JP2007250620A - Substrate dividing method, and manufacturing method of electro-optical device - Google Patents

Substrate dividing method, and manufacturing method of electro-optical device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate dividing method for suitably dividing a substrate even when a conductive pattern is formed on the dividing line, and to provide a manufacturing method of an electro-optical device. <P>SOLUTION: For dividing a substrate 10 by radiating a laser beam LB along the dividing lines L1, L2 of the substrate 10 and then cooling the irradiating area of the laser beam LB with a cooling agent LC, the substrate 10 is placed on a stage 4 with the rear surface 10b upside after a protection film 5 is adhered in the front surface side 10a of the substrate 10, and the laser beam LB is irradiated to the rear surface 10b of the substrate 10 from the upper side under this condition. Therefore, even when conductive patterns 11, 12 are formed on the cracking and dividing lines L1, L2 on the front surface 10a of the substrate 10, the substrate 10 can surely be heated with the laser beam LB and can also be divided suitably. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板に対して局部的なレーザ照射および冷却を施して当該基板を割断する基板の割断方法、およびこの方法を用いた電気光学装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a substrate cleaving method for cleaving a substrate by locally irradiating and cooling the substrate, and a method for manufacturing an electro-optical device using this method.

ガラスなどといった脆性材料からなる基板を割断するのに適した方法として、基板の割断予定線に沿ってレーザビームを局所的に照射した後、このレーザビームの照射領域を局所的に冷却して割断予定線に沿って基板を割断する方法が提案されている。このような割断方法は、局部的なレーザ照射および冷却により、基板に亀裂を発生させるとともに、レーザ照射位置および冷却位置を移動させることにより、基板を割断する方法である(特許文献1参照)。
米国特許第5609284号明細書
As a method suitable for cleaving a substrate made of a brittle material such as glass, the laser beam is irradiated locally along the planned cutting line of the substrate, and then the irradiated region of the laser beam is locally cooled for cleaving. A method of cleaving a substrate along a planned line has been proposed. Such a cleaving method is a method in which a substrate is cleaved by moving a laser irradiation position and a cooling position while causing cracks in the substrate by local laser irradiation and cooling (see Patent Document 1).
US Pat. No. 5,609,284

しかしながら、液晶装置、エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置などの電気光学装置に用いられる基板(電気光学装置用基板)は、通常、大型基板の表面に信号線や電極を形成した後、所定サイズに割断されるため、割断切断線上には、信号線や電極などと同時形成された導電パターンが形成されていることが多い。このため、基板の表面に対して、割断予定線に沿ってレーザ照射を行った際、照射されたレーザ光の一部が導電パターンにより反射されてしまい、基板の表面に与えられた熱が基板の内部や裏面まで十分に伝わらないことがある。このような事態が発生すると、基板の表面に比べて内部および裏面での熱応力が弱くなってしまい、基板を表面から裏面まで完全に割断することができない。その結果、基板の表面のみが割断され、基板にマイクロクラックが発生するという問題点がある。このようなマイクロクラックは、それが起点となって基板が割れる原因となるため好ましくない。   However, substrates (electro-optical device substrates) used in electro-optical devices such as liquid crystal devices, electroluminescence devices, and plasma display devices are usually cleaved into a predetermined size after forming signal lines and electrodes on the surface of a large substrate. Therefore, a conductive pattern formed simultaneously with a signal line, an electrode, and the like is often formed on the cleaving cutting line. For this reason, when laser irradiation is performed on the surface of the substrate along the planned cutting line, part of the irradiated laser light is reflected by the conductive pattern, and heat applied to the surface of the substrate is transferred to the substrate. It may not be transmitted enough to the inside and back of the. When such a situation occurs, the thermal stress at the inside and the back surface becomes weaker than the front surface of the substrate, and the substrate cannot be completely cleaved from the front surface to the back surface. As a result, there is a problem that only the surface of the substrate is cleaved and microcracks are generated in the substrate. Such a microcrack is not preferable because it becomes a starting point and causes the substrate to crack.

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、割断切断線上に導電パターンが形成されている場合でも基板を好適に割断することのできる基板の割断方法、および電気光学装置の製造方法を提供することにある。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a method for cleaving a substrate and a method for manufacturing an electro-optical device that can cleave the substrate even when a conductive pattern is formed on the cleaving line. There is to do.

上記課題を解決するために、本発明では、基板の割断予定線に沿ってレーザビームを照射した後、当該レーザビームの照射領域を冷却して当該割断予定線に沿って前記基板を割断する方法において、前記基板の表面および裏面のうち、表面には前記割断予定線上の少なくとも一部に導電パターンが形成されており、前記基板に前記レーザビームを照射する際には、当該レーザビームを前記基板の裏面から照射することを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problem, in the present invention, after irradiating a laser beam along a planned cutting line of a substrate, a method of cutting the substrate along the planned cutting line by cooling the irradiation region of the laser beam The conductive pattern is formed on at least a part of the planned cutting line on the front surface and the back surface of the substrate, and when the substrate is irradiated with the laser beam, the laser beam is applied to the substrate It irradiates from the back surface of.

本発明では、基板の割断予定線に沿ってレーザビームを照射した後、当該レーザビームの照射領域を冷却して当該割断予定線に沿って亀裂を発生させ、基板を割断する。ここで、基板の表面には割断予定線上に導電パターンが形成されているが、レーザビームを基板の裏面から照射するため、照射されたレーザビームが基板を加熱する前に導電パターンにより反射されしまう、という事態が発生しない。従って、基板の裏面側から表面側まで均等に加熱でき、熱応力を発生させることができるので、基板を裏面から表面まで完全に割断することができる。それ故、基板にマイクロクラックが発生することを防止できるので、マイクロクラックが起点となって基板が割れる事態を回避できる。   In this invention, after irradiating a laser beam along the planned cutting line of a board | substrate, the irradiation area | region of the said laser beam is cooled, a crack is generated along the said planned cutting line, and a board | substrate is cut. Here, a conductive pattern is formed on the planned cutting line on the surface of the substrate, but since the laser beam is irradiated from the back surface of the substrate, the irradiated laser beam is reflected by the conductive pattern before heating the substrate. This does not happen. Therefore, the substrate can be heated uniformly from the back surface side to the front surface side, and thermal stress can be generated, so that the substrate can be completely cleaved from the back surface to the front surface. Therefore, since it is possible to prevent microcracks from occurring on the substrate, it is possible to avoid a situation where the substrate cracks starting from the microcracks.

本発明においては、前記基板に前記レーザビームを照射するにあたって、前記基板の表面側に保護フィルムを貼った後、裏面側を上向きにして前記基板をステージ上に載置した状態で、前記レーザビームを上方から前記基板の裏面に向けて照射する方法を採用することが好ましい。このように構成すると、表面側を下向きにして基板をステージ上に載置した場合でも、基板の表面には保護フィルムが貼られているので、ステージが基板の表面と接触しない。それ故、基板上に形成した信号線や電極がステージとの接触により損傷することを防止することができる。また、基板をステージに載置する構成を採用すると、基板の厚さが例えば、0.5mm程度の薄いものであっても、撓むことがないという利点がある。   In the present invention, when the substrate is irradiated with the laser beam, a protective film is applied to the front side of the substrate, and then the laser beam is placed on the stage with the back side facing up. It is preferable to employ a method of irradiating from the top toward the back surface of the substrate. With this configuration, even when the substrate is placed on the stage with the front side facing downward, the stage does not contact the surface of the substrate because the protective film is applied to the surface of the substrate. Therefore, it is possible to prevent the signal lines and electrodes formed on the substrate from being damaged due to contact with the stage. Moreover, when the structure which mounts a board | substrate on a stage is employ | adopted, even if the thickness of a board | substrate is as thin as about 0.5 mm, there exists an advantage that it does not bend.

本発明において、前記基板の表面のうち、前記割断予定線と重なる位置の少なくとも一部、および前記基板の周辺部の少なくとも一部に前記保護フィルムを貼る場合がある。この場合、前記保護フィルムのフィルム基材には、前記割断予定線に沿って切れ目を付した状態で前記レーザビームの照射および冷却を行うことが好ましい。このように構成すると、保護フィルムが基板を割断する際の妨げにならない。   In this invention, the said protective film may be affixed on at least one part of the position which overlaps with the said cutting plan line, and at least one part of the peripheral part of the said board | substrate among the surfaces of the said board | substrate. In this case, it is preferable that the film base of the protective film is irradiated with the laser beam and cooled in a state where a cut is made along the planned cutting line. If comprised in this way, it will not become a hindrance when a protective film cleaves a board | substrate.

本発明において、前記基板の表面のうち、前記割断予定線を避けた位置に前記保護フィルムを貼ることが好ましい。保護フィルムが割断予定線に重なって貼られ、かつ、保護フィルムと基板との間に気泡が存在していると、レーザビームを照射して基板を加熱した際に気泡が膨らんでしまうことがある。このような状態で、保護フィルムを剥がすと、粘着剤が基板の側に張り付いてしまい、残ってしまうなどの弊害が発生するが、割断予定線を避けた位置に保護フィルムを貼れば、このような事態の発生を回避することができる。   In this invention, it is preferable to affix the said protective film in the position which avoided the said cutting planned line among the surfaces of the said board | substrate. If the protective film is stuck on the planned cutting line and air bubbles are present between the protective film and the substrate, the air bubbles may expand when the substrate is heated by irradiating the laser beam. . In such a state, if the protective film is peeled off, the adhesive will stick to the side of the substrate and cause problems such as remaining, but if you attach the protective film to a position that avoids the planned cutting line, Such a situation can be avoided.

本発明において、前記保護フィルムをUV硬化性を備えた粘着剤により前記基板に貼ることが好ましい。このように構成すると、保護フィルムを剥がす際、UV照射により粘着剤の粘着力が低下するので、粘着剤が基板に残らない。   In this invention, it is preferable to affix the said protective film on the said board | substrate with the adhesive provided with UV curability. If comprised in this way, when peeling a protective film, since the adhesive force of an adhesive declines by UV irradiation, an adhesive does not remain on a board | substrate.

本発明において、前記保護フィルムは透明あるいは半透明であることが好ましい。このように構成すると、基板の表面でアライメントマークが形成されている位置に保護フィルムを貼った場合に、アライメントマークが遮光性あるいは透光性のいずれの材料から構成されている場合でも、基板を裏面側からみたときにアライメントマークを視認することができる。従って、基板をステージ上に載置する際、このアライメントマークを基準に基板とステージとの位置合わせを行うことができる。   In the present invention, the protective film is preferably transparent or translucent. With this configuration, when a protective film is pasted at the position where the alignment mark is formed on the surface of the substrate, even if the alignment mark is made of either light-shielding or translucent material, The alignment mark can be visually recognized when viewed from the back side. Therefore, when the substrate is placed on the stage, the alignment of the substrate and the stage can be performed with reference to the alignment mark.

本発明においては、前記基板に前記レーザビームを照射するにあたって、前記割断予定線の下方側を開放状態とする基板支持具上に裏面側を下向きにして前記基板を支持させ、この状態で前記レーザビームを下方から前記基板の裏面に向けて照射する方法を採用してもよい。   In the present invention, when irradiating the substrate with the laser beam, the substrate is supported with the back side facing down on a substrate support that opens the lower side of the planned cutting line, and in this state the laser is supported. You may employ | adopt the method of irradiating a beam toward the back surface of the said board | substrate from the downward direction.

本発明に係る基板の割断方法は、電気光学装置の製造方法に適用することができる。この場合、前記基板としての大型の電気光学装置用基板の表面側に少なくとも信号線および電極を形成した後、当該大型の電気光学装置用基板を所定サイズに割断する際に、本発明に係る基板の割断方法を行う。   The substrate cleaving method according to the present invention can be applied to a method for manufacturing an electro-optical device. In this case, after forming at least signal lines and electrodes on the surface side of the large electro-optical device substrate as the substrate, the large electro-optical device substrate is cleaved into a predetermined size. Perform the cleaving method.

図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

[割断対象]
図1(a)、(b)は、本発明の割断対象となる基板が使用される電気光学装置の説明図である。図2(a)、(b)は、本発明の割断対象となる基板の表面の構成を示す平面
図、および裏面の構成を示す底面図である。
[Clearance target]
FIGS. 1A and 1B are explanatory diagrams of an electro-optical device in which a substrate to be cleaved according to the present invention is used. 2A and 2B are a plan view showing the configuration of the front surface of the substrate to be cleaved according to the present invention, and a bottom view showing the configuration of the back surface.

本発明を適用した割断方法は、例えば、図1(a)(b)に示す電気光学装置の製造方法に用いることができる。まず、図1(a)に示す電気光学装置100pは有機エレクトロルミネセンス装置であり、この電気光学装置100pに用いられる素子基板10p上には、複数の走査線103pと、走査線103pの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線106pと、これらのデータ線106pに並列する複数の共通給電線23pと、データ線106pと走査線103pとの交点に対応する画素領域15pとが構成されている。データ線106pに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路101pが構成され、走査線103pに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査側駆動回路104pが構成されている。また、画素領域15pの各々には、走査線103pを介して走査信号がゲート電極に供給される第1のTFT31pと、この第1のTFT31pを介してデータ線106pから供給される画像信号を保持する保持容量33pと、この保持容量33pによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第2のTFT32pと、第2のTFT32pを介して共通給電線23pに電気的に接続したときに共通給電線23pから駆動電流が流れ込むエレクトロルミネッセンス素子40pとが構成されている。このように構成した電気光学装置1pでは、第1のTFT31pを介してデータ線106pから供給される画像信号が保持容量33pに保持されるので、第1のTFT31pがオフになっても、第2のTFT32pのゲート電極31pは画像信号に相当する電位に保持される。それ故、発光素子40pには共通給電線23pから駆動電流が流れ続けるので、発光素子40pは発光し続け、画像を表示することができる。   The cleaving method to which the present invention is applied can be used, for example, in the method for manufacturing the electro-optical device shown in FIGS. First, the electro-optical device 100p shown in FIG. 1A is an organic electroluminescence device. On the element substrate 10p used in the electro-optical device 100p, a plurality of scanning lines 103p and scanning lines 103p are extended. A plurality of data lines 106p extending in a direction intersecting the direction, a plurality of common power supply lines 23p parallel to the data lines 106p, and a pixel region corresponding to an intersection of the data line 106p and the scanning line 103p 15p. A data side driving circuit 101p including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is configured for the data line 106p, and a scanning side driving circuit 104p including a shift register and a level shifter is configured for the scanning line 103p. Has been. Each pixel region 15p holds a first TFT 31p to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 103p, and an image signal supplied from the data line 106p via the first TFT 31p. The storage capacitor 33p, the second TFT 32p to which the image signal held by the storage capacitor 33p is supplied to the gate electrode, and the common supply line 23p when electrically connected to the common power supply line 23p via the second TFT 32p. An electroluminescence element 40p into which a drive current flows from the electric wire 23p is configured. In the electro-optical device 1p configured as described above, the image signal supplied from the data line 106p via the first TFT 31p is held in the holding capacitor 33p. Therefore, even if the first TFT 31p is turned off, the second signal is supplied. The gate electrode 31p of the TFT 32p is held at a potential corresponding to the image signal. Therefore, since the drive current continues to flow from the common power supply line 23p to the light emitting element 40p, the light emitting element 40p continues to emit light and can display an image.

図1(b)に示す電気光学装置100rは液晶装置であり、この電気光学装置100rに用いられる素子基板10r上には、マトリクス状に形成された複数の画素100aの各々に、画素電極9a、および画素電極9aを制御するための画素スイッチング用のTFT30が形成されており、画素信号を供給するデータ線106aが当該TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線106aに書き込む画素信号S1、S2・・・Snは、この順に線順次に供給する。また、TFT30のゲートには走査線103aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線103aにパルス的に走査信号G1、G2・・・Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、TFT30を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線106aから供給される画素信号S1、S2・・・Snを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極9aを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号S1、S2、・・・Snは、対向基板(図示せず)に形成された対向電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量70を付加することがある。   The electro-optical device 100r shown in FIG. 1B is a liquid crystal device. On the element substrate 10r used in the electro-optical device 100r, a pixel electrode 9a, a pixel electrode 9a, A pixel switching TFT 30 for controlling the pixel electrode 9 a is formed, and a data line 106 a for supplying a pixel signal is electrically connected to the source of the TFT 30. Pixel signals S1, S2,... Sn written to the data line 106a are supplied line-sequentially in this order. Further, the scanning line 103a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning signals G1, G2,... Gm are applied to the scanning line 103a in a pulse-sequential manner in this order at a predetermined timing. It is configured. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and by turning on the TFT 30 for a certain period, the pixel signals S1, S2,... Sn supplied from the data line 106a are supplied to each pixel. Write at a predetermined timing. In this way, the pixel signals S1, S2,... Sn at a predetermined level written to the liquid crystal through the pixel electrode 9a are held for a certain period with the counter electrode formed on the counter substrate (not shown). Is done. Here, in order to prevent the held pixel signal from leaking, a holding capacitor 70 may be added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode.

このように電気光学装置100p、100rに用いられる素子基板10p、10rには、多数の信号線や電極が形成されている。このような信号線や電極は、例えば、図2(a)、に示すように、素子基板10p、10rを多数取りできる大型の基板10の状態で、その表面10に半導体プロセスなどを利用して形成される。また、大型の基板10は、割断予定線L1、L2に沿って割断されて、素子基板10p、10rに分割される。   As described above, a large number of signal lines and electrodes are formed on the element substrates 10p and 10r used in the electro-optical devices 100p and 100r. For example, as shown in FIG. 2A, such signal lines and electrodes are formed on a surface 10 of a large substrate 10 on which a large number of element substrates 10p and 10r can be obtained by using a semiconductor process or the like. It is formed. The large substrate 10 is divided along the planned cutting lines L1 and L2, and is divided into element substrates 10p and 10r.

ここで、基板10は、ガラスなどといった脆性材料からなり、後述するように、基板10の割断予定線L1、L2に沿ってレーザビームを照射した後、当該レーザビームの照射領域を冷却して割断予定線L1、L2に沿って亀裂を発生させることにより割断される。ここで、基板10の表面10aには、上記の素子、信号線、電極などが形成されているとともに、割断予定線L1、L2に重なるように、アライメントマーク、検査用配線、テス
トパターンなどの導電パターン11、12がアルミニウムなどの金属膜やITO膜などにより形成されている。これに対して、図2(b)に示すように、基板10の裏面10bには、上記の素子、信号線、電極などは勿論のこと、アライメントマーク、検査用配線、テストパターンなどの導電パターンが一切形成されていない。そこで、本形態では、以下の方法で基板10を割断する。
Here, the substrate 10 is made of a brittle material such as glass. As will be described later, after the laser beam is irradiated along the planned cutting lines L1 and L2 of the substrate 10, the irradiation region of the laser beam is cooled and cleaved. It is cleaved by generating a crack along the planned lines L1 and L2. Here, on the surface 10a of the substrate 10, the above-described elements, signal lines, electrodes, and the like are formed, and conductive materials such as alignment marks, inspection wirings, test patterns, etc. are overlapped with the planned cutting lines L1, L2. The patterns 11 and 12 are formed of a metal film such as aluminum or an ITO film. On the other hand, as shown in FIG. 2B, on the back surface 10b of the substrate 10, as well as the above elements, signal lines, electrodes, etc., conductive patterns such as alignment marks, inspection wirings, test patterns, etc. Is not formed at all. Therefore, in this embodiment, the substrate 10 is cleaved by the following method.

[実施の形態1]
図3(a)、(b)は、本発明の実施の形態1に係る割断方法に用いる割断装置の要部の構成を示す説明図、および基板をステージ上に載置した状態の断面図である。図4は、本発明の実施の形態1に係る割断方法を行う際、基板の表面に保護フィルムを貼った状態を示す説明図である。
[Embodiment 1]
3 (a) and 3 (b) are an explanatory diagram showing a configuration of a main part of the cleaving apparatus used in the cleaving method according to Embodiment 1 of the present invention, and a cross-sectional view of a state where the substrate is placed on the stage. is there. FIG. 4 is an explanatory view showing a state in which a protective film is pasted on the surface of the substrate when performing the cleaving method according to Embodiment 1 of the present invention.

図3(a)、(b)において、本形態で用いた割断装置1は、基板10の割断予定線L1、L2に沿ってレーザビームLBを照射して基板10を局部的に加熱するためのレーザ照射装置2と、レーザ照射装置2により基板10上で局部的に加熱が行われた領域に向けて冷却剤LCを噴射して、この領域を局部的に冷却する冷却装置3と、基板10を吸着して保持するステージ4とを備えている。ここで、ステージ4には、レーザ照射装置2および冷却装置3に対して基板10を矢印Yおよび矢印Zで示すように相対移動させる駆動装置(図示せず)が構成されている。冷却剤LCは、液体あるいは気体のいずれでもよく、水、アルコール、冷却した窒素ガスなどが用いられる。また、冷却剤LCとしてドライアイスが用いてもよい。レーザ照射装置2としてはCO2レーザなどが用いられる。 3 (a) and 3 (b), the cleaving apparatus 1 used in this embodiment is for irradiating a laser beam LB along the planned cutting lines L1 and L2 of the substrate 10 to locally heat the substrate 10. A laser irradiation device 2; a cooling device 3 for injecting a coolant LC toward a region heated locally on the substrate 10 by the laser irradiation device 2; And a stage 4 for adsorbing and holding the substrate. Here, the stage 4 includes a driving device (not shown) that moves the substrate 10 relative to the laser irradiation device 2 and the cooling device 3 as indicated by arrows Y and Z. The coolant LC may be either liquid or gas, and water, alcohol, cooled nitrogen gas, or the like is used. Further, dry ice may be used as the coolant LC. As the laser irradiation device 2, a CO 2 laser or the like is used.

このように構成した割断装置1を用いて基板10を割断するにあたって、本形態では、まず、図2(a)に示す基板10の表面10aの略全体に対して、図4に右下がりの斜線領域で示すように、粘着剤を介して保護フィルム5を貼り、この状態で、裏面10bを上向きにして基板10をステージ4上に載置する。かかる保護フィルム5を貼る際、気泡が入らないようにする。割断予定線L1、L2と重なる領域に気泡が存在していると、次の工程でレーザビームLBを照射して基板10を加熱した際に気泡が膨らんでしまい、保護フィルム5を剥がす際、粘着剤が基板10の側に張り付いて残ってしまうからである。また、保護フィルム5としては、透明あるいは半透明のものを用いる。   In cleaving the substrate 10 using the cleaving apparatus 1 configured as described above, in the present embodiment, first, in FIG. As shown in the region, the protective film 5 is attached via an adhesive, and in this state, the substrate 10 is placed on the stage 4 with the back surface 10b facing upward. Air bubbles are prevented from entering when the protective film 5 is applied. If bubbles exist in the region overlapping with the planned cutting lines L1 and L2, the bubbles expand when the substrate 10 is heated by irradiating the laser beam LB in the next step. This is because the agent remains attached to the substrate 10 side. The protective film 5 is transparent or translucent.

次に、レーザビームLBを上方から基板10の裏面10bに向けて照射するとともに、ステージ4を移動させて、レーザ照射装置2と基板10とを相対移動させて、レーザビームLBを基板10の割断予定線L1、L2に沿って移動させる。その際、冷却装置3もレーザ照射装置2に追従するように基板10に対して相対移動する。   Next, the laser beam LB is irradiated from above toward the back surface 10b of the substrate 10, and the stage 4 is moved to move the laser irradiation device 2 and the substrate 10 relative to each other so that the laser beam LB is cleaved. It moves along the planned lines L1 and L2. At that time, the cooling device 3 also moves relative to the substrate 10 so as to follow the laser irradiation device 2.

その結果、基板10では、割断予定線L1、L2に沿って亀裂が発生するので、基板10を割断することができる。   As a result, the substrate 10 can be cleaved because cracks occur along the planned cutting lines L1 and L2.

しかる後には、保護フィルム5を剥がす。ここで、保護フィルム5として、いわゆるUV硬化型フィルムと称せられるものを用いれば、ポリエステル、ポリオレフィン、塩化ビニルなどからなるフィルム基材に形成されている粘着材がUV硬化性を有しているため、保護フィルム5を剥がす際、UVを照射すれば粘着材の粘着力が低下するので、基板10に粘着材が残らない。   After that, the protective film 5 is peeled off. Here, if what is called a so-called UV curable film is used as the protective film 5, the adhesive material formed on the film substrate made of polyester, polyolefin, vinyl chloride or the like has UV curable properties. When the protective film 5 is peeled off, the adhesive strength of the adhesive material is reduced if UV is irradiated, so that the adhesive material does not remain on the substrate 10.

以上説明したように、本形態の割断方法によれば、基板10の表面10aには割断予定線L1、L2上に導電パターン11、12が形成されているが、レーザビームLBを基板10の裏面10bから照射するため、照射されたレーザビームLBが基板10を加熱する前に導電パターン11、12により反射されてしまう、という事態が発生しない。従って、基板10の裏面10b側から表面10a側まで均等に加熱でき、熱応力を確実に発生さ
せることができるので、基板10を裏面10bから表面10aまで完全に割断することができる。それ故、基板10にマイクロクラックが発生することを防止できるので、マイクロクラックが起点となって基板10が割れる事態を回避できる。
As described above, according to the cleaving method of this embodiment, the conductive patterns 11 and 12 are formed on the cleaved lines L1 and L2 on the surface 10a of the substrate 10, but the laser beam LB is applied to the back surface of the substrate 10. Since irradiation is performed from 10b, a situation in which the irradiated laser beam LB is reflected by the conductive patterns 11 and 12 before heating the substrate 10 does not occur. Therefore, the substrate 10 can be heated uniformly from the back surface 10b side to the front surface 10a side, and a thermal stress can be generated reliably, so that the substrate 10 can be completely cleaved from the back surface 10b to the front surface 10a. Therefore, since it is possible to prevent microcracks from occurring on the substrate 10, it is possible to avoid a situation in which the substrate 10 is cracked starting from the microcracks.

また、本形態では、表面10a側を下向きにして基板10をステージ4上に載置するが、基板10の表面には保護フィルム5が貼られているので、ステージ4が基板10の表面10aと接触しない。それ故、基板10上に形成した信号線や電極がステージ4との接触により損傷することを防止することができる。   In this embodiment, the substrate 10 is placed on the stage 4 with the surface 10a side facing downward. However, since the protective film 5 is attached to the surface of the substrate 10, the stage 4 is connected to the surface 10a of the substrate 10. Do not touch. Therefore, it is possible to prevent signal lines and electrodes formed on the substrate 10 from being damaged due to contact with the stage 4.

また、本形態において、保護フィルム5が透明あるいは半透明であるため、基板10の表面10aにアライメントマークが形成されている位置に保護フィルム5を貼った場合に、アライメントマークが遮光性あるいは透光性のいずれの材料から構成されている場合でも、基板10を裏面10b側からみたときにアライメントマークを視認することができる。従って、基板10をステージ4上に載置する際、このアライメントマークを基準に基板10とステージ4との位置合わせを行うことができる。   In this embodiment, since the protective film 5 is transparent or translucent, the alignment mark is light-shielding or translucent when the protective film 5 is pasted on the surface 10a of the substrate 10 where the alignment mark is formed. The alignment mark can be visually recognized when the substrate 10 is viewed from the back surface 10b side. Therefore, when the substrate 10 is placed on the stage 4, the alignment between the substrate 10 and the stage 4 can be performed based on the alignment mark.

さらに、本形態では、基板10をステージ4で支持したため、基板10の厚さが例えば、0.5mm程度の薄いものであっても、撓むことがないという利点がある。   Furthermore, in this embodiment, since the substrate 10 is supported by the stage 4, there is an advantage that even if the thickness of the substrate 10 is as thin as about 0.5 mm, it does not bend.

なお、本形態では、基板10の表面10a全体に保護フィルム5を貼ったため、割断予定線L1、L2と保護フィルム5とが重なっている。このような場合、保護フィルム5のフィルム基材には割断予定線L1、L2に沿って切れ目を付しておくことが好ましい。このように構成すると、保護フィルム5が基板10を割断する際の妨げにならない。   In addition, in this form, since the protective film 5 was affixed on the whole surface 10a of the board | substrate 10, the cutting planned lines L1 and L2 and the protective film 5 have overlapped. In such a case, it is preferable that the film base material of the protective film 5 is cut along the planned cutting lines L1 and L2. If comprised in this way, it will not become a hindrance when the protective film 5 cleaves the board | substrate 10. FIG.

[実施の形態1の変形例]
図5(a)、(b)、(c)は、本発明の実施の形態1の変形例に係る割断方法で基板を割断する際に基板の表面に保護フィルムを貼った状態を示す説明図である。
[Modification of Embodiment 1]
5A, 5B, and 5C are explanatory views showing a state in which a protective film is pasted on the surface of the substrate when the substrate is cleaved by the cleaving method according to the modification of the first embodiment of the present invention. It is.

図4を参照して説明した形態では、基板10の表面10a全体に保護フィルム5を貼ったが、図5(a)に右上がりの斜線領域で示すように、基板10の表面10aのうち、割断予定線L1、L2に沿った領域と基板周辺部のみに保護フィルム5(UV硬化フィルム)を貼ってもよい。このように保護フィルム5を貼ることにより、少ない量の保護フィルムで基板表面を保護できるので、コストダウンを図ることができる。また、図5(b)に右上がりの斜線領域で示すように、割断後の基板の四隅に保護フィルム5が位置するように保護フィルム5を貼ってもよい。このような場合も、保護フィルム5のフィルム基材には割断予定線L1、L2に沿って切れ目を付しておけば、保護フィルム5が基板10を割断する際の妨げにならない。   In the embodiment described with reference to FIG. 4, the protective film 5 is pasted on the entire surface 10 a of the substrate 10, but as shown by the hatched area rising to the right in FIG. 5A, of the surface 10 a of the substrate 10, You may affix the protective film 5 (UV cured film) only to the area | region and board | substrate peripheral part along the cutting line L1, L2. By sticking the protective film 5 in this manner, the substrate surface can be protected with a small amount of the protective film, so that the cost can be reduced. In addition, as shown by the hatched area rising to the right in FIG. 5B, the protective film 5 may be pasted so that the protective film 5 is positioned at the four corners of the substrate after cleaving. Also in such a case, if the film base material of the protective film 5 is cut along the planned cutting lines L <b> 1 and L <b> 2, the protective film 5 does not hinder the substrate 10 from being cut.

また、図4および図5(a)に示す形態では、保護フィルム5を割断予定線L1、L2と重なる位置に貼ったが、図5(c)に右上がりの斜線領域で示すように、基板10の表面10aのうち、割断予定線L1、L2を避けた領域のみに保護フィルム5(UV硬化フィルム)を貼ってもよい。図4および図5(a)、(b)に示すように、保護フィルム5が割断予定線L1、L2に重なって貼った場合において、保護フィルム5と基板10との間に気泡が存在していると、レーザビームLBを照射して基板10を加熱した際に気泡が膨らんでしまうことがある。このような状態で、保護フィルム5を剥がすと、粘着剤が基板10の側に張り付いてしまい、残ってしまうなどの弊害が発生するが、図5(c)に示すように、割断予定線L1、L2を避けた位置に保護フィルム5を貼れば、このような事態の発生を回避することができる。   Moreover, in the form shown in FIG. 4 and FIG. 5 (a), the protective film 5 is pasted at a position that overlaps the planned cutting lines L1 and L2. However, as shown in FIG. The protective film 5 (UV curable film) may be pasted only on the area of the ten surfaces 10a that avoids the split lines L1 and L2. As shown in FIGS. 4 and 5 (a), 5 (b), when the protective film 5 is pasted on the cutting lines L1 and L2, bubbles exist between the protective film 5 and the substrate 10. If so, bubbles may swell when the substrate 10 is heated by irradiation with the laser beam LB. If the protective film 5 is peeled off in such a state, the adhesive will stick to the substrate 10 side and cause a problem such as remaining, but as shown in FIG. If the protective film 5 is affixed at a position where L1 and L2 are avoided, such a situation can be avoided.

[実施の形態2]
図6(a)、(b)は、本発明の実施の形態2に係る割断方法に用いる割断装置の要部の構成を示す説明図、および基板をステージ上に載置した状態の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して説明する。
[Embodiment 2]
6 (a) and 6 (b) are explanatory views showing the configuration of the main part of the cleaving apparatus used in the cleaving method according to Embodiment 2 of the present invention, and a cross-sectional view of a state in which the substrate is placed on the stage. is there. The basic configuration of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, and therefore, common portions will be described with the same reference numerals.

図6(a)、(b)において、本形態で用いた割断装置1は、基本的な構成は実施の形態1と同様、基板10の割断予定線L1、L2に沿ってレーザビームLBを照射して基板10を局部的に加熱するためのレーザ照射装置2と、レーザ照射装置2により基板10上で局部的に加熱が行われた領域に向けて冷却剤LCを噴射して、この領域を局部的に冷却する冷却装置3と、基板10を吸着して保持するステージ4とを備えている。ここで、ステージ4には、レーザ照射装置2および冷却装置3に対して基板10を矢印Yおよび矢印Zで示すように相対移動させる駆動装置(図示せず)が構成されている。なお、冷却剤LCは、液体あるいは気体のいずれでもよく、水、アルコール、冷却した窒素ガスなどが用いられる。また、冷却剤LCとしてドライアイスが用いてもよい。レーザ照射装置2としてはCO2レーザなどが用いられる。 6 (a) and 6 (b), the cleaving apparatus 1 used in this embodiment is irradiated with a laser beam LB along the planned cleaving lines L1 and L2 of the substrate 10 in the same manner as in the first embodiment. Then, the laser irradiation device 2 for locally heating the substrate 10 and the coolant LC is jetted toward the region heated locally on the substrate 10 by the laser irradiation device 2, and this region is A cooling device 3 for locally cooling and a stage 4 for sucking and holding the substrate 10 are provided. Here, the stage 4 includes a driving device (not shown) that moves the substrate 10 relative to the laser irradiation device 2 and the cooling device 3 as indicated by arrows Y and Z. The coolant LC may be either liquid or gas, and water, alcohol, cooled nitrogen gas, or the like is used. Further, dry ice may be used as the coolant LC. As the laser irradiation device 2, a CO 2 laser or the like is used.

本形態において、レーザ照射装置2および冷却装置3は、実施の形態1と違って、ステージ4の下方位置に配置されている。このため、レーザ照射装置2は上方に向けてレーザビームLBを出射し、冷却装置3は上方に向けて冷却剤LCを噴射する。   In the present embodiment, unlike the first embodiment, the laser irradiation device 2 and the cooling device 3 are arranged at a position below the stage 4. For this reason, the laser irradiation device 2 emits the laser beam LB upward, and the cooling device 3 injects the coolant LC upward.

また、本形態において、ステージ4には、その上面に基板10を載置した状態で、割断予定線L1、L2と重なる位置には、ステージ4を上下方向に貫通する溝40が形成されている。   Further, in this embodiment, the stage 4 is provided with a groove 40 penetrating the stage 4 in the vertical direction at a position overlapping the planned cutting lines L1 and L2 with the substrate 10 placed on the upper surface thereof. .

このように構成した割断装置1を用いて基板10を割断するにあたって、本形態では、ステージ4上に裏面10bを下向きにして基板10を載置する。その際、割断予定線L1、L2の下方側が開放状態となるように、割断予定線L1、L2と溝40とが重なるように、基板10をステージ4上の所定位置に配置する。   In cleaving the substrate 10 using the cleaving apparatus 1 configured as described above, in this embodiment, the substrate 10 is placed on the stage 4 with the back surface 10b facing downward. At this time, the substrate 10 is arranged at a predetermined position on the stage 4 so that the planned cutting lines L1 and L2 and the groove 40 overlap so that the lower side of the planned cutting lines L1 and L2 is open.

次に、レーザ照射装置2からレーザビームLBを下方から基板10の裏面10bに向けて照射するとともに、ステージ4を移動させて、レーザ照射装置2と基板10とを相対移動させ、レーザビームLBを基板10の割断予定線L1、L2に沿って移動させる。その際、冷却装置3もレーザ照射装置2に追従するように、基板10に対して相対移動する。   Next, the laser irradiation device 2 irradiates the laser beam LB from below toward the back surface 10b of the substrate 10 and moves the stage 4 to relatively move the laser irradiation device 2 and the substrate 10 so that the laser beam LB is emitted. The substrate 10 is moved along the planned cutting lines L1 and L2. At that time, the cooling device 3 also moves relative to the substrate 10 so as to follow the laser irradiation device 2.

その結果、基板10では、割断予定線L1、L2に沿って亀裂が発生するので、基板10を割断することができる。ここで、基板10の表面10aには割断予定線L1、L2上に導電パターン11、12が形成されているが、レーザビームLBを基板10の裏面10bから照射するため、照射されたレーザビームLBが基板10を加熱する前に導電パターン11、12により反射されてしまう、という事態が発生しない。従って、基板10の裏面10b側から表面10a側まで均等に加熱でき、熱応力を確実に発生させることができるので、基板10を裏面10bから表面10aまで完全に割断することができる。それ故、基板10にマイクロクラックが発生することを防止できるので、マイクロクラックが起点となって基板10が割れる事態を回避できる。   As a result, the substrate 10 can be cleaved because cracks occur along the planned cutting lines L1 and L2. Here, although the conductive patterns 11 and 12 are formed on the planned cutting lines L1 and L2 on the front surface 10a of the substrate 10, since the laser beam LB is irradiated from the back surface 10b of the substrate 10, the irradiated laser beam LB is irradiated. Is not reflected by the conductive patterns 11 and 12 before the substrate 10 is heated. Therefore, the substrate 10 can be heated uniformly from the back surface 10b side to the front surface 10a side, and a thermal stress can be generated reliably, so that the substrate 10 can be completely cleaved from the back surface 10b to the front surface 10a. Therefore, since it is possible to prevent microcracks from occurring on the substrate 10, it is possible to avoid a situation in which the substrate 10 is cracked starting from the microcracks.

また、本形態では、基板10をステージ4で支持したため、基板10の厚さが例えば、0.5mm程度の薄いものであっても、撓むことがないという利点がある。   Further, in this embodiment, since the substrate 10 is supported by the stage 4, there is an advantage that even if the thickness of the substrate 10 is as thin as about 0.5 mm, it does not bend.

さらに、、表面10a側を上向きにして基板10をステージ4上に載置したため、基板10上に形成した信号線や電極がステージ4との接触により損傷することを防止することができる。   Further, since the substrate 10 is placed on the stage 4 with the front surface 10a facing upward, it is possible to prevent the signal lines and electrodes formed on the substrate 10 from being damaged by contact with the stage 4.

[実施の形態2の変形例]
上記実施の形態2では、基板10を保持するにあたって、ステージ4を用いたが、割断予定線L1、L2の下方側を開放状態とすることが可能であれば、ステージ4に限らず、ローラなどを利用した基板支持具を用いてもよい。
[Modification of Embodiment 2]
In the second embodiment, the stage 4 is used to hold the substrate 10. However, as long as the lower side of the cutting lines L1 and L2 can be opened, not only the stage 4 but also a roller or the like. You may use the board | substrate support using this.

(a)、(b)は、本発明の割断対象となる基板が使用される電気光学装置の説明図である。(A), (b) is explanatory drawing of the electro-optical apparatus in which the board | substrate used as the cutting object of this invention is used. (a)、(b)は、本発明の割断対象となる基板の表面の構成を示す平面図、および裏面の構成を示す底面図である。(A), (b) is the top view which shows the structure of the surface of the board | substrate used as the cutting object of this invention, and the bottom view which shows the structure of a back surface. (a)、(b)は、本発明の実施の形態1に係る割断方法に用いる割断装置の要部の構成を示す説明図、および基板をステージ上に載置した状態の断面図である。(A), (b) is explanatory drawing which shows the structure of the principal part of the cleaving apparatus used for the cleaving method which concerns on Embodiment 1 of this invention, and sectional drawing of the state which mounted the board | substrate on the stage. 本発明の実施の形態1に係る割断方法を行う際、基板の表面に保護フィルムを貼った状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which stuck the protective film on the surface of the board | substrate when performing the cleaving method which concerns on Embodiment 1 of this invention. (a)、(b)、(c)は、本発明の実施の形態1に係る割断方法で基板を割断する際に基板の表面に別の形態で保護フィルムを貼った状態を示す説明図である。(A), (b), (c) is explanatory drawing which shows the state which stuck the protective film on the surface of the board | substrate with another form, when cleaving a board | substrate with the cleaving method which concerns on Embodiment 1 of this invention. is there. (a)、(b)は、本発明の実施の形態2に係る割断方法に用いる割断装置の要部の構成を示す説明図、および基板をステージ上に載置した状態の断面図である。(A), (b) is explanatory drawing which shows the structure of the principal part of the cleaving apparatus used for the cleaving method which concerns on Embodiment 2 of this invention, and sectional drawing of the state which mounted the board | substrate on the stage.

符号の説明Explanation of symbols

1・・割断装置、2・・レーザ照射装置、3・・冷却装置、4・・ステージ、5・・保護フィルム、10・・大型の基板、10a・・基板の表面、10b・・基板の裏面、11、12・・導電パターン、L1、L2・・割断予定線、LB・・レーザビーム、LC・・冷却剤 1 .... Cleaving device 2 .... Laser irradiation device 3 .... Cooling device 4 .... Stage 5 .... Protective film 10 .... Large substrate 10a ...... Front surface of substrate 10b ...... Back side of substrate , 11, 12... Conductive pattern, L 1, L 2, scheduled cutting line, LB, laser beam, LC, coolant

Claims (9)

基板の割断予定線に沿ってレーザビームを照射した後、当該レーザビームの照射領域を冷却して当該割断予定線に沿って前記基板を割断する方法において、
前記基板の表面および裏面のうち、表面には前記割断予定線上の少なくとも一部に導電パターンが形成されており、
前記基板に前記レーザビームを照射する際には、当該レーザビームを前記基板の裏面から照射することを特徴とする基板の割断方法。
In a method of irradiating a laser beam along a planned cutting line of the substrate, then cooling the irradiation region of the laser beam and cutting the substrate along the planned cutting line,
Of the front and back surfaces of the substrate, a conductive pattern is formed on at least a part of the planned cutting line on the front surface,
A substrate cleaving method, comprising: irradiating the substrate with the laser beam from the back surface of the substrate.
前記基板の表面側に保護フィルムを貼った後、裏面側を上向きにして前記基板をステージ上に載置した状態で、前記レーザビームを上方から前記基板の裏面に向けて照射することを特徴とする請求項1に記載の基板の割断方法。   After applying a protective film on the front surface side of the substrate, the laser beam is irradiated from above toward the back surface of the substrate in a state where the substrate is placed on a stage with the back surface facing upward. The method for cleaving a substrate according to claim 1. 前記基板の表面のうち、前記割断予定線と重なる位置の少なくとも一部、および前記基板の周辺部の少なくとも一部に前記保護フィルムを貼ることを特徴とする請求項2に記載の基板の割断方法。   The method for cleaving a substrate according to claim 2, wherein the protective film is pasted on at least a part of the surface of the substrate that overlaps the planned cutting line and at least a part of a peripheral part of the substrate. . 前記保護フィルムのフィルム基材には、前記割断予定線に沿って切れ目を付した状態で前記レーザビームの照射および冷却を行うことを特徴とする請求項3に記載の基板の割断方法。   4. The method of cleaving a substrate according to claim 3, wherein the film base of the protective film is irradiated with the laser beam and cooled in a state where a cut is made along the planned cutting line. 前記基板の表面のうち、前記割断予定線を避けた位置に前記保護フィルムを貼ることを特徴とする請求項2に記載の基板の割断方法。   The method for cleaving a substrate according to claim 2, wherein the protective film is pasted at a position on the surface of the substrate that avoids the planned cutting line. 前記保護フィルムをUV硬化性を備えた粘着剤により前記基板に貼ることを特徴とする請求項2乃至5の何れか一項に記載の基板の割断方法。   The method for cleaving a substrate according to any one of claims 2 to 5, wherein the protective film is attached to the substrate with an adhesive having UV curable properties. 前記保護フィルムは透明あるいは半透明であることを特徴とする請求項2乃至6の何れか一項に記載の基板の割断方法。   The substrate cleaving method according to claim 2, wherein the protective film is transparent or translucent. 前記割断予定線の下方側を開放状態とする基板支持具上に裏面側を下向きにして前記基板を支持させ、この状態で前記レーザビームを下方から前記基板の裏面に向けて照射することを特徴とする請求項1に記載の基板の割断方法。   The substrate is supported with the back side facing downward on a substrate support that opens the lower side of the planned cutting line, and in this state, the laser beam is irradiated from below to the back side of the substrate. The method for cleaving a substrate according to claim 1. 請求項1乃至8の何れか一項に記載の基板の割断方法を用いた電気光学装置の製造方法であって、前記基板としての大型の電気光学装置用基板の表面側に少なくとも信号線および電極を形成した後、当該大型の電気光学装置用基板を所定サイズに割断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。   An electro-optical device manufacturing method using the substrate cleaving method according to claim 1, wherein at least a signal line and an electrode are provided on a surface side of a large electro-optical device substrate as the substrate. After forming the substrate, the large electro-optical device substrate is cleaved into a predetermined size.
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