JP2007214338A - Manufacturing method of one-side polyimide wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、片方の表面に金属配線を有する片面ポリイミド配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a single-sided polyimide wiring board having metal wiring on one surface.
近年、携帯電話などの携帯情報機器に代表される電子機器は、小形化および軽量化が要求されている。この要求に伴って、電子機器に搭載されるプリント配線基板として、可撓性を有するフレキシブルプリント配線基板(FPC(Flexible Printed Circuit))や、ガラスエポキシ基板などの硬質基板とFPCとを組み合わせたリジット−フレキシブル配線基板などの使用量が増加している。なお、FPCの基板材料としては、耐熱性、電気絶縁性、機械的強度に優れるポリイミド樹脂が広く用いられている。 In recent years, electronic devices typified by portable information devices such as mobile phones have been required to be smaller and lighter. Along with this requirement, as a printed circuit board to be mounted on electronic equipment, a flexible printed circuit board (FPC (Flexible Printed Circuit)) that has flexibility, a rigid combination of FPC and a hard substrate such as a glass epoxy substrate -The amount of flexible wiring boards used is increasing. As a substrate material for FPC, a polyimide resin having excellent heat resistance, electrical insulation, and mechanical strength is widely used.
ポリイミド樹脂を用いたFPCへの配線形成方法としては、従来、基板材料の表面全体に接着剤を介して貼り付けた金属膜を、エッチングにより除去してパターニングするサブトラクティブ法が用いられている。 As a method for forming a wiring on an FPC using a polyimide resin, a subtractive method is conventionally used in which a metal film attached to the entire surface of a substrate material via an adhesive is removed by etching and patterned.
しかしながら、プリント配線基板の高密度化に伴い、より微細な配線パターンが要求されているため、オーバーエッチングの発生や、接着剤の密着性が弱いという問題があるサブトラクティブ法に替わる配線形成方法が検討されている。 However, as the printed wiring board has been increased in density, a finer wiring pattern is required. Therefore, there is a wiring forming method that replaces the subtractive method, which has problems such as over-etching and poor adhesive adhesion. It is being considered.
ところで、無電解めっき法を用いて選択的に金属膜を形成して配線を形成するアディティブ法は、接着剤を不要とする配線形成方法である。 By the way, the additive method in which a metal film is selectively formed by using an electroless plating method to form a wiring is a wiring forming method that does not require an adhesive.
しかし、従来のアディティブ法においては、金属膜とポリイミド基材との密着性が悪いという問題があり、この問題を解決するために、次のような方法が提案されている。 However, in the conventional additive method, there is a problem that the adhesion between the metal film and the polyimide base material is poor, and the following method has been proposed to solve this problem.
たとえば、KOHやNaOHなどのアルカリ溶液を、ポリイミド基材表面に選択的に塗布し、イミド環を開環してカルボキシル基を形成させ、カルボキシル基に金属イオンを配位させて金属塩を形成し、この金属塩を還元して得られた金属膜をめっき析出核として用いてめっきを行う方法が提案されている(特許文献1(特開2005−45236号公報)、特許文献2(特開2005−29735号公報)参照)。この方法で得られた金属膜は、その一部がポリイミド基材表面の微細な凹凸に埋め込まれるようにして析出するため、高い密着性が得られる。 For example, an alkaline solution such as KOH or NaOH is selectively applied to the surface of the polyimide substrate, the imide ring is opened to form a carboxyl group, and a metal ion is coordinated to the carboxyl group to form a metal salt. A method of performing plating using a metal film obtained by reducing this metal salt as a plating precipitation nucleus has been proposed (Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2005-45236)) and Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 2005-2005). -29735). Since a part of the metal film obtained by this method is deposited so as to be embedded in fine irregularities on the surface of the polyimide base material, high adhesion can be obtained.
しかし、上記の方法には、以下に示すような問題点が考えられる。 However, the above method has the following problems.
たとえば、上記の方法でポリイミド基材の表面に金属膜を形成した場合、金属膜はポリイミド基材の両面に形成される。したがって、サブトラクティブ法によって片面だけに配線を形成した片面配線基板を形成するためには、配線を形成しない面の全面にめっきレジストを形成して電解めっき工程で金属が析出するのを防ぎ、さらに、その後、めっきレジストを剥離して、形成されていた金属膜全体をエッチングによって除去する必要があった。 For example, when a metal film is formed on the surface of a polyimide substrate by the above method, the metal film is formed on both surfaces of the polyimide substrate. Therefore, in order to form a single-sided wiring board in which wiring is formed only on one side by the subtractive method, a plating resist is formed on the entire surface on which no wiring is formed to prevent metal from being deposited in the electrolytic plating process. Thereafter, the plating resist was peeled off, and the entire formed metal film had to be removed by etching.
また、アルカリ溶液で加水分解反応が生じたポリイミド基材の表層は膨潤するため、ポリイミド基材に反りが生じやすくなり、ハンドリングに困難が生じるという問題もあった。
そこで、この発明の課題は、密着性が良好であると共にパターン精度の高い金属配線を形成することができる片面ポリイミド配線基板の製造方法を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a single-sided polyimide wiring board capable of forming a metal wiring with good adhesion and high pattern accuracy.
上記課題を解決するため、この発明の片面ポリイミド配線基板の製造方法は、2枚のポリイミドフィルムを中間層を挟んで貼り合わせることによってフィルム積層体を形成するフィルム貼り合わせ工程と、
上記フィルム積層体の両面をアルカリ溶液で処理する加水分解工程と、
上記フィルム積層体の両面を金属イオン含有溶液で処理するイオン交換工程と、
上記フィルム積層体の両面を還元剤で処理して上記フィルム積層体の両面に金属膜を析出させる還元工程と、
上記フィルム積層体の両面の上記金属膜の所定の領域にめっき膜を形成するめっき工程と、
上記めっき工程で上記めっき膜が形成されなかった領域の上記金属膜を除去すると共に上記めっき膜が形成された所定の領域の金属膜を残すエッチング工程と、
上記2枚のポリイミドフィルムから上記中間層を取り除く工程と、
を備えることを特徴としている。
In order to solve the above problems, a method for producing a single-sided polyimide wiring board of the present invention includes a film laminating step of forming a film laminate by laminating two polyimide films with an intermediate layer interposed therebetween,
A hydrolysis step of treating both sides of the film laminate with an alkaline solution;
An ion exchange step of treating both surfaces of the film laminate with a metal ion-containing solution;
A reduction step of treating both sides of the film laminate with a reducing agent to deposit metal films on both sides of the film laminate;
A plating step of forming a plating film in a predetermined region of the metal film on both surfaces of the film laminate;
An etching step of removing the metal film in a region where the plating film is not formed in the plating step and leaving a metal film in a predetermined region where the plating film is formed;
Removing the intermediate layer from the two polyimide films;
It is characterized by having.
この発明の片面ポリイミド配線基板の製造方法によれば、フィルム貼り合わせ工程で、2枚のポリイミドフィルムの配線を形成しない面同士を中間層を挟んで予め貼り合わせてフィルム積層体を形成する。そして、加水分解工程,イオン交換工程,還元工程,めっき工程,エッチング工程によって、上記フィルム積層体の両方の表面に金属膜とめっき膜による配線を形成する。そして、上記2枚のポリイミドフィルムから上記中間層を取り除く。 According to the method for manufacturing a single-sided polyimide wiring board of the present invention, in the film bonding step, the surfaces of the two polyimide films that are not formed are bonded together with an intermediate layer interposed therebetween to form a film laminate. And the wiring by a metal film and a plating film is formed in both surfaces of the said film laminated body by a hydrolysis process, an ion exchange process, a reduction process, a plating process, and an etching process. Then, the intermediate layer is removed from the two polyimide films.
上記配線の金属膜はポリイミドフィルムの表面の微細な凹凸に埋め込まれるようにして析出するので、ポリイミドフィルムへの高い密着性が得られると共に、配線を形成するための1回の工程でもって、2枚の片面ポリイミド配線基板の配線を形成することができ、工程数を減らすことができる。 Since the metal film of the wiring is deposited so as to be embedded in the fine irregularities on the surface of the polyimide film, high adhesion to the polyimide film can be obtained, and in a single step for forming the wiring, 2 Wiring of a single-sided polyimide wiring board can be formed, and the number of processes can be reduced.
さらに、上記フィルム貼り合わせ工程によって、2枚のポリイミドフィルムを中間層を挟んで貼り合わせるので、めっきの析出核として金属膜を形成させる領域の面積が半分になる。よって、イオン交換工程や還元工程などで用いる薬液中の反応種の使用量が半減し、薬液の使用量や薬液の交換工程の回数を減らすことができる。 Further, since the two polyimide films are bonded to each other with the intermediate layer sandwiched by the film bonding step, the area of the region where the metal film is formed as a deposition nucleus of plating is halved. Therefore, the usage amount of the reactive species in the chemical solution used in the ion exchange step, the reduction step or the like can be halved, and the usage amount of the chemical solution or the number of chemical solution exchange steps can be reduced.
また、2枚のポリイミドフィルムを中間層を介して貼り合わせてあるフィルム積層体は、1枚のポリイミドフィルムに比べて、反りが生じにくく、製造工程でのハンドリングが容易となる。 In addition, a film laminate in which two polyimide films are bonded via an intermediate layer is less likely to warp than one polyimide film, and is easy to handle in the manufacturing process.
さらに、中間層を除去した後のポリイミドフィルムは、両方の表面のうちの中間層に貼り合わされていた片方の表面はアルカリ溶液による処理によって膨潤されていない。したがって、ポリイミドフィルムの両表面が膨潤している場合に比べて、ポリイミドフィルムは形状の変形が小さく、後の工程におけるハンドリングが容易であり、製造されるポリイミド配線基板の寸法精度を高めることができる。 Furthermore, the polyimide film after removing the intermediate layer is not swollen by the treatment with the alkaline solution on one surface of the both surfaces bonded to the intermediate layer. Therefore, compared with the case where both surfaces of the polyimide film are swollen, the polyimide film is less deformed in shape, can be easily handled in the subsequent steps, and can improve the dimensional accuracy of the manufactured polyimide wiring board. .
また、一実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法では、上記中間層は、支持体と、この支持体の両面に塗布された粘着材層とを有する。 Moreover, in the manufacturing method of the single-sided polyimide wiring board of one Embodiment, the said intermediate | middle layer has a support body and the adhesive material layer apply | coated on both surfaces of this support body.
この実施形態では、中間層が支持体を有するので、2枚のポリイミドフィルムを中間層を介して貼り合わせたフィルム積層体の剛性が増す。よって、フィルム積層体のハンドリングが特に容易となる。 In this embodiment, since the intermediate layer has a support, the rigidity of the film laminate in which two polyimide films are bonded via the intermediate layer is increased. Therefore, handling of the film laminate is particularly easy.
また、一実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法では、上記中間層は、支持体と、この支持体を挟む2層の粘着材層とを有し、上記支持体に対する上記粘着材層の密着強度は、上記ポリイミドフィルムに対する上記粘着材層の密着強度に比べて高い。 Moreover, in the manufacturing method of the single-sided polyimide wiring board of one Embodiment, the said intermediate | middle layer has a support body and two adhesive material layers which pinch | interpose this support body, and the adhesion of the said adhesive material layer with respect to the said support body The strength is higher than the adhesion strength of the pressure-sensitive adhesive layer to the polyimide film.
この実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法では、粘着材層は、上記ポリイミドフィルムに対する粘着強度に比べて、支持体に対する粘着強度が高い。この粘着材層の粘着強度の差により、ポリイミドフィルムを中間層から引き剥がすことが可能となる。 In the method for producing a single-sided polyimide wiring board of this embodiment, the adhesive layer has a higher adhesive strength to the support than the adhesive strength to the polyimide film. Due to the difference in the adhesive strength of the adhesive material layer, the polyimide film can be peeled off from the intermediate layer.
この発明の片面ポリイミド配線基板の製造方法によれば、中間層を挟んで2枚のポリイミドフィルムを貼り合わせた構造のフィルム積層体の状態で、配線パターンを形成するための各工程(加水分解工程,イオン交換工程,還元工程,めっき工程,エッチング工程)を行うので、ハンドリングが容易になる。また、片面ポリイミド配線基板の配線パターンの形成を2枚のポリイミドフィルムに対して同時に行うことができるので、工程数を減らすことができ、製造効率を向上できる。 According to the method for producing a single-sided polyimide wiring board of the present invention, each step (hydrolysis step) for forming a wiring pattern in the state of a film laminate having a structure in which two polyimide films are bonded together with an intermediate layer interposed therebetween. , Ion exchange process, reduction process, plating process, etching process), and handling becomes easy. Moreover, since the wiring pattern of a single-sided polyimide wiring board can be formed simultaneously on two polyimide films, the number of steps can be reduced and the manufacturing efficiency can be improved.
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments.
(第1の実施の形態)
この発明の第1実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法では、2枚のポリイミドフィルムを貼り合わせたフィルム積層体の状態で、ポリイミドフィルムの表面に配線パターンを形成する工程を行うものである。
(First embodiment)
In the manufacturing method of the single-sided polyimide wiring board of 1st Embodiment of this invention, the process of forming a wiring pattern on the surface of a polyimide film is performed in the state of the film laminated body which bonded two polyimide films together.
図1から図9を参照して、この第1実施形態で、ポリイミドフィルムへ金属パターンを形成する方法を説明する。図1は、この第1実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法の製造フロー図である。また、図2から図9は、この第1実施形態の各製造工程を示す概略断面図である。 A method of forming a metal pattern on a polyimide film in the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a manufacturing flow diagram of a method for manufacturing a single-sided polyimide wiring board according to the first embodiment. 2 to 9 are schematic cross-sectional views showing the respective manufacturing steps of the first embodiment.
まず、図1の工程(1)のポリイミドフィルム貼合せ工程では、図2に示すように、2枚のポリイミドフィルム1A,1Bを中間層14を介して貼り合わせ、フィルム積層体101を形成する。この中間層14は、ポリプロピレンなどの耐アルカリ性に優れた材料で作製された支持体3を、ゴム系、シリコーン系などの粘着剤からなる粘着材層2A,2Bで挟んだものである。
First, in the polyimide film laminating step of step (1) in FIG. 1, as shown in FIG. 2, two polyimide films 1 </ b> A and 1 </ b> B are pasted through an
次に、図1の工程(2)の加水分解工程では、フィルム積層体101を強アルカリ溶液に浸漬し、その後、水洗して乾燥させる。この強アルカリ溶液としては、KOHやNaOHなどが挙げられる。この加水分解工程により、次の(化学式1)で示されるポリイミドフィルム1A,1Bの表面は、加水分解されてイミド環が開き、強アルカリ溶液中のアルカリ金属イオンと結合する。これにより、図3に示すように、フィルム積層体101の両面に、改質層104A,104Bが形成される。この改質層104A,104Bは、たとえば、KOHを用いて加水分解を行った場合は、次の(化学式2)で示される構造である。
Next, in the hydrolysis step of step (2) in FIG. 1, the
(化学式1)
次に、図1の工程(3)の金属イオン置換工程では、フィルム積層体101を、金属イオン含有溶液に浸漬し、水洗、乾燥させる。この金属イオン含有溶液としては、Cu,Ni,Co、Agなどの金属塩の水溶液が挙げられる。たとえば、CuSO4の水溶液などである。この金属イオン置換工程により、改質層104A,104Bに配位していたアルカリ金属イオンが、金属イオン含有溶液中の金属イオンと置換する。その後、水洗を行い、乾燥させる。
Next, in the metal ion replacement step of step (3) in FIG. 1, the
なお、図1の工程(3)の前に、フィルム積層体101をイソプロピルアルコールなどの有機溶剤を用いて洗浄を行うと、フィルム積層体101の表面に付着している難水溶性のアミンなどを除去できる。これにより、次の工程でフィルム積層体101を浸漬する金属イオン溶液のpHを変化させないので、望ましい。
When the
次に、図1の工程(4)の還元工程では、図4に示すように、還元剤を用いて金属イオンを還元して析出させ、改質層104A,104Bの上に金属薄膜4A,4Bを形成する。この還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム(NaBH4)や、ジメチルアミンボランなどが挙げられる。Niイオンを含む水溶液で金属イオン置換工程を行った場合は、次亜リン酸ナトリウム(NaH2PO2)も使用できる。この後、フィルム積層体101を水洗し、乾燥させる。
Next, in the reduction step of step (4) in FIG. 1, as shown in FIG. 4, metal ions are reduced and deposited using a reducing agent, and the metal
なお、図1の工程(2)から工程(4)を複数回、繰り返すことによって、金属薄膜4A,4Bを厚くしてもよい。
Note that the metal
次に、図1の工程(5)のめっきレジスト形成工程では、図5に示すように、フィルム積層体101の両面の金属膜4A,4Bの所定の領域に、めっきレジスト5A,5Bを形成する。上記めっきレジスト5A,5Bの形成は、まず、フィルム積層体101の両面にレジストフィルムを貼付し、露光、現像の工程を経て行う。上記レジストフィルムの代わりに液状レジストを用いてもよい。
Next, in the plating resist formation step of step (5) in FIG. 1, as shown in FIG. 5, plating resists 5A and 5B are formed in predetermined regions of the
次に、図1の工程(6)の電解めっき工程では、図6に示すように、電解めっきを行い、フィルム積層体101の両面の金属膜4A,4Bの表面上にめっき膜6A,6Bを析出させる。この電解めっき工程での電解めっき液は、Cuをめっきする場合は、硫酸塩浴やスルファミン浴などが挙げられる。必要な厚さのめっき膜6A,6Bを析出させた後、フィルム積層体101を電解めっき液から取り出し、水洗、乾燥を行う。
Next, in the electrolytic plating step of step (6) in FIG. 1, as shown in FIG. 6, electrolytic plating is performed, and plating
次に、図1の工程(7)のレジスト剥離工程では、図7に示すように、めっきレジスト5A,5Bの剥離を行う。このレジスト剥離は、めっきレジスト5A,5Bに適した剥離剤を用いて行う。たとえば、めっきレジスト5A,5Bがレジストフィルムである場合は、NaOHなどのアルカリ溶液で剥離し、液状レジストである場合は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートやアルキルベンゼンスルホン酸などの有機溶剤を含む剥離剤を用いる。 Next, in the resist stripping step of step (7) in FIG. 1, the plating resists 5A and 5B are stripped as shown in FIG. This resist stripping is performed using a stripping agent suitable for the plating resists 5A and 5B. For example, when the plating resists 5A and 5B are resist films, they are stripped with an alkaline solution such as NaOH, and when they are liquid resists, a stripping agent containing an organic solvent such as propylene glycol methyl ether acetate or alkylbenzene sulfonic acid is used. .
次に、図1の工程(8)のエッチング工程では、図8に示すように、フィルム積層体101をエッチング溶液に浸し、上記めっき工程で上記めっき膜6A,6Bが形成されなかった領域の金属薄膜4A,4Bをエッチングし、めっき膜6A,6Bに覆われた領域の金属薄膜4A,4Bと上記めっき膜6A,6Bのみをフィルム積層体101の表面に残存させる。
Next, in the etching step of step (8) in FIG. 1, as shown in FIG. 8, the
次に、図1の工程(9)の基板剥離工程では、図9に示すように、2枚のポリイミドフィルム1A,1Bを中間層14の粘着材層2A,2Bから剥離する。この剥離の方法としては、有機溶剤を用いて粘着材層2A,2Bをなす接着剤を溶解させる方法や、加熱して粘着材層2A,2Bをなす接着剤の粘性を下げてから、ポリイミドフィルム1A,1Bを中間層14から引き剥がす方法が挙げられる。また、予め、粘着材層2A,2Bを、紫外線を照射することによって粘性が下がる材料で作製しておき、この粘着材層2A,2Bに紫外線を照射して粘性を下げ、ポリイミドフィルム1A,1Bを中間層14から引き剥がしてもよい。また、2枚のポリイミドフィルム1A,1Bの一部のみが中間層によって貼りあわされている場合は、その中間層を含む一部分を切り落としても良い。たとえば、ポリイミドフィルム1A,1Bの周縁部のみが中間層によって貼りあわされている場合である。
Next, in the substrate peeling step of step (9) in FIG. 1, as shown in FIG. 9, the two
この後、ポリイミドフィルム1A,1Bに対して、窒素雰囲気中で加熱し、化学式3に示すようなポリアミック酸となっていた改質層104A,104Bを、再度、化学式1に示されるようなイミド環を有する構造に変質させる。ポリアミック酸が再度、ポリイミドとなるにはポリアミック酸のガラス転移点温度よりも高い温度に保持する必要がある。
(化学式3)
(Chemical formula 3)
この第1実施形態によれば、配線の金属薄膜4A,4Bはポリイミドフィルム1A,1Bの表面の微細な凹凸に埋め込まれるようにして析出するので、ポリイミドフィルム1A,1Bへの高い密着性が得られると共に、上記配線を形成するための各工程(1)〜(9)の1回でもって、2枚の片面ポリイミド配線基板15A,15Bのめっき膜6A,6Bと金属薄膜4A,4Bによる配線を形成することができ、工程数を減らすことができる。
According to the first embodiment, since the metal
さらに、上記工程(1)のフィルム貼り合わせ工程によって、2枚のポリイミドフィルム1A,1Bを中間層14を挟んで貼り合わせるので、めっきの析出核として金属膜4A,4Bを形成させる領域の面積が半分になる。よって、工程(3)のイオン交換工程や工程(4)の還元工程などで用いる薬液中の反応種の使用量が半減し、薬液の使用量や薬液の交換工程の回数を減らすことができる。
Further, since the two
また、2枚のポリイミドフィルム1A,1Bを中間層14を介して貼り合わせてあるフィルム積層体101は、1枚のポリイミドフィルムに比べて、反りが生じにくく、製造工程でのハンドリングが容易となる。
In addition, the
さらに、中間層14を除去した後のポリイミドフィルム1A,1Bは、両方の表面のうちの中間層14に貼り合わされていた片方の表面はアルカリ溶液による処理によって膨潤されていない。したがって、ポリイミドフィルム1A,1Bの両表面が膨潤している場合に比べて、ポリイミドフィルム1A,1Bは形状の変形が小さく、後の工程におけるハンドリングが容易であり、製造されるポリイミド配線基板15A,15Bの寸法精度を高めることができる。
Further, in the
また、この第1実施形態によれば、中間層14が支持体3を有するので、2枚のポリイミドフィルム1A,1Bを中間層14を介して貼り合わせたフィルム積層体101の剛性が増す。よって、フィルム積層体101のハンドリングが特に容易となる。
Moreover, according to this 1st Embodiment, since the intermediate |
なお、上記第1実施形態では、粘着材層2A,2Bは、ポリイミドフィルム1A,1Bに対する密着強度に比べて、支持体3に対する密着強度が高い。この粘着材層2A,2Bの密着強度の差により、ポリイミドフィルム1A,1Bを中間層14から引き剥がすことが可能となる。
In the first embodiment, the
次に、この発明の片面ポリイミド配線基板の製造方法を、上記第1実施形態に対応する実施例でより詳細に説明するが、この発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Next, although the manufacturing method of the single-sided polyimide wiring board of this invention is demonstrated in detail in the Example corresponding to the said 1st Embodiment, this invention is not limited to these Examples.
この実施例では、以下に説明する工程により、片面ポリイミド配線基板の製造方法を形成した。 In this example, a method for manufacturing a single-sided polyimide wiring board was formed by the steps described below.
被めっき物として、100mm×100mmのフィルム積層体101を用いた。フィルム積層体101としては、厚さ100μmのポリプロピレンからなる支持体3の両面に、シリコーン系粘着剤からなる粘着材層2A,2Bを介して、厚さ50μmの2枚のポリイミドフィルム1A,1Bを貼り付けた構造のものを用いた。
A
次に、フィルム積層体101を50℃のKOH水溶液に5分間浸漬し、2分間水洗した後、5分間の乾燥を行った。この工程により、ポリイミドフィルム1A,1Bの、粘着材層2A,2Bに接していない側の表面について、イミド環の加水分解が行われ、ポリイミド表面の改質層104A,104Bには、カルボキシル基にカリウムイオンが配位したカルボン酸カリウム塩が形成された。
Next, the
次に、30℃のCuSO4水溶液にフィルム積層体101を5分間浸漬し、改質層104A,104Bのカルボン酸カリウム塩のカリウムイオンを銅イオンに置換する反応により、カルボン酸銅塩を形成した。この後、5分間の水洗を行った。
Next, the carboxylate copper salt was formed by immersing the
次に、フィルム積層体101を30℃のNaBH4水溶液に5分間浸漬し、さらに5分間の水洗を行った。この時点で、改質層104A,104Bではカルボン酸銅塩の銅イオンが還元されて銅が析出し、改質層104A,104Bの表面に金属薄膜4A,4Bが形成された。
Then, the
次に、フィルム積層体101の両面に、厚さ25μmのドライフィルムレジストを貼り付け、露光、現像を行って、めっきレジスト5A,5Bを形成した。
Next, a dry film resist having a thickness of 25 μm was attached to both surfaces of the
次に、フィルム積層体101を銅の電解めっき液に浸漬し、金属薄膜4A,4Bを給電層として銅の電解めっきを行い、めっき膜6A,6Bを約20μmの厚さで析出させた。
Next, the
次に、フィルム積層体101の表面にNaOH水溶液をスプレー塗布して、めっきレジスト5A,5Bを剥離し、その後で、5分間の水洗を行った。この工程は2回繰り返し(2つのレジスト5A,5B分)、フィルム積層体101の両面のめっきレジスト5A,5Bを剥離した。
Next, a NaOH aqueous solution was spray-coated on the surface of the
次に、フィルム積層体101を銅のエッチング液に3分間浸漬し、めっき膜6A,6Bが析出していない領域の金属薄膜4A,4Bを除去した。この後、5分間の水洗を行った。
Next, the
次に、フィルム積層体101に90℃の熱をかけて、粘着材層2A,2Bの接着力を低下させながら、ポリイミドフィルム1A,1Bを引き剥がした。この工程も2回行い(2枚のポリイミドフィルム1A,1B分)、めっき膜6A,6Bが形成された2枚のポリイミドフィルム1A,1Bを得た。
Next, 90 degreeC heat | fever was applied to the film laminated
この後、ポリイミドフィルム1A、1Bを窒素雰囲気中で350℃の温度に2時間保持した。次に、ポリイミドフィルム1A,1Bのめっき膜6A,6Bが形成された面にカバーレイを形成し、めっき膜6A,6Bのランド部にあたる部分にAuフラッシュめっきなどの表面処理を行い、配線基板ごとの形状に打ち抜く工程や、他部材との貼り合わせ工程を行って、片面ポリイミド配線基板15A,15Bを作製した。
Thereafter, the
(第2の実施の形態)
次に、図10A〜図10D、図11A〜図11Dを順に参照して、この発明の第2実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法を説明する。図10A〜図10D、図11A〜図11Dは、この第2実施形態の片面ポリイミド配線基板の製造方法の製造フロー図をなす。
(Second embodiment)
Next, with reference to FIGS. 10A to 10D and FIGS. 11A to 11D in order, a method for manufacturing a single-sided polyimide wiring board according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 10A to FIG. 10D and FIG. 11A to FIG. 11D are manufacturing flow diagrams of the method for manufacturing the single-sided polyimide wiring board of the second embodiment.
この第2実施形態では、被めっき物として、100mm×100mmのフィルム積層体201を用いた。図10Aに示すように、フィルム積層体201としては、アクリル系接着材からなる中間層としての接着材層202を介して、2枚の厚さ50μmのポリイミドフィルム21A,21Bを貼り合わせた構造のものを用いた。
In the second embodiment, a 100 mm × 100
次に、フィルム積層体201を50℃のKOH水溶液に5分間浸漬し、2分間水洗した後、5分間の乾燥を行った。この加水分解工程により、ポリイミドフィルム21A,21Bの両面のうちの、接着材層102に接していない側の表面に対して、イミド環の加水分解が行われる。これにより、図10Bに示すように、ポリイミドフィルム21A,21Bの表面に改質層204A,204Bとして、カルボキシル基にカリウムイオンが配位したカルボン酸カリウム塩が形成された。
Next, the
次に、イオン交換工程では、30℃のCuSO4水溶液にフィルム積層体201を5分間浸漬し、改質層204A,204Bのカルボン酸カリウム塩のカリウムイオンを銅イオンに置換する反応により、カルボン酸銅塩を形成した。この後、5分間の水洗を行った。
Next, in the ion exchange step, the
次に、還元工程では、フィルム積層体201をNaBH4水溶液に5分間浸漬し、さらに5分間の水洗を行った。この時点で、改質層204A,204Bの表面には、カルボン酸銅塩の銅イオンが還元されて銅が析出し、図10Cに示すように、金属薄膜24A,24Bが形成された。
Next, in the reduction step, the
次に、図10Dに示すように、フィルム積層体201の両面の金属薄膜24A,24Bに、厚さ25μmのドライフィルムレジストを貼り付け、露光、現像を行って、金属薄膜24A,24Bの所定の領域にめっきレジスト25A,25Bを形成した。次に、めっき工程では、フィルム積層体201を銅の電解めっき液に浸漬し、金属薄膜24A,24Bを給電層として銅の電解めっきを行い、図11Aに示すように、金属薄膜24A,24Bの所定の領域にめっき膜26A,26Bを約20μmの厚さで析出させた。
Next, as shown in FIG. 10D, a 25 μm-thick dry film resist is applied to the metal
次に、フィルム積層体201の表面のめっきレジスト25A,25BにNaOH水溶液をスプレー塗布して、図11Bに示すように、めっきレジスト25A,25Bを剥離し、その後で、5分間の水洗を行った。この工程は2回繰り返し、フィルム積層体101の両面のめっきレジスト25A,25Bを剥離した。
Next, an aqueous NaOH solution was spray applied to the plating resists 25A and 25B on the surface of the
次に、エッチング工程では、フィルム積層体201を銅のエッチング液に3分間浸漬し、図11Cに示すように、めっき膜26A,26Bが析出していない領域の金属薄膜24A,24Bを除去した。この後、5分間の水洗を行った。
Next, in the etching process, the
次に、図11Dに示すように、フィルム積層体201を50℃のメチルエチルケトンに10分間浸漬し、接着材層202を溶かしながら、2枚のポリイミドフィルム21A,21Bを引き剥がした。その後、イソプロピルアルコールに5分間浸漬して、洗浄した。
Next, as shown in FIG. 11D, the
この後、ポリイミドフィルム1A、1Bを窒素雰囲気中で350℃の温度に2時間保持した。次に、ポリイミドフィルム21A,21Bのめっき膜26A,26Bが形成された面にカバーレイ(図示せず)を形成し、めっき膜26A,26Bのランド部にあたる部分にAuフラッシュめっきなどの表面処理を行い、配線基板ごとの形状に打ち抜く工程や、他部材との貼り合わせ工程を行って、片面ポリイミド配線基板を作製した。
Thereafter, the
この発明は、フレキシブル配線基板などの回路基板の製造に広く利用可能であり、小形化および軽量化が要求されている携帯電話などの携帯情報機器に代表される電子機器に内蔵する回路基板の製造方法として有用である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely used in the manufacture of circuit boards such as flexible wiring boards, and the manufacture of circuit boards incorporated in electronic devices typified by portable information devices such as mobile phones that are required to be reduced in size and weight. Useful as a method.
1A、1B、21A、21B ポリイミドフィルム
2A、2B 粘着材層
3 支持体
4A、4B、24A、24B 金属薄膜
5A、5B、25A、25B めっきレジスト
6A、6B、26A、26B めっき膜
14 中間層
101、201 フィルム積層体
202 接着材層
104A、104B、204A、204B 改質層
1A, 1B, 21A,
Claims (3)
上記フィルム積層体の両面をアルカリ溶液で処理する加水分解工程と、
上記フィルム積層体の両面を金属イオン含有溶液で処理するイオン交換工程と、
上記フィルム積層体の両面を還元剤で処理して上記フィルム積層体の両面に金属膜を析出させる還元工程と、
上記フィルム積層体の両面の上記金属膜の所定の領域にめっき膜を形成するめっき工程と、
上記めっき工程で上記めっき膜が形成されなかった領域の上記金属膜を除去すると共に上記めっき膜が形成された所定の領域の金属膜を残すエッチング工程と、
上記2枚のポリイミドフィルムから上記中間層を取り除く工程と、
を備えることを特徴とする片面ポリイミド配線基板の製造方法。 A film laminating step of forming a film laminate by laminating two polyimide films across an intermediate layer;
A hydrolysis step of treating both sides of the film laminate with an alkaline solution;
An ion exchange step of treating both surfaces of the film laminate with a metal ion-containing solution;
A reduction step of treating both sides of the film laminate with a reducing agent to deposit metal films on both sides of the film laminate;
A plating step of forming a plating film in a predetermined region of the metal film on both surfaces of the film laminate;
An etching step of removing the metal film in a region where the plating film is not formed in the plating step and leaving a metal film in a predetermined region where the plating film is formed;
Removing the intermediate layer from the two polyimide films;
A method for producing a single-sided polyimide wiring board, comprising:
上記中間層は、支持体と、この支持体の両面に塗布された粘着材層とを有することを特徴とする片面ポリイミド配線基板の製造方法。 In the manufacturing method of the single-sided polyimide wiring board of Claim 1,
The said intermediate | middle layer has a support body and the adhesive material layer apply | coated on both surfaces of this support body, The manufacturing method of the single-sided polyimide wiring board characterized by the above-mentioned.
上記中間層は、支持体と、この支持体を挟む2層の粘着材層とを有し、
上記支持体に対する上記粘着材層の粘着強度は、上記ポリイミドフィルムに対する上記粘着材層の粘着強度に比べて高いことを特徴とする片面ポリイミド配線基板の製造方法。
In the manufacturing method of the single-sided polyimide wiring board according to claim 1,
The intermediate layer has a support and two adhesive layers sandwiching the support,
The method for producing a single-sided polyimide wiring board, wherein the adhesive strength of the adhesive layer to the support is higher than the adhesive strength of the adhesive layer to the polyimide film.
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---|---|---|---|---|
JP2009064926A (en) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Sharp Corp | Method of forming metal thin film on front surface of polyimide resin |
WO2009101874A1 (en) * | 2008-02-13 | 2009-08-20 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Process for producing circuit wiring board |
JP2010171268A (en) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Nippon Steel Chem Co Ltd | Method for manufacturing circuit wiring board |
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- 2006-02-09 JP JP2006032282A patent/JP2007214338A/en active Pending
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