JP2007248493A - Electrooptic device and electronic apparatus having same - Google Patents

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JP2007248493A JP2006067634A JP2006067634A JP2007248493A JP 2007248493 A JP2007248493 A JP 2007248493A JP 2006067634 A JP2006067634 A JP 2006067634A JP 2006067634 A JP2006067634 A JP 2006067634A JP 2007248493 A JP2007248493 A JP 2007248493A
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Tomio Suzuki
富雄 鈴木
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To raise transmissivity while maintaining size of a non-aperture area in an electrooptic device such as a liquid crystal. <P>SOLUTION: The electrooptic device includes: a microlens array plate 20; a plurality of microlenses 500 arranged on the microlens array plate 20 with predetermined pixel pitch; a TFT array substrate 10 arranged facing the microlens array plate 20; a plurality of pixel electrodes 9a arranged on the TFT array substrate 20 with the predetermined pixel pitch; and data line 6a, scanning line 3a, a TFT 30 and storage capacitor 71 which are formed on the TFT array substrate 20, specify at least part of aperture areas by every pixel electrode 9a and are electrically connected with the plurality of pixel electrodes 9a. The aperture areas 910 are almost equal to condensation areas in which intensity of light condensed by every pixel electrode 9a by each of the plurality of microlenses 500 is specified as an area of ≥1% of the maximum value of the intensity by every pixel electrode 9a. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device, and an electronic apparatus such as a liquid crystal projector including the electro-optical device.

この種の電気光学装置では、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのTFT(Thin Film Transistor)とが作り込まれ、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。また、高コントラスト化等を目的として、TFTと画素電極との間に蓄積容量が設けられることが一般的である。
このような蓄積容量を、実質的な開口率の低下を伴うことなく、より大きく形成するための技術として、例えば、画素電極の角部を、丸みを帯びた形状とする技術が開示されている(特許文献1参照)。
In this type of electro-optical device, a pixel electrode, a scanning line for selectively driving the pixel electrode, a data line, and a TFT (Thin Film Transistor) as a pixel switching element are formed on a substrate. The active matrix driving is possible. In general, a storage capacitor is provided between the TFT and the pixel electrode for the purpose of increasing the contrast.
As a technique for forming such a storage capacitor larger without causing a substantial decrease in the aperture ratio, for example, a technique in which corners of the pixel electrode are rounded is disclosed. (See Patent Document 1).

一方、この種の電気光学装置では、例えば対向基板には、各画素に対応するマイクロレンズが作り込まれたり、このような複数のマイクロレンズが作り込まれたマイクロレンズアレイ板が貼り付けられたりする。係るマイクロレンズによって、そのままでは各画素における開口領域を除いた非開口領域に向かって進行する筈の光を、画素単位で集光して、電気光学物質層を透過する際には、各画素の開口領域内に導かれるようにしている。この結果、電気光学装置において明るい表示が可能となる。   On the other hand, in this type of electro-optical device, for example, a microlens corresponding to each pixel is formed on the counter substrate, or a microlens array plate in which such a plurality of microlenses are formed is attached. To do. With such a microlens, the light that travels toward the non-opening area excluding the opening area in each pixel as it is is condensed in units of pixels and transmitted through the electro-optic material layer. It is guided in the opening area. As a result, bright display is possible in the electro-optical device.

特開2005−148766号公報JP 2005-148766 A

このようなマイクロレンズによって集光される光は、基板上の各画素で概ね円状に分布するに対し、開口領域の形状は、長方形とされることが多い。このため、光が集光される領域と非開口領域とが重なる部分が多くなってしまい、光が十分に透過できないという問題点がある。一方、このような重なりを低減するために光の集光効率を高めると、集光された光の熱によって例えば液晶等の電気光学物質や配向膜等にダメージを与えてしまうおそれがあるという問題点もある。或いは、このような重なりを低減するために、開口領域を広げると、非開口領域に配置される蓄積容量等を小さくする必要があり、画素電位の保持能力が低下してしまうおそれがあるという問題点もある。   The light collected by such a microlens is distributed in a substantially circular shape in each pixel on the substrate, whereas the shape of the opening region is often rectangular. For this reason, there is a problem in that the area where the light is condensed and the non-opening area are increased, and the light cannot be sufficiently transmitted. On the other hand, if the light collection efficiency is increased in order to reduce such an overlap, there is a risk that the heat of the collected light may damage an electro-optical material such as a liquid crystal or an alignment film. There is also a point. Alternatively, in order to reduce such an overlap, if the opening region is widened, it is necessary to reduce the storage capacitor or the like arranged in the non-opening region, and the pixel potential holding capability may be reduced. There is also a point.

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、非開口領域の大きさを維持しつつ、透過率を向上させることができる電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, for example, and includes an electro-optical device that can improve the transmittance while maintaining the size of the non-opening region, and the electro-optical device. It is an object to provide an electronic device.

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、第1基板と、該第1基板上に所定画素ピッチで配列された複数のマイクロレンズと、前記第1基板と対向して配置される第2基板と、該第2基板上に前記所定画素ピッチで配列された複数の画素電極と、前記第2基板上に形成され、前記画素電極毎の開口領域の少なくとも一部を規定すると共に前記複数の画素電極と電気的に接続された配線及び電子素子とを備え、前記開口領域は、前記複数のマイクロレンズの各々によって前記画素電極毎に集光される光の強度が、前記画素電極毎における前記強度の最大値の1%以上となる領域として規定される集光領域とほぼ等しい。   In order to solve the above problems, an electro-optical device according to an aspect of the invention is arranged to face a first substrate, a plurality of microlenses arranged on the first substrate at a predetermined pixel pitch, and the first substrate. A second substrate, a plurality of pixel electrodes arranged on the second substrate at the predetermined pixel pitch, and formed on the second substrate, defining at least a part of an opening region for each pixel electrode; Wiring and electronic elements electrically connected to a plurality of pixel electrodes, and the opening region has an intensity of light collected by each of the plurality of microlenses for each pixel electrode. Is substantially equal to a light collection region defined as a region that is 1% or more of the maximum value of the intensity.

本発明の電気光学装置では、例えばガラス基板等からなる第1基板上には、所定画素ピッチで複数のマイクロレンズが形成される。即ち、第1基板には各画素に対応するマイクロレンズが作り込まれたり、このような複数のマイクロレンズが作り込まれたマイクロレンズアレイ板が貼り付けられたりする。これにより、第1基板側から入射される光は、マイクロレンズによって画素単位に集光される。一方、例えばガラス基板、石英基板等からなる第2基板上には、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電膜からなる複数の画素電極が所定画素ピッチで例えばマトリクス状に配列される。複数の画素電極には、例えば走査線、データ線等の配線や例えば画素スイッチング用TFT(Thin Film Transistor)等の電子素子が電気的に接続される。これにより、複数の画素による、アクティブマトリクス駆動が可能となっている。尚、画素電極に接続された蓄積容量を形成することで、画素電極における電位保持特性が向上する。   In the electro-optical device of the present invention, a plurality of microlenses are formed at a predetermined pixel pitch on a first substrate made of, for example, a glass substrate. That is, a microlens corresponding to each pixel is formed on the first substrate, or a microlens array plate on which such a plurality of microlenses are formed is attached. As a result, the light incident from the first substrate side is collected by the microlens in units of pixels. On the other hand, on a second substrate made of, for example, a glass substrate or a quartz substrate, a plurality of pixel electrodes made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide) are arranged in a matrix at a predetermined pixel pitch. For example, wirings such as scanning lines and data lines and electronic elements such as pixel switching TFTs (Thin Film Transistors) are electrically connected to the plurality of pixel electrodes. Thereby, active matrix driving by a plurality of pixels is possible. Note that by forming the storage capacitor connected to the pixel electrode, the potential holding characteristic of the pixel electrode is improved.

第2基板上に形成された、複数の画素電極と電気的に接続された配線及び電子素子は、画素電極毎の開口領域の少なくとも一部を規定する。ここで、本発明に係る「開口領域」とは、実質的に光が透過する画素内の領域であり、例えば、画素に集光される光が配線、遮光膜、電子素子等で遮られることがない領域を意味する。逆に、画素内に配線、遮光膜、電子素子等が形成されており、表示に寄与する光が透過しない領域は、「非開口領域」と呼ぶことができ、複数の画素電極と電気的に接続された配線及び電子素子は、非開口領域の少なくとも一部を規定する、或いは、非開口領域内に形成されるとも言い換えることができる。   The wiring and the electronic element that are electrically connected to the plurality of pixel electrodes formed on the second substrate define at least a part of the opening region for each pixel electrode. Here, the “opening area” according to the present invention is an area in the pixel through which light is substantially transmitted. For example, light condensed on the pixel is blocked by a wiring, a light-shielding film, an electronic element, or the like. It means the area without. Conversely, a region in which wiring, a light-shielding film, an electronic element, and the like are formed in a pixel and light that contributes to display is not transmitted can be referred to as a “non-opening region”, and is electrically connected to a plurality of pixel electrodes. In other words, the connected wiring and the electronic element define at least a part of the non-opening region or are formed in the non-opening region.

本発明では、第1基板側から入射された光は、複数のマイクロレンズの各々によって、画素毎の開口領域に向かうように集光される。このように集光された光が、第2基板を透過する領域は、典型的には、画素の中心(或いは第2基板上における、マイクロレンズの中心に対向する点)と一致する点を中心とした円形状であり、光の強度は、例えば中心で最大となり、半径方向に沿って中心から遠ざかるにつれて強度が徐々に弱くなる。   In the present invention, the light incident from the first substrate side is condensed by each of the plurality of microlenses so as to go to the opening region for each pixel. The region where the light thus collected passes through the second substrate is typically centered on a point that coincides with the center of the pixel (or the point on the second substrate facing the center of the microlens). The intensity of light is, for example, the maximum at the center, and the intensity gradually decreases with increasing distance from the center along the radial direction.

本発明では特に、開口領域は、複数のマイクロレンズの各々によって画素電極毎に集光される光の強度が、画素電極毎における強度の最大値の1%以上となる領域として規定される集光領域とほぼ等しい。ここで、本発明に係る「集光領域」とは、画素毎にマイクロレンズによって実質的に集光された光が透過する第2基板上における領域を意味し、具体的には、画素毎にマイクロレンズによって集光された光が第2基板を透過する領域のうち、光の強度が最大値の1%以上となる、典型的には円形の領域である。本発明に係る「開口領域は、集光領域とほぼ等しい」とは、開口領域と集光領域とが完全に等しい場合の他、実質的に等しい場合を含む意味であり、例えば、円形の集光領域に対しては、開口領域が集光領域のなす円と実質的に等しい(即ち、中心と半径のいずれもが実質的に等しい)円をなす場合や、開口領域が集光領域のなす円に実質的に外接する例えば八角形、十二角形等の多角形をなす場合を含む趣旨である。言い換えれば、本発明では特に、開口領域を規定する配線及び電子素子は、集光領域の輪郭線に沿うように形成されている。つまり、マイクロレンズによる光の集光状態に合わせて、これら配線及び電子素子が配置されている。よって、配線及び電子素子を形成する非開口領域の面積を維持或いは増大させつつ、各画素における透過率を向上させることができる。仮に何らの対策も施さねば、典型的には、開口領域は、縦横に形成された配線によって長方形として規定され、円をなす集光領域と部分的に重なってしまい、配線によって光が遮られるので、透過率を向上させることが困難である。或いは、仮に、開口領域と集光領域とが部分的に重なってしまうことを回避するために、マイクロレンズにより光を集光する効率を高め、集光領域を小さくした場合には、集光された光の熱によって、例えば液晶等の電気光学物質、配向膜等にダメージを与えてしまい、画像表示に悪影響を与えてしまうおそれがある。しかるに本発明によれば、開口領域は、集光領域とほぼ等しいので、非開口領域と集光領域とが部分的に重なってしまうことを殆ど或いは完全に回避でき、透過率を向上させることができる。更に、開口領域は、集光領域とほぼ等しいので、開口領域のうち集光領域と重ならない部分を低減或いは無くすことができ、非開口領域の面積を維持或いは増大することができる。よって、例えば、配線の低抵抗化や、例えば蓄積容量等の大容量化を図ることができる。   In the present invention, in particular, the aperture region is a light condensing that is defined as a region in which the intensity of the light collected for each pixel electrode by each of the plurality of microlenses is 1% or more of the maximum intensity value for each pixel electrode. It is almost equal to the area. Here, the “condensing region” according to the present invention means a region on the second substrate through which light substantially condensed by the microlens is transmitted for each pixel, and specifically, for each pixel. Of the region where the light collected by the microlens is transmitted through the second substrate, the region is typically a circular region where the light intensity is 1% or more of the maximum value. In the present invention, “the aperture region is substantially equal to the light collection region” means that the aperture region and the light collection region are substantially the same as the case where the aperture region and the light collection region are substantially equal. For the light region, the aperture region is substantially the same as the circle formed by the condensing region (that is, the center and the radius are substantially equal), or the aperture region is formed by the condensing region. This is intended to include the case of forming a polygon such as an octagon or a dodecagon that substantially circumscribes a circle. In other words, in the present invention, in particular, the wiring and the electronic element that define the opening region are formed along the contour line of the condensing region. That is, these wirings and electronic elements are arranged according to the light condensing state by the microlens. Therefore, the transmittance of each pixel can be improved while maintaining or increasing the area of the non-opening region for forming the wiring and the electronic element. If no countermeasures are taken, typically, the opening area is defined as a rectangle by wiring formed vertically and horizontally, and partially overlaps the condensing area that forms a circle, so that light is blocked by the wiring. It is difficult to improve the transmittance. Or, in order to avoid the overlapping of the aperture region and the condensing region, the efficiency of condensing light by the microlens is increased, and when the condensing region is reduced, the light is condensed. The heat of the light may damage, for example, an electro-optical material such as liquid crystal, an alignment film, and the like, which may adversely affect image display. However, according to the present invention, since the aperture region is substantially equal to the light collection region, it is possible to almost or completely avoid the non-aperture region and the light collection region from partially overlapping, thereby improving the transmittance. it can. Furthermore, since the aperture region is substantially equal to the light collection region, the portion of the aperture region that does not overlap the light collection region can be reduced or eliminated, and the area of the non-open region can be maintained or increased. Therefore, for example, it is possible to reduce the resistance of the wiring and increase the capacity of, for example, a storage capacitor.

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、開口領域は、集光領域とほぼ等しいので、透過率を向上させることができると共に、例えば蓄積容量等の大容量化や配線の低抵抗化を図ることができる。これにより、高品質な画像表示が可能となる。   As described above, according to the electro-optical device of the present invention, the aperture area is almost equal to the light collection area, so that the transmittance can be improved, and for example, the storage capacity can be increased and the wiring can be reduced. Resistance can be achieved. Thereby, high-quality image display is possible.

本発明の電気光学装置の一態様では、前記電子素子として、蓄積容量を備える
この態様によれば、電気光学装置の動作時には、蓄積容量によって、画素電極に保持された電荷がリークしてしまうのを低減或いは防止できる。更に、開口領域が集光領域とほぼ等しくなるように、蓄積容量をより大きく形成することで、透過率を低減することなく、容量を大きくすることができる。よって、高品質な画像表示が可能となる。
In one aspect of the electro-optical device of the present invention, the electronic element is provided with a storage capacitor. According to this aspect, during operation of the electro-optical device, the charge held in the pixel electrode leaks due to the storage capacitor. Can be reduced or prevented. Furthermore, the capacity can be increased without reducing the transmittance by forming the storage capacity larger so that the opening area is substantially equal to the light collection area. Therefore, high-quality image display is possible.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記開口領域は、前記集光領域に外接する多角形をなすことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。   3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the opening region is a polygon circumscribing the condensing region.

この態様によれば、開口領域は、第2基板上で平面的に見て、集光領域を含んでいる。開口領域の輪郭線がなす多角形は、集光領域の輪郭線がなす例えば円に外接する外接多角形である。よって、開口領域を、例えば円、楕円等をなす集光領域とほぼ等しくすることが容易にできる。即ち、仮に、配線及び電子素子を、曲面或いは曲線を有するように形成する場合と比較して、開口領域を、集光領域とほぼ等しくするように、配線及び電子素子を配置或いは形成することができる。よって、透過率を向上させると共に例えば蓄積容量等の電子素子の大型化或いは配線の低抵抗化を図ることが容易にできる。   According to this aspect, the opening region includes the condensing region when viewed in plan on the second substrate. The polygon formed by the outline of the opening area is a circumscribed polygon circumscribing, for example, a circle formed by the outline of the light collection area. Therefore, it is possible to easily make the aperture region substantially equal to the light collection region that forms a circle, an ellipse, or the like. In other words, it is possible to arrange or form the wiring and the electronic element so that the opening region is substantially equal to the condensing region as compared with the case where the wiring and the electronic device are formed to have a curved surface or a curve. it can. Therefore, it is possible to easily improve the transmittance and increase the size of an electronic element such as a storage capacitor or the resistance of a wiring.

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記集光領域は、円をなし、前記開口領域は、前記円の中心から各辺までの距離が、前記円の半径の0.9倍以上且つ1.1倍以下である多角形をなす。   In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the condensing region may be a circle, and the opening region may have a distance from the center of the circle to each side that is 0.9 times the radius of the circle and Form a polygon that is 1.1 times or less.

この態様によれば、開口領域を、円をなす集光領域とほぼ等しくすることが容易にできる。即ち、仮に、配線及び電子素子を、曲面或いは曲線を有するように形成する場合と比較して、開口領域を、集光領域とほぼ等しくするように、配線及び電子素子を配置或いは形成することが容易にできる。よって、透過率を向上させると共に例えば蓄積容量等の電子素子の大型化や配線の低抵抗化を図ることが容易にできる。   According to this aspect, the opening area can be easily made substantially equal to the condensing area forming a circle. In other words, it is possible to arrange or form the wiring and the electronic element so that the opening region is substantially equal to the condensing region as compared with the case where the wiring and the electronic device are formed to have a curved surface or a curve. Easy to do. Therefore, it is possible to easily improve the transmittance and increase the size of the electronic element such as the storage capacitor and the resistance of the wiring.

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置(但し、その各種態様も含む)を具備してなる。   In order to solve the above-described problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device according to the present invention (including various aspects thereof).

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置(Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display)、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。   According to the electronic apparatus of the present invention, since the electro-optical device of the present invention described above is provided, a projection display device, a television, a mobile phone, an electronic notebook, and a word processor capable of performing high-quality image display. Various electronic devices such as a viewfinder type or a monitor direct view type video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized. In addition, as an electronic apparatus of the present invention, for example, an electrophoretic device such as electronic paper, an electron emission device (Field Emission Display and Conduction Electron-Emitter Display), and a display device using these electrophoretic device and electron emission device are realized. Is also possible.

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。   The operation and other advantages of the present invention will become apparent from the best mode for carrying out the invention described below.

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
<第1実施形態>
第1実施形態に係る液晶装置について、図1から図12を参照して説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a driving circuit built-in type TFT active matrix driving type liquid crystal device, which is an example of the electro-optical device of the present invention, is taken as an example.
<First Embodiment>
The liquid crystal device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに図1は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図2は、図1のH−H´線での断面図である。   First, the overall configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view showing the configuration of the liquid crystal device according to this embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line H-H 'in FIG.

図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置では、TFTアレイ基板10と対向基板として用いられるマイクロレンズアレイ板20とが対向配置されている。尚、マイクロレンズアレイ板20は、本発明に係る「第1基板」の一例であり、TFTアレイ基板10は、本発明に係る「第2基板」の一例である。TFTアレイ基板10とマイクロレンズアレイ板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10とマイクロレンズアレイ板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。   1 and 2, in the liquid crystal device according to the present embodiment, a TFT array substrate 10 and a microlens array plate 20 used as a counter substrate are arranged to face each other. The microlens array plate 20 is an example of a “first substrate” according to the present invention, and the TFT array substrate 10 is an example of a “second substrate” according to the present invention. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the microlens array plate 20, and the TFT array substrate 10 and the microlens array plate 20 are provided in a seal region positioned around the image display region 10a. They are bonded to each other by a sealing material 52.

シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材52中には、TFTアレイ基板10とマイクロレンズアレイ板20との間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態に係る液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。   The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like for bonding the two substrates, and is applied on the TFT array substrate 10 in the manufacturing process and then cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. It is. Further, a gap material such as glass fiber or glass bead is dispersed in the sealing material 52 to set the distance between the TFT array substrate 10 and the microlens array plate 20 (inter-substrate gap) to a predetermined value. In other words, the liquid crystal device according to the present embodiment is small and suitable for performing enlarged display for a projector light valve.

シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、マイクロレンズアレイ板20側に設けられている。 画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路7が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、TFTアレイ基板10上には、マイクロレンズアレイ板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材107で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。   A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display region 10a is provided on the microlens array plate 20 side in parallel with the inside of the seal region where the sealing material 52 is disposed. Of the peripheral regions located around the image display region 10 a, the data line driving circuit 101 and the external circuit connection terminal 102 are arranged on one side of the TFT array substrate 10 in the region located outside the seal region where the sealing material 52 is disposed. It is provided along. The sampling circuit 7 is provided so as to be covered with the frame light shielding film 53 on the inner side of the seal region along the one side. Further, the scanning line driving circuit 104 is provided so as to be covered with the frame light-shielding film 53 inside the seal region along two sides adjacent to the one side. On the TFT array substrate 10, vertical conduction terminals 106 for connecting the two substrates with the vertical conduction material 107 are disposed in regions facing the four corner portions of the microlens array plate 20. Thus, electrical conduction can be established between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.

TFTアレイ基板10上には、外部回路接続端子102と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、上下導通端子106等とを電気的に接続するための引回配線90が形成されている。   On the TFT array substrate 10, a lead wiring 90 is formed for electrically connecting the external circuit connection terminal 102 to the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, the vertical conduction terminal 106, and the like. .

図2において、TFTアレイ基板10上には、電子素子である画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域10aには、画素スイッチング用TFTや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極9aが設けられている。他方、詳細な構成については後述するが、マイクロレンズアレイ板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。そして、遮光膜23上に、ITO等の透明材料からなる対向電極21が複数の画素電極9aと対向して形成される。また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。   In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, a laminated structure in which wirings such as pixel switching TFTs as electronic elements, scanning lines, and data lines are formed. In the image display area 10a, a pixel electrode 9a is provided in an upper layer of wiring such as a pixel switching TFT, a scanning line, and a data line. On the other hand, although a detailed configuration will be described later, a light shielding film 23 is formed on the surface of the microlens array plate 20 facing the TFT array substrate 10. A counter electrode 21 made of a transparent material such as ITO is formed on the light shielding film 23 so as to face the plurality of pixel electrodes 9a. Further, the liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films.

尚、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104の他に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。   Although not shown here, on the TFT array substrate 10, in addition to the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104, a precharge signal having a predetermined voltage level is preceded by an image signal for a plurality of data lines. In addition, a precharge circuit to be supplied, an inspection circuit for inspecting the quality, defects, etc. of the liquid crystal device during manufacture or at the time of shipment may be formed.

次に、以上の如く構成された本実施形態に係る液晶装置における回路構成及び動作について、図3を参照して説明する。ここに図3は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。   Next, the circuit configuration and operation of the liquid crystal device according to this embodiment configured as described above will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix that forms an image display area of the liquid crystal device.

図3において、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域10a(図1参照)を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極9aと該画素電極9aをスイッチング制御するためのTFT30とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。   In FIG. 3, switching control is performed on the pixel electrode 9 a and the pixel electrode 9 a for a plurality of pixels formed in a matrix that forms the image display region 10 a (see FIG. 1) of the liquid crystal device according to the present embodiment. The data line 6 a to which an image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT 30. The image signals S1, S2,..., Sn written to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a. Good.

また、TFT30のゲートに走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイミングで書き込む。   Further, the scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning signals G1, G2,..., Gm are applied to the scanning line 3a in a pulse-sequential manner in this order at a predetermined timing. It is configured. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the image signal S1, S2,..., Sn supplied from the data line 6a is obtained by closing the switch of the TFT 30 as a switching element for a certain period. Write at a predetermined timing.

画素電極9aを介して液晶層50(図2参照)に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、マイクロレンズアレイ板20に形成された対向電極21との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。   A predetermined level of image signals S1, S2,..., Sn written to the liquid crystal layer 50 (see FIG. 2) via the pixel electrode 9a is between the counter electrode 21 formed on the microlens array plate 20 for a certain period. Retained. The liquid crystal modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in units of each pixel, and in the normally black mode, the light is incident according to the voltage applied in units of each pixel. The light transmittance is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the liquid crystal device as a whole.

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70が付加されている。この蓄積容量70は、走査線3aに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むと共に所定電位に固定された容量線300を含んでいる。この蓄積容量70によって、各画素電極における電荷保持特性は向上されている。尚、容量線300の電位は、一つの電圧値に常時固定してもよいし、複数の電圧値に所定周期で振りつつ固定してもよい。   In order to prevent the image signal held here from leaking, a storage capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode. The storage capacitor 70 is provided side by side with the scanning line 3a, and includes a capacitor line 300 including a fixed potential side capacitor electrode and fixed at a predetermined potential. The storage capacitor 70 improves the charge retention characteristics of each pixel electrode. Note that the potential of the capacitor line 300 may be constantly fixed to one voltage value, or may be fixed while being swung to a plurality of voltage values at a predetermined period.

次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図4及び図5を参照して説明する。ここに図4は、本実施形態に係る液晶装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図5は、図4のA−A´線での断面図である。   Next, a specific configuration of the pixel portion that realizes the above-described operation will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on the TFT array substrate on which the data lines, scanning lines, pixel electrodes and the like are formed in the liquid crystal device according to this embodiment. FIG. It is sectional drawing in the AA 'line.

図4において、画素電極9aは、TFTアレイ基板10上に、マトリクス状のパターンで複数設けられており(点線部9a´により輪郭が示されている)、画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデータ線6a及び走査線3aが設けられている。データ線6aは、例えばアルミニウム膜等からなり、走査線3aは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線3aは、半導体層1aのうちチャネル領域1a´に対向するように配置されており、該走査線3aはゲート電極として機能する。即ち、走査線3aとデータ線6aとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域1a´に走査線3aの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のTFT30が設けられている。   In FIG. 4, a plurality of pixel electrodes 9 a are provided in a matrix pattern on the TFT array substrate 10 (the outline is indicated by a dotted line portion 9 a ′), and the pixel electrodes 9 a extend along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 9 a. A data line 6a and a scanning line 3a are provided. The data line 6a is made of, for example, an aluminum film, and the scanning line 3a is made of, for example, a conductive polysilicon film. The scanning line 3a is disposed so as to face the channel region 1a ′ in the semiconductor layer 1a, and the scanning line 3a functions as a gate electrode. In other words, each of the intersections of the scanning line 3a and the data line 6a is provided with a pixel switching TFT 30 in which the main line portion of the scanning line 3a is opposed to the channel region 1a ′ as a gate electrode.

図5に示すように、本実施形態に係る液晶装置は、例えばガラス基板等からなるTFTアレイ基板10と、これに対向配置されるマイクロレンズアレイ板20とを備えている。尚、マイクロレンズアレイ板の構成については後述する。TFTアレイ基板10には、画素電極9aが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜16が設けられている。このうち画素電極9aは、例えばITO膜等からなる。他方、マイクロレンズ板20には、その全面に亘って対向電極21が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜22が設けられている。このうち対向電極21は、上述の画素電極9aと同様に、例えばITO膜等の透明導電性膜からなり、配向膜16及び22は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。液晶層50は、画素電極9aからの電界が印加されていない状態で配向膜16及び22により所定の配向状態をとる。   As shown in FIG. 5, the liquid crystal device according to the present embodiment includes a TFT array substrate 10 made of, for example, a glass substrate, and a microlens array plate 20 disposed to face the TFT array substrate 10. The configuration of the microlens array plate will be described later. A pixel electrode 9a is provided on the TFT array substrate 10, and an alignment film 16 that has been subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided above the pixel electrode 9a. Among these, the pixel electrode 9a is made of, for example, an ITO film. On the other hand, the microlens plate 20 is provided with a counter electrode 21 over the entire surface thereof, and an alignment film 22 subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided below the counter electrode 21. Among these, the counter electrode 21 is made of a transparent conductive film such as an ITO film, for example, and the alignment films 16 and 22 are made of a transparent organic film such as a polyimide film, for example, in the same manner as the pixel electrode 9a. The liquid crystal layer 50 takes a predetermined alignment state by the alignment films 16 and 22 in a state where an electric field from the pixel electrode 9a is not applied.

図5に示すように、TFT30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線3a、例えばポリシリコン膜からなり走査線3aからの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a´、走査線3aと半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜2、半導体層1aにおける低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c並びに高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eを備えている。   As shown in FIG. 5, the TFT 30 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure, and as its constituent elements, the scanning line 3a functioning as a gate electrode as described above, for example, a scanning line made of a polysilicon film. The channel region 1a ′ of the semiconductor layer 1a in which a channel is formed by the electric field from 3a, the insulating film 2 including the gate insulating film that insulates the scanning line 3a from the semiconductor layer 1a, the low-concentration source region 1b in the semiconductor layer 1a, and the low A concentration drain region 1c, a high concentration source region 1d, and a high concentration drain region 1e are provided.

一方、図5において、蓄積容量70は、TFT30の高濃度ドレイン領域1e及び画素電極9aに接続された下側電極71と、上側電極としての容量線300の一部とが、誘電体膜75を介して対向配置されることにより形成されている。   On the other hand, in FIG. 5, the storage capacitor 70 includes a lower electrode 71 connected to the high-concentration drain region 1 e of the TFT 30 and the pixel electrode 9 a and a part of the capacitor line 300 as the upper electrode. It is formed by arrange | positioning through.

下側電極71は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり、コンタクトホール83を介してTFT30の高濃度ドレイン領域1eと電気的に接続されている。即ち、下側電極71は、画素電位とされる画素電位側容量電極として機能する。更に、下側電極71は、コンタクトホール83及び85を介して、画素電極9aとTFT30の高濃度ドレイン領域1eとを電気的に中継接続する機能をもつ。この下側電極71は、平面的に見ると、図4に示すように、データ線6aと走査線3aとが相交差する交差領域において、走査線3aに沿った部分と、図中、データ線6aと交差する各個所からデータ線6aに沿った部分とを備えている。更に、本実施形態では特に、下側電極71は、データ線6aと走査線3aとが相交差する交差領域において、各画素の中心に向かって張り出すように張り出した張出部71aを備えている。このような張出部71aに係る構成及び作用効果については後に詳述する。   The lower electrode 71 is made of, for example, a conductive polysilicon film, and is electrically connected to the high-concentration drain region 1 e of the TFT 30 through the contact hole 83. That is, the lower electrode 71 functions as a pixel potential side capacitance electrode that is set to the pixel potential. Further, the lower electrode 71 has a function of electrically connecting the pixel electrode 9 a and the high-concentration drain region 1 e of the TFT 30 through the contact holes 83 and 85. When viewed in a plan view, the lower electrode 71 has a portion along the scanning line 3a in the intersection region where the data line 6a and the scanning line 3a cross each other as shown in FIG. 6a, and a portion along the data line 6a from each portion intersecting with 6a. Furthermore, in particular, in the present embodiment, the lower electrode 71 includes an overhanging portion 71a that protrudes toward the center of each pixel in an intersection region where the data line 6a and the scanning line 3a intersect each other. Yes. The configuration and operational effects relating to the overhanging portion 71a will be described in detail later.

誘電体膜75は、例えば酸化シリコン膜等から構成されている。   The dielectric film 75 is made of, for example, a silicon oxide film.

容量線300は、例えばアルミニウム膜等の金属膜からなり、下側電極71と対向配置された固定電位側容量電極として機能する。この容量線300は、平面的に見ると、図4に示すように、走査線3aの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線300は、走査線3aに沿って延びる本線部と、図中、データ線6aと交差する各個所からデータ線6aに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール85に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。更に、本実施形態では特に、容量線300は、上述した下側電極71と同様に、データ線6aと走査線3aとが相交差する交差領域において、各画素の中心に向かって張り出すように張り出した張出部300aを備えている。このような張出部300aに係る構成及び作用効果については後に詳述する。容量線300は、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされている。定電位源としては、例えば、データ線駆動回路101に供給される定電位源でもよいし、対向電極21に供給される対向電極電位でもよい。   The capacitor line 300 is made of a metal film such as an aluminum film, for example, and functions as a fixed potential side capacitor electrode disposed to face the lower electrode 71. When seen in a plan view, the capacitor line 300 is formed so as to overlap the region where the scanning line 3a is formed, as shown in FIG. More specifically, the capacitor line 300 includes a main line portion that extends along the scanning line 3a, a protruding portion that protrudes upward along the data line 6a from each location that intersects the data line 6a, and a contact hole. A portion corresponding to 85 is provided with a constricted portion slightly constricted. Further, in the present embodiment, in particular, the capacitor line 300 protrudes toward the center of each pixel in the intersection region where the data line 6a and the scanning line 3a intersect each other, like the lower electrode 71 described above. An overhanging portion 300a is provided. The configuration and operational effects relating to the overhanging portion 300a will be described in detail later. The capacitor line 300 is electrically connected to a constant potential source and has a fixed potential. As the constant potential source, for example, a constant potential source supplied to the data line driving circuit 101 or a counter electrode potential supplied to the counter electrode 21 may be used.

図4及び図5において、TFT30の下側に、下側遮光膜11aが設けられている。下側遮光膜11aは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。更に、下側遮光膜11aは、TFTアレイ基板10における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、下層側からの戻り光に対してTFT30のチャネル領域1aを遮光している。下側遮光膜11aは、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成されている。尚、開口領域の規定は、図4中のデータ線6aと、これに交差するよう形成された容量線300とによっても、なされている。また、下側遮光膜11aについても、上述した容量線300の場合と同様に、その電位変動がTFT30に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続されている。   4 and 5, a lower light shielding film 11 a is provided below the TFT 30. The lower light-shielding film 11a is patterned in a lattice pattern, thereby defining an opening area of each pixel. Further, the lower light-shielding film 11a against back-light reflected from the lower layer side such as back-surface reflection on the TFT array substrate 10 or light emitted from another liquid crystal device by a multi-plate projector or the like and penetrating the composite optical system. Thus, the channel region 1a of the TFT 30 is shielded from light. The lower light-shielding film 11a is composed of a single layer film or a multilayer film containing a metal or an alloy. The opening area is also defined by the data line 6a in FIG. 4 and the capacitor line 300 formed so as to intersect with the data line 6a. Similarly to the case of the capacitance line 300 described above, the lower light-shielding film 11a is also extended from the image display region to the periphery thereof in order to avoid the potential fluctuation from adversely affecting the TFT 30. Connected to potential source.

走査線3a上には、高濃度ソース領域1dへ通じるコンタクトホール81及び高濃度ドレイン領域1eへ通じるコンタクトホール83がそれぞれ開孔された第1層間絶縁膜41が形成されている。   On the scanning line 3a, a first interlayer insulating film 41 is formed in which a contact hole 81 leading to the high concentration source region 1d and a contact hole 83 leading to the high concentration drain region 1e are opened.

第1層間絶縁膜41上には、下側電極71、誘電体膜75及び容量線300が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域1dへ通じるコンタクトホール81及び下側電極71へ通じるコンタクトホール85がそれぞれ開孔された第2層間絶縁膜42が形成されている。   A lower electrode 71, a dielectric film 75, and a capacitor line 300 are formed on the first interlayer insulating film 41. A contact hole 81 and a lower electrode 71 leading to the high-concentration source region 1d are formed thereon. A second interlayer insulating film 42 is formed in which contact holes 85 leading to each other are opened.

第2層間絶縁膜42上には、データ線6aが形成されており、これらの上には下側電極71へ通じるコンタクトホール85が形成された第3層間絶縁膜43が形成されている。   A data line 6 a is formed on the second interlayer insulating film 42, and a third interlayer insulating film 43 in which a contact hole 85 leading to the lower electrode 71 is formed is formed thereon.

次に、本実施形態に係る液晶装置のマイクロレンズアレイ板について、図6及び図7を参照して説明する。ここに図6(a)は、マイクロレンズアレイ板の概略斜視図であり、図6(b)は、図6(a)のB−B´断面の構成を示す概略斜視図である。図7(a)は、マイクロレンズアレイ板の部分拡大断面図であり、図7(b)は、マイクロレンズアレイ板のうち4つのマイクロレンズに係る部分を拡大して示す部分拡大平面図であり、図7(c)は、マイクロレンズのレンズ面の立体的な形状を概略的に示す拡大斜視図である。   Next, the microlens array plate of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 6A is a schematic perspective view of the microlens array plate, and FIG. 6B is a schematic perspective view showing the configuration of the BB ′ cross section of FIG. FIG. 7A is a partial enlarged cross-sectional view of a microlens array plate, and FIG. 7B is a partial enlarged plan view showing an enlarged portion related to four microlenses in the microlens array plate. FIG. 7C is an enlarged perspective view schematically showing the three-dimensional shape of the lens surface of the microlens.

図6(a)に示すように、マイクロレンズアレイ板20は、例えば石英板等からなる透明基板210と、該透明基板210に接着剤230によって接着されたカバーガラス200とを備えている。   As shown in FIG. 6A, the microlens array plate 20 includes a transparent substrate 210 made of, for example, a quartz plate, and a cover glass 200 bonded to the transparent substrate 210 with an adhesive 230.

マイクロレンズアレイ板20のレンズ形成領域20aには、以下のようにマトリクス状に平面配列された多数のマイクロレンズ500が形成されている。図6(b)において、透明基板210には、マトリクス状に多数の凹状の窪み、即ち凹部が掘られている。各凹部には、カバーガラス200と透明板部材210とを相互に接着する、例えば感光性樹脂材料からなる接着剤が硬化してなる、透明板部材210よりも高屈折率の透明な接着層230が充填されている。各凹部に充填された接着層230によって、マイクロレンズ500が形成されている。   In the lens forming region 20a of the microlens array plate 20, a large number of microlenses 500 arranged in a matrix in the following manner are formed. In FIG. 6B, the transparent substrate 210 has a large number of concave depressions, that is, depressions, formed in a matrix. In each recess, a transparent adhesive layer 230 having a higher refractive index than that of the transparent plate member 210 is formed by curing an adhesive made of, for example, a photosensitive resin material, which bonds the cover glass 200 and the transparent plate member 210 to each other. Is filled. The microlens 500 is formed by the adhesive layer 230 filled in each recess.

図7(a)に示すように、各マイクロレンズ500の曲面は、相互に屈折率が異なる透明基板210と接着層230とにより概ね規定されている。より具体的には、各凹部は、マイクロレンズ500のレンズ曲面を有している。そして、各マイクロレンズ500は、凹部によって規定されるレンズ曲面を有する平凸状のレンズとして構築されている。   As shown in FIG. 7A, the curved surface of each microlens 500 is generally defined by a transparent substrate 210 and an adhesive layer 230 having different refractive indexes. More specifically, each concave portion has a lens curved surface of the microlens 500. Each microlens 500 is constructed as a plano-convex lens having a lens curved surface defined by a recess.

図7(b)に示すように、各マイクロレンズ500の平面的な形状は好ましくは矩形である。各マイクロレンズ500の平面的な形状は、凹部の縁部によって規定されている。そして、図7(b)に示す一のマイクロレンズ500が形成される凹部は、他のマイクロレンズ500が形成された凹部と縁部を共有して隣接している。図7(c)には、レンズ曲面側から見たマイクロレンズ500の立体的な形状を概略的に示してある。図7(c)において、互いに隣接する4つのマイクロレンズ500は、互いにレンズ曲面が繋がって形成されている。従って、隣接するマイクロレンズ間に柱が設けられる場合と比較して、各マイクロレンズ500においてレンズとして有効な領域を広くとることが可能となっている。   As shown in FIG. 7B, the planar shape of each microlens 500 is preferably rectangular. The planar shape of each microlens 500 is defined by the edge of the recess. And the recessed part in which one microlens 500 shown in FIG.7 (b) is formed is adjacent to the recessed part in which the other microlens 500 was formed, sharing an edge. FIG. 7C schematically shows the three-dimensional shape of the microlens 500 viewed from the lens curved surface side. In FIG. 7C, the four microlenses 500 adjacent to each other are formed by connecting lens curved surfaces to each other. Therefore, compared with the case where a column is provided between adjacent microlenses, each microlens 500 can have a wide effective area as a lens.

次に、上述したマイクロレンズアレイ板20の機能について、図8を参照して説明する。図8は、各マイクロレンズの機能について説明するための断面図である。   Next, the function of the microlens array plate 20 described above will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the function of each microlens.

図8に示すように、マイクロレンズアレイ板20において、透明基板210上に、例えば格子状の平面パターンを有する遮光膜23が形成されている。各マイクロレンズ500は各画素に対応するように配置されている。即ち、マイクロレンズ500は、画素が配列される所定画素ピッチと等しいピッチでマトリクス状に配列されている。   As shown in FIG. 8, in the microlens array plate 20, a light shielding film 23 having, for example, a lattice-like planar pattern is formed on a transparent substrate 210. Each microlens 500 is arranged so as to correspond to each pixel. That is, the microlenses 500 are arranged in a matrix at a pitch equal to a predetermined pixel pitch at which pixels are arranged.

透明基板210上には、遮光膜23を覆うように、対向電極21が形成されている。更に、配向膜22が対向電極21上に形成されている。   On the transparent substrate 210, the counter electrode 21 is formed so as to cover the light shielding film 23. Further, an alignment film 22 is formed on the counter electrode 21.

他方、TFTアレイ基板10上には、画素電極9aが形成されている。尚、図8では図示を省略するが、TFTアレイ基板10上には、図4及び図5を参照して上述したように、画素スイッチング用のTFT30や、画素電極9aを駆動するための走査線11aやデータ線6a等の各種配線、蓄積容量70等の電子素子、並びに遮光膜11aが形成されている。これらが遮光膜23と共に、各画素における光が透過する開口領域を規定、言い換えれば各画素における光が透過しない非開口領域を規定している。   On the other hand, a pixel electrode 9 a is formed on the TFT array substrate 10. Although not shown in FIG. 8, on the TFT array substrate 10, as described above with reference to FIGS. 4 and 5, the pixel switching TFT 30 and the scanning line for driving the pixel electrode 9a are provided. Various wirings such as 11a and data line 6a, electronic elements such as storage capacitor 70, and light shielding film 11a are formed. These together with the light shielding film 23 define an opening region through which light in each pixel transmits, in other words, a non-opening region through which light in each pixel does not transmit.

図8において、マイクロレンズアレイ板20に入射される投射光等の光は、各マイクロレンズ500によって集光される。尚、図8中、一点鎖線によってマイクロレンズ500によって集光された光のようすを、後述する集光領域に対応して、概略的に示してある。そして、各マイクロレンズ500によって集光された光は液晶層50を透過して画素電極9aに照射され、該画素電極9aを通過して表示光としてTFTアレイ基板10より出射される。   In FIG. 8, light such as projection light incident on the microlens array plate 20 is collected by each microlens 500. In FIG. 8, the appearance of the light collected by the microlens 500 by the alternate long and short dash line is schematically shown corresponding to the light collection region described later. Then, the light collected by each microlens 500 is transmitted through the liquid crystal layer 50 to be applied to the pixel electrode 9a, passes through the pixel electrode 9a, and is emitted from the TFT array substrate 10 as display light.

尚、図8には、液晶装置において、各マイクロレンズ500を凸状に突出した曲面を同図中下側に向けて配置する構成を示してあるが、各マイクロレンズ500を凸状に突出した曲面を同図中上側に向けて配置するようにしてもよい。   FIG. 8 shows a configuration in which a curved surface in which each microlens 500 protrudes in a convex shape is arranged in a downward direction in the figure in the liquid crystal device, but each microlens 500 protrudes in a convex shape. You may make it arrange | position a curved surface toward the upper side in the figure.

次に、本実施形態に係る液晶装置におけるデータ線及び走査線等の配線、及び蓄積容量等の電子素子の配置について、図4に加えて、図9から図11を参照して説明する。ここに図9は、開口領域、非開口領域及び集光領域の関係を示す説明図である。図10は、集光領域と光強度との関係を示す説明図である。図11は、比較例における図9と同趣旨の説明図である。   Next, the arrangement of wiring elements such as data lines and scanning lines, and electronic elements such as storage capacitors in the liquid crystal device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 9 to 11 in addition to FIG. FIG. 9 is an explanatory diagram showing the relationship between the aperture region, the non-aperture region, and the light collection region. FIG. 10 is an explanatory diagram showing the relationship between the light collection region and the light intensity. FIG. 11 is an explanatory diagram having the same concept as in FIG. 9 in the comparative example.

図9は、画像表示領域10aにマトリクス状に配列された複数の画素のうち、任意の相隣接する4つの画素について、開口領域910、非開口領域920及び集光領域710との関係を示している。   FIG. 9 shows the relationship between an opening region 910, a non-opening region 920, and a condensing region 710 for any four adjacent pixels among a plurality of pixels arranged in a matrix in the image display region 10a. Yes.

図4及び図9において、開口領域910は、実質的に光が透過する画素内の領域であり、走査線3a、データ線6a、遮光膜11a、TFT30、蓄積容量70等の光を遮る配線や電子素子が形成されていない領域である。逆に、非開口領域920は、走査線3a、データ線6a、遮光膜11a、TFT30、蓄積容量70等の光を遮る配線や電子素子が形成されており(図4参照)、表示に寄与する光が透過しない領域である。   4 and 9, an opening region 910 is a region in the pixel that substantially transmits light, such as a wiring that blocks light such as the scanning line 3a, the data line 6a, the light shielding film 11a, the TFT 30, and the storage capacitor 70. This is a region where no electronic element is formed. On the contrary, the non-opening region 920 is formed with wirings and electronic elements that block light such as the scanning lines 3a, the data lines 6a, the light shielding film 11a, the TFT 30, and the storage capacitor 70 (see FIG. 4), and contribute to display. This is a region where light is not transmitted.

図8を参照して上述したように、マイクロレンズアレイ板20側から入射された光は、各マイクロレンズ500によって、画素毎に集光される。このように集光された光が、TFTアレイ基板10を通過する領域は、画素の中心C1と一致する点を中心とした円状である。 図10に示すように、画素毎に集光される光の強度d1は、中心付近で最大となり、半径方向に沿って中心から遠ざかるにつれて強度が徐々に弱くなる。   As described above with reference to FIG. 8, the light incident from the microlens array plate 20 side is collected for each pixel by each microlens 500. The region where the condensed light passes through the TFT array substrate 10 has a circular shape centered on a point coincident with the center C1 of the pixel. As shown in FIG. 10, the intensity d1 of the light collected for each pixel becomes maximum near the center, and the intensity gradually decreases with increasing distance from the center along the radial direction.

集光領域710は、画素毎にマイクロレンズ500によって実質的に集光された光が透過するTFTアレイ基板10上における領域である。   The condensing area 710 is an area on the TFT array substrate 10 through which light substantially condensed by the microlens 500 is transmitted for each pixel.

図10に示すように、本実施形態では、集光領域710は、画素毎にマイクロレンズ500によって集光された光がTFTアレイ基板10を透過する領域のうち、光の強度d1が最大値の1%以上となる領域を意味する。よって、集光領域710内において透過する光が実質的に画像表示に寄与し、集光領域710以外の領域へ向かう光は殆ど画像表示に寄与しない。このような集光領域710の半径L2は、マイクロレンズ500のレンズ曲面の形状やマイクロレンズアレイ板20とTFTアレイ基板10との距離等を変更することによって調整可能である。装置に要求される仕様、例えば画素ピッチL1や画素間に必要な非開口領域の幅L3に応じて、集光領域710の半径L2は、例えば画素ピッチL1の0.18倍から0.42倍の範囲となるように調整される。   As shown in FIG. 10, in the present embodiment, the light condensing region 710 has a light intensity d <b> 1 having a maximum value in a region where light collected by the microlens 500 for each pixel is transmitted through the TFT array substrate 10. It means an area that is 1% or more. Therefore, the light transmitted through the condensing region 710 substantially contributes to the image display, and the light traveling to the region other than the condensing region 710 hardly contributes to the image display. The radius L2 of the light condensing region 710 can be adjusted by changing the shape of the curved surface of the microlens 500, the distance between the microlens array plate 20 and the TFT array substrate 10, and the like. Depending on the specifications required for the apparatus, for example, the pixel pitch L1 and the width L3 of the non-opening region required between the pixels, the radius L2 of the condensing region 710 is, for example, 0.18 to 0.42 times the pixel pitch L1. It is adjusted to be in the range.

図9に示すように、本実施形態では特に、開口領域910は、集光領域710とほぼ等しい。より具体的には、開口領域910の輪郭は、集光領域710の輪郭がなす円に外接する八角形をなしている。言い換えれば、非開口領域920は、走査線3a及びデータ線6aに夫々沿った格子状の領域と、データ線6aと走査線3aとが相交差する交差領域において、画素の中心C1に向かって張り出した張出領域920aとからなる。   As shown in FIG. 9, particularly in the present embodiment, the opening region 910 is substantially equal to the light collection region 710. More specifically, the outline of the opening area 910 is an octagon circumscribing a circle formed by the outline of the light collection area 710. In other words, the non-opening region 920 projects toward the center C1 of the pixel in a lattice-shaped region along the scanning line 3a and the data line 6a and an intersecting region where the data line 6a and the scanning line 3a intersect each other. And an overhang region 920a.

図11(a)に第1の比較例として示すように、仮に何らの対策も施さず、開口領域950を、データ線6a及び走査線3a(或いはこれらの各々に沿った格子状の遮光膜)によって長方形として規定すれば、非開口領域960は、円をなす集光領域750と部分的に重なってしまう。このように重なる領域751において光が遮られるので、透過率を向上させることが困難である。   As shown in FIG. 11A as a first comparative example, no measures are taken, and the opening region 950 is formed as a data line 6a and a scanning line 3a (or a grid-like light shielding film along each of them). , The non-opening region 960 partially overlaps the condensing region 750 that forms a circle. Since light is blocked in the overlapping region 751 in this way, it is difficult to improve the transmittance.

或いは、図11(b)に第2の比較例として示すように、仮に、開口領域と集光領域とが部分的に重なってしまうことを回避するために、マイクロレンズ500により光を集光する効率を高め、集光領域770を開口領域950に完全に含まれるように小さくした場合には、非開口領域960において、光が遮られることは回避できるが、集光された光の熱によって、液晶層50、配向膜16等にダメージを与えてしまい、画像表示に悪影響を与えてしまうおそれがある。   Alternatively, as shown in FIG. 11B as a second comparative example, light is collected by the microlens 500 in order to avoid the overlap between the aperture region and the light collection region. If the efficiency is increased and the light collection region 770 is made small so as to be completely included in the opening region 950, light can be prevented from being blocked in the non-opening region 960, but the heat of the collected light The liquid crystal layer 50, the alignment film 16 and the like may be damaged, and the image display may be adversely affected.

しかるに本実施形態では特に、図9を参照して上述したように、開口領域910は、集光領域710とほぼ等しいので、非開口領域920と集光領域710とが部分的に重なってしまうことを殆ど或いは完全に回避でき、透過率を向上させることができる。更に、開口領域910は、集光領域710とほぼ等しいので、開口領域910のうち集光領域710と重ならない部分(即ち、開口領域910のうち実質的には透過率の向上に寄与しない部分)を低減でき、透過率を維持しつつ非開口領域920の面積を増大することができる。即ち、非開口領域920の張出領域920aに対応して、図4を参照して上述したように容量線300の張出部300aや下側電極71の張出部71aを形成することができる。即ち、蓄積容量71を大きく形成でき、容量を大きくすることができる。言い換えれば、図11に示した比較例の如き長方形の開口領域の四隅に位置する、光の透過率の向上に殆ど寄与していない部分を、非開口領域として利用することで、光の透過率を維持しつつ、蓄積容量71を大きく形成することができる。尚、データ線6aや走査線3aについても同様に張出領域920に対応して形成してもよい。この場合には配線の低抵抗化を図ることも可能になる。   However, in this embodiment, in particular, as described above with reference to FIG. 9, since the opening region 910 is substantially equal to the light collection region 710, the non-opening region 920 and the light collection region 710 partially overlap each other. Can be avoided almost or completely, and the transmittance can be improved. Further, since the aperture region 910 is substantially the same as the condensing region 710, a portion of the aperture region 910 that does not overlap with the condensing region 710 (that is, a portion of the aperture region 910 that does not substantially contribute to improvement in transmittance). The area of the non-opening region 920 can be increased while maintaining the transmittance. That is, the overhanging portion 300a of the capacitor line 300 and the overhanging portion 71a of the lower electrode 71 can be formed in correspondence with the overhanging region 920a of the non-opening region 920 as described above with reference to FIG. . That is, the storage capacitor 71 can be formed large and the capacity can be increased. In other words, light transmittance can be obtained by using, as non-opening areas, the portions located at the four corners of the rectangular opening area as in the comparative example shown in FIG. The storage capacitor 71 can be formed large while maintaining the above. The data line 6a and the scanning line 3a may be formed corresponding to the overhanging area 920 in the same manner. In this case, the resistance of the wiring can be reduced.

尚、図9において、開口領域910を、画素の中心C1に一致する集光領域710の中心から各辺までの距離が、集光領域710の半径L2の0.9倍以上且つ1.1倍以下である多角形となるように構成してもよい。この場合にも、開口領域910と集光領域710とは、実質的に等しくなるので、本実施形態と同様の効果を得ることができる。   In FIG. 9, the distance from the center of the condensing region 710 that coincides with the center C1 of the pixel to each side of the opening region 910 is 0.9 times or more and 1.1 times the radius L2 of the condensing region 710. You may comprise so that it may become the following polygon. Also in this case, since the opening area 910 and the light condensing area 710 are substantially equal, the same effect as in the present embodiment can be obtained.

以上説明したように、本実施形態の液晶装置によれば、開口領域910は、集光領域710とほぼ等しいので、透過率を向上させることができると共に、例えば蓄積容量71の大容量化を図ることができる。これにより、高品質な画像表示が可能となる。   As described above, according to the liquid crystal device of the present embodiment, the aperture region 910 is substantially equal to the light condensing region 710, so that the transmittance can be improved and, for example, the storage capacitor 71 can be increased in capacity. be able to. Thereby, high-quality image display is possible.

次に、本実施形態に係る液晶装置の変形例における、データ線及び走査線等の配線、及び蓄積容量等の電子素子の配置について、図4に加えて、図12を参照して説明する。ここに図12は、変形例における開口領域と集光領域との関係を示す説明図である。   Next, the arrangement of wiring elements such as data lines and scanning lines and electronic elements such as storage capacitors in a modification of the liquid crystal device according to this embodiment will be described with reference to FIG. 12 in addition to FIG. FIG. 12 is an explanatory diagram showing the relationship between the aperture region and the light collection region in the modification.

図12(a)に第1変形例として示すように、各画素において、開口領域910は、集光領域710に外接する十二角形であってもよい。この場合には、開口領域910を、より一層確実に、集光領域710に一致させることができる。   As shown in FIG. 12A as a first modification, in each pixel, the opening region 910 may be a dodecagon circumscribing the light condensing region 710. In this case, the opening area 910 can be made to coincide with the light collection area 710 even more reliably.

図12(b)に第2変形例として示すように、各画素において、開口領域910は、集光領域710に外接する正六角形であってもよい。この場合にも、透過率を向上させつつ、非開口領域920内で、例えば蓄積容量70を大きく形成でき、且つ、製造も容易である。   As shown in FIG. 12B as a second modified example, in each pixel, the opening region 910 may be a regular hexagon circumscribing the condensing region 710. Also in this case, for example, the storage capacitor 70 can be formed large in the non-opening region 920 while improving the transmittance, and manufacturing is also easy.

図12(c)に第3変形例として示すように、集光領域710が楕円状の領域となる場合には、各画素において、開口領域910は、集光領域710のなす楕円に外接する八角形であってもよい。この場合にも、透過率を向上させつつ、非開口領域920内で、例えば蓄積容量70を大きく形成することができる。
<電子機器>
次に、上述した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図13は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
As shown in FIG. 12C as the third modified example, when the condensing region 710 is an elliptical region, the opening region 910 is circumscribed by the ellipse formed by the condensing region 710 in each pixel. It may be square. Also in this case, for example, the storage capacitor 70 can be formed larger in the non-opening region 920 while improving the transmittance.
<Electronic equipment>
Next, an overall configuration, particularly an optical configuration, of an embodiment of a projection color display device as an example of an electronic apparatus using the above-described electro-optical device as a light valve will be described. FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of the projection type color display device.

図13において、投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ1100は、駆動回路がTFTアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを3個用意し、それぞれRGB用のライトバルブ100R、100G及び100Bとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ1100では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット1102から投射光が発せられると、3枚のミラー1106及び2枚のダイクロックミラー1108によって、RGBの三原色に対応する光成分R、G及びBに分けられ、各色に対応するライトバルブ100R、100G及び100Bにそれぞれ導かれる。この際特に、B光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ1122、リレーレンズ1123及び出射レンズ1124からなるリレーレンズ系1121を介して導かれる。そして、ライトバルブ100R、100G及び100Bによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム1112により再度合成された後、投射レンズ1114を介してスクリーンにカラー画像として投射される。   In FIG. 13, a liquid crystal projector 1100, which is an example of a projection type color display device, prepares three liquid crystal modules including a liquid crystal device having a drive circuit mounted on a TFT array substrate, and RGB light valves 100R, 100G, and The projector is configured as 100B. In the liquid crystal projector 1100, when projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, light components R, G, and R corresponding to the three primary colors of RGB are obtained by three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108. The light is divided into B and led to the light valves 100R, 100G and 100B corresponding to the respective colors. In particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an incident lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path. Light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B are synthesized again by the dichroic prism 1112 and then projected as a color image on the screen via the projection lens 1114.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and an electro-optical device with such a change, In addition, an electronic apparatus including the electro-optical device is also included in the technical scope of the present invention.

第1実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the liquid crystal device which concerns on 1st Embodiment. 図1のH−H´線断面図である。It is the HH 'sectional view taken on the line of FIG. 第1実施形態に係る液晶装置の複数の画素における等価回路図である。3 is an equivalent circuit diagram of a plurality of pixels of the liquid crystal device according to the first embodiment. FIG. 第1実施形態に係る液晶装置における複数の画素の平面図である。3 is a plan view of a plurality of pixels in the liquid crystal device according to the first embodiment. FIG. 図4のA−A´線での断面図である。It is sectional drawing in the AA 'line of FIG. 図6(a)は、マイクロレンズアレイ板の概略斜視図であり、図6(b)は、図6(a)のB−B´断面の構成を示す概略斜視図である。FIG. 6A is a schematic perspective view of the microlens array plate, and FIG. 6B is a schematic perspective view showing the configuration of the BB ′ cross section of FIG. 6A. 図7(a)は、マイクロレンズアレイ板の部分拡大断面図であり、図7(b)は、マイクロレンズアレイ板のうち4つのマイクロレンズに係る部分を拡大して示す部分拡大平面図であり、図7(c)は、マイクロレンズのレンズ面の立体的な形状を概略的に示す拡大斜視図である。FIG. 7A is a partial enlarged cross-sectional view of a microlens array plate, and FIG. 7B is a partial enlarged plan view showing an enlarged portion related to four microlenses in the microlens array plate. FIG. 7C is an enlarged perspective view schematically showing the three-dimensional shape of the lens surface of the microlens. 各マイクロレンズの機能について説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the function of each micro lens. 開口領域、非開口領域及び集光領域の関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between an opening area | region, a non-opening area | region, and a condensing area | region. 集光領域及び光強度の関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between a condensing area | region and light intensity. 比較例における図9と同趣旨の説明図である。It is explanatory drawing of the same meaning as FIG. 9 in a comparative example. 変形例における開口領域及び集光領域の関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between the opening area | region and condensing area | region in a modification. 本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a color liquid crystal projector as an example of a projection type color display device which is an embodiment of an electronic apparatus of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

9a…画素電極、3a…走査線、6a…データ線、7…サンプリング回路、10…TFTアレイ基板、10a…画像表示領域、20…マイクロレンズアレイ板、21…対向電極、23…遮光膜、50…液晶層、52…シール材、53…額縁遮光膜、101…データ線駆動回路、102…外部回路接続端子、104…走査線駆動回路、106…上下導通端子、107…上下導通材、500…マイクロレンズ、710…集光領域、910…開口領域、   9a ... pixel electrode, 3a ... scanning line, 6a ... data line, 7 ... sampling circuit, 10 ... TFT array substrate, 10a ... image display area, 20 ... microlens array plate, 21 ... counter electrode, 23 ... light shielding film, 50 ... Liquid crystal layer, 52 ... Sealing material, 53 ... Frame light shielding film, 101 ... Data line driving circuit, 102 ... External circuit connection terminal, 104 ... Scanning line driving circuit, 106 ... Vertical conduction terminal, 107 ... Vertical conduction material, 500 ... Microlens, 710 ... Condensing region, 910 ... Opening region,

Claims (5)

第1基板と、
該第1基板上に所定画素ピッチで配列された複数のマイクロレンズと、
前記第1基板と対向して配置された第2基板と、
該第2基板上に前記所定画素ピッチで配列された複数の画素電極と、
前記第2基板上に形成され、前記画素電極毎の開口領域の少なくとも一部を規定すると共に前記複数の画素電極と電気的に接続された配線及び電子素子と
を備え、
前記開口領域は、前記複数のマイクロレンズの各々によって前記画素電極毎に集光される光の強度が、前記画素電極毎における前記強度の最大値の1%以上となる領域として規定される集光領域とほぼ等しい
ことを特徴とする電気光学装置。
A first substrate;
A plurality of microlenses arranged at a predetermined pixel pitch on the first substrate;
A second substrate disposed opposite the first substrate;
A plurality of pixel electrodes arranged at the predetermined pixel pitch on the second substrate;
A wiring and an electronic element that are formed on the second substrate, define at least a part of an opening region for each pixel electrode, and are electrically connected to the plurality of pixel electrodes;
The aperture region is a light condensing that is defined as a region in which the intensity of light collected for each pixel electrode by each of the plurality of microlenses is 1% or more of the maximum value of the intensity for each pixel electrode. An electro-optical device characterized by being substantially equal to a region.
前記電子素子として、蓄積容量を備えることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, further comprising a storage capacitor as the electronic element. 前記開口領域は、前記集光領域に外接する多角形をなすことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the opening area has a polygon circumscribing the condensing area. 前記集光領域は、円をなし、
前記開口領域は、前記円の中心から各辺までの距離が、前記円の半径の0.9倍以上且つ1.1倍以下である多角形をなす
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
The condensing region is a circle,
The said opening area | region makes the polygon whose distance from the center of the said circle to each edge | side is 0.9 times or more and 1.1 times or less of the radius of the said circle. The electro-optical device according to any one of the above.
請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなる電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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