JP2007208020A - 半導体製造装置および半導体製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】所定圧力下での半導体形成基板の処理を精度よく行うことが可能であり、また製造効率を低下させることがない半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体形成基板への処理を行うチャンバ１０と、チャンバ１０に対して着脱自在に接続された複数の真空計４１，４２と、チャンバ１０と複数の真空計４１，４２との間にそれぞれ配置されたバルブ５１，５２と、複数のバルブ５１，５２と複数の真空計４１，４２との間にそれぞれ接続された給気手段７１，７２および排気手段８１，８２と、を有する構成とした。前記真空計４１，４２は、隔膜真空計であることが望ましい。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造装置および半導体製造方法に関するものである。

携帯電話等の電子機器における画像表示装置として、液晶装置が使用されている。液晶装置では、ガラス基板上に複数の画素電極がマトリクス状に配列形成され、各画素電極への通電を制御する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下「ＴＦＴ」という。）等のスイッチング素子が設けられている。そして、画素ごとに液晶を配向制御することにより、画像を表示しうるようになっている。

ＴＦＴのゲート電極やソース電極等の加工には、ドライエッチング装置が利用されている。ドライエッチング装置は、低圧（真空）に保持されたチャンバ内に反応ガスを導入し、その反応ガスをプラズマにより活性化させ、被処理膜に作用させてエッチングを行うものである。そのチャンバ内の圧力をモニタするための圧力計として、隔膜真空計（キャパシタンスマノメータ）が利用されている（例えば、特許文献１参照）。キャパシタンスマノメータは、キャパシタにおける一方の電極を薄膜で構成したものであり、圧力による薄膜の撓みによりキャパシタの容量が変化することを利用して圧力を検知するものである。このような隔膜真空計は、圧力測定範囲が広く、電気信号を容易に取り出すことができる点で優れている。
特開２０００−２６９１８７号公報

しかしながら、エッチング処理中のチャンバ内では、エッチングガスと被処理膜との化合物（エッチング生成物）が発生する。そのチャンバ内の圧力を隔膜真空計で測定すると、隔膜にエッチング生成物が付着するため、測定精度が徐々に低下することになる。これに伴って、エッチングガス供給量の調整やエッチング終点の検出等が困難になり、形成すべきデバイス（ＴＦＴ）の性能に悪影響が及ぶという問題がある。
この問題を回避するためには、１日に数回も隔膜真空計の交換を行う必要があり、製造コストを増加させることになる。また隔膜真空計を交換するたびにエッチング装置を停止させる必要があり、製造効率を低下させることになる。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、チャンバ内の圧力モニタを精度よく行うことが可能であり、また製造効率を低下させることがない半導体製造装置および半導体製造方法の提供を目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係る半導体製造装置は、半導体形成基板への処理を行うチャンバと、前記チャンバに対して着脱自在に接続された複数の圧力計と、前記チャンバと前記複数の圧力計との間にそれぞれ配置されたバルブと、前記複数のバルブと前記複数の圧力計との間にそれぞれ接続された給気手段および排気手段と、を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、チャンバに対して着脱自在に接続された複数の圧力計と、チャンバと複数の圧力計との間にそれぞれ配置されたバルブとを備えているので、圧力測定に使用する圧力計の切り替えや、測定精度が低下した圧力計の交換を円滑に行うことが可能になる。したがって、チャンバ内の圧力モニタを精度よく行うことができる。また半導体製造装置の運転を停止することなく圧力計を交換することが可能になり、製造効率の低下を防止することができる。さらに、複数のバルブと複数の圧力計との間にそれぞれ接続された給気手段および排気手段を備えているので、圧力計の交換時に遊離した不純物を排出することが可能になり、その不純物が新しい圧力計に付着することによって測定精度が低下するのを抑制することができる。したがって、チャンバ内の圧力モニタを精度よく行うことができる。

また本発明に係る他の半導体製造装置は、半導体形成基板への処理を行うチャンバと、前記チャンバに対して着脱自在に接続された複数の圧力計と、前記チャンバと前記複数の圧力計との間にそれぞれ配置されたバルブと、前記複数の圧力計および前記複数のバルブの動作を制御する制御部と、を備えた半導体製造装置であって、前記制御部は、前記チャンバ内の圧力測定に使用されている第１の前記圧力計による前記チャンバ内の圧力測定結果と、前記第１の圧力計とは異なる第２の前記圧力計による前記チャンバ内の圧力測定結果とを比較して、前記第１の圧力計の使用可否を判断することを特徴とする。
この構成によれば、第１の圧力計の使用可否を簡単かつ正確に把握することができるので、圧力測定に使用する圧力計の切り替え、および測定精度が低下した圧力計の交換を容易に行うことができる。また、チャンバ内の圧力モニタを精度よく行うことができる。

また前記圧力計は、隔膜真空計であることが望ましい。
隔膜真空計は、圧力測定範囲が広く、電気信号を容易に取り出すことができる点で優れている。しかしながら、チャンバ内での生成物が隔膜に付着すると、測定精度が徐々に低下するという問題がある。これに対して本発明では、圧力測定に使用する真空計の切り替えや、測定精度が低下した真空計の交換を円滑に行うことが可能であり、チャンバ内の圧力モニタを精度よく行うことができる。また半導体製造装置の運転を停止することなく真空計を交換することが可能であり、製造効率の低下を防止することができる。

また、前記圧力計を加熱するヒータを備えていることが望ましい。
この構成によれば、チャンバ内での生成物が圧力計に付着するのを抑制することができる。

一方、本発明に係る半導体製造方法は、上記半導体製造装置を用いた半導体製造方法であって、前記チャンバ内の圧力測定に使用されていた第１の前記圧力計に対応する前記バルブを閉じるとともに、前記第１の圧力計とは異なる第２の前記圧力計に対応する前記バルブを開き、前記第２の圧力計による前記チャンバ内の圧力測定を開始する工程と、前記第１の圧力計を交換する工程と、前記第１の圧力計に対応する前記給気手段および前記排気手段を運転する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、チャンバ内の圧力測定に使用されていた第１の圧力計のバルブを閉じるとともに、第２の圧力計のバルブを開いてチャンバ内の圧力測定を開始する工程と、第１の圧力計を交換する工程とを有するので、圧力測定に使用する圧力計の切り替えや、測定精度が低下した圧力計の交換を円滑に行うことが可能になり、チャンバ内の圧力モニタを精度よく行うことができる。また半導体製造装置の運転を停止することなく圧力計を交換することが可能になり、製造効率の低下を防止することができる。さらに、第１の圧力計に対応する給気手段および排気手段を運転する工程を有するので、第１の圧力計の交換時に遊離した不純物を排出することが可能になり、その不純物が新しい第１の圧力計に付着することによって測定精度が低下するのを抑制することができる。したがって、チャンバ内の圧力モニタを精度よく行うことができる。

また本発明に係る他の半導体製造方法は、上記半導体製造装置を用いた半導体製造方法であって、前記チャンバ内の圧力測定に使用されていた第１の前記圧力計とは異なる第２の前記圧力計に対応する前記バルブを開く工程と、前記第１の圧力計および前記第２の圧力計により前記チャンバ内の圧力を測定する工程と、前記第１の圧力計による圧力測定結果と、前記第２の圧力計による圧力測定結果とを比較して、前記第１の圧力計の使用可否を判断する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、第１の圧力計の使用可否を簡単かつ正確に把握することができるので、チャンバ内の圧力モニタを精度よく行うことができる。

また前記第１の圧力計および前記第２の圧力計により前記チャンバ内の圧力を測定する工程は、前記チャンバへの前記半導体形成基板の搬出時および／または搬入時に行うことが望ましい。
この構成によれば、半導体製造装置の運転を停止することなく第１の圧力計の使用可否を判断することが可能になり、製造効率の低下を防止することができる。

また前記第１の圧力計が使用不可と判断された場合に、前記第２の圧力計を用いて、前記半導体形成基板への処理中における前記チャンバ内の圧力測定を行うことが望ましい。
この構成によれば、半導体製造装置の運転を継続することができるので、製造効率の低下を防止することができる。

また前記第１の圧力計が使用不可と判断された場合に、前記第２の圧力計を用いて、前記半導体形成基板への処理中における前記チャンバ内の圧力測定を行うとともに、前記第１の圧力計の交換を行うことが望ましい。
この構成によれば、半導体製造装置の運転を停止することなく第１の圧力計を交換することが可能になり、製造効率の低下を防止することができる。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下で参照する各図面においては、理解を容易にするために、各構成要素の寸法等を適宜変更して表示している。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体製造装置の概略構成図である。第１実施形態に係る半導体製造装置は、半導体形成基板へのエッチング処理を行うチャンバ１０と、そのチャンバ１０に対して着脱自在に接続された複数の隔膜真空計（圧力計）４１，４２と、チャンバ１０と複数の真空計４１，４２との間にそれぞれ配置されたバルブ５１，５２と、複数のバルブ５１，５２と複数の真空計４１，４２との間にそれぞれ接続された給気手段７１，７２および排気手段８１，８２と、複数の真空計４１，４２および複数のバルブ５１，５２の動作を制御する制御部３０と、を備えたものである。

図２は、エッチング処理装置の概略構成図である。本実施形態では、エッチング処理装置１におけるチャンバ１０を例にして説明するが、他の処理装置に本発明を適用することも可能である。
エッチング処理装置１は、半導体形成基板５への処理を行うチャンバ１０を備えている。そのチャンバ１０の上方には、エッチングガス供給手段１２が設けられている。またチャンバ１０の下方には、半導体形成基板５を載置するテーブル１４が設けられている。このテーブル１４は、チャンバ１０内にプラズマを発生させる高周波電源１５に接続されている。なおチャンバ１０内に高密度プラズマを発生させるため、チャンバ１０の外周に誘導コイルやソレノイドコイル等の高密度プラズマ源を設けてもよい。またテーブル１４の下方には、チャンバ１０内のエッチング生成物等を排出する排気口１６が設けられ、排気ポンプ（不図示）に接続されている。

上述したエッチング処理装置１でエッチング処理を行うには、まずチャンバ１０内に半導体形成基板５を搬入してテーブル１４に載置する。次に、チャンバ１０内を排気して所定の低圧（真空）に保持する。次に、エッチングガス供給手段１２によりチャンバ１０内にエッチングガスを導入する。例えばＡｌ膜をエッチングする場合には、Ｃｌ_２等の塩素系のガスをエッチングガスとして導入する。次に、高周波電源１５を駆動してチャンバ１０内にプラズマを発生させ、エッチングガスを励起して活性種を発生させる。この活性種が半導体形成基板５に到達し、表面の被膜と反応することにより、揮発性反応物が生成されて基板表面から離脱する。例えば、Ａｌ膜を塩素系ガスでエッチングする場合には、エッチング生成物として揮発性のＡｌＣｌ_３が発生する。以上のように、エッチング処理装置１において、半導体形成基板の表面の被膜に対するエッチング処理が行われる。

図１に戻り、上述したチャンバ１０に対して、複数の隔膜真空計（第１真空計４１および第２真空計４２）が接続されている。第１真空計４１は、第１着脱配管６１、第１バルブ５１および共通取付配管２０を介して、チャンバ１０に接続されている。また第２真空計４２は、第２着脱配管６２、第２バルブ５２および共通取付配管２０を介して、チャンバ１０に接続されている。なおチャンバ１０から第１真空計４１までの各部材を第１ユニット３１とよび、チャンバ１０から第２真空計４２までの各部材を第２ユニット３２とよぶ。以下には第１ユニットの構成を例にして説明するが、第２ユニットの構成も同様である。

図３は、隔膜真空計の概略構成図である。隔膜真空計４１では、一対の圧力室４５，４６が、導電性を有する隔膜４４により隔てられている。一方の圧力室４５にはガス導入口４３が形成され、エッチング処理装置のチャンバに接続されている。また他方の圧力室４６は所定の圧力に保持されている。さらに、一方の圧力室４５および／または他方の圧力室４６の内部には、電極４８が設けられている。この電極４８と隔膜４４とにより、キャパシタが構成されている。

エッチング処理装置におけるチャンバの圧力が低下すると、その圧力低下量に従って隔膜真空計４１の隔膜４４が一方の圧力室４５側に変位し、チャンバの圧力が上昇すると隔膜４４は他方の圧力室４６側に変位する。これにより、電極４８と隔膜４４とで構成されるキャパシタの静電容量が変化する。その静電容量を測定することにより、隔膜４４の変位量を算出することが可能になり、その変位量からチャンバ内の圧力を算出することができる。
なお隔膜真空計を加熱するヒータを備えていてもよい。隔膜真空計を加熱することにより、チャンバ内での生成物が隔膜４４に付着するのを抑制することができるからである。

図１に戻り、第１真空計４１は、第１着脱配管６１の一方端部に対して、着脱自在に接続されている。例えば、第１着脱配管６１に形成された雌ねじに対して、第１真空計４１のガス導入口に形成された雄ねじを螺合させることにより、両者が着脱自在に接続されている。また第１着脱配管６１の他方端部は、第１バルブ５１に接続されている。この第１バルブ５１は、チャンバ１０から第１真空計４１に至るガス流路を開閉するものであり、例えば電気信号により動作する電磁バルブによって構成されている。その第１バルブ５１は、共通取付配管２０を介してチャンバ１０に接続されている。

上述した第１真空計４１および第１バルブ５１の動作を制御するため、コントローラ（制御部）３０が設けられている。コントローラ３０は、所定のタイミングで第１バルブ５１に通電することにより、チャンバ１０から第１真空計４１に至るガス流路を開閉しうるようになっている。またコントローラ３０は、所定のタイミングで第１真空計４１に通電することにより、チャンバ１０内の圧力を算出しうるようになっている。

また、上述した第１着脱配管６１には、第１給気手段７１および第１排気手段８１が接続されている。第１給気手段７１は、パージガス供給部７０から給気配管が延設されてなり、第１着脱配管６１の内部ガスをＮ_２等の不活性ガスで置換するものである。また第１排気手段８１は、ポンプ８０から排気配管が延設されてなり、第１着脱配管６１の内部ガスを排気するものである。なおポンプ８０として、上述したチャンバ１０の排気ポンプを共用してもよい。

以上のように、チャンバ１０から第１真空計４１に至る第１ユニット３１が構成されている。その第１ユニット３１と同様に、チャンバ１０から第２真空計４２に至る第２ユニット３２も構成されている。なお第１真空計４１および第１バルブ５１と、第２真空計４２および第２バルブ５２とは、共通のコントローラ３０に接続されていてもよい。また第１ユニット３１および第２ユニット３２について、それぞれの給気手段７１，７２が共通のパージガス供給部７０に接続され、それぞれの排気手段８１，８２が共通のポンプ８０に接続されていてもよい。

第１実施形態では、共通取付配管２０の一方端部がチャンバ１０に接続され、他方端部が分岐されて第１バルブ５１および第２バルブ５２に接続されている。このような共通取付配管２０を用いて、チャンバ１０の同じ位置に第１ユニット３１および第２ユニット３２を接続することにより、第１真空計４１および第２真空計４２による圧力測定値に連続性を持たせることができる。

図４は、第１実施形態に係る半導体製造装置の変形例の概略構成図である。図４に示す変形例のように、第１ユニット３１の第１取付配管２１と、第２ユニット３２の第２取付配管２２とが、チャンバ１０の異なる位置に接続されていてもよい。この場合には、相互に対称となる位置に第１取付配管２１および第２取付配管２２を接続することにより、第１真空計４１および第２真空計４２による圧力測定値に連続性を持たせることができる。

（半導体製造方法）
次に、第１実施形態に係る半導体製造方法について説明する。
図５は、第１実施形態に係る半導体製造方法の工程表である。まず、基板に対するエッチング処理中のチャンバ１０内の圧力を、第１ユニット３１の第１真空計４１で本測定する（ステップａ）。ここでは、第１ユニット３１の第１バルブ５１を開いて第１真空計４１で本測定を行うとともに、第２ユニット３２の第２バルブ５２を閉じて第２真空計４２を停止している。

チャンバ１０内で複数の基板をエッチング処理する間、チャンバ１０内の圧力を測定していた第１真空計４１には、エッチング生成物が付着している。そのため、第１真空計４１による圧力測定精度が低下している。そこで、チャンバ１０内の圧力を測定する真空計を、第１真空計４１から第２真空計４２に切り替える。なお、基板処理数と真空計の測定精度の低下との関係を予め把握しておき、真空計の測定精度の低下が許容値を超える基板処理数（許容基板処理数）を求めておく。そして、第１真空計４１による圧力測定のもとにエッチング処理された基板数が、許容基板処理数を超える前に、第２真空計４２による圧力測定に切り替える。

具体的には、チャンバ１０における処理後の基板搬出および処理前の基板搬入のタイミングで、第１バルブ５１を閉じて第１真空計４１を停止するとともに、第２バルブ５２を開いて第２真空計４２を駆動する（ステップｂ）。次に、搬入された基板へのエッチング処理を開始し、第２真空計４２を用いてチャンバ１０内の圧力を本測定する（ステップｃ）。なお第２真空計４２による本測定は、複数の基板を処理する間継続する。

第２真空計４２で本測定を行っている間に、第１真空計４１の交換を行う（ステップｄ）。具体的には、使用済みの第１真空計４１を第１着脱配管６１から取り外し、新しい第１真空計４１を第１着脱配管６１に取り付ける。なお第１真空計４１は第１着脱配管６１に対して着脱自在に装着されているので、第１真空計４１の交換を円滑に行うことができる。

ところで、チャンバ１０におけるエッチング処理後には、第１真空計４１だけでなく第１着脱配管６１の内部にもエッチング生成物が付着している。使用済みの第１真空計４１を取り外す際に第１着脱配管６１を大気暴露すると、そのエッチング生成物が第１着脱配管６１から遊離するおそれがある。また、第１真空計４１を取り外す際に新たなパーティクルが発生するおそれがある。このようなエッチング生成物やパーティクル等（以下「エッチング生成物等」という。）が新しい第１真空計４１に付着すると、第１真空計４１による圧力測定の精度が低下することになる。またエッチング生成物等がチャンバ１０内に流入すると、半導体形成基板の性能に悪影響を及ぼすおそれがある。

そこで、第１着脱配管６１の内部ガスのパージおよび排気を行う（ステップｅ）。具体的には、第１真空計４１の交換中または交換後に、第１排気手段８１を駆動して第１着脱配管６１の内部ガスを排気するとともに、第１給気手段７１を駆動して第１着脱配管６１の内部にパージガスを供給する。なおパージおよび排気は繰り返して行うことが望ましい。これにより、遊離したエッチング生成物等が第１着脱配管６１の内部ガスとともに排出され、第１着脱配管６１の内部が清浄なガスに置換されるので、エッチング生成物等が新しい第１真空計４１に付着するのを抑制することが可能になり、第１真空計４１による圧力測定精度の低下を防止することができる。またエッチング生成物等がチャンバ１０内に流入するのを抑制することが可能になり、半導体形成基板の性能の劣化を防止することができる。

次に、チャンバ１０内の圧力を測定する真空計を、第２真空計４２から第１真空計４１に切り替える。切り替えのタイミングは、第２真空計４２による圧力測定のもとにエッチング処理された基板数が、上述した許容基板処理数を超える前とする。具体的には、チャンバ１０における処理後の基板搬出および処理前の基板搬入のタイミングで、第２バルブ５２を閉じて第２真空計４２を停止するとともに、第１バルブ５１を開いて第１真空計４１を駆動する（ステップｆ）。次に、搬入された基板へのエッチング処理を開始し、第１真空計４１を用いてチャンバ１０内の圧力を本測定する（ステップｇ）。

第１真空計４１で本測定を行っている間に、第２真空計４２の交換を行う（ステップｈ）。具体的には、使用済みの第２真空計４２を第２着脱配管６２から取り外し、新しい第２真空計４２を第２着脱配管６２に取り付ける。次に、第２着脱配管６２の内部ガスのパージおよび排気を行う（ステップｉ）。具体的には、第２排気手段８２を駆動して第２着脱配管６２の内部ガスを排気するとともに、第２給気手段７２を駆動して第２着脱配管６２の内部にパージガスを供給する。

以上に詳述したように、本実施形態に係る半導体製造装置は、チャンバ１０に対して着脱自在に接続された複数の真空計４１，４２と、チャンバ１０と複数の真空計４１，４２との間にそれぞれ配置されたバルブ５１，５２と、複数のバルブ５１，５２と複数の真空計４１，４２との間にそれぞれ接続された給気手段７１，７２および排気手段８１，８２と、を有する構成とした。また本実施形態に係る半導体製造方法では、チャンバ１０内の圧力測定に使用されていた第１ユニット３１の第１バルブ５１を閉じるとともに、第２ユニット３２の第２バルブ５２を開き、第２真空計４２によるチャンバ１０内の圧力測定を開始する工程と、第１真空計４１を交換する工程と、第１給気手段７１および第１排気手段８１を運転する工程と、を有する構成とした。

これらの構成によれば、チャンバ１０内の圧力測定に使用されていた第１ユニット３１の第１バルブ５１を閉じるとともに、第２ユニット３２の第２バルブ５２を開いてチャンバ１０内の圧力測定を開始する工程と、第１真空計４１を交換する工程とを有するので、圧力測定に使用する真空計の切り替えや、測定精度が低下した真空計の交換を円滑に行うことが可能になり、チャンバ内の圧力モニタを精度よく行うことができる。また半導体製造装置の運転を停止することなく第１真空計４１を交換することが可能になり、製造効率を向上することができる。さらに、第１給気手段７１および第１排気手段８１を運転する工程を有するので、第１真空計４１の交換時に遊離した不純物を排出することが可能になり、その不純物が新しい第１真空計４１に付着することに起因する測定精度の低下を抑制することができる。したがって、チャンバ１０内の圧力モニタを精度よく行うことができる。そして、チャンバ１０内の圧力モニタを精度よく行うことにより、半導体形成基板のエッチング処理等を精度よく行うことができる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体製造方法について説明する。第２実施形態では、図１に示すコントローラ（制御部）３０が、チャンバ１０内の圧力測定に使用されていた第１真空計４１による圧力測定結果と、第２真空計４２による圧力測定結果とを比較して、第１真空計４１の使用可否を判断するようになっている点で、第１実施形態と相違している。なお第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。

図６は第２実施形態に係る半導体製造方法のフローチャートであり、図７は工程表である。まず、基板に対するエッチング処理中のチャンバ１０内の圧力を、第１ユニット３１の第１真空計４１で本測定する（ステップａ）。ここでは、第１ユニット３１の第１バルブ５１を開いて第１真空計４１で本測定を行うとともに、第２ユニット３２の第２バルブ５２を閉じて第２真空計４２を停止している。

チャンバ１０内の圧力測定に使用していた第１真空計４１は、エッチング生成物の付着により、圧力測定精度が低下しているおそれがある。そこで、第１真空計４１の圧力測定精度のチェックを行う。具体的には、チャンバにおける処理後および処理前のタイミングで、第１バルブ５１を開いたまま第２バルブ５２も開く（ステップｂ）。次に、第１真空計４１および第２真空計４２により、チャンバ１０内の圧力を予備測定する（ステップｃ）。予備測定では、エッチング処理中のチャンバ１０内の圧力の本測定とは異なり、単に基板搬出および搬入時のチャンバ内の圧力を測定する。

次に、第１真空計４１による予備測定結果を第２真空計４２による予備測定結果と比較して、第１真空計４１の使用可否を判断する（ステップｄ）。具体的には、チャンバ１０内の圧力測定に使用していた第１真空計４１による予備測定結果と、新しい第２真空計４２による予備測定結果との差が、予め設定された許容値を超えた場合に、第１真空計４１が使用不可能であると判断する。ここで、両者の差が許容範囲内であり、第１真空計４１が使用可能であると判断された場合には、第１バルブ５１を開いたまま第２バルブ５２を閉じる（ステップｅ１）。そして、チャンバ１０内での基板に対するエッチング処理を再開し、第１真空計４１による本測定を継続する（ステップａ）。

一方、第１真空計４１による予備測定結果と第２真空計４２による予備測定結果との差が許容範囲内を超え、第１真空計４１が使用不可能であると判断された場合には、第２バルブ５２を開いたまま第１バルブ５１を閉じる（ステップｅ２）。そして、チャンバ１０内での基板に対するエッチング処理を再開し、チャンバ１０内の圧力を第２真空計４２により本測定する（ステップｆ）。
これと並行して、第１真空計４１の交換を行う。第１真空計４１の交換は、第１実施形態と同様に行えばよい。すなわち、第１真空計４１を第１着脱配管６１から取り外し、新しい第１真空計４１を第１着脱配管６１に取り付ける。次に、第１着脱配管６１の内部ガスのパージおよび排気を行う。具体的には、第１排気手段８１を駆動して第１着脱配管６１の内部ガスを排気するとともに、第１給気手段７１を駆動して第１着脱配管６１の内部にパージガスを供給する。

次に、第２真空計４２の圧力測定精度のチェックを行う（ステップｇ以下）。具体的には、上述した第１真空計４１の圧力測定精度のチェックと同様に行えばよい。

以上に詳述したように、第２実施形態に係る半導体製造方法は、チャンバ１０内の圧力測定に使用されていた第１真空計４１とは異なる第２真空計４２に対応する第２バルブ５２を開く工程（ステップｂ）と、第１真空計４１および第２真空計４２によりチャンバ１０内の圧力を測定する工程（ステップｃ）と、第１真空計４１による圧力測定結果を第２真空計４２による圧力測定結果と比較して、第１真空計４１の使用可否を判断する工程（ステップｄ）と、を有する構成とした。この構成によれば、第１真空計４１の使用可否を簡単かつ正確に把握することができるので、チャンバ１０内の圧力モニタを精度よく行うことができる。

また第１真空計４１および第２真空計４２によりチャンバ１０内の圧力を予備測定する工程は、チャンバ１０への半導体形成基板の搬出時および／または搬入時に行う構成とした。この構成によれば、半導体製造装置の運転を停止することなく第１真空計４１の使用可否を判断することが可能になり、製造効率を向上することができる。

また第１真空計４１が使用不可能と判断された場合に、第２真空計４２を用いて、半導体形成基板への処理中におけるチャンバ１０内の圧力測定を行う構成としたので、半導体製造装置の運転を継続することが可能になり、製造効率の低下を防止することができる。
また、第２真空計４２を用いて半導体形成基板への処理中におけるチャンバ１０内の圧力測定を行うとともに、第１真空計４１の交換を行う構成としたので、半導体製造装置の運転を停止することなく第１真空計４１を交換することが可能になり、製造効率を向上することができる。

なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。

第１実施形態に係る半導体製造装置の概略構成図である。 エッチング処理装置の概略構成図である。 隔膜真空計の概略構成図である。 第１実施形態に係る半導体製造装置の変形例の概略構成図である。 第１実施形態に係る半導体製造方法の工程表である。 第２実施形態に係る半導体製造方法のフローチャートである。 第２実施形態に係る半導体製造方法の工程表である。

符号の説明

１…エッチング処理装置 ５…半導体形成基板 １０…チャンバ ２０…共通取付配管 ３０…コントローラ（制御部） ３１，３２…ユニット ４１，４２…真空計（圧力計） ５１，５２…バルブ ６１，６２…着脱配管 ７１，７２…給気手段 ８１，８２…排気手段

Claims (9)

1. 半導体形成基板への処理を行うチャンバと、
   前記チャンバに対して着脱自在に接続された複数の圧力計と、
   前記チャンバと前記複数の圧力計との間にそれぞれ配置されたバルブと、
   前記複数のバルブと前記複数の圧力計との間にそれぞれ接続された給気手段および排気手段と、
   を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
2. 半導体形成基板への処理を行うチャンバと、
   前記チャンバに対して着脱自在に接続された複数の圧力計と、
   前記チャンバと前記複数の圧力計との間にそれぞれ配置されたバルブと、
   前記複数の圧力計および前記複数のバルブの動作を制御する制御部と、を備えた半導体製造装置であって、
   前記制御部は、前記チャンバ内の圧力測定に使用されている第１の前記圧力計による前記チャンバ内の圧力測定結果と、前記第１の圧力計とは異なる第２の前記圧力計による前記チャンバ内の圧力測定結果とを比較して、前記第１の圧力計の使用可否を判断することを特徴とする半導体製造装置。
3. 前記圧力計は、隔膜真空計であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置。
4. 前記圧力計を加熱するヒータを備えていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
5. 請求項１に記載の半導体製造装置を用いた半導体製造方法であって、
   前記チャンバ内の圧力測定に使用されていた第１の前記圧力計に対応する前記バルブを閉じるとともに、前記第１の圧力計とは異なる第２の前記圧力計に対応する前記バルブを開き、前記第２の圧力計による前記チャンバ内の圧力測定を開始する工程と、
   前記第１の圧力計を交換する工程と、
   前記第１の圧力計に対応する前記給気手段および前記排気手段を運転する工程と、
   を有することを特徴とする半導体製造方法。
6. 請求項２に記載の半導体製造装置を用いた半導体製造方法であって、
   前記チャンバ内の圧力測定に使用されていた第１の前記圧力計とは異なる第２の前記圧力計に対応する前記バルブを開く工程と、
   前記第１の圧力計および前記第２の圧力計により前記チャンバ内の圧力を測定する工程と、
   前記第１の圧力計による圧力測定結果と、前記第２の圧力計による圧力測定結果とを比較して、前記第１の圧力計の使用可否を判断する工程と、
   を有することを特徴とする半導体製造方法。
7. 前記第１の圧力計および前記第２の圧力計により前記チャンバ内の圧力を測定する工程は、前記チャンバへの前記半導体形成基板の搬出時および／または搬入時に行うことを特徴とする請求項６に記載の半導体製造方法。
8. 前記第１の圧力計が使用不可と判断された場合に、前記第２の圧力計を用いて、前記半導体形成基板への処理中における前記チャンバ内の圧力測定を行うことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体製造方法。
9. 前記第１の圧力計が使用不可と判断された場合に、前記第２の圧力計を用いて前記半導体形成基板への処理中における前記チャンバ内の圧力測定を行うとともに、前記第１の圧力計の交換を行うことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体製造方法。

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