JP2007250797A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置に関し、特に、ワークである基板の搬送技術に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に酸化膜や窒化膜や金属膜および半導体膜を成膜するのに利用して有効なものに関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a technique for transporting a substrate as a workpiece. For example, in a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC), a semiconductor in which an integrated circuit including a semiconductor element is fabricated. The present invention relates to a material effective for forming an oxide film, a nitride film, a metal film, and a semiconductor film on a wafer (hereinafter referred to as a wafer).
従来のこの種の基板処理装置に使用されるウエハキャリアとしては、互いに対向する一対の側壁が開口された略立方体形状の収納容器であるオープンカセットと、一つの側壁が開口された略立方体形状に形成され開口部にキャップが着脱自在に装着された収納容器であるFOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)とがある。
ウエハキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密封された状態で搬送される状態になるために、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在したとしてもウエハの清浄度を維持することができる。
その結果、基板処理装置が設置されるクリーンルームの清浄度を緩和することにより、クリーンルームに要するコストを低減することができるので、最近の基板処理装置においてはウエハキャリアとしてはポッドが使用されて来ている。
Conventional wafer carriers used in this type of substrate processing apparatus include an open cassette, which is a substantially cubic storage container having a pair of side walls opened to each other, and a substantially cubic shape having one side wall opened. There is a FOUP (front opening unified pod, hereinafter referred to as a pod) that is a storage container that is formed and has a cap detachably attached to an opening.
When a pod is used as a wafer carrier, since the wafer is transported in a sealed state, the cleanliness of the wafer can be maintained even if particles or the like are present in the surrounding atmosphere.
As a result, by reducing the cleanliness of the clean room where the substrate processing apparatus is installed, it is possible to reduce the cost required for the clean room, so in recent substrate processing apparatuses, pods have been used as wafer carriers. Yes.
ポッドからウエハを取り出す場合には、ウエハを掬い上げるツィーザをウエハ移載装置(wafer transfer equipment )によってポッド内に挿入し、三次元に移動させてウエハを掬い上げて取り出すようになっている。例えば、特許文献1参照。
しかしながら、ポット内からウエハをツィーザによって取り出す際に、ツィーザがウエハを掬い上げようとする時に、ツィーザがウエハに対して滑ったりしてウエハを掬い上げることができないために、ポッド内からウエハを取り出すことができない場合がある。 However, when the wafer is taken out from the pot by the tweezer, when the tweezer tries to pick up the wafer, the tweezer slides against the wafer and cannot pick up the wafer, so the wafer is taken out from the pod. It may not be possible.
本発明の目的は、基板を基板収納容器から確実に取り出すことができる基板処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can reliably take out a substrate from a substrate storage container.
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を基板収納容器に出し入れする基板載置プレートを有した基板移載装置を備えている基板処理装置において、
前記基板載置プレートには、前記基板を載置するための載置部と、前記基板を前記基板収納容器内から取り出す際に前記基板の前記基板収納容器内の奥側の周縁部を引っ掛けるための引っ掛け部とが具備されており、
前記引っ掛け部は、前記載置部より先端側に配置され、前記載置部の載置面との夾角が直角または鋭角に設定されているとともに、前記載置部に対する高さが前記基板の厚みの半分以上に設定されていることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記引っ掛け部は、前記基板収納容器内から前記基板を取り出す際に前記収納容器内の奥側の挟まれる箇所の近傍に位置するように配置されていることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
Typical means for solving the above-described problems are as follows.
(1) In a substrate processing apparatus including a substrate transfer device having a substrate mounting plate for taking a substrate into and out of a substrate storage container,
The substrate mounting plate is configured to hook a mounting portion for mounting the substrate and a peripheral edge portion of the substrate inside the substrate storage container when the substrate is taken out from the substrate storage container. And a hook part.
The hooking portion is disposed on the tip side from the mounting portion, the depression angle with respect to the mounting surface of the mounting portion is set to a right angle or an acute angle, and the height relative to the mounting portion is the thickness of the substrate. The substrate processing apparatus is characterized by being set to more than half of the above.
(2) The hooking portion is disposed so as to be positioned in the vicinity of a portion sandwiched on the back side in the storage container when the substrate is taken out from the substrate storage container. ) Substrate processing apparatus.
前記(1)によれば、基板を基板収納容器から基板載置プレートによって取り出す際に、基板の周縁部の一部を引っ掛け部に引っ掛けることができるので、基板を基板収納容器から確実に取り出すことができる。 According to the above (1), when the substrate is taken out from the substrate storage container by the substrate mounting plate, a part of the peripheral edge of the substrate can be hooked on the hook portion, so that the substrate can be surely taken out from the substrate storage container. Can do.
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施の形態において、図1、図2および図3に示されているように、本発明に係る基板処理装置はICの製造方法におけるCVD工程を実施するバッチ式縦形ホットウオール形CVD装置(以下、CVD装置という。)10として構成されている。
このCVD装置においては、ウエハ1を搬送するウエハキャリアとしては、ポッド2が使用されている。
In this embodiment, as shown in FIG. 1, FIG. 2 and FIG. 3, the substrate processing apparatus according to the present invention is a batch type vertical hot wall type CVD apparatus (hereinafter referred to as a CVD process) for performing a CVD process in an IC manufacturing method. , Referred to as a CVD apparatus).
In this CVD apparatus, a
図1〜図3に示されているように、CVD装置10は型鋼や鋼板等によって直方体の箱形状に構築された筐体11を備えている。筐体11の正面壁にはポッド搬入搬出口12が筐体11の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口12はフロントシャッタ13によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口12の手前にはポッドステージ14が設置されており、ポッドステージ14はポッド2を載置されて位置合わせを実行するように構成されている。ポッド2はポッドステージ14の上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ポッドステージ14の上から搬出されるようになっている。
As shown in FIG. 1 to FIG. 3, the
A
筐体11内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚15が設置されており、回転式ポッド棚15は複数個のポッド2を保管するように構成されている。
すなわち、回転式ポッド棚15は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱16と、支柱16に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板17とを備えており、複数枚の棚板17はポッド2を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体11内におけるポッドステージ14と回転式ポッド棚15との間には、ポッド搬送装置18が設置されており、ポッド搬送装置18はポッドステージ14と回転式ポッド棚15との間および回転式ポッド棚15とポッドオープナ21との間で、ポッド2を搬送するように構成されている。
A
That is, the
A
筐体11内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体19が後端にわたって構築されている。サブ筐体19の正面壁にはウエハ1をサブ筐体19内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口20が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口20、20には一対のポッドオープナ21、21がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ21はポッド2を載置する載置台22と、ポッド2のキャップを着脱するキャップ着脱機構23とを備えている。ポッドオープナ21は載置台22に載置されたポッド2のキャップをキャップ着脱機構23によって着脱することにより、ポッド2のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
ポッドオープナ21の載置台22に対してはポッド2がポッド搬送装置18によって搬入および搬出されるようになっている。
A
The
The
サブ筐体19内の前側領域には移載室24が形成されており、移載室24にはウエハ1をボート25に対して装填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)するウエハ移載装置(後記する)が設置されている。
サブ筐体19内の後側領域には、ボートを収容して待機させる待機室26が形成されている。待機室26にはボート25を昇降させるためのボートエレベータ27が設置されている。ボートエレベータ27はモータ駆動の送りねじ軸装置やベローズ等によって構成されている。
ボートエレベータ27の昇降台に連結されたアーム28にはシールキャップ29が水平に据え付けられており、シールキャップ29はボート25を垂直に支持するように構成されている。
ボート25は複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚程度〜150枚程度)のウエハ1をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
A
In the rear region in the
A
The
図3に示されているように、筐体11の天井壁には反応炉用開口が設けられている。
筐体11の反応炉用開口の位置には、反応炉(reacor)30が同心円状に設置されている。反応炉30は互いに同心円状に配置されたアウタチューブ31とインナチューブ32とを備えている。
アウタチューブ31は炭化シリコンまたは石英等の耐熱性材料が使用されて、上端が閉塞し下端が開放した円筒形状に形成されている。
インナチューブ32は石英または炭化シリコン等の耐熱性材料が使用されて、上下両端が開放した円筒形状に形成されている。インナチューブ32の円筒中空部によって反応炉30の処理室33が形成されている。
アウタチューブ31とインナチューブ32との間が形成した筒状空間は、ガスが流れるガス通路34を形成している。
As shown in FIG. 3, a reaction furnace opening is provided in the ceiling wall of the casing 11.
A
The
The inner tube 32 is made of a heat-resistant material such as quartz or silicon carbide, and is formed in a cylindrical shape whose upper and lower ends are open. A
A cylindrical space formed between the
アウタチューブ31およびインナチューブ32の下端にはマニホールド35が設置されており、マニホールド35はステンレス鋼等が使用されて円筒形状に形成されている。
マニホールド35には排気ライン36の一端が接続されており、排気ライン36の他端は真空ポンプ等から構成された排気装置(図示せず)が接続されている。排気ライン36はアウタチューブ31とインナチューブ32との間のガス通路34を流れるガスを排気するようになっている。
ガスは処理室33の下方に設けられたガス供給ライン37によって処理室33に供給されるようになっている。
A
One end of an
The gas is supplied to the
アウタチューブ31の外周にはヒータユニット38が同心円状に設置されており、ヒータユニット38はアウタチューブ31内の温度を所定の温度に加熱するように構成されている。
アウタチューブ31内には温度検出器としての温度センサ39が設置されている。ヒータユニット38と温度センサとには温度制御部(図示せず)が接続されており、温度センサ39によって検出された温度情報に基づいてヒータユニット38への通電具合を調整することにより、処理室33内の温度が所望の温度分布となるように所望のタイミングにて制御するように構成されている。
A
A
図4に示されているように、ウエハ移載装置40はロータリーアクチュエータ41を備えており、ロータリーアクチュエータ41は上面に設置されたリニアアクチュエータ43を、ロータリーアクチュエータ41の水平方向中心部Oを中心として、水平面内で回転させるように構成されている。
リニアアクチュエータ43の上面には移動台44が設置されており、リニアアクチュエータ43は移動台44を水平移動させるように構成されている。
移動台44にはウエハ1を下から保持する基板載置プレートとしてのツィーザ50が複数枚(本実施の形態では5枚)、取付ブロック45を介して等間隔に配置されて水平に取り付けられている。
ウエハ移載装置40は送りねじ装置等によって構成されたエレベータ(図示せず)により昇降されるように構成されている。
As shown in FIG. 4, the
A moving table 44 is installed on the upper surface of the
A plurality of tweezers 50 (five in the present embodiment) as substrate mounting plates for holding the wafer 1 from below are arranged on the moving table 44 at equal intervals via a mounting
The
図5に示されているように、ツィーザ50はウエハ1を掬い取って下から支持し得る二股のフォーク形のプレート(板体)形状に形成されている。
ツィーザ50の上面にはウエハ1の位置ずれ防止のための座ぐり51が円形の穴形状に没設されており、座ぐり51の立ち上がり面が構成する円弧面の直径Daは、ウエハ1の直径Dwよりも若干大きめに設定されている。
例えば、ウエハ1の直径Dwが300mmの場合には、座ぐり51の直径Daはウエハ1の直径Dwより若干大きく例えば2〜5mm程度大きく設定されている。
As shown in FIG. 5, the
A
For example, when the diameter Dw of the wafer 1 is 300 mm, the diameter Da of the spot facing 51 is set to be slightly larger than the diameter Dw of the wafer 1, for example, about 2 to 5 mm.
座ぐり51の周縁部であって、ツィーザ50の基端部側には、両側端に一箇所ずつ一対となるように基端側載置部52、52が突設されている。両基端側載置部52、52には、それぞれ座ぐり51の基端側の立ち上がり面と同じ面となるように一箇所ずつ基端側位置ずれ防止部53、53が一対となるように構成されている。
両基端側位置ずれ防止部53、53と基端側載置部52の載置面である上面となす夾角Θaは、鈍角に設定されている。図示例においては、夾角Θaは120度に設定されている。
なお、基端側位置ずれ防止部53、53は立ち上がり面と同じ面とせず、立ち上がり面を基端側位置ずれ防止部53、53より窪ませてもよい。
座ぐり51の周縁部であってツィーザ50の一対の先端部のそれぞれには、ツィーザ外側端は一箇所ずつ一対となるように先端側載置部54、54が突設されている。両先端側載置部54、54がそれぞれ座ぐり51の立ち上がり面と同じ面となるように一箇所ずつ先端側引っ掛け部55、55が一対となるように構成されており、両先端側引っ掛け部55、55と先端側載置部54の載置面である上面となす夾角Θbは、直角または鋭角に設定されている。本実施の形態においては、夾角Θbは直角に設定されている。
On the base end side of the
The included angle Θa formed between the upper surface, which is the mounting surface of the base end side position
Note that the base end side
At the peripheral edge portion of the spot facing 51 and at each of the pair of tip portions of the
両基端側載置部52、52の上面と両先端側載置部54、54の上面とは、ウエハ1をガタツキなく載置するように同一の平面を構成している。両基端側載置部52、52の上面と両先端側載置部54、54の上面とは、座ぐり51の底面からウエハ1を浮かせて支持することにより、ウエハ1との接触面積を減少させてウエハ1への異物の付着を防止している。
両先端側引っ掛け部55、55の高さhは、ウエハ1の厚みtの半分以上になるように設定されている。すなわち、h≧t/2、を満足するように設定されている。
本実施の形態においては、h=t×5/7、に設計されている。
両先端側引っ掛け部55、55は、ポッド2内から取り出す際にウエハ1のポッド2内の奥側の挟まれる箇所の近傍に位置するように配置されている。
The upper surfaces of the both base end
The heights h of the front-end hooks 55 and 55 are set to be at least half the thickness t of the wafer 1. That is, it is set so as to satisfy h ≧ t / 2.
In the present embodiment, it is designed so that h = t × 5/7.
Both front end side hooks 55, 55 are arranged so as to be located in the vicinity of the portion sandwiched on the back side in the
なお、ポッド2は図6に示されているように構成されている。
すなわち、ポッド2は一つの側壁に略正方形の開口部であるウエハ出し入れ口4を有する略立方体の箱形状に形成された本体3と、ウエハ出し入れ口4に着脱自在に装着されるキャップ7とを備えている。
本体3のウエハ出し入れ口4に隣接した上下左右の側壁のうち左右の側壁の内面には、複数段の保持部片5が等間隔に配置されて側面に直角に突設されており、各段の保持部片5は同一の平面を構成してウエハ1を水平に保持するように設定されている。
また、左右の側壁の内面には一対の奥側位置決め部6、6が形成されており、両奥側位置決め部6、6は保持部片5に保持されたウエハ1の外周の二箇所にそれぞれ当接することによってウエハ1の奥側の位置を規制するように設定されている。
キャップ7の内面の中央には前側位置決め部8が装備されており、前側位置決め部8は保持部片5に保持されたウエハ1の外周の一箇所に当接してウエハ1の前側の位置を規制することにより、両奥側位置決め部6、6と協働してウエハ1のガタツキを防止するように設定されている。
キャップ7には錠前9が装着されており、錠前9は本体3のウエハ出し入れ口4の一部に係合することによりキャップ7を本体3にロックするように構成されている。
The
That is, the
Of the upper, lower, left and right side walls adjacent to the wafer loading / unloading port 4 of the main body 3, a plurality of holding pieces 5 are arranged at equal intervals on the inner surfaces of the left and right side walls and project at right angles to the side surfaces. The holding part pieces 5 are set to form the same plane and hold the wafer 1 horizontally.
In addition, a pair of back side positioning portions 6 and 6 are formed on the inner surfaces of the left and right side walls, and the back side positioning portions 6 and 6 are respectively provided at two locations on the outer periphery of the wafer 1 held by the holding piece 5. It is set so as to regulate the position of the back side of the wafer 1 by contact.
A front-
A lock 9 is attached to the cap 7, and the lock 9 is configured to lock the cap 7 to the main body 3 by engaging with a part of the wafer loading / unloading port 4 of the main body 3.
前記構成に係るCVD装置によるICの製造方法におけるCVD工程を説明する。 The CVD process in the IC manufacturing method by the CVD apparatus having the above configuration will be described.
図1および図2に示されているように、ポッド2がポッドステージ14に供給されると、ポッド搬入搬出口12がフロントシャッタ13によって開放され、ポッドステージ14の上のポッド2はポッド搬送装置18によって筐体11の内部へポッド搬入搬出口12から搬入される。
搬入されたポッド2は回転式ポッド棚15の指定された棚板17へポッド搬送装置18によって自動的に搬送されて受け渡され、その棚板17に一時的に保管される。
保管されたポッド2はポッド搬送装置18によって一方のポッドオープナ21に搬送されて載置台22に移載される。
この際、ポッドオープナ21のウエハ搬入搬出口20はキャップ着脱機構23によって閉じられており、移載室24には窒素ガスが流通されることによって充満されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, when the
The loaded
The stored
At this time, the wafer loading / unloading
載置台22に載置されたポッド2はその開口側端面がサブ筐体19の正面におけるウエハ搬入搬出口20の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構23によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。
ポッド2に収納された複数枚のウエハ1はウエハ移載装置40のツィーザ50によって掬い取られ、ウエハ搬入搬出口20から移載室24を通じて待機室26へ搬入され、ボート25に装填(チャージング)される。
ボート25にウエハ1を受け渡したウエハ移載装置40はポッド2に戻り、次のウエハ1をボート25に装填する。
なお、ウエハ移載装置40はポッド2側からボート25側への回転動作はウエハ1をツィーザ50の両先端側載置部54、54と両基端側載置部52、52とに載置した状態で、図4(b)に示す位置までツィーザ50および移動台44を水平移動させ、その後、ロータリーアクチュエータ41により回転させることで行う。
すなわち、ウエハ1はツィーザ50の両先端側載置部54、54は両基端側載置部52、52より回転中心から離れた位置で回転することとなる。
The
The plurality of wafers 1 stored in the
The
Note that the
That is, in the wafer 1, both the distal end
以上の作動が繰り返されることにより、一方のポッドオープナ21の載置台22の上のポッド2の全てのウエハ1がボート25に順次装填されて行く。
By repeating the above operation, all the wafers 1 of the
この一方(上段または下段)のポッドオープナ21におけるウエハ移載装置40によるウエハのボート25への装填作業中に、他方(下段または上段)のポッドオープナ21には回転式ポッド棚15から別のポッド2がポッド搬送装置18によって搬送されて移載され、ポッドオープナ21によるポッド2の開放作業が同時進行される。
During the loading operation of the wafer into the
予め指定された枚数のウエハ1がボート25に装填されると、ウエハ1群を保持したボート25はシールキャップ29がボートエレベータ27によって上昇されることにより、インナチューブ32の処理室33に搬入(ボートローディング)されて行く。
図3に示されているように、上限に達すると、シールキャップ29はマニホールド35に押接することにより、アウタチューブ31の内部をシールした状態になる。ボート25はシールキャップ29に支持されたままの状態で、処理室33に存置される。
When a predetermined number of wafers 1 are loaded into the
As shown in FIG. 3, when the upper limit is reached, the
この状態で、処理室33の温度がヒータユニット38により所定の処理温度に上昇され、かつ、処理室33内の圧力が排気装置により所定の圧力に減圧されると、所定の処理ガスがガス供給ライン37によって処理室33に供給される。
処理ガスがウエハ1に接触することにより、CVD膜がウエハ1上に堆積する。
In this state, when the temperature of the
A CVD film is deposited on the wafer 1 when the processing gas contacts the wafer 1.
反応炉30の処理室33内で成膜処理された後に、ボート25がボートエレベータ27によって搬出(ボートアンローディング)される。
次いで、ボート25の処理済ウエハ1がウエハ移載装置40のツィーザ50によって脱装(ウエハディスチャージ)され、ポッド2に収納される。
以上の作動が繰り返されることにより、CVD工程がウエハ1に実施される。
After the film forming process is performed in the
Next, the processed wafer 1 of the
By repeating the above operation, the CVD process is performed on the wafer 1.
ところで、ポッド2での収納状態でのガタツキを防止する必要上、図6に示されているように、ウエハ1はキャップ7によって両奥側位置決め部6、6に押し付けられた状態になっているために、ウエハ移載装置40のツィーザ50によってウエハ1をポッド2内から取り出す際には、ウエハ1は両奥側位置決め部6、6に押接した状態になっている。
このようにウエハ1が両奥側位置決め部6、6に押接した状態になると、ウエハ1は両奥側位置決め部6、6によって両側から挟み込まれた状態になる。
前述したCVD工程の実施において、ポッド2内からウエハ1をウエハ移載装置のツィーザによって取り出すに際して、正常であれば、ポッド2に収納された複数枚のウエハ1のそれぞれの間にウエハ移載装置40のツィーザ50が取り出す対象となるウエハ1の下側に挿入され、その後、ウエハ1をツィーザ50により掬い上げ、ツィーザ50の両先端側載置部54、54と両基端側載置部52、52とにウエハ1を載置させる。次に、ウエハ1を載置させた状態で、ツィーザ50を引き出すことにより、ポッド2内からツィーザ50によってウエハ1を掬い取ることになる。
しかし、図7(a)に示されているように、夾角Θbが鈍角(図示例では、120度)に形成された先端側引っ掛け部55’を有するツィーザ50’により、両奥側位置決め部6、6によって挟み込まれた状態のウエハ1を掬い上げようとすると、ポッド2内からウエハ1をツィーザ50’によって引き出すことができない場合が発生する。
万一、先端側引っ掛け部55’が引っ掛からずに、ウエハ1がツィーザ50’の上に乗っかった状態で、ウエハ1がポッド2内から引き出された場合には、搬送の途中で、ウエハ1がツィーザ50’の上から落下するために、ウエハ1を損傷する場合が発生する。
By the way, in order to prevent rattling in the stored state in the
When the wafer 1 is in a state of being pressed against the back side positioning portions 6 and 6 in this manner, the wafer 1 is sandwiched from both sides by the back side positioning portions 6 and 6.
When the wafer 1 is taken out from the
However, as shown in FIG. 7A, the both-side positioning portions 6 are formed by the
If the wafer 1 is pulled out from the
しかし、本実施の形態においては、図7(b)に示されているように、先端側引っ掛け部55の夾角Θbが直角(90°)に形成されていることにより、先端側引っ掛け部55がウエハ1の奥側の周縁部に確実に引っ掛かるために、ポッド2内からウエハ1をツィーザ50によって確実かつ適正に引き出すことができる。
両先端側引っ掛け部55、55がウエハ1の奥側の周縁部に確実に引っ掛かるために、ウエハ1がツィーザ50の上に乗っかった状態で、ウエハ1がポッド2内から引き出してしまう事態の発生は未然に防止することができる。
しかも、ツィーザ50によってウエハ1を引き出す際には、両先端側引っ掛け部55、55がポッド2内の両奥側位置決め部6、6の近傍に位置するようにそれぞれ配設されていることより、両先端側引っ掛け部55、55の作用力がウエハ1を挟み込んだ部位に外す力となって効果的に加わるために、ポッド2内からウエハ1をツィーザ50によって確実に引き出すことができる。
However, in the present embodiment, as shown in FIG. 7B, the depression angle Θb of the tip
Occurrence of a situation where the wafer 1 is pulled out from the
In addition, when the wafer 1 is pulled out by the
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。 According to the embodiment, the following effects can be obtained.
1) ツィーザの先端側引っ掛け部の載置部の載置面となす夾角を直角に形成することにより、先端側引っ掛け部がウエハの奥側の周縁部に確実に引っ掛かるために、ポッド内からウエハをツィーザによって確実かつ適正に引き出すことができる。
また、ツィーザの両先端側載置部54、54と両基端側載置部52、52とにウエハ1を載置した状態で、図4(b)のように、ウエハ移載装置が回転動作しても、回転中心から離れている先端側引っ掛け部がウエハの周縁部に確実に引っ掛かるために、回転スピードを上げてもウエハ1が位置ずれをおこすことにならず、ウエハ移載スピードを向上させることができる。
1) By forming the included angle with the mounting surface of the mounting portion of the tip side hook portion of the tweezer at a right angle, the tip side hook portion is securely hooked to the peripheral edge portion on the back side of the wafer. Can be pulled out reliably and properly by tweezers.
Further, as shown in FIG. 4B, the wafer transfer device rotates in a state where the wafer 1 is placed on both the tip end
2) 先端側引っ掛け部がウエハの奥側の周縁部に確実に引っ掛かることにより、ウエハがツィーザの上に乗っかった状態で、ウエハをポッド内から引き出してしまう事態の発生を防止することができるので、ウエハがツィーザから落下して損傷が発生するのを未然に防止することができる。 2) Because the front-end hook is securely hooked to the back edge of the wafer, it is possible to prevent the wafer from being pulled out of the pod while the wafer is on the tweezer. , It is possible to prevent the wafer from falling from the tweezers and causing damage.
3) ツィーザによってウエハを引き出す際には、両先端側引っ掛け部がポッド内の両奥側位置決め部の近傍に位置するように、両引っ掛け部をそれぞれ配設することにより、両先端側引っ掛け部の力をウエハを挟み込んだ部位に外す力として効果的に作用させることができるので、ツィーザによってポッド内からウエハをより一層確実に引き出すことができる。 3) When pulling out the wafer with the tweezers, arrange both hooks so that the hooks on both ends are located in the vicinity of both rear positioning parts in the pod. Since the force can be effectively applied as a force for removing the wafer from the sandwiched portion, the tweezer can more reliably pull out the wafer from the pod.
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
例えば、先端側引っ掛け部の載置部の載置面となす夾角は、直角に形成するに限らず、鋭角に形成してもよい。 For example, the included angle formed with the mounting surface of the mounting portion of the tip side hook portion is not limited to a right angle, but may be an acute angle.
ツィーザの形状は二股のフォーク形のプレート形状に形成するに限らず、例えば、図8に示されたようなツィーザ50Bの長方形のプレート形状に形成してもよいし、他のプレート形状に形成してもよい。 The shape of the tweezers is not limited to the bifurcated fork-shaped plate shape, but may be formed into, for example, a rectangular plate shape of the tweezer 50B as shown in FIG. 8 or other plate shapes. May be.
前記実施の形態ではCVD装置について説明したが、本発明は、酸化装置や拡散装置および熱処理装置等の基板処理装置全般に適用することができる。 Although the CVD apparatus has been described in the above embodiment, the present invention can be applied to all substrate processing apparatuses such as an oxidation apparatus, a diffusion apparatus, and a heat treatment apparatus.
また、ウエハを処理する場合について説明したが、液晶パネルや磁気ディスク、光ディスク等の基板全般について適用することができる。 Further, the case of processing a wafer has been described, but the present invention can be applied to all substrates such as a liquid crystal panel, a magnetic disk, and an optical disk.
1…ウエハ(基板)、2…ポッド(基板収納容器)、3…本体、4…ウエハ出し入れ口、5…保持部片、6…奥側位置決め部、7…キャップ、8…前側位置決め部、9…錠前、10…CVD装置(基板処理装置)、11…筐体、12…ポッド搬入搬出口、13…フロントシャッタ、14…ポッドステージ、15…回転式ポッド棚、16…支柱、17…棚板、18…ポッド搬送装置、19…サブ筐体、20…ウエハ搬入搬出口、21…ポッドオープナ、22…載置台、23…キャップ着脱機構、24…移載室、25…ボート、26…待機室、27…ボートエレベータ、28…アーム、29…シールキャップ、30…反応炉、31…アウタチューブ、32…インナチューブ、33…処理室、34…ガス通路、35…マニホールド、36…排気ライン、37…ガス供給ライン、38…ヒータユニット、39…温度センサ、40…ウエハ移載装置、41…ロータリーアクチュエータ、43…リニアアクチュエータ、44…移動台、45…取付ブロック、50…ツィーザ(載置プレート)、51…座ぐり、52…基端側載置部、53…基端側位置ずれ防止部、Θa…基端側位置ずれ防止部の基端側載置部の上面となす夾角、54…先端側載置部、55…先端側引っ掛け部、Θb…先端側引っ掛け部の先端側載置部の上面となす夾角、h…先端側引っ掛け部の高さ、t…ウエハの厚み。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer (substrate), 2 ... Pod (substrate storage container), 3 ... Main body, 4 ... Wafer taking-in / out opening, 5 ... Holding part piece, 6 ... Back side positioning part, 7 ... Cap, 8 ... Front side positioning part, 9 DESCRIPTION OF SYMBOLS: Lock, 10 ... CVD apparatus (substrate processing apparatus), 11 ... housing, 12 ... pod loading / unloading port, 13 ... front shutter, 14 ... pod stage, 15 ... rotary pod shelf, 16 ... post, 17 ... shelf , 18 ... Pod transfer device, 19 ... Sub housing, 20 ... Wafer loading / unloading exit, 21 ... Pod opener, 22 ... Mounting table, 23 ... Cap attaching / detaching mechanism, 24 ... Transfer chamber, 25 ... Boat, 26 ...
Claims (1)
前記基板載置プレートには、前記基板を載置するための載置部と、前記基板を前記基板収納容器内から取り出す際に前記基板の前記基板収納容器内の奥側の周縁部を引っ掛けるための引っ掛け部とが具備されており、
前記引っ掛け部は、前記載置部より先端側に配置され、前記載置部の載置面との夾角が直角または鋭角に設定されているとともに、前記載置部に対する高さが前記基板の厚みの半分以上に設定されていることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus provided with a substrate transfer device having a substrate mounting plate for taking a substrate into and out of a substrate storage container,
The substrate mounting plate is configured to hook a mounting portion for mounting the substrate and a peripheral edge portion of the substrate inside the substrate storage container when the substrate is taken out from the substrate storage container. And a hook part.
The hooking portion is disposed on the tip side from the mounting portion, the depression angle with respect to the mounting surface of the mounting portion is set to a right angle or an acute angle, and the height relative to the mounting portion is the thickness of the substrate. The substrate processing apparatus is characterized by being set to more than half of the above.
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