JP2007216325A - 中空チューブの作製方法、中空チューブおよび中空チューブを用いた装置 - Google Patents
中空チューブの作製方法、中空チューブおよび中空チューブを用いた装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板2上には、膜4および金属膜6が形成される。基板2上には、金属膜6を触媒として、VLS結晶成長法により、プローブ8が形成される。プローブ8の周囲には被覆層10が形成される。その後、プローブ8の先端部の被覆層10が除去され、プローブ8が基板2上から除去され、中空チューブ12が形成される。
【選択図】図2
Description
Electro Mechanical System)と呼ばれる微小な構造物の研究が行われている。MEMSは微小な構造物であるため、半導体デバイス技術を用いて、半導体基板上に作製される場合が多い。MEMSに関する文献としては、以下のものが存在する。
T.Tokuda et. al. Sensors and Actuators A, Vol.122, pp.88-98(2005) A.Rodriguez et. al., Sensor and Actuatoes B, Vol. 10, No.1, pp.135-140(2005) LiweiLin et. al. IEEE Journal of Microelectromechanical System Vol.8, No.1,pp.78-84(1999)
4 膜
6 金属膜
8 プローブ
10 被覆層
12 中空チューブ
Claims (19)
- 基板上に柱体を形成する工程と、
前記柱体とは異なる材料の被覆層を、前記柱体の周囲に形成する工程と、
前記柱体の先端部の前記被覆層を除去し、前記柱体の先端部を外部に露出させる工程と、
前記柱体を基板上から除去する工程と、
からなる中空チューブの作製方法。 - 前記柱体は気相液相液相結晶成長法により基板上に形成されることを特徴とする請求項1に記載の中空チューブの作製方法。
- 前記被覆層は、前記柱体の材料を酸化あるいは窒化させて形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の中空チューブの作製方法。
- 前記柱体は、前記被覆層のエッチングレートよりも前記柱体のエッチングレートが大きいエッチング方法により除去されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の中空チューブの作製方法。
- 前記基板の材料は、シリコン基板であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の中空チューブの作製方法。
- 前記シリコン基板は、結晶方位が(111)面であることを特徴とする請求項5に記載の中空チューブの作製方法。
- 前記柱体の材料がシリコンであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の中空チューブの作製方法。
- 前記被覆膜は酸化シリコンであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の中空チューブの作製方法。
- 前記エッチング方法は、2フッ化キセノンあるいは6フッ化硫黄のガスを用いたエッチングであることを特徴とする請求項4〜8のいずれか1項に記載の中空チューブの作製方法。
- 基板と、
前記基板上に形成された被覆層と、から構成される中空チューブであって、
前記被覆層は、前記基板上に形成された柱体の周囲に形成された後、前記柱体が除去されて中空形状となることを特徴とする中空チューブ。 - 前記柱体は、VLS結晶成長法により基板上に形成されることを特徴とする請求項10に記載の中空チューブ。
- 前記被覆層は、前記柱体の材料を酸化あるいは窒化させて形成されることを特徴とする請求項10または11に記載の中空チューブ。
- 前記柱体は、前記被覆層のエッチングレートよりも前記柱体のエッチングレートが大きいエッチング方法により除去されることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項に記載の中空チューブ。
- 前記基板の材料は、シリコン基板であることを特徴とする請求項10〜13のいずれか1項に記載の中空チューブ。
- 前記シリコン基板は、結晶方位が(111)面であることを特徴とする請求項14に記載の中空チューブ。
- 前記柱体の材料がシリコンであることを特徴とする請求項10〜15のいずれか1項に記載の中空チューブ。
- 前記被覆膜は酸化シリコンであることを特徴とする請求項10〜16のいずれか1項に記載の中空チューブ。
- 前記エッチング方法は、2フッ化キセノンあるいは6フッ化硫黄のガスを用いたエッチングであることを特徴とする請求項13〜17のいずれか1項に記載の中空チューブ。
- 前記中空チューブと、
前記中空チューブと同一基板上に、センサ、ポンプ、細針、集積回路のうちの少なくとも1つを形成したもの、
とからなる請求項10〜18のいずれかに記載の中空チューブを用いた装置。
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Citations (5)
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2006
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