の所定の領域に選択的に露光し、現像
することにより、所定のレジストパターンを得る。Then, as shown in FIG. 2, a SiO 2 film 2 is formed.
On top of this, apply resist 3 and, as shown in FIG.
For example, a predetermined resist pattern is obtained by selectively exposing a predetermined region of the resist 3 with the exposure light 4 including an electron beam or the like through the mask 5a and developing the exposure light.
【００１８】その後、このレジストパターンをマスクと
してＳｉＯ2膜２をエッチングすることにより、図４に
示すように、ＳｉＯ2膜２の表面部に所望のパターンを
形成する。このときのエッチング量は例えば２段型位相
シフトマスクの場合には4700/2＝約2350Åであり、エッ
チングレートから計算した時間で制御可能である。After that, the SiO 2 film 2 is etched using this resist pattern as a mask to form a desired pattern on the surface of the SiO 2 film 2 as shown in FIG. The etching amount at this time is, for example, 4700/2 = about 2350Å in the case of a two-stage phase shift mask, and can be controlled by the time calculated from the etching rate.
【００１９】そして、図５に示すように、再びレジスト
３を塗布し、マスク５ｂを介して、レジスト３の所定の
領域に選択的に露光し、現像することにより、レジスト
３のパターンを形成する。Then, as shown in FIG. 5, the resist 3 is applied again, and a predetermined region of the resist 3 is selectively exposed through the mask 5b and developed to form a pattern of the resist 3. .
【００２０】その後、図６に示すように、レジスト３の
パターンをマスクとして、ＳｉＯ2膜２をエッチングす
る。このときのエッチング量も前述のエッチング条件と
同様で、例えば２段型位相シフトマスクの場合には4700
/2＝約2350Åである。ここで、１段目のシフターのエッ
ジと２段目のシフターのエッジとの間の距離は0.5μｍ
以内にする。After that, as shown in FIG. 6, the SiO 2 film 2 is etched using the pattern of the resist 3 as a mask. The etching amount at this time is the same as the above etching conditions. For example, in the case of a two-step type phase shift mask,
/ 2 = approximately 2350Å. Here, the distance between the edge of the first stage shifter and the edge of the second stage shifter is 0.5 μm.
Keep within.
【００２１】最後に、レジスト３を剥離すると、図７に
示すように、所望の２段型位相シフトレチクルが得られ
る。Finally, when the resist 3 is peeled off, a desired two-stage type phase shift reticle is obtained as shown in FIG.
【００２２】なお、本実施例ではＳｉＯ2シフター１段
の膜厚を2350Åにしたが、これは上述した位相シフトレ
チクルを波長が435.8nmである光源で使用する場合につ
いてのものであり、実際の光源には248nm,365.0nm等の
種々の波長があるため、光源毎に適切な膜厚を設定する
ことが必要である。In this embodiment, the film thickness of one stage of the SiO 2 shifter is set to 2350Å, but this is for the case where the above-mentioned phase shift reticle is used in a light source having a wavelength of 435.8 nm. Since light sources have various wavelengths such as 248 nm and 365.0 nm, it is necessary to set an appropriate film thickness for each light source.
【００２３】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。図８乃至図１７は本発明の第２の実施例方法を工
程順に示す断面図である。本実施例は２段型シフターの
場合のシフターの膜厚制御が第１の実施例に比して容易
なものである。Next, a second embodiment of the present invention will be described. 8 to 17 are sectional views showing the method of the second embodiment of the present invention in the order of steps. In this embodiment, the film thickness control of the shifter in the case of the two-stage shifter is easier than that of the first embodiment.
【００２４】図８に示すように、ガラス基板１上にエッ
チングストッパーである導電性膜６を例えばスピンコー
ト法により形成する。そして、この導電性膜６の上にＳ
ｉＯ2膜２を例えばスピンコート法により形成する。As shown in FIG. 8, a conductive film 6 as an etching stopper is formed on the glass substrate 1 by, for example, a spin coat method. Then, on the conductive film 6, S
The iO 2 film 2 is formed by, for example, a spin coating method.
【００２５】その後、図９に示すように、１段目の導電
性膜６及びＳｉＯ2膜２と同様の条件で、その上に再
度、導電性層６及びＳｉＯ2層２を形成する。Thereafter, as shown in FIG. 9, the conductive layer 6 and the SiO 2 layer 2 are formed again thereon under the same conditions as the conductive film 6 and the SiO 2 film 2 in the first stage.
【００２６】そして、図１０に示すように、２段目のＳ
ｉＯ2膜２の上にレジスト３を塗布した後、例えば電子
線などからなる露光光４を、マスク５ａを介してレジス
ト３上に局部的に露光し、現像することにより、図１１
に示すように、レジスト３のパターンを形成する。Then, as shown in FIG.
After the resist 3 is applied on the iO 2 film 2, the resist 3 is locally exposed to the exposure light 4 made of, for example, an electron beam through the mask 5a and developed, so that the pattern shown in FIG.
As shown in, the pattern of the resist 3 is formed.
【００２７】その後、図１２に示すように、パターニン
グされたレジスト３をマスクとしてＳｉＯ2膜２を導電
性層６が露出するまでエッチングする。これにより、Ｓ
ｉＯ2膜２に所望のパターンを形成する。After that, as shown in FIG. 12, the SiO 2 film 2 is etched using the patterned resist 3 as a mask until the conductive layer 6 is exposed. This allows S
A desired pattern is formed on the iO 2 film 2.
【００２８】そして、図１３に示すように、再びレジス
ト３を塗布し、図１４に示すように、マスク５ｂを介し
て、露光光４をレジスト３に露光し、現像すると、図１
５に示すように、レジスト３に所定のパターンが形成さ
れる。Then, as shown in FIG. 13, the resist 3 is applied again, and as shown in FIG. 14, the resist 3 is exposed to the exposure light 4 through the mask 5b and is developed.
As shown in FIG. 5, a predetermined pattern is formed on the resist 3.
【００２９】次いで、このレジスト３のパターンをマス
クとして、導電性膜６及びＳｉＯ2膜２をエッチングす
ると、図１６に示すように、１段目のＳｉＯ2膜２に２
段目のＳｉＯ2膜２とは異なるパターンが形成される。[0029] Then, the pattern of the resist 3 as a mask, the conductive film 6 and the SiO 2 film 2 is etched, as shown in FIG. 16, the first stage of the SiO 2 film 2 2
A pattern different from that of the SiO 2 film 2 in the step is formed.
【００３０】最後に、レジスト３を剥離すると、図１７
に示すように、所望のパターンを有する２段型位相シフ
トレチクルが得られる。Finally, when the resist 3 is peeled off, FIG.
As shown in, a two-stage phase shift reticle having a desired pattern is obtained.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、シフター材料をレ
ジストではなくＳｉＯ2膜とし、シフター膜厚の制御を
エッチング時間で行うことができるので、膜厚制御が容
易である。As described above, since the shifter material is not the resist but the SiO 2 film and the shifter film thickness can be controlled by the etching time, the film thickness control is easy.
【００３２】また、ＳｉＯ2膜の下層にエッチングスト
ッパーとして例えばＩＴＯ等の導電性膜を形成しておく
と、エッチングがこのストッパー層部分で極めて遅くな
るので、更に一層膜厚制御が容易になる。Further, if a conductive film such as ITO is formed as an etching stopper under the SiO 2 film, the etching becomes extremely slow in this stopper layer portion, so that the film thickness control becomes easier.
【００３３】更に、シフター上部はレジストにより保護
されているため、側壁を垂直にする条件でエッチングを
行った後、レジストを剥離することにより、側壁が垂直
なままの良好なプロファイルのシフターが得られる。こ
のため、製品としての位相シフトレチクルを通る光のコ
ントラストが更に向上する。Further, since the upper portion of the shifter is protected by the resist, the shifter having a good profile with the sidewall kept vertical can be obtained by removing the resist after etching under the condition that the sidewall is vertical. . Therefore, the contrast of light passing through the phase shift reticle as a product is further improved.
【００３４】ＳｉＯ2膜はレジスト膜と異なり、無機材
料であるため、光の吸収がほとんどなく、透過率が高
く、光を効率良く使える。そのため膜の変質も起こりに
くく、寿命が長い等の効果がある。Unlike the resist film, the SiO 2 film is an inorganic material, so that it hardly absorbs light, has a high transmittance, and can efficiently use light. Therefore, the quality of the film is unlikely to change and the life is long.
【図１】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing one step of a method of manufacturing a two-step type phase shift reticle according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-step type phase shift reticle according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-step type phase shift reticle according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step of the method of manufacturing the two-step type phase shift reticle according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a step of the method of manufacturing the two-step type phase shift reticle according to the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a step of the method of manufacturing the two-step type phase shift reticle according to the first embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第１の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a step of the method of manufacturing the two-step type phase shift reticle according to the first embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-step type phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフト
レチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-stage phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing a step of a method of manufacturing a two-step type phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-step type phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-step type phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing a step of the method of manufacturing the two-step phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１４】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing one step of a method of manufacturing a two-step type phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１５】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a two-step type phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１６】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 16 is a sectional view showing a step of a method of manufacturing a two-step phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１７】本発明の第２の実施例に係る２段型位相シフ
トレチクルの製造方法の１工程を示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view showing a step of the method of manufacturing the two-stage phase shift reticle according to the second embodiment of the present invention.
【図１８】従来の２段型位相シフトレチクルの製造方法
の１工程を示す断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view showing one step in a conventional method for manufacturing a two-stage phase shift reticle.
【図１９】従来の２段型位相シフトレチクルの製造方法
の１工程を示す断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a conventional two-stage phase shift reticle.
【図２０】従来の２段型位相シフトレチクルの製造方法
の１工程を示す断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view showing one step of a conventional method for manufacturing a two-step type phase shift reticle.
【図２１】従来の２段型位相シフトレチクルの製造方法
の１工程を示す断面図である。FIG. 21 is a cross-sectional view showing one step of a conventional method for manufacturing a two-step type phase shift reticle.
１；ガラス基板 ２；ＳｉＯ2膜 ３；レジスト ４；露光光 ５ａ，５ｂ；マスク ６；導電性膜 ７；ＰＧＭＡ ８；電子線1; glass substrate 2; SiO 2 film 3; resist 4; exposure light 5a, 5b; mask 6; conductive film 7; PGMA 8; electron beam
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３６１ Ｒ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location 7352-4M H01L 21/30 361 R
Claims (3)
レチクルの製造方法において、レチクル基板上にＳｉＯ
2膜を形成する工程と、このＳｉＯ2膜上に第１のパター
ンでレジストを形成する工程と、前記第１パターンのレ
ジストをマスクとして前記ＳｉＯ2膜を所定の膜厚まで
エッチングする工程と、このエッチング後のＳｉＯ2膜
の上に再度レジストを前記第１のパターンとは異なる第
２のパターンで形成する工程と、前記第２パターンのレ
ジストをマスクとして前記ＳｉＯ2膜を所定の膜厚まで
エッチングする工程と、これらのレジストパターンの形
成及びＳｉＯ2のエッチングの工程を所定の段数だけ繰
り返した後、前記レジストを剥離する工程とを有するこ
とを特徴とする多段位相シフトレチクルの製造方法。1. A method of manufacturing a phase shift reticle that imparts a phase difference to transmitted light, wherein SiO is formed on a reticle substrate.
A step of forming two films, a step of forming a resist on the SiO 2 film with a first pattern, and a step of etching the SiO 2 film to a predetermined thickness using the resist of the first pattern as a mask, A step of forming a resist again on the SiO 2 film after the etching with a second pattern different from the first pattern, and using the resist of the second pattern as a mask, the SiO 2 film is formed to a predetermined thickness. A method of manufacturing a multi-stage phase shift reticle, comprising: a step of etching, a step of forming these resist patterns and a step of etching SiO 2 by repeating a predetermined number of steps, and then peeling the resist.
レチクルの製造方法において、レチクル基板上にエッチ
ングストッパ層及びＳｉＯ2膜からなる組を複数組形成
する工程と、最終組のＳｉＯ2膜上に第１のパターンで
レジストを形成する工程と、前記第１パターンのレジス
トをマスクとして前記最終組のＳｉＯ2膜をその最終組
のエッチングストッパ層までエッチングする工程と、再
度レジストを前記第１のパターンとは異なる第２のパタ
ーンで形成する工程と、前記第２パターンのレジストを
マスクとして最終組の一つ前の組のＳｉＯ2膜をその組
のエッチングストッパ層までエッチングする工程と、こ
れらのレジストパターンの形成及びＳｉＯ2のエッチン
グの工程を所定の段数だけ繰り返した後、レジストを剥
離する工程とを有することを特徴とする多段位相シフト
レチクルの製造方法。2. A method of manufacturing a phase shift reticle that imparts a phase difference to transmitted light, comprising a step of forming a plurality of sets of an etching stopper layer and a SiO 2 film on a reticle substrate, and a final set of SiO 2 films. To form a resist with a first pattern, etching the final set of SiO 2 films to the etching stopper layer of the final set using the resist of the first pattern as a mask, and again removing the resist from the first pattern. A step of forming a second pattern different from the pattern; a step of etching the SiO 2 film of the immediately preceding set of the final set to the etching stopper layer of the set using the resist of the second pattern as a mask; after repeating the process of forming and SiO 2 etching resist pattern by a predetermined number of stages, and a step of removing the resist Method for producing a multi-stage phase shift reticle, wherein the door.
ｍを段数とした場合に、前記多段型シフターの１段の膜
厚ｔをｔ＝λ／２（ｎ−１）／ｍとすることを特徴とす
る請求項１又は２に記載の多段位相シフトレチクルの製
造方法。3. n is the refractive index of SiO 2 , λ is the exposure wavelength,
The multi-stage phase shift according to claim 1 or 2, wherein, when m is the number of stages, the film thickness t of one stage of the multi-stage shifter is t = λ / 2 (n-1) / m. Reticle manufacturing method.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20392392A JP2814847B2 (en) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | Method for manufacturing multi-stage phase shift reticle |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20392392A JP2814847B2 (en) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | Method for manufacturing multi-stage phase shift reticle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0651491A true JPH0651491A (en) | 1994-02-25 |
| JP2814847B2 JP2814847B2 (en) | 1998-10-27 |
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814847B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5994001A (en) * | 1996-09-02 | 1999-11-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shift mask and its manufacturing method and semiconductor device and its manufacturing method using the phase shift mask |
| JP2007256985A (en) * | 2007-06-25 | 2007-10-04 | Hoya Corp | Gray-tone mask and its manufacturing method |
| JP2009139975A (en) * | 2009-02-09 | 2009-06-25 | Hoya Corp | Gray tone mask and method for manufacturing the same |
| JP2011059708A (en) * | 2010-11-01 | 2011-03-24 | Hoya Corp | Gray tone mask and method of manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0234854A (en) * | 1988-03-16 | 1990-02-05 | Hitachi Ltd | Mask, exposing device, and semiconductor element |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP20392392A patent/JP2814847B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2011059708A (en) * | 2010-11-01 | 2011-03-24 | Hoya Corp | Gray tone mask and method of manufacturing the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2814847B2 (en) | 1998-10-27 |
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