JP2007218901A - Pressure sensor - Google Patents
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Abstract
Description
[0001] 本発明は、ガス供給源と、ガス供給源によりガスが供給されるように配置され、少なくとも1つの測定開口部を含む1つまたは複数の開口部を通してガスを排出するように配置され、そして、少なくとも1つの測定開口部において圧力の測定を行うように配置されているセンサ流路システムとを備える圧力センサに関する。 [0001] The present invention is arranged to exhaust a gas through one or more openings including a gas supply source and a gas supply source and including at least one measurement opening. And a pressure sensor comprising a sensor channel system arranged to measure pressure in at least one measurement opening.
[0002] 多くの自動化製造プロセスは、製造ツールと加工中の製品または材料面との間の距離の感知を必要とする。半導体リソグラフィのような、ある状況においては、距離をナノメートルに近い精度で測定しなければならない。 [0002] Many automated manufacturing processes require sensing of the distance between the manufacturing tool and the product or material surface being processed. In certain situations, such as semiconductor lithography, distances must be measured with an accuracy close to nanometers.
[0003] このような精度をもった近接センサの開発に関連する問題は重要なものであり、特にフォトリソグラフィシステムの場合には重要である。フォトリソグラフィの場合には、非貫入性(non-intrusive)であり、かつ非常に短い距離を正確に検出することができる他に、近接センサは、汚染物を導入してはならないし、通常は半導体ウェーハである作業面と接触してはならない。汚染物を導入したり作業面と接触した場合には、半導体の品質を有意に劣化させるか完全にダメ(ruin)にしてしまう可能性がある。 [0003] Problems related to the development of a proximity sensor having such an accuracy are important, particularly in the case of a photolithography system. In the case of photolithography, in addition to being non-intrusive and being able to accurately detect very short distances, proximity sensors must not introduce contaminants, usually Do not touch the work surface, which is a semiconductor wafer. If contaminants are introduced or contacted with the work surface, the quality of the semiconductor may be significantly degraded or completely ruined.
[0004] 非常に短い距離を測定するために、いくつかのタイプの近接センサを使用することができる。近接センサの例としては、キャパシタンスゲージおよび光学式ゲージ等がある。リソグラフィ投影システムで使用した場合、これらの近接センサは重大な欠陥を有する。何故なら、ウェーハ上に堆積している材料の物理的性質が、これらのデバイスの精度に影響を与えるおそれがあるからである。例えば、電荷の濃度に依存するキャパシタンスゲージは、1つのタイプの材料(例えば、金属)が集中している場所では、偽近接度測定値を示すおそれがある。ガリウム・ヒ素(GaAs)およびインジウムリン(InP)のような非導電性および/または感光材料からできている新型のウェーハを使用した場合には、他のタイプの問題が発生する。これらの場合には、キャパシタンスゲージおよび光学式ゲージは間違った測定値を示すおそれがある。 [0004] Several types of proximity sensors can be used to measure very short distances. Examples of proximity sensors include capacitance gauges and optical gauges. When used in a lithographic projection system, these proximity sensors have significant defects. This is because the physical properties of the material deposited on the wafer can affect the accuracy of these devices. For example, capacitance gauges that depend on the concentration of charge can exhibit false proximity measurements where one type of material (eg, metal) is concentrated. Other types of problems arise when using new types of wafers made of non-conductive and / or photosensitive materials such as gallium arsenide (GaAs) and indium phosphide (InP). In these cases, capacitance gauges and optical gauges can show incorrect measurements.
[0005] 1990年9月4日付けのAndrew Baradaの「エアゲージセンサ」(Air Gauge Sensor)という名称の米国特許第4,953,388号(以後’388特許)、および1985年11月5日付けのMichel Deschapeの「空気測定回路」(Pneumatic Gauging Circuit)という名称の米国特許第4,550,592号(以後’592特許)は、エアゲージセンサを使用する近接感知のための他のアプローチを開示している。’388特許および’592特許は、その全文を参照により本明細書に組み込むものとする。これらのセンサは、測定ノズルと測定面との間の距離を測定するために、基準面および測定面上に空気の流れを放出し、センサ内の背圧の差を測定するための基準ノズルおよび測定ノズルを備えるセンサ流路システムを使用する。 [0005] Andrew Barada's US Patent No. 4,953,388 (hereinafter the '388 patent), dated September 4, 1990, and titled "Air Gauge Sensor", and November 5, 1985 U.S. Pat. No. 4,550,592 (hereinafter the '592 patent) entitled “Pneumatic Gauging Circuit” by Michel Deschape discloses another approach for proximity sensing using an air gauge sensor. ing. The '388 and' 592 patents are hereby incorporated by reference in their entirety. These sensors emit a flow of air over the reference surface and the measurement surface to measure the distance between the measurement nozzle and the measurement surface, and a reference nozzle for measuring the difference in back pressure within the sensor and A sensor channel system with a measuring nozzle is used.
[0006] さらに、その全文を参照により本明細書に組み込むものとする、1976年10月発行のFWPジャーナルの31〜42ページ掲載のBurrows,V.R.の「空気測定の原理と応用」(The Principles and Applications of Pneumatic Gauging)が空気測定の原理を記載している。エアゲージセンサは、ウェーハ面の電荷または電気的、光学的および他の物理的性質の濃度の影響を受けない。しかし、現在の半導体製造の場合には、ナノメートル程度の高い精度で近接度を測定しなければならない。しかし、初期のエアゲージセンサは、多くの場合、リソグラフィ投影装置での現在の精度要件に適合しない。 [0006] Furthermore, Burrows, VR, “The Principles and Applications of Air Measurement” published on pages 31-42 of the FWP Journal, published in October 1976, which is incorporated herein by reference in its entirety. Applications of Pneumatic Gauging) describes the principle of air measurement. Air gauge sensors are not affected by the charge on the wafer surface or the concentration of electrical, optical and other physical properties. However, in the case of current semiconductor manufacturing, proximity must be measured with a precision as high as nanometers. However, early air gauge sensors often do not meet current accuracy requirements in lithographic projection apparatus.
[0007] エアゲージセンサの精度を改善するために行った1つの改善点は、マスフローコントローラへの入力のところでマスフローコントローラおよびガス圧力レギュレータを使用することにより、ガス供給源からの流れを確実に安定させたことである。マスフローコントローラは、熱を発散するので、マスフローコントローラとエアゲージセンサの間に供給チューブを備えるセンサ流路システムから離れたところに装着される。しかし、この供給チューブは容積を有している。供給チューブの容積が大きければ大きいほど、エアゲージセンサの応答は遅くなる。熱を発散するので、マスフローコントローラは、通常、リソグラフィ投影装置のウェーハステージコンパートメントから遠く離れているキャビネット内に位置する。ウェーハステージコンパートメントは、リソグラフィ投影装置のコンパートメントであり、ウェーハがウェーハステージに支持されている状態で、ウェーハが放射線のパターン化されたビームで照射される。 [0007] One improvement made to improve the accuracy of the air gauge sensor is to use a mass flow controller and a gas pressure regulator at the input to the mass flow controller to ensure that the flow from the gas supply is stabilized. That is. The mass flow controller dissipates heat and is mounted away from the sensor flow path system with a supply tube between the mass flow controller and the air gauge sensor. However, this supply tube has a volume. The larger the volume of the supply tube, the slower the response of the air gauge sensor. Because it dissipates heat, the mass flow controller is typically located in a cabinet that is remote from the wafer stage compartment of the lithographic projection apparatus. The wafer stage compartment is a compartment of a lithographic projection apparatus where the wafer is irradiated with a patterned beam of radiation while the wafer is supported on the wafer stage.
[0008] さらに悪いことには、マスフローコントローラからの質量の流れは、マスフローコントローラの出力側の空気圧により左右される。出力側の空気圧は、測定開口部のところの圧力により左右され、そのためエアゲージセンサの精度が低下する。この欠点を克服する目的で、マスフローコントローラの出力側の圧力を安定させるためにマスフローコントローラの出力側にアキュムレータが設置されている。しかし、そのため、容積がさらに増大し、エアゲージセンサの応答が遅くなる。 [0008] To make matters worse, the mass flow from the mass flow controller depends on the air pressure on the output side of the mass flow controller. The air pressure on the output side depends on the pressure at the measurement opening, which reduces the accuracy of the air gauge sensor. In order to overcome this drawback, an accumulator is installed on the output side of the mass flow controller in order to stabilize the pressure on the output side of the mass flow controller. However, this further increases the volume and slows the response of the air gauge sensor.
[0009] 本発明の1つの目的は、配置の可能性を高めることができる圧力センサを提供することである。 One object of the present invention is to provide a pressure sensor that can increase the possibility of arrangement.
[0010] 本発明は、請求項1に記載の圧力センサを提供する。流れの状態をチョークドフロー状態にするために、ガス供給源およびリストリクタが配置されているので、リストリクタを通る質量の流速は制御され、流れがチョークドフロー状態になる場所の下流のガス圧の変動により影響を受けなくなる。このチョークドフロー状態はリストリクタのところで起こる。センサ流路システムに供給されたガスは制御される。何故なら、リストリクタがセンサ流路システムの上流に位置するからである。このことは、マスフローコントローラがもはや必要ないことを意味する。マスフローコントローラの出力のところの圧力を安定させるためのアキュムレータも同様にもはや必要でなくなる。リストリクタは熱を発散しないので、リストリクタを非常に自由に設置することができる。すなわち、これによって、圧力センサの配置の可能性が高められる。 [0010] The present invention provides a pressure sensor according to claim 1. In order to bring the flow state into choked flow, the gas source and restrictor are arranged so that the mass flow rate through the restrictor is controlled and the gas downstream from where the flow is choked flow. Unaffected by pressure fluctuations. This choked flow condition occurs at the restrictor. The gas supplied to the sensor channel system is controlled. This is because the restrictor is located upstream of the sensor flow path system. This means that a mass flow controller is no longer needed. An accumulator for stabilizing the pressure at the output of the mass flow controller is no longer necessary as well. Since the restrictor does not dissipate heat, the restrictor can be installed very freely. That is, this increases the possibility of placement of the pressure sensor.
[0011] 添付の図面を参照しながら、本発明のさらなる実施形態、機能および利点、および本発明の種々の実施形態の構造および動作について以下に詳細に説明する。 [0011] Further embodiments, features and advantages of the present invention, as well as the structure and operation of the various embodiments of the present invention, are described in detail below with reference to the accompanying drawings.
[0012] 添付の図面を参照しながら、本発明について説明する。図面中、類似の参照番号は同一または機能的に類似している要素を示す。 [0012] The present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numbers indicate identical or functionally similar elements.
[0017] 以下に特定の用途のための例示としての実施形態を参照しながら本発明について説明するが、本発明はこの実施形態に限定されないことを理解されたい。当業者であれば、本明細書を読むことにより、本発明の範囲内の他の修正、用途および実施形態、および本発明が非常に役に立つ他の分野に気が付くであろう。 [0017] While the present invention will be described below with reference to exemplary embodiments for specific applications, it should be understood that the present invention is not limited to these embodiments. Those skilled in the art will recognize upon reading this specification other modifications, applications and embodiments within the scope of the present invention, and other areas in which the present invention would be very useful.
[0018] 2002年12月19日付けのGajdeczko他の「高分解能ガスゲージ近接センサ」(High Resolution Gas Gauge Proximity Sensor)という名称の同時係属、共通所有の米国特許出願第10/322,768号(以後’768特許出願)は、初期のエア・ゲージ近接センサの精度制限のいくつかを克服する高精度のガスゲージ近接スイッチを記載している。精度制限が克服されたのは、ガスの流れの中の乱流を低減し、それにより精度を向上するために多孔性バッファを導入したからである。その全文を参照により本明細書に組み込むものとする、’768特許出願は、高精度のガスゲージ近接センサを記載している。 [0018] Co-pending, commonly owned US patent application Ser. No. 10 / 322,768, entitled “High Resolution Gas Gauge Proximity Sensor” dated 19 December 2002, Gajdeczko et al. The '768 patent application) describes a high accuracy gas gauge proximity switch that overcomes some of the accuracy limitations of early air gauge proximity sensors. The accuracy limitation was overcome because a porous buffer was introduced to reduce turbulence in the gas flow and thereby improve accuracy. The '768 patent application, which is incorporated herein by reference in its entirety, describes a high accuracy gas gauge proximity sensor.
[0019] 2003年8月25日付けのJoseph Lyonsの「高分解能ガスゲージ近接センサ」(High Resolution Gas Gauge Proximity Sensor)という名称の同時係属、共通所有の米国特許出願第10/646,720号(以後’720特許出願)は、さらに精度を向上し、測定動作中、測定面上の不感度エリアをなくすために、特種ノズルを使用している近接センサを記載している。’720特許出願の全文は、参照により本明細書に組み込むものとする。 [0019] Joseph Lyons, dated August 25, 2003, co-pending and commonly owned US Patent Application No. 10 / 646,720 entitled "High Resolution Gas Gauge Proximity Sensor" '720 patent application) describes a proximity sensor that uses special nozzles to further improve accuracy and eliminate insensitive areas on the measurement surface during measurement operations. The entire text of the '720 patent application is incorporated herein by reference.
[0020] 外部の音響干渉も、ガスゲージ近接センサに影響を与えるおそれがある。2004年5月27日付けのEbert他の「変調ガスの流れによるガスゲージ近接センサ」(Gas Gauge Proximity Sensor with a Modulated Gas Flow)という名称の同時係属、共通所有の米国特許出願第10/854,429号(以後’429特許出願)は、最小の音響干渉エネルギーを含む変調周波数でガスの流れを変調し、それにより測定精度を改善するガスゲージ近接センサを記載している。’429特許出願の全文は、参照により本明細書に組み込むものとする。 [0020] External acoustic interference may also affect the gas gauge proximity sensor. Co-pending, commonly owned US patent application Ser. No. 10 / 854,429 entitled “Gas Gauge Proximity Sensor with a Modulated Gas Flow” dated May 27, 2004 to Ebert et al. No. (hereinafter the '429 patent application) describes a gas gauge proximity sensor that modulates gas flow with a modulation frequency that includes minimal acoustic interference energy, thereby improving measurement accuracy. The entire text of the '429 patent application is hereby incorporated by reference.
[0021] ’768、’720および’429特許出願が開示しているセンサは高い精度を有しているが、この精度は測定ノズルおよび基準ノズルの近くの局所的な環境状態の変化により影響を受けるおそれがある。ある環境においては、ノズルが多くの場合相互に非常に近接していても、環境状態の僅かな変動によりセンサの精度が影響を受けるおそれがある。2004年4月28日付けのCarter他の「高分解能ガスゲージ近接センサ」(High Resolution Gas Gauge Proximity Sensor)という名称の同時係属、共通所有の米国特許出願第10/833,249号(以後’249特許出願)は、測定ノズルおよび基準ノズルの両端の環境の違いを低減するチャンバを含むガスゲージ近接センサを記載している。’249特許出願の全文は、参照により本明細書に組み込むものとする。 [0021] Although the sensors disclosed in the '768,' 720, and '429 patent applications have high accuracy, this accuracy is affected by changes in local environmental conditions near the measurement and reference nozzles. There is a risk of receiving. In some environments, even if the nozzles are often very close to each other, the accuracy of the sensor can be affected by slight variations in environmental conditions. A co-pending, commonly owned US patent application Ser. No. 10 / 833,249 (hereinafter the '249 patent) entitled “High Resolution Gas Gauge Proximity Sensor” dated April 28, 2004 by Carter et al. Application) describes a gas gauge proximity sensor that includes a chamber that reduces the environmental differences between the measurement nozzle and the reference nozzle. The entire text of the '249 patent application is incorporated herein by reference.
[0022] 類似の問題が、近接センサの測定流路から排出されるガスまたは液体の流れと交差するガスまたは液体の直交流と関連している。より詳細に説明すると、例えば、パージ・ガスが、毎秒数メートル程度の速度の局所的直交風を含んでいる場合がある。直交風または直交流は、ゲージを不安定にしたり、ふらつかせたりして、近接センサ内に校正できない誤差を生じさせる。2004年12月7日付けのHerman Vogelの「流れのカーテンを含む近接センサ・ノズル・シュラウド」(Proximity Sensor Nozzle Shroud with Flow Curtain)という名称の同時係属、共通所有の米国特許出願第11/005,246号(以後’246特許出願)は、直交風への影響を低減するためにノズルの周囲にシュラウドを含む近接センサを記載している。’246特許出願の全文は、参照により本明細書に組み込むものとする。 [0022] A similar problem is associated with the cross flow of gas or liquid that intersects the flow of gas or liquid exiting the measurement flow path of the proximity sensor. More specifically, for example, the purge gas may contain a local cross wind at a speed on the order of a few meters per second. Crosswind or crossflow can cause the gauge to become unstable or staggered, causing errors in the proximity sensor that cannot be calibrated. Herman Vogel's co-pending, commonly owned US Patent Application No. 11/005, entitled “Proximity Sensor Nozzle Shroud with Flow Curtain,” dated 7 December 2004. No. 246 (hereinafter the '246 patent application) describes a proximity sensor that includes a shroud around the nozzle to reduce the effects on crosswind. The entire text of the '246 patent application is incorporated herein by reference.
[0023] 近接センサは、非侵襲性のものでなければならない。近接センサと作業面とが接触すると、半導体の品質または他の作業面の品質を有意に劣化させたり、全くダメにしてしまうおそれがある。しかし、最大レベルの精度を確保するためには、多くの場合、測定ノズルを作業面に非常に接近させなければならない。ある環境の場合には、もっと高いレベルの精度が必要になるので、ウェーハステージまたは他の作業プラットフォームの運動は、近接センサを作業面に近づけたり、それから遠ざけたりするほうが望ましい場合がでてくる。そのため、上下に運動する場合に、近接センサ・ヘッドの機械的安定性に関連する不正確のもう1つの原因が生じる。センサ・ヘッドを延長すると、不安定になり、それにより近接センサの精度が低下するおそれがある。2004年12月20日付けのPeter Kocherspergerの「機構の不安定を自己補償する近接センサ」(Proximity Sensor with Self Compensation for Mechanism Instability)という名称の同時係属、共通所有の米国特許出願第11/015,652号(以後’652特許出願)は、近接センサの精度に対する近接センサ・ヘッドのズレの影響を低減するための自己補償機構を含む引っ込ませることができる近接センサを開示している。’652特許出願の全文は、参照により本明細書に組み込むものとする。 [0023] The proximity sensor must be non-invasive. When the proximity sensor and the work surface come into contact with each other, there is a possibility that the quality of the semiconductor or the quality of the other work surface is significantly deteriorated or completely lost. However, in order to ensure the maximum level of accuracy, the measurement nozzle often has to be very close to the work surface. In some circumstances, a higher level of accuracy is required, so movement of the wafer stage or other work platform may be desirable to move the proximity sensor closer to or away from the work surface. As a result, another source of inaccuracy related to the mechanical stability of the proximity sensor head occurs when moving up and down. If the sensor head is extended, it will become unstable, which may reduce the accuracy of the proximity sensor. Co-pending, commonly owned US Patent Application No. 11/015, entitled “Proximity Sensor with Self Compensation for Mechanism Instability” dated December 20, 2004, by Peter Kochersperger No. 652 (hereinafter the '652 patent application) discloses a retractable proximity sensor that includes a self-compensating mechanism to reduce the effect of proximity sensor head misalignment on proximity sensor accuracy. The entire text of the '652 patent application is hereby incorporated by reference.
[0024] 図1は、ガスゲージ近接センサ100を示す図である。ガスゲージ近接センサ100は、本発明を使用することにより改善することができる近接センサの1つのタイプであり、本発明の範囲を制限するものではない。ガスゲージ近接センサ100は、ガス圧力レギュレータ105、マスフローコントローラ106、中央流路112、測定流路116、基準流路118、測定流路リストリクタ120、基準流路リストリクタ122、測定プローブ128、基準プローブ130、ブリッジ流路136および質量流量センサ138を含む。ガス供給源102は、ガスゲージ近接センサ100に所望の圧力でガスを注入する。 FIG. 1 is a view showing a gas gauge proximity sensor 100. The gas gauge proximity sensor 100 is one type of proximity sensor that can be improved by using the present invention and does not limit the scope of the present invention. The gas gauge proximity sensor 100 includes a gas pressure regulator 105, a mass flow controller 106, a central flow path 112, a measurement flow path 116, a reference flow path 118, a measurement flow path restrictor 120, a reference flow path restrictor 122, a measurement probe 128, a reference probe. 130, a bridge channel 136 and a mass flow sensor 138. The gas supply source 102 injects gas into the gas gauge proximity sensor 100 at a desired pressure.
[0025] 中央流路112は、ガス供給源102をガス圧力レギュレータ105およびマスフローコントローラ106に接続していて、分岐部114のところまで延びる。ガス圧力レギュレータ105およびマスフローコントローラ106は、ガスゲージ近接センサ100内の流速を一定に維持する。 The central flow path 112 connects the gas supply source 102 to the gas pressure regulator 105 and the mass flow controller 106 and extends to the branch portion 114. The gas pressure regulator 105 and the mass flow controller 106 maintain the flow rate in the gas gauge proximity sensor 100 constant.
[0026] ガスは、流路112に取り付けられているアキュムレータ108によりマスフローコントローラ106から流路112内に押し出される。アキュムレータ108は、マスフローコントローラの出力のところのガス圧を安定させるために流路112に取り付けられている。それは、マスフローコントローラの出力が出口のところのガス圧により左右されるからである。ある状況の場合には、この図には図示していないバッファをマスフローコントローラ106と分岐部114との間に設置することができる。バッファはガス供給源102が導入したガスの乱流を低減する。バッファ110の詳細については、’249特許出願を参照されたい。マスフローコントローラ106を出てから、ガスは中央流路112を通って分岐部114に供給される。中央流路112は分岐部114のところまで延び、測定流路116および基準流路118に分岐する。マスフローコントローラ106は、望ましくない空力騒音の発生を最小限度に低減する目的で、システムを通して層状で圧縮できない流体の流れを供給するために十分低い速度でガスを注入する。同様に、マスフローコントローラ106により確立された層状の流れ特性を維持するために、システムの幾何学的な形状を適当な大きさにすることができる。 The gas is pushed out from the mass flow controller 106 into the flow path 112 by the accumulator 108 attached to the flow path 112. The accumulator 108 is attached to the flow path 112 to stabilize the gas pressure at the output of the mass flow controller. This is because the output of the mass flow controller depends on the gas pressure at the outlet. In some situations, a buffer not shown in this figure can be installed between the mass flow controller 106 and the branch 114. The buffer reduces the turbulence of the gas introduced by the gas supply source 102. See the '249 patent application for details of the buffer 110. After leaving the mass flow controller 106, the gas is supplied to the branch 114 through the central flow path 112. The central channel 112 extends to the branching portion 114 and branches to the measurement channel 116 and the reference channel 118. The mass flow controller 106 injects gas at a sufficiently low rate to provide a laminar and incompressible fluid flow through the system in order to minimize the generation of undesirable aerodynamic noise. Similarly, the system geometry can be sized appropriately to maintain the laminar flow characteristics established by the mass flow controller 106.
[0027] マスフローコントローラ106のようなマスフローコントローラは高価であり、多くの場合、特に出力のところでの圧力の変動への依存性が低いものであることが指定されている場合には数千ドル以上する。マスフローコントローラ106は熱を発散するので、ガスゲージ近接センサ100の他の構成要素から離して装着される。柔軟な供給チューブが、マスフローコントローラ106を分岐部114に結合している。供給チューブは漏洩を起こし易い。漏洩は多くの場合、小規模のものであり、通常、他のタイプのシステムに影響を与えないが、漏洩がガスゲージ近接センサの性能に有意な影響を与える場合がある。さらに、チューブの容積は、コンデンサのような働きをする。ガスゲージ近接センサの周囲の局所的圧力が変化すると、そこを通る流れが変化し、チューブの容積の容量的機能のために流れが安定するまでに数秒かかる。マスフローコントローラの出力のところのガス圧を安定させるために、アキュムレータを追加した場合には、この影響はさらに大きくなる。 [0027] Mass flow controllers, such as mass flow controller 106, are expensive and often cost thousands of dollars or more, especially when it is specified that they are less dependent on pressure fluctuations at the output. To do. The mass flow controller 106 dissipates heat and is mounted away from the other components of the gas gauge proximity sensor 100. A flexible supply tube couples the mass flow controller 106 to the branch 114. The supply tube is prone to leakage. Leaks are often small and usually do not affect other types of systems, but leaks can have a significant impact on the performance of gas gauge proximity sensors. Furthermore, the volume of the tube acts like a condenser. As the local pressure around the gas gauge proximity sensor changes, the flow through it changes and it takes several seconds for the flow to stabilize due to the capacitive function of the tube volume. This effect is even greater when an accumulator is added to stabilize the gas pressure at the output of the mass flow controller.
[0028] ブリッジ流路136は、測定流路116と基準流路118との間を結合している。ブリッジ流路136は、分岐部124のところで測定流路116に接続している。ブリッジ流路136は、分岐部126のところで基準流路118に接続している。一例を挙げて説明すると、分岐部114と分岐部124の間の距離と、分岐部114と分岐部126の間の距離は等しい。 The bridge channel 136 connects the measurement channel 116 and the reference channel 118. The bridge channel 136 is connected to the measurement channel 116 at the branch portion 124. The bridge channel 136 is connected to the reference channel 118 at the branch portion 126. For example, the distance between the branch part 114 and the branch part 124 is equal to the distance between the branch part 114 and the branch part 126.
[0029] ガスは、ガスゲージ近接センサ100内のすべての流路を通して流れることができる。流路112、116、118および136は、コンジット(チューブ、パイプ等)、またはガスを含むことができ、センサ100を通してガスを案内することができる任意の他のタイプの構造から形成することができる。好適には、流路は、例えば、局所的な乱流または不安定な流れを生じることにより、空力騒音を生じるおそれがある鋭角の屈曲部、凹凸または不必要な障害物を有していないことが好ましい。測定流路116および基準流路118の全体の長さは同じであってもよいし、または他の例のように同じでなくてもよい。 [0029] Gas can flow through all channels in the gas gauge proximity sensor 100. The channels 112, 116, 118, and 136 can include conduits (tubes, pipes, etc.) or any other type of structure that can guide the gas through the sensor 100. . Preferably, the flow path does not have sharp bends, irregularities or unnecessary obstructions that may cause aerodynamic noise, for example by creating local turbulence or unstable flow Is preferred. The total length of the measurement channel 116 and the reference channel 118 may be the same or may not be the same as in other examples.
[0030] 基準流路118は基準ノズル130まで延びる。同様に、測定流路116は測定ノズル128まで延びる。基準ノズル130は、基準面134の上に位置する。測定ノズル128は、測定面132の上に位置する。フォトリソグラフィの場合には、測定面132は、多くの場合、半導体ウェーハ、ウェーハを支持するステージ、フラットパネルディスプレイ、プリントヘッド、マイクロまたはナノ流体デバイス等である。基準面134は、平坦な金属プレートであってもよいが、これに限定されない。ガス供給源102により注入されたガスは、各ノズル128、130から排出され、測定面132および基準面134に入射する。すでに説明したように、ノズルと対応する測定面または基準面との間の距離は、スタンドオフ(standoff)と呼ばれる。 The reference channel 118 extends to the reference nozzle 130. Similarly, the measurement channel 116 extends to the measurement nozzle 128. The reference nozzle 130 is located on the reference surface 134. The measurement nozzle 128 is located on the measurement surface 132. In the case of photolithography, the measurement surface 132 is often a semiconductor wafer, a stage that supports the wafer, a flat panel display, a printhead, a micro or nanofluidic device, or the like. The reference surface 134 may be a flat metal plate, but is not limited thereto. The gas injected by the gas supply source 102 is discharged from the nozzles 128 and 130 and enters the measurement surface 132 and the reference surface 134. As already explained, the distance between the nozzle and the corresponding measuring or reference surface is called a standoff.
[0031] 測定流路リストリクタ120および基準流路リストリクタ122は、流路内の乱流を低減する働きをし、抵抗素子として動作する。他の実施形態の場合には、オリフィスのような他のタイプの抵抗素子を使用することができる。しかし、オリフィスは乱流を低減しない。 [0031] The measurement flow path restrictor 120 and the reference flow path restrictor 122 serve to reduce turbulent flow in the flow path and operate as resistance elements. In other embodiments, other types of resistive elements such as orifices can be used. However, the orifice does not reduce turbulence.
[0032] 基準ノズル130は、既知の基準スタンドオフ142を隔てて固定基準面134の上に位置する。測定ノズル128は、未知の測定スタンドオフ140を隔てて測定面132の上に位置する。既知の基準スタンドオフ142は、最適なスタンドオフを表す所望する一定の値にセットされる。このような配置により、測定ノズル128の上流の背圧は未知の測定スタンドオフ140の関数になり、基準ノズル130の上流の背圧は既知の基準スタンドオフ142の関数になる。スタンドオフ140および142が等しい場合には、構成が対称的になり、ブリッジがバランスする。それ故、ブリッジ流路136を通してガスが流れなくなる。一方、測定スタンドオフ140および基準スタンドオフ142が異なっている場合には、測定流路116と基準流路118の間の圧力差により質量流量センサ138を通してガスが流れる。 The reference nozzle 130 is located on the fixed reference surface 134 with a known reference standoff 142 therebetween. The measurement nozzle 128 is located on the measurement surface 132 with an unknown measurement standoff 140. The known reference standoff 142 is set to a desired constant value that represents the optimum standoff. With this arrangement, the back pressure upstream of the measurement nozzle 128 is a function of the unknown measurement standoff 140, and the back pressure upstream of the reference nozzle 130 is a function of the known reference standoff 142. If the standoffs 140 and 142 are equal, the configuration is symmetric and the bridge is balanced. Therefore, no gas flows through the bridge channel 136. On the other hand, when the measurement standoff 140 and the reference standoff 142 are different, gas flows through the mass flow sensor 138 due to a pressure difference between the measurement flow path 116 and the reference flow path 118.
[0033] 質量流量センサ138は、ブリッジ流路136に沿って位置するが、好適にはこの流路の中央に位置することが好ましい。質量流量センサ138は、測定流路116と基準流路118の間の圧力差によるガスの流れを感知する。これらの圧力差は、測定面132の垂直位置の変化によるものである。対称的なブリッジの場合、測定スタンドオフ140および基準スタンドオフ142が等しい場合には、表面132、134と比較した場合の両方のノズル128、130に対するスタンドオフは同じである。質量流量センサ138は、質量の流れを検出しない。何故なら、測定流路と基準流路との間には圧力差がないからである。測定スタンドオフ140と基準スタンドオフ142の間に違いがあると、測定流路116と基準流路118内の圧力に差ができる。非対称な配置の場合には、適当なオフセットを導入することができる。 [0033] The mass flow sensor 138 is located along the bridge flow path 136, but is preferably located at the center of the flow path. The mass flow sensor 138 senses a gas flow due to a pressure difference between the measurement channel 116 and the reference channel 118. These pressure differences are due to changes in the vertical position of the measurement surface 132. In the case of a symmetric bridge, if the measurement standoff 140 and the reference standoff 142 are equal, the standoffs for both nozzles 128, 130 when compared to the surfaces 132, 134 are the same. The mass flow sensor 138 does not detect a mass flow. This is because there is no pressure difference between the measurement channel and the reference channel. If there is a difference between the measurement standoff 140 and the reference standoff 142, there will be a difference in the pressure in the measurement channel 116 and the reference channel 118. In the case of an asymmetrical arrangement, an appropriate offset can be introduced.
[0034] 質量流量センサ138は、圧力差または圧力の不均衡によるガスの流れを感知する。圧力差ができるとガスが流れるが、その速度は測定スタンドオフ140の一意の関数である。すなわち、ガスゲージ100内への流速が一定であると仮定した場合、測定流路116と基準流路118内のガス圧の差は、スタンドオフ140および142の大きさの間の差の関数である。基準スタンドオフ142を既知のスタンドオフにセットすると、測定流路116と基準流路118内のガス圧の差は、測定スタンドオフ140(すなわち、測定面132と測定ノズル128の間の未知のスタンドオフ)の大きさの関数である。 [0034] The mass flow sensor 138 senses a gas flow due to a pressure differential or pressure imbalance. The gas flows when the pressure difference is made, but the velocity is a unique function of the measurement standoff 140. That is, assuming that the flow rate into gas gauge 100 is constant, the difference in gas pressure in measurement channel 116 and reference channel 118 is a function of the difference between the magnitudes of standoffs 140 and 142. . When the reference standoff 142 is set to a known standoff, the difference in gas pressure in the measurement channel 116 and the reference channel 118 causes the measurement standoff 140 (i.e., the unknown stand between the measurement surface 132 and the measurement nozzle 128 to be unknown. Off) magnitude function.
[0035] 質量流量センサ138は、ブリッジ流路136を通るどちらの方向のガスの流れも検出する。ブリッジの構成により、流路116、118の間に圧力差ができた場合だけ、ブリッジ流路136を通してガスが流れる。圧力が不均衡である場合には、質量流量センサ138は、結果としてのガスの流れを検出し、適当な制御機能をスタートすることができる。質量流量センサ138は、視覚表示、音響表示、コンピュータ制御システムまたは他の信号手段により感知した流れを表示することができる。別の方法としては、質量流量センサの代わりに、差圧センサを使用することもできる。差圧センサは、測定スタンドオフと基準スタンドオフの間の差の関数である2つの流路間の圧力差を測定する。 The mass flow sensor 138 detects the gas flow in either direction through the bridge flow path 136. Due to the configuration of the bridge, the gas flows through the bridge channel 136 only when there is a pressure difference between the channels 116 and 118. If the pressure is unbalanced, the mass flow sensor 138 can detect the resulting gas flow and initiate an appropriate control function. The mass flow sensor 138 can display the flow sensed by a visual display, an acoustic display, a computer control system or other signal means. Alternatively, a differential pressure sensor can be used instead of the mass flow sensor. The differential pressure sensor measures the pressure difference between the two channels that is a function of the difference between the measurement standoff and the reference standoff.
[0036] 近接センサ100は、本発明によるノズルを有するデバイスの一例である。本発明は、近接センサ100と一緒の使用だけに限定されない。それどころか、本発明は、例えば、’388および’592特許および’768、’720、’429、’249、’286および’652特許出願に開示されている近接センサのような他のタイプの近接センサを改善するために使用することができる。 [0036] The proximity sensor 100 is an example of a device having a nozzle according to the present invention. The present invention is not limited to use with proximity sensor 100. On the contrary, the present invention relates to other types of proximity sensors such as those disclosed in the '388 and' 592 patents and the '768,' 720, '429,' 249, '286 and' 652 patent applications, for example. Can be used to improve.
[0037] 図2は、本発明の一実施形態による近接センサ200の図面である。近接センサ200と近接センサ100の間の違いは、マスフローコントローラ106の代わりに、ガス供給源202からガスを受け取り、以下にさらに詳細に説明するセンサ流路システムの上流に位置するチョークドフローオリフィス207を使用していることである。ガス供給源202は、チョークドフローオリフィス207内に制御された圧力でガスを供給するガス圧力レギュレータ205を備える。センサ流路システムは、測定流路216と、基準流路218と、測定流路リストリクタ220と、基準流路リストリクタ222と、測定プローブ228と、基準プローブ230と、ブリッジ流路236と、質量流量センサ238とを備える。測定流路216および基準流路218は、分岐部214のところで結合している。 FIG. 2 is a drawing of a proximity sensor 200 according to one embodiment of the present invention. The difference between proximity sensor 200 and proximity sensor 100 is that, instead of mass flow controller 106, receives gas from gas source 202 and is located upstream of a sensor flow system described in more detail below, choked flow orifice 207. Is to use. The gas supply source 202 includes a gas pressure regulator 205 that supplies gas at a controlled pressure in the choked flow orifice 207. The sensor channel system includes a measurement channel 216, a reference channel 218, a measurement channel restrictor 220, a reference channel restrictor 222, a measurement probe 228, a reference probe 230, a bridge channel 236, A mass flow sensor 238. The measurement channel 216 and the reference channel 218 are coupled at the branching portion 214.
[0038] 中央流路212は、ガス供給源202をガス圧力レギュレータ205およびチョークドフローオリフィス207に接続していて、次に分岐部214まで延びる。ガス圧力レギュレータ205およびチョークドフローオリフィス207は、以下に説明するように、ガスゲージ近接センサ200内の質量の流速を一定に維持する。ガスは、チョークドフローオリフィス207から流路212内に押し出される。ある状況の場合には、この図に図示していないバッファをチョークドフローオリフィス207と分岐部214の間に設置することができる。チョークドフローオリフィス207を出てから、ガスは中央流路212を通って分岐部214に流れる。 The central channel 212 connects the gas supply source 202 to the gas pressure regulator 205 and the choked flow orifice 207 and then extends to the branch 214. The gas pressure regulator 205 and the choked flow orifice 207 maintain the mass flow rate in the gas gauge proximity sensor 200 constant, as will be described below. The gas is pushed out from the choked flow orifice 207 into the channel 212. In some situations, a buffer not shown in this figure can be placed between the choked flow orifice 207 and the bifurcation 214. After exiting the choked flow orifice 207, the gas flows through the central flow path 212 to the branch 214.
[0039] チョークドフローオリフィスを通るガスが音速になると、ガス内にチョークドフロー状態ができる。図3のチョークドフローオリフィスを通るガスの流れの中には、上流の圧力P1に対する下流の圧力P2の比が約0.528以下になると音速状態が生じる。音速状態になると、チョークドフローオリフィス207から出るガスの速度は、約0.528以下のすべての圧力比の場合に速度が一定になる。その結果、チョークドフローオリフィス207を使用すると、少量の漏洩の場合に起こる小さな圧力降下の影響を受けなくなり、圧力センサの流路構造を通るガスの流れが一定になる。 [0039] When the gas passing through the choked flow orifice becomes a sonic velocity, a choked flow state is created in the gas. Some of the gas flow through the choked flow orifice 3, the sound velocity condition occurs when downstream the ratio of the pressure P 2 of the relative pressure P 1 on the upstream is about 0.528 or less. When in the sonic state, the velocity of the gas exiting the choked flow orifice 207 is constant for all pressure ratios below about 0.528. As a result, the use of the choked flow orifice 207 eliminates the effect of a small pressure drop that occurs in the case of a small amount of leakage and provides a constant gas flow through the pressure sensor flow path structure.
[0040] すでに説明したように、オリフィス内の速度は、チョークドフロー状態における圧力の変動の影響を受けない。さらに、チョークドフローの場合、チョークドフローオリフィス207を通る質量流量は、チョークドフローオリフィスの下流の圧力差により影響を受けなくなる。それ故、質量流量も、同時に測定プローブ228および基準プローブ230の両方のところの圧力変動、いわゆる共通モード圧力変動の影響を受けなくなる。チョークドフロー状態は、最悪の共通モード圧力変動を推定することによって確立され、十分高い圧力でチョークドフローオリフィスにガスを供給する。最悪の場合の共通モード圧力変動は、リストリクタのすぐ下流の最大予想ガス圧力に対応する。これが、チョークドフローオリフィスに供給するガスの圧力のしきい値を決定する。以下に説明するように、本発明の一実施形態の場合には、チョークドフローオリフィスにガスを供給するためにガス圧力レギュレータを使用している。好ましい実施形態の場合には、規制された圧力はしきい値以上の一定の圧力である。 [0040] As already explained, the velocity in the orifice is not affected by pressure fluctuations in choked flow conditions. Further, in the case of choked flow, the mass flow rate through the choked flow orifice 207 is not affected by the pressure difference downstream of the choked flow orifice. Therefore, the mass flow rate is also unaffected by pressure fluctuations at both the measurement probe 228 and the reference probe 230, so-called common mode pressure fluctuations. The choked flow condition is established by estimating the worst common mode pressure variation, supplying gas to the choked flow orifice at a sufficiently high pressure. The worst case common mode pressure variation corresponds to the maximum expected gas pressure just downstream of the restrictor. This determines the threshold pressure of the gas supplied to the choked flow orifice. As described below, in one embodiment of the present invention, a gas pressure regulator is used to supply gas to the choked flow orifice. In the preferred embodiment, the regulated pressure is a constant pressure above the threshold.
[0041] ウェーハの近接度を検出するために、近接センサ200をリソグラフィ装置内に設置した場合には、共通モード圧力変動が頻繁に起こる場合がある。例えば、このような変動は、リソグラフィ装置が設置されているクリーンルームの圧力の変化により起こる場合がある。このような圧力の変化が起こるおそれがあるのは、このようなクリーンルームの圧力が周囲圧力よりも高く維持されているからである。このような圧力に維持するのは、クリーンルーム内にゴミが絶対入らないようにするためである。オペレータがクリーンルームに入るためにドアを開ける度に圧力が降下する。また、リソグラフィ装置は、ウェーハテーブルのような高速で移動する部材を備える。ウェーハテーブルは、ウェーハを測定する際に、およびウェーハを照射する際にウェーハを支持するデバイスである。これらのウェーハテーブルは、高速で移動した場合、先頭波を発生し、先頭波は圧力の変化に対応する。 [0041] When the proximity sensor 200 is installed in a lithographic apparatus to detect the proximity of a wafer, common mode pressure fluctuations may occur frequently. For example, such fluctuations may be caused by changes in the pressure of a clean room in which the lithographic apparatus is installed. Such a change in pressure may occur because the pressure in such a clean room is maintained higher than the ambient pressure. The reason why the pressure is maintained is to prevent dust from entering the clean room. The pressure drops every time the operator opens the door to enter the clean room. The lithographic apparatus also includes a member that moves at high speed, such as a wafer table. A wafer table is a device that supports a wafer when measuring the wafer and when irradiating the wafer. When these wafer tables move at a high speed, a leading wave is generated, and the leading wave corresponds to a change in pressure.
[0042] 共通モード圧力変動に敏感なのは望ましくない。何故なら、敏感だと測定の精度が低くなるからである。近接センサの測定値の精度は、基準流路218を通る質量流量の安定性に依存する。それは、基準流路218を通る一定の質量流量に対する質量流量センサ238を通る質量流量の関数として圧力差を表示するように、質量流量センサ238が校正されているからである。ブリッジ流路236を通して質量が流れていて、両方とも(等しい圧力差で)共通モード圧力変動のために変化する測定流路216および基準流路218を通して質量が流れている場合には、質量流量センサ238は、ブリッジ流路236を通る質量流量の変化を検出する。次に、このセンサは、ブリッジ流路236を通る質量流量の変化を、測定流路216および基準流路218両方を通る一定の空気の流れにおいて、測定プローブ238および基準プローブ230の間のもっと大きな圧力差によるものであると誤って解釈する。それ故、このセンサの測定値の精度は低くなる。ブリッジ流路を通る質量流量は変化する。何故なら、分岐部226から基準ノズル230への圧力プロファイルは直線的ではなく、分岐部224から測定ノズル228への圧力プロファイルも直線的ではないからである。 [0042] It is undesirable to be sensitive to common mode pressure fluctuations. This is because if it is sensitive, the accuracy of the measurement will be low. The accuracy of the proximity sensor measurement depends on the stability of the mass flow rate through the reference channel 218. This is because the mass flow sensor 238 is calibrated to display the pressure difference as a function of the mass flow rate through the mass flow sensor 238 for a constant mass flow rate through the reference channel 218. A mass flow sensor if mass is flowing through the bridge channel 236 and both through the measurement channel 216 and the reference channel 218 that change due to common mode pressure fluctuations (with equal pressure differences). 238 detects a change in mass flow rate through the bridge channel 236. The sensor then causes mass flow changes through the bridge channel 236 to be greater between the measurement probe 238 and the reference probe 230 at a constant air flow through both the measurement channel 216 and the reference channel 218. It is misinterpreted as being due to a pressure difference. Therefore, the accuracy of the measured value of this sensor is lowered. The mass flow rate through the bridge channel varies. This is because the pressure profile from the branch 226 to the reference nozzle 230 is not linear, and the pressure profile from the branch 224 to the measurement nozzle 228 is not linear.
[0043] 圧力センサ100のマスフローコントローラ106は熱を発散するが、本発明の圧力センサからなるチョークドフローオリフィスは熱を発散しないので、このオリフィスは分岐部214から離れた位置に設置する必要はない。このオリフィスの有利な使用法については後で説明する。 [0043] Although the mass flow controller 106 of the pressure sensor 100 dissipates heat, the choked flow orifice comprising the pressure sensor of the present invention does not dissipate heat, so it is necessary to install this orifice at a position away from the branching portion 214. Absent. An advantageous use of this orifice will be described later.
[0044] リソグラフィ装置においては、ウェーハは露光ステーションのところで放射ビームに露光される。その前に測定ステーションのところでウェーハのいくつかの面が測定される。このような面とは、ウェーハを支持しているウェーハステージに対するウェーハの位置、ウェーハ上の整合マークの位置、およびウェーハの厚さである。現在のリソグラフィ装置においては、露光ステーションおよび測定ステーションは別々になっているが、以前のリソグラフィ装置の場合は、これらのステーションは一体となっていた。 [0044] In a lithographic apparatus, a wafer is exposed to a radiation beam at an exposure station. Before that, several faces of the wafer are measured at the measuring station. Such surfaces are the position of the wafer relative to the wafer stage supporting the wafer, the position of the alignment mark on the wafer, and the thickness of the wafer. In current lithographic apparatuses, the exposure station and the measuring station are separate, but in previous lithographic apparatuses these stations were integrated.
[0045] 一実施形態においては、ウェーハ(または他の基板)は基板ステージにより支持されている。基板ステージの位置は、連続的に測定および制御され、必要な場合には、位置決め手段により変化する。基板ステージは、基板の1つの側面を実際に支持するテーブルを備える。圧力センサ(ガスゲージ近接センサ)は、すでに説明したように、ウェーハの位置を追跡しつつ、ガスゲージ近接センサの下でウェーハをスキャンしながら、圧力センサへのウェーハの近接度を測定するために、測定ステーションで使用することができる。ウェーハステージの位置を比較し、それによりウェーハをスキャンに沿った複数の位置でガスゲージ近接センサへのウェーハの近接度と比較することにより、ウェーハの厚さのマップが作成される。その結果、基板ステージに対する圧力センサの位置に関する所定の情報が使用される。 [0045] In one embodiment, the wafer (or other substrate) is supported by a substrate stage. The position of the substrate stage is continuously measured and controlled, and is changed by positioning means when necessary. The substrate stage includes a table that actually supports one side of the substrate. Pressure sensor (Gas Gauge Proximity Sensor) measures to measure the proximity of the wafer to the pressure sensor while tracking the wafer position and scanning the wafer under the gas gauge proximity sensor, as already explained Can be used at the station. A map of the wafer thickness is created by comparing the position of the wafer stage, thereby comparing the wafer with the proximity of the wafer to the gas gauge proximity sensor at multiple positions along the scan. As a result, predetermined information about the position of the pressure sensor relative to the substrate stage is used.
[0046] しかし、リソグラフィ装置は、非常に精度が高いが温度の変化に敏感な多くのデバイスを備えているので、非常に高い基準の温度制御が適用される。そのため、測定ステーションにおいては、しきい値を超える量の熱を発散するデバイスは使用できない。 [0046] However, since the lithographic apparatus comprises many devices that are very accurate but sensitive to changes in temperature, very high reference temperature control is applied. For this reason, a device that dissipates an amount of heat that exceeds a threshold cannot be used in the measurement station.
[0047] 従来技術の近接センサのマスフローコントローラ106は、測定ステーションのところで使用することができないデバイスである。それ故、マスフローコントローラは、例えば、特殊な温度制御キャビネット内のような、測定ステーションから離れた位置に設置される。温度制御キャビネット内での熱の発散は別々に制御されるために、残りの機械の性能に影響を与えない。マスフローコントローラ106から測定流路116および基準流路118までガスを案内するために、長い中央流路112が使用される。その長さは数メートルになる場合がある。 [0047] The mass flow controller 106 of the proximity sensor of the prior art is a device that cannot be used at the measurement station. Therefore, the mass flow controller is installed at a location remote from the measurement station, such as in a special temperature control cabinet. Since the heat dissipation in the temperature control cabinet is controlled separately, it does not affect the performance of the rest of the machine. A long central channel 112 is used to guide the gas from the mass flow controller 106 to the measurement channel 116 and the reference channel 118. Its length can be several meters.
[0048] 本発明の圧力センサからなるチョークドフローオリフィス207は、マスフローコントローラ106ほど多くの熱を発散しないので、このオリフィスを、測定開口部228および基準開口部230(または分岐部214、または測定流路216および基準流路218)から遠く離して設置する必要はない。 [0048] The choked flow orifice 207 comprising the pressure sensor of the present invention does not dissipate as much heat as the mass flow controller 106, so that the orifice can be used as a measurement opening 228 and a reference opening 230 (or branch 214 or measurement). It is not necessary to install it far away from the channel 216 and the reference channel 218).
[0049] チョークドフローオリフィス207を自由に設置することができるので、チョークドフローオリフィスと測定プローブ228および基準プローブ230との間の空間はできるだけ小さくなるように選択される。そうするのは、空間が広ければ広いほど、近接センサ200の周波数応答が遅くなるからである。チョークドフローオリフィス207とリストリクタ220および222との間の空間は、チョークドフローオリフィスと測定プローブ228および基準プローブ230との間の空間の一部である。ある実施形態の場合には、リストリクタ207であるチョークドフローオリフィスは、センサ流路システムの入口(分岐部214および下流の圧力センサの一部)の近くまたは入口のところに設置される。リソグラフィ装置に対して、入口近くまたは入口に設置するということは、リストリクタ207が基板ステージコンパートメント内に位置することを意味する。すなわち、パターン形成された断面を含むビームで基板を照射しながら、基板を支持するための少なくとも1つの基板ステージを備えるように配置されているリソグラフィ装置のコンパートメント内に位置することを意味する。基板ステージコンパートメントは、通常非常に近くの温度コントローラの下に位置するリソグラフィ装置内のエリアである。そうするのは、このコンパートメントは、通常、基板ステージの位置を追跡する干渉計を備えているからである。干渉計は温度の変化に敏感である。 [0049] Since the choked flow orifice 207 can be freely installed, the space between the choked flow orifice and the measurement probe 228 and the reference probe 230 is selected to be as small as possible. This is because the wider the space, the slower the frequency response of the proximity sensor 200. The space between the choked flow orifice 207 and the restrictors 220 and 222 is part of the space between the choked flow orifice and the measurement probe 228 and the reference probe 230. In some embodiments, the choked flow orifice, the restrictor 207, is located near or at the inlet of the sensor flow system (the branch 214 and a portion of the downstream pressure sensor). For the lithographic apparatus, being located near or at the entrance means that the restrictor 207 is located in the substrate stage compartment. That is, it is located in a compartment of a lithographic apparatus that is arranged to include at least one substrate stage for supporting the substrate while irradiating the substrate with a beam including a patterned cross section. The substrate stage compartment is an area in the lithographic apparatus that is typically located under a very near temperature controller. This is because the compartment typically includes an interferometer that tracks the position of the substrate stage. Interferometers are sensitive to temperature changes.
[0050] チョークドフローオリフィスを入口の近くまたは入口のところに設置すると、中央流路212の空間が遥かに小さくなる、すなわち、圧力センサ100の中央流路112の空間より数段小さくなる。それ故、圧力センサ200は、近接センサ100より遥かに速く局所的な圧力の変化に応答する。その頂面上では、近接センサ100のところで説明したようなアキュムレータを圧力センサ200で使用しない。このようなアキュムレータは容積を大きくし、それにより高い周波数の応答を遅くするので、この近接センサ200は近接センサ100より優れた周波数応答を有する。 [0050] When the choked flow orifice is installed near or at the inlet, the space of the central flow path 212 is much smaller, that is, several steps smaller than the space of the central flow path 112 of the pressure sensor 100. Therefore, the pressure sensor 200 responds to local pressure changes much faster than the proximity sensor 100. On the top surface, the accumulator as described for the proximity sensor 100 is not used in the pressure sensor 200. Such an accumulator has a higher frequency response than the proximity sensor 100 because it increases volume and thereby slows the response of high frequencies.
[0051] ガス供給源202とチョークドフローオリフィス207の間には、チョークドフローオリフィス207にガス加圧ガスが供給される出力(図示せず)を有するガス圧力レギュレータ205が位置する。ガス圧力レギュレータ205は、ガス供給源202がガス圧力レギュレータ205に供給するガスのガス圧とは無関係に、その出力(図示せず)のところで一定の圧力でガスを供給する。このことは、ガス供給源202とガス圧力レギュレータ205の間に漏洩があった場合でも、ガス圧力レギュレータ205は一定の圧力でガスを供給することを意味する。チョークドフローオリフィス207は、ガス圧力レギュレータ205が供給するガスを受け取る入力(図示せず)を有する。ガス圧力レギュレータ205の出力は、チョークドフローオリフィス207の入力と結合している。チョークドフロー状態により制御された質量流量はチョークドフロー状態の上流の圧力の変動に左右されるが、この実施形態の圧力センサはこの圧力の変動に左右されない。何故なら、チョークドフロー状態の上流の圧力の変動は、ガス圧力レギュレータ205により制御されるからである。 Between the gas supply source 202 and the choked flow orifice 207, a gas pressure regulator 205 having an output (not shown) for supplying gas pressurized gas to the choked flow orifice 207 is located. The gas pressure regulator 205 supplies gas at a constant pressure at its output (not shown) regardless of the gas pressure of the gas supplied from the gas supply source 202 to the gas pressure regulator 205. This means that even when there is a leak between the gas supply source 202 and the gas pressure regulator 205, the gas pressure regulator 205 supplies gas at a constant pressure. The choked flow orifice 207 has an input (not shown) that receives the gas supplied by the gas pressure regulator 205. The output of gas pressure regulator 205 is coupled to the input of choked flow orifice 207. Although the mass flow rate controlled by the choked flow state depends on the pressure fluctuation upstream of the choked flow state, the pressure sensor of this embodiment does not depend on the pressure fluctuation. This is because the pressure fluctuation upstream of the choked flow state is controlled by the gas pressure regulator 205.
[0052] 例えば、ガス供給源202が供給するガスの圧力が、圧力センサの使用目的に対して十分安定している他の実施形態の場合には、ガスはガス圧力レギュレータを有する圧力センサを通さないでチョークドフローオリフィスに供給される。 [0052] For example, in other embodiments where the pressure of the gas supplied by the gas source 202 is sufficiently stable for the intended use of the pressure sensor, the gas is passed through a pressure sensor having a gas pressure regulator. Not supplied to the choked flow orifice.
[0053] 一実施形態の場合には、圧力センサ200は、リストリクタ(207)に供給されたガスの温度を制御するように配置されている温度コントローラ(図示せず)を備える。これにより、チョークドフローオリフィス207の下流の質量流量がさらに安定する。何故なら、チョークドフローオリフィス207を通る質量流量は、チョークドフローオリフィスの上流のガスの温度にわずかに依存するからである。 [0053] In one embodiment, the pressure sensor 200 comprises a temperature controller (not shown) arranged to control the temperature of the gas supplied to the restrictor (207). Thereby, the mass flow rate downstream of the choked flow orifice 207 is further stabilized. This is because the mass flow rate through the choked flow orifice 207 depends slightly on the temperature of the gas upstream of the choked flow orifice.
[0054] チョークドフローオリフィス207のようなチョークドフローオリフィスは、特殊コントローラを製造している会社から入手することができる。例えば、コネチカット州トランブル所在のO’Keefe Control社は、使用することができる一体型ワイヤ・スクリーンを有するサファイア・オリフィスを販売している。 [0054] A choked flow orifice, such as the choked flow orifice 207, may be obtained from a company that manufactures specialized controllers. For example, O'Keefe Control, Inc., located in Trumbull, Connecticut, sells sapphire orifices with an integral wire screen that can be used.
[0055] チョークドフローオリフィス207の後の近接センサ200のアーキテクチャは、近接センサ100のアーキテクチャと同じである。もちろん、中央流路212が、中央流路112より遥かに小さい空間を有しているという違いはある。チョークドフローオリフィス207の後のアーキテクチャの一部は、感知流路システムであると見なすことができる。以下に説明する感知流路システムは、近接センサを形成するためにガス供給源およびチョークドフローオリフィスと一緒に使用することができる感知流路システムの一例である。例えば、’388および’592特許および’768、’720、’429、’249、’246および’652特許出願が開示している感知流路システムのような他の感知流路システムも使用することができる。完全を期するために近接センサ200の他のアーキテクチャについても記述する。 [0055] The architecture of the proximity sensor 200 after the choked flow orifice 207 is the same as the architecture of the proximity sensor 100. Of course, there is a difference that the central channel 212 has a much smaller space than the central channel 112. Part of the architecture after the choked flow orifice 207 can be considered a sensing flow path system. The sensing channel system described below is an example of a sensing channel system that can be used with a gas source and a choked flow orifice to form a proximity sensor. For example, other sensing channel systems such as those disclosed in the '388 and' 592 patents and the '768,' 720, '429,' 249, '246 and' 652 patent applications are also used. Can do. Other architectures of the proximity sensor 200 are also described for completeness.
[0056] 中央流路212は分岐部214のところまで延び、測定流路216および基準流路218に分岐する。チョークドフローオリフィス207は、望ましくない空力騒音の発生を最小限度に低減する目的で、システム全体に層状で圧縮できない流体の流れを供給するために、十分低い速度でガスを注入する。同様に、チョークドフローオリフィス207により確立された層状の流れ特性を維持するために、システムの幾何学的な形状を適当な大きさにすることができる。 The central flow path 212 extends to the branch portion 214 and branches to the measurement flow path 216 and the reference flow path 218. The choked flow orifice 207 injects gas at a sufficiently low rate to provide a laminar and incompressible fluid flow throughout the system for the purpose of minimizing the generation of undesirable aerodynamic noise. Similarly, the system geometry can be sized appropriately to maintain the laminar flow characteristics established by the choked flow orifice 207.
[0057] ブリッジ流路236は、測定流路216と基準流路218との間を結合している。ブリッジ流路236は、分岐部224のところで測定流路216に接続している。ブリッジ流路236は、分岐部226のところで基準流路218に接続している。一例を挙げて説明すると、分岐部214と分岐部224の間の距離と、分岐部214と分岐部226の間の距離は等しい。流路216および218は、それぞれ流路リストリクタ220および222を含む。これらリストリクタについては以下に詳細に説明する。 The bridge channel 236 couples between the measurement channel 216 and the reference channel 218. The bridge channel 236 is connected to the measurement channel 216 at the branch 224. The bridge channel 236 is connected to the reference channel 218 at the branch 226. For example, the distance between the branch part 214 and the branch part 224 is equal to the distance between the branch part 214 and the branch part 226. Channels 216 and 218 include channel restrictors 220 and 222, respectively. These restrictors will be described in detail below.
[0058] ガスは、ガスゲージ近接センサ200内のすべての流路を通して流れることができる。流路212、216、218および236は、コンジット(チューブ、パイプ等)、またはガスを含むことができ、センサ200を通してガスを案内することができる任意の他のタイプの構造から形成することができる。好適には、流路は、例えば、局所的な乱流または不安定な流れを生じることにより、空力騒音を生じるおそれがある鋭角の屈曲部、凹凸または不必要な障害物を有していないことが望ましい。測定流路216および基準流路218の全体の長さは同じであってもよいし、または他の例のように同じでなくてもよい。 [0058] Gas may flow through all channels in the gas gauge proximity sensor 200. The flow paths 212, 216, 218 and 236 can include conduits (tubes, pipes, etc.) or any other type of structure that can guide the gas through the sensor 200. . Preferably, the flow path does not have sharp bends, irregularities or unnecessary obstructions that may cause aerodynamic noise, for example by creating local turbulence or unstable flow Is desirable. The overall length of the measurement channel 216 and the reference channel 218 may be the same, or may not be the same as in other examples.
[0059] 基準流路218は基準ノズル230まで延びる。同様に、測定流路216は測定ノズル228まで延びる。基準ノズル230は、基準面234の上に位置する。測定ノズル228は、測定面232の上に位置する。フォトリソグラフィの場合には、測定面232は、多くの場合、半導体ウェーハ、ウェーハを支持しているステージ、フラットパネルディスプレイ、プリントヘッド、マイクロまたはナノ流体デバイス等である。基準面234は、平坦な金属プレートであってもよいが、これに限定されない。ガス供給源202により注入されたガスは、各ノズル228、230から排出され、測定面232および基準面234に入射する。すでに説明したように、ノズルと対応する測定面または基準面の間の距離はスタンドオフと呼ばれる。 The reference channel 218 extends to the reference nozzle 230. Similarly, the measurement channel 216 extends to the measurement nozzle 228. The reference nozzle 230 is located on the reference surface 234. The measurement nozzle 228 is located on the measurement surface 232. In the case of photolithography, the measurement surface 232 is often a semiconductor wafer, a stage supporting the wafer, a flat panel display, a printhead, a micro or nanofluidic device, or the like. The reference surface 234 may be a flat metal plate, but is not limited thereto. The gas injected by the gas supply source 202 is discharged from the nozzles 228 and 230 and is incident on the measurement surface 232 and the reference surface 234. As already explained, the distance between the nozzle and the corresponding measuring or reference surface is called the standoff.
[0060] 測定流路リストリクタ220および基準流路リストリクタ222は、流路内の乱流を低減する働きをし、抵抗素子として動作する。他の実施形態の場合には、オリフィスのような他のタイプの抵抗素子を使用することができる。しかし、オリフィスは乱流を低減しない。 [0060] The measurement flow path restrictor 220 and the reference flow path restrictor 222 serve to reduce turbulent flow in the flow path and operate as resistance elements. In other embodiments, other types of resistive elements such as orifices can be used. However, the orifice does not reduce turbulence.
[0061] 一実施形態の場合には、基準ノズル230は、既知の基準スタンドオフ242を隔てて固定基準面234の上に位置する。測定ノズル228は、未知の測定スタンドオフ240を隔てて測定面232の上に位置する。既知の基準スタンドオフ242は、最適なスタンドオフを表す所望する一定の値にセットされる。このような配置により、測定ノズル228の上流の背圧は、未知の測定スタンドオフ240の関数になり、基準ノズル230の上流の背圧は、既知の基準スタンドオフ242の関数になる。スタンドオフ240および242が等しい場合には、構成が対称的になり、ブリッジがバランスする。それ故、ブリッジ流路236を通してガスが流れなくなる。一方、測定スタンドオフ240および基準スタンドオフ242が異なっている場合には、測定流路216および基準流路218の間の結果としての圧力差により、質量流量センサ238を通してガスが流れる。 [0061] In one embodiment, the reference nozzle 230 is located on the fixed reference surface 234 with a known reference standoff 242 therebetween. Measurement nozzle 228 is positioned on measurement surface 232 across an unknown measurement standoff 240. The known reference standoff 242 is set to a desired constant value that represents the optimum standoff. With this arrangement, the back pressure upstream of the measurement nozzle 228 is a function of the unknown measurement standoff 240, and the back pressure upstream of the reference nozzle 230 is a function of the known reference standoff 242. If the standoffs 240 and 242 are equal, the configuration is symmetric and the bridge is balanced. Therefore, no gas flows through the bridge channel 236. On the other hand, if the measurement standoff 240 and the reference standoff 242 are different, gas flows through the mass flow sensor 238 due to the resulting pressure difference between the measurement channel 216 and the reference channel 218.
[0062] 質量流量センサ238は、ブリッジ流路236に沿って位置するが、好適にはこの流路の中央に位置することが好ましい。質量流量センサ238は、測定流路216と基準流路218の間の圧力差によるガスの流れを感知する。これらの圧力差は、測定面232の垂直位置の変化によるものである。対称的なブリッジの場合、測定スタンドオフ240および基準スタンドオフ242が等しい場合には、表面232、234と比較した場合の両方のノズル228、230に対するスタンドオフは同じである。質量流量センサ238は、質量の流れを検出しない。何故なら、測定流路と基準流路との間には圧力差がないからである。測定スタンドオフ240と基準スタンドオフ242の間に違いがあると、測定流路216と基準流路218内の圧力に差ができる。非対称な配置の場合には、適当なオフセットを導入することができる。 [0062] The mass flow sensor 238 is located along the bridge channel 236, but is preferably located in the center of the channel. The mass flow sensor 238 senses a gas flow due to a pressure difference between the measurement channel 216 and the reference channel 218. These pressure differences are due to changes in the vertical position of the measurement surface 232. In the case of a symmetric bridge, if the measurement standoff 240 and the reference standoff 242 are equal, the standoffs for both nozzles 228, 230 when compared to the surfaces 232, 234 are the same. The mass flow sensor 238 does not detect mass flow. This is because there is no pressure difference between the measurement channel and the reference channel. If there is a difference between the measurement standoff 240 and the reference standoff 242, there will be a difference in the pressure in the measurement channel 216 and the reference channel 218. In the case of an asymmetrical arrangement, an appropriate offset can be introduced.
[0063] 質量流量センサ238は、圧力差または圧力の不均衡によるガスの流れを感知する。圧力差ができるとガスが流れるが、その速度は測定スタンドオフ240の一意の関数である。すなわち、ガスゲージ200内への流速が一定であると仮定した場合、測定流路216と基準流路218内のガス圧の差は、スタンドオフ240および242の大きさの間の差の関数である。基準スタンドオフ242を既知のスタンドオフにセットすると、測定流路216と基準流路218のガス圧の差は、測定スタンドオフ240(すなわち、測定面232と測定ノズル228の間の未知のスタンドオフ)の長さの関数である。 [0063] Mass flow sensor 238 senses gas flow due to pressure differential or pressure imbalance. The gas flows when the pressure difference is made, but the velocity is a unique function of the measurement standoff 240. That is, assuming that the flow velocity into gas gauge 200 is constant, the difference in gas pressure in measurement channel 216 and reference channel 218 is a function of the difference between the magnitudes of standoffs 240 and 242. . When the reference standoff 242 is set to a known standoff, the difference in gas pressure between the measurement channel 216 and the reference channel 218 causes the measurement standoff 240 (ie, the unknown standoff between the measurement surface 232 and the measurement nozzle 228). ) Is a function of length.
[0064] 質量流量センサ238は、ブリッジ流路236を通してどちらの方向のガスの流れも検出する。ブリッジの構成により、流路216、218の間に圧力差ができた場合だけ、ブリッジ流路236を通してガスが流れる。圧力が不均衡である場合には、質量流量センサ238は、結果としてのガスの流れを検出し、適当な制御機能をスタートすることができる。質量流量センサ238は、視覚表示、音響表示により感知した流れを表示することができる。別の方法としては、質量流量センサの代わりに、差圧センサを使用することもできる。差圧センサは、測定スタンドオフと基準スタンドオフの間の差の関数である2つの流路間の圧力差を測定する。 [0064] The mass flow sensor 238 detects the flow of gas in either direction through the bridge channel 236. Due to the bridge configuration, the gas flows through the bridge channel 236 only when there is a pressure difference between the channels 216, 218. If the pressure is unbalanced, the mass flow sensor 238 can detect the resulting gas flow and initiate an appropriate control function. The mass flow sensor 238 can display the flow sensed by visual display or acoustic display. Alternatively, a differential pressure sensor can be used instead of the mass flow sensor. The differential pressure sensor measures the pressure difference between the two channels that is a function of the difference between the measurement standoff and the reference standoff.
[0065] 近接センサ200は、本発明によるノズルを有するデバイスの一例である。本発明は、近接センサ200と一緒の使用だけに限定されない。それどころか、例えば、’388および’592特許および’768、’720、’429、’249、’286および’652特許出願が開示している近接センサのような他のタイプの近接センサを改善するために、マスフローコントローラの代わりにチョークドフローオリフィスを使用することができる。 [0065] The proximity sensor 200 is an example of a device having a nozzle according to the present invention. The present invention is not limited to use with proximity sensor 200. On the contrary, to improve other types of proximity sensors such as, for example, the proximity sensors disclosed in the '388 and' 592 patents and the '768,' 720, '429,' 249, '286 and' 652 patent applications. In addition, a choked flow orifice can be used in place of the mass flow controller.
[0066] 図4は、非常に短い距離を検出し、制御動作を行うためにガスの流れを使用するための方法400のフローチャートである。便宜上、ガスゲージ近接センサ200を参照しながら方法400について説明する。しかし、方法400は必ずしもセンサ200の構造により制限を受けないし、異なる構造のセンサにより実施することができる。 [0066] FIG. 4 is a flowchart of a method 400 for using a gas flow to detect very short distances and perform control actions. For convenience, the method 400 will be described with reference to the gas gauge proximity sensor 200. However, the method 400 is not necessarily limited by the structure of the sensor 200 and can be implemented with sensors of different structures.
[0067] このプロセスは、ステップ410からスタートする。ステップ410において、オペレータまたは機械装置は、基準面の上方に基準プローブを置く。例えば、オペレータまたは機械装置は、既知の基準スタンドオフ214を隔てて基準面234上方に基準プローブ230を置く。別の方法としては、基準スタンドオフをセンサ組立体内、すなわちセンサ組立体の内部に配置することができる。基準スタンドオフは、通常一定に維持される特定の値に予め調整される。 [0067] The process starts at step 410. In step 410, the operator or machine places the reference probe above the reference plane. For example, an operator or mechanical device places the reference probe 230 above the reference surface 234 across a known reference standoff 214. Alternatively, the reference standoff can be placed in the sensor assembly, i.e. within the sensor assembly. The reference standoff is pre-adjusted to a specific value that is usually kept constant.
[0068] ステップ420において、オペレータまたは機械装置は、測定面上方に測定プローブを置く。例えば、オペレータまたは機械装置は、測定ギャップ240を形成するために測定面232上方に測定プローブ228を位置させる。 [0068] In step 420, the operator or mechanical device places the measurement probe above the measurement surface. For example, an operator or mechanical device positions measurement probe 228 over measurement surface 232 to form measurement gap 240.
[0069] ステップ430において、ガスがセンサ内に注入される。例えば、測定ガスは、一定の質量流速でガスゲージ近接センサ200内に注入される。 [0069] In step 430, gas is injected into the sensor. For example, the measurement gas is injected into the gas gauge proximity sensor 200 at a constant mass flow rate.
[0070] ステップ440において、ガスがチョークドフローオリフィスを通して強制的に供給される。例えば、ガスは音速状態を達成するためにチョークドフローオリフィス207を通して強制的に供給することができ、その点でチョークドフローオリフィスを流れる質量流量が圧力差にほとんど依存しなくなる。センサ内への一定のガスの流速が維持される。例えば、チョークドフローオリフィス207は、一定のガスの流速を維持する。 [0070] In step 440, gas is forced through the choked flow orifice. For example, gas can be forced through the choked flow orifice 207 to achieve a sonic state, at which point the mass flow through the choked flow orifice is less dependent on the pressure differential. A constant gas flow rate into the sensor is maintained. For example, the choked flow orifice 207 maintains a constant gas flow rate.
[0071] ステップ450において、ガスの流れは、測定流路と基準流路との間で分配される。例えば、ガスゲージ近接センサ200は、測定流路216と基準流路218との間で測定ガスの流れを均等に分配する。 [0071] In step 450, the gas flow is distributed between the measurement channel and the reference channel. For example, the gas gauge proximity sensor 200 distributes the flow of the measurement gas evenly between the measurement channel 216 and the reference channel 218.
[0072] ステップ460において、測定流路および基準流路内のガスの流れが、流路の断面を横切って均等に制限される。測定流路リストリクタ220および基準流路リストリクタ222は、空力騒音を低減し、ガスゲージ近接センサ200内で抵抗素子として機能するためにガスの流れを制限する。 [0072] In step 460, the gas flow in the measurement channel and the reference channel is evenly restricted across the cross section of the channel. Measurement channel restrictor 220 and reference channel restrictor 222 reduce aerodynamic noise and restrict gas flow to function as a resistive element within gas gauge proximity sensor 200.
[0073] ステップ470において、ガスは基準および測定プローブから強制的に排出される。例えば、ガスゲージ近接センサ200は、測定プローブ228および基準プローブ230からガスを強制的に排出する。ステップ480において、基準流路および測定流路を接続しているブリッジ流路を通してガスの流れが監視される。ステップ490において、基準流路と測定流路の間の圧力差に基づいて制御動作が行われる。例えば、質量流量センサ238は、測定流路216および基準流路218の間の質量流量の流速を監視する。この質量流量の流速に基づいて、質量流量センサ238は制御動作をスタートする。このような制御動作は、感知した質量流量を表示するステップ、感知した質量流量を表示するメッセージを送信するステップ、または質量流量または質量流量の固定基準値が感知されなくなるまで、基準面に対する測定面の位置を変更するサーボ制御動作をスタートするステップを含むことができる。ステップ495において、この方法400は終了する。 [0073] In step 470, gas is forced out of the reference and measurement probes. For example, the gas gauge proximity sensor 200 forcibly discharges gas from the measurement probe 228 and the reference probe 230. In step 480, gas flow is monitored through a bridge channel connecting the reference channel and the measurement channel. In step 490, a control operation is performed based on the pressure difference between the reference channel and the measurement channel. For example, the mass flow sensor 238 monitors the mass flow rate between the measurement channel 216 and the reference channel 218. Based on the mass flow rate, the mass flow sensor 238 starts a control operation. Such a control action may include the step of displaying a sensed mass flow rate, sending a message indicating the sensed mass flow rate, or measuring plane relative to the reference plane until no fixed mass flow or mass flow reference value is sensed. The step of starting a servo control operation for changing the position of the control unit may be included. In step 495, the method 400 ends.
[0074] 今まで本発明の種々の実施形態について説明してきたが、これら実施形態は単に例示としてのものであって、本発明を制限するものではないことを理解されたい。当業者であれば、本発明の精神および範囲から逸脱することなしに、形状および詳細を種々に変更することができることを理解することができるであろう。すでに説明したように、圧力センサは、ガス圧力レギュレータ205を備えていても備えていなくてもよい。また圧力センサは、1つまたはいくつかの測定流路を備えることができる。ガスをリストリクタ(207)から受け取り、そのガスをリストリクタからブリッジ(236)を有する1つまたは複数のコンジットの1つまたは複数のブリッジ分岐部(224)に案内するように配置されていて、1つまたは複数のブリッジ分岐部の上流に1つまたは複数の他の制限素子(220)を備える1つまたは複数のコンジット(216)を使用することができる。さらに、または別の方法としては、圧力センサは、基準流路218のようないくつかの基準流路を備えることができる。また基準流路を使用しなくてもよい。本発明は、例えば空気の使用に限定されない。代わりに本発明はガス圧センサにも適用される。 [0074] While various embodiments of the present invention have been described above, it should be understood that these embodiments are merely illustrative and do not limit the invention. Those skilled in the art will recognize that various changes in form and detail can be made without departing from the spirit and scope of the invention. As already described, the pressure sensor may or may not include the gas pressure regulator 205. The pressure sensor can also comprise one or several measurement channels. Arranged to receive gas from the restrictor (207) and guide the gas from the restrictor to one or more bridge branches (224) of one or more conduits having a bridge (236); One or more conduits (216) with one or more other limiting elements (220) upstream of the one or more bridge branches may be used. Additionally or alternatively, the pressure sensor can include several reference channels, such as reference channel 218. Further, the reference channel may not be used. The present invention is not limited to the use of air, for example. Instead, the invention also applies to gas pressure sensors.
[0075] 指定の機能およびその関係の性能を示す方法ステップにより本発明を説明してきた。本明細書においては、説明の便宜上これらの方法ステップの境界を曖昧にしか定義していない。指定の機能およびその関係が正しく行える限り他の境界を定義することができる。それ故、このような任意の他の境界は、本発明の範囲および精神内に含まれる。それ故、本発明の範囲は上記の例示としての実施形態のどれかにより制限されるものではなく、添付の特許請求の範囲およびその等価物によってだけ定義すべきものである。 [0075] The invention has been described in terms of method steps that indicate the performance of a specified function and its relationship. In the present specification, for the sake of explanation, the boundaries of these method steps are only defined in an ambiguous manner. Other boundaries can be defined as long as the specified function and its relationships are correct. Therefore, any such other boundaries are within the scope and spirit of the present invention. Accordingly, the scope of the invention should not be limited by any of the above-described exemplary embodiments, but should be defined only in accordance with the appended claims and their equivalents.
[0076] 詳細な説明は、特許請求の範囲を解釈するために主として使用すべきものである。概要および要約は、本発明者が考えた本発明の1つまたは複数のしかしすべてではない例示としての実施形態を記載しているが、特許請求の範囲を制限するためのものではない。 [0076] The detailed description is primarily to be used to interpret the claims. The summary and summary describe one or more but not all exemplary embodiments of the invention as contemplated by the inventors and are not intended to limit the scope of the claims.
Claims (16)
前記ガス供給源によりガスが供給されるように配置され、少なくとも1つの測定開口部(228)を含む1つまたは複数の開口部(228,230)を通してガスを排出するように配置され、そして、前記少なくとも1つの測定開口部において圧力の測定を行うように配置されているセンサ流路システム(212,214,216,218,236)と、を備える圧力センサであって、
前記センサ流路システムの上流に位置し、前記ガス供給源(202)からガスを受けるように配置されているリストリクタ(207)を備え、
前記ガス供給源(202)および前記リストリクタ(207)が、前記センサ流路システム内に流入するガスのチョークドフロー状態を得るように配置されている、
ことを特徴とする圧力センサ。 A gas supply source (202);
Arranged to be supplied with gas by said gas supply, arranged to discharge gas through one or more openings (228, 230) including at least one measurement opening (228); and A sensor flow path system (212, 214, 216, 218, 236) arranged to measure pressure at said at least one measurement opening,
A restrictor (207) located upstream of the sensor flow path system and arranged to receive gas from the gas supply source (202);
The gas supply source (202) and the restrictor (207) are arranged to obtain a choked flow state of the gas flowing into the sensor flow path system;
A pressure sensor characterized by that.
ことを特徴とする、
請求項1に記載の圧力センサ。 The restrictor (207) comprises a choked flow orifice;
It is characterized by
The pressure sensor according to claim 1.
前記入口が前記ガス供給源からガスを受けるように配置されている、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の圧力センサ。 The restrictor (207) is located near the inlet of the sensor flow path system;
The inlet is arranged to receive gas from the gas supply;
The pressure sensor according to claim 1 or 2, wherein
ことを特徴とする請求項3に記載の圧力センサ。 The restrictor (207) is located at the inlet of the sensor flow path system;
The pressure sensor according to claim 3.
ことを特徴とする前記請求項のいずれか1項に記載の圧力センサ。 The gas source (202) and the restrictor (207) are at least equal to a gas pressure immediately upstream of the restrictor and a threshold corresponding to a maximum expected gas pressure immediately downstream of the restrictor; Arranged to maintain a ratio between the gas pressure just downstream of the restrictor,
The pressure sensor according to any one of the preceding claims.
ことを特徴とする前記請求項のいずれか1項に記載の圧力センサ。 The gas source comprises a pressure regulator (205) arranged to supply gas to the restrictor at a regulated pressure;
The pressure sensor according to any one of the preceding claims.
前記センサ流路システムが、前記少なくとも1つの測定開口部(228)と前記少なくとも1つの基準開口部(230)との間の圧力差を測定するように配置される、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか1項に記載の圧力センサ。 The one or more openings comprise at least one reference opening (230);
The sensor flow path system is arranged to measure a pressure difference between the at least one measurement opening (228) and the at least one reference opening (230);
The pressure sensor according to any one of the preceding claims.
前記少なくとも1つの測定開口部(228)を備える測定ブランチ(216,220,228)と、
前記少なくとも1つの基準開口部(230)を備える基準ブランチ(218,222,230)と、
前記測定ブランチと前記基準ブランチとの間にあって、前記測定開口部および前記基準開口部の上流における前記少なくとも1つの測定開口部と前記少なくとも1つの基準開口部との間の圧力差を測定するように配置されているブリッジ(236,238)と、
を備えることを特徴とする請求項7に記載の圧力センサ。 The sensor channel system is
A measurement branch (216, 220, 228) comprising said at least one measurement opening (228);
A reference branch (218, 222, 230) comprising the at least one reference opening (230);
Measuring a pressure difference between the at least one measurement opening and the at least one reference opening between the measurement branch and the reference branch and upstream of the measurement opening and the reference opening. The arranged bridges (236, 238);
The pressure sensor according to claim 7, further comprising:
ことを特徴とする請求項8に記載の圧力センサ。 The gas supplied through the restrictor (207) to the measurement branch (216, 222, 228) and the reference branch (218, 220, 230) is located upstream of the bridge (236, 238). Comprising a bifurcation (214) arranged to be sent,
The pressure sensor according to claim 8.
前記1つまたは複数のコンジットは、ガスを前記リストリクタから、前記1つまたは複数のコンジット(216,218)の前記ブリッジ(236,238)の1つまたは複数のブリッジ分岐部(224,226)に案内するように配置され、かつ、前記1つまたは複数のブリッジ分岐部の上流に1つまたは複数の他の制限素子(220,222)を備える、
ことを特徴とする請求項8または9に記載の圧力センサ。 Comprising one or more conduits (216, 218) for receiving gas from the restrictor (207);
The one or more conduits pass gas from the restrictor to one or more bridge branches (224, 226) of the bridge (236, 238) of the one or more conduits (216, 218). And one or more other limiting elements (220, 222) upstream of the one or more bridge branches,
The pressure sensor according to claim 8 or 9, wherein
ことを特徴とする請求項10に記載の圧力センサ。 The one or more other limiting elements comprise a porous buffer;
The pressure sensor according to claim 10.
ことを特徴とする前記請求項のいずれか1項に記載の圧力センサ。 Comprising a temperature controller arranged to control the temperature of the gas received by the restrictor (207);
The pressure sensor according to any one of the preceding claims.
リソグラフィ装置。 Comprising a pressure sensor according to any one of the preceding claims and an exposure station for exposing the substrate to a radiation beam having a pattern in cross-section.
Lithographic apparatus.
前記センサ流路システムおよび前記リストリクタが、前記リソグラフィ装置の前記測定ステーションのところに配置される、
ことを特徴とする請求項13に記載のリソグラフィ装置。 A measurement station for measuring one or more surfaces of the substrate before exposing the substrate;
The sensor flow path system and the restrictor are disposed at the measurement station of the lithographic apparatus;
A lithographic apparatus according to claim 13, wherein the apparatus is a lithographic apparatus.
ことを特徴とする請求項14に記載のリソグラフィ装置。 The lithographic apparatus is arranged to provide a relative position to the at least one measurement opening (228) and the substrate, whereby gas exhausted from the at least one measurement opening strikes the substrate;
15. A lithographic apparatus according to claim 14, wherein:
ことを特徴とする請求項13から15のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 The restrictor (207) and the sensor flow path system are arranged to have at least one substrate stage for supporting the substrate while irradiating the substrate with a beam having a patterned cross section. Located in the substrate stage compartment of the lithographic apparatus,
A lithographic apparatus according to any one of claims 13 to 15, characterized in that
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